KR20130062720A - 기판 및 그 제조방법, 그리고 프로브 카드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 본체; 상기 기판 본체의 일면에 형성되는 키 제작용 홈; 및 상기 키 제작용 홈에 형성되는 얼라인 키;를 포함하는 기판 및 그 제조방법, 그리고 상기 기판을 공간변형기로 적용한 프로브 카드를 개시한다.
본 발명에 따르면, 기판에 형성되는 얼라인 키의 인식률을 높여 상기 기판에 마이크로 프로브를 형성하는 멤스(MEMS:Micro Electro Mechanical Systems) 공정의 정확성을 높일 수 있으며, 이에 따라 상기 기판 및 이를 포함하는 프로브 카드의 생산성 및 신뢰성을 향상할 수 있다.

Description

기판 및 그 제조방법, 그리고 프로브 카드{Substrate and Method for Manufacturing the Same, and Probe Card having the Substrate}
본 발명은 기판 및 그 제조 방법 그리고 상기 기판을 포함하는 프로브 카드에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 기판에 형성되는 얼라인 키의 인식률을 높여 상기 기판에 마이크로 프로브를 형성하는 멤스(MEMS:Micro Electro Mechanical Systems) 공정의 정확성을 높일 수 있는 기판 및 그 제조 방법 그리고 상기 기판을 포함하는 프로브 카드에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로 패턴 및 검사를 위한 접속 패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 상기 회로 패턴 및 접속 패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.
상기 패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접속 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다.
상기 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사형 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.
상기 검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 상기 웨이퍼와 상기 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다.
이 중에서 상기 프로브 카드는 상기 테스터로부터 인가되는 전기 신호를 수신하는 인쇄회로기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접속 패드와 접촉하는 복수의 프로브를 포함한다.
최근에, 고 집적 반도체 칩의 수요가 증가함에 따라서, 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴이 고 집적하게 되며, 이에 의해, 이웃하는 접속 패드간의 간격, 즉 피치(pitch)가 매우 좁게 형성되고 있다.
이러한 미세 피치의 접속 패드를 검사하기 위해, 프로브 카드의 프로브 역시 미세하게 형성된다.
이하, 일반적인 프로브 카드를 첨부된 도 1 내지 도 7b를 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 프로브 카드(10)는, 외부로부터 전기적인 신호가 인가되는 인쇄회로기판(1)과, 반도체 칩과 같은 검사 대상체(미도시)의 접속 패드와 접촉되는 복수의 마이크로 프로브(2)를 갖는 공간 변형기(space transformer:STF:3), 그리고 상기 인쇄회로기판(1)과 상기 공간 변형기(3)를 상호 전기적으로 연결하는 인터페이스 부재(4)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 공간 변형기(3)는, 상기 인쇄회로기판(1)과 수십 마이크로 사이즈의 상기 복수의 마이크로 프로브(2)를 전기적으로 중간에서 연결하여 주는 전자회로기판으로, 멤스(MEMS:Micro Electro Mechanical Systems) 공정 및 반도체 공정을 이용하여 집적도가 높은 수 만개의 마이크로 프로브를 형성할 수 있다.
즉, 도 2를 참조하면, 세라믹 기판으로 이루어진 공간 변형기(3)를 준비하고, 상기 공간 변형기(3)의 상면에 전도성 물질(31)을 구비한 다음, 상기 전도성 물질(31)에 감광성 필름(DFR:Dry Film Resist:32)을 부착한다.
그리고, 상기 감광성 필름(32)에 마스크(33)를 이용한 노광 공정 및 현상 공정을 수행하여 상기 감광성 필름(32)을 패터닝한다.
그 다음, 에칭 공정을 수행하여 상기 감광성 필름이 패터닝되지 않은 영역의 전도성 물질(31)을 제거한 후, 상기 패터닝된 감광성 필름(32)을 박리하여 상기 공간 변형기(3)에 랜드 패턴을 형성하고 상기 랜드 패턴에 복수의 마이크로 프로브를 구현함으로써 상기 공간 변형기(3)에 복수의 마이크로 프로브(2)를 형성할 수 있다.
이때, 상기 공간 변형기(3)에 집적도가 높은 수 만개의 마이크로 프로브(2)를 제작하여 미세 피치를 갖는 반도체 칩의 접속 패드에 접촉함으로써 전기 검사 공정을 수행하기 위해서는, 상기 공간 변형기(3)의 정확한 위치에 마이크로 프로브(2)가 형성되어야 한다.
이를 위해, 도 3에서와 같이, 상기 공간 변형기(3)에는 얼라인 키(3a)가 형성될 수 있으며, 상기 마이크로 프로브를 형성하기 위한 멤스 공정에서 상기 얼라인 키(3a)를 인식하여 상기 공간 변형기(3) 상에 마이크로 프로브가 형성될 위치를 정확하게 파악할 수 있다.
보다 상세하게, 도 4를 참조하면, 상기 공간 변형기에 얼라인 키 및 마이크로 프로브를 제조하는 공정은 다음과 같다.
먼저, 공간 변형기(STF)를 준비하고, 상기 공간 변형기에 레이저 가공을 하여 상기 공간 변형기의 외곽 영역에 얼라인 키를 형성한다.
그리고, 상기 공간 변형기에 멤브 공정 등을 원활히 수행하기 위해 상기 공간 변형기의 표면을 폴리싱한 후 상기 얼라인 키를 인식함으로써 상기 공간 변형기 상에 마이크로 프로브가 형성될 위치를 파악할 수 있다.
이후, 전술한 멤스 공정을 수행하여 상기 공간 변형기 상에 파악된 마이크로 프로브 형성 위치에 마이크로 프로브를 형성한다.
여기서, 상기 공간 변형기의 표면 이물 제거 및 이후 멤스 공정을 원활하게 수행하기 위하여 상기 공간 변형기의 표면을 대략 30~40㎛ 정도로 폴리싱하는데, 이때 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 공간 변형기(3)의 폴리싱 공정후 얼라인 키(3a)가 함께 연마되어 제거되거나 형상이 변하게 된다.
즉, 도 5a에 도시된 바와 같이 상기 공간 변형기(3)의 폴리싱 공정 전에는 얼라인 키(3a)가 선명하게 인식가능하지만, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 공간 변형기(3)의 폴리싱 공정 이후에는 얼라인 키(3a)가 인식하기 어려울 정도로 손상되며, 이에 따라 상기 공간 변형기(3)에 멤스 공정 진행시 상기 얼라인 키(3a)의 인식이 어려워 상기 공간 변형기(3) 상에 마이크로 프로브가 형성될 위치를 정확하게 파악하기 힘든 문제점이 있었다.
이를 개선하기 위하여, 도 6에서와 같이, 공간 변형기(3)에 얼라인 키(3a)를 가공시 폴리싱 가공 깊이를 고려하여 더 깊게 얼라인 키(3a)를 가공한다.
즉, 상기 공간 변형기(3)의 폴리싱 가공 깊이가 대략 30㎛일 경우 상기 얼라인 키(3a)는 대략 50㎛의 깊이로 가공한다.
그러나, 이와 같은 경우 도 7a에 도시된 바와 같이, 상기 얼라인 키(3a)를 깊게 가공하면 레이저의 가공력과 가공횟수 등이 높아지면서 레이저의 열에 의해 얼라인 키(3a)의 일부분이 녹아서 무너지는 결과가 발생함으로써, 결국 얼라인 키의 인식률이 낮아져 상기 공간 변형기(3)에 마이크로 프로브를 정밀하고 정확하게 형성하기 어려운 문제점이 있었다.
또한, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 얼라인 키(3a)의 일부분이 녹아서 무너진 상태에서 상기 공간 변형기(3)에 폴리싱 공정을 수행하면, 상기 공간 변형기(3)가 연마되면서 발생되는 이물질 즉, 세라믹 조각 등이 상기 얼라인 키(3a)의 홈 부분에 끼이게 되어, 결국 얼라인 키의 인식률이 낮아져 상기 공간 변형기(3)에 마이크로 프로브를 정밀하고 정확하게 형성하기 어려운 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 기판에 형성되는 얼라인 키의 인식률을 높일 수 있는 기판과 그 제조 방법 그리고 상기 기판을 포함하는 프로브 카드를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은, 얼라인 키의 인식률을 높임으로써 마이크로 프로브를 형성하는 멤스 공정의 정확성 및 정밀도를 향상시켜 제품 생산성을 증대시키고 제품 신뢰성을 향상할 수 있는 기판과 그 제조 방법 그리고 상기 기판을 포함하는 프로브 카드를 제공하기 위한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은: 기판 본체; 상기 기판 본체의 일면에 형성되는 키 제작용 홈; 및 상기 키 제작용 홈에 형성되는 얼라인 키;를 포함하는 기판을 제공한다.
상기 기판 본체는 알루미나 세라믹(Alumina Ceramic) 재질로 형성되며, 고온동시소성세라믹(HTTC:High Temperature Co-fired Ceramic) 또는 저온동시소성세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 키 제작용 홈은 기계 가공 중 머시닝 센터(MCT:Machining Center) 가공으로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 키 제작용 홈의 단면은 지름이 3 ~ 5mm인 원으로 형성될 수 있으며, 상기 키 제작용 홈은 50 ~ 200㎛의 깊이로 형성될 수 있다.
한편, 상기 얼라인 키는 상기 키 제작용 홈의 바닥면에 레이저로 가공될 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 다른 형태로서, 본 발명은: 기판 본체를 구비하는 단계; 상기 기판 본체의 일면에 키 제작용 홈을 형성하는 단계; 상기 키 제작용 홈에 얼라인 키를 형성하는 단계; 및 상기 기판 본체의 일면을 폴리싱하는 단계;를 포함하는 기판의 제조 방법을 제공한다.
여기서, 상기 기판 본체의 일면으로부터 폴리싱(polishing)되는 깊이는 상기 키 제작용 홈의 깊이보다 얕게 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 키 제작용 홈의 깊이가 50㎛일 경우, 상기 기판 본체의 일면으로부터 폴리싱(polishing)되는 깊이는 30 ~ 40㎛일 수 있다.
한편, 상기 기판의 제조 방법은, 상기 기판 본체의 일면을 폴리싱하는 단계 이후에 수행되며 상기 기판 본체 중 상기 얼라인 키를 통해 인식된 프로브 형성 위치에 반도체 칩의 접속 패드와 접촉되는 마이크로 프로브를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 또 다른 형태로서, 본 발명은: 외부로부터 전기적인 신호가 인가되는 인쇄회로기판과, 검사 대상체와 접촉되는 복수의 프로브를 갖는 공간 변형기(space transformer:STF), 그리고 상기 인쇄회로기판과 상기 공간 변형기를 상호 전기적으로 연결하는 인터페이스 부재를 포함하는 프로브 카드로서, 상기 공간 변형기는: 상기 인터페이스 부재를 통해 상기 인쇄회로기판과 상호 전기적으로 연결되며, 상기 복수의 마이크로 프로브가 구비되는 기판 본체; 상기 기판 본체에 형성되는 키 제작용 홈; 및 상기 키 제작용 홈에 형성되어, 상기 기판 본체에 상기 복수의 마이크로 프로브가 형성되는 위치에 대한 기준을 제공하는 얼라인 키;를 포함하여 구성되는 프로브 카드를 제공한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판과 그 제조 방법 그리고 상기 기판을 포함하는 프로브 카드에 의하면, 키 제작용 홈에 얼라인 키를 형성함으로써 폴리싱 공정 이후에도 얼라인 키의 인식률을 높일 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판과 그 제조 방법 그리고 상기 기판을 포함하는 프로브 카드에 의하면, 얼라인 키의 인식률을 높임으로써 마이크로 프로브를 형성하는 멤스 공정의 정확성 및 정밀도를 향상시켜 제품 생산성을 증대시키고 제품 신뢰성을 향상할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 일반적인 프로브 카드를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 공간 변형기에 복수의 마이크로 프로브를 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 3은 도 2의 공간 변형기를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 2의 공간 변형기의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 공정도이다.
도 5a는 도 2의 공간 변형기에 형성된 얼라인 키를 나타낸 사진이다.
도 5b는 도 5a의 얼라인 키의 폴리싱 공정 이후의 상태를 나타낸 사진이다.
도 6은 공간 변형기에 얼라인 키를 형성하는 다른 예를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 7a는 도 6의 과정 중 폴리싱 공정을 수행하기 전의 얼라인 키를 나타낸 사진이다.
도 7b는 도 6의 과정 중 폴리싱 공정을 수행한 후의 얼라인 키를 나타낸 사진이다.
도 8은 본 발명에 따른 기판의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 공정도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 기판의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도 및 평면도로서,
도 9a는 기판 본체에 키 제작용 홈을 형성한 상태를 나타낸 단면도 및 평면도이고,
도 9b는 도 9a의 키 제작용 홈에 얼라인 키를 형성한 상태를 나타낸 단면도 및 평면도이며,
도 9c는 도 9b의 기판 본체를 폴리싱한 후의 상태를 나타낸 단면도 및 평면도이다.
도 10은 도 9a 내지 도 9c의 과정을 거쳐 기판 본체에 형성된 얼라인 키를 나타낸 사진이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
이하, 첨부된 도 8 내지 도 10을 참조하여 본 발명에 따른 기판과 그 제조 방법에 대한 일실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 8은 본 발명에 따른 기판의 제조 방법을 개략적으로 나타낸 공정도이며, 도 9a 내지 도 9c는 본 발명에 따른 기판의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도 및 평면도로서, 도 9a는 기판 본체에 키 제작용 홈을 형성한 상태를 나타낸 단면도 및 평면도이고, 도 9b는 도 9a의 키 제작용 홈에 얼라인 키를 형성한 상태를 나타낸 단면도 및 평면도이며, 도 9c는 도 9b의 기판 본체를 폴리싱한 후의 상태를 나타낸 단면도 및 평면도이고, 도 10은 도 9a 내지 도 9c의 과정을 거쳐 기판 본체에 형성된 얼라인 키를 나타낸 사진이다.
본 실시예의 기판은 프로브 카드에 적용되는 공간 변형기로 구성될 수 있으며, 이에 따라 본 실시예에서는 기판을 공간 변형기로 갈음하여 설명하기로 한다.
물론, 본 실시예의 기판은 얼라인 키가 형성되는 모든 기판에 적용 가능하며 프로브 카드의 공간 변형기에 한정되는 것은 아니다.
도 8 내지 도 9c를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 즉 공간 변형기의 일실시예(100)는, 크게 기판 본체(110)와, 상기 기판 본체(110)의 일면에 형성되는 키 제작용 홈(120), 및 상기 키 제작용 홈(120)에 형성되는 얼라인 키(130)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 기판 본체(110)는, 알루미나 세라믹(Alumina Ceramic) 재질로 이루어진 세라믹 기판으로 형성될 수 있으며, 특히 소성 온도에 따라 고온동시소성세라믹(HTTC:High Temperature Co-fired Ceramic) 또는 저온동시소성세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic)으로 이루어질 수 있다.
상기 키 제작용 홈(120)은 기계 가공 중 머시닝 센터(MCT:Machining Center)를 이용한 기계 가공으로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 키 제작용 홈(120)의 단면은 지름(Φ)이 3 ~ 5mm인 원으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 키 제작용 홈(120)은 50 ~ 200㎛의 깊이(D1)로 형성될 수 있다.
한편, 상기 얼라인 키(130)는 상기 키 제작용 홈(120)의 바닥면(120a)에 레이저로 가공될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 실시예의 기판 즉, 공간 변형기(100)는, 상기 키 제작용 홈(120)의 바닥면(120a)에 레이저로 상기 얼라인 키(130)를 가공한 후에, 폴리싱(polishing) 공정을 통해 적어도 상기 일면이 연마될 수 있으며, 상기 폴리싱되는 깊이(D2)는 30 ~ 40㎛일 수 있다.
이때, 상기 폴리싱 공정에 의해 상기 얼라인 키(130)가 손상되지 않도록, 상기 기판 본체(110)의 일면으로부터 폴리싱되는 깊이(D2)는 상기 키 제작용 홈(120)의 깊이(D1)보다 얕게 즉, 작게 형성될 수 있다.
예를 들면, 상기 기판 본체(110)의 일면으로부터 폴리싱(polishing)되는 깊이(D2)가 30㎛일 경우 상기 키 제작용 홈(120)의 깊이는 50㎛의 깊이로 형성될 수 있다.
이에 따라, 본 실시예에 의한 기판, 즉, 공간 변형기(100)는, 폴리싱 공정 이후에도 얼라인 키(130)의 인식률이 우수하여, 이후 상기 공간 변형기(100) 상에 마이크로 프로브(미도시)가 형성될 정확한 위치의 파악이 가능하며, 이에 따라 상기 공간 변형기(100)의 정확한 위치에 마이크로 프로브를 구현할 수 있다.
상기와 같이 구성된 기판, 즉 공간 변형기(100)의 제조 방법을 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 기판 본체(110)를 준비하고, 상기 기판 본체(110)에 머시닝 센터(MCT:Machining Center)와 같은 기계 가공 장치를 이용하여 상기 키 제작용 홈(120)을 형성한다.
이때, 상기 키 제작용 홈(120)은 단면이 지름(Φ) 3 ~ 5mm인 원으로 형성될 수 있으며, 깊이(D1)는 50㎛로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음, 상기 키 제작용 홈(120)의 바닥면(120a)에 레이저로 얼라인 키(130)를 형성한다.
이후, 상기 기판 본체(110)를 폴리싱하여 상기 기판 본체(110)의 일면을 매끄럽게 가공한다.
이때, 상기 기판 본체(110)의 일면으로부터 폴리싱(polishing)되는 깊이(D2)는 상기 키 제작용 홈(120)의 깊이(D1)보다 얕게 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 키 제작용 홈(120)의 깊이(D1)가 50㎛일 경우, 상기 기판 본체(110)의 일면으로부터 폴리싱(polishing)되는 깊이(D2)는 30㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
그 다음, 상기 기판 본체(110) 중 상기 얼라인 키(130)를 통해 인식된 프로브 형성 위치에 반도체 칩의 접속 패드와 접촉되는 마이크로 프로브(미도시)를 멤스 공정 등을 이용하여 형성할 수 있다.
도 10에서와 같이, 본 실시예의 공간 변형기(100)에 의하면, 상기 키 제작용 홈(120)에 얼라인 키(130)를 형성함으로써, 폴리싱 공정 이후에도 상기 얼라인 키(130)의 손상이 방지되어 얼라인 키의 인식률을 매우 우수하여, 이후 상기 공간 변형기(100) 상에 마이크로 프로브(미도시)가 형성될 정확한 위치의 파악이 가능하기 때문에 상기 공간 변형기(100)의 마이크로 프로브 구현에 대한 정확성 및 정밀성을 향상할 수 있다.
한편, 자세하게 도시하진 않았지만, 상기와 같이 구성 및 제조된 기판 즉, 공간 변형기(100)는 반도체 칩의 전기적 특성 검사를 수행하는 프로브 카드에 공간 변형기로써 적용 가능하며, 이는 당업자가 용이하게 적용 가능한 정도로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 공간 변형기 110: 기판 본체
120: 키 제작용 홈 130: 얼라인 키

Claims (11)

  1. 기판 본체;
    상기 기판 본체의 일면에 형성되는 키 제작용 홈; 및
    상기 키 제작용 홈에 형성되는 얼라인 키;
    를 포함하는 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 본체는 알루미나 세라믹(Alumina Ceramic) 재질로 형성되며, 고온동시소성세라믹(HTTC:High Temperature Co-fired Ceramic) 또는 저온동시소성세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic)을 포함하는 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 키 제작용 홈은 기계 가공 중 머시닝 센터(MCT:Machining Center) 가공으로 형성되는 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 키 제작용 홈의 단면은 지름이 3 ~ 5mm인 원으로 형성되는 기판.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 키 제작용 홈은 50 ~ 200㎛의 깊이로 형성되는 인터페이스 기판.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 얼라인 키는 상기 키 제작용 홈의 바닥면에 레이저로 가공되는 기판.
  7. 기판 본체를 구비하는 단계;
    상기 기판 본체의 일면에 키 제작용 홈을 형성하는 단계;
    상기 키 제작용 홈에 얼라인 키를 형성하는 단계; 및
    상기 기판 본체의 일면을 폴리싱하는 단계;
    를 포함하는 기판의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 본체의 일면으로부터 폴리싱(polishing)되는 깊이는 상기 키 제작용 홈의 깊이보다 얕은 기판의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 키 제작용 홈의 깊이가 50㎛일 경우, 상기 기판 본체의 일면으로부터 폴리싱(polishing)되는 깊이는 30 ~ 40㎛인 기판의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 기판 본체의 일면을 폴리싱하는 단계 이후에 수행되며, 상기 기판 본체 중 상기 얼라인 키를 통해 인식된 프로브 형성 위치에 반도체 칩의 접속 패드와 접촉되는 마이크로 프로브를 형성하는 단계를 포함하는 기판의 제조 방법.
  11. 외부로부터 전기적인 신호가 인가되는 인쇄회로기판과, 검사 대상체와 접촉되는 복수의 프로브를 갖는 공간 변형기(space transformer:STF), 그리고 상기 인쇄회로기판과 상기 공간 변형기를 상호 전기적으로 연결하는 인터페이스 부재를 포함하는 프로브 카드로서,
    상기 공간 변형기는:
    상기 인터페이스 부재를 통해 상기 인쇄회로기판과 상호 전기적으로 연결되며, 상기 복수의 마이크로 프로브가 구비되는 기판 본체;
    상기 기판 본체에 형성되는 키 제작용 홈; 및
    상기 키 제작용 홈에 형성되어, 상기 기판 본체에 상기 복수의 마이크로 프로브가 형성되는 위치에 대한 기준을 제공하는 얼라인 키;
    를 포함하여 구성되는 프로브 카드.
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