JP2017125761A - プローブガイド板及びその製造方法とプローブ装置 - Google Patents
プローブガイド板及びその製造方法とプローブ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017125761A JP2017125761A JP2016004970A JP2016004970A JP2017125761A JP 2017125761 A JP2017125761 A JP 2017125761A JP 2016004970 A JP2016004970 A JP 2016004970A JP 2016004970 A JP2016004970 A JP 2016004970A JP 2017125761 A JP2017125761 A JP 2017125761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- silicon substrate
- oxide layer
- silicon oxide
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 154
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 207
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 194
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 194
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 194
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 114
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 112
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
- G01R1/07371—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate card or back card with apertures through which the probes pass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
Abstract
【解決手段】第1貫通孔10aが形成された第1シリコン基板10と、第1シリコン基板10の上に形成され、第1貫通孔10aが配置された領域上に開口部12aが設けられた第1シリコン酸化層12と、第1シリコン酸化層12の上に配置され、第1貫通孔10aに対応する位置に第2貫通孔20aが形成された第2シリコン基板20と、第1シリコン基板10及び第2シリコン基板20の露出面に形成された第2シリコン酸化層30とを含む。
【選択図】図6
Description
図1〜図5は第1実施形態のプローブガイド板の製造方法を説明するための図、図6〜図8は第1実施形態のプローブガイド板を説明するための図、図9は第1実施形態のプローブ装置を示す図である。以下、プローブガイド板の製造方法を説明しながら、プローブガイド板及びプローブ装置の構造について説明する。
図10〜図12は第2実施形態のプローブガイド板の製造方法を説明するための図、図13は実施形態のプローブガイド板を示す図である。
Claims (10)
- 第1貫通孔が形成された第1シリコン基板と、
前記第1シリコン基板の上に形成され、前記第1貫通孔が配置された領域上に開口部が設けられた第1シリコン酸化層と、
前記第1シリコン酸化層の上に配置され、前記第1貫通孔に対応する位置に第2貫通孔が形成された第2シリコン基板と、
前記第1シリコン基板及び前記第2シリコン基板の露出面に形成された第2シリコン酸化層と
を有することを特徴とするプローブガイド板。 - 前記第1シリコン基板の第1貫通孔の内壁の上端部にノッチ部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のプローブガイド板。
- 前記第1シリコン酸化層の開口部の内壁は、前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔よりも外側に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプローブガイド板。
- 前記プローブガイド板の周縁部にねじ止め穴が貫通して形成されており、
前記ねじ止め穴の内壁は、ストレート形状、又は、前記第1シリコン酸化層の内壁が外側に食い込むアンダーカット形状を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のプローブガイド板。 - 第1貫通孔が形成された第1シリコン基板と、
前記第1シリコン基板の上に形成され、前記第1貫通孔が配置された領域上に開口部が設けられた第1シリコン酸化層と、
前記第1シリコン酸化層の上に配置され、前記第1貫通孔に対応する位置に第2貫通孔が形成された第2シリコン基板と、
前記第1シリコン基板及び前記第2シリコン基板の露出面に形成された第2シリコン酸化層と、
前記第1シリコン基板の第1貫通孔の内壁の上端部に形成されたノッチ部と
を備えたプローブガイド板と、
前記プローブガイド板の第2貫通孔から第1貫通孔に挿入されたプローブ端子と
を有することを特徴とするプローブ装置。 - 第1シリコン基板、第1シリコン酸化層及び第2シリコン基板が順に積層されたシリコン積層基板を用意する工程と、
前記第1シリコン基板に第1貫通孔を形成し、前記第2シリコン基板に第2貫通孔を形成することを順不同に行い、前記第1貫通孔と前記第2貫通孔とを対応する位置に配置する工程と、
前記第1シリコン酸化層を等方性エッチングでエッチングして、前記第1貫通孔が配置された領域上に前記第1シリコン酸化層の開口部を形成する工程と、
前記第1シリコン基板及び前記第2シリコン基板の露出面に第2シリコン酸化層を形成する工程と
を有することを特徴とするプローブガイド板の製造方法。 - 前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔を形成する工程において、
前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔は、前記第1シリコン基板及び前記第2シリコン基板をそれぞれ異方性ドライエッチングでエッチングすることにより形成され、
前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔の各内壁の前記第1シリコン酸化層側の端部にノッチ部が形成されることを特徴とする請求項6に記載のプローブガイド板の製造方法。 - 前記第1シリコン酸化層の開口部を形成する工程において、
前記等方性エッチングは、フッ化水素ガスを使用するドライエッチングによって行われることを特徴とする請求項6又は7に記載のプローブガイド板の製造方法。 - 前記第1貫通孔及び前記第2貫通孔を形成する工程において、
前記第1シリコン基板及び前記第2シリコン基板の各周縁部の対応する位置に開口穴をそれぞれ形成し、
前記第1シリコン酸化層の開口部を形成する工程は、
前記第1シリコン基板及び前記第2シリコン基板の各開口穴を通して前記第1シリコン酸化層をエッチンングして、ねじ止め穴を形成することを含むことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載のプローブガイド板の製造方法。 - 前記第1シリコン酸化層の開口部を形成する工程の後であって、前記第2シリコン酸化層を形成する工程の前に、
前記第2シリコン基板の周縁部の上面から前記第1シリコン基板の下面まで貫通加工して、ねじ止め穴を形成する工程を有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載のプローブガイド板の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016004970A JP6706076B2 (ja) | 2016-01-14 | 2016-01-14 | プローブガイド板及びその製造方法とプローブ装置 |
US15/404,832 US10386387B2 (en) | 2016-01-14 | 2017-01-12 | Probe guide plate and probe device |
KR1020170005902A KR102661147B1 (ko) | 2016-01-14 | 2017-01-13 | 프로브 가이드판, 그 제조 방법 및 프로브 장치 |
TW106101613A TWI719120B (zh) | 2016-01-14 | 2017-01-16 | 探針導板及其製造方法以及探針裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016004970A JP6706076B2 (ja) | 2016-01-14 | 2016-01-14 | プローブガイド板及びその製造方法とプローブ装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017125761A true JP2017125761A (ja) | 2017-07-20 |
JP2017125761A5 JP2017125761A5 (ja) | 2019-01-24 |
JP6706076B2 JP6706076B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=59313627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016004970A Active JP6706076B2 (ja) | 2016-01-14 | 2016-01-14 | プローブガイド板及びその製造方法とプローブ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10386387B2 (ja) |
JP (1) | JP6706076B2 (ja) |
KR (1) | KR102661147B1 (ja) |
TW (1) | TWI719120B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6563317B2 (ja) * | 2015-11-25 | 2019-08-21 | 新光電気工業株式会社 | プローブガイド板及びその製造方法とプローブ装置 |
CN107728043B (zh) * | 2017-11-15 | 2020-08-28 | 奥士康科技股份有限公司 | 一种电路板测试方法及电路板测试系统 |
CN109212282B (zh) * | 2018-08-22 | 2021-04-16 | 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司 | 一种全自动探针检测台及其探针定位模组 |
TWI752732B (zh) * | 2020-11-18 | 2022-01-11 | 中華精測科技股份有限公司 | 穿孔對位總成及穿孔對位方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11258295A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-09-24 | Feinmetall Gmbh | 通電装置 |
JP2000243942A (ja) * | 1998-02-04 | 2000-09-08 | Canon Inc | 半導体基板とその製造方法 |
JP2001118943A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-04-27 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2007171139A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Apex Inc | プローブ保持構造およびバネ型プローブ |
US7546670B2 (en) * | 2006-05-05 | 2009-06-16 | International Business Machines Corporation | Method for producing thermally matched probe assembly |
JP2014232030A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 新光電気工業株式会社 | プローブガイド板及びその製造方法、半導体検査装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020004320A1 (en) * | 1995-05-26 | 2002-01-10 | David V. Pedersen | Attaratus for socketably receiving interconnection elements of an electronic component |
US6396078B1 (en) * | 1995-06-20 | 2002-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with a tapered hole formed using multiple layers with different etching rates |
JP3862845B2 (ja) * | 1998-02-05 | 2006-12-27 | セイコーインスツル株式会社 | 近接場用光プローブ |
US6982565B2 (en) * | 2003-03-06 | 2006-01-03 | Micron Technology, Inc. | Test system and test method with interconnect having semiconductor spring contacts |
TWI239685B (en) * | 2003-05-13 | 2005-09-11 | Jsr Corp | Flaky probe, its manufacturing method and its application |
JP2006064676A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Tokyo Electron Ltd | プローブ針、プローブ針の製造方法および三次元立体構造の製造方法 |
JP2007057447A (ja) | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード用ガイド板およびその加工方法 |
KR20070057447A (ko) | 2005-12-02 | 2007-06-07 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 데이터 방송을 이용한 온도 제어 장치 |
US8907689B2 (en) * | 2006-10-11 | 2014-12-09 | Microprobe, Inc. | Probe retention arrangement |
JP5010948B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-08-29 | オリンパス株式会社 | 半導体装置 |
US8222912B2 (en) * | 2009-03-12 | 2012-07-17 | Sv Probe Pte. Ltd. | Probe head structure for probe test cards |
TWI613453B (zh) * | 2011-07-06 | 2018-02-01 | 色拉頓系統公司 | 具有一探針裝置之測試系統及轉位機構 |
JP5847663B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2016-01-27 | 日本電子材料株式会社 | プローブカード用ガイド板の製造方法 |
JP2014071069A (ja) | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Japan Electronic Materials Corp | 垂直型プローブ |
KR102045729B1 (ko) | 2012-12-03 | 2019-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 적하장치용 제팅 밸브 |
JP6112890B2 (ja) * | 2013-02-07 | 2017-04-12 | 日置電機株式会社 | プローブユニット、基板検査装置およびプローブユニット組立方法 |
JP6235785B2 (ja) | 2013-03-18 | 2017-11-22 | 日本電子材料株式会社 | プローブカード用ガイド板およびプローブカード用ガイド板の製造方法 |
-
2016
- 2016-01-14 JP JP2016004970A patent/JP6706076B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-12 US US15/404,832 patent/US10386387B2/en active Active
- 2017-01-13 KR KR1020170005902A patent/KR102661147B1/ko active IP Right Grant
- 2017-01-16 TW TW106101613A patent/TWI719120B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11258295A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-09-24 | Feinmetall Gmbh | 通電装置 |
JP2000243942A (ja) * | 1998-02-04 | 2000-09-08 | Canon Inc | 半導体基板とその製造方法 |
JP2001118943A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-04-27 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2007171139A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Apex Inc | プローブ保持構造およびバネ型プローブ |
US7546670B2 (en) * | 2006-05-05 | 2009-06-16 | International Business Machines Corporation | Method for producing thermally matched probe assembly |
JP2014232030A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 新光電気工業株式会社 | プローブガイド板及びその製造方法、半導体検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10386387B2 (en) | 2019-08-20 |
JP6706076B2 (ja) | 2020-06-03 |
KR102661147B1 (ko) | 2024-04-29 |
US20170205444A1 (en) | 2017-07-20 |
KR20170085450A (ko) | 2017-07-24 |
TW201734463A (zh) | 2017-10-01 |
TWI719120B (zh) | 2021-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6706076B2 (ja) | プローブガイド板及びその製造方法とプローブ装置 | |
KR100415245B1 (ko) | 프로브 카드, 그에 사용되는 프로브 기판 및 스페이스 트랜스포머, 이들의 제조 방법 | |
KR100749735B1 (ko) | 캔틸레버형 프로브 제조 방법 및 이를 이용한 프로브 카드제조 방법 | |
JP2009192309A (ja) | 半導体検査装置 | |
JP2009503537A (ja) | カンチレバー型プローブ及びその製造方法 | |
JP2008513801A (ja) | 垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体 | |
JP2007171139A (ja) | プローブ保持構造およびバネ型プローブ | |
JP2007171140A (ja) | プローブカード、インターポーザおよびインターポーザの製造方法 | |
KR100393452B1 (ko) | 반도체소자검사용 기판의 제조방법 | |
JP4789686B2 (ja) | マイクロプローブガイドを用いるマイクロプローブユニット及び千鳥配置型マイクロプローブユニット | |
KR100703043B1 (ko) | 검사용 프로브 기판 및 그 제조 방법 | |
KR200454211Y1 (ko) | 가이드 구조물을 갖는 프로브 조립체 | |
KR100964568B1 (ko) | 어드밴스 프로브카드의 정열판 제조방법 | |
WO2016021397A1 (ja) | 貫通電極基板及びその製造方法、並びに貫通電極基板を用いた半導体装置 | |
CN103675365B (zh) | 一种微机械芯片测试探卡及其制作方法 | |
KR100796204B1 (ko) | 프로브 카드의 캔틸레버 구조물 제조 방법 | |
KR102597330B1 (ko) | 프로브 가이드판, 프로브 장치 및 그 제조 방법 | |
JP6208486B2 (ja) | プローブカード及びその製造方法 | |
KR100464681B1 (ko) | 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 팁 제조방법 | |
JP2011018672A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR101149808B1 (ko) | 프로브 및 프로브 카드 제조방법 | |
JP2010054463A (ja) | 半導体検査装置及びその製造方法 | |
KR20080090913A (ko) | 전기적 접촉체의 팁 및 그 제조 방법 | |
JP2005079554A (ja) | 貫通電極付き基板およびその製造方法 | |
JP2009210394A (ja) | 相互接続部材の製造方法および相互接続部材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160804 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160804 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180207 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180215 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181207 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200515 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6706076 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |