JP2010054463A - 半導体検査装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、Ｘ−Ｘ方向及びＹ−Ｙ方向に多ピン化及び狭ピッチ化することが可能なプローブ構造を有する半導体検査装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記基板の前記一方の面にランドを形成するランド形成工程と、前記貫通孔に前記貫通孔の壁面と接触しないようにボンディングワイヤを挿入し、前記ボンディングワイヤの先端部を前記他方の面から突出させるボンディングワイヤ挿入工程と、前記ボンディングワイヤの前記貫通孔に挿入されていない部分を前記ランドにワイヤボンディングし、プローブ針を形成するプローブ針形成工程と、を有する半導体検査装置の製造方法である。
【選択図】 図３

Description

本発明は、半導体チップの電極パッドに複数のプローブ針を接触させて、半導体チップの電気的特性を検査する半導体検査装置及びその製造方法に関する。

従来から、半導体チップの検査工程においては、半導体ウェハに形成されている半導体チップの電極パッドに半導体検査装置のプローブ針の先端を直接押し当て、外部の試験装置と半導体チップとを一時的に電気的に接続することにより、各回路間の導通の良否を判別するプロービング検査、高温中において熱的、電気的ストレスを回路に付与して不良を加速選別するバーンイン検査、及び、最終的に高周波で検査を行う最終検査等の電気的特性の検査が行われていた。

近年、半導体チップにおいては、素子の高集積化および処理信号数の増加によって、半導体チップに形成される電極パッドの数が増加（多ピン化）するとともに、電極パッドの狭ピッチ化が進んでいる。これにともない半導体チップの電気的特性の検査を行なう半導体検査装置のプローブ針においても多ピン化及び狭ピッチ化が必要となりつつある。

図１は、従来の半導体検査装置１００を例示する断面図である。図１を参照するに、半導体検査装置１００は、支持基板１０１と、中継基板１０２と、接続端子１０３と、プローブ１０４とを有する。１０８は半導体装置、１０９は電極パッドである。図２は、従来の半導体検査装置１００を構成するプローブ１０４を例示する斜視図である。同図中、図１と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。

図１及び図２を参照するに、半導体検査装置１００において、支持基板１０１の下面には中継基板１０２が設けられている。支持基板１０１及び中継基板１０２には所定の配線（図示せず）が形成されており、中継基板１０２の配線（図示せず）とプローブ１０４の電極パッド１０４ｇとは、はんだボールからなる接続端子１０３を介して電気的に接続されている。支持基板１０１の配線（図示せず）は、ケーブル等（図示せず）により、外部の試験装置（図示せず）と電気的に接続されている。

プローブ１０４は、プローブ形成基板１０４ａと、グランド層１０４ｂと、絶縁層１０４ｃと、配線１０４ｄとを有する。１０４ｅはプローブ１０４の突起部、１０４ｆはプローブ１０４の片持ち梁部を示している。プローブ１０４において、グランド層１０４ｂ、絶縁層１０４ｃ、配線１０４ｄは、プローブ形成基板１０４ａ上に順次積層されている。プローブ形成基板１０４ａは、シリコンからなる。

プローブ１０４には、変形が容易な片持ち梁部１０４ｆが形成され、片持ち梁部１０４ｆの先端部又はその近傍には、突起部１０４ｅが形成されている。プローブ形成基板１０４ａには、グランド層１０４ｂ及び絶縁層１０４ｃを介して配線１０４ｄが、突起部１０４ｅから片持ち梁部１０４ｆの先端部に沿って、突起部１０４ｅが形成されている面の反対側の面に形成されている電極パッド１０４ｇまで連続的に形成されている。

電極パッド１０４ｇは、接続端子１０３と接続可能な位置に形成されており、電極パッド１０４ｇと接続端子１０３とは電気的に接続されている。半導体検査装置１００は、Ｚ−Ｚ方向に移動可能な機構（図示せず）を有する。半導体装置１０８の電気的特性の検査時に、半導体検査装置１００は、Ｚ−Ｚ方向に半導体装置１０８側に移動し、半導体検査装置１００の突起部１０４ｅの部分の配線１０４ｄは、被測定物である半導体装置１０８の電極パッド１０９と電気的に接続される。

又、この際、片持ち梁部１０４ｆがたわむことによりバネ性が生じ、突起部１０４ｅの部分の配線１０４ｄを適切な圧力で、電極パッド１０９に押し当てることができ、安定的な電気的接続が実現される。片持ち梁部１０４ｆのたわみ量は、例えば、１０μｍ程度である。

半導体検査装置１００において、プローブ１０４はＸ−Ｘ方向に４個設けられている。又、プローブ１０４において、先端部１０４ｅ、片持ち梁部１０４ｆはＹ−Ｙ方向に４組設けられている。従って、先端部１０４ｅは、被測定物である半導体装置１０８の１６個の電極パッド１０９と同時に電気的に接続可能である。

なお、半導体検査装置１００において、プローブ１０４をＸ−Ｘ方向に５個以上設けることや、プローブ１０４において、先端部１０４ｅ、片持ち梁部１０４ｆをＹ−Ｙ方向に５組以上設けることにより、電極パッド１０９と同時に電気的に接続可能な先端部１０４ｅの数を増やすこともできる（例えば、特許文献１参照）。
特表平１１−５１４４９３号公報 特開２００１−９１５４３号公報 特開２００３−９８１９０号公報

しかしながら、従来の半導体検査装置１００では、プローブ１０４の突起部１０４ｅを、図２におけるＹ−Ｙ方向に多ピン化及び狭ピッチ化することは容易であるが、片持ち梁部１０４ｆのたわみによるバネ性で生じる圧力により、突起部１０４ｅの部分の配線１０４ｄと電極パッド１０９とを電気的に接続する構造を有するため、片持ち梁部１０４ｆには所定以上の長さが必要であり、プローブ１０４の突起部１０４ｅを、図１におけるＸ−Ｘ方向に多ピン化及び狭ピッチ化することは困難であるという問題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたもので、Ｘ−Ｘ方向及びＹ−Ｙ方向に多ピン化及び狭ピッチ化することが可能なプローブ構造を有する半導体検査装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、第１の発明は、基板の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記基板の前記一方の面にランドを形成するランド形成工程と、前記貫通孔に前記貫通孔の壁面と接触しないようにボンディングワイヤを挿入し、前記ボンディングワイヤの先端部を前記他方の面から突出させるボンディングワイヤ挿入工程と、前記ボンディングワイヤの前記貫通孔に挿入されていない部分を前記ランドにワイヤボンディングし、プローブ針を形成するプローブ針形成工程と、を有する半導体検査装置の製造方法である。

第２の発明は、基板と、前記基板の一方の面に形成されたランドと、前記基板の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔と、一方の端部が前記ランドに固定され、他方の端部が前記貫通孔の壁面と接触しないように前記貫通孔に挿入され前記他方の面から突出するプローブ針と、を有し、電極パッドを有する半導体チップの電気的検査を行う際に、前記プローブ針の前記他方の端部が前記電極パッドと接触することを特徴とする半導体検査装置である。

本発明によれば、Ｘ−Ｘ方向及びＹ−Ｙ方向に多ピン化及び狭ピッチ化することが可能なプローブ構造を有する半導体検査装置及びその製造方法を提供することができる。

次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。

〈第１の実施の形態〉
［本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の構造］
始めに本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の構造について説明する。図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置を例示する断面図である。図４は、図３に示す半導体検査装置が半導体チップの電極パッドと接触した状態を模式的に示す図である。又、図５は、図３に示すプローブ針を平面視した図である。図３及び図４において、Ｘ−Ｘ方向は、基板本体１５の上面１５ａと平行な方向を、Ｚ−Ｚ方向は、紙面内におけるＸ−Ｘ方向に垂直な方向をそれぞれ示している。又、Ｘ−Ｘ方向及びＺ−Ｚ方向と直交する方向（紙面に垂直な方向）をＹ−Ｙ方向とする。図４及び図５において、図３に示す半導体検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。

図３〜図５を参照するに、第１の実施の形態に係る半導体検査装置１０は、基板１１と、プローブ針１２とを有する。基板１１は、基板本体１５と、絶縁膜１６と、ランド１７とを有する。基板本体１５は板状とされており、複数の貫通孔１８を有する。貫通孔１８は、プローブ針１２をＺ−Ｚ方向に移動可能に収容するための孔である。貫通孔１８の直径は、例えば、５０μｍとすることができる。貫通孔１８のピッチは、例えば、１００μｍとすることができる。

基板本体１５の材料としては、シリコン、樹脂（例えば、絶縁樹脂）、セラミックス、金属（例えば、Ｃｕ）等を用いることができる。なお、基板本体１５の材料として絶縁樹脂を用いた場合、図３〜図５に示す絶縁膜１６は不要となる。又、半導体チップ２５に設けられた半導体基板（図示せず）がシリコン基板の場合、基板本体１５の材料としては、例えばシリコンを用いるとよい。

このように、基板本体１５の材料としてシリコンを用いることにより、半導体検査装置１０と半導体チップ２５との間の熱膨張係数の差が緩和されるため、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６にプローブ針１２を精度良く接触させることができる。基板本体１５の材料としてシリコンを用いた場合、基板本体１５の厚さは、例えば３００μｍとすることができる。

絶縁膜１６は、基板本体１５の表面（貫通孔１８の側面に対応する部分の基板本体１５の面も含む）を覆うように設けられている。絶縁膜１６は、基板本体１５とプローブ針１２との間を絶縁するための膜である。絶縁膜１６としては、例えば、酸化膜（例えば、熱酸化膜）を用いることができる。絶縁膜１６として、熱酸化膜を用いた場合、絶縁膜１６の厚さは、例えば０．５μｍ〜１．０μｍとすることができる。

プローブ針１２は、基板本体１５及び絶縁膜１６と接触しないように、貫通孔１８に配置されている。プローブ針１２の端部１２ａ（一方の端部）は、基板１１を構成するランド１７にワイヤボンディングされている。プローブ針１２の端部１２ｂ（他方の端部）は、基板本体１５の下面１５ｂに設けられた絶縁膜１６の面１６ｂ（基板１１の他方の面）よりも突出している。

プローブ針１２の端部１２ｂは、半導体検査装置１０が半導体チップ２５の電気的検査を行う際、半導体チップ２５の電極パッド２６と接触する部分である。プローブ針１２の端部１２ｂの形状は、例えばレーザ光を照射されて溶融し、ボール状となっている。プローブ針１２のＸＹ平面と平行な方向の断面形状は例えば略円形であり、その直径は、例えば２５μｍとすることができる。プローブ針１２の端部１２ｂのＸＹ平面と平行な方向の断面形状は例えば略円形であり、その直径は、例えば４０μｍとすることができる。

プローブ針１２は、導電性を有するボンディングワイヤにより構成されている。プローブ針１２を係る形状にすることで、プローブ針１２はバネ性を有し、プローブ針１２の端部１２ｂをＺ−Ｚ方向に移動可能な状態で支持することができる。図４に示すように、プローブ針１２の端部１２ｂが電極パッド２６と接触すると、プローブ針１２の端部１２ｂと電極パッド２６とが一定の力で接触した状態で、プローブ針１２の端部１２ｂは上方に移動する。

プローブ針１２を構成するボンディングワイヤの材料としては、例えばＡｕを用いることができるが、これに限られるものではなく、例えばＡｕを含む合金、Ａｌ、Ａｌを含む合金、Ｃｕ、Ｃｕを含む合金等他の材料を用いても構わない。

このように、バネ性を有するプローブ針１２を、基板本体１５及び絶縁膜１６と接触しないように貫通孔１８に配置し、端部１２ｂが基板１１の下面（具体的には、絶縁膜１６の面１６ｂ）から突出するように半導体検査装置１０に設けることにより、プローブ針１２の配設ピッチＰを狭くすることが可能となるため、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６が狭ピッチで配置された場合や電極パッド２６がマトリックス配置された場合でも電極パッド２６にプローブ針１２の端部１２ｂを精度良く接触させることができる。プローブ針１２の配設ピッチＰは、例えば８０μｍ〜１００μｍの範囲で適宜選択することが可能である。

［本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の製造方法］
続いて本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の製造方法について説明する。図６〜図１０は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の製造工程を例示する図である。図６〜図１０において、図３に示す第１の実施の形態の半導体検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。

図６〜図１０を参照して、第１の実施の形態に係る半導体検査装置１０の製造方法について説明する。始めに、図６に示す工程では、複数の貫通孔１８を有すると共に、板状とされた基板本体１５を形成する。基板本体１５の材料としては、シリコン、樹脂（例えば、絶縁樹脂）、セラミックス、金属（例えば、Ｃｕ）等を用いることができる。半導体チップ２５に設けられた半導体基板（図示せず）がシリコン基板の場合、基板本体１５の材料としては、例えばシリコンを用いるとよい。

このように、基板本体１５の材料としてシリコンを用いることにより、半導体検査装置１０と半導体チップ２５との間の熱膨張係数の差が緩和されるため、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６にプローブ針１２を精度良く接触させることができる。基板本体１５の材料としてシリコンを用いた場合、基板本体１５の厚さは、例えば３００μｍとすることができる。又、基板本体１５の材料としてシリコンを用いた場合、貫通孔１８は、例えば異方性エッチング法（例えば、ドライエッチング）により形成することができる。この場合、貫通孔１８の直径は、例えば５０μｍとすることができる。又、貫通孔１８のピッチは、例えば１００μｍとすることができる。なお、第１の実施の形態では、基板本体１５の材料としてシリコンを用いた場合を例に挙げて以下の説明を行う。

次いで、図７に示す工程では、図６に示す基板本体１５の表面（貫通孔１８の壁面に対応する部分の基板本体１５の面も含む）を覆う絶縁膜１６を形成する。絶縁膜１６としては、例えば、酸化膜（例えば、熱酸化膜）を用いることができる。絶縁膜１６として熱酸化膜を用いた場合、例えばシリコンからなる基板本体１５を熱酸化することで、基板本体１５の表面を覆う熱酸化膜を形成する。絶縁膜１６として熱酸化膜を用いる場合、絶縁膜１６の厚さは、例えば０．５μｍ〜１．０μｍとすることができる。

次いで、図８に示す工程では、絶縁膜１６上にランド１７を形成する。これにより、基板本体１５、絶縁膜１６及びランド１７を有する基板１１が形成される。ランド１７は、例えばサブトラクティブ法やセミアディティブ法等により形成することができる。ランド１７の材料としては、例えばＣｕ、Ａｌ等を用いることができる。ランド１７の厚さは、例えば５μｍ〜１０μｍとすることができる。

次いで、図９に示す工程では、ボンディングヘッド１９０を有するワイヤボンディング装置（図示せず）を起動させ、搬送機構（図示せず）によって図８に示す構造体をボンディング用ステージ（図示せず）に搬送し位置決めを行う。位置決めは、ボンディングヘッド１９０が挟持するボンディングワイヤ１２０の端部１２０ｂが、貫通孔１８の真上に来るように行う。

ボンディングワイヤ１２０の材料としては、例えばＡｕを用いることができるが、これに限られるものではなく、例えばＡｕを含む合金、Ａｌ、Ａｌを含む合金、Ｃｕ、Ｃｕを含む合金等他の材料を用いても構わない。ボンディングワイヤ１２０のＸＹ平面と平行な方向の断面形状は例えば略円形であり、その直径は、例えば２５μｍとすることができる。ボンディングワイヤ１２０の端部１２０ｂのＸＹ平面と平行な方向の断面形状は例えば略円形であり、その直径は、例えば４０μｍとすることができる。なお、ボンディングワイヤ１２０は、最終的にプローブ針１２となるものである。又、ボンディングワイヤ１２０の端部１２０ｂは、最終的にプローブ針１２の端部１２ｂとなるものである。

次いで、図１０に示す工程では、ワイヤボンディング装置（図示せず）を制御し、ボンディングワイヤ１２０を貫通孔１８に挿入し、端部１２０ｂが絶縁膜１６の面１６ｂから突出する位置で停止させる。更に、ボンディングヘッド１９０をランド１７の方向に移動させ、ボンディングワイヤ１２０をランド１７にワイヤボンディングすることにより、プローブ針１２を形成する。他の貫通孔１８に対しても同様にしてプローブ針１２を形成する。これにより、図３に示す本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置１０が製造される。なお、ボンディングヘッド１９０の幅は数百μｍ程度であり、直径が５０μｍ程度である貫通孔１８よりも遙かに大きいため、ボンディングヘッド１９０を貫通孔１８に挿入することはできない。

図１０に示す工程の後に、プローブ針１２の表面に金属層を形成しても構わない。金属層は、プローブ針１２の機械的強度を高めるために形成する。金属層は、例えば電解めっき法や無電解めっき法等で形成することができる。金属層の厚さは例えば５μｍとすることができる。金属層は、例えばＮｉめっき層とＡｕめっき層をこの順に積層したＮｉ／Ａｕめっき層や、Ｎｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層をこの順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層等とすることができる。

本発明の第１の実施の形態の半導体検査装置１０によれば、バネ性を有するプローブ針１２を、基板本体１５及び絶縁膜１６と接触しないように貫通孔１８に配置し、端部１２ｂが基板１１の下面（具体的には、絶縁膜１６の面１６ｂ）から突出するように半導体検査装置１０に設けることにより、プローブ針１２の配設ピッチＰを狭くすることが可能となるため、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６が狭ピッチで配置された場合や電極パッド２６がマトリックス配置された場合でも電極パッド２６にプローブ針１２の端部１２ｂを精度良く接触させることができる。

〈第２の実施の形態〉
［本発明の第２の実施の形態に係る半導体検査装置の構造］
始めに本発明の第２の実施の形態に係る半導体検査装置の構造について説明する。図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体検査装置を例示する断面図である。図１１において、図３に示す半導体検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。

図１１を参照するに、第２の実施の形態に係る半導体検査装置３０は、プローブ針１２がプローブ針３２に置換された以外は、第１の実施の形態の半導体検査装置１０と同様に構成される。以下、第１の実施の形態とは異なるプローブ針３２についてのみ説明をする。

プローブ針３２はＸＺ平面と平行な方向の断面形状がＬ字型に形成されており、基板本体１５及び絶縁膜１６と接触しないように、貫通孔１８に配置されている。プローブ針３２の端部３２ａ（一方の端部）は、基板１１を構成するランド１７にワイヤボンディングされている。プローブ針３２の端部３２ｂ（他方の端部）は、基板本体１５の下面１５ｂに設けられた絶縁膜１６の面１６ｂ（基板１１の他方の面）よりも突出している。

プローブ針３２の端部３２ｂは、半導体検査装置３０が半導体チップ２５の電気的検査を行う際、半導体チップ２５の電極パッド２６と接触する部分である。プローブ針３２の端部３２ｂの形状は、例えばレーザ光を照射されて溶融し、ボール状となっている。プローブ針３２のＸＹ平面と平行な方向の断面形状は例えば略円形であり、その直径は、例えば２５μｍとすることができる。プローブ針３２の端部３２ｂのＸＹ平面と平行な方向の断面形状は例えば略円形であり、その直径は、例えば４０μｍとすることができる。

プローブ針３２は、導電性を有するボンディングワイヤにより構成されている。プローブ針３２を係る形状にすることで、プローブ針３２はバネ性を有し、プローブ針３２の端部３２ｂをＺ−Ｚ方向に移動可能な状態で支持することができる。図４に示すプローブ針１２の場合と同様に、プローブ針３２の端部３２ｂが電極パッド２６と接触すると、プローブ針３２の端部３２ｂと電極パッド２６とが一定の力で接触した状態で、プローブ針３２の端部３２ｂは上方に移動する。

プローブ針３２を構成するボンディングワイヤの材料としては、例えばＡｕを用いることができるが、これに限られるものではなく、例えばＡｕを含む合金、Ａｌ、Ａｌを含む合金、Ｃｕ、Ｃｕを含む合金等他の材料を用いても構わない。

このように、バネ性を有するプローブ針３２を、基板本体１５及び絶縁膜１６と接触しないように貫通孔１８に配置し、端部３２ｂが基板１１の下面（具体的には、絶縁膜１６の面１６ｂ）から突出するように半導体検査装置３０に設けることにより、プローブ針３２の配設ピッチＰを狭くすることが可能となるため、半導体チップ２５に設けられた電極パッド２６が狭ピッチで配置された場合や電極パッド２６がマトリックス配置された場合でも電極パッド２６にプローブ針３２の端部３２ｂを精度良く接触させることができる。プローブ針３２の配設ピッチＰは、例えば８０μｍ〜１００μｍの範囲で適宜選択することが可能である。

［本発明の第２の実施の形態に係る半導体検査装置の製造方法］
続いて本発明の第２の実施の形態に係る半導体検査装置の製造方法について説明する。図１１に示すプローブ針３２は、図６〜図１０に示す工程と同様の工程により形成することができる。ただし、プローブ針３２をランド１７にワイヤボンディングする際に、ボンディングヘッド１９０を基板１１に沿ってＸ−Ｘ方向に動作させる。ボンディングヘッド１９０を基板１１に沿ってＸ−Ｘ方向に動作させることにより、ＸＺ平面と平行な方向の断面形状がＬ字型のプローブ針３２が形成される。

本発明の第２の実施の形態の半導体検査装置３０によれば、本発明の第１の実施の形態の半導体検査装置１０と同様の効果を奏する。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

従来の半導体検査装置１００を例示する断面図である。 従来の半導体検査装置１００を構成するプローブ１０４を例示する斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置を例示する断面図である。 図３に示す半導体検査装置が半導体チップの電極パッドと接触した状態を模式的に示す図である。 図３に示すプローブ針を平面視した図である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の製造工程を例示する図（その１）である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の製造工程を例示する図（その２）である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の製造工程を例示する図（その３）である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の製造工程を例示する図（その４）である。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体検査装置の製造工程を例示する図（その５）である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体検査装置を例示する断面図である。

符号の説明

１０，３０ 半導体検査装置
１１ 基板
１２，３２ プローブ針
１２ａ，３２ａ プローブ針１２の一方の端部
１２ｂ，３２ｂ プローブ針１２の他方の端部
１５ 基板本体
１５ａ 基板本体１５の上面
１５ｂ 基板本体１５の下面
１６ 絶縁膜
１６ａ，１６ｂ 絶縁膜１６の面
１７ ランド
１８ 貫通孔
２５ 半導体チップ
２６ 電極パッド
１２０ ボンディングワイヤ
１２０ｂ ボンディングワイヤの端部
１９０ ボンディングヘッド
Ｐ 配設ピッチ

Claims (10)

1. 基板の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
   前記基板の前記一方の面にランドを形成するランド形成工程と、
   前記貫通孔に前記貫通孔の壁面と接触しないようにボンディングワイヤを挿入し、前記ボンディングワイヤの先端部を前記他方の面から突出させるボンディングワイヤ挿入工程と、
   前記ボンディングワイヤの前記貫通孔に挿入されていない部分を前記ランドにワイヤボンディングし、プローブ針を形成するプローブ針形成工程と、を有する半導体検査装置の製造方法。
2. 更に、前記貫通孔に前記ボンディングワイヤを挿入する前に、前記ボンディングワイヤの前記先端部を溶融し、前記ボンディングワイヤの前記先端部の形状をボール状にする溶融工程を有することを特徴とする請求項１記載の半導体検査装置の製造方法。
3. 更に、前記プローブ針の表面に金属層を形成する金属層形成工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体検査装置の製造方法。
4. 更に、前記貫通孔形成工程の後に、前記基板の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体検査装置の製造方法。
5. 基板と、
   前記基板の一方の面に形成されたランドと、
   前記基板の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔と、
   一方の端部が前記ランドに固定され、他方の端部が前記貫通孔の壁面と接触しないように前記貫通孔に挿入され前記他方の面から突出するプローブ針と、を有し、
   電極パッドを有する半導体チップの電気的検査を行う際に、前記プローブ針の前記他方の端部が前記電極パッドと接触することを特徴とする半導体検査装置。
6. 前記プローブ針は、ボンディングワイヤにより構成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体検査装置。
7. 前記貫通孔は、前記基板に行列状に複数個設けられていることを特徴とする請求項５又は６記載の半導体検査装置。
8. 前記基板は、シリコンから構成されていることを特徴とする請求項５乃至７の何れか一項記載の半導体検査装置。
9. 前記一方の端部は、前記ランドとワイヤボンディングにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項５乃至８の何れか一項記載の半導体検査装置。
10. 前記他方の端部の形状は、ボール状であることを特徴とする請求項５乃至９の何れか一項記載の半導体検査装置。

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