TW201522982A - 製造微電極電路測試接腳的方法及使用該方法所製造的微電極電路測試接腳 - Google Patents

製造微電極電路測試接腳的方法及使用該方法所製造的微電極電路測試接腳 Download PDF

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Abstract

提供一種微電極電路測試接腳。依據本發明之示例實施例的微電極電路測試接腳包括：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其二個端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露接觸部於外並覆蓋彈性部之通孔，其中，接腳及殼體係使用半導體微機電系統(MEMS)程序而同時形成，且接腳及殼體之頂部及底部之至少一者為平坦的。

Description

製造微電極電路測試接腳的方法及使用該方法所製造的微電極電路測試接腳
本發明大體上關於製造微電極電路測試接腳之方法，更特別地關於微電極電路測試接腳，可減少測量微電極電路時發生之影響，並改進測量速度同時解決接腳及殼體間結構缺陷，以及使用該方法製造之微電極電路測試接腳。
通常，半導體裝置係經由形成電路圖案及接觸墊用於測試晶圓之製造程序及組裝其上形成電路圖案及接觸墊進入個別半導體晶片之晶圓部分的組裝程序而予製造。
藉由施加電信號至晶圓上所形成之接觸墊以測試晶圓之電特性，測試程序可於製造程序及組裝程序之間實施。此測試程序係希望判定晶圓中缺陷之發生並移除組裝程序中晶圓之缺陷部分。
在測試程序中，測試者施加電信號至晶圓，並可主要使用於晶圓及測試者間實施介面之探針卡。探針卡可包括印刷電路板，從測試者接收電信號，以及與晶圓上所形成之接觸墊接觸的複數接腳。
依據最近半導體晶片高度整合之趨勢，已整合經由製造程序而於晶圓上形成之電路圖案，因而，鄰近接觸墊間之間隔，即間距，已顯著減少。
因此，為減少鄰近接腳間之間距，各接腳經設計而變細。
然而，因為接腳變細，其強度下降，是以接腳可因測試程序期間沿水平方向施加之力而損壞，或形成於晶圓上之接觸墊可藉由與接腳接觸而損壞。
此外，若階狀部呈現於測試晶圓之接觸墊上，探針無法適當接觸接觸墊，導致無法正確測試。
為此原因，相關技藝中已使用具有彈簧結構之接腳。然而，若該等接腳於測試期間施力予部件，便可因其結構問題而刮擦部件。此時，部件之氧化物層可能裂開造成洩漏。
為解決此問題，相關技藝中已開發具有殼體之接腳。然而，殼體及接腳已分開設計及製造。由於殼體及接腳已製造為顯著小以回應半導體測試期間半導體電極之微間距，殼體及探針之組裝程序需要高度技術。
此外，若耦接殼體及接腳，則可使用鑷子等。若施加高於所需之力度予殼體或接腳，則殼體或接腳 可能變形而導致缺陷。由於殼體及接腳分開製造，製造時間增加。
此外，因不同製造狀況或殼體及接腳之分開 製造程序，當殼體及接腳相互耦接時，可能因為先前設計尺寸之微細差異而無法耦接，或因殼體內表面及接腳外表面相互隔開而無法適當操作。
關於本發明之專利文獻，韓國公開專利案No. 10-2009-0117053(2009年11月12日公開)揭露具有可變剛性之垂直型微接觸探針。
上述僅希望輔助了解本發明之背景，而不希 望表示本發明落在熟悉本技藝之人士已知之相關技藝的範圍內。
相關技藝文獻
(專利文獻1)韓國公開專利案No. 10-2009-0117053
因此，本發明對於發生於相關技藝中之問題已瞭然於心，本發明希望建議一種製造微電極電路測試接腳之方法，允許殼體及接腳經由半導體微機電系統(MEMS)程序而同時製造，藉以防止肇因於殼體及接腳間製造容限差異的結構缺陷，以及使用該方法製造的微電極電路測試接腳。
本發明亦希望建議一種製造微電極電路測試接腳之方法，藉由形成具彈性部之接腳，該彈性部具有鋸 齒形狀，而減少經由實體接觸測量微電極電路時發生之影響，以及使用該方法製造的微電極電路測試接腳。
本發明亦希望建議一種製造微電極電路測試 接腳之方法，藉由允許殼體作為相對於測量微電極電路時垂直變形之接腳的罩蓋，而防止測量信號損失，以及使用該方法製造的微電極電路測試接腳。
為達成以上目標，依據本發明之一觀點，提 供一種微電極電路測試接腳包括：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部之通孔，其中，該接腳及該殼體係使用半導體微機電系統(MEMS)程序而同時形成，且該接腳及該殼體之頂部及底部之至少一者為平坦的。
依據本發明之另一觀點，提供一種微電極電 路測試接腳包括：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部之通孔，其中，該接觸部之寬度小於該彈性部之寬度，且該通孔之寬度小於該彈性部之寬度並大於該接觸部之該寬度，使得防止該接腳與該殼體分離。
依據本發明之另一觀點，提供一種微電極電 路測試接腳包括：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部 之通孔，其中，該通孔之截面積小於該殼體之截面積，且該殼體及該通孔之該截面積具有四角形狀。
依據本發明之另一觀點，提供一種微電極電 路測試接腳包括：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部之通孔，其中，鄰近該通孔之該接觸部的側面配置複數個參差部。
依據本發明之另一觀點，提供一種微電極電 路測試接腳包括：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部之通孔，其中，該殼體進一步包括一個或多個釋放孔，與該殼體之內部空間相通。
該接腳之一個端部可配置該接觸部，以及該接腳之另一個端部可連接至該殼體。
該殼體之表面，相對於具有形成於其中之該通孔的表面，可連接至具有彈性恢復力之輔助彈性部，且該輔助彈性部之一個端部可配置輔助接觸部。
該殼體可延伸以覆蓋該輔助彈性部，並具有暴露該輔助接觸部於外之輔助通孔。該輔助通孔之截面積可小於該殼體之該截面積，且該輔助通孔及該殼體之該截面積可具有四角形狀。
該殼體之表面，相對於具有形成於其中之該 通孔的表面，可配置輔助接觸部。
該彈性部可具有鋸齒形狀。該接觸部可進一 步包括接觸端子，該接觸端子之端部的截面形狀可為矩形、三角形、或多階梯狀矩形。
該接觸部及該接觸端子具有不同高度。該接 觸部及該接觸端子可以不同金屬形成。
依據本發明之另一觀點，提供一種製造微電 極電路測試接腳之方法，包括：形成下殼體；形成側壁殼體，沿該下殼體之外周表面直立，並於該側壁殼體圍繞之空間中形成接腳；以及於該接腳及該側壁殼體上形成上殼體。
依據本發明之另一觀點，提供一種製造微電 極電路測試接腳之方法，包括：形成下殼體；於該下殼體上形成接腳；以及形成側壁殼體，沿該下殼體之外周表面直立，並於該接腳上形成上殼體。
該方法可進一步包括在該接腳及該下殼體、 該側壁殼體及該上殼體之間形成犧牲部；以及在該下殼體及該上殼體之至少一者中形成一個或多個釋放孔，該釋放孔與該側壁殼體之內部空間相通。
形成該下殼體可包括準備基座；以及於該基 座上形成該下殼體。
形成該接腳及該側壁殼體可包括：於該下殼 體上形成第一犧牲部，該第一犧牲部之寬度小於該下殼體之寬度；形成該側壁殼體，沿該下殼體之該外周表面直 立；於該第一犧牲部上形成該接腳；以及於該側壁殼體及該接腳間之該第一犧牲部上形成第二犧牲部。
形成該上殼體可包括：於配置於該側壁殼體 內部之該接腳上形成第三犧牲部，該第三犧牲部的寬度與該側壁殼體之內部空間的寬度相同；於該側壁殼體及該第三犧牲部上形成該上殼體，該上殼體之形狀相應於該下殼體之形狀；以及從該殼體移除該下殼體、該接腳、該側壁殼體及該上殼體以外之部分。
該下殼體、該接腳、該側壁殼體及該上殼體 可使用半導體MEMS程序而由鎳-鈷形成，以及該第一犧牲部、該第二犧牲部及該第三犧牲部可使用半導體MEMS程序而由銅形成。
該接腳可經形成而具有彈性部，該彈性部於 該側壁殼體之內部空間中具有彈性；以及接觸部，該接觸部從該彈性部之二個端部之至少一者突出該側壁殼體外部；且複數個參差部可形成於鄰近該側壁殼體之該接觸部的側面。
該接觸部可經形成而具有從其端部突出之接 觸端子，且該接觸端子之端部的截面形狀為矩形、三角形、或多階梯狀矩形。
可重複該形成該接腳及該側壁殼體，以允許 該接觸部及該接觸端子具有不同高度。該接觸部及該接觸端子可以不同金屬形成。
如以上所提及，依據本發明之示例實施例， 製造微電極電路測試接腳之方法可允許殼體及接腳經由半導體MEMS程序而同時製造，藉以防止肇因於殼體及接腳間製造容限差異的結構缺陷。
此外，本發明具有藉由形成具彈性部之接 腳，該彈性部具有鋸齒形狀，而減少經由實體接觸測量微電極電路時發生之影響的效果。
此外，本發明亦具有藉由允許殼體作為相對 於測量微電極電路時垂直變形之接腳的罩蓋，而防止測量信號損失的效果。
100‧‧‧殼體
110‧‧‧下殼體
120‧‧‧側壁殼體
121‧‧‧通孔
130‧‧‧上殼體
131‧‧‧輔助通孔
150‧‧‧釋放孔
200‧‧‧接腳
210、211‧‧‧彈性部
212‧‧‧輔助彈性部
220‧‧‧接觸部
220a、230a‧‧‧參差部
221、231‧‧‧接觸端子
230‧‧‧輔助接觸部
B‧‧‧基座
SP1‧‧‧第一犧牲部
SP2‧‧‧第二犧牲部
SP3‧‧‧第三犧牲部
當結合附圖時，從下列詳細說明將更清楚了解本發明之以上及其他目標、特徵及其他優點，其中：圖1描繪依據本發明之示例實施例之微電極電路測試接腳的內部及外部；圖2A至2D描繪依據本發明之示例實施例之形成下殼體之連續程序；圖3及4描繪依據本發明之示例實施例之形成接腳及側壁殼體之程序；圖5至7描繪依據本發明之示例實施例之形成上殼體之連續程序；圖8A及8B描繪接觸端子之形狀範例；以及圖9A至9C描繪依據本發明之另一示例實施例之微電極電路測試接腳。
以下，將參照附圖詳細說明本發明之較佳實施例。
將參照附圖說明製造微電極電路測試接腳之方法。此外，將說明使用該方法製造之微電極電路測試接腳的結構。
依據本發明之示例實施例之製造微電極電路測試接腳的方法可包括形成下殼體，形成接腳及側壁殼體，及形成上殼體。
形成下殼體(詳圖1及2)
圖1描繪依據本發明之示例實施例之微電極電路測試接腳的內部及外部，圖2A至2D描繪依據本發明之示例實施例之形成下殼體的連續程序。
參照圖1及2，可準備基座B。此處，基座B之頂部可為平坦的，並可以晶圓、陶瓷等形成，以利微電極電路測試接腳與基座B分離。金屬層可形成於基座B之頂部上。
下殼體110可形成於基座B之頂部上。此處，下殼體110可經形成以包含鎳(Ni)及鎳-鈷(Ni-Co)，並可經由半導體MEMS程序形成。即，可藉由形成具有開口之遮罩並於半導體MEMS程序中經由電鍍填充開口而形成下殼體110。例如，如圖2A中所描 繪，可藉由施加光阻劑PR至基座B之頂部而形成下殼體110，如圖2B中所描繪，曝光光阻劑PR及顯影以形成開口，允許基座B之頂部暴露於外，及如圖2C中所描繪，經由電鍍填充開口。
由於以下說明之半導體MEMS程序與用於形 成下殼體110之半導體MEMS程序相同，其詳細說明將省略。
下殼體110可經形成而具有大於所欲高度之 高度進行平面化，接著可經由化學機械拋光(CMP)處理而包含所欲高度。例如，下殼體110之高度可為20μm或更小。
形成接腳及側壁殼體(詳圖3及4)
參照圖3，可於下殼體110之頂部上形成第一犧牲部SP1。此處，第一犧牲部SP1之寬度可小於下殼體110之寬度，並可與形成於下殼體110之頂部上的側壁殼體120之內部空間的寬度相同。此外，第一犧牲部SP1可經由濕式蝕刻之選擇性蝕刻而以金屬形成。例如，第一犧牲部SP1可以銅(Cu)形成，並可經由半導體MEMS程序形成。
參照圖1，第一犧牲部SP1可形成於接觸部220及輔助接觸部230之下，暴露於殼體100外部。例如，在形成下殼體110中，可選擇性濕式蝕刻而具有與下殼體110相同高度之金屬層可經由半導體MEMS程序而 形成於接觸部220及輔助接觸部230之下，且第一犧牲部SP1可形成於金屬層之頂部上。
第一犧牲部SP1可僅形成於接觸部220及將 形成之輔助接觸部230之下。例如，第一犧牲部SP1可形成於接觸部220及輔助接觸部230之下，及下殼體110之頂部上，此處，為將第一犧牲部SP1形成於接觸部220及輔助接觸部230之下，第一犧牲部SP1可經形成而具有大於下殼體110之頂部上所欲高度之高度，接著使用CMP處理而包含所欲高度。
第一犧牲部SP1可充當接腳200及下殼體110 間之間隔器。
參照圖4，可於下殼體110之頂部上形成側壁 殼體120，沿下殼體110之外周表面直立，並可於第一犧牲部SP1之頂部上形成接腳200及第二犧牲部SP2。此處，可經由半導體MEMS程序形成側壁殼體120及接腳200，且側壁殼體120及接腳200可用作形成第二犧牲部SP2之遮罩。即，可於側壁殼體120及接腳200間形成之開口中形成第二犧牲部SP2。此外，接腳200及側壁殼體120可經形成以包含鎳(Ni)及鎳-鈷(Ni-Co)，並可經由半導體MEMS程序形成。此外，第二犧牲部SP2可經由濕式蝕刻之選擇性蝕刻而以金屬形成。例如，第二犧牲部SP2可以銅(Cu)形成，並可經由半導體MEMS程序形成。
第二犧牲部SP2可充當接腳200及側壁殼體 120間之間隔器。
接腳200及側壁殼體120可經形成而具有大於所欲高度之高度進行平面化，接著可經由CMP處理而包含所欲高度。例如，接腳200之高度可為20μm或更小。
形成上殼體(圖5至7)
參照圖5，第三犧牲部SP3可形成於接腳200及第二犧牲部SP2之頂部上。此處，第三犧牲部SP3之寬度可與側壁殼體120之內部空間之寬度相同，並可與第一犧牲部SP1之寬度相同。此外，第三犧牲部SP3可經由濕式蝕刻之選擇性蝕刻而以金屬形成。例如，第三犧牲部SP3可以銅(Cu)形成，並可經由半導體MEMS程序形成。
第三犧牲部SP3可充當接腳200及上殼體130間之間隔器。
參照圖6，上殼體130可形成於第三犧牲部SP3之頂部上。此處，上殼體130可經形成以包含鎳(Ni)及鎳-鈷(Ni-Co)，並可經由半導體MEMS程序形成。
上殼體130可經形成而具有大於所欲高度之高度進行平面化，接著可經由CMP處理而包含所欲高度。例如，上殼體130之高度可為20μm或更小。
參照圖7，充當間隔器之犧牲部SP1、SP2、 及SP3可移除。可使用可選擇性濕式蝕刻犧牲部SP1、SP2、及SP3之蝕刻溶液而實施犧牲部SP1、SP2、及SP3之移除。
結果，可形成具有圖1及7中所描繪之內部結構的微電極電路測試接腳。
以上說明之製造微電極電路測試接腳之方法為基本示例實施例，可依據修改之示例實施例製造微電極電路測試接腳。例如，關於代表修改之範例，形成側壁殼體120並非於形成接腳及側壁殼體之程序中實施，而是側壁殼體120及上殼體130係同時於形成上殼體之程序中形成；或形成第二犧牲部SP2並非於形成接腳及側壁殼體之程序中實施，而是第二犧牲部SP2及第三犧牲部SP3係同時於形成上殼體之程序中形成。
同時，參照圖1，在形成接腳及側壁殼體中，接腳200可於側壁殼體120之內部空間中形成而具有彈性部210，鋸齒沿側壁殼體之長度方向彎曲，且接觸部220及輔助接觸部230係沿彈性部210之長度方向而從側壁殼體120之二個端部突出。
此外，可進一步於接觸部220及輔助接觸部230之側面形成複數個參差部220a及230a。
參差部220a及230a可允許接觸部220及輔助接觸部230不接觸側壁殼體120。在本發明之示例實施例中，殼體100及接腳200可不分開製造，而是可同時製造為積體元件。在製造程序中，重要的是於殼體100及接 腳200之間形成具有預定間隔之空間。即，當於光阻劑層中形成用於形成側壁殼體120及接腳200之開口時，若開口間之光阻劑層的寬度為5μm或更小時，光阻劑層無法適當形成。在此狀況下，當開口中形成側壁殼體120及接腳200時，側壁殼體120及接腳200可相互不分離。
因此，殼體100及接腳200間呈現具有預定 間隔之空間，這不是問題。然而，若空間窄，則殼體100及接腳200可能相互依附，導致缺陷產品。
為解決此問題，殼體100及接腳200間可製 造具有預定間隔之空間。然而，接腳200可在空間內部橫向移動，接觸部220在測試微電極電路時可能偏移接觸點。可於殼體100及接腳200間需要空間之部分接腳200上形成參差部220a及230a，藉以形成殼體100及接腳200間具有預定間隔之空間，同時防止接腳200橫向移動。
參差部220a及230a被描繪為形成於接觸部220及230上，但可形成於側壁殼體120上。
此外，參照圖8A，若接觸端子221及231經形成而分別從接觸部220及輔助接觸部230之端部突出，接觸端子221及231之端部的截面形狀可形成為矩形、三角形、或多階梯狀矩形。
此處，接觸部220及輔助接觸部230可具有與接觸端子221及231相同高度。接觸端子221及231之端部的形狀可相互不同。
此外，參照圖8B，接觸端子221及231可形 成於接觸部220及輔助接觸部230之端部，且其高度可小於接觸部220及230之高度。
即，形成接腳及側壁殼體可重複數次以允許 接觸部220及輔助接觸部230具有與形成於接觸部220及輔助接觸部230之端部的接觸端子221及231不同高度。
此外，藉由形成接觸端子221及231具有不 同厚度，接觸端子221及231可以不同於接觸部220及輔助接觸部230之金屬形成。例如，接觸部220及輔助接觸部230可經形成以包含鎳(Ni)及鎳-鈷(Ni-Co)，同時接觸端子221及231可以具有較接觸部220及輔助接觸部230更高導電性或強度之金屬形成。
此外，參照圖1，殼體100可具有與殼體之內 部空間相通的一個或多個釋放孔150。例如，一個或多個釋放孔150可形成於下殼體110及上殼體130之至少一者中而與側壁殼體120之內部空間相通。
釋放孔150可用以移除形成於接腳200及殼 體100間之犧牲部SP1、SP2、及SP3。即，用以移除形成於接腳200及殼體100間之犧牲部SP1、SP2、及SP3的溶液可注入釋放孔150，且犧牲部SP1、SP2、及SP3可溶解並經由釋放孔150排出。
圖9A描繪依據本發明之另一示例實施例之微 電極電路測試接腳。如先前示例實施例中所說明，殼體100及設於殼體內部之接腳200可同時製造以形成具有圖 9A中所描繪之結構的微電極電路測試接腳，其中形成於殼體100內部之彈性部211及輔助彈性部212之一個端部可連接至側壁殼體120。由於以上已說明該等製造方法，其詳細說明將省略。
圖9B描繪依據本發明之另一示例實施例之微 電極電路測試接腳。如先前示例實施例中所說明，殼體100及設於殼體內部之接腳200可同時製造以形成具有圖9B中所描繪之結構的微電極電路測試接腳，其中形成於殼體100內部之彈性部211之一個端部可連接至側壁殼體120，及形成於殼體100外部之輔助彈性部212之一個端部可連接至側壁殼體120。由於以上已說明該等製造方法，其詳細說明將省略。
圖9C描繪依據本發明之另一示例實施例之微 電極電路測試接腳。如先前示例實施例中所說明，殼體100及設於殼體內部之接腳200可同時製造以形成具有圖9C中所描繪之結構的微電極電路測試接腳，其中形成於殼體100內部之彈性部211之一個端部可連接至側壁殼體120，及形成於殼體100外部之輔助接觸部230之一個端部可連接至側壁殼體120。由於以上已說明該等製造方法，其詳細說明將省略。
其次，將參照圖1至9說明經由上述半導體MEMS程序製造之接腳的組態。
依據第一實施例之微電極電路測試接腳(詳圖1)
依據本發明之本實施例的測試接腳可包括殼 體100及接腳200。
此處，可使用上述方法同時形成殼體100及 接腳200，且殼體100之內表面及接腳200之外表面可經由將移除之犧牲部SP1、SP2、及SP3而相互相隔。此外，殼體100之底部可形成於基座B之平坦的頂部上，及殼體100之頂部可經由CMP而形成為平坦的，因而，殼體100之頂部及底部之至少一者可形成為平坦的。此處，殼體100之外及內截面可為四角形。
此外，接腳200可包括彈性部210，及形成於 彈性部210之二個端部的接觸部220及輔助接觸部230。 此外，彈性部210可具有彈性。例如，彈性部210可經形成而具有鋸齒形狀。
此外，通孔121及輔助通孔131可沿其長度 方向形成於殼體100之二個端部，且接觸部220及輔助接觸部230可分別經由通孔121及輔助通孔131而暴露於外。由於通孔121及輔助通孔131係形成於部分殼體100中，其中經由CMP平面化之下殼體110之頂部及上殼體130之底部未由側壁殼體120圍繞，通孔121及輔助通孔131之頂部及底部之至少一者為平坦的。此處，通孔121及輔助通孔131可具有四角形截面形狀。
此外，彈性部210可配置於包括上殼體130、 下殼體110及側壁殼體120之殼體100的內部空間中，彈性部210之寬度可大於接觸部220及輔助接觸部230之寬 度，藉以防止彈性部210經由通孔121及輔助通孔131而與殼體100分離。
此外，接觸端子221及231可分別從接觸部 220及輔助接觸部230之端部突出，且其截面形狀可為矩形、三角形、或多階梯狀矩形。
此外，殼體100可具有與殼體之內部空間相 通的一個或多個釋放孔150。例如，一個或多個釋放孔150可形成於下殼體110及上殼體130之至少一者中而與側壁殼體120之內部空間相通。
依據第二實施例之微電極電路測試接腳(詳圖9A)
依據本發明之本實施例的測試接腳可包括殼體100及接腳200。
此處，可使用上述方法同時形成殼體100及接腳200，且殼體100之內表面及接腳200之外表面可經由將移除之犧牲部SP1、SP2、及SP3而相互相隔。此外，殼體100之底部可形成於基座B之平坦的頂部上，及殼體100之頂部可經由CMP而形成為平坦的，因而，殼體100之頂部及底部之至少一者可形成為平坦的。此處，殼體100之外及內截面可為四角形。
此外，接腳200可包括彈性部211及輔助彈性部212。彈性部211及輔助彈性部212之一個端部可連接至側壁殼體120，及其另一個端部可連接至接觸部220及輔助接觸部230。此外，彈性部211及輔助彈性部212 可具有彈性。例如，彈性部211及輔助彈性部212可經形成以具有鋸齒形狀或L形形狀。
此外，通孔121及輔助通孔131可沿其長度 方向形成於殼體100之二個端部，且接觸部220及輔助接觸部230可分別經由通孔121及輔助通孔131而暴露於外。由於通孔121及輔助通孔131係形成於部分殼體100中，其中經由CMP平面化之下殼體110之頂部及上殼體130之底部未由側壁殼體120圍繞，通孔121及輔助通孔131之頂部及底部之至少一者為平坦的。此處，通孔121及輔助通孔131可具有四角形截面形狀。
此外，彈性部210可配置於包括上殼體130、 下殼體110及側壁殼體120之殼體100的內部空間中，彈性部210之寬度可大於通孔121及輔助通孔131之寬度，藉以防止彈性部210經由通孔121及輔助通孔131而與殼體100分離。
此外，接觸端子221及231可分別從接觸部 220及輔助接觸部230之端部突出，且其截面形狀可為矩形、三角形、或多階梯狀矩形。
此外，殼體100可具有與殼體之內部空間相 通的一個或多個釋放孔150。例如，一個或多個釋放孔150可形成於下殼體110及上殼體130之至少一者中而與側壁殼體120之內部空間相通。
依據第三實施例之微電極電路測試接腳(詳圖9B)
依據本發明之本實施例的測試接腳可包括殼 體100及接腳200。
此處，可使用上述方法同時形成殼體100及 接腳200，且殼體100之內表面及接腳200之外表面可經由將移除之犧牲部SP1、SP2、及SP3而相互相隔。此外，殼體100之底部可形成於基座B之平坦的頂部上，及殼體100之頂部可經由CMP而形成為平坦的，因而，殼體100之頂部及底部之至少一者可形成為平坦的。此處，殼體100之外及內截面可為四角形。
此外，接腳200可包括彈性部211及輔助彈 性部212。彈性部211及輔助彈性部212之一個端部可連接至殼體100，及其另一個端部可連接至接觸部220及輔助接觸部230。此外，彈性部211及輔助彈性部212可具有彈性。例如，彈性部211及輔助彈性部212可經形成以具有鋸齒形狀或L形形狀。
此外，通孔121可沿其長度方向形成於殼體 100之二個端部之任一者，且接觸部220可經由通孔121而暴露於外。由於通孔121係形成於部分殼體100中，其中經由CMP平面化之下殼體110之頂部及上殼體130之底部未由側壁殼體120圍繞，通孔121之頂部及底部之至少一者為平坦的。此處，通孔121可具有四角形截面形狀。此外，彈性部211可配置於包括上殼體130、下殼體110及側壁殼體120之殼體100的內部空間中，且輔助彈性部212可配置於殼體100外部。此外，彈性部211之寬 度可大於通孔121之寬度，藉以防止彈性部211經由通孔121而與殼體100分離。
此外，接觸端子221及231可從接觸部220 及輔助接觸部230之端部突出，且其截面形狀可為矩形、三角形、或多階梯狀矩形。
此外，殼體100可具有與殼體之內部空間相 通的一個或多個釋放孔150。例如，一個或多個釋放孔150可形成於下殼體110及上殼體130之至少一者中而與側壁殼體120之內部空間相通。
依據第四實施例之微電極電路測試接腳(詳圖9C)
依據本發明之本實施例的測試接腳可包括殼體100及接腳200。
此處，可使用上述方法同時形成殼體100及接腳200，且殼體100之內表面及接腳200之外表面可經由將移除之犧牲部SP1、SP2、及SP3而相互相隔。此外，殼體100之底部可形成於基座B之平坦的頂部上，及殼體100之頂部可經由CMP而形成為平坦的，因而，殼體100之頂部及底部之至少一者可形成為平坦的。此處，殼體100之外及內截面可為四角形。
此外，接腳200可包括彈性部211。彈性部211之一個端部可連接至側壁殼體120，及其另一個端部可連接至接觸部220。此外，彈性部211可具有彈性。例如，彈性部211可經形成以具有鋸齒形狀。
此外，通孔121可沿其長度方向形成於殼體 100之二個端部之任一者，且接觸部220可經由通孔121而暴露於外。由於通孔121係形成於部分殼體100中，其中經由CMP平面化之下殼體110之頂部及上殼體130之底部未由側壁殼體120圍繞，通孔121之頂部及底部之至少一者為平坦的。此處，通孔121可具有四角形截面形狀。
此外，彈性部211可配置於包括上殼體130、 下殼體110及側壁殼體120之殼體100的內部空間中。此外，彈性部211之寬度可大於通孔121之寬度，藉以防止彈性部211經由通孔121而與殼體100分離。
此外，輔助接觸部230可形成於殼體100之表面，相對於其中形成通孔121之其表面。
此外，接觸端子221及231可從接觸部220及輔助接觸部230之端部突出，且其截面形狀可為矩形、三角形、或多階梯狀矩形。
此外，殼體100可具有與殼體之內部空間相通的一個或多個釋放孔150。例如，一個或多個釋放孔150可形成於下殼體110及上殼體130之至少一者中而與側壁殼體120之內部空間相通。
如以上所提及，在特定示例實施例中詳述製造微電極電路測試接腳之方法及使用該方法製造之微電極電路測試接腳，且其顯然可在本發明之範圍內修改。
本發明不侷限於以上所說明之示例實施例， 且應理解的是未偏離本發明之精神及範圍的所有改變、等效論述、及替代均包含於本發明中。
儘管為描繪之目的已說明本發明之較佳實施例，熟悉本技藝之人士將理解各式修改、附加及替代是可能的，未偏離申請項中所揭露之本發明的範圍及精神。
110‧‧‧下殼體
120‧‧‧側壁殼體
121‧‧‧通孔
131‧‧‧輔助通孔
150‧‧‧釋放孔
210‧‧‧彈性部
220‧‧‧接觸部
220a、230a‧‧‧參差部
221、231‧‧‧接觸端子
230‧‧‧輔助接觸部

Claims (25)

  1. 一種微電極電路測試接腳，包含：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該二個端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部之通孔，其中，該接腳及該殼體係使用半導體微機電系統(MEMS)程序而同時形成，且該接腳及該殼體之頂部及底部之至少一者為平坦的。
  2. 一種微電極電路測試接腳，包含：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該二個端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部之通孔，其中，該接觸部之寬度小於該彈性部之寬度，且該通孔之寬度小於該彈性部之該寬度並大於該接觸部之該寬度，使得防止該接腳與該殼體分離。
  3. 一種微電極電路測試接腳，包含：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該二個端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部之通 孔，其中，該通孔之截面積小於該殼體之截面積，且該殼體及該通孔之該截面積具有四角形狀。
  4. 一種微電極電路測試接腳，包含：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該二個端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部之通孔，其中，鄰近該通孔之該接觸部的側面配置複數個參差部。
  5. 一種微電極電路測試接腳，包含：接腳，具有設於其二個端部之至少一者的接觸部，及連接於其該二個端部之間並具有彈性恢復力的彈性部；以及殼體，具有暴露該接觸部於外並覆蓋該彈性部之通孔，其中，該殼體進一步包括一個或多個釋放孔，與該殼體之內部空間相通。
  6. 如申請專利範圍第1至5項任一項之微電極電路測試接腳，其中，該接腳之一個端部配置該接觸部，以及該接腳之另一個端部連接至該殼體。
  7. 如申請專利範圍第6項之微電極電路測試接腳，其中，該殼體之表面，相對於具有形成於其中之該通孔的 表面，連接至具有彈性恢復力之輔助彈性部，且該輔助彈性部之一個端部配置輔助接觸部。
  8. 如申請專利範圍第7項之微電極電路測試接腳，其中，該殼體延伸以覆蓋該輔助彈性部，並具有暴露該輔助接觸部於外之輔助通孔。
  9. 如申請專利範圍第8項之微電極電路測試接腳，其中，該輔助通孔之截面積小於該殼體之該截面積，且該輔助通孔及該殼體之該截面積具有四角形狀。
  10. 如申請專利範圍第6項之微電極電路測試接腳，其中，該殼體之表面，相對於具有形成於其中之該通孔的表面，配置輔助接觸部。
  11. 如申請專利範圍第1至5項任一項之微電極電路測試接腳，其中，該彈性部具有鋸齒形狀。
  12. 如申請專利範圍第1至5項任一項之微電極電路測試接腳，其中，該接觸部進一步包括接觸端子，該接觸端子之端部的截面形狀為矩形、三角形、或多階梯狀矩形。
  13. 如申請專利範圍第12項之微電極電路測試接腳，其中，該接觸部及該接觸端子具有不同高度。
  14. 如申請專利範圍第13項之微電極電路測試接腳，其中，該接觸部及該接觸端子係以不同金屬形成。
  15. 一種製造微電極電路測試接腳之方法，該方法包含：形成下殼體； 形成側壁殼體，沿該下殼體之外周表面直立，並於該側壁殼體圍繞之空間中形成接腳；以及於該接腳及該側壁殼體上形成上殼體。
  16. 一種製造微電極電路測試接腳之方法，該方法包含：形成下殼體；於該下殼體上形成接腳；以及形成側壁殼體，沿該下殼體之外周表面直立，並於該接腳上形成上殼體。
  17. 如申請專利範圍第15或16項之方法，進一步包含：在該接腳及該下殼體、該側壁殼體及該上殼體之間形成犧牲部；以及在該下殼體及該上殼體之至少一者中形成一個或多個釋放孔，該釋放孔與該側壁殼體之內部空間相通。
  18. 如申請專利範圍第15項之方法，其中，該形成該下殼體包括：準備基座；以及於該基座上形成該下殼體。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中，該形成該接腳及該側壁殼體包括：於該下殼體上形成第一犧牲部，該第一犧牲部之寬度小於該下殼體之寬度；形成該側壁殼體，沿該下殼體之該外周表面直立； 於該第一犧牲部上形成該接腳；以及於該側壁殼體及該接腳間之該第一犧牲部上形成第二犧牲部。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中，該形成該上殼體包括：於配置於該側壁殼體內部之該接腳上形成第三犧牲部，該第三犧牲部的寬度與該側壁殼體之內部空間的寬度相同；於該側壁殼體及該第三犧牲部上形成該上殼體，該上殼體之形狀相應於該下殼體之形狀；以及從該殼體移除該下殼體、該接腳、該側壁殼體及該上殼體以外之部分。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中，該下殼體、該接腳、該側壁殼體及該上殼體係使用半導體MEMS程序而由鎳-鈷形成，以及該第一犧牲部、該第二犧牲部及該第三犧牲部係使用半導體MEMS程序而由銅形成。
  22. 如申請專利範圍第16項之方法，其中，該接腳經形成而具有彈性部，該彈性部於該側壁殼體之內部空間中具有彈性，以及接觸部，該接觸部從該彈性部之二個端部之至少一者突出該側壁殼體外部，且複數個參差部形成於鄰近該側壁殼體之該接觸部的側面。
  23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中，該接觸 部經形成而具有從其端部突出之接觸端子，且該接觸端子之端部的截面形狀為矩形、三角形、或多階梯狀矩形。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中，重複該形成該接腳及該側壁殼體，以允許該接觸部及該接觸端子具有不同高度。
  25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中，該接觸部及該接觸端子係以不同金屬形成。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI665452B (zh) * 2017-09-19 2019-07-11 韓商威儀科技股份有限公司 磨擦現象減少的垂直式探針卡用針頭裝置及利用該針頭裝置的探針卡

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101954900B1 (ko) * 2015-06-03 2019-05-31 (주)에이피텍 테스트 핀 및 이를 포함하는 테스트 장치
JP6515877B2 (ja) * 2016-06-17 2019-05-22 オムロン株式会社 プローブピン
JP6744209B2 (ja) * 2016-12-27 2020-08-19 株式会社エンプラス 電気接触子及び電気部品用ソケット
JP2018197714A (ja) * 2017-05-24 2018-12-13 山一電機株式会社 Ｍｅｍｓ型プローブ、及び、これを使用した電気検査用装置
KR101949871B1 (ko) * 2017-06-28 2019-02-20 양희성 전기 신호 연결용 마이크로 컨택터
CN111033272B (zh) * 2018-01-11 2022-07-26 欧姆龙株式会社 探针、检查工具、检查单元和检查装置
JP7318297B2 (ja) * 2019-04-25 2023-08-01 オムロン株式会社 プローブピン、検査治具および検査ユニット
WO2020222327A1 (ko) * 2019-04-30 2020-11-05 (주)위드멤스 미세 전극 회로 검사용 핀
KR102166677B1 (ko) * 2019-08-09 2020-10-16 주식회사 오킨스전자 멤스 포고 핀 및 이를 이용한 검사 방법
KR102232788B1 (ko) * 2019-12-17 2021-03-26 주식회사 오킨스전자 하우징 일체형 멤스 핀
KR102147699B1 (ko) * 2020-04-29 2020-08-26 (주)피티앤케이 프로브 핀 및 이의 제조 방법
KR102498040B1 (ko) * 2021-02-22 2023-02-10 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 어셈블리
KR102517778B1 (ko) * 2021-02-26 2023-04-04 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 어셈블리 및 그 제조방법
KR20230032064A (ko) * 2021-08-30 2023-03-07 (주)포인트엔지니어링 캔틸레버형 프로브 핀
KR20230032057A (ko) * 2021-08-30 2023-03-07 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 수직형 프로브 카드
KR20230032058A (ko) * 2021-08-30 2023-03-07 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 수직형 프로브 카드
KR20230049217A (ko) * 2021-10-06 2023-04-13 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치
KR20230050057A (ko) * 2021-10-07 2023-04-14 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치
KR20230112812A (ko) * 2022-01-21 2023-07-28 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치
KR20230127719A (ko) * 2022-02-25 2023-09-01 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀
KR20230127709A (ko) * 2022-02-25 2023-09-01 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀
KR20230157096A (ko) * 2022-05-09 2023-11-16 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7605940B2 (en) * 1999-09-17 2009-10-20 Silverbrook Research Pty Ltd Sensing device for coded data
US8224440B2 (en) * 2006-11-09 2012-07-17 Greatbatch Ltd. Electrically isolating electrical components in a medical electrical lead with an active fixation electrode
US7007408B2 (en) * 2004-04-28 2006-03-07 Solid State Measurements, Inc. Method and apparatus for removing and/or preventing surface contamination of a probe
TWI313753B (en) * 2006-09-11 2009-08-21 Jung Tang Huang Vertical probe card
US7688273B2 (en) * 2007-04-20 2010-03-30 Skycross, Inc. Multimode antenna structure
KR100984876B1 (ko) 2008-05-08 2010-10-04 한국기계연구원 가변강성 기능을 가진 수직형 미세 접촉 프로브
JP5049904B2 (ja) * 2008-07-17 2012-10-17 パナソニック株式会社 可動構造体及びそれを用いた光走査ミラー
US7928751B2 (en) * 2009-02-18 2011-04-19 Winmems Technologies Holdings Co., Ltd. MEMS interconnection pins fabrication on a reusable substrate for probe card application
JP5686541B2 (ja) * 2009-09-03 2015-03-18 富士通コンポーネント株式会社 プローブ
KR101178237B1 (ko) * 2010-03-26 2012-08-29 박연재 접촉 프로브 및 이의 제조 방법
WO2012002763A2 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Jae Hak Lee Test probe for test and fabrication method thereof
KR101236312B1 (ko) * 2011-10-17 2013-02-28 (주)기가레인 반도체 검사용 프로브

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI665452B (zh) * 2017-09-19 2019-07-11 韓商威儀科技股份有限公司 磨擦現象減少的垂直式探針卡用針頭裝置及利用該針頭裝置的探針卡

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Publication number Publication date
KR102018784B1 (ko) 2019-09-05
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JP2016527512A (ja) 2016-09-08
CN105452878B (zh) 2019-01-04
KR20150020500A (ko) 2015-02-26
JP6376541B2 (ja) 2018-08-22

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