CN105452878A

CN105452878A - 微电极电路检查用针制造方法及以该方法制造的微电极电路检查用针

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Publication number: CN105452878A
Application number: CN201480044941.3A
Authority: CN
Inventors: 丘璜燮; 李圭汉; 全柄俊; 方镐燮; 郑熙锡; 金铉济
Original assignee: Ji Jialan Science And Technology Co Ltd
Current assignee: Yu Demansi Co. Ltd.
Priority date: 2013-08-13
Filing date: 2014-07-07
Publication date: 2016-03-30
Anticipated expiration: 2034-07-07
Also published as: CN105452878B; JP2016527512A; TW201522982A; KR102018784B1; KR20150020500A; JP6376541B2; TWI560449B

Abstract

本发明公开一种微电极电路检查用针。本发明实施例的微电极电路检查用针包括：针，其在两端中的至少一者上形成有接触部，具有弹性复原力的弹性部连接所述两端之间；及外壳，其形成有使所述接触部露出于外部的贯通部，且覆盖所述弹性部；所述针与所述外壳通过半导体MEMS工序而同时形成，所述针及所述外壳的下部与上部中的至少一个面平坦地形成。

Description

微电极电路检查用针制造方法及以该方法制造的微电极电路检查用针

技术领域

本发明涉及微电极电路检查用针制造方法，涉及一种能够解决针与外壳间的结构性缺陷，缓和测量微电极电路时发生的冲击并提高测量速度的微电极电路检查用针制造方法及以该方法制造的微电极电路检查用针。

背景技术

一般而言，半导体装置通过在晶片(wafer)上形成电路图案及用于检查的接触垫的制造(fabrication)工序和把形成了电路图案及接触垫的晶片组装为各个半导体芯片的组装(assembly)工序而制造。

在制造工序与组装工序之间，执行向在晶片上形成的接触垫接入电信号而检查晶片的电气特性的检查工序。该检查工序是为了检查晶片的不良，去除在组装工序时发生不良的晶片的一部分而执行的工序。

在进行检查工序时，主要使用向晶片接入电信号的称为测试机的检查设备和执行晶片与测试机之间的接口功能的称为探针卡的检查设备。其中，探针卡包括接收从测试机接入的电信号的印刷电路板及与在晶片上形成的接触垫接触的多个针。

最近，随着半导体芯片高集成化，借助于制造工序而在晶片上形成的电路图案正在高集成化，由此，相邻的接触垫间的间隔，即，间距(pitch)形成得非常窄。

因此，各个针的厚度设计得较薄，以便与相邻针的间距可以减小。

但是，如果针的厚度较薄，则强度下降，存在因在检查工序中施加的横向的力而导致针损伤或与针接触的晶片上的接触垫损伤的问题。

另外，在作为被检查物的晶片的接触垫上存在错层的情况下，存在无法与特定探针接触的接触垫，因此，存在发生无法实现正确检查的情形的问题。

由此，以往虽然使用弹簧结构的针，但其由于结构上的问题，如果在检查时施加力，则进行动作时刮擦模块，此时，存在模块的氧化层被破坏而发生泄漏的问题。

为了解决这种问题，以往开发了具有外壳的针，但独立地设计及制作外壳与针，这是为了使外壳与针在半导体检查时全部与半导体电极的微细间距对应而全部以极小的大小制作，因而外壳与探针的结合工序要求高难度。

另外，当结合外壳与针时，利用镊子等工具，因而当对外壳或针施加超出需要的力时，变形并发生不良，由于外壳与针的个别制作，存在制作时间长的问题。

另外，个别制作时，由于外壳与针的互不相同的工序环境等因素，外壳与针结合时，由于与原来设计的大小的细微差异而无法结合，或外壳内部面与针外部面超出需要地隔开，存在无法正常运转的问题。

作为与本发明相关的现有文献，在韩国公开专利第10-2009-0117053号(公开日2009年11月12日)，在所述现有文献中，公开了关于具有可变刚性功能的竖直型细微接触探针的技术。

发明内容

技术课题

本发明的目的在于提供一种微电极电路检查用针制造方法及以该方法制造的微电极电路检查用针，通过半导体MEMS(微电子机械系统)工序同时制造外壳与针，从而能够制造使得预先防止外壳与针间的因制造时公差错误导致的结构性缺陷。

本发明的另一目的在于提供一种微电极电路检查用针制造方法及以该方法制造的微电极电路检查用针，在针上形成Z字形状的曲折部，从而能够缓和在物理接触微电极电路进行检查时发生的冲击。

本发明的又一目的在于提供一种微电极电路检查用针制造方法及以该方法制造的微电极电路检查用针，在测量微电极电路时上下变形的针上使用外壳，使得发挥覆盖的作用，能够高效防止测量信号泄漏。

解决课题的方案

在一种形态中，本发明包括：针，其在两端中的至少一者上形成有接触部，具有弹性复原力的弹性部连接所述两端之间；及外壳，其形成有使所述接触部露出于外部的贯通部，且覆盖所述弹性部；所述针与所述外壳通过半导体MEMS工序而同时形成，所述针及所述外壳的下部与上部中的至少一个面平坦地形成。

在另一种形态中，本发明包括：针，其在两端中的至少一者上形成有接触部，具有弹性复原力的弹性部连接所述两端之间；及外壳，其形成有使所述接触部露出于外部的贯通部，且覆盖所述弹性部；所述接触部的横向长度小于所述弹性部的横向长度；

所述贯通部的横向长度小于所述弹性部的横向长度且大于所述接触部的横向长度，使所述针不从外壳分离。

在另一种形态中，本发明包括：针，其在两端中的至少一者上形成有接触部，具有弹性复原力的弹性部连接所述两端之间；及外壳，其形成有使所述接触部露出于外部的贯通部，且覆盖所述弹性部；所述贯通部的截面宽度小于所述外壳的截面宽度，所述外壳及贯通部的截面形成为四边形。

在另一种形态中，包括：针，其在两端中的至少一者上形成有接触部，具有弹性复原力的弹性部连接所述两端之间；及外壳，其形成有使所述接触部露出于外部的贯通部，且覆盖所述弹性部；在与所述贯通部贴紧的所述接触部的侧面，还形成有朝向所述贯通部凹陷或凸起的多个凹凸部。

在另一种形态中，包括：针，其在两端中的至少一者上形成有接触部，具有弹性复原力的弹性部连接所述两端之间；及外壳，其形成有使所述接触部露出于外部的贯通部，且覆盖所述弹性部；在所述外壳上，还形成有与所述外壳的内部空间连通的一个以上的排出孔。

在所述针的一端形成所述接触部，另一端与所述外壳连接。

在所述外壳的形成有所述贯通部的相反面，连接有具有弹性复原力的辅助弹性部，在所述辅助弹性部的一端形成辅助接触部。

所述外壳以覆盖所述辅助弹性部的方式延长形成，且形成有使所述辅助接触部向外部露出的辅助贯通部。所述辅助贯通部的截面宽度小于所述外壳的截面宽度，所述外壳及辅助贯通部的截面形成为四边形。

在所述外壳的形成有所述贯通部的相反面，形成有辅助接触部。

所述弹性部形成为Z字形状。在所述接触部还形成有接触端子，所述接触端子的端部形成为直角形状、三棱形状、多段的直角凸出形状中的某一种截面。

所述接触部与所述接触端子的高度相互不同。所述接触部与所述接触端子由不同的金属形成。

在又一形态中，本发明包括：形成下部外壳的下部外壳形成步骤；针及侧壁外壳形成步骤，沿着所述下部外壳的边缘形成向上直立的侧壁外壳，在被所述侧壁外壳包围的空间形成针；及上部外壳形成步骤，在所述针及侧壁外壳的上部形成上部外壳。

在又一形态中，本发明包括：形成下部外壳的下部外壳形成步骤；针形成步骤，在所述下部外壳的上部形成针；及侧壁外壳及上部外壳形成步骤，沿着所述下部外壳的边缘形成向上方直立的侧壁外壳、及在所述针的上部形成上部外壳。

在所述针与所述下部外壳、所述侧壁外壳、所述上部外壳之间形成牺牲部，在所述下部外壳与所述上部外壳中的至少一者上，还形成与所述外壳侧壁的内部空间连通的一个以上的排出孔。

在所述下部外壳形成步骤，准备基板并在所述基板上部形成所述下部外壳。

在所述针及侧壁外壳形成步骤，在所述下部外壳的上部形成横向长度小于所述下部外壳横向长度的第一牺牲部，沿着所述下部外壳的边缘形成向上方直立的侧壁外壳，在所述第一牺牲部上部形成所述针，在所述侧壁外壳与所述针之间的所述第一牺牲部的上面形成第2牺牲部。

在位于所述侧壁外壳的内侧的所述针的上部，形成与所述侧壁外壳的内侧空间的横向长度相同的第三牺牲部，在所述侧壁外壳及所述第三牺牲部上部，形成与所述下部外壳的形状对应的上部外壳，去除所述下部外壳、所述针、所述侧壁外壳、所述上部外壳之外的部分。

所述下部外壳、所述针、所述侧壁外壳、所述上部外壳通过半导体MEMS工序由镍-钴形成，所述第一牺牲部、所述第二牺牲部、所述第三牺牲部通过半导体MEMS工序由铜形成。

所述针具有弹性部和接触部，所述弹性部形成在所述侧壁外壳的内部空间且具有弹性，所述接触部在所述弹性部的两端中的至少一者上，且凸出到所述侧壁外壳的外部，在所述接触部侧面还形成朝向所述侧壁外壳的内侧壁凹陷或凸起的多个凹凸部。

在所述接触部的端部形成凸出的接触端子，且所述接触端子的端部形成为具有直角形状、三棱形状、多段的直角凸出形状中的某一种截面。

反复所述针及侧壁外壳形成步骤，所述接触部与所述接触端子的高度形成为相互不同。所述接触部与所述接触端子由不同金属形成。

发明效果

本发明通过半导体MEMS(微电子机械系统)工序同时制造针和外壳，从而具有能够制造使得预先防止外壳与针间的因制造时公差错误导致的结构性缺陷的效果。

另外，本发明在针上形成Z字形状的曲折部，从而具有能够缓和在物理接触微电极电路进行检查时发生的冲击的效果。

另外，本发明在检查微电极电路时上下变形的针上，使得外壳发挥覆盖的作用，具有能够高效防止测量信号泄漏的效果。

附图说明

图1是表示本发明的微电极电路检查用针的外部与内部的图。

图2是表示本发明的下部外壳形成步骤的图。

图3至图4是表示形成本发明的针及侧壁外壳的步骤的图。

图5及图7是表示本发明的上部外壳形成步骤的图。

图8是表示本发明的接触端子的形状的图。

图9是表示本发明的微电极电路检查用针的另一实施例的图。

具体实施方式

下面参照附图，说明微电极电路检查用针的制造方法。而且，说明通过所述制造方法制造的微电极电路检查用针的结构。

本发明的微电极电路检查用针的制造方法大致通过下部外壳形成步骤→针及侧壁外壳形成步骤→上部外壳形成步骤而制造。

下部外壳形成步骤(参照图1至图2)

图1是表示本发明的微电极电路检查用针的外部与内部的图，图2是表示本发明的下部外壳形成步骤的图。

参照图1及图2，准备基板B。此时，优选基板B由上部平坦且以后微电极电路检查用针容易从所述基板B分离的晶片、陶瓷等形成，在所述基板B上部，可以形成有金属层。

在基板B上部形成下部外壳110。此时，优选下部外壳110包含镍(Ni)、镍-钴(Ni-Co)地形成，可以通过半导体MEMS(微电子机械系统)工序而形成。即，优选下部外壳110在半导体MEMS工序中形成具有开口部的掩模，利用以镀金填充所述开口部的工序。例如，如图2a所示，在基板B上部涂布光刻胶(PR)，如图2b所示，对所述光刻胶(PR)进行暴光及显影，形成所述基板B上部向外部露出的开口部，如图2c所示，可以以镀金填充所述开口部，形成下部外壳110。

下面，上述的半导体MEMS工序与形成下部外壳110的半导体MEMS工序相同，因而省略详细说明。

优选下部外壳110大于平坦化处理所需高度地形成，利用化学、机械研磨(CMP)而达到所需高度。例如，下部外壳110的高度可以形成得达到20μm以下。

针及侧壁外壳形成步骤(参照图3至图4)

参照图3，在下部外壳110的上部形成第一牺牲部SP1。此时，优选第一牺牲部SP1的横向长度形成得小于下部外壳110的横向长度，优选与以后在下部外壳110上部形成的侧壁外壳120的内侧空间的横向长度相同地形成。另外，优选第一牺牲部SP1由能够选择性地湿式蚀刻的金属形成。例如，优选由铜形成，可以通过半导体MEMS工序形成。

参照图1，优选在露出于外壳100外部的接触部及辅助接触部220、230的下部形成第一牺牲部SP1。例如，在下部外壳形成步骤中，可以以与下部外壳110相同的高度，在形成有接触部及辅助接触部220、230的下部，通过半导体MEMS工序，形成能够选择性地湿式蚀刻的金属层，在所述金属层上部形成有第一牺牲部SP1。

当然，形成有接触部及辅助接触部220、230的下部可以只由第一牺牲部SP1形成。例如，在形成有接触部及辅助接触部220、230的下部及下部外壳110上部，形成第一牺牲部SP1，为了在形成有所述接触部及辅助接触部220、230的下部形成所述第一牺牲部SP1，可以对在所述下部外壳110上部大于所需高度地形成的第一牺牲部SP1，利用化学、机械式研磨而使得达到所需高度，从而形成。

第一牺牲部SP1在针200与下部外壳110之间发挥隔离片(spacer)作用。

接着，参照图4，在下部外壳110的上部，沿着下部外壳110的外周面形成直立的侧壁外壳120，及在第一牺牲部SP1的上部形成针200及第二牺牲部SP2。此时，优选通过半导体MEMS工序形成侧壁外壳120、针200，把侧壁外壳120及针200用作形成第二牺牲部SP2所需的掩模，形成所述第二牺牲部SP2。即，在侧壁外壳120及针200之间形成的开口部，可以形成第二牺牲部SP2。另外，优选针200及侧壁外壳120包含镍(Ni)、镍-钴(Ni-Co)地形成，可以通过半导体MEMS工序而形成。另外，优选第二牺牲部SP2由能够选择性地湿式蚀刻的金属形成。例如，优选由铜形成，可以通过半导体MEMS工序形成。

第二牺牲部SP2在针200与侧面外壳120之间发挥隔离片(spacer)作用。

优选针200及侧壁外壳120大于平坦化处理所需高度地形成，利用化学、机械式研磨而达到所需高度。例如，针200的高度可以形成得达到20μm以下。

上部外壳形成步骤(参照图5至图7)

参照图5，在针200及第二牺牲部SP2的上部形成第三牺牲部SP3。此时，优选第三牺牲部SP3的横向长度与外壳侧壁120的内侧空间的横向长度相同地形成，优选与第一牺牲部SP1的横向长度相同地形成。另外，优选所述第三牺牲部SP3由能够选择性地湿式蚀刻的金属形成。例如，优选由铜形成，可以通过半导体MEMS工序形成。

第三牺牲部SP3在针200与上部外壳130之间发挥隔离片(spacer)作用。

接着，参照图6，在第三牺牲部SP3的上部形成上部外壳130。此时，优选上部外壳130包含镍(Ni)、镍-钴(Ni-Co)地形成，可以通过半导体MEMS工序形成。

优选上部外壳130大于平坦化处理所需高度地形成，利用化学、机械研磨而达到所需高度。例如，上部外壳130的高度可以形成得达到20μm以下。

接着，参照图7，去除发挥隔离片作用的牺牲部SP1、SP2、SP3。此时，优选牺牲部SP1、SP2、SP3的去除使用对牺牲部SP1、SP2、SP3选择性地进行湿式蚀刻的溶液去除。

因此，形成具有图1及图7所示的内部的微电极电路检查用针。

前面提到的微电极电路检查用针的制造方法说明了基本的实施例，也可以对实施例进行变形制造。例如，在针及侧壁外壳形成步骤中未形成侧壁外壳120，而在上部外壳形成步骤中同时形成侧壁外壳120及上部外壳130，或在针及侧壁外壳形成步骤中未形成第二牺牲部SP2，而在上部外壳形成步骤中同时形成第二牺牲部SP2及第三牺牲部SP3，这属于代表性示例。

另一方面，参照图1，在本发明中，在针及侧壁外壳形成步骤中，针200可以形成得具有弹性部210、接触部及辅助接触部220、230，所述弹性部210在侧壁外壳120的内部空间，沿着所述侧壁外壳120的长度方向呈Z字形折弯，所述接触部及辅助接触部220、230在所述弹性部210的长度方向两端，凸出到所述侧壁外壳120的两端。

在此基础上，在接触部及辅助接触部220、230各个侧面，还可以形成多个凹凸部220a、230a。

凹凸部220a、230a执行不使接触部及辅助接触部220、230与外壳侧壁120贴紧的功能。本发明不分别制造外壳100与针200，具有同时制造成一体型的优点，在制造工序中，在外壳100与针200之间形成既定以上的隔开空间很重要。即，如果在光刻胶上形成用于形成侧面外壳120与针200的开口部，那么，在所述开口部之间形成的光刻胶的横向长度为5μm以下的部位，由于光刻胶未正常形成，因而当在所述开口部形成所述侧壁外壳120和所述针200时，所述侧壁外壳120与所述针200不分离形成。

因此，如果在外壳100与针200之间有既定以上的隔开空间，则没有问题，但如果隔开空间窄，则外壳100与针200贴合，会发生不良品。

为解决这种问题，在外壳100与针200之间形成既定以上的隔开空间即可，但所述针200会在隔开空间向左右侧游动，在微电极电路检查时，还会发生接触部220脱离接点的不良。因此，在外壳100与针200之间需要隔开空间的所述针200的部位，形成凹凸部220a、230a，从而使得既能够防止所述针200的左右游动，又能够在所述外壳100与所述针200之间形成既定以上的隔开空间。

前面提到的凹凸部220a、230a说明的是在接触部220、230形成，但也可以在侧壁外壳120上形成。

在此基础上，如果参照图8a，当在接触部及辅助接触部220、230的端部，形成凸出的接触端子221、231时，可以使所述接触端子221、231的端部形成得具有直角形状、三棱形状、多段的直角凸出形状中的某一种截面。

其中，接触部及辅助接触部220、230与接触端子221、231的高度最好相互相同，不过，构成末端的接触端子221、231的形状可以形成为相互不同。

在此基础上，如果参照图8b，所述接触端子221、231在接触部及辅助接触部220、230的端部形成，且可以其高度小于接触部220、230高度地形成。

即，也可以多次反复针及侧壁外壳形成步骤，使接触部及辅助接触部220、230与在所述接触部及辅助接触部220、230末端形成的接触端子221、231的高度不同地形成。

另外，通过不同地形成接触端子221、231的厚度，接触端子221、231与接触部及辅助接触部220、230可以由不同金属形成。例如，接触部及辅助接触部220、230可以包含镍(Ni)、镍-钴(Ni-Co)地形成，接触端子221、231可以由比接触部及辅助接触部220、230导电性良好的金属或强度高的金属形成。

在此基础上，参照图1，优选外壳100形成有与内部空间连通的一个以上的排出孔150。例如，在下部外壳110与上部外壳130中的至少一者以上，还可以形成与侧壁外壳120的内部空间连通的一个以上的排出孔150。

排出孔150执行去除在针200与外壳100之间形成的牺牲部SP1、SP2、SP3的功能。即，在排出孔150中投入去除在针200与外壳100之间形成的牺牲部SP1、SP2、SP3的溶液，所述牺牲部SP1、SP2、SP3溶解并通过所述排出孔150排出。

图9a是说明本发明的微电极电路检查用针的另一实施例的图。正如前面所作的说明，应用同时制造外壳100与其内部的针200的方式，如图9a的结构所示，也可以制造在外壳100内部形成的弹性部211及辅助弹性部212的一端连接于侧壁外壳120的微电极电路检查用针。这种制造方法前面已作说明，因而省略其详细说明。

图9b是说明本发明的微电极电路检查用针的另一实施例的图。正如前面所作的说明，应用同时制造外壳100与其内部的针200的方式，如图9b的结构所示，也可以制造在外壳100内部形成的弹性部211一端连接于侧壁外壳120、在外壳100外部形成的辅助弹性部212一端连接于侧壁外壳120的微电极电路检查用针。这种制造方法前面已作说明，因而省略其详细说明。

图9c是说明本发明的微电极电路检查用针的另一实施例的图。正如前面所作的说明，应用同时制造外壳100与其内部的针200的方式，如图9c的结构所示，也可以制造在外壳100内部形成的第一弹性部211一端连接于侧壁外壳120、在外壳100外部形成的辅助接触部230一端连接于侧壁外壳120的微电极电路检查用针。这种制造方法在前面已作说明，因而省略其详细说明。

下面说明通过如上所述的半导体MEMS(微电子机械系统)工序制造的针的构成。而且，在以下说明中，参照所述图1至图9。

实施例1的微电极电路检查用针(参照图1)

本发明的检查用针由外壳100及针200构成。

其中，其特征是外壳100及针200以上述的方法同时形成，通过去除的牺牲部SP1、SP2、SP3，所述外壳100的内部面与所述针200的外部面隔开地形成。另外，外壳100的下部在上部平坦的基板B上部形成，所述外壳100的上部利用化学、机械式研磨而平坦地形成，因而外壳100的下部与上部中至少一个以上的面平坦地形成。此时，优选外壳的外部及内部的截面以四边形形成。

在此基础上，针200形成弹性部210，在所述弹性部210的两端形成一对接触部及辅助接触部220、230。另外，优选弹性部210形成得具有弹性。例如，弹性部210可以以Z字形状形成。

在此基础上，在外壳100的长度方向的两端，形成一对贯通部及辅助贯通部121、131，通过所述一对贯通部及辅助贯通部121、131，一对接触部及辅助接触部220、230分别露出于外部。另外，一对贯通部及辅助贯通部121、131的下部及上部，在利用化学、机械式研磨而平坦地形成的下部外壳110的上部及上部外壳130的下部未被侧壁外壳120环绕的位置形成，因而所述一对贯通部及辅助贯通部121、131的下部和上部中至少一个以上的面平坦地形成。此时，优选一对贯通部及辅助贯通部121、131的截面以四边形形成。

在此基础上，优选弹性部210位于以上部外壳130、下部外壳110及侧壁外壳120形成的外壳100的内部空间，所述弹性部210横向长度形成得大于所述贯通部及辅助贯通部121、131的横向长度，使得所述弹性部210不通过贯通部及辅助贯通部121、131而与所述外壳130分离。

在此基础上，在接触部及辅助接触部220、230的端部，接触端子221、231凸出形成，所述接触端子221、231的形状形成得具有角形状、三棱形状、多段的直角凸出形状中的某一种截面。

在此基础上，优选外壳100形成有与内部空间连通的一个以上的排出孔150。例如，在下部外壳110与上部外壳130中的至少一者以上，还可以形成与侧壁外壳120的内部空间连通的一个以上的排出孔150。

实施例2的微电极电路检查用针(参照图9a)

本发明的检查用针由外壳100及针200构成。

其中，其特征在于外壳100及针200以上述的方法同时形成，通过去除的牺牲部SP1、SP2、SP3，所述外壳100的内部面与所述针200的外部面隔开地形成。另外，外壳100的下部在上部平坦的基板B上部形成，所述外壳100的上部利用化学、机械式研磨而平坦地形成，因而外壳100的下部与上部中至少一个以上的面平坦地形成。此时，优选外壳的外部及内部的截面以四边形形成。

在此基础上，针200形成弹性部211和辅助弹性部212，所述弹性部211及所述辅助弹性部212的一端连接于侧壁外壳120，所述弹性部211及所述辅助弹性部212的另一端形成有接触部及辅助接触部220、230。另外，优选弹性部211与辅助弹性部212形成得具有弹性。例如，弹性部211及辅助弹性部212可以以Z字形状或L形状形成。

在此基础上，在外壳100的长度方向的两端形成有贯通部及辅助贯通部121、131，通过所述贯通部及辅助贯通部121、131，接触部及辅助接触部220、230分别露出于外部。另外，贯通部及辅助贯通部121、131的下部及上部，在利用化学、机械式研磨而平坦地形成的下部外壳110的上部及上部外壳130的下部未被侧壁外壳120环绕的部位形成，因而所述贯通部及辅助贯通部121、131的下部和上部中至少一个以上的面平坦地形成。此时，优选贯通部及辅助贯通部121、131的截面以四边形形成。

在此基础上，优选弹性部210位于由上部外壳130、下部外壳110及侧壁外壳120形成的外壳100的内部空间，所述弹性部210形成得大于所述贯通部及辅助贯通部121、131的横向长度，使得不通过贯通部及辅助贯通部121、131而与所述外壳130分离。

实施例3的微电极电路检查用针(参照图9b)

本发明的检查用针由外壳100及针200构成。

其中，其特征在于所述外壳100及针200以上述的方法同时形成，通过去除的牺牲部SP1、SP2、SP3，所述外壳100的内部面与所述针200的外部面隔开地形成。另外，外壳100的下部在上部平坦的基板B上部形成，所述外壳100的上部利用化学、机械式研磨而平坦地形成，因而外壳100的下部与上部中至少一个以上的面平坦地形成。此时，优选外壳的外部及内部的截面以四边形形成。

在此基础上，针200形成弹性部211和辅助弹性部212，所述弹性部211及辅助弹性部212的一端连接于外壳100，所述弹性部211及辅助弹性部212的另一端形成有接触部及辅助接触部220、230。另外，优选弹性部211及辅助弹性部212形成得具有弹性。例如，弹性部211及辅助弹性部212以Z字形状或L形状形成，以便具有弹性。

在此基础上，在外壳100的长度方向的两端中某一者上形成有贯通部121，通过所述贯通部121，接触部220露出于外部。另外，贯通部121的下部及上部，在利用化学、机械式研磨而平坦地形成的下部外壳110的上部及上部外壳130的下部未被侧壁外壳120环绕的部位形成，因而所述贯通部121的下部和上部中至少一个以上的面平坦地形成。此时，优选贯通部121的截面形成为四边形。在此基础上，弹性部211位于由上部外壳130、下部外壳110及外壳侧壁120形成的外壳100的内部空间，辅助弹性部212位于外壳100的外部空间。另外，优选弹性部211横向长度大于所述贯通部121横向长度地形成，使得不通过贯通部121而与外壳130分离。

实施例4的微电极电路检查用针(参照图9c)

本发明的检查用针由外壳100及针200构成。

其中，其特征在于所述外壳100及针200以上述的方法同时形成，通过去除的牺牲部SP1、SP2、SP3，所述外壳100的内部面与所述针200的外部面隔开地形成。另外，外壳100的下部在上部平坦的基板B上部形成，上部利用化学、机械式研磨而平坦地形成，因而外壳100的下部和上部中至少一个以上的面平坦地形成。此时，优选外壳的外部及内部的截面以四边形形成。

在此基础上，针200形成弹性部211，所述弹性部211的一端连接于侧壁外壳120，所述弹性部211的另一端形成接触部220。另外，优选弹性部211形成得具有弹性。例如，弹性部211可以以Z字形状形成。

在此基础上，在外壳100的长度方向的两端中某一者上形成有贯通部121，通过所述贯通部121，接触部220露出于外部。另外，贯通部121的下部及上部，在利用化学、机械式研磨而平坦地形成的下部外壳110的上部及上部外壳130的下部未被侧壁外壳120环绕的部位形成，因而所述贯通部121的下部和上部中至少一个以上的面平坦地形成。此时，优选贯通部121的截面以四边形形成。

在此基础上，优选弹性部211位于由上部外壳130、下部外壳110及侧壁外壳120形成的外壳100的内部空间，所述弹性部211横向长度大于所述贯通部121横向长度地形成，使得不通过贯通部121而与所述外壳130分离。

另外，在所述外壳100在贯通部121形成的面的相反面形成有辅助接触部230。

以上就本发明的微电极电路检查用针制造方法及以该方法制造的微电极电路检查用针相关的具体实施例进行了说明，但在不超出本发明的范围的限度内，可以进行各种实施变形，这是不言而喻的。

因而，本发明的范围并不局限于说明的实施例而确定，应根据后述的权利要求书以及与该权利要求书均等的内容确定。

即，前述实施例在所有方面应理解为只是示例而非限定，与详细说明相比，本发明的范围由后述的权利要求书代表，从该权利要求书的意义及范围以及其等价概念导出的所有变更或变形的形态应解释为包含于本发明的范围。

符号说明

100-外壳，110-下部外壳，120-侧壁外壳，121-贯通部，131-辅助贯通部，130-上部外壳，150-排出孔，200-针，210、211-弹性部，212-辅助弹性部，220-接触部，230-辅助接触部，220a、230a-凹凸部，221、231-接触端子，SP1-第一牺牲部，SP2-第二牺牲部，SP3-第三牺牲部。

Claims

1.一种微电极电路检查用针，其特征在于，包括：

针，其在两端中的至少一者上形成有接触部，具有弹性复原力的弹性部连接所述两端之间；及

外壳，其形成有使所述接触部露出于外部的贯通部，且覆盖所述弹性部；

所述针与所述外壳通过半导体MEMS工序而同时形成，所述针及所述外壳的下部与上部中的至少一个面平坦地形成。

2.一种微电极电路检查用针，其特征在于，包括：

所述接触部的横向长度小于所述弹性部的横向长度，所述贯通部的横向长度小于所述弹性部的横向长度且大于所述接触部的横向长度，使所述针不从外壳分离。

3.一种微电极电路检查用针，其特征在于，包括：

所述贯通部的截面宽度小于所述外壳的截面宽度，所述外壳及贯通部的截面形成为四边形。

4.一种微电极电路检查用针，其特征在于，包括：

在与所述贯通部贴紧的所述接触部的侧面，还形成有朝向所述贯通部凹陷或凸起的多个凹凸部。

5.一种微电极电路检查用针，其特征在于，包括：

在所述外壳上，还形成有与所述外壳的内部空间连通的一个以上的排出孔。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的微电极电路检查用针，其特征在于，

在所述针的一端形成所述接触部，另一端与所述外壳连接。

7.根据权利要求6所述的微电极电路检查用针，其特征在于，

在所述外壳的形成有所述贯通部的相反面，连接有具有弹性复原力的辅助弹性部，在所述辅助弹性部的一端形成有辅助接触部。

8.根据权利要求7所述的微电极电路检查用针，其特征在于，

所述外壳以覆盖所述辅助弹性部的方式延长形成，且形成有使所述辅助接触部向外部露出的辅助贯通部。

9.根据权利要求8所述的微电极电路检查用针，其特征在于，

所述辅助贯通部的截面宽度小于所述外壳的截面宽度，所述外壳及辅助贯通部的截面形成为四边形。

10.根据权利要求6所述的微电极电路检查用针，其特征在于，

11.根据权利要求1至5中任意一项所述的微电极电路检查用针，其特征在于，

所述弹性部形成为Z字形状。

12.根据权利要求1至5中任意一项所述的微电极电路检查用针，其特征在于，

在所述接触部还形成有接触端子，所述接触端子的端部形成为直角形状、三棱形状、多段的直角凸出形状中的某一种截面。

13.根据权利要求12所述的微电极电路检查用针，其特征在于，

所述接触部与所述接触端子的高度形成为相互不同。

14.根据权利要求13所述的微电极电路检查用针，其特征在于，

所述接触部与所述接触端子由不同的金属形成。

15.一种微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，包括：

形成下部外壳的下部外壳形成步骤；

针及侧壁外壳形成步骤，沿着所述下部外壳的边缘形成向上直立的侧壁外壳，在被所述侧壁外壳包围的空间形成针；及

上部外壳形成步骤，在所述针及侧壁外壳的上部形成上部外壳。

16.一种微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，包括：

形成下部外壳的下部外壳形成步骤；

针形成步骤，在所述下部外壳的上部形成针；及

侧壁外壳及上部外壳形成步骤，沿着所述下部外壳的边缘形成向上方直立的侧壁外壳、及在所述针的上部形成上部外壳。

17.根据权利要求15或16中任意一项所述的微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，

18.根据权利要求15所述的微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，

19.根据权利要求18所述的微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，

在所述针及侧壁外壳形成步骤，在所述下部外壳的上部形成横向长度小于所述下部外壳横向长度的第一牺牲部，

沿着所述下部外壳的边缘形成向上方直立的侧壁外壳，在所述第一牺牲部上部形成所述针，在所述侧壁外壳与所述针之间的所述第一牺牲部的上面形成第二牺牲部。

20.根据权利要求19所述的微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，

在位于所述侧壁外壳的内侧的所述针的上部，形成与所述侧壁外壳的内侧空间的横向长度相同的第三牺牲部，在所述侧壁外壳及所述第三牺牲部上部，形成与所述下部外壳的形状对应的上部外壳，

去除所述下部外壳、所述针、所述侧壁外壳、所述上部外壳之外的部分。

21.根据权利要求20所述的微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，

所述下部外壳、所述针、所述侧壁外壳、所述上部外壳通过半导体MEMS工序由镍-钴形成，

所述第一牺牲部、所述第二牺牲部、所述第三牺牲部通过半导体MEMS工序由铜形成。

22.根据权利要求16所述的微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，

所述针具有弹性部和接触部，所述弹性部形成在所述侧壁外壳的内部空间且具有弹性，所述接触部在所述弹性部的两端中的至少一者上，且凸出到所述侧壁外壳的外部，

在所述接触部侧面还形成朝向所述侧壁外壳的内侧壁凹陷或凸起的多个凹凸部。

23.根据权利要求22所述的微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，

在所述接触部的端部形成凸出的接触端子，

且所述接触端子的端部形成为具有直角形状、三棱形状、多段的直角凸出形状中的某一种截面。

24.根据权利要求23所述的微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，

反复所述针及侧壁外壳形成步骤，所述接触部与所述接触端子的高度形成为相互不同。

25.根据权利要求24所述的微电极电路检查用针制造方法，其特征在于，

所述接触部与所述接触端子由不同金属形成。