JP2020536382A - チップ中間体、その製造システム、半導体チップを作成する方法、およびそのテスト方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】チップ中間体から半導体チップを作成する方法および半導体チップのテスト方法を提供。【解決手段】チップ中間体は、複数のチップ・エリア(半導体チップ)を含んだ半導体領域を含む。チップ・エリアが半導体チップとしてそれぞれ切り出される。切断領域がチップ・エリアのエッジに沿って設けられ、半導体チップを切り出すために切断領域が切断される。コンタクト領域が切断領域を挟んでチップ・エリアと向かい合って設けられ、コンタクト領域は、チップ・エリアをテストするためにテスト・ユニットのプローブによってコンタクトされるように構成され、電気配線がチップ・エリアとコンタクト領域とを接続するために切断領域と連続して設けられる。【選択図】図3B
Description
本発明は、複数の半導体チップおよびチップ中間体(chip intermediate body)をテストすること、即ち小さいダイ・チップのウェーハ・スケール・テスティング(wafer scale testing)および初期化に関する。より具体的には、本発明は、チップ中間体、そのチップ中間体から半導体チップを作成し、テストする方法に関する。
最近、複数の半導体チップをテストすることに関して様々な技術が知られている。
「小さいダイ・チップ(small-die)」サイズは、現在、マイクロ・バンプ(20μmピッチ)を伴って約100μm×100μmであり、より小さくなることが予測される。デバイスのロジック・テスティングおよび初期化(例えば、不揮発性メモリへの初期データの書き込み)のためのチップ当たりのコストは高価であり、既存の製造テスト方法は、マイクロ・バンプをプローブすることができない。既存の技術は、ウェーハレベル・テストおよびバーンイン(WLTBI:Wafer−Level Test and Burn−in)を含み、ウェーハレベルでテストを行うことによって製造コストを削減する。
本発明は、チップ中間体、その製造システム、チップ中間体から半導体チップを作成する方法、および半導体チップのテスト方法を提供する。
それゆえに、当技術分野では前述の問題に取り組む必要がある。
第1の態様の観点から、本発明は、複数のチップ・エリアを含んだ半導体領域であって、チップ・エリアが半導体チップとしてそれぞれ切り出される半導体領域、チップ・エリアのエッジに沿って設けられた切断領域であって、半導体チップを切り出すために切断される切断領域、切断領域を挟んでチップ・エリアと向かい合って設けられたコンタクト領域であって、チップ・エリアをテストするためにテスト・ユニットのプローブによってコンタクトされるように構成されたコンタクト領域、およびチップ・エリアとコンタクト領域とを接続するために切断領域と連続して設けられた電気配線を備える、チップ中間体を提供する。
さらなる態様の観点から、本発明は、本発明のチップ中間体を製造するための半導体チップ製造システムを提供する。
さらなる態様の観点から、本発明は、本発明のチップ中間体を作製するステップと、コンタクト領域とコンタクトするテスト・ユニットのプローブを用いてチップ・エリアをテストするステップとを含む、チップ・エリアをテストするための方法を提供する。
さらなる態様の観点から、本発明は、テスト・ユニットのプローブを用いて本発明のチップ中間体上に設けられた半導体領域をテストするステップと、半導体チップを切り出すために切断領域を切断するステップとを含む、半導体チップを作製するための方法を提供する。
本発明の実施形態によれば、チップ中間体が提供される。チップ中間体は、半導体領域、切断領域、コンタクト領域、および電気配線を含む。半導体領域は、複数のチップ・エリアを含む。チップ・エリアは、半導体チップとしてそれぞれ切り出される。切断領域は、チップ・エリアのエッジに沿って設けられる。切断領域は、半導体チップを切り出すために切断される。コンタクト領域は、切断領域を挟んでチップ・エリアと向かい合って設けられる。コンタクト領域は、チップ・エリアをテストするためにテスト・ユニットのプローブによってコンタクトされる。電気配線は、チップ・エリアとコンタクト領域とを接続するために切断領域と連続して設けられる。
本発明の別の実施形態によれば、チップ中間体を製造するためのチップ中間体製造システムが提供される。チップ中間体は、半導体領域、切断領域、コンタクト領域、および電気配線を含む。半導体領域は、複数のチップ・エリアを含む。チップ・エリアは、半導体チップとしてそれぞれ切り出される。切断領域は、チップ・エリアのエッジに沿って設けられる。切断領域は、半導体チップを切り出すために切断される。コンタクト領域は、切断領域を挟んでチップ・エリアと向かい合って設けられる。コンタクト領域は、チップ・エリアをテストするためにテスト・ユニットのプローブによってコンタクトされる。電気配線は、チップ・エリアとコンタクト領域とを接続するために切断領域と連続して設けられる。
本発明のさらに別の実施形態によれば、半導体チップ製造システムが提供される。半導体チップ製造システムは、作製ユニット、テスト・ユニット、および分離ユニットを含む。作製ユニットは、半導体領域、切断領域、コンタクト領域、および電気配線を含んだチップ中間体を作製する。半導体領域は、半導体チップとしてそれぞれ切り出される複数のチップ・エリアを含む。切断領域は、チップ・エリアのエッジに沿って設けられる。切断領域は、半導体チップを切り出すために切断される。コンタクト領域は、切断領域を挟んでチップ・エリアと向かい合って設けられる。電気配線は、チップ・エリアとコンタクト領域とを接続するために切断領域と連続して設けられる。テスト・ユニットは、チップ・エリアをテストする。テスト・ユニットは、チップ・エリアをテストするためにコンタクト領域とコンタクトするためのプローブを含む。分離ユニットは、半導体チップを切り出すために切断領域を切断する。
本発明のさらに別の実施形態によれば、チップ・エリアをテストするための方法が提供される。方法は、半導体領域、切断領域、コンタクト領域、および電気配線を含んだチップ中間体を作製するステップを含む。半導体領域は、半導体チップとしてそれぞれ切り出される複数のチップ・エリアを含む。切断領域は、チップ・エリアのエッジに沿って設けられる。切断領域は、半導体チップを切り出すために切断される。コンタクト領域は、切断領域を挟んでチップ・エリアと向かい合って設けられる。電気配線は、チップ・エリアとコンタクト領域とを接続するために切断領域と連続して設けられる。方法は、コンタクト領域とコンタクトするテスト・ユニットのプローブを用いてチップ・エリアをテストするステップをさらに含む。
本発明のさらに別の実施形態によれば、半導体チップを作製するための方法が提供される。方法は、テスト・ユニットのプローブを用いてチップ中間体上に設けられた半導体領域をテストするステップを含み、チップ中間体は、半導体領域、切断領域、コンタクト領域、および電気配線を含む。半導体領域は、半導体チップとしてそれぞれ切り出される複数のチップ・エリアを含む。切断領域は、チップ・エリアのエッジに沿って設けられる。切断領域は、半導体チップを切り出すために切断される。コンタクト領域は、切断領域を挟んでチップ・エリアと向かい合って設けられる。電気配線は、チップ・エリアとコンタクト領域とを接続するために切断領域と連続して設けられる。方法は、半導体チップを切り出すために切断領域を切断するステップをさらに含む。
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態が、例としてのみ、記載される。
以下に、本発明の例示的な実施形態が添付図面を参照して詳細に記載される。
本発明は、以下に示されるこれらの例示的な実施形態には限定されず、本発明の範囲内で様々な修正を伴って実施されてよいことに留意すべきである。加えて、本明細書に用いられる図面は、説明のためであり、実際の寸法を示さないことがある。
図1は、本発明の例示的な実施形態による製造システム1の構成を示すブロック図を描く。
図1に示されるように、製造システム1は、作製ユニット3、テスト・ユニット5、および分離ユニット7を含んでよい。
作製ユニット3は、従来の半導体製造技術を用いて半導体ウェーハを作製する。この技術は、フロント・エンド・オブ・ライン(FEOL:front end of line)、バック・エンド・オブ・ライン(BEOL:back end of line)、および化学機械研磨(CMP:chemical mechanical polishing)を含んでよい。半導体ウェーハから、複数の半導体チップ(例えば、マイクロ・チップ)が切り出される。この例示的な実施形態は、半導体チップのサイズが小さいことを想定する(後述)。以下、半導体チップは、小さいダイ(small−die)と呼ばれる。
テスト・ユニット5は、半導体ウェーハ上の複数の小さいダイのロジック・テストおよび初期化のために提供される。テスト・ユニット5は、従来の(既存の)テスティング装置であってよい。テスト・ユニット5は、テスト・プローブ50(後述)を含んでよいことに留意されたい。テスト・ユニット5は、複数の小さいダイの各々へ初期データを書き込み、テスト・プローブ50を用いてそれらの動作を確認する。
分離ユニット7は、半導体ウェーハを個々の小さいダイへ分離する(切断する)。分離ユニット7は、半導体ウェーハを反応性イオン・エッチング(RIE:reactive ion etching)で切断する。他の従来の切断技術、例えば、ブレードまたはレーザ切断も分離ユニット7に適用可能であることに留意されたい。
図2Aは、例示的な実施形態による小さいダイ9の概略図を描く。図2Bは、例示的な実施形態によるスーパーダイ10の概略図を描く。図2Cは、例示的な実施形態による半導体ウェーハ11の概略図を描く。
図2Aに示されるように、小さいダイ9は、プレート部材であり、平面視において一般に正方形を有する。小さいダイ9は、その表面上に複数のマイクロ・バンプ111を含んでよい。マイクロ・バンプ111は、例えば、蒸着、めっきまたは印刷によって小さいダイ9の表面上に設けられた突出電極である。マイクロ・バンプ111は、小さいダイ9が配線ボード(示されない)上に搭載されるときの接点であることに留意されたい。
上述のように、この例示的な実施形態は、小さいダイ9のサイズが小さいことを想定する。小さいダイ9のサイズ(幅)は、1mm未満、および好ましくは約50μm(マイクロメータ)〜約500μmである。図に示される例では、小さいダイ9のサイズが約100μmである。さらに、例えば20μmピッチで複数のマイクロ・バンプ111が設けられる。
図2Bに示されるように、スーパーダイ10は、プレート部材であり、平面視において一般に正方形を有する。スーパーダイ10は、複数の小さいダイ9を含んでよい。スーパーダイ10の構成は、図3を参照して後に記載される。スーパーダイ10のサイズ(幅)は、例えば、3mm〜50mm、好ましくは5mm〜30mmである。スーパーダイ10は、中間体の一例である。
図2Cに示されるように、半導体ウェーハ11は、プレート部材であり、平面視において一般に円形を有する。半導体ウェーハ11は、複数のスーパーダイ10を含んでよい。半導体ウェーハ11のサイズ(直径)は、例えば、300mmまたは450mmである。
小さいダイ9のサイズが100μm×100μmであり、スーパーダイ10のサイズが6.8mm×6.8mmであり、半導体ウェーハ11の直径が300mmであると仮定すると、単一の半導体ウェーハ11でおよそ7百万片の小さいダイ9を提供できる。同様に、単一の半導体ウェーハ11でおよそ1,500片のスーパーダイ10を提供できる。さらに、単一のスーパーダイ10でおよそ4,000(64×64)片の小さいダイ9を提供できる。
ここで、本例示的な実施形態は、小さいダイ9が既存の製造テスト方法を用いたテストの必要条件を満たさないことを想定する。言い換えれば、テスト・ユニット5によってテスト可能であるためには小さいダイ9のサイズが小さ過ぎる。小さいダイ9が専用テスト装置を必要とすれば、小さいダイ9の生産コスト(特に、ロジック・テスティング・コストおよび初期化コスト)が増加する。
本例示的な実施形態においては、テスト・ユニット5(図1参照)によって、すなわち、既存のテスティング装置によって、複数の小さいダイ9が設けられたスーパーダイ10をテストすることができる。言い換えれば、テスト・ユニット5に対するサイズ制限内にあるようにスーパーダイ10のサイズが定められる。スーパーダイ10は、標準的なダイとして振舞ってよいことに留意されたい。これは、小さいダイ9の生産コスト削減を可能にする。
マイクロ・バンプ111間のピッチは、テスト・ユニット5にとって狭すぎることに留意されたい。言い換えれば、マイクロ・バンプ111の配置は、テスト・ユニット5のプローブ50によってプローブされる(コンタクトされる)のに適しない。
図3Aは、例示的な実施形態によるスーパーダイ10の概略図を描く。図3Bは、図3A中のラインIIIB−IIIBに沿った概略断面図を描く。図3Aおよび3Bを参照しながら、スーパーダイ10の構成について詳細に説明する。
スーパーダイ10に基板(例えば、Siウェーハ)100が提供される。図3Bに示されるように、複数の小さいダイ9を形成するために基板100上にベース回路110(後述)が設けられる。ベース回路110は、回路配線131(図5A参照)および絶縁層132(図5A参照)を含んでよい。回路配線131は、小さいダイ9を動作させるための回路を構成する。回路配線131は、銅(Cu)製であってよい。絶縁層132は、例えば、SiO2であってよい。
図3Aに示されるように、スーパーダイ10にチップ・エリア101、テスト・パッド103、およびテスト回路105が設けられる。これらの要素、例えば、チップ・エリア101、テスト・パッド103、およびテスト回路105は、本例示的な実施形態において、配線用回路115およびスクライブ回路121によって電気的に接続される。
各々のチップ・エリア101は、1つの小さいダイ9に対応するエリアである。言い換えれば、チップ・エリア101を切り出すことによって小さいダイ9を得ることができる。複数のチップ・エリア101の一群が基板100上に集積的に形成されることに留意されたい。言い換えれば、基板100は、小さいダイ9のM×N(例えば、図3Aでは3×4)クラスタのための集積エリア(integral area)102を含む。集積エリア102が半導体領域の一例である。
チップ・エリア101は、マイクロ・バンプ111を含む。マイクロ・バンプ111は、対応するピラー123の上に形成される。ピラー123は、銅(Cu)製であってよい。さらに、チップ・エリア101は、ダイ・エッジ・シール(die edge seal)113を含む。ダイ・エッジ・シール113は、小さいダイ9を、例えば、湿気および静電気から保護するための構造である。図に示される例では、ダイ・エッジ・シール113は、チップ・エリア101のエッジに沿って設けられる。チップ・エリア101は、初期データが書き込まれる不揮発性ランダム・アクセス・メモリ(NVRAM:nonvolatile random access memory、示されない)を含んでよいことに留意されたい。
テスト・パッド103は、ベース回路110の表面上に設けられたパッド(標準的なパッド)である。各々のテスト・パッド103は、ロジック・テストのときに対応する1つのテスト・プローブ50によってコンタクトされるパッドである。本例示的な実施形態では、テスト・パッド103が集積エリア102の周囲に配置される。言い換えれば、テスト・パッド103が集積エリア102(スーパーダイ10)のエッジに沿って設けられる。ここでは、テスト・パッド103を含んだパッド・エリア104がスクライブ回路121を挟んで集積エリア102と向かい合って設けられる。
テスト・パッド103は、予め決められたピッチ、例えば、50μmで設けられてよい。予め決められたピッチは、プローブ50によってプローブされるテスト・パッド103に適したピッチである。図に示される例では、各々のテスト・パッド103が各々のマイクロ・バンプ111より大きい面積を有する。
テスト回路105は、ロジック・テストのための回路である。例えば、テスト回路105は、複数の小さいダイ9へ初期データを書き込むためにチャージ・ポンプの回路を含む。テスト回路105は、小さいダイ9の追加テストおよびプログラミング回路モジュールであってよい。さらに、テスト回路105は、本例示的な実施形態では少なくとも2つの小さいダイ9によって共有される。テスト回路105は、対応する行におけるチップ・エリア101へデータを書き込むためにチップ・エリア101のそれぞれの行に設けられる。ここでは、テスト回路105を含んだテスト・エリア106がスクライブ回路121を挟んで集積エリア102と向かい合って設けられる。
配線用回路115は、ダイ・エッジ・シール113と交差する配線ストラップである。配線用回路115は、ベース回路110上に設けられる。言い換えれば、配線用回路115は、最後の金属層(LB層:last metal layer)であってよい。配線用回路115は、チップ・エリア101、テスト・パッド103、テスト回路105およびスクライブ回路121を電気的に接続する。図に示される例では、配線用回路115がスクライブ回路121と連続して設けられる。配線用回路115が電気配線の一例である。
スクライブ回路121は、チップ・エリア101、テスト・パッド103、およびテスト回路105を接続するために回路配線131を含んだエリアである。言い換えれば、配線密度を増加させるためにスクライブ回路121中の回路配線131を配線用回路115とともに用いることができる。スクライブ回路121は、さらに、小さいダイ9を切り出すためにスクライブされることになる。本例示的な実施形態では、スクライブ回路121が反応性イオン・エッチング(RIE:reactive ion etching、後述)でスクライブされる。スクライブ回路121は、格子形状を有することに留意されたい。言い換えれば、スクライブ回路121は、チップ・エリア101のエッジに沿って設けられる。さらに、スクライブ回路121は、すべての金属層を用いる。
例えば、配線用回路115は、アルミニウム(Al)製である。さらに、上述のように、回路配線131は、銅(Cu)製である。この例示的な実施形態は、配線用回路115をRIEで切断できるが、一方で回路配線131は、RIEでは切断できないことを想定する。
図4A〜4Gは、例示的な実施形態による小さいダイ9の作製プロセスを描く。図5A〜5Cは、例示的な実施形態による小さいダイ9の切断プロセスを描く。図5A〜5Cは、図4E〜4Gに示されるプロセスにそれぞれ対応する。図1、4A〜4G、および図5A〜5Cを参照しながら、例示的な実施形態による小さいダイ9の作製プロセスについて説明する。
小さいダイ9の作製プロセスは、一般に、作製ユニット3によって行われる半導体ウェーハ作製(製造)ステップ、テスト・ユニット5によって行われるテストおよび初期化ステップ、ならびに分離ユニット7によって行われる切断ステップを含む。本例示的な実施形態では、スーパーダイ10上に集積的に形成された小さいダイ9がテスト・ユニット5によって行われるテストおよび初期化ステップ後に切り出される。
以下に、小さいダイ9の作製プロセスが詳細に説明される。図4Aに示されるように、作製ユニット3は、回路配線131および絶縁層132(図5A参照)を含むベース回路110を基板100上に最初に設けて、次に、配線用回路115をベース回路110上に形成する。チップ・エリア101に含まれる回路配線131が回路配線の例であり、スクライブ回路121に含まれる回路配線131が他の電気配線の例であることに留意されたい。チップ・エリア101およびスクライブ回路121における回路配線131は、ベース回路110の同じ層内に設けられる。
図4Bに示されるように、作製ユニット3は、次に、配線用回路115上にピラー123およびテスト・パッド103を設ける。図4Cに示されるように、作製ユニット3は、次に、対応するピラー123の上にマイクロ・バンプ111を設ける。半導体ウェーハ11がこのように形成される。図4A、4B、4Cに示されるプロセスは、上述の半導体ウェーハ作製(製造)ステップに対応することに留意されたい。
図4Dに示されるように、テスト・ユニット5は、次に、チップ・エリア101(小さいダイ9)へ初期データを書き込み、テスト・パッド103に接触するテスト・プローブ50を用いてそれらの動作を確認する。図4Dに示されるプロセスは、上述のテストおよび初期化ステップに対応することに留意されたい。
図4Eおよび5Aに示されるように、分離ユニット7は、次に、マイクロ・バンプ111、ピラー123、およびテスト・パッド103を接着剤層126中に埋めるために半導体ウェーハ11を反転させる。接着剤層126は、ダイシング・テープ(示されない)の一部であってよい。接着剤層126は、例えば、UV硬化性接着剤でできている。さらに、分離ユニット7は、基板100上にレジスト・パターン(マスク)125を設ける。レジスト・マスク125は、接着剤層126に対して基板100の反対側にある。さらに、その位置がスクライブ回路121に対応する、マスク開口部(スリット)127がレジスト・マスク125に設けられる。
図4Fおよび4Gに示されるように、分離ユニット7は、次に、個々の小さいダイ9を分離するために半導体ウェーハ11をRIEで切断する。より具体的には、分離ユニット7は、基板100をSi RIEによりスクライブ回路121で切断して(図4Fおよび5B参照)、開口部127を通る溝129を作る。分離ユニット7は、次に、ベース回路110および配線用回路115を金属RIEで切断して(図4Gおよび5C参照)、溝129を深くする。図4E、4F、4Gに示されるプロセスは、上述の切断ステップに対応することに留意されたい。
その後、分離ユニット7は、例えば、小さいダイ9を搭載基板(示されない)上に搭載するためにそれらを反転させる。次に、UV光で照射することにより接着剤層126が剥がされる。半導体ウェーハ11は、3Dまたは2.5Dパッケージング・プロセスによって引き継がれることに留意されたい。
以下に、スクライブ回路121の周囲の構成が説明される。スクライブ回路121の幅Lx(図5A参照)は、好ましくは約5μm〜20μmの間にある。任意の寸法を採用できるが、5μmより小さい幅Lxは、RIEにおける切断不良につながることがあり、20μmより大きい幅Lxは、単一の半導体ウェーハ11から得られる有効な小さいダイ9の数を減少させかねない。図に示される例では、スクライブ回路121の幅Lxは、例えば、15μmである。幅Lxは、マイクロ・バンプ111のピッチより狭くてよいことに留意されたい。幅Lxは、テスト・パッド103のピッチより狭くてもよい。
本例示的な実施形態において、回路配線131は、RIEでエッチングされることになるエリアで不連続である。言い換えれば、チップ・エリア101に含まれる回路配線131の端部は、溝129から離れて置かれる(図5B中の距離Ly参照)。同様に、スクライブ回路121に含まれる回路配線131の端部は、チップ・エリア101から離れて置かれる(図5B中の距離Lz参照)。すなわち、回路配線131は、チップ・エリア101とスクライブ回路121との間の境界から離して置かれる。ここで、スクライブ回路121を通してRIE/ダイシングを行い、ダイ・エッジ・シール113はもとのまま残すことができる。
スクライブ回路121に含まれる回路配線131の幅Lw(図5C参照)は、例えば、5μmであることに留意されたい。幅Lwは、スクライブ回路121の幅Lxより狭い。これは、スクライブ回路121に含まれる回路配線131の両端がRIE/ダイシング後に露出されないまま残ることを可能にする。
未加工銅の金属エッジをダイシング・カット後に露出させることができないので、配線用回路115は、アルミニウム層でできていることに留意されたい。さらに、コードを個別化するためにスクライブ回路(scribe circuit)121中の回路配線131が順次にロードされて、最後にデータを各小さいダイ9中へ並行してロードするために共有タイミング信号を用いることができる。
本例示的な実施形態は、小さいダイ9の製造コストを削減する。本例示的な実施形態は、ロジック・テストおよびチップ初期化をウェーハレベルで並行して行う。本例示的な実施形態は、小さいダイ9のサイズを削減する。
本例示的な実施形態では、小さいダイ9に提供されるチップ・エリア101への書き込みプロセスがウェーハレベルの初期化時間においてのみ実行される。それゆえに、動作時間中に不揮発性メモリ・データを損なうことがない。データは、キーおよび初期ブートローダ(initial-bootloader)・コードであってよい。本例示的な実施形態は、結果として、小さいダイ9の初期化プロセスを安全に実行する。
図6は、本発明の別の例示的な実施形態によるスーパーダイ1001の概略図を描く。
スーパーダイ10の構成は、上述の例示的な実施形態には限定されない。例えば、スーパーダイ1001が図6に示されるように構成されてよい。スーパーダイ1001は、チップ・エリア101を囲むテスト・パッド103を含んでよい。
ここで、上述の例示的な実施形態では、テストおよび初期化ステップが半導体ウェーハ11上で行われる。テストおよび初期化ステップは、半導体ウェーハ11から切り出されたスーパーダイ10上で行われてもよい。言い換えれば、テストおよび初期化ステップは、切断ステップ後に行われてよい。
小さいダイ9は、任意の半導体チップであってよいことに留意されたい。例えば、小さいダイ9は、コンピュータ、メモリ、またはセンサであってよい。
説明のために本発明の様々な実施形態の記載が提示されたが、これらの記載が網羅的であり、または開示される実施形態に限定されることは意図されない。記載された実施形態の範囲から逸脱することなく、多くの修正および変更が当業者には明らかであろう。本明細書に用いられた用語法は、実施形態の原理、実用用途または市場に見られる技術を越える技術的改良を最もよく説明するために、あるいは本明細書に開示される実施形態を当業者が理解できるようにするために選ばれた。
Claims (13)
- 複数のチップ・エリアを含んだ半導体領域であって、前記チップ・エリアが半導体チップとしてそれぞれ切り出される、前記半導体領域、
前記チップ・エリアのエッジに沿って設けられた切断領域であって、前記半導体チップを切り出すために切断される、前記切断領域、
前記切断領域を挟んで前記チップ・エリアと向かい合って設けられたコンタクト領域であって、前記チップ・エリアをテストするためにテスト・ユニットのプローブによってコンタクトされるように構成された、前記コンタクト領域、および
前記チップ・エリアと前記コンタクト領域とを接続するために前記切断領域と連続して設けられた、電気配線
を備える、チップ中間体。 - 各々の前記チップ・エリアは、前記チップ・エリアの表面上にバンプを含む、請求項1に記載のチップ中間体。
- 前記コンタクト領域は、複数のテスト・パッドを含み、前記テスト・パッドは、前記テスト・ユニットの前記プローブのそれぞれのコンタクト・ポイントによってコンタクトされるように構成されて、各々の前記テスト・パッドは、各々の前記バンプより大きい面積を有する、請求項2に記載のチップ中間体。
- 前記切断領域は、前記チップ・エリアを少なくとも相互接続して、前記チップ・エリアと前記コンタクト領域とを接続する他の電気配線を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載のチップ中間体。
- 前記他の電気配線は、前記電気配線と電気的に接続される、請求項4に記載のチップ中間体。
- 各々の前記チップ・エリアは、回路配線を含み、前記他の電気配線および前記回路配線は、前記チップ中間体の同じ層内に存在する、請求項4または5に記載のチップ中間体。
- 前記回路配線は、前記チップ・エリアと前記切断領域との間の境界から離して置かれる、請求項6に記載のチップ中間体。
- 前記チップ中間体は、プレート部材であり、平面視において一般に正方形を有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のチップ中間体。
- 前記コンタクト領域は、前記チップ中間体のエッジに沿って設けられる、請求項8に記載のチップ中間体。
- チップ中間体を製造するための半導体チップ製造システムであって、前記チップ中間体は請求項1〜9のいずれか一項に記載のチップ中間体である、システム。
- 前記チップ・エリアをテストするためのテスト・ユニットであって、前記チップ・エリアをテストするために前記コンタクト領域とコンタクトするためのプローブを含んだ、前記テスト・ユニット、および
前記半導体チップを切り出すために前記切断領域を切断するための分離ユニット
をさらに備える、請求項10に記載の半導体チップ製造システム。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載のチップ中間体を作製するステップと、
前記コンタクト領域とコンタクトするテスト・ユニットのプローブを用いて前記チップ・エリアをテストするステップと
を含む、チップ・エリアをテストするための方法。 - テスト・ユニットのプローブを用いて請求項1〜9のいずれか一項に記載のチップ中間体上に設けられた半導体領域をテストするステップと、
前記半導体チップを切り出すために前記切断領域を切断するステップと
を含む、半導体チップを作製するための方法。
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