JP2021504734A - 半導体デザインの完全性を確実にするための方法および半導体構造体 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 半導体デザインの完全性を確実にするための方法であって、
半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインを分析することであって、前記フォトマスク・デザインが、前記半導体回路の動作に必要な電気デザインと、ホワイト・スペースとを有し、前記ホワイト・スペースが、電気デザインを何も有さない、前記分析することと、
前記半導体回路の前記1つまたは複数のフォトマスク・デザインの前記ホワイト・スペースに光学デザインを挿入することであって、前記光学デザインが、半導体回路デザインの妥当性を確認するための1つまたは複数の既知の光学パターンを有し、前記光学デザインが、前記電気デザインから物理的に隔離される、前記挿入することと
を含む、方法。 - 前記フォトマスク・デザインに従って前記半導体回路を組み立てることと、
前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンについて前記半導体回路を分析することと、
前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致したとき前記半導体回路の妥当性を確認することと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致しなかったとき前記半導体回路を廃棄することをさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の既知の光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項1に記載の方法。
- 前記光学デザインが、1つまたは複数のフォトマスク層を含む、請求項1に記載の方法。
- 半導体デザインの完全性を確実にするための方法であって、
半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインを分析することであって、前記フォトマスク・デザインが、前記半導体回路の動作に必要な電気デザインと、ホワイト・スペースとを有し、前記ホワイト・スペースが、電気デザインを何も有さない、前記分析することと、
前記半導体回路の前記1つまたは複数のフォトマスク・デザインの前記ホワイト・スペースに光学デザインを挿入することであって、前記光学デザインが、半導体回路デザインの妥当性を確認するための1つまたは複数の既知の光学パターンを有し、前記光学デザインが、1つまたは複数のフォトマスク層を含み、前記電気デザインを覆うことができる、前記挿入することと
を含む、方法。 - 前記フォトマスク・デザインに従って前記半導体回路を組み立てることと、
前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンについて前記半導体回路を分析することと、
前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致したとき前記半導体回路の妥当性を確認することと
をさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致しなかったとき前記半導体回路を廃棄することをさらに含む、請求項7に記載の方法。
- 前記光学デザインが、前記電気デザインから物理的に隔離される、請求項6に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の既知の光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項6に記載の方法。
- 半導体デザインの完全性を確実にするための方法であって、
半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインを分析することであって、前記フォトマスク・デザインが、前記半導体回路の動作に必要な電気デザインと、ホワイト・スペースとを有し、前記ホワイト・スペースが、電気デザインを何も有さない、前記分析することと、
前記半導体回路の前記1つまたは複数のフォトマスク・デザインの前記ホワイト・スペースに光学デザインを挿入することであって、前記光学デザインが、半導体回路デザインの妥当性を確認するための1つまたは複数の既知の光学パターンを有し、前記光学デザインが、カバー形状を含む、前記挿入することと
を含む、方法。 - 前記フォトマスク・デザインに従って前記半導体回路を組み立てることと、
前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンについて前記半導体回路を分析することと、
前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致したとき前記半導体回路の妥当性を確認することと
をさらに含む、請求項11に記載の方法。 - 前記光学デザインが、前記電気デザインから物理的に隔離される、請求項11に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の既知の光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項11に記載の方法。
- 前記カバー形状が、回路デザインなしかつ光学デザインなしの領域を含む、請求項11に記載の方法。
- 半導体デザインの完全性を確実にするための方法であって、
複数の半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインを分析することであって、前記フォトマスク・デザインが、前記複数の半導体回路の各々の動作に必要な電気デザインと、前記複数の半導体回路のデザインの間のホワイト・スペースとを有し、前記ホワイト・スペースが、電気デザインを何も有さない、前記分析することと、
前記半導体回路の前記1つまたは複数のフォトマスク・デザインの前記ホワイト・スペースに光学デザインを挿入することであって、前記光学デザインが、半導体回路デザインの妥当性を確認するための1つまたは複数の既知の光学パターンを有し、前記光学デザインが、前記電気デザインから物理的に隔離される、前記挿入することと
を含む、方法。 - 前記フォトマスク・デザインに従って前記半導体回路を組み立てることと、
前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンについて前記半導体回路を分析することと、
前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致したとき前記半導体回路の妥当性を確認することと
をさらに含む、請求項16に記載の方法。 - 前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致しなかったとき前記半導体回路を廃棄することをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の既知の光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項16に記載の方法。
- 前記光学デザインが、1つまたは複数のフォトマスク層を含む、請求項16に記載の方法。
- 半導体構造体であって、
半導体回路の動作に必要な電気回路、および電気回路を何も有さないホワイト・スペースと、
前記電気回路の前記ホワイト・スペース内に形成された光学パターンであって、半導体回路デザインの妥当性を確認することに使用される、前記光学パターンと
を備える、半導体構造体。 - 前記光学パターンが、1つまたは複数の堆積層を含む、請求項21に記載の構造体。
- 前記光学パターンが、カバー形状を含む、請求項21に記載の構造体。
- 前記光学パターンが、前記電気回路から物理的に隔離される、請求項21に記載の構造体。
- 1つまたは複数の既知の前記光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項21に記載の構造体。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5735315A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Fujitsu Ltd | Manufacturing of integrated circuit device |
JP2000012459A (ja) * | 1998-06-15 | 2000-01-14 | Siemens Ag | 半導体デバイスの製造における2つのマスキングステップのミスアライメントを検出するための方法 |
JP2001133958A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Fujitsu Ltd | 描画パターン検査方法 |
JP2003066588A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Nec Microsystems Ltd | 半導体装置およびその製造方法ならびにレチクル |
JP2006010751A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | マスクデータ作成方法、マスク設計装置、マスク、プログラム及び半導体装置の製造方法 |
JP2007271591A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hoya Corp | パターン欠陥検査方法、フォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5663893A (en) * | 1995-05-03 | 1997-09-02 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Method for generating proximity correction features for a lithographic mask pattern |
FR2738971B1 (fr) | 1995-09-19 | 1997-10-10 | Schlumberger Ind Sa | Procede de determination d'une cle de cryptage associee a un circuit integre |
US6120953A (en) * | 1999-04-23 | 2000-09-19 | United Microelectronics Corp. | Method of optical proximity correction |
US6194104B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Optical proximity correction (OPC) method for improving lithography process window |
US6824931B2 (en) * | 2001-08-29 | 2004-11-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Verification photomask |
US6602642B2 (en) * | 2001-08-29 | 2003-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Optical proximity correction verification mask |
US7840803B2 (en) | 2002-04-16 | 2010-11-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Authentication of integrated circuits |
CN100337089C (zh) * | 2002-09-20 | 2007-09-12 | Asml荷兰有限公司 | 器件检验 |
WO2004105125A2 (en) | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device, method of authentifying and system |
DE10328760B4 (de) | 2003-06-25 | 2007-05-24 | Ovd Kinegram Ag | Optisches Sicherheitselement |
US7241538B2 (en) * | 2003-11-05 | 2007-07-10 | Promos Technologies | Method for providing representative features for use in inspection of photolithography mask and for use in inspection photo-lithographically developed and/or patterned wafer layers, and products of same |
US7654816B2 (en) * | 2004-10-07 | 2010-02-02 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Lithographic mask alignment |
US7304550B2 (en) | 2005-04-22 | 2007-12-04 | Wilinx, Corp. | Wideband attenuator circuits and methods |
DE102005024379A1 (de) | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Universität Mannheim | Verfahren zur Erzeugung und/oder Einprägung eines wiedergewinnbaren kryptographischen Schlüssels bei der Herstellung einer topographischen Struktur |
US20070016321A1 (en) | 2005-07-18 | 2007-01-18 | Dieter Rathei | Method for screening risk quality semiconductor products |
US7381646B2 (en) | 2005-08-15 | 2008-06-03 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Method for using a Cu BEOL process to fabricate an integrated circuit (IC) originally having an al design |
JP2007080965A (ja) | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法、これに用いられるライブラリ、記録媒体および半導体製造装置 |
JP2007093861A (ja) | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Renesas Technology Corp | マスクパターン設計方法および半導体装置の製造方法 |
KR100741915B1 (ko) | 2005-12-28 | 2007-07-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 더미 금속 채움에 대한 시간 지연 효과를 효율적으로반영할 수 있는 반도체 소자의 설계 방법 |
US7475368B2 (en) | 2006-01-20 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Deflection analysis system and method for circuit design |
WO2007117524A2 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method of concurrently patterning a substrate having a plurality of fields and alignment marks |
US7519941B2 (en) | 2006-04-13 | 2009-04-14 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing integrated circuits using pre-made and pre-qualified exposure masks for selected blocks of circuitry |
JP4988274B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターンのずれ測定方法、及びパターン測定装置 |
KR20080025984A (ko) * | 2006-09-19 | 2008-03-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광근접효과 보정방법 |
US7565638B2 (en) | 2006-11-21 | 2009-07-21 | Sun Microsystems, Inc. | Density-based layer filler for integrated circuit design |
CN101231459A (zh) * | 2007-01-24 | 2008-07-30 | 力晶半导体股份有限公司 | 光刻工艺监测标记用光掩模图案及其应用 |
US20080201677A1 (en) | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Faye Baker | Integrated Circuit (IC) Chip Input/Output (I/O) Cell Design Optimization Method And IC chip With Optimized I/O Cells |
US7851110B2 (en) | 2007-04-20 | 2010-12-14 | Photronics, Inc. | Secure photomask with blocking aperture |
JP2009014790A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Sharp Corp | フォトマスクパターン検証方法、フォトマスクパターン検証装置、半導体集積回路の製造方法、フォトマスクパターン検証制御プログラムおよび可読記憶媒体 |
JP5058003B2 (ja) * | 2008-01-25 | 2012-10-24 | 株式会社リコー | フォトマスクデータ検証用半導体セル、半導体チップ、及びフォトマスクデータ検証方法 |
US7901845B2 (en) * | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method for optical proximity correction of a reticle to be manufactured using character projection lithography |
US8351087B2 (en) | 2009-06-15 | 2013-01-08 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Authentication with built-in encryption by using moire parallax effects between fixed correlated s-random layers |
US8610454B2 (en) | 2010-01-12 | 2013-12-17 | Stc.Unm | System and methods for generating unclonable security keys in integrated circuits |
CN104317159A (zh) | 2010-03-03 | 2015-01-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜图形缺陷的检测方法及系统 |
CN103091971B (zh) * | 2011-10-27 | 2014-07-23 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 掩模板及其制造方法、以及监测掩模板雾状污染的方法 |
JP6055598B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2016-12-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101504025B1 (ko) | 2013-09-06 | 2015-03-18 | (주) 아이씨티케이 | 식별 키 생성 장치 및 방법 |
CN106460167B (zh) | 2014-03-18 | 2019-06-14 | 3D-奥克赛茨公司 | 化学气相沉积方法 |
KR102294323B1 (ko) | 2014-07-09 | 2021-08-26 | 삼성전자주식회사 | 스트레스 검출 방법, 컴팩트 모델 트레이닝 방법, 스트레스 완화 방법 및 컴퓨팅 시스템 |
JP6362478B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2018-07-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US9612526B2 (en) * | 2014-08-28 | 2017-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photomask and method for fabricating integrated circuit |
US20170212165A1 (en) | 2016-01-25 | 2017-07-27 | Globalfoundries Inc. | Resistance measurement-dependent integrated circuit chip reliability estimation |
US9939841B1 (en) | 2017-01-10 | 2018-04-10 | Inphi Corporation | Clock distribution network for integrated circuit |
US10429743B2 (en) | 2017-11-30 | 2019-10-01 | International Business Machines Corporation | Optical mask validation |
US10650111B2 (en) | 2017-11-30 | 2020-05-12 | International Business Machines Corporation | Electrical mask validation |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5735315A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-25 | Fujitsu Ltd | Manufacturing of integrated circuit device |
JP2000012459A (ja) * | 1998-06-15 | 2000-01-14 | Siemens Ag | 半導体デバイスの製造における2つのマスキングステップのミスアライメントを検出するための方法 |
JP2001133958A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Fujitsu Ltd | 描画パターン検査方法 |
JP2003066588A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Nec Microsystems Ltd | 半導体装置およびその製造方法ならびにレチクル |
JP2006010751A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | マスクデータ作成方法、マスク設計装置、マスク、プログラム及び半導体装置の製造方法 |
JP2007271591A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hoya Corp | パターン欠陥検査方法、フォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 |
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