JP2021504734A - 半導体デザインの完全性を確実にするための方法および半導体構造体 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体デザインの完全性を確実にするための方法を提供する。【解決手段】本方法は、半導体回路のフォトマスク・デザインを分析することを含むことができる。フォトマスクは、半導体回路の動作に必要な電気デザインと、電気デザインを何も有さないホワイト・スペースとを含むことができる。本方法は、半導体回路のフォトマスク・デザインのホワイト・スペースに光学デザインを挿入することを含むことができる。光学デザインは、半導体回路デザインの妥当性を確認するための既知の光学パターンを有することができる。本発明の一実施形態において、光学デザインは、電気デザインから物理的に隔離することができる。本発明の別の実施形態において、光学デザインは、1つまたは複数のフォトマスク層を含むことができ、電気デザインを覆う。本発明の別の実施形態において、光学デザインは、カバー形状を含むことができる。【選択図】図1

Description

本発明は、一般に半導体マスク製造に関し、詳しくは半導体マスクの光学的妥当性確認(opticalvalidation)に関する。
半導体フォトマスクは、転移および相互接続層の回路パターンを画定するようにデザインされる。フォトマスク・デザインは、転移および相互接続層の回路パターンの間に、およびその周りにホワイト・スペースも含む。フォトマスク上の利用可能なホワイト・スペースが大きければ大きいほど、追加の回路素子が第三者によってデザインに加えられる可能性も大きくなる。
半導体デザインの完全性を確実にするための方法および半導体構造体を提供する。
本発明の一実施形態は、半導体デザインの完全性を確実にするための方法を含むことができる。本方法は、半導体回路のフォトマスク・デザインを分析することを含むことができる。フォトマスクは、半導体回路の動作に必要な電気デザインと、電気デザインを何も有さないホワイト・スペースとを含むことができる。本方法は、半導体回路のフォトマスク・デザインのホワイト・スペースに光学デザインを挿入することを含むことができる。光学デザインは、半導体回路デザインの妥当性を確認するための既知の光学パターンを有することができる。本発明の一実施形態において、光学デザインは、電気デザインから物理的に隔離することができる。本発明の別の実施形態において、光学デザインは、1つまたは複数のフォトマスク層を含み、電気デザインを覆うことができる。本発明の別の実施形態において、光学デザインはカバー形状(covershape)を含むことができる。
本発明の別の実施形態は、複数の半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインを分析することを含むことができる。フォトマスク・デザインは、複数の半導体回路の各々の動作に必要な電気デザインと、複数の半導体回路のデザインの間のホワイト・スペースとを有することができる。ホワイト・スペースは、電気デザインを何も有さなくてもよい。本方法は、半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインのホワイト・スペースに光学デザインを挿入することを含むことができる。光学デザインは、半導体回路デザインの妥当性を確認するための既知の光学パターンを有することができる。
本発明の別の実施形態は、半導体構造体を含むことができる。半導体構造体は、半導体回路の動作に必要な電気回路を含むことができる。半導体構造体は、ホワイト・スペースを含むことができ、ホワイト・スペースは、電気回路を何も有さなくてもよい。半導体構造体は、半導体回路デザインの妥当性を確認するための、電気回路のホワイト・スペース内に形成された光学パターンを含むことができる。
以下の詳細な説明は、例示されるものであり、それのみに本発明を限定することを意図したものではなく、添付の図面と併せることで最もよく理解される。
本発明の一実施形態による、半導体製造中に正しいマスクが使用されたことの妥当性を光学的に確認するための方法の流れ図である。 本発明の一実施形態による、半導体のフォトマスクの平面図である。 本発明の一実施形態による、光学式フィンガープリント・デザインの例を示す図である。 本発明の一実施形態による、光学式フィンガープリント・デザインの例を示す図である。 本発明の一実施形態による、光学式フィンガープリントを有する第1の堆積層の半導体デザインの平面図である。 本発明の一実施形態による、光学式フィンガープリントを有する第2の堆積層の半導体デザインの平面図である。 本発明の一実施形態による、光学式フィンガープリントを有する第1および第2の堆積層の半導体デザインの平面図である。
図の要素は、必ずしも縮尺どおりではなく、本発明の具体的なパラメータを示すように意図されない。例示を明確にし、容易にするために、要素の縮尺は誇張されている可能性がある。正確な寸法については詳細な説明を参照されたい。図面は本発明の典型的な実施形態のみを示すように意図され、したがって、本発明の範囲を限定するものとみなしてはならない。図面において、同じ番号は同じ要素を表す。
添付の図面を参照する以下の説明は、特許請求の範囲およびそれらの同等物によって定義される本発明の例示的な実施形態の包括的な理解を助けるために提供される。以下の説明は、その理解を助けるために様々な具体的な詳細を含むが、これらは単に例示的であるとみなされるものとする。したがって、本発明の範囲および思想から逸脱することなく、本明細書に説明する実施形態の様々な変更形態および修正形態を加えることができることが当業者には理解されよう。さらに、周知の機能および構造の説明は、明確におよび簡潔にするために省略する場合がある。
以下の説明および特許請求の範囲に使用される用語および単語は、文献学的意味に限定されず、単に本発明の明快で一貫した理解を可能にするために使用される。したがって、本発明の例示的な実施形態の以下の説明が例示目的のためのみに提供され、添付の特許請求の範囲およびそれらの同等物によって定義される本発明を限定する目的のためではないことが当業者には明らかであるはずである。
単数形「1つの(a)」、「1つの(an)」、および「その(the)」は、文脈上そうでないとする明確な指示がない限り、複数の指示対象を含むことを理解されたい。したがって、例えば、「構成部品表面(a component surface)」への参照は、文脈上そうでないとする明確な指示がない限り、そのような表面のうちの1つまたは複数への参照を含む。
以下の詳細な説明において、本発明の実施形態の提示を曖昧にしないために、当技術分野で周知であるいくつかの処理ステップまたは動作は、提示および例示目的のために一緒に組み合わされている可能性があり、場合によっては、詳細に説明されていない可能性がある。他の場合には、当技術分野で周知であるいくつかの処理ステップまたは動作は、まったく説明されていない可能性がある。以下の説明は、むしろ、本発明の様々な実施形態の際立った特徴または要素に焦点を合わせていることを理解されたい。
本発明の実施形態は、一般に半導体製造におけるフォトマスクの使用の妥当性を光学的に確認する方法に関する。半導体フォトマスクは、転移および相互接続層の回路パターンを画定する。フォトマスクは、不必要な追加の回路素子が第三者によって加えられる可能性を考慮して、転移および相互接続層の回路パターンの間に、およびその周りにホワイト・スペースも含む。本発明は、フォトマスク上の利用可能なホワイト・スペースを分析するアルゴリズムを使用し、ホワイト・スペースを消費する、フォトマスク上に挿入される光学パターンをデザインする。光学パターンは、顕微鏡下でまたは光源を使用してあるいはその両方で観察することができる。したがって、本発明は、フォトマスク・デザインにおけるホワイト・スペースを占有する、光学的に観察可能なパターンを提供することによって半導体のデザインへの不必要な回路素子の追加を防止する。
次に、本発明の実施形態を添付の図を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態による、半導体製造中に正しいマスクが使用されたことの妥当性を光学的に確認するための方法の流れ図である。図1を参照すると、方法100が、フォトマスクをデザイン、すなわち、設計するステップ110と、フィンガープリント・アルゴリズムを実行するステップ112と、フォトマスクのホワイト・スペースに光学式フィンガープリントを挿入するステップ114と、光近接効果補正を使用してフォトマスクを強化するステップ116と、マスクを組み立てるステップ118と、ウェーハを組み立てるステップ120と、ウェーハの光学パターンを試験するステップ122と、ウェーハの光学パターンを光学式フィンガープリント・デザインの既知の光学パターンと比較するステップ124と、光学パターンが一致したときウェーハの妥当性を確認するステップ126と、光学パターンが一致しなかったときウェーハを廃棄するステップ128とを含む。図1に具現化された方法100のステップを図2〜7に示す。
図2と併せて説明するステップS110を参照すると、フォトマスク210がデザインされ、フォトマスク210は、半導体チップ214内の相互接続層の堆積層212のデザインを画定する。フォトマスク210のデザインは、半導体の各チップ214の転移および相互接続層の回路デザインの間におよびその周りにホワイト・スペース216、すなわち、デザインなしの領域を含むことができる。フォトマスク210は、カーフ(kerf)218、すなわち、単一ウェーハの半導体チップ214が切り離される、1つまたは複数の半導体チップ214のデザインの間にホワイト・スペースも含むことができる。各半導体チップ214は、複数の異なるフォトマスク210を使用してデザインされ、各フォトマスク210は、堆積層212における回路構造を画定し、回路構造は重なり合って積層されることを理解することができる。
図3〜4と併せて説明するステップS112を参照すると、フィンガープリント・アルゴリズムが、フォトマスク210上の半導体チップ214のデザインの利用可能なホワイト・スペース216内に収まる光学式フィンガープリント220をデザインするために実行される。例えば、フィンガープリント・アルゴリズムは、印刷される対象物のデザインのホワイト・スペース216、デザインされた印刷される対象物のサイズおよびフォトマスク210上の半導体チップ214のデザインされた印刷される対象物の重大な側面を分析し、ホワイト・スペース216内に収まるように光学デザインを計算することができる。フィンガープリント・アルゴリズムは、光学式フィンガープリント220を作製するために半導体チップ214を製造するのに使用されるすべてのフォトマスク210を分析することができる。フィンガープリント・アルゴリズムは、光学式フィンガープリント220の層間の光学式フィンガープリント220のデザインの生成された充填構造のオーバーレイおよび配置を考慮に入れて、それらが、挿入された充填に対する妥当性に関して、製造中および製造後に試験しまたは視覚的に評価しあるいはその両方を行うことができることを確実にすることができる。例えば、図3〜4に示すように光学式フィンガープリント220は、重なり合って積層された複数のフォトマスク210の光学式フィンガープリント・デザイン、すなわち、後続の堆積層212のデザインを示す。本発明の一実施形態において、フィンガープリント・アルゴリズムは、光学式フィンガープリント220内の層間のあるオーバーレイ/接点を意図的に省略することができる。例えば、フィンガープリント・アルゴリズムは、光学式フィンガープリント220の回路デザイン内の意図的に省略された形状の規則性および配置を決定するためにカバー形状方式を使用することができるが、それに限定されない。カバー形状解像度(definition)は、充填解像度およびフィンガープリント・アルゴリズムに制限することができ、後続の製造ステップと共有しない可能性があり、したがって、保護されたままであり、それにより、独自のカバー形状デザインが光学的に認識されることを可能にすることができる。
光学式フィンガープリント220は、半導体チップ214の堆積層212にエッチングされるトレンチのデザインであってもよい。本発明の別の実施形態において、光学式フィンガープリント220は、半導体チップ214のデザイン間の、フォトマスク210上のカーフ218内に収まるようにデザインすることもできる。
図5〜7と併せて説明するステップS114を参照すると、光学式フィンガープリント220が、フォトマスク210のデザインのホワイト・スペース216に挿入される。図5は、第1の光学式フィンガープリント220aを有する半導体チップ214の第1の堆積層に対応する第1のフォトマスク210aを示す。図6は、第2の光学式フィンガープリント220bを有する半導体チップ214の第2の堆積層に対応する第2のフォトマスク210bを示す。図7は、重なり領域222を有する、光学式フィンガープリント220aを有する第1の堆積層と光学式フィンガープリント220bを有する第2の堆積層とのデザインを有する半導体チップ214を示す。半導体チップ214は、各堆積層212が、独自のデザインおよび光学式フィンガープリント220を有する、多くの堆積層212からなることができることを理解することができる。さらに、光学式フィンガープリント220を有する堆積層212を有する半導体チップ214は、複数の重なり領域222を有することができることを理解することができる。重なり領域222は、モワレ・パターンなど、ただし、それに限定されない、光源または顕微鏡を使用して観察することができる独自のパターンを有することができる。
ステップS116を参照すると、半導体回路デザインおよび光学式フィンガープリント220のデザインを含むフォトマスク・デザインを、任意で、光近接効果補正を使用して強化することができる。光近接効果補正は、回折または処理効果による画像誤差を補償するのに使用されるフォトリソグラフィ強化技法である。
ステップS118を参照すると、フォトマスクが、光学式フィンガープリント220を含むようにフォトマスク・デザインに従って組み立てられ、ステップS120において、ウェーハが、フォトマスクを使用して製作される。半導体チップ214の堆積層212にエッチングされるトレンチは、堆積層212に応じて金属またはシリコンあるいはその両方を含むことができる。例えば、半導体製作は、基板工程(Front-End-Of-The-Line:FEOL)、中間工程(Middle-Of-The-Line:MOL)、および配線工程(Back-End-Of-The-Line:BEOL)を含む、いくつかの段階からなる。FEOL工程において作製される堆積層212では、トレンチは、ポリ・シリコンなどの、ただし、それに限定されないシリコン、またはアモルファス・シリコン、あるいは銅、アルミニウム、またはタングステンなどの、ただし、それに限定されない金属のいずれかで充填することができる。MOLまたはBEOL工程において作製される堆積層212では、トレンチは、銅、アルミニウム、またはタングステンなどの、ただし、それに限定されない金属で充填することができる。本発明の一実施形態において、ステップS110〜S120は、半導体チップ214のすべての堆積層212が完了するまで繰り返すことができる。
ステップS122を参照すると、正しいフォトマスク・デザインが使用されたことを確認するためにウェーハが光学的に分析される。例えば、光学式フィンガープリント220のデザインの異なる堆積層212のトレンチは、独自の重なりパターンを有することができる。例えば、重なり領域222は、モワレ・パターンを形成することができる。ウェーハは、半導体チップ214を照射する紫外線(UV)光源などの、ただし、それに限定されない光源を使用して分析することができる。本発明の一実施形態において、ウェーハは、顕微鏡を使用して分析することができる。ウェーハは、各堆積層212を堆積させた後、光学的に分析することができる。本発明の一実施形態において、ウェーハは、半導体チップ214の2つ以上の堆積層212を堆積させた後、分析することができる。
ステップS124を参照すると、ウェーハの光学パターンが、光学式フィンガープリント220の既知の光学パターンと比較される。ウェーハの光学パターンが光学式フィンガープリント220の既知の光学パターンと一致したとき、ウェーハは、ステップS126において妥当性が確認される。ウェーハの光学パターンが光学式フィンガープリント220の既知の光学パターンに一致しなかったとき、ウェーハは、ステップS128において廃棄される。本発明の一実施形態において、ウェーハは、既知のカバー形状デザインと比較することができる。
本発明の様々な実施形態の説明を例示の目的で提示してきたが、網羅的であるように、または開示した実施形態に限定されるように意図されない。説明した実施形態の範囲および思想から逸脱することなく、多くの変更形態および変形形態が当業者には明らかであろう。本明細書に使用された用語は、実施形態の原理、実際の適用または市場で見いだされる技術を上回る技術的改善を最もよく説明するように、または当業者が本明細書に開示した実施形態を理解することが可能になるように選択された。したがって、本発明が、説明し、例示した正確な形態および詳細に限定されないが、添付の特許請求の範囲内に含まれることが意図される。

Claims (25)

  1. 半導体デザインの完全性を確実にするための方法であって、
    半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインを分析することであって、前記フォトマスク・デザインが、前記半導体回路の動作に必要な電気デザインと、ホワイト・スペースとを有し、前記ホワイト・スペースが、電気デザインを何も有さない、前記分析することと、
    前記半導体回路の前記1つまたは複数のフォトマスク・デザインの前記ホワイト・スペースに光学デザインを挿入することであって、前記光学デザインが、半導体回路デザインの妥当性を確認するための1つまたは複数の既知の光学パターンを有し、前記光学デザインが、前記電気デザインから物理的に隔離される、前記挿入することと
    を含む、方法。
  2. 前記フォトマスク・デザインに従って前記半導体回路を組み立てることと、
    前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンについて前記半導体回路を分析することと、
    前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致したとき前記半導体回路の妥当性を確認することと
    をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致しなかったとき前記半導体回路を廃棄することをさらに含む、請求項2に記載の方法。
  4. 前記1つまたは複数の既知の光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項1に記載の方法。
  5. 前記光学デザインが、1つまたは複数のフォトマスク層を含む、請求項1に記載の方法。
  6. 半導体デザインの完全性を確実にするための方法であって、
    半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインを分析することであって、前記フォトマスク・デザインが、前記半導体回路の動作に必要な電気デザインと、ホワイト・スペースとを有し、前記ホワイト・スペースが、電気デザインを何も有さない、前記分析することと、
    前記半導体回路の前記1つまたは複数のフォトマスク・デザインの前記ホワイト・スペースに光学デザインを挿入することであって、前記光学デザインが、半導体回路デザインの妥当性を確認するための1つまたは複数の既知の光学パターンを有し、前記光学デザインが、1つまたは複数のフォトマスク層を含み、前記電気デザインを覆うことができる、前記挿入することと
    を含む、方法。
  7. 前記フォトマスク・デザインに従って前記半導体回路を組み立てることと、
    前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンについて前記半導体回路を分析することと、
    前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致したとき前記半導体回路の妥当性を確認することと
    をさらに含む、請求項6に記載の方法。
  8. 前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致しなかったとき前記半導体回路を廃棄することをさらに含む、請求項7に記載の方法。
  9. 前記光学デザインが、前記電気デザインから物理的に隔離される、請求項6に記載の方法。
  10. 前記1つまたは複数の既知の光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項6に記載の方法。
  11. 半導体デザインの完全性を確実にするための方法であって、
    半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインを分析することであって、前記フォトマスク・デザインが、前記半導体回路の動作に必要な電気デザインと、ホワイト・スペースとを有し、前記ホワイト・スペースが、電気デザインを何も有さない、前記分析することと、
    前記半導体回路の前記1つまたは複数のフォトマスク・デザインの前記ホワイト・スペースに光学デザインを挿入することであって、前記光学デザインが、半導体回路デザインの妥当性を確認するための1つまたは複数の既知の光学パターンを有し、前記光学デザインが、カバー形状を含む、前記挿入することと
    を含む、方法。
  12. 前記フォトマスク・デザインに従って前記半導体回路を組み立てることと、
    前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンについて前記半導体回路を分析することと、
    前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致したとき前記半導体回路の妥当性を確認することと
    をさらに含む、請求項11に記載の方法。
  13. 前記光学デザインが、前記電気デザインから物理的に隔離される、請求項11に記載の方法。
  14. 前記1つまたは複数の既知の光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項11に記載の方法。
  15. 前記カバー形状が、回路デザインなしかつ光学デザインなしの領域を含む、請求項11に記載の方法。
  16. 半導体デザインの完全性を確実にするための方法であって、
    複数の半導体回路の1つまたは複数のフォトマスク・デザインを分析することであって、前記フォトマスク・デザインが、前記複数の半導体回路の各々の動作に必要な電気デザインと、前記複数の半導体回路のデザインの間のホワイト・スペースとを有し、前記ホワイト・スペースが、電気デザインを何も有さない、前記分析することと、
    前記半導体回路の前記1つまたは複数のフォトマスク・デザインの前記ホワイト・スペースに光学デザインを挿入することであって、前記光学デザインが、半導体回路デザインの妥当性を確認するための1つまたは複数の既知の光学パターンを有し、前記光学デザインが、前記電気デザインから物理的に隔離される、前記挿入することと
    を含む、方法。
  17. 前記フォトマスク・デザインに従って前記半導体回路を組み立てることと、
    前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンについて前記半導体回路を分析することと、
    前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致したとき前記半導体回路の妥当性を確認することと
    をさらに含む、請求項16に記載の方法。
  18. 前記光学デザインの前記1つまたは複数の既知の光学パターンが一致しなかったとき前記半導体回路を廃棄することをさらに含む、請求項17に記載の方法。
  19. 前記1つまたは複数の既知の光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項16に記載の方法。
  20. 前記光学デザインが、1つまたは複数のフォトマスク層を含む、請求項16に記載の方法。
  21. 半導体構造体であって、
    半導体回路の動作に必要な電気回路、および電気回路を何も有さないホワイト・スペースと、
    前記電気回路の前記ホワイト・スペース内に形成された光学パターンであって、半導体回路デザインの妥当性を確認することに使用される、前記光学パターンと
    を備える、半導体構造体。
  22. 前記光学パターンが、1つまたは複数の堆積層を含む、請求項21に記載の構造体。
  23. 前記光学パターンが、カバー形状を含む、請求項21に記載の構造体。
  24. 前記光学パターンが、前記電気回路から物理的に隔離される、請求項21に記載の構造体。
  25. 1つまたは複数の既知の前記光学パターンが、モワレ・パターンを含むことができる、請求項21に記載の構造体。
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