KR20140118795A - 이물 검출 장치 - Google Patents

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Abstract

(과제)
연속적으로 흐르는 시료에 함유되는 특정한 금속 이물을 검출 가능한 이물 검출 장치를 제공하는 것.
(해결수단)
일정 방향으로 이동하는 시료 (S) 에 대하여 1 차 X 선 (X1) 을 조사하는 X 선원 (2) 과, 적어도 시료의 이동 방향에 복수의 캐필러리 (3a) 가 나란히 구성되고 1 차 X 선이 조사된 시료로부터 발생하는 2 차 X 선의 일부의 평행 성분을 취출하여 평행한 2 차 X 선 (X2) 을 출사하는 평행 폴리캐필러리 (3) 와, 평행한 2 차 X 선으로부터 특정한 형광 X 선 (X3) 을 분광하는 분광 소자 (4) 와, 형광 X 선을 수광하는 TDI 센서 (5) 와, TDI 센서를 제어하고 형광 X 선에 대응한 이물 (S1) 을 검출하는 제어부 (C) 를 구비하고, 제어부가, TDI 센서의 전하 전송 방향 및 속도를 시료의 이동 방향 및 속도에 맞춰, TDI 센서가 수광한 형광 X 선의 휘도값을 적산한다.

Description

이물 검출 장치{FOREIGN MATTER DETECTOR}
본 발명은, 연속적으로 이동하는 시료에 함유되는 특정한 이물을 검출 가능하고, 특히, 연속적으로 흐르고 있는 분체 (粉體) 나 액체 등의 유체 시료 또는 연속적으로 이동하는 박판 또는 박상 (箔狀) 시료에 함유되는 특정한 금속 이물을 검출 가능한 이물 검출 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 시료 중의 금속 이물을 검출하는 방법으로서, X 선 투과 검사 등이 사용되고 있지만, 이 검사에서는, 이물의 원소를 특정할 수 없어, 이물이 아닌 주성분을 이물이라고 과검출하는 경우가 있었다.
또, 시료에 대하여 원소 분석을 실시하는 방법으로서 형광 X 선 분석이 알려져 있다. 이 형광 X 선 분석은, X 선원에서 출사된 X 선을 시료에 조사하고, 시료로부터 방출되는 특성 X 선인 형광 X 선을 X 선 검출기로 검출함으로써, 그 에너지로부터 스펙트럼을 취득하고, 시료의 정성 분석 또는 정량 분석을 실시하는 것이다. 이 형광 X 선 분석은, 시료를 비파괴로 신속히 분석 가능하기 때문에, 공정·품질 관리 등에서 널리 사용되고 있다.
종래, 예를 들어 특허문헌 1 에는, X 선 투과 검사와 형광 X 선 분석을 조합함으로써, 시료 중의 이물 검출과 원소 분석을 실시하는 X 선 분석 장치가 제안되어 있다. 이 장치는, X 선 투과 검사부와, 형광 X 선 검사부를 구비하고, X 선 투과 검사부에서 시료 중의 이물을 검출함과 함께 그 위치를 특정하고, 형광 X 선 검사부에서 조사하는 1 차 X 선을, 검출한 이물의 위치에 조사함으로써, 이물의 원소 분석을 정확히 실시할 수 있는 것이다.
일본 공개특허공보 2013-36793호
상기 종래의 기술에는, 이하의 과제가 남겨져 있다.
즉, 종래의 이물 검출 방법은, 모두 분체 등의 시료가 정지한 상태에서 X 선을 조사함으로써 이물을 검출하고 있지만, 탄소나 금속의 분체가 공기와 함께 일정 스피드로 흐르고 있는 상태로부터, 특정한 금속 이물만을 검출하는 것이 곤란하였다. 예를 들어, 리튬 이온 전지용의 카본 블랙이나 정극 (正極) 활물질 등의 재료나 약제의 분말 등이 일정한 속도로 흐르고 있는 공정 중에서, 흐름을 멈추지 않고 함유되는 이물을 검출할 수 없었다. 즉, 측정 대상인 분체 등의 시료가 고정되어 있지 않고, 1 차 X 선의 조사 영역을 얼마 안되는 시간에 흘러 이동해 버리기 때문에, 이물로부터 얻어지는 2 차 X 선의 검출량이 작음과 함께 이물 이외의 원소로부터의 2 차 X 선의 영향이 크고, 이물로부터의 형광 X 선의 정보에 대하여 감도가 나쁘다는 문제가 있었다.
본 발명은, 전술한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 연속적으로 흐르는 분말이나 액체와 같은 유체 등의 시료 또는 연속적으로 이동하는 박판 또는 박상 시료에 함유되는 특정한 금속 이물을 검출 가능한 이물 검출 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 이하의 구성을 채용하였다. 즉, 제 1 발명에 관련된 이물 검출 장치는, 일정 방향으로 이동하는 시료에 대하여 1 차 X 선을 조사하는 X 선원과, 적어도 상기 시료의 이동 방향에 복수의 슬릿이 나란히 구성되고 상기 1 차 X 선이 조사된 상기 시료로부터 발생하는 2 차 X 선의 일부의 평행 성분을 취출하여 평행한 2 차 X 선을 출사하는 평행 이차원 슬릿과, 상기 평행한 2 차 X 선으로부터 특정한 형광 X 선을 분광하는 분광 소자와, 상기 형광 X 선을 수광하는 TDI 센서와, 상기 TDI 센서를 제어하고 상기 형광 X 선에 대응한 이물을 검출하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부가, 상기 TDI 센서의 전하 전송 방향 및 속도를 상기 시료의 이동 방향 및 속도에 맞춰, 상기 TDI 센서가 수광한 상기 형광 X 선의 휘도값을 적산하는 것을 특징으로 한다.
이 이물 검출 장치에서는, 제어부가, TDI 센서의 전하 전송 방향 및 속도를 시료의 이동 방향 및 속도에 맞춰, TDI 센서가 수광한 형광 X 선의 휘도값을 적산하기 때문에, 이물 이외의 원소로부터의 2 차 X 선 (형광 X 선이나 산란 X 선) 의 영향을 극소화한 상태에서, 이물로부터의 형광 X 선을 양호한 S/N 으로 검출하는 것이 가능하게 된다.
제 2 발명에 관련된 이물 검출 장치는, 제 1 발명에 있어서, 상기 시료가, 일정 방향으로 흐르는 유체 시료 또는 일정 방향으로 이동하는 박판 또는 박상 시료인 것을 특징으로 한다.
즉, 이 이물 검출 장치에서는, 시료가, 일정 방향으로 흐르는 유체 시료 또는 일정 방향으로 이동하는 박판 또는 박상 시료이기 때문에, TDI 센서의 전하 전송 방향 및 속도를 유체 시료 또는 박판 또는 박상 시료가 이동하는 방향 및 속도에 맞춤으로써, 흐르는 유체 시료 중 또는 이동 중인 박판 또는 박상 시료 중의 이물을 고감도로 검출할 수 있다.
제 3 발명에 관련된 이물 검출 장치는, 제 1 또는 제 2 발명에 있어서, 상기 평행 이차원 슬릿이 폴리캐필러리인 것을 특징으로 한다.
제 4 발명에 관련된 이물 검출 장치는, 제 1 내지 제 3 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 시료의 속도를 측정하는 속도 센서를 구비하고, 상기 제어부가, 상기 속도 센서로 측정한 상기 시료의 속도에 기초하여 상기 TDI 센서를 제어하는 것을 특징으로 한다.
즉, 이 이물 검출 장치에서는, 제어부가, 속도 센서로 측정한 시료의 속도에 기초하여 TDI 센서를 제어하기 때문에, 정확한 시료의 속도에 기초하여 TDI 센서를 제어할 수 있고, 보다 높은 감도를 얻을 수 있다.
제 5 발명에 관련된 이물 검출 장치는, 제 1 내지 제 4 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 평행한 2 차 X 선의 입사각이 서로 상이한 복수의 상기 분광 소자가 설치되고, 상기 복수의 분광 소자에 대응하여 복수의 상기 TDI 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
즉, 이 이물 검출 장치에서는, 평행한 2 차 X 선의 입사각이 서로 상이한 복수의 분광 소자가 설치되고, 복수의 분광 소자에 대응하여 복수의 TDI 센서가 설치되어 있기 때문에, 복수의 분광 소자 및 TDI 센서를 서로 상이한 복수 원소의 이물에 대응시킴으로써, 흐르는 시료 중에서 복수 원소의 이물을 동시에 검출하는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 의하면, 이하의 효과를 나타낸다.
즉, 본 발명에 관련된 이물 검출 장치에 의하면, 제어부가, TDI 센서의 전하 전송 방향 및 속도를 시료의 이동 방향 및 속도에 맞춰, TDI 센서가 수광한 형광 X 선의 휘도값을 적산하기 때문에, 이물 이외의 원소로부터의 2 차 X 선 (형광 X 선이나 산란 X 선) 의 영향을 극소화한 상태에서, 이물로부터의 형광 X 선을 양호한 S/N 으로 검출하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 본 발명의 이물 검출 장치를 사용하면, 리튬 이온 전지용의 카본 블랙, 정극 활물질 등의 재료나 약제의 분말 등이 일정한 속도로 흐르고 있는 공정 중에서, 또는 리튬 이온 전지의 정극에 사용되는 Co 산리튬 전극판 등이 일정한 속도로 이동하는 공정 중에서, 그들 공정을 중단하지 않고 함유되는 이물을 고감도로 검출할 수 있다.
도 1 은 본 발명에 관련된 이물 검출 장치의 제 1 실시형태를 나타내는 개략적인 전체 구성도이다.
도 2 는 본 발명에 관련된 이물 검출 장치의 제 2 실시형태를 나타내는 개략적인 전체 구성도이다.
이하, 본 발명에 관련된 이물 검출 장치의 제 1 실시형태를, 도 1 을 참조하면서 설명한다.
본 실시형태의 이물 검출 장치 (1) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 일정 방향으로 이동하는 시료 (S) 에 대하여 1 차 X 선 (X1) 을 조사하는 X 선원 (2) 과, 적어도 시료 (S) 의 이동 방향에 복수의 캐필러리 (3a) 가 나란히 구성되고 1 차 X 선 (X1) 이 조사된 시료 (S) 에서 발생하는 2 차 X 선 (X2) 의 일부의 평행 성분을 취출하여 평행한 2 차 X 선 (X2) 을 출사하는 평행 폴리캐필러리 (3) 와, 평행한 2 차 X 선 (X2) 으로부터 특정한 형광 X 선 (X3) 을 분광하는 분광 소자 (4) 와, 형광 X 선 (X3) 을 수광하는 TDI (Time Delay Integration) 센서 (5) 와, TDI 센서 (5) 를 제어하고 형광 X 선 (X3) 에 대응한 이물 (S1) 을 검출하는 제어부 (C) 를 구비하고 있다.
상기 제어부 (C) 는, TDI 센서 (5) 의 전하 전송 방향 및 속도를 시료 (S) 의 이동 방향 및 속도에 맞춰, TDI 센서 (5) 가 수광한 형광 X 선 (X3) 의 휘도값을 적산하는 기능을 갖고 있다.
또, 본 실시형태의 이물 검출 장치 (1) 는, 시료 (S) 의 속도를 측정하는 속도 센서 (6) 를 구비하고 있다. 이 속도 센서 (6) 는, 예를 들어 유속 센서인 전자 유량계 등이 채용된다. 또, 시료 (S) 의 속도가 일정하고 정확히 파악되고 있는 경우에는, 속도 센서 (6) 를 삭제해도 상관없다.
그리고, 상기 제어부 (C) 는, 속도 센서 (6) 로 측정한 시료 (S) 의 속도에 기초하여 TDI 센서 (5) 를 제어한다.
상기 시료 (S) 는, 일정 방향으로 흐르는 분체나 액체의 유체 시료이다. 이 시료 (S) 는, 탄소나 금속의 분체가 공기와 함께 일정 스피드로 흐르는 유로로부터 비교적 얇은 두께를 가진 평면 유로에 흘러 보내지고 있고, 이 평면 유로에 흐르는 시료 (S) 에 X 선원 (2) 으로부터 1 차 X 선 (X1) 이 조사된다.
상기 X 선원 (2) 은, 1 차 X 선을 조사 가능한 X 선관구 (線管球) 로서, 관구 내의 필라멘트 (음극) 로부터 발생한 열전자가 필라멘트 (음극) 와 타깃 (양극) 사이에 인가된 전압에 의해 가속되고 타깃의 W (텅스텐), Mo (몰리브덴), Cr (크롬) 등에 충돌하여 발생한 X 선을 1 차 X 선 (X1) 으로서 베릴륨박 등의 창으로부터 출사하는 것이다.
상기 평행 폴리캐필러리 (3) 는, 직경 10 ㎛ 정도의 유리관인 캐필러리 (슬릿) (3a) 의 다발로 구성되고, 방사상으로 발생한 2 차 X 선을 기단 (基端) 으로부터 입사시키고 내부에서 전반사시켜 평행 성분만을 취출하여 선단으로부터 출사하는 평행 이차원 슬릿으로서 기능을 갖고 있다. 각 캐필러리 (3a) 는, 각각 2 차 X 선을 기단으로부터 입사시키고 내부에서 전반사시켜 평행 성분만을 취출하는 X 선의 슬릿으로서 기능한다. 평행 폴리캐필러리 (3) 에서는, 시료 (S) 의 이동 방향에 대하여 직교하는 방향으로 복수의 캐필러리 (3a) 가 연장되어 배치되어 있다. 또한, 시료 (S) 의 이동 방향에 따른 방향으로도 복수의 캐필러리 (3a) 가 나열되어 있기 때문에, 이물 (S1) 이 이동하면서 방출하는 2 차 X 선을 입사 가능하게 되어 있다.
상기 분광 소자 (4) 는, 평행해진 2 차 X 선을 분광 (회절) 하는 불화리튬이나 게르마늄의 단결정으로 구성되어 있다. 이 분광 소자 (4) 의 단결정은, 이하의 브래그의 법칙식에 의해 입사각 (회절각) (θ) 으로 입사된 2 차 X 선 (X2) 을, 입사각 (θ) 의 2 배의 분광각 (2θ) 으로 분광된 형광 X 선 (X3) 을 출사한다.
브래그의 법칙식 : 2d·sinθ = nλ
(d : 분광 소자 (4) 의 결정 간격, n : 회절 차수, λ : 형광 X 선의 파장)
상기 TDI 센서 (5) 는, CCD 를 이차원적으로 종횡으로 복수 열 나열한 것이고, 라인 센서를 복수 열 나열한 구성을 갖고 있다.
이 TDI 센서 (5) 는, 상기 브래그의 법칙식에 의해 성립하는 분광각에 대응하는 위치에, 입사되는 형광 X 선 (X3) 에 대하여 수광면이 직교하도록 설치되어 있다. 즉, TDI 센서 (5) 는, 분광 소자 (4) 의 단결정에 입사각 (θ) 으로 입사한 2 차 X 선 (X2) 중, 특정한 원소에 기인하는 형광 X 선 (X3) 이 이 단결정으로 간섭 (회절) 하여 특정한 분광각 (2θ) 으로 출사되는 위치에 배치되어 있다. 이와 같이 TDI 센서 (5) 는, 검출하고자 하는 이물 (S1) 의 원소로부터의 형광 X 선 (X3) 이 분광 소자 (4) 로 회절되어 출사되는 방향에 배치되어 있다.
상기 제어부 (C) 는, X 선원 (2) 및 TDI 센서 (5) 등에 접속되고, 이들을 제어하는 CPU 등으로 구성된 컴퓨터이다.
이 제어부 (C) 는, 시료 (S) 의 속도 (Vs) 에 대하여 TDI 센서 (5) 의 전하 전송 속도 (이송 스피드) (VTDI) 를 동일하게 설정하고, 시료 (S) 의 흐름과 TDI 센서 (5) 의 적산 처리를 동기시켜 제어하고 있다.
다음으로, 본 실시형태의 이물 검출 장치 (1) 를 사용한 이물 검출 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 평면 유로를 흐르는 시료 (S) 의 일부에 X 선원 (2) 이 1 차 X 선 (X1) 을 조사한다. 이 때, 흐르는 시료 (S) 중의 주성분의 분체 및 금속 이물 (S1) 로부터는 형광 X 선과 산란 X 선 등의 2 차 X 선이 방사상으로 발생한다.
또한, 평면 유로의 평행면에 대하여 직교하여 배치된 평행 폴리캐필러리 (3) 가, 발생한 2 차 X 선의 일부의 평행 성분만을 취출하고, 평행해진 2 차 X 선 (X2) 을 분광 소자 (4) 에 입사시킨다.
분광 소자 (4) 에서는, 입사된 평행한 2 차 X 선 (X2) 을 브래그의 법칙식에 의해 성립하는 회절각으로 회절시킨다. 즉, 검출하고자 하는 이물 (S1) 의 원소로부터의 형광 X 선 (X3) 만이 소정의 회절각으로 회절됨으로써, 소정 위치에 배치된 TDI 센서 (5) 에 휘점 (A) 으로서 나타난다. 이 때, 시료 (S) 의 이물 (S1) 은 이동하기 때문에, 평행 폴리캐필러리 (3) 에 입사되는 이물 (S1) 로부터의 1 차 X 선도 상류측의 캐필러리 (3a) 로부터 하류측의 캐필러리 (3a) 로 주로 입사되는 캐필러리 (3a) 가 변한다.
이 때문에, 분광 소자 (4) 로 회절되어 TDI 센서 (5) 에 수광되는 형광 X 선 (X3) 의 휘점 (A) 도 동일하게 이동한다. 제어부 (C) 에서는, TDI 센서 (5) 에 있어서의 전하 전송 속도 및 방향을 시료 (S) 의 속도 및 흐름 방향에 맞춰 TDI 센서 (5) 를 제어하기 때문에, 이동하는 휘점 (A) 에서 발생한 전하를 이동 방향에서 적분 노광하여 적산한다. 따라서, 휘점 (A) 이 저휘도이어도 이물 (S1) 의 이동에 따라 이동하는 휘점 (A) 이 적산됨으로써, 높은 감도를 얻을 수 있다.
이와 같이 본 실시형태의 이물 검출 장치 (1) 에서는, 제어부 (C) 가, TDI 센서 (5) 의 전하 전송 방향 및 속도를 시료 (S) 의 이동 방향 및 속도에 맞춰, TDI 센서 (5) 가 수광한 형광 X 선 (X3) 의 휘도값을 적산하기 때문에, 이물 (S1) 이외의 원소로부터의 2 차 X 선 (형광 X 선이나 산란 X 선) 의 영향을 극소화한 상태에서, 이물 (S1) 로부터의 형광 X 선 (X3) 을 양호한 S/N 으로 검출하는 것이 가능하게 된다.
또, 제어부 (C) 가, 속도 센서 (6) 로 측정한 시료 (S) 의 속도에 기초하여 TDI 센서 (5) 를 제어하기 때문에, 정확한 시료 (S) 의 속도에 기초하여 TDI 센서 (5) 를 제어할 수 있고, 보다 높은 감도를 얻을 수 있다.
다음으로, 본 발명에 관련된 이물 검출 장치의 제 2 실시형태에 대하여, 도 2 를 참조하여 이하에 설명한다. 또, 이하의 실시형태의 설명에 있어서, 상기 실시형태에 있어서 설명한 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명은 생략한다.
제 2 실시형태와 제 1 실시형태의 상이한 점은, 제 1 실시형태에서는, 1 개의 원소의 이물 (S1) 을 검출하기 위해 평행 폴리캐필러리 (3), 분광 소자 (4) 및 TDI 센서 (5) 를 각각 하나 설치하고 있지만, 제 2 실시형태의 이물 검출 장치 (21) 에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 2 개의 상이한 원소의 이물 (S1) 을 검출하기 위해, 평행한 2 차 X 선 (X2) 의 입사각이 서로 상이한 2 개의 분광 소자 (4A, 4B) 가 설치되고, 2 개의 분광 소자 (4) 에 대응하여 2 개의 TDI 센서 (5A, 5B) 가 설치되어 있는 점이다.
즉, 제 2 실시형태에서는, 흐르는 시료 (S) 의 양측에 한 쌍의 평행 폴리캐필러리 (3A, 3B), 분광 소자 (4A, 4B) 및 TDI 센서 (5A, 5B) 가 설치되어 있다. 예를 들어, 일방의 평행 폴리캐필러리 (3A), 분광 소자 (4A) 및 TDI 센서 (5A) 는, Fe 원소를 검출하는 기구이고, 타방의 평행 폴리캐필러리 (3B), 분광 소자 (4B) 및 TDI 센서 (5B) 는, Cr 원소를 검출하는 기구이다.
본 실시형태에서는, 평면 유로에 흐르는 시료 (S) 에 조사된 1 차 X 선 (X1) 에 의해 시료 (S) 로부터 발생한 2 차 X 선은 평면 유로의 양측에 방사상으로 방출된다.
일방의 분광 소자 (4A) 및 TDI 센서 (5A) 는, Fe 원소를 검출하기 위한 입사각 (θFe) 과 회절각 (2θFe) 에 대응한 기울기 및 위치에 설정되어 있다. 또한, 타방의 분광 소자 (4B) 및 TDI 센서 (5B) 는, Cr 원소를 검출하기 위한 입사각 (θFe) 과 회절각 (2θFe) 에 대응한 기울기 및 위치에 설정되어 있다.
이와 같이 제 2 실시형태의 이물 검출 장치 (21) 에서는, 평행한 2 차 X 선 (X2) 의 입사각이 서로 상이한 복수의 분광 소자 (4A, 4B) 가 설치되고, 복수의 분광 소자 (4A, 4B) 에 대응하여 복수의 TDI 센서 (5A, 5B) 가 설치되어 있기 때문에, 복수의 분광 소자 (4A, 4B) 및 TDI 센서 (5A, 5B) 를 서로 상이한 복수 원소의 이물 (S1) 에 대응시킴으로써, 흐르는 시료 (S) 중으로부터 복수 원소의 이물 (S1) 을 동시에 검출하는 것이 가능하게 된다.
또, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경을 가하는 것이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시형태에서는, 측정 시료에 대해 흐르는 분체나 액체 등의 유체 시료로 했지만, 일정 방향으로 이동하는 박판 또는 박상 시료를 이물 검사 대상 시료로 해도 상관없다. 예를 들어, 리튬 이온 전지의 정극에 사용되는 Co 산리튬 전극판 등이 일정한 속도로 이동하는 공정 중에서, Co 산리튬 전극판에 함유되는 이물을 검출할 때에 본 발명의 이물 검출 장치를 사용해도 상관없다.
1, 21 : 이물 검출 장치 2 : X 선원
3, 3A, 3B : 평행 폴리캐필러리 (평행 이차원 슬릿)
3a : 캐필러리 (슬릿) 4, 4A, 4B : 분광 소자
5, 5A, 5B : TDI 센서 6 : 속도 센서
A : 휘점 C : 제어부
S : 시료 S1 : 이물
X1 : 1 차 X 선 X2 : 2 차 X 선
X3 : 형광 X 선

Claims (5)

  1. 일정 방향으로 이동하는 시료에 대하여 1 차 X 선을 조사하는 X 선원과,
    적어도 상기 시료의 이동 방향에 복수의 슬릿이 나란히 구성되고 상기 1 차 X 선이 조사된 상기 시료로부터 발생하는 2 차 X 선의 일부의 평행 성분을 취출하여 평행한 2 차 X 선을 출사하는 평행 이차원 슬릿과,
    상기 평행한 2 차 X 선으로부터 특정한 형광 X 선을 분광하는 분광 소자와,
    상기 형광 X 선을 수광하는 TDI 센서와,
    상기 TDI 센서를 제어하고 상기 형광 X 선에 대응한 이물을 검출하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부가, 상기 TDI 센서의 전하 전송 방향 및 속도를 상기 시료의 이동 방향 및 속도에 맞춰, 상기 TDI 센서가 수광한 상기 형광 X 선의 휘도값을 적산하는 것을 특징으로 하는 이물 검출 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 시료가, 일정 방향으로 흐르는 유체 시료 또는 일정 방향으로 이동하는 박판 또는 박상 시료인 것을 특징으로 하는 이물 검출 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 평행 이차원 슬릿이 폴리캐필러리인 것을 특징으로 하는 이물 검출 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 시료의 속도를 측정하는 속도 센서를 구비하고,
    상기 제어부가, 상기 속도 센서로 측정한 상기 시료의 속도에 기초하여 상기 TDI 센서를 제어하는 것을 특징으로 하는 이물 검출 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 평행한 2 차 X 선의 입사각이 서로 상이한 복수의 상기 분광 소자가 설치되고,
    상기 복수의 분광 소자에 대응하여 복수의 상기 TDI 센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 이물 검출 장치.
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