KR20130092991A - 레이저 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

실리콘으로 형성된 판상의 가공 대상물(1)에 레이저 광(L)을 집광하는 것에 의해, 가공 대상물(1)의 두께 방향에 대해서 일측방측으로 경사지는 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따라서, 가공 대상물(1)의 내부에 개질 스포트(10)를 복수 형성하고, 이들 복수의 개질 스포트(10)에 의해서 개질 영역(7)을 형성하는 개질 영역 형성 공정과, 개질 영역 형성 공정 후, 가공 대상물(1)에 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 개질 영역(7)을 따라서 에칭을 선택적으로 진전시켜, 두께 방향에 대해 경사지게 신장하는 공간을 가공 대상물(1)에 형성하는 에칭 처리 공정을 구비하며, 개질 영역 형성 공정에서는, 인접하는 개질 스포트(10) 중 적어도 일부가 일측방 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 개질 스포트(10)를 형성한다.

Description

레이저 가공 방법{LASER PROCESSING METHOD}
본 발명은, 레이저 가공 방법에 관한 것이다.
종래의 레이저 가공 방법으로서는, 예를 들면 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 실리콘 단결정 기판(가공 대상물)에 레이저 광을 집광시켜 재료 변질부(개질 영역)를 형성한 후, 이 실리콘 단결정 기판에 에칭 처리를 시행하여 재료 변질부를 제거하는 것에 의해, 실리콘 단결정 기판에 비(非)관통공 또는 관통공을 형성하는 것이 알려져 있다.
[특허 문헌 1] 일본특허공개 2005－74663호 공보
여기서, 상술한 바와 같은 레이저 가공 방법으로서는, 여러 가지 분야로의 적용이 진행되는 중, 예를 들면 설계 자유도의 향상 등을 위해서, 가공 대상물의 두께 방향에 대해 경사지는 방향(이하, 단지「경사 방향」이라고도 함)으로 신장하는 구멍 등의 공간을, 가공 대상물에 정밀도 좋게 형성할 수 있는 것이 요구되고 있다.
이에, 본 발명은, 가공 대상물의 두께 방향에 대해 경사지는 방향으로 신장하는 공간(구멍)을, 가공 대상물에 정밀도 좋게 형성할 수 있는 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일측면에 관한 레이저 가공 방법은, 실리콘으로 형성된 판상(板狀)의 가공 대상물에 레이저 광을 집광(集光)하는 것에 의해, 가공 대상물의 두께 방향에 대해서 일측방(側方)측으로 경사지는 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서, 가공 대상물의 내부에 개질 스포트(spot)를 복수 형성하고, 이들 복수의 개질 스포트에 의해서 개질 영역을 형성하는 개질 영역 형성 공정과, 개질 영역 형성 공정 후, 가공 대상물에 이방성(異方性) 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 개질 영역을 따라서 에칭을 선택적으로 진전시켜, 두께 방향에 대해 경사지게 신장하는 공간을 가공 대상물에 형성하는 에칭 처리 공정을 구비하며, 개질 영역 형성 공정에서는, 인접하는 개질 스포트 중 적어도 일부가 일측방 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 개질 스포트를 형성하는 것을 특징으로 한다.
이 레이저 가공 방법에서는, 이방성 에칭 처리를 행하기 때문에, 에칭 레이트(rate)가 가공 대상물의 결정방위(結晶方位)에 의존한다고 하는 특징을 이용하여, 에칭의 진전을 제어할 수 있다. 또, 개질 영역에서는, 인접하는 개질 스포트 중 적어도 일부가 일측방 방향으로부터 볼 때 서로 겹치기 때문에, 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서 복수의 개질 스포트 또는 해당 개질 스포트로부터 신장하는 균열을 바람직하게 연결하는 것이 가능해진다. 따라서, 개질 영역의 선택적인 에칭을, 두께 방향에 대해 경사지는 방향을 따라서 진전시키는 경우에도 중단되지 않고 바람직하게 진전시킬 수 있다. 그 결과, 가공 대상물에서 공간에 대응하는 부분을 정밀도 좋게 제거하여, 공간을 가공 대상물에 정밀도 좋게 형성할 수 있다.
또, 상기 작용 효과를 바람직하게 발휘하기 위해, 구체적으로는, 개질 영역 형성 공정은, 인접하는 개질 스포트의 일부가 일측방 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 개질 스포트를 두께 방향으로 어긋나게 하면서 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서 형성하는 공정을 포함해도 괜찮다. 이 때, 개질 영역 형성 공정에서는, 가공 대상물에 대해, 일측방 방향과 직교하는 타측방 방향을 따라서 레이저 광의 집광점을 이동시키면서 해당 레이저 광을 조사하는 경우가 있다.
또, 상기 작용 효과를 바람직하게 발휘하기 위해, 구체적으로는, 개질 영역 형성 공정은, 일측방 방향을 따라서 연속하도록 늘어선 2개 이상의 개질 스포트를 개질 스포트군(群)으로 하여 복수 형성함과 아울러, 인접하는 한 쌍의 개질 스포트군의 일부가 두께 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 개질 스포트군을 일측방 방향으로 어긋나게 하면서 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서 형성하는 공정을 포함해도 괜찮다. 이 때, 개질 영역 형성 공정에서는, 가공 대상물에 대해, 일측방 방향을 따라서 레이저 광의 집광점을 이동시키면서 해당 레이저 광을 조사하는 경우가 있다.
또, 개질 영역 형성 공정은, 인접하는 개질 스포트의 일부가 일측방 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 개질 스포트를 두께 방향으로 어긋나게 하면서 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서 형성하는 제1 공정과, 일측방 방향을 따라서 연속하도록 늘어선 2개 이상의 개질 스포트를 개질 스포트군으로 하여 복수 형성함과 아울러, 인접하는 한 쌍의 개질 스포트군의 일부가 두께 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 개질 스포트군을 일측방 방향으로 어긋나게 하면서 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서 형성하는 제2 공정을 포함해도 괜찮다. 이 경우, 개질 영역 형성 공정에서 제1 및 제2 공정을 적절히 실행하는 것에 의해, 에칭 처리 공정에서의 에칭의 진전을 제어하여, 형성되는 구멍의 지름을 조정할 수 있다. 이것은, 제1 공정에 의해 형성되는 개질 영역을 따른 에칭과, 제2 공정에 의해 형성되는 개질 영역을 따른 에칭에서는, 그 에칭 레이트가 서로 다르다고 하는 특징을 찾아낼 수 있기 때문이다.
또, 개질 영역 형성 예정 라인은, 가공 대상물의 (111)면을 따라서 신장하고 있어도 괜찮다. 이 경우, 두께 방향에 대해서 35°의 각도에서 구멍의 내면에 경면(鏡面, 미러면)이 형성되게 된다. 또, 공간은, 가공 대상물의 표면 및 이면에 개구 하는 관통공인 경우가 있다.
본 발명에 의하면, 가공 대상물의 두께 방향에 대해 경사지는 공간을, 가공 대상물에 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
도 1은 개질 영역의 형성에 이용되는 레이저 가공 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 개질 영역의 형성의 대상이 되는 가공 대상물의 평면도이다.
도 3은 도 2의 가공 대상물의 III－III선을 따른 단면도이다.
도 4는 레이저 가공 후의 가공 대상물의 평면도이다.
도 5는 도 4의 가공 대상물의 V－V선을 따른 단면도이다.
도 6은 도 4의 가공 대상물의 VI－VI선을 따른 단면도이다.
도 7의 (a)는 제1 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 가공 대상물의 단면 사시도, (b)는 도 7의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면 사시도, (c)는 도 7의 (b)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면 사시도이다.
도 8의 (a)는 도 7의 (c)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도, (b)는 도 8의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 9의 (a)는 제2 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 가공 대상물의 단면 사시도, (b)는 도 9의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면 사시도, (c)는 도 9의 (b)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면 사시도이다.
도 10은 제3 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 가공 대상물의 단면도이다.
도 11은 도 10에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 12는 도 11에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
이하, 바람직한 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에서 동일 또는 상당 요소에는 동일 부호를 부여하고, 중복하는 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법에서는, 가공 대상물의 내부에 레이저 광을 집광시켜 개질 영역을 형성한다. 이에, 우선, 개질 영역의 형성에 대해서, 도 1 ~ 도 6을 참조하여 이하에 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치(100)는, 레이저 광(L)을 펄스 발진(發振)하는 레이저 광원(101)과, 레이저 광(L)의 광축(광로)의 방향을 90°바꾸도록 배치된 다이클로익 미러(103)와, 레이저 광(L)을 집광(集光)하기 위한 집광용 렌즈(105)를 구비하고 있다. 또, 레이저 가공 장치(100)는, 집광용 렌즈(105)에서 집광된 레이저 광(L)이 조사되는 가공 대상물(1)을 지지하기 위한 지지대(107)와, 지지대(107)를 이동시키기 위한 스테이지(111)와, 레이저 광(L)의 출력이나 펄스폭 등을 조절하기 위해서 레이저 광원(101)을 제어하는 레이저 광원 제어부(102)와, 스테이지(111)의 이동을 제어하는 스테이지 제어부(115)를 구비하고 있다.
이 레이저 가공 장치(100)에서는, 레이저 광원(101)으로부터 출사된 레이저 광(L)은, 다이클로익 미러(103)에 의해서 그 광축의 방향을 90°바뀌고, 지지대(107) 상에 재치(載置)된 판상(板狀)의 가공 대상물(1)의 내부에 집광용 렌즈(105)에 의해서 집광된다. 이것과 아울러, 스테이지(111)가 이동시켜지고, 가공 대상물(1)이 레이저 광(L)에 대해서 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 상대 이동시켜진다. 이것에 의해, 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따른 개질 영역이 가공 대상물(1)에 형성되게 된다.
가공 대상물(1)로서는, 반도체 재료나 압전(壓電) 재료 등이 이용되며, 도 2에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에는, 개질 영역 형성 예정 라인(5)이 설정되어 있다. 여기서의 개질 영역 형성 예정 라인(5)은, 직선상(狀)으로 늘어난 가상선이다. 가공 대상물(1)의 내부에 개질 영역을 형성하는 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 내부에 집광점(集光点, P)을 맞춘 상태에서, 레이저 광(L)을 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서(즉, 도 2의 화살표(A) 방향으로) 상대적으로 이동시킨다. 이것에 의해, 도 4 ~ 도 6에 나타내는 바와 같이, 개질 영역(7)이 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 가공 대상물(1)의 내부에 형성되고, 이 개질 영역(7)이, 후술할 에칭(식각(蝕刻))에 의한 제거 영역(8)이 된다.
또한, 집광점(P)은, 레이저 광(L)이 집광하는 개소이다. 또, 개질 영역 형성 예정 라인(5)은, 직선상(狀)에 한정하지 않고 곡선상(狀)이라도 괜찮고, 이들이 조합된 3차원상(狀)이라도 괜찮으며, 좌표 지정된 것이라도 괜찮다. 또, 개질 영역(7)은, 연속적으로 형성되는 경우도 있고, 단속적으로 형성되는 경우도 있다. 또, 개질 영역(7)은 열상(列狀)이라도 점상(点狀)이라도 좋고, 요점은, 개질 영역(7)은 적어도 가공 대상물(1)의 내부에 형성되어 있으면 괜찮다. 또, 개질 영역(7)을 기점(起點)으로 균열이 형성되는 경우가 있으며, 균열 및 개질 영역(7)은, 가공 대상물(1)의 외표면(표면, 이면, 혹은 측면)으로 노출하고 있어도 괜찮다.
덧붙여서 말하면, 여기에서는, 레이저 광(L)이, 가공 대상물(1)을 투과함과 아울러 가공 대상물(1)의 내부의 집광점 근방에서 특히 흡수되고, 이것에 의해, 가공 대상물(1)에 개질 영역(7)이 형성된다(즉, 내부 흡수형 레이저 가공). 일반적으로, 표면(3)으로부터 용융되고 제거되어 구멍이나 홈 등의 제거부가 형성되는(표면 흡수형 레이저 가공) 경우, 가공 영역은 표면(3)측으로부터 서서히 이면측으로 진행한다.
그런데, 본 실시 형태에 관한 개질 영역(7)은, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 외의 물리적 특성이 주위와는 다른 상태로 된 영역을 말한다. 개질 영역(7)으로서는, 예를 들면, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역등이 있으며, 이들이 혼재한 영역도 있다. 게다가, 개질 영역(7)으로서는, 가공 대상물(1)의 재료에서 밀도가 비(非)개질 영역의 밀도와 비교하여 변화한 영역이나, 격자 결함이 형성된 영역이 있다(이들을 종합하여 고밀도 전이 영역이라고도 한다).
또, 용융 처리 영역이나 굴절률 변화 영역, 개질 영역(7)의 밀도가 비개질 영역의 밀도와 비교하여 변화한 영역, 격자 결함이 형성된 영역은, 그들 영역의 내부나 개질 영역(7)과 비개질 영역과의 계면(界面)에 균열(갈라짐, 마이크로 크랙)을 더 내포하고 있는 경우가 있다. 내포되는 균열은 개질 영역(7)의 전면(全面)에 걸치는 경우나 일부분만이나 복수 부분에 형성되는 경우가 있다. 가공 대상물(1)로서는, 실리콘을 포함하는, 또는 실리콘으로 이루어진 것을 들 수 있다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 가공 대상물(1)에 개질 영역(7)을 형성한 후, 이 가공 대상물(1)에 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 개질 영역(7)을 따라서(즉, 개질 영역(7), 개질 영역(7)에 포함되는 균열, 또는 개질 영역(7)으로부터의 균열을 따라서) 에칭을 선택적으로 진전시켜, 가공 대상물(1)에서의 개질 영역(7)을 따른 부분을 제거한다. 또한, 이 균열은, 크랙, 미소(微小) 크랙, 갈라짐 등이라고도 칭해진다(이하, 단지「균열」이라고 한다).
본 실시 형태의 에칭 처리에서는, 예를 들면, 모세관 현상 등을 이용하여, 가공 대상물(1)의 개질 영역(7)에 포함되는 균열 또는 해당 개질 영역(7)으로부터의 균열에 에칭제를 침윤(浸潤)시켜, 균열면을 따라서 에칭을 진전시킨다. 이것에 의해, 가공 대상물(1)에서는, 균열을 따라서 선택적 또한 빠른 에칭 레이트(에칭 속도)로 에칭을 진전시켜 제거한다. 이것과 아울러, 개질 영역(7) 자체의 에칭 레이트가 빠르다고 하는 특징을 이용하여, 개질 영역(7)을 따라서 선택적으로 에칭을 진전시켜 제거한다.
에칭 처리로서는, 예를 들면 에칭제에 가공 대상물(1)을 침지(浸漬)하는 경우(디핑 방식：Dipping)와, 가공 대상물(1)을 회전시키면서 에칭제를 도포하는 경우(스핀 에칭 방식：SpinEtching)가 있다.
에칭제로서는, 예를 들면, KOH(수산화 칼륨), TMAH(수산화 테트라 메틸 암모늄 수용액), EDP(에틸렌디아민 피로카테콜(ethylenediamine pyrocatechol)), NaOH(수산화 나트륨), CsOH(수산화 세슘), NH4OH(수산화 암모늄), 히드라진(hydrazine) 등을 들 수 있다. 또, 에칭제로서는, 액체상(狀) 뿐만 아니라, 겔상(젤리상, 반고형상)을 이용할 수 있다. 여기서의 에칭제는, 상온 ~ 100℃ 전후의 온도에서 이용되며, 필요로 되는 에칭 레이트 등에 따라 적절한 온도로 설정된다. 예를 들면, 실리콘으로 형성된 가공 대상물(1)을 KOH로 에칭 처리하는 경우에는, 바람직한 것으로서, 약 60℃가 된다.
또, 본 실시 형태에서는, 에칭 처리로서, 결정방위에 근거한 특정 방향의 에칭 레이트가 빠른(혹은 느린) 에칭인 이방성 에칭 처리를 행하고 있다. 이 이방성 에칭 처리의 경우에는, 비교적 얇은 가공 대상물 뿐만 아니라 두꺼운 것(예를 들면, 두께 800㎛ ~ 100㎛)에도 적용할 수 있다. 또, 이 경우, 개질 영역(7)을 형성하는 면이 면방위와 다를 때에도, 이 개질 영역(7)을 따라서 에칭을 진행시킬 수 있다. 즉, 여기서의 이방성 에칭 처리에서는, 결정방위에 따른 면방위의 에칭에 더하여, 결정방위에 의존하지 않은 에칭도 가능하다.
[제1 실시 형태］
다음에, 제1 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 도 7, 8은, 본 실시 형태를 설명하기 위한 플로우 도면이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 레이저 광(L)은 펄스 레이저 광으로 하고 있다.
본 실시 형태는, 예를 들면 광전자증배소자(光電子增倍素子)나 인터포저(interposer) 등을 제조하기 위해서 이용되는 가공 방법이다. 특히 본 실시 형태에서는, 도 7, 8에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에 레이저 광(L)을 집광하는 것에 의해, 가공 대상물(1)의 내부에 개질 스포트(S)를 복수 형성하고, 이들 복수의 개질 스포트(S)에 의해 개질 영역(7)을 형성한다. 그리고 그 후, 이방성 에칭에 의해서 가공 대상물(1)에서의 개질 영역(7)을 따른 부분을 제거하는 것에 의해, 가공 대상물(1)의 두께 방향에 대해서 경사지게 신장하는 공간을 포함하는 경사 구멍으로서의 관통공(24)을 가공 대상물(1)에 형성한다.
여기서의 관통공(24)은, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에서의 표면(3)측의 단부 및 이면(21)측의 단부에 형성된 직선부(24a, 24a)와, 이들 직선부(24a, 24a) 사이에 형성된 경사부(공간, 24b)를 포함하여 구성되어 있다. 직선부(24a)는, 두께 방향을 따라서 연장하고 있다. 경사부(24b)는, 직선부(24a, 24a)에 연속하고, 가공 대상물(1)의 (111)면을 따르도록 Z 방향에 대해 X 방향으로 경사지는 방향(이하,「경사 방향」이라고 함)으로 연장하고 있다. 예를 들면, 경사부(24b)의 두께 방향(Z 방향)에 대한 각도는, 35°로 되어 있다.
덧붙여서 말하면, 이하의 설명에서는, 도시한 바와 같이, 가공 대상물(1)의 두께 방향(레이저 광(L)의 조사 방향)을 Z 방향으로 하고, 두께 방향에 대해 개질 영역 형성 예정부(5, 관통공(24))가 경사지는 측의 측부 방향을 X 방향(일측방 방향)으로 하고, X, Z 방향에 직교하는 방향을 Y 방향(타측방 방향)으로 하여 설명한다.
도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)은, 조사하는 레이저 광(L)의 파장(예를 들면 1064nm)에 대해서 투명한 실리콘 기판이며, (100)면이 되는 표면(3) 및 이면(21)을 가지고 있다. 이 가공 대상물(1)에는, 관통공(24)에 대응하는 위치에, 개질 영역 형성 예정 라인(5)이 3차원적인 좌표 지정에 의해 프로그램으로 설정되어 있다. 여기에서는, 개질 영역 형성 예정 라인(5)은, 가공 대상물(1)에서의 표면(3)측 및 이면(21)측에 두께 방향을 따라서 연장하는 개질 영역 형성 예정 라인(5a)과, 이들 사이에서 가공 대상물(1)의 (111)면을 따르도록 경사지게 연장하는 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 포함하고 있다.
본 실시 형태에서 가공 대상물(1)을 가공하는 경우, 우선, 가공 대상물(1)의 표면(3)측을 상부로 하여 해당 가공 대상물(1)을 재치대에 재치하여 유지한다. 그리고, 가공 대상물(1)의 내부에서의 이면(21)측에 레이저 광(L)의 집광점(이하, 단지「집광점」이라고 함)을 맞추어, 집광점을 Y 방향으로 이동시키면서, 개질 영역 형성 예정 라인(5a)을 따라서 개질 스포트(S)가 형성되도록 레이저 광(L)을 표면(3)측으로부터 ON·OFF 조사한다(Y 방향의 스캔). 이것에 의해, 가공 대상물(1)의 이면(21)측에 레이저 광(L)을 집광시켜, 이면(21)으로 노출하는 개질 스포트(S)를 형성한다.
또한, 여기에서는, X 방향폭이 10㎛인 개질 스포트(S)를 형성하고 있다. 또, 개질 스포트(S)에는, 해당 개질 스포트(S)로부터 발생한 균열이 내포되어 형성되어 있다(이하의 개질 스포트(S)에 대해서 동일함). 또, 집광점의 피치(개질 스포트(S)의 피치)가 약 0.25㎛로 Y 방향으로 스캔되어 있으며(요점은, 0.25㎛ 간격으로 레이저 조사되고, 레이저 조사의 횟수만큼 개질 스포트(S)가 형성되며), 1회의 레이저 조사로 형성되는 개질 스포트(S)의 일부가 Y 방향에서 서로 겹치도록 개질 스포트(S)가 복수 형성되어 있다.
이어서, 집광점을 Z 방향에서의 표면(3)측으로 소정량 이동시켜, 개질 영역 형성 예정 라인(5a)을 따라서 개질 스포트(S)가 형성되도록 상기 Y 방향의 스캔을 실행한다. 이것에 의해, 관통공(24)의 이면(21)측의 직선부(24a)에 대응하는 부분을 따라서, 기성(旣成, 이미 형성된)의 개질 스포트(S)의 표면(3)측에 개질 스포트(S)를 새롭게 형성하고, 개질 스포트(S) 또는 해당 개질 스포트(S)로부터의 균열을 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 서로 연결한다.
이어서, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 집광점을 Z 방향의 표면(3)측으로 소정량 이동시킴과 아울러, X 방향으로 소정량 이동시킨 후, 상기 Y 방향의 스캔을 실행한다. 구체적으로는, 아래 식(1)에 근거하여, 집광점을 Z 방향으로 소정량 ΔZ로 이동시킴과 아울러 X 방향으로 소정량 ΔX 이동시킨 후, 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따라서 개질 스포트(S)가 형성되도록 상기 Y 방향의 스캔을 실행한다. 그리고, 해당 집광점의 이동 및 Y 방향의 스캔을, 아래 식(2)에 근거하여 가공 대상물(1)에서 이면(21)측으로부터 표면(3)측의 순서로 스캔수 Ns만큼 반복하여 실행한다.
　　　　　　　　　　　　　ΔZ = ΔX ／tanθ … (1)
　　　　　　　　　　　　　Ns = T／ΔZ 　　　 … (2)
　단, ΔX = 소정값(예를 들면 3㎛)
　　　θ = 개질 영역 형성 예정 라인(5)의 Z 방향에 대한 각도
　　　T = 경사부(24b)의 Z 방향 두께
이것에 의해, 복수의 개질 스포트(S)를, 인접하는 개질 스포트(S)의 일부가 X 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록 연속적으로 형성한다. 구체적으로는, 복수의 개질 스포트(S)를, 인접하는 개질 스포트(S)의 일부가 X 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록 두께 방향으로 어긋나게 하면서 가공 대상물 형성 라인(5b)을 따라서 계단상(狀)으로 형성하고, 개질 스포트(S) 또는 해당 개질 스포트(S)로부터의 균열을 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 서로 연결한다.
이어서, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 집광점을 Z 방향에서의 표면(3)측으로 소정량 이동시켜, 개질 영역 형성 예정 라인(5a)을 따라서 개질 스포트(S)가 형성되도록 상기 Y 방향의 스캔을 실행한다. 이것에 의해, 관통공(24)의 표면(3)측의 직선부(24a)에 대응하는 부분을 따라서, 기성의 개질 스포트(S)의 표면(3)측으로 연속하고 또한 해당 표면(3)으로 노출하는 개질 스포트(S)를 새롭게 형성하고, 개질 스포트(S) 또는 해당 개질 스포트(S)로부터의 균열을 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 서로 연결한다. 이상에 의해, 가공 대상물(1)의 관통공(24)에 대응하는 부분에서, 개질 스포트(S)가 연속하도록 복수 형성되어, 개질 영역(7A)이 형성된다.
다음에, 가공 대상물(1)에 대해, 예를 들면 85℃의 KOH을 에칭제로서 이용하여 이방성 에칭 처리를 시행한다. 이것에 의해, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에서 표면(3) 및 이면(21)으로부터 개질 영역(7)으로 에칭제를 진입시켜 침윤시키고, 그리고, 표면(3)측 및 이면(21)측으로부터 내부로 향하여, 개질 영역(7)을 따른 에칭을 선택적으로 진전(진행)시킨다. 그 결과, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 개질 영역(7)을 따른 부분이 제거되어, 관통공(24)의 형성이 완료된다.
이 때, 가공 대상물(1)에 대한 이방성 에칭에서는, 에칭 레이트가 가공 대상물(1)의 결정방위에 의존한다고 하는 특징을 이용하여, 개질 영역(7)을 따르는 선택적인 에칭의 진전을 바람직하게 제어할 수 있다. 즉, 가공 대상물(1)에서의 (111)면에서는, 그 외의 부분에 비해 에칭 레이트가 매우 느려, 에치 스톱(etch stop) 한다. 따라서, (111)면을 따르는 개질 영역(7, 즉, 경사부(24b)에 대응하는 개질 영역(7))에서는, 그 연장 방향을 따른 에칭이 특히 선택적 또한 고속으로 진전됨과 아울러, 형성되는 경사부(24b)의 내면은 그 모서리부가 제거되어 매끄럽게 되어, 해당 내면에 경면(鏡面)이 형성된다.
또, 이 때, 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따르는 개질 영역(7)에서는, 상술한 바와 같이, 인접하는 개질 스포트(S, S) 중 적어도 일부가 X 방향으로부터 볼 때 서로 겹치기 때문에, 개질 스포트(S) 또는 해당 개질 스포트(S)로부터의 균열을 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따라서 바람직하게 연결하는 것이 가능해진다. 따라서, 개질 영역(7)의 선택적인 에칭을, 경사 방향으로 진전시키는 경우에도 중단되지 않고 바람직하게 진전시킬 수 있다.
특히, 본 실시 형태에서의 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따르는 개질 영역(7)에서는, 상술한 바와 같이, 인접하는 개질 스포트(S)의 일부가 X 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록 복수의 개질 스포트(S)가 두께 방향으로 어긋나게 형성되기 때문에, 예를 들면 개질 스포트(S) 또는 해당 개질 스포트(S)로부터의 균열이 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따라서 조밀하게 연결되고, 개질 스포트(S, S) 사이에 서 에칭제가 정류(停留)되지 않고 침윤·진행되어, 에칭이 경사 방향으로 중단되지 않고 확실하게 또한 고속으로 진전된다.
따라서, 본 실시 형태에 의하면, 가공 대상물(1)에서 관통공(24)에 대응하는 부분을 정밀도 좋게 제거하는 것이 가능해지고, 관통공(24)을 가공 대상물(1)에 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능해진다. 또, 원하는 각도 및 길이의 관통공(24)을 용이하게 형성할 수 있고, 가공 대상물(1)을 가공할 때의 설계 자유도를 향상시키는 것이 가능해진다.
또, 상술한 바와 같이, 개질 영역 형성 예정 라인(5b)이 가공 대상물의 (111)면을 따라서 신장하고 있으며, 가공 대상물(1)에서의 관통공(24)의 경사부(24b)에 대응하는 부분에 형성되는 개질 스포트(S)가 가공 대상물의 (111)면을 따라서 형성되어 있다. 따라서, 경사부(24b)의 내면에, 요철이 적은 평활면(平滑面)인 경면을 형성할 수 있고, 또, 경사부(24b)의 단면 형상을 직사각형(마름모형) 형상으로 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 개질 스포트(S)를 표면(3) 및 이면(21)으로 노출시키고 있지만, 개질 스포트(S)를 노출시키지 않고 개질 스포트(S)로부터의 균열을 노출시키고 있어도 괜찮다. 개질 스포트(S)를 표면(3) 및 이면(21)으로 노출시키면, 형성되는 관통공(24)의 개구율(開口率)을 크게 할 수 있어, 예를 들면 본 실시 형태를 전자증배소자에 적용하는 경우, 전자의 수집 효율을 높이는 것이 가능해진다. 한편, 개질 스포트(S)를 노출시키지 않고 균열을 노출시키면, 관통공(24)의 개구측이 확경(擴徑)하는 것을 억제할 수 있어, 관통공(24)에서의 개구측의 구멍 지름을 내부의 구멍 지름과 동일 사이즈로 할 수 있다.
덧붙여서 말하면, 가공 대상물(1)에 형성하는 개질 스포트(S)의 수, 즉, 레이저 광(L)의 조사 횟수(쇼트 횟수)는, 본 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 관통공(24)의 형상(구멍 지름, 길이, 및 Z 방향에 대한 각도 등)에 따라 적절히 설정하는 것이 가능하다.
[제2 실시 형태］
다음에, 제2 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태의 설명에서는, 상기 제1 실시 형태와 다른 점에 대해서 주로 설명한다. 또, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로, 레이저 광(L)은 펄스 레이저 광으로 하고 있다.
도 9는, 본 실시 형태를 설명하기 위한 플로우 도면이다. 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에서는, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 우선, 가공 대상물(1)의 이면(21)측에 집광점을 맞추고, 해당 집광점을 X 방향으로 이동시키면서, 개질 영역 형성 예정 라인(5a) 상에 개질 스포트(S)가 형성되도록 레이저 광(L)을 표면(3)측으로부터 ON·OFF 조사한다(X 방향의 스캔). 이것에 의해, X 방향을 따라서 연속하도록 늘어선 2개 이상의 개질 스포트(S)를, 개질 스포트군(10)으로 하여, 가공 대상물(1)의 이면(21)측에 해당 이면(21)으로 노출하도록 형성한다.
여기서의 개질 스포트군(10)에서는, 병설(竝設)되는 개질 스포트(S)의 간격이 0.25㎛로 되어 있고, X 방향에서의 개질 스포트(S)의 일부가 서로 겹쳐져 있다(이하, 동일함). 구체적으로는, 집광점의 피치(개질 스포트(S)의 피치)가 약 0.25㎛로 X 방향으로 스캔되어 있고(요점은, 0.25㎛ 간격으로 레이저 조사되어, 레이저 조사의 횟수만큼 개질 스포트(S)가 형성되고), 1회의 레이저 조사로 형성되는 개질 스포트(S)의 일부가 X 방향으로 서로 겹치도록 개질 스포트군(10)이 형성되어 있다.
이어서, 집광점을 Z 방향에서의 표면(3)측으로 소정량 이동시켜, 개질 영역 형성 예정 라인(5a)을 따라서 개질 스포트군(10)이 형성되도록 상기 X 방향의 스캔을 실행한다. 이것에 의해, 관통공(24)의 이면(21)측의 직선부(24a)에 대응하는 부분을 따라서, 기성의 개질 스포트군(10)의 표면(3)측에 개질 스포트군(10)을 새롭게 형성하고, 개질 스포트(S) 또는 해당 개질 스포트(S)로부터의 균열을 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 서로 연결한다.
이어서, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 집광점을 Z 방향의 표면(3)측으로 이동시켜, 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따라서 개질 스포트군(10)이 형성되도록 상기 X 방향의 스캔을 실행한다. 그리고, 해당 집광점의 Z 방향 이동 및 X 방향의 스캔을, 가공 대상물(1)에서 이면(21)측으로부터 표면(3)측의 순서로 복수회 반복하여 실행한다. 이것에 의해, 관통공(24)의 경사부(24b)에 대응하는 부분을 따라서, 복수의 개질 스포트군(10)을 가공 대상물(1) 내에 복수 형성한다. 구체적으로는, 복수의 개질 스포트군(10)을, 인접하는 한 쌍의 개질 스포트군(10, 10)의 일부가 Z 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록 X 방향으로 어긋나게 하면서 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따라서 형성하고, 개질 스포트(S) 또는 해당 개질 스포트(S)로부터의 균열을 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 서로 연결한다.
이 때, 후단(後段)의 이방성 에칭을 바람직하게 실행하기 위해, 인접하는 개질 스포트군(10)의 Z 방향으로부터 볼 때의 겹침은, 형성하려고 하는 경사부(24b)의 구멍 지름 및 경사부(24b, 개질 영역 형성 예정 라인(5b))의 Z 방향에 대한 각도에 근거하여 설정된다. 여기에서는, 인접하는 개질 스포트군(10)이, X 방향으로 8 ~ 10㎛정도 겹치도록 형성되어 있다.
이어서, 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이, 집광점을 Z 방향에서의 표면(3)측으로 이동시켜, 개질 영역 형성 예정 라인(5a)을 따라서 개질 스포트(S)가 형성되도록 상기 X 방향의 스캔을 실행한다. 이것에 의해, 관통공(24)의 표면(3)측의 직선부(24a)에 대응하는 부분을 따라서, 표면(3)으로 노출하는 개질 스포트군(10)을 기성의 개질 스포트군(10)의 표면측에 새롭게 형성하고, 개질 스포트(S) 또는 해당 개질 스포트(S)로부터의 균열을 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 서로 연결한다. 이상에 의해, 가공 대상물(1)의 관통공(24)에 대응하는 부분에서, 복수의 개질 스포트(S)로 이루어지는 개질 스포트군(10)이 연속하도록 형성되어, 개질 영역(7B)이 형성된다.
이상, 본 실시 형태에서도, 가공 대상물(1)에서 관통공(24)에 대응하는 부분을 정밀도 좋게 제거하여, 관통공(24)을 가공 대상물(1)에 정밀도 좋게 형성한다고 하는 상기 효과와 동일한 효과가 나타내어진다.
또, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 복수의 개질 스포트군(10)을, 인접하는 한 쌍의 개질 스포트군(10)의 일부가 Z 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록 X 방향으로 어긋나게 하면서 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따라서 형성하고 있다. 이 때문에, 예를 들면, 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따르는 개질 영역(7)에서는, 개질 스포트(S) 및 균열이 개질 영역 형성 예정 라인(5b)을 따라서 조밀하게 연결되며, 선택적 에칭이 경사 방향으로 진전되어도, 에칭제가 정류되지 않고 침윤·진행된다. 따라서, 해당 선택적 에칭이 중단되게 되는 경사 방향으로 확실하게 또한 고속으로 진전되게 된다. 그 결과, 관통공(24)의 경사부(24b)에 대응하는 부분을 정밀도 좋게 제거할 수 있어, 관통공(24)을 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
또, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, X 방향을 따라서 레이저 광(L)의 집광점을 이동시키면서 해당 레이저 광(L)을 조사하는 X 방향의 스캔을 행하여 개질 영역(7B)을 형성하기 때문에, 레이저 광(L)의 집광점의 이동 낭비(스캔수)를 억제하여 신속한 가공이 가능하게 되어, 택트 타임을 향상시키는 것이 가능해진다. 또, 관통공(24)의 길이나 두께 방향에 대한 각도에 따르지 않고, 동일한 스캔수로 개질 영역(7B)을 형성할 수 있다.
또한, 개질 스포트군(10) 각각에서의 X 방향의 폭 및 개질 스포트(S)의 수(즉, 레이저 광(L)의 조사 횟수)는, 한정되는 것은 아니고, 관통공(24)의 형상에 따라 적절히 설정하는 것이 가능하다. 이것에 대해서는, 이하의 실시 형태에서도 동일하다.
[제3 실시 형태］
다음에, 제3 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태의 설명에서는, 상기 제1 실시 형태와 다른 점에 대해서 주로 설명한다. 또, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로, 레이저 광(L)은 펄스 레이저 광으로 하고 있다.
도 10 ~ 12는, 본 실시 형태를 설명하기 위한 플로우 도면이다. 본 실시 형태에서는, 도 12에 나타내는 바와 같이, Z 방향에 대해서 경사지게 신장하는 복수의 관통공(공간, 241 ~ 244)을 가공 대상물(1)에 형성한다. 관통공(241 ~ 244)은, Z 방향에 대해서 이 순서로 크게 경사져 있고, 연장 길이가 이 순서로 길게 되어 있다.
본 실시 형태에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 상기 제1 실시 형태에서의 상기 Y 방향의 스캔과, 상기 제2 실시 형태에서의 상기 X 방향의 스캔을, 관통공(241 ~ 244)의 연장 길이에 근거하여 다음과 같이 적절히 실행하여, 개질 영역(7)을 형성한다. 즉, 도 10, 12에 나타내는 바와 같이, 집광점의 Z 방향 이동 및 상기 Y 방향의 스캔을 복수회 반복하여 실행하는 것에 의해, 관통공(241)에 대응하는 부분을 따른 개질 영역(71)과, 관통공(242)의 표면(3)측 단부 및 이면(21)측 단부에 대응하는 부분을 따른 개질 영역(72A, 72A)과, 관통공(243)의 표면(3)측 근방 및 이면(21)측 근방에 대응하는 부분을 따른 개질 영역(73A, 73A)을 형성한다.
개질 영역(71, 72A, 73A)에서는, 인접하는 개질 스포트(S)의 일부가 X 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 개질 스포트(S)가 두께 방향으로 어긋나 형성되어 있다. 여기에서는, 개질 영역(72A)의 연장 길이가 개질 영역(73A)의 연장 길이 보다도 길게 되어 있다.
이것과 아울러, 집광점의 Z 방향 이동 및 상기 X 방향의 스캔을 복수회 반복하여 실행하는 것에 의해, 관통공(242)의 Z 방향 중앙부에 대응하는 부분을 따른 개질 영역(72B)과, 관통공(243)에서 표면(3)측 근방과 이면(21)측 근방과의 사이에 대응하는 부분을 따른 개질 영역(73B)과, 관통공(244)에 대응하는 부분을 따른 개질 영역(74)을 형성한다.
개질 영역(72B, 73B, 74)에서는, 인접하는 한 쌍의 개질 스포트군(10, 10)의 일부가 Z 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 개질 스포트군(10)이 X 방향으로 어긋나게 형성되어 있다. 여기에서는, 개질 영역(73B)의 연장 길이가 개질 영역(72B)의 연장 길이 보다도 길게 되어 있다.
다음에, 도 11, 12에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에 대해, 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 가공 대상물(1)에서 표면(3) 및 이면(21)으로부터 개질 영역(7)으로 에칭제를 진입시켜 침윤시켜, 개질 영역(7)을 따라서 에칭을 선택적으로 진전시킨다.
여기서, 상기 Y 방향의 스캔에 의해 형성되는 개질 영역(71, 72A, 73A)을 따른 에칭과, 상기 X 방향의 스캔에 의해 형성되는 개질 영역(72B, 73B, 74)을 따른 에칭에서는, 그 에칭 레이트가 서로 다르다고 하는 특징을 찾아낼 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 개질 스포트(S) 또는 균열의 연결 방법 등에 의존하여, 개질 영역(72B, 73B, 74)을 따른 에칭은, 그 에칭 레이트가 개질 영역(71, 72A, 73A)을 따른 에칭의 에칭 레이트 보다도 빠르다고 하는 특징을 찾아낼 수 있다.
따라서, 본 실시 형태에서의 이방성 에칭 처리에서는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 개질 영역(72B, 73B, 74)을 따른 에칭이, 개질 영역(71, 72A, 73A)을 따른 에칭 보다도 빠르게 진전한다. 즉, 관통공(241 ~ 244) 중 연장 길이가 길수록 빠른 에칭 레이트로 형성되도록, 에칭이 진전된다. 그 결과, 도 12에 나타내는 바와 같이, 에칭의 완료(관통공(241 ~ 244)의 관통)에 필요로 하는 시간이 조정되어, 구멍 지름이 서로 맞도록 관통공(241 ~ 244)의 형성이 대략 동시에 완료된다.
이상, 본 실시 형태에서도, 가공 대상물(1)에서 관통공(241 ~ 244)에 대응하는 부분을 정밀도 좋게 제거하고, 관통공(241 ~ 244)을 가공 대상물(1)에 정밀도 좋게 형성한다고 하는 상기 효과와 동일한 효과가 나타내어진다.
그런데, 연장 길이가 다른 복수의 관통공(241 ~ 244)에서는, 통상, 에칭의 완료에 필요로 하는 시간이 서로 다르기 때문에, 그 구멍 지름을 동일하게 하는 것이 곤란하다. 이 점에 관해, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, X 방향의 스캔과 Y 방향의 스캔을 조합한 레이저 가공이 시행되어, 관통공(241 ~ 244)의 각각 에 대해서, 에칭 레이트가 빠른 개질 영역(72B, 73B, 74)과 느린 개질 영역(71, 72A, 73A)이 적절히 형성되어 있다. 이것에 의해, 관통공(241 ~ 244)에서의 에칭의 완료에 필요로 하는 시간을 조정하여, 그 구멍 지름을 원하는 제어를 할 수 있다.
특히, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 관통공(241 ~ 244) 중 긴 것일수록, 그 대응하는 부분에 빠른 에칭 레이트의 개질 영역(7)을 많이(느린 에칭 레이트의 개질 영역(7)을 적게) 형성하여, 에칭의 완료에 필요로 하는 시간을 동일하게 하고 있다. 이것에 의해, 관통공(241 ~ 244)의 구멍 지름을, 서로 동일하게 하는 것이 가능해진다.
이상, 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 각 청구항에 기재한 요지를 변경하지 않는 범위에서 변형하고, 또는 다른 것에 적용한 것이라도 괜찮다.
예를 들면, 개질 영역(7)을 형성할 때의 레이저 광 입사면은, 가공 대상물(1)의 표면(3)에 한정되는 것은 아니고, 가공 대상물(1)의 이면(21)이라도 괜찮다. 또, 상기 실시 형태에서는, 가공 대상물(1)에 관통공(24)을 형성했지만, 이것을 대신하여, 표면(3) 또는 이면(21)에만 개구하는 비(非)관통공을 형성해도 좋고, 또, 채널(channel)이나 슬릿(slit)을 형성해도 좋다. 요점은, Z 방향에 대해 경사지는 방향으로 신장하는 공간을 형성하면 좋다. 또, 상기 실시 형태에서는, 단면 원형 형상, 단면 타원 형상, 또는 단면 다각형 형상 등의 여러 가지의 단면 형상의 관통공(24)을 형성할 수 있다.
또, 상기 실시 형태에서는, 관통공의 경사부(24b)를 Z 방향에 대해 35° ((111)면의 방위 각도)로 경사시키고 있지만, 경사 각도는 한정되는 것은 아니고, Z 방향에 대해 10°또는 45° 경사시켜도 괜찮다. 이 경우, 경사부(24b)의 내면에 멀티 스텝(mutistep, 계단 구조)을 형성할 수 있다.
또한, 에칭제에 첨가물을 첨가함으로써 특정의 결정방위의 에칭 레이트를 변화시킬 수 있기 때문에, 원하는 에칭 레이트로 이방성 에칭 처리를 행할 수 있도록, 가공 대상물(1)의 결정방위로 따른 첨가물을 에칭제에 첨가해도 괜찮다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명에 의하면, 가공 대상물의 두께 방향에 대해 경사지는 공간을, 가공 대상물에 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
1 … 가공 대상물 3 … 표면
5b … 개질 영역 형성 예정 라인
7, 7A, 7B, 71, 72A, 72B, 73A, 73B, 74 … 개질 영역
10 … 개질 스포트군 21 … 이면
24b … 관통공의 경사부(공간) 241 ~ 244 … 관통공(공간)
L … 레이저 광 S … 개질 스포트

Claims (8)

  1. 실리콘으로 형성된 판상(板狀)의 가공 대상물에 레이저 광을 집광(集光)하는 것에 의해, 상기 가공 대상물의 두께 방향에 대해서 일측방(側方)측으로 경사지는 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서, 상기 가공 대상물의 내부에 개질 스포트(spot)를 복수 형성하고, 이들 복수의 상기 개질 스포트에 의해서 개질 영역을 형성하는 개질 영역 형성 공정과,
    상기 개질 영역 형성 공정 후, 상기 가공 대상물에 이방성(異方性) 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 상기 개질 영역을 따라서 에칭을 선택적으로 진전시켜, 상기 두께 방향에 대해 경사지게 신장하는 공간을 상기 가공 대상물에 형성하는 에칭 처리 공정을 구비하며,
    상기 개질 영역 형성 공정에서는, 인접하는 상기 개질 스포트 중 적어도 일부가 상기 일측방 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 상기 개질 스포트를 형성하는 레이저 가공 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 개질 영역 형성 공정은,
    인접하는 상기 개질 스포트의 일부가 상기 일측방 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 상기 개질 스포트를 상기 두께 방향으로 어긋나게 하면서 상기 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서 형성하는 공정을 포함하는 레이저 가공 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 개질 영역 형성 공정에서는, 상기 가공 대상물에 대해, 상기 일측방 방향과 직교하는 타측방 방향을 따라서 상기 레이저 광의 집광점을 이동시키면서 해당 레이저 광을 조사하는 레이저 가공 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 개질 영역 형성 공정은,
    상기 일측방 방향을 따라서 연속하도록 늘어선 2개 이상의 상기 개질 스포트를 개질 스포트군(群)으로 하여 복수 형성함과 아울러, 인접하는 한 쌍의 상기 개질 스포트군의 일부가 상기 두께 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 상기 개질 스포트군을 상기 일측방 방향으로 어긋나게 하면서 상기 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서 형성하는 공정을 포함하는 레이저 가공 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 개질 영역 형성 공정에서는, 상기 가공 대상물에 대해, 상기 일측방 방향을 따라서 상기 레이저 광의 집광점을 이동시키면서 해당 레이저 광을 조사하는 레이저 가공 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 개질 영역 형성 공정은,
    인접하는 상기 개질 스포트의 일부가 상기 일측방 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 상기 개질 스포트를 상기 두께 방향으로 어긋나게 하면서 상기 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서 형성하는 제1 공정과,
    상기 일측방 방향을 따라서 연속하도록 늘어선 2개 이상의 상기 개질 스포트를 개질 스포트군으로 하여 복수 형성함과 아울러, 인접하는 한 쌍의 상기 개질 스포트군의 일부가 상기 두께 방향으로부터 볼 때 서로 겹치도록, 복수의 상기 개질 스포트군을 상기 일측방 방향으로 어긋나게 하면서 상기 개질 영역 형성 예정 라인을 따라서 형성하는 제2 공정을 포함하는 레이저 가공 방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 개질 영역 형성 예정 라인은, 상기 가공 대상물의 (111)면을 따라서 신장하는 레이저 가공 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 공간은, 상기 가공 대상물의 표면 및 이면에 개구하는 관통공인 레이저 가공 방법.
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