JP2000246475A

JP2000246475A - レーザ光による加工方法

Info

Publication number: JP2000246475A
Application number: JP11047434A
Authority: JP
Inventors: Kazunari Umetsu; 一成梅津; Atsushi Amako; 淳尼子; Shinichi Yotsuya; 真一四谷; Katsuharu Arakawa; 克治荒川
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-02-25
Filing date: 1999-02-25
Publication date: 2000-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】貫通孔が曲がって歪んでしまうように事態を
発生させずに、加工精度を向上させることを可能にした
レーザ光による加工方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板１０に円偏光又はラ
ンダム偏光したレーザ光を照射する。これにより加工穴
が真っ直ぐなものとなり、加工精度が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はシリコン単結晶基
板、ガラス基板等の基材に対するレーザ光による加工方
法、特に貫通孔の加工に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコン単結晶基板、ガラス基板等の基
材に対してレーザ光を照射して穴明け等の加工を施すこ
とは従来から行われている。例えば、半導体ウェハにレ
ーザ光を照射してスルーホールを形成することが行われ
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
光によって貫通孔を形成した場合には、その貫通孔が曲
がって歪んでしまい、加工精度が悪くなり易いとう問題
点があった。

【０００４】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、貫通孔が曲がって歪んでし
まうような事態を発生させずに、加工精度を向上させる
ことを可能にしたレーザ光による加工方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】（１）本発明の一つの態
様に係るレーザ光による加工方法は、基材に円偏光した
レーザ光を照射する。円偏光したレーザ光を照射するこ
とで、加工穴が真っ直ぐなものとなり、加工精度が向上
する。（２）本発明の他の態様に係るレーザ光による加工方法
は、基材にランダム偏光したレーザ光を照射する。ラン
ダム偏光に変換されたレーザ光を照射することで、加工
穴が真っ直ぐなものとなり、加工精度が向上する。

【０００６】（３）本発明の他の態様に係るレーザ光に
よる加工方法は、上記（１）（２）のレーザ光による加
工方法において、基材に保護膜を形成して、保護膜の上
から前記のレーザ光を照射する。レーザ光を照射して加
工を施した際にはドロスが発生するが、そのドロスは基
材に直接付着せず、保護膜に付着するので、その除去は
容易になされ、信頼性の高いものとなっている。（４）本発明の他の態様に係るレーザ光による加工方法
は、上記（３）のレーザ光による加工方法において、基
材の表面側及び裏面側にそれぞれ保護膜を形成する。基
材の表面側及び裏面側にそれぞれ保護膜が形成されるの
で、例えば貫通孔を形成するような場合には、基材の表
面及び裏面のいずれにも、ドロスが直接付着することが
避けられる。（５）本発明の他の態様に係るレーザ光による加工方法
は、上記（３）（４）のレーザ光による加工方法におい
て、基材はシリコン単結晶基板である。基材がシリコン
単結晶基板であることから、簡単にその保護膜を生成す
ることができる。

【０００７】（６）本発明の他の態様に係るレーザ光に
よる加工方法は、上記（１）〜（５）のレーザ光による
加工方法において、レーザ光を照射して先行穴を形成
し、異方性エッチングを行って先行穴を拡大してスルー
ホールを形成するものである。異方性エッチングとして
は、ウェットエッチング、ドライエッチングの両方が可
能である。基材としてシリコン単結晶基板を用いる場合
にもいずれのエッチングも可能であるが、シリコン単結
晶の結晶方位に対するエッチング速度が大きく異なるウ
ェットエッチング（湿式結晶異方性エッチング）が好ま
しい。レーザ光を照射して先行穴を形成してから異方性エッ
チングを行ってスルーホールを形成するようにしたこと
から、厚みに対して細い穴を開けることが難しいという
制約がなく、高アスペクト比のスルーホールが得られ
る。また、レーザ加工のみによりスルーホールを生成する
場合には加工時間が長くかかるが、異方性エッチングに
より先行穴を拡大してスルーホールを形成するようにし
たことから、バッチ処理が可能となり加工時間の短縮化
が可能になっている。また、スルーホールの径のバラツ
キが少なく均一化される。また、スルーホールの穴径の拡大（穴幅）は異方性エ
ッチングの時間を調整することにより任意に調整するこ
とができる。更に、レーザ光の照射によって発生するドロスや内壁
に残る加工屑が異方性エッチングの際に自動的に取り除
かれる。レーザ加工による内壁面の荒れが異方性エッチングに
より除去され、基材がシリコンの場合にはシリコンの滑
らかな結晶面が露出する。そのため、絶縁膜形成工程に
おいて形成する絶縁膜の厚みを薄くすることもできる。レーザ光の照射によりエッチングしたい箇所を露出さ
せることができるので、フォトリソグラフィーによる工
程が省略され、製造コストの削減が可能になっている。

【０００８】（７）本発明の他の態様に係るレーザ光に
よる加工方法は、上記（６）のレーザ光による加工方法
において、シリコン単結晶基板の表面が（１００）面又
は（１１０）面である。シリコン単結晶基板の表面が
（１００）面又は（１１０）面である場合、湿式結晶異
方性エッチングを用いて高アスペクト比のスルーホール
の加工が可能になっている。

【０００９】（８）本発明の他の態様に係るレーザ光に
よる加工方法は、上記（６）（７）のレーザ光による加
工方法において、スルーホールは半導体チップの電極パ
ッドを形成するためのものである。電極パッドを形成す
るためのスルーホールの加工が信頼性の高いものとなっ
ている。（９）本発明の他の態様に係るレーザ光による加工方法
は、上記（６）（７）のレーザ光による加工方法におい
て、スルーホールはインクジェットヘッドのインク吐出
孔を形成するためのものである。インク吐出孔の加工が
信頼性の高いものとなっている。（１０）本発明の他の態様に係るレーザ光による加工方
法は、上記（６）（７）のレーザ光による加工方法にお
いて、スルーホールはマイクロポンプの吸入弁等の弁の
貫通穴を形成するためのものである。マイクロポンプの
弁の貫通穴の加工が信頼性の高いものとなっている。

【００１０】（１１）本発明の他の態様に係るレーザ光
による加工方法は、上記（４）〜（１０）のレーザ光に
よる加工方法において、表面側及び裏面側にそれぞれ保
護膜が形成された基材の両面からレーザ光をそれぞれ照
射する。このため、加工時間の短縮化が可能になってい
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】実施形態１．

【００１２】図１（Ａ）はレーザ光を円偏光させたとき
の加工穴の状態を示した説明図である。図１（Ｂ）はレ
ーザ光をランダム偏光に変換したときの加工穴の状態を
示した説明図である。図示のように先行穴１５が曲がら
ず真っ直ぐに形成されていることが分かる。図１
（Ｃ）、（Ｄ）はレーザ光を直線偏光（磁場の方向）さ
せた場合の加工穴の状態を示した説明図である。図示の
ように、先行穴１５が曲がって歪んでいることが分か
る。これは、内壁に対してＰ偏光で入射する場合には、
内壁に対してＳ偏光で入射する場合に比べて基材の光吸
収率が大きいため、内壁に対してＰ偏光で入射する場合
の方が加工がより促進されるとともに（図２参照）、一
旦いずれかの方向に偏って加工が促進されればスルーホ
ールの導光効果によりさらにその偏りが促進されるため
であると推察される。これに対して、レーザ光を円偏光
させた場合やランダム偏光に変換させた場合には、Ｓ偏
光・Ｐ偏光の偏りがなく或いはＳ偏光・Ｐ偏光がランダ
ムに照射されるため、スルーホールが曲がっていくとい
う現象を効果的に抑制することができる。

【００１３】図３は上記の円偏光によるレーザ光による
加工方法を実施するための装置の構成図である。レーザ
光源１からのレーザ光２は、ビームエクスパンダ３、反
射ミラー４及びλ／４偏光板５を経て集光レンズ６に到
達してシリコン単結晶基板１０に照射される。本実施形
態においてはビームエクスパンダ３の出射側にλ／４偏
光板４が設けられており、レーザ光を円偏光させてい
る。なお、図３の例においてはλ／４偏光板４によりレ
ーザ光を円偏光しているが、ランダム偏光に変換する場
合においても公知の変換素子を用いて行うことができ
る。

【００１４】実施形態２．図４は本発明の実施形態２に
係るレーザ光による加工方法が適用されて製造された半
導体装置４０の正面図である。この半導体装置は、半導
体チップ２９が図示のように積層されて構成される。な
お、この半導体装置４０は、半導体チップ２９同士がバ
ンプ３０を介して接続されて積層されている点で、１枚
のリードフレームの両面に半導体チップが配置されたよ
うなデバイスとは異なる。この半導体チップ２９は、例
えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等の記憶装置、ロジック回路等
から構成され、それぞれ又相互に積層することで、例え
ばシステムＬＳＩを構成することができる。

【００１５】図５〜図７は図４の半導体装置４０の製造
方法の工程図であり、この工程図を参照しながらその製
造方法を説明する。なお、以下の記載において、段落最
初の符号は、図１〜図３の図面中の符号に対応してい
る。

【００１６】（ａ）シリコン単結晶基板１０には、図８
（ａ）（ｂ）（ｃ）に示されるように、トランジスタ、
抵抗素子、配線などの各種素子の素子領域７が、面方位
が（１００）面に形成されており、この面にはその他
に、電極パッドとしてのアルミニウム膜（電極）１２
が、素子領域１及び酸化シリコン膜１１の上に跨って形
成されている。なお、図８（ａ）（ｂ）（ｃ）は半導体
基板の平面図、そのｂ−ｂ断面図及びｃ−ｃ断面図であ
り、図５〜図７にはその内のアルミニウム膜１２の周辺
部分が図示されている。以上のように配置されているア
ルミニウム膜１２上に耐Ｓｉエッチング膜となる酸化シ
リコン膜１３をＣＶＤ法（又はＰＶＤ法）にて形成す
る。（ｂ）シリコン単結晶基板１０の裏面にも同様にして酸
化シリコン膜１４をＣＶＤ法（又はＰＶＤ法）にて形成
する。なお、これ以前の工程で裏面の研削加工等を行
い、基板自体を薄くすることもできる。（ｃ）レーザ光を照射してアルミ膜１２を貫通する先行
穴１５を形成する。このとき、レーザ光の入射部及び出
射部の周辺にはドロス１６が発生する。このレーザ光の
条件等は後述する実施例において記載されている。な
お、このときのレーザ光は図１（Ａ）又は（Ｂ）の円偏
光又はランダム偏光による。

【００１７】（ｄ）異方性エッチングを行って先行穴１
５を拡径する。このときのアルミ膜１２のレーザ光の照
射により形成された穴もエッチングにより拡径され（後
退する）、ドロス１６も自動的に除去される。なお、こ
の異方性エッチングの条件は後述する実施例において記
載されている。（ｅ）異方性エッチングにより拡径されて形成された孔
１７の内壁に酸化シリコン膜１８をＣＶＤ法（又はＰＶ
Ｄ法）にて形成する。このとき、アルミ膜１２の穴の内
壁にも酸化膜１２ａが形成されることになる。カバレッ
ジの点を考慮すれば、ＣＶＤを用いて両側の面から酸化
シリコン膜を形成することが好ましい。なお、本実施形
態１においてはこの酸化膜１２ａがあるためにＣｕとＡ
ｌとが導通をとることができなくなり、図５（ｉ）以降
の処理が必要になっている。

【００１８】（ｆ）銅メッキを施して表面及び裏面に銅
メッキ層１９及び２０をそれぞれ形成するとともに、内
壁に酸化シリコン膜１８が形成された孔１７に銅メッキ
材２０ａを充填する。（ｇ）銅メッキ層１９及び２０の上に、フォトリソグラ
フィ技術によりフォトレジスト２１及び２２をそれぞれ
形成する。（ｈ）銅のエッチングを行って、銅メッキ層１９及び２
０の内、フォトレジスト２１及び２２により覆われた箇
所を除いた他の部分を除去する。（ｉ）フォトリソグラフィ技術によりレジスト２３及び
２４を形成する。レジスト２３については、アルミ膜１
２の上に位置する酸化シリコン膜１３の一部が外部に露
出するように形成されている。（ｊ）外部に露出した酸化シリコン膜１３をドライエッ
チングを行って除去する。このドライエッチングはＲＩ
Ｅを用いてＣＨＦ３ガスを毎分３０ｍｌ流し、圧力０．
０３ｍＴｏｒｒで５００ｍＷの出力にて１０分間程度行
った。なお、このドライエッチングにより酸化シリコン
膜１３の一部はアルミ膜１２の上に残っている（これに
は符号１２ａが付記されている）。

【００１９】（ｋ）レジスト２３及び２４を剥離する。（ｌ）全面に銅メッキ（無電解）を施して銅メッキ層２
５，２６を形成する。（ｍ）銅メッキ層２５，２６の上にレジスト２７，２８
をそれぞれ形成する。（ｎ）湿式銅エッチングによりレジスト２７，２８で被
覆されている銅メッキ層２５，２６を除いて、これらの
銅メッキ層２５，２６を除去する。以上の処理により半
導体チップ（ＩＣチップ）２９が出来上がることとな
る。（ｏ）そして、銅メッキ層１９，２５、銅メッキ材２０
ａ及び銅メッキ層２０，２６から構成されるバンプ３０
にハンダ３１又は金を付着する。（ｐ）ハンダ３１の上に、上記と同様にして形成された
半導体チップ２９を載せて溶着する。以上の処理を繰り
返すことにより図４の多層構造の半導体装置４０が得ら
れる。

【００２０】なお、上記の説明は面方位が（１００）面
のシリコン単結晶基板１０についてなされたが、面方位
が（１１０）面のシリコン単結晶基板についても同様に
適用される。また、先行穴を生成する際に、シリコン単
結晶基板１０の表面からレーザ光を照射した例について
説明したが、これは裏面側から照射してもよい。その場
合には表面側の穴径が小さくなり、バンプのサイズを小
さくできる。

【００２１】実施形態３．図９は本発明の実施形態３の
工程説明図であり、これは図５（ｂ）（ｃ）に対応して
いる。本実施形態３においては、アルミ膜１２の中央部
に孔１２ｂを予め設けておく。このようにアルミ膜１２
に孔１２ｂを設けているので、レーザ光２の照射の際の
後退がない。そして、アルミ膜１２が酸化シリコン膜１
１，１３によって覆われているので、異方性エッチング
の際にエッチングされず（後退しない）、また、酸化シ
リコン膜１８を形成する際に酸化膜１２ａが発生しな
い。

【００２２】実施形態４．図１０は本発明の実施形態４
の工程説明図であり、これは図５（ａ）に対応してい
る。本実施形態４においては、図９の例と同様にアルミ
膜１２の中央部に孔１２ｂを予め設けておくとともに、
酸化シリコン膜１１をパターン化してシリコン単結晶基
板１０の一部を露出させておく。このようにすることで
アルミ膜１２の後退が避けられるとともに、異方性エッ
チングの際のエッチングパターン（スルーホールの形
状）が規格化される。

【００２３】実施形態５．図１１は本発明の実施形態５
に係るレーザ光による加工方法が適用されて製造された
インクジェットヘッドの断面図であり、図１２はそのノ
ズルプレートの斜視図である。このインクジェットヘッ
ド５０は、ノズルプレート５１とガラス振動板５２とを
積層し、ガラス振動板５２にインクチューブ５３を取り
付けるとともに、圧電素子５４を設けることにより構成
されている。ノズルプレート５１はシリコン単結晶基板
（面方位が（１００）面又は（１１０）面）から構成さ
れており、それにはインクだまり５５が形成されてお
り、そのインクだまり５５に浸入したインクはインク供
給口５６を通ってキャビティ５７に入る。キャビテイ５
７の上にはガラス振動板５２が張り付けられており、そ
の振動板５２は圧電素子５４によって振動する。この振
動板５２の振動により、キャビティ５７のインクはイン
クノズル孔５８から吐出して記録紙に付着して印刷され
る仕組みになっている。

【００２４】図１３は図１２のノズルプレート製造過程
を示した工程図であり、同図を参照しながらその工程を
説明する。（ａ）シリコン単結晶基板６１に熱酸化膜６２を形成す
る。（ｂ）熱酸化膜６２をフォトリソグラフィ及びフッ酸エ
ッチングによりインクだまり５５、インク流路５６及び
キャビティ５７に相当する形状にパターン加工する。（ｃ）アルカリ液によりシリコン単結晶基板６１を所定
深さにエッチングしてインクだまり５５、インク流路５
６及びキャビティ５７を形成する。（ｄ）熱酸化により全面に熱酸化膜６３を形成する。（ｅ）熱酸化膜６３の上からレーザ光２を照射して、イ
ンク吐出口５８を形成するための先行穴６４を形成す
る。このときのレーザ光２は図１（Ａ）又は（Ｂ）のレ
ーザ光である。従って、真直度の高いノズル孔が得られ
る。（ｆ）アルカリ液により異方性エッチングを行って吐出
口５８を形成する。先行穴６４を形成したときにドロス
が発生するが、そのドロスはこの異方性エッチングによ
り除去される。

【００２５】実施形態６．図１４（ａ）（ｂ）は本発明
の実施形態６に係るレーザ光による加工方法が適用され
て製造されたマイクロポンプの平面図及び断面図であ
る。このマイクロポンプ７０は、シリコン単結晶基板７
１を２枚のガラス板７２及び７３でサンドイッチした構
造になっており、吸入側パイプ７１１より流体を吸収
し、吐出側パイプ７１２へ流体を吐出するものである。
その動作原理は、シリコン単結晶基板７１の中央部に形
成されたダイアフラム７５に貼り付けられた圧電素子７
４に電圧を印加し、たわませることにより圧力室７１０
内の圧力を変化せしめ、この圧力室７１０と空間的に連
続している吸入側弁膜７６及び吐出側弁膜７８を変位さ
せることにより、吸入弁７７及び吐出弁７９を開閉し、
吸入側パイプ７１１から吐出側パイプ７１２に流体を圧
送するものである。なお、圧力室７１０と吸入側弁膜７
６の上側の空間及び吐出側弁膜７８の下側の空間とは連
続している。

【００２６】図１５は図１４のシリコン単結晶基板７１
の製造工程を示した工程図であり、同図を参照しながら
その工程を説明する。（ａ）両面をポリッシュした厚み２８０ミクロンのシリ
コン単結晶基板８１上に、厚さ１ミクロンの酸化シリコ
ン膜８４及び８５を形成する。（ｂ）この酸化シリコン膜８４及び８５の上にポジ型フ
ォトレジスト８６及び８７を塗布する。レジスト膜の塗
布条件の詳細は次のとおりである。まず、酸化シリコン
膜８４上に、スピンコート法によりレジストを塗布した
後、プレベークを行い、レジスト膜８６を形成する。次
に、酸化シリコン膜８５上に同様にレジストをスピンコ
ートし、摂氏１００度にてプレベークを３０分間行って
レジスト膜８７を形成する。このレジスト膜８６は総計
で４０分間のプレベークを施されたことになる。（ｃ）次に、レジスト膜８７に貫通穴７１４及び圧力室
７１０と吸入側弁膜７６の上側の空間とをつなぐ貫通穴
（図示していない）に相当するパターン露光及び現像を
行い、レジストパターン８８を形成するが、ポストベー
クは行わない。その理由は、レジスト膜８６及び８７に
は、後に別のパターン形成（露光、現象）を行うからで
ある。

【００２７】（ｄ）次いで、フッ酸系エッチング液によ
り酸化シリコン膜８５の選択エッチングを行う。フッ酸
エッチングのエッチングマスクとして用いたレジスト膜
８６及び８５は高温による焼成（ポストベーク）を受け
ていないため、残膜部は、感光性を維持しているので、
剥離せず、次工程でさらにパターン露光及び現象による
パターン加工を行う。（ｅ）レジスト膜８６には吸入側弁膜７６、ダイアフラ
ム７５、吸入側弁膜７６等に相当するパターン露光を行
い、レジスト膜８７には吸入側弁膜７６、吸入弁７７、
ダイアフラム７５、吐出側弁膜７８、吐出弁７９等に相
当するパターン露光を行い、次いで、レジスト膜８６及
び８７の現像を同時に行い、レジストパターン８１０及
び８１１を形成する。（ｆ）次にレーザ光を照射して、酸化シリコン膜８５の
貫通穴７１４に相当する部分にレーザ光２を照射して先
行穴７１４ａ形成する。このときのレーザ光も図１
（Ａ）又は（Ｂ）のレーザ光である。従って、真直度の
高い貫通孔が得られる。

【００２８】（ｇ）次に、アルカリ液による異方性エッ
チングを行う。ここでは、例えば濃度２５重量％、温度
摂氏８０度のＫＯＨ水溶液を用いてエッチングを行っ
た。このエッチングにより先行穴は拡径されて上記の貫
通穴７１４に対応した穴７１４ｂが形成される。そし
て、上記にて先行穴を形成したときに発生したドロスは
この異方性エッチングにより除去される。（ｈ）更に、アルカリ液による異方性エッチングを行
い、酸化膜８４，８５の内、厚みが例えば０．０８ミク
ロンであった部分は消滅してシリコンの下地が露出し、
その下地のシリコンは連続してエッチングされ、図１４
の吸入弁膜７６、吸入弁７７、ダイアフラム７５、吐出
側弁膜７８、吐出弁７９等が形成される。

【００２９】

【実施例】本実施例においては、次の表１の条件でレー
ザ光を照射して先行穴を生成した。いずれも、高アスペ
クト比の先行穴が得られた。

【００３０】

【表１】

【００３１】また、異方性エッチングによ先行穴を拡径
する際のエッチングの条件は次のとおりである。＜エッチングの条件＞（（１００）面のウェハー×板厚
５５０μｍでの例）エッチング液：３５％Ｋ０Ｈ薬液温度：８０℃ エッチング時間：１時間（短ければ細穴、長ければ全て
（１１０）面が出現するまで拡大）なお、エッチング液としては、ＫＯＨ液に代えて有機ア
ルカリエッチング液、例えばヒドラジン、ＥＰＷ（エチ
レンジアミン−ピロカテコール−水）、ＴＭＡＨ（水酸
化テトラメチルアンモニウム）等、を用いることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１に係るレーザ光による加工
方法の説明図である。

【図２】偏光とＳｉのレーザ光吸収率の関係を示した図
である。

【図３】円偏光されたレーザ光による加工方法を実施す
るための装置の構成図である。

【図４】本発明の実施形態２に係るレーザ光による加工
方法が適用されて製造された半導体装置の正面図であ
る。

【図５】図４の半導体装置の製造方法の工程図（その
１）である。

【図６】図４の半導体装置の製造方法の工程図（その
２）である。

【図７】図４の半導体装置の製造方法の工程図（その
３）である。

【図８】図５の半導体基板の平面図、そのｂ−ｂ断面図
及びｃ−ｃ断面図である。

【図９】本発明の実施形態３の工程説明図である。

【図１０】本発明の実施形態４の工程説明図である。

【図１１】本発明の実施形態５に係るレーザ光による加
工方法が適用されて製造されたインクジェットヘッドの
断面図である。

【図１２】図１１のノズルプレートの斜視図である。

【図１３】図１１のノズルプレート製造過程を示した工
程図である。

【図１４】本発明の実施形態６に係るレーザ光による加
工方法が適用されて製造されたマイクロポンプの平面図
及び断面図である。

【図１５】図１４のシリコン単結晶基板の製造工程を示
した工程図である。

フロントページの続き (72)発明者四谷真一長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内 (72)発明者荒川克治長野県諏訪市大和３丁目３番５号セイコーエプソン株式会社内Ｆターム(参考） 2C057 AF93 AG88 AG90 AP02 AP13 AP23 AP34 AQ02 BA04 BA14 4E068 AF01 AF02 CB10 CG05 DA00 DA10 DB02 DB13 5F004 AA09 BA04 BA20 DA16 DB01 DB03 DB32 EA10 EA37 EB02 5F033 HH08 HH11 JJ11 KK11 MM30 NN30 NN40 PP28 QQ13 QQ16 QQ37 QQ53 RR04 SS07 SS11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材に円偏光したレーザ光を照射するこ
とを特徴とするレーザ光による加工方法。
【請求項２】基材にランダム偏光したレーザ光を照射
することを特徴とするレーザ光による加工方法。
【請求項３】基材に保護膜を形成して、保護膜の上か
ら前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１又
は２記載のレーザ光による加工方法。
【請求項４】基材の表面側及び裏面側にそれぞれ保護
膜を形成することをを特徴とする請求項３記載のレーザ
光による加工方法。
【請求項５】前記基材はシリコン単結晶基板であるこ
とを特徴とする請求項３又は４記載のレーザ光による加
工方法。
【請求項６】レーザ光を照射して先行穴を形成し、異
方性エッチングを行って前記先行穴を拡大してスルーホ
ールを形成することを特徴とする請求項１〜５の何れか
に記載のレーザ光による加工方法。
【請求項７】前記シリコン単結晶基板の表面が（１０
０）面又は（１１０）面であることを特徴とする請求項
６記載のレーザ光による加工方法。
【請求項８】前記スルーホールは、半導体チップの電
極パッドを形成するためのものであることを特徴とする
請求項６又は７記載のレーザ光による加工方法。
【請求項９】前記スルーホールは、インクジェットヘ
ッドのインク吐出孔を形成するためのものであることを
特徴とする請求項６又は７記載のレーザ光による加工方
法。
【請求項１０】前記スルーホールは、マイクロポンプ
の弁の貫通穴であることを特徴とする請求項６又は７記
載のレーザ光による加工方法。
【請求項１１】表面側及び裏面側にそれぞれ保護膜が
形成された前記基材の両面からレーザ光をそれぞれ照射
することを特徴とする請求項４〜１０の何れかに記載の
レーザ光による加工方法。