WO2011126108A1 - 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板 - Google Patents

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寛之 脇岡
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株式会社フジクラ
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Definitions

  • the fine structure forming method includes the step B of forming the fine structure.
  • the modified portion When laser irradiation is performed while maintaining the direction of the optical axis of the laser beam perpendicular to the scanning direction of the focal point of the laser beam, there are areas that are easily etched and areas that are difficult to etch in the modified portion that has a fine structure. It is possible to suppress the formation of stripes and to form a pattern in which both areas are indefinite and mixed along the scanning direction. In other words, the modified portion does not depend on the position formed on the substrate, and in almost the same state where it is formed, a pattern in which areas that are easily etched and areas that are difficult to etch are mixed in the scanning direction. It can be formed along.
  • the modified portion in the separately performed wet etching process, can be removed from the substrate at a substantially constant etching rate without being influenced by the arrangement and shape of the modified portion in the substrate.
  • the size of the fine structure such as the fine hole can be controlled with high accuracy.
  • FIG. 1B is a sectional view taken along line xx of FIG. 1A.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line yy of FIG. 1A.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line xx of FIG. 2A.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line yy of FIG. 2A.
  • FIG. 3B is a sectional view taken along line x1-x1 in FIG. 3A.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line yy of FIG.
  • FIG. 18B is a sectional view taken along line xx of FIG. 18A.
  • FIG. 18B is a cross-sectional view taken along line y1-y1 in FIG. 18A.
  • FIG. 18B is a cross-sectional view taken along line y2-y2 of FIG. 18A.
  • It is a top view of a board
  • FIG. 19B is a cross-sectional view taken along line xx of FIG. 19A.
  • FIG. 19B is a cross-sectional view taken along line y1-y1 of FIG. 19A.
  • the first through wiring 7 includes a region ⁇ extending in the thickness direction of the substrate 1 from the opening 9 exposed to the first main surface 2 to the first bent portion 11, and the first bent portion 11 to the second bent portion 12.
  • the region ⁇ , the region ⁇ , and the region ⁇ of the first microhole 4 correspond to the region ⁇ , the region ⁇ , and the region ⁇ of the first through wiring 7.
  • the second through wiring 8 includes a region ⁇ extending in the thickness direction of the substrate 1 from the opening 14 exposed on the first main surface 2 to the first bent portion 15, and the first bent portion 15 to the second bent portion 16.
  • a region ⁇ extending in the direction.
  • the region ⁇ , the region ⁇ , and the region ⁇ of the second microhole 5 correspond to the region ⁇ , the region ⁇ , and the region ⁇ of the second through wiring 8.
  • the first micro holes 204 and the second micro holes 204 and the second main surface (the first main surface) 202 and the second main surface (the other main surface) 203 constituting the substrate 201 are connected.
  • a fine hole 205 is formed.
  • the first through wiring 207 and the second through wiring 208 are formed by filling or forming a film with a conductive material 206 in the first and second fine holes.
  • the first through wiring 207 includes a region ⁇ (straight line portion ⁇ ) extending in the thickness direction of the substrate 201 from the opening 209 exposed on the first main surface 202 to the first inflection portion 211, and a first inflection portion.
  • a region ⁇ (straight line portion ⁇ ) extending from the second inflection portion 212 to the second inflection portion 212 in parallel to the two main surfaces of the substrate 201 and in the lateral direction (X direction) of the substrate 201,
  • the region ⁇ (straight line portion ⁇ ) extends in the thickness direction of the substrate 201 up to the opening 213 exposed on the second main surface 203.
  • the region ⁇ , the region ⁇ , and the region ⁇ of the first microhole 204 correspond to the region ⁇ , the region ⁇ , and the region ⁇ of the first through wiring 207.
  • the shapes of the first inflection part 211 and the second inflection part 212 are arcuate.
  • the radius of curvature R of the arc drawn by the center line is 70 ⁇ m
  • the diameter of the first through wiring 207 is 40 ⁇ m
  • the thickness of the substrate 201 was 300 ⁇ m.
  • the curvature radius R is preferably in the range of 10 to 1000 ⁇ m although it depends on the diameter of the first through wiring 207 and the thickness of the substrate 201. When the radius of curvature is within this range, the region ⁇ and the region ⁇ and the region ⁇ and the region ⁇ can be more smoothly connected via the first and second inflection parts 211 and 212.
  • the first through wiring 207 has an inflection portion instead of a bent portion, transmission loss of an electric signal such as a high-frequency signal can be reduced, and the conductive substance 206 is formed from the first minute hole 204. It is possible to suppress poor conduction due to peeling.
  • the radius of curvature R is preferably in the range of 10 to 1000 ⁇ m, although it depends on the diameter of the second through wiring 208 and the thickness of the substrate 201. When the curvature radius is within this range, the region ⁇ and the region ⁇ and the region ⁇ and the region ⁇ can be more smoothly connected via the first and second inflection parts 215 and 216.
  • the through wiring substrate 310 includes a first micro hole 304 and a second main surface so as to connect a first main surface (one main surface) 302 and a second main surface (the other main surface) 303 constituting the substrate 301.
  • Two fine holes 305 are provided, each fine hole is provided with a first through-wiring 307 and a second through-wiring 308 formed by filling or forming a conductive material 306, and the first fine hole g1.
  • the 1st flow path G1 which consists of is provided.
  • the second through wiring 308 includes a region ⁇ extending in the thickness direction of the substrate 301 from the opening 314 exposed to the first main surface 302 to the first bent portion 315, and the first bent portion 315 to the second bent portion 316.
  • a region ⁇ extending obliquely in the longitudinal direction (Y direction) of the substrate 301 and an opening 317 exposed from the second bent portion 316 to the second principal surface 303.
  • the region ⁇ extends in the thickness direction of the substrate 301.
  • the region ⁇ , the region ⁇ , and the region ⁇ of the second fine hole 305 correspond to the region ⁇ , the region ⁇ , and the region ⁇ of the second through wiring 308.
  • the first flow path G1 including the first fine hole g1 is provided so as to extend in the lateral direction (X direction) of the substrate 301 so as to extend along both main surfaces of the substrate 301.
  • the first fine hole g1 has openings for allowing the refrigerant to enter and exit on the two opposing side surfaces of the substrate 1.
  • a similar flow path formed of fine holes can be provided in the above-described through wiring boards 10 and 210 as well.
  • the first surface wiring 37 includes a region ⁇ extending from the first end portion (one end portion) 38 to the first bent portion 39 in the lateral direction (X direction) of the substrate 31, and the first bent portion 39 to the second end portion. (The other end portion) consists of a region ⁇ extending in the longitudinal direction (Y direction) of the substrate 31 up to 40.
  • the region ⁇ and region ⁇ of the first surface wiring 37 and the first end portion 38, the first bent portion 39, and the second end portion 40 are the region ⁇ and region ⁇ of the first fine groove 34, and the first It corresponds to the end 38 and the second end 40.
  • the shape of the first inflection portion 239 is an arc shape.
  • the radius of curvature R of the arc drawn by the first inflection portion 239 is 70 ⁇ m, and the diameter of the first surface wiring 237 is 40 ⁇ m.
  • the radius of curvature R is preferably in the range of 10 to 1000 ⁇ m although it depends on the diameter of the first through wiring 237. When the radius of curvature R is within this range, the region ⁇ and the region ⁇ can be more smoothly connected via the first inflection portion 239.
  • the first surface wiring 237 has an inflection portion instead of a bent portion, transmission loss of an electric signal such as a high frequency signal can be reduced, and the conductive material 236 is peeled from the fine groove 234. It is possible to suppress poor conduction due to.
  • Examples of the material of the substrates 1, 201, 31 and 231 in the through wiring substrates 10, 210 and 310 and the surface wiring substrates 30 and 230 include insulators such as glass and sapphire, and semiconductors such as silicon (Si). If these materials, since the difference in coefficient of linear expansion from the semiconductor device is small, when connecting the through wiring substrate or the surface wiring substrate and the semiconductor device using solder or the like, no positional deviation occurs, A highly accurate connection is possible. Further, among these materials, insulating glass is preferable. When the substrate material is glass, there is an advantage that it is not necessary to form an insulating layer on the inner wall surfaces of the fine holes and the fine grooves, and there is no hindrance to high-speed transmission due to the presence of stray capacitance components.
  • the thicknesses of the substrates 1, 201, 301, 31 and 231 are set as appropriate. For example, the range is about 150 ⁇ m to 1 mm.
  • Examples of the substances 6, 206, 36, 236, and 306 include gold tin (Au—Sn) and copper (Cu).
  • the shape of the microstructure formed on the wiring board according to the embodiment of the present invention, and the pattern and cross-sectional shape of the through wiring, the surface wiring, and the flow path are not limited to the above examples, and are appropriately designed. It is possible.
  • FIGS. 6A to 15C are a plan view and a cross-sectional view of the substrate 1 on which the through wiring substrate 10 is manufactured.
  • FIGS. 6A, 11A, 12A, 13A, 14A, and 15A are plan views of the substrate 1.
  • 14B, 14C, 15B, and 15C are cross-sectional views of the substrate 1 taken along line xx and line yy in the respective plan views.
  • the material of the substrate 1 examples include insulators such as glass and sapphire, and semiconductors such as silicon (Si). If these materials, since the difference in coefficient of linear expansion from the semiconductor device is small, when connecting the through wiring substrate or the surface wiring substrate and the semiconductor device using solder or the like, no positional deviation occurs, A highly accurate connection is possible. Further, among these materials, insulating glass is preferable. When the substrate material is glass, there is an advantage that it is not necessary to form an insulating layer on the inner wall surface of the micropore, and there is no hindrance to high-speed transmission due to the presence of stray capacitance components.
  • the thickness of the substrate 1 can be set as appropriate. For example, it may be set in the range of about 150 ⁇ m to 1 mm.
  • the first laser beam 51 and the second laser beam 52 are irradiated from the first main surface (one main surface) 2 side of the substrate 1, and the first focal point 56 and the first laser beam 51 at a desired position in the substrate 1.
  • Two focal points 57 are formed.
  • the material of the substrate 1 is modified. Therefore, while irradiating the first laser beam 51 and the second laser beam 52, the first microscopic holes 4 are scanned (moved) by sequentially shifting the positions of the first focal point 56 and the second focal point 57.
  • the first modified portion 53 and the second modified portion 54 can be formed by connecting the focal points 56 and 57 to the entire region where the second microhole 5 is provided.
  • Each of the laser beams 51 and 52 may be irradiated from the first main surface 2 and / or the second main surface (the other main surface) 3 side of the substrate 1 or from the side surface of the substrate 1. Good. Since it is easier to irradiate laser light only from the two main surfaces 2 and 3 side, it is preferable.
  • the angle at which the optical axis E of each laser beam 51, 52 is incident on the substrate 1 is set to a predetermined angle.
  • Each laser beam 51 and 52 may be irradiated in order using a single laser beam, or may be irradiated simultaneously using a plurality of laser beams.
  • the scanning directions of the focal points 56 and 57 of the laser beams 51 and 52 are, for example, a region ⁇ and a region as indicated by solid arrows along the reforming portions 53 and 54 shown in FIGS. 6B and 6C.
  • the direction of one-stroke writing that scans in the order of ⁇ and region ⁇ is given.
  • the arrow scans the focal points 56 and 57 from the portion that becomes the openings 13 and 17 of the second main surface 3 of the substrate 1 to the portion that becomes the openings 9 and 14 of the first main surface 2. Represents what to do. At this time, it is preferable in terms of manufacturing efficiency to perform one-stroke writing in the direction of the arrow.
  • the angle formed by the optical axis E of the laser beam with respect to the focus scanning direction can be defined by an angle ⁇ and an angle ⁇ as shown in FIG. That is, in the xyz three-axis orthogonal coordinate system of FIG. 7, when the positive direction of the x-axis is the focus scanning direction, the optical axis E (indicated by the arrow E) of the laser light is in the positive direction of the x-axis. It is defined by an angle ⁇ made with respect to the angle and an angle ⁇ made with respect to the positive direction of the z-axis.
  • an arrow e indicates the projection of the optical axis E (laser beam irradiation direction) onto the xy plane.
  • the direction of the optical axis E of the first laser beam 51 is perpendicular to the scanning direction of the first focal point 56 (the extending direction of the region ⁇ of the first modified portion 53), and the angle ⁇ and ⁇ are 0 degrees.
  • the direction of the optical axis E of the second laser beam 52 is perpendicular to the scanning direction of the second focal point 57 (the extending direction of the region ⁇ of the second modified portion 54). The angles ⁇ and ⁇ are 0 degrees.
  • the direction of the optical axis E of the first laser beam 51 is maintained in a constant direction with respect to the scanning direction of the first focal point 56, and the regions ⁇ to ⁇ are set.
  • Laser irradiation is preferred (FIG. 8).
  • “maintaining the direction of the optical axis of the laser light in a constant direction with respect to the scanning direction of the focal point” means that the relative positional relationship between the direction of the optical axis E and the scanning direction of the focal point is kept constant. This means that the angles ⁇ and ⁇ are fixed at arbitrary specific angles.
  • FIG. 8 shows the same cross section as FIG. 6B, and a solid arrow along the extending direction of each region ⁇ to ⁇ indicates the scanning direction of the first focal point 56.
  • the first laser beam 51 when forming the region ⁇ and the region ⁇ , the first laser beam 51 is irradiated perpendicularly to the side surface of the substrate 1, and when forming the region ⁇ , the first laser beam 51 is applied to the substrate. 1 is irradiated perpendicularly to the first main surface 2.
  • the region ⁇ In .gamma., It is possible to suppress the areas that are easily etched and the areas that are difficult to etch from being formed in stripes, and to form a pattern in which both areas are mixed in an indefinite shape along the scanning direction. More specifically, in the modified portion of the regions ⁇ to ⁇ , an area that is easily etched is formed in a quasi-continuous manner along the scanning direction in a spiral shape centered on the optical axis of the laser beam.
  • the area that is easily etched is preferentially etched in the subsequent etching step, and the etching solution easily penetrates in the extending direction of the modified portion, so that the etching rate of the modified portion can be increased.
  • the modified state in the modified portions of the regions ⁇ to ⁇ can be made uniform, the etching rates of the regions ⁇ to ⁇ can be made uniform in the subsequent etching step.
  • the modified state of the first modified unit 53 and the first The reforming state of the second reforming part 54 can be made uniform.
  • the etching rate of the first modified portion 53 and the etching rate of the second modified portion 54 can be made comparable, and the first micropore 4 and the second modified portion 54 can be made the same.
  • the fine hole 5 can be formed with a precise shape.
  • angles ⁇ and ⁇ of the laser beams 51 and 52 are not limited to 0 degrees, and the angle ⁇ and the angle ⁇ can be set to arbitrary angles independently.
  • the direction of the optical axis E of the laser light is the scanning direction of the focal point (stretching of the modified portion).
  • FIG. 9 shows the same cross section as FIG. 6B, and a solid arrow along the extending direction of each region ⁇ to ⁇ indicates the scanning direction of the first focal point 56.
  • the first laser beam 51 is irradiated perpendicularly to the first main surface 2 of the substrate 1 to form the region ⁇ .
  • 51 is irradiated perpendicularly to the side surface of the substrate 1.
  • the laser beam may be irradiated while maintaining the direction of the optical axis of the laser light in a constant direction with respect to the scanning direction of the focus, or the constant direction is maintained. You may irradiate with a laser without doing.
  • the modified portion When scanning the entire region to be the modified portion, when the laser irradiation is performed while maintaining the direction of the optical axis of the laser light in a fixed direction with respect to the scanning direction of the focal point, as described above, the modified portion The reforming state can be made uniform over the entire area.
  • the “extremely large variation in the etching rate” is an etching rate in a modified portion in which areas that are easily etched and areas that are difficult to etch are alternately formed, which can be formed when linearly polarized laser light is used. This means the variation.
  • the state of the modified portion when a linearly polarized laser is used will be described later.
  • the polarized light of the laser beam used in the fine structure forming method according to the embodiment of the present invention is circularly polarized light or elliptically polarized light.
  • the circularly polarized light may be right circularly polarized light or left circularly polarized light.
  • the elliptically polarized light may be right elliptically polarized light or left elliptically polarized light.
  • the elliptically polarized light is preferably elliptically polarized light close to circularly polarized light in order to sufficiently exhibit the effects according to the embodiment of the present invention.
  • Such circularly or elliptically polarized laser light is obtained, for example, by passing femtosecond laser light through a known appropriate phase shifter.
  • the modified portions 53 and 54 By changing the focal points 56 and 57 of the circularly or elliptically polarized laser beams 51 and 52 to the regions to be the modified portions 53 and 54, for example, the modified portions 53 and 54 having a diameter of several ⁇ m to several tens of ⁇ m are formed. Can be formed. Further, by controlling the position connecting the focal points 56 and 57, the reforming portions 53 and 54 having a desired shape can be formed.
  • the modified portion that becomes the first micro hole 204 in the through wiring substrate 210 can be formed.
  • Etching is performed in the modified portion serving as the inflection portion by forming the modified portion serving as the inflection portion of the through wirings 207 and 208 in the through wiring substrate 210 using irradiation of circularly polarized light or elliptically polarized laser light. It is possible to suppress the formation of the area that is likely to be formed and the area that is difficult to be etched into a stripe shape, and to smoothly form the modified portion along the shape of the inflection portion. For this reason, it is possible to make the ease of etching of the modified portion serving as the inflection portion and the modified portion serving as the other linear portion the same. As a result, the microstructure having the inflection portion can be formed with a highly accurate shape.
  • the modified portion that becomes the first micro hole 304 and the second micro hole 305 in the through wiring substrate 310 can be formed. Further, when forming the modified portion that becomes the first micro hole 304, a method of irradiating circularly polarized light or elliptically polarized laser light only from the first main surface 302 side of the substrate 301 can also be used. That is, the following method can be used.
  • FIG. 10 shows the same cross section as FIG. 3B, and a solid line arrow along the extending direction of each region ⁇ to ⁇ indicates the scanning direction of the focal point of the laser light.
  • the directions E9 and E7 of the optical axis E of the laser beam are set in the scanning direction of the focal point of the laser beam. Keep parallel to.
  • the direction E8 of the optical axis E of the laser beam is maintained perpendicular to the scanning direction of the focal point of the laser beam.
  • the modified portion that becomes the fine hole of the through wiring substrate 310 is irradiated by laser only from the first main surface 302 side of the substrate 301.
  • the direction of the optical axis of the laser light with respect to the scanning direction of the focal point of the laser light is different in each of the regions ⁇ to ⁇ .
  • the degree of modification of ⁇ and ⁇ is different from the degree of modification of the region ⁇ . That is, the etching rate of the regions ⁇ and ⁇ is different from the etching rate of the region ⁇ .
  • the etching rate is substantially uniform. If only the region ⁇ and the region ⁇ are considered, the etching rate is substantially uniform independently of the region ⁇ . For this reason, it is easy to estimate the etching rate of the modified portion that becomes the first microhole 304 in advance, and the first microhole 304 can be formed by accurately controlling the degree of etching.
  • the laser beam with respect to the scanning direction of the focal point of the laser beam in at least a part of the entire region forming the modified portion It is preferable to perform laser irradiation while maintaining the direction of the optical axis constant. More preferably, laser irradiation is performed while maintaining the direction of the optical axis of the laser beam constant with respect to the scanning direction of the focus of the laser beam in at least half of the entire region forming the modified portion. More preferably, the laser irradiation is performed while maintaining the direction of the optical axis of the laser beam constant with respect to the scanning direction of the focus of the laser beam in all the regions forming the modified portion.
  • Process B and process C described below are also applicable to the case where the through wiring boards 210 and 310 are manufactured.
  • the substrate 1 on which the first modified portion 53 and the second modified portion 54 are formed is immersed in an etching solution (chemical solution) 59 and wet-etched.
  • the mass portions 53 and 54 are removed from the substrate 1.
  • the first micro holes 4 and the second micro holes 5 are formed in the region where the first modified portion 53 and the second modified portion 54 exist (FIG. 11C).
  • glass is used as the material of the substrate 1, and a solution containing a 10 mass% solution of hydrofluoric acid (HF) as a main component is used as the etching solution 59.
  • This etching uses the phenomenon that the first modified portion 53 and the second modified portion 54 are etched very quickly compared to the unmodified portion of the substrate 1. As a result, the fine holes 4 and 5 corresponding to the shapes of the reforming portions 53 and 54 can be formed (FIGS. 12A to 12C).
  • the etching solution 59 is not particularly limited, and for example, a solution containing hydrofluoric acid (HF) as a main component, or a hydrofluoric acid-based mixed acid obtained by adding an appropriate amount of nitric acid or the like to hydrofluoric acid can be used. Further, other chemicals can be used depending on the material of the substrate 1.
  • HF hydrofluoric acid
  • other chemicals can be used depending on the material of the substrate 1.
  • the micro holes 4 and 5 are filled or formed with a conductive material 6 to form the first through wiring 7 and the second micro holes 4 and 5.
  • the through wiring 8 is formed.
  • the conductive material 6 include gold tin (Au—Sn) and copper (Cu).
  • Au—Sn gold tin
  • Cu copper
  • a method for filling or forming the conductive material 6 a molten metal suction method, a supercritical film formation method, or the like can be appropriately used.
  • the through wiring substrate 10 shown in FIGS. 1A to 1C is obtained.
  • land portions may be formed on the openings 9, 13, 14, and 17 of the respective through wirings 7 and 8.
  • a method for forming the land portion a plating method, a sputtering method, or the like can be appropriately used.
  • FIGS. 13A to 15C show a plane and a cross section of a substrate 31 on which the surface wiring substrate 30 is manufactured.
  • 13A, 14A, and 15A are plan views of the substrate 31, and
  • FIGS. 13B, 13C, 14B, 14C, 15B, and 15C are xx lines and y in the respective plan views.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the substrate 31 taken along the line y.
  • the substrate 31 is irradiated with the first laser light 71 and the second laser light 72, and the material of the substrate 31 is formed in the vicinity of the surface of the first main surface 32 of the substrate 31.
  • the first modified portion 73 formed by reforming is formed.
  • the first modified portion 73 is formed in a region where the first surface wiring 37 is provided.
  • the polarized light of the first laser light 71 and the second laser light 72 is circularly polarized light or elliptically polarized light.
  • the material of the substrate 31 examples include insulators such as glass and sapphire, and semiconductors such as silicon (Si). If these materials, since the difference in coefficient of linear expansion from the semiconductor device is small, when connecting the through wiring substrate or the surface wiring substrate and the semiconductor device using solder or the like, no positional deviation occurs, A highly accurate connection is possible. Further, among these materials, insulating glass is preferable. When the substrate material is glass, there is an advantage that it is not necessary to form an insulating layer on the inner wall surface of the micropore, and there is no hindrance to high-speed transmission due to the presence of stray capacitance components.
  • the thickness of the substrate 31 can be set as appropriate. For example, it may be set in the range of about 150 ⁇ m to 1 mm.
  • the first laser beam 71 and the second laser beam 72 are irradiated from the first main surface 32 side of the substrate 31, and the first focal point 74 and the second focal point 75 are in desired positions near the surface of the substrate 31. Is tied.
  • the material of the substrate 31 is modified at the position where the focal points 74 and 75 are connected. Therefore, while irradiating the laser beams 71 and 72, the positions of the focal points 74 and 75 are sequentially shifted (scanned) to scan the entire region where the first fine groove 34 is provided. , 75 can be used to form the first modified portion 73.
  • the laser beams 71 and 72 may be irradiated from the first main surface 32 and / or the second main surface 33 side of the substrate 31 or from the side surface of the substrate 31. Since it is easier to irradiate laser light only from the two main surfaces 32 and 33 side, it is preferable.
  • the angle at which the optical axis E of each of the laser beams 71 and 72 is incident on the substrate 31 is set to a predetermined angle.
  • Each laser beam 71 and 72 may be irradiated in order using a single laser beam, or may be irradiated simultaneously using a plurality of laser beams.
  • the scanning directions of the focal points 74 and 75 of the laser beams 71 and 72 are, for example, regions ⁇ and ⁇ as indicated by solid arrows along the first modified portion 73 shown in FIG. 13A.
  • the direction of one-stroke writing which scans in order is mentioned. That is, the arrow indicates that the second laser beam 72 is changed from the portion where the first laser beam 71 becomes the first end portion 38 of the first modified portion 73 to the portion where the bent portion 39 is formed.
  • This represents that the focal points 74 and 75 are scanned from a portion that becomes a bent portion of the portion 73 to a portion that becomes the second end portion 40.
  • the angle formed by the optical axis E of the laser beam with respect to the focus scanning direction can be defined by an angle ⁇ and an angle ⁇ as shown in FIG. That is, in the xyz 3-axis orthogonal coordinate system of FIG. 7, when the positive direction of the x-axis is the scanning direction of the focus, the optical axis E (indicated by the arrow E) of the laser light is in the positive direction of the x-axis. It is defined by an angle ⁇ made with respect to the angle and an angle ⁇ made with respect to the positive direction of the z-axis. In FIG. 7, an arrow e indicates the projection of the optical axis E (laser beam irradiation direction) onto the xy plane.
  • the direction of the optical axis E of the first laser beam 71 is perpendicular to the scanning direction of the first focal point 74 (the extending direction of the region ⁇ of the first modified portion 73), and the angle ⁇ and angle ⁇ are 0 degrees.
  • the direction of the optical axis E of the second laser beam 72 is perpendicular to the scanning direction of the second focal point 75 (the extending direction of the region ⁇ of the first modified portion 73).
  • the angle ⁇ and the angle ⁇ formed are 0 degrees.
  • the direction of the optical axis E of each of the laser beams 71 and 72 is maintained in a constant direction with respect to the scanning direction of each of the focal points 74 and 75, while the region ⁇ and the region ⁇ .
  • “maintaining the direction of the optical axis of the laser light in a constant direction with respect to the scanning direction of the focal point” means that the relative positional relationship between the direction of the optical axis E and the scanning direction of the focal point is kept constant. This means that the angle ⁇ and the angle ⁇ are fixed to arbitrary specific angles.
  • the direction of the optical axis E of each laser beam 71, 72 is set with respect to the scanning direction of each focal point 74, 75.
  • the laser beams 71 and 72 are irradiated perpendicularly to the first main surface 32 of the substrate 31.
  • the region ⁇ in the first modified portion 73 formed by irradiating the laser while maintaining the direction of the optical axis of the laser light in a constant direction (for example, perpendicular) to the scanning direction of the focus, the region ⁇ .
  • the region ⁇ it is possible to suppress the area that is easily etched and the area that is difficult to etch from being formed in a stripe shape, and to make the modified state uniform.
  • the etching rate of the region ⁇ and the region ⁇ can be made uniform in the subsequent etching step.
  • the region ⁇ The state of modification and the state of modification of the region ⁇ can be made uniform.
  • the etching rate of the region ⁇ and the etching rate of the region ⁇ can be made comparable, and the first fine groove 34 can be formed in a highly accurate shape.
  • angles ⁇ and ⁇ of the laser beams 71 and 72 are not limited to 0 degrees, and the angles ⁇ and ⁇ can be set to arbitrary angles independently of each other. For example, when the combination ( ⁇ , ⁇ ) of the angle ⁇ and the angle ⁇ is (0 degree, 90 degrees), the direction of the optical axis E of the laser light is the scanning direction of the focal point (stretching of the modified portion). Direction).
  • the direction of the optical axis F of each laser beam 71, 72 is set with respect to the scanning direction of each focal point 74, 75.
  • the laser beams 71 and 72 are irradiated perpendicularly to the side surface of the substrate 31.
  • the first modified portion 73 formed is etched in the region ⁇ and the region ⁇ by irradiating the laser while maintaining the direction of the optical axis of the laser light parallel to the scanning direction of the focal point. It is possible to suppress the easy area and the area difficult to be etched from being formed in stripes, and to form a pattern in which both areas are indefinite and mixed along the scanning direction.
  • the modified state in the modified portions of the regions ⁇ to ⁇ can be made uniform, the etching rate of the regions ⁇ to ⁇ can be made uniform in the subsequent etching step.
  • the laser beam may be irradiated while maintaining the direction of the optical axis of the laser light in a constant direction with respect to the scanning direction of the focus, or the constant direction is maintained. You may irradiate with a laser without doing.
  • the modified The reforming state can be made uniform over the entire area of the section.
  • the modification state does not change extremely over the entire region of the modification part, and it cannot be said that it is uniform.
  • the state is almost the same, and the etching rate in the subsequent etching process does not vary greatly.
  • the polarized light of the laser beam used in the fine structure forming method according to the embodiment of the present invention is circularly polarized light or elliptically polarized light.
  • the circularly polarized light may be right circularly polarized light or left circularly polarized light
  • the elliptically polarized light may be right elliptical polarized light or left elliptically polarized light.
  • the elliptically polarized light is preferably elliptically polarized light close to circularly polarized light in order to sufficiently exhibit the effects according to the embodiment of the present invention.
  • Such circularly or elliptically polarized laser light can be obtained, for example, by passing femtosecond laser light through a known appropriate polarizer.
  • the modified portion 73 By scanning the focal points 74 and 75 of the circularly or elliptically polarized laser beams 71 and 72 into the region to be the modified portion 73, for example, the modified portion 73 having a diameter of several ⁇ m to several tens of ⁇ m can be formed. Further, by controlling the position where the focal points 74 and 75 are connected, the modified portion 73 having a desired shape can be formed.
  • the modified portion that becomes the first fine hole 234 in the surface wiring substrate 230 can be formed in the same manner.
  • the modified portion to be the inflection portion 239 of the surface wiring 237 in the surface wiring substrate 230 by using irradiation of circularly polarized light or elliptically polarized laser light, the modified portion to be the inflection portion is etched. It is possible to suppress the formation of the easy area and the area difficult to be etched in a striped shape, and to smoothly form the modified portion along the shape of the inflection portion.
  • the substrate 31 on which the first modified portion 73 is formed is immersed in an etching solution (chemical solution) 77 and wet-etched so that the first modified portion 73 is formed on the substrate 31. Remove from. As a result, the first fine groove 34 is formed in the region where the first modified portion 73 is present (FIGS. 14A to 14C).
  • etching solution chemical solution
  • a solution containing a 10% solution of hydrofluoric acid (HF) as a main component is used as the etching solution 77.
  • This etching utilizes the phenomenon that the first modified portion 73 is etched very quickly compared to the unmodified portion of the substrate 31, and as a result, the shape of the first modified portion 73.
  • a first fine groove 34 can be formed in accordance with (FIGS. 15A to 15C).
  • the etching solution 77 is not particularly limited, and for example, a solution containing hydrofluoric acid (HF) as a main component, or a hydrofluoric acid-based mixed acid obtained by adding an appropriate amount of nitric acid or the like to hydrofluoric acid can be used. Further, other chemicals can be used depending on the material of the substrate 31.
  • HF hydrofluoric acid
  • other chemicals can be used depending on the material of the substrate 31.
  • the first fine groove 34 is filled with a conductive material 36 or formed into a film, thereby forming a first surface wiring 37.
  • the conductive material 36 include gold tin (Au—Sn) and copper (Cu).
  • a method for filling or forming the conductive material 36 first, a film made of the conductive material 36 is formed on the entire upper surface of the substrate 31 by sputtering, and the conductive material 36 is filled or formed in the fine groove 34.
  • the upper surface of the substrate 31 is dry-etched to remove the film made of the conductive material 36 in the non-masking region, and finally the masking is performed.
  • the method of removing the resist can be exemplified.
  • a land portion may be formed on a predetermined position (for example, the first end portion 38, the second end portion 40) of the surface wiring 34.
  • a plating method, a sputtering method, or the like can be used as appropriate.
  • the laser irradiation device 80 includes at least a laser light source 81, a shutter 82, a polarizer 83, a half mirror 84, an objective lens 85, a substrate stage 86, a CCD camera 87, a control computer 88, and a substrate stage control shaft 93.
  • the laser irradiation device 80 irradiates a region where a fine structure having a hole shape or a groove shape is provided on the substrate 91 with a circularly or elliptically polarized laser beam 89 having a pulse width of a picosecond order or less, and the laser When forming the modified portion 92 by scanning the focal point where the light 89 is collected, a unit for irradiating the laser beam while maintaining the optical axis of the laser beam 89 in a constant direction with respect to the scanning direction of the focal point ( Means).
  • the laser beam 89 is irradiated to the substrate 91 placed on the substrate stage 86 to form the modified portion 92.
  • the direction of the arrow along the reforming unit 92 is the focus scanning direction of the laser beam 89.
  • the direction of the optical axis of the laser beam 89 (broken line arrow E) is perpendicular to the scanning direction.
  • the laser irradiation device 80 a known device that can irradiate a laser beam 89 having a pulse time width of a picosecond order or less can be used.
  • the polarizer 83 is controlled by the control computer 88 and can adjust the polarization of the laser beam 89 to be irradiated to a desired polarization among right circular polarization, left circular polarization, right elliptical polarization, and left elliptical polarization.
  • the substrate stage 86 which is one of the units, can arbitrarily adjust the direction, angle, and movement of the substrate 91 fixed on the substrate stage 86 by a substrate stage control shaft 93 connected to the lower portion of the substrate stage 86. Can be adjusted. Accordingly, the substrate stage 86 functions to align the direction of the optical axis E of the laser beam 83 with respect to the changed scanning direction in accordance with the change in the scanning direction of the focus.
  • the substrate stage 86 provided with the substrate stage control shaft 93 can arbitrarily adjust the orientation, angle, and movement of the substrate 91 in synchronization with the change in the scanning direction of the focal point. For example, when the scanning direction of the focal point of the laser beam 83 is changed from a direction parallel to the main surface of the substrate 91 to a direction perpendicular to the main surface of the substrate 91 (thickness direction of the substrate 91), the light of the laser beam 89 The direction of the axis E does not move, and the substrate stage 86 is inclined by 90 degrees so that the laser beam 89 is incident from the side surface of the substrate 91.
  • the direction of the optical axis E of the laser beam 89 can be kept constant with respect to the scanning direction of the focus.
  • the substrate stage 86 is fixed, the optical path of the laser beam 89 is switched, and the laser beam 89 is incident from the side surface of the substrate 91.
  • the direction of the optical axis E can be kept constant with respect to the scanning direction of the focus.
  • the substrate 91 is fixed to the substrate stage 86, the type of polarization of the laser beam 89 is adjusted by the polarizer 83, and information such as the scanning direction and the scanning area of the laser beam 89 is defined as a program for defining a series of processes. create.
  • the position of the substrate stage 86 is adjusted so that the direction of the optical axis E of the circularly or elliptically polarized laser beam 89 is maintained in a fixed direction with respect to the scanning direction of the focal point of the laser beam 89.
  • the tilt angle is adjusted.
  • the shutter 82 is opened (OPEN), and a laser beam 89 having a wavelength transparent to the substrate 91 is irradiated to a predetermined position of the substrate 91 by a predetermined amount.
  • the electrons of the material of the substrate 91 are not excited by the band gap, so the laser beam 89 is transmitted through the substrate 91.
  • the number of photons of the laser beam 89 is very large, multiphoton absorption occurs, electrons are excited, and a modified portion is formed.
  • the shutter 82 is closed. Subsequently, when the laser drawing is continued by changing the scanning direction of the focus of the laser beam 89, the position and the tilt angle of the substrate stage 86 are adjusted again, and the process is repeated. When drawing is finished, the laser irradiation is finished and the process is completed.
  • the relative direction of the optical axis E of the laser beam 89 with respect to the scanning direction of the focal point of the laser beam 89 is controlled by adjusting the substrate stage 86.
  • the adjustment of the substrate stage 86 is not performed, and the optical path of the laser beam 89 is controlled by using a separately provided mirror or objective lens (not shown), and at a desired incident angle.
  • the relative direction of the optical axis E of the laser beam 89 with respect to the scanning direction of the focal point of the laser beam 89 can be controlled as desired.
  • the relative direction of the optical axis E of the laser beam 89 with respect to the scanning direction of the focal point of the laser beam 89 is controlled as desired. Also good.
  • the present invention has been completed with the laser polarized light being circularly polarized light or elliptically polarized light.
  • the problem at the time of using a linearly polarized laser is demonstrated.
  • FIGS. 18A to 18D and FIGS. 19A to 19D show a plane and a cross section of the substrate 111.
  • FIG. 18A and 19A are plan views of the substrate 111.
  • FIG. 18D and FIG. 19D are cross-sectional views of the substrate 111 taken along lines xx, y1-y1 and y2-y2 in FIG. 18A and FIG. 19A, respectively. .
  • modified portions to be two fine holes were formed with different directions of linearly polarized light of the irradiation laser (FIGS. 18A to 18D).
  • the substrate 111 was made of glass, and a femtosecond laser (linearly polarized laser) was used as a laser light source.
  • the substrate 111 was scanned while the focal point 185 of the first laser beam 181 was connected to the region where the first modified portion 114 was provided.
  • the scanning direction of the focal point 185 is the vertical direction (Y direction) of the substrate 111, and was performed with a single stroke as indicated by the arrow along the first modified portion 114.
  • the first modified portion 114 was formed while maintaining the direction P of the linearly polarized light of the first laser beam 181 as the Y direction and maintaining it parallel to the scanning direction of the focal point 185.
  • the region where the second modified portion 115 is provided was scanned while the focal point 186 of the second laser beam 182 was connected.
  • the scanning direction of the focal point 186 is the vertical direction (Y direction) of the substrate 111, and was performed with a single stroke as indicated by the arrow along the second modified portion 115.
  • the direction Q of the linearly polarized light of the second laser beam 182 is set to the horizontal direction (X direction) of the substrate 111, and is maintained perpendicular to the scanning direction of the focal point 186, thereby forming the second modified portion 115.
  • a circle drawn in the vicinity of the second laser beam 182 shown in FIG. 18D indicates that the direction Q of the linearly polarized light is the front side and the depth direction.
  • First fine holes 116 and second fine holes 117 which are holes (vias), were formed (FIGS. 19A to 19D).
  • the depth of each formed fine hole was measured, the depth of the first fine hole 116 was about 1 ⁇ 2 of the depth of the second fine hole 117. That is, the etching rate of the first microhole 116 / the etching rate of the second microhole 117 was about 1 ⁇ 2.
  • the inner wall surfaces of the etched region F1 of the first microhole 116 and the etched region F2 of the second microhole 117 shown in FIGS. 19C and 19D are formed on the substrate 111 which is the irradiation direction of the laser beam.
  • the substrate 111 which is the irradiation direction of the laser beam.
  • the direction in which the striped uneven profile H01 of the first microhole 116 extends is perpendicular to the extending direction of the first microhole 116 and perpendicular to the linearly polarized direction P of the first laser beam 181.
  • the direction in which the striped uneven profile H02 of the second microhole 117 extends is parallel to the extending direction of the second microhole 117 and is perpendicular to the linearly polarized direction Q of the second laser beam 182.
  • corrugated profile shown to FIG. 20A and 20B is not limited to a specific number. The number can be changed by controlling the use conditions of the laser light to be used and the degree of linearly polarized light.
  • the etching rate is high.
  • the area S1 and the area H1 that is difficult to etch (slow etching rate) are alternately perpendicular to the scanning direction (Y direction) of the first laser beam 181 and the direction of the linearly polarized light of the first laser beam 181 It was found that it was formed perpendicular to P (Y direction) (FIG. 21).
  • the area S ⁇ b> 2 that is easily etched (high etching speed) and the area S ⁇ b> 2 that is difficult to etch (low etching speed) H2 is alternately formed parallel to the scanning direction (Y direction) of the second laser beam 182 and perpendicular to the linearly polarized direction Q (X direction) of the second laser beam 182.
  • Fig. 21 the number of each area shown in FIG. 21 is not limited to a specific number. The number can be changed by controlling the use conditions of the laser light to be used and the degree of linearly polarized light.
  • the etching solution advances into the substrate 111 in the first modified portion 114, the first modified portion 114 is blocked by a plurality of areas H1 that are difficult to etch.
  • the etching solution advances into the substrate 111 in the second modified portion 115, the area S2 that is likely to be etched first is removed, and the etching solution flows deep into the second modified portion 115.
  • the plurality of areas H2 that reach and are not easily etched thereafter are etched in parallel by the etching solution that has been replaced with the area where the area S2 has already been removed.
  • FIGS. 22A to 22C show a plan view and a cross section of the substrate 101.
  • FIG. 22A, FIG. 23, and FIG. 25A are plan views of the substrate 101.
  • 22B, 24A, 25B, 22C, 24B, and 25C are cross-sectional views of the substrate 101 taken along lines y1-y1 and y2-y2 in FIGS. 22A, 23, and 25A, respectively.
  • FIG. 23 is a plan view of the substrate 101.
  • part (a) is a plan view of the substrate 101
  • part (b) and part (c) are enlarged views of the first modified part 104 and the second modified part 105, respectively.
  • 24A and 24B are cross-sectional views taken along lines y1-y1 and y2-y2 in part (a) of FIG.
  • part (a) of FIG. 24A is a cross-sectional view taken along line y1-y1 in the plan view of the substrate 101
  • part (b) of FIG. 24A is an enlarged view of the cross-sectional view of part (a).
  • Part (a) of FIG. 24B is a cross-sectional view taken along line y2-y2 in the plan view of the substrate 101
  • part (b) of FIG. 24B is an enlarged view of the cross-sectional view of the part (a).
  • the substrate 101 was irradiated from the upper surface of the substrate 101 while the focal point 185 of the first laser beam 181 was connected to the region to be the first modified portion 104.
  • the scanning direction of the focal point 185 is the vertical direction (Y direction) of the substrate 101 and the substrate thickness direction, and as shown by the arrows along the first modified portion 104, one stroke is written in the order of the region ⁇ , the region ⁇ , and the region ⁇ . I went by writing.
  • the modified portion 104 is formed by maintaining the linear polarization direction P of the first laser light 181 perpendicular to the scanning direction of the focal point 185 (the thickness direction of the substrate 101). did.
  • the first modified portion 104 is formed while maintaining the direction P of the linearly polarized light of the first laser beam 181 parallel to the scanning direction (Y direction) of the focal point 185 (FIG. 22B). ).
  • the area S1 that is easily etched and the area H1 that is difficult to etch run side by side, and the extending direction (substrate thickness direction) of the first modified portion 104 ) In parallel with each other.
  • the area S1 that is easy to etch and the area H1 that is difficult to etch are alternately perpendicular to the extending direction (Y direction) of the first modified portion 104. Formed (FIGS. 23, 24A, 24B). Note that the number of each area shown in FIGS. 24A and 24B is not limited to a specific number. The number can be changed by controlling the use conditions of the laser light to be used and the degree of linearly polarized light.
  • the region of the substrate 101 that is to be the second modified portion 105 was irradiated from the upper surface of the substrate 101 while the focal point 186 of the second laser beam 182 was connected.
  • the scanning direction of the focal point 186 is the vertical direction (Y direction) of the substrate 101 and the substrate thickness direction, and as shown by the arrows along the second modified portion 105, one stroke is written in the order of region ⁇ , region ⁇ , region ⁇ . I went there.
  • the direction Q of the linearly polarized light of the second laser light 182 is maintained perpendicular to the scanning direction (Y direction or substrate thickness direction) of the focal point 186, and the second laser light 182 is maintained.
  • the reforming part 105 was formed (FIG. 22C). Note that a circle drawn in the vicinity of the second laser beam 182 shown in FIG. 22C indicates that the direction Q of the linearly polarized light is the front side and the depth direction.
  • the first modified portion 104 and the second modified portion 105 have the same shape, the region ⁇ has a length of 50 ⁇ m, the region ⁇ has a length of 200 ⁇ m, and the region ⁇ has a length of 50 ⁇ m.
  • the substrate 101 was made of glass, and a femtosecond laser (linearly polarized laser) was used as a laser light source.
  • the fine structure forming method according to the embodiment of the present invention and the laser irradiation apparatus used in the method can be suitably used for manufacturing a wiring board used for an IC or an electronic component.

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Abstract

　基板において孔状又は溝状の微細構造を設ける領域に、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有する円偏光又は楕円偏光レーザー光を照射し、前記レーザー光が集光した焦点を走査して改質部を形成する工程Ａと、前記改質部が形成された前記基板に対してエッチング処理を行い、前記改質部を除去して微細構造を形成する工程Ｂと、を含む微細構造の形成方法である。

Description

微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板
　本発明は、レーザー光を用いて基板に微細構造を形成する方法、この方法で使用されるレーザー照射装置、及びこの方法を用いて製造された基板に関する。より詳しくは、本発明は、レーザー光を用いて基板に微細孔を形成する方法、この方法で使用されるレーザー照射装置、及びこの方法を用いて製造された基板に関する。
　本願は、２０１０年４月８日に、日本に出願された特願２０１０－０８９５１０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　従来、基板の第一の主面（一方の主面）および第二の主面（他方の主面）に実装された複数のデバイス間を電気的に接続する方法として、基板の両主面を貫通する微細孔や基板表面近傍に微細溝等の微細構造を形成し、さらにこの微細孔やこの微細溝に導電性物質を充填した配線を設ける方法が用いられている。例えば、特許文献１には、基板の厚み方向とは異なる方向に延びる部分を有する微細孔に導電性物質を充填してなる貫通配線を備えた貫通配線基板が記載されている。
　このような配線基板における微細孔及び微細溝等の微細構造を形成する方法としては、レーザーを用いてガラス等の基板の一部を改質した後、改質した部分をエッチングにより除去する方法が挙げられる。具体的には、まず光源としてフェムト秒レーザーを用い、このレーザーを基板に照射して基板内部の改質すべき箇所にレーザー焦点を結び、この焦点を移動させて改質すべき領域を走査することによって、基板内部に所定形状の改質部を形成する。次いで、改質部が形成された基板を所定の薬液に浸漬するウェットエッチング法により、この改質部が基板内から除去されて微細孔及び微細溝等の微細構造が形成される。
日本国特開２００６－３０３３６０号公報
　従来方法では、ウェットエッチング法で改質部を基板から除去する際、改質部の形状が同程度の複雑さであっても、基板における配置が相違する個々の微細孔及び微細溝において、エッチングの容易さ（エッチング速度）が異なるという問題があった。例えば、図２６に示す基板１０１では、第一の改質部１０２は容易にエッチングされるが、第二の改質部１０３はエッチングされ難く、エッチング時間が長くなる問題があった。このため、第二の改質部１０３のエッチングが完了するまでに、レーザーが照射されない非改質部のエッチングが過度に進行してしまうという問題があった。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、基板における配置に左右されず、ほぼ一定のエッチング速度で微細孔等の微細構造を形成することができる微細構造の形成方法、この形成方法に使用されるレーザー照射装置、及びこの形成方法を用いて製造された基板を提供することを目的とする。
　本発明の態様１に記載の微細構造の形成方法は、基板において孔状又は溝状の微細構造を設ける領域に、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有する円偏光又は楕円偏光レーザー光を照射し、前記レーザー光が集光した焦点を走査して改質部を形成する工程Ａと、前記改質部が形成された前記基板に対してエッチング処理を行い、前記改質部を除去して微細構造を形成する工程Ｂと、を含む微細構造の形成方法である。
　本発明の態様２に記載の微細構造の形成方法は、前記態様１における前記工程Ａにおいて、前記レーザー光の光軸の向きを、前記焦点を走査する方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射してもよい。
　本発明の態様３に記載の微細構造の形成方法は、前記態様１又は２において、前記一定の方向は、前記焦点を走査する方向に対して垂直であってもよい。
　本発明の態様４に記載の微細構造の形成方法は、前記態様１～３のいずれか一項において、前記工程Ａにおいて、前記基板の主面側のみから前記レーザー照射してもよい。
　本発明の態様５に記載の微細構造の形成方法は、前記態様１～４のいずれか一項において、前記微細構造において変曲部を形成してもよい。
　本発明の態様６に記載のレーザー照射装置は、基板において孔状又は溝状の微細構造を設ける領域に、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有する円偏光又は楕円偏光レーザー光を照射し、前記レーザー光を集光した焦点を走査して改質部を形成する際、前記レーザー光の光軸の向きを、前記焦点を走査する方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射するユニットを備える。
　本発明の態様７に記載のレーザー照射装置は、前記態様６において、前記ユニットは基板ステージであり、前記基板ステージは、前記焦点の走査方向の変更に応じて、前記変更後の走査方向に対する前記レーザー光の光軸の向きを、一定の方向に合わせるように機能してもよい。
　本発明の態様８に記載の基板は、前記態様１～５に記載の微細構造の形成方法を用いて製造される。
　本発明の態様９に記載の基板は、前記態様８において、前記基板には、さらに流体が流通するための流路が形成されてもよい。
　本発明の態様に係る微細構造の形成方法によれば、レーザー光として円偏光又は楕円偏光レーザー光を用いることにより、微細構造となる改質部において、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制することができる。その結果、形成された改質部におけるエッチングのされ易さに大きなバラつきが生じず（エッチングのされ易さが異なるエリアが、後述するように、縞状に形成された場合と比べて）、比較的スムーズにエッチングを行うことができる。このため、前記改質部の基板における配置や形状に左右されず、大きなバラつきの無いエッチング速度で微細構造を形成することができるので、微細孔等の微細構造の大きさを精度良く制御することができる。各微細構造となる改質部のエッチング時間は、前記微細構造となる改質部の長さ及び深さに依存するため、微細構造の設計段階でエッチング時間を算出することができ、生産管理が容易になる。
　前記レーザー光の光軸の向きを、レーザー光の焦点の走査方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射する場合、微細構造となる改質部において、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制することができる。さらに、前記改質部が基板において形成された位置に依存せずに、前記改質部をほぼ均一の状態で改質することができる。すなわち、形成する改質部の全長のうち、レーザー光の焦点の走査方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射して形成した領域（区間）において、エッチングされ易さを、ほぼ均一にすることができる。このため、前記改質部の基板における配置や形状に左右されず、ほぼ一定のエッチング速度で微細構造を形成することができるので、微細孔等の微細構造の大きさをより精度良く制御することができる。各微細構造となる改質部のエッチング時間は、前記微細構造となる改質部の長さ及び深さに依存するため、微細構造の設計段階でエッチング時間を算出することができ、生産管理がより容易になる。
　前記レーザー光の光軸の向きを、レーザー光の焦点の走査方向に対して垂直に維持しつつレーザー照射する場合、微細構造となる改質部において、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制し、両エリアが不定形で混在したパターンを前記走査方向に沿わせて形成することができる。つまり、前記改質部は、基板において形成された位置に依存せず、何処に形成されてもほぼ同じ状態で、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが混在したパターンを、前記走査方向に沿わせて形成することができる。垂直に維持しつつレーザー照射したことによって、形成した改質部のエッチングされ易さをほぼ一定にするとともに、エッチング速度を速めることができる。これは、垂直に維持しつつレーザー照射したことによって、改質部において、エッチングされやすいエリアが前記走査方向に沿って準連続的に形成される傾向があるからである。
　したがって、前記改質部の基板における配置や形状に左右されず、ほぼ一定のエッチング速度で微細構造を形成することができるので、微細孔等の微細構造の大きさをより精度良く制御することができる。また、エッチング工程に要する時間を短縮することも可能である。各微細構造となる改質部のエッチング時間は、前記微細構造となる改質部の長さ及び深さに依存するため、微細構造の設計段階でエッチング時間を算出することができ、生産管理がより容易になる。
　前記基板の主面側のみからレーザー照射する場合、前記基板の側面からレーザー照射する場合に比べて、容易に前記改質部を形成することができる。つまり、前記基板の側面は主面に比べて極めて小さい面積であるため、前記側面側からレーザー照射する場合には、前記レーザー光を前記基板の側面に対してほぼ垂直に照射しなければならず、必ずしも容易ではない。
　一方、前記基板の主面は比較的広い面積を有するため、前記主面側からレーザー照射して前記基板の任意の位置に前記レーザー光の焦点を結ぶ場合、必ずしも前記主面に対して垂直にレーザー照射する必要はなく、容易である。
　なお、前記基板の主面とは、平板状の基板を構成する面のうち最も広い面積を有する面のことであり、通常、前記基板は対向する２つの主面を有する。本発明の態様では、２つの主面のうち一方の主面（第一の主面）からのみレーザー照射してもよく、一方の主面（第一の主面）および他方の主面（第二の主面）の両方からレーザー照射してもよい。
　前記微細構造において変曲部を形成する場合、前記変曲部となる改質部において、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制し、前記変曲部に沿った改質部をスムーズに形成することができる。このため、前記変曲部となる改質部と、それ以外の直線部となる改質部とのエッチングされ易さを同程度にすることができる。その結果、精度の高い形状で、前記変曲部を有する前記微細構造を形成することができる。
　また、本発明の態様に係るレーザ照射装置によれば、円偏光又は楕円偏光レーザー光の光軸の向きを、レーザー光の焦点の走査方向に対して一定の方向に維持するユニットを有するため、前記基板に所望の形状で形成された改質部において、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制することができる。さらに、前記改質部が基板において形成された位置に依存せずに、前記改質部をほぼ均一の状態で改質することができる。この結果、別途行われるウェットエッチング工程において、前記基板における改質部の配置や形状に左右されずに、ほぼ一定のエッチング速度で前記改質部を前記基板から除去することができるので、形成される微細孔等の微細構造の大きさを精度良く制御することができる。
　また、本発明の態様に係る基板によれば、前記基板内に精度の良い形状で形成された微細構造を有する基板を提供することができる。
　この微細構造を貫通配線として用いる場合、前記微細構造に導電性物質を充填または成膜することによって、高精度の形状を有する配線を備えた配線基板を提供することができる。
　また、前記微細構造を流体を流通するための流路として用いる場合、前記微細構造（流路）に目的に応じて様々な流体を流通することができる。例えば、前記基板を配線基板として用いる場合、この微細孔（流路）に空気や水等の冷媒を流通するとき、この冷却機能によって、この配線基板に発熱量の大きいデバイスを実装した場合であっても、温度上昇を効果的に低減することが可能になる。その他、前記基板を、マイクロフルイディクス技術を利用したバイオ実験システムを集積化した基板として用いる場合、前記微細孔（流路）には、ＤＮＡ（核酸）、タンパク質、脂質等の生体高分子溶液を流通させる流路に適用することもできる。
本発明にかかる配線基板の一例を示す平面図である。 図１Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図１Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明にかかる配線基板の一例を示す平面図である。 図２Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図２Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明にかかる配線基板の別の一例を示す平面図である。 図３Ａのｘ１－ｘ１線に沿った断面図である。 図３Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 図３Ａのｘ２－ｘ２線に沿った断面図である。 本発明にかかる配線基板の他の一例を示す平面図である。 図４Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図４Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明にかかる配線基板の他の一例を示す平面図である。 図５Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図５Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明にかかる微細構造の形成方法の一例における基板を示す平面図である。 図６Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図６Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明で用いるレーザー光が、このレーザー光の焦点の走査方向となす角を説明する図である。 本発明にかかる微細構造の形成方法の一例における基板の断面図である。 本発明にかかる微細構造の形成方法の一例における基板の断面図である。 本発明にかかる微細構造の形成方法の別の一例における基板の断面図である。 本発明にかかる微細構造の形成方法の一例における基板を示す平面図である。 図１１Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図１１Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明にかかる微細構造の形成方法の一例における基板を示す平面図である。 図１２Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図１２Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明にかかる微細構造の形成方法の他の一例における基板を示す平面図である。 図１３Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図１３Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明にかかる微細構造の形成方法の他の一例における基板を示す平面図である。 図１４Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図１４Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明にかかる微細構造の形成方法の他の一例における基板を示す平面図である。 図１５Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図１５Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。 本発明にかかるレーザー照射装置の一例の概略構成図である。 本発明にかかるレーザー照射装置を用いた配線基板の製造方法の一例を示すフローチャート図である。 基板の平面図である。 図１８Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図１８Ａのｙ１－ｙ１線に沿った断面図である。 図１８Ａのｙ２－ｙ２線に沿った断面図である。 基板の平面図である。 図１９Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図１９Ａのｙ１－ｙ１線に沿った断面図である。 図１９Ａのｙ２－ｙ２線に沿った断面図である。 図１９Ｃにおける領域Ｆ１の拡大図である。 図１９Ｄにおける領域Ｆ２の拡大図である。 微細構造の形成方法を説明する基板の平面図である。 基板の平面図である。 図２２Ａのｙ１－ｙ１線に沿った断面図である。 図２２Ａのｙ２－ｙ２線に沿った断面図である。 部分(ａ)は基板の平面図、部分（ｂ）及び部分（ｃ）は拡大図である。 部分（ａ）は、図２３の部分（ａ）におけるｙ１－ｙ１線に沿う断面図であり、部分（ｂ）は拡大図である。 部分（ａ）は、図２３の部分（ａ）におけるｙ２－ｙ２線に沿う断面図であり、部分（ｂ）は拡大図である。 基板の平面図である。 図２５Ａのｙ１－ｙ１線に沿った断面図である。 図２５Ａのｙ２－ｙ２線に沿った断面図である。 微細構造である微細孔が形成された従来の基板の一例である。 図２６Ａのｘ－ｘ線に沿った断面図である。 図２６Ａのｙ－ｙ線に沿った断面図である。
　以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。以下では基板に微細構造を形成し、この微細構造を貫通配線又は流路として用いる場合を例に挙げて説明しているが、本発明における基板に形成された微細構造の用途はこれに限定されるものではない。
 
＜第一実施形態：貫通配線基板１０＞
　図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃは、本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法によって製造できる配線基板の一例である貫通配線基板１０を示す。図１Ａは貫通配線基板１０の平面図で、図１Ｂ及び図１Ｃは、貫通配線基板１０の断面図である。図１Ｂは図１Ａのｘ－ｘ線に沿った断面を示し、図１Ｃは図１Ａのｙ－ｙ線に沿った断面を示す。
　この貫通配線基板１０は、第一の貫通配線７及び第二の貫通配線８を備えている。基板１には、基板１を構成する第一の主面（一方の主面）２と第二の主面（他方の主面）３とを結ぶように第一の微細孔４及び第二の微細孔５が形成されている。第一の貫通配線７及び第二の貫通配線８は、前記第一及び第二の微細孔中に導電性物質６を充填又は成膜してなる。
　第一の貫通配線７は、第一の主面２に露呈する開口部９から第一屈曲部１１まで基板１の厚み方向に延伸する領域αと、第一屈曲部１１から第二屈曲部１２まで基板１の主面と平行に、且つ基板１の横方向（Ｘ方向）に延伸する領域βと、第二屈曲部１２から第二の主面３に露呈する開口部１３まで基板１の厚み方向に延伸する領域γとからなる。
　第一の貫通配線７の領域α、領域β、及び領域γには、第一の微細孔４の領域α、領域β、及び領域γが対応する。
　第二の貫通配線８は、第一の主面２に露呈する開口部１４から第一屈曲部１５まで基板１の厚み方向に延伸する領域αと、第一屈曲部１５から第二屈曲部１６まで基板１の主面と平行に、且つ基板１の縦方向（Ｙ方向）に延伸する領域βと、第二屈曲部１６から第二の主面３に露呈する開口部１７まで基板１の厚み方向に延伸する領域γとからなる。
　第二の貫通配線８の領域α、領域β、及び領域γには、第二の微細孔５の領域α、領域β、及び領域γが対応する。
 
＜第二実施形態：貫通配線基板２１０＞
　図２Ａ、図２Ｂ、及び図２Ｃは、本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法によって製造できる配線基板の他の一例である貫通配線基板２１０を示す。図２Ａは、貫通配線基板２１０の平面図である。図２Ｂ及び図２Ｃは、貫通配線基板２１０の断面図である。図２Ｂは図２Ａのｘ－ｘ線に沿った断面を示し、図２Ｃは図２Ａのｙ－ｙ線に沿った断面を示す。
　この貫通配線基板２１０は、第一の貫通配線２０７及び第二の貫通配線２０８を備えている。基板２０１には、基板２０１を構成する第一の主面（一方の主面）２０２と第二の主面（他方の主面）２０３とを結ぶように第一の微細孔２０４及び第二の微細孔２０５が形成されている。第一の貫通配線２０７及び第二の貫通配線２０８は、第一及び第二の微細孔中に導電性物質２０６を充填又は成膜してなる。
　第一の貫通配線２０７は、第一の主面２０２に露呈する開口部２０９から第一変曲部２１１まで基板２０１の厚み方向に延伸する領域α（直線部α）と、第一変曲部２１１から第二変曲部２１２まで基板２０１の二つの主面と平行に、且つ基板２０１の横方向（Ｘ方向）に延伸する領域β（直線部β）と、第二変曲部２１２から第二の主面２０３に露呈する開口部２１３まで基板２０１の厚み方向に延伸する領域γ（直線部γ）とからなる。
　第一の貫通配線２０７の領域α、領域β、及び領域γには、第一の微細孔２０４の領域α、領域β、及び領域γが対応する。
　第一の貫通配線２０７の中心線に沿った縦断面において、第一変曲部２１１および第二変曲部２１２の形状は円弧状である。本実施形態に係る第一変曲部２１１および第二変曲部２１２において、前記中心線の描く円弧の曲率半径Ｒは７０μｍとし、第一の貫通配線２０７の直径を４０μｍとし、基板２０１の厚みは３００μｍとした。
　前記曲率半径Ｒとしては、第一の貫通配線２０７の直径及び基板２０１の厚みにもよるが、１０～１０００μｍの範囲であることが好ましい。この範囲の曲率半径であると、領域αと領域βとを、及び、領域βと領域γとを、第一及び第二変曲部２１１，２１２を介してより滑らかに接続することができる。
　第一の貫通配線２０７が屈曲部の代わりに変曲部を有することによって、高周波信号等の電気信号の伝送損失を低減することができ、且つ、第一の微細孔２０４から導電性物質２０６が剥離することによる導通不良を抑制することができる。
　第二の貫通配線２０８は、第一の主面２０２に露呈する開口部２１４から第一変曲部２１５まで基板２０１の厚み方向に延伸する領域α（直線部α）と、第一変曲部２１５から第二変曲部２１６まで基板２０１の主面と平行に、且つ基板１の縦方向（Ｙ方向）に延伸する領域β（直線部β）と、第二変曲部２１６から第二の主面２０３に露呈する開口部２１７まで基板２０１の厚み方向に延伸する領域γ（直線部γ）とからなる。
　第二の貫通配線２０８の領域α、領域β、及び領域γには、第二の微細孔２０５の領域α、領域β、及び領域γが対応する。
　第二の貫通配線２０８の中心線に沿った縦断面において、第一変曲部２１４および第二変曲部２１５の形状は円弧状である。本実施形態に係る第一変曲部２１５および第二変曲部２１６において、前記中心線の描く円弧の曲率半径Ｒは７０μｍとし、第二の貫通配線２０８の直径を４０μｍとし、基板２０１の厚みは３００μｍとした。
　前記曲率半径Ｒとしては、第二の貫通配線２０８の直径及び基板２０１の厚みにもよるが、１０～１０００μｍの範囲であることが好ましい。この範囲の曲率半径であると、領域αと領域βとを、及び、領域βと領域γとを、第一及び第二変曲部２１５，２１６を介してより滑らかに接続することができる。
　第二の貫通配線２０８が屈曲部の代わりに変曲部を有することによって、高周波信号等の電気信号の伝送損失を低減することができ、且つ、第一の微細孔２０５から導電性物質２０６が剥離することによる導通不良を抑制することができる。
 
＜第三実施形態：貫通配線基板３１０＞
　図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、及び図３Ｄは、本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法によって製造できる配線基板の他の一例である貫通配線基板３１０を示す。図３Ａは、貫通配線基板３１０の平面図、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄは、断面図である。図３Ｂは図３Ａのｘ１－ｘ１線に沿った断面を示し、図３Ｃは図３Ａのｙ－ｙ線に沿った断面を示し、図３Ｄは図３Ａのｘ２－ｘ２線に沿った断面を示す。
　この貫通配線基板３１０は、基板３０１を構成する第一の主面（一方の主面）３０２と第二の主面（他方の主面）３０３とを結ぶように第一の微細孔３０４及び第二の微細孔３０５を配し、各微細孔中に導電性物質３０６を充填又は成膜してなる第一の貫通配線３０７及び第二の貫通配線３０８を備え、且つ、第一の微細孔ｇ１からなる第一流路Ｇ１が設けられている。
　第一の貫通配線３０７は、第一の主面３０２に露呈する開口部３０９から第一屈曲部３１１まで基板３０１の厚み方向に延伸する領域αと、第一屈曲部３１１から第二屈曲部３１２まで基板３０１の主面と非平行に斜めを成し、且つ基板３０１の横方向（Ｘ方向）に延伸する領域βと、第二屈曲部３１２から第二の主面３０３に露呈する開口部３１３まで基板３０１の厚み方向に延伸する領域γとからなる。
　第一の貫通配線３０７の領域α、領域β、及び領域γには、第一の微細孔３０４の領域α、領域β、及び領域γが対応する。
　第二の貫通配線３０８は、第一の主面３０２に露呈する開口部３１４から第一屈曲部３１５まで基板３０１の厚み方向に延伸する領域αと、第一屈曲部３１５から第二屈曲部３１６まで基板３０１の主面と非平行に斜めを成し、且つ基板３０１の縦方向（Ｙ方向）に延伸する領域βと、第二屈曲部３１６から第二の主面３０３に露呈する開口部３１７まで基板３０１の厚み方向に延伸する領域γとからなる。
　第二の貫通配線３０８の領域α、領域β、及び領域γには、第二の微細孔３０５の領域α、領域β、及び領域γが対応する。
　第一の微細孔ｇ１からなる第一流路Ｇ１は、基板３０１の両主面に沿うように、基板３０１の横方向（Ｘ方向）に延伸して設けられている。第一の微細孔ｇ１は、基板１の対向する二つの側面に、冷媒が出入りするための開口部を有する。
　なお、図１Ａ乃至図２Ｃでは示していないが、微細孔からなる同様の流路は、前述の貫通配線基板１０及び２１０においても設けることができる。
 
＜第四実施形態：表面配線基板３０＞
　図４Ａ、図４Ｂ、及び図４Ｃは、本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法によって製造できる配線基板の別の一例である表面配線基板３０を示す。図４Ａは、表面配線基板３０の平面図、図４Ｂ及び図４Ｃは断面図である。図４Ｂは図４Ａのｘ－ｘ線に沿った断面を示し、図４Ｃは図４Ａのｙ－ｙ線に沿った断面を示す。
　この表面配線基板３０は、基板３１を構成する第一の主面（一方の主面）３２の表面に形成された第一の微細溝３４を配し、その微細溝３４に導電性物質３６を充填又は成膜してなる第一の表面配線３７を備えている。
　第一の表面配線３７は、第一端部（一端部）３８から第一屈曲部３９まで基板３１の横方向（Ｘ方向）に延伸する領域ζと、第一屈曲部３９から第二端部（他端部）４０まで基板３１の縦方向（Ｙ方向）に延伸する領域ηとからなる。
　第一の表面配線３７の領域ζ及び領域η、並びに第一端部３８、第一屈曲部３９、及び第二端部４０は、第一の微細溝３４の領域ζ及び領域η、並びに第一端部３８及び第二端部４０に対応する。
 
＜第五実施形態：表面配線基板２３０＞
　図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃは、本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法によって製造できる配線基板の別の一例である表面配線基板２３０を示す。図５Ａは、表面配線基板２３０の平面図、図５Ｂ及び図５Ｃは断面図である。図５Ｂは図５Ａのｘ－ｘ線に沿った断面を示し、図５Ｃは図５Ａのｙ－ｙ線に沿った断面を示す。
　この表面配線基板２３０は、基板２３１を構成する第一の主面（一方の主面）２３２の表面に形成された第一の微細溝２３４を配し、その微細溝２３４に導電性物質２３６を充填又は成膜してなる第一の表面配線２３７を備えている。
　第一の表面配線２３７は、第一端部（一端部）２３８から第一変曲部２３９まで基板２３１の横方向（Ｘ方向）に延伸する領域ζ（直線部ζ）と、第一変曲部２３９から第二端部（他端部）２４０まで基板２３１の縦方向（Ｙ方向）に延伸する領域η（直線部η）とからなる。
　第一の表面配線２３７の領域ζ及び領域η、並びに第一端部２３８、第一変曲部２３９、及び第二端部２４０には、第一の微細溝２３４の領域ζ及び領域η、並びに第一端部２３８及び第二端部２４０が対応する。
　第一の表面配線２３７を基板厚み方向に見たとき、第一変曲部２３９の形状は円弧状である。本例では、第一変曲部２３９の描く円弧の曲率半径Ｒは７０μｍとし、第一の表面配線２３７の直径を４０μｍとした。
　前記曲率半径Ｒとしては、第一の貫通配線２３７の直径にもよるが、１０～１０００μｍの範囲であることが好ましい。この範囲の曲率半径Ｒであると、領域ζと領域ηとを第一変曲部２３９を介してより滑らかに接続することができる。
　第一の表面配線２３７が屈曲部の代わりに変曲部を有することによって、高周波信号等の電気信号の伝送損失を低減することができ、且つ、微細溝２３４から導電性物質２３６が剥離することによる導通不良を抑制することができる。
　貫通配線基板１０，２１０，３１０及び表面配線基板３０，２３０における基板１，２０１，３１，２３１の材料としては、例えばガラス、サファイア等の絶縁体や、シリコン（Ｓｉ）等の半導体が挙げられる。これらの材料であれば、半導体デバイスとの線膨張係数差が小さいため、前記貫通配線基板又は前記表面配線基板と半導体デバイスとを、半田等を用いて接続する際に、位置ズレが生じず、精度の高い接続が可能となる。さらに、これらの材料のなかでも、絶縁性のガラスが好ましい。基板材料がガラスであると、微細孔及び微細溝の内壁面に絶縁層を形成する必要がなく、浮遊容量成分の存在等による高速伝送の阻害要因がない等の利点がある。
　基板１，２０１，３０１，３１，２３１の厚さ（第一の主面２，２０２，３０２，３２，２３２から第二の主面３，２０３，３０３，３３，２３３までの距離）は適宜設定することができ、例えば約１５０μｍ～１ｍｍの範囲が挙げられる。
　貫通配線基板１０，２１０，３１０及び表面配線基板３０，２３０に配された各微細孔７，８，２０７，２０８，３０７，３０８及び第一の微細溝３７，２３７に充填又は成膜する導電性物質６，２０６，３６，２３６，３０６としては、例えば金錫（Ａｕ－Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。
　本発明の実施形態にかかる配線基板に形成されている微細構造の形状、並びに貫通配線、表面配線、及び流路のパターンや断面形状は、以上の例示に限定されるものではなく、適宜設計することが可能である。
 
＜貫通配線基板１０を製造する方法＞
　次に、本発明の配線基板における微細孔及び微細溝の形成方法の一例として、貫通配線基板１０を製造する方法を、図６Ａ～図１５Ｃに示す。
　ここで、図６Ａ～図６Ｃ，図１１Ａ～図１５Ｃは、貫通配線基板１０を製造する基板１の平面図および断面図である。図６Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、図１３Ａ、図１４Ａ、図１５Ａは基板１の平面図であり、図６Ｂ、図６Ｃ、図１１Ｂ、図１１Ｃ、図１２Ｂ、図１２Ｃ、図１３Ｂ、図１３Ｃ、図１４Ｂ、図１４Ｃ，図１５Ｂ、及び図１５Ｃはそれぞれの平面図のｘ－ｘ線及びｙ－ｙ線に沿う基板１の断面図である。
[工程Ａ]
　まず、図６Ａ～図６Ｃに示すように、基板１に第一のレーザー光５１及び第二のレーザー光５２を照射して、基板１内に基板１の材料が改質されてなる第一の改質部５３及び第二の改質部５４を形成する。各改質部は、第一の貫通配線７及び第二の貫通配線８が設けられる領域にそれぞれ形成される。第一のレーザー光５１及び第二のレーザー光５２の偏光は、円偏光又は楕円偏光である。
　基板１の材料としては、例えばガラス、サファイア等の絶縁体や、シリコン（Ｓｉ）等の半導体が挙げられる。これらの材料であれば、半導体デバイスとの線膨張係数差が小さいため、前記貫通配線基板又は前記表面配線基板と半導体デバイスとを、半田等を用いて接続する際に、位置ズレが生じず、精度の高い接続が可能となる。さらに、これらの材料のなかでも、絶縁性のガラスが好ましい。基板材料がガラスであると、微細孔の内壁面に絶縁層を形成する必要がなく、浮遊容量成分の存在等による高速伝送の阻害要因がない、等の利点がある。
　基板１の厚さは適宜設定することができ、例えば約１５０μｍ～１ｍｍの範囲に設定すればよい。
　第一のレーザー光５１及び第二のレーザー光５２は、基板１の第一の主面（一方の主面）２側から照射され、基板１内の所望の位置で第一の焦点５６及び第二の焦点５７を結んでいる。各焦点５６，５７を結んだ位置で、基板１の材料が改質される。
　したがって、第一のレーザー光５１，第二のレーザー光５２を照射しながら、第一の焦点５６，第二の焦点５７の位置を順次ずらして走査（移動）して、第一の微細孔４，第二の微細孔５が設けられる領域の全部に対して、各焦点５６，５７を結ぶことによって、第一の改質部５３及び第二の改質部５４を形成することができる。
　各レーザー光５１，５２は、基板１の第一の主面２及び／又は第二の主面（他方の主面）３側から照射してもよいし、基板１の側面から照射してもよい。前記両主面２，３側のみからレーザー光を照射する方が容易であるため好ましい。各レーザー光５１，５２の光軸Ｅが基板１に入射する角度は所定の角度に設定される。各レーザー光５１，５２は単一のレーザー光を用いて順に照射してもよいし、複数のレーザー光を用いて同時に照射してもよい。
　また、各レーザー光５１，５２の焦点５６，５７を走査する方向としては、例えば図６Ｂ及び図６Ｃに示した各改質部５３，５４に沿った実線の矢印のように、領域γ，領域β，領域αの順に走査する一筆書きの方向が挙げられる。すなわち、前記矢印は、基板１の第二の主面３の開口部１３，１７となる部位から、第一の主面２の開口部９，１４となる部位まで、この焦点５６，５７を走査することを表す。このとき、前記矢印の向きで一筆書きの走査を行うことが、製造効率上好ましい。
　レーザー光の光軸Ｅが、焦点の走査方向（改質部の延伸方向）に対してなす角度は、図７に示すように、角度θと角度φとで規定できる。つまり、図７のｘｙｚの３軸直交座標系において、ｘ軸の正方向を焦点の走査方向とした場合、前記レーザー光の光軸Ｅ（矢印Ｅで示す）は、このｘ軸の正方向に対してなす角度θと、ｚ軸の正方向に対してなす角度φとで規定される。なお、図７において、矢印ｅは光軸Ｅ（レーザー光の照射方向）のｘ-ｙ平面への投影を示す。
　図６Ｂにおいて、第一のレーザー光５１の光軸Ｅの向きは、第一の焦点５６の走査方向（第一の改質部５３の領域βの延伸方向）に対して垂直であり、前記角度θ及びφは０度である。
　同様に、図６Ｃにおいて、第二のレーザー光５２の光軸Ｅの向きは、第二の焦点５７の走査方向（第二の改質部５４の領域βの延伸方向）に対して垂直であり、前記角度θ及びφは０度である。
　第一の改質部５３を形成するとき、第一のレーザー光５１の光軸Ｅの向きは、第一の焦点５６の走査方向に対して一定の方向に維持しつつ、領域α～γをレーザー照射することが好ましい（図８）。
　ここで、「レーザー光の光軸の向きを焦点の走査方向に対して一定の方向に維持する」とは、光軸Ｅの向きと焦点の走査方向との相対的な位置関係を一定に保つことを意味し、前記角度θ及びφをそれぞれ任意の特定角度に固定することを意味する。
　図８に示すように、第一の改質部５３を形成する際、第一のレーザー光５１の光軸Ｅの向きを、第一の焦点５６の走査方向に対して垂直に維持しつつ、領域γ，領域β，領域αの順に照射した場合、各領域における光軸Ｅの向きは、順にＥ１，Ｅ２，Ｅ３の破線矢印で示される。ここで、図８は、図６Ｂと同じ断面を示しており、各領域α～γの延伸方向に沿った実線矢印は、第一の焦点５６の走査方向を示す。
　図８では、領域α及び領域γを形成する際は、第一のレーザー光５１を基板１の側面に対して垂直に照射し、領域βを形成する際は、第一のレーザー光５１を基板１の第一の主面２に対して垂直に照射している。
　このようにレーザー光の光軸の向きを焦点の走査方向に対して一定の方向（ここでは垂直）に維持しつつレーザー照射することによって、形成された第一の改質部５３では、領域α～γにおいて、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制し、両エリアが不定形で混在したパターンを前記走査方向に沿わせて形成することができる。より具体的には、前記領域α～γの改質部において、エッチングされやすいエリアを、前記レーザー光の光軸が中心となるスパイラル状で、前記走査方向に沿って準連続的に形成する。前記エッチングされやすいエリアが、後段のエッチング工程において、優先的にエッチングされて、エッチング液が改質部の延伸方向に浸透しやすくなるため、前記改質部のエッチング速度を速めることができる。
　また、前記領域α～γの改質部における改質の状態を均一にすることができるので、後段のエッチング工程において、前記領域α～γのエッチング速度を均一にすることができる。
　また、第一のレーザー光５１の前記角度θ及びφと、第二のレーザー光５２の前記角度θ及びφとを同一にすることによって、第一の改質部５３の改質の状態と第二の改質部５４の改質の状態とを均一にすることができる。この結果、後段のエッチング工程において、第一の改質部５３のエッチング速度と第二の改質部５４のエッチング速度とを同程度にすることができ、第一の微細孔４及び第二の微細孔５を精度の良い形状で形成することができる。
　各レーザー光５１，５２の前記角度θ及びφは０度に限定されず、角度θと角度φとはそれぞれ独立に任意の角度に設定することができる。
　例えば、角度θと角度φとの組合わせ（θ，φ）を（０度，９０度）とした場合、前記レーザー光の光軸Ｅの向きは、前記焦点の走査方向（改質部の延伸方向）に対して平行である。
　図９に示すように、第一の改質部５３を形成する際、第一のレーザー光５１の光軸Ｅの向きを、第一の焦点５６の走査方向に対して平行に維持しつつ、領域γ，領域β，領域αの順に照射した場合、各領域における光軸Ｅの向きは、順にＥ４，Ｅ５，Ｅ６の破線矢印で示される。ここで、図９は、図６Ｂと同じ断面を示しており、各領域α～γの延伸方向に沿った実線矢印は、第一の焦点５６の走査方向を示す。
　図９では、領域α及び領域γを形成する際、第一のレーザー光５１を基板１の第一の主面２に対して垂直に照射し、領域βを形成する際、第一のレーザー光５１を基板１の側面に対して垂直に照射している。
　このようにレーザー光の光軸の向きを焦点の走査方向に対して平行に維持しつつレーザー照射することによって、形成された第一の改質部５３では、領域α～γにおいて、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制できる。
　また、前記領域α～γの改質部における改質の状態を均一にすることができるので、後段のエッチング工程において、前記領域α～γのエッチング速度を均一にすることができる。
　本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法では、レーザー光の光軸の向きを、焦点の走査方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射しても良いし、一定の方向に維持せずにレーザー照射しても良い。
　前記改質部となる全領域を走査する際に、レーザー光の光軸の向きを焦点の走査方向に対して一定の方向に維持してレーザー照射した場合、前述のように、前記改質部の全領域に渡って改質の状態を均一にすることができる。
　一方、前記光軸の向きを一定の方向に維持せずにレーザー照射した場合でも、前記改質部の全領域に渡って、改質の状態は極端には変わらず、均一とは言えないまでも、概ね同じ状態である。従って、後段のエッチング工程におけるエッチング速度に極端に大きなバラつきは生じない。これは、本発明の実施形態では円偏光又は楕円偏光レーザー光を使用しているので、直線偏光レーザーを用いて形成された改質部で見られるような、改質部の延伸方向に見て、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが交互に縞状で形成されることが抑制されているためである。
　なお、前記「エッチング速度の極端に大きなバラつき」とは、直線偏光レーザー光を用いた場合に形成されうる、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが交互に形成された改質部におけるエッチング速度のバラつきをいう。直線偏光レーザーを用いた場合の改質部の状態については後述する。
　本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法で用いられるレーザー光の偏光は、円偏光又は楕円偏光である。円偏光は右円偏光であっても左円偏光であってもよい。楕円偏光は右楕円偏光であても左楕円偏光であってもよい。楕円偏光は、本発明の実施形態に係る効果を十分に発揮するために、円偏光に近い楕円偏光であることが好ましい。
　このような円偏光又は楕円偏光レーザー光は、例えばフェムト秒レーザー光を公知の適当な移相子に通すことによって得られる。
　円偏光又は楕円偏光レーザー光５１，５２の焦点５６，５７を改質部５３，５４となる領域に走査することによって、例えば、直径が数μｍ～数十μｍとした改質部５３，５４を形成できる。また、焦点５６，５７を結ぶ位置を制御することにより、所望の形状を有する改質部５３，５４を形成できる。
　貫通配線基板１０における第一の微細孔４となる改質部５３と同様に、貫通配線基板２１０における第一の微細孔２０４となる改質部を形成することができる。
　貫通配線基板２１０における貫通配線２０７，２０８の変曲部となる改質部を、円偏光又は楕円偏光レーザー光の照射を用いて形成することによって、前記変曲部となる改質部において、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制し、前記変曲部の形状に沿った改質部をスムーズに形成することができる。このため、前記変曲部となる改質部と、それ以外の直線部となる改質部とのエッチングされ易さを同程度にすることができる。その結果、精度の高い形状で、前記変曲部を有する前記微細構造を形成することができる。
　貫通配線基板１０における微細孔となる改質部と同様に、貫通配線基板３１０における第一の微細孔３０４及び第二の微細孔３０５となる改質部を形成することができる。
　また、第一の微細孔３０４となる改質部を形成するとき、円偏光又は楕円偏光レーザー光を基板３０１の第一の主面３０２側からのみ照射する方法を用いることもできる。つまり、以下の方法を用いることができる。
　図１０は、図３Ｂと同じ断面を示しており、各領域α～γの延伸方向に沿った実線矢印は、レーザー光の焦点の走査方向を示す。
　図１０に示すように、第一の微細孔３０４となる改質部の領域α及びγを形成するときは、レーザー光の光軸Ｅの向きＥ９及びＥ７を前記レーザー光の焦点の走査方向に対して平行に維持する。一方、第一の微細孔３０４となる改質部の領域βを形成するときは、レーザー光の光軸Ｅの向きＥ８を前記レーザー光の焦点の走査方向に対して垂直に維持する。
　このようにレーザー光の光軸Ｅの向きＥ７～Ｅ９を調整することによって、基板３０１の第一の主面３０２側からのみレーザー照射して、貫通配線基板３１０の微細孔となる改質部を形成することができる。
　なお、前記レーザー光の光軸Ｅの向きＥ７～Ｅ９の角度θと角度φとの組み合わせは、Ｅ７及びＥ９では（θ，φ）＝（０度，０度）であり、Ｅ８では（θ，φ）＝（０度，２０度）である。
　このようにレーザー光の光軸Ｅの向きＥ７～Ｅ９を調整した場合、前記レーザー光の焦点の走査方向に対する前記レーザー光の光軸の向きは各領域α～γにおいて異なっているため、前記領域α及びγの改質の程度と前記領域βの改質の程度とは異なる。つまり、前記領域α及びγのエッチング速度と前記領域βのエッチング速度とは異なる。
　しかし、前記領域βだけを考慮すれば、そのエッチング速度はほぼ均一であり、前記領域α及び領域γだけを考慮すれば、そのエッチング速度も前記領域βとは独立してほぼ均一である。このため、第一の微細孔３０４となる改質部のエッチング速度を予め見積もることは容易であり、エッチングの程度を精度良く制御して第一の微細孔３０４を形成することができる。
　したがって、本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法における前記工程Ａでは、前記改質部を形成する全領域のうち少なくとも一部の領域において、前記レーザー光の焦点の走査方向に対する前記レーザー光の光軸の向きを一定に維持しつつレーザー照射することが好ましい。前記改質部を形成する全領域のうち少なくとも半分以上の領域において、前記レーザー光の焦点の走査方向に対する前記レーザー光の光軸の向きを一定に維持しつつレーザー照射することがより好ましい。前記改質部を形成する全領域のうち全ての領域において、前記レーザー光の焦点の走査方向に対する前記レーザー光の光軸の向きを一定に維持しつつレーザー照射することがさらに好ましい。
　以下に説明する工程Ｂ及び工程Ｃは、貫通配線基板２１０，３１０を製造する場合にも適用可能である。
[工程Ｂ]
　図１１Ａ～図１１Ｃに示すように、第一の改質部５３及び第二の改質部５４を形成した基板１をエッチング液（薬液）５９に浸漬して、ウェットエッチングすることによって、各改質部５３，５４を基板１から除去する。その結果、第一の改質部５３及び第二の改質部５４が存在した領域に、第一の微細孔４及び第二の微細孔５が形成される（図１１Ｃ）。本実施形態では基板１の材料としてガラスを用い、エッチング液５９としてフッ酸（ＨＦ）の１０質量％溶液を主成分とする溶液を用いた。
　このエッチングは、基板１の改質されていない部分に比べて、第一の改質部５３及び第二の改質部５４が非常に速くエッチングされる現象を利用するものである。結果として各改質部５３，５４の形状に応じた各微細孔４，５を形成することができる（図１２Ａ～図１２Ｃ）。
　前記エッチング液５９は特に限定されず、例えばフッ酸（ＨＦ）を主成分とする溶液、フッ酸に硝酸等を適量添加したフッ硝酸系の混酸等を用いることができる。また、基板１の材料に応じて、他の薬液を用いることもできる。
[工程Ｃ]
　第一の微細孔４及び第二の微細孔５が形成された基板１において、各微細孔４，５に導電性物質６を充填又は成膜して、第一の貫通配線７及び第二の貫通配線８を形成する。前記導電性物質６としては、例えば金錫（Ａｕ－Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。前記導電性物質６の充填又は成膜方法としては、溶融金属吸引法、超臨界成膜法などを、適宜用いることができる。
　以上の工程Ａ～工程Ｃにより、図１Ａ～図１Ｃに示した貫通配線基板１０が得られる。
　さらに所望に応じて、各貫通配線７，８の開口部９，１３，１４，１７上にランド部を形成してもよい。ランド部の形成方法は、めっき法、スパッタ法などを、適宜用いることができる。
 
＜表面配線基板３０を製造する方法＞
　次に、本発明の実施形態に係る配線基板における微細孔及び微細溝の形成方法の他の一例として、表面配線基板３０を製造する方法を、図１１Ａ～図１３Ｃを参照して説明する。
　ここで、図１３Ａ～図１５Ｃは、表面配線基板３０を製造する基板３１の平面および断面を示す。前記図中、図１３Ａ、図１４Ａ、図１５Ａは基板３１の平面図であり、図１３Ｂ、図１３Ｃ、図１４Ｂ、図１４Ｃ、図１５Ｂ及び図１５Ｃはそれぞれの平面図のｘ－ｘ線及びｙ－ｙ線に沿う基板３１の断面図である。
[工程Ａ]
　まず、図１３Ａ～図１３Ｃに示すように、基板３１に第一のレーザー光７１及び第二のレーザー光７２を照射して、基板３１の第一の主面３２の表面近傍に基板３１の材料が改質されてなる第一の改質部７３を形成する。第一の改質部７３は、第一の表面配線３７が設けられる領域に形成される。第一のレーザー光７１及び第二のレーザー光７２の偏光は、円偏光又は楕円偏光である。
　基板３１の材料としては、例えばガラス、サファイア等の絶縁体や、シリコン（Ｓｉ）等の半導体が挙げられる。これらの材料であれば、半導体デバイスとの線膨張係数差が小さいため、前記貫通配線基板又は前記表面配線基板と半導体デバイスとを、半田等を用いて接続する際に、位置ズレが生じず、精度の高い接続が可能となる。さらに、これらの材料のなかでも、絶縁性のガラスが好ましい。基板材料がガラスであると、微細孔の内壁面に絶縁層を形成する必要がなく、浮遊容量成分の存在等による高速伝送の阻害要因がない、等の利点がある。
　基板３１の厚さは適宜設定することができ、例えば約１５０μｍ～１ｍｍの範囲に設定すればよい。
　第一のレーザー光７１及び第二のレーザー光７２は、基板３１の第一の主面３２側から照射され、基板３１の表面近傍の所望の位置で第一の焦点７４及び第二の焦点７５を結んでいる。各焦点７４，７５を結んだ位置で、基板３１の材料が改質される。
　したがって、各レーザー光７１，７２を照射しながら、各焦点７４，７５の位置を順次ずらして走査（移動）して、第一の微細溝３４が設けられる領域の全部に対して、各焦点７４，７５を結ぶことによって、第一の改質部７３を形成することができる。
　各レーザー光７１，７２は、基板３１の第一の主面３２及び／又は第二の主面３３側から照射してもよいし、基板３１の側面から照射してもよい。前記両主面３２，３３側のみからレーザー光を照射する方が容易であるため好ましい。各レーザー光７１，７２の光軸Ｅが基板３１に入射する角度は所定の角度に設定される。各レーザー光７１，７２は単一のレーザー光を用いて順に照射してもよいし、複数のレーザー光を用いて同時に照射してもよい。
　また、各レーザー光７１，７２の各焦点７４，７５を走査する方向としては、例えば図１３Ａに示した第一の改質部７３に沿った実線の矢印のように、領域ζ，領域ηの順に走査する一筆書きの方向が挙げられる。すなわち、前記矢印は、第一のレーザー光７１が第一の改質部７３の第一端部３８となる部位から屈曲部３９となる部位まで、第二のレーザー光７２が第一の改質部７３の屈曲部となる部位から第二端部４０となる部位まで、各焦点７４，７５を走査することを表す。このとき、前記矢印の向きで一筆書きの走査を行うことが、製造効率上好ましい。
　レーザー光の光軸Ｅが、焦点の走査方向（改質部の延伸方向）に対してなす角度は、図７に示すように、角度θと角度φとで規定できる。つまり、図７のｘｙｚの３軸直交座標系において、ｘ軸の正方向を焦点の走査方向とした場合、前記レーザー光の光軸Ｅ（矢印Ｅで示す）は、前記ｘ軸の正方向に対してなす角度θと、ｚ軸の正方向に対してなす角度φとで規定される。なお、図７において、矢印ｅは光軸Ｅ（レーザー光の照射方向）のｘ-ｙ平面への投影を示す。
　図１３Ｂにおいて、第一のレーザー光７１の光軸Ｅの向きは、第一の焦点７４の走査方向（第一の改質部７３の領域ζの延伸方向）に対して垂直であり、前記角度θ及び角度φは０度である。
　同様に、図１３Ｃにおいて、第二のレーザー光７２の光軸Ｅの向きは、第二の焦点７５の走査方向（第一の改質部７３の領域ηの延伸方向）に対して垂直であり、前記なす角度θ及び角度φは０度である。
　第一の改質部７３を形成するとき、各レーザー光７１，７２の光軸Ｅの向きは、各焦点７４，７５の走査方向に対して一定の方向に維持しつつ、領域ζ及び領域ηをレーザー照射することが好ましい。
　ここで、「レーザー光の光軸の向きを焦点の走査方向に対して一定の方向に維持する」とは、光軸Ｅの向きと焦点の走査方向との相対的な位置関係を一定に保つことを意味し、前記角度θ及び角度φをそれぞれ任意の特定角度に固定することを意味する。
　図１３Ｂ，図１３Ｃにおける破線矢印Ｅで示すように、第一の改質部７３を形成する際、各レーザー光７１，７２の光軸Ｅの向きを、各焦点７４，７５の走査方向に対して垂直に維持しつつ、領域ζ及び領域ηの順に照射した場合、各レーザー光７１，７２を基板３１の第一の主面３２に対して垂直に照射する。
　このようにレーザー光の光軸の向きを焦点の走査方向に対して一定の方向（例えば、垂直）に維持しつつレーザー照射することによって、形成された第一の改質部７３では、領域ζ及び領域ηにおいて、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制することができ、且つ、改質の状態を均一にすることができる。この結果、後段のエッチング工程において、領域ζ及び領域ηのエッチング速度を均一にすることができる。
　また、第一のレーザー光７１の前記角度θ及び角度φと、第二のレーザー光７２の前記角度θ及び角度φとを同一にすることによって、第一の改質部７３において、領域ζの改質の状態と領域ηの改質の状態とを均一にすることができる。この結果、後段のエッチング工程において、領域ζのエッチング速度と領域ηのエッチング速度とを同程度にすることができ、第一の微細溝３４を精度の良い形状で形成することができる。
　各レーザー光７１，７２の前記角度θ及び角度φは０度に限定されず、角度θと角度φとはそれぞれ独立に任意の角度に設定することができる。
　例えば、角度θと角度φとの組合わせ（θ，φ）を（０度，９０度）とした場合、前記レーザー光の光軸Ｅの向きは、前記焦点の走査方向（改質部の延伸方向）に対して平行である。
　図１３Ｂ，図１３Ｃにおける破線矢印Ｆで示すように、第一の改質部７３を形成する際、各レーザー光７１，７２の光軸Ｆの向きを、各焦点７４，７５の走査方向に対して平行に維持しつつ、領域ζ及び領域ηの順に照射した場合、各レーザー光７１，７２を基板３１の側面に対して垂直に照射する。
　このようにレーザー光の光軸の向きを焦点の走査方向に対して平行に維持しつつレーザー照射することによって、形成された第一の改質部７３では、領域ζ及び領域ηにおいて、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制し、両エリアが不定形で混在したパターンを前記走査方向に沿わせて形成することができる。
　また、前記領域α～領域γの改質部における改質の状態を均一にすることができるので、後段のエッチング工程において、前記領域α～領域γのエッチング速度を均一にすることができる。
　本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法では、レーザー光の光軸の向きを、焦点の走査方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射しても良いし、一定の方向に維持せずにレーザー照射しても良い。
　前記改質部となる全領域を走査する際に、レーザー光の光軸の向きを焦点の走査方向に対して一定の方向に維持してレーザー照射した場合は、前述のように、前記改質部の全領域に渡って改質の状態を均一にすることができる。
　一方、前記光軸の向きを一定の方向に維持せずにレーザー照射した場合でも、前記改質部の全領域に渡って、改質の状態は極端には変わらず、均一とは言えないまでも、概ね同じ状態であり、後段のエッチング工程におけるエッチング速度に極端に大きなバラつきは生じない。
　本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法で用いられるレーザー光の偏光は、円偏光又は楕円偏光である。円偏光は右円偏光であっても左円偏光であってもよく、楕円偏光は右楕円偏光であても左楕円偏光であってもよい。楕円偏光は、本発明の実施形態に係る効果を十分に発揮するために、円偏光に近い楕円偏光であることが好ましい。
　このような円偏光又は楕円偏光レーザー光は、例えばフェムト秒レーザー光を公知の適当な偏光子に通すことによって得られる。
　円偏光又は楕円偏光レーザー光７１，７２の焦点７４，７５を改質部７３となる領域に走査することによって、例えば、直径が数μｍ～数十μｍとした改質部７３を形成できる。
　また、焦点７４，７５を結ぶ位置を制御することにより、所望の形状を有する改質部７３を形成できる。
　表面配線基板３０における第一の微細溝３４となる改質部７３と同様に、表面配線基板２３０における第一の微細孔２３４となる改質部を同様に形成することができる。
　表面配線基板２３０における表面配線２３７の変曲部２３９となる改質部を、円偏光又は楕円偏光レーザー光の照射を用いて形成することによって、前記変曲部となる改質部において、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが縞状に形成されることを抑制し、前記変曲部の形状に沿った改質部をスムーズに形成することができる。このため、前記変曲部となる改質部と、それ以外の直線部となる改質部とのエッチングされ易さを同程度にすることができる。その結果、精度の高い形状で、前記変曲部を有する前記微細構造を形成することができる。
　以下に説明する工程Ｂ及び工程Ｃは、表面配線基板２３０を製造する場合にも適用可能である。
[工程Ｂ]
　図１４Ａ～図１４Ｃに示すように、第一の改質部７３を形成した基板３１をエッチング液（薬液）７７に浸漬して、ウェットエッチングすることによって、第一の改質部７３を基板３１から除去する。その結果、第一の改質部７３が存在した領域に、第一の微細溝３４が形成される（図１４Ａ～図１４Ｃ）。本実施形態では基板３１の材料としてガラスを用い、エッチング液７７としてフッ酸（ＨＦ）の１０％溶液を主成分とする溶液を用いた。
　このエッチングは、基板３１の改質されていない部分に比べて、第一の改質部７３が非常に速くエッチングされる現象を利用するものであり、結果として第一の改質部７３の形状に応じた第一の微細溝３４を形成することができる（図１５Ａ～図１５Ｃ）。
　前記エッチング液７７は特に限定されず、例えばフッ酸（ＨＦ）を主成分とする溶液、フッ酸に硝酸等を適量添加したフッ硝酸系の混酸等を用いることができる。また、基板３１の材料に応じて、他の薬液を用いることもできる。
[工程Ｃ]
　第一の微細溝３４が形成された基板３１において、第一の微細溝３４に導電性物質３６を充填又は成膜して、第一の表面配線３７を形成する。前記導電性物質３６としては、例えば金錫（Ａｕ－Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。
　導電性物質３６の充填又は成膜方法としては、まずスパッタ法によって基板３１の上面全体に導電性物質３６からなる膜を形成して、前記微細溝３４内に導電性物質３６を充填又は成膜し、次に前記微細溝３４の上にレジスト膜を形成してマスキングを行った後、基板３１の上面をドライエッチングして非マスキング領域の導電性物質３６からなる膜を除き、最後に前記マスキングのレジストを除去する方法が例示できる。
　以上の工程Ａ～工程Ｃにより、図４Ａ～図４Ｃに示した表面配線基板３０が得られる。
　さらに所望に応じて、表面配線３４の所定位置（例えば第一端部３８、第二端部４０）上にランド部を形成してもよい。ランド部の形成方法は、めっき法、スパッタ法など、適宜用いることができる。
 
＜レーザー照射装置＞
　次に、本発明の実施形態に係る配線基板における微細構造の形成方法に使用することのできるレーザー照射装置の一例として、レーザー照射装置８０を説明する（図１６）。
　レーザー照射装置８０は、レーザー光源８１、シャッター８２、偏光子８３、ハーフミラー８４、対物レンズ８５、基板ステージ８６、ＣＣＤカメラ８７、制御用コンピュータ８８、及び基板ステージ制御軸９３を少なくとも備えている。
　レーザー照射装置８０は、基板９１において孔状又は溝状をなす微細構造を設ける領域に、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有する円偏光又は楕円偏光レーザー光８９を照射し、前記レーザー光８９を集光した焦点を走査して改質部９２を形成する際、前記レーザー光８９の光軸を、前記焦点を走査する方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射するユニット（手段）を備えている。
　図１６では、基板ステージ８６上に置かれた基板９１へレーザー光８９が照射されて、改質部９２が形成されている。改質部９２に沿った矢印の方向がレーザー光８９の焦点の走査方向である。レーザー光８９の光軸の向き（破線矢印Ｅ）は、前記走査方向に対して垂直である。
　レーザー照射装置８０は、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有するレーザー光８９を照射できる公知のものを使用できる。
　偏光子８３は、制御用コンピュータ８８によって制御され、照射するレーザー光８９の偏光を右円偏光、左円偏光、右楕円偏光、及び左楕円偏光のうち所望の偏光に調整できる。
　前記ユニットの一つである基板ステージ８６は、前記基板ステージ８６の下部に接続された基板ステージ制御軸９３によって、前記基板ステージ８６上に固定された基板９１の向き、角度、及び移動を任意に調整できる。したがって、前記基板ステージ８６は、前記焦点の走査方向の変更に応じて、前記変更後の走査方向に対するレーザー光８３の光軸Ｅの向きを、一定の方向に合わせるように機能する。
　基板ステージ制御軸９３を備えた基板ステージ８６は、前記焦点の走査方向の変更に同期して、基板９１の向き、角度、及び移動を任意に調整できる。例えば、レーザー光８３の焦点の走査方向を基板９１の主面に対して平行な方向から基板９１の主面に対して垂直方向（基板９１の厚み方向）へ変更する際、レーザー光８９の光軸Ｅの向きは移動せず、基板ステージ８６を９０度傾けて、レーザー光８９が基板９１の側面から入射されるように傾斜させる。この方法によって、前記変更後においても、レーザー光８９の光軸Ｅの向きを、前記焦点の走査方向に対して一定に維持できる。
　また、上記方法に代えて、基板ステージ８６を固定しておき、レーザー光８９の光路を切り換えて、基板９１の側面からレーザー光８９を入射させる方法によって、前記変更後においても、レーザー光８９の光軸Ｅの向きを、前記焦点の走査方向に対して一定に維持できる。
　レーザー照射装置８０を用いた本発明の実施形態にかかる配線基板の製造方法の一例を、図１７のフローチャート図を参照して、以下に説明する。
　まず、基板ステージ８６に基板９１を固定し、レーザー光８９の偏光の種類を偏光子８３で調整して、レーザー光８９の走査方向や走査領域等の情報を、一連のプロセスを規定するプログラムとして作成する。プロセスを開始すると、前記円偏光又は楕円偏光のレーザー光８９の光軸Ｅの向きが、レーザー光８９の焦点の走査方向に対して一定の方向に維持されるように、基板ステージ８６の位置や傾斜角度が調整される。その後、シャッター８２がオープン（ＯＰＥＮ）し、基板９１に対して透明な波長のレーザー光８９が基板９１の所定位置に所定量だけ照射される。
　通常は、バンドギャップによって基板９１の材料の電子は励起されないため、レーザー光８９は基板９１を透過する。しかし、レーザー光８９の光子数が非常に多くなると、多光子吸収が起こって電子が励起され、改質部が形成される。
　予めプログラムされた所定のレーザー照射が終了するとシャッター８２が閉められる。引き続いてレーザー光８９の焦点の走査方向を変えてレーザー描画を継続する場合、再び基板ステージ８６の位置や傾斜角度が調整されて、プロセスが繰り返される。描画を終了する場合、レーザー照射を終了して、プロセスが完了する。
　上記の方法では、基板ステージ８６を調整することによって、レーザー光８９の焦点の走査方向に対する、レーザー光８９の光軸Ｅの相対的な向きを制御した。
　別の方法として、前述のように、基板ステージ８６の調整は行わずに、別途設けたミラーや対物レンズ（不図示）を用いて、レーザー光８９の光路を制御して、所望の入射角でレーザー光８９を基板９１に照射することによって、レーザー光８９の焦点の走査方向に対する、レーザー光８９の光軸Ｅの相対的な向きを所望に制御することができる。
　また、基板ステージ８６の調整及びレーザー光８９の光路の制御の両方を併用して、レーザー光８９の焦点の走査方向に対する、レーザー光８９の光軸Ｅの相対的な向きを所望に制御してもよい。
 
＜レーザー走査方向に対する直線偏光の向きとエッチング速度との関係＞
　本発明者らは、従来の微細構造の形成方法では、形成された改質部の基板における位置に依存して、前記改質部のエッチング速度が大きくバラツク問題を検討したところ、レーザー光の偏光が直線偏光であることが問題の主因であることを見出した。
　すなわち、改質部形成工程（工程Ａ）におけるレーザー光の焦点の走査方向に対するレーザー光の直線偏向の向き（偏波の方向）が、後段のエッチング工程（工程Ｂ）におけるウェットエッチング速度に大きく影響することを見出した。
　さらなる鋭意研究の結果、レーザーの偏光を円偏光又は楕円偏光とする本発明の実施形態を完成するに至った。以下に、図面を参照して、直線偏光レーザを用いた場合の問題を説明する。
　図１８Ａ～図１８Ｄ，図１９Ａ～図１９Ｄは、基板１１１の平面および断面を示す。前記図中、図１８Ａ及び図１９Ａは基板１１１の平面図である。図１８Ｂ及び図１９Ｂ、図１８Ｃ及び図１９Ｃ、図１８Ｄ及び図１９Ｄは、それぞれ図１８Ａ及び図１９Ａのｘ－ｘ線、ｙ１－ｙ１線、及びｙ２－ｙ２線に沿う基板１１１の断面図である。
　前記改質部形成工程（工程Ａ）において、２本の微細孔となる改質部を、照射レーザーの直線偏光の向きを相違させて形成した（図１８Ａ～図１８Ｄ）。
　なお、基板１１１はガラス製のものを用い、レーザー光源としてフェムト秒レーザー（直線偏光レーザー）を使用した。
　まず、基板１１１において、第一の改質部１１４を設ける領域に、第一のレーザー光１８１の焦点１８５を結びながら走査した。焦点１８５の走査方向は基板１１１の縦方向（Ｙ方向）であり、第一の改質部１１４に沿った矢印で示すように一筆書きで行った。このとき、第一のレーザー光１８１の直線偏光の向きＰをＹ方向とし、焦点１８５の走査方向に対して平行に維持して第一の改質部１1４を形成した。
　さらに、第二の改質部１１５を設ける領域に、第二のレーザー光１８２の焦点１８６を結びながら走査した。焦点１８６の走査方向は基板１１１の縦方向（Ｙ方向）であり、第二の改質部１１５に沿った矢印で示すように一筆書きで行った。このとき、第二のレーザー光１８２の直線偏光の向きＱを基板１１１の横方向（Ｘ方向）とし、焦点１８６の走査方向に対して垂直に維持して第二の改質部１１５を形成した。
　なお、図１８Ｄに示した第二のレーザー光１８２の近傍に描いた丸印は、直線偏光の向きＱが紙面手前及び奥行き方向であることを表す。
　つぎに、ＨＦ溶液（１０質量％）に基板１１１を浸漬して、所定時間のウェットエッチングを行って、第一の改質部１１４及び第二の改質部１１５を基板１１１から除き、非貫通孔（ビア）である第一の微細孔１１６及び第二の微細孔１１７を形成した（図１９Ａ～図１９Ｄ）。
　形成した各微細孔の深さを測定したところ、第一の微細孔１１６の深さは、第二の微細孔１１７の深さの約１／２であった。すなわち、第一の微細孔１１６のエッチング速度／第二の微細孔１１７のエッチング速度は約１／２であった。
　図１９Ｃ及び図１９Ｄに示した、第一の微細孔１１６のエッチングされた領域Ｆ１、及び第二の微細孔１１７のエッチングされた領域Ｆ２の内壁面を、レーザー光の照射方向である基板１１１の上面から（矢印Ｖ１及び矢印Ｖ２の方向から）観察したところ、各々異なる方向の縞状の凹凸プロファイル（筋痕）が形成されていた。
　第一の微細孔１１６の縞状の凹凸プロファイルＨ０１が伸びる向きは、第一の微細孔１１６の延伸方向に対して垂直であり、第一のレーザー光１８１の直線偏光の向きＰに対して垂直であった（図２０Ａ）。
　第二の微細孔１１７の縞状の凹凸プロファイルＨ０２が伸びる向きは、第二の微細孔１１７の延伸方向に対して平行であり、第二のレーザー光１８２の直線偏光の向きＱに対して垂直であった（図２０Ｂ）。
　なお、図２０Ａ及び図２０Ｂで示す凹凸プロファイルの本数は特定の本数に限定されるものではない。
　前記本数は使用するレーザー光の使用条件や直線偏光の程度を制御することによって変更されうる。
　これらの結果から、エッチング前の基板１１１に形成された第一の改質部１１４を、基板１１１の上面から第一のレーザー光１８１の照射方向へ見ると、エッチングされやすい（エッチング速度が速い）エリアＳ１とエッチングされにくい（エッチング速度が遅い）エリアＨ１とが交互に、第一のレーザー光１８１の走査方向（Ｙ方向）に対して垂直に、且つ第一のレーザー光１８１の直線偏光の向きＰ（Ｙ方向）に対して垂直に、形成されていることがわかった（図２１）。
　また、第二の改質部１１５を基板１１１の上面から第二のレーザー光１８２の照射方向へ見ると、エッチングされやすい（エッチング速度が速い）エリアＳ２とエッチングされにくい（エッチング速度が遅い）エリアＨ２とが交互に、第二のレーザー光１８２の走査方向（Ｙ方向）に対して平行に、且つ第二のレーザー光１８２の直線偏光の向きＱ（Ｘ方向）に対して垂直に、形成されていることがわかった（図２１）。
　なお、図２１で示す各エリアの本数は特定の本数に限定されるものではない。前記本数は使用するレーザー光の使用条件や直線偏光の程度を制御することによって変更されうる。
　以上から、次のように理解された。
　第一の改質部１１４において、基板１１１の内部へエッチング液が進行していくとき、複数のエッチングされにくいエリアＨ１に阻まれる。一方、第二の改質部１１５において、基板１１１の内部へエッチング液が進行していくとき、先にエッチングされやすいエリアＳ２が除かれて、第二の改質部１１５の奥深くまでエッチング液が到達し、その後エッチングされにくい複数のエリアＨ２が、既に除かれたエリアＳ２のあった領域に置き換わったエッチング液によって、同時並行でエッチングされる。
　このため、第一の改質部１１４のエッチング速度は、第二の改質部１１５のエッチング速度よりも遅くなり、第二の改質部１１５のエッチング速度は、第一の改質部１１４のエッチング速度よりも速くなる。
　次に、図２２Ａ～図２２Ｃに示す別の基板１０１に配された、より複雑な形状の第一の改質部１０４および第二の改質部１０５においても、前述の理解が当てはまることを以下に説明する。
　図２２Ａ～図２５Ｃは、基板１０１の平面および断面を示す。前記図中、図２２Ａ、図２３、図２５Ａは基板１０１の平面図である。図２２Ｂ、図２４Ａ、図２５Ｂ、及び図２２Ｃ、図２４Ｂ、図２５Ｃは、それぞれ図２２Ａ、図２３、及び図２５Ａのｙ１－ｙ１線及びｙ２－ｙ２線に沿う基板１０１の断面図である。
　図２３は、基板１０１の平面図である。前記図中、部分（ａ）は基板１０１の平面図であり、部分（ｂ）及び部分（ｃ）はそれぞれ第一の改質部１０４及び第二の改質部１０５の拡大図である。
　図２４Ａ及び図２４Ｂは、図２３の部分（ａ）におけるｙ１－ｙ１線及びｙ２－ｙ２線に沿う断面図である。前記図中、図２４Ａの部分（ａ）は基板１０１の平面図におけるｙ１－ｙ１線に沿う断面図であり、図２４Ａの部分（ｂ）は前記部分（ａ）の断面図の拡大図である。図２４Ｂの部分（ａ）は基板１０１の平面図におけるｙ２－ｙ２線に沿う断面図であり、図２４Ｂの部分（ｂ）は前記部分（ａ）の断面図の拡大図である。
　まず、基板１０１において、第一の改質部１０４となる領域に、第一のレーザー光１８１の焦点１８５を結びつつ基板１０１の上面から照射した。焦点１８５の走査の向きは基板１０１の縦方向（Ｙ方向）及び基板厚み方向であり、第一の改質部１０４に沿った矢印で示すように、領域γ、領域β、領域αの順に一筆書きで行った。このとき、領域γ及び領域αでは、第一のレーザー光１８１の直線偏光の向きＰを、焦点１８５の走査方向（基板１０１の厚み方向）に対して垂直に維持して改質部１０４を形成した。一方、領域βでは、第一のレーザー光１８１の直線偏光の向きＰを、焦点１８５の走査方向（Ｙ方向）に対して平行に維持して第一の改質部１０４を形成した（図２２Ｂ）。
　この結果、第一の改質部１０４の領域α及び領域γでは、エッチングされやすいエリアＳ１とエッチングされにくいエリアＨ１とが並走して、第一の改質部１０４の延伸方向（基板厚み方向）に沿って平行に形成された。一方、第一の改質部１０４の領域βでは、エッチングされやすいエリアＳ１とエッチングされにくいエリアＨ１とが、互い違いに、第一の改質部１０４の延伸方向（Ｙ方向）に対して垂直に形成された（図２３，図２４Ａ，図２４Ｂ）。
　なお、図２４Ａ及び図２４Ｂで示す各エリアの本数は特定の本数に限定されるものではない。前記本数は使用するレーザー光の使用条件や直線偏光の程度を制御することによって変更されうる。
　さらに、基板１０１において、第二の改質部１０５となる領域に、第二のレーザー光１８２の焦点１８６を結びつつ基板１０１の上面から照射した。焦点１８６の走査方向は基板１０１の縦方向（Ｙ方向）及び基板厚み方向であり、第二の改質部１０５に沿った矢印で示すように、領域γ、領域β、領域αの順に一筆書きで行った。このとき、領域α～γでは一貫して、第二のレーザー光１８２の直線偏光の向きＱを、焦点１８６の走査方向（Ｙ方向又は基板厚み方向）に対して垂直に維持して第二の改質部１０５を形成した（図２２Ｃ）。
　なお、図２２Ｃに示した第二のレーザー光１８２の近傍に描いた丸印は、直線偏光の向きＱが紙面手前及び奥行き方向であることを表す。
　この結果、第二の改質部１０５の領域α、領域β、及び領域γでは一貫して、エッチングされやすいエリアＳ２とエッチングされにくいエリアＨ２とが並走し、第二の改質部１０５の延伸方向（Ｙ方向又は基板厚み方向）に沿って平行に形成された（図２３，図２４Ａ，図２４Ｂ）。
　なお、第一の改質部１０４及び第二の改質部１０５の形状は同一であり、領域αの長さは５０μｍ、領域βの長さは２００μｍ、領域γの長さは５０μｍ、とした。
　また、基板１０１はガラス製のものを用い、レーザー光源としてフェムト秒レーザー（直線偏光レーザー）を使用した。
　つぎに、ＨＦ溶液（１０質量％）に基板１０１を浸漬してウェットエッチングを行い、第一の改質部１０４及び第二の改質部１０５を基板１０１から除いて貫通させ、第一の微細孔１０６及び第二の微細孔１０７を形成した（図２５Ａ～図２５Ｂ）。このとき、第一の改質部１０４及び第二の改質部１０５がウェットエッチングにより除かれて貫通する時間（エッチング速度）をそれぞれ測定したところ、第一の改質部１０４のエッチング速度／第二の改質部１０５のエッチング速度は約３／５であった。これは、領域α及び領域γのエッチング速度は、どちらの改質部において同じであるが、領域βのエッチング速度は、第一の改質部１０４の方が第二の改質部１０５よりも約２倍速いためである。
　以上から、微細孔及び微細溝等の微細構造が設けられる領域に改質部を形成する場合、照射するレーザー光が直線偏光であると、前記微細構造の延伸する方向に対する前記直線偏光の向きに依存して、エッチング速度の異なる改質部が混在して形成されてしまうことが明らかである。
　基板に形成する微細構造を任意の形状にする際、その微細構造を設ける形状に合わせて形成する改質部の延伸方向を様々に変更する必要がある。このとき、前記改質部の延伸方向と、照射するレーザー光の直線偏光の向きとの相対的な関係が様々に変更されることになるので、以上で示したように、エッチング速度が２倍以上も異なるような改質部が前記基板内に混在して形成されてしまう。
　一方、本発明の実施形態では円偏光又は楕円偏光レーザーを用いているので、エッチングされやすいエリアとエッチングされにくいエリアとが、改質部の延伸方向に見て縞状に形成されることを防ぐことができ、前記基板内に形成した改質部のエッチング速度が極端に異なってバラつくことを抑制できることは明らかである。
　本発明の実施形態に係る微細構造の形成方法及び前記方法で使用されるレーザー照射装置は、ＩＣや電子部品に用いられる配線基板の製造に好適に利用することができる。
　１　　　　　基板
　２　　　　　第一の主面（一方の主面）
　３　　　　　第二の主面（他方の主面）
　４　　　　　第一の微細孔
　５　　　　　第二の微細孔
　６　　　　　導電性物質
　７　　　　　第一の貫通配線
　８　　　　　第二の貫通配線
　９　　　　　開口部
　１０　　　　貫通配線基板
　１１　　　　屈曲部
　１２　　　　屈曲部
　１３　　　　開口部
　１４　　　　開口部
　１５　　　　屈曲部
　１６　　　　屈曲部
　１７　　　　開口部
　３０　　　　表面配線基板
　３１　　　　基板
　３２　　　　第一の主面（一方の主面）
　３３　　　　第二の主面（他方の主面）
　３４　　　　第一の微細溝
　３６　　　　導電性物質
　３７　　　　第一の表面配線
　３８　　　　第一端部（一端部）
　３９　　　　屈曲部
　４０　　　　第二端部（他端部）
　５１　　　　第一のレーザー光
　５２　　　　第二のレーザー光
　５３　　　　第一の改質部
　５３ｓ　　　エッチングされやすいエリア
　５３ｈ　　　エッチングされにくいエリア
　５４　　　　第二の改質部
　５６　　　　焦点
　５７　　　　焦点
　５９　　　　エッチング液
　６１　　　　第一の微細孔
　６２　　　　第二の微細孔
　７１　　　　第一のレーザー光　
　７２　　　　第二のレーザー光
　７３　　　　第一の改質部
　７３ｓ　　　エッチングされやすいエリア
　７３ｈ　　　エッチングされにくいエリア
　７４　　　　焦点
　７５　　　　焦点
　７７　　　　エッチング液
　８０　　　　レーザー照射装置
　８１　　　　レーザー光源
　８２　　　　シャッター
　８３　　　　移相子
　８４　　　　ハーフミラー
　８５　　　　対物レンズ
　８６　　　　基板ステージ
　８７　　　　ＣＣＤカメラ
　８８　　　　コンピュータ
　８９　　　　レーザー光
　９１　　　　基板
　９２　　　　改質部
　９３　　　　基板ステージ制御軸
　Ｐ　　　　　第一のレーザー光の直線偏光の向き
　Ｑ　　　　　第二のレーザー光の直線偏光の向き
　Ｒ　　　　　レーザー光の直線偏光の向き
　１０１　　　基板
　１０２　　　第一の改質部
　１０３　　　第二の改質部
　１０５　　　第二の改質部
　１０６　　　第一の微細孔
　１０７　　　第二の微細孔
　１１１　　　基板
　１１４　　　第一の改質部
　１１５　　　第二の改質部
　１１６　　　第一の微細孔
　１１７　　　第二の微細孔
　１８１　　　第一のレーザー光
　１８２　　　第二のレーザー光
　１８５　　　焦点
　１８６　　　焦点
　Ｓ１　　　　エッチングされやすいエリア
　Ｈ１　　　　エッチングされにくいエリア
　２０１　　　基板
　２０２　　　第一の主面（一方の主面）
　２０３　　　第二の主面（他方の主面）
　２０４　　　第一の微細孔
　２０５　　　第二の微細孔
　２０６　　　導電性物質
　２０７　　　第一の貫通配線
　２０８　　　第二の貫通配線
　２０９　　　開口部
　２１０　　　貫通配線基板
　２１１　　　変曲部
　２１２　　　変曲部
　２１３　　　開口部
　２１４　　　開口部
　２１５　　　変曲部
　２１６　　　変曲部
　２１７　　　開口部
　２３０　　　表面配線基板
　２３１　　　基板
　２３２　　　第一の主面（一方の主面）
　２３３　　　第二の主面（他方の主面）
　２３４　　　第一の微細溝
　２３６　　　導電性物質
　２３７　　　第一の表面配線
　２３８　　　第一端部（一端部）
　２３９　　　変曲部
　２４０　　　第二端部（他端部）
　３０１　　　基板
　３０２　　　第一の主面（一方の主面）
　３０３　　　第二の主面（他方の主面）
　３０４　　　第一の微細孔
　３０５　　　第二の微細孔
　３０６　　　導電性物質
　３０７　　　第一の貫通配線
　３０８　　　第二の貫通配線
　３０９　　　開口部
　３１０　　　貫通配線基板
　３１１　　　屈曲部
　３１２　　　屈曲部
　３１３　　　開口部
　３１４　　　開口部
　３１５　　　屈曲部
　３１６　　　屈曲部
　３１７　　　開口部
　ｇ１　　　　第三の微細孔
　Ｇ１　　　　流路
　Ｈ０１　　　縞状の凹凸プロファイル
　Ｈ０２　　　縞状の凹凸プロファイル

Claims (9)

  1. 　基板において孔状又は溝状の微細構造を設ける領域に、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有する円偏光又は楕円偏光レーザー光を照射し、前記レーザー光が集光した焦点を走査して改質部を形成する工程Ａと、
    　前記改質部が形成された前記基板に対してエッチング処理を行い、前記改質部を除去して微細構造を形成する工程Ｂと、
    を含むことを特徴とする微細構造の形成方法。
  2. 　前記工程Ａにおいて、前記レーザー光の光軸の向きを、前記焦点を走査する方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射することを特徴とする請求項１に記載の微細構造の形成方法。
  3. 　前記一定の方向は、前記焦点を走査する方向に対して垂直であることを特徴とする請求項２に記載の微細構造の形成方法。
  4. 　前記工程Ａにおいて、前記基板の主面側のみから前記レーザーを照射することを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の微細構造の形成方法。
  5. 　前記微細構造において変曲部を形成することを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の微細構造の形成方法。
  6. 　基板において孔状又は溝状の微細構造を設ける領域に、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有する円偏光又は楕円偏光レーザー光を照射し、前記レーザー光を集光した焦点を走査して改質部を形成する際、前記レーザー光の光軸の向きを、前記焦点を走査する方向に対して一定の方向に維持しつつレーザー照射するユニットを備えることを特徴とするレーザー照射装置。
  7. 　前記ユニットは基板ステージであり、
    　前記基板ステージは、前記焦点の走査方向の変更に応じて、前記変更後の走査方向に対する前記レーザー光の光軸の向きを、一定の方向に合わせるように機能することを特徴とする請求項６に記載のレーザー照射装置。
  8. 　請求項１～５に記載の微細構造の形成方法を用いて製造されたことを特徴とする基板。
  9. 　前記基板には、さらに流体が流通するための流路が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の基板。
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