TWI539512B - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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TWI539512B
TWI539512B TW100126373A TW100126373A TWI539512B TW I539512 B TWI539512 B TW I539512B TW 100126373 A TW100126373 A TW 100126373A TW 100126373 A TW100126373 A TW 100126373A TW I539512 B TWI539512 B TW I539512B
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Hideki Shimoi
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Hamamatsu Photonics Kk
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Description

半導體裝置的製造方法
本發明，是有關半導體裝置的製造方法，特別是，有關於供製造具有冷卻機構的半導體裝置用的製造方法。
習知，例如專利文獻1，供製造具有冷卻機構的半導體裝置用的製造方法，已知是將半導體晶片等的功能元件搭載在基板上，將該基板由熱傳導樹脂密封，且在其上設置冷卻鰭片者。此專利文獻1的製造方法中，冷卻鰭片的溝深度，是對應功能元件的發熱量被調整。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-15675號公報
在此，在上述習知技術中，因為有需要設置比功能元件更大型的冷卻鰭片等的間接冷卻手段，而容易大型化，且冷卻效率較低。此對於製造高輸出的半導體裝置的情況，最為顯著。
在此，本發明的課題是提供一種可以製造冷卻效率可提高及可小型化的半導體裝置的製造方法。
為了解決上述課題，本發明的一側面的半導體裝置的製造方法，是一種供製造具有冷卻機構的半導體裝置用的製造方法，包含：藉由將雷射光集光在由矽所形成的板狀的加工對象物，在加工對象物的內部將改質區域沿著改質區域形成預定線延伸地形成的改質區域形成過程；及改質區域形成過程之後，藉由對於加工對象物施加異方性蝕刻處理，使蝕刻沿著改質區域選擇性地進展，將冷卻媒體流通用的流路作為冷卻機構形成於加工對象物的內部的蝕刻處理過程；及在加工對象物的一主面側形成功能元件的功能元件形成過程。
在此半導體裝置的製造方法中，將冷卻媒體流通用的流路可以在加工對象物的內部一體地形成，因此，可獲得不需另外設置冷卻手段就可直接冷卻的半導體裝置。即，可以製造冷卻效率可提高及可小型化的半導體裝置。
且本發明的一側面的半導體裝置的製造方法，是供製造具有冷卻機構的半導體裝置用的製造方法，包含：藉由將雷射光集光在由矽所形成的板狀的加工對象物，在加工對象物的內部將改質區域沿著改質區域形成預定線延伸地形成的改質區域形成過程；及改質區域形成過程之後，藉由對於加工對象物施加異方性蝕刻處理，使蝕刻沿著改質區域選擇性地進展，將冷卻媒體充填用的空間形成於加工對象物的內部的蝕刻處理過程；及將冷卻媒體充填在空間並將冷卻機構形成於加工對象物的內部的過程；及在加工對象物的一主面側形成功能元件的功能元件形成過程。
在此半導體裝置的製造方法中，可以將冷卻媒體充填用的空間在加工對象物的內部一體地形成，將冷卻媒體充填在該空間並將冷卻機構形成於加工對象物的內部。因此，可獲得不需另外設置冷卻手段就可直接冷卻的半導體裝置。即，可以製造冷卻效率可提高及可小型化的半導體裝置。
且在改質區域形成過程中，在加工對象物中將露出一主面相反側的他主面的其他的改質區域，與改質區域的延伸途中連續的方式沿著加工對象物的厚度方向形成，在蝕刻處理過程中，藉由沿著其他的改質區域使蝕刻選擇性地進展，將蝕刻劑從其他的改質區域朝改質區域進入也可以。此情況，使蝕刻沿著改質區域進展而形成流路時，可以藉由其他的改質區域所期控制這種改質區域的蝕刻的進展。
此時，進一步具有包含將藉由使蝕刻沿著其他的改質區域進展地形成的孔閉塞的過程情況。且，功能元件形成過程，具有在蝕刻處理過程之後實施的情況。
依據本發明，成為可製造冷卻效率可提高及可小型化的半導體裝置。
以下，對於最佳的實施例，參照圖面詳細說明。又，在以下的說明中，對於同一或相當的要素中附加同一符號，並省略重複的說明。
在本實施例的半導體裝置的製造方法中，將雷射光集光在加工對象物的內部而形成改質區域。在此，首先，參照第1圖～第6圖說明改質區域的形成。
如第1圖所示，雷射加工裝置100，具備：將雷射光L脈衝振盪的雷射光源101、及將雷射光L的光軸(光路)的方向改變90°的方式被配置的分色鏡103、及將雷射光L集光用的集光用透鏡105。且，雷射加工裝置100，具備：將使由集光用透鏡105被集光的雷射光L被照射的加工對象物1支撐用的支撐台107、及將支撐台107移動用的平台111、及為了調節雷射光L的輸出和脈衝寬度等而控制雷射光源101用的雷射光源控制部102、及控制平台111的移動用的平台控制部115。
在此雷射加工裝置100中，從雷射光源101被射出的雷射光L，是藉由分色鏡103將其光軸的方向改變90°，在被載置於支撐台107上的板狀的加工對象物1的內部藉由集光用透鏡105被集光。與此同時，使平台111移動，使加工對象物1沿著改質區域形成預定線5對於雷射光L相對移動。由此，沿著改質區域形成預定線5的改質區域會形成於加工對象物1。
加工對象物1，是使用半導體材料和壓電材料等，如第2圖所示，在加工對象物1中，改質區域形成預定線5被設定。在此的改質區域形成預定線5，是朝直線狀延伸的假想線。在加工對象物1的內部形成改質區域的情況，如第3圖所示，在將集光點P對焦在加工對象物1的內部狀態下，將雷射光L沿著改質區域形成預定線5(即朝第2圖的箭頭A方向)相對地移動。由此，如第4圖～第6圖所示，改質區域7是沿著改質區域形成預定線5形成於加工對象物1的內部，此改質區域7，是成為由後述的蝕刻所產生的除去區域8。
又，集光點P，是雷射光L集光處。且，改質區域形成預定線5，不限定於直線狀曲線狀也可以，3次元狀也可以，被座標指定者也可以。且，改質區域7，有連續地形成的情況，也有間斷地形成的情況。且，改質區域7是列狀、點狀也可以，即，改質區域7是至少形成於加工對象物1的內部即可。且，具有在改質區域7起點形成龜裂的情況，龜裂及改質區域7，是露出加工對象物1的外表面(表面、背面或是外周面)也可以。
順便說明的話，在此，雷射光L，是特別透過加工對象物1並且在加工對象物1的內部的集光點附近被吸收，由此，在加工對象物1形成改質區域7(即內部吸收型雷射加工)。一般，從表面3被熔融地除去而形成孔和溝等的除去部(表面吸收型雷射加工)的情況，加工區域是從表面3側漸漸地朝背面側進行。
但是本實施例的改質區域7，是密度、曲折率、機械的強度和其他的物理的特性是成為與周圍不同的狀態的區域。改質區域7，是例如，具有熔融處理區域、龜裂區域、絕緣破壞區域、曲折率變化區域等，也有這些混合的區域。進一步，改質區域7，在加工對象物1的材料中，具有：密度與非改質區域的密度相比較有變化的區域、和形成有格子缺陷的區域(這些也總稱為高密轉移區域)。
且熔融處理區域和曲折率變化區域，改質區域7的密度是與非改質區域的密度相比較變化的區域，形成有格子缺陷的區域，是具有進一步在那些區域的內部和改質區域7及非改質區域的界面內包龜裂(破裂、微龜裂)的情況。被內包的龜裂具有：橫跨改質區域7的全面的情況、和只有一部分、和形成於複數部分的情況。加工對象物1，可舉例：包含矽者、或由矽所構成者。
在此，在本實施例中，在加工對象物1形成了改質區域7之後，藉由在此加工對象物1施加蝕刻處理，沿著改質區域7(即沿著改質區域7、被包含於改質區域7的龜裂、或是從改質區域7延伸的龜裂)使蝕刻選擇性地進展，將加工對象物1中的沿著改質區域7的部分除去。又，此龜裂，也稱為龜裂、微小龜裂、破裂等(以下只稱為「龜裂」)。
在本實施例的蝕刻處理中，例如，利用毛細管現象等，將蝕刻劑浸潤於被包含於加工對象物1的改質區域7的龜裂或是從該改質區域7延伸的龜裂，使蝕刻沿著龜裂面進展。由此，在加工對象物1中，可沿著龜裂選擇性地且較高的蝕刻率使蝕刻進展地進行除去。與此同時利用改質區域7本身的蝕刻率較高的特徵，使蝕刻選擇性地沿著改質區域7進展地進行除去。
蝕刻處理，是例如具有：將加工對象物1浸漬在蝕刻劑的情況(浸漬方式：Dipping)、及一邊旋轉加工對象物1一邊塗抹將蝕刻劑的情況(自旋蝕刻方式：SpinEtching)。
蝕刻劑，是例如，可舉例KOH(水氧化鉀)、TMAH(氫氧化四甲基銨水溶液)、EDP(乙二胺鄰苯二酚)、NaOH(氫氧化鈉)、CsOH(氫氧化銫)、NH4OH(氫氧化銨)、肼等。且，蝕刻劑，不是只有液體狀者，可以使用凝膠狀(果凍狀、半固態狀)者。在此的蝕刻劑，是在常溫～100℃前後的溫度所使用，可對應所需要的蝕刻率等設定成適宜的溫度。例如，將由矽形成的加工對象物1由KOH蝕刻處理的情況時，較佳為約60℃。
且在本實施例中，蝕刻處理，是進行特定方向的蝕刻速度快(或慢)的蝕刻也就是異方性蝕刻處理。此異方性蝕刻處理的情況時，不是只有比較薄的加工對象物，對於較厚者(例如厚度800μm～100μm)也可以適用。且，此情況，即使形成改質區域7的面是與面方位不同時，也可以沿著此改質區域7進行蝕刻。即，在此的異方性蝕刻處理中，除了順著結晶方位的面方位的蝕刻以外，也可進行不依存結晶方位的蝕刻。
接著，詳細說明第1實施例的半導體裝置的製造方法。第7圖，是顯示本實施例的流程圖，第8～13圖，是說明本實施例用的流程圖。
本實施例，是製造例如CPU(中央處理器、Central Processing Unit)和高功率晶體管等的半導體裝置(矽裝置)，在此，如第13圖所示，製造在加工對象物1搭載功能元件15是而形成的CMOS(互補式金屬氧化物半導體、Complementary Metal Oxide Semiconductor)感測器。且，特別是在本實施例中，如第10圖所示，藉由在加工對象物1內施加3次元微細加工，將冷卻媒體流通的微細孔也就是微流路(流路)24作為冷卻機構形成於加工對象物1內。在此的微流路24，是位於加工對象物1內部中的厚度方向中央位置，從表面3視使沿著單一方向折返地蛇行並朝與該單一方向的垂直交叉的方向進行的方式呈波狀延伸。
加工對象物1，是對於照射的雷射光L的波長(例如1064nm)透明的矽基板。在此的加工對象物1，是被作成P型矽基板，具有成為(100)面的表面(一主面)3及背面21(他主面)。此在加工對象物1中，改質區域形成預定線是藉由3次元的座標指定而可設計程式地被設定。
改質區域形成預定線，是使對應形成的微流路24延伸地被設定。即，改質區域形成預定線，是被設定成從表面3視使沿著單一方向折返地蛇行並朝與該單一方向的垂直交叉的方向進行的波狀。功能元件15，是例如：由結晶成長形成的半導體動作層、光二極管等的受光元件、雷射二極管等的發光元件、或是作為電路形成的電路元件等。
在本實施例中將加工對象物1加工的情況，首先，藉由將雷射光L集光在加工對象物1，在加工對象物1的內部形成改質區域7(第7圖的S1)。具體而言，將加工對象物1的表面3側作為上方載置保持在載置台。且，將雷射光L的集光點(以下只是稱為「集光點」)對焦在加工對象物1的內部中的厚度方向中央部，將該集光點沿著改質區域形成預定線移動，且從表面3側照射雷射光L。由此，如第8圖所示，沿著所形成的微流路24(第10圖參照)連續的改質區域7a(即從表面3視使折返地蛇行的波狀的改質區域7)，會只有形成於加工對象物1的內部。
依此，將集光點對焦在改質區域形成預定線的一端，將該集光點朝厚度方向直到背面21為止移動，且從表面3側照射雷射光L。且，將集光點對焦在改質區域形成預定線的另一端，將該集光點朝厚度方向直到背面21為止移動，且從表面3側照射雷射光L。由此，作為構成微流路24的流出入部24x(第9圖參照)，使露出背面21且各別與改質區域7a的一端及另一端連續的改質區域7b、7b，各別沿著厚度方向形成。
又，在此，因為將脈衝雷射光作為雷射光L進行束點照射，所以被形成的改質區域7是由改質束點所構成。且，在改質區域7中，從該改質區域7發生的龜裂是被內包形成(以下的改質區域7也相同)。
接著，對於加工對象物1，將例如85℃的KOH作為蝕刻劑使用進行異方性蝕刻處理(第7圖的S2)。由此，如第9圖(a)所示，在加工對象物1中蝕刻劑是從背面21朝改質區域7b進入地浸潤，蝕刻是沿著改質區域7b進展使加工對象物1被除去，其結果，形成流出入部24x。且，如第9圖(b)、(c)所示，蝕刻劑是從改質區域7b朝改質區域7a進入地浸潤，使蝕刻沿著改質區域7a進展使加工對象物1被除去，其結果，如第10圖所示，完成微流路24的形成。
接著，在加工對象物1的表面3側形成功能元件15(第7圖的S3)。具體而言，首先，如第11圖(a)、(b)所示，將加工對象物1洗淨乾燥之後，施加熱氧化處理在表面3上使二氧化矽膜31(SiO2)成長，在此二氧化矽膜31上塗抹感光性樹脂膜也就是感光耐蝕膜32。接著，如第11圖(c)所示，藉由光微影處理形成感光耐蝕膜32圖案之後，將此感光耐蝕膜32作為遮罩藉由蝕刻將二氧化矽膜31除去，使加工對象物1的表面3的預定部分露出。
接著，如第11圖(d)所示，將感光耐蝕膜32除去洗淨之後，將二氧化矽膜31作為遮罩將磷離子33注入表面3，將具有預定分布的N型區域34形成於加工對象物1的表面3側。接著，如第12圖(a)所示，將二氧化矽膜31溶解除去洗淨，在表面3襯墊膜35(SiO2)，將矽氮化膜36(Si3N4)及感光耐蝕膜37依序形成。且，藉由光微影處理將感光耐蝕膜37圖案形成之後，將此感光耐蝕膜37作為遮罩藉由蝕刻將襯墊膜35及矽氮化膜36除去，使加工對象物1的表面3的預定部分露出。
接著，如第12圖(b)所示，將感光耐蝕膜37剝離洗淨之後，將矽氮化膜36作為遮罩，在加工對象物1的表面3側將磁場膜38(SiO2)部分地形成。且，如第12圖(c)所示，將襯墊膜35及矽氮化膜36除去洗淨之後，藉由熱氧化法使閘門膜39(SiO2)成長。接著，如第12圖(d)所示，使多結晶矽膜40堆積在表面3上，藉由光微影處理將多結晶矽膜40圖案化，並形成了閘門電極41之後，將此閘門電極41作為遮罩藉由蝕刻將閘門膜39除去。
接著，如第13圖(a)所示，將P溝道晶體管側(圖示左側)由光阻膜42覆蓋，在N溝道晶體管側(圖示右側)注入砷43，在加工對象物1的表面3形成源極區域44及漏極區域45。另一方面，如第13圖(b)所示，將N溝道晶體管側由光阻膜46覆蓋，在P溝道晶體管側注入硼47，在加工對象物1的表面3形成源極區域48及漏極區域49。
且如第13圖(c)所示，將層間絕緣膜50(SiO2)堆積在表面3上，並且藉由光微影處理將層間絕緣膜50圖案化，並形成電極拉出口51。在最後，如第13圖(d)所示，將鋁膜堆積在表面3上，並且藉由光微影處理將鋁膜圖案化，並形成導通部53。由此，P溝道晶體管54及N溝道晶體管55在表面3側成為具備功能元件15的CMOS感測器，是作為半導體裝置10形成。其後，半導體裝置10，是例如，在電路基板上透過焊錫球被電連接。
以上，在本實施例中，在矽基板也就是加工對象物1的內部不露出於表面3及背面21地連續形成改質區域7，將此改質區域7藉由異方性蝕刻除去，就可以在半導體裝置10的內部形成冷卻媒體流動的微流路24。因此，可以將微流路24一體地形成於加工對象物1的內部，可獲得不需另外設置冷卻手段就可直接冷卻的半導體裝置。即，依據本實施例，可以製造冷卻效率可提高及可小型化的半導體裝置10。
又，因為具有藉由在蝕刻劑添加添加物使特定的結晶方位的蝕刻率變化的情況，所以依據所期的蝕刻率進行異方性蝕刻處理，將對應加工對象物1的結晶方位的添加物添加在蝕刻劑也可以。
接著，說明第2實施例。又，在本實施例的說明中，主要說明與上述第1實施例不同的點。
第14圖是顯示說明本實施例用的加工對象物的圖，第15圖是說明本實施例的異方性蝕刻處理用的加工對象物的擴大剖面圖。本實施例的與上述第1實施例不同的點，是取代從表面3視呈波狀延伸的微流路24(第10圖參照)，而從表面3視將呈矩形螺旋狀地延伸的微流路作為冷卻機構形成於加工對象物1內。
具體而言，首先，藉由將雷射光L集光在加工對象物1的內部，如第14圖所示，在表面3視使從加工對象物1的中心呈矩形螺旋狀地延伸的改質區域67a，只有形成在加工對象物1的內部。與此同時，將：露出背面21且與改質區域67a的一端連續的改質區域67b、及露出背面21且與改質區域67a的另一端連續的改質區域67b，各別沿著厚度方向形成作為構成微流路的流出入部者。
且，在本實施例中，藉由將雷射光L集光在加工對象物1的內部，在後段的異方性蝕刻處理將蝕刻劑朝改質區域67a導引，在加工對象物1將改質區域67c複數形成。改質區域67c，是露出背面21且與改質區域67a的延伸途中連續的方式，沿著加工對象物1的厚度方向延伸。換言之，改質區域67c，是在加工對象物1的內部從與沿著表面3的方向連續地形成的改質區域67a的途中(一端及另一端之間)的預定位置，沿著厚度方向至背面21為止連續地延伸。
接著，對於加工對象物1，施加異方性蝕刻處理。由此，在加工對象物1中蝕刻劑是從背面21朝改質區域67b進入地浸潤，使蝕刻沿著改質區域67b進展。且，蝕刻劑是從此改質區域67b朝改質區域67a進入地浸潤，使蝕刻沿著改質區域67a進展。與此同時，在本實施例中，如第14、15圖所示，蝕刻劑是從背面21朝改質區域67c進入地浸潤，使蝕刻沿著改質區域67c進展，且，蝕刻劑也從此改質區域67c朝改質區域67a進入地浸潤，使蝕刻沿著改質區域67a進展。
以上，在本實施例中，也可達成可製造冷卻效率可提高及可小型化的半導體裝置10的上述作用效果。
且在本實施例中，如上述，露出背面21且與改質區域67a的延伸途中連續的方式將改質區域67c形成於加工對象物1，藉由蝕刻沿著此改質區域67c選擇性地進展，使蝕刻劑從該改質區域67c朝改質區域67a進入。由此，沿著改質區域67a蝕刻而形成微流路時，可以藉由改質區域67c所期地控制這種改質區域67a的蝕刻的進展(蝕刻率)。
又，在加工對象物1中改質區域67a的矩形螺旋的角部，是具有由表面3視使形成倒角的方式具有(111)面的情況。此情況，在後段的異方性蝕刻處理中，因為由(111)面使蝕刻停止(etchstop)，所以微流路的矩形螺旋的角部會形成倒角而被平滑化，就可以提高微流路中的冷卻媒體的流通性。
順便，在本實施例中，具有將藉由使蝕刻沿著改質區域67c進展而形成的孔64y(第14、15圖參照)，在異方性蝕刻處理之後進行埋設的情況。此情況，對於被製造的半導體裝置10，成為可抑制由孔64y所起因的製品上等的不良影響(以下同樣)。
接著，說明第3實施例。又，在本實施例的說明中，主要說明與上述第2實施例不同的點。
第16圖是顯示說明本實施例用的加工對象物的圖。在本實施例中，在加工對象物1形成了改質區域7之後(第14圖參照)，對於加工對象物1進行異方性蝕刻處理，使蝕刻沿著此改質區域7進展。由此，如第16圖所示，在加工對象物1內，從表面3視形成呈矩形螺旋狀地延伸的空間62。又，在空間62中，與上述實施例同樣地，形成有流出入部62a、62b。接著，藉由例如化學電鍍，將冷卻媒體61充填於空間62。由此，在加工對象物1的內部形成冷卻機構61。且，與上述實施例同樣地，在加工對象物1的表面3側形成功能元件15。
冷卻媒體61，是使用熱傳導性較高的材料。例如冷卻媒體61，具有使用Cu、Al等的情況、和使用其他的金屬材料的情況。冷卻機構61，是藉由從外部將冷卻媒體61冷卻，將半導體裝置冷卻。
以上，在本實施例中，也可達成可製造冷卻效率可提高及可小型化的半導體裝置的上述作用效果。又，在本實施例中，在空間62形成之後且冷卻媒體61充填之前，形成功能元件15也可以。
以上，雖說明了最佳的實施例，但是本發明，不限定於上述實施例，在不變更各申請專利範圍所揭示的實質範圍內，可進行各種變形，或也可以適用於其他區域。
例如，形成改質區域7時的雷射光入射面，不限定於加工對象物1的表面3，加工對象物1的背面21也可以。且，在上述第2實施例中，雖將蝕刻劑朝改質區域67a導引用的改質區域67c複數形成在加工對象物1，但是將與此改質區域67c同樣的改質區域在上述第1實施例適宜形成也可以。此情況，可以將蝕刻劑朝改質區域7a最佳地導引，就可所期地控制沿著改質區域7a的蝕刻的進展。
且在上述實施例中，雖於形成改質區域7並進行異方性蝕刻處理之後形成功能元件15，但是形成功能元件15，在形成改質區域7之後進行異方性蝕刻處理也可以，在形成改質區域7並形成了功能元件15之後進行異方性蝕刻處理也可以。這些的情況，在功能元件15的形成之後使該功能元件15由保護膜等保護。又，形成的流路的形狀，是各種的形狀的流路也可以，即，只要是形成於加工對象物1的內部即可。
[產業上的利用可能性]
依據本發明，成為可製造冷卻效率可提高及可小型化的半導體裝置。
L．．．雷射光
P．．．集光點
1．．．加工對象物
3．．．表面(一主面)
5．．．改質區域形成預定線
7．．．改質區域
7a．．．改質區域
7b．．．改質區域
8．．．除去區域
10．．．半導體裝置
15．．．功能元件
21．．．背面(他主面)
24．．．微流路(流路)
24x．．．流出入部
31．．．二氧化矽膜
32．．．感光耐蝕膜
33．．．磷離子
34．．．N型區域
35．．．襯墊膜
36．．．矽氮化膜
37．．．感光耐蝕膜
38．．．磁場膜
39．．．閘門膜
40．．．多結晶矽膜
41．．．閘門電極
42．．．光阻膜
43．．．砷
44．．．源極區域
45．．．漏極區域
46．．．光阻膜
47．．．硼
48．．．源極區域
49．．．漏極區域
50．．．層間絕緣膜
51．．．電極拉出口
53．．．導通部
54．．．P溝道晶體管
55．．．N溝道晶體管
61．．．冷卻媒體
62．．．空間
62a，62b．．．流出入部
64y．．．孔
67a．．．改質區域
67b．．．改質區域
67c．．．改質區域
100．．．雷射加工裝置
101．．．雷射光源
102．．．雷射光源控制部
103．．．分色鏡
105．．．集光用透鏡
107．．．支撐台
111．．．平台
115．．．平台控制部
[第1圖]改質區域的形成所使用的雷射加工裝置的概略構成圖。
[第2圖]成為改質區域的形成的對象之加工對象物的平面圖。
[第3圖]第2圖的加工對象物的III-III線的剖面圖。
[第4圖]雷射加工後的加工對象物的平面圖。
[第5圖]第4圖的加工對象物的V-V線的剖面圖。
[第6圖]第4圖的加工對象物的VI-VI線的剖面圖。
[第7圖]顯示第1實施例的半導體裝置的製造方法的流程圖。
[第8圖](a)是顯示說明第1實施例的半導體裝置的製造方法的流程用的加工對象物的平面圖，(b)是第8圖(a)的VIIIb-VIIIb線的加工對象物的剖面圖。
[第9圖](a)是顯示第8圖(b)的接著的加工對象物的剖面圖，(b)是顯示第9圖(a)的接著的加工對象物的剖面圖，(c)是顯示第9圖(b)的接著的加工對象物的剖面圖。
[第10圖](a)是顯示第9圖(c)的接著的加工對象物的平面圖，(b)是第10圖(a)的Xb-Xb線的加工對象物的剖面圖。
[第11圖](a)是顯示第10圖(b)的接著的加工對象物的剖面圖，(b)是顯示第11圖(a)的接著的加工對象物的剖面圖，(c)是顯示第11圖(b)的接著的加工對象物的剖面圖，(d)是顯示第11圖(c)的接著的加工對象物的剖面圖。
[第12圖](a)是顯示第11圖(d)的接著的加工對象物的剖面圖，(b)是顯示第12圖(a)的接著的加工對象物的剖面圖，(c)是顯示第12圖(b)的接著的加工對象物的剖面圖，(d)是顯示第12圖(c)的接著的加工對象物的剖面圖。
[第13圖](a)是顯示第12圖(d)的接著的加工對象物的剖面圖，(b)是顯示第13圖(a)的接著的加工對象物的剖面圖，(c)是顯示第13圖(b)的接著的加工對象物的剖面圖，(d)是顯示第13圖(c)的接著的加工對象物的剖面圖。
[第14圖](a)是顯示說明第2實施例的半導體裝置的製造方法的流程用的加工對象物的平面圖，(b)是第14圖(a)的XIVb-XIVb線的加工對象物的剖面圖。
[第15圖]顯示第14圖(b)的接著的加工對象物的擴大剖面圖。
[第16圖](a)是顯示說明第3實施例的半導體裝置的製造方法的流程用的加工對象物的平面圖，(b)是第16圖(a)的XVIb-XVIb線的加工對象物的剖面圖。
1．．．加工對象物
3．．．表面(一主面)
7．．．改質區域
7a．．．改質區域
21．．．背面(他主面)
24．．．微流路(流路)
24x．．．流出入部

Claims (5)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，是供製造具有冷卻機構的半導體裝置用的製造方法，包含：藉由將雷射光集光在由矽所形成的板狀的加工對象物，在前述加工對象物的內部將改質區域沿著改質區域形成預定線延伸地形成的改質區域形成過程；及前述改質區域形成過程之後，藉由在前述加工對象物施加異方性蝕刻處理，使蝕刻沿著前述改質區域選擇性地進展，將冷卻媒體流通用的流路作為前述冷卻機構形成於前述加工對象物的內部的蝕刻處理過程；及藉由對於前述冷却機構形成中或已形成前述冷却機構的前述加工対象物，進行氧化膜的形成、感光耐蝕膜的形成、光微影處理、離子的注入、導通部的形成，而在該加工對象物的一主面側形成功能元件的功能元件形成過程。
  2. 一種半導體裝置的製造方法，是供製造具有冷卻機構的半導體裝置用的製造方法，包含：藉由將雷射光集光在由矽所形成的板狀的加工對象物，在前述加工對象物的內部將改質區域沿著改質區域形成預定線延伸地形成的改質區域形成過程；及前述改質區域形成過程之後，藉由在前述加工對象物施加異方性蝕刻處理，使蝕刻沿著前述改質區域選擇性地進展，將冷卻媒體充填用的空間形成於前述加工對象物的內部的蝕刻處理過程；及將冷卻媒體充填在前述空間並將前述冷卻機構形成於 前述加工對象物的內部的過程；及藉由對於前述冷却機構形成中或已形成前述冷却機構的前述加工対象物，進行氧化膜的形成、感光耐蝕膜的形成、光微影處理、離子的注入、導通部的形成，而在該加工對象物的一主面側形成功能元件的功能元件形成過程。
  3. 如申請專利範圍第1或2項的半導體裝置的製造方法，其中，在前述改質區域形成過程中，在前述加工對象物中將露出於前述一主面相反側的他主面的其他的改質區域，以與前述改質區域的延伸途中連續的方式沿著前述加工對象物的厚度方向形成，在前述蝕刻處理過程中，藉由使蝕刻沿著前述其他的改質區域選擇性地進展，使蝕刻劑從前述其他的改質區域朝前述改質區域進入。
  4. 如申請專利範圍第3項的半導體裝置的製造方法，其中，進一步包含將藉由使蝕刻沿著前述其他的改質區域進展而形成的孔閉塞的過程。
  5. 如申請專利範圍第1或2項的半導體裝置的製造方法，其中，前述功能元件形成過程，是在前述蝕刻處理過程之後實施。
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