CN103025477A - 半导体设备的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于制造具有冷却机构（61）的半导体设备（10）的制造方法，包含：通过将激光（L）聚光于由硅所形成的板状的加工对象物（1），从而在加工对象物（1）的内部以沿着改质区域形成预定线（5）延伸的方式形成改质区域（7）的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，将用于流通冷却介质（61）的流路作为冷却机构（61）形成于加工对象物（1）的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物（1）的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。

Description

半导体设备的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体设备的制造方法，特别是涉及用于制造具有冷却机构的半导体设备的制造方法。
背景技术
一直以来，例如如专利文献1所记载的那样，作为用于制造具有冷却机构的半导体设备的制造方法，已知有将半导体芯片等的功能元件搭载在基板上，将该基板由热传导树脂密封，然后，在其上设置冷却翅片的方法。在该专利文献1所记载的制造方法中，冷却翅片的沟槽深度对应于功能元件的发热量而调整。
专利文献
专利文献1：日本特开2001-15675号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在此，在上述现有技术中，因为需要设置比功能元件大型的冷却翅片等的间接冷却机构，因此，存在容易大型化并且冷却效率变低的担忧。在制造高输出的半导体设备的情况下，该担忧变得显著。
因此，本发明的课题是提供一种可以制造能够实现冷却效率的提高以及小型化的半导体设备的半导体设备的制造方法。
解决课题的技术手段
为了解决上述课题，本发明的一个侧面所涉及的半导体设备的制造方法，是用于制造具有冷却机构的半导体设备的制造方法，包含：通过将激光聚光于由硅所形成的板状的加工对象物，从而在加工对象物的内部以沿着改质区域形成预定线延伸的方式形成改质区域的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域选择性地进展，将用于流通冷却介质的流路作为冷却机构形成于加工对象物的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。
在该半导体设备的制造方法中，能够将用于流通冷却介质的流路一体地形成于加工对象物的内部，因此，可以获得不另外设置冷却机构而可直接冷却的半导体设备。即，可以制造能够实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备。
另外，本发明的一个侧面所涉及的半导体设备的制造方法，是用于制造具有冷却机构的半导体设备的制造方法，包含：通过将激光聚光于由硅所形成的板状的加工对象物，从而在加工对象物的内部以沿着改质区域形成预定线延伸的方式形成改质区域的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域选择性地进展，将用于填充冷却介质的空间形成于加工对象物的内部的蚀刻处理工序；将冷却介质填充在空间而将冷却机构形成于加工对象物的内部的工序；及在加工对象物的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。
在该半导体设备的制造方法中，可以将用于填充冷却介质的空间一体地形成于加工对象物的内部，将冷却介质填充在该空间并将冷却机构形成于加工对象物的内部。因此，可以获得不另外设置冷却机构而可直接冷却的半导体设备。即，可以制造能够实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备。
另外，在改质区域形成工序中，也可以将加工对象物中露出于一个主面的相反侧的另一个主面的其它的改质区域，以与改质区域的延伸途中连续的方式沿着加工对象物的厚度方向形成，在蚀刻处理工序中，通过沿着其它的改质区域使蚀刻选择性地进展，从而使蚀刻剂从其它的改质区域进入到改质区域。在此情况下，在使蚀刻沿着改质区域进展而形成流路时，可以通过其它的改质区域按期望地控制该改质区域的蚀刻的进展。
此时，有时进一步包含将通过使蚀刻沿着其它的改质区域进展而形成的孔闭塞的工序。另外，功能元件形成工序有时在蚀刻处理工序之后实施。
发明的效果
根据本发明，可以制造能够实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备。
附图说明
图1为改质区域的形成所使用的激光加工装置的概略构成图。
图2为成为改质区域的形成的对象的加工对象物的平面图。
图3为沿着图2的加工对象物的III-III线的剖面图。
图4为激光加工后的加工对象物的平面图。
图5为沿着图4的加工对象物的V-V线的剖面图。
图6为沿着图4的加工对象物的VI-VI线的剖面图。
图7为表示第1实施方式所涉及的半导体设备的制造方法的流程图。
图8（a）是表示用于说明第1实施方式所涉及的半导体设备的制造方法的流程的加工对象物的平面图，（b）是沿着图8（a）的VIIIb-VIIIb线的加工对象物的剖面图。
图9（a）是表示图8（b）的接续的加工对象物的剖面图，（b）是表示图9（a）的接续的加工对象物的剖面图，（c）是表示图9（b）的接续的加工对象物的剖面图。
图10（a）是表示图9（c）的接续的加工对象物的平面图，（b）是沿着图10（a）的Xb-Xb线的加工对象物的剖面图。
图11（a）是表示图10（b）的接续的加工对象物的剖面图，（b）是表示图11（a）的接续的加工对象物的剖面图，（c）是表示图11（b）的接续的加工对象物的剖面图，（d）是表示图11（c）的接续的加工对象物的剖面图。
图12（a）是表示图11（d）的接续的加工对象物的剖面图，（b）是表示图12（a）的接续的加工对象物的剖面图，（c）是表示图12（b）的接续的加工对象物的剖面图，（d）是表示图12（c）的接续的加工对象物的剖面图。
图13（a）是表示图12（d）的接续的加工对象物的剖面图，（b）是表示图13（a）的接续的加工对象物的剖面图，（c）是表示图13（b）的接续的加工对象物的剖面图，（d）是表示图13（c）的接续的加工对象物的剖面图。
图14（a）是表示用于说明第2实施方式所涉及的半导体设备的制造方法的流程的加工对象物的平面图，（b）是沿着图14（a）的XIVb-XIVb线的加工对象物的剖面图。
图15为表示图14（b）的接续的加工对象物的扩大剖面图。
图16（a）是表示用于说明第3实施方式所涉及的半导体设备的制造方法的流程的加工对象物的平面图，（b）是沿着图16（a）的XVIb-XVIb线的加工对象物的剖面图。
符号的说明
1…加工对象物、3…表面（一个主面）、5…改质区域形成预定线、7、7a、7b、67a～67c…改质区域、10…半导体设备、15…功能元件、21…背面（另一个主面）、24…微流路（流路）、61…冷却介质、62…空间、64y…孔、L…激光。
具体实施方式
以下，参照附图，对优选的实施方式进行详细的说明。还有，在以下的说明中，对于相同或相当要素附加相同符号，省略重复的说明。
在本实施方式所涉及的半导体设备的制造方法中，将激光聚光于加工对象物的内部而形成改质区域。在此，首先，参照图1～图6，说明改质区域的形成。
如图1所示，激光加工装置100具备：使激光L脉冲振荡的激光光源101、以将激光L的光轴（光路）的方向改变90°的方式配置的分色镜103、用于将激光L聚光的聚光用透镜105。另外，激光加工装置100具备：用于支撑由聚光用透镜105聚光的激光L所照射的加工对象物1的支撑台107、用于使支撑台107移动的平台111、为了调节激光L的输出或脉冲宽度等而控制激光光源101的激光光源控制部102、及控制平台111的移动的平台控制部115。
在该激光加工装置100中，从激光光源101射出的激光L，通过分色镜103将其光轴的方向改变90°，通过聚光用透镜105而被聚光于载置于支撑台107上的板状的加工对象物1的内部。与此同时，使平台111移动，使加工对象物1相对于激光L沿着改质区域形成预定线5相对移动。由此，沿着改质区域形成预定线5的改质区域形成于加工对象物1。
作为加工对象物1，使用半导体材料或压电材料等，如图2所示，在加工对象物1，设定改质区域形成预定线5。在此的改质区域形成预定线5是以直线状延伸的假想线。在加工对象物1的内部形成改质区域的情况下，如图3所示，在将聚光点P对准加工对象物1的内部的状态下，使激光L沿着改质区域形成预定线5（即在图2的箭头A方向）相对地移动。由此，如图4～图6所示，改质区域7沿着改质区域形成预定线5而形成于加工对象物1的内部，该改质区域7由后面所述的蚀刻而成为除去区域8。
还有，所谓聚光点P，是激光L聚光的场所。另外，改质区域形成预定线5，不限定于直线状，可以为曲线状，也可以为三维状，也可以是坐标指定了的线。另外，改质区域7，有连续地形成的情况，也有间断地形成的情况。另外，改质区域7可以是列状，也可以是点状，主要是，改质区域7至少形成于加工对象物1的内部即可。另外，具有以改质区域7为起点而形成龟裂的情况，龟裂及改质区域7也可以露出于加工对象物1的外表面（表面、背面或外周面）。
顺便说明的话，在此，激光L透过加工对象物1并且在加工对象物1的内部的聚光点附近被特别吸收，由此，在加工对象物1形成改质区域7（即内部吸收型激光加工）。一般来说，在从表面3被熔融而除去而形成孔或沟槽等的除去部（表面吸收型激光加工）的情况下，加工区域从表面3侧逐渐地朝背面侧行进。
但是，本实施方式所涉及的改质区域7，是密度、折射率、机械强度或其它的物理的特性成为与周围不同的状态的区域。作为改质区域7，例如具有熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有这些区域混合存在的区域。进一步，作为改质区域7，存在在加工对象物1的材料中密度与非改质区域的密度相比较变化了的区域、或形成有晶格缺陷的区域（这些也统称为高密转移区域）。
另外，熔融处理区域或折射率变化区域、改质区域7的密度与非改质区域的密度相比较变化了的区域、形成有晶格缺陷的区域，进一步存在在这些区域的内部或改质区域7与非改质区域的界面内包龟裂（割裂、微裂纹）的情况。所内包的龟裂存在遍及改质区域7的整个面而形成的情况或仅形成于一部分或形成于多个部分的情况。作为加工对象物1，可以列举包含硅或由硅构成的对象物。
在此，在本实施方式中，在加工对象物1形成了改质区域7之后，通过对该加工对象物1实施蚀刻处理，从而沿着改质区域7（即沿着改质区域7、包含于改质区域7的龟裂、或者从改质区域7延伸的龟裂）使蚀刻选择性地进展，将加工对象物1中的沿着改质区域7的部分除去。还有，该龟裂也称为裂纹、微小裂纹、割裂等（以下，单单称为“龟裂”）。
在本实施方式的蚀刻处理中，例如，利用毛细管现象等，将蚀刻剂浸润于包含于加工对象物1的改质区域7的龟裂或从该改质区域7延伸的龟裂，使蚀刻沿着龟裂面进展。由此，在加工对象物1中，沿着龟裂选择性地并且高蚀刻速率地使蚀刻进展而进行除去。与此同时，利用改质区域7本身的蚀刻速率较高的特征，使蚀刻选择性地沿着改质区域7进展而进行除去。
作为蚀刻处理，例如有将加工对象物1浸渍于蚀刻剂的情况（浸渍方式：Dipping）、及旋转加工对象物1并涂布蚀刻剂的情况（旋转蚀刻方式：SpinEtching）。
作为蚀刻剂，例如可以列举KOH（氢氧化钾）、TMAH（四甲基氢氧化铵水溶液）、EDP（乙二胺邻苯二酚）、NaOH（氢氧化钠）、CsOH（氢氧化铯）、NH4OH（氢氧化铵）、肼等。另外，作为蚀刻剂，不仅可以使用液体状的蚀刻剂，也可以使用凝胶状（果冻状、半固体形状）的蚀刻剂。在此的蚀刻剂，在常温～100℃前后的温度下使用，对应于所需要的蚀刻速率等而设定成适宜的温度。例如，在将由硅形成的加工对象物1由KOH蚀刻处理的情况下，优选为约60℃。
另外，在本实施方式中，作为蚀刻处理，进行作为特定方向的蚀刻速度快（或慢）的蚀刻的各向异性蚀刻处理。在该各向异性蚀刻处理的情况下，不仅是比较薄的加工对象物，也可以应用于较厚的加工对象物（例如厚度800μm～100μm）。另外，在此情况下，即使在形成改质区域7的面与面方位不同时，也可以沿着该改质区域7进行蚀刻。即，在此的各向异性蚀刻处理中，除了顺着结晶方位的面方位的蚀刻以外，也可以是不依赖于结晶方位的蚀刻。
接着，详细地说明第1实施方式所涉及的半导体设备的制造方法。图7是表示本实施方式的流程图，图8～13是用于说明本实施方式的流程图。
本实施方式是制造例如CPU（中央处理器、Central Processing Unit）或高功率晶体管等的半导体设备（硅设备）的方法，在此，如图13所示，制造在加工对象物1搭载功能元件15而成的CMOS（互补式金属氧化物半导体、Complementary Metal Oxide Semiconductor）传感器。另外，特别是在本实施方式中，如图10所示，通过在加工对象物1内实施三维微细加工，从而将作为流通有冷却介质的微细孔的微流路（流路）24作为冷却机构而形成于加工对象物1内。在此的微流路24，在加工对象物1内部中的厚度方向中央位置，以在表面3视中以沿着一个方向折返的方式蛇行并在该一个方向的垂直方向上行进的波状延伸。
加工对象物1是相对于照射的激光L的波长（例如1064nm）透明的硅基板。在此的加工对象物1设为P型硅基板，具有成为（100）面的表面（一个主面）3及背面21（另一个主面）。在该加工对象物1，改质区域形成预定线通过三维的坐标指定而被可编程序地设定。
改质区域形成预定线，以对应于形成的微流路24而延伸的方式设定。即，改质区域形成预定线，被设定成在表面3视中以沿着一个方向折返的方式蛇行并在该一个方向的垂直方向行进的波状。功能元件15例如是由结晶成长形成的半导体动作层、光电二极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件、或者作为电路形成的电路元件等。
在本实施方式中将加工对象物1加工的情况下，首先，通过使激光L聚光于加工对象物1，从而在加工对象物1的内部形成改质区域7（图7的S1）。具体而言，将加工对象物1的表面3侧作为上方而载置保持于载置台。然后，将激光L的聚光点（以下单单称为“聚光点”）对准加工对象物1的内部中的厚度方向中央部，使该聚光点沿着改质区域形成预定线移动，并从表面3侧照射激光L。由此，如图8所示，沿着所形成的微流路24（参照图10）将连续的改质区域7a（即在表面3视中以折返的方式蛇行的波状的改质区域7）仅形成于加工对象物1的内部。
与此同时，将聚光点对准改质区域形成预定线的一端，将该聚光点在厚度方向上移动直到背面21为止，从表面3侧照射激光L。另外，将聚光点对准改质区域形成预定线的另一端，将该聚光点在厚度方向上移动直到背面21为止，从表面3侧照射激光L。由此，作为构成微流路24的流出入部24x（参照图9）的方式，使露出于背面21并且分别与改质区域7a的一端及另一端连续的改质区域7b、7b，分别沿着厚度方向形成。
还有，在此，因为将脉冲激光作为激光L进行点照射，所以所形成的改质区域7由改质点所构成。另外，在改质区域7，从该改质区域7发生的龟裂被内包而形成（对于以下的改质区域7也相同）。
接着，对加工对象物1，将例如85℃的KOH作为蚀刻剂使用而实施各向异性蚀刻处理（图7的S2）。由此，如图9（a）所示，在加工对象物1中蚀刻剂从背面21朝着改质区域7b进入而浸润，蚀刻沿着改质区域7b进展而除去加工对象物1，其结果，形成流出入部24x。然后，如图9（b）、（c）所示，蚀刻剂从改质区域7b朝着改质区域7a进入而浸润，使蚀刻沿着改质区域7a进展而除去加工对象物1，其结果，如图10所示，完成微流路24的形成。
接着，在加工对象物1的表面3侧形成功能元件15（图7的S3）。具体而言，首先，如图11（a）、（b）所示，将加工对象物1洗净干燥之后，实施热氧化处理在表面3上使二氧化硅膜31（SiO2）成长，在该二氧化硅膜31上涂布作为感光性树脂膜的光致抗蚀剂32。接着，如图11（c）所示，通过光刻法处理对光致抗蚀剂32图案化之后，将该光致抗蚀剂32作为掩膜而通过蚀刻将二氧化硅膜31除去，使加工对象物1的表面3的规定部分露出。
接着，如图11（d）所示，将光致抗蚀剂32除去并洗净之后，将二氧化硅膜31作为掩膜而将磷离子33注入到表面3，将具有规定分布的N型区域34形成于加工对象物1的表面3侧。接着，如图12（a）所示，将二氧化硅膜31溶解除去并洗净，在表面3上将衬垫膜35（SiO2）、硅氮化膜36（Si3N4）及光致抗蚀剂37按照该顺序形成。然后，通过光刻法处理将光致抗蚀剂37图案化之后，将该光致抗蚀剂37作为掩膜而通过蚀刻将衬垫膜35及硅氮化膜36除去，使加工对象物1的表面3的规定部分露出。
接着，如图12（b）所示，将光致抗蚀剂37剥离并洗净之后，将硅氮化膜36作为掩膜，在加工对象物1的表面3侧将磁场膜38（SiO2）部分地形成。然后，如图12（c）所示，将衬垫膜35及硅氮化膜36除去并洗净之后，通过热氧化法使栅极膜39（SiO2）成长。接着，如图12（d）所示，使多结晶硅膜40堆积在表面3上，通过光刻法处理将多结晶硅膜40图案化，并形成栅极电极41之后，将该栅极电极41作为掩膜而通过蚀刻将栅极膜39除去。
接着，如图13（a）所示，将P沟道晶体管侧（图示左侧）由抗蚀剂膜42覆盖，在N沟道晶体管侧（图示右侧）注入砷43，在加工对象物1的表面3形成源极区域44及漏极区域45。另一方面，如图13（b）所示，将N沟道晶体管侧由抗蚀剂膜46覆盖，在P沟道晶体管侧注入硼47，在加工对象物1的表面3形成源极区域48及漏极区域49。
然后，如图13（c）所示，将层间绝缘膜50（SiO2）堆积在表面3上，并且通过光刻法处理将层间绝缘膜50图案化，形成电极引出口51。最后，如图13（d）所示，将铝膜堆积在表面3上，并且通过光刻法处理将铝膜图案化，形成导通部53。由此，将P沟道晶体管54及N沟道晶体管55在表面3侧作为功能元件15而具备的CMOS传感器，作为半导体设备10而被形成。其后，半导体设备10例如在电路基板上经由焊料球而被电连接。
以上，在本实施方式中，在作为硅基板的加工对象物1的内部形成不露出于表面3及背面21的连续的改质区域7，将该改质区域7通过各向异性蚀刻除去，从而在半导体设备10的内部形成能够流过冷却介质的微流路24。因此，可以将微流路24一体地形成于加工对象物1的内部，可以获得不另外设置冷却机构而可直接冷却的半导体设备。即，根据本实施方式，可以制造可实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备10。
还有，因为存在通过在蚀刻剂添加添加物而使特定的结晶方位的蚀刻速率变化的情况，所以也可以在蚀刻剂中添加应以所期望的蚀刻速率进行各向异性蚀刻处理的对应于加工对象物1的结晶方位的添加物。
接着，说明第2实施方式。还有，在本实施方式的说明中，主要说明与上述第1实施方式不同的点。
图14是表示用于说明本实施方式的加工对象物的图，图15是用于说明本实施方式的各向异性蚀刻处理的加工对象物的扩大剖面图。本实施方式与上述第1实施方式不同的点在于，取代在表面3视中呈波状延伸的微流路24（参照图10），而将在表面3视中呈矩形螺旋状地延伸的微流路作为冷却机构而形成于加工对象物1内。
具体而言，首先，通过使激光L聚光于加工对象物1的内部，从而如图14所示，将在表面3视中从加工对象物1的中心呈矩形螺旋状地延伸的改质区域67a仅形成于加工对象物1的内部。与此同时，作为构成微流路的流出入部的方式，将露出于背面21并且与改质区域67a的一端连续的改质区域67b、及露出于背面21并且与改质区域67a的另一端连续的改质区域67b，分别沿着厚度方向形成。
除此之外，在本实施方式中，通过使激光L聚光于加工对象物1的内部，从而在后段的各向异性蚀刻处理中使蚀刻剂朝着改质区域67a引导，在加工对象物1形成多个改质区域67c。改质区域67c以露出于背面21并且与改质区域67a的延伸途中连续的方式，沿着加工对象物1的厚度方向延伸。换言之，改质区域67c在加工对象物1的内部从在沿着表面3的方向上连续地形成的改质区域67a的途中（一端与另一端之间）的规定位置，沿着厚度方向连续地延伸直至背面21。
接着，对加工对象物1，实施各向异性蚀刻处理。由此，在加工对象物1中蚀刻剂从背面21朝改质区域67b进入并浸润，使蚀刻沿着改质区域67b进展。然后，蚀刻剂从该改质区域67b朝改质区域67a进入并浸润，使蚀刻沿着改质区域67a进展。与此同时，在本实施方式中，如图14、15所示，蚀刻剂从背面21朝改质区域67c进入并浸润，使蚀刻沿着改质区域67c进展，然后，蚀刻剂也从该改质区域67c朝改质区域67a进入并浸润，使蚀刻沿着改质区域67a进展。
以上，在本实施方式中，实现了制造能够实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备10的上述作用效果。
另外，在本实施方式中，如上所述，以露出于背面21并且与改质区域67a的延伸途中连续的方式将改质区域67c形成于加工对象物1，使蚀刻沿着该改质区域67c选择性地进展，从而使蚀刻剂从该改质区域67c朝改质区域67a进入。由此，在沿着改质区域67a蚀刻而形成微流路时，可以通过改质区域67c按所期望地控制该改质区域67a的蚀刻的进展（蚀刻速率）。
还有，存在在加工对象物1中改质区域67a的矩形螺旋的角部在表面3视中以进行倒角的方式具有（111）面的情况。在此情况下，在后段的各向异性蚀刻处理中，因为在（111）面蚀刻停止（etch stop），所以微流路的矩形螺旋的角部被倒角而成为平滑，可以提高微流路中的冷却介质的流通性。
顺便说明，在本实施方式中，存在将通过使蚀刻沿着改质区域67c进展而形成的孔64y（参照图14、15）在各向异性蚀刻处理后进行埋设的情况。在此情况下，在所制造的半导体设备10中，可以抑制由孔64y所引起的产品上等的不良影响（以下，相同）。
接着，说明第3实施方式。还有，在本实施方式的说明中，主要说明与上述第2实施方式不同的点。
图16是表示用于说明本实施方式的加工对象物的图。在本实施方式中，在加工对象物1形成了改质区域7之后（参照图14），对加工对象物1进行各向异性蚀刻处理，使蚀刻沿着该改质区域7进展。由此，如图16所示，在加工对象物1内，形成在表面3视中呈矩形螺旋状地延伸的空间62。还有，在空间62，与上述实施方式同样地，形成有流出入部62a、62b。接着，通过例如无电解电镀，将冷却介质61填充于空间62。由此，在加工对象物1的内部形成冷却机构61。然后，与上述实施方式同样地，在加工对象物1的表面3侧形成功能元件15。
作为冷却介质61，使用热传导性高的材料。例如，作为冷却介质61，存在使用Cu、Al等的情况、或使用其它的金属材料的情况。冷却机构61通过从外部将冷却介质61冷却而冷却半导体设备。
以上，在本实施方式中，实现了制造能够实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备的上述作用效果。还有，在本实施方式中，也可以在形成空间62之后且填充冷却介质61之前，形成功能元件15。
以上，说明了优选的实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式，在不变更各权利要求所记载的主旨的范围内可以进行变形，或者也可以应用于其它方式。
例如，形成改质区域7时的激光入射面，不限定于加工对象物1的表面3，也可以是加工对象物1的背面21。另外，在上述第2实施方式中，在加工对象物1形成多个用于将蚀刻剂朝改质区域67a引导的改质区域67c，但是，也可以将与该改质区域67c同样的改质区域在上述第1实施方式中适当形成。在此情况下，可以将蚀刻剂朝改质区域7a适当地引导，可以按所期望地控制沿着改质区域7a的蚀刻的进展。
另外，在上述实施方式中，在形成改质区域7并实施各向异性蚀刻处理之后形成功能元件15，但是，可以形成功能元件15并在形成改质区域7之后实施各向异性蚀刻处理，也可以在形成改质区域7并形成功能元件15之后实施各向异性蚀刻处理。在这些情况下，在功能元件15的形成后由保护膜等保护该功能元件15。还有，形成的流路的形状也可以是各种的形状的流路，主要的，如果形成于加工对象物1的内部即可。
产业上的利用可能性
根据本发明，可以制造能够实现冷却效率的提高及小型化的半导体设备。

Claims (5)

1.一种半导体设备的制造方法，其特征在于，
是用于制造具有冷却机构的半导体设备的制造方法，
包含：
通过将激光聚光于由硅所形成的板状的加工对象物，从而在所述加工对象物的内部以沿着改质区域形成预定线延伸的方式形成改质区域的改质区域形成工序；
在所述改质区域形成工序之后，通过对所述加工对象物实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着所述改质区域选择性地进展，将用于流通冷却介质的流路作为所述冷却机构形成于所述加工对象物的内部的蚀刻处理工序；及
在所述加工对象物的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。
2.一种半导体设备的制造方法，其特征在于，
是用于制造具有冷却机构的半导体设备的制造方法，
包含：
通过将激光聚光于由硅所形成的板状的加工对象物，从而在所述加工对象物的内部以沿着改质区域形成预定线延伸的方式形成改质区域的改质区域形成工序；
在所述改质区域形成工序之后，通过对所述加工对象物实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着所述改质区域选择性地进展，将用于填充冷却介质的空间形成于所述加工对象物的内部的蚀刻处理工序；
将冷却介质填充于所述空间而将所述冷却机构形成于所述加工对象物的内部的工序；及
在所述加工对象物的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。
3.如权利要求1或2所述的半导体设备的制造方法，其特征在于，
在所述改质区域形成工序中，将所述加工对象物中露出于所述一个主面的相反侧的另一个主面的其它的改质区域，以与所述改质区域的延伸途中连续的方式沿着所述加工对象物的厚度方向形成，
在所述蚀刻处理工序中，通过使蚀刻沿着所述其它的改质区域选择性地进展，从而使蚀刻剂从所述其它的改质区域进入到所述改质区域。
4.如权利要求3所述的半导体设备的制造方法，其特征在于，
进一步包含将通过使蚀刻沿着所述其它的改质区域进展而形成的孔闭塞的工序。
5.如权利要求1～4中的任一项所述的半导体设备的制造方法，其特征在于，
所述功能元件形成工序在所述蚀刻处理工序之后实施。
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