CN103025476B - 激光加工方法 - Google Patents

激光加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103025476B
CN103025476B CN201180036517.0A CN201180036517A CN103025476B CN 103025476 B CN103025476 B CN 103025476B CN 201180036517 A CN201180036517 A CN 201180036517A CN 103025476 B CN103025476 B CN 103025476B
Authority
CN
China
Prior art keywords
workpiece
laser
hole
film
modification region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201180036517.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103025476A (zh
Inventor
下井英树
荒木佳祐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN103025476A publication Critical patent/CN103025476A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103025476B publication Critical patent/CN103025476B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/002—Etching of the substrate by chemical or physical means by liquid chemical etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/384—Removing material by boring or cutting by boring of specially shaped holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/55—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for creating voids inside the workpiece, e.g. for forming flow passages or flow patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/34—Coated articles, e.g. plated or painted; Surface treated articles
    • B23K2101/35—Surface treated articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

一种激光加工方法，是使激光（L）聚光于由硅形成的加工对象物（1）的内部而形成改质区域（7），沿着该改质区域（7）进行蚀刻，由此在加工对象物（1）形成贯通孔（24）的激光加工方法，包含：在加工对象物（1）的外表面生成对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜的耐蚀刻膜生成工序；在耐蚀刻膜生成工序之后，通过使激光（L）聚光于加工对象物（1），沿着加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分形成改质区域（7），并且使激光（L）聚光于耐蚀刻膜（22），由此，沿着耐蚀刻膜（22）的与贯通孔（24）对应的部分形成缺陷区域（22b）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，对加工对象物（1）实施蚀刻处理，沿着改质区域（7）使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔（24）的蚀刻处理工序。

Description

激光加工方法
技术领域
本发明涉及一种激光加工方法，特别是涉及一种在加工对象物形成贯通孔的激光加工方法。
背景技术
作为以往的激光加工方法，已知的有这样的激光加工方法：使激光聚光于板状的加工对象物而在加工对象物的内部形成改质区域后，对该加工对象物实施蚀刻处理来除去改质区域，由此将沿着厚度方向的贯通孔形成于加工对象物（例如参照专利文献1）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004－351494号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
这里，在上述的激光加工方法中，会有在进行蚀刻处理之前，将对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜图案化在加工对象物的外表面的情况。即，以覆盖加工对象物的外表面整个区域的方式生成耐蚀刻膜。其后，会有对耐蚀刻膜实施曝光等，将使蚀刻剂侵入到改质区域的开口形成在与耐蚀刻膜的变质层对应的区域的情况。由此，谋求抑制例如所形成的贯通孔的开口侧被过度蚀刻而扩大等，精度良好地形成贯通孔。但是，在这种情况下，如前述那样，由于另外需要实施曝光等来图案化的工序，因此会有加工复杂化及繁杂化的担忧。
因此，本发明的技术问题在于提供一种能够精度良好地形成贯通孔且可以达到加工容易化的激光加工方法。
解决技术问题的手段
本发明的一方面涉及激光加工方法。该激光加工方法是使激光聚 光于由硅形成的加工对象物的内部而形成改质区域，沿着该改质区域进行蚀刻，由此在加工对象物形成贯通孔的激光加工方法，包含：在加工对象物的外表面生成对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜的耐蚀刻膜生成工序；在耐蚀刻膜生成工序之后，通过使激光聚光于加工对象物，沿着加工对象物的与贯通孔对应的部分形成改质区域，并且使激光聚光于耐蚀刻膜，由此，沿着耐蚀刻膜的与贯通孔对应的部分形成缺陷区域的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，通过对加工对象物实施蚀刻处理，沿着改质区域使蚀刻选择性地进展而形成贯通孔的蚀刻处理工序。
在该激光加工方法中，通过使激光聚光于耐蚀刻膜，以沿着耐蚀刻膜的与贯通孔对应的部分进行剥蚀的方式加工，在所涉及的部分会形成缺陷区域（损伤区域）。因此，在其后的蚀刻处理工序中，使蚀刻剂从耐蚀刻膜的缺陷区域侵入到改质区域，沿着改质区域使蚀刻选择性地进展。因此，在加工对象物的外表面生成耐蚀刻膜的情况下，不需要实施曝光等来图案化的工序，其结果，能够精度良好地形成贯通孔且可以达到加工容易化。
另外，加工对象物呈具有成为（100）面的主面的板状，贯通孔相对于加工对象物的厚度方向倾斜，在蚀刻处理工序中，作为蚀刻处理，可以实施各向异性蚀刻。在这种情况下，能够将相对于厚度方向倾斜的贯通孔适当地形成于加工对象物。
另外，还可以包含：在激光聚光工序之后且蚀刻处理工序之前，对耐蚀刻膜实施蚀刻处理，由此将耐蚀刻膜的缺陷区域除去的工序。在这种情况下，在蚀刻处理工序中，能够使蚀刻剂切实地侵入到改质区域。
另外，是在加工对象物形成多个贯通孔的激光加工方法，还可以包含：在蚀刻处理工序之后，在加工对象物的贯通孔的内面生成绝缘膜的绝缘膜生成工序。由此，在例如对多个贯通孔分别埋入导体以形成多个贯通电极的情况下，可以确保相邻接的贯通电极间的绝缘性。
发明的效果
根据本发明的激光加工方法，能够精度良好地形成贯通孔且可以达到加工容易化。
附图说明
图1是改质区域的形成所使用的激光加工装置的概略结构图。
图2是成为改质区域的形成的对象的加工对象物的平面图。
图3是沿着图2的加工对象物的II－II线的截面图。
图4是激光加工后的加工对象物的平面图。
图5是沿着图4的加工对象物的V－V线的截面图。
图6是沿着图4的加工对象物的VI－VI线的截面图。
图7是表示蚀刻剂的一个例子的图表。
图8(a)是说明本实施方式的激光加工方法的流程图，图8(b)是表示图8(a)的后段的流程图。
图9(a)是表示图8(b)的后段的流程图，图9(b)是表示图9(a)的后段的流程图。
图10是将图9(b)的加工对象物的一部分放大来表示的图。
图11(a)是表示图9(b)的后段的流程图，图11(b)是表示图11(a)的后段的流程图。
图12(a)是表示图11(b)的后段的流程图，图12(b)是表示图12(a)的后段的流程图。
符号说明：
1…加工对象物、3…表面(外表面，主面)、7…改质区域、21…背面(外表面，主面)、22…氧化膜(耐蚀刻膜)、22b…缺陷区域、24…贯通孔、26…氧化膜(绝缘膜)、L…激光、P…聚光点。
具体实施方式
以下，针对本发明的优选实施方式，参照附图进行详细说明。再者，在以下的说明中，对相同或相当要素赋予相同符号，并省略重复说明。
在本实施方式的激光加工方法中，使激光聚光于加工对象物的内部而形成改质区域。因此，首先，针对改质区域的形成，参照图1～图6在以下进行说明。
如图1所示，激光加工装置100具备：将激光L进行脉冲振荡的激光光源101；配置成将激光L的光轴（光路）的方向改变90°的分光镜103；以及用来将激光L聚光的聚光用透镜105。另外，激光加工装置100具备：用来支承由聚光用透镜105聚光的激光L所照射的加工对象物1的支承台107；用来使支承台107移动的载台111；为了调节激光L的输出、脉冲宽度等而控制激光光源101的激光光源控制部102；以及用来控制载台111的移动的载台控制部115。
在该激光加工装置100中，从激光光源101出射的激光L，经由分光镜103而将其光轴的方向改变90°，并由聚光用透镜105聚光于支承台107上所载置的板状的加工对象物1的内部。与此同时，让载台111移动，使加工对象物1相对于激光L沿着改质区域形成预定部5相对移动。由此，沿着改质区域形成预定部5的改质区域形成于加工对象物1。
作为加工对象物1，可以使用半导体材料、压电材料等，如图2所示，在加工对象物1设定有改质区域形成预定部5。这里的改质区域形成预定部5是直线状延伸的假想线。在加工对象物1的内部形成改质区域的情况下，如图3所示，在使聚光点P对准于加工对象物1的内部的状态下，使激光L沿着改质区域形成预定部5（即，在图2的箭头A方向上）相对地移动。由此，如图4～图6所示，改质区域7沿着改质区域形成预定部5形成于加工对象物1的内部，该改质区域7成为由后述的蚀刻所得到的除去区域8。
再者，聚光点P是指激光L聚光的部位。另外，改质区域形成预定部5不限于直线状，可以是曲线状，也可以是曲面状、平面状等的3维状，还可以是指定坐标的形状。另外，在改质区域7，有连续地形成的情况，也有断续地形成的情况。另外，改质区域7可以是列状的、也可以是点状的，总之，只要改质区域7至少形成于加工对象物1的内部即可。另外，会有以改质区域7作为起点而形成龟裂的情况，龟裂及改质区域7也可以露出于加工对象物1的外表面（表面、背面、或外周面）。
顺便一提，这里，激光L透过加工对象物1并且特别是在加工对象物1的内部的聚光点附近被吸收，由此，在加工对象物1形成改质区域7（即，内部吸收型激光加工）。一般而言，在从表面3进行熔融 除去而形成孔、槽等的除去部（表面吸收型激光加工）的情况下，加工区域从表面3侧逐渐朝背面侧进行。
另外，本实施方式所涉及的改质区域7是指密度、折射率、机械强度、或其他物理特性等成为与周围不同的状态的区域。作为改质区域7，例如有熔融处理区域、裂痕区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等，也有这些区域混合存在的区域。此外，作为改质区域7，在加工对象物1的材料上密度与非改质区域的密度相比产生变化的区域，形成有晶格缺陷的区域（将这些统称为高密转移区域）。
另外，熔融处理区域或折射率变化区域、改质区域7的密度与非改质区域的密度相比产生变化的区域、形成有晶格缺陷的区域，会有进一步在这些区域的内部或改质区域7与非改质区域的界面包含龟裂（裂纹、微裂痕）的情况。所包含的龟裂有遍及改质区域7的全面的情况、或形成于仅一部分或多部分的情况。作为加工对象物1，可举出包含硅的或由硅构成的加工对象物。
这里，在本实施方式中，在加工对象物1形成改质区域7后，对该加工对象物1实施蚀刻处理，由此，沿着改质区域7所包含的或从改质区域7延伸的龟裂（也称为裂痕、微小裂痕、裂纹等。以下仅称为“龟裂”）使蚀刻选择性地进展，除去在加工对象物1中沿着改质区域7的部分。
例如，在本实施方式的蚀刻处理中，利用毛细管现象等，使蚀刻剂浸润于加工对象物1的改质区域7所包含的或从该改质区域7延伸的龟裂，沿着龟裂面使蚀刻进展。由此，在加工对象物1，沿着龟裂选择性且以快的蚀刻速率使蚀刻进展而进行除去。与此同时，利用改质区域7本身的蚀刻速率快这个特征，沿着改质区域7使蚀刻选择性地进展并进行除去。
作为本实施方式的蚀刻处理，有例如将加工对象物浸渍于蚀刻剂的情况（浸渍方式：Dipping）、以及一边使加工对象物旋转一边涂布蚀刻剂的情况（旋转蚀刻方式：Spin Etching）。另外，这里的蚀刻包含各向同性蚀刻及各向异性蚀刻。
图7是表示针对基板的材质所使用的蚀刻剂的一个例子的图表。蚀刻剂在常温～100℃前后的温度下使用，根据所需要的蚀刻速率等而 设定成适宜的温度。例如，在用KOH对Si（各向异性）进行蚀刻处理的情况下，优选为约60℃。另外，蚀刻剂不仅可以使用液体状的，也可使用凝胶状（胶状，半固形状）的。
再者，在各向同性蚀刻的情况下，能够适用于比较薄的加工对象物（例如，厚度10μm～100μm），不依赖于结晶方位、改质区域等，能够等方向地使蚀刻进行。另外，在这种情况下，若龟裂露出于表面，则蚀刻液会在该龟裂传递而浸润到内部，在改质区域上，厚度方向的全面成为改质区域的起点，因此，能够取出被蚀刻成切断面呈半圆形凹陷的芯片。另外，在各向异性蚀刻的情况下，不仅能够适用于比较薄的加工对象物，也能够适用于厚度的加工对象物（例如，厚度800μm～100μm）。另外，在这种情况下，在形成改质区域的面成为与面方位不同时，也能够沿着该改质区域使蚀刻进行。即，这里的各向异性蚀刻，不仅可以进行依照结晶方位的面方位的蚀刻，也可以进行不依赖于结晶方位的蚀刻。
其次，详细地说明本发明的一个实施方式所涉及的激光加工方法。图8～12是表示本实施方式的激光加工方法的各流程图。
如图8～12所示，本实施方式是制造例如将半导体器件与印刷配线基板或柔性基板相互电连接的部件（内插器等）的加工方法，在加工对象物1形成多个贯通孔24（参照图11），在贯通孔24埋入导体，由此形成多个贯通电极30（参照图12）。
如图8（a）所示，加工对象物1是相对于照射的激光L的波长（例如1064nm）透明的板状的硅基板，具有成为（100）面的表面3及背面21（主面）。在加工对象物1，沿着与贯通孔24对应的部分，改质区域形成预定部5由3维的坐标指定来设定。该改质区域形成预定部5以沿着相对于加工对象物1的厚度方向倾斜的方向延伸的方式设定。这里的改质区域形成预定部5以依照加工对象物1的（111）面延伸的方式设定。
顺便一提，在以下的说明中，将加工对象物1的厚度方向（激光L的照射方向）作为Z方向，将改质区域形成预定部5（贯通孔24）对厚度方向倾斜的方向作为X方向，将与X，Z方向正交的向作为Y方向进行说明。
在本实施方式中对加工对象物1进行加工的情况下，首先，将加工对象物1置入到内部温度例如为1000℃的炉内，通过湿式氧化法进行全面氧化。由此，如图8（b）所示，作为对蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜的氧化膜22生成在加工对象物的外表面（至少表面3及背面21）。该氧化膜22被制成相对于激光L透明性高。另外，这里的氧化膜22被制成相对于蚀刻剂即碱性蚀刻液耐性高的热氧化膜。
接着，将加工对象物1的表面3侧作为上方而载置于载置台并予以保持。然后，如图9（a）所示，使激光L的聚光点（以下仅称为“聚光点”）对准于背面21侧的氧化膜22，一边使该聚光点在X方向上相对移动，一边从表面3进行激光L的ON·OFF照射（扫描）。由此，激光L透过表面3侧的氧化膜22与加工对象物1，在背面21侧的氧化膜22中沿着改质区域形成预定部5的位置，产生作为损伤区域的缺陷区域22b。
接着，使聚光点的Z方向位置朝表面3侧移动，将聚光点变更到加工对象物1的背面21侧附近的Z方向位置后，实施上述的X方向的扫描。由此，激光L一边透过表面3侧的氧化膜22一边聚光于加工对象物1，在与既有的缺陷区域22b相连的改质区域7形成于加工对象物1的背面21侧。再者，这里，由于将脉冲激光作为激光L来进行点照射，因此所形成的改质区域7由改质点构成。另外，在改质区域7，包含并形成有从该改质区域7所产生的龟裂（以下的改质区域也相同）。
接着，将上述的X方向的扫描，在加工对象物1从背面21侧往表面3侧的顺序改变聚光点的Z方向位置而反复实施。由此，沿着与贯通孔24相对应的部分相互连接的改质区域7形成于加工对象物1内。即，以沿着加工对象物1的（111）面的方式朝Z方向倾斜的改质区域7形成于加工对象物1的内部。
然后，如图9（b）所示，使聚光点对准于表面3侧的氧化膜22，实施上述的X方向的扫描。由此，在表面3侧的氧化膜22上沿着改质区域形成预定部5的位置，产生作为损伤部的缺陷区域22b。
这里，如图10所示，当以聚光于氧化膜22的方式照射激光L时，通过所涉及的激光L的照射以氧化膜22剥蚀的方式进行加工，氧化膜22飞散并大致被除去，或者，其致密度与周围相比更粗糙。其结果， 在氧化膜22，露出于外表面22a且沿着改质区域形成预定部5的上述缺陷区域22b作为侵入到蚀刻剂的改质区域7的侵入部而形成。
接着，如图11（a）所示，对加工对象物1，使用例如85℃的KOH作为蚀刻剂，实施60分钟的蚀刻处理。具体而言，使蚀刻剂从氧化膜22的缺陷区域22b浸润到改质区域7，沿着改质区域7及该改质区域7所包含的龟裂，使蚀刻选择性地进展。由此，加工对象物1的内部沿着改质区域7被选择性地除去，以沿着（111）面的方式相对于Z方向倾斜的贯通孔24形成于加工对象物1。此时，对于氧化膜22的缺陷区域22b，在蚀刻进展时会被剥离并除去。
再者，在本实施方式的蚀刻处理中，进行各向异性蚀刻，加工对象物1的（111）面难以被蚀刻（蚀刻速率慢）。因此，若像本实施方式那样改质区域7依照（111）面延伸，则蚀刻适当地沿着改质区域7进展。与此同时，贯通孔24的内面成为凹凸少的平滑面，另外，贯通孔24的断面形状成为矩形（菱形）形状。
接着，如图11（b）所示，通过湿式氧化法使加工对象物1再氧化。由此，具有电绝缘性的绝缘膜的氧化膜26生成在贯通孔24的内面。其后，如图12（a）所示，将导体28埋入到贯通孔24内，然后如图12（b）所示，在表面3侧的氧化膜22的外表面22a将电极焊盘29以与导体28电性连接的方式形成，并且在背面21侧的氧化膜22的外表面22a将电极焊盘29以与导体28电性连接的方式形成，构成贯通电极30。
以上，在本实施方式中，通过使加工对象物1全面氧化，在表面3及背面21形成氧化膜22。然后，进行形成背面21侧的氧化膜22的缺陷区域22b、加工对象物1内的改质区域7、以及表面3侧的氧化膜22的缺陷区域22b的激光加工。因此，在其后的蚀刻处理中，以氧化膜22的缺陷区域22b为基点使蚀刻剂切实地侵入，并且会沿着改质区域7使蚀刻选择性地进展。
因此，在本实施方式中，由于在加工对象物1的表面3及背面21产生氧化膜22，因此不需要实施曝光等来图案化的现有工序，其结果，可以精度良好地形成贯通孔24且可以达到加工容易化。此外，通过氧化膜22，可以抑制贯通孔24的开口侧扩大、或改质区域7被过度蚀刻 而导致贯通孔24的截面积扩大等，可以适当地控制贯通孔24的形状·尺寸。与此同时，通过氧化膜22，能够抑制因蚀刻处理所引起的加工对象物1的厚度减小，另外，可以维持表面3及背面21的面精度。
另外，在本实施方式中，如上述那样，加工对象物1呈具有成为（100）面的表面3及背面21的板状，通过各向异性蚀刻，容易在贯通孔24的倾斜方向（即，依照（111）面的方向）上进行蚀刻。因此，在本实施方式中，能够将倾斜的贯通孔24适当地形成于加工对象物1。
另外，在本实施方式中，如上述那样，在贯通孔24的内面生成作为绝缘膜的氧化膜26。因此，可以充分地确保在相邻接的贯通电极30间的绝缘性。
另外，在本实施方式中，如上述那样，通过使激光L聚光于氧化膜22，使蚀刻剂侵入到改质区域7的侵入口即缺陷区域22b产生于氧化膜22而进行图案化，因此即使在形成厚的氧化膜22的情况下，也可以容易地对应。
再者，近年，在高集成化进展中，强烈地要求开发具有微细配线间距的内插器。这点，在能够形成朝Z方向倾斜的贯通电极30的本实施方式，具有如下的作用效果。即，在制成微细配线间距的情况下，能够将表面3侧的电极焊盘29与背面21侧的电极焊盘29直接进行配线，充分地确保配线宽度，并防止电阻增加。
再者，在本实施方式中，改变Y方向的聚光点位置来反复进行X方向的扫描（XY面上的激光加工）、将其改变Z方向的聚光点位置来反复进行，由此，能够形成与多个贯通孔24相对应的改质区域7。或者，也可以改变Z方向的聚光点位置并反复进行X方向的扫描（XZ面上的激光加工），将其改变Y方向的聚光点位置来反复进行。或者，还可以一边使聚光点在X，Y，Z方向适宜移动一边照射激光L来形成与1个贯通孔24相对应的改质区域7，将其反复进行对应于贯通孔24的数量的次数。
以上，说明了本发明的优选实施方式，但本发明的激光加工方法不限于上述实施方式，可以在不超出各权利要求所记载的范围内进行变形，或适用其他者。
例如，形成改质区域时的激光入射面不限于加工对象物1的表面 3，也可以是加工对象物1的背面21。另外，在上述实施方式中，生成氧化膜22作为耐蚀刻膜，但也可以生成氮化膜，只要耐蚀刻膜对蚀刻处理所使用的蚀刻剂具有耐性者即可。
另外，在形成了缺陷区域22b之后且进行蚀刻处理之前，可以另外对氧化膜22实施蚀刻处理来除去缺陷区域22b。在这种情况下，在对后段的加工对象物1的蚀刻处理中，可以使蚀刻剂切实地侵入到改质区域7，能够精度良好地形成贯通孔24。另外，在上述实施方式中，对氧化膜22实施1次扫描而形成缺陷区域22b，但也可以根据氧化膜22的厚度实施多次扫描。
另外，上述实施方式的激光L的ON·OFF照射，除了控制激光L的出射的ON·OFF以外，还可以开闭设置于激光L的光路上的遮光板，或者将加工对象物1的表面3予以掩蔽等来实施。此外，可以将激光L的强度在形成改质区域7的阈值（加工阈值）以上的强度与不到加工阈值的强度之间进行控制。
产业上的可利用性
根据本发明的激光加工方法，可精度良好地形成贯通孔且可以达到加工容易化。

Claims (5)

1.一种激光加工方法，其特征在于，
是使激光聚光于由硅形成的加工对象物的内部而形成改质区域，沿着该改质区域进行蚀刻，由此在所述加工对象物形成贯通孔的激光加工方法，
其包含：
耐蚀刻膜生成工序，在所述加工对象物的表面和背面生成对所述蚀刻具有耐性的耐蚀刻膜；
激光聚光工序，在所述耐蚀刻膜生成工序之后，通过使所述激光聚光于所述背面侧的所述耐蚀刻膜，沿着所述背面侧的所述耐蚀刻膜的与所述贯通孔对应的部分形成缺陷区域，接着，通过使所述激光聚光于所述加工对象物，在背面侧形成与所述背面的所述蚀刻膜的缺陷区域相连的所述改质区域，并且沿着所述加工对象物的与所述贯通孔对应的部分形成相互连接的所述改质区域，接着，使所述激光聚光于所述表面侧的所述耐蚀刻膜，由此，沿着所述表面侧的所述耐蚀刻膜的与所述贯通孔对应的部分形成缺陷区域；以及
蚀刻处理工序，在所述激光聚光工序之后，对所述加工对象物实施蚀刻处理，由此沿着所述改质区域使所述蚀刻选择性地进展而形成所述贯通孔，其中，所述缺陷区域由所述蚀刻处理除去。
2.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，
所述加工对象物呈具有成为(100)面的主面的板状，
所述贯通孔相对于所述加工对象物的厚度方向倾斜，
在所述蚀刻处理工序中，实施各向异性蚀刻作为所述蚀刻处理。
3.如权利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于，
还包含：在所述激光聚光工序之后且所述蚀刻处理工序之前，对所述耐蚀刻膜实施蚀刻处理，由此将所述耐蚀刻膜的所述缺陷区域除去的工序。
4.如权利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于，
是在所述加工对象物形成多个所述贯通孔的激光加工方法，
还包含：在所述蚀刻处理工序之后，在所述加工对象物的所述贯通孔的内面生成绝缘膜的绝缘膜生成工序。
5.如权利要求3所述的激光加工方法，其特征在于，
是在所述加工对象物形成多个所述贯通孔的激光加工方法，
还包含：在所述蚀刻处理工序之后，在所述加工对象物的所述贯通孔的内面生成绝缘膜的绝缘膜生成工序。
CN201180036517.0A 2010-07-26 2011-07-19 激光加工方法 Expired - Fee Related CN103025476B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010167410A JP5693074B2 (ja) 2010-07-26 2010-07-26 レーザ加工方法
JP2010-167410 2010-07-26
PCT/JP2011/066323 WO2012014712A1 (ja) 2010-07-26 2011-07-19 レーザ加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103025476A CN103025476A (zh) 2013-04-03
CN103025476B true CN103025476B (zh) 2016-08-10

Family

ID=45529928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180036517.0A Expired - Fee Related CN103025476B (zh) 2010-07-26 2011-07-19 激光加工方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8945416B2 (zh)
EP (1) EP2599578B1 (zh)
JP (1) JP5693074B2 (zh)
KR (1) KR101942110B1 (zh)
CN (1) CN103025476B (zh)
TW (1) TWI539511B (zh)
WO (1) WO2012014712A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108242477A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 中国科学院上海高等研究院 层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014028022A1 (en) * 2012-08-16 2014-02-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diagonal openings in photodefinable glass
JP6885161B2 (ja) * 2016-04-06 2021-06-09 Ａｇｃ株式会社 貫通孔を有するガラス基板の製造方法およびガラス基板に貫通孔を形成する方法
JP6711229B2 (ja) * 2016-09-30 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 プリント基板の製造方法及び発光装置の製造方法
CN110800089B (zh) * 2017-03-31 2024-03-08 尼尔森科学有限公司 三维半导体制造

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1294540A (zh) * 1999-02-25 2001-05-09 精工爱普生株式会社 利用激光加工被加工物的方法
US6424048B1 (en) * 1998-12-16 2002-07-23 Seiko Epson Corporation Semiconductor chip, semiconductor device, circuit board and electronic equipment and production methods for them
CN1473087A (zh) * 2000-09-13 2004-02-04 ��ɹ���ѧ��ʽ���� 激光加工方法以及激光加工装置
CN1538195A (zh) * 1995-09-29 2004-10-20 �����մ��ݲɿ����칫˾ 光纤光缆接头盒

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4325182A (en) * 1980-08-25 1982-04-20 General Electric Company Fast isolation diffusion
JPH04150212A (ja) 1990-10-09 1992-05-22 Seiko Epson Corp 水晶基板のエッチング加工方法
JPH0740482A (ja) 1993-07-27 1995-02-10 Jsp Corp 発泡ポリプロピレン系樹脂積層体及び該積層体の製造方法
JP2873937B2 (ja) 1996-05-24 1999-03-24 工業技術院長 ガラスの光微細加工方法
JP3473668B2 (ja) 1997-01-23 2003-12-08 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録ヘッド
JP4497147B2 (ja) 1998-12-16 2010-07-07 セイコーエプソン株式会社 半導体チップの製造方法、半導体装置の製造方法、回路基板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP2000246475A (ja) * 1999-02-25 2000-09-12 Seiko Epson Corp レーザ光による加工方法
JP4880820B2 (ja) 2001-01-19 2012-02-22 株式会社レーザーシステム レーザ支援加工方法
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
US7425749B2 (en) * 2002-04-23 2008-09-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. MEMS pixel sensor
CA2428187C (en) * 2002-05-08 2012-10-02 National Research Council Of Canada Method of fabricating sub-micron structures in transparent dielectric materials
JP4329374B2 (ja) 2002-07-29 2009-09-09 パナソニック電工株式会社 発光素子およびその製造方法
JP4158481B2 (ja) 2002-10-21 2008-10-01 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法およびその装置、並びにその装置を用いた穴あけ加工方法
JP2004160618A (ja) 2002-11-15 2004-06-10 Seiko Epson Corp マイクロマシン及びマイクロマシンの製造方法
JP2004223586A (ja) 2003-01-24 2004-08-12 Institute Of Physical & Chemical Research 透明材料内部の処理方法
JP2004304130A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP2004351494A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Seiko Epson Corp レーザーに対して透明な材料の穴あけ加工方法
JP2004359475A (ja) 2003-06-02 2004-12-24 Seiko Epson Corp 光学素子の製造方法及び光学装置
JP4385656B2 (ja) 2003-06-11 2009-12-16 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、及び、その製造方法
JP4182841B2 (ja) 2003-08-28 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 単結晶基板の加工方法
JP2005121915A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Seiko Epson Corp マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法、マイクロレンズ用凹部付き基板、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置
JP2005121916A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Seiko Epson Corp レンチキュラレンズ用凹部付き基板の製造方法、レンチキュラレンズ用凹部付き基板、レンチキュラレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ
JP2005144586A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置
JP2005144622A (ja) 2003-11-18 2005-06-09 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置
JP2005152693A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置
JP2005169993A (ja) 2003-12-15 2005-06-30 Canon Inc インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッドの製造方法
JP2005208175A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Seiko Epson Corp 光部品及びその製造方法、光モジュール、光通信装置、電子機器
JP2005206401A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置
JP2005306702A (ja) 2004-04-26 2005-11-04 Namiki Precision Jewel Co Ltd テーパー形状を有する微小穴の形成方法
JP2005351774A (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Seiko Epson Corp マイクロアレイ作製用ヘッドの製造方法、マイクロアレイ作製用ヘッドおよびマイクロアレイ作製用装置
US7132054B1 (en) * 2004-09-08 2006-11-07 Sandia Corporation Method to fabricate hollow microneedle arrays
JP4630971B2 (ja) 2004-12-21 2011-02-09 並木精密宝石株式会社 パルスレーザによる微小構造の形成方法
JP2006290630A (ja) 2005-02-23 2006-10-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法
US7438824B2 (en) * 2005-03-25 2008-10-21 National Research Council Of Canada Fabrication of long range periodic nanostructures in transparent or semitransparent dielectrics
JP2007036758A (ja) 2005-07-27 2007-02-08 Seiko Epson Corp Ａｔカット水晶振動片、その製造方法、及び水晶デバイス
JP2007101833A (ja) 2005-10-04 2007-04-19 Seiko Epson Corp マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、空間光変調装置、スクリーン及びプロジェクタ
US20090013724A1 (en) * 2006-02-22 2009-01-15 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass Processing Method Using Laser and Processing Device
CN102623373B (zh) 2007-05-25 2015-07-15 浜松光子学株式会社 切断用加工方法
JP4964186B2 (ja) * 2008-04-28 2012-06-27 三菱電機株式会社 光起電力装置の製造方法
US8257603B2 (en) * 2008-08-29 2012-09-04 Corning Incorporated Laser patterning of glass bodies
JP2010142837A (ja) * 2008-12-18 2010-07-01 Seiko Epson Corp レーザ加工方法
JPWO2011004556A1 (ja) * 2009-07-06 2012-12-13 株式会社フジクラ 貫通配線基板及びその製造方法
WO2011048862A1 (ja) * 2009-10-23 2011-04-28 株式会社フジクラ デバイス実装構造およびデバイス実装方法
EP2532470A1 (en) * 2010-02-05 2012-12-12 Fujikura Ltd. Formation method for microstructure, and substrate having microstructure
JP5513227B2 (ja) * 2010-04-08 2014-06-04 株式会社フジクラ 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板
JP2011218398A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Fujikura Ltd 微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板
JP5389264B2 (ja) * 2010-07-26 2014-01-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5574866B2 (ja) * 2010-07-26 2014-08-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN103038839A (zh) * 2010-08-05 2013-04-10 株式会社藤仓 电子线路芯片及电子线路芯片的制造方法
US8703517B2 (en) * 2010-10-29 2014-04-22 Denso Corporation Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including Removing a Reformed Layer
WO2012108316A1 (ja) * 2011-02-08 2012-08-16 株式会社フジクラ 微細孔を有する基体の製造方法、及び基体
US8557683B2 (en) * 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US8759197B2 (en) * 2011-06-15 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1538195A (zh) * 1995-09-29 2004-10-20 �����մ��ݲɿ����칫˾ 光纤光缆接头盒
US6424048B1 (en) * 1998-12-16 2002-07-23 Seiko Epson Corporation Semiconductor chip, semiconductor device, circuit board and electronic equipment and production methods for them
CN1294540A (zh) * 1999-02-25 2001-05-09 精工爱普生株式会社 利用激光加工被加工物的方法
CN1473087A (zh) * 2000-09-13 2004-02-04 ��ɹ���ѧ��ʽ���� 激光加工方法以及激光加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108242477A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 中国科学院上海高等研究院 层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法
CN108242477B (zh) * 2016-12-27 2020-03-24 中国科学院上海高等研究院 层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130088148A (ko) 2013-08-07
TW201222656A (en) 2012-06-01
KR101942110B1 (ko) 2019-01-31
CN103025476A (zh) 2013-04-03
WO2012014712A1 (ja) 2012-02-02
US8945416B2 (en) 2015-02-03
TWI539511B (zh) 2016-06-21
JP5693074B2 (ja) 2015-04-01
EP2599578B1 (en) 2018-09-26
EP2599578A1 (en) 2013-06-05
JP2012024824A (ja) 2012-02-09
US20120135606A1 (en) 2012-05-31
EP2599578A4 (en) 2016-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103025472B (zh) 激光加工方法
CN103026486B (zh) 中介物的制造方法
CN103025476B (zh) 激光加工方法
CN103025475B (zh) 激光加工方法
CN103025474B (zh) 激光加工方法
CN113826235A (zh) 用于制造具有承载基底的显示器的方法、根据该方法制造的承载基底和确定用于柔性的显示器的覆盖玻璃
CN103026470B (zh) 激光加工方法
KR101076685B1 (ko) 미세 전도성 패턴의 제조방법
CN103955023B (zh) 一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法
JP2005294413A (ja) ダイヤモンド電子回路基板及びその製造方法
CN110520972A (zh) 芯片的制造方法及硅芯片
CN105742337B (zh) 包括隔离结构的半导体器件以及制造半导体器件的方法
KR20160034092A (ko) 나노 입자층의 소결 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160810

Termination date: 20200719

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee