JP2006222378A - ステンシルマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板1の厚さ方向に貫通するスリット2を有するステンシルマスクであって、スリット2は開口幅の大きい第一のスリット部21と、第一のスリット部21の底面21aに開口する開口幅の小さい第二のスリット部22とからなり、第二のスリット部22を有する基板部分の厚さが10〜20μmであることを特徴とするステンシルマスク。
【選択図】 図2
Description
(1) 基板の厚さ方向に貫通するスリットを有するステンシルマスクであって、前記スリットは開口幅の大きい第一のスリット部と、前記第一のスリット部の底面に開口する開口幅の小さい第二のスリット部とからなり、前記第二のスリット部を有する基板部分の厚さが10〜20μmであることを特徴とするステンシルマスク。
(2) 上記(1) に記載のステンシルマスクにおいて、前記基板が単一成分からなることを特徴とするステンシルマスク。
(3) 上記(2) に記載のステンシルマスクにおいて、前記基板が単結晶シリコンからなることを特徴とするステンシルマスク。
(4) 開口幅の大きい第一のスリット部と、前記第一のスリット部の底面に開口する開口幅の小さい第二のスリット部とからなるステンシルマスクの製造方法であって、前記基板の一方の面にフォトレジストを用いたエッチング法により前記第一のスリット部を形成した後、前記基板の他方の面にフォトレジストを用いたエッチング法により、前記第一のスリット部の底面に開口するように前記第二のスリット部を形成することを特徴とする方法。
(5) 上記(1)〜(3) のいずれかに記載のステンシルマスクの製造方法であって、前記基板の一方の面にフォトレジストを用いたエッチング法により前記第一のスリット部を形成した後、前記基板の他方の面にフォトレジストを用いたエッチング法により、前記第一のスリット部の底面に開口するように前記第二のスリット部を形成することを特徴とする方法。
(6) 上記(4) 又は(5) に記載のステンシルマスクの製造方法において、前記エッチングを反応性イオンエッチング法により行なうことを特徴とする方法。
(7) 上記(6) に記載のステンシルマスクの製造方法において、前記反応性イオンエッチング工程と、形成されたスリットの側面に保護膜を形成する工程とを交互に行なうことにより、所定の幅のスリットを形成することを特徴とする方法。
図1及び2は本発明の一実施例によるステンシルマスクを概略的に示す。この例では、ステンシルマスクに複数のスリット2が基板1にピッチ間隔Wで二次元配列されている。スリット2は大きい開口幅h1の第一のスリット部21と小さい開口幅h2の第二のスリット部22とからなり、第二のスリット部22は第一のスリット部21の底面21aのほぼ中央に連結している。
図3を参照して、ステンシルマスクの製造方法について詳細に説明する。まず基板1の一方の面1aにレジスト層11aをスピンコータにより形成する(工程(a))。ピッチ間隔Wで二次元配列された第一のスリット部21に相当するパターンを有するフォトマスク(図示せず)を用いて、レジスト層11aに第一のスリット部21に相当する開口部12aを形成する(工程(b))。他方の面1bから第二のスリット部22を形成する際(後述する)、第一のスリット部21の位置と正確に対応するように、フォトマスクに位置合わせ用のアライメントマークが付いているのが好ましい。RIE法等のドライエッチング法により基板1の開口部12aにより露出した領域をスリット深さがt1になるまでエッチングし、第一のスリット部21を形成した後、レジスト層11aを除去する(工程(c))。
1a・・・一方の面
1b・・・他方の面
2・・・スリット
21・・・第一のスリット部
21a・・・底面
22・・・第二のスリット部
3・・・薄肉部
11a,11b・・・レジスト層
12a,12b・・・開口部
41,43・・・Si層
42・・・SiO2絶縁層
44a,44b,44c・・・レジスト膜
45・・・微細パターン形成領域
46・・・大型パターン形成領域
Claims (7)
- 基板の厚さ方向に貫通するスリットを有するステンシルマスクであって、前記スリットは開口幅の大きい第一のスリット部と、前記第一のスリット部の底面に開口する開口幅の小さい第二のスリット部とからなり、前記第二のスリット部を有する基板部分の厚さが10〜20μmであることを特徴とするステンシルマスク。
- 請求項1に記載のステンシルマスクにおいて、前記基板が単一成分からなることを特徴とするステンシルマスク。
- 請求項2に記載のステンシルマスクにおいて、前記基板が単結晶シリコンからなることを特徴とするステンシルマスク。
- 開口幅の大きい第一のスリット部と、前記第一のスリット部の底面に開口する開口幅の小さい第二のスリット部とからなるステンシルマスクの製造方法であって、前記基板の一方の面にフォトレジストを用いたエッチング法により前記第一のスリット部を形成した後、前記基板の他方の面にフォトレジストを用いたエッチング法により、前記第一のスリット部の底面に開口するように前記第二のスリット部を形成することを特徴とする方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のステンシルマスクの製造方法であって、前記基板の一方の面にフォトレジストを用いたエッチング法により前記第一のスリット部を形成した後、前記基板の他方の面にフォトレジストを用いたエッチング法により、前記第一のスリット部の底面に開口するように前記第二のスリット部を形成することを特徴とする方法。
- 請求項4又は5に記載のステンシルマスクの製造方法において、前記エッチングを反応性イオンエッチング法により行なうことを特徴とする方法。
- 請求項6に記載のステンシルマスクの製造方法において、前記反応性イオンエッチング工程と、形成されたスリットの側面に保護膜を形成する工程とを交互に行なうことにより、所定の幅のスリットを形成することを特徴とする方法。
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