KR20200018719A - 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법, 증착 마스크의 제조 방법 및 패턴의 형성 방법 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 125
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 182
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 182
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 108
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 165
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 165
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003562 lightweight material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
증착 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크의 면 상에, 슬릿이 형성된 금속 마스크를 적층한 증착 마스크에 있어서, 수지 마스크의 개구부의 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점을 갖고 있으며, 수지 마스크의 금속 마스크와 접하지 않는 측의 면(제1 면)과 내벽면의 교점을 제1 교점이라고 하고, 수지 마스크의 금속 마스크와 접하는 측의 면(제2 면)과 내벽면의 교점을 제2 교점이라고 하고, 제1 교점으로부터 제2 교점을 향하여 최초로 위치하는 변곡점(제1 변곡점)과 제1 교점을 연결하는 직선과 제1 면이 이루는 각을, 제1 변곡점과 제2 교점을 연결하는 직선과 제2 면이 이루는 각보다 크게 하고, 두께 방향 단면에 있어서의 내벽면의 형상을 제1 면으로부터 제2 면측을 향하여 넓어지는 형상으로 함으로써, 대형화된 경우라도 고정밀화ㆍ경량화를 달성하고, 개구부의 강도를 유지하면서도 섀도우의 발생을 억제 가능한 증착 마스크, 및 정밀도가 양호한 유기 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 EL 소자를 사용한 제품의 대형화 혹은 기판 사이즈의 대형화에 수반하여, 증착 마스크에 대해서도 대형화의 요청이 점점 높아지고 있다. 그리고, 금속으로 구성되는 증착 마스크의 제조에 사용되는 금속판도 대형화되고 있다. 그러나, 현재의 금속 가공 기술로는, 대형 금속판에 슬릿을 고정밀도로 형성하는 것은 곤란하며, 슬릿의 고정밀화에의 대응은 불가능하다. 또한, 금속만을 포함하는 증착 마스크로 한 경우에는, 대형화에 수반하여 그 질량도 증대되어, 프레임을 포함한 총 질량도 증대되기 때문에 취급에 지장을 초래하게 된다.
이러한 상황하에, 특허문헌 1에는, 슬릿이 형성된 금속 마스크와, 금속 마스크의 표면에 위치하여 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부가 종횡으로 복수열 배치된 수지 마스크가 적층되어 이루어지는 증착 마스크가 제안되어 있다. 특허문헌 1에 제안되어 있는 증착 마스크에 따르면, 대형화된 경우라도 고정밀화와 경량화의 양쪽을 만족할 수 있고, 또한 고정밀도의 증착 패턴의 형성을 행할 수 있다고 되어 있다.
또한, 상기 특허문헌 1에는, 증착 마스크를 사용한 증착 제작시에 있어서의 섀도우의 발생을 억제하기 위해, 개구부의 단면 형상, 혹은 슬릿의 단면 형상이 증착원측으로 넓어지는 형상이 바람직하다는 점에 대하여 개시되어 있다. 또한, 섀도우란, 증착원으로부터 방출된 증착재의 일부가, 금속 마스크의 슬릿이나, 수지 마스크의 개구부의 내벽면에 충돌하여 증착 대상물에 도달하지 않음으로써, 목적으로 하는 증착막 두께보다 얇은 막 두께로 되는 미증착 부분이 발생하는 현상을 말한다. 또한, 상기 특허문헌 1에는, 수지 마스크의 개구부에서의 하부 바닥 선단과 수지 마스크의 개구부에서의 상부 바닥 선단을 연결하는 직선과, 수지 마스크의 표면이 이루는 각이 5°내지 85°의 범위 내인 것이 바람직하고, 15°내지 80°의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 25°내지 65°의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다는 점에 대하여 개시되어 있다. 상기 특허문헌 1의 내용을 검토하면, 섀도우의 발생을 효과적으로 방지하기 위해서는, 개구부의 단면 형상이 증착원측을 향하여 보다 큰 넓어지는 형상으로 하는 것이 바람직하다고 생각된다. 바꾸어 말하면, 수지 마스크의 개구부에서의 하부 바닥 선단과, 수지 마스크의 개구부에서의 상부 바닥 선단을 연결하는 직선과, 수지 마스크의 금속 마스크와 접하지 않는 측의 면이 이루는 각을 가능한 한 작은 각도로 하는 것이 바람직하다고 생각된다.
그런데, 개구부의 단면 형상을 증착원측을 향하여 넓어지는 형상으로 한 경우라도, 수지 마스크의 두께가 두꺼운 경우에는, 섀도우의 발생을 충분히 방지하지 못하는 경우가 생길 수 있다. 따라서, 섀도우의 발생을 충분히 억제하기 위해서는, 개구부의 단면 형상을 증착원측을 향하여 보다 큰 넓어지는 형상으로 하면서도, 수지 마스크의 두께를 얇게 하는 대책을 실시하는 것이 필요하다고 생각된다. 그러나, 이 대책을 행한 경우에는, 수지 마스크의 개구부의 강도가 저하되고, 또한 수지 마스크의 금속 마스크와 접하지 않는 측의 면에 있어서의 개구부의 치수 정밀도가 악화되어 가게 된다. 또한, 상기 수지 마스크의 개구부에서의 하부 바닥 선단과, 수지 마스크의 개구부에서의 상부 바닥 선단을 연결하는 직선과, 수지 마스크의 표면이 이루는 각을 작게 해 감에 수반하여, 금속 마스크와 접하는 측의 면에 있어서의 개구부의 개구 치수는 커져 간다. 수지 마스크의 금속 마스크와 접하는 측의 면에 있어서의 개구부의 개구 치수가 커져 간 경우에는, 인접하는 개구부간의 피치도 좁아져, 종방향, 혹은 횡방향에 인접하는 개구부간에 금속 마스크의 슬릿을 구성하기 위한 금속 부분을 배치시킬 때 지장이 되는 경우도 있다.
본 발명은 이러한 상황에 비추어 이루어진 것이며, 대형화된 경우라도 고정밀화와 경량화의 양방을 만족하고, 또한 개구부의 강도를 유지하면서도 섀도우의 발생을 억제할 수 있는 증착 마스크나, 프레임을 갖는 증착 마스크를 제공하는 것, 및 유기 반도체 소자를 고정밀도로 제조할 수 있는 유기 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 주요 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크의 한쪽 면 상에, 슬릿이 형성된 금속 마스크가 적층되어 이루어지는 증착 마스크이며, 상기 수지 마스크의 상기 개구부를 구성하기 위한 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점을 갖고 있으며, 상기 두께 방향 단면에 있어서, 상기 수지 마스크의 상기 금속 마스크와 접하지 않는 측의 면인 제1 면과 상기 내벽면의 교점을 제1 교점이라고 하고, 상기 수지 마스크의 상기 금속 마스크와 접하는 측의 면인 제2 면과 상기 내벽면의 교점을 제2 교점이라고 하고, 상기 변곡점 중 상기 제1 교점으로부터 제2 교점을 향하여 최초로 위치하는 변곡점을 제1 변곡점이라고 했을 때, 상기 제1 교점과 상기 제1 변곡점을 연결하는 직선과 상기 제1 면이 이루는 각(θ1)은, 상기 제1 변곡점과 상기 제2 교점을 연결하는 직선과 상기 제2 면이 이루는 각(θ2)보다 크고, 상기 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면측을 향하여 넓어지는 형상인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1 변곡점과 상기 제1 교점을 연결하는 직선과 상기 제1 면이 이루는 각(θ1)이 60°내지 90°의 범위이고, 상기 제1 변곡점과 상기 제2 교점을 연결하는 직선과 상기 제2 면이 이루는 각(θ2)이 30°내지 70°의 범위 내여도 된다.
또한, 상기 금속 마스크에는 복수의 슬릿이 형성되고, 상기 수지 마스크에는 복수 화면을 구성하기 위해 필요한 개구부가 형성되고, 각 상기 슬릿은, 적어도 1 화면 전체와 겹치는 위치에 형성되어도 된다.
또한, 상기 금속 마스크에는 하나의 슬릿이 형성되고, 상기 수지 마스크에는 복수의 개구부가 형성되고, 상기 복수의 개구부 모두는, 상기 하나의 슬릿과 겹치는 위치에 형성되어도 된다.
또한, 상기 발명에 있어서, 수지 마스크의 두께가 3㎛ 이상 10㎛ 미만이어도 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 유기 반도체 소자의 제조 방법이며, 프레임에 증착 마스크가 고정된 프레임을 갖는 증착 마스크를 사용하여 증착 대상물에 증착 패턴을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 증착 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 상기 프레임에 고정되는 상기 증착 마스크가, 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크의 한쪽 면 상에, 슬릿이 형성된 금속 마스크가 적층되어 이루어지고, 상기 수지 마스크의 상기 개구부를 구성하기 위한 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점을 갖고 있으며, 상기 두께 방향 단면에 있어서, 상기 수지 마스크의 상기 금속 마스크와 접하지 않는 측의 면인 제1 면과 상기 내벽면의 교점을 제1 교점이라고 하고, 상기 수지 마스크의 상기 금속 마스크와 접하는 측의 면인 제2 면과 상기 내벽면의 교점을 제2 교점이라고 하고, 상기 변곡점 중 상기 제1 교점으로부터 제2 교점을 향하여 최초로 위치하는 변곡점을 제1 변곡점이라고 했을 때, 상기 제1 교점과 상기 제1 변곡점을 연결하는 직선과 상기 제1 면이 이루는 각(θ1)은, 상기 제1 변곡점과 상기 제2 교점을 연결하는 직선과 상기 제2 면이 이루는 각(θ2)보다 크고, 상기 내벽면이, 두께 방향 단면에 있어서 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면측을 향하여 넓어지는 형상을 갖는 증착 마스크인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 프레임에 증착 마스크가 고정 되어 이루어지는 프레임을 갖는 증착 마스크이며, 상기 증착 마스크는, 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크의 한쪽 면 상에, 슬릿이 형성된 금속 마스크가 적층되어 이루어지고, 상기 수지 마스크의 상기 개구부를 구성하기 위한 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점을 갖고 있으며, 상기 두께 방향 단면에 있어서, 상기 수지 마스크의 상기 금속 마스크와 접하지 않는 측의 면인 제1 면과 상기 내벽면의 교점을 제1 교점이라고 하고, 상기 수지 마스크의 상기 금속 마스크와 접하는 측의 면인 제2 면과 상기 내벽면의 교점을 제2 교점이라고 하고, 상기 변곡점 중 상기 제1 교점으로부터 제2 교점을 향하여 최초로 위치하는 변곡점을 제1 변곡점이라고 했을 때, 상기 제1 교점과 상기 제1 변곡점을 연결하는 직선과 상기 제1 면이 이루는 각(θ1)은, 상기 제1 변곡점과 상기 제2 교점을 연결하는 직선과 상기 제2 면이 이루는 각(θ2)보다 크고, 상기 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면측을 향하여 넓어지는 형상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 증착 마스크나, 프레임을 갖는 증착 마스크에 따르면, 대형화된 경우라도 고정밀화와 경량화의 양방을 만족하고, 또한 개구부의 강도를 유지하면서도 섀도우의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 유기 반도체 소자의 제조 방법에 따르면, 유기 반도체 소자를 고정밀도로 제조할 수 있다.
도 1은, 일 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 2는, 도 1에 도시하는 증착 마스크의 A-A 부분의 개략 단면도이며, 개구부의 내벽면의 두께 방향 단면의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은, 개구부의 내벽면의 두께 방향 단면의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는, 개구부의 내벽면의 두께 방향 단면의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 개구부의 내벽면의 두께 방향 단면의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 일 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 7은, 도 1에 도시하는 증착 마스크의 B-B 단면의 일례이다.
도 8은, 제1 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 9는, 제1 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 10은, 제1 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 11은, 제1 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 12는, 제2 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 13은, 제2 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 14는, 일 실시 형태의 증착 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이며, (a) 내지 (c)는 각각 단면도이다.
도 15는, 일 실시 형태의 프레임을 갖는 증착 마스크를 수지 마스크측에서 본 정면도이다.
도 16은, 일 실시 형태의 프레임을 갖는 증착 마스크를 수지 마스크측에서 본 정면도이다.
도 2는, 도 1에 도시하는 증착 마스크의 A-A 부분의 개략 단면도이며, 개구부의 내벽면의 두께 방향 단면의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은, 개구부의 내벽면의 두께 방향 단면의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는, 개구부의 내벽면의 두께 방향 단면의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 개구부의 내벽면의 두께 방향 단면의 형상을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 일 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 7은, 도 1에 도시하는 증착 마스크의 B-B 단면의 일례이다.
도 8은, 제1 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 9는, 제1 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 10은, 제1 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 11은, 제1 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 12는, 제2 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 13은, 제2 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
도 14는, 일 실시 형태의 증착 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이며, (a) 내지 (c)는 각각 단면도이다.
도 15는, 일 실시 형태의 프레임을 갖는 증착 마스크를 수지 마스크측에서 본 정면도이다.
도 16은, 일 실시 형태의 프레임을 갖는 증착 마스크를 수지 마스크측에서 본 정면도이다.
<<증착 마스크>>
이하에, 본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크(100)에 대하여 구체적으로 설명한다.
본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크(100)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부(25)가 형성된 수지 마스크(20)의 한쪽 면 상에, 슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)가 적층된 구성을 취한다. 이하, 일 실시 형태의 증착 마스크에 있어서의 각 구성에 대하여 설명한다.
(수지 마스크)
도 1에 도시하는 바와 같이, 수지 마스크(20)에는 복수의 개구부(25)가 형성되어 있다. 도 1은, 일 실시 형태의 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다. 그리고, 본 발명은 도 2 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 수지 마스크(20)의 개구부(25)를 구성하기 위한 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점(S1)을 갖고 있으며, 당해 두께 방향 단면에 있어서, 수지 마스크(20)의 금속 마스크(10)와 접하지 않는 측의 면인 제1 면과 내벽면의 교점을 제1 교점(Q1)이라고 하고, 수지 마스크(20)의 금속 마스크(10)와 접하는 측의 면인 제2 면과 내벽면의 교점을 제2 교점(Q2)이라고 하고, 변곡점 중 제1 교점(Q1)으로부터 제2 교점(Q2)을 향하여 최초로 위치하는 변곡점을 제1 변곡점(S1)이라고 했을 때, 제1 교점(Q1)과 제1 변곡점(S1)을 연결하는 직선(T1)과 제1 면이 이루는 각(θ1)은, 제1 변곡점(S1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선(T2)과 제2 면이 이루는 각(θ2)보다 크고, 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 제1 면으로부터 제2 면측을 향하여 넓어지는 형상인 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 도 2 내지 도 5는, 도 1의 A-A 부분의 개략 단면도이며, 개구부(25)의 내벽면의 단면 형상을 설명하기 위한 도면이다. 본원 명세서에서 말하는 「개구부를 구성하기 위한 내벽면」이란, 수지 마스크(20)를 두께 방향으로 관통하는 개구부에 있어서, 당해 개구부 그 자체를 구성하고 있는 수지 마스크의 면, 바꾸어 말하면, 개구부 내의 공간에 면하고 있는 면을 말한다.
상기 특징을 갖는 일 실시 형태의 증착 마스크에 따르면, 개구부의 강도를 유지하면서도 섀도우의 발생을 충분히 억제할 수 있다. 이하, 개구부를 구성하기 위한 내벽면이, 두께 방향 단면에 있어서 변곡점을 갖지 않는 경우를 예로 들어(이하, 비교예라고 함) 본 발명의 우위성에 대하여 설명한다.
비교예에 있어서, 섀도우의 발생을 억제하기 위해서는, 각 도면에서 도시되는 제1 교점(Q1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선과, 제1 면이 이루는 각에 의해, 수지 마스크의 금속 마스크와 접하는 측의 면에 있어서의 개구부의 개구 치수가 결정된다. 섀도우의 발생을 억제하기 위해서는, 제1 교점(Q1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선과 제1 면이 이루는 각을 작게 해 가는 것이 필요하기는 하지만, 당해 각을 작게 해 간 경우, 예를 들어 당해 각을 각 도면에서 도시되는 (θ2)에 근사하는 정도까지 작게 해 간 경우에는, 개구부의 강도가 저하되어, 증착 마스크를 사용한 증착 제작시에 있어서, 증착 패턴 불량 등의 문제를 발생시키는 원인으로 된다. 또한, 금속 마스크와 접하지 않는 측의 수지 마스크에서의 개구부의 개구 치수 정밀도가 저하되는 원인으로 된다. 또한, 금속 마스크와 접하지 않는 측의 수지 마스크에서의 개구부의 개구 치수는, 증착 마스크를 사용하여 증착 제작할 패턴 형상에 대응한다.
또한, 비교예에 있어서, 각 도면에서 도시되는 제1 교점과 제2 교점을 연결하는 직선과 제1 면이 이루는 각을, 각 도면에서 도시되는 (θ2)에 근사하는 각까지 작게 해 간 경우에는, 금속 마스크와 접하는 측의 면에 있어서의 개구부의 개구 치수는, 본 발명에서의 개구부의 개구 치수보다 큰 치수로 된다. 개구부를 횡방향 혹은 종방향으로 규칙적으로 배치하는 경우, 금속 마스크와 접하는 측의 면에 있어서의 개구부의 개구 치수가 커져 간 경우에는, 인접하는 개구부간의 거리가 좁아져, 인접하는 개구부간에 금속 마스크의 슬릿을 구성하기 위한 금속 부분을 배치할 때 지장이 되는 경우도 있다.
또한, 본원 명세서에서 말하는 「종방향」, 「횡방향」이란, 도면의 상하 방향, 좌우 방향을 가리키며, 증착 마스크, 수지 마스크, 금속 마스크의 길이 방향, 폭 방향 중 어느 방향이어도 된다. 예를 들어, 증착 마스크, 수지 마스크, 금속 마스크의 길이 방향을 「종방향」이라고 해도 되고, 폭 방향을 「종방향」이라고 해도 된다. 또한, 본원 명세서에서는, 증착 마스크를 평면에서 보았을 때의 형상이 직사각 형상인 경우를 예로 들어 설명하고 있지만, 그 이외의 형상, 예를 들어 원 형상, 마름모꼴 형상 등으로 해도 된다. 이 경우, 대각선의 길이 방향이나, 직경 방향, 혹은 임의의 방향을 「길이 방향」이라고 하고, 이 「길이 방향」에 직교하는 방향을 「폭 방향(짧은 방향이라고 하는 경우도 있음)」이라고 하면 된다.
한편, 본 발명에서는, 내벽면의 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점을 갖고 있으며, 또한 제1 교점(Q1)과 제1 변곡점(S1)을 연결하는 직선(T1)과 제1 면이 이루는 각(θ1)>제1 변곡점(S1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선(T2)과 제2 면이 이루는 각(θ2)의 관계를 만족하고 있기 때문에, 상기 비교예에서의 제1 교점(Q1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선과 제1 면이 이루는 각보다, 당해 (θ1)의 각도를 크게 취할 수 있고, 수지 마스크의 두께를 얇게 해 간 경우라도, 개구부의 강도를 충분히 만족시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 비교예에 있어서 제1 교점(Q1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선과 제1 면이 이루는 각을 (θ2)와 동일한 각도로 한 경우, 금속 마스크와 접하는 측의 수지 마스크 표면에 있어서의 개구부(25)의 개구 치수는, 비교예의 개구부의 개구 치수보다 작아진다. 이에 의해, 인접하는 개구부간에 금속 마스크의 슬릿을 구성하기 위한 금속 부분을 배치할 때 지장이 되지 않는 개구부간의 거리(피치)를 확보하면서도, 섀도우의 발생을 충분히 억제할 수 있다.
일 실시 형태의 증착 마스크는, 하나의 개구부를 구성하기 위한 모든 내벽면의 두께 방향 단면이 상기 특징을 갖고 있는 것을 필수적인 조건으로 하는 것은 아니며, 하나의 개구부를 구성하기 위한 내벽면의 적어도 하나의 내벽면이 두께 방향 단면에 있어서 상기 특징을 갖고 있으면 된다. 예를 들어, 개구부(25)를 구성하기 위한 내벽면 중, 횡방향, 혹은 종방향에 있어서 대향하는 내벽면의 두께 방향 단면이 상기 특징을 갖는 것이어도 되며, 하나의 개구부(25)를 구성하기 위한 모든 내벽면의 두께 방향 단면이 상기 특징을 갖는 것이어도 된다. 예를 들어, 본 발명의 증착 마스크를 사용한 증착 패턴의 형성에 있어서, 증착 마스크의 횡방향을 주사 방향으로 하는 리니어 소스 증착원을 사용하는 경우에는, 개구부를 구성하기 위한 내벽면 중, 종방향에 대향하는 내벽면의 두께 방향 단면이 상기 특징을 갖고 있는 것이 바람직하다.
또한, 각 도면에 도시하는 형태에서는, 개구부(25)의 개구 형상은, 직사각 형상을 나타내고 있지만, 개구 형상에 대하여 특별히 한정은 없으며, 개구부(25)의 개구 형상은 마름모꼴, 다각 형상이어도 되고, 원이나 타원 등의 곡률을 갖는 형상이어도 된다. 또한, 직사각형이나 다각 형상의 개구 형상은, 원이나 타원 등의 곡률을 갖는 개구 형상과 비교하여 발광 면적을 크게 취할 수 있다는 점에서, 바람직한 개구부(25)의 개구 형상이라고 할 수 있다.
또한, 본원 명세서에서 말하는 내벽면의 「두께 방향 단면」이란, 개구부의 개구 형상이 직사각형 혹은 다각 형상인 경우에는, 당해 개구부의 내벽면을 직교하는 두께 방향 단면을 의미하며, 원이나 타원 등 곡률을 갖는 형상인 경우에는, 접선에 직교하는 두께 방향 단면을 의미한다.
도 2 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점을 갖고 있다. 또한, 도 2에서 도시하는 형태에서는, 내벽면은 두께 방향 단면에 있어서 하나의 변곡점을 갖고 있으며, 도 3 내지 도 5에서 도시하는 형태에서는, 내벽면은 두께 방향 단면에 있어서 2개 이상의 변곡점을 갖고 있다.
θ1>θ2의 관계를 만족하는 것이면, θ1, θ2의 구체적인 각에 대하여 특별히 한정은 없으며, 이 관계를 만족하는 범위 내에서 적절히 설정할 수 있다. 또한, θ1의 각도가 60°미만인 경우에는, 수지 마스크의 두께에 따라서는 개구부(25)의 강도가 저하되고, 또한 수지 마스크와 접하지 않는 측의 면에 있어서의 개구부의 치수 정밀도가 저하되어 가는 경향이 있다. 따라서, 이 점을 고려하면, 제1 변곡점과 제1 교점을 연결하는 직선과 제1 면이 이루는 각(θ1)은 60°이상인 것이 바람직하다. 상한값에 대하여 특별히 한정은 없으며, 90°이다.
또한, 상기 관계를 만족하는 경우라도, 제1 변곡점(S1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선(T2)과 제2 면이 이루는 각(θ2)이 70°를 초과하는 경우에는, 섀도우의 발생을 억제하는 효과가 저하되어 가는 경향이 있다. 따라서, 이 점을 고려하면, θ2는 70°이하인 것이 바람직하다. 하한값에 대하여 특별히 한정은 없지만, 금속 마스크와 접하는 측의 면에 있어서의 개구부의 개구 치수, 및 증착원으로부터 방출되는 증착재의 확산을 고려하면, 30°이상인 것이 바람직하다.
또한, 도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 내벽면의 두께 방향 단면이 복수의 변곡점을 갖는 경우에 있어서, 제1 변곡점(S1) 이외의 변곡점과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선과, 제2 면이 이루는 각에 대하여 어떠한 한정도 되는 일은 없다. 예를 들어, 도 3에 도시하는 형태에서는, 제2 변곡점(S2)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선과, 제2 면이 이루는 각은 90°미만으로 되어 있고, 도 4에 도시하는 형태에서는 대략 90°로 되어 있다. 또한, 도 5에서는, 제2 변곡점(S2)과 제3 변곡점(S3)을 연결하는 직선과 제1 면이 이루는 각은, θ1보다 작고, 제4 변곡점(S4)과 제2 교점을 연결하는 직선과 제2 면이 이루는 각보다 작은 각으로 되어 있지만, 제2 변곡점(S2)과 제3 변곡점(S3)을 연결하는 직선과 제1 면이 이루는 각은, θ1, 제4 변곡점(S4)과 제2 교점을 연결하는 직선과 제2 면이 이루는 각보다 큰 각으로 되어 있어도 된다. 즉, θ1, θ2 이외의 각에 대하여 어떠한 한정도 되는 일은 없다.
수지 마스크(20)의 두께에 대하여 특별히 한정은 없지만, 섀도우의 발생 억제 효과를 더 향상시키는 경우에는, 수지 마스크(20)의 두께는 25㎛ 이하인 것이 바람직하고, 10㎛ 미만인 것이 보다 바람직하고, 8㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 하한값의 바람직한 범위에 대하여 특별히 한정은 없지만, 수지 마스크(20)의 두께가 3㎛ 미만인 경우에는, 핀 홀 등의 결함이 발생하기 쉽고, 또한 변형 등의 리스크가 높아진다. 특히, 수지 마스크(20)의 두께를 3㎛ 이상 10㎛ 미만, 보다 바람직하게는 4㎛ 이상 8㎛ 이하로 함으로써, 상기 개구부(25)를 구성하는 내벽면의 두께 방향의 단면 형상과 더불어, 400ppi를 초과하는 고정밀 패턴을 형성할 때의 섀도우 영향을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 수지 마스크(20)와 후술하는 금속 마스크(10)는, 직접적으로 접합되어도 되고, 점착제층을 통하여 접합되어도 되지만, 점착제 층을 통하여 수지 마스크(20)와 금속 마스크(10)가 접합되는 경우에는, 수지 마스크(20)와 점착제층의 합계 두께가 상기 바람직한 두께의 범위 내인 것이 바람직하다.
제1 면부터 제1 변곡점(S1)까지의 두께 방향(수직 방향)의 거리(도 2에서 도시되는 D1)에 대하여 특별히 한정은 없지만, 수지 마스크 전체의 두께를 100이라고 했을 때, 20 내지 80 정도인 것이 바람직하다. 거리(D1)를 이 범위 내로 함으로써, 개구부(25)의 강도를 충분히 만족시키면서도 섀도우의 발생을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 제1 변곡점(S1)부터 제2 면까지의 두께 방향의 거리는, 상기 거리(D1)에 따라 적절히 설정할 수 있다.
수지 마스크(20)는, 종래 공지된 수지 재료를 적절히 선택하여 사용할 수 있으며, 그 재료에 대하여 특별히 한정은 없지만, 레이저 가공 등에 의해 고정밀도의 개구부(25)의 형성이 가능하고, 열이나 경시에서의 치수 변화율이나 흡습률이 작고, 경량의 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 재료로서는 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리비닐알코올 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 수지, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 수지, 에틸렌-메타크릴산 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 폴리염화비닐리덴 수지, 셀로판, 아이오노머 수지 등을 들 수 있다. 상기에 예시한 재료 중에서도, 그 열팽창 계수가 16ppm/℃ 이하인 수지 재료가 바람직하고, 흡습률이 1.0％ 이하인 수지 재료가 바람직하며, 이 양쪽 조건을 구비하는 수지 재료가 특히 바람직하다.
또한, 수지 마스크(20)의 개구부(25)를 구성하는 내벽면에 배리어층을 형성할 수도 있다. 배리어층으로서는 무기 산화물이나 무기 질화물, 금속의 박막층 또는 증착층을 사용할 수 있다. 무기 산화물로서는 알루미늄이나 규소, 인듐, 주석, 마그네슘의 산화물을 사용할 수 있고, 금속으로서는 알루미늄 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기에서 설명한 형태에서는, 개구부(25)는 종방향 및 횡방향으로 규칙적으로 배치되어 있지만, 이 형태에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 도 6에 도시하는 바와 같이, 개구부(25)가 엇갈리게 배치된 형태를 취할 수도 있다. 개구부(25)를 엇갈리게 배치함으로써, 수지 마스크(20)가 열팽창한 경우라도, 각 부분에 있어서 발생하는 팽창을 개구부(25)에 의해 흡수할 수 있어, 팽창이 누적되어 큰 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
(금속 마스크)
도 7에 도시하는 바와 같이, 수지 마스크(20)의 한쪽 위에는 금속 마스크(10)가 적층되어 있다. 금속 마스크(10)는 금속으로 구성되고, 종방향 혹은 횡방향으로 연장되는 슬릿(15)이 배치되어 있다. 슬릿(15)은 개구와 동의어이다. 슬릿의 배치예에 대하여 특별히 한정은 없으며, 도 2에 도시하는 바와 같이 종방향 및 횡방향으로 연장되는 슬릿이 종방향 및 횡방향으로 복수열 배치되어도 되고, 종방향으로 연장되는 슬릿이 횡방향으로 복수열 배치되어 있어도 되고, 횡방향으로 연장되는 슬릿이 종방향으로 복수열 배치되어 있어도 된다. 또한, 종방향 혹은 횡방향으로 1열만 배치되어 있어도 된다. 또한, 도 7은, 도 1에서 도시되는 증착 마스크의 B-B 단면이며, 횡방향에 대향하는 내벽면의 두께 방향 단면이, 각각 도 2 내지 도 5 등에서 예시한 형상을 나타내고 있다.
금속 마스크(10)의 재료에 대하여 특별히 한정은 없으며, 증착 마스크의 분야에서 종래 공지된 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있으며, 예를 들어 스테인리스강, 철 니켈 합금, 알루미늄 합금 등의 금속 재료를 들 수 있다. 그 중에서도 철 니켈 합금인 인바재는 열에 의한 변형이 적으므로 적절하게 사용할 수 있다.
금속 마스크(10)의 두께에 대해서도 특별히 한정은 없지만, 섀도우의 발생을 보다 효과적으로 방지하기 위해서는 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 50㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 35㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 5㎛보다 얇게 한 경우, 파단이나 변형의 리스크가 높아짐과 함께 핸들링이 곤란해지는 경향이 있다.
또한, 도 1에 도시하는 형태에서는, 슬릿(15)의 개구 형상은 직사각 형상을 나타내고 있지만, 개구 형상에 대하여 특별히 한정은 없으며, 슬릿(15)의 개구 형상은 사다리꼴 형상, 원 형상 등 어떠한 형상이어도 된다.
금속 마스크(10)에 형성되는 슬릿(15)의 단면 형상에 대해서도 특별히 한정되는 것은 없지만, 도 7에 도시하는 바와 같이 증착원을 향하여 넓어지는 형상인 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 금속 마스크의 면에 있어서, 수지 마스크(20)와 접하는 측의 면으로부터, 수지 마스크(20)와 접하지 않는 측의 면을 향하여 넓어지는 형상인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 금속 마스크(10)의 슬릿(15)에서의 하부 바닥 선단과, 동일하게 금속 마스크(10)의 슬릿(15)에서의 상부 바닥 선단을 연결한 직선과, 금속 마스크(10)의 저면이 이루는 각도, 바꾸어 말하면, 금속 마스크(10)의 슬릿(15)을 구성하는 내벽면의 두께 방향 단면에 있어서, 슬릿(15)의 내벽면과 금속 마스크(10)의 수지 마스크(20)와 접하는 측의 면(도시하는 형태에서는, 금속 마스크의 하면)이 이루는 각도는 5°내지 85°의 범위 내인 것이 바람직하고, 15°내지 80°의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 25°내지 65°의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다. 특히, 이 범위 내 중에서도, 사용하는 증착기의 증착 각도보다 작은 각도인 것이 바람직하다.
수지 마스크 상에 금속 마스크(10)를 적층하는 방법에 대하여 특별히 한정은 없으며, 수지 마스크(20)와 금속 마스크(10)를 각종 점착제를 사용하여 접합해도 되고, 자기 점착성을 갖는 수지 마스크를 사용해도 된다. 수지 마스크(20)와 금속 마스크(10)의 크기는 동일해도 되고, 상이한 크기여도 된다. 또한, 이후에 임의로 행해지는 프레임에의 고정을 고려하여, 수지 마스크(20)의 크기를 금속 마스크(10)보다 작게 하여, 금속 마스크(10)의 외주 부분이 노출된 상태로 해 두면, 금속 마스크(10)와 프레임의 고정이 용이해져 바람직하다.
이하, 보다 고정밀도의 증착 패턴의 제작이 가능하게 되는 증착 마스크의 형태에 대하여 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태를 예로 들어 설명한다. 또한, 본 발명의 증착 마스크(100)는, 이하에서 설명하는 형태에 한정되는 것은 아니며, 슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)와, 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부(25)가 형성된 수지 마스크(20)가 적층되어 있고, 개구부(25)를 구성하기 위한 내벽면의 단면 형상이 상기에서 설명한 조건을 만족하는 것이면 어떠한 형태여도 된다. 예를 들어, 금속 마스크(10)에 형성되어 있는 슬릿(15)은, 스트라이프형(도시 생략)이어도 된다. 또한, 1 화면 전체와 겹치지 않는 위치에, 금속 마스크(10)의 슬릿(15)이 형성되어도 된다. 1 화면에 대해서는 후술한다.
<제1 실시 형태의 증착 마스크>
도 8에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 형태의 증착 마스크(100)는, 복수 화면분의 증착 패턴을 동시에 형성하기 위한 증착 마스크이며, 수지 마스크(20)의 한쪽 면 상에, 복수의 슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)가 적층되어 이루어지고, 수지 마스크(20)에는 복수 화면을 구성하기 위해 필요한 개구부(25)가 형성되고, 각 슬릿(15)이 적어도 1 화면 전체와 겹치는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 제1 실시 형태의 증착 마스크(100)는, 수지 마스크(20)의 개구부(25)를 구성하기 위한 내벽면이, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점(S1)을 갖고 있으며, 수지 마스크(20)의 금속 마스크(10)와 접하지 않는 측의 면인 제1 면과 내벽면의 교점을 제1 교점(Q1)이라고 하고, 수지 마스크(20)의 금속 마스크(10)와 접하는 측의 면인 제2 면과 내벽면의 교점을 제2 교점(Q2)이라고 하고, 변곡점 중 제1 교점(Q1)으로부터 제2 교점(Q2)을 향하여 최초로 위치하는 변곡점을 제1 변곡점(S1)이라고 했을 때, 제1 교점(Q1)과 제1 변곡점(S1)을 연결하는 직선(T1)과 제1 면이 이루는 각(θ1)은, 제1 변곡점(S1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선(T2)과 제2 면이 이루는 각(θ2)보다 크고, 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 제1 면으로부터 제2 면측을 향하여 넓어지는 형상인 것을 특징으로 하고 있다.
제1 실시 형태의 증착 마스크(100)는, 복수 화면분의 증착 패턴을 동시에 형성하기 위해 사용되는 증착 마스크이며, 하나의 증착 마스크(100)로, 복수의 제품에 대응하는 증착 패턴을 동시에 형성할 수 있다. 제1 실시 형태의 증착 마스크에서 말하는 「개구부」란, 제1 실시 형태의 증착 마스크(100)를 사용하여 제작하려고 하는 패턴을 의미하며, 예를 들어 당해 증착 마스크를 유기 EL 디스플레이에서의 유기층의 형성에 사용하는 경우에는, 개구부(25)의 형상은 당해 유기층의 형상으로 된다. 또한, 「1 화면」이란, 하나의 제품에 대응하는 개구부(25)의 집합체를 포함하며, 당해 하나의 제품이 유기 EL 디스플레이인 경우에는, 하나의 유기 EL 디스플레이를 형성하는 데 필요한 유기층의 집합체, 즉, 유기층으로 되는 개구부(25)의 집합체가 「1 화면」으로 된다. 그리고, 제1 실시 형태의 증착 마스크(100)는, 복수 화면분의 증착 패턴을 동시에 형성하기 위해, 수지 마스크(20)에는, 상기 「1 화면」이 소정의 간격을 두고 복수 화면분 배치되어 있다. 즉, 수지 마스크(20)에는, 복수 화면을 구성하기 위해 필요한 개구부(25)가 형성되어 있다.
제1 실시 형태의 증착 마스크는, 수지 마스크의 한쪽 면 상에, 복수의 슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)가 설치되고, 각 슬릿은, 각각 적어도 1 화면 전체와 겹치는 위치에 형성되어 있는 점을 특징으로 한다. 바꾸어 말하면, 1 화면을 구성하는 데 필요한 개구부(25)간에 있어서, 횡방향에 인접하는 개구부(25)간에, 슬릿(15)의 종방향 길이와 동일한 길이이며, 금속 마스크(10)와 동일한 두께를 갖는 금속선 부분이나, 종방향에 인접하는 개구부(25)간에, 슬릿(15)의 횡방향 길이와 동일한 길이이며, 금속 마스크(10)와 동일한 두께를 갖는 금속선 부분이 존재하고 있지 않은 것을 특징으로 한다. 이하, 슬릿(15)의 종방향 길이와 동일한 길이이며, 금속 마스크(10)와 동일한 두께를 갖는 금속선 부분이나, 슬릿(15)의 횡방향 길이와 동일한 길이이며, 금속 마스크(10)와 동일한 두께를 갖는 금속선 부분을 총칭하여, 간단히 금속선 부분이라고 하는 경우가 있다.
제1 실시 형태의 증착 마스크(100)에 따르면, 1 화면을 구성하는 데 필요한 개구부(25)의 크기나, 1 화면을 구성하는 개구부(25)간의 피치를 좁게 한 경우, 예를 들어 400ppi를 초과하는 화면의 형성을 행하기 위해, 개구부(25)의 크기나, 개구부(25)간의 피치를 극히 미소하게 한 경우라도, 금속선 부분에 의한 간섭을 방지할 수 있어, 고정밀도의 화상 형성이 가능하게 된다. 또한, 1 화면이 복수의 슬릿에 의해 분할되어 있는 경우, 바꾸어 말하면, 1 화면을 구성하는 개구부(25)간에 금속 마스크(10)와 동일한 두께를 갖는 금속선 부분이 존재하고 있는 경우에는, 1 화면을 구성하는 개구부(25)간의 피치가 좁아져 감에 수반하여, 개구부(25)간에 존재하는 금속선 부분이 증착 대상물에 증착 패턴을 형성할 때 지장이 되어 고정밀도의 증착 패턴 형성이 곤란하게 된다. 바꾸어 말하면, 1 화면을 구성하는 개구부(25)간에 금속 마스크(10)와 동일한 두께를 갖는 금속선 부분이 존재하고 있는 경우에는, 당해 금속선 부분이 섀도우의 발생을 야기하여 고정밀도의 화면 형성이 곤란하게 된다.
이어서, 도 8 내지 도 11을 참조하여, 1 화면을 구성하는 개구부(25)의 일례에 대하여 설명한다. 또한, 도시하는 형태에 있어서 파선의 폐쇄된 영역이 1 화면으로 되어 있다. 도시하는 형태에서는, 설명의 편의상 소수의 개구부(25)의 집합체를 1 화면으로 하고 있지만, 이 형태에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 하나의 개구부(25)를 1 화소라고 했을 때, 1 화면에 수백만 화소의 개구부(25)가 존재해도 된다.
도 8에 도시하는 형태에서는, 종방향, 횡방향으로 복수의 개구부(25)가 형성되어 이루어지는 개구부(25)의 집합체에 의해 1 화면이 구성되어 있다. 도 9에 도시하는 형태에서는, 횡방향으로 복수의 개구부(25)가 형성되어 이루어지는 개구부(25)의 집합체에 의해 1 화면이 구성되어 있다. 또한, 도 10에 도시하는 형태에서는, 종방향으로 복수의 개구부(25)가 형성되어 이루어지는 개구부(25)의 집합체에 의해 1 화면이 구성되어 있다. 그리고, 도 8 내지 도 10에서는, 1 화면 전체와 겹치는 위치에 슬릿(15)이 형성되어 있다.
상기에서 설명한 바와 같이, 슬릿(15)은, 1 화면하고만 겹치는 위치에 형성되어도 되고, 도 11의 (a), (b)에 도시하는 바와 같이, 2 이상의 화면 전체와 겹치는 위치에 형성되어도 된다. 도 11의 (a)에서는, 도 8에 도시하는 수지 마스크(10)에 있어서, 횡방향으로 연속되는 2 화면 전체와 겹치는 위치에 슬릿(15)이 형성되어 있다. 도 11의 (b)에서는, 종방향으로 연속되는 3 화면 전체와 겹치는 위치에 슬릿(15)이 형성되어 있다.
이어서, 도 8에 도시하는 형태를 예로 들어, 1 화면을 구성하는 개구부(25)간의 피치, 화면간의 피치에 대하여 설명한다. 1 화면을 구성하는 개구부(25)간의 피치나, 개구부(25)의 크기에 대하여 특별히 한정은 없으며, 증착 제작할 패턴에 따라 적절히 설정할 수 있다. 예를 들어, 400ppi의 고정밀도의 증착 패턴의 형성을 행하는 경우에는, 1 화면을 구성하는 개구부(25)에 있어서 인접하는 개구부(25)의 횡방향 피치(P1), 종방향 피치(P2)는 60㎛ 정도로 된다. 또한, 개구부의 크기는 500㎛2 내지 1000㎛2 정도로 된다. 또한, 하나의 개구부(25)는, 1 화소에 대응하고 있는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 화소 배열에 따라서는, 복수 화소를 통합하여 하나의 개구부(25)로 할 수도 있다.
화면간의 횡방향 피치(P3), 종방향 피치(P4)에 대해서도 특별히 한정은 없지만, 도 8에 도시하는 바와 같이, 하나의 슬릿(15)이, 1 화면 전체와 겹치는 위치에 형성되는 경우에는, 각 화면간에 금속선 부분이 존재하게 된다. 따라서, 각 화면간의 종방향 피치(P4), 횡방향 피치(P3)가, 1 화면 내에 형성되어 있는 개구부(25)의 종방향 피치(P2), 횡방향 피치(P1)보다 작은 경우, 혹은 대략 동등한 경우에는, 각 화면간에 존재하고 있는 금속선 부분이 단선되기 쉬워진다. 따라서, 이 점을 고려하면, 화면간의 피치(P3, P4)는, 1 화면을 구성하는 개구부(25)간의 피치(P1, P2)보다 넓은 것이 바람직하다. 화면간의 피치(P3, P4)의 일례로서는 1mm 내지 100mm 정도이다. 또한, 화면간의 피치란, 1 화면과, 당해 1 화면과 인접하는 다른 화면에 있어서, 인접하고 있는 개구부간의 피치를 의미한다. 이것은, 후술하는 제2 실시 형태의 증착 마스크에서의 개구부(25)의 피치, 화면간의 피치에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 도 11에 도시하는 바와 같이, 하나의 슬릿(15)이, 2개 이상의 화면 전체와 겹치는 위치에 형성되는 경우에는, 하나의 슬릿(15) 내에 형성되어 있는 복수의 화면간에는, 슬릿의 내벽면을 구성하는 금속선 부분이 존재하지 않게 된다. 따라서, 이 경우, 하나의 슬릿(15)과 겹치는 위치에 형성되어 있는 2개 이상의 화면간의 피치는, 1 화면을 구성하는 개구부(25)간의 피치와 대략 동등해도 된다.
또한, 수지 마스크(20)에는, 수지 마스크(20)의 종방향, 혹은 횡방향으로 연장되는 홈이 형성되어 있어도 된다. 증착시에 열이 가해진 경우, 수지 마스크(20)가 열팽창하여, 이에 의해 개구부(25)의 치수나 위치에 변화가 생길 가능성이 있지만, 홈을 형성함으로써 수지 마스크의 팽창을 흡수할 수 있고, 수지 마스크의 각 부분에서 발생하는 열팽창이 누적됨으로써 수지 마스크(20)가 전체적으로 소정의 방향으로 팽창하여 개구부(25)의 치수나 위치가 변화하는 것을 방지할 수 있다. 홈의 형성 위치에 대하여 한정은 없으며, 1 화면을 구성하는 개구부(25)간이나, 개구부(25)와 겹치는 위치에 형성되어 있어도 되지만, 종화면간에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 홈은, 수지 마스크의 한쪽 면, 예를 들어 금속 마스크와 접하는 측의 면에만 형성되어도 되고, 금속 마스크와 접하지 않는 측의 면에만 형성되어도 된다. 혹은, 수지 마스크(20)의 양면에 형성되어 있어도 된다.
또한, 인접하는 화면간에 종방향으로 연장되는 홈으로 해도 되고, 인접하는 화면간에 횡방향으로 연장되는 홈을 형성해도 된다. 나아가, 이들을 조합한 형태로 홈을 형성하는 것도 가능하다.
홈의 깊이나 그 폭에 대해서는 특별히 한정은 없지만, 홈의 깊이가 지나치게 깊은 경우나, 폭이 지나치게 넓은 경우에는, 수지 마스크(20)의 강성이 저하되는 경향이 있기 때문에, 이 점을 고려하여 설정하는 것이 필요하다. 또한, 홈의 단면 형상에 대해서도 특별히 한정되지 않고 U자 형상이나 V자 형상 등, 가공 방법 등을 고려하여 임의로 선택하면 된다. 제2 실시 형태의 증착 마스크에 대해서도 마찬가지이다.
<제2 실시 형태의 증착 마스크>
이어서, 제2 실시 형태의 증착 마스크에 대하여 설명한다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 제2 실시 형태의 증착 마스크는, 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부(25)가 복수 형성된 수지 마스크(20)의 한쪽 면 상에, 하나의 슬릿(하나의 관통 구멍(16))이 형성된 금속 마스크(10)가 적층되어 이루어지고, 당해 복수의 개구부(25) 모두가, 금속 마스크(10)에 형성된 하나의 관통 구멍과 겹치는 위치에 형성되어 있는 점을 특징으로 한다. 또한, 제2 실시 형태의 증착 마스크에 있어서도, 수지 마스크(20)의 개구부(25)를 구성하기 위한 내벽면이, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점(S1)을 갖고 있으며, 수지 마스크(20)의 금속 마스크(10)와 접하지 않는 측의 면인 제1 면과 내벽면의 교점을 제1 교점(Q1)이라고 하고, 수지 마스크(20)의 금속 마스크(10)와 접하는 측의 면인 제2 면과 내벽면의 교점을 제2 교점(Q2)이라고 하고, 변곡점 중 제1 교점(Q1)으로부터 제2 교점(Q2)을 향하여 최초로 위치하는 변곡점을 제1 변곡점(S1)이라고 했을 때, 제1 교점(Q1)과 제1 변곡점(S1)을 연결하는 직선(T1)과 제1 면이 이루는 각(θ1)은, 제1 변곡점(S1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선(T2)과 제2 면이 이루는 각(θ2)보다 크고, 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 제1 면으로부터 제2 면측을 향하여 넓어지는 형상인 것을 특징으로 하고 있다.
제2 실시 형태에서 말하는 개구부(25)란, 증착 대상물에 증착 패턴을 형성하기 위해 필요한 개구부를 의미하며, 증착 대상물에 증착 패턴을 형성하기 위해 필요하지 않은 개구부는, 하나의 관통 구멍(16)과 겹치지 않는 위치에 형성되어도 된다. 또한, 도 12는, 제2 실시 형태의 증착 마스크의 일례를 나타내는 증착 마스크를 금속 마스크측에서 본 정면도이다.
제2 실시 형태의 증착 마스크(100)는, 복수의 개구부(25)를 갖는 수지 마스크(20) 상에, 하나의 관통 구멍(16)을 갖는 금속 마스크(10)가 설치되어 있고, 또한 복수의 개구부(25) 모두는, 당해 하나의 관통 구멍(16)과 겹치는 위치에 형성되어 있다. 이 구성을 갖는 제2 실시 형태의 증착 마스크(100)에서는, 개구부(25)간에, 금속 마스크의 두께와 동일한 두께, 혹은, 금속 마스크의 두께보다 두꺼운 금속선 부분이 존재하지 않기 때문에, 상기 제1 실시 형태의 증착 마스크에서 설명한 바와 같이, 금속선 부분에 의한 간섭을 받지 않고 수지 마스크(20)에 형성되어 있는 개구부(25)의 치수대로 고정밀도의 증착 패턴을 형성하는 것이 가능하게 된다.
또한, 제2 실시 형태의 증착 마스크에 따르면, 금속 마스크(10)의 두께를 두껍게 해 간 경우라도, 섀도우의 영향을 거의 받는 일이 없기 때문에, 금속 마스크(10)의 두께를, 내구성이나 핸들링성을 충분히 충족시킬 수 있을 때까지 두껍게 할 수 있고, 고정밀도의 증착 패턴의 형성을 가능하게 하면서도 내구성이나 핸들링성을 향상시킬 수 있다.
(수지 마스크)
제2 실시 형태의 증착 마스크에서의 수지 마스크(20)는, 수지로 구성되고, 도 12에 도시하는 바와 같이, 하나의 관통 구멍(16)과 겹치는 위치에 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부(25)가 복수 형성되어 있다. 개구부(25)는, 증착 제작할 패턴에 대응하고 있으며, 증착원으로부터 방출된 증착재가 개구부(25)를 통과함으로써, 증착 대상물에는 개구부(25)에 대응하는 증착 패턴이 형성된다. 또한, 도시하는 형태에서는, 개구부가 종횡으로 복수열 배치된 예를 들어 설명하고 있지만, 종방향, 혹은 횡방향으로만 배치되어도 된다.
제2 실시 형태의 증착 마스크(100)는, 1 화면에 대응하는 증착 패턴의 형성에 사용되는 것이어도 되고, 2 이상의 화면에 대응하는 증착 패턴의 동시 형성에 사용되는 것이어도 된다. 제2 실시 형태의 증착 마스크에서의 「1 화면」이란, 하나의 제품에 대응하는 개구부(25)의 집합체를 의미하며, 당해 하나의 제품이 유기 EL 디스플레이인 경우에는, 하나의 유기 EL 디스플레이를 형성하는 데 필요한 유기층의 집합체, 즉 유기층으로 되는 개구부(25)의 집합체가 「1 화면」으로 된다. 제2 실시 형태의 증착 마스크는, 「1 화면」만을 포함하는 것이어도 되고, 당해 「1 화면」이 복수 화면분 배치된 것이어도 되지만, 「1 화면」이 복수 화면분 배치되는 경우에는, 화면 단위마다 소정의 간격을 두고 개구부(25)가 형성되어 있는 것이 바람직하다(제1 실시 형태의 도 11 참조). 「1 화면」의 형태에 대하여 특별히 한정은 없으며, 예를 들어 하나의 개구부(25)를 1 화소라고 했을 때, 수백만개의 개구부(25)에 의해 1 화면을 구성할 수도 있다.
(금속 마스크)
제2 실시 형태의 증착 마스크(100)에서의 금속 마스크(10)는, 금속으로 구성되고, 하나의 관통 구멍(16)을 갖고 있다. 그리고, 본 발명에서는, 당해 하나의 관통 구멍(16)은, 금속 마스크(10)의 정면에서 보았을 때, 모든 개구부(25)와 겹치는 위치, 바꾸어 말하면, 수지 마스크(20)에 배치된 모든 개구부(25)가 보이는 위치에 배치되어 있다.
금속 마스크(10)를 구성하는 금속 부분, 즉 하나의 관통 구멍(16) 이외의 부분은, 도 12에 도시하는 바와 같이 증착 마스크(100)의 외측 테두리를 따라 설치되어도 되고, 도 13에 도시하는 바와 같이 금속 마스크(10)의 크기를 수지 마스크(20)보다 작게 하여, 수지 마스크(20)의 외주 부분을 노출시켜도 된다. 또한, 금속 마스크(10)의 크기를 수지 마스크(20)보다 크게 하여, 금속 부분의 일부를, 수지 마스크의 횡방향 외측, 혹은 종방향 외측으로 돌출시켜도 된다. 또한, 어느 경우든 하나의 관통 구멍(16)의 크기는, 수지 마스크(20)의 크기보다 작게 구성되어 있다.
도 12에 도시되는 금속 마스크(10)의 하나의 관통 구멍의 벽면을 이루는 금속 부분의 횡방향의 폭(W1)이나, 종방향의 폭(W2)에 대하여 특별히 한정은 없지만, W1, W2의 폭이 좁아져 감에 수반하여, 내구성이나 핸들링성이 저하되어 가는 경향이 있다. 따라서, W1, W2는, 내구성이나 핸들링성을 충분히 만족시킬 수 있는 폭으로 하는 것이 바람직하다. 금속 마스크(10)의 두께에 따라 적절한 폭을 적절히 설정할 수 있지만, 바람직한 폭의 일례로서는, 제1 실시 형태의 금속 마스크와 마찬가지로 W1, W2 모두 1mm 내지 100mm 정도이다.
(증착 마스크의 제조 방법)
이어서, 본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명한다.
본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크는, 도 14의 (a)에 도시하는 바와 같이, 수지판(30)의 한쪽 면 상에 슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)가 적층된 수지판을 갖는 금속 마스크(50)를 준비하고, 계속해서, 도 14의 (b)에 도시하는 바와 같이, 수지판을 갖는 금속 마스크(50)에 대하여, 금속 마스크(10)측으로부터 슬릿(15)을 통하여 레이저를 조사하여, 도 14의 (c)에 도시하는 바와 같이, 수지판(30)에 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부(25)를 형성함으로써 얻을 수 있다.
수지판을 갖는 금속 마스크(50)의 형성 방법으로서는, 수지판(30)의 한쪽 면 상에 슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)를 적층한다. 수지판(30)은, 상기 수지 마스크(20)에서 설명한 재료를 사용할 수 있다.
슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)의 형성 방법으로서는, 금속판의 표면에 마스킹 부재, 예를 들어 레지스트재를 도포 시공하고, 소정의 지점을 노광하고, 현상함으로써, 최종적으로 슬릿(15)이 형성되는 위치를 남긴 레지스트 패턴을 형성한다. 마스킹 부재로서 사용하는 레지스트재로서는 처리성이 좋고, 원하는 해상성이 있는 것이 바람직하다. 계속해서, 이 레지스트 패턴을 내에칭 마스크로서 사용하여 에칭법에 의해 에칭 가공한다. 에칭이 종료된 후, 레지스트 패턴을 세정 제거한다. 이에 의해, 슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)가 얻어진다. 슬릿(15)을 형성하기 위한 에칭은, 금속판의 편면측에서 행해도 되고, 양면에서 행해도 된다. 또한, 금속판에 수지판이 설치된 적층체를 사용하여, 금속판에 슬릿(15)을 형성하는 경우에는, 금속판의 수지판과 접하지 않는 측의 표면에 마스킹 부재를 도포 시공하여, 편면측으로부터의 에칭에 의해 슬릿(15)이 형성된다. 또한, 수지판이, 금속판의 에칭재에 대하여 내에칭성을 갖는 경우에는, 수지판의 표면을 마스킹할 필요는 없지만, 수지판이, 금속판의 에칭재에 대한 내성을 갖지 않는 경우에는, 수지판의 표면에 마스킹 부재를 도포 시공해 둘 필요가 있다. 또한, 상기에서는 마스킹 부재로서 레지스트재를 중심으로 설명을 행했지만, 레지스트재를 도포 시공하는 대신에 드라이 필름 레지스트를 라미네이트하여, 동일한 패터닝을 행해도 된다.
상기 방법에 있어서, 수지판을 갖는 금속 마스크(50)를 구성하는 수지판(30)은, 판형의 수지뿐만 아니라, 코팅에 의해 형성된 수지층이나 수지막이어도 된다. 즉, 수지판은 미리 준비된 것이어도 되며, 금속판과 수지판(30)을 사용하여 수지판을 갖는 금속 마스크(50)를 형성하는 경우에는, 금속판 상에 종래 공지된 코팅법 등에 의해, 최종적으로 수지 마스크로 되는 수지층, 혹은 수지막을 형성할 수도 있다.
개구부(25)의 형성 방법으로서는, 상기에서 준비된 수지판을 갖는 금속 마스크(50)에 대하여, 레이저 가공법, 정밀 프레스 가공, 포토리소그래피 가공 등을 이용하여, 수지판을 관통시켜, 수지판에 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부(25)를 형성함으로써, 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부(25)가 형성된 수지 마스크(20)의 한쪽 면 상에 슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)가 적층된, 본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크(100)를 얻는다. 또한, 고정밀도의 개구부(25)를 용이하게 형성할 수 있다는 점에서는, 개구부(25)의 형성에는 레이저 가공법을 사용하는 것이 바람직하다. 상기에서 설명한 개구부의 내벽면의 두께 방향 단면 형상으로 하는 방법에 대해서도 특별히 한정은 없으며, 다단계의 레이저 가공이나, 포토리소그래피 가공법을 사용하여 적절히 형성할 수 있다. 예를 들어, 포토리소그래피 가공법에 있어서는, 다단계 에칭 가공시에 있어서의 에칭재, 에칭 레이트, 에칭 시간 등을 적절히 설정함으로써, 개구부의 두께 방향 단면에 사이드 에칭을 발생시켜, 개구부의 두께 방향 단면에 있어서의 상기 (θ1), (θ2)를 소정 각도의 범위 내로 할 수도 있다. 또한, 레이저 가공과 포토리소그래피 가공을 병용하여 내벽면의 두께 방향 단면 형상이 상기에서 설명한 형상으로 되는 개구부를 형성할 수도 있다.
또한, 상기 개구부(25)의 형성은, 수지판을 갖는 금속 마스크(50)를 프레임에 고정한 후에 행하는 것이 바람직하다. 이 개구부(25)의 형성 방법에 따르면, 프레임에 고정된 상태의 수지판을 갖는 금속 마스크에 대하여, 나중에 상기 특징의 개구부(25)를 형성하고 있으므로, 개구부(25)의 위치 좌표 정밀도를 현저히 향상시킬 수 있다. 또한, 완성된 증착 마스크(100)를 프레임에 고정하는 경우에는, 개구가 결정된 금속 마스크를 프레임에 대하여 잡아당기면서 고정되기 때문에, 개구부(25)의 위치 좌표 정밀도는 저하되게 된다. 프레임에 대해서는 후술한다.
(유기 반도체 소자의 제조 방법)
이어서, 본 발명의 일 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 일 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법은, 프레임을 갖는 증착 마스크를 사용한 증착법에 의해 증착 패턴을 형성하는 공정을 갖고, 당해 유기 반도체 소자를 형성하는 공정에 있어서 이하의 프레임을 갖는 증착 마스크가 사용되는 점에 특징을 갖는다. 프레임을 갖는 증착 마스크를 사용한 증착법에 대하여 어떠한 한정도 되는 일은 없으며, 예를 들어 반응성 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레이팅, 전자 빔 증착법 등의 물리적 기상 성장법(Physical Vapor Deposition), 열 CVD, 플라즈마 CVD, 광 CVD법 등의 화학 기상 성장법(Chemical Vapor Deposition) 등을 들 수 있다.
프레임을 갖는 증착 마스크를 사용한 증착법에 의해 증착 패턴을 형성하는 공정을 갖는 일 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법은, 기판 상에 전극을 형성하는 전극 형성 공정, 유기층 형성 공정, 대향 전극 형성 공정, 밀봉층 형성 공정 등을 갖고, 각 임의의 공정에 있어서 프레임을 갖는 증착 마스크를 사용한 증착법에 의해 기판 상에 증착 패턴이 형성된다. 예를 들어, 유기 EL 디바이스의 R, G, B 각 색의 발광층 형성 공정에, 프레임을 갖는 증착 마스크를 사용한 증착법을 각각 적용하는 경우에는, 기판 상에 각 색 발광층의 증착 패턴이 형성된다. 또한, 본 발명의 일 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법은, 이들 공정에 한정되는 것은 아니며, 증착법을 사용하는 종래 공지된 유기 반도체 소자의 임의의 공정에 적용 가능하다.
본 발명의 일 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법은, 상기 증착 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 프레임에 고정되는 상기 증착 마스크가, 상기에서 설명한 본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크인 것을 특징으로 한다.
프레임을 갖는 증착 마스크를 구성하는 증착 마스크에 대해서는, 상기에서 설명한 본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크(100)를 그대로 사용할 수 있으며, 여기서의 상세한 설명은 생략한다. 상기에서 설명한 본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크에 따르면, 고정밀도의 패턴을 갖는 유기 반도체 소자를 형성할 수 있다. 본 발명의 제조 방법으로 제조되는 유기 반도체 소자로서는, 예를 들어 유기 EL 소자의 유기층, 발광층이나, 캐소드 전극 등을 들 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법은, 고정밀도의 패턴 정밀도가 요구되는 유기 EL 소자의 R, G, B 발광층의 제조에 적절하게 사용할 수 있다.
유기 반도체 소자의 제조에 사용되는 프레임을 갖는 증착 마스크는, 프레임에, 상기에서 설명한 본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크가 고정되어 있다는 조건을 충족하는 것이면 되며, 그 밖의 조건에 대하여 특별히 한정되는 일은 없다. 예를 들어, 도 15에 도시하는 바와 같이, 프레임(60)에, 하나의 증착 마스크(100)가 고정되어 이루어지는 프레임을 갖는 증착 마스크(200)를 사용해도 되고, 도 16에 도시하는 바와 같이, 프레임(60)에, 복수의 증착 마스크(도시하는 형태에서는 4개의 증착 마스크)가 종방향, 혹은 횡방향으로 나란히 고정(도시하는 형태에서는 횡방향으로 나란히 고정)된 프레임을 갖는 증착 마스크(200)를 사용해도 된다.
프레임(60)은, 대략 직사각 형상의 프레임 부재이며, 최종적으로 고정되는 증착 마스크(100)의 수지 마스크(20)에 형성된 개구부(25)를 증착원측에 노출시키기 위한 개구를 갖는다. 프레임의 재료에 대하여 특별히 한정은 없으며, 증착 마스크를 지지할 수 있는 부재이면 되며, 예를 들어 금속 프레임, 세라믹 프레임 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도 금속 프레임은 증착 마스크의 금속 마스크와의 용접이 용이하고, 변형 등의 영향이 작다는 점에서 바람직하다. 금속 프레임의 재료로서는 강성이 큰 금속 재료, 예를 들어 SUS나 인바재 등이 적합하다.
프레임의 두께에 대해서도 특별히 한정은 없지만, 강성 등의 점에서 10mm 내지 30mm 정도인 것이 바람직하다. 프레임 개구의 내주 단부면과, 프레임 외주 단부면간의 폭은, 당해 프레임과, 증착 마스크의 금속 마스크를 고정할 수 있는 폭이면 특별히 한정은 없으며, 예를 들어 10mm 내지 70mm 정도의 폭을 예시할 수 있다.
또한, 증착 마스크(100)를 구성하는 수지 마스크(20)의 개구부(25)의 노출을 방해하지 않는 범위에서, 프레임의 개구에 보강 프레임(65) 등이 존재해도 된다. 바꾸어 말하면, 프레임(60)이 갖는 개구가, 보강 프레임 등에 의해 분할된 구성을 가져도 된다. 도 15, 도 16에 도시하는 형태에서는, 횡방향으로 연장되는 보강 프레임(65)이 종방향으로 복수 배치되어 있지만, 이 보강 프레임(65)에 추가하여, 혹은 이와 함께 종방향으로 연장되는 보강 프레임이 횡방향으로 복수열 배치되어도 된다. 보강 프레임(65)이 배치된 프레임(60)을 사용함으로써, 당해 프레임(60)에, 상기에서 설명한 각종 실시 형태의 증착 마스크(100)를 종방향 및 횡방향으로 복수 배열하여 고정할 때, 당해 보강 프레임과 증착 마스크가 겹치는 위치에 있어서도, 금속 프레임(60)에 증착 마스크를 고정할 수 있다.
프레임(60)과, 본 발명의 일 실시 형태의 증착 마스크(100)의 고정 방법에 대해서도 특별히 한정은 없으며, 레이저광에 의한 스폿 용접, 접착제, 나사 고정 등을 사용하여 고정할 수 있다.
<프레임을 갖는 증착 마스크>
이어서, 본 발명의 일 실시 형태의 프레임을 갖는 증착 마스크에 대하여 설명한다. 본 발명의 일 실시 형태의 프레임을 갖는 증착 마스크(200)는, 도 15, 도 16에 도시하는 바와 같이, 프레임(60)에 증착 마스크(100)가 고정되어 이루어지고, 프레임에 고정되는 증착 마스크(100)가, 상기에서 설명한 증착 마스크(100)인 것을 특징으로 하고 있다. 결국은, 프레임(60)에 고정되는 증착 마스크로서, 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부(25)가 형성된 수지 마스크(20)의 한쪽 면 상에, 개구부(25)와 겹치는 슬릿(15)이 형성된 금속 마스크(10)가 적층되고, 또한 수지 마스크(20)의 개구부(25)를 구성하기 위한 내벽면이, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 변곡점(S1)을 갖고 있으며, 당해 두께 방향 단면에 있어서, 수지 마스크(20)의 금속 마스크(10)와 접하지 않는 측의 면인 제1 면과 내벽면의 교점을 제1 교점(Q1)이라고 하고, 수지 마스크(20)의 금속 마스크(10)와 접하는 측의 면인 제2 면과 내벽면의 교점을 제2 교점(Q2)이라고 하고, 변곡점 중 제1 교점(Q1)으로부터 제2 교점(Q2)을 향하여 최초로 위치하는 변곡점을 제1 변곡점(S1)이라고 했을 때, 제1 교점(Q1)과 제1 변곡점(S1)을 연결하는 직선(T1)과 제1 면이 이루는 각(θ1)은, 제1 변곡점(S1)과 제2 교점(Q2)을 연결하는 직선(T2)과 제2 면이 이루는 각(θ2)보다 크고, 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 제1 면으로부터 제2 면측을 향하여 넓어지는 형상인 것을 특징으로 하고 있다.
프레임을 갖는 증착 마스크(200)는, 상기 유기 반도체 소자의 제조 방법에서 설명한 프레임을 갖는 증착 마스크를 그대로 사용할 수 있으며, 여기서의 상세한 설명은 생략한다.
일 실시 형태의 프레임을 갖는 증착 마스크(200)에 따르면, 개구부의 강도를 유지하면서도 섀도우의 발생을 충분히 억제할 수 있고, 증착 대상물에 고정밀도의 증착 패턴을 제작할 수 있다.
200: 프레임을 갖는 증착 마스크
100: 증착 마스크
10: 금속 마스크
15: 슬릿
16: 관통 구멍
20: 수지 마스크
25: 개구부
30: 수지판
50: 수지판을 갖는 금속 마스크
60: 프레임
100: 증착 마스크
10: 금속 마스크
15: 슬릿
16: 관통 구멍
20: 수지 마스크
25: 개구부
30: 수지판
50: 수지판을 갖는 금속 마스크
60: 프레임
Claims (29)
- 증착 제작하는 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크를 포함하는 증착 마스크이며,
상기 수지 마스크의 한쪽 면을 제1 면, 다른 쪽 면을 제2 면이라고 했을 때,
상기 수지 마스크의 상기 개구부의 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서, 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면측을 향하여 넓어짐을 갖도록 상기 제1 면에 비스듬히 접속하는 제1 부분과, 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면측을 향하여 넓어짐을 갖도록 상기 제2 면에 비스듬히 접속하는 제2 부분을 포함하고,
상기 제1 부분이 상기 제1 면과 이루는 각도는, 상기 제2 부분을 연장한 직선이 상기 제2 면과 이루는 각도보다 큰, 증착 마스크. - 제1항에 있어서,
상기 제1 부분과 상기 제2 부분이 접속하는, 증착 마스크. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 두께 방향 단면에 있어서, 상기 제1 부분이 상기 제1 면과 이루는 각도는, 상기 내벽면이 상기 제1 면과 이루는 각도 중 최댓값을 취하는, 증착 마스크. - 증착 제작하는 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크를 포함하는 증착 마스크이며,
상기 수지 마스크의 한쪽 면을 제1 면, 다른 쪽 면을 제2 면이라고 했을 때,
상기 수지 마스크의 상기 개구부의 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서, 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면측을 향하여 넓어짐을 갖도록 상기 제1 면에 비스듬히 접속하는 제1 부분을 포함하고,
두께 방향 단면에 있어서의, 상기 제1 부분을 연장한 직선과 상기 제2 면을 연장한 직선과의 교점은, 두께 방향 단면에 있어서의, 상기 내벽면과 상기 제2 면과의 교점보다도, 상기 제2 면이 위치하는 평면 내에서 상기 개구부의 내측에 존재하는, 증착 마스크. - 증착 제작하는 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크를 포함하는 증착 마스크이며,
상기 수지 마스크의 한쪽 면을 제1 면, 다른 쪽 면을 제2 면이라고 했을 때,
두께 방향 단면에 있어서, 상기 수지 마스크의 상기 개구부의 내벽면과 상기 제1 면과의 교점을 제1 교점이라고 하고, 상기 내벽면과 상기 제2 면과의 교점을 제2 교점이라고 했을 때,
상기 내벽면이 상기 제1 교점에서 상기 제1 면과 이루는 각도는, 상기 내벽면을 연장한 직선이 상기 제2 교점에서 상기 제2 면과 이루는 각도보다 큰, 증착 마스크. - 제5항에 있어서,
상기 두께 방향 단면에 있어서, 상기 내벽면이 상기 제1 교점에서 상기 제1 면과 이루는 각도는, 상기 내벽면이 상기 제1 면과 이루는 각도 중 최댓값을 취하는, 증착 마스크. - 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크를 포함하는 증착 마스크이며,
상기 수지 마스크의 한쪽 면을 제1 면, 다른 쪽 면을 제2 면으로 하고,
두께 방향 단면에 있어서, 상기 수지 마스크의 상기 제1 면과 상기 개구부의 내벽면의 교점을 제1 교점이라고 하고, 상기 제2 면과 상기 내벽면의 교점을 제2 교점이라고 하고, 상기 제1 교점과 상기 제2 교점을 연결하는 직선을 정의했을 때,
상기 두께 방향 단면에 있어서, 상기 내벽면과 상기 제1 면이 이루는 각이, 상기 직선과 상기 제1 면이 이루는 각 보다 크고,
상기 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면측을 향하여 넓어짐을 갖는 형상인, 증착 마스크. - 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크를 포함하는 증착 마스크이며,
상기 수지 마스크의 한쪽 면을 제1 면, 다른 쪽 면을 제2 면으로 하고,
두께 방향 단면에 있어서, 상기 수지 마스크의 상기 제1 면과 상기 개구부의 내벽면의 교점을 제1 교점이라고 하고, 상기 제2 면과 상기 내벽면의 교점을 제2 교점이라고 하고, 상기 제1 교점과 상기 제2 교점을 연결하는 직선을 정의했을 때,
두께 방향 단면에 있어서, 상기 내벽면 중 상기 제1 교점을 포함한 적어도 일부 영역이 상기 직선보다 상기 제2 면측에 위치하고 있으며,
상기 내벽면은 두께 방향 단면에 있어서, 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면측을 향하여 넓어짐을 갖는 형상인, 증착 마스크. - 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 내벽면은 상기 제1 교점 및 상기 제2 교점과는 다른 부분에서 상기 직선과 교차하는, 증착 마스크.
- 증착 제작할 패턴에 대응하는 개구부가 형성된 수지 마스크를 포함하는 증착 마스크이며,
상기 수지 마스크의 상기 개구부를 구성하기 위한 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 적어도 하나의 굴절점을 갖고 있으며,
상기 수지 마스크의 한쪽 면을 제1 면, 다른 쪽 면을 제2 면으로 하고,
상기 두께 방향 단면에 있어서, 상기 제1 면과 상기 내벽면의 교점을 제1 교점이라고 하고, 상기 제2 면과 상기 내벽면의 교점을 제2 교점이라고 하고, 상기 굴절점 중 상기 제1 교점으로부터 제2 교점을 향하여 최초로 위치하는 굴절점을 제1 굴절점이라고 했을 때,
상기 제1 교점과 상기 제1 굴절점을 연결하는 직선과 상기 제1 면이 이루는 각은, 상기 제1 굴절점과 상기 제2 교점을 연결하는 직선과 상기 제2 면이 이루는 각보다 크고,
상기 내벽면은, 두께 방향 단면에 있어서 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면측을 향하여 넓어짐을 갖는 형상인, 증착 마스크. - 제10항에 있어서, 상기 제1 교점으로부터 제1 굴절점까지의 거리가, 상기 제1 굴절점으로부터 제2 교점까지의 거리보다 짧은, 증착 마스크.
- 제10항에 있어서, 상기 굴절점이 2개 이상 존재하고, 상기 굴절점 중 상기 제1 교점으로부터 제2 교점을 향해 상기 제1 굴절점의 다음에 위치하는 굴절점을 제2 굴절점으로 했을 때,
상기 제1 교점으로부터 제1 굴절점까지의 거리가, 상기 제1 굴절점으로부터 제2 굴절점까지의 거리보다 긴, 증착 마스크. - 제10항에 있어서, 상기 굴절점이 2개 이상 존재하고, 상기 굴절점 중 상기 제1 교점으로부터 제2 교점을 향해 상기 제1 굴절점의 다음에 위치하는 굴절점을 제2 굴절점으로 했을 때,
상기 제1 교점으로부터 제1 굴절점까지의 거리가, 상기 제1 굴절점으로부터 제2 굴절점까지의 거리보다 짧은, 증착 마스크. - 제10항에 있어서, 상기 굴절점이 4개 이상 존재하고,
상기 제1 교점으로부터 제1 굴절점까지의 두께 방향의 거리가, 상기 제1 굴절점으로부터 제2 교점까지의 두께 방향의 거리보다 짧은, 증착 마스크. - 제10항에 있어서, 상기 굴절점이 2개 이상 존재하고,
상기 제1 굴절점 이외의 굴절점이, 상기 제1 굴절점과 상기 제2 교점을 연결하는 직선보다도 제1 면측에 위치하고 있는, 증착 마스크. - 제10항에 있어서, 상기 제2 교점으로부터 상기 제1 면으로 수선을 그었을 때,
상기 제1 교점으로부터 상기 수선과 상기 제1 면과의 교점까지의 거리가, 상기 제2 교점으로부터 상기 수선과 상기 제1 면과의 교점까지의 거리보다 짧은, 증착 마스크. - 제10항에 있어서, 상기 제2 교점으로부터 상기 제1 면으로 수선을 그었을 때,
상기 제1 교점으로부터 상기 수선과 상기 제1 면과의 교점까지의 거리가, 상기 제2 교점으로부터 상기 수선과 상기 제1 면과의 교점까지의 거리보다 긴, 증착 마스크. - 제10항에 있어서, 상기 제1 굴절점과 상기 제1 교점을 연결하는 직선과, 상기 제1 면이 이루는 각도가 60°내지 90°의 범위 내인, 증착 마스크.
- 제10항에 있어서, 상기 제1 굴절점과 상기 제2 교점을 연결하는 직선과, 상기 제2 면이 이루는 각도가 30°내지 70°의 범위 내인, 증착 마스크.
- 제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항, 제10항 중 어느 한 항에 기재된 증착 마스크가 프레임에 고정된, 프레임을 갖는 증착 마스크.
- 유기 반도체 소자의 제조 방법이며,
제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항, 제10항 중 어느 한 항에 기재된 증착 마스크를 이용하여 증착 대상물에 증착 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 유기 반도체 소자의 제조 방법. - 유기 반도체 소자의 제조 방법이며,
제20항에 기재된 프레임을 갖는 증착 마스크를 이용하여 증착 대상물에 증착 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 유기 반도체 소자의 제조 방법. - 제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항, 제10항 중 어느 한 항에 기재된 증착 마스크를 제조하는 증착 마스크의 제조 방법이며,
상기 수지 마스크의 상기 개구부를, 레이저를 조사하여 형성하고,
상기 레이저의 조사를, 형성하려고 하는 상기 개구부의 상기 내벽면의 두께 방향 단면 형상에 따라서 행하는, 증착 마스크의 제조 방법. - 제23항에 있어서,
상기 레이저의 조사를, 형성하려고 하는 상기 개구부의 상기 내벽면의 두께 방향 단면 형상에 따라서 다단계로 행하는, 증착 마스크의 제조 방법. - 제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항, 제10항 중 어느 한 항에 기재된 증착 마스크를 제조하는 증착 마스크의 제조 방법이며,
상기 수지 마스크의 상기 개구부를, 에칭 가공으로 형성하고,
상기 에칭 가공을, 형성하려고 하는 상기 개구부의 상기 내벽면의 두께 방향 단면 형상에 따라서 행하는, 증착 마스크의 제조 방법. - 제25항에 있어서,
상기 에칭 가공을, 형성하려고 하는 상기 개구부의 상기 내벽면의 두께 방향 단면 형상에 따라서 다단계로 행하는, 증착 마스크의 제조 방법. - 제26항에 있어서,
상기 다단계의 에칭 가공마다, 에칭재, 에칭 레이트, 또는 에칭 시간을 설정하는, 증착 마스크의 제조 방법. - 제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항, 제10항 중 어느 한 항에 기재된 증착 마스크를 제조하는 증착 마스크의 제조 방법이며,
상기 수지 마스크의 상기 개구부를, 레이저의 조사와, 에칭 가공을 병용하여 형성하는, 증착 마스크의 제조 방법. - 증착으로 제작되는 패턴의 형성 방법이며,
제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항, 제10항 중 어느 한 항에 기재된 증착 마스크를 이용하는, 패턴의 형성 방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JPJP-P-2013-235711 | 2013-11-14 | ||
| JPJP-P-2014-207030 | 2014-10-08 | ||
| JP2014207030A JP5780350B2 (ja) | 2013-11-14 | 2014-10-08 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法 |
| PCT/JP2014/077049 WO2015072251A1 (ja) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法 |
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|---|---|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207011822A Division KR102218206B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법, 증착 마스크의 제조 방법 및 패턴의 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200018719A true KR20200018719A (ko) | 2020-02-19 |
| KR102106329B1 KR102106329B1 (ko) | 2020-05-04 |
Family
ID=53057194
Family Applications (6)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207003915A KR102106329B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법, 증착 마스크의 제조 방법 및 패턴의 형성 방법 |
| KR1020167015225A KR101913363B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR1020217004311A KR102245984B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법, 증착 마스크의 제조 방법 및 패턴의 형성 방법 |
| KR1020187030678A KR102036073B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR1020197030575A KR102078089B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법 및 증착 마스크의 제조 방법 |
| KR1020207011822A KR102218206B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법, 증착 마스크의 제조 방법 및 패턴의 형성 방법 |
Family Applications After (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167015225A KR101913363B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR1020217004311A KR102245984B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법, 증착 마스크의 제조 방법 및 패턴의 형성 방법 |
| KR1020187030678A KR102036073B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR1020197030575A KR102078089B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법 및 증착 마스크의 제조 방법 |
| KR1020207011822A KR102218206B1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-10-09 | 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법, 증착 마스크의 제조 방법 및 패턴의 형성 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US9806257B2 (ko) |
| JP (1) | JP5780350B2 (ko) |
| KR (6) | KR102106329B1 (ko) |
| CN (3) | CN110578120B (ko) |
| TW (4) | TWI637073B (ko) |
| WO (1) | WO2015072251A1 (ko) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6357312B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-07-11 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク |
| CN103882375B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
| JP6160747B2 (ja) | 2015-07-03 | 2017-07-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、及び蒸着マスク |
| CN113403574A (zh) | 2015-07-17 | 2021-09-17 | 凸版印刷株式会社 | 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法 |
| DE112016003224T5 (de) | 2015-07-17 | 2018-04-19 | Toppan Printing Co., Ltd. | Metallmaskensubstrat für dampfabscheidung, metallmaske für dampfabscheidung, herstellungsverfahren für metallmaskensubstrat für dampfabscheidung und herstellungsverfahren für metallmaske für dampfabscheidung |
| CN107406964B (zh) | 2015-07-17 | 2018-12-18 | 凸版印刷株式会社 | 金属掩模基材、金属掩模基材的管理方法、金属掩模以及金属掩模的制造方法 |
| CN107849681A (zh) | 2015-07-17 | 2018-03-27 | 凸版印刷株式会社 | 金属掩模基材、金属掩模、以及金属掩模的制造方法 |
| US20180138408A1 (en) * | 2015-08-05 | 2018-05-17 | Applied Materials, Inc. | A shadow mask for organic light emitting diode manufacture |
| WO2017154233A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスク、蒸着マスク用マスク部材、及び蒸着マスクの製造方法と有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP6521182B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2019-05-29 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
| US20180183014A1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-06-28 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP6376483B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2018-08-22 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法および蒸着マスクの良否判定方法 |
| KR102418174B1 (ko) | 2017-07-05 | 2022-07-08 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크, 증착 마스크 장치, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크 장치의 제조 방법 |
| KR20190014272A (ko) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
| WO2019045240A1 (ko) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | 주식회사 티지오테크 | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 |
| JP2019044253A (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク、蒸着マスクの作製方法、および表示装置の製造方法 |
| CN209210911U (zh) * | 2017-10-13 | 2019-08-06 | 凸版印刷株式会社 | 蒸镀掩模 |
| KR20190096577A (ko) * | 2018-02-09 | 2019-08-20 | 주식회사 티지오테크 | 프레임 일체형 마스크 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 |
| JP6930658B2 (ja) * | 2018-09-07 | 2021-09-01 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク中間体、蒸着マスク、および、蒸着マスクの製造方法 |
| KR20200065142A (ko) | 2018-11-29 | 2020-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체 및 이의 제조 방법 |
| US11773477B2 (en) | 2018-12-25 | 2023-10-03 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Deposition mask |
| CN111378924A (zh) * | 2018-12-25 | 2020-07-07 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模 |
| WO2020158566A1 (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク群、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
| JP7432133B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2024-02-16 | 大日本印刷株式会社 | マスク |
| WO2021092759A1 (zh) * | 2019-11-12 | 2021-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板 |
| US11805678B2 (en) | 2019-11-21 | 2023-10-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, mask assembly, method of manufacturing the mask assembly, apparatus for manufacturing the display device, and method of manufacturing the display device |
| KR20210091382A (ko) * | 2020-01-13 | 2021-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크, 이의 제조 방법, 및 표시 패널 제조 방법 |
| JP2021175824A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-11-04 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法 |
| KR20220016383A (ko) * | 2020-07-31 | 2022-02-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 및 마스크의 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004190057A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
| JP2006222378A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Pentax Corp | ステンシルマスク及びその製造方法 |
| JP5288072B2 (ja) | 2012-01-12 | 2013-09-11 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5288072A (en) | 1976-01-17 | 1977-07-22 | Citizen Watch Co Ltd | Electronic watch with leghting |
| EP0338110B1 (en) * | 1988-04-21 | 1993-03-17 | International Business Machines Corporation | Method for forming a photoresist pattern and apparatus applicable with said method |
| JP3039890B2 (ja) | 1992-04-03 | 2000-05-08 | ヤンマーディーゼル株式会社 | エンジン付発電装置 |
| JP3984689B2 (ja) * | 1996-11-11 | 2007-10-03 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
| JPH11222664A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メタルマスク、このメタルマスクを用いた抵抗体の形成方法およびこのメタルマスクを用いた抵抗器の製造方法 |
| JP4046269B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2008-02-13 | 九州日立マクセル株式会社 | 有機ｅｌ素子用蒸着マスクと有機ｅｌ素子用蒸着マスクの製造方法 |
| JP2003272858A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| KR100480705B1 (ko) | 2002-07-03 | 2005-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 제작용 새도우 마스크 및 그 제조 방법 |
| KR100534580B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2005-12-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법 |
| JP2005042147A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク |
| JP4441282B2 (ja) * | 2004-02-02 | 2010-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 蒸着マスク及び有機ｅｌ表示デバイスの製造方法 |
| JP2005276480A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
| JP2006059599A (ja) | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Toyota Industries Corp | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP4428337B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2010-03-10 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009041054A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Sony Corp | 蒸着用マスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法 |
| JP5262226B2 (ja) | 2007-08-24 | 2013-08-14 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 |
| JP2009052073A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 蒸着マスク付シート、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク付シートの製造方法 |
| JP4985227B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク装置、蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法、および、蒸着マスク用シート状部材の製造方法 |
| JP2009068082A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sony Corp | 蒸着マスクの作製方法および蒸着マスク |
| JP2010216000A (ja) | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Seiko Epson Corp | 蒸着マスク |
| JP2012004486A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Panasonic Corp | 窒化物半導体装置及び窒化物半導体装置の製造方法 |
| JP2012059631A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス用マスク |
| JP3164800U (ja) | 2010-10-05 | 2010-12-16 | Tdk株式会社 | マスク |
| JP5849265B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-01-27 | 多摩川精機株式会社 | 弾性表面波型加速度センサおよびセンサ素子基体 |
| JP5935179B2 (ja) * | 2011-12-13 | 2016-06-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
| JP5895540B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2016-03-30 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク |
| TWI463024B (zh) * | 2012-01-12 | 2014-12-01 | 大日本印刷股份有限公司 | A manufacturing method of the imposition-type deposition mask and a manufacturing method of the resulting stencil sheet and an organic semiconductor device |
| KR102097574B1 (ko) * | 2012-01-12 | 2020-04-06 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 수지층이 형성된 금속 마스크의 제조 방법 |
| CN103205695B (zh) * | 2012-01-16 | 2015-11-25 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种蒸镀用掩模板及其制作工艺 |
| CN103205673A (zh) * | 2012-01-16 | 2013-07-17 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 蒸镀用掩模板的制备方法 |
| CN103022375A (zh) * | 2012-12-05 | 2013-04-03 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种oled器件及其制备方法 |
| CN103014619A (zh) * | 2012-12-26 | 2013-04-03 | 唐军 | 一种掩模板及其加工方法 |
| TWI665320B (zh) * | 2013-03-26 | 2019-07-11 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法 |
| KR102418817B1 (ko) * | 2013-04-12 | 2022-07-08 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크, 증착 마스크 준비체, 증착 마스크의 제조 방법 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP6357312B2 (ja) | 2013-12-20 | 2018-07-11 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク |
-
2014
- 2014-10-08 JP JP2014207030A patent/JP5780350B2/ja active Active
- 2014-10-09 KR KR1020207003915A patent/KR102106329B1/ko active Application Filing
- 2014-10-09 CN CN201910879058.0A patent/CN110578120B/zh active Active
- 2014-10-09 WO PCT/JP2014/077049 patent/WO2015072251A1/ja active Application Filing
- 2014-10-09 CN CN201811415443.1A patent/CN109267006A/zh active Pending
- 2014-10-09 KR KR1020167015225A patent/KR101913363B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-09 KR KR1020217004311A patent/KR102245984B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-09 KR KR1020187030678A patent/KR102036073B1/ko active Application Filing
- 2014-10-09 CN CN201480056597.XA patent/CN105637113B/zh active Active
- 2014-10-09 KR KR1020197030575A patent/KR102078089B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-09 KR KR1020207011822A patent/KR102218206B1/ko active IP Right Grant
- 2014-11-12 TW TW103139231A patent/TWI637073B/zh active
- 2014-11-12 TW TW109133528A patent/TWI766381B/zh active
- 2014-11-12 TW TW108125700A patent/TWI707964B/zh active
- 2014-11-12 TW TW107122645A patent/TWI673377B/zh active
-
2016
- 2016-05-10 US US15/150,678 patent/US9806257B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-29 US US15/719,683 patent/US10355209B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-04 US US16/430,505 patent/US10825989B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-30 US US17/038,326 patent/US11404640B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004190057A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
| JP2006222378A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Pentax Corp | ステンシルマスク及びその製造方法 |
| JP5288072B2 (ja) | 2012-01-12 | 2013-09-11 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| A107 | Divisional application of patent |