KR101940334B1 - 레이저 가공 방법 - Google Patents

레이저 가공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101940334B1
KR101940334B1 KR1020127032024A KR20127032024A KR101940334B1 KR 101940334 B1 KR101940334 B1 KR 101940334B1 KR 1020127032024 A KR1020127032024 A KR 1020127032024A KR 20127032024 A KR20127032024 A KR 20127032024A KR 101940334 B1 KR101940334 B1 KR 101940334B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser light
modified region
processed
hole
inclined surface
Prior art date
Application number
KR1020127032024A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130088750A (ko
Inventor
히데키 시모이
히로유키 규시마
게이스케 아라키
Original Assignee
하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 filed Critical 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
Publication of KR20130088750A publication Critical patent/KR20130088750A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101940334B1 publication Critical patent/KR101940334B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/384—Removing material by boring or cutting by boring of specially shaped holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/55—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for creating voids inside the workpiece, e.g. for forming flow passages or flow patterns
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00087—Holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0353—Holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0369—Static structures characterized by their profile
    • B81B2203/0384—Static structures characterized by their profile sloped profile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0128—Processes for removing material
    • B81C2201/0143—Focussed beam, i.e. laser, ion or e-beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

실리콘으로 형성된 판상의 가공 대상물(1)에 구멍(24)을 형성하기 위한 레이저 가공 방법으로서, 가공 대상물(1)의 레이저광 입사면측에서 해당 레이저광 입사면(3)에 개구하는 오목부(10)를 구멍(24)에 대응하는 부분에 형성하는 오목부 형성 공정과, 오목부 형성 공정 후, 가공 대상물(1)에 레이저광(L)을 집광시키는 것에 의해, 가공 대상물(1)에서의 구멍(24)에 대응하는 부분을 따라서 개질 영역(7)을 형성하는 개질 영역 형성 공정과, 개질 영역 형성 공정 후, 가공 대상물(1)에 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 개질 영역(7)을 따라서 에칭을 선택적으로 진전시켜, 가공 대상물(1)에 구멍(24)을 형성하는 에칭 처리 공정을 구비하며, 개질 영역 형성 공정에서는, 개질 영역(7) 또는 해당 개질 영역(7)으로부터 신장하는 균열(C)을 오목부의 내면으로 노출시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.

Description

레이저 가공 방법{LASER PROCESSING METHOD}
본 발명은, 실리콘으로 형성된 판상(板狀)의 가공 대상물에 구멍을 형성하기 위한 레이저 가공 방법에 관한 것이다.
종래의 레이저 가공 방법으로서는, 예를 들면 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 실리콘 단결정 기판(가공 대상물)에 레이저광을 집광시켜 재료 변질부(개질 영역)를 형성한 후, 이 실리콘 단결정 기판에 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 재료 변질부를 따라서 에칭을 진전시켜 해당 재료 변질부를 제거하여, 실리콘 단결정 기판에 비(非)관통공 또는 관통공을 형성하는 것이 알려져 있다.
[특허 문헌 1] 일본특허공개 2005－74663호 공보
여기서, 상술한 바와 같은 레이저 가공 방법에서는, 가공 대상물의 레이저광 입사면측에서, 형성된 개질 영역으로부터 신장하는 균열의 직진성이 예를 들면 레이저광(L)의 영향(열충격) 등에 기인하여 낮아지는 경우가 있으며, 해당 균열이 구불구불하거나 의도하지 않은 방향으로 신장해 버리는 경우가 있다. 따라서 이 경우, 이방성 에칭 처리에 의해 가공 대상물에 구멍을 형성할 때, 가공 대상물의 레이저광 입사면측에서는, 직진성이 낮은 균열을 따라서 에칭이 진전되어, 구멍의 개구부의 크기나 형상이 고르지 않을 우려가 있어, 구멍의 개구폭을 제어하는 것이 곤란해진다.
이에, 본 발명은, 레이저광 입사면측에서의 구멍의 개구폭의 제어성을 높일 수 있는 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 일측면은, 레이저 가공 방법에 관한 것이다. 이 레이저 가공 방법은, 실리콘으로 형성된 판상(板狀)의 가공 대상물에 구멍을 형성하기 위한 레이저 가공 방법으로서, 가공 대상물의 레이저광 입사면측에서 해당 레이저광 입사면에 개구하는 오목부를 구멍에 대응하는 부분에 형성하는 오목부 형성 공정과, 오목부 형성 공정 후, 가공 대상물에 레이저광을 집광시키는 것에 의해, 가공 대상물에서의 구멍에 대응하는 부분을 따라서 개질 영역을 형성하는 개질 영역 형성 공정과, 개질 영역 형성 공정 후, 가공 대상물에 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 개질 영역을 따라서 에칭을 선택적으로 진전시켜, 가공 대상물에 구멍을 형성하는 에칭 처리 공정을 구비하며, 개질 영역 형성 공정에서는, 개질 영역 또는 해당 개질 영역으로부터 신장하는 균열을 오목부의 내면으로 노출시킨다.
이 레이저 가공 방법에서는, 가공 대상물의 레이저광 입사면측에 오목부가 형성되고, 이 오목부의 내면에 개질 영역 또는 해당 개질 영역으로부터 신장하는 균열이 노출된다. 이 때문에, 이방성 에칭 처리를 할 때, 레이저광 입사면측에서는, 오목부의 형상을 따르도록 구멍의 개구부가 형성되고, 직진성이 낮은 균열을 따라서 에칭이 진전되어 구멍의 개구부가 형성되는 것이 억제된다. 따라서, 이와 같은 균열의 악영향이 구멍의 개구폭에 미치는 것을 억제할 수 있어, 레이저광 입사면측에서의 구멍의 개구폭의 제어성을 높이는 것이 가능해진다.
또, 오목부 형성 공정에서는, 가공 대상물의 두께 방향에 대해서 경사지는 경사면을 오목부의 내면으로서 형성하고, 개질 영역 형성 공정에서는, 경사면으로부터 레이저광을 조사하는 것에 의해, 레이저광을 경사면에서 굴절시켜, 가공 대상물에서의 구멍에 대응하는 부분에 레이저광을 집광시킬 수 있다. 이 경우, 경사면에 의한 레이저광의 굴절을 이용하여 레이저광이 가공 대상물에 집광되기 때문에, 레이저광의 집광점 위치를 경사면에 의해서 일의적(一義的)으로 설정할 수 있다. 따라서, 레이저광의 위치 제어의 필요성을 저감하고, 예를 들면 레이저 광원의 위치 어긋남 등에 기인한 집광점 위치의 어긋남을 억제하는 것이 가능해진다. 즉, 레이저광의 집광점 위치를 경사면에 의해서 제어하여, 개질 영역을 가공 대상물에 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
이 때, 구멍은, 두께 방향에 대해 소정 각도로 경사지게 연장하는 것으로서, 오목부 형성 공정에서는, 가공 대상물의 레이저광에 대한 굴절률 및 소정 각도에 따른 각도로 경사면을 경사시켜 형성하는 경우가 있다.
또, 개질 영역 형성 공정에서는, 경사면으로부터 레이저광을 조사하여 레이저광을 집광시키는 공정을, 두께 방향에서의 집광용 렌즈의 위치를 바꾸어 반복 실시하는 것에 의해, 개질 영역을 구성하는 개질 스포트를 경사면으로부터의 거리가 서로 다르도록 복수 형성할 수 있다. 이와 같이, 두께 방향에서의 집광용 렌즈의 위치를 바꾸어 레이저광을 경사면으로부터 반복 조사하여 집광시키면, 경사면으로부터의 거리가 다른 복수의 개질 스포트를 가공 대상물에 바람직하게 형성하는 것이 가능해진다.
또, 개질 영역 형성 공정에서는, 경사면을 따라서 집광용 렌즈를 이동시키면서 경사면으로부터 레이저광을 조사하는 것에 의해, 개질 영역을 구성하는 개질 스포트를, 경사면으로부터의 거리가 서로 동일하고 또한 경사면을 따라서 늘어서도록 복수 형성할 수 있다. 이와 같이, 집광용 렌즈를 경사면을 따라서 이동시키면서 레이저광을 경사면으로부터 조사하면, 경사면으로부터의 거리가 서로 동일하고 또한 경사면을 따라서 늘어선 복수의 개질 스포트를 가공 대상물에 바람직하게 형성하는 것이 가능해진다.
또, 오목부 형성 공정에서는, 가공 대상물에 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해 오목부를 형성할 수 있다. 이 경우, 가공 대상물에 오목부를 형성할 때, 에칭 레이트가 가공 대상물의 결정 방위에 의존한다고 하는 이방성 에칭의 특징을 이용하여, 원하는 오목부를 가공 대상물에 정밀도 좋게 형성할 수 있다.
본 발명에 의하면, 레이저광 입사면측에서의 구멍의 개구폭의 제어성을 높이는 것이 가능해진다.
도 1은 개질 영역의 형성에 이용되는 레이저 가공 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 개질 영역의 형성의 대상이 되는 가공 대상물의 평면도이다.
도 3은 도 2의 가공 대상물의 III－III선을 따른 단면도이다.
도 4는 레이저 가공 후의 가공 대상물의 평면도이다.
도 5는 도 4의 가공 대상물의 V－V선을 따른 단면도이다.
도 6은 도 4의 가공 대상물의 VI－VI선을 따른 단면도이다.
도 7의 (a)는 제1 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 가공 대상물의 단면도, (b)는 도 7의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도, (c)는 도 7의 (b)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 8의 (a)는 도 7의 (c)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도, (b)는 도 8의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 9의 (a)는 제2 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 가공 대상물의 단면도, (b)는 도 9의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 10의 (a)는 제2 실시 형태에서의 개질 영역의 형성을 나타내는 가공 대상물의 단면도, (b)는 도 10의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 11의 (a)는 제3 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 가공 대상물의 단면도, (b)는 도 11의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도, (c)는 도 11의 (b)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 12의 (a)는 도 11의 (c)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도, (b)는 도 12의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 13의 (a)는 제4 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 가공 대상물의 단면도, (b)는 도 13의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 14는 제4 실시 형태에서의 개질 영역의 형성을 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
도 15의 (a)는 제4 실시 형태의 변형예를 설명하기 위한 가공 대상물의 단면도, (b)는 도 15의 (a)에 연속하여 나타내는 가공 대상물의 단면도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에서 동일 또는 상당 요소에는 동일 부호를 부여하고, 중복하는 설명을 생략한다.
본 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법에서는, 가공 대상물의 내부에 레이저광을 집광시켜 개질 영역을 형성한다. 이에, 먼저, 개질 영역의 형성에 대해서, 도 1 ~ 도 6을 참조하여 이하에 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치(100)는, 레이저광(L)을 펄스 발진(發振)하는 레이저 광원(101)과, 레이저광(L)의 광축(광로)의 방향을 90°바꾸도록 배치된 다이크로익 미러(103)와, 레이저광(L)을 집광(集光)하기 위한 집광용 렌즈(105)를 구비하고 있다. 또, 레이저 가공 장치(100)는, 집광용 렌즈(105)에서 집광된 레이저광(L)이 조사되는 가공 대상물(1)을 지지하기 위한 지지대(107)와, 지지대(107)를 이동시키기 위한 스테이지(111)와, 레이저광(L)의 출력이나 펄스폭 등을 조절하기 위해서 레이저 광원(101)을 제어하는 레이저 광원 제어부(102)와, 스테이지(111)의 이동을 제어하는 스테이지 제어부(115)를 구비하고 있다.
이 레이저 가공 장치(100)에서는, 레이저 광원(101)으로부터 출사된 레이저광(L)은, 다이크로익 미러(103)에 의해서 그 광축의 방향이 90°바뀌어, 지지대(107) 상에 재치(載置)된 판상(板狀)의 가공 대상물(1)의 내부에 집광용 렌즈(105)에 의해서 집광된다. 이것과 아울러, 스테이지(111)가 이동시켜지고, 가공 대상물(1)이 레이저광(L)에 대해서 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 상대 이동시켜진다. 이것에 의해, 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따른 개질 영역이 가공 대상물(1)에 형성되게 된다.
가공 대상물(1)로서는, 반도체 재료나 압전(壓電) 재료 등이 이용되며, 도 2에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에는, 개질 영역 형성 예정 라인(5)이 설정되어 있다. 여기서의 개질 영역 형성 예정 라인(5)은, 직선상(狀)으로 신장된 가상선이다. 가공 대상물(1)의 내부에 개질 영역을 형성하는 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 내부에 집광점(集光点, P)을 맞춘 상태에서, 레이저광(L)을 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서(즉, 도 2의 화살표(A) 방향으로) 상대적으로 이동시킨다. 이것에 의해, 도 4 ~ 도 6에 나타내는 바와 같이, 개질 영역(7)이 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 가공 대상물(1)의 내부에 형성되고, 이 개질 영역(7)이, 후술할 에칭(식각(蝕刻))에 의한 제거 영역(8)이 된다.
또한, 집광점(P)은, 레이저광(L)이 집광하는 개소이다. 또, 개질 영역 형성 예정 라인(5)은, 직선상(狀)에 한정하지 않고 곡선상(狀)이라도 괜찮고, 이들이 조합된 3차원상(狀)이라도 괜찮으며, 좌표 지정된 것이라도 괜찮다. 또, 개질 영역(7)은, 연속적으로 형성되는 경우도 있고, 단속적으로 형성되는 경우도 있다. 또, 개질 영역(7)은 열상(列狀)이라도 점상(点狀)이라도 좋고, 요점은, 개질 영역(7)은 적어도 가공 대상물(1)의 내부에 형성되어 있으면 괜찮다. 또, 개질 영역(7)을 기점(起点)으로 균열이 형성되는 경우가 있으며, 균열 및 개질 영역(7)은, 가공 대상물(1)의 외표면(표면, 이면, 혹은 측면)으로 노출하고 있어도 괜찮다.
덧붙여서 말하면, 여기에서는, 레이저광(L)이, 가공 대상물(1)을 투과함과 아울러 가공 대상물(1)의 내부의 집광점 근방에서 특히 흡수되어, 이것에 의해, 가공 대상물(1)에 개질 영역(7)이 형성된다(즉, 내부 흡수형 레이저 가공). 일반적으로, 표면(3)으로부터 용융되고 제거되어 구멍이나 홈 등의 제거부가 형성되는(표면 흡수형 레이저 가공) 경우, 가공 영역은 표면(3)측으로부터 서서히 이면측으로 진행한다.
그런데, 본 실시 형태에 관한 개질 영역(7)은, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 외의 물리적 특성이 주위와는 다른 상태로 된 영역을 말한다. 개질 영역(7)으로서는, 예를 들면, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역등이 있으며, 이들이 혼재한 영역도 있다. 게다가, 개질 영역(7)으로서는, 가공 대상물(1)의 재료에서 밀도가 비(非)개질 영역의 밀도와 비교하여 변화한 영역이나, 격자 결함이 형성된 영역이 있다(이들을 종합하여 고밀도 전이 영역이라고도 한다).
또, 용융 처리 영역이나 굴절률 변화 영역, 개질 영역(7)의 밀도가 비개질 영역의 밀도와 비교하여 변화한 영역, 격자 결함이 형성된 영역은, 그들 영역의 내부나 개질 영역(7)과 비개질 영역과의 계면(界面)에 균열(갈라짐, 마이크로 크랙)을 더 내포하고 있는 경우가 있다. 내포되는 균열은 개질 영역(7)의 전면(全面)에 걸치는 경우나 일부분만이나 복수 부분에 형성되는 경우가 있다. 가공 대상물(1)로서는, 실리콘을 포함하는, 또는 실리콘으로 이루어진 것을 들 수 있다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 가공 대상물(1)에 개질 영역(7)을 형성한 후, 이 가공 대상물(1)에 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 개질 영역(7)을 따라서(즉, 개질 영역(7), 개질 영역(7)에 포함되는 균열, 또는 개질 영역(7)으로부터의 균열을 따라서) 에칭을 선택적으로 진전시켜, 가공 대상물(1)에서의 개질 영역(7)을 따른 부분을 제거한다. 또한, 이 균열은, 크랙, 미소(微小) 크랙, 갈라짐 등이라고도 칭해진다(이하, 단지「균열」이라고 한다).
본 실시 형태의 에칭 처리에서는, 예를 들면, 모세관 현상 등을 이용하여, 가공 대상물(1)의 개질 영역(7)에 포함되는 균열 또는 해당 개질 영역(7)으로부터의 균열에 에칭제를 침윤(浸潤)시켜, 균열면을 따라서 에칭을 진전시킨다. 이것에 의해, 가공 대상물(1)에서는, 균열을 따라서 선택적 또한 빠른 에칭 레이트(에칭 속도)로 에칭을 진전시켜 제거한다. 이것과 아울러, 개질 영역(7) 자체의 에칭 레이트가 빠르다고 하는 특징을 이용하여, 개질 영역(7)을 따라서 선택적으로 에칭을 진전시켜 제거한다.
에칭 처리로서는, 예를 들면 에칭제에 가공 대상물(1)을 침지(浸漬)하는 경우(디핑 방식：Dipping)와, 가공 대상물(1)을 회전시키면서 에칭제를 도포하는 경우(스핀 에칭 방식：SpinEtching)가 있다.
에칭제로서는, 예를 들면, KOH(수산화 칼륨), TMAH(수산화 테트라 메틸 암모늄 수용액), EDP(에틸렌디아민 피로카테콜(ethylenediamine pyrocatechol)), NaOH(수산화 나트륨), CsOH(수산화 세슘), NH4OH(수산화 암모늄), 히드라진(hydrazine) 등을 들 수 있다. 또, 에칭제로서는, 액체상(狀) 뿐만 아니라, 겔상(젤리상, 반고형상)을 이용할 수 있다. 여기서의 에칭제는, 상온 ~ 100℃ 전후의 온도에서 이용되며, 요구되는 에칭 레이트 등에 따라 적절한 온도로 설정된다. 예를 들면, 실리콘으로 형성된 가공 대상물(1)을 KOH로 에칭 처리하는 경우에는, 바람직한 것으로서, 약 60℃가 된다.
또, 본 실시 형태에서는, 에칭 처리로서, 결정방위에 근거한 특정 방향의 에칭 레이트가 빠른(혹은 느린) 에칭인 이방성 에칭 처리를 행하고 있다. 이 이방성 에칭 처리의 경우에는, 비교적 얇은 가공 대상물 뿐만 아니라 두꺼운 것(예를 들면, 두께 800㎛ ~ 100㎛)에도 적용할 수 있다. 또, 이 경우, 개질 영역(7)을 형성하는 면이 면방위와 다를 때에도, 이 개질 영역(7)을 따라서 에칭을 진행시킬 수 있다. 즉, 여기서의 이방성 에칭 처리에서는, 결정방위에 따른 면방위의 에칭에 더하여, 결정방위에 의존하지 않은 에칭도 가능하다.
[제1 실시 형태］
다음에, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 도 7, 8은, 본 실시 형태를 설명하기 위한 플로우 도면이다. 도 7, 8에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 가공 대상물(1)의 표면(3)측 및 이면(21)측에 피트(pit)(오목부, 10, 10)를 형성하고, 가공 대상물(1)에 레이저광(L)을 집광시켜 개질 영역(7)을 형성하며, 이방성 에칭에 의해서 가공 대상물(1)에서의 개질 영역(7)을 따른 부분을 제거하여 관통공(24)을 형성한다.
가공 대상물(1)은, 조사하는 레이저광(L)의 파장(예를 들면 1064nm)에 대해서 투명한 실리콘 기판이며, (100)면이 되는 표면(3) 및 이면(21)을 가지고 있다. 이 가공 대상물(1)에는, 관통공(24)에 대응하는 위치에, 개질 영역 형성 예정 라인(5)이 3차원적인 좌표 지정에 의해 프로그램으로 설정되어 있다. 관통공(24)은, 가공 대상물(1)의 두께 방향에 대해 경사지게 연장하고 있다. 여기서의 관통공(24)은, 가공 대상물(1)의 (111)면을 따라서 신장하고 있으며, 예를 들면 관통공(24)의 두께 방향에 대한 각도는, 35°로 되어 있다.
덧붙여서 말하면, 이하의 설명에서는, 도시하는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 두께 방향(레이저광(L)의 조사 방향, 지면 상하 방향)을 Z 방향으로 하고, 두께 방향에 대해 관통공(24)이 경사지는 측의 측방 방향(지면 좌우 방향)을 X 방향으로 하며, X, Z 방향에 직교하는 방향을 Y 방향(지면 수직 방향)으로 하여 설명한다.
본 실시 형태에서 가공 대상물(1)을 가공하는 경우, 우선, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭에 내성을 가지는 SiN(질화 규소) 등의 내(耐)에칭막(22)을, 가공 대상물의 표면(3) 및 이면(21)에 형성한다. 이것과 아울러, 내에칭막(22)을 패터닝 하여, 해당 내에칭막(22)의 관통공(24)에 대응하는 부분에 개구를 형성한다. 그리고, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 가공 대상물(1)의 표면(3)측 및 이면(21)측 각각에서의 관통공(24)에 대응하는 부분에, 개구부로서의 피트(10)를 형성한다.
피트(10, 10)는, 표면(3) 및 이면(21)에 개구하도록 각각 마련되어 있다. 여기서의 피트(10)는, 가공 대상물(1)의 내부를 향해서 사각뿔상(狀)으로 움푹 패이도록 형성되어 있으며, 가공 대상물(1)의 (111)면을 따르는 경사면(10a)을 내면으로서 가지고 있다.
다음에, 가공 대상물(1)의 표면(3)측을 상부로 하여 가공 대상물(1)을 재치대(載置台)에 재치하여 유지한다. 그리고, 가공 대상물(1)의 내부에서의 이면(21) 측에 레이저광(L)의 집광점(이하, 단지「집광점」이라고 함)을 맞추어, 집광점을 Y 방향으로 이동시키면서, 개질 영역 형성 예정 라인(5)을 따라서 개질 영역(7)이 형성되도록 레이저광(L)을 표면(3)측으로부터 ON·OFF 조사한다(스캔). 구체적으로는, 소정 피치의 집광점(개질 영역(7))에서 Y 방향으로 스캔된다(요점은, 소정 피치 간격으로 레이저 조사되고, 레이저 조사의 횟수만큼 개질 영역(7)이 형성된다). 이 때, 1회의 레이저 조사로 형성되는 개질 영역(7)의 일부가 Y방향에서 서로 겹치도록 개질 영역(7)을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에서는 레이저광(L)은 펄스 레이저광이다. 그리고, 이 스캔을, 가공 대상물(1)에서 이면(21)측으로부터 표면(3)측의 순서로 집광점의 Z 방향 위치를 바꾸어 반복 실시한다.
이것에 의해, 관통공(24)에 대응하는 부분을 따라서 서로 연결되는 개질 영역(7)을, 피트(10)의 내면으로 노출하도록 가공 대상물(1)에 형성한다. 환언하면, 표면(3)측 및 이면(21)측의 피트(10, 10)를 연결하도록 가공 대상물(1)의 (111)면을 따라서 연속적으로 신장하는 개질 영역(7)을, 피트(10)의 경사면(10a)으로 노출시켜 형성한다. 또한, 여기에서는, 펄스 레이저광을 레이저광(L)으로서 스포트(spot) 조사하기 때문에, 형성되는 개질 영역(7)은 개질 스포트로 구성되어 있다. 또, 개질 영역(7) 및 개질 스포트에는, 해당 개질 영역(7) 및 개질 스포트로부터 발생한 균열이 내포되어 형성되어 있다(이하, 동일함).
다음에, 가공 대상물(1)에 대해, 예를 들면 85℃의 KOH를 에칭제로서 이용하여 이방성 에칭 처리를 시행한다. 이것에 의해, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에서 피트(10) 근방을 에칭함과 아울러, 개질 영역(7)으로 에칭제를 진입시켜서 침윤(浸潤)시켜, 표면(3)측 및 이면(21)측으로부터 내부를 향하여, 에칭을 개질 영역(7)을 따라서 선택적으로 진전(진행)시킨다. 그 결과, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 개질 영역(7)을 따른 부분이 제거됨과 아울러 해당 제거 부분이 확장되도록 침식되어, 피트(10, 10)를 연결하도록 표면(3) 및 이면(21)을 관통하여 이루어지는 관통공(24)이 형성된다.
이 때, 가공 대상물(1)에 대한 이방성 에칭에서는, 에칭 레이트가 가공 대상물(1)의 결정 방위에 의존하기 때문에, 가공 대상물(1)에서의 (111)면에서는, 그 외의 부분에 비해 에칭 레이트가 지극히 늦어져, 에치 스톱(etch stop)한다. 따라서, (111)면을 따른 개질 영역(7)에서는, 그 연장 방향을 따라서 에칭이 특히 선택적 또한 고속으로 진전됨과 아울러, 형성되는 관통공(24)의 내면(24a)은 그 요철이 제거되어 매끄럽게 되어, 내면(24a)에 경면(鏡面)이 형성된다. 예를 들면, 내면(24a)의 표면 거칠기는, 산술 평균 거칠기 Ra = 10㎛(10점 평균 거칠기 Rz = 2.36㎛)가 된다.
그런데, 통상, 가공 대상물(1)의 레이저광 입사면인 표면(3)측에서는, 예를 들면 레이저광(L)의 영향(열충격) 등에 기인하여, 개질 영역(7)으로부터 신장하는 균열의 직진성이 이면(21)측의 개질 영역(7)으로부터 신장하는 균열의 직진성 보다도 낮아지는 경우가 있다. 이 때문에, 표면(3)측의 개질 영역(7)으로부터의 균열은, 구불구불하거나 의도하지 않은 방향으로 신장해 버리는 경우가 있다. 따라서 이 경우, 이방성 에칭 처리를 할 때, 표면(3)측에서는 직진성이 낮은 균열을 따라서 에칭이 진전되어, 관통공(24)에서의 표면(3)측의 개구부(24b)의 크기나 형상이 고르지 않을 우려가 있어, 관통공(24)의 개구폭(개구부(24b)의 사이즈)을 제어하는 것이 곤란해진다.
여기에, 본 실시 형태에 대해서는, 상술한 바와 같이, 가공 대상물(1)의 표면(3)측에 피트(10)가 형성되어 있으며, 이 피트(10)의 경사면(10a)에 개질 영역(7)이 노출되어 피트(10) 내에 개질 영역(7)이 들어가 있다. 이 때문에, 이방성 에칭 처리를 할 때, 가공 대상물(1)의 표면(3)측에서는, 직진성이 낮은 균열을 따라서 에칭이 진전되어 관통공(24)의 개구부(24b)가 형성되는 것은 아니고, 피트(10)의 형상을 따르도록 개구부(24b)가 형성된다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 직진성이 낮은 균열의 악영향이 관통공(24)의 개구폭에 미치는 것을 억제할 수 있어, 표면(3)측에서의 관통공(24)의 개구폭의 제어성을 높이는 것이 가능해진다.
또, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 개질 영역(7)이 가공 대상물(1)의 (111)면을 따라서 형성되어 있다. 따라서, 이방성 에칭 처리에 의해 개질 영역(7)을 따라서 에칭을 선택적으로 진전시키면, 관통공(24)의 내면(24a)에 요철이 적은 평활면(平滑面)인 경면을 형성할 수 있고, 또, 관통공(24)의 단면 형상을 직사각형(마름모꼴) 형상으로 할 수 있다.
또, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 가공 대상물(1)에 이방성 에칭 처리를 시행하여 피트(10)를 형성하고 있다. 따라서, 피트(10)를 형성할 때에, 에칭 레이트가 가공 대상물(1)의 결정 방위에 의존한다고 하는 이방성 에칭의 특징을 이용하여, 원하는 피트(10)를 가공 대상물(1)에 용이하게 또한 정밀도 좋게 형성할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 개질 영역(7) 자체를 피트(10)의 경사면(10a)으로 노출시키고 있지만, 개질 영역(7)을 노출시키지 않고 해당 개질 영역(7)으로부터의 균열을 노출시키고 있어도 좋으며, 요점은, 개질 영역(7) 또는 개질 영역(7)으로부터 신장하는 균열을 노출시키면 좋다. 이것에 대해서는, 이하의 실시 형태도 동일하다.
[제2 실시 형태]
다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태의 설명에서는, 상기 제1 실시 형태와 다른 점에 대해서 주로 설명한다.
도 9는, 본 실시 형태를 설명하기 위한 플로우 도면이고, 도 10은, 본 실시 형태에서의 개질 영역의 형성을 설명하기 위한 도면이다. 본 실시 형태의 레이저 가공 방법은, 도 9에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에 분기 구멍(24)을 형성하는 것이다. 분기 구멍(24)은, 표면(3)측에 마련된 V홈상(狀)의 개구부(24b)와, 개구부(24b)의 저부로부터 Z 방향으로 연장하는 연직부(241)와, 개구부(24b)의 서로 대향하는 경사면 각각으로부터 Z 방향에 대해 경사지는 방향으로 연장하는 경사부(242, 243)를 포함하고 있다.
본 실시 형태에서는, 우선, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 표면(3)측의 개구부(24b)에 대응하는 위치에, 표면(3)에 개구하는 V홈상의 피트(10)를 형성한다. 그리고, 연직부(241) 및 경사부(242, 243)에 대응하는 부분을 따라서 개질 스포트(S)를 복수 형성하고, 이들 개질 스포트(S)에 의해 개질 영역(71 ~ 73)을 형성한다.
구체적으로는, 연직부(241)에 대응하는 부분에 개질 스포트(S1)가 형성되도록 상기 스캔을 실시한다. 그리고, 개질 스포트(S1)를 형성하는 해당 스캔을, 집광용 렌즈(105)를 Z 방향으로 소정량 이동하는 것에 의해 Z 방향에서의 집광점 위치를 바꾸어 반복 실시한다. 이 때, 집광용 렌즈(105)는, Z 방향의 집광점 위치가 이면(21)측으로부터 표면(3)측의 순서로 바뀌도록, 이면(21)으로부터 표면(3)측으로 이동시킨다. 이것에 의해, 가공 대상물(1)의 연직부(241)에 대응하는 부분을 따라서, 복수의 개질 스포트(S1)로 이루어지는 개질 영역(71)을 형성한다. 여기서의 개질 영역(71)에서는, 표면(3)측의 개질 스포트(S1)가 피트(10)의 저부로 노출되어 있다.
또, 경사부(242)에 대응하는 부분에 개질 스포트(S2)가 형성되도록 상기 스캔을 실시한다. 상세하게 말하면, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이, 피트(10)의 경사면(10a)으로부터 레이저광(L)을 ON·OFF 조사하는 것에 의해, 레이저광(L)을 경사면(10a)에서 굴절시켜, 가공 대상물(1)에서의 경사부(242)에 대응하는 부분에 레이저광(L)을 집광시켜서, 개질 스포트(S2)를 형성한다.
여기에서는, 경사면(10a)의 Z 방향에 대한 경사 각도를 35°로 하는 것에 의해, 하기의 굴절률의 관계에 근거하여, 경사면(10a)에 Z 방향을 따라서 입사하고 굴절한 레이저광(L)의 집광 각도를 43.3°로 설정하고 있다. 즉, 피트(10)를 형성할 때, 가공 대상물(1)의 레이저광(L)에 대한 굴절률 및 경사부(242)의 Z 방향에 대한 경사 각도(소정 각도)에 따른 각도로, 경사면(10a)을 경사시키고 있다. 또한, 집광 각도는, X 방향에 대한 레이저광(L)의 광축의 각도를 의미하고 있다.
공기의 굴절률：1.0, 가공 대상물(1)의 굴절률：3.5
그리고, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이, 개질 스포트(S2)를 형성하는 해당 스캔을, 집광용 렌즈(105)를 Z 방향으로 소정량 이동하는 것에 의해 경사부(242)를 따른 방향의 집광점 위치(즉, 경사면(10a)의 깊이 방향의 집광점 위치)를 바꾸어 반복 실시한다. 이 때, 집광용 렌즈(105)는, 집광점 위치가 경사면(10a)의 깊이 방향 내측으로부터 바로 전측의 순서로 바뀌도록, 이면(21)으로부터 표면(3)측으로 이동된다. 이것에 의해, 경사부(242)에 대응하는 부분을 따라서, 복수의 개질 스포트(S2)로 이루어지는 개질 영역(72)을 형성한다. 여기서의 개질 영역(72)에서는, 표면(3)측의 개질 스포트(S2)로부터 신장하는 균열(C)이 피트(10)의 경사면(10a)으로 노출되어 있다.
또, 상술한 개질 스포트(S2) 및 개질 영역(72)의 형성과 마찬가지로, 경사부(243)에 대응하는 부분을 따라서, 상기 스캔을 집광점 위치를 바꾸어 반복 실시하여 복수의 개질 스포트(S3)로 이루어지는 개질 영역(73)을 형성한다. 그 후, 가공 대상물(1)에 대해 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에칭을 개질 영역(7)을 따라서 선택적으로 진전시킨다. 그 결과, 가공 대상물(1)의 개질 영역(7)을 따른 부분이 제거되어, 분기 구멍(24)이 형성되게 된다.
이상, 본 실시 형태에서도, 상기 효과와 동일한 효과, 즉, 직진성이 낮은 균열의 악영향이 분기 구멍(24)의 개구폭에 미치는 것을 억제하여, 분기 구멍(24)의 개구폭의 제어성을 높인다고 하는 효과가 나타내어진다. 또, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 피트(10)의 경사면(10a)에 균열(C)을 노출시키고 있기 때문에, 표면(3)에 균열을 노출시키는 경우에 비해, 균열(C)의 직진성을 향상할 수 있다.
또, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 경사면(10a)으로부터 레이저광(L)을 조사하는 것에 의해, 레이저광(L)을 경사면(10a)에서 굴절시켜 집광시키고 있다. 이것에 의해, 경사면(10a)에 의한 레이저광(L)의 굴절을 이용하여 레이저광(L)을 가공 대상물(1) 내에 집광시킬 수 있고, 따라서, 레이저광(L)의 집광점 위치를 경사면(10a)에서 일의적으로 설정하는 것이 가능해진다. 그 결과, 레이저광(L)의 위치 제어의 필요성을 저감하고, 예를 들면 레이저 광원(101, 도 1 참조)의 위치 어긋남 등에 기인한 집광점 위치의 어긋남을 억제하는 것이 가능해진다. 즉, 레이저광(L)의 집광점 위치를 경사면(10a)에 의해 제어함으로써, 개질 영역(7)을 가공 대상물(1)에 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
또, 특히 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, Z 방향으로만 집광용 렌즈(105)를 이동함으로써, 개질 스포트(S)를 경사면(10a)으로부터의 거리가 서로 다르도록 복수 형성하고 있기 때문에, Z 방향 및 X 방향의 쌍방으로 집광용 렌즈(105)를 이동하여 집광점을 이동시킬 필요성을 저감할 수 있다. 따라서, 개질 영역(7)을 가공 대상물(1)에 용이하게 형성하는 것이 가능해진다.
[제3 실시 형태]
다음에, 본 발명의 제3 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태의 설명에서는, 상기 제2 실시 형태와 다른 점에 대해서 주로 설명한다.
도 11, 12는, 본 실시 형태를 설명하기 위한 플로우 도면이다. 본 실시 형태의 레이저 가공 방법은, 도 12에 나타내는 바와 같이, 블리더(bleeder) 회로 기판(51)을 형성하기 위한 것이며, 가공 대상물(1)에 복수(여기에서는, 2개)의 분기 관통공(24)을 형성한다. 각 분기 관통공(24)은, V홈상의 개구부(24b)와, 개구부(24b)의 서로 대향하는 경사면의 각각으로부터 Z 방향에 대해 경사지는 방향으로 연장하는 경사부(244, 245)를 포함하고 있다.
본 실시 형태에서는, 우선, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 표면(3)에 내에칭막(22)을 형성함과 아울러 내에칭막(22)을 패터닝 하고, 그리고, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 가공 대상물(1)의 표면(3)측에 복수의 피트(10, 10)를 형성한다. 이어서, 내에칭막(22)을 제거한 후, 도 11의 (c)에 나타내는 바와 같이, 분기 관통공(24)의 경사부(244, 245)에 대응하는 부분을 따라서 개질 스포트(S)를 복수 형성하고, 이들 개질 스포트(S)에 의해 개질 영역(7)을 형성한다.
구체적으로는, 피트(10)의 경사면(10a)로부터 레이저광(L)을 조사하는 것에 의해, 레이저광(L)을 경사면(10a)에서 굴절시켜, 가공 대상물(1)에서의 경사부(244)에 대응하는 부분에 레이저광(L)을 집광시켜서, 개질 스포트(S)를 형성한다. 이것을, 집광용 렌즈(105)를 Z 방향으로 소정량 이동하는 것에 의해 집광점 위치를 바꾸어 반복 실시하고, 경사부(244)에 대응하는 부분을 따라서, 복수의 개질 스포트(S)로 이루어지는 개질 영역(74)을 형성한다. 또, 마찬가지로, 가공 대상물(1)에 서의 경사부(245)에 대응하는 부분을 따라서, 복수의 개질 스포트(S)로 이루어지는 개질 영역(75)을 형성한다. 여기서의 개질 영역(74, 75)에서는, 표면(3)측의 개질 스포트(S)가 피트(10)의 경사면(10a)으로 노출하도록 형성되어 있다.
다음에, 가공 대상물(1)에 대해 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해. 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 에칭을 개질 영역(7)을 따라서 선택적으로 진전시킨다. 그 결과, 가공 대상물(1)의 개질 영역(7)을 따른 부분이 제거되어, 복수의 분기 관통공(24, 24)이 형성된다. 그 후, 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 열산화(熱酸化) 처리에 의해 분기 관통공(24, 24)의 내면에 산화막(미도시)을 형성하고, 분기 관통공(24, 24) 내에 도체(13)를 매입(埋入)하며, 이 도체(13)에 전기적으로 접속하도록 패드(14)를 개구부(24b) 내와 이면(21) 상에 형성한다. 이것에 의해, 1 대(對) N(N는 2 이상의 정수)의 전기적 접속이 가능한 블리더 회로 기판(51)이 형성되게 된다.
이상, 본 실시 형태에서도, 상기 효과와 동일한 효과, 즉, 직진성이 낮은 균열의 악영향이 분기 관통공(24)의 개구폭에 미치는 것을 억제하여, 분기 관통공(24)의 개구폭의 제어성을 높인다고 하는 효과가 나타내어진다.
또, 본 실시 형태에서는, 상기 실시 형태와 마찬가지로, 경사면(10a)으로부터 레이저광(L)을 조사하고, 레이저광(L)을 경사면(10a)에서 굴절시켜 집광시키고 있기 때문에, 레이저광(L)의 집광점 위치를 경사면(10a)에서 제어할 수 있어, 개질 영역(7)을 가공 대상물(1)에 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
[제4 실시 형태]
다음에, 본 발명의 제4 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태의 설명에서는, 상기 제2 실시 형태와 다른 점에 대해서 주로 설명한다.
도 13은, 본 실시 형태를 설명하기 위한 플로우 도면이고, 도 14는, 본 실시 형태에서의 개질 영역의 형성을 설명하기 위한 도면이다. 본 실시 형태의 레이저 가공 방법에서는, 도 13에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)에 분기 구멍(24)을 형성하는 것이다. 분기 구멍(24)은, V홈상의 개구부(24b)와, 개구부(24b)의 저부로부터 Z 방향으로 연장하는 연직부(246)와, 개구부(24b)에서 서로 대향하는 경사면 각각으로부터 Z 방향에 대해 경사지는 방향으로 연장하고 또한 연직부(246)에 비해 폭이 넓은 경사부(247, 248)를 포함하고 있다.
본 실시 형태에서는, 우선, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, 가공 대상물(1)의 표면(3)측의 개구부(24b)에 대응하는 위치에, 표면(3)에 개구하는 V홈상의 피트(10)를 형성한다. 그리고, 연직부(246) 및 경사부(247, 248, 도 13의 (b) 참조)에 대응하는 부분을 따라서 개질 스포트(S)를 복수 형성하고, 이들 개질 스포트(S)에 의해 개질 영역(76 ~ 78)을 형성한다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 도 14에 나타내는 바와 같이, 집광용 렌즈(105)를 X방향을 따라서 이동함과 아울러 집광용 렌즈(105)를 경사면(10a)에 추종(追從)하도록(즉, 집광용 렌즈(105)와 경사면(10a)과의 거리가 일정하게 되도록) Z 방향으로 이동시키면서, 레이저광(L)을 ON·OFF 조사한다(스캔). 그 결과, 레이저광(L)은 경사면(10a)을 따라서 이동되면서 경사면(10a)으로부터 조사되고, 레이저광(L)이 경사면(10a)에서 굴절되어 가공 대상물(1) 내에 집광되며, 경사면(10a)으로부터의 거리가 서로 동일한 복수(여기에서는, 4개)의 개질 스포트(S)가 경사면(10a)을 따라서 늘어서도록 형성된다. 또한, 이「동일하다」는, 대략 동일함을 포함하며, 그 차이가 작은 것을 의미하고 있다.
그리고, 해당 스캔을, 집광용 렌즈(미도시)를 Z 방향으로 소정량 이동하는 것에 의해 집광점 위치를 바꾸어 반복 실시한다. 이것에 의해, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, 연직부(246) 및 경사부(247, 248)에 대응하는 부분을 따라서, 복수의 개질 스포트(S)로 이루어지는 개질 영역(76 ~ 78)을 형성한다. 그 후, 가공 대상물(1)에 대해 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이, 개질 영역(7)을 따라서 에칭을 선택적으로 진전시킨다. 그 결과, 가공 대상물(1)의 개질 영역(7)을 따른 부분이 제거되어, 분기 구멍(24)이 형성되게 된다.
이상, 본 실시 형태에서도, 상기 효과와 동일한 효과, 즉, 직진성이 낮은 균열의 악영향이 분기 구멍(24)의 개구폭에 미치는 것을 억제하여, 분기 구멍(24)의 개구폭의 제어성을 높인다고 하는 효과가 나타내어진다.
또, 본 실시 형태에서는, 상기 실시 형태와 마찬가지로, 경사면(10a)으로부터 레이저광(L)을 조사하고, 레이저광(L)을 경사면(10a)에서 굴절시켜 집광시키고 있기 때문에, 레이저광(L)의 집광점 위치를 경사면(10a)에서 제어할 수 있어, 개질 영역(7)을 가공 대상물(1)에 정밀도 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
또, 특히 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 경사면(10a)을 따라서 추종하도록 집광용 렌즈(미도시)를 이동시키면서 경사면(10a)으로부터 레이저광(L)을 조사하고 있다. 따라서, 경사면(10a)으로부터의 거리가 서로 동일하고 또한 경사면(10a)을 따라서 늘어선 복수의 개질 스포트(S)를, 가공 대상물(1)에 바람직하게 형성할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 형성하는 피트(10)의 크기를 적절히 제어함으로써, 경사면(10a)을 따라서 병설 가능한 개질 스포트(S)의 범위를 제어하여, 경사부(247, 248)의 폭(구멍 지름)을 제어하는 것이 가능해진다. 즉, 예를 들면, 도 15의 (a)에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 상기 피트(10, 도 13의 (a) 참조) 보다도 작은 피트(10')를 가공 대상물(1)에 형성하고, 경사면(10a)을 따라서 늘어선 개질 스포트(S)의 수가 개질 영역(77, 78) 보다도 적은 개질 영역(77', 78')을 형성한다. 그 결과, 도 15의 (b)에 나타내는 바와 같이, 그 후에 이방성 에칭 처리를 시행함으로써, 경사부(247, 248) 보다도 폭이 좁은 경사부(247', 248')를 가지는 분기 구멍(24)이 형성되게 된다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 각 청구항에 기재한 요지를 변경하지 않는 범위에서 변형하고, 또는 다른 것에 적용한 것이라도 괜찮다.
예를 들면, 개질 영역(7)을 형성할 때의 레이저광 입사면은, 가공 대상물(1)의 표면(3)에 한정되는 것은 아니고, 가공 대상물(1)의 이면(21)이라도 괜찮다. 또, 상기 제1 실시 형태에서는, 피트(10)를 표면(3)측과 이면(21)측에 형성했지만, 피트(10)를 표면(3)측에만 형성하는 경우도 있다.
또, 상기 실시 형태에서의 레이저광(L)의 ON·OFF 조사는, 레이저광(L)의 출사의 ON·OFF를 제어하는 것 외에, 레이저광(L)의 광로 상에 마련된 셔터를 개폐하거나, 가공 대상물(1)의 표면(3)을 마스킹하는 것에 의해 실시해도 괜찮다. 게다가, 레이저광(L)의 강도를, 개질 영역이 형성되는 역치(가공 역치) 이상의 강도와 가공 역치 미만의 강도와의 사이에서 제어해도 괜찮다.
또, 본 발명에 의해 형성되는 구멍은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 여러 가지의 구멍으로 해도 좋다. 예를 들면, 관통공 또는 비(非)관통공 중 어느 것이라도 좋고, 분기 구멍 또는 비(非)분기 구멍 중 어느 것이라도 좋으며, 또, Z 방향에 대해 경사지게 연장하는 것이라도 좋고, Z 방향을 따라서 연장하는 것이라도 좋다. 또, 구멍은, 원 형상 단면을 가지고 있어도 괜찮고, 다각 형상 단면을 가지고 있어도 괜찮다.
또한, 에칭제에 첨가물을 첨가함으로써 특정의 결정 방위의 에칭 레이트를 변화시킬 수 있기 때문에, 원하는 에칭 레이트로 이방성 에칭 처리를 행하도록, 가공 대상물(1)의 결정 방위에 따른 첨가물을 에칭제에 첨가해도 괜찮다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명에 의하면, 레이저광 입사면측에서의 구멍의 개구폭의 제어성을 높이는 것이 가능해진다.
1 … 가공 대상물 3 … 표면(레이저광 입사면)
7, 71 ~ 78, 77', 78' … 개질 영역
10, 10' … 피트(오목부) 10a … 경사면(내면)
24 … 관통공, 분기 구멍, 분기 관통공(구멍)
105 … 집광용 렌즈 C … 균열
L … 레이저광 S … 개질 스포트

Claims (7)

  1. 실리콘으로 형성된 판상(板狀)의 가공 대상물에 구멍을 형성하기 위한 레이저 가공 방법으로서,
    상기 가공 대상물의 레이저광 입사면측에서 해당 레이저광 입사면에 개구하는 오목부를 상기 구멍에 대응하는 부분에 형성하는 오목부 형성 공정과,
    상기 오목부 형성 공정 후, 상기 가공 대상물에 레이저광을 집광시키는 것에 의해, 상기 가공 대상물에서의 상기 구멍에 대응하는 부분을 따라서 개질 영역을 형성하는 개질 영역 형성 공정과,
    상기 개질 영역 형성 공정 후, 상기 가공 대상물에 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해, 상기 개질 영역을 따라서 에칭을 선택적으로 진전시켜, 상기 가공 대상물에 상기 구멍을 형성하는 에칭 처리 공정을 구비하며,
    상기 오목부 형성 공정에서는, 상기 가공 대상물의 두께 방향에 대해서 경사지는 경사면을 상기 오목부의 내면으로서 형성하고,
    상기 개질 영역 형성 공정에서는, 상기 경사면으로부터 상기 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 레이저광을 상기 경사면에서 굴절시켜, 상기 가공 대상물에서의 상기 구멍에 대응하는 부분에 상기 레이저광을 집광시키며, 상기 개질 영역 또는 상기 개질 영역으로부터 신장하는 균열을 상기 오목부의 내면으로 노출시키는 레이저 가공 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 구멍은, 상기 두께 방향에 대해 소정 각도로 경사지게 연장하는 것으로서,
    상기 오목부 형성 공정에서는, 상기 가공 대상물의 상기 레이저광에 대한 굴절률 및 상기 소정 각도에 따른 각도로 상기 경사면을 경사시켜 형성하는 레이저 가공 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 개질 영역 형성 공정에서는, 상기 경사면으로부터 상기 레이저광을 조사하여 상기 레이저광을 집광시키는 공정을, 상기 두께 방향에서의 집광용 렌즈의 위치를 바꾸어 반복 실시하는 것에 의해, 상기 개질 영역을 구성하는 개질 스포트를 상기 경사면으로부터의 거리가 서로 다르도록 복수 형성하는 레이저 가공 방법.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 개질 영역 형성 공정에서는, 상기 경사면으로부터 상기 레이저광을 조사하여 상기 레이저광을 집광시키는 공정을, 상기 두께 방향에서의 집광용 렌즈의 위치를 바꾸어 반복 실시하는 것에 의해, 상기 개질 영역을 구성하는 개질 스포트를 상기 경사면으로부터의 거리가 서로 다르도록 복수 형성하는 레이저 가공 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 개질 영역 형성 공정에서는, 상기 경사면을 따라서 집광용 렌즈를 이동시키면서 상기 경사면으로부터 상기 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 개질 영역을 구성하는 개질 스포트를, 상기 경사면으로부터의 거리가 서로 동일하고 또한 상기 경사면을 따라서 늘어서도록 복수 형성하는 레이저 가공 방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 오목부 형성 공정에서는, 상기 가공 대상물에 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해 상기 오목부를 형성하는 레이저 가공 방법.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 오목부 형성 공정에서는, 상기 가공 대상물에 이방성 에칭 처리를 시행하는 것에 의해 상기 오목부를 형성하는 레이저 가공 방법.
KR1020127032024A 2010-07-26 2011-07-19 레이저 가공 방법 KR101940334B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010167434 2010-07-26
JPJP-P-2010-167434 2010-07-26
PCT/JP2011/066319 WO2012014709A1 (ja) 2010-07-26 2011-07-19 レーザ加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130088750A KR20130088750A (ko) 2013-08-08
KR101940334B1 true KR101940334B1 (ko) 2019-01-18

Family

ID=45529925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127032024A KR101940334B1 (ko) 2010-07-26 2011-07-19 레이저 가공 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8673167B2 (ko)
EP (1) EP2599576B1 (ko)
JP (1) JP5476476B2 (ko)
KR (1) KR101940334B1 (ko)
CN (1) CN103025474B (ko)
TW (1) TWI522200B (ko)
WO (1) WO2012014709A1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6036173B2 (ja) * 2012-10-31 2016-11-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置
US20150034613A1 (en) * 2013-08-02 2015-02-05 Rofin-Sinar Technologies Inc. System for performing laser filamentation within transparent materials
JP6734202B2 (ja) * 2015-01-13 2020-08-05 ロフィン−シナール テクノロジーズ エルエルシー 脆性材料をスクライブして化学エッチングする方法およびシステム
US20170103249A1 (en) 2015-10-09 2017-04-13 Corning Incorporated Glass-based substrate with vias and process of forming the same
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10134657B2 (en) 2016-06-29 2018-11-20 Corning Incorporated Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
JP2019051529A (ja) * 2017-09-13 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置
US20190185373A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-20 Corning Incorporated Methods for etching vias in glass-based articles employing positive charge organic molecules
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
US11152294B2 (en) 2018-04-09 2021-10-19 Corning Incorporated Hermetic metallized via with improved reliability
TWI678342B (zh) 2018-11-09 2019-12-01 財團法人工業技術研究院 形成導角的切割方法
KR20210127188A (ko) 2019-02-21 2021-10-21 코닝 인코포레이티드 구리-금속화된 쓰루 홀을 갖는 유리 또는 유리 세라믹 물품 및 이를 제조하기 위한 공정
CN112222630A (zh) * 2019-06-26 2021-01-15 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光加工方法
CN116352252A (zh) * 2019-11-08 2023-06-30 麻省理工学院 激光辅助材料相变和喷出微加工工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005074663A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Seiko Epson Corp 単結晶基板の加工方法
JP2007165839A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp 半導体ウェハ
JP2010155259A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Seiko Epson Corp 溝形成方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04150212A (ja) 1990-10-09 1992-05-22 Seiko Epson Corp 水晶基板のエッチング加工方法
JPH0740482A (ja) 1993-07-27 1995-02-10 Jsp Corp 発泡ポリプロピレン系樹脂積層体及び該積層体の製造方法
JP2873937B2 (ja) 1996-05-24 1999-03-24 工業技術院長 ガラスの光微細加工方法
JP3473668B2 (ja) 1997-01-23 2003-12-08 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録ヘッド
US6424048B1 (en) * 1998-12-16 2002-07-23 Seiko Epson Corporation Semiconductor chip, semiconductor device, circuit board and electronic equipment and production methods for them
JP4497147B2 (ja) 1998-12-16 2010-07-07 セイコーエプソン株式会社 半導体チップの製造方法、半導体装置の製造方法、回路基板の製造方法及び電子機器の製造方法
US6563079B1 (en) 1999-02-25 2003-05-13 Seiko Epson Corporation Method for machining work by laser beam
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4880820B2 (ja) 2001-01-19 2012-02-22 株式会社レーザーシステム レーザ支援加工方法
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
CA2428187C (en) 2002-05-08 2012-10-02 National Research Council Of Canada Method of fabricating sub-micron structures in transparent dielectric materials
JP4329374B2 (ja) 2002-07-29 2009-09-09 パナソニック電工株式会社 発光素子およびその製造方法
JP4158481B2 (ja) 2002-10-21 2008-10-01 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法およびその装置、並びにその装置を用いた穴あけ加工方法
JP2004160618A (ja) 2002-11-15 2004-06-10 Seiko Epson Corp マイクロマシン及びマイクロマシンの製造方法
JP2004223586A (ja) 2003-01-24 2004-08-12 Institute Of Physical & Chemical Research 透明材料内部の処理方法
JP2004304130A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP2004351494A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Seiko Epson Corp レーザーに対して透明な材料の穴あけ加工方法
JP2004359475A (ja) 2003-06-02 2004-12-24 Seiko Epson Corp 光学素子の製造方法及び光学装置
JP4385656B2 (ja) 2003-06-11 2009-12-16 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、及び、その製造方法
JP2005121916A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Seiko Epson Corp レンチキュラレンズ用凹部付き基板の製造方法、レンチキュラレンズ用凹部付き基板、レンチキュラレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ
JP2005121915A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Seiko Epson Corp マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法、マイクロレンズ用凹部付き基板、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置
JP2005144586A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置
JP2005144622A (ja) 2003-11-18 2005-06-09 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置
JP2005152693A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置
JP2005169993A (ja) 2003-12-15 2005-06-30 Canon Inc インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッドの製造方法
JP2005208175A (ja) 2004-01-20 2005-08-04 Seiko Epson Corp 光部品及びその製造方法、光モジュール、光通信装置、電子機器
JP2005206401A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Seiko Epson Corp 構造体の製造方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置
JP2005306702A (ja) 2004-04-26 2005-11-04 Namiki Precision Jewel Co Ltd テーパー形状を有する微小穴の形成方法
JP2005351774A (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Seiko Epson Corp マイクロアレイ作製用ヘッドの製造方法、マイクロアレイ作製用ヘッドおよびマイクロアレイ作製用装置
JP2006044974A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Seiko Epson Corp マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法および透過型スクリーン
JP4856931B2 (ja) * 2004-11-19 2012-01-18 キヤノン株式会社 レーザ割断方法およびレーザ割断装置
JP4630971B2 (ja) 2004-12-21 2011-02-09 並木精密宝石株式会社 パルスレーザによる微小構造の形成方法
JP2006290630A (ja) 2005-02-23 2006-10-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザを用いたガラスの加工方法
JP2007036758A (ja) 2005-07-27 2007-02-08 Seiko Epson Corp Ａｔカット水晶振動片、その製造方法、及び水晶デバイス
JP2007101833A (ja) 2005-10-04 2007-04-19 Seiko Epson Corp マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズ、空間光変調装置、スクリーン及びプロジェクタ
WO2007058284A1 (ja) * 2005-11-18 2007-05-24 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. ウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置
WO2008146744A1 (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Hamamatsu Photonics K.K. 切断用加工方法
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP4480182B2 (ja) * 2007-09-06 2010-06-16 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッド用基板及びインクジェット記録ヘッドの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005074663A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Seiko Epson Corp 単結晶基板の加工方法
JP2007165839A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp 半導体ウェハ
JP2010155259A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Seiko Epson Corp 溝形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103025474A (zh) 2013-04-03
JPWO2012014709A1 (ja) 2013-09-12
US20120125892A1 (en) 2012-05-24
EP2599576A4 (en) 2016-12-14
EP2599576A1 (en) 2013-06-05
US8673167B2 (en) 2014-03-18
WO2012014709A1 (ja) 2012-02-02
TW201210728A (en) 2012-03-16
CN103025474B (zh) 2015-04-01
TWI522200B (zh) 2016-02-21
KR20130088750A (ko) 2013-08-08
EP2599576B1 (en) 2019-12-11
JP5476476B2 (ja) 2014-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101940334B1 (ko) 레이저 가공 방법
JP5389264B2 (ja) レーザ加工方法
JP5389265B2 (ja) 基板加工方法
JP4692717B2 (ja) 脆性材料の割断装置
WO2012164649A1 (ja) レーザ加工方法
US8741777B2 (en) Substrate processing method
KR101940331B1 (ko) 레이저 가공 방법
TW201625494A (zh) 微孔陣列及其製造方法
JP2011206838A (ja) レーザ加工方法
KR101942110B1 (ko) 레이저 가공방법
JP5618373B2 (ja) ガラス基板のレーザ加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant