CN113195185A - 激光加工方法、半导体构件制造方法及激光加工装置 - Google Patents

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Abstract

激光加工方法是用于在半导体对象物的内部沿着与半导体对象物的表面相对的假想面，切断半导体对象物的激光加工方法，具备：通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，而沿着假想面形成多个第1改质点的第1工序；通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，而以与多个第1改质点不重叠的方式，沿着假想面形成多个第2改质点的第2工序。

Description

激光加工方法、半导体构件制造方法及激光加工装置
技术领域
本发明涉及激光加工方法、半导体构件制造方法及激光加工装置。
背景技术
已知通过对半导体锭等半导体对象物照射激光，而在半导体对象物的内部形成改质区域，通过使从改质区域延伸的龟裂进展，而从半导体对象物切出半导体晶圆等半导体构件的加工方法(例如，参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-183600号公报
专利文献2：日本特开2017-057103号公报
发明内容
发明所要解决的问题
上述那样的加工方法中，改质区域的形成方式对得到的半导体构件的状态产生较大的影响。
本发明的目的在于，提供一种能够取得适合的半导体构件的激光加工方法、半导体构件制造方法及激光加工装置。
解决问题的技术手段
本发明的一方面的激光加工方法，是用于在半导体对象物的内部沿着与半导体对象物的表面相对的假想面，切断半导体对象物的激光加工方法，具备：通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，而沿着假想面形成多个第1改质点的第1工序；通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，而以与多个第1改质点不重叠的方式，沿着假想面形成多个第2改质点的第2工序。
在该激光加工方法中，沿着假想面形成多个第1改质点，以与多个第1改质点不重叠的方式，沿着假想面形成多个第2改质点。由此，能够将多个第1改质点及多个第2改质点沿着假想面高精度地形成，其结果，能够将遍及假想面的龟裂沿着假想面高精度地形成。因此，根据该激光加工方法，将遍及假想面的龟裂作为边界从半导体对象物取得半导体构件，从而能够取得适合的半导体构件。
在本发明的一方面的激光加工方法中，在第2工序中，也可以以与从多个第1改质点分别延伸的多个龟裂不重叠的方式，沿着假想面形成多个第2改质点。由此，能够将多个第1改质点及多个第2改质点沿着假想面更高精度地形成，其结果，能够将遍及假想面的龟裂沿着假想面更高精度地形成。
本发明的一方面的激光加工方法中，在第2工序中，也可以形成多个第2改质点后，使激光从表面入射至半导体对象物的内部，而以与多个第1改质点及多个第2改质点不重叠的方式，沿着假想面形成多个第3改质点。由此，能够将遍及假想面的龟裂沿着假想面更高精度地形成。
在本发明的一方面的激光加工方法中，在第1工序中，也可以以从多个第1改质点分别延伸的多个龟裂不相互连接的方式，沿着假想面形成多个第1改质点。由此，能够将多个第2改质点沿着假想面更高精度地形成。
本发明的一方面的激光加工方法中，在第1工序中，也可以使脉冲振荡的激光的聚光点沿着假想面移动，作为多个第1改质点形成多列的第1改质点；在第2工序中，使脉冲振荡的激光的聚光点在多列的第1改质点的列间沿着假想面移动，作为多个第2改质点形成多列的第2改质点。由此，能够可靠防止在从多个第1改质点及多个第1改质点分别延伸的多个龟裂重叠多个第2改质点，能够将多个第2改质点沿着假想面更高精度地形成。
本发明的一方面的激光加工方法中，半导体对象物的材料也可以包含镓。此时，因激光的照射，在从多个第1改质点分别延伸的多个龟裂析出镓时，因该镓激光呈容易被吸收的状态。因此，以与该龟裂不重叠的方式形成多个第2改质点，在将多个第2改质点沿着假想面高精度地形成上是有效的。
本发明的一方面的激光加工方法中，半导体对象物的材料也可以包含氮化镓。此时，因激光的照射而氮化镓被分解时，在从多个第1改质点分别延伸的多个龟裂析出镓，因该镓激光呈容易被吸收的状态。因此，以与该龟裂不重叠的方式形成多个第2改质点，在将多个第2改质点沿着假想面高精度地形成上是有效的。再有，因激光的照射而氮化镓被分解时，在多个龟裂内生成氮气。因此，利用该氮气的压力(内压)，能够容易形成遍及假想面的龟裂。
本发明的一方面的半导体构件制造方法具备：上述激光加工方法具备的第1工序及第2工序；将遍及假想面的龟裂作为边界从半导体对象物取得半导体构件的第3工序。
根据该半导体构件制造方法，通过第1工序及第2工序，能够将遍及假想面的龟裂沿着假想面更高精度地形成，因而能够取得适合的半导体构件。
本发明的一方面的半导体构件制造方法中，假想面也可以以在与表面相对的方向排列的方式设定有多个。由此，能够从1个半导体对象物取得多个半导体构件。
本发明的一方面的半导体构件制造方法中，也可以是半导体对象物为半导体锭，半导体构件为半导体晶圆。由此，能够取得多个适合的半导体晶圆。
本发明的一方面的半导体构件制造方法中，假想面也可以以在表面延伸的方向排列的方式设定有多个。由此，能够从1个半导体对象物取得多个半导体构件。
本发明的一方面的半导体构件制造方法中，也可以是半导体对象物为半导体晶圆，半导体构件为半导体装置。由此，能够取得多个适合的半导体装置。
本发明的一方面的激光加工装置，是用于在半导体对象物的内部沿着与半导体对象物的表面相对的假想面，切断半导体对象物的激光加工装置，具备：支撑半导体对象物的载台；使激光从表面入射至半导体对象物的内部，而沿着假想面形成多个第1改质点及多个第2改质点的激光照射单元；激光照射单元沿着假想面形成多个第1改质点，在形成多个第1改质点后，以与多个第1改质点不重叠的方式，沿着假想面形成多个第2改质点。
根据该激光加工装置，因为能够将遍及假想面的龟裂沿着假想面更高精度地形成，因而能够取得适合的半导体构件。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种能够取得适合的半导体构件的激光加工方法、半导体构件制造方法及激光加工装置。
附图说明
图1为一实施方式的激光加工装置的构成图。
图2为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的对象物即GaN锭的侧视图。
图3为图2所示的GaN锭的俯视图。
图4为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的一部分的纵截面图。
图5为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的一部分的横截面图。
图6为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的一部分的纵截面图。
图7为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的一部分的横截面图。
图8为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的一部分的纵截面图。
图9为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的一部分的横截面图。
图10为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的一部分的纵截面图。
图11为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的一部分的横截面图。
图12为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的侧视图。
图13为第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN晶圆的侧视图。
图14为通过一个例子的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的GaN晶圆的剥离面的图像。
图15为图14所示的剥离面的高度分布。
图16为通过其他例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的GaN晶圆的剥离面的图像。
图17为图16所示的剥离面的高度分布。
图18为用于说明一个例子的激光加工方法及半导体构件制造方法所致的剥离面的形成原理的示意图。
图19为用于说明其他例的激光加工方法及半导体构件制造方法所致的剥离面的形成原理的示意图。
图20为在一个例子的激光加工方法及半导体构件制造方法的途中形成的龟裂的图像。
图21为在其他例的激光加工方法及半导体构件制造方法的途中形成的龟裂的图像。
图22为通过比较例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的改质点及龟裂的图像。
图23为通过第1实施例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的改质点及龟裂的图像。
图24为通过第2实施例及第3实施例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的改质点及龟裂的图像。
图25为第2实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的对象物即GaN晶圆的俯视图。
图26为第2实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN晶圆的一部分的侧视图。
图27为第2实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN晶圆的一部分的侧视图。
图28为第2实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的半导体装置的侧视图。
图29为通过比较例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的SiC晶圆的龟裂的图像。
图30为通过实施例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的SiC晶圆的龟裂的图像。
图31为通过实施例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的SiC晶圆的剥离面的图像。
图32为图31所示的剥离面的高度分布。
图33为变形例的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的俯视图。
图34为变形例的激光加工方法及半导体构件制造方法的一工序中的GaN锭的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明本发明的实施方式。此外，在各图中对相同或相当部分标注相同符号，省略重复的说明。
[激光加工装置的结构]
如图1所示，激光加工装置1具备：载台2、光源3、空间光调制器4、聚光透镜5、控制部6。激光加工装置1为通过对对象物11照射激光L，而在对象物11形成改质区域12的装置。以下，将第1水平方向称为X方向、将垂直于第1水平方向的第2水平方向称为Y方向。另外，将铅垂方向称为Z方向。
载台2通过吸附例如在对象物11贴附的薄膜，支撑对象物11。本实施方式中，载台2能沿着X方向及Y方向的各个移动。另外，载台2能将平行于Z方向的轴线作为中心线旋转。
光源3，例如通过脉冲振荡方式，对对象物11输出具有透过性的激光L。空间光调制器4将从光源3输出的激光L调制。空间光调制器4，例如为反射型液晶(LCOS：LiquidCrystal on Silicon)的空间光调制器(SLM：Spatial Light Modulator)。聚光透镜5将通过空间光调制器4调制后的激光L聚光。本实施方式中，空间光调制器4及聚光透镜5作为激光照射单元能沿着Z方向移动。
如果将激光L聚光于支撑于载台2的对象物11的内部，则在对应激光L的聚光点C的部分激光L特别被吸收，在对象物11的内部形成改质区域12。改质区域12为密度、折射率、机械强度、其他物理特性与周围的非改质区域不同的区域。作为改质区域12，例如，有溶融处理区域、裂缝区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等。
作为一个例子，使载台2沿着X方向移动，相对于对象物11使聚光点C沿着X方向相对移动时，多个改质点13沿着X方向以排列成1列的方式形成。1个改质点13通过1脉冲的激光L的照射形成。1列的改质区域12为排成1列的多个改质点13的集合。相邻的改质点13，因相对于对象物11的聚光点C的相对移动速度及激光L的重复频率，有相互连接的情况、也有相互远离的情况。
控制部6控制载台2、光源3、空间光调制器4及聚光透镜5。控制部6作为包含处理器、存储器、储存器及通信装置等的计算机装置构成。在控制部6中，读入存储器等的软件(程序)，由处理器执行，通过处理器控制存储器及储存器中的数据的读出及写入、以及通信装置的通信。由此，控制部6实现各种功能。
[第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法]
第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的对象物11，如图2及图3所示，为通过氮化镓(GaN)形成为例如圆板状的GaN锭(半导体锭、半导体对象物)20。作为一个例子，GaN锭20的直径为2in、GaN锭20的厚度为2mm。第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法，为了从GaN锭20切出多个GaN晶圆(半导体晶圆、半导体构件)30而实施。作为一个例子，GaN晶圆30的直径为2in、GaN晶圆30的厚度为100μm。
首先，上述激光加工装置1，沿着多个假想面15的各个形成多个改质点13。多个假想面15的各个，为在GaN锭20的内部与GaN锭20的表面20a相对的面，以在与表面20a相对的方向排列的方式设定。在本实施方式中，多个假想面15的各个，为平行于表面20a的面，例如呈圆形状。多个假想面15的各个，以从表面20a侧看时互相重叠的方式设定。在GaN锭20，以将多个假想面15的各个包围的方式设定多个周缘区域16。即，多个假想面15的各个，不会到达GaN锭20的侧面20b。作为一个例子，相邻的假想面15间的距离为100μm、周缘区域16的宽度(本实施方式中，假想面15的外缘与侧面20b的距离)为30μm以上。
多个改质点13的形成，通过具有例如532nm的波长的激光L的照射，从与表面20a相反侧在每1个假想面15依次实施。多个改质点13的形成，在多个假想面15的各个中是同样的，因此，以下，参照图4～图11详细说明沿着最接近表面20a的假想面15的多个改质点13的形成。此外，在图5、图7、图9及图11中，箭头表示激光L的聚光点C的轨迹。另外，有将下述的改质点13a、13b、13c、13d总括称为改质点13、将下述的龟裂14a、14b、14c、14d总括称为龟裂14的情况。
首先，激光加工装置1如图4及图5所示，使激光L从表面20a入射至GaN锭20的内部，而沿着假想面15(例如，以沿着假想面15的全体2维排列的方式)形成多个改质点(第1改质点)13a(第1工序)。此时，激光加工装置1，以从多个改质点13a分别延伸的多个龟裂14a不相互连接的方式，形成多个改质点13a。另外，激光加工装置1，使脉冲振荡的激光L的聚光点C沿着假想面15移动，而形成多列的改质点13a。此外，在图4及图5中，改质点13a以空白(无阴影线)表示、龟裂14a延伸的范围以虚线表示(图6～图11也一样)。
本实施方式中，脉冲振荡的激光L，以聚光于在Y方向排列的多个(例如6个)的聚光点C的方式，通过空间光调制器4调制。接着，多个聚光点C沿着X方向在假想面15上相对移动。作为一个例子，在Y方向相邻的聚光点C间的距离为8μm、激光L的脉冲间距(即，多个聚光点C的相对移动速度除以激光L的重复频率的值)为10μm。另外，每1个聚光点C的激光L的脉冲能量(以下，单称为“激光L的脉冲能量”)为0.33μJ。此时，在Y方向相邻的改质点13a的中心间距离成为8μm、在X方向相邻的改质点13a的中心间距离成为10μm。另外，从多个改质点13a分别延伸的多个龟裂14a不相互连接。
接着，激光加工装置1如图6及图7所示，使激光L从表面20a入射至GaN锭20的内部，而沿着假想面15(例如，以沿着假想面15的全体2维排列的方式)形成多个改质点(第2改质点)13b(第2工序)。此时，激光加工装置1，以与多个改质点13a及多个龟裂14a不重叠的方式，形成多个改质点13b。另外，激光加工装置1，使脉冲振荡的激光L的聚光点C在多列的改质点13a的列间沿着假想面15移动，而形成多列的改质点13b。在该工序中，从多个改质点13b分别延伸的多个龟裂14b也可连接至多个龟裂14a。此外，在图6及图7中，改质点13b以实线阴影线表示、龟裂14b延伸的范围以虚线表示(图8～图11也一样)。
本实施方式中，脉冲振荡的激光L，以聚光于在Y方向排列的多个(例如6个)的聚光点C的方式，通过空间光调制器4调制。接着，多个聚光点C，在多列的改质点13a的列间的中心，沿着X方向在假想面15上相对移动。作为一个例子，在Y方向相邻的聚光点C间的距离为8μm、激光L的脉冲间距为10μm。另外，激光L的脉冲能量为0.33μJ。此时，在Y方向相邻的改质点13b的中心间距离成为8μm、在X方向相邻的改质点13b的中心间距离成为10μm。
接着，激光加工装置1如图8及图9所示，使激光L从表面20a入射至GaN锭20的内部，而沿着假想面15(例如，以沿着假想面15的全体2维排列的方式)形成多个改质点(第3改质点)13c(第2工序)。再有，激光加工装置1如图10及图11所示，从表面20a使激光L入射至GaN锭20的内部，而沿着假想面15(例如，以沿着假想面15的全体2维排列的方式)形成多个改质点(第3改质点)13d(第2工序)。此时，激光加工装置1，以与多个改质点13a、13b不重叠的方式，形成多个改质点13c、13d。另外，激光加工装置1，使脉冲振荡的激光L的聚光点C在多列的改质点13a、13b的列间沿着假想面15移动，而形成多列的改质点13c、13d。在该工序中，从多个改质点13c、13d分别延伸的多个龟裂14c、14d也可以连接至多个龟裂14a、14b。此外，在图8及图9中，改质点13c以实线阴影线表示、龟裂14c延伸的范围以虚线表示(图10及图11也一样)。此外，在图10及图11中，改质点13d以实线阴影线(与改质点13c的实线阴影线相反地倾斜的实线阴影线)表示、龟裂14d延伸的范围以虚线表示。
本实施方式中，脉冲振荡的激光L，以聚光于在Y方向排列的多个(例如6个)的聚光点C的方式，通过空间光调制器4调制。接着，多个聚光点C，在多列的改质点13a、13b的列间的中心，沿着X方向在假想面15上相对移动。作为一个例子，在Y方向相邻的聚光点C间的距离为8μm、激光L的脉冲间距为5μm。另外，激光L的脉冲能量为0.33μJ。此时，在Y方向相邻的改质点13c的中心间距离成为8μm、在X方向相邻的改质点13c的中心间距离成为5μm。此时，在Y方向相邻的改质点13d的中心间距离成为8μm、在X方向相邻的改质点13d的中心间距离成为5μm。
接着，具备加热器等的加热装置，加热GaN锭20，在多个假想面15的各个中，将从多个改质点13分别延伸的多个龟裂14相互连接，而如图12所示，在多个假想面15的各个，形成遍及假想面15的龟裂17(以下，单称为“龟裂17”)。图12中，形成多个改质点13及多个龟裂14、以及龟裂17的范围以虚线表示。此外，也可以以加热以外的方法对GaN锭20作用任何的力，从而将多个龟裂14相互连接而形成龟裂17。另外，也可以沿着假想面15形成多个改质点13，而将多个龟裂14相互连接而形成龟裂17。
在此，在GaN锭20中，在从多个改质点13分别延伸的多个龟裂14内生成氮气。因此，加热GaN锭20使氮气膨涨，而能够利用氮气的压力(内压)形成龟裂17。而且，由周缘区域16，阻止了向该周缘区域16包围的假想面15的外部(例如，GaN锭20的侧面20b)的多个龟裂14的进展，因而能够抑制在多个龟裂14内产生的氮气逸散至假想面15的外部。即，周缘区域16为不包含改质点13的非改质区域，并且为在该周缘区域16包围的假想面15形成龟裂17时，阻止向该周缘区域16包围的假想面15的外部的多个龟裂14的进展的区域。因此，优选将周缘区域16的宽度设为30μm以上。
接着，研磨装置，将GaN锭20之中对应于多个周缘区域16及多个假想面15的各个的部分进行研磨，而如图13所示，将多个龟裂17的各个作为边界从GaN锭20取得多个GaN晶圆30(第3工序)。这样，GaN锭20沿着多个假想面15的各个被切断。此外，在该工序中，也可以通过研磨以外的机械加工、激光加工等，除去GaN锭20之中对应于多个周缘区域16的部分。
以上工序之中，到沿着多个假想面15的各个形成多个改质点13的工序为止，为第1实施方式的激光加工方法。另外，以上工序之中，到将多个龟裂17的各个作为边界从GaN锭20取得多个GaN晶圆30的工序为止，为第1实施方式的半导体构件制造方法。
如以上说明的那样，在第1实施方式的激光加工方法中，沿着多个假想面15的各个形成多个改质点13a，以与多个改质点13a及多个龟裂14a不重叠的方式，沿着多个假想面15的各个形成多个改质点13b。再有，在第1实施方式的激光加工方法中，以与多个改质点13a、13b不重叠的方式，沿着多个假想面15的各个形成多个改质点13c、13d。由此，能够沿着假想面15的各个高精度地形成多个改质点13，其结果，能够沿着多个假想面15的各个高精度地形成龟裂17。因此，根据第1实施方式的激光加工方法，将多个龟裂17的各个作为边界从GaN锭20取得多个GaN晶圆30，从而能够取得多个合适的GaN晶圆30。
同样地，根据实施第1实施方式的激光加工方法的激光加工装置1，因为能够沿着多个假想面15的各个高精度地形成龟裂17，因而能够取得多个合适的GaN晶圆30。
另外，第1实施方式的激光加工方法中，以从多个改质点13a分别延伸的多个龟裂14a不相互连接的方式，形成多个改质点13a。由此，能够将多个改质点13b沿着假想面15更高精度地形成。
另外，第1实施方式的激光加工方法中，使脉冲振荡的激光L的聚光点C沿着假想面15移动，而形成多列的改质点13a，使脉冲振荡的激光L的聚光点C在多列的改质点13a的列间沿着假想面15移动，而形成多列的改质点13b。由此，能够可靠防止在多个改质点13a及多个龟裂14a重叠多个改质点13b，能够将多个改质点13b沿着假想面15更高精度地形成。
特别是在第1实施方式的激光加工方法中，GaN锭20的材料中包含的氮化镓因激光L的照射而被分解时，在从多个改质点13a分别延伸的多个龟裂14a析出镓，因该镓激光L呈容易被吸收的状态。因此，以与该龟裂14a不重叠的方式形成多个改质点13b，在将多个改质点13b沿着假想面15高精度地形成上是有效的。
另外，在第1实施方式的激光加工方法中，GaN锭20的材料中包含的氮化镓因激光L的照射而被分解时，在多个龟裂14内产生氮气。因此，利用该氮气的压力，能够容易形成龟裂17。
另外，根据实施第1实施方式的半导体构件制造方法，通过第1实施方式的激光加工方法中包含的工序，能够沿着多个假想面15的各个高精度地形成龟裂17，因而能够取得多个合适的GaN晶圆30。
另外，第1实施方式的半导体构件制造方法中，多个假想面15，也可以以在与GaN锭20的表面20a相对的方向排列的方式设定。由此，能够从1个GaN锭20取得多个GaN晶圆30。
在此，通过第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的GaN晶圆30中，说明表示在GaN晶圆30的剥离面出现的凹凸变小的实验结果。
图14为通过一个例子的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的GaN晶圆的剥离面的图像、图15的(a)及(b)为图14所示的剥离面的高度分布。在该例中，从GaN锭20的表面20a使具有532nm的波长的激光L入射至GaN锭20的内部，将1个聚光点C沿着X方向在假想面15上相对移动，从而沿着假想面15形成多个改质点13。此时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为10μm、激光L的脉冲间距为1μm、激光L的脉冲能量设为1μJ。此时，如图15的(a)及(b)所示，在GaN晶圆30的剥离面(通过龟裂17形成的面)出现25μm左右的凹凸。
图16为通过其他例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的GaN晶圆的剥离面的图像、图17的(a)及(b)为图16所示的剥离面的高度分布。在该例中，从GaN锭20的表面20a使具有532nm的波长的激光L入射至GaN锭20的内部，与第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的第1工序及第2工序一样，沿着假想面15形成多个改质点13。形成多个改质点13a时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为6μm、激光L的脉冲间距为10μm、激光L的脉冲能量设为0.33μJ。形成多个改质点13b时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为6μm、激光L的脉冲间距为10μm、激光L的脉冲能量设为0.33μJ。形成多个改质点13c时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为6μm、激光L的脉冲间距为5μm、激光L的脉冲能量设为0.33μJ。形成多个改质点13d时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为6μm、激光L的脉冲间距为5μm、激光L的脉冲能量设为0.33μJ。此时，如图17的(a)及(b)所示，在GaN晶圆30的剥离面出现5μm左右的凹凸。
从以上的实验结果可知，通过第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的GaN晶圆中，在GaN晶圆30的剥离面出现的凹凸变小，即沿着假想面15高精度地形成龟裂17。此外，如果在GaN晶圆30的剥离面出现的凹凸变小，则用于平坦化该剥离面的研磨量较少即可。因此，在GaN晶圆30的剥离面出现的凹凸变小，对于材料的利用效率及生产效率都是有利的。
接着，说明在GaN晶圆30的剥离面出现凹凸的原理。
例如，如图18所示，沿着假想面15形成多个改质点13a，以改质点13b与从其一侧的改质点13a延伸的龟裂14a重叠的方式，沿着假想面15形成多个改质点13b。此时，因在多个龟裂14a析出的镓成为容易吸收激光L的状态，因而即使聚光点C位于假想面15上，相对于改质点13a在激光L的入射侧也变得容易形成改质点13b。接着，以改质点13c与从其一侧的改质点13b延伸的龟裂14b重叠的方式，沿着假想面15形成多个改质点13c。在该情况下，也因在多个龟裂14b析出的镓成为容易吸收激光L的状态，因而即使聚光点C位于假想面15上，相对于改质点13b在激光L的入射侧也变得容易形成改质点13c。因此，在该例中，多个改质点13b相对于多个改质点13a形成于激光L的入射侧，再有，多个改质点13c相对于多个改质点13b也变得容易形成在激光L的入射侧。
相对于此，例如，如图19所示，沿着假想面15形成多个改质点13a，以改质点13b与从其两侧的改质点13a延伸的龟裂14a不重叠的方式，沿着假想面15形成多个改质点13b。此时，尽管因在多个龟裂14a析出的镓成为容易吸收激光L的状态，但因改质点13b与龟裂14a不重叠，改质点13b也与改质点13a一样形成于假想面15上。接着，以改质点13c与从其两侧的改质点13a、13b的各个延伸的龟裂14a、14b重叠的方式，沿着假想面15形成多个改质点13c。再有，以改质点13d与从其两侧的改质点13a、13b的各个延伸的龟裂14a、14b重叠的方式，沿着假想面15形成多个改质点13d。在这些情况下，因在多个龟裂14a、14b析出的镓成为容易吸收激光L的状态，因而即使聚光点C位于假想面15上，相对于改质点13a、13b在激光L的入射侧也变得容易形成改质点13c、13d。这样，在该例中，仅是多个改质点13c、13d相对于多个改质点13a、13b容易形成于激光L的入射侧。
从以上的原理可知，在第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法中，以与多个改质点13a及从多个改质点13a分别延伸的多个龟裂14a不重叠的方式，形成多个改质点13b，在缩小在GaN晶圆30的剥离面出现的凹凸上是极为重要的。
接着，在第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法中，说明表示沿着假想面15龟裂17高精度地进展的实验结果。
图20的(a)及(b)为在一个例子的激光加工方法及半导体构件制造方法的途中形成的龟裂的图像、图20的(b)为图20的(a)中的矩形框内的扩大图像。在该例中，从GaN锭20的表面20a使具有532nm的波长的激光L入射至GaN锭20的内部，将在Y方向排列的6个聚光点C，沿着X方向在假想面15上相对移动，从而沿着假想面15形成多个改质点13。此时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为6μm、激光L的脉冲间距为1μm、激光L的脉冲能量设为1.33μJ。接着，使激光加工在假想面15的途中停止。此时，如图20的(a)及(b)所示，从加工区域进展至未加工区域的龟裂，在未加工区域从假想面15大幅地远离。
图21的(a)及(b)为在其他例的激光加工方法及半导体构件制造方法的途中形成的龟裂的图像、图21的(b)为图21的(a)中的矩形框内的扩大图像。在该例中，从GaN锭20的表面20a使具有532nm的波长的激光L入射至GaN锭20的内部，将在Y方向排列的6个聚光点C，沿着X方向在假想面15上相对移动，从而沿着假想面15形成多个改质点13。具体来说，首先，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为6μm、激光L的脉冲间距为10μm、激光L的脉冲能量设为0.33μJ，在加工区域1及加工区域2形成多列的改质点13。接着，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为6μm、激光L的脉冲间距为10μm、激光L的脉冲能量设为0.33μJ，在加工区域1及加工区域2，以各个的列位于已形成的多列的改质点13的列间的中心的方式，形成多列的改质点13。接着，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为6μm、激光L的脉冲间距为5μm、激光L的脉冲能量设为0.33μJ，仅在加工区域1，以各个的列位于已形成的多列的改质点13的列间的中心的方式，形成多列的改质点13。此时，如图21的(a)及(b)所示，从加工区域1进展至加工区域2的龟裂，在加工区域2从假想面15大幅地远离。
从以上的实验结果可知，在第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法中，沿着假想面15龟裂17高精度地进展。可设想这是因为，在加工区域2先形成的多个改质点13，在龟裂进展时成为导引。
接着，在第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法中，说明表示抑制从改质点13向激光L的入射侧及其相反侧延伸的龟裂14的延伸量的实验结果。
图22为通过比较例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的改质点及龟裂的图像(侧视时的图像)。在该比较例中，使具有532nm的波长的激光L从GaN锭20的表面20a入射至GaN锭20的内部，将1个聚光点C沿着X方向在假想面15上相对移动，从而沿着假想面15形成多个改质点13。具体来说，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为2μm、激光L的脉冲间距为5μm、激光L的脉冲能量设为0.3μJ，沿着假想面15形成多个改质点13。此时，如图22所示，从改质点13向激光L的入射侧及其相反侧延伸的龟裂14的延伸量成为100μm左右。
图23为通过第1实施例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的改质点及龟裂的图像、图23的(a)为俯视时的图像、图23的(b)为侧视时的图像。在该第1实施例中，从GaN锭20的表面20a使具有532nm的波长的激光L入射至GaN锭20的内部，将在Y方向排列的6个聚光点C，沿着X方向在假想面15上相对移动，从而沿着假想面15形成多个改质点13。具体来说，首先，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为10μm、激光L的脉冲能量设为0.3μJ，沿着假想面15形成多个改质点13a。接着，将在Y方向排列的6个聚光点C从先前的状态向Y方向偏移+4μm的状态下，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为10μm、激光L的脉冲能量设为0.3μJ，沿着假想面15形成多个改质点13b。接着，将在Y方向排列的6个聚光点C从先前的状态向Y方向偏移-4μm的状态下，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为5μm、激光L的脉冲能量设为0.3μJ，沿着假想面15形成多个改质点13。接着，将在Y方向排列的6个聚光点C从先前的状态向Y方向偏移+4μm的状态下，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为5μm、激光L的脉冲能量设为0.3μJ，沿着假想面15形成多个改质点13。由此，可设想第1次形成的改质点13a与第3次形成的改质点13相互重叠，第2次形成的改质点13b与第4次形成的改质点13相互重叠。此时，如图23的(b)所示，从改质点13向激光L的入射侧及其相反侧延伸的龟裂14的延伸量成为70μm左右。
图24的(a)及(b)为通过第2实施例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的改质点及龟裂的图像、图24的(a)为俯视时的图像、图24的(b)为侧视时的图像。在第2实施例中，从GaN锭20的表面20a使具有532nm的波长的激光L入射至GaN锭20的内部，与第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的第1工序及第2工序一样，沿着假想面15形成多个改质点13。形成多个改质点13a时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为10μm、激光L的脉冲能量设为0.3μJ。形成多个改质点13b时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为10μm、激光L的脉冲能量设为0.3μJ。形成多个改质点13c时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为5μm、激光L的脉冲能量设为0.3μJ。形成多个改质点13d时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为5μm、激光L的脉冲能量设为0.3μJ。此时，如图24的(b)所示，从改质点13向激光L的入射侧及其相反侧延伸的龟裂14的延伸量成为50μm左右。
图24的(c)及(d)为通过第3实施例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的改质点及龟裂的图像、图24的(c)为俯视时的图像、图24的(d)为侧视时的图像。在该第3实施例中，沿着处于图24的(a)及(b)所示的状态的假想面15(即，多列的改质点13已形成的假想面15)，进一步形成多个改质点13。具体来说，首先，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为5μm、激光L的脉冲能量设为0.1μJ，以各个的列位于已形成的多列的改质点13的列间的中心的方式，形成多列的改质点13。此时，如图24的(d)所示，从改质点13向激光L的入射侧及其相反侧延伸的龟裂14的延伸量成为60μm左右。
从以上的实验结果可知，若以与沿着假想面15已形成的多个改质点13a及多个龟裂14a不重叠的方式，沿着假想面15形成多个改质点13b(第1实施例、第2实施例及第3实施例)，则抑制了从改质点13向激光L的入射侧及其相反侧延伸的龟裂14的延伸量。此外，沿着假想面15进一步形成多个改质点13时，若以与沿着假想面15已形成的多个改质点13a、13b不重叠的方式，沿着假想面15形成多个改质点13(第2实施例及第3实施例)，则容易形成遍及假想面15的龟裂。
[第2实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法]
第2实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的对象物11，如图25所示，为通过GaN形成为例如圆板状的GaN晶圆(半导体晶圆、半导体对象物)30。作为一个例子，GaN晶圆30的直径为2in、GaN晶圆30的厚度为100μm。第2实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法，为了从GaN晶圆30切出多个半导体装置(半导体构件)40而实施。作为一个例子，半导体装置40的GaN基板部分的外形为1mm×1mm、半导体装置40的GaN基板部分的厚度为数十μm。
首先，上述激光加工装置1，沿着多个假想面15的各个形成多个改质点13。多个假想面15的各个，为在GaN晶圆30的内部与GaN晶圆30的表面30a相对的面，以在表面30a延伸的方向排列的方式设定。在本实施方式中，多个假想面15的各个，为平行于表面30a的面，例如呈矩形状。多个假想面15的各个，以在与GaN晶圆30的定向平面31平行的方向及垂直的方向2维排列的方式设定。在GaN晶圆30，以将多个假想面15的各个包围的方式设定多个周缘区域16。即，多个假想面15的各个，不会到达GaN晶圆30的侧面30b。作为一个例子，对应于多个假想面15的各个的周缘区域16的宽度(本实施方式中，相邻的假想面15间的距离的一半)为30μm以上。
沿着多个假想面15的各个的多个改质点13的形成，与第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的第1工序及第2工序一样实施。由此，在GaN晶圆30中，如图26所示，沿着多个假想面15的各个，形成多个改质点13(即，改质点13a、13b、13c、13d)及多个龟裂14(即，龟裂14a、14b、14c、14d)。图26中，形成多个改质点13及多个龟裂14的范围以虚线表示。
接着，半导体制造装置，如图27所示，在GaN晶圆30的表面30a形成多个功能元件32。多个功能元件32的各个，在从GaN晶圆30的厚度方向看时，以1个功能元件32包含于1个假想面15的方式形成。功能元件32，例如为光电二极管等受光元件、激光二极管等发光元件、存储器等电路元件等。
在本实施方式中，在表面30a形成多个功能元件32时，半导体制造装置作为加热装置发挥功能。即，在表面30a形成多个功能元件32时，半导体制造装置加热GaN晶圆30，在多个假想面15的各个中，将从多个改质点13分别延伸的多个龟裂14相互连接，而在多个假想面15的各个，形成龟裂17(即，遍及假想面15的龟裂17)。图27中，形成多个改质点13及多个龟裂14、以及龟裂17的范围以虚线表示。此外，也可以使用与半导体制造装置不同的加热装置。另外，也可以以加热以外的方法对GaN晶圆30作用任何的力，而将多个龟裂14相互连接而形成龟裂17。另外，也可以沿着假想面15形成多个改质点13，而将多个龟裂14相互连接而形成龟裂17。
在此，在GaN晶圆30中，在从多个改质点13分别延伸的多个龟裂14内生成氮气。因此，加热GaN锭20使氮气膨涨，而能够利用氮气的压力形成龟裂17。而且，由周缘区域16，阻止了向该周缘区域16包围的假想面15的外部(例如，相邻的假想面15、GaN晶圆30的侧面30b)的多个龟裂14的进展，因而能够抑制在多个龟裂14内产生的氮气逸散至假想面15的外部。即，周缘区域16为不包含改质点13的非改质区域，并且为在该周缘区域16包围的假想面15形成龟裂17时，阻止向该周缘区域16包围的假想面15的外部的多个龟裂14的进展的区域。因此，优选将周缘区域16的宽度设为30μm以上。
接着，激光加工装置将GaN晶圆30根据每个功能元件32切断，并且研磨装置将对应于多个假想面15的各个的部分进行研磨，如图28所示，将多个龟裂17的各个作为边界从GaN晶圆30取得多个半导体装置40(第3工序)。这样，GaN晶圆30沿着多个假想面15的各个被切断。此外，在该工序中，也可以通过激光加工以外的机械加工(例如刀片切割)等，将GaN晶圆30根据每个功能元件32切断。
以上工序之中，到沿着多个假想面15的各个形成多个改质点13的工序为止，为第2实施方式的激光加工方法。另外，以上工序之中，到将多个龟裂17的各个作为边界从GaN晶圆30取得多个半导体装置40的工序为止，为第2实施方式的半导体构件制造方法。
如以上说明的那样，根据第2实施方式的激光加工方法，与第1实施方式的激光加工方法一样，能够沿着多个假想面15的各个高精度地形成多个改质点13，其结果，能够沿着多个假想面15的各个高精度地形成龟裂17。因此，根据第2实施方式的激光加工方法，将多个龟裂17的各个作为边界从GaN晶圆30取得多个半导体装置40，能够取得多个合适的半导体装置40。另外，也能够再利用将多个半导体装置40切出后的GaN晶圆30。
同样地，根据实施第2实施方式的激光加工方法的激光加工装置1，因为能够沿着多个假想面15的各个高精度地形成龟裂17，因而能够取得多个合适的半导体装置40。
另外，第2实施方式的激光加工方法中，以从多个改质点13a分别延伸的多个龟裂14a不相互连接的方式，形成多个改质点13a。由此，能够将多个改质点13b沿着假想面15更高精度地形成。
另外，第2实施方式的激光加工方法中，使脉冲振荡的激光L的聚光点C沿着假想面15移动，而形成多列的改质点13a，使脉冲振荡的激光L的聚光点C在多列的改质点13a的列间沿着假想面15移动，而形成多列的改质点13b。由此，能够可靠防止在多个改质点13a及多个龟裂14a重叠多个改质点13b，能够将多个改质点13b沿着假想面15更高精度地形成。
特别是在第2实施方式的激光加工方法中，如果GaN晶圆30的材料中包含的氮化镓因激光L的照射而被分解，则在从多个改质点13a分别延伸的多个龟裂14a析出镓，因该镓激光L呈容易被吸收的状态。因此，以与该龟裂14a不重叠的方式形成多个改质点13b，在将多个改质点13b沿着假想面15高精度地形成上是有效的。
另外，在第2实施方式的激光加工方法中，如果GaN晶圆30的材料中包含的氮化镓因激光L的照射而被分解，则在多个龟裂14内产生氮气。因此，利用该氮气的压力，能容易形成龟裂17。
另外，根据实施第2实施方式的半导体构件制造方法，通过第2实施方式的激光加工方法中包含的工序，能够沿着多个假想面15的各个高精度地形成龟裂17，因此，能够取得多个合适的半导体装置40。
另外，第2实施方式的半导体构件制造方法中，多个假想面15以在GaN晶圆30的表面30a延伸的方向排列的方式设定。由此，能够从1个GaN晶圆30取得多个半导体装置40。
[变形例]
本发明并不限于上述的实施方式。例如，关于激光L的各种数值不限定于上述。但是，为了抑制龟裂14从改质点13向激光L的入射侧及其相反侧延伸，优选激光L的脉冲能量为0.1μJ～1μJ且激光L的脉冲宽度为200fs～1ns。
另外，通过本发明的一方面的激光加工方法及半导体构件制造方法加工的半导体对象物，不限于第1实施方式的GaN锭20及第2实施方式的GaN晶圆30。通过本发明的一方面的半导体构件制造方法制造的半导体构件，不限于第1实施方式的GaN晶圆30及第2实施方式的半导体装置40。也可以在1个半导体对象物设定1个假想面。
作为一个例子，半导体对象物的材料也可以是SiC。此时，根据本发明的一方面的激光加工方法及半导体构件制造方法，如以下所述的那样，也能够将遍及假想面的龟裂沿着假想面高精度地形成。
图29的(a)及(b)为通过比较例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的SiC晶圆的龟裂的图像(侧视时的图像)、图29的(b)为图29的(a)中的矩形框内的扩大图像。在该比较例中，从SiC晶圆的表面使具有532nm的波长的激光入射至SiC晶圆的内部，将在Y方向排列的6个聚光点，沿着X方向在假想面上相对移动，而沿着假想面形成多个改质点。此时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为2μm、激光的脉冲间距为15μm、激光的脉冲能量设为4μJ。此时，如图29的(a)及(b)所示，产生在相对于假想面倾斜4°～5°的方向延伸的龟裂。
图30的(a)及(b)为通过实施例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的SiC晶圆的龟裂的图像(侧视时的图像)、图30的(b)为图30的(a)中的矩形框内的扩大图像。在该实施例中，从SiC晶圆的表面使具有532nm的波长的激光入射至SiC晶圆的内部，与第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法的第1工序及第2工序一样，沿着假想面形成多个改质点。形成相当于多个改质点13a、13b、13c、13d的各个的多个改质点时，将在Y方向相邻的聚光点C间的距离设为8μm、激光L的脉冲间距为15μm、激光L的脉冲能量设为4μJ。此时，如图30的(a)及(b)所示，抑制了在相对于假想面倾斜4°～5°的方向延伸的龟裂的产生。图31为通过实施例的激光加工方法及半导体构件制造方法形成的SiC晶圆的剥离面的图像、图32的(a)及(b)为图31所示的剥离面的高度分布。此时，在SiC晶圆的剥离面出现的凹凸被抑制在2μm左右。
从以上的实验结果可知，半导体对象物的材料为SiC时，根据本发明的一方面的激光加工方法及半导体构件制造方法，也将遍及假想面的龟裂沿着假想面高精度地形成。此外，在上述比较例及实施例中使用的SiC晶圆，为具有4±0.5°的偏角的4H-SiC晶圆，使激光的聚光点移动的方向为m轴方向。
另外，多个改质点13a、13b、13c、13d的形成方式不限于上述。多个改质点13a，也可以以从多个改质点13a分别延伸的多个龟裂14a相互连接的方式形成。另外，多个改质点13b以与多个改质点13a不重叠的方式形成即可。即使在从多个改质点13a分别延伸的多个龟裂14a重叠多个改质点13b，若多个改质点13b与多个改质点13a不重叠，则多个改质点13a、13b沿着假想面15高精度地形成。另外，多个改质点13c、13d的形成方式为任意，也可以不形成多个改质点13c、13d。另外，如图33所示，例如使GaN锭20旋转，而使在径向排列的多个聚光点相对旋转(一点划线的箭头)，形成多列的改质点13，再有，如图34所示，也可以以使多个聚光点的各个位于多列的改质点13的列间的状态，使在径向排列的多个聚光点相对旋转(一点划线的箭头)，形成多列的改质点13。
另外，在第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法中，多个改质点13的形成，也可以从与表面20a相反侧在多个假想面15的每个依次实施。另外，在第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法中，也可以是多个改质点13的形成沿着表面20a侧的1个或多个假想面15实施，切出1个或多个GaN晶圆30后，研磨GaN锭20的表面20a，多个改质点13的形成再次沿着表面20a侧的1个或多个假想面15实施。
另外，第1实施方式及第2实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法中，也可以不形成周缘区域16。第1实施方式的激光加工方法及半导体构件制造方法中不形成周缘区域16时，沿着多个假想面15的各个形成多个改质点13后，例如，对GaN锭20实施蚀刻，也能够取得多个GaN晶圆30。
另外，激光加工装置1不限于具有上述结构的装置。例如，激光加工装置1也可以不具备空间光调制器4。
另外，上述实施方式中的各结构，不限于上述材料及形状，能够适用各种材料及形状。另外，上述一实施方式或变形例中的各结构，能够任意适用于其他的实施方式或变形例中的各结构。
符号的说明
1…激光加工装置、2…载台、4…空间光调制器(激光照射单元)、5…聚光透镜(激光照射单元)、13…改质点、13a…改质点(第1改质点)、13b…改质点(第2改质点)、13c,13d…改质点(第3改质点)、14,14a,14b,14c,14d…龟裂、15…假想面、17…遍及假想面的龟裂、20…GaN锭(半导体锭、半导体对象物)、20a…表面、30…GaN晶圆(半导体晶圆、半导体构件、半导体对象物)、30a…表面、40…半导体装置(半导体构件)、L…激光。

Claims (13)

1.一种激光加工方法，其中，
是用于在半导体对象物的内部沿着与所述半导体对象物的表面相对的假想面，切断所述半导体对象物的激光加工方法，
具备：
通过使激光从所述表面入射至所述半导体对象物的内部，而沿着所述假想面形成多个第1改质点的第1工序；
通过使激光从所述表面入射至所述半导体对象物的内部，而以与所述多个第1改质点不重叠的方式，沿着所述假想面形成多个第2改质点的第2工序。
2.如权利要求1所述的激光加工方法，其中，
在所述第2工序中，以与从所述多个第1改质点分别延伸的多个龟裂不重叠的方式，沿着所述假想面形成所述多个第2改质点。
3.如权利要求1或2所述的激光加工方法，其中，
在所述第2工序中，在形成了所述多个第2改质点后，使激光从所述表面入射至所述半导体对象物的内部，而以与所述多个第1改质点及所述多个第2改质点不重叠的方式，沿着所述假想面形成多个第3改质点。
4.如权利要求1～3中任一项所述的激光加工方法，其中，
在所述第1工序中，以从所述多个第1改质点分别延伸的多个龟裂不相互连接的方式，形成所述多个第1改质点。
5.如权利要求1～4中任一项所述的激光加工方法，其中，
在所述第1工序中，使脉冲振荡的所述激光的聚光点沿着所述假想面移动，而作为所述多个第1改质点形成多列的第1改质点；
在所述第2工序中，使脉冲振荡的所述激光的聚光点在所述多列的第1改质点的列间沿着所述假想面移动，而作为所述多个第2改质点形成多列的第2改质点。
6.如权利要求1～5中任一项所述的激光加工方法，其中，
所述半导体对象物的材料包含镓。
7.如权利要求6所述的激光加工方法，其中，
所述半导体对象物的材料包含氮化镓。
8.一种半导体构件制造方法，其中，
具备：
权利要求1～7中任一项所述的激光加工方法具备的所述第1工序及所述第2工序；
将遍及所述假想面的龟裂作为边界从所述半导体对象物取得半导体构件的第3工序。
9.如权利要求8所述的半导体构件制造方法，其中，
所述假想面以在与所述表面相对的方向排列的方式设定有多个。
10.如权利要求9所述的半导体构件制造方法，其中，
所述半导体对象物为半导体锭，
所述半导体构件为半导体晶圆。
11.如权利要求8所述的半导体构件制造方法，其中，
所述假想面以在所述表面延伸的方向排列的方式设定有多个。
12.如权利要求11所述的半导体构件制造方法，其中，
所述半导体对象物为半导体晶圆，
所述半导体构件为半导体装置。
13.一种激光加工装置，其中，
是用于在半导体对象物的内部沿着与所述半导体对象物的表面相对的假想面，切断所述半导体对象物的激光加工装置，
具备：
支撑所述半导体对象物的载台；
通过使激光从所述表面入射至所述半导体对象物的内部，而沿着所述假想面形成多个第1改质点及多个第2改质点的激光照射单元，
所述激光照射单元沿着所述假想面形成所述多个第1改质点，在形成所述多个第1改质点后，以与所述多个第1改质点不重叠的方式，沿着所述假想面形成所述多个第2改质点。
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