KR20130061181A - 단일 프루프 매스를 가진 미세기계화 3축 가속도계 - Google Patents

단일 프루프 매스를 가진 미세기계화 3축 가속도계 Download PDF

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Abstract

본 개시는 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 구비하는 디바이스 층, 디바이스 층의 제1 면에 접착된 캡 웨이퍼, 및 디바이스 층의 제2 면에 접착된 비아 웨이퍼를 포함하는 관성 측정 시스템에 관한 것이다. 캡 웨이퍼와 비아 웨이퍼는 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 캡슐화하도록 구성된다. 단일 프루프 매스 3축 가속도계는 단일의 중앙 앵커의 주위에 현가되고, 별개의 x축, y축 및 z축 플렉셔 베어링을 구비할 수 있다. x축 및 y축 플렉셔 베어링은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있으며, z축 플렉셔 베어링은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있지 않다.

Description

단일 프루프 매스를 가진 미세기계화 3축 가속도계{MICROMACHINED 3-AXIS ACCELEROMETER WITH A SINGLE PROOF-MASS}
본 발명은 자이로스코프 장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 미세기계화 자이로스코프 장치에 관한 것이다.
여러 개의 단일 축 또는 다중 축 미세기계화 자이로스코프 구조체는 3축 자이로스코프 클러스터를 형성하는 시스템에 통합된다. 그러나 별개의 센서로 구성된 이러한 클러스터의 크기 및 비용은 특정 애플리케이션에서는 과도한 것이 될 수 있다. 단일 또는 다중 축 자이로스코프가 하나의 마이크로 전자기계 시스템(MEMS: micro-electro-mechanical system) 칩 상에 제조될 수 있지만, 각각의 센서에 대해 별도의 구동 및 감지 전자장치를 필요로 한다.
또한, 고객/모바일, 자동차 및 항공우주/방어 애플리케이션에서의 3축 가속도 검출에 대한 요구가 증가하고 있다. 많은 단일 축 또는 다중 축 미세기계화 가속도계 구조체는 각각의 가속도 축에 대해 별개의 프루프 매스(proof-mass)를 사용해 왔다. 여러 개의 센서 또는 복수의 프루프 매스를 다이(die) 상에 조합하는 것에 의해, 통합된 3축 가속도계 센서의 크기와 비용이 크게 증가할 수 있다.
본 개시는 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 구비하는 디바이스 층, 디바이스 층의 제1 면에 접착된 캡 웨이퍼, 및 디바이스 층의 제2 면에 접착된 비아 웨이퍼를 포함하는 관성 측정 시스템에 관한 것이다. 캡 웨이퍼와 비아 웨이퍼는 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 캡슐화하도록 구성된다. 단일 프루프 매스 3축 가속도계는 단일의 중앙 앵커의 주위에 현가되고, 별개의 x축, y축 및 z축 플렉셔 베어링을 구비할 수 있다. x축 및 y축 플렉셔 베어링은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있으며, z축 플렉셔 베어링은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있지 않다.
본 항목의 내용은 본 특허출원의 주제의 개요를 제공하기 위한 것으로서, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 상세한 설명은 본 특허출원에 관한 추가의 정보를 제공한다.
본 도면은 반드시 실측으로 되어 있는 것은 아니며, 유사한 참조 부호는 다른 도면에서 유사한 요소를 나타낼 수 있다. 상이한 첨자를 가진 유사한 참조 부호는 유사한 요소의 다른 예를 나타낼 수 있다. 도면은 일반적으로 예시를 위해 본 명세서에서 논의되는 여러 실시형태를 보여주는 것이며 한정을 위한 것이 아니다.
도 1은 3 자유도(3-DOF)의 관성 측정 유닛(IMU)의 개략적인 단면을 나타낸다.
도 2는 3축 자이로스코프의 예를 나타낸다.
도 3은 구동 운동에서의 3축 자이로스코프의 예를 나타낸다.
도 4는 x축을 중심으로 하는 회전에 따른 감지 운동 중의 단일 프루프 매스를 포함하는 3축 자이로스코프의 예를 나타낸다.
도 5는 y축을 중심으로 하는 회전에 따른 감지 운동 중의 단일 프루프 매스를 포함하는 3축 자이로스코프의 예를 나타낸다.
도 6은 z축을 중심으로 하는 회전에 따른 감지 운동 중의 단일 프루프 매스를 포함하는 3축 자이로스코프의 예를 나타낸다.
도 7 및 8은 역위상 운동 및 동위상 운동 중의 z축 자이로스코프 결합 플렉셔 베어링을 포함하는 3축 자이로스코프의 예를 나타낸다.
도 9는 3축 가속도계의 예를 나타낸다.
도 10은 x축 가속도에 따른 감지 운동에서의 3축 가속도계의 예를 나타낸다.
도 11은 y축 가속도에 따른 감지 운동에서의 3축 가속도계의 예를 나타낸다.
도 12는 z축 가속도에 따른 감지 운동에서의 3축 가속도계의 예를 나타낸다.
도 13은 비아 웨이퍼 전극 배치를 포함하는 시스템의 예를 나타낸다.
도 14는 단일 프루프 매스를 포함하는 3축 가속도계의 측면을 나타낸다.
도 15는 3+3 자유도(3+3 DOF) 관성 측정 유닛(IMU)의 예를 나타낸다.
도 16은 앵커의 주위에 고정된 중앙 서스펜션의 예를 나타낸다.
도 17은 구동 운동에서의 중앙 서스펜션의 일부의 예를 나타낸다.
본 발명의 실시예는 교차축 감도(cross-axis sensitivity)를 최소화하기 위해 각각의 축에 대해 응답 모드를 효과적으로 해제하면서, 모두 3개의 축 주위의 각 속도(angular rate)를 검출하기 위해 단일의 중앙 고정식 프루프 매스(single center-anchored proof-mass)를 이용하도록 구성된 미세기계화 모노리식 3축 자이로스코프(micromachined monolithic 3-axis gyroscope)를 제공한다.
일례로, 본 발명의 실시예에 의한 고유의 프루프 매스 분할 및 플렉셔 구조체에 의해, 단일 구동 모드 진동을 이용하는 3축 각 속도 검출이 가능하게 되고, 이에 의해, 모든 축에 대해 하나의 구동 제어 루프만을 필요로 하게 된다. 따라서, 3개의 별개의 구동 루프를 이용하는 종래의 다중 축 자이로스코프에 비해, 본 발명의 실시예에 의한 3축 자이로스코프의 제어용 전자장치의 복잡도와 비용을 크게 낮출 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는, 교차축 감도를 최소화하기 위해 각 축에 대한 응답 모드를 효과적으로 해제하면서, 모두 3개의 축 주위의 가속도를 검출하도록 단일의 중앙 고정식 프루프 매스를 이용하도록 구성된 미세기계화 3축 가속도계를 제공한다.
일례로, 본 발명의 실시예에 의한 고유의 프루프 매스 및 플렉셔 구조체는 단일의 중앙에 고정된 프루프 매스를 이용하는 3축 가속도 검출이 가능하게 된다. 따라서, 각각의 가속도 축에 대해 별개의 프루프 매스를 이용하는 종래의 다축 가속도계에 비해, 본 발명의 실시예에 의한 3축 가속도계의 미세 전자기계 시스템(MEMS) 감지 요소의 전체 다이 크기와 총 비용을 크게 낮출 수 있다.
디바이스 구조
도 1은 캡 웨이퍼(cap wafer)(10), 미세기계화 구조체(예를 들어, 미세기계화 3-DOF IMU)를 구비하는 디바이스 층(device layer)(105), 및 비아 웨이퍼(via wafer)(103)를 포함하는 칩 스케일 패키지(chip-scale package) 내에 형성된, 3-DOF 자이로스코프 또는 3-DOF 미세기계화 가속도계 등의 3 자유도(3-DOF: degrees-of-freedom) 관성 측정 유닛(IMU: inertial measurement unit)(100)의 개략적인 단면을 나타낸다. 일례로, 디바이스 층(105)은 캡 웨이퍼(101)와 비아 웨이퍼(103)의 사이에 배치될 수 있으며, 디바이스 층(105)과 캡 웨이퍼(101) 사이의 캐비티는 웨이퍼 레벨에서 진공하에서 밀봉될 수 있다.
일례로, 캡 웨이퍼(101)는 금속 본드(metal bond)(102) 등을 이용해서 디바이스 층(105)에 접착될 수 있다. 금속 본드(102)는 비고온 용융 본드(non-high temperature fusion bond) 등의 용융 본드를 포함해서, 진공 상태를 오래 유지하고, 정지마찰 방지용 코팅(anti-stiction coating)을 도포해서 중력가속도가 낮은 가속도 센서(low-g acceleration sensors)에서 생길 수 있는 정지마찰을 방지할 수 있다. 일례로, 디바이스 층(105)이 동작하는 동안에, 금속 본드(102)에 의해 캡 웨이퍼(101)와 디바이스 층(105) 사이에 열응력이 생길 수 있다. 일례로, 디바이스 층(105)의 미세기계화 구조체를 열응력으로부터 분리시키기 위해, 디바이스 층(105)에 하나 이상의 요소를 추가할 수 있는데, 그 예로서, 하나 이상의 응력 감소 홈(stress reducing groove)을 미세기계화 구조체의 둘레 주변에 형성할 수 있다. 일례로, 비아 웨이퍼(103)는 디바이스 층(105)과의 사이의 열응력을 제거하기 위해, 디바이스 층(105)에 용융 접착 등과 같이 접착(예를 들어, 실리콘-실리콘 용융 접착 등)될 수 있다.
일례로, 비아 웨이퍼(103)는 예를 들어, 하나 이상의 쓰루-실리콘 비아(TSV: through-silicon-vias)를 이용해서 비아 웨이퍼(103)의 하나 이상의 다른 영역으로부터 분리되는 제1 분리 영역(107) 등의 하나 이상의 분리된 영역을 포함할 수 있으며, 그 예로는 절연 재료(109)를 이용해서 비아 웨이퍼(103)로부터 분리된 제1 TSV(108)가 있다. 일례로, 하나 이상의 분리된 영역은 3축 자이로스코프의 면외 동작 모드(out-of-plane operation mode)를 감지하거나 작동시키는 전극으로서 이용될 수 있으며, 하나 이상의 TSV는 시스템(100)의 외부에 있는 디바이스 층(105)으로부터의 전기 접속을 제공하도록 구성될 수 있다. 또한, 비아 웨이퍼(103)는 제1 콘택(110) 등의 하나 이상의 콘택을 포함할 수 있고, 이러한 콘택은 절연 층(104)을 사용해서 비아 웨이퍼(103)의 하나 이상의 부분으로부터 선택적으로 절연되고, 비아 웨이퍼(103)의 하나 이상의 분리된 영역 또는 TSV와 ASIC 웨이퍼 등의 하나 이상의 외부 부품 간에 범프, 와이어 본드, 또는 하나 이상의 다른 전기 접속을 사용해서 전기 접속을 제공하도록 구성된다.
일례로, 디바이스 층(105)의 3 자유도(3-DOF) 자이로스코프 또는 미세기계화 가속도계는 디바이스 층(105)을 비아 웨이퍼(103)의 돌출부(protruding portion)에 접착하는 것에 의해 비아 웨이퍼(103)에 지지되거나 고정될 수 있다. 돌출부의 예로는 앵커(anchor)(106) 등이 있다. 일례로, 앵커(106)는 실질적으로 비아 웨이퍼(103)의 중앙에 위치될 수 있으며, 이 앵커에 디바이스 층(105)이 용융 접착될 수 있는데, 이로써, 금속 피로(metal fatigue)와 관련된 문제를 제거할 수 있다.
자이로스코프 디바이스 구조
도 2는 3-DOF IMU(100)의 디바이스 층(105)의 단일 면 내에 형성되는 등의, 3축 자이로스코프(200)의 예를 나타낸다. 일례로, 3축 자이로스코프(200)의 구조는 도 2에 나타낸 x 및 y축을 중심으로 대칭을 이룰 수 있으며, z축은 개념상 도면으로부터 밖으로 나오는 방향이다. 도 2로부터 3축 자이로스코프(200)의 일부분에서의 구조 및 특징을 참조한다. 그러나 일례로, 이러한 참조 및 설명은 3축 자이로스코프(200)의 부분들과 같이 도면부호가 붙지 않은 부분에도 적용될 수 있다.
일례로, 3축 자이로스코프(200)는 도 1의 예에서 예시한 바와 같이, 3-DOF IMU(100)의 디바이스 층(105)에 패턴화된, 3축 자이로스코프 동작 모드를 제공하는 단일의 프루프 매스 설계를 포함할 수 있다.
일례로, 단일의 프루프 매스는 단일의 중앙 앵커[예를 들어, 앵커(106)]와 중앙 서스펜션(central suspension)(111)을 사용해서 중앙에 현가될 수 있다. 중앙 서스펜션은, 동시계류중이며, 그 내용이 본원에 참조에 의해 원용되는, 2011년 9월 16일에 Acar 등에 의해 출원된 "FLEXURE BEARING TO REDUCE QUADRATURE FOR RESONATING MICROMACHINED DEVICES"란 명칭의 PCT 특허출원번호 US2011052006호에 개시된 것과 같은 대칭형의 중앙 플렉셔 베어링("플렉셔")을 포함한다. 이 중앙 서스펜션(111)에 의해 단일의 프루프 매스가 x, y 및 z축을 중심으로 비틀려서 진동할 수 있게 되며, 이하의 예를 포함하는 3개의 자이로스코프 동작 모드를 제공한다:
(1) z축을 중심으로 한 비틀림 면내 구동 운동(torsional in-plane drive motion)(예를 들어, 도 3에 나타낸 예),
(2) y축을 중심으로 한 비틀림 면외 y축 자이로스코프 감지 운동(torsional out-of-plane y-axis gyroscope sense motion)(예를 들어, 도 4에 나타낸 예), 및
(3) y축을 중심으로 한 비틀림 면외 x축 자이로스코프 감지 운동(예를 들어, 도 5에 나타낸 예).
또한, 단일 프루프 매스 설계는 복수의 부분으로 구성될 수 있다. 그 예로는, 메인 프루프 매스 부분(115), 및 y축을 중심으로 대칭인 x축 프루프 매스 부분(116)이 있다. 일례로, 구동 전극(123)은 메인 프루프 매스 부분(115)의 y축을 따라 배치될 수 있다. 구동 전극(123)은, 중앙 서스펜션(111)과 조합하여, z축을 중심으로 한 비틀림 면내 구동 운동을 제공해서, x축 및 y축을 중심으로 한 각 운동(angular motion)의 검출이 가능하도록 구성될 수 있다.
일례로, x축 프루프 매스 부분(116)은 z축 자이로스코프 플렉셔 베어링(120)을 사용해서 메인 프루프 매스 부분(115)에 결합될 수 있다. 일례로, z축 자이로스코프 플렉셔 베어링(120)에 의해, x축 프루프 매스 부분(116)이 z축 자이로스코프 감지 운동에 대한 x방향에서의 선형 역위상으로 진동할 수 있다.
또한, 3축 자이로스코프(200)는 x축을 따라 x축 프루프 매스 부분(116)의 역위상, 동위상을 검출하도록 구성된 z축 자이로스코프 감지 전극(127)을 포함할 수 있다.
일례로, 구동 전극(123) 및 z축 자이로스코프 감지 전극(127)은 가동 핑거(moving finger)를 각각 포함할 수 있다. 가동 핑거는 앵커(124, 128) 등의 각각의 앵커를 사용해서 소정의 위치[예를 들어, 비아 웨이퍼(103)]에 고정된 정지 핑거 세트와 연계된 하나 이상의 프루프 매스 부분에 결합된다.
자이로스코프 동작 모드
도 3은 구동 운동에서의 3축 자이로스코프(300)의 예를 나타낸다. 일례로, 구동 전극(123)은 제1 구동 앵커(124)[예를 들어, 비아 웨이퍼(103)의 돌출되고 전기 절연된 부분]를 사용해서 소정의 위치에 고정된 정지 핑거 세트와 연계된 메인 프루프 매스 부분(115)에 결합된 가동 핑거 세트를 포함할 수 있다. 일례로, 정지 핑거는 제1 구동 앵커(124)를 통해 에너지를 받도록 구성될 수 있으며, 서로 연계된 구동 전극(123)의 가동 핑거와 정지 핑거 사이의 상호작용에 의해, z축의 주위로 단일 프루프 매스에 각도 힘(angular force)을 제공할 수 있다.
도 3의 예에서, 구동 전극(123)은 단일 프루프 매스를 z축을 중심으로 회전시키도록 구동되며, 중앙 서스펜션(111)은 고정된 앵커(106)에 대하여 복원 토크를 제공하는 것에 의해, 단일 프루프 매스는 구동 전극(123)에 인가된 에너지에 따라 구동 주파수에서 z축 주위로 비틀려서 면내 진동하게 된다. 일부 예에서, 단일 프루프 매스의 구동 운동은 구동 전극(123)을 이용하여 검출될 수 있다.
x축 레이트 응답
도 4는 x축 주위로의 회전에 따라 감지 운동 동안 단일 프루프 매스를 포함하는 3축 자이로스코프(400)의 예를 나타낸다. 단일 프루프 매스는 메인 프루프 매스 부분(115), x축 프루프 매스 부분(116), 및 중앙 서스펜션(111)을 포함한다.
x축을 중심으로 한 각 속도가 있는 경우, 도 3의 예에 개시된 3축 자이로스코프(400)의 구동 운동과 관련해서, z축에 따른 반대 방향으로의 코리올리 힘이 x축 프루프 매스 부분(116)에 생길 수 있다. 이것은 속도 벡터가 y축을 따라 반대 방향에 있기 때문이다. 따라서, 단일 프루프 매스는 중앙 서스펜션(111)을 휘어지게 하는 것에 의해 y축 주위로 비틀려서 여기될 수 있다. 감지 응답은 예를 들어, 비아 웨이퍼(103) 내에 형성된 면외 x축 자이로스코프 감지 전극을 이용해서 검출될 수 있으며, x축 프루프 매스 부분(116)과 비아 웨이퍼(103)의 용량성 결합을 이용해서 검출될 수 있다.
y축 레이트 응답
도 5는 y축을 중심으로 한 회전에 따른 감지 운동 동안 단일 프루프 매스를 포함하는 3축 자이로스코프(500)의 예를 나타낸다. 단일 프루프 매스는 메인 프루프 매스 부분(115), x축 프루프 매스 부분(116), 및 중앙 서스펜션(111)을 포함한다.
y축을 중심으로 한 각 속도가 있는 경우, 도 3의 예에 개시된 3축 자이로스코프(400)의 구동 운동과 관련해서, z축에 따른 반대 방향으로의 코리올리 힘이 메인 프루프 매스 부분(115)에 생길 수 있다. 이것은 속도 벡터가 x축을 따라 반대 방향에 있기 때문이다. 따라서, 단일 프루프 매스는 중앙 서스펜션(111)을 휘어지게 하는 것에 의해 y축을 중심으로 비틀려서 여기될 수 있다. 감지 응답은 예를 들어, 비아 웨이퍼(103) 내에 형성된 면외 y축 자이로스코프 감지 전극을 이용해서 검출될 수 있으며, 메인 프루프 매스 부분(115)과 비아 웨이퍼(103)의 용량성 결합을 이용해서 검출될 수 있다.
z축 레이트 응답
도 6는 z축을 중심으로 한 회전에 따른 감지 운동 동안의 단일 프루프 매스를 포함하는 3축 자이로스코프(600)의 예를 나타낸다. 단일 프루프 매스는 메인 프루프 매스 부분(115), x축 프루프 매스 부분(116), 중앙 서스펜션, z축 플렉셔 베어링(120), 및 z축 자이로스코프 결합 플렉셔 베어링(121)을 포함한다.
z축을 중심으로 한 각 속도가 있는 경우, 도 3의 예에 개시된 3축 자이로스코프(400)의 구동 운동과 관련해서, x축에 따른 반대 방향으로의 코리올리 힘이 x축 프루프 매스 부분(116)에 생길 수 있다. 이것은 속도 벡터가 y축을 따라 반대 방향에 있기 때문이다. 따라서, x축 프루프 매스 부분(116)은 z축 플렉셔 베어링(120)을 x방향으로 휘어지게 하는 것에 의해 x축을 따라 반대 방향으로 선형으로 여기될 수 있다. 또한, z축 자이로스코프 결합 플렉셔 베어링(121)은 역위상 코리올리 힘에 의해 직접 구동되는, x축 프루프 매스 부분(116)의 선형 역위상 공진 모드(linear anti-phase resonant mode)를 제공하는 데에 사용될 수 있다. 감지 응답은 디바이스 층(105) 내에 형성된 z축 자이로스코프 감지 전극(127) 등의 면내 평행판 감지 전극(in-plane parallel-plate sense electrode)을 이용해서 검출될 수 있다.
도 7 및 도 8은 역위상 운동 및 동위상 운동 중의 z축 자이로스코프 결합 플렉셔 베어링(121)을 포함하는 3축 자이로스코프(700)의 예를 나타낸다. x축 가속도에 기인한 3축 자이로스코프(700)의 진동 제거(vibration rejection)를 향상시키기 위해, z축 자이로스코프 결합 플렉셔 베어링(121)은 x축 프루프 매스 부분(116)의 동위상 운동을 억제하도록 구성된다.
역위상 운동(anti-phase motion) 동안, 2개의 x축 프루프 매스 부분(116)을 z축 자이로스코프 결합 플렉셔 베어링(121)에 연결하는 연결 빔(connection beam)은 동일한 방향으로 힘을 가하고, 연결 빔은 낮은 강성으로 자연적으로 휘어지게 된다.
이와 달리, 동위상 운동(in-phase motion) 동안, z축 자이로스코프 결합 플렉셔 베어링(121)의 연결 빔은 연결 빔에 반대 방향의 힘을 가하고, 연결 빔에 가해지는 힘에 의해 높은 강성으로 뒤틀림 운동이 생기게 된다. 따라서, 동위상 운동 강성 및 공진 주파수가 증가하게 되어, 진동 제거가 더 양호하게 된다.
가속도계 디바이스 구조
도 9는 3-DOF IMU(100)의 디바이스 층(105)의 단일 면에 형성되는 등의 3축 가속도계(900)의 예를 나타낸다. 일례로, 3축 가속도계(900)는 단일 프루프 매스 설계를 포함하여, 도 1의 예에 나타낸 바와 같은, 3-DOF IMU(100)의 디바이스 층(105)에 패턴화된 3축 가속도계 동작 모드를 제공한다.
일례로, 단일 프루프 매스는 응답 모드를 해제하고 교차축 감도를 감소시키기 위한 일련의 플렉셔 베어링 및 프레임을 이용해서 단일의 중앙 앵커[예를 들어, 앵커(106)]에 그 중심에서 현가될 수 있다. 일례로, 3축 가속도계(900)는 앵커(106)를 x축 프레임(135)에 결합시키고 x축 프레임(135)이 x축을 따른 가속도에 응답해서 편향하도록 구성된 x축 플렉셔 베어링(133)을 포함할 수 있다. 또한, 디바이스는 x축 프레임(135)을 y축 프레임(136)에 결합시키고 y축 프레임(136)이 y축에 따른 가속도에 응답해서 x축 프레임(135)에 대하여 편향하도록 구성된 y축 플렉셔 베어링(134)을 포함할 수 있다. 디바이스는 또한 y축 프레임(136)을 프루프 매스(138)의 남은 부분에 결합시키도록 구성된 z축 플렉셔 베어링(137)을 포함한다. z축 플렉셔 베어링(137)은 비틀림 힌지(torsional hinge)로서 기능해서, 프루프 매스가 빔의 중앙을 통과하는 축을 중심으로 해서 비틀려서 면외로 편향할 수 있도록 한다.
또한, 3축 가속도계(900)는 x축 프레임(135)의 동위상 면내 x축 운동(in-phase in-plane x-axis motion)을 검출하도록 구성된 x축 가속도계 감지 전극(125)과, y축 프레임(136)의 동위상 면내 y축 운동을 검출하도록 구성된 y축 가속도계 감지 전극(131)을 포함할 수 있다. 일례로, x축 가속도계 감지 전극(125) 및 y축 가속도계 감지 전극(131)의 각각은 앵커(126, 132) 등의 각각의 앵커를 사용해서 소정의 위치[예를 들어, 비아 웨이퍼(103)]에 고정된 정지 핑거 세트와 연계된 하나 이상의 프레임 부분에 결합된 가동 핑거(moving finger)를 포함할 수 있다.
x축 가속도계 응답
도 10은 x축 가속에 따른 감지 운동에서의 3축 가속도계(1000)의 예를 나타낸다. 3축 가속도계는 단일 프루프 매스, 앵커(106), x축 플렉셔 베어링(133), 및 x축 프레임(135)을 포함한다.
x축에 따라 가속하는 경우, 프루프 매스, y축 프레임(136) 및 x축 프레임(135)은 앵커(106)에 대하여 함께 이동할 수 있다. 그 결과로서의 운동은 프루프 매스의 반대쪽에 위치한 x축 가속도계 감지 전극(125)을 사용해서 검출이 가능하며, 이에 의해 차동의 편향 측정이 가능하게 된다. 일례로, 용량적(가변 갭 또는 가변 영역 커패시터), 압전, 압전 저항형, 자기 또는 열 등의 다양한 검출 방법이 사용될 수 있다.
y축 가속도계 응답
도 11은 y축 가속에 따른 감지 운동에서의 3축 가속도계(1100)의 예를 나타낸다. 이러한 3축 가속도계는 단일 프루프 매스, 앵커(106), y축 플렉셔 베어링(134), 및 y축 프레임(136)을 포함한다.
y축에 따라 가속하는 경우, y축 프레임(136)을 x축 프레임(135)에 연결하는 y축 플렉셔 베어링(134)은 y축 프레임(136)을 편향시켜서 프루프 매스와 함께 y축을 따라 이동하도록 하고, x축 프레임은 정지 상태를 유지한다. 그 결과로서의 운동은 프루프 매스의 반대쪽에 위치한 y축 가속도계 감지 전극(131)을 사용해서 검출이 가능하며, 이에 의해 차동의 편향 측정이 가능하게 된다. 일례로, 용량적(가변 갭 또는 가변 영역 커패시터), 압전, 압전 저항형, 자기 또는 열 등의 다양한 검출 방법이 사용될 수 있다.
z축 가속도계 응답
도 12는 z축 가속에 따른 감지 운동에서의 3축 가속도계(1200)의 예를 나타낸다. 이러한 3축 가속도계는 단일 프루프 매스(138), 앵커, 및 z축 플렉셔 베어링(137)을 포함한다.
도 12의 예에서, x축 플렉셔 베어링(137)은 빔의 중심을 통과하는 축이 프루프 매스(138)의 중심으로부터 오프셋되도록 위치한다. 따라서, 질량 불균형이 생길 수 있으며, 프루프 매스 중의 피벗 라인으로부터 더 멀리 위치해 있는 부분이 가까이 있는 부분보다 관성 모멘트가 크기 때문에, 프루프 매스(138)가 z축 가속도에 민감하게 되고, 피벗 라인을 중심으로 비틀려서 면외로 편향한다. x축 플렉셔 베어링(133) 및 y축 플렉셔 베어링(134)은 높은 면외 강성(high out-of-plane stiffnes)을 갖도록 설계된다. 따라서, 이들 베어링은 z축 가속 중에는 정지 상태를 유지한다.
도 13은 비아 웨이퍼 전극 배치를 포함하는 시스템(1300)의 예를 나타낸다. 일례로, z축 가속도계 전극(140)은 디바이스 층(105)의 아래에서 비아 웨이퍼(103) 상에 배치될 수 있다. 비틀림 응답(torsional response)에 의해 면외 전극의 하나의 층만으로 편향을 차동적으로 측정할 수 있다. 일례로, 용량적(가변 갭 또는 가변 영역 커패시터), 압전, 압전 저항형, 자기 또는 열 등의 다양한 검출 방법이 사용될 수 있다.
도 14는 단일의 프루프 매스, 예시적인 "피벗", 및 z축 가속도 전극(140)을 포함하는 3축 가속도계(1400)의 측면을 나타낸다.
3+3 자유도
도 15는 IMU의 디바이스 층(105)의 단일 면에 형성되는 것과 같은, 3+3 자유도(3+3 DOF) 관성 측정 유닛(IMU)(200)(예를 들어, 3축 자이로스코프 및 3축 가속도계)의 예를 나타낸다. 일례로, 3+3 DOF는 동일 웨이퍼 상에 3축 자이로스코프(1505)와 3축 가속도계(1510)를 포함할 수 있다.
일례로, 3축 자이로스코프(1505) 및 3축 가속도계(1510)의 각각은 별개의 프루프 매스를 가지며, 패키지화될 때에도, 최종 디바이스(예를 들어, 칩 스케일 패키지)는 캡을 공유할 수 있어서, 3축 자이로스코프(1505) 및 3축 가속도계(1510)은 동일 캐비티 내에 위치할 수 있다. 또한, 디바이스는 동일 시간에 형성되고 동일한 재료로 형성되기 때문에, 본 발명의 실시예는 공정상의 편차가 생길 위험을 크게 낮추며, 센서를 개별적으로 교정할 필요가 적어지고, 위치 조정(alignment)의 문제가 감소하고, 서로 인접한 디바이스를 개별적으로 접착하는 것보다 더 인접하게 배치할 수 있다.
또한, 최종 디바이스를 밀봉하는 것과 관련해서 공간을 절약한다. 예를 들어, 밀봉에 100 um의 폭을 필요로 하는 경우, 캡 웨이퍼를 공유하고 디바이스 간의 거리를 줄임으로써, 최종 디바이스의 전체 크기를 줄일 수 있다. 개별적으로 패키지화하면, 밀봉을 위한 폭에 필요한 공간이 두 배가 된다.
일례로, 다이 크기를 100 um의 밀봉 폭을 포함해서 2.48x1.8 mm까지 줄일 수 있다.
구동 및 검출 주파수
일례로, 구동 모드 및 3개의 자이로스코프 감지 모드는 20 kHz 범위 내로 설정될 수 있다. 개방 루프 동작의 경우, 구동 모드는 100 Hz 내지 500 Hz 등의 모드 분리(mode separation)에 의해 감지 모드로부터 분리될 수 있다. 이러한 모드 분리는 자이로스코프의 기계적 감도를 결정할 수 있다. 감도를 높이기 위해, 애플리케이션의 진동 사양(vibration specifications)이 허용하는 한, 자이로스코프 동작 공진 주파수를 감소시킬 수 있다. 폐 루프 감지 동작이 완료되면, 기계적 감도를 더 높이기 위해 모드 분리가 감소될 수 있다.
직교 오차 감소
도 16은 앵커(106)의 둘레에 고정된 중앙 서스펜션(111)의 예를 나타낸다. 중앙 서스펜션(111)은 직교 오차(quadrature error)를 국소적으로 상쇄하도록 구성된 대칭적인 "C-빔"을 포함한다. 미세기계화 자이로스코프에서 직교 오차가 생기는 주요 원인은 DRIE 측벽 각 오차이며, 이로 인해 직선 측벽으로부터 에칭 프로파일에 편차가 생긴다. 측벽에 각 오차가 있으면, 면내 구동 운동에 의해 스큐 각이 빔 길이를 따라 이루어진 경우 면외 운동을 생기게 할 수 있다. 따라서, 왜곡된 컴플라이언트 빔은 구동 운동의 반대쪽에 위치하게 되면, 그 결과로서의 면외 편향에 의해 직교 오차가 생긴다.
도 17은 구동 운동에서의 중앙 서스펜션(111)의 일부의 예를 나타낸다. 중앙 서스펜션(111)은 앵커(106)의 한쪽 면상의 대칭적인 "C-빔"을 이용한다. 한쪽 면에서의 각각의 C-빔에 의해 생기는 면외 운동은 그 대칭적 대응부분에 의해 상쇄된다. 따라서, 각 빔에서 생기는 직교 오차가 국소적으로 상쇄될 수 있다.
추가사항 및 실시예
실시예 1에서, 관성 측정 시스템은 x-y 평면에 형성되며, 단일의 중앙 앵커(single central anchor)의 주위에 현가되고, 별개의 x축, y축 및 z축 플렉셔 베어링(flexure bearing)을 구비하는 단일 프루프 매스 3축 가속도계(single proof-mass 3-axis accelerometer)를 포함하는 디바이스 층(device layer), 디바이스 층의 제1 면에 접착된 캡 웨이퍼(cap wafer), 및 디바이스 층의 제2 면에 접착된 비아 웨이퍼(via wafer)를 포함하며, x축 및 y축 플렉셔 베어링은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있으며, z축 플렉셔 베어링은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있지 않으며, 캡 웨이퍼와 비아 웨이퍼는 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 캡슐화하도록 구성된다.
실시예 2에서, 실시예 1의 3축 가속도계는 면내 x축 가속도계 감지 전극(in-plane x-axis accelerometer sense electrode)과 면내 y축 가속도계 감지 전극을 포함할 수 있다.
실시예 3에서, 실시예 1 내지 2 중의 어느 하나 이상의 면내 x축 및 y축 가속도계 감지 전극은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 서로 대칭을 이룰 수 있다.
실시예 4에서, 실시예 1 내지 3 중의 어느 하나 이상의 3축 가속도계는 면외 z축 가속도계 감지 전극(out-of-plane z-axis accelerometer sense electrode)을 포함할 수 있다.
실시예 5에서, 실시예 1 내지 4 중의 어느 하나 이상의 3축 가속도계는 x축이나 z축보다 y축 주위로 더 긴 형상의 직사각형이 될 수 있다.
실시예 6에서, 실시예 1 내지 5 중의 어느 하나 이상의 x, y, 및 z축 플렉셔 베어링은 높은 면외 강성(out-of-plane stiffness)을 가질 수 있다.
실시예 7에서, 실시예 1 내지 6 중의 어느 하나 이상의 단일 프루프 매스는 면내 x 및 y축 가속도계 감지 전극과 x, y, 및 z축 플렉셔 베어링을 둘러싸는 외측부(outer portion)를 포함할 수 있다.
실시예 8에서, 실시예 1 내지 7 중의 어느 하나 이상의 3축 가속도계는 미세기계화 모노리식 3축 가속도계(micromachined monolithic 3-axis accelerometer)를 포함할 수 있다.
실시예 9에서, 실시예 1 내지 8 중의 어느 하나 이상의 디바이스 층은 3축 가속도계에 근접하여 x-y 평면에 형성된 3축 자이로스코프를 포함할 수 있다.
실시예 10에서, 실시예 1 내지 9 중의 어느 하나 이상의 캡 웨이퍼와 비아 웨이퍼는 단일 프루프 매스 3축 가속도계와 3축 자이로스코프를 캡슐화하도록 구성될 수 있다.
실시예 11에서, 실시예 1 내지 10 중의 어느 하나 이상의 단일 프루프 매스 3축 가속도계와 3축 자이로스코프는 캡슐화된 동일 캐비티를 공유하도록 구성될 수 있다.
실시예 12에서, 실시예 1 내지 11 중의 어느 하나 이상의 디바이스 층은 3축 가속도계에 인접하여 x-y 평면에 형성된 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프를 포함할 수 있으며, 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프는, 단일의 중앙 앵커 주위에 현가되어, 3축 자이로스코프의 에지부를 향해 바깥쪽으로 연장된 방사형 부분을 구비하는 메인 프루프 매스 부분, 단일의 중앙 앵커로부터 3축 자이로스코프를 현가하도록 구성된 중앙 서스펜션 시스템, 및 가동 부분과 정지 부분을 구비하는 구동 전극을 포함하며, 가동 부분은 방사형 부분에 결합되고, 구동 전극과 중앙 서스펜션 시스템은 3축 자이로스코프를 x-y 평면에 대해 법선 방향인 z축을 중심으로 구동 주파수로 진동시키도록 구성될 수 있다.
실시예 13에서, 실시예 1 내지 12 중의 어느 하나 이상은 z축 각 운동에 응답해서 x축을 따라 역위상으로 이동하도록 구성된 대칭적인 x축 프루프 매스 부분들을 포함할 수 있다.
실시예 14에서, 실시예 1 내지 13 중의 어느 하나 이상은 x축 프루프 매스 부분들을 결합시키고 동위상 운동(in-phase motion)을 방해하도록 구성된 z축 자이로스코프 결합 플렉셔 베어링(a z-axis gyroscope coupling flexure bearing)을 포함할 수 있다.
실시예 15에서, 실시예 1 내지 14 중의 어느 하나 이상은 미세기계화 모노리식 관성 센서 장치를 포함할 수 있다. 미세기계화 모노리식 관성 센서 장치는, 단일의 중앙 앵커 주위에 현가되어, 디바이스 층의 x-y 평면에 형성되고, 별개의 x, y, 및 z축 플렉셔 베어링을 구비하는 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 포함하며, x 및 y축 플렉셔 베어링은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있으며, z축 플렉셔 베어링은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있지 않는다.
실시예 16에서, 실시예 1 내지 15 중의 어느 하나 이상의 3축 가속도계는 면내 x축 가속도계 감지 전극과 면내 y축 가속도계 감지 전극을 포함할 수 있다.
실시예 17에서, 실시예 1 내지 16 중의 어느 하나 이상의 면내 x축 및 y축 가속도계 감지 전극은 단일의 중앙 앵커를 중심으로 서로 대칭을 이룰 수 있다.
실시예 18에서, 실시예 1 내지 17 중의 어느 하나 이상의 3축 가속도계는 면외 z축 가속도계 감지 전극(out-of-plane z-axis accelerometer sense electrode)을 포함할 수 있다.
실시예 19에서, 실시예 1 내지 18 중의 어느 하나 이상은 3축 가속도계에 인접하여 x-y 평면에 형성된 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프를 포함하고, 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프는, 단일의 중앙 앵커 주위에 현가되어, 3축 자이로스코프의 에지부를 향해 바깥쪽으로 연장된 방사형 부분을 구비하는 메인 프루프 매스 부분, 단일의 중앙 앵커로부터 3축 자이로스코프를 현가하도록 구성된 중앙 서스펜션 시스템, 및 가동 부분과 정지 부분을 구비하는 구동 전극을 포함하며, 가동 부분은 방사형 부분에 결합되고, 구동 전극과 중앙 서스펜션 시스템은 3축 자이로스코프를 x-y 평면에 대해 법선 방향인 z축을 중심으로 구동 주파수로 진동시키도록 구성될 수 있다.
실시예 20에서, 실시예 1 내지 19 중의 어느 하나 이상은 디바이스 층의 제1 면에 접착된 캡 웨이퍼, 및 디바이스 층의 제2 면에 접착된 비아 웨이퍼를 더 포함하며, 캡 웨이퍼와 비아 웨이퍼는 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프 및 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 동일 캐비티 내에 캡슐화하도록 구성될 수 있다.
실시예 21에서, 시스템 또는 장치는, 실시예 1-20 중의 어느 하나를 포함하거나, 실시예 1-20의 기능들 중 임의의 하나를 수행하기 위한 수단, 또는 기계에 의해 수행될 때에, 기계로 하여금 실시예 1-20 중의 어느 하나의 기능을 수행하도록 하는 명령어를 포함하는 기계로 판독가능한 매체를 포함하도록, 실시예 1-20 중의 어느 하나의 임의의 부분 또는 임의의 부분의 조합을 포함할 수 있다.
상기 상세한 설명은 상세한 설명의 일부를 이루는 첨부 도면에 대한 설명을 포함한다. 도면은, 실례로서, 본 발명은 실시할 수 있는 구체적인 실시예를 나타낸다. 이들 실시예를 여기서는 "실시형태" 또는 "예"라고도 한다. 본 명세서에 언급된 모든 공보, 특허, 및 특허문헌은 인용에 의해 개별적으로 본 명세서에 포함되는 것에 의해, 그 내용 전체가 인용에 의해 본 명세서에 포함된다. 본 명세서와 인용에 의해 포함되는 상기 문헌들 사이에서 사용에 불일치가 있는 경우, 포함된 인용의 구성은 그 명세서의 부분에 대한 보충으로서 고려될 수 있다. 양립할 수 없는 모순에 대해서는 본 명세서의 사용(또는 구성)이 우선한다.
본 명세서에서, "하나"라는 용어는, 특허문헌에 공통인 것처럼, 다른 경우들이나 "적어도 하나" 또는 "하나 이상"의 사례 또는 사용과 관계없이 하나 또는 둘 이상을 포함하기 위해 사용된다. 본 명세서에서, "또는"이라는 용어는 비한정적인 것, 즉 달리 명시되지 않는 한, "A 또는 B"는 "B가 아니라 A", "A가 아니라 B", 그리고 "A 및 B"를 가리키기 위해 사용된다. 첨부한 청구범위에서 사용되는 "포함하는(including)" 및 "여기서(wherein)"라는 용어는 각각의 용어의 평이한 영어의 등가 표현인 "포함하는"(comprising) 및 "여기서(wherein)"로서 사용된다. 또한, 아래의 특허청구범위에서, "포함하는"이라는 용어는 제한을 두지 않는 것이다, 즉, 특허청구범위에서 이 용어 앞에 열거된 것 이외의 요소들을 포함하는 시스템, 소자, 물품, 또는 프로세스가 여전히 특허청구범위 내에 포함되는 것으로 간주한다. 게다가, 아래의 특허청구범위에서 "제1", "제2", 및 "제3" 등의 용어는 단지 라벨로서 사용된 것이고, 그 대상에 수치적 요건을 부가하기 위한 것은 아니다.
상기 기재는 설명하기 위한 것이고, 한정하려는 것은 아니다. 예를 들면, 전술한 예들(또는 하나 그 측면들)은 서로 조합하여 사용될 수 있다. 예를 들면 해당 기술분야의 당업자가 상기 기재를 검토함에 따라, 다른 실시예를 사용할 수 있다. 요약서는 37 C.F.R, §1.72(b)에 따라 독자로 하여금 개시된 기술 내용을 신속하게 알 수 있도록 하기 위해 제공된다. 요약서는 청구항들의 범위 또는 의미를 해석하거나 한정하는 데 사용되지 않을 것이라는 이해를 바탕으로 제출된다. 또한, 상기 상세한 설명에서, 여러 특징을 함께 그룹으로 묶어 개시내용을 간단하게 할 수 있다. 이것은 청구되지 않은 개시된 특징은 모든 청구항에 필수적임을 의미하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 오히려, 발명의 내용은 특정 개시된 실시예의 모든 특징 이내 있을 수 있다. 따라서, 다음의 특허청구범위는, 개별 실시예인 그 자체에 의거하는 각 청구항과 함께, 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 포함되며, 그러한 실시예들은 여러 조합 또는 순열로 서로 조합될 수 있다. 본 발명의 범위는 청구항들의 등가물의 전 범위와 함께, 첨부된 특허청구범위를 참조하여 정해져야 한다.
본 출원은 2010년 9월 18일에 Acar에 의해 출원된 "MICROMACHINED MONOLITHIC 3-AXIS GYROSCOPE WITH SINGLE DRIVE"란 명칭의 미국 가 특허출원 61/384,245호(관리번호: 2921.100PRV)와, 2010년 9월 18일에 Acar에 의해 출원된 "MICROMACHINED 3-AXIS ACCELEROMETER WITH A SINGLE PROOF-MASS"란 명칭의 미국 가 특허출원 61/384,246(관리번호: 2921.101PRV)호에 대하여 우선권을 주장하며, 그 각각의 내용을 본원에 참조에 의해 원용한다.
본 출원은 2010년 8월 3일에 Acar 등에 의해 출원된 "MICROMACHINED GYROSCOPE DEVICES"란 명칭의 미국 특허출원 12/849,742호, 2010년 8월 3일에 Marx 등에 의해 출원된 "MICROMACHINED DEVICES AND FABRICATING THE SAME"란 명칭의 미국 특허출원 12/849,787호와 관련되어 있으며, 그 내용을 본원에 참조에 의해 원용한다.

Claims (20)

  1. x-y 평면에 형성되며, 단일의 중앙 앵커(single central anchor)의 주위에 현가되고, 별개의 x축, y축 및 z축 플렉셔 베어링(flexure bearing)을 구비하는 단일 프루프 매스 3축 가속도계(single proof-mass 3-axis accelerometer)를 포함하는 디바이스 층(device layer);
    상기 디바이스 층의 제1 면에 접착된 캡 웨이퍼(cap wafer); 및
    상기 디바이스 층의 제2 면에 접착된 비아 웨이퍼(via wafer)
    를 포함하며,
    상기 x축 및 y축 플렉셔 베어링은 상기 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있으며, 상기 z축 플렉셔 베어링은 상기 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있지 않으며,
    상기 캡 웨이퍼와 상기 비아 웨이퍼는 상기 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 캡슐화하도록 구성된, 관성 측정 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 3축 가속도계는 면내 x축 및 y축 가속도계 감지 전극(in-plane x and y-axis accelerometer sense electrode)을 포함하는, 관성 측정 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 면내 x축 및 y축 가속도계 감지 전극은 상기 단일의 중앙 앵커를 중심으로 서로 대칭을 이루고 있는 것인, 관성 측정 시스템.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 3축 가속도계는 면외 z축 가속도계 감지 전극(out-of-plane z-axis accelerometer sense electrode)을 포함하는, 관성 측정 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 3축 가속도계는 x축이나 z축보다 y축 주위로 더 긴 형상의 직사각형인 것인, 관성 측정 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 x, y, 및 z축 플렉셔 베어링은 높은 면외 강성(out-of-plane stiffness)을 갖는 것인, 관성 측정 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 단일 프루프 매스는 면내 x 및 y축 가속도계 감지 전극과 x, y, 및 z축 플렉셔 베어링을 둘러싸는 외측부(outer portion)를 포함하는, 관성 측정 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 3축 가속도계는 미세기계화 모노리식 3축 가속도계(micromachined monolithic 3-axis accelerometer)를 포함하는, 관성 측정 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 디바이스 층은 상기 3축 가속도계에 근접하여 x-y 평면에 형성된 3축 자이로스코프를 포함하는, 관성 측정 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 캡 웨이퍼와 상기 비아 웨이퍼는 상기 단일 프루프 매스 3축 가속도계와 상기 3축 자이로스코프를 캡슐화하도록 구성된 것인, 관성 측정 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 단일 프루프 매스 3축 가속도계와 상기 3축 자이로스코프는 캡슐화된 동일 캐비티를 공유하도록 구성된, 관성 측정 시스템.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 디바이스 층은 상기 3축 가속도계에 인접하여 x-y 평면에 형성된 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프를 포함하며,
    상기 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프는,
    단일의 중앙 앵커 주위에 현가되어, 상기 3축 자이로스코프의 에지부를 향해 바깥쪽으로 연장된 방사형 부분을 구비하는 메인 프루프 매스 부분;
    상기 단일의 중앙 앵커로부터 상기 3축 자이로스코프를 현가하도록 구성된 중앙 서스펜션 시스템; 및
    가동 부분과 정지 부분을 구비하는 구동 전극을 포함하며,
    상기 가동 부분은 상기 방사형 부분에 결합되고, 상기 구동 전극과 상기 중앙 서스펜션 시스템은 3축 자이로스코프를 x-y 평면에 대해 법선 방향인 z축을 중심으로 구동 주파수로 진동시키도록 구성된, 관성 측정 시스템.
  13. 제12항에 있어서,
    z축 각 운동에 응답해서 x축을 따라 역위상으로 이동하도록 구성된 대칭적인 x축 프루프 매스 부분들을 포함하는 관성 측정 시스템.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 x축 프루프 매스 부분들을 결합시키고 동위상 운동(in-phase motion)을 방해하도록 구성된 z축 자이로스코프 결합 플렉셔 베어링(a z-axis gyroscope coupling flexure bearing)을 포함하는 관성 측정 시스템.
  15. 미세기계화 모노리식 관성 센서 장치에 있어서,
    단일의 중앙 앵커 주위에 현가되어, 디바이스 층의 x-y 평면에 형성되고, 별개의 x, y, 및 z축 플렉셔 베어링을 구비하는 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 포함하며,
    상기 x 및 y축 플렉셔 베어링은 상기 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있으며, 상기 z축 플렉셔 베어링은 상기 단일의 중앙 앵커를 중심으로 대칭을 이루고 있지 않은 것인, 관성 센서 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 3축 가속도계는 면내 x축 및 y축 가속도계 감지 전극을 포함하는, 관성 센서 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 면내 x축 및 y축 가속도계 감지 전극은 상기 단일의 중앙 앵커를 중심으로 서로 대칭을 이루고 있는 것인, 관성 센서 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 3축 가속도계는 면외 z축 가속도계 감지 전극(out-of-plane z-axis accelerometer sense electrode)을 포함하는, 관성 센서 장치.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 3축 가속도계에 인접하여 x-y 평면에 형성된 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프를 더 포함하며,
    상기 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프는,
    단일의 중앙 앵커 주위에 현가되어, 상기 3축 자이로스코프의 에지부를 향해 바깥쪽으로 연장된 방사형 부분을 구비하는 메인 프루프 매스 부분;
    상기 단일의 중앙 앵커로부터 상기 3축 자이로스코프를 현가하도록 구성된 중앙 서스펜션 시스템; 및
    가동 부분과 정지 부분을 구비하는 구동 전극을 포함하며,
    상기 가동 부분은 상기 방사형 부분에 결합되고, 상기 구동 전극과 상기 중앙 서스펜션 시스템은 3축 자이로스코프를 x-y 평면에 대해 법선 방향인 z축을 중심으로 구동 주파수로 진동시키도록 구성된, 관성 센서 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 디바이스 층의 제1 면에 접착된 캡 웨이퍼; 및
    상기 디바이스 층의 제2 면에 접착된 비아 웨이퍼를 더 포함하며,
    상기 캡 웨이퍼와 상기 비아 웨이퍼는 상기 단일 프루프 매스 3축 자이로스코프 및 상기 단일 프루프 매스 3축 가속도계를 동일 캐비티 내에 캡슐화하도록 구성된, 관성 센서 장치.
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
US9006846B2 (en) 2010-09-20 2015-04-14 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via with reduced shunt capacitance
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
US9095072B2 (en) 2010-09-18 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Multi-die MEMS package
US9094027B2 (en) 2012-04-12 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver
US9156673B2 (en) 2010-09-18 2015-10-13 Fairchild Semiconductor Corporation Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems
US9246018B2 (en) 2010-09-18 2016-01-26 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive
US9278845B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure
US9278846B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
US9352961B2 (en) 2010-09-18 2016-05-31 Fairchild Semiconductor Corporation Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices
US9425328B2 (en) 2012-09-12 2016-08-23 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via including multi-material fill
US9444404B2 (en) 2012-04-05 2016-09-13 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device front-end charge amplifier
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
US9618361B2 (en) 2012-04-05 2017-04-11 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
US10060757B2 (en) 2012-04-05 2018-08-28 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature shift cancellation
US10065851B2 (en) 2010-09-20 2018-09-04 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor
US10697994B2 (en) 2017-02-22 2020-06-30 Semiconductor Components Industries, Llc Accelerometer techniques to compensate package stress

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8739626B2 (en) 2009-08-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined inertial sensor devices
US9540232B2 (en) 2010-11-12 2017-01-10 MCube Inc. Method and structure of MEMS WLCSP fabrication
US9276080B2 (en) 2012-03-09 2016-03-01 Mcube, Inc. Methods and structures of integrated MEMS-CMOS devices
US10914584B2 (en) 2011-09-16 2021-02-09 Invensense, Inc. Drive and sense balanced, semi-coupled 3-axis gyroscope
US8754694B2 (en) 2012-04-03 2014-06-17 Fairchild Semiconductor Corporation Accurate ninety-degree phase shifter
US8742964B2 (en) 2012-04-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Noise reduction method with chopping for a merged MEMS accelerometer sensor
JP6010690B2 (ja) * 2012-06-04 2016-10-19 カスタム センサーズ アンド テクノロジーズ インコーポレイテッド ねじれ速度測定ジャイロスコープ
US9638524B2 (en) * 2012-11-30 2017-05-02 Robert Bosch Gmbh Chip level sensor with multiple degrees of freedom
FR3000484B1 (fr) * 2012-12-27 2017-11-10 Tronic's Microsystems Dispositif micro-electromecanique comprenant une masse mobile apte a se deplacer hors du plan
US10036635B2 (en) 2013-01-25 2018-07-31 MCube Inc. Multi-axis MEMS rate sensor device
US10132630B2 (en) 2013-01-25 2018-11-20 MCube Inc. Multi-axis integrated MEMS inertial sensing device on single packaged chip
US9249012B2 (en) 2013-01-25 2016-02-02 Mcube, Inc. Method and device of MEMS process control monitoring and packaged MEMS with different cavity pressures
US10913653B2 (en) 2013-03-07 2021-02-09 MCube Inc. Method of fabricating MEMS devices using plasma etching and device therefor
US10046964B2 (en) 2013-03-07 2018-08-14 MCube Inc. MEMS structure with improved shielding and method
US9075079B2 (en) 2013-03-07 2015-07-07 MCube Inc. Method and structure of an integrated MEMS inertial sensor device using electrostatic quadrature-cancellation
DE102013208825B4 (de) * 2013-05-14 2021-05-20 Robert Bosch Gmbh Mikrostrukturbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements
US9239340B2 (en) * 2013-12-13 2016-01-19 Intel Corporation Optomechanical sensor for accelerometry and gyroscopy
CN104764903A (zh) * 2014-01-08 2015-07-08 北京卓锐微技术有限公司 一种机械调制的硅电容式加速度计
CN104198763B (zh) * 2014-09-17 2017-01-11 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 Tsv圆片级封装的三轴mems加速度计
CN104897144B (zh) * 2015-05-29 2019-05-24 上海交通大学 多驱动电极模态耦合微固体模态陀螺
DE102015211387A1 (de) * 2015-06-19 2016-12-22 Robert Bosch Gmbh Drei-achsiger Drehbeschleunigungssensor
EP3190421B1 (en) 2016-01-07 2019-05-22 Analog Devices, Inc. Two- or three-axis angular accelerometer
US10393770B2 (en) 2016-04-28 2019-08-27 Semiconductor Components Industries, Llc Multi-axis accelerometer with reduced stress sensitivity
US10209070B2 (en) 2016-06-03 2019-02-19 Nxp Usa, Inc. MEMS gyroscope device
US10514259B2 (en) 2016-08-31 2019-12-24 Analog Devices, Inc. Quad proof mass MEMS gyroscope with outer couplers and related methods
IT201600106928A1 (it) 2016-10-24 2018-04-24 St Microelectronics Srl Giroscopio triassiale mems a modulazione di frequenza
IT201600110354A1 (it) * 2016-11-03 2018-05-03 St Microelectronics Srl Accelerometro triassiale mems con configurazione perfezionata
US10549985B2 (en) * 2016-11-25 2020-02-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor package with a through port for sensor applications
US10697774B2 (en) 2016-12-19 2020-06-30 Analog Devices, Inc. Balanced runners synchronizing motion of masses in micromachined devices
DE102017130384B4 (de) * 2016-12-19 2022-03-31 Analog Devices, Inc. Gyroskop mit synchronisierter Masse
US10627235B2 (en) 2016-12-19 2020-04-21 Analog Devices, Inc. Flexural couplers for microelectromechanical systems (MEMS) devices
US10415968B2 (en) * 2016-12-19 2019-09-17 Analog Devices, Inc. Synchronized mass gyroscope
CN106932609B (zh) * 2017-03-02 2019-05-21 清华大学 一种单锚定点四质量块mems六轴惯性传感器
WO2019010246A1 (en) * 2017-07-06 2019-01-10 Invensense, Inc. BALANCED, THREE-AXIS, SEMI-COUPLED, DRIVING AND DETECTION GYROSCOPE
US10732198B2 (en) 2017-08-09 2020-08-04 Analog Devices, Inc. Integrated linear and angular MEMS accelerometers
US11085766B2 (en) 2017-11-10 2021-08-10 Semiconductor Components Industries, Llc Micromachined multi-axis gyroscopes with reduced stress sensitivity
CN108020687B (zh) * 2018-02-06 2024-03-19 深迪半导体(绍兴)有限公司 一种mems加速度计
US10948294B2 (en) 2018-04-05 2021-03-16 Analog Devices, Inc. MEMS gyroscopes with in-line springs and related systems and methods
FR3083606B1 (fr) * 2018-07-06 2021-09-03 Commissariat Energie Atomique Gyrometre micromecanique resonant performant a encombrement reduit
US11733263B2 (en) 2018-09-21 2023-08-22 Analog Devices, Inc. 3-axis accelerometer
US11099207B2 (en) 2018-10-25 2021-08-24 Analog Devices, Inc. Low-noise multi-axis accelerometers and related methods
US20200141732A1 (en) * 2018-11-02 2020-05-07 Semiconductor Components Industries, Llc Multi-axis gyroscope with reduced bias drift
US11119116B2 (en) 2019-04-01 2021-09-14 Honeywell International Inc. Accelerometer for determining an acceleration based on modulated optical signals
US11079227B2 (en) 2019-04-01 2021-08-03 Honeywell International Inc. Accelerometer system enclosing gas
US10956768B2 (en) 2019-04-22 2021-03-23 Honeywell International Inc. Feedback cooling and detection for optomechanical devices
US10705112B1 (en) 2019-04-22 2020-07-07 Honeywell International Inc. Noise rejection for optomechanical devices
US11119114B2 (en) 2019-07-17 2021-09-14 Honeywell International Inc. Anchor structure for securing optomechanical structure
US11408911B2 (en) 2019-07-17 2022-08-09 Honeywell International Inc. Optomechanical structure with corrugated edge
US11150264B2 (en) 2019-08-13 2021-10-19 Honeywell International Inc. Feedthrough rejection for optomechanical devices using elements
US11408912B2 (en) 2019-08-13 2022-08-09 Honeywell International Inc. Feedthrough rejection for optomechanical devices
US11372019B2 (en) 2019-08-13 2022-06-28 Honeywell International Inc. Optomechanical resonator stabilization for optomechanical devices
IT201900017546A1 (it) * 2019-09-30 2021-03-30 St Microelectronics Srl Dispositivo a pulsante mems resistente all'acqua, dispositivo di ingresso comprendente il dispositivo a pulsante mems e apparecchio elettronico
CN110887467B (zh) * 2019-11-12 2021-10-19 瑞声声学科技(深圳)有限公司 高精度陀螺仪
WO2021173571A1 (en) * 2020-02-24 2021-09-02 Aniv8, Inc. Animal health evaluation system and method
CN111272162B (zh) * 2020-03-02 2022-03-29 扬州大学 单质量块三轴mems陀螺及其制备方法
US11193771B1 (en) 2020-06-05 2021-12-07 Analog Devices, Inc. 3-axis gyroscope with rotational vibration rejection
EP4162281A1 (en) 2020-06-08 2023-04-12 Analog Devices, Inc. Stress-relief mems gyroscope
CN116075728A (zh) 2020-06-08 2023-05-05 美国亚德诺半导体公司 驱动和感测应力释放装置
US11698257B2 (en) 2020-08-24 2023-07-11 Analog Devices, Inc. Isotropic attenuated motion gyroscope
US11703521B2 (en) 2020-12-04 2023-07-18 Honeywell International Inc. MEMS vibrating beam accelerometer with built-in test actuators

Family Cites Families (338)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3231729A (en) 1961-03-31 1966-01-25 Systems Inc Comp Dynamic storage analog computer
US4511848A (en) 1983-06-15 1985-04-16 Watson Industries, Inc. Synchronous AM demodulator with quadrature signal cancellation
US5354695A (en) 1992-04-08 1994-10-11 Leedy Glenn J Membrane dielectric isolation IC fabrication
US4896156A (en) 1988-10-03 1990-01-23 General Electric Company Switched-capacitance coupling networks for differential-input amplifiers, not requiring balanced input signals
TW520072U (en) 1991-07-08 2003-02-01 Samsung Electronics Co Ltd A semiconductor device having a multi-layer metal contact
DE4142101A1 (de) 1991-11-28 1993-06-03 Lueder Ernst Prof Dr Ing Druckmessanordnung mit hoher linearitaet
DE69206770T2 (de) 1991-12-19 1996-07-11 Motorola Inc Dreiachsiger Beschleunigungsmesser
US5491604A (en) 1992-12-11 1996-02-13 The Regents Of The University Of California Q-controlled microresonators and tunable electronic filters using such resonators
FR2700003B1 (fr) 1992-12-28 1995-02-10 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d'un capteur de pression utilisant la technologie silicium sur isolant et capteur obtenu.
WO1995003534A1 (de) 1993-07-24 1995-02-02 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kapazitive drucksensoren mit hoher linearität
US5426970A (en) 1993-08-02 1995-06-27 New Sd, Inc. Rotation rate sensor with built in test circuit
US5703292A (en) 1994-03-28 1997-12-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Sensor having an off-frequency drive scheme and a sense bias generator utilizing tuned circuits
US5481914A (en) 1994-03-28 1996-01-09 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electronics for coriolis force and other sensors
US5765046A (en) 1994-08-31 1998-06-09 Nikon Corporation Piezoelectric vibration angular velocity meter and camera using the same
JPH0989927A (ja) 1995-09-28 1997-04-04 Zexel Corp 多軸加速度センサ
SE9500729L (sv) 1995-02-27 1996-08-28 Gert Andersson Anordning för mätning av vinkelhastighet i enkristallint material samt förfarande för framställning av sådan
US5656778A (en) 1995-04-24 1997-08-12 Kearfott Guidance And Navigation Corporation Micromachined acceleration and coriolis sensor
US5659195A (en) 1995-06-08 1997-08-19 The Regents Of The University Of California CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit
JP3814845B2 (ja) 1995-09-26 2006-08-30 松下電器産業株式会社 グリル
US5760465A (en) 1996-02-01 1998-06-02 International Business Machines Corporation Electronic package with strain relief means
JP3125675B2 (ja) 1996-03-29 2001-01-22 三菱電機株式会社 容量型センサインターフェース回路
JPH09318649A (ja) 1996-05-30 1997-12-12 Texas Instr Japan Ltd 複合センサ
US5992233A (en) 1996-05-31 1999-11-30 The Regents Of The University Of California Micromachined Z-axis vibratory rate gyroscope
JPH10239347A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Japan Aviation Electron Ind Ltd 運動センサ
EP0871213A3 (en) 1997-03-27 1999-03-03 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing vias having variable sidewall profile
JP3050161B2 (ja) 1997-04-18 2000-06-12 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN1206110A (zh) 1997-07-14 1999-01-27 利顿系统有限公司 惯性传感器的信号处理系统
KR100326878B1 (ko) 1997-08-05 2002-05-09 니시무로 타이죠 증폭회로
JP3753209B2 (ja) 1997-08-27 2006-03-08 アイシン精機株式会社 角速度センサ
JPH11352143A (ja) 1998-04-06 1999-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加速度センサ
US6253612B1 (en) 1998-06-05 2001-07-03 Integrated Micro Instruments, Inc. Generation of mechanical oscillation applicable to vibratory rate gyroscopes
JP3882972B2 (ja) 1998-06-18 2007-02-21 アイシン精機株式会社 角速度センサ
JP3882973B2 (ja) 1998-06-22 2007-02-21 アイシン精機株式会社 角速度センサ
JP2000046560A (ja) 1998-07-31 2000-02-18 Aisin Seiki Co Ltd 角速度センサ
US6236096B1 (en) 1998-10-06 2001-05-22 National Science Council Of Republic Of China Structure of a three-electrode capacitive pressure sensor
US6351996B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
JP3363862B2 (ja) 1999-01-22 2003-01-08 キヤノン株式会社 ジャイロ、それを備えたカメラ、レンズ及び自動車
DE19910415B4 (de) 1999-03-10 2010-12-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abstimmen eines ersten Oszillators mit einem zweiten Oszillator
EP1055910B1 (en) 1999-05-28 2009-01-28 Alps Electric Co., Ltd. Driving apparatus of piezoelectric vibrator
US7051590B1 (en) 1999-06-15 2006-05-30 Analog Devices Imi, Inc. Structure for attenuation or cancellation of quadrature error
US6516651B1 (en) 1999-07-22 2003-02-11 Analog Devices, Inc. Coriolis effect transducer
US6522762B1 (en) 1999-09-07 2003-02-18 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
US6230566B1 (en) 1999-10-01 2001-05-15 The Regents Of The University Of California Micromachined low frequency rocking accelerometer with capacitive pickoff
US6301965B1 (en) 1999-12-14 2001-10-16 Sandia Corporation Microelectromechanical accelerometer with resonance-cancelling control circuit including an idle state
IT1314296B1 (it) 1999-12-21 2002-12-09 St Microelectronics Srl Struttura resistiva integrata su un substrato semiconduttore
US6629448B1 (en) 2000-02-25 2003-10-07 Seagate Technology Llc In-situ testing of a MEMS accelerometer in a disc storage system
JP4729801B2 (ja) 2000-03-17 2011-07-20 アイシン精機株式会社 振動子駆動装置及び振動子駆動装置を備えた角速度センサ
WO2001071364A1 (en) 2000-03-17 2001-09-27 Microsensors, Inc. Method of canceling quadrature error in an angular rate sensor
US6390905B1 (en) 2000-03-31 2002-05-21 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers
JP2004506176A (ja) 2000-04-04 2004-02-26 ローズマウント エアロスペイス インコーポレイテッド 3軸加速度計
US6366468B1 (en) 2000-04-28 2002-04-02 Hewlett-Packard Company Self-aligned common carrier
US6214644B1 (en) 2000-06-30 2001-04-10 Amkor Technology, Inc. Flip-chip micromachine package fabrication method
US6988408B2 (en) 2000-07-13 2006-01-24 Dong-Il Cho Surface/bulk micromachined single-crystalline silicon micro-gyroscope
US7523537B1 (en) 2000-07-13 2009-04-28 Custom Sensors & Technologies, Inc. Method of manufacturing a tuning fork with reduced quadrature errror and symmetrical mass balancing
US7083997B2 (en) 2000-08-03 2006-08-01 Analog Devices, Inc. Bonded wafer optical MEMS process
US6553835B1 (en) 2000-09-15 2003-04-29 Bei Technologies, Inc. Inertial rate sensor and method with improved clocking
US6501282B1 (en) 2000-09-29 2002-12-31 Rockwell Automation Technologies, Inc. Highly sensitive capacitance comparison circuit
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
DE10059775C2 (de) 2000-12-01 2003-11-27 Hahn Schickard Ges Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von analogen Ausgangssignalen von kapazitiven Sensoren
FR2819064B1 (fr) 2000-12-29 2003-04-04 St Microelectronics Sa Regulateur de tension a stabilite amelioree
WO2002087083A1 (en) 2001-04-18 2002-10-31 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Digital method and system for determining the instantaneous phase and amplitude of a vibratory accelerometer and other sensors
SG106612A1 (en) 2001-05-29 2004-10-29 Sony Electronics Singapore Pte A force sensing device
US6504385B2 (en) 2001-05-31 2003-01-07 Hewlett-Pakcard Company Three-axis motion sensor
US6513380B2 (en) 2001-06-19 2003-02-04 Microsensors, Inc. MEMS sensor with single central anchor and motion-limiting connection geometry
US6683692B2 (en) 2001-06-21 2004-01-27 Honeywell International Dither system for motion sensors
US20030033850A1 (en) 2001-08-09 2003-02-20 Challoner A. Dorian Cloverleaf microgyroscope with electrostatic alignment and tuning
US6937479B2 (en) 2001-08-21 2005-08-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Sensor isolation system
US6598475B2 (en) 2001-09-20 2003-07-29 Honeywell International Inc. Micromechanical inertial sensor having increased pickoff resonance damping
EP2325604B1 (en) 2002-02-06 2013-04-24 Analog Devices, Inc. Micromachined gyroscope
US6714070B1 (en) 2002-02-07 2004-03-30 Bei Technologies, Inc. Differential charge amplifier with built-in testing for rotation rate sensor
US6785117B2 (en) 2002-03-15 2004-08-31 Denso Corporation Capacitive device
US6725719B2 (en) 2002-04-17 2004-04-27 Milli Sensor Systems And Actuators, Inc. MEMS-integrated inertial measurement units on a common substrate
US6854315B2 (en) 2002-04-22 2005-02-15 Northrop Grumman Corporation Quadrature compensation technique for vibrating gyroscopes
US7217588B2 (en) 2005-01-05 2007-05-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. Integrated MEMS packaging
US6701786B2 (en) 2002-04-29 2004-03-09 L-3 Communications Corporation Closed loop analog gyro rate sensor
EP1506568B1 (en) 2002-04-29 2016-06-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Direct-connect signaling system
US6992399B2 (en) 2002-05-24 2006-01-31 Northrop Grumman Corporation Die connected with integrated circuit component for electrical signal passing therebetween
US6915215B2 (en) 2002-06-25 2005-07-05 The Boeing Company Integrated low power digital gyro control electronics
US6781231B2 (en) 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US6737742B2 (en) 2002-09-11 2004-05-18 International Business Machines Corporation Stacked package for integrated circuits
US7477529B2 (en) 2002-11-01 2009-01-13 Honeywell International Inc. High-voltage power supply
US7187735B2 (en) 2003-01-28 2007-03-06 Raytheon Company Mixed technology MEMS/SiGe BiCMOS digitalized analog front end with direct RF sampling
WO2004071943A2 (en) 2003-02-11 2004-08-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic device and its manufacturing method device
US20040231420A1 (en) * 2003-02-24 2004-11-25 Huikai Xie Integrated monolithic tri-axial micromachined accelerometer
JP4336946B2 (ja) 2003-03-20 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 回転角速度の測定方法および装置
US7119511B2 (en) 2003-04-11 2006-10-10 International Business Machines Corporation Servo system for a two-dimensional micro-electromechanical system (MEMS)-based scanner and method therefor
DE10317159B4 (de) 2003-04-14 2007-10-11 Litef Gmbh Verfahren zur Kompensation eines Nullpunktfehlers in einem Corioliskreisel
US6848304B2 (en) 2003-04-28 2005-02-01 Analog Devices, Inc. Six degree-of-freedom micro-machined multi-sensor
US7005193B2 (en) 2003-04-29 2006-02-28 Motorola, Inc. Method of adding mass to MEMS structures
JP4123044B2 (ja) 2003-05-13 2008-07-23 ソニー株式会社 マイクロマシンおよびその製造方法
JP2005024310A (ja) 2003-06-30 2005-01-27 Kyocera Kinseki Corp 慣性センサ
US6845670B1 (en) * 2003-07-08 2005-01-25 Freescale Semiconductor, Inc. Single proof mass, 3 axis MEMS transducer
GB0322236D0 (en) 2003-09-23 2003-10-22 Qinetiq Ltd Resonant magnetometer device
JP2005123591A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Rohm Co Ltd 半導体装置及びこれを実装した電子機器
JP4433747B2 (ja) 2003-09-29 2010-03-17 株式会社村田製作所 角速度検出装置
JP4645013B2 (ja) 2003-10-03 2011-03-09 パナソニック株式会社 加速度センサ及びそれを用いた複合センサ
KR100519819B1 (ko) 2003-12-09 2005-10-10 삼성전기주식회사 마이크로 관성센서 제조방법
EP1692457A4 (en) 2003-12-11 2007-09-26 Proteus Biomedical Inc IMPLANT PRESSURE SENSORS
DE10360962B4 (de) 2003-12-23 2007-05-31 Litef Gmbh Verfahren zur Quadraturbias-Kompensation in einem Corioliskreisel sowie dafür geeigneter Corioliskreisel
US7173402B2 (en) 2004-02-25 2007-02-06 O2 Micro, Inc. Low dropout voltage regulator
US20050189622A1 (en) 2004-03-01 2005-09-01 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
US6912082B1 (en) 2004-03-11 2005-06-28 Palo Alto Research Center Incorporated Integrated driver electronics for MEMS device using high voltage thin film transistors
JP3875240B2 (ja) 2004-03-31 2007-01-31 株式会社東芝 電子部品の製造方法
TWI255341B (en) 2004-06-10 2006-05-21 Chung Shan Inst Of Science Miniature accelerator
JP4412477B2 (ja) 2004-06-11 2010-02-10 株式会社デンソー 振動型角速度センサ
CN100368773C (zh) 2004-06-29 2008-02-13 东南大学 电容式微陀螺敏感信号的单路谐波提取方法及提取装置
CN100368772C (zh) 2004-06-29 2008-02-13 东南大学 电容式微陀螺敏感信号的双路谐波提取方法及提取装置
US7301212B1 (en) 2004-07-30 2007-11-27 National Semiconductor Corporation MEMS microphone
EP1624285B1 (en) 2004-08-03 2014-07-23 STMicroelectronics Srl Resonant micro-electro-mechanical system and gyroscope
US7266349B2 (en) 2004-08-06 2007-09-04 Broadcom Corporation Multi-mode crystal oscillator
US7929714B2 (en) 2004-08-11 2011-04-19 Qualcomm Incorporated Integrated audio codec with silicon audio transducer
US7421898B2 (en) 2004-08-16 2008-09-09 The Regents Of The University Of California Torsional nonresonant z-axis micromachined gyroscope with non-resonant actuation to measure the angular rotation of an object
US7170187B2 (en) 2004-08-31 2007-01-30 International Business Machines Corporation Low stress conductive polymer bump
CN101044684B (zh) 2004-09-17 2012-11-14 美国亚德诺半导体公司 使用斩波稳定的多位连续时间前端∑-△adc
JP4353087B2 (ja) 2004-12-01 2009-10-28 株式会社デンソー 回転振動型角速度センサ
JP4969822B2 (ja) 2004-12-06 2012-07-04 株式会社デンソー センサ装置
US7358151B2 (en) 2004-12-21 2008-04-15 Sony Corporation Microelectromechanical system microphone fabrication including signal processing circuitry on common substrate
US20060169041A1 (en) 2005-02-02 2006-08-03 Madni Asad M Combined gyroscope and 2-axis accelerometer
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US7481109B2 (en) 2005-03-04 2009-01-27 Custom Sensors & Technologies, Inc. Inertial measurement system and method with bias cancellation
US20060207327A1 (en) 2005-03-16 2006-09-21 Zarabadi Seyed R Linear accelerometer
US7442570B2 (en) 2005-03-18 2008-10-28 Invensence Inc. Method of fabrication of a AL/GE bonding in a wafer packaging environment and a product produced therefrom
US7213458B2 (en) 2005-03-22 2007-05-08 Honeywell International Inc. Quadrature reduction in MEMS gyro devices using quad steering voltages
US7231824B2 (en) 2005-03-22 2007-06-19 Honeywell International Inc. Use of electrodes to cancel lift effects in inertial sensors
JP4453587B2 (ja) 2005-03-24 2010-04-21 株式会社デンソー 加速度センサ
EP1715580B1 (en) 2005-03-31 2018-11-28 STMicroelectronics Srl Device for controlling the resonance frequency of a MEMS resonator
US20070071268A1 (en) 2005-08-16 2007-03-29 Analog Devices, Inc. Packaged microphone with electrically coupled lid
US7885423B2 (en) 2005-04-25 2011-02-08 Analog Devices, Inc. Support apparatus for microphone diaphragm
US7449355B2 (en) 2005-04-27 2008-11-11 Robert Bosch Gmbh Anti-stiction technique for electromechanical systems and electromechanical device employing same
CA2607918A1 (en) 2005-05-18 2006-11-23 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducers
US7832271B2 (en) 2005-05-24 2010-11-16 Japan Aerospace Exploration Agency Gyroscope
WO2006130828A2 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Georgia Tech Research Corporation System and method for sensing capacitance change of a capacitive sensor
CN101213461B (zh) 2005-06-03 2013-01-02 辛纳普蒂克斯公司 使用sigma-delta测量技术检测电容的方法和系统
US7240552B2 (en) 2005-06-06 2007-07-10 Bei Technologies, Inc. Torsional rate sensor with momentum balance and mode decoupling
JP2007024864A (ja) 2005-06-16 2007-02-01 Mitsubishi Electric Corp 振動ジャイロ
CA2608164A1 (en) 2005-06-17 2006-12-21 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducer having an insulation extension
FI119299B (fi) 2005-06-17 2008-09-30 Vti Technologies Oy Menetelmä kapasitiivisen kiihtyvyysanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen kiihtyvyysanturi
US7202552B2 (en) 2005-07-15 2007-04-10 Silicon Matrix Pte. Ltd. MEMS package using flexible substrates, and method thereof
JP4740678B2 (ja) 2005-07-27 2011-08-03 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置
US7565839B2 (en) 2005-08-08 2009-07-28 Northrop Grumman Guidance And Electronics Company, Inc. Bias and quadrature reduction in class II coriolis vibratory gyros
US20100155863A1 (en) 2005-08-11 2010-06-24 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Method for manufacturing a microelectronic package comprising a silicon mems microphone
US20070220973A1 (en) 2005-08-12 2007-09-27 Cenk Acar Multi-axis micromachined accelerometer and rate sensor
US7284430B2 (en) * 2005-08-15 2007-10-23 The Regents Of The University Of California Robust micromachined gyroscopes with two degrees of freedom sense-mode oscillator
US20070040231A1 (en) 2005-08-16 2007-02-22 Harney Kieran P Partially etched leadframe packages having different top and bottom topologies
US7932182B2 (en) 2005-08-19 2011-04-26 Honeywell International Inc. Creating novel structures using deep trenching of oriented silicon substrates
US8130979B2 (en) 2005-08-23 2012-03-06 Analog Devices, Inc. Noise mitigating microphone system and method
US7622782B2 (en) 2005-08-24 2009-11-24 General Electric Company Pressure sensors and methods of making the same
EP1969388A1 (en) 2005-09-23 2008-09-17 California Institute Of Technology A mm-WAVE FULLY INTEGRATED PHASED ARRAY RECEIVER AND TRANSMITTER WITH ON CHIP ANTENNAS
ATE425544T1 (de) 2005-10-14 2009-03-15 Nxp Bv Abstimmbare mems-anordnung
US7679364B2 (en) 2005-10-18 2010-03-16 Tursiop Technologies Llc Method and apparatus for high-gain magnetic resonance imaging
CN101292175A (zh) 2005-10-18 2008-10-22 特西奥普技术有限公司 用于高增益磁共振成像的方法和设备
JP2007114078A (ja) 2005-10-21 2007-05-10 Sony Corp Memsセンサの駆動装置およびその駆動方法、並びにmemsを用いたアクティブセンサ
US7258011B2 (en) 2005-11-21 2007-08-21 Invensense Inc. Multiple axis accelerometer
US20070114643A1 (en) 2005-11-22 2007-05-24 Honeywell International Inc. Mems flip-chip packaging
KR100771492B1 (ko) 2005-11-23 2007-10-30 세종대학교산학협력단 진동형 마이크로 자이로스코프를 이용한 자세각 직접측정제어방법
US7518493B2 (en) 2005-12-01 2009-04-14 Lv Sensors, Inc. Integrated tire pressure sensor system
US7539003B2 (en) 2005-12-01 2009-05-26 Lv Sensors, Inc. Capacitive micro-electro-mechanical sensors with single crystal silicon electrodes
DE602005027713D1 (de) 2005-12-02 2011-06-09 St Microelectronics Srl Vorrichtung und Verfahren zum Auslesen eines kapazitiven Sensors insbesondere eines mikro-elektromechanischen Sensors
WO2007086849A1 (en) 2006-01-25 2007-08-02 The Regents Of The University Of California Robust six degree-of-freedom micromachined gyroscope with anti-phase drive scheme and method of operation of the same
US7290435B2 (en) 2006-02-06 2007-11-06 Invensense Inc. Method and apparatus for electronic cancellation of quadrature error
GB2454603B (en) 2006-02-24 2010-05-05 Wolfson Microelectronics Plc Mems device
US7436054B2 (en) 2006-03-03 2008-10-14 Silicon Matrix, Pte. Ltd. MEMS microphone with a stacked PCB package and method of producing the same
CN100451547C (zh) 2006-03-09 2009-01-14 上海交通大学 双定子电磁悬浮转子微转动陀螺
US7589390B2 (en) 2006-03-10 2009-09-15 Teledyne Technologies, Incorporated Shielded through-via
EP1832841B1 (en) * 2006-03-10 2015-12-30 STMicroelectronics Srl Microelectromechanical integrated sensor structure with rotary driving motion
JP2009530603A (ja) 2006-03-13 2009-08-27 イシャイ センソールス エル ティー デー. 二軸振動ジャイロスコープ
FR2898683B1 (fr) 2006-03-14 2008-05-23 Commissariat Energie Atomique Accelerometre triaxial a membrane
GB0605576D0 (en) 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
JP2007292499A (ja) 2006-04-21 2007-11-08 Sony Corp モーションセンサ及びその製造方法
US7726188B2 (en) 2006-04-24 2010-06-01 Millisensor Systems + Actuators Scale factor measurement for mems gyroscopes and accelerometers
US7561277B2 (en) 2006-05-19 2009-07-14 New Jersey Institute Of Technology MEMS fiber optic microphone
JP4310325B2 (ja) 2006-05-24 2009-08-05 日立金属株式会社 角速度センサ
US7444869B2 (en) 2006-06-29 2008-11-04 Honeywell International Inc. Force rebalancing and parametric amplification of MEMS inertial sensors
US7454967B2 (en) 2006-07-10 2008-11-25 Lv Sensors, Inc. Signal conditioning methods and circuits for a capacitive sensing integrated tire pressure sensor
US7538705B2 (en) 2006-07-25 2009-05-26 Microchip Technology Incorporated Offset cancellation and reduced source induced 1/f noise of voltage reference by using bit stream from over-sampling analog-to-digital converter
TWI301823B (en) 2006-08-29 2008-10-11 Ind Tech Res Inst Package structure and packaging method of mems microphone
JP5294228B2 (ja) 2006-09-27 2013-09-18 シチズンホールディングス株式会社 物理量センサ
CN101568805B (zh) 2006-09-28 2011-05-04 麦德托尼克公司 低功率传感器系统的电容接口电路
KR100831405B1 (ko) 2006-10-02 2008-05-21 (주) 파이오닉스 웨이퍼 본딩 패키징 방법
US7675162B2 (en) 2006-10-03 2010-03-09 Innovative Micro Technology Interconnect structure using through wafer vias and method of fabrication
US20080083958A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Wen-Chieh Wei Micro-electromechanical system package
DE102006048381A1 (de) 2006-10-12 2008-04-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Sensor zur Erfassung von Beschleunigungen
US7461552B2 (en) 2006-10-23 2008-12-09 Custom Sensors & Technologies, Inc. Dual axis rate sensor
US7982570B2 (en) 2006-11-07 2011-07-19 General Electric Company High performance low volume inductor and method of making same
CN1948906B (zh) 2006-11-10 2011-03-23 北京大学 一种电容式全解耦水平轴微机械陀螺
US8201449B2 (en) 2006-11-14 2012-06-19 Panasonic Corporation Sensor
US7403756B1 (en) 2006-11-22 2008-07-22 Rockwell Collins, Inc. Highly-integrated MEMS-based miniaturized transceiver
US8026771B2 (en) 2006-11-27 2011-09-27 Seiko Epson Corporation Driver device, physical quantity measuring device, and electronic instrument
TWI315295B (en) 2006-12-29 2009-10-01 Advanced Semiconductor Eng Mems microphone module and method thereof
US7550828B2 (en) 2007-01-03 2009-06-23 Stats Chippac, Inc. Leadframe package for MEMS microphone assembly
US8250921B2 (en) 2007-07-06 2012-08-28 Invensense, Inc. Integrated motion processing unit (MPU) with MEMS inertial sensing and embedded digital electronics
US8047075B2 (en) * 2007-06-21 2011-11-01 Invensense, Inc. Vertically integrated 3-axis MEMS accelerometer with electronics
WO2008087578A2 (en) 2007-01-17 2008-07-24 Nxp B.V. A system-in-package with through substrate via holes
JP4924370B2 (ja) 2007-01-26 2012-04-25 パナソニック株式会社 Σδ型ad変換器およびそれを用いた角速度センサ
CN101239697B (zh) 2007-02-06 2013-02-13 万长风 垂直集成微电子机械结构、实现方法及其系统
US7859113B2 (en) 2007-02-27 2010-12-28 International Business Machines Corporation Structure including via having refractory metal collar at copper wire and dielectric layer liner-less interface and related method
US7950281B2 (en) 2007-02-28 2011-05-31 Infineon Technologies Ag Sensor and method for sensing linear acceleration and angular velocity
US7544531B1 (en) 2007-03-13 2009-06-09 Sitime Inc. Ground strap for suppressing stiction during MEMS fabrication
JP2008256438A (ja) 2007-04-03 2008-10-23 Sony Corp 慣性センサ及び電気・電子機器
US20080251866A1 (en) 2007-04-10 2008-10-16 Honeywell International Inc. Low-stress hermetic die attach
CN101038299A (zh) 2007-04-21 2007-09-19 中北大学 基于单质量块的单轴集成惯性测量器件
US8006557B2 (en) 2007-05-16 2011-08-30 Intellisense Software Corporation Multi-axis sensor
CN100526800C (zh) 2007-05-31 2009-08-12 上海交通大学 挠性静电补偿式线圈加矩流体微陀螺仪
CN101316462B (zh) 2007-06-01 2012-11-28 财团法人工业技术研究院 微机电系统麦克风封装体及其封装组件
US8049326B2 (en) 2007-06-07 2011-11-01 The Regents Of The University Of Michigan Environment-resistant module, micropackage and methods of manufacturing same
CN101067555B (zh) 2007-06-08 2010-11-10 北京航空航天大学 力平衡式谐振微机械陀螺
US7817331B2 (en) 2007-06-21 2010-10-19 Jds Uniphase Corporation MEMS device with an angular vertical comb actuator
US8061201B2 (en) 2007-07-13 2011-11-22 Georgia Tech Research Corporation Readout method and electronic bandwidth control for a silicon in-plane tuning fork gyroscope
DE102007035806B4 (de) 2007-07-31 2011-03-17 Sensordynamics Ag Mikromechanischer Drehratensensor
TWI333933B (en) 2007-08-17 2010-12-01 Advanced Semiconductor Eng Microelectromechanical-system package and method for manufacturing the same
US20090175477A1 (en) 2007-08-20 2009-07-09 Yamaha Corporation Vibration transducer
JP5045616B2 (ja) 2007-08-30 2012-10-10 株式会社デンソー 容量式物理量検出装置
US8042394B2 (en) * 2007-09-11 2011-10-25 Stmicroelectronics S.R.L. High sensitivity microelectromechanical sensor with rotary driving motion
EP2179455A2 (en) 2007-09-19 2010-04-28 Georgia Tech Research Corporation Single-resonator dual-frequency lateral-extension mode piezoelectric oscillators, and operating methods thereof
US7786738B2 (en) 2007-09-19 2010-08-31 Robert Bosch Gmbh Cancelling low frequency errors in MEMS systems
GB0720412D0 (en) 2007-10-18 2007-11-28 Melexis Nv Combined mems accelerometer and gyroscope
US7677099B2 (en) 2007-11-05 2010-03-16 Invensense Inc. Integrated microelectromechanical systems (MEMS) vibrating mass Z-axis rate sensor
JP5487546B2 (ja) 2008-02-18 2014-05-07 パナソニック株式会社 角速度センサ
JP4508230B2 (ja) 2007-11-21 2010-07-21 ソニー株式会社 慣性センサ及びその検出装置
CN101459866B (zh) 2007-12-14 2016-02-03 财团法人工业技术研究院 微机电麦克风模块与制作方法
US7830003B2 (en) 2007-12-27 2010-11-09 Honeywell International, Inc. Mechanical isolation for MEMS devices
CN101217263B (zh) 2008-01-17 2010-12-15 埃派克森微电子有限公司 放大器直流失调电压的补偿方法与装置
US20090183570A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Custom Sensors & Technologies, Inc. Micromachined cross-differential dual-axis accelerometer
US20090194829A1 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Shine Chung MEMS Packaging Including Integrated Circuit Dies
JP2009186213A (ja) 2008-02-04 2009-08-20 Denso Corp ジャイロセンサユニット
JP5365173B2 (ja) 2008-02-29 2013-12-11 セイコーエプソン株式会社 物理量測定装置および電子機器
CN101270988B (zh) 2008-03-14 2011-11-30 江苏英特神斯科技有限公司 多轴惯性传感器及测量多轴平动和转动加速度的方法
US7984648B2 (en) 2008-04-10 2011-07-26 Honeywell International Inc. Systems and methods for acceleration and rotational determination from an in-plane and out-of-plane MEMS device
DE102008002748A1 (de) 2008-06-27 2009-12-31 Sensordynamics Ag Mikro-Gyroskop
TW201004857A (en) 2008-07-23 2010-02-01 Ind Tech Res Inst A packaging structure and method for integration of microelectronics and MEMS devices by 3D stacking
JP2010025898A (ja) 2008-07-24 2010-02-04 Yamaha Corp Memsセンサ
DE102008040855B4 (de) 2008-07-30 2022-05-25 Robert Bosch Gmbh Dreiachsiger Beschleunigungssensor
CN101638211A (zh) 2008-08-01 2010-02-03 财团法人工业技术研究院 整合型立体堆叠封装结构及其制造方法
US8450817B2 (en) 2008-08-14 2013-05-28 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with strain relief bridge
US8193596B2 (en) 2008-09-03 2012-06-05 Solid State System Co., Ltd. Micro-electro-mechanical systems (MEMS) package
CN101666813B (zh) 2008-09-05 2011-12-21 财团法人工业技术研究院 电容式多轴加速度计
TWI374268B (en) 2008-09-05 2012-10-11 Ind Tech Res Inst Multi-axis capacitive accelerometer
US7851925B2 (en) 2008-09-19 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Wafer level packaged MEMS integrated circuit
JP2010078500A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Corp 慣性センサ
US8499629B2 (en) 2008-10-10 2013-08-06 Honeywell International Inc. Mounting system for torsional suspension of a MEMS device
EP2177875A3 (en) 2008-10-14 2013-04-24 Watson Industries, Inc. A Vibrating Structural Gyroscope with Quadrature Control
EP2338171B1 (en) 2008-10-15 2015-09-23 ÅAC Microtec AB Method for making an interconnection via
US7859352B2 (en) 2008-10-15 2010-12-28 Honeywell International Inc. Systems and methods to overcome DC offsets in amplifiers used to start resonant micro-electro mechanical systems
US7965067B2 (en) 2008-10-31 2011-06-21 Texas Instruments Incorporated Dynamic compensation for a pre-regulated charge pump
WO2010051560A1 (en) 2008-11-03 2010-05-06 Georgia Tech Research Corporation Vibratory gyroscope utilizing a frequency-based measurement and providing a frequency output
JP2010118556A (ja) 2008-11-13 2010-05-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201020548A (en) 2008-11-18 2010-06-01 Ind Tech Res Inst Multi-axis capacitive accelerometer
US8205498B2 (en) * 2008-11-18 2012-06-26 Industrial Technology Research Institute Multi-axis capacitive accelerometer
DE102008044053B4 (de) 2008-11-25 2022-07-14 Robert Bosch Gmbh Quadraturkompensation für einen Drehratensensor
IT1391972B1 (it) 2008-11-26 2012-02-02 St Microelectronics Rousset Giroscopio microelettromeccanico con movimento di azionamento rotatorio e migliorate caratteristiche elettriche
GB2466785B (en) 2008-12-30 2011-06-08 Wolfson Microelectronics Plc Apparatus and method for testing a capacitive transducer and/or associated electronic circuitry
US7817075B2 (en) 2009-02-03 2010-10-19 Windtop Technology Corp. Apparatus for converting MEMS inductive capacitance
JP2010185714A (ja) 2009-02-10 2010-08-26 Panasonic Corp 物理量センサシステム、物理量センサ装置
JP2010190766A (ja) 2009-02-19 2010-09-02 Seiko Epson Corp 発振駆動装置、物理量測定装置及び電子機器
TWI391663B (zh) 2009-02-25 2013-04-01 Nat Univ Tsing Hua 加速度計
DE102009001244A1 (de) * 2009-02-27 2010-09-02 Sensordynamics Ag Mikro-Gyroskop zur Ermittlung von Rotationsbewegungen um eine x-, y- oder z-Achse
US7775119B1 (en) 2009-03-03 2010-08-17 S3C, Inc. Media-compatible electrically isolated pressure sensor for high temperature applications
US8256290B2 (en) 2009-03-17 2012-09-04 Minyao Mao Tri-axis angular rate sensor
CN101858928B (zh) 2009-04-10 2012-09-05 利顺精密科技股份有限公司 微电机系统电容式三轴加速度器
US8156805B2 (en) 2009-04-15 2012-04-17 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS inertial sensor with frequency control and method
EP2252077B1 (en) 2009-05-11 2012-07-11 STMicroelectronics Srl Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof
US8151641B2 (en) 2009-05-21 2012-04-10 Analog Devices, Inc. Mode-matching apparatus and method for micromachined inertial sensors
CN101561275B (zh) 2009-05-27 2012-01-04 上海交通大学 利用电磁和电荷弛豫工作的悬浮转子微陀螺
IT1394898B1 (it) 2009-06-03 2012-07-20 St Microelectronics Rousset Giroscopio microelettromeccanico con attuazione a controllo di posizione e metodo per il controllo di un giroscopio microelettromeccanico
IT1394627B1 (it) 2009-06-05 2012-07-05 St Microelectronics Rousset Filtro passabanda a condensatori commutati di tipo tempo-discreto, in particolare per la cancellazione dell'offset e di rumore a bassa frequenza di stadi a condensatori commutati
US8661871B2 (en) 2009-07-31 2014-03-04 Stmicroelectronics S.R.L. Method for testing a microelectromechanical device, microelectromechanical device
US8739626B2 (en) 2009-08-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined inertial sensor devices
WO2011016859A2 (en) 2009-08-04 2011-02-10 Cenk Acar Micromachined inertial sensor devices
US8266961B2 (en) 2009-08-04 2012-09-18 Analog Devices, Inc. Inertial sensors with reduced sensitivity to quadrature errors and micromachining inaccuracies
CN101634662B (zh) 2009-08-07 2011-01-26 北京大学 微加速度计及其制备方法
US8456173B2 (en) 2009-09-30 2013-06-04 Tektronix, Inc. Signal acquisition system having probe cable termination in a signal processing instrument
CN102686976B (zh) 2009-10-13 2015-03-25 松下电器产业株式会社 角速度传感器
US8549915B2 (en) 2009-10-23 2013-10-08 The Regents Of The University Of California Micromachined gyroscopes with 2-DOF sense modes allowing interchangeable robust and precision operation
US8421168B2 (en) 2009-11-17 2013-04-16 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical systems microphone packaging systems
JP2011112455A (ja) 2009-11-25 2011-06-09 Seiko Epson Corp Memsセンサー及びその製造方法並びに電子機器
JP5115618B2 (ja) 2009-12-17 2013-01-09 株式会社デンソー 半導体装置
EP2336717B1 (en) 2009-12-21 2012-09-19 STMicroelectronics Srl Microelectromechanical device having an oscillating mass, and method for controlling a microelectromechanical device having an oscillating mass
US8578775B2 (en) 2010-02-08 2013-11-12 Freescale Semiconductor, Inc. Generation, injection and use of pilot tones for gyro system characterization
US8004354B1 (en) 2010-02-12 2011-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Automatic level control
GB201003539D0 (en) 2010-03-03 2010-04-21 Silicon Sensing Systems Ltd Sensor
CN102893128B (zh) 2010-03-17 2016-02-17 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司 微机械陀螺仪的正交和共振频率的解耦控制方法
US20110234312A1 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Texas Instruments Incorporated Amplifier with improved stability
CN101813480B (zh) 2010-04-20 2012-02-15 浙江大学 一种具有电调谐功能的微机械梳状栅电容陀螺
US9032796B2 (en) 2010-04-30 2015-05-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stacked lateral overlap transducer (SLOT) based three-axis accelerometer
GB201008195D0 (en) 2010-05-17 2010-06-30 Silicon Sensing Systems Ltd Sensor
US8378756B2 (en) 2010-05-18 2013-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Drive loop for MEMS oscillator
CN201688848U (zh) 2010-05-28 2010-12-29 南京理工大学 双质量振动式硅微机械陀螺仪接口电路
JP2011259293A (ja) 2010-06-10 2011-12-22 Alps Electric Co Ltd デジタルフィルタ
CN101916754B (zh) 2010-06-29 2012-08-29 香港应用科技研究院有限公司 通孔和通孔形成方法以及通孔填充方法
US8508290B2 (en) 2010-09-14 2013-08-13 Ayman Elsayed Interface for MEMS inertial sensors
US8813564B2 (en) 2010-09-18 2014-08-26 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope with central suspension and gimbal structure
EP2616389B1 (en) 2010-09-18 2017-04-05 Fairchild Semiconductor Corporation Multi-die mems package
US9278846B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
US9856132B2 (en) 2010-09-18 2018-01-02 Fairchild Semiconductor Corporation Sealed packaging for microelectromechanical systems
DE112011103124T5 (de) 2010-09-18 2013-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation Biegelager zum Verringern von Quadratur für mitschwingende mikromechanische Vorrichtungen
EP2616772B1 (en) 2010-09-18 2016-06-22 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive
EP2619594A4 (en) 2010-09-20 2015-09-02 Fairchild Semiconductor MODE TUNING CIRCUIT FOR AN INERTIAL SENSOR
KR101332701B1 (ko) 2010-09-20 2013-11-25 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 기준 커패시터를 포함하는 미소 전자기계 압력 센서
KR101311966B1 (ko) 2010-09-20 2013-10-14 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 감소된 션트 커패시턴스를 갖는 관통 실리콘 비아
US9003882B1 (en) 2010-11-03 2015-04-14 Georgia Tech Research Corporation Vibratory tuning fork based six-degrees of freedom inertial measurement MEMS device
US9171964B2 (en) 2010-11-23 2015-10-27 Honeywell International Inc. Systems and methods for a three-layer chip-scale MEMS device
CN105021178B (zh) 2010-12-07 2018-11-23 佐治亚科技研究公司 模式匹配型单一质量块双轴陀螺仪
CN102109345B (zh) 2010-12-13 2012-12-12 谢元平 微机械陀螺数字信号处理方法与装置
EP2466257A1 (en) 2010-12-15 2012-06-20 SensoNor Technologies AS Method for matching the natural frequencies of the drive and sense oscillators in a vibrating coriolis gyroscope
US8569861B2 (en) 2010-12-22 2013-10-29 Analog Devices, Inc. Vertically integrated systems
CN102156301B (zh) 2011-03-23 2013-03-13 中南大学 一种随钻超前预报观测系统
EP2527788A1 (en) 2011-05-26 2012-11-28 Maxim Integrated Products, Inc. Quadrature error compensation
US9540230B2 (en) 2011-06-27 2017-01-10 Invensense, Inc. Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures
US8824706B2 (en) 2011-08-30 2014-09-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
CN102337541A (zh) 2011-09-23 2012-02-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种制作锥形穿硅通孔时采用的刻蚀方法
KR20130037462A (ko) 2011-10-06 2013-04-16 주식회사 포스코 몰드 보호 유닛 및 이를 구비하는 연속 주조 장치
US8991247B2 (en) 2011-10-21 2015-03-31 The Regents Of The University Of California High range digital angular rate sensor based on frequency modulation
US8884710B2 (en) 2011-10-25 2014-11-11 Invensense, Inc. Gyroscope with phase and duty-cycle locked loop
CN102364671B (zh) 2011-11-03 2013-07-24 中国科学院微电子研究所 制造硅通孔的方法
US10390733B2 (en) 2011-11-07 2019-08-27 Lifelens Technologies, Llc Metabolic and cardiopulmonary monitor
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
WO2013116522A1 (en) 2012-02-01 2013-08-08 Cenk Acar Mems multi-axis gyroscope z-axis electrode structure
CN103368562B (zh) 2012-04-03 2016-03-23 快捷半导体(苏州)有限公司 准确的90度相位移相器
US8754694B2 (en) 2012-04-03 2014-06-17 Fairchild Semiconductor Corporation Accurate ninety-degree phase shifter
KR102045784B1 (ko) 2012-04-04 2019-11-18 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 병합된 미세 전자기계 가속도계 센서에 대한 초핑을 이용하는 노이즈 감소 방법
KR102034604B1 (ko) 2012-04-04 2019-10-21 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 Asic 집적 캐패시터를 구비한 미소 기전 시스템 가속도계의 자가 테스트
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
US8742964B2 (en) 2012-04-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Noise reduction method with chopping for a merged MEMS accelerometer sensor
EP2647955B8 (en) 2012-04-05 2018-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature phase shift cancellation
KR20130113386A (ko) 2012-04-05 2013-10-15 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 Asic 집적 캐패시터를 구비한 미소 기전 시스템 자이로스코프의 자가 테스트
EP2647952B1 (en) 2012-04-05 2017-11-15 Fairchild Semiconductor Corporation Mems device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
KR102058489B1 (ko) 2012-04-05 2019-12-23 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 멤스 장치 프론트 엔드 전하 증폭기
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
KR101999745B1 (ko) 2012-04-12 2019-10-01 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 미세 전자 기계 시스템 구동기
DE102013014881B4 (de) 2012-09-12 2023-05-04 Fairchild Semiconductor Corporation Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren Materialien
WO2014093727A1 (en) 2012-12-12 2014-06-19 The Regents Of The University Of California Frequency readout gyroscope
ITTO20130013A1 (it) 2013-01-09 2014-07-10 St Microelectronics Srl Giroscopio microelettromeccanico con compensazione di componenti di segnale di quadratura e metodo di controllo di un giroscopio microelettromeccanico
KR101462772B1 (ko) 2013-04-12 2014-11-20 삼성전기주식회사 직각 위상 에러 제거수단을 갖는 자가발진 회로 및 그를 이용한 직각 위상 에러 제거방법
US9360319B2 (en) 2013-09-05 2016-06-07 Freescale Semiconductor, Inc. Multiple sense axis MEMS gyroscope having a single drive mode
US9404747B2 (en) 2013-10-30 2016-08-02 Stmicroelectroncs S.R.L. Microelectromechanical gyroscope with compensation of quadrature error drift
US9835647B2 (en) 2014-03-18 2017-12-05 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus and method for extending analog front end sense range of a high-Q MEMS sensor

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9278846B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
US9278845B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure
US9455354B2 (en) 2010-09-18 2016-09-27 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined 3-axis accelerometer with a single proof-mass
US9856132B2 (en) 2010-09-18 2018-01-02 Fairchild Semiconductor Corporation Sealed packaging for microelectromechanical systems
US9095072B2 (en) 2010-09-18 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Multi-die MEMS package
US10050155B2 (en) 2010-09-18 2018-08-14 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive
US9352961B2 (en) 2010-09-18 2016-05-31 Fairchild Semiconductor Corporation Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices
US9246018B2 (en) 2010-09-18 2016-01-26 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive
US9156673B2 (en) 2010-09-18 2015-10-13 Fairchild Semiconductor Corporation Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems
US9006846B2 (en) 2010-09-20 2015-04-14 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via with reduced shunt capacitance
US10065851B2 (en) 2010-09-20 2018-09-04 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
US9599472B2 (en) 2012-02-01 2017-03-21 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split Z-axis portions
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
US9444404B2 (en) 2012-04-05 2016-09-13 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device front-end charge amplifier
US9618361B2 (en) 2012-04-05 2017-04-11 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive
US10060757B2 (en) 2012-04-05 2018-08-28 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature shift cancellation
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
US9094027B2 (en) 2012-04-12 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver
US9802814B2 (en) 2012-09-12 2017-10-31 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via including multi-material fill
US9425328B2 (en) 2012-09-12 2016-08-23 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via including multi-material fill
US10697994B2 (en) 2017-02-22 2020-06-30 Semiconductor Components Industries, Llc Accelerometer techniques to compensate package stress

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