DE102013208825B4 - Mikrostrukturbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements - Google Patents

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Abstract

Mikrostrukturbauelement (1), insbesondere zum Erfassen von Beschleunigungen und/oder Drehraten, mit einem eine Substrathaupterstreckungsebene (100) aufweisenden Substrat (10), einer Elektrode (30, 30') und einer weiteren Elektrode (30"), wobei die Elektrode (30, 30') eine Elektrodenhaupterstreckungsebene (300) und die weitere Elektrode (30") eine weitere Elektrodenhaupterstreckungsebene (300") aufweist, wobei die Elektrodenhaupterstreckungsebene (300) parallel zu einer zur Substrathaupterstreckungsebene (100) senkrechten Normalrichtung (103) angeordnet ist, wobei die weitere Elektrodenhaupterstreckungsebene (300") parallel zur Normalrichtung (103) angeordnet ist, wobei die Elektrode (30, 30') eine sich in die Normalrichtung (103) erstreckende Elektrodenhöhe (303) aufweist, wobei die Elektrode (30, 30') einen sich parallel zur Substrathaupterstreckungsebene (100) vollständig durch die Elektrode (30, 30') hindurch erstreckenden Strömungskanal (33) aufweist, wobei der Strömungskanal (33) eine sich parallel zur Normalrichtung (103) erstreckende Kanaltiefe (333) aufweist, wobei die Kanaltiefe (333) kleiner ist als die Elektrodenhöhe (303), wobei die Elektrode (30, 30') eine Elektrodenhaupterstreckungsrichtung (301) parallel zur Elektrodenhaupterstreckungsebene (300) und parallel zur Substrathaupterstreckungsebene (100) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode (30, 30') mehrere entlang der Elektrodenhaupterstreckungsrichtung (301) angeordnete Strömungskanäle (33) aufweist, wobei die Elektrode (30, 30') eine Mehrzahl von durch die mehreren Strömungskanäle (33) voneinander beabstandete Teilelektroden (32) aufweist, wobei die Teilelektroden (32) auf einem gemeinsamen Träger (34) angeordnet sind.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung geht aus von einem Mikrostrukturbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Solche Mikrostrukturbauelemente sind allgemein bekannt. Beispielsweise werden als mikromechanische Inertialsensoren ausgebildete Mikrostrukturbauelemente zur Messung von Beschleunigungen und Drehraten für verschiedene Applikationen im Automobilbereich und/oder im Verbrauchsgüterkauf in Massenfertigung hergestellt. Üblicherweise weisen die Inertialsensoren Elektrodenanordnungen zur Detektion einer Kapazitätsänderung auf, wobei die Kapazitätsänderung ein Maß für eine auf eine Inertialmasse des Inertialsensors wirkende Inertialkraft ist. Beispielsweise ist eine Inertialkraft eine Beschleunigungskraft und/oder eine Corioliskraft eines Beschleunigungssensors und/oder eines Drehratensensors. Die Elektrodenanordnung weist beispielsweise zwei Plattenelektroden mit jeweils parallel zueinander angeordneten Elektrodenhaupterstreckungsebenen auf, wobei eine der Plattenelektroden entlang einer zur Elektrodenhaupterstreckungsebene senkrechten Schwingungsrichtung zu einer Schwingung antreibbar ist. Die Schwingungsrichtung ist hierbei beispielsweise parallel zu einer Substrathaupterstreckungsebene eines Substrats des Mikrostrukturbauelements angeordnet. Die Elektrodenanordnung ist üblicherweise in einer hermetisch abgedichteten Kaverne oder Hohlraum des Mikrostrukturbauelements angeordnet, wobei in der Kaverne ein vergleichsweise geringer Kavernendruck herrscht. Mit zunehmender Schichtdicke bzw. Elektrodenhöhe entlang einer zur Substrathaupterstreckungsebene senkrechten Normalrichtung wirken sich Randströmeffekte und Dämpfungseffekte, beispielsweise die sogenannte Quetschfilmdämpfung, negativ auf Güte, Signalrauschen und/oder Offset aus.
  • Die DE 10 2011 007 217 A1 betrifft eine Erfassungsvorrichtung für eine physikalische Größe zum Erfassen einer physikalischen Größe auf der Grundlage der Verformung einer Membran. Die US 2005 / 0 179 099 A1 offenbart ein mikroelektromechanisches System und ein Herstellungsverfahren für ein solches mikroelektromechanisches System. Die US 2003 / 0 225 362 A1 offenbart Mikrostrukturelemente.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Mikrostrukturbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements bereitzustellen, wobei bei einem gegebenen Kavernendruck Dämpfungskräfte in der Elektrodenanordnung gegenüber dem Stand der Technik reduziert und die mechanische Güte erhöht wird und/oder wobei die elektrische Empfindlichkeit der Elektrodenanordnung verbessert wird, ohne die Dämpfungskräfte zu erhöhen.
  • Das erfindungsgemäße Mikrostrukturbauelement und das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements gemäß den nebengeordneten Ansprüchen haben gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass durch die Einführung eines oder mehrerer Strömungskanäle, welche sich jeweils durch die, insbesondere als Plattenelektrode ausgebildete, Elektrode parallel zur Substrathaupterstreckungsebene und/oder senkrecht zur Elektrodenhaupterstreckungsebene, vollständig durch die Elektrode hindurch erstrecken, austretende Gasmoleküle beim Auftreten der Quetschfilmdämpfung durch die Strömungskanäle entweichen können, sodass auf die Elektroden wirkende Dämpfungskräfte im Vergleich zu Elektroden ohne Strömungskanal erheblich reduziert werden. Die Ausbildung der Strömungskanäle der Elektrode bewirkt in vorteilhafter Weise, dass die Empfindlichkeit der Elektrodenanordnung, welche nachfolgend auch als Kondensatoranordnung bezeichnet wird, nur geringfügig sinkt. Ein Teil der fehlenden Kondensatorfläche wird besonders vorteilhaft durch Streufeldanteile von den Seitenflächen der geschlitzten Elektrode bzw. den Strömungskanal aufweisenden Elektrode kompensiert. Somit wird durch eine Vergrößerung der Elektrodenhöhe die Empfindlichkeit der Elektrodenanordnung bezüglich der Detektion der Kapazitätsänderung verbessert, wobei die Dämpfungseffekte nur geringfügig oder gar nicht mit zunehmender Elektrodenhöhe zunehmen. Besonders bevorzugt durchdringen die Strömungskanäle, welche hier auch Schlitze genannte werden, die Elektrodenhöhe die Elektrode parallel zur Substrathaupterstreckungsebene, und insbesondere senkrecht zur Elektrodenhaupterstreckungsebene vollständig, wobei insbesondere der Kanalabstand im Falle von mindestens zwei an der Elektrode angeordneten Strömungskanälen bevorzugt kleiner als die Elektrodenhöhe oder gleich der Elektrodenhöhe ist. Bevorzugt erstreckt sich die Kanaltiefe über mehr als 50% der Elektrodenhöhe entlang der Normalrichtung. Alternativ zu einer verglichen mit der Elektrodenhöhe kleineren Kanaltiefe ist die Kanaltiefe insbesondere gleich der Elektrodenhöhe.
  • Durch einen zweistufigen Trenchprozess des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es weiterhin vorteilhaft möglich, einen Strömungskanal aus der Elektrode auszubilden, ohne die Elektrode durch die gesamte Schichtdicke der Funktionsschicht oder durch die gesamte Elektrodenhöhe in Normalrichtung zu ätzen. In dem zweiten Herstellungsschritt wird die Elektrodenstruktur - welche insbesondere die Elektrode, die weitere Elektrode und/oder die Inertialstruktur umfasst - bis zu einer ersten Strukturtiefe während des ersten Zeitintervalls aus der Funktionsschicht ausgebildet. Die Strukturtiefe, welche hier auch als Tiefe des ersten Trenches bezeichnet wird, wird über die Dauer des ersten Zeitintervalls bzw. der ersten Prozessführung bestimmt, was bedeutet, dass es hier keinen definierten Ätzstopp gibt. In dem dritten Herstellungsschritt wird die Elektrodenstruktur weiter geätzt, wobei nun aber zusätzlich die Strömungskanäle in der ersten Elektrode und/oder weiteren Elektrode ausgebildet bzw. geätzt werden. Um ein vollständiges Durchätzen der Funktionsschicht zu verhindern wird der dritte Herstellungsschritt nach dem zweiten Zeitintervall rechtzeitig beendet und eine starke Überätzung vermieden.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen, sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen entnehmbar.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung beträgt die Kanaltiefe zwischen 60% und 95%, bevorzugt zwischen 70% und 90%, ganz besonders bevorzugt ungefähr 80% der Elektrodenhöhe. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, die Elektrode durch die Anordnung mehrere Strömungskanäle einstückig mit einer Kammstruktur auszubilden, wobei mehrere zinkenförmige als Teilelektroden bezeichnete senkrecht zur Schwingungsrichtung und parallel zur Substrathaupterstreckungsebene durch die Strömungskanäle voneinander beabstandete Elektrodensegmente elektrisch leitfähig miteinander verbunden sind. Insbesondere sind alternativ die Teilelektroden auf einem gemeinsamen Träger angeordnet, wobei der Träger aus einer weiteren Funktionsschicht ausgebildet wird, welche von der Funktionsschicht verschieden ist, aus der die Elektrode ausgebildet ist.
  • Erfindungsgemäß weist die Elektrode eine Elektrodenhaupterstreckungsrichtung parallel zur Elektrodenhaupterstreckungsebene und parallel zur Substrathaupterstreckungsebene auf, wobei die Elektrode mehrere entlang der Elektrodenhaupterstreckungsrichtung angeordnete Strömungskanäle aufweist. Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist es insbesondere denkbar, dass die mehreren Strömungskanäle einen Kanalabstand aufweisen, wobei insbesondere der Kanalabstand kleiner als die Elektrodenhöhe ist. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, einen verbesserten Strömungspfad für die von der Quetschfilmdämpfung herrührenden austretenden Gasmoleküle bereitzustellen. Insbesondere ist vorteilhaft möglich, eine sich über sämtliche Elektroden der Elektrodenanordnung erstreckende Strömungskanalstruktur bereitzustellen.
  • Erfindungsgemäß weist die Elektrode eine Mehrzahl von durch die mehreren Strömungskanäle voneinander beabstandete Teilelektroden auf, wobei die Teilelektroden auf einem gemeinsamen Träger angeordnet sind. Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist es insbesondere möglich, dass die Elektrode aus einer Funktionsschicht ausgebildet ist, wobei der Träger insbesondere aus einer mit der Funktionsschicht verbundenen weiteren Funktionsschicht ausgebildet ist. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, eine platzsparende und Dämpfungskräfte reduzierende Elektrodenanordnung des Mikrostrukturbauelements bereitzustellen.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung sind die Teilelektroden über den Träger elektrisch leitfähig miteinander verbunden, wobei der Träger über, insbesondere genau, ein Elektrodenkontaktelement mit einem Leitungsmittel elektrisch leitfähig verbunden ist, wobei das Leitungsmittel auf dem Substrat angeordnet ist oder in einem mit dem Substrat verbundenen weiteren Substrat angeordnet ist, wobei das weitere Substrat insbesondere einen integrierten Schaltkreis umfasst. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, die Leitungsmittel bzw. den integrierten Schaltkreis unabhängig von der in der Funktionsschicht, und insbesondere weiteren Funktionsschicht, ausgebildeten Elektrodenanordnung zu strukturieren. Insbesondere ist es durch die Anbringung der Teilelektroden auf dem einen integrierten Schaltkreis umfassenden weiteren Substrat vorteilhaft möglich, eine Leitungsstruktur bereitzustellen, um eine Vielzahl, parallel zur Elektrodenhaupterstreckungsrichtung eine vergleichsweise geringe Länge aufweisende Teilelektroden anzuordnen.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist die Elektrode relativ zum Substrat ortsfest angeordnet, wobei die weitere Elektrode relativ zum Substrat zu einer Bewegung entlang einer Schwingungsrichtung auslenkbar ist, wobei die Schwingungsrichtung insbesondere zur Substrathaupterstreckungsebene parallel angeordnet ist, wobei die Schwingungsrichtung insbesondere zur Elektrodenhaupterstreckungsebene und/oder zur weiteren Elektrodenhaupterstreckungsebene senkrecht angeordnet ist. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, die beweglichen Elektroden und/oder die festen Elektroden mit Strömungskanälen auszubilden, sodass die Gasmoleküle auf Grund der Quetschfilmdämpfung besonders effizient aus den Zwischenräumen zwischen der Elektrode und der weiteren Elektrode abzuleiten.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung weist die weitere Elektrode parallel zur Normalrichtung die Elektrodenhöhe auf, wobei die weitere Elektrode einen sich parallel zur Substrathaupterstreckungsebene vollständig durch die weitere Elektrode hindurch erstreckenden weiteren Strömungskanal aufweist, wobei der weitere Strömungskanal eine sich parallel zur Normalrichtung erstreckende weitere Kanaltiefe aufweist, wobei die weitere Kanaltiefe kleiner ist als die Elektrodenhöhe, wobei insbesondere der Strömungskanal und der weitere Strömungskanal in eine entlang der Schwingungsrichtung verlaufende Projektionsrichtung in einer Reihe hintereinander oder versetzt nebeneinander angeordnet sind. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, die Quetschfilmdämpfungskräfte zu reduzieren und zugleich eine besonders stabile und platzsparende Elektrodenanordnung bereitzustellen.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden im zweiten Herstellungsschritt aus der Funktionsschicht in Abhängigkeit der zweiten Strukturierungsmaske die Elektrode mit einer Elektrodenhaupterstreckungsebene und die weitere Elektrode mit einer weiteren Elektrodenhaupterstreckungsebene ausgebildet, wobei die Elektrodenhaupterstreckungsebene parallel zur Normalrichtung angeordnet wird, wobei die weitere Elektrodenhaupterstreckungsebene parallel zur Normalrichtung angeordnet wird, wobei an der Elektrode eine sich in die Normalrichtung erstreckende Elektrodenhöhe ausgebildet wird. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, die Elektrodenstruktur mit der Elektrode, der weiteren Elektrode und/oder Inertialstruktur auszubilden, bevor die Strömungskanäle auf der Elektrode und/oder der weiteren Elektrode angeordnet werden. Hierdurch wird ein vergleichsweise einfaches und kostengünstiges Herstellungsverfahren bereitgestellt, um eine Vielzahl von Mikrostrukturbauelementen in einfacher Weise gleichzeitig herstellen zu können.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird im dritten Herstellungsschritt aus der Elektrode in Abhängigkeit der ersten Strukturierungsmaske ein sich parallel zur Substrathaupterstreckungsebene vollständig durch die Elektrode hindurch erstreckender Strömungskanal mit einer sich parallel zur Normalrichtung erstreckenden Kanaltiefe ausgebildet, wobei die Kanaltiefe in Abhängigkeit des zweiten Zeitintervalls kleiner als die Elektrodenhöhe ausgebildet wird. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, durch eine Kombination der, insbesondere als Oxidmaske ausgebildeten, ersten Maske und der, insbesondere als Lackmaske ausgebildeten, zweiten Maske auf der eine vergleichsweise glatte Oberfläche parallel zur Substrathaupterstreckungsebene aufweisenden Funktionsschicht anzuordnen, um die Strömungskanäle mit einer Kanaltiefe kleiner als die Elektrodenhöhe in der Elektrode und/oder weiteren Elektrode auszubilden.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird im dritten Herstellungsschritt die Funktionsschicht mit einer Funktionsschichtdicke bereitgestellt, wobei im vierten Herstellungsschritt der Strömungskanal mit der Kanaltiefe gleich der Funktionsschichtdicke ausgebildet wird. Insbesondere wird die Funktionsschicht in Normalrichtung über einer weiteren Funktionsschicht angeordnet, wobei zwischen der weiteren Funktionsschicht und der Funktionsschicht eine Strukturierungsmaske angeordnet wird. Insbesondere wird die Kanaltiefe des Strömungskanals durch die Lage der Strukturierungsmaske zwischen der Funktionsschicht und der weiteren Funktionsschicht bestimmt. Insbesondere ist die Strukturierungsmaske eine Ätzstoppschicht, welche die Kanaltiefe des Strömungskanals während des Ätzvorgangs begrenzt. Weiterhin werden hierdurch insbesondere eine Mehrzahl von Teilelektroden auf einem aus der weiteren Funktionsschicht ausgebildeten Träger bereitgestellt. Bevorzugt wird die Ätzstoppschicht in einem fünften Herstellungsschritt entfernt.
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Figurenliste
  • Es zeigen
    • 1 eine Schnittbildansicht eines Mikrostrukturbauelements zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung,
    • 2 und 3 Schnittbildansichten verschiedener Ausführungsformen einer Elektrode zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung,
    • 4 eine Draufsicht eines Mikrostrukturbauelements gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
    • 5 bis 9 Schnittbildansichten verschiedener Ausführungsformen einer Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung,
    • 10 bis 15 Schnittbildansichten eines Mikrostrukturbauelements gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
    • 16 bis 17 Schnittbildansichten verschiedener Ausführungsformen einer Elektrode gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und
    • 18 und 19 Draufsichten verschiedener Ausführungsformen einer Anordnung der Strömungskanäle einer Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführungsform(en) der Erfindung
  • In den verschiedenen Figuren sind gleiche Teile stets mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden daher in der Regel auch jeweils nur einmal benannt bzw. erwähnt.
  • In 1 ist eine Schnittbildansicht eines Mikrostrukturbauelements 1 zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Schnittbildansicht zeigt das Mikrostrukturelement 1 in einem Schnitt entlang einer zu einer Substrathaupterstreckungsebene 100 eines Substrats 10 des Mikrostrukturbauelements 1 parallelen Schnittebene. Das Mikrostrukturbauelement 1, hier ein Beschleunigungssensor, weist eine entlang einer Schwingungsrichtung 102, welche hier auch Y-Richtung 102 genannt wird, auslenkbare Inertialstruktur 40 auf. Ferner weist das Mikrostrukturbauelement eine fest mit dem Substrat ortsfest und/oder lagefest verbundene Elektrode 30 auf. Bevorzugt weist die Elektrode 30 eine Elektrodenhaupterstreckungsrichtung 301 (siehe 6) parallel zu einer X-Richtung 101 auf, wobei die Elektrodenhaupterstreckungsrichtung 301 und/oder X-Richtung 101 parallel zur Substrathaupterstreckungsebene 100. Die Elektrode ist bevorzugt über ein Elektrodenkontaktelement 31 elektrisch leitfähig mit einem Leitungselement 20, insbesondere einer auf dem Substrat 10 aufgebrachten Leiterbahn 20, verbunden. In einer alternativen Ausführungsform weist das Mikrostrukturelement eine gleichartig zur Elektrode 30 ausgebildete Differenzelektrode 30' auf, wobei die Differenzelektrode über ein weiteres Elektrodenkontaktelement 31' mit einem weiteren Leitungselement 20' elektrisch leitfähig verbunden ist. Bevorzugt beträgt eine Ausdehnung der Leiterbahn 20 und/oder der weiteren Leiterbahn 20' parallel zur X-Richtung 101 weniger als 40 Mikrometer. In einer weiteren alternativen Ausführungsform sind eine Mehrzahl von Elektroden 30 und/oder Differenzelektroden 30' in dem Mikrostrukturbauelement 1 ausgebildet.
  • Die Inertialstruktur 40 ist insbesondere über mehrere, beispielsweise vier, Federelemente 43 mit einem Antriebsmittel 42 verbunden, wobei das Antriebsmittel 42 auf dem Substrat 10 verankert ist. Insbesondere sind die Antriebsmittel 42, die Federelemente 43 und/oder die Inertialstruktur 40 über ein Antriebskontaktelement 41 mit einem Antriebsleitungselement 20" elektrisch leitfähig verbunden. An der Inertialstruktur 40 ist bevorzugt eine weitere Elektrode 30" angeordnet, welche zusammen mit der Inertialstruktur 40 auslenkbar ist.
  • In einem Zentralbereich weist die Inertialstruktur 40 insbesondere eine parallel zur Substrathaupterstreckungsebene 100 sich erstreckende Ausnehmung auf, wobei in die Ausnehmung insbesondere rechteckförmig ausgebildet ist, um eine Mehrzahl von Elektroden 30 und/oder Differenzelektroden 30' zu umgeben. Bevorzugt weist die weitere Elektrode 30" eine weitere Elektrodenhaupterstreckungsebene 300" (siehe beispielsweise 2) parallel zur Elektrodenhaupterstreckungsebene 300 der Elektrode 30 auf. Hier wird die weitere Elektrode 30" zusammen mit der Inertialstruktur 40 entlang der Schwingungsrichtung 102 derart mitbewegt, dass sich die weitere Elektrode 30" zwischen einer ersten Endstellung und einer zweiten Endstellung bewegt, wobei in der ersten Endstellung die Elektrode 30 und die weitere Elektrode 30" einen geringeren Abstand voneinander parallel zur Schwingungsrichtung 102 aufweisen, als in der zweiten Endstellung.
  • In 2 und 3 sind Schnittbildansichten verschiedener Ausführungsformen einer Elektrode 30, 30', 30" zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung dargestellt. 2 zeigt eine Schnittbildansicht der weiteren Elektrode 30'' entlang der Schnittrichtung A-B gemäß 1. Hier ist die sich entlang der X-Richtung 101 bzw. weiteren Elektrodenhaupterstreckungsrichtung erstreckende weitere Elektrode 30" mit der weiteren Elektrodenhaupterstreckungsebene 300" dargestellt. Die weitere Elektrodenhaupterstreckungsebene 300" ist bevorzugt senkrecht zur Substrathaupterstreckungsebene 100 angeordnet, wobei die weitere Elektrodenhaupterstreckungsrichtung parallel zur X-Richtung 101 angeordnet ist. Die weitere Elektrode 30" ist mit der Inertialstruktur 40 fest verbunden und entlang der Schwingungsrichtung 102 (siehe 1) auslenkbar. Die weitere Elektrode 30" ist weder mit dem Substrat 10 noch mit dem Leitungselement 20 oder dem weiteren Leitungselement 20' verbunden. Das Leitungselement 20 ist bevorzugt auf dem Substrat 10 mittels eines Verbindungsmittels, insbesondere eines Oxids, insbesondere einer 0.5 bis 3 Mikrometer in Normalrichtung 103 ausgedehnten Oxidschicht, verbunden. Entsprechend ist bevorzugt das weitere Leitungselement 20' über ein weiteres, insbesondere als weiteres Oxid ausgebildetes, Verbindungsmittel 21' mit dem Substrat 10 verbunden. Hierbei sind insbesondere das Leitungselement 20 und das weitere Leitungselement 20' elektrisch voneinander isoliert. 3 zeigt eine Schnittbildansicht der Elektrode 30 entlang der Schnittrichtung C-D gemäß 1. Die Elektrode 30 weist hier eine Elektrodenhaupterstreckungsebene 300 parallel zur weiteren Elektrodenhaupterstreckungsebene 300" und/oder senkrecht zur Substrathaupterstreckungsebene 100 auf. Die Elektrode ist hier im Wesentlichen in gleicher Weise wie die weitere Elektrode 30" ausgebildet. Der Unterschied besteht hier in dem elektrisch leitfähigen Elektrodenkontaktelement 31, über welches die Elektrode 30 elektrisch leitfähig mit dem Leitungselement 20, und insbesondere ortsfest und/oder lagefest, mit dem Substrat 10 verbunden ist. Eine (nicht in einer Schnittbildansicht dargestellte) in 1 dargestellte Differenzelektrode 30' ist beispielsweise gleichartig ausgebildet wie die Elektrode 30, außer, dass die Differenzelektrode 30' nicht mit dem Leitungselement 20, sondern nur mit dem weiteren Leitungselement 20' elektrisch leitfähig verbunden ist.
  • In 4 ist eine Draufsicht eines Mikrostrukturbauelements 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Das Mikrostrukturbauelement 1 entspricht im Wesentlichen der in 1 dargestellten Ausführungsform, wobei der Unterschied darin besteht, dass die Elektrode 30, die Differenzelektrode 30' und/oder die weitere Elektrode 30" jeweils mehrere Strömungskanäle 33, 33' (siehe auch 18) aufweisen. Hier sind mehrere Strömungskanäle 33, 33' entlang der zur X-Richtung 101 parallelen Elektrodenhaupterstreckungsrichtung 301 angeordnet, wobei die Elektrodenhaupterstreckungsrichtungen der Elektrode 30, der Differenzelektrode 30' und der weiteren Elektrode 30" zusammenfassend als die Elektrodenhaupterstreckungsrichtung 301 bezeichnet werden, welche allesamt parallel zueinander angeordnet sind. Insbesondere weisen die Elektrode 30, die Differenzelektrode 30' und/oder die weitere Elektrode eine Mehrzahl von durch die Strömungskanäle 33, 33' voneinander beabstandete Elektrodensegmente 32 auf, welche auch Teilelektroden 32 genannt werden, auf. Hierbei ist es vorteilhaft möglich, dass die Gasmoleküle, welche auf Grund der Quetschfilmdämpfung austreten, während der Bewegung der weiteren Elektrode 30" relativ zum Substrat durch die Strömungskanäle 33, 33' geleitet werden. Hierbei wird besonders vorteilhaft eine auf die weitere Elektrode 30'' wirkende, im Wesentlichen von der Quetschfilmdämpfung hervorgerufene Dämpfungskraft reduziert. Insbesondere sind eine Mehrzahl von Elektroden 30 über das Leitungselement 20 elektrisch leitfähig miteinander verbunden, eine Mehrzahl von Differenzelektroden 30' über das weitere Leitungselement 20' miteinander elektrisch leitfähig verbunden und eine Mehrzahl von weiteren Elektroden 30" über die Inertialstruktur 40 miteinander elektrisch leitfähig verbunden.
  • In 5 bis 9 sind Schnittbildansichten verschiedener Ausführungsformen einer Elektrode 30, 30', 30" gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt.
  • In 5 und 6 ist jeweils eine aus zwei Funktionsschichten 530, 530' ausgebildete Elektrode 30, 30' bzw. weitere Elektrode 30" dargestellt. Hier wird in einem ersten Herstellungsschritt ein Substrat 10 mit einer eine Substrathaupterstreckungsebene 100 aufweisenden Substratschicht 510 bereitgestellt. In einer zur Substrathaupterstreckungsebene 100 senkrechten Normalrichtung 103 wird hier in einem zweiten Herstellungsschritt eine weitere Funktionsschicht 530' angeordnet und anschließend auf der weiteren Funktionsschicht 530' eine Strukturierungsmaske 500, insbesondere eine Ätzstoppschicht 500, aufgebracht. In einem dritten Herstellungsschritt wird hier eine Funktionsschicht 530 in Normalrichtung 103 über der weiteren Funktionsschicht 530' angeordnet, so dass insbesondere die Strukturierungsmaske 500 zwischen der Funktionsschicht 530 und der weiteren Funktionsschicht 530' angeordnet ist. Insbesondere wird auf der Funktionsschicht 530 eine weitere Strukturierungsmaske (nicht dargestellt) aufgebracht. Anschließend werden in einem vierten Herstellungsschritt eine Elektrode 30, 30' und eine weitere Elektrode 30" aus einer die Funktionsschicht 530 und die weitere Funktionsschicht 530' bildenden Funktionsschichteinheit 530, 530' in Abhängigkeit der weiteren Strukturierungsmaske ausgebildet. Insbesondere wird weiterhin in der Elektrode 30, 30' ein Strömungskanal 33 in Abhängigkeit der weiteren Strukturierungsmaske ausgebildet, wobei eine Kanaltiefe 333 des Strömungskanals 33 in Abhängigkeit der Strukturierungsmaske 500 ausgebildet wird. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, eine Elektrode 30, 30' mit einem Träger 34 und darauf angeordneten Teilelektroden 32 und/oder Strömungskanälen 33 mit einer Kanaltiefe gleich einer Funktionsschichtdicke 323 der Funktionsschicht 530 bereitzustellen. Hierdurch wird insbesondere eine solche Elektrode 30, 30" bzw. weitere Elektrode 30" mit vergleichsweise geringen Fertigungstoleranzen bereitgestellt.
  • 5 zeigt die weitere Elektrode 30", welche im Wesentlichen der in 2 dargestellten Ausführungsform entspricht, mit dem Unterschied, dass die weitere Elektrode 30" hier aus einer Funktionsschicht mit einer Funktionsschichtdicke 323 und aus einer weiteren Funktionsschicht 530' mit einer weiteren Funktionsschichtdicke 343 ausgebildet ist. Insbesondere weist hierbei die weitere Elektrode 30" eine oder mehrere weitere Teilelektroden 32" oder weitere Elektrodensegmente 32" auf, welche auf einem gemeinsamen weiteren Träger 34" angeordnet sind. Insbesondere ist die weitere Teilelektrode 32" aus der Funktionsschicht ausgebildet und weist als Teilelektrodenhöhe 323 die Funktionsschichtdicke 323 auf und der weitere Träger 34" ist insbesondere aus der weiteren Funktionsschicht ausgebildet und weist als Trägerhöhe 343 die weitere Funktionsschichtdicke 343 auf. Insbesondere ist die weitere Elektrodenhöhe 303 hier gleich der Summe aus weiterer Teilelektrodenhöhe 323 und Trägerhöhe 343. Bevorzugt beträgt die Elektrodenhöhe 303 zwischen 10 und 60 Mikrometer, wobei insbesondere die Längen der Elektroden 30, 30', 30" parallel zur X-Richtung 101 jeweils mehr als 100 Mikrometer betragen.
  • 6 zeigt die Elektrode 30, welche im Wesentlichen der in 3 dargestellten Ausführungsform der Elektrode 30 entspricht, mit dem Unterschied, dass die Elektrode 30 mehrere entlang der Elektrodenhaupterstreckungsrichtung 301 angeordnete Strömungskanäle 33 aufweist und eine Mehrzahl von Teilelektroden 32 entlang der Elektrodenhaupterstreckungsrichtung 301 auf einem gemeinsamen Träger 34 angeordnet sind. Entsprechend der in 5 dargestellten weiteren Elektrode 30" ist der Träger aus der weiteren Funktionsschicht 530' ausgebildet und weist als Trägerhöhe 343 die weitere Funktionsschichtdicke 343 auf, wobei die Teilelektroden 32 aus der Funktionsschicht 530 ausgebildet sind und als Teilelektrodenhöhe 323 jeweils die Funktionsschichtdicke 323 aufweisen. Die Elektrodenhöhe 303 entspricht hier der Elektrodenhöhe der in 5 dargestellten weiteren Elektrode 30". Die Strömungskanäle 33 sind entlang der Elektrodenhaupterstreckungsrichtung 301 mit einem Kanalabstand 321, bevorzugt zwischen 5 und 30 Mikrometern, voneinander beabstandet, wobei jeder Strömungskanal 33 insbesondere eine sich parallel zur Elektrodenhaupterstreckungsrichtung 301 erstreckende Kanalbreite 331, bevorzugt zwischen 1 und 5 Mikrometern, aufweist. Die Strömungskanäle 33 weisen weiterhin in Z-Richtung 103 bzw. Normalrichtung 103 eine Kanaltiefe 333 auf, welche hier im Wesentlichen gleich der Teilelektrodenhöhe 323 oder Funktionsschichtdicke 323 ist. Die Teilelektroden 32 sind insbesondere über den elektrisch leitfähigen Träger 34 miteinander elektrisch leitfähig verbunden, wobei der Träger 34 elektrisch leitfähig über das Elektrodenkontaktelement 31 mit dem Leitungselement 20 verbunden ist. Die Funktionsschichtdicke 323 beträgt insbesondere ungefähr 5 bis 50 Mikrometer, wobei die weitere Funktionsschichtdicke 343 insbesondere ungefähr 1 bis 20 Mikrometer beträgt
  • 7 zeigt die im zweiten Herstellungsschritt aus der Funktionsschicht 530 hergestellte Elektrode 30 und Inertialstruktur 40 mit der ersten Strukturtiefe 303', wobei sich die erste Strukturtiefe 303' in Abhängigkeit der Dauer des ersten Zeitintervalls ergibt. Die Funktionsschicht 530 ist insbesondere über die Leitungsschicht 520, in der das Leitungselement 20 und das weitere Leitungselement 20' angeordnet ist, mit dem die Substratschicht 510 aufweisenden Substrat 10 verbunden. Bevorzugt beträgt die Ausdehnung der Leitungsschicht 520 in Normalrichtung zwischen 0.2 und 1 Mikrometer, Insbesondere beträgt die erste Strukturtiefe 303' weniger als 50%, bevorzugt weniger als 30%, der Elektrodenhöhe 303, welche hier die Funktionsschichtdicke 323 ist. 8 zeigt die in 7 dargestellte Elektrode 30 und Inertialstruktur 40 in Schnittbildansicht nach dem dritten Herstellungsschritt. Hier sind die Strömungskanäle 33 in der Elektrode 30 ausgebildet, wobei die Strömungskanäle 33 die Kanaltiefe 333 aufweisen, wobei die Kanaltiefe 333 einer zweiten Strukturtiefe 303" entspricht. Die zweite Strukturtiefe 303" ergibt sich in Abhängigkeit der Dauer des zweiten Zeitintervalls. Weiterhin sind die Teilelektroden 32 nach dem dritten Herstellungsschritt ausgebildet. Hier ist die Elektrode 30 insbesondere einstückig ausgebildet, wobei die Kanaltiefe 333 kleiner als die Elektrodenhöhe 303 ist. Die Inertialstruktur 40 ist hier vollständig freigestellt.
  • 9 zeigt eine weitere Ausführungsform der Elektrode 30 gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Ausführungsform entspricht im Wesentlichen den bereits beschriebenen Ausführungsformen der 1 bis 8 mit dem Unterschied, dass die Kanaltiefe 333 hier der Elektrodenhöhe 303 entspricht, sodass insbesondere mehrere separat auf dem Substrat 10 befestigte Teilelektroden 32 aus der Elektrode 30 ausgebildet sind. Jede der Teilelektroden 32 ist über das Elektrodenkontaktelement 31 mit dem Leitungselement 20 elektrisch leitfähig mit den anderen Teilelektroden 32 verbunden. Die Leitungselemente 20, 20', hier Leiterbahnen 20, 20', sind gegen einen Gasphasenätzangriff mittels eines Isoliermittels 22 geschützt und bevorzugt zwischen 2 und 10 Mikrometer breit ausgeführt. Das Isoliermittel ist insbesondere eine Siliziumnitridschicht, beispielsweise Si3N4. Bevorzugt wird das Isoliermittel 22 an den parallel zur Substrathaupterstreckungsebene 100 angeordneten Stellen der Elektrodenkontaktmittel 31 in Normalrichtung 103 geöffnet, an denen jeweils ein Elektrodenkontaktmittel 31 der Teilelektroden 32 angeordnet ist. Insbesondere ist das Isoliermittel im Bereich der Kanten und/oder der nicht mit Elektrodenkontaktmittel 31, 31' verbundenen Stellen aufgebracht bzw. nicht parallel zur Normalrichtung 103 geöffnet.
  • In 10 bis 15 sind Schnittbildansichten eines Mikrostrukturbauelements 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Hier ist ein Herstellungsverfahren zur Herstellung eines entlang der Normalrichtung 103 einen Schichtaufbau aufweisenden Mikrostrukturbauelements 1 dargestellt. Der Schichtaufbau umfasst eine Substratschicht 510 eines Substrats 10 und eine in einem ersten Herstellungsschritt in Normalrichtung 103 auf dem Substrat 10 angeordnetes weiteres Substrat 10' einer Leitungsschicht 520, welche insbesondere mit der Substratschicht 510 verbunden wird. In der Leitungsschicht 520 wird insbesondere ein aus einem vorstrukturierten Wafer (CMOS Wafer) mit einer Auswerteschaltung, ausgebildeter integrierter Schaltkreis angeordnet, wobei in der Substratschicht 10' insbesondere die Leitungselemente 20, 20', 20" und/oder eine Leitungsstruktur 23 zur elektrisch leitfähigen Verbindung jeweils von Teilen der Leitungselemente 20, 20', 20" angeordnet werden. Insbesondere wird anschließend ein Oxid auf dem weiteren Substrat 10' abgeschieden, insbesondere ein Oxid-Nitrid Stapel. In einem zweiten Herstellungsschritt wird eine Funktionsschicht 530 in Normalrichtung 103 über der Leitungsschicht angeordnet. Insbesondere wird die Funktionsschicht 530 als ein unstrukturierter Mikroelektromechanischer (MEMS)-Wafer bereitgestellt, welcher mittels eines Direktbondverfahrens auf den vorstrukturierten Oxid-Nitrid-Stapel gebondet wird. Bevorzugt wird der MEMS-Wafer anschließend auf eine Zieldicke in Normalrichtung 103 von 10 bis 80 Mikrometer, bevorzugt 30 Mikrometer geschliffen. Bevorzugt werden in einem dritten Herstellungsschritt Elektrodenkontaktelemente 31 zur Kontaktierung der Funktionsschicht 530 mit den Leitungselementen 20, 20', 20" der weiteren Substratschicht 10' ausgebildet, wobei insbesondere ein erster Trench 31 zum Anlegen von als Kontaktlöcher 31 ausgebildeten Elektrodenkontaktmitteln 31 zwischen MEMS-Wafer und integrierten Schaltkreis angeordnet werden. Bevorzugt wird in dem ersten Trench 31 ein Metall, insbesondere Wolfram, abgeschieden, um insbesondere einen elektrisch leitfähigen Kontakt zwischen dem MEMS und einer Leiterbahn 20 des weiteren Substrats 10' herzustellen, wobei die Verfüllung insbesondere vollständig oder teilweise erfolgt. Bevorzugt wird eine Wolframschicht auf einer zur Substrathaupterstreckungsebene 100 parallelen Oberfläche der Funktionsschicht 530 strukturiert und/oder angeordnet. In einem vierten Herstellungsschritt wird eine Elektrodenstruktur 30, 30', 30", 40, insbesondere umfassend eine Elektrode 30, eine Differenzelektrode 30', eine weitere Elektrode 30" und/oder eine Inertialstruktur 40, in der Funktionsschicht 530 freigestellt. Hierbei wird insbesondere ein zweiter Trench zur Strukturierung der MEMS-Schicht bzw. Elektrodenstruktur erzeugt, wobei die Elektrodenstruktur freigestellt und getrennte Bereiche elektrisch isoliert werden. In einem fünften Herstellungsschritt wird insbesondere ein Abdeckelement auf der Leitungsschicht angebracht. Bevorzugt wird eine aus einem Kappenwafer ausgebildete Kappe 50 auf der Leitungsschicht 520 bzw. dem integrierten Schaltkreis aufweisenden (ASIC-)Wafer oder auf dem MEMS-Wafer, insbesondere mittels eutektischem Bonden, beispielsweise mit Aluminium auf dem ASIC-Wafer und Germanium auf dem Kappenwafer, gebondet. Bevorzugt wird in einem von dem Abdeckelement 50 und dem weiteren Substrat 10' hermetisch abgedichteten, eingeschlossenen Hohlraum die Elektrodenstruktur 30, 30', 30", 40 angeordnet. Bevorzugt wird in dem Hohlraum ein niedriger Druck von beispielsweise 0.3 bis 3 Millibar erzeugt. 15 zeigt das in 14 dargestellte Mikrostrukturelement 1 in räumlicher Schnittbildansicht. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, sehr kleine Kontaktlöcher 31 bzw. Elektrodenkontaktmittel 31 mit den Leitungselementen 20, 20' zu verbinden, wobei die Leitungselemente 20, 20' innerhalb des integrierten Schaltkreises besonders einfach und auf flexible Weise strukturiert werden können.
  • In 16 bis 17 sind Schnittbildansichten verschiedener Ausführungsformen einer Elektrode 30, 30', 30" gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Elektrode 30 entspricht im Wesentlichen der in 9 beschriebenen Ausführungsform, wobei der Unterschied darin besteht, dass die Teilelektroden 32 auf einem weiteren Substrat 10' mit einem integrierten Schaltkreis angeordnet sind. Insbesondere sind die Leitungselemente 20, 20' in dem integrierten Schaltkreis angeordnet. Die Teilelektroden 32 sind über als Wolfram-Plugs ausgebildete Elektrodenkontaktmittel 31 elektrisch leitfähig miteinander verbunden, wobei die Wolfram-Plugs insbesondere mittels Auffüllen eines Leitungskanals 31" mit einem elektrisch leitfähigen Material erzeugt werden.
  • In 18 und 19 sind Draufsichten verschiedener Ausführungsformen einer Anordnung der Strömungskanäle 33, 33" einer Elektrode 30, 30', 30'' gemäß der vorliegenden Erfindung dargestellt. Der Strömungskanal 33 und der weitere Strömungskanal 33" sind hier in eine entlang der Schwingungsrichtung 102 verlaufende Projektionsrichtung 102 in einer Reihe hintereinander (18) oder versetzt nebeneinander (19) angeordnet.

Claims (12)

  1. Mikrostrukturbauelement (1), insbesondere zum Erfassen von Beschleunigungen und/oder Drehraten, mit einem eine Substrathaupterstreckungsebene (100) aufweisenden Substrat (10), einer Elektrode (30, 30') und einer weiteren Elektrode (30"), wobei die Elektrode (30, 30') eine Elektrodenhaupterstreckungsebene (300) und die weitere Elektrode (30") eine weitere Elektrodenhaupterstreckungsebene (300") aufweist, wobei die Elektrodenhaupterstreckungsebene (300) parallel zu einer zur Substrathaupterstreckungsebene (100) senkrechten Normalrichtung (103) angeordnet ist, wobei die weitere Elektrodenhaupterstreckungsebene (300") parallel zur Normalrichtung (103) angeordnet ist, wobei die Elektrode (30, 30') eine sich in die Normalrichtung (103) erstreckende Elektrodenhöhe (303) aufweist, wobei die Elektrode (30, 30') einen sich parallel zur Substrathaupterstreckungsebene (100) vollständig durch die Elektrode (30, 30') hindurch erstreckenden Strömungskanal (33) aufweist, wobei der Strömungskanal (33) eine sich parallel zur Normalrichtung (103) erstreckende Kanaltiefe (333) aufweist, wobei die Kanaltiefe (333) kleiner ist als die Elektrodenhöhe (303), wobei die Elektrode (30, 30') eine Elektrodenhaupterstreckungsrichtung (301) parallel zur Elektrodenhaupterstreckungsebene (300) und parallel zur Substrathaupterstreckungsebene (100) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode (30, 30') mehrere entlang der Elektrodenhaupterstreckungsrichtung (301) angeordnete Strömungskanäle (33) aufweist, wobei die Elektrode (30, 30') eine Mehrzahl von durch die mehreren Strömungskanäle (33) voneinander beabstandete Teilelektroden (32) aufweist, wobei die Teilelektroden (32) auf einem gemeinsamen Träger (34) angeordnet sind.
  2. Mikrostrukturbauelement (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kanaltiefe (333) zwischen 60% und 95%, bevorzugt zwischen 70% und 90%, ganz besonders bevorzugt ungefähr 80% der Elektrodenhöhe (303) beträgt.
  3. Mikrostrukturbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mehreren Strömungskanäle (33) einen Kanalabstand (321) aufweisen, wobei insbesondere der Kanalabstand (321) kleiner als die Elektrodenhöhe (303) ist.
  4. Mikrostrukturbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode (30, 30') aus einer Funktionsschicht (530) ausgebildet ist, wobei der Träger (34) insbesondere aus einer mit der Funktionsschicht (530) verbundenen weiteren Funktionsschicht (530') ausgebildet ist.
  5. Mikrostrukturbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Teilelektroden (32) über den Träger (34) elektrisch leitfähig miteinander verbunden sind, wobei der Träger (34) über, insbesondere genau, ein Elektrodenkontaktelement (31, 31'), mit einem Leitungsmittel (20) elektrisch leitfähig verbunden ist, wobei das Leitungsmittel (20) auf dem Substrat (10) angeordnet ist oder in einem mit dem Substrat (10) verbundenen weiteren Substrat (10') angeordnet ist, wobei das weitere Substrat (10') insbesondere einen integrierten Schaltkreis (10') umfasst.
  6. Mikrostrukturbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode (30, 30') relativ zum Substrat (10) ortsfest angeordnet ist, wobei die weitere Elektrode (30") relativ zum Substrat (10) zu einer Bewegung entlang einer Schwingungsrichtung (102) auslenkbar ist, wobei die Schwingungsrichtung (102) insbesondere zur Substrathaupterstreckungsebene (100) parallel angeordnet ist, wobei die Schwingungsrichtung insbesondere zur Elektrodenhaupterstreckungsebene (300) und/oder zur weiteren Elektrodenhaupterstreckungsebene (300') senkrecht angeordnet ist.
  7. Mikrostrukturbauelement (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die weitere Elektrode (30") parallel zur Normalrichtung (103) die Elektrodenhöhe (303) aufweist, wobei die weitere Elektrode (30") einen sich parallel zur Substrathaupterstreckungsebene (100) vollständig durch die weitere Elektrode (30") hindurch erstreckenden weiteren Strömungskanal (33") aufweist, wobei der weitere Strömungskanal (33") eine sich parallel zur Normalrichtung (103) erstreckende weitere Kanaltiefe aufweist, wobei die weitere Kanaltiefe kleiner ist als die Elektrodenhöhe (303), wobei insbesondere der Strömungskanal (33) und der weitere Strömungskanal (33") in eine entlang der Schwingungsrichtung (102) verlaufende Projektionsrichtung (102) in einer Reihe hintereinander oder versetzt nebeneinander angeordnet sind.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, insbesondere zum Erfassen von Beschleunigungen und/oder Drehraten, wobei in einem ersten Herstellungsschritt ein Substrat (10) mit einer eine Substrathaupterstreckungsebene (100) aufweisenden Substratschicht (510) bereitgestellt wird, wobei in einem zweiten Herstellungsschritt eine Funktionsschicht (530) in einer zur Substrathaupterstreckungsebene (100) senkrechten Normalrichtung (103) über der Substratschicht (510) angeordnet wird, wobei eine erste Strukturierungsmaske auf der Funktionsschicht (530) aufgebracht wird, wobei auf der Funktionsschicht (530) in Normalrichtung (103) über der ersten Strukturierungsmaske eine zweite Strukturierungsmaske aufgebracht wird, wobei während eines ersten Zeitintervalls die Elektrode (30, 30') und die weitere Elektrode (30") aus der Funktionsschicht (530) in Abhängigkeit der zweiten Strukturierungsmaske ausgebildet wird, wobei anschließend die zweite Strukturierungsmaske entfernt wird, wobei in einem dritten Herstellungsschritt während eines dem ersten Zeitintervall nachfolgenden zweiten Zeitintervalls die Strömungskanäle (33) aus der Elektrode (30, 30') in Abhängigkeit der ersten Strukturierungsmaske ausgebildet werden.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass im zweiten Herstellungsschritt aus der Funktionsschicht (530) in Abhängigkeit der zweiten Strukturierungsmaske die Elektrode mit einer Elektrodenhaupterstreckungsebene (300) und die weitere Elektrode mit einer weiteren Elektrodenhaupterstreckungsebene (300") ausgebildet werden, wobei die Elektrodenhaupterstreckungsebene (300) parallel zur Normalrichtung (103) angeordnet wird, wobei die weitere Elektrodenhaupterstreckungsebene (300") parallel zur Normalrichtung (103) angeordnet wird, wobei an der Elektrode (30, 30') eine sich in die Normalrichtung (103) erstreckende Elektrodenhöhe (303) ausgebildet wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass im dritten Herstellungsschritt aus der Elektrode (30, 30') in Abhängigkeit der ersten Strukturierungsmaske ein sich parallel zur Substrathaupterstreckungsebene (100) vollständig durch die Elektrode (30, 30') hindurch erstreckender Strömungskanal (33) mit einer sich parallel zur Normalrichtung (103) erstreckenden Kanaltiefe (333) ausgebildet wird, wobei die Kanaltiefe (333) in Abhängigkeit des zweiten Zeitintervalls kleiner als die Elektrodenhöhe (303) ausgebildet wird.
  11. Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, insbesondere zum Erfassen von Beschleunigungen und/oder Drehraten, mit einem Schichtaufbau umfassend eine Substratschicht (510), eine Funktionsschicht (530) und eine weitere Funktionsschicht (530'), wobei in einem ersten Herstellungsschritt ein Substrat (10) mit der eine Substrathaupterstreckungsebene (100) aufweisenden Substratschicht (510) bereitgestellt wird, wobei in einem zweiten Herstellungsschritt die weitere Funktionsschicht (530') in einer zur Substrathaupterstreckungsebene (100) senkrechten Normalrichtung (103) über der Substratschicht (510) angeordnet wird, wobei eine Strukturierungsmaske (500) auf der Funktionsschicht (530) aufgebracht wird, wobei in einem dritten Herstellungsschritt die Funktionsschicht (530) in Normalrichtung (103) über der weiteren Funktionsschicht (530') angeordnet wird, wobei in einem vierten Herstellungsschritt die Elektrode (30, 30') und die weitere Elektrode (30") aus der Funktionsschicht (530) und der weiteren Funktionsschicht (530') ausgebildet werden, wobei die Strömungskanäle (33) mit einer sich parallel zur Normalrichtung (103) erstreckenden Kanaltiefe (333) aus der Elektrode (30, 30') in Abhängigkeit der Strukturierungsmaske (500) ausgebildet werden.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass im dritten Herstellungsschritt die Funktionsschicht (530) mit einer Funktionsschichtdicke (323) bereitgestellt wird, wobei im vierten Herstellungsschritt der Strömungskanal (33) mit der Kanaltiefe (333) gleich der Funktionsschichtdicke (323) ausgebildet wird.
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