KR20130022380A

KR20130022380A - 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20130022380A
Application number: KR1020120092212A
Authority: KR
Inventors: 유카 야마자키; 도모타케 나시키; 히데오 스가와라
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2011-08-24
Filing date: 2012-08-23
Publication date: 2013-03-06
Also published as: JP2013043372A; CN102956287A; CN102956287B; TW201320109A; KR101318499B1; TWI545593B; US20130048348A1; US9588606B2; JP5833863B2; US20170137927A1

Abstract

가요성 투명 기재 상에 결정성의 투명 도전체층을 갖는 투명 도전성 필름에 있어서, 투명 도전체층이 패턴화된 경우에도, 터치 패널 등에 조립해 넣었을 때, 패턴 개구부와 패턴 형성부의 경계가 시인되는 것에 의한 겉보기의 저하를 억제한다.
가요성 투명 기재의 일방의 면에 결정성 도전성 금속 산화물로 이루어지는 투명 도전체층이 형성된 투명 도전성 필름으로서, 가요성 투명 기재의 두께는 80 ㎛ 이하이다. 본 발명의 투명 도전성 필름은 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 치수 변화율 (H₁) 과, 투명 도전성 필름으로부터 투명 도전체층을 에칭에 의해 제거한 것을 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 치수 변화율 (H₂) 의 차 (H₁ - H₂) 가 -0.02 ％～ 0.043 ％ 이다. 그 때문에, 터치 패널 등에 포함시켰을 때의 패턴 경계에서의 단차가 저감되어 겉보기의 저하가 억제된다.

Description

투명 도전성 필름 및 그 제조 방법{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은, 가요성 (可撓性) 투명 기재의 일방의 면에 투명 도전체층을 갖는 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

종래, 터치 패널 등에 사용되는 투명 도전성 필름으로서, 투명 필름 등의 가요성 투명 기재에, ITO 등의 도전성 금속 산화물로 이루어지는 투명 도전체층이 적층된 것이 알려져 있다. 최근, 다점 입력 (멀티 터치) 이 가능한 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널이나, 매트릭스형의 저항막 방식 터치 패널이 각광을 받고 있는데, 이들 터치 패널에서는 투명 도전성 필름의 투명 도전체층이 소정 형상 (예를 들어, 스트라이프상) 으로 패턴화되어 있다. 이와 같은 투명 도전성 필름은 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖는 패턴 형성부와, 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖지 않는 패턴 개구부를 가지고 있다.

투명 도전체층이 패턴화되어 있는 경우, 투명 도전체층이 형성되어 있는 부분 (패턴 형성부) 과 투명 도전체층이 형성되어 있지 않은 부분 (패턴 개구부) 사이의 반사율차에 기인하여 패턴이 시인되어, 표시 소자로서 보기에 좋지 않은 경우가 있다. 이와 같은 투명 도전체층의 유무에 의한 시인성의 상위 (相違) 를 억제하는 관점에서, 필름 기재와 투명 도전체층 사이에 복수의 유전체층을 언더 코트층으로서 형성하고, 유전체층의 굴절률 등을 소정 범위로 조정하는 것이 제안되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 ～ 4).

일본 공개특허공보 2010-15861호 일본 공개특허공보 2008-98169호 일본 특허 제4364938호 명세서 일본 공개특허공보 2009-76432호

상기와 같이, 투명 도전체층이 패턴화되어 있는 경우에는, 그 경계가 잘 시인되지 않는 것이 요구되지만, 이에 더하여, 표시 장치의 경량화나 박형화의 관점에서, 터치 패널 등에 사용되는 투명 도전성 필름의 박형화가 요구되고 있다. 투명 도전성 필름의 두께를 작게 하기 위해서는, 그 두께의 대부분을 차지하는 필름 기재의 두께를 작게 하는 것이 필요하다. 그러나, 본 발명자들이 검토한 결과, 필름 기재의 두께를 작게 하면, 기재와 투명 도전체층 사이에 유전체층이 형성되어 있어도, 투명 도전성 필름을 터치 패널에 조립해 넣을 때, 투명 도전체층의 패턴 경계가 시인되기 쉬워, 보기에 좋지 않은 경우가 있는 것이 판명되었다. 특히, 투명 도전체층의 도전성 금속 산화물이 결정성인 경우에는, 패턴 형성부와 패턴 개구부의 경계가 시인되기 쉬운 경향이 있었다.

상기를 감안하여, 본 발명은, 기재의 두께가 80 ㎛ 이하로 작은 경우에도, 터치 패널에 조립해 넣을 때, 투명 도전체층의 패턴이 시인되지 않는 투명 도전성 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 감안하여 본 발명자들이 검토한 결과, 투명 도전성 필름을 가열했을 때의 패턴 형성부와 패턴 개구부의 치수 변화율의 차를 작게 함으로써, 투명 도전체층의 패턴이 시인되지 않게 되는 것을 알아내어, 본 발명에 이르렀다.

본 발명은, 가요성 투명 기재, 및 상기 가요성 투명 기재의 일방의 면에 형성된 결정성 도전성 금속 산화물로 이루어지는 투명 도전체층을 갖는 투명 도전성 필름에 관한 것이다. 가요성 투명 기재의 두께는 80 ㎛ 이하이다. 본 발명에 있어서, 투명 도전성 필름을 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 치수 변화율 (H₁) 과, 그 투명 도전성 필름으로부터 투명 도전체층을 에칭에 의해 제거한 것을 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 치수 변화율 (H₂) 의 차 (H_l - H₂) 는 -0.02 ％～ 0.043 ％ 이다.

또한, 본 발명의 일 실시형태는, 상기 투명 도전성 필름의 투명 도전체층을 패턴화시킴으로써 얻어질 수 있는 투명 도전성 필름에 관한 것이다. 당해 실시형태에 있어서, 투명 도전체층은 패턴화되어 있고, 투명 도전성 필름은 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖는 패턴 형성부와, 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖지 않는 패턴 개구부를 갖는다. 이 투명 도전성 필름을 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 패턴 형성부의 치수 변화율 (h₁) 과 패턴 개구부의 치수 변화율 (h₂) 의 차 (h_l - h₂) 는 -0.02 ％～ 0.043 ％ 인 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 투명 도전체층은 결정성의 주석 도프 산화 인듐으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또, 패턴 형성부와 패턴 개구부의 반사율차를 저감시켜서, 투명 도전체층의 패턴을 잘 시인되지 않게 하는 관점에 있어서, 가요성 투명 기재는 투명 필름 기재의 투명 도전체층이 형성되어 있는 측의 면 적어도 1 층의 언더 코트층을 갖는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은 상기 투명 도전성 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조 방법의 일 실시형태는, 기재 준비 공정, 제막 공정, 및 열처리 공정을 갖는다. 기재 준비 공정은 가요성 투명 기재를 준비하는 공정이다. 제막 공정은 가요성 투명 기재 상에, 아몰퍼스의 도전성 금속 산화물로 이루어지는 아몰퍼스 투명 도전체층을 형성하는 공정이다. 열처리 공정은 아몰퍼스 투명 도전체층을 가열하여, 결정성의 투명 도전체층으로 전화시키는 공정이다. 본 발명의 제조 방법에 있어서는, 열처리 공정에 있어서의 가열 온도 70 ℃ ～ 140 ℃ 인 것이 바람직하다. 또, 열처리 공정에 있어서의 치수 변화율은 0 ％～ -0.34 ％ 인 것이 바람직하다.

또, 본 발명은 추가로, 투명 도전체층을 패턴화하여, 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖는 패턴 형성부와, 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖지 않는 패턴 개구부를 갖는 투명 도전성 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 패턴화는 결정성의 투명 도전체층의 일부를 에칭에 의해 제거함으로써 실시할 수 있다.

본 발명의 투명 도전성 필름은, 투명 도전체층이 형성되어 있는 상태에서의 가열 치수 변화율과, 투명 도전체층을 제거한 후의 가열 치수 변화율의 차가 작다. 그 때문에, 투명 도전체층을 패턴화했을 경우에 있어서의 패턴 형성부와 패턴 개구부의 가열 치수 변화율의 차의 절대치가 작아진다. 이와 같은 투명 도전성 필름은, 투명 도전체층을 패턴화 후에, 에천트를 수세한 후의 건조나, 패턴 배선 형성을 위해서 가열된 경우에도, 투명 도전체층과 기재의 계면에 생기는 응력이 작으므로 필름에 굴곡이 잘 생기지 않는다. 따라서, 투명 도전성 필름을 유리판 등의 강성의 기체와 첩합 (貼合) 시켜서 터치 패널 등을 형성한 경우에 있어서, 패턴 경계에서의 단차가 저감되어, 패턴 경계가 시인되는 것으로 인한 겉보기의 저하가 억제된다.

도 1 은 투명 도전성 필름의 일 형태를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 2 는 투명 도전체층이 패턴화된 투명 도전성 필름의 모식적 단면도이다.
도 3 은 점착제층이 부착된 투명 도전성 필름의 일 형태를 나타내는 단면도이다.
도 4 는 투명 도전성 필름을 다른 기체와 첩합시킨 형태를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 5 는 투명 도전체층이 패턴화된 투명 도전성 필름의 일 형태를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 6 은 패턴 경계에 있어서의 표면 형상 (단차) 의 측정 결과의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7 은 투명 도전성 필름을 기체와 첩합시켰을 때에 패턴 경계에 단차가 생기는 것을 개념적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 8 은 실시예 및 비교예에 있어서의 (H_l - H₂) 의 값과 패턴 경계에 있어서의 단차의 관계를 플롯한 것이다.

도 2 는 패턴화된 투명 도전체층을 갖는 투명 도전성 필름의 일 형태를 나타내는 모식적 단면도이다. 도 2 에 나타내는 투명 도전성 필름 (101) 은, 가요성 투명 기재 (1) 의 일방의 편면에 패턴화된 투명 도전체층 (2) 을 가지고 있다. 가요성 투명 기재는, 투명 필름 기재 (11) 의 표면에 필요에 따라 언더 코트층 (12) 등이 형성된 것이다. 투명 도전성 필름 (101) 은, 투명 도전체층 (2) 이 형성되어 있는 패턴 형성부 (P) 와, 투명 도전체층이 형성되어 있지 않은 패턴 개구부 (O) 로 구성되어 있다. 도 3 은, 가요성 투명 기재 (1) 의 투명 도전체층 (2) 이 형성되어 있지 않은 측의 면에 점착제층 (3) 을 갖는, 점착제층이 부착된 투명 도전성 필름의 일 형태를 나타내는 모식적 단면도이다. 도 4 는, 이 점착제층 (3) 을 개재하여 투명 도전성 필름이 유리 등의 강성의 기체 (50) 에 첩합되어 있는 형태를 나타내는 모식적 단면도이다.

먼저, 상기와 같은 구성을 갖는 투명 도전성 필름에 있어서, 가요성 투명 기재 (1) 의 두께를 작게 한 경우, 투명 도전체층 (2) 의 패턴 경계가 시인되기 쉬워지는 원인에 대해 검토했다. 두께 23 ㎛ 의 PET 필름 기재 (11) 상에 언더 코트층 (12) 을 개재하여 패턴화된 결정성 ITO 로 이루어지는 투명 도전체층 (2) 이 형성된 투명 도전성 필름 (101) 을 점착제층 (3) 을 개재하여 유리판 (50) 에 첩합시킨 경우의, 투명 도전체층측의 표면 형상 프로파일의 일례를 도 6 에 나타낸다. 도 6 에 있어서는, 투명 도전체층이 형성되어 있는 패턴 형성부 (P) 와, 투명 도전체층이 형성되어 있지 않은 패턴 개구부 (O) 의 경계에서, 150 ㎚ 이상의 고저차 (단차) 가 생기고 있다. 이 예에 있어서, 패턴 경계에 있어서의 고저차는 투명 도전체층의 두께 (20 ㎚) 보다 훨씬 커, 이 단차가 패턴 경계를 시인되기 쉽게 하는 요인이라고 생각되었다.

이와 같이, 유리판에 첩합된 투명 도전성 필름의 패턴 경계에 있어서 큰 단차가 생기는 원인에 대해 더욱 검토한 결과, 유리판에 첩합되기 전의 투명 도전성 필름에는, 도 7(b) 에 개념적으로 나타내는 바와 같이, 패턴 형성부 (P) 의 투명 도전체층 (2) 형성면측을 볼록하게 해서 파상의 굴곡이 발생되어 있었다. 이와 같이 굴곡이 발생되어 있는 필름이 점착제층을 개재하여 평탄한 유리판에 첩합되면, 유리판 쪽이 필름보다 강성이 크기 때문에, 필름의 굴곡 자체는 거의 해소되어 평탄하게 된다. 한편으로, 투명 도전성 필름의 굴곡이 해소되어 평탄하게 될 때에는, 볼록상으로 만곡되어 있던 패턴 형성부 (P) 의 경계부에 변형이 집중되므로, 도 7(c) 에 개념적으로 나타내는 바와 같이, 투명 도전체층이 단부의 경계 부근에서 부풀어올라, 이것이 경계에 단차를 일으키는 원인이라고 추정된다. 또한, 도 4 및 도 7(c) 에 있어서는, 투명 도전성 필름 (100) 의 가요성 투명 기재 (1) 측이 점착제층 (3) 을 개재하여 강성의 기체 (50) 와 첩합된 형태가 도시되어 있지만, 투명 도전체층 (2) 측이 강성의 기체와 첩합된 경우에 있어서도 필름의 굴곡이 원인으로 패턴 경계에 단차가 생겨, 패턴 경계가 시인되기 쉬워지게 되어 있는 것으로 생각된다.

단차를 해소하여, 패턴 경계를 잘 시인되지 않게 하기 위해서는, 유리 등의 강성 기체에 첩합되기 전의 투명 도전성 필름의 굴곡을 해소시키는 것이 중요하다고 생각된다. 또한, 투명 도전성 필름에 굴곡이 생기는 원인에 대해 고찰한 결과, 투명 도전체층을 에칭 등에 의해 패턴화할 때, 및 에칭 후에 필름을 가열시켰을 때, 굴곡이 쉽게 생기기 쉬운 것이 판명되었다. 일반적으로, 투명 도전체층을 에칭에 의해 패턴화한 후에는, 에천트가 수세되고, 그 후에 가열 건조가 실시된다. 또, 투명 도전성 필름 상에는 IC 등과 투명 도전체층을 전기적으로 접속시키기 위해서 은페이스트 등에 의해 패턴 배선이 형성되는데, 이때에도 가열이 실시된다.

본 발명은 투명 도전체층의 패턴화나 가열시에 굴곡이 발생되는 것을 억제하면, 유리판 등의 강성 기체에 투명 도전성 필름이 첩합된 경우의 단차가 저감되어, 패턴 경계가 잘 시인되지 않게 된다는 추정 원리에 기초하여 이루어진 것이다. 그리고, 더욱 검토한 결과, 패턴 형성부와 패턴 개구부의 가열 치수 변화율이 대략 동등하면 굴곡의 발생이 억제되어, 유리 등과 첩합시킨 경우에도 패턴 경계가 잘 시인되지 않게 되는 것을 알아내었다. 바꾸어 말하면, 본 발명은, 기재 상에 투명 도전체층이 형성된 투명 도전성 필름 (패턴 형성부에 상당) 의 가열 치수 변화와, 당해 투명 도전성 필름으로부터 투명 도전체층을 제거했을 때 (패턴 개구부에 상당) 의 가열 치수 변화가 대략 동등하면, 패턴 경계가 잘 시인되지 않게 된다는 지견에 기초하여 이루어진 것이다.

이하에, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1 은 일 형태에 관계되는 투명 도전성 필름의 모식적 단면도이다. 도 1 에 있어서는, 투명 필름 기재 (11) 상에 언더 코트층 (12) 이 형성된 가요성 투명 기재 (1) 상에, 투명 도전체층 (2) 이 형성된 투명 도전성 필름 (100) 이 도시되어 있다. 도 1 에 있어서는, 가요성 투명 기재 (1) 로서 필름 기재 (11) 상에 언더 코트층 (12) 이 형성된 것이 도시되어 있지만, 가요성 투명 기재 (1) 는 언더 코트층을 갖고 있지 않아도 된다. 또, 필름 기재 (l1) 의 투명 도전체층 (2) 이 형성되어 있지 않은 측의 면에, 하드 코트층, 블로킹 방지층, 반사 방지층 등의 기능성층 (도시 생략) 이 형성되어 있어도 된다.

<가요성 투명 기재>

(필름 기재)

가요성 투명 기재 (1) 를 구성하는 투명 필름 기재 (11) 로서는 특별히 제한되지 않지만, 투명성을 갖는 각종 플라스틱 필름이 사용된다. 예를 들어, 그 재료로서, 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리올레핀계 수지, (메트)아크릴계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리아릴레이트계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서 특히 바람직한 것은, 폴리에스테르계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리올레핀계 수지이다.

투명 도전성 필름에 굴곡이나 단차를 잘 일으키지 않도록 하는 관점에서는, 기재 필름의 두께를 크게 하여 강성을 높이는 것이 바람직하지만, 박형화의 관점에서, 본 발명에 있어서의 기재 필름의 두께는 80 ㎛ 이하이다. 또한, 후술하는 바와 같이 필름 기재 (11) 상에 언더 코트층 등이 형성되어 있는 경우에도, 이들 층의 두께는 필름 기재에 비해 훨씬 작다. 그 때문에, 일반적으로 필름 기재 (11) 의 두께가 80 ㎛ 이하이면, 가요성 투명 기재의 두께도 80 ㎛ 이하가 된다.

박형화의 관점에서는 필름 기재의 두께는 작은 것이 바람직하지만, 두께가 과도하게 작으면 핸들링성이 떨어지는 등의 문제가 생기므로, 필름 기재의 두께는 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 필름 기재의 두께가 10～60 ㎛, 나아가서는 10～30 ㎛ 의 박형인 경우에 있어서도 본 발명은 바람직하다. 또, 필름 기재 (11) 를 상기 범위와 같이 얇게 하면, 투명 도전성 필름의 총 두께가 얇아지는 것에 더하여, 예를 들어, 투명 도전체층 (2) 을 스퍼터링법 등에 의해 형성할 때, 필름 기재의 내부로부터 발생하는 휘발 성분량이 적어지게 되어, 결과적으로 결함이 적은 투명 도전체층을 형성할 수 있다.

필름 기재는 가열시의 치수 안정성이 높은 것이 바람직하다. 일반적으로 플라스틱 필름은 가열에 의해 팽창이나 수축에 의한 치수 변화를 일으킨다. 이에 대해, 금속 산화물로 이루어지는 투명 도전체층은 치수 변화를 잘 일으키지 않으므로, 기재 필름에 치수 변화가 생기면, 가요성 투명 기재와 투명 도전체층의 계면에 변형이 생겨서, 이것이 굴곡을 발생시키는 원인이 된다. 따라서, 기재 필름은 열변형 온도가 높은 것이 바람직하다.

투명 필름 기재 (11) 는, 표면에 미리 스퍼터링, 코로나 방전, 화염, 자외선 조사, 전자선 조사, 화성, 산화 등의 에칭 처리나 하도 (下塗) 처리를 실시해도 된다. 이로써, 이 위에 형성되는 투명 도전체층 (2) 또는 언더 코트층 (12) 의 필름 기재 (11) 에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또, 투명 도전체층 (2) 또는 언더 코트층 (12) 을 형성하기 전에, 필요에 따라 필름 기재 표면을 용제 세정이나 초음파 세정 등에 의해 제진, 청정화해도 된다.

투명 필름 기재 (11) 는 그대로 가요성 투명 기재 (1) 로서 사용할 수도 있지만, 그 표면에 하드 코트층이나 블로킹 방지층을 형성한 것이어도 된다. 또, 투명 도전체층이 패턴화된 경우, 패턴 경계가 잘 시인되지 않게 한다는 관점에 있어서는, 투명 필름 기재 (11) 의 투명 도전체층 형성측 표면에 언더 코트층 (12) 이 형성되어 있는 것이 바람직하다.

(언더 코트층)

언더 코트층 (12) 은, 무기물, 유기물, 또는, 무기물과 유기물의 혼합물에 의해 형성할 수 있다. 예를 들어, 무기물로서, NaF (1.3), Na₃AlF₆ (1.35), LiF (1.36), MgF₂ (1.38), CaF₂ (1.4), BaF₂ (1.3), SiO₂ (1.46), LaF₃ (1.55), CeF₃ (1.63), A1₂O₃(1.63) 등의 무기물 [상기 각 재료의 괄호 내의 수치는 굴절률이다] 을 들 수 있다. 이들 중에서도, SiO₂, MgF₂, A1₂O₃ 등이 바람직하게 사용된다. 특히, SiO₂ 가 바람직하다. 상기 외에, 산화 인듐에 대해, 산화 세륨을 10～40 중량부 정도, 산화 주석을 0～20 중량부 정도 함유하는 복합 산화물을 사용할 수 있다.

상기 유기물로서는 아크릴 수지, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머, 유기 실란 축합물 등을 들 수 있다. 이들 유기물은 적어도 1 종이 사용된다. 특히, 유기물로서는, 멜라민 수지와 알키드 수지와 유기 실란 축합물의 혼합물로 이루어지는 열경화형 수지를 사용하는 것이 바람직하다.

언더 코트층 (12) 은 투명 필름 기재 (11) 와 투명 도전체층 (2) 사이에 형성할 수 있으며, 도전층으로서의 기능을 갖지 않는 것이다. 즉, 언더 코트층은 패턴화된 투명 도전체층 (2) 사이를 절연시키는 유전체층으로서 형성된다. 따라서, 언더 코트층은, 통상 표면 저항이 1 × 10⁶Ω/□ 이상이고, 바람직하게는 1 × 10⁷ Ω/□ 이상, 보다 바람직하게는 1 × 10⁸Ω/□ 이상이다. 또한, 언더 코트층의 표면 저항의 상한에 특별히 제한은 없다. 일반적으로는, 언더 코트층의 표면 저항의 상한은 측정 한계인 1 × 10¹³ Ω/□ 정도이지만, 1×10¹³ Ω/□ 를 초과하는 것이어도 된다.

언더 코트층의 굴절률은 투명 도전체층 (2) 의 굴절률과 언더 코트층 (12) 의 굴절률의 차가 0.1 이상을 갖는 것으로 하는 것이 바람직하다. 투명 도전체층의 굴절률과 언더 코트층의 굴절률의 차는 0.1 이상 0.9 이하, 나아가서는 0.1 이상 0.6 이하인 것이 바람직하다. 또한, 언더 코트층의 굴절률은, 통상 1.3 ～ 2.5, 나아가서는 1.38 ～ 2.3, 나아가서는 1.4 ～ 2.3 인 것이 바람직하다.

투명 필름 기재 (11) 에 가장 가까운 언더 코트층 (예를 들어, 도 1 에 있어서의 언더 코트층 (12a)) 은, 유기물에 의해 형성되어 있는 것이 투명 도전체층 (2) 을 에칭에 의해 패턴화하는데 있어서 바람직하다. 그 때문에, 언더 코트층 (12) 이 1 층으로 이루어지는 경우에는, 언더 코트층 (12) 은 유기물에 의해 형성되는 것이 바람직하다.

언더 코트층 (12) 이, 도 1 에 나타내는 바와 같이 2 층으로 이루어지는 경우, 혹은 3 층 이상으로 이루어지는 경우에는, 적어도 투명 필름 기재 (11) 로부터 가장 떨어진 언더 코트층 (예를 들면, 도 1 에 있어서의 언더 코트층 (12b)) 은 무기물에 의해 형성되어 있는 것이, 투명 도전체층 (2) 을 에칭에 의해 패턴화하는데 있어서 바람직하다. 언더 코트층 (12) 이 3 층 이상으로 이루어지는 경우에는, 필름 기재 (11) 로부터 두 번째 층보다 위의 언더 코트층에 대해서도 무기물에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.

무기물에 의해 형성된 언더 코트층은, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 드라이 프로세스, 또는 웨트법 (도공법) 등에 의해 형성할 수 있다. 언더 코트층을 형성하는 무기물로서는, 전술한 대로 SiO₂ 가 바람직하다. 웨트법에서는, 실리카졸 등을 도공함으로써 SiO₂ 막을 형성할 수 있다.

이상으로부터, 언더 코트층 (12) 을 층형성하는 경우에는, 제 1 언더 코트층 (12a) 을 유기물에 의해 형성하고, 제 2 언더 코트층 (12b) 을 무기물에 의해 형성하는 것이 바람직하다.

언더 코트층의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 광학 설계나, 투명 필름 기재 (11) 로부터의 올리고머 발생 방지 효과의 점으로부터, 통상 1 ～ 300 ㎚ 정도이고, 바람직하게는 5 ～ 300 ㎚ 이다. 또한, 언더 코트층 (12) 이 2 층 이상으로 이루어지는 경우, 각 층의 두께는 5 ～ 250 ㎚ 정도인 것이 바람직하고, 10 ～ 250 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다.

<투명 도전체층>

투명 도전체층 (2) 은 결정성의 도전성 금속 산화물에 의해 형성된다. 투명 도전체층을 구성하는 도전성 금속 산화물은 특별히 한정되지 않고, 인듐, 주석, 아연, 갈륨, 안티몬, 티탄, 규소, 지르코늄, 마그네슘, 알루미늄, 금, 은, 구리, 팔라듐, 텅스텐으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속의 도전성 금속 산화물이 사용된다. 당해 금속 산화물에는 필요에 따라, 추가로 상기 군에 나타낸 금속 원자를 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 주석 도프 산화 인듐 (ITO), 안티몬 도프 산화 주석 (ATO) 등이 바람직하게 사용된다. 그 중에서도, ITO 가 가장 바람직하다. 또, 가요성 투명 기재 (1) 가 언더 코트층 (12) 을 갖는 경우, 투명 도전체층은 언더 코트층 (12) 과의 굴절률의 차가 0.1 이상인 것이 바람직하다.

투명 도전체층 (2) 의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 10 ㎚ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 15 ～ 40 ㎚ 인 것이 보다 바람직하며, 20 ～ 30 ㎚ 인 것이 더 바람직하다. 투명 도전체층의 두께가 15 ㎚ 이상이면, 표면 저항이 예를 들어 1 × 10³Ω/□ 이하의 양호한 연속 피막을 쉽게 얻을 수 있다. 또, 투명 도전체층 (2) 의 두께가 40 ㎚ 이하이면, 보다 투명성이 높은 층으로 할 수 있다.

투명 도전체층 (2) 의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다. 구체적으로는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법을 예시할 수 있다. 또, 필요로 하는 막두께에 따라 적절한 방법을 채용할 수도 있다. 투명 도전체층으로서, 가요성 투명 기재 (1) 상에 고온으로 제막을 실시함으로써 그대로 결정성 막을 형성할 수도 있다. 그러나, 기재의 내열성 등을 고려하면, 결정성의 투명 도전체층은, 일단 기재 상에 아몰퍼스막을 형성한 후, 그 아몰퍼스막을 가요성 투명 기재와 함께 가열·결정화함으로써 형성하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서는, 투명 도전성 필름을 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 치수 변화율 (H_l) 과, 그 투명 도전성 필름으로부터 투명 도전체층을 에칭에 의해 제거한 것을 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 치수 변화율 (H₂) 의 차 (H_l - H₂) 가 -0.043 ％～ 0.02 ％ 인 것이 바람직하다. 또한, 치수 변화율의 부호가 정인 경우는 팽창, 부인 경우는 수축을 나타낸다. 따라서, (H_l - H₂) 가 부인 경우에는, 투명 도전체층이 제거된 후의 기재는 투명 도전체층이 형성된 상태에 비해 치수가 작은 (열수축되기 쉬운) 것을 의미한다.

투명 도전성 필름의 치수 변화율 (열수축율) 이 방향에 따라 상이한 경우에는, 어느 일방향의 가열 치수 변화율이 상기 범위인 것이 바람직하다. 나중에 상세히 서술하는 바와 같이, 본 발명의 투명 도전성 필름은 투명 도전체층이 패턴화되어 실용적으로 제공될 수 있지만, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전체층이 스트라이프상으로 패턴화되어 있는 경우에는 패턴화 방향 (패턴이 늘어서 있는 방향) 에 있어서의 가열 치수 변화율이 상기 범위인 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「가열 치수 변화율」이란, 특별히 언급이 없는 한, 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 가열 전후에서의 소정 방향의 치수의 변화율을 나타내고, 치수 변화율 (％) 은 가열 전의 2 점간 거리 (Lo), 및 가열 후의 2 점간 거리 (L) 를 이용하여 100 ×(L-Lo)/Lo 로 정의된다.

전술한 바와 같이, 투명 도전체층이 패턴화된 투명 도전성 필름에 있어서, 패턴 형성부와 패턴 개구부의 가열 치수 변화율이 대략 동등하면, 가열시의 굴곡의 발생이 억제되어, 유리 등과 첩합된 경우에도 패턴 경계가 잘 시인되지 않게 된다. 패턴 형성부는 결정성의 투명 도전체층이 형성된 부분이고, 패턴 개구부는 투명 도전체층이 에칭 등에 의해 제거된 부분이므로, 투명 도전체층이 형성된 투명 도전성 필름의 가열 치수 변화와, 당해 투명 도전성 필름으로부터 투명 도전체층을 제거했을 때의 가열 치수 변화가 대략 동등하면, 굴곡 및 단차의 발생이 억제되어 패턴 경계가 잘 시인되지 않게 된다.

투명 도전체층 (2) 이 제거된 후의 가요성 투명 기재 (1) 는 140 ℃ 정도로 가열되면, 치수 변화를 일으키기 쉽다. 예를 들어, 투명 필름 기재 (11) 로서 2 축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용한 경우, 140 ℃ 정도로 가열되면 열수축을 쉽게 일으키고, H₂ 는 부의 값을 갖는다. 한편, 결정성의 투명 도전체층의 가열 치수 변화율 (의 절대치) 은, 일반적으로 플라스틱 필름의 가열 치수 변화율에 비해 작다. 그 때문에, 가요성 투명 기재 (1) 상에 결정성의 투명 도전체층 (2) 이 형성된 투명 도전성 필름의 가열 치수 변화율 (H₁) 의 절대치는 투명 도전체층이 제거된 가요성 투명 기재의 가열 치수 변화율 (H₂) 의 절대치에 비해 작다.

또한, 결정성의 투명 도전체층 (2) 이 형성되어 있으면, 투명 도전성 필름으로서의 외관상의 치수 변화율 (H_l) 은 작지만, 가요성 투명 기재 (1) (투명 필름 기재 (11)) 가 열변형을 일으키는 것인 경우에는, 양자의 치수 변화의 차에 의해, 도 7(a) 에 개념적으로 나타내는 바와 같이, 가요성 투명 기재 (1) 와 투명 도전체층 (2) 의 계면에 응력이 생긴다. 이와 같이 계면에 응력이 존재하는 상태로 투명 도전체층 (2) 이 패턴화되면, 투명 도전체층이 제거된 패턴 개구부에서는 기재/투명 도전체층 계면의 응력이 해소되는 한편으로, 투명 도전체층이 형성되어 있는 패턴 형성부에서는 계면의 응력이 개방되지 않는다. 따라서, 도 7(b) 에 개념적으로 나타내는 바와 같이, 패턴 형성부의 투명 도전체층 (2) 측을 볼록하게 하여, 필름에 파상의 굴곡이 생기는 것이라고 생각된다.

이들을 감안하면, 140 ℃ 에서 30 분 가열을 실시했을 때의 가열 치수 변화율의 차 (H₁ - H₂) 의 절대치는 작은 쪽이 바람직하다. 일반적으로는, 투명 도전체층이 형성되어 있는 경우의 가열 치수 변화는 작은데 반해, 투명 도전체층이 제거된 경우에는 가열 수축이 일어나기 쉽다. 그 때문에, H_l - H₂ 는 부의 값이 되기 쉽고, 정의 값을 취한다고 해도 +0.02 ％ 이하인 것이 많다. H_l - H₂ 가 부의 값을 취하는 경우에 있어서, 그 절대치는 0.043 ％ 이하인 것이 바람직하고, 0.035 ％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.030 ％ 이하인 것이 더 바람직하다.

상기와 같이, H₁ - H₂ 의 절대치를 작게 하기 위해서는, 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층이 제막된 후, 가요성 투명 기재에 치수 변화를 일으킬 수 있는 외부 작용을 작게 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 외부 작용은, 전형적으로는 가열에 의한 기재의 열수축이다. 전술한 바와 같이, 기재의 내열성을 고려한 경우, 결정성의 투명 도전체층은, 일단 기재 위에 아몰퍼스막을 형성한 후, 그 아몰퍼스막을 기재와 함께 가열·결정화시킴으로써 형성된다. 이 결정화를 위한 가열은 가요성 투명 기재에 열수축을 일으키기 쉬우므로, 이것이 가요성 투명 기재에 치수 변화를 일으킬 수 있는 외부 작용이 된다. 또, 아몰퍼스막을 결정화할 때에 기재가 수축되면, 투명 도전체층은 압축 응력 부여하에서 결정화되므로, 압축 잔류 응력을 갖는 결정막이 형성된다. 이와 같은 잔류 압축 응력도 투명 도전체층과 가요성 투명 기재의 계면에 변형을 일으켜서, 굴곡이나 단차를 일으키는 요인이 된다고 생각된다. 그 때문에, 본 발명에 있어서는, 아몰퍼스막을 결정화시킬 때에 기재가 열수축을 잘 일으키지 않는 가열 조건을 선택하는 것이 바람직하다.

기재에 생기는 열수축을 작게 하기 위해서는, 결정화를 위한 열처리 공정에 있어서의 가열 온도를 낮게 하는 것이 바람직하다. 한편, 열처리 공정에 있어서의 가열 온도가 과도하게 낮으면, 결정화가 진행되지 않거나, 결정화에 장시간을 필요로 하여, 생산성이 떨어지는 경향이 있다. 바람직한 가열 조건은 가요성 투명 기재나 투명 도전체층을 구성하는 재료나 두께에 기초하여 적절히 선택할 수 있다.

이하, 투명 도전체층으로서 가요성 투명 기재 상에 아몰퍼스 ITO 막을 형성한 후, 아몰퍼스 ITO 막을 가열 결정화시킴으로써 결정성 ITO 로 이루어지는 투명 도전체층을 형성하는 경우의 바람직한 형태에 대해 설명한다.

(아몰퍼스 투명 도전체층의 제막)

아몰퍼스 ITO 막은 기상법에 의해 형성된다. 기상법으로서는, 전자빔 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있는데, 균일한 박막이 얻어지는 점에서 스퍼터링법이 바람직하고, DC 마그네트론 스퍼터링법을 바람직하게 채용할 수 있다. 또한, 「아몰퍼스 ITO」란, 완전히 비정질인 것에 한정되지 않고, 소량의 결정 성분을 가지고 있어도 된다. ITO 가 아몰퍼스인지 여부의 판정은, 기재 상에 ITO 막이 형성된 적층체를 상온에서 농도 5 wt％ 의 염산에 15 분간 침지시킨 후, 수세·건조시켜서, 15 ㎜ 간의 단자간 저항을 테스터로 측정하는 것이 가능하다. 아몰퍼스 ITO 막은 염산에 의해 에칭되어 소실되므로, 염산으로의 침지에 의해 저항이 증대된다. 본 명세서에 있어서는, 염산으로의 침지·수세·건조 후에 15 ㎜ 간의 단자간 저항이 10 kΩ 를 초과하는 경우에, 도전성 금속 산화물막이 아몰퍼스인 것으로 한다.

가요성 투명 기재 상에 형성되는 아몰퍼스 ITO 막은 비교적 저온에서의 가열에 의해서도 결정화될 수 있는 것인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 아몰퍼스 ITO 막은 140 ℃ 에서 가열했을 경우에 l80 분 이내, 보다 바람직하게는 120 분 이내, 더 바람직하게는 90 분 이내에 결정화가 완료될 수 있는 것이 바람직하다. 또, 아몰퍼스 IT0 막은 100 ℃ 에서 가열했을 경우에, 900 분 이내, 보다 바람직하게는 600 분 이내, 더 바람직하게는 360 분 이내에 결정화가 완료될 수 있는 것이 바람직하다. ITO 막의 결정화가 완료되어 있는지 여부는, 상기한 아몰퍼스 ITO 의 판정과 마찬가지로, 염산으로의 침지·수세·건조를 실시하고, 15 ㎜ 간의 단자간 저항으로부터 판단할 수 있다. 단자간 저항이 10 kΩ 이내이면, 결정성 ITO 로 전화되어 있는 것으로 판단된다.

아몰퍼스 ITO 막은, 예를 들어 스퍼터에 사용되는 타겟의 종류나, 스퍼터시의 도달 진공도, 도입 가스 유량, 제막 온도 (기판 온도) 등을 조정함으로써, 완전 결정화에 필요한 온도나 시간을 조절할 수 있다.

스퍼터 타겟으로는, 금속 타겟 (In-Sn 타겟) 또는 금속 산화물 타겟 (In₂O₃-SnO₂ 타겟) 이 바람직하게 사용된다. 타겟 중의 Sn 양은 In 과 Sn 을 부가한 무게에 대해, 0.5 중량％～ 15 중량％ 인 것이 바람직하고, 1 ～ 10 중량％ 인 것이 보다 바람직하며, 2 ～ 6 중량％ 인 것이 더 바람직하다. Sn 은 In₂O₃ 결정 격자에 포함되는 양 이외는 불순물적인 작용을 하므로, ITO 의 결정화를 방해하는 경향이 있다. 그 때문에, Sn 의 양이 적을수록, ITO 막은 쉽게 결정화되는 경향이 있다. 한편, Sn 의 양이 지나치게 적으면, 결정화 후의 ITO 막의 저항이 높아지는 경향이 있으므로, Sn 의 함유량은 상기 범위인 것이 바람직하다.

이와 같은 타겟을 사용한 스퍼터 제막에 있어서, 먼저, 스퍼터 장치 내의 진공도 (도달 진공도) 를 바람직하게는 1 × 10^-3Pa 이하, 보다 바람직하게는 1 × 10^-4 Pa 이하가 될 때까지 배기하여, 스퍼터 장치 내의 수분이나 기재로부터 발생되는 유기 가스 등의 불순물을 제거한 분위기로 하는 것이 바람직하다. 수분이나 유기 가스의 존재는 스퍼터 제막 중에 발생되는 댕글링 본드를 종결시켜서, ITO 의 결정 성장을 방해하기 때문이다.

다음에, 이와 같이 배기된 스퍼터 장치 내에 Ar 등의 불활성 가스를 도입하여, 스퍼터 제막을 실시한다. 스퍼터 타겟으로서 금속 타겟 (In-Sn 타겟) 을 사용하는 경우에는, 불활성 가스와 함께, 반응성 가스인 산소 가스를 도입해서 스퍼터 제막을 실시한다. 불활성 가스에 대한 산소의 도입량은 0.1 체적％～ 15 체적％ 인 것이 바람직하고, 0.1 체적 ％～ 10 체적 ％ 인 것이 보다 바람직하다. 또, 제막시의 압력은 0.05 Pa ～ 1.0 Pa 인 것이 바람직하고, 0.1 Pa ～ 0.7 Pa 인 것이 보다 바람직하다. 제막 압력이 지나치게 높으면, 제막 속도가 저하되는 경향이 있고, 반대로 압력이 지나치게 낮으면, 방전이 불안정해지는 경향이 있다.

스퍼터 제막시의 기판 온도는 40 ℃ ～ 190 ℃ 인 것이 바람직하고, 80 ℃ ～ 180 ℃ 인 것이 보다 바람직하다. 제막 온도가 지나치게 높으면, 열주름에 의한 외관 불량이나, 기재가 열열화를 일으키는 경우가 있다. 반대로 제막 온도가 지나치게 낮으면, ITO 막의 투명성 등의 막질이 저하되는 경우가 있다.

(열처리에 의한 결정화)

이와 같이 하여 얻어진 가요성 투명 기재 (1) 와 아몰퍼스 ITO 막의 적층체는 열처리에 제공되어, 아몰퍼스 ITO 막이 가열됨으로써 결정성 ITO 막으로 전화된다. 전술한 바와 같이, 투명 도전성 필름으로부터 결정성 ITO 막을 제거하기 전후에서의 가열 치수 변화율의 차 (H_l - H₂) 의 절대치를 작게 하기 위해서는, 기재가 열수축을 잘 일으키지 않는 가열 조건을 선택하는 것이 바람직하다.

기재에 생기는 열수축을 작게 하기 위해서는, 결정화를 위한 가열 온도를 낮게 하는 것이 바람직하다. 기재의 열수축을 억제하는 관점에서는, 결정화시의 가열 온도는 낮은 쪽이 바람직하지만, 가열 온도가 지나치게 낮으면, 결정화가 진행되지 않거나, 결정화에 장시간을 필요로 하여, 생산성이 떨어지는 경향이 있다. 이러한 관점에서는, 가열 온도는 70 ℃ ～ 140 ℃ 가 바람직하고, 70 ℃ ～ 130 ℃ 가 보다 바람직하며, 70 ℃ ～ 110 ℃ 가 더 바람직하다.

아몰퍼스 ITO 막을 결정성 ITO 막으로 전화하기 위한 열처리 공정에 있어서, 가요성 투명 기재 상에 ITO 막이 형성된 적층체의 치수 변화는, 0 ％～ -0.34 ％ 인 것이 바람직하다. 또한, 결정화를 위한 열처리 공정에 있어서의 치수 변화 (％) 는, 가열 처리에 제공되기 전의 ITO 막의 일방향에 있어서의 2 점간의 거리 (Do) 가 열처리열 후에 D 로 변화한 경우에 있어서, 100 × (D-Do)/Do 로 정의된다. 전술한 바와 같이, 열처리 공정에 있어서의 치수 변화는, 주로 가요성 투명 기재의 치수 변화 (열수축) 에 기인하는 것이지만, 결정화시에 기재의 수축에 의해 투명 도전체층에 압축 응력이 부여되면, 결정화 후의 투명 도전체층이 잔류 압축 응력을 갖고, 기재와 투명 도전체층의 계면에 변형을 일으킨다. 한편, 결정화시의 치수 변화를 상기 범위로 하면, 결정화 후의 투명 도전체층과 가요성 투명 기재의 계면에 있어서의 응력이 저감된다. 그 때문에, 투명 도전체층을 패턴화했을 때나, 그 후에 더 가열을 실시했을 때, 필름의 굴곡의 발생이 억제되어, 패턴화 후의 투명 도전체층을 유리판 등의 강성 기체와 첩합시킨 경우에 있어서의 패턴 경계의 단차가 작아지는 경향이 있다.

이와 같이 하여 얻어지는 투명 도전성 필름은 그대로 각종 장치의 투명 전극이나, 터치 패널의 형성에 사용할 수도 있지만, 투명 도전체층 (2) 의 일부를 에칭 등에 의해 제거하고 투명 도전체층을 패턴화하는 것이 바람직하다.

<투명 도전체층의 패턴화>

도 2 에 모식적으로 나타내는 투명 도전성 필름 (101) 은, 투명 도전체층 (2) 이 패턴화되어 있고, 투명 도전체층 (2) 이 형성되어 있는 패턴 형성부 (P) 와, 투명 도전체층이 형성되어 있지 않은 패턴 개구부 (O) 로 구성되어 있다. 투명 도전체층 (2) 의 패턴화는 에칭에 의해 실시되는 것이 바람직하다. 패턴화의 형상은 투명 도전성 필름이 적용되는 용도에 따라, 각종 형상을 형성할 수 있다. 패턴 형성부 (P) 의 형상으로는, 예를 들어, 도 5 에 나타내는 스트라이프상 외에, 스퀘어상 등을 들 수 있다. 또한, 도 5 에서는 패턴 형성부 (P) 의 폭이 패턴 개구부 (O) 의 폭보다 크게 도시되어 있지만, 본 발명은 당해 형태에 제한되는 것은 아니다.

투명 도전체층 (2) 의 패턴화는 투명 도전체층 (2) 을 에칭함으로써 실시하는 것이 바람직하다. 에칭시에는, 패턴을 형성시키기 위한 마스크에 의해 투명 도전체층 (2) 의 일부 (패턴 형성부) 를 덮고, 투명 도전체층의 마스크에 의해 덮여 있지 않은 부분 (패턴 개구부) 을 에천트에 노출시킴으로써 제거된다.

전술한 바와 같이 투명 도전체층 (2) 은 ITO 나 ATO 등의 도전성 금속 산화물이 바람직하게 사용된다. 에천트로는 산이 바람직하게 사용된다. 산으로는, 예를 들어, 염화수소, 브롬화수소, 황산, 질산, 인산 등의 무기산, 아세트산 등의 유기산, 이들의 혼합물, 그리고 그들의 수용액을 들 수 있다.

본 발명에 있어서는, 투명 도전체층을 패턴화하기 전에 있어서의 투명 도전성 필름의 가열 치수 변화율 (H₁) 과, 투명 도전성 필름으로부터 투명 도전체층을 에칭에 의해 제거한 것의 가열 치수 변화율 (H₂) 의 차의 절대치가 작다. 그 때문에, 투명 도전체층이 패턴화된 경우에 있어서는, 패턴 형성부 (P) 의 가열 치수 변화율 (h₁) 과, 패턴 개구부의 가열 치수 변화율 (h₂) 의 차 (h₁ - h₂) 의 절대치도 작아진다. 따라서, 에천트를 수세한 후의 건조나, 패턴 배선 형성시 등에 투명 도전성 필름이 가열되는 경우에도, 패턴 형성부 (P) 와 패턴 개구부 (O) 의 가열 치수 변화의 차에 기인하는 굴곡의 발생이 억제되어, 터치 패널 등에 조립해 넣었을 때의 패턴 경계의 단차에 의한 시인성의 악화도 억제된다.

패턴 형성부 (P) 의 가열 치수 변화율 (h₁) 과, 패턴 개구부 (O) 의 가열 치수 변화율 (h₂) 의 차 (h₁ - h₂) 는 -0.043 ％～ 0.02 ％ 인 것이 바람직하다. 또, (H₁ - H₂) 에 관해서 전술한 것과 마찬가지로, (h_l - h₂) 는 부의 값이 되기 쉽고, 정의 값을 취한다고 해도 +0.02 ％ 이하이다. h_l - h₂ 가 부의 값을 취하는 경우에 있어서, 그 절대치는 0.043 ％ 이하인 것이 바람직하고, -0.035 ％ 이하인 것이 보다 바람직하며, -0.025 ％ 이하인 것이 더 바람직하다.

<언더 코트층의 패턴화>

투명 도전체층 (2) 이 패턴화되는 경우에 있어서, 언더 코트층도 동일하게 패턴화되어도 된다. 즉, 가요성 투명 기재 (1) 가 언더 코트층을 2 층 이상 갖는 경우에는, 투명 도전체층 (2) 만을 패턴화시킬 수 있을 뿐만 아니라, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 투명 도전체층 (2) 을 패턴화시킨 후에, 적어도 투명 필름 기재 (11) 로부터 가장 떨어진 언더 코트층 (12b) 을 투명 도전체층 (2) 과 마찬가지로 에칭 등에 의해 패턴화해도 된다. 투명 도전체층의 패턴을 잘 시인되지 않도록 하는 관점에서는, 투명 필름 기재 (11) 로부터 첫 번째 층의 언더 코트층 (12a) 이외의 언더 코트층을 투명 도전체층 (2) 과 동일하게 에칭해서 패턴화시키는 것이 바람직하다.

언더 코트층 (12) 의 에칭시에는, 투명 도전체층을 에칭한 경우와 동일한 패턴을 형성하기 위한 마스크에 의해 언더 코트층을 덮고, 에천트에 의해, 마스크로 덮이지 않은 부분의 언더 코트층을 에칭에 의해 제거한다. 투명 필름 기재 (11) 로부터 제 2 층째보다 위의 언더 코트층은 전술한 대로, SiO₂ 등의 무기물이 바람직하게 사용되므로, 에천트로서는 알칼리가 바람직하게 사용된다. 알칼리로서는, 예를 들어, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아, 수산화테트라메틸암모늄 등의 수용액, 및 이들 혼합물을 들 수 있다. 또, 2 층째보다 위의 언더 코트층 (12b) 을 에칭에 의해 패턴화하는 경우에는, 투명 필름 기재 (11) 에 가장 가까운 제 1 층째의 언더 코트층 (12a) 은 산 또는 알칼리에 의해, 에칭되지 않는 유기물에 의해 형성시키는 것이 바람직하다.

또한, 2 층 이상의 언더 코트층을 개재하여 패턴화된 투명 도전체층 (2) 이 형성되어 있는 경우, 각 층의 굴절률 (n), 두께 (d), 및 상기 각 층의 광학 두께 (n × d) 의 합계는 이하와 같이 하는 것이 바람직하다. 이로써, 패턴 형성부 (P) 와 패턴 개구부 (O) 의 반사율의 차를 작게 설계할 수 있어서, 패턴 경계가 잘 시인되지 않게 된다.

필름 기재 (11) 로부터 제 1 층째의 언더 코트층 (12a) 은, 굴절률 (n) 이 1.5 ～ 1.7 인 것이 바람직하고, 1.5 ～ 1.65 인 것이 보다 바람직하며, 1.5 ～ 1.6 인 것이 더 바람직하다. 두께 (d) 는 5 ～ 220 ㎚ 가 바람직하고, 5 ～ 150 ㎚ 가 보다 바람직하며, 5 ～ 50 ㎚ 가 더 바람직하다.

필름 기재 (11) 로부터 제 2 층째의 언더 코트층 (12b) 은, 굴절률 (n) 이 1.4 ～ 1.5 인 것이 바람직하고, 1.41 ～ 1.49 인 것이 보다 바람직하며, 1.42 ～ 1.48 인 것이 더 바람직하다. 두께 (d) 는 5 ～ 80 ㎚ 가 바람직하고, 5 ～ 65 ㎚ 가 보다 바람직하며, 5 ～ 50 ㎚ 가 더 바람직하다.

투명 도전체층 (2) 은 굴절률 (n) 이 1.9 ～ 2.1 인 것이 바람직하고, 1.9 ～ 2.05 인 것이 보다 바람직하며, 1.9 ～ 2.0 인 것이 더 바람직하다. 두께 (d) 는 15 ～ 30 ㎚ 가 바람직하고, 15 ～ 28 ㎚ 가 보다 바람직하며, 15 ～ 25 ㎚ 가 더 바람직하다.

상기 각 층 (제 1 층째의 언더 코트층 (12a), 제 2 층째의 언더 코트층 (12b), 투명 도전체층 (2)) 의 광학 두께 (n × d) 의 합계는 15 ～ 483 ㎚ 인 것이 바람직하고, 30 ～ 400 ㎚ 인 것이 보다 바람직하며, 30 ～ 350 ㎚ 인 것이 더 바람직하다.

또, 패턴 형성부 (P) 의 언더 코트층 및 투명 도전체층의 광학 두께의 합계와, 패턴 개구부 (O) 의 언더 코트층의 광학 두께의 차 (Δ nd) 는 40 ～ 130 ㎚ 인 것이 바람직하고, 40 ～ 120 ㎚ 인 것이 보다 바람직하며, 40 ～ 110 ㎚ 인 것이 더 바람직하다.

상기와 같이 투명 도전체층 (2) 이 패턴화된 투명 도전성 필름은, 터치 패널 등에 바람직하게 사용된다. 특히, 투명 도전체층이 패턴화되어서 복수의 투명 전극을 갖는 것으로부터, 투영형 정전 용량 방식의 터치 패널이나, 매트릭스형 저항막 방식 터치 패널에 바람직하게 사용된다. 터치 패널 등에 대한 적용시에는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 가요성 투명 기재 (1) 의 투명 도전체층 (2) 이 형성되어 있지 않은 측의 면에 점착제층 (3) 을 갖는, 점착제층이 부착된 투명 도전성 필름을 형성해도 된다. 이 점착제층이 부착된 투명 도전성 필름을 점착제층 (3) 을 개재하여, 예를 들어 도 4 에 나타내는 바와 같이, 기체 (50) 에 첩합시켜서 사용할 수 있다. 이때, 기체 (50) 로서 유리판 등의 강성의 기체가 사용되어도, 투명 도전성 필름의 굴곡이 억제되어 있으면, 패턴 경계에서의 단차의 발생이 억제되어, 시인성이 우수한 터치 패널을 형성할 수 있다. 또, 투명 도전체층 (2) 이 형성되어 있는 측에 점착제층을 형성하고, 터치 패널의 윈도우층 등의 다른 기체와 첩합시킨 경우에도, 마찬가지로 패턴 경계에서의 단차가 억제되므로, 시인성이 우수한 터치 패널을 형성 할 수 있다.

점착제층 (3) 으로는 투명성을 갖는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 아크릴계 폴리머, 실리콘계 폴리머, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리비닐에테르, 아세트산비닐/염화비닐 코폴리머, 변성 폴리올레핀, 에폭시계, 불소계, 천연 고무, 합성 고무 등의 고무계 등의 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 것을 적절히 선택해서 사용할 수 있다. 특히, 광학적 투명성이 우수하고, 적절한 정도의 젖음성, 응집성 및 접착성 등의 점착 특성을 나타내고, 내후성이나 내열성 등에도 우수하다고 하는 점에서는 아크릴계 점착제가 바람직하게 사용된다.

점착제층 (3) 의 구성 재료인 점착제의 종류에 따라서는, 적당한 점착용 초벌제를 사용함으로써, 기재와의 투묘력 (投錨力) 을 향상시키는 것이 가능한 것이 있다. 따라서, 그러한 점착제를 사용하는 경우에는 가요성 투명 기재 (1) 에 점착용 초벌제를 사용하는 것이 바람직하다.

상기 점착제층에는 베이스 폴리머에 따른 가교제를 함유시킬 수 있다. 또, 점착제층에는 필요에 따라 예를 들어 천연물이나 합성물의 수지류, 유리 섬유나 유리 비즈, 금속 가루나 그 밖의 무기 분말 등으로 이루어지는 충전제, 안료, 착색제, 산화 방지제 등의 적절한 첨가제를 배합시킬 수도 있다. 또 투명 미립자를 함유시켜서 광확산성이 부여된 점착제층 (3) 으로 할 수도 있다.

상기 점착제층은, 통상 베이스 폴리머 또는 그 조성물을 용제에 용해 또는 분산시킨 고형분 농도가 10 ～ 50 중량％ 정도의 점착제 용액으로서 사용된다. 상기 용제로는 톨루엔이나 아세트산에틸 등의 유기 용제나 물 등의 점착제의 종류에 따른 것을 적절히 선택해서 사용할 수 있다.

이 점착제층은, 예를 들어 유리 등의 강성 기체나 다른 플라스틱 필름 기체 등과의 접착 후에 있어서는, 그 쿠션 효과에 의해, 기재 (1) 의 일방의 면에 형성된 투명 도전체층 (2) 의 내찰상성이나 터치 패널용으로서의 타점 특성, 이른바 펜 입력 내구성 및 면압 내구성을 향상시키는 기능을 가질 수 있다. 그 때문에, 특히 매트릭스형의 저항막 방식의 터치 패널에 사용되는 경우에 있어서는 점착제층에 쿠션 효과를 갖게 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 점착제층 (3) 의 탄성 계수를 1 ～ 100 N/㎠ 의 범위, 두께를 1 ㎛ 이상, 통상 5 ～ 100 ㎛ 의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 점착제층의 두께가 상기 범위이면, 쿠션 효과가 충분히 발휘되고, 또한 점착제층에 의한 밀착력도 충분해질 수 있다. 점착제층의 두께가 상기 범위보다 얇으면, 상기 내구성이나 밀착성을 충분히 확보하지 못하고, 또 상기 범위보다 두꺼우면, 투명성 등의 외관에 문제가 발생하는 경우가 있다. 또한, 투명 도전성 필름이 정전 용량 방식의 터치 패널에 사용되는 경우에는, 상기와 같은 점착제층에 의한 쿠션 효과는 반드시 요구되는 것은 아니지만, 각종 기체와의 밀착성이나, 점착제층이 부착된 투명 도전성 필름의 핸들링을 용이하게 하는 관점에서는, 점착제층 (3) 은 상기와 동일한 두께 및 탄성 계수를 갖는 것이 바람직하다.

실시예

이하, 본 발명에 관해 실시예를 이용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 이상, 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시예에 있어서, 1 ㎛ 이상의 두께를 갖는 것에 관해서는 미츠토요제 마이크로게이지식 두께 측정계로 측정을 실시했다. 언더 코트층 및 ITO 막의 두께는 리가쿠제 형광 X 선 분석 장치 ZSX100e 를 이용하여 Si 원자와 In 원자에 의한 피크 강도를 검량선에 피팅시킴으로써 두께를 산출했다.

[실시예 1]

(언더 코트층의 형성)

투명 필름 기재로서, 두께 23 ㎛ 의 2 축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (미츠비시 쥬시제 상품명 「다이아호일」, 유리 전이 온도 80 ℃, 굴절률 1.66) 을 사용하여, 이 PET 필름 상에 언더 코트층을 형성했다.

먼저, 멜라민 수지 : 알키드 수지 : 유기 실란 축합물을 고형분으로 2 : 2 : 1 의 중량비로 함유하는 열경화형 수지 조성물을, 고형분 농도가 8 중량％ 가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석시켰다. 이 용액을 PET 필름의 일방 주면에 도포하고, 150 ℃ 에서 2 분간 가열 경화시켜서, 막두께 50 ㎚, 굴절률 1.54 의 제 1 언더 코트층을 형성했다. 이어서, 실록산계 열경화형 수지 (콜코트제 상품명 「콜코트 P」) 를 고형분 농도가 1 중량％ 가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석시키고, 이 용액을 상기의 제 1 언더 코트층 상에 도포하고, 150 ℃ 에서 1 분간 가열 경화시켜서, 막두께 30 ㎚, 굴절률 1.45 의 SiO₂ 박막 (제 2 언더 코트층) 을 형성했다.

(아몰퍼스 ITO 막의 제막)

평행 평판형의 권취식 마그네트론 스퍼터 장치에, 타겟 재료로서 산화 인듐과 산화 주석을 97 : 3 의 중량비로 함유하는 소결체를 장착했다. 2 층의 언더 코트층이 형성된 PET 필름 기재를 반송하면서, 탈수, 탈가스를 실시하여 5 × 10^-3 Pa 가 될 때까지 배기시켰다. 이 상태로, 기재의 가열 온도를 120 ℃ 로 하고, 압력이 4 × 10^-1 Pa 가 되도록 98 ％ : 2 ％ 의 유량비로 아르곤 가스 및 산소 가스를 도입하여, DC 스퍼터링법에 의해 제막을 실시하고, 기재 상에 두께 20 ㎚ 의 아몰퍼스 ITO 막을 형성했다.

(ITO 막의 결정화)

가요성 투명 기재 상에 아몰퍼스 ITO 막이 형성된 상기 적층체로부터 300 ㎜ 사방의 매엽체 (枚葉體) 를 잘라서, 80 ℃ 로 설정된 건조 오븐 중에서 9600 분 가열을 실시하여, ITO 막을 결정화시켰다. 염산에 침지 후의 저항값으로부터 ITO 막의 결정화가 완료되고 있는 것이 확인되었다.

(결정화시의 치수 변화의 평가)

가요성 투명 기재 상에 아몰퍼스 ITO 막이 형성된 결정화 전의 적층체로부터 기재의 반송 방향 (MD 방향) 을 장변으로 하는 100 ㎜ × 10 ㎜ 의 단책상 (短冊狀) 의 시험편을 잘라서, ITO 막면에 스퍼터 제막시의 반송 방향 (이하,「MD 방향」) 으로 약 80 ㎜ 의 간격으로 2 점의 표점 (흠집) 을 형성한 후, 상기와 동일한 가열 온도 및 시간으로 ITO 막의 결정화를 실시하고, 가열 결정화 전의 표점간 거리 (Lo) 및, 가열 후의 표점간 거리 (L) 를 이차원 측장기에 의해 측정해서, 결정화시의 치수 변화 = 100 × (L-Lo)/Lo(％) 를 구했다.

(투명 도전성 필름의 가열 치수 변화율의 평가)

ITO 막을 결정화한 후의 투명 도전성 필름으로부터 MD 방향을 장변으로 하는 100 ㎜ × 10 ㎜ 의 단책상 시험편을 잘라서, ITO 막면에 약 80 ㎜ 의 간격으로 2 점의 표점 (흠집) 을 형성한 후, 140 ℃ 에서 30 분의 가열 처리를 실시하고, 상기와 동일하게 해서, 가열 전후의 표점간 거리로부터 가열 치수 변화율 (H₁) 을 구했다.

(투명 도전체층 제거 후의 가열 치수 변화율의 평가)

ITO 막을 결정화한 후의 투명 도전성 필름으로부터 MD 방향을 장변으로 하는 100 ㎜ × 10 ㎜ 의 단책상 시험편을 잘라서, 이 시험편을 50 ℃ 로 가온한 10 wt％ 염산 수용액에 5 분간 침지시키고, 투명 도전체층의 에칭 처리를 실시했다. 투명 도전체층을 제거한 후의 시료를 충분한 양의 순수에 침지시킴으로써 수세한 후, 온도 23 ℃, 습도 55 ％ 의 환경에 24 시간 정치해서 건조시켰다. 그 후, 필름 표면에 약 80 ㎜ 의 간격으로 2 점의 표점 (흠집) 을 형성하고, 140 ℃ 에서 30 분의 가열 처리를 실시하여, 상기와 동일하게 해서 가열 전후의 표점간 거리로부터 가열 치수 변화율 (H₂) 를 구했다.

(ITO 막의 패턴화 및 단차의 평가)

ITO 막을 결정화한 후의 투명 도전성 필름으로부터 MD 방향을 장변으로 하는 60 ㎜ × 50 ㎜ 의 사각형의 시험편을 잘라서, ITO 막의 표면에 폭 2 ㎜ 의 폴리이미드 테이프를 2 ㎜ 간격으로 복수 첩합시켰다. 이때, MD 방향이 패턴화 방향이 되도록 MD 방향과 직교하는 방향 (이하,「TD 방향」) 으로 테이프를 첩합시켰다. 이 시험편을 50 ℃ 로 가온한 10 wt％ 염산 수용액에 5 분간 침지시키고, 비마스킹부 (폴리이미드 테이프가 첩합되어 있지 않은 부분) 의 투명 도전체층의 에칭 처리를 실시했다. 투명 도전체층을 제거한 후의 시료를 충분한 양의 순수에 침지시킴으로써 수세한 후, 폴리이미드 테이프를 천천히 박리하여 140 ℃ 에서 30 분간 가열을 하여 건조시켰다.

이와 같이 하여 얻어진 ITO 막이 패턴화된 시험편을 ITO 막면을 위로 한 상태로, 핸드 롤러를 이용하여 두께 23 ㎛ 의 아크릴계 점착제층을 개재하여 유리판에 첩합시켰다. 고사카 연구소사제의 미세 형상 측정기 (제품번호 「ET4000」) 를 사용하여 컷오프값 0.8 ㎜, 속도 0.2 ㎜/초로 ITO 막 형성면측의 시료 표면을 주사시키고, 투명 도전체층이 형성되어 있는 패턴 형성부와 투명 도전체층이 제거된 패턴 개구부의 경계에 있어서의 단차를 계측했다. 또, 육안으로 봤을 때, 패턴 형성부와 패턴 개구부의 판별을 할 수 있는지 여부를 평가했다. 육안으로 본 거리는 20 ㎝, 육안으로 본 각도는 샘플면에서 40 도로 했다.

[실시예 2, 3, 5～7, 및 비교예 1～5, 7, 8]

실시예 1 과 마찬가지로, 가요성 투명 기재 상에 아몰퍼스 ITO 막을 형성한 후, 표 1 에 나타내는 온도 및 조건으로 ITO 막을 결정화시켰다. 그 외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, ITO 막의 패턴화 및 각종 평가를 실시했다.

[실시예 4 및 비교예 6]

실시예 1 과 마찬가지로 가요성 투명 기재 상에 아몰퍼스 ITO 막 및 ITO 막의 결정화를 실시했다. 단, 실시예 4 및 비교예 6 에 있어서는 표 l 에 나타내는 온도 및 조건으로 ITO 막을 결정화한 것 외에, 결정화시의 치수 변화, 및 투명 도전성 필름의 가열 치수 변화율의 평가에 있어서, TD 방향을 장변으로 하는 단책상의 시험편을 잘라서, TD 방향에 있어서의 치수 변화율을 측정했다. 또, ITO 막의 패턴화 및 단차의 평가에 있어서, TD 방향이 패턴화 방향이 되도록 폴리이미드 테이프를 첩합시켜서 마스킹을 실시하고, 투명 도전체층을 에칭에 의해 패턴화시켰다.

상기 각 실시예 및 비교예의 투명 도전성 필름의 제작 조건 및 평가 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 패턴의 육안 평가는 하기 4 단계로 평가한 결과를 나타내고 있다.

◎ : 패턴 형성부와 패턴 개구부의 판별이 어렵다.

○ : 패턴 형성부와 패턴 개구부를 약간 판별할 수 있다.

Δ : 패턴 형성부와 패턴 개구부를 판별할 수 있다.

×: 패턴 형성부와 패턴 개구부를 분명히 판별할 수 있다.

표 1 로부터 명백한 바와 같이, 패턴 경계에서의 단차가 작을수록 패턴 경계가 잘 시인되지 않는 것을 알 수 있다. 또, 도 8 은 각 실시예 및 비교예의 H₁- H₂ 에 대해, 패턴 경계의 단차를 플롯한 것이다. 도 8 에 의하면, H₁ - H₂ 의 절대치가 커짐에 따라 단차가 커져서, 기재의 종류나 두께, 및 투명 도전체층의 패턴화 방향에 관계없이 H₁ - H₂ 의 값과 단차가 높은 상관을 나타내고 있는 것을 알 수 있다. 따라서, H₁ - H₂를 소정 범위로 함으로써, 단차가 저감되어 패턴 경계가 잘 시인되지 않게 되는 것을 알 수 있다.

각 실시예 및 비교예를 대비하면, 결정화를 위한 열처리 공정에 있어서의 가열 온도가 낮을수록 H₁ - H₂ 의 절대치가 작아서, 단차가 억제되고 있음을 알 수 있다. 한편으로, 도전성 금속 산화물의 결정화 속도는 아레니우스식에 따름으로써, 가열 온도가 낮아지면, 열처리에 필요로 하는 시간이 지수함수적으로 커진다. 또한, 표 1 에서는 나타내고 있지 않지만, 열처리 온도를 90 도로 했을 경우에 있어서, 결정화에 필요한 시간은 약 2100 시간이었다. 이 점으로부터, 패턴 경계가 시인되지 않는 범위에서 가열 결정화를 위해 온도를 높게 하면, 생산성을 대폭으로 해치지 않고, 투명 도전체층을 패턴화한 경우에도 패턴 경계가 잘 시인되지 않는 투명 도전성 필름을 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.

1 가요성 투명 기재
2 투명 도전체층
3 점착제층
11 투명 필름 기재
12 언더 코트층
50 기체
100 투명 도전성 필름
101 투명 도전성 필름

Claims

가요성 투명 기재, 및 상기 가요성 투명 기재의 일방의 면에 형성된 결정성 도전성 금속 산화물로 이루어지는 투명 도전체층을 갖는 투명 도전성 필름으로서,
상기 가요성 투명 기재의 두께는 80 ㎛ 이하이고,
그 투명 도전성 필름을 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 치수 변화율 (H₁)과, 그 투명 도전성 필름으로부터 투명 도전체층을 에칭에 의해 제거한 것을 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의 치수 변화율 (H₂) 의 차 (H₁ - H₂) 가 -0.02 ％～ 0.043 ％ 인, 투명 도전성 필름.
가요성 투명 기재, 및 상기 가요성 투명 기재의 일방의 면에 형성된 결정성 도전성 금속 산화물로 이루어지는 투명 도전체층을 갖는 투명 도전성 필름으로서,
상기 투명 도전체층은 패턴화되어 있고, 그 투명 도전성 필름은 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖는 패턴 형성부와, 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖지 않은 패턴 개구부를 갖고,
상기 가요성 투명 기재의 두께는 80 ㎛ 이하이며,
그 투명 도전성 필름을 140 ℃ 에서 30 분 가열했을 때의, 상기 패턴 형성부의 치수 변화율 (h₁) 과, 상기 패턴 개구부의 치수 변화율 (h₂) 의 차 (h₁ - h₂) 가 -0.02 ％～ 0.043 ％ 인, 투명 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 투명 도전체층은 결정성의 주석 도프 산화 인듐으로 이루어지는, 투명 도전성 필름.
제 2 항에 있어서,
상기 투명 도전체층은 결정성의 주석 도프 산화 인듐으로 이루어지는, 투명 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 가요성 투명 기재는, 투명 필름 기재 및 투명 도전체층이 형성되어 있는 측의 면에 형성된 적어도 1 층의 언더 코트층을 갖는, 투명 도전성 필름.
제 2 항에 있어서,
상기 가요성 투명 기재는, 투명 필름 기재 및 투명 도전체층이 형성되어 있는 측의 면에 형성된 적어도 1 층의 언더 코트층을 갖는, 투명 도전성 필름.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 투명 도전성 필름을 제조하는 방법으로서,
가요성 투명 기재를 준비하는 기재 준비 공정,
가요성 투명 기재 상에 아몰퍼스의 도전성 금속 산화물로 이루어지는 아몰퍼스 투명 도전체층을 형성하는 제막 공정, 및
상기 아몰퍼스 투명 도전체층을 가열하여, 결정성의 투명 도전체층으로 전화하는 열처리 공정을 갖고,
상기 열처리 공정에 있어서의 가열 온도가 70 ℃ ～ 140 ℃ 인, 투명 도전성 필름의 제조 방법.
제 7 항에 있어서,
상기 열처리 공정에 있어서의 치수 변화율이 0 ％～-0.34 ％ 인, 투명 도전성 필름의 제조 방법.
제 7 항에 있어서,
또한, 상기 결정성의 투명 도전체층의 일부를 에칭에 의해 제거하고, 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖는 패턴 형성부와, 가요성 투명 기재 상에 투명 도전체층을 갖지 않는 패턴 개구부에 패턴화를 실시하는 패턴화 공정을 갖는, 투명 도전성 필름의 제조 방법.