KR20130018173A

KR20130018173A - 임프린트 장치 및 물품 제조 방법

Info

Publication number: KR20130018173A
Application number: KR1020120087610A
Authority: KR
Inventors: 유스께 다나까; 히로또시 도리이
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2011-08-11
Filing date: 2012-08-10
Publication date: 2013-02-20
Also published as: US20130037981A1; KR101538203B1; JP2013055327A; US9280047B2; TW201311425A; CN102929099A; JP6061524B2; CN102929099B; TWI601619B

Abstract

주형을 사용하여 기판 상에 임프린트 재료를 성형하고, 기판 상에 패턴을 형성하도록 구성된 임프린트 장치가 제공되고, 임프린트 장치는 패턴 영역을 포함하는 표면을 포함하는 주형을 유지하도록 구성된 주형 유지 유닛, 기판을 유지하도록 구성된 기판 유지 유닛, 패턴 영역과 기판 상에 이미 형성된 샷 사이의 형상 차에 관한 정보를 획득하도록 구성된 제1 획득 유닛, 및 패턴 영역과 임프린트 재료가 서로 접하는 상태에서, 제1 획득 유닛에 의해 획득된 형상 차에 관한 정보에 기초하여, 주형과 기판 사이의 간격을 조정하기 위해 주형 유지 유닛 및 기판 유지 유닛 중 하나 이상을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함한다.

Description

임프린트 장치 및 물품 제조 방법{IMPRINT APPARATUS AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 임프린트 장치에 관한 것이고, 특히 패턴이 형성되어 있는 주형 및 기판 표면 상에 배치된 임프린트 재료가 서로에 대해 가압되어, 주형의 패턴이 임프린트 재료 상으로 전사되는 임프린트 장치에 관한 것이다.

나노 임프린트가 반도체 장치 또는 미세 기전 시스템(MEMS) 등의 미소 패턴을 형성하는 방법으로서 공지되어 있다. 나노 임프린트는 미소 패턴이 전자 빔 노광 등에 의해 형성되어 있는 주형을 임프린트 재료(레지스트 등의 수지 재료)가 도포되어 있는 웨이퍼 또는 유리 등으로 형성된 기판과 접하게 하여, 임프린트 재료인 수지 상으로 패턴을 전사하기 위한 기술이다.

나노 임프린트가 수행될 때, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 배율(크기)을 주형 상으로 전사되는 패턴의 배율에 일치시키는 것이 필요하다. 그러나, 전체 웨이퍼는 성막 또는 스퍼터링 등의 가열 공정의 도중에 확대되거나 축소되고, 결과적으로, 패턴의 배율은 X-방향과 Y-방향 사이에서 상이할 수 있다. 실제 반도체 공정에서, ± 10 ppm 정도의 전체 웨이퍼의 가변 배율이 발생하고, 10 ppm 정도의 X-방향과 Y-방향 사이의 배율 차가 발생한다.

스텝퍼 또는 스캐너 등의 종래의 리소그래피에서, 가변 배율은 웨이퍼의 변형에 일치하도록 노광 중에 각각의 샷(shot) 크기를 변경함으로써 대응된다. 예를 들어, 스캐너의 경우에, 투사 광학 시스템의 축소 배율이 웨이퍼의 배율에 일치하여 수 ppm 정도로 변경되고, 또한 스캐닝 속도가 웨이퍼의 배율에 일치하여 수 ppm 변경된다. 이러한 방식으로, 배율 차가 X-방향과 Y-방향 사이에서 발생할 때에도, 배율을 보정함으로써 높은 중첩 정밀도가 실현된다.

그러나, 종래의 리소그래피에서와 같이, 나노 임프린트에서 투사 광학 시스템이 없고, 주형과 웨이퍼가 수지를 통해 서로 직접 접하므로, 그러한 보정은 이루어질 수 없다.

따라서, 나노 임프린트에서, 위에서 설명된 바와 같이 반도체 공정 중에 발생되는 패턴의 가변 배율을 보정하기 위해 다른 방안이 사용된다. 주형 상에 형성된 패턴을 웨이퍼의 패턴의 배율에 일치시키기 위해, 주형을 물리적으로 변형시키기 위한 배율 보정 메커니즘이 채용된다. 주형을 물리적으로 변형시키기 위한 방법으로서, 주형의 외측 주연부로부터 외력을 가함으로써 변형시키기 위한 방법 또는 주형을 가열함으로써 주형을 팽창시키기 위한 방법이 채택된다.

임프린트 장치의 적용예로서, 32 nm 반 피치 정도의 반도체 장치의 리소그래피가 고려된다. 이때, 반도체에 대한 국제 기술 지침(ITRS)에 따르면, 중첩 정밀도는 6.4 nm이다. 그러므로, 수 나노미터 이하의 정밀도로 배율 보정을 제어하는 것 또한 필요하다.

위에서 설명된 바 등의 임프린트 장치를 사용하는 리소그래피에서, 전사되는 패턴의 형상을 보정하는 것이 필요하다. 예를 들어, 전사되는 패턴 상에서 왜곡이 발생할 수 있다. 원인은 다음 사항을 포함한다. 예를 들어, 패턴 측면은 제조 중에 위로 향하며, 패턴 측면은 사용 중에 (가압 중에) 아래로 향하고, 즉, 주형은 상이한 배향을 갖는다. 결과적으로, 패턴은 중력 등의 영향에 의해 변형된다. 또한, 패턴이 전자 빔 등에 의해 주형 상에 형성될 때, 패턴 이미지의 왜곡이 전자 빔 렌더링 장치의 광학 시스템의 왜곡 수차로 인해 주형 상에서 발생할 수 있다. 아울러, 주형의 패턴이 왜곡 없이 제조될 수 있다고 가정하더라도, 중첩 정밀도는 왜곡이 기판 상의 패턴 내에서 발생하면 악화될 것이다. 중첩 정밀도의 그러한 열화를 야기하는, 기판 상에 이미 형성된 패턴과 주형 상에 형성된 패턴 사이의 형상 차를 왜곡(수차)이라 한다.

임프린트 장치 내에, 배율 보정 메커니즘이 이러한 왜곡을 보정하기 위해 장착된다. 배율 보정 메커니즘 내에서, 주형은 주형을 목표 형상으로 보정하기 위해 X-Y 평면 내에서 물리적으로 변형된다. 그러나, 주형의 형상이 도 5a에 도시된 바와 같이 보정될 때, 패턴 영역은 또한 자신의 무게 등에 의해 가압 방향(Z-방향)으로 변형될 것이다. 아울러, Z-방향으로의 변형량은 주형의 보정되는 형상에 의존하여 변한다. 주형의 Z-방향으로의 그러한 변형은 가압 중에 패턴 왜곡의 발생을 일으키고, 중첩 정밀도가 악화된다.

일본 특허 출원 공개 제2010-080714호는 주형의 그러한 변형을 억제하기 위한 제어 방법을 설명한다. 일본 특허 출원 공개 제2010-080714호에 따르면, 주형 척(mold chuck)은 기부 부분 및 주형의 복수의 주연 부분을 유지하기 위한 유지 부분과, 기부 부분에 대해 유지 부분을 위치 설정하기 위한 구동 메커니즘을 포함하고, 유지 부분을 구동함으로써 주형의 형상을 웨이퍼의 형상을 추종하도록 보정하여, 중첩 정밀도를 개선한다.

그러나, 위에서 설명된 바 등의 배율 보정에서도 수 nm 이하의 정밀도가 요구되는 임프린트를 얻기 위해서는, 추가의 문제가 있다. 문제는 임프린트 장치 내에서, 주형 상에 형성된 패턴이 기판에 대해 가압됨으로써 전사될 때 패턴이 변형되는 사실을 포함한다. 주형이 도 5b에 도시된 바와 같이 기판에 대해 가압될 때, 주형과 기판 사이의 간격이 너무 작아지면, 큰 왜곡이 주형의 패턴 외부에서 발생한다. 아울러, 주형과 기판 사이의 간격이 너무 커지면, 마찬가지로 큰 왜곡이 주형의 패턴 외부에서 발생한다. 결과적으로, 왜곡이 배율 보정 메커니즘에 의해 작아지도록 보정한 후에 가압될 때에도, 왜곡은 주형이 가압될 때 변형에 의해 발생하게 된다. 이러한 경우에, 중첩 정밀도는 특히 패턴의 외측 주연 부분 부근에서 현저하게 악화된다. 그러므로, 왜곡이 주형의 패턴의 외측 주연 부분 내에서 작아지도록 패턴이 전사될 때 주형과 기판 사이의 거리를 적절하게 결정하는 것이 필요하다.

본 발명의 일 태양에 따르면, 주형을 사용하여 기판 상에 임프린트 재료를 성형하고 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치가 제공되고, 임프린트 장치는 패턴 영역을 포함하는 표면을 포함하는 주형을 유지하도록 구성된 주형 유지 유닛, 기판을 유지하도록 구성된 기판 유지 유닛, 패턴 영역과 기판 상에 이미 형성된 샷 사이의 형상 차에 관한 정보를 획득하도록 구성된 제1 획득 유닛, 및 패턴 영역과 임프린트 재료가 서로 접하고 있는 상태에서, 제1 획득 유닛에 의해 획득된 형상 차에 관한 정보에 기초하여, 주형과 기판 사이의 간격을 조정하기 위해 주형 유지 유닛 및 기판 유지 유닛 중 하나 이상을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함한다.

본 발명의 추가의 특징 및 태양은 첨부된 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 다음의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.

본 명세서 내에 통합되어 그의 일부를 구성하는 첨부된 도면은 본 발명의 예시적인 실시예, 특징, 및 태양을 예시하고, 설명과 함께, 본 발명의 원리를 설명하도록 역할한다.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치를 도시하는 개략도이다.
도 2a, 2b, 2c, 및 2d는 임프린팅 중의 기판과 주형 사이의 위치 관계를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제1 예시적인 실시예에 따른 임프린팅의 흐름을 도시한다.
도 4는 본 발명의 제2 예시적인 실시예에 따른 임프린팅의 흐름을 도시한다.
도 5a 및 5b는 종래 기술을 설명하는 임프린팅 중의 기판과 주형 사이의 위치 관계를 도시한다.

본 발명의 다양한 예시적인 실시예, 특징, 및 태양이 도면을 참조하여 아래에서 상세하게 설명될 것이다.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치(1)의 구성도이다. 본 예시적인 실시예의 임프린트 장치는, 반도체 장치 제조 단계에서 사용되는, 처리되는 베이스보드인 웨이퍼 또는 유리 등의 기판 상으로 공급된 임프린트 재료 상으로 주형의 오목 및 볼록 패턴을 전사하는 임프린트 장치이다. 아울러, 임프린트 장치는 임프린팅 기술 중에서, 주형의 오목 및 볼록 패턴이 전사될 때 광에 의해 수지를 경화시키기 위한 방안을 채택한다.

도 1에 도시된 바와 같이, 주형이 자외광으로 조사되는 방향에 대해 평행한 축이 Z-축으로서 취해지고, X-축 및 Y-축은 Z-축에 대해 직각인 방향으로서 정의된다. Z-축은 또한 주형의 패턴 영역이 기판 상의 임프린트 재료와 접하게 하기 위해, 주형과 기판 사이의 간격이 좁아질 때, 주형 및 기판 중 하나 이상이 이동하는 방향에 대해 평행한 축이다.

본 발명에 따른 임프린트 장치(1)는 주형(3), 조명 유닛(4), 주형 유지 유닛(5), 기판 유지 유닛(6), 도포기(7), 정렬 측정 유닛(8), 기판-주형 사이 거리 측정 유닛(9), 및 제어 유닛(10)을 포함한다.

기판(2)은, 예를 들어, 단결정 실리콘 웨이퍼 또는 절연체 상 실리콘(SOI) 웨이퍼, 유리 기판을 사용하여 처리되는 기판이고, 기판 유지 유닛(6)에 의해 유지된다. 성형 부분이 되는 임프린트 재료로서의 자외선 경화 수지(이하에서, 단순히 "수지"로 기록됨)가 기판(2)의 피처리면으로 공급된다. 임프린트 재료는 또한 반도체 장치의 제조 분야에서 레지스트로 불린다.

주형(3)은, 외측 주연 부분에서 직사각형이며 기판(2)에 대향하는 표면 상에, 3차원으로 형성된 오목 및 볼록 패턴을 구비한다. 오목 및 볼록 패턴은 기판(2)에 공급된 수지 상으로 전사된다. 주형(3)은 기판(2)에 대향하는 표면 상에서, 주연 부분 및 주연 부분으로부터 돌출하는 패턴 영역(P)(위에서 설명된 오목 및 볼록 패턴이 형성되어 있는 영역)을 갖는다. 석영 등의 자외광을 투과시키는 원재료가 주형(3)의 재료에 대해 사용된다.

조명 유닛(4)은 임프린트 처리가 수행될 때, 자외광으로 주형(3)을 조사한다. 조명 유닛(4)은 광원(11), 및 광원(11)으로부터 조사되는 자외광을 임프린팅에 대해 적합한 광으로 조정하기 위한 복수의 광학 요소(12)를 포함한다. 본 예시적인 실시예에서, 임프린트 재료로서, 광경화 수지가 사용되지만, 광경화 수지로 제한할 필요는 없다. 예를 들어, 열경화 수지가 사용될 수 있고, 그러한 경우에, 수지를 경화시키기 위한 열원 유닛(도시되지 않음)이 광원(4) 대신에 필요해진다.

주형 유지 유닛(5)은 주형(3)을 유지하여 고정하고, 기판(2) 상으로 주형(3)의 오목 및 볼록 패턴을 임프린트하는 데 사용된다. 주형 유닛 유닛(5)은 주형 척(13), 주형 스테이지(14), 및 주형(3)을 변형하기 위한 변형 유닛인 배율 보정 메커니즘(15)을 포함한다. 주형 척(13)은 기계식 유지 유닛(도시되지 않음)에 의해 주형(3)을 유지하여 고정한다. 아울러, 주형 척(13)은 기계식 유지 유닛(도시되지 않음)에 의해 주형 스테이지(14) 내에 유지된다. 아울러, 주형 척(13)은 기판 측면을 향하는 패턴 영역(P) 및 그의 주연 부분을 구비한 표면을 유지한다.

주형 스테이지(14)는 주형(3)의 패턴 영역(P) 상에 형성된 오목 및 볼록 패턴이 기판(2)으로 전사될 때 기판(2)과 주형(3) 사이의 간격을 위치 설정하기 위한 구동 시스템이고, Z-축 방향으로의 구동을 수행한다. 아울러, 주형 스테이지(14)는 주형(3)의 기울기를 결정하기 위한 구동 시스템일 수 있고, 주형(3)을 ωx (X-축 둘레에서의 회전) 방향 또는 ωy (Y-축 둘레에서의 회전) 방향으로 구동할 수 있다. 이러한 방식으로, 주형 스테이지(14)는, 고도로 정밀한 위치 설정이 패턴 전사 중에 요구되므로, 대략적 이동(coarse-motion) 구동 시스템 및 미세 이동 구동 시스템 등의 복수의 구동 시스템에 의해 구성될 수 있다.

또한, 주형(3)은 Z-축 방향뿐만 아니라, X-축 방향, Y-축 방향, 또는 θ (Z-축 둘레에서의 회전) 방향으로의 위치 조정 기능과, 주형(3)의 기울기를 보정하기 위한 경사 기능을 구비할 수 있다. 예를 들어, 주형 스테이지(14)는 Z-방향으로의 구동을 수행하는 복수의 액추에이터를 포함함으로써, 각각의 액추에이터의 구동량에 따라 Z-축 방향으로의 구동량 및 기울기를 제어할 수 있다.

주형 척(13) 내에, 주형(3)의 형상을 보정하기 위한 배율 보정 메커니즘(15)(변형 메커니즘)이 배열된다. 배율 보정 메커니즘(15)은 주형(3)의 측표면에 힘 또는 변위를 가함으로써 주형(3)의 형상을 변형시키는 변형 메커니즘일 수 있다.

따라서, 패턴 영역(P)의 형상은 변형되고, 패턴 영역(P) 상에 형성된 오목 및 볼록 패턴은 기판 상에 이미 형성된 샷 영역의 패턴의 형상과 정렬되도록 보정될 수 있다. 이러한 경우에, 위에서 설명된 바와 같이, Z-축 방향은, 또한 주형(3)의 패턴 영역(P)이 기판(2) 상의 임프린트 재료와 접하도록 주형(3)과 기판 사이의 간격이 좁아질 때, 주형 및 기판 중 하나 이상이 이동하는 방향에 대해 평행한 축이다. 바꾸어 말하면, 배율 보정 메커니즘(15)은 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격이 주형(3)에 대해 조정되는 방향(좁아지는 방향)에 대한 수직 표면 내에서 서로에 대해 직각인 2개의 방향으로부터 힘 또는 변위를 가하도록 사용된다.

기판 유지 유닛(6)은 기판을 유지하고, 임프린팅시 기판(2)과 주형(3) 사이의 정렬을 수행한다. 기판 유지 유닛(6)은 기판 척(16) 및 기판 스테이지(17)를 포함한다. 기판 척(16)은 기계식 유지 유닛(도시되지 않음)에 의해 기판(2)을 유지한다. 아울러, 기판 척(16)은 기계식 유지 유닛(도시되지 않음)에 의해 기판 스테이지(17) 내에 유지된다.

기판 스테이지(17)는 기판(2)과 주형(3) 사이의 정렬을 수행하기 위해 X-축 방향 및 Y-축 방향으로의 구동을 수행하는 구동 시스템이다. 아울러, X-축 방향 및 Y-축 방향으로의 구동 시스템은 대략적 이동 구동 시스템 및 미세 이동 구동 시스템 등의 복수의 구동 시스템에 의해 구성될 수 있다. 또한, 기판 스테이지(17)는 Z-축 방향으로의 위치 조정, 기판(2)의 θ (Z-축 둘레에서의 회전) 방향으로의 위치 조정 기능, 또는 기판(2)의 기울기를 보정하기 위한 경사 기능을 위한 구동 시스템을 포함할 수 있다.

도포기(7)는 기판(2) 상으로 수지를 공급하기 위한 공급 유닛이다. 도포기는 수지 토출 노즐(도시되지 않음)을 포함하고, 수지 토출 노즐로부터 기판(2) 상으로 수지를 적하한다. 자외광으로 조사됨으로써 경화의 특성을 갖는 수지를 사용하는 것이 요구된다. 아울러, 토출되는 수지의 양은 수지의 필요한 두께 또는 전사되는 패턴 밀도 등에 의해 결정될 수 있다.

본 예시적인 실시예에서, Z-축 방향으로 주형 유지 유닛(5) 또는 기판 유지 유닛(6)을 구동하는 구동 시스템들 중 하나 이상이 간격 조정 메커니즘으로 불린다. 당연히, 기판(2)과 주형(3) 사이의 간격은 주형 유지 유닛(5) 및 기판 유지 유닛(6)에 의해 조정될 수 있다. 아울러, 주형 유지 유닛(5) 및 기판 유지 유닛(6)의 기울기를 조정하기 위한 구동 시스템들 중 하나 이상이 기울기 조정 메커니즘으로 불린다. 마찬가지로, 기판(2) 및 주형(3)의 기울기는 주형 유지 유닛(5) 및 기판 유지 유닛(6)에 의해 조정될 수 있다. 아울러, 간격 조정 메커니즘은 기울기를 조정하기 위한 기능을 구비할 수 있다.

정렬 측정 유닛(8)은 기판(2) 상에 형성된 정렬 마크와 주형(3) 상에 형성된 정렬 마크 사이의 X-축 방향 및 Y-축 방향으로의 위치 편차를 측정한다. 바꾸어 말하면, 정렬 측정 유닛(8)은 패턴 영역(P)과 기판 상에 이미 형성된 샷 사이의 형상 차에 관한 정보를 획득하는 유닛(제1 획득 유닛)으로서 기능한다. 더 구체적으로, 정렬 측정 유닛(8)은 패턴의 형상 차에 관한 정보로서 정보를 획득하기 위해, 패턴 영역(P) 상에 형성된 오목 및 볼록 패턴 내에 포함된 복수의 마크와 복수의 마크에 대응하는 샷 내에 포함된 복수의 마크 사이의 상대 위치에 관한 정보를 얻는다.

기판(2)과 주형(3) 사이의 간격을 측정하는 거리 측정 유닛(9)은 기판(2)과 주형(3) 사이의 간격을 측정함으로써 기판(2)과 주형(3) 사이의 간격에 관한 정보를 획득하는 제2 획득 유닛이다. 예를 들어, 거리 측정 유닛(9)은 발광 섹션 및 수광 섹션(도시되지 않음)을 포함하는 측정 섹션(9a)과, 반사 거울을 포함하는 반사 섹션(9b)을 포함하는 레이저 간섭계로서 구성될 수 있다. 이러한 경우에, 측정 유닛(9a)은 레이저광의 간섭을 사용하여 반사 유닛(9b)의 위치를 측정함으로써 측정 유닛(9a)에 대한 거리(높이)를 측정한다.

이와 관련하여, 측정 섹션(9a)에 대한 Z-축 방향으로의 기판 유지 유닛(6) 및 기판(2)의 거리(높이)의 정보가 공지되어 있다. 아울러, 반사 섹션(9b) 또는 측정 섹션(9a)과 패턴 영역(특히, 기판(2)에 대향하는 표면) 및 패턴 영역(P)의 주연 부분(특히, 배율 보정 메커니즘(15)에 가까운 부분) 사이의 거리(높이)의 정보 또한 공지되어 있다. 이러한 거리의 정보가 이용 가능하면, 사용되는 구성에 따라 계산 등에 의해, 기판(2)과 주형(3) 사이의 간격에 관한 정보를 획득하는 것이 가능해진다.

이러한 공정에서, 기판(2)과 주형(3) 사이의 간격에 관한 정보로서, 전술한 정보를 사용하여 발생되는, 패턴 영역(P)의 주연 부분(특히, 배율 보정 메커니즘(15)에 가까운 부분)과 기판(2) 사이의 간격(거리 또는 높이)이 사용되는 것으로 가정된다. 아울러, 거리 측정 유닛(9)은 주형(3)의 기울기를 측정할 수 있다. 주형(3)의 기울기는 복수의 위치에서 거리 측정 유닛(9)에 의해 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격을 측정함으로써 측정될 수 있다. 본원에서 사용되는 주형(3)의 기울기는 기판(2)의 평면에 대한 주형(3)의 기울기를 표시한다.

제어 유닛(10)은 임프린트 장치(1)의 각각의 구성 요소의 동작 및 조정을 제어한다. 예를 들어, 제어 유닛(10)은, 주형 유지 유닛(5)을 구성하는, 주형 스테이지(14) 및 배율 보정 메커니즘(15)의 제어를 수행한다.

추가로, 임프린트 장치(1)는 주형 유지 유닛(5)으로 주형(3)을 반송하기 위한 주형 반송 유닛(도시되지 않음), 및 기판 유지 유닛(6)으로 기판(2)을 반송하기 위한 기판 반송 유닛(도시되지 않음)을 포함한다. 아울러, 임프린트 장치(1)는 기판 유지 유닛(6)을 유지하기 위한 기부면 플레이트(20), 주형 유지 유닛(5)을 유지하기 위한 브리지면(bridge surface) 플레이트(21), 및 브리지면 플레이트(21)를 지지하기 위한 지지 기둥(22)을 포함한다. 아울러, 기판 척(16)은 주형(3)의 정렬을 수행할 때 사용되는 기준 마크(23)를 포함한다.

아울러, 임프린트 장치(1)는 주형(3)의 이면에 주형(3)을 변형시키기 위한 공동(25)을 포함할 수 있다. 공동(25) 내의 압력이 필요한 대로 변경될 수 있고, 공동(25)은 제어 유닛(10)에 의해 제어될 수 있거나, 대안적으로, 별도의 공동 압력 제어 유닛(도시되지 않음)을 제공함으로써 제어될 수 있다. 압력 제어 메커니즘은 제어 유닛(10) 및 공동(25)에 의해 구성된다. 예를 들어, 공동 압력이 외부보다 높게 되고 패턴이 하향 (볼록) 방향으로 굴절되는 상태에서 주형(3)이 기판(2)에 대해 가압될 때, 주형(3)은 패턴의 중심부에서 시작하여 기판(2) 상의 수지와 접하게 된다. 결과적으로, 공기가 수지와 주형(3) 사이에 포착되는 것이 방지되고, 미충전으로 인한 패턴 결함이 감소될 수 있다.

본 예시적인 실시예에서, 한 가지 주목할 점은, 패턴 영역(P)과 기판(2)이 그들 사이에 임프린트 재료를 개재하면서 서로 접하게 되는 경우에, 표면 장력이 매우 강하다는 것이다. 패턴 영역(P)이 매우 강한 힘에 의해 기판(2)과 접하므로, 접하는 부분은 작은 힘에 의해 분리되지 않는다. 바꾸어 말하면, 일단 패턴 영역(P)이 기판(2)과 그들 사이에 임프린트 재료를 개재하면서 접하게 되면, 상태는 미리 정해진 임프린트 재료의 미리 정해진 두께의 간격에서 안정적이라고 가정된다. 이러한 상태에서 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격을 조정함으로써, 패턴 영역(P)에 대한 변형이 생성될 수 있다.

제1 예시적인 실시예가 설명될 것이다. 임프린트 장치(1)의 동작이 도 1, 도 2a 내지 2d, 및 도 3을 참조하여 설명될 것이다. 도 3은 미리 정해진 층의 패턴이 기판의 복수의 시트에 대해 동일한 주형을 사용하여 임프린트될 때의 동작 순서이다. 기판의 복수의 시트의 각각의 기판 상에, 이미 형성된 패턴을 갖는 복수의 샷 영역이 있고, 주형에 의한 임프린팅은 당연히 샷 바이 샷(shot-by-shot) 방식으로 수행된다.

도 3에서, 단계(S101)에서, 주형(3)은 주형 반송 유닛(18)(도시되지 않음)에 의해 주형 척(13) 상에 장착된다.

단계(S102)에서, 정렬 측정 유닛(8)은 X-축 방향, Y-축 방향, 및 θ (Z-축 둘레에서의 회전) 방향으로 기준 마크(23)와 주형(3)의 정렬 마크 사이의 편차를 측정한다. 그 다음, 측정 결과에 기초하여, 정렬 측정 유닛(8)은 기준 마크(23)와 주형(3)의 정렬 마크의 정렬을 수행한다.

단계(S103)에서, 기판(2)은 기판 반송 유닛(19)(도시되지 않음)에 의해 기판 척(16)에 부착된다.

단계(S104)에서, 기판(2)은 기판 스테이지(17)에 의해 도포기(7)의 도포 위치로 이동된다.

단계(S105)에서, 액체 수지가 도포기(7)에 의해 기판(2) 상에 도포된다.

단계(S106)에서, 수지가 도포된 기판(2)은 기판 스테이지(17)에 의해 가압 위치로 이동된다.

단계(S107)에서, 주형(3)과 기판(2) 상에 도포된 수지는 주형 스테이지(14)에 의해 서로 접하게 된다. 이때, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격은, 거리 측정 유닛(9)에 의해 측정되면서, 중첩 정밀도가 최상이 되도록 허용되는 간격을 획득하기 위해 주형 스테이지(14)에 의해 제어된다. 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격은, 중첩 검사의 결과 및 패턴의 왜곡 정보에 기초하여, 미리 패턴화를 수행하고 중첩 검사를 실시함으로써, 중첩 정밀도가 최고가 되도록 계산되면 된다.

본원에서, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격을 측정하는 예가 설명되었지만, 주형(3)의 기울기는 거리 측정 유닛(9)을 사용하여 결정될 수 있다. 대안적으로, 간격 및 주형(3)의 기울기는 동시에 측정될 수 있다. 수지와 주형이 서로 접하게 될 때, 주형(3)의 기울기는 거리 측정 유닛(9)에 의해 측정되면서, 중첩 정밀도가 최상이 되도록 허용하는 기울기를 획득하기 위해 주형 스테이지(14)에 의해 제어된다.

대안적으로, 중첩 검사를 미리 수행하지 않고서, 주형(3)이 가압될 때마다 정렬 측정 유닛(8)에 의해 주형(3)과 기판(2) 사이의 위치 편차를 측정하면서 가압 동작이 수행될 수 있고, 가압 위치는 중첩 정밀도가 최상이 되도록 결정될 수 있다. 이러한 경우에, 예를 들어, 아래에서 설명되는 바와 같이 제어를 수행하면 된다. 우선, 측정 유닛(8)에 의해 측정된 주형(3)과 기판(2) 사이의 위치 편차에 기초하여, 중첩 정밀도가 개선되도록 가압 위치 및 기울기가 매우 소량만큼 변경된다. 다시, 위치 편차는 측정 유닛(8)에 의해 측정되고, 가압 위치 및 기울기는 위치 편차의 크기에 따라 변경된다. 상기 동작을 반복함으로써, 중첩 정밀도가 원하는 값이 될 때까지, 최종 가압 위치 및 기울기가 결정된다.

아울러, 주형(3)은 Z-축 방향으로, 기판 유지 유닛(6), 또는 주형 유지 유닛(5) 및 기판 유지 유닛(6)을 구동함으로써, 기판(2) 상에 코팅된 수지에 대해 가압될 수 있다. 또한, 임프린팅 동작은, 기울기를 변경하면서, 기판 유지 유닛(6), 또는 주형 유지 유닛(5) 및 기판 유지 유닛(6)을 구동함으로써 수행될 수 있다.

아울러, 중첩 정밀도가 가압 중에 최상이 되도록 정의된 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격보다 좁은 간격으로 가압된 후에, 주형(3)은 정의된 간격으로 복귀될 수 있다. 이때의 주형(3)의 변형은 도 2a 내지 2d를 참조하여 설명될 것이다. 주형(3)이 기판(2)에 대해 가압되기 전의 상태가 도 2a에 도시되어 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 주형(3)의 패턴 영역은 중력 또는 공정 중에 발생되는 잔류 응력으로 인해 변형되고, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격이 이러한 상태에서 좁아짐에 따라, 패턴이 패턴의 중심으로부터 수지와 접하게 되는 것으로 간주된다. 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격이 이와 같이 점진적으로 좁아짐에 따라, 주형의 패턴 영역과 수지 사이의 접하는 영역이 중심으로부터 점진적으로 확산된다.

이러한 공정에서, 가압이 도 2c에 도시된 바와 같이 최적의 간격에서 정지될 때, 수지가 패턴의 외측 주연 부분과 완전히 접하지 않은 채로, 공정이 다음 단계로 진행할 가능성이 있다. 이때, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격이 도 2b에 도시된 바와 같이 최적 상태보다 작아지면, 수지는 패턴의 외측 주연 부분과 확실히 접하게 된다. 일단 기판(2) 상에 도포된 수지와 주형(3)이 서로 접하게 되면, 표면 장력이 작용하고, 기판(2)과 주형(3)이 서로로부터 이격될 때에도, 패턴 영역과 기판(2) 상의 수지는 표면 장력의 작용에 의해 서로로부터 분리되기 어려워진다. 그러므로, 그 후에, 도 2c에 도시된 바와 같이 최적의 간격(간격(d2))으로 복귀함으로써, 공정은 수지와 패턴이 서로 확실히 접한 상태에서 다음 단계로 진행할 수 있다.

다음으로, 간격의 전술한 제어에 추가하여, 기판(2) 및 주형(3)의 기울기를 제어하는 경우가 설명될 것이다. 주형(3)과 기판(2)이 기울어진 상태에서 서로에 대해 가압될 때, 주형(3)은 패턴 영역(P)의 단부로부터 기판(2) (기판 상의 수지)와 접하게 된다. 이러한 방식으로, 주형이 기울어진 상태에서 기판과 접하게 될 때, 표면 장력이 접하는 부분 내에서 작용하고, 패턴은 응력에 의해 왜곡될 위험이 있다. 그러므로, 주형(3)의 기울기가 조정될 때, 주형(3)과 기판(2)이 서로에 대해 평행하게 유지되는 상태에서, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격을 도 2b에 도시된 바와 같이, 최적 상태(간격(d1))보다 작게 한다. 그 후에, 도 2d에 도시된 바와 같이, 간격(d3)을 조정하고 주형(3)의 기울기(ωy)를 조정하는 것이 바람직하다.

제어가 전술한 예시적인 실시예에서 주형(3)과 기판(2) 사이의 거리를 변경함으로써 최적의 가압 상태를 획득하기 위해 수행되지만, 제어는 기판(2)에 대한 주형(3)의 가압력을 변경함으로써 최적의 가압 상태를 획득하기 위해 수행될 수 있다. 그러한 경우에, 주형 유지 유닛(5) 또는 기판 유지 유닛(6)은 가압력 측정 메커니즘(도시되지 않음)을 포함할 필요가 있다. 가압력 측정 메커니즘(27)은 로드 셀 등에 의해 힘을 직접 측정할 수 있거나, 모터 등의 전류의 측정 값으로부터 가압력을 계산할 수 있다. 대안적으로, 공기 압력에 의해 구동되는 경우에, 가압력 측정 메커니즘(27)은 밸브 압력 측정 값에 의해 가압력을 계산할 수 있다. 아울러, 주형 스테이지(14)는, 복수의 액추에이터에 의해 구성되면, 각각의 액추에이터의 출력비에 의해 주형(3)의 기울기를 제어할 수 있다.

단계(S108)에서, 수지는 주형(3)에 의해 가압되고, 수지는 조명 유닛(4)으로부터 조사되는 UV 광에 의해 경화된다.

단계(S109)에서, 주형(3)은 주형 스테이지(14)에 의해 상승되고, 주형(3)은 기판(2) 상의 경화된 수지로부터 분리된다.

단계(S110)에서, 패턴이 후속하여 전사되는 샷이 있는지에 대한 결정이 수행된다. 전사되어야 하는 샷이 있으면, 공정은 단계(S104)로 복귀한다. 전사되어야 하는 샷이 없으면, 공정은 단계(S111)로 진행한다.

단계(S111)에서, 기판(3)은 웨이퍼 반송 유닛에 의해 기판 유지 유닛(6)으로부터 회수된다.

단계(S112)에서, 패턴 전사가 이후에 수행되는 기판이 있는지에 대한 결정이 수행된다. 패턴이 전사되는 기판이 있으면, 공정은 단계(S103)로 복귀한다. 패턴이 전사되는 기판이 없으면, 공정은 다음의 단계(S113)로 진행한다.

단계(S113)에서, 주형(3)은 주형 반송 유닛(18)에 의해 주형 유지 유닛(5)으로부터 회수되고, 모든 단계가 종료한다.

제2 예시적인 실시예가 설명될 것이다. 배율 보정 메커니즘(15) 및 공동 압력 제어 유닛을 포함하는 임프린트 장치의 동작이 도 1, 도 3, 및 도 4를 참조하여 설명될 것이다. 도 4는 도 3의 단계(S107)에 대응하는 부분이 배율 보정 메커니즘(15)을 포함하는 임프린트 장치 내의 순서로 재기입된 흐름도이다.

도 3의 단계(S101) 내지 단계(S106)의 처리를 거친 후에, 공정은 도 4의 단계(S201)로 진행하고, 단계(S203)에서의 처리를 거친 후에, 공정은 단계(S108)로 진행한다. 단계(S101) 내지 단계(S106) 그리고 단계(S108) 내지 단계(S113)의 처리는 제1 예시적인 실시예에서와 동일하고, 따라서 그 설명은 반복하지 않는다.

단계(S201)에서, 주형(3)은 사전에 패턴화 동작을 실시하고 중첩 검사를 수행한 결과로서 얻어진 패턴의 배율 보정 데이터 및 왜곡 정보에 기초하여, 배율 보정 메커니즘(15)에 의해 원하는 형상으로 변형된다.

단계(S202)에서, 공동 압력의 제어는 사전에 공동 압력을 변경함으로써 패턴화 동작을 수행하고 중첩 검사를 수행한 결과로서 얻어진 공동 압력 데이터를 사용하여 수행된다. 주형(3)은 공동 압력 데이터 및 패턴의 왜곡 정보에 기초하여, 공동 압력 제어 유닛에 의해 주형(3)의 이면에 압력을 가함으로써 원하는 형상으로 변형된다.

단계(S203)에서, 주형(3)은 기판(2) 상에 도포된 수지에 대해, 주형 스테이지(14)에 의해, 가압된다. 수지와 주형(3)이 서로 접하게 될 때, 패턴화 동작은 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격을 변경하면서 사전에 수행되고, 중첩 검사의 결과로서 얻어진 기판(2)과 주형(3) 사이의 간격 데이터는 누적된다. 누적 데이터로서, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격 데이터에 추가하여, 기울기 및 배율을 변경한 결과로부터 얻어진 데이터, 및 공동 압력이 누적될 수 있다. 아울러, 기판(2)의 패턴의 왜곡 정보 또한 미리 측정된다. 제어는 전술한 누적 데이터 및 기판(2)의 패턴의 왜곡 정보에 기초하여 수행된다. 가압의 간격 데이터 및 패턴의 대응하는 왜곡 정보에 기초하여, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격은 거리 측정 유닛(9)에 의해 측정되고, 중첩 정밀도가 최상이 되도록 허용되는 간격을 얻기 위해 간격 조정 메커니즘인 주형 스테이지(14)에 의해 제어된다. 기울기, 배율, 및 공동 압력을 변경한 결과로부터 얻어진 데이터가 사용되면, 기울기, 배율, 및 공동 압력은, 누적 데이터 및 왜곡 정보에 기초하여, 중첩 정밀도가 최상이 되도록 제어될 수 있다.

또한, 전술한 예시적인 실시예에서, 제1 예시적인 실시예와 마찬가지로, 중첩 정밀도가 가압 중에 최상이 되도록 정의된 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격보다 좁은 간격으로 일시적으로 가압을 행한 후에, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격은 그 정의된 간격 또는 기울기로 복귀될 수 있다. 아울러, 주형(3)과 기판(2) 사이의 위치 관계는 또한 거리 또는 기울기 대신에 가압력에 의해 제어될 수 있다.

도 4의 단계(S203)에서의 처리가 종료하면, 공정은 단계(S108)로 진행한다.

단계(S201), 단계(S202), 및 단계(S203)의 순서는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 단계(S202)에서, 주형(3)의 형상이 공동 압력 제어 유닛에 의해 변형되고, 그 다음 단계(S203)에서, 주형(3)이 주형 스테이지(14)에 의해 기판(2)에 대해 가압되고, 그 후에, 단계(S201)에서, 주형(3)이 배율 보정 메커니즘(15)에 의해 다시 변형되어도 된다.

아울러, 주형 스테이지(14)에 의해 기판(2)과 주형(3) 사이의 간격 또는 기울기를 제어하면서, 주형(3)의 형상은 배율 보정 메커니즘(15) 또는 공동 압력 조정 유닛에 의해 병렬로 변경될 수 있다. 또한, 주형(3)은 배율 보정 메커니즘(15) 및 공동 압력 제어 유닛 중 하나만에 의해 변형될 수 있다. 바꾸어 말하면, 주형(3)은 단계(S201) 및 단계(S202) 중 하나에 의해 변형될 수 있다. 이러한 경우들 중 하나에서, 사전에 각각의 중첩 검사를 수행하고, 그의 결과 및 패턴의 왜곡 정보에 기초하여, 중첩 정밀도가 작아지도록, 공동 압력, 주형과 기판 사이의 거리 및 기울기, 및 배율 보정량을 결정하면 된다.

아울러, 미리 패턴화를 수행한 후에 중첩 검사의 결과에 기초하여 제어량을 결정하는 대신에, 가압 동작은 주형(3)이 가압될 때마다 정렬 측정 유닛(8)에 의해 주형(3)과 기판(2) 사이의 위치 편차를 측정하면서 수행될 수 있다. 이러한 경우에, 주형 스테이지(14)에 의한 가압 위치 및 기울기, 및 배율 보정 메커니즘(15) 또는 제어 유닛(10) (또는 공동 압력 제어 유닛)에 의한 배율 보정의 보정량이 중첩 정밀도가 개선되도록 결정된다.

바꾸어 말하면, 제어 유닛(10)은 형상 차에 관한 정보에 기초하여, 배율 보정 메커니즘(15)(변형 메커니즘)의 제어를 수행한다. 아울러, 제어 유닛(10)은 형상 차에 관한 정보 및 간격에 관한 정보에 기초하여, 간격 조정 메커니즘의 제어를 동시에 수행할 수 있다. 제어 유닛(10)은 또한 형상 차에 관한 정보 및 기울기에 관한 정보에 기초하여 기울기 조정 메커니즘의 제어를 동시에 수행할 수 있다. 또한, 제어 유닛(10)은 형상 차에 관한 정보에 기초하여 압력 조정 메커니즘의 제어를 함께 수행할 수 있다. 이러한 4가지 제어 중 임의의 하나의 제어를 수행함으로써 패턴 영역(P)이 변형된 상태에서 패턴 영역(P)과 이미 형성된 샷 사이의 잔여 형상 차를 감소시키기 위해, 4가지 제어 중 다른 하나가 실행된다.

4가지 제어의 동시 실행 가능성을 고려하면, 본 예시적인 실시예는 상기 제어와 함께 사용하기 위한 보정량, 간격(거리), 기울기, 및 압력 값 등의 제어 데이터를 발생시키는 것이다. 당연히, 형상 차가 상기 4가지 제어 중 하나의 제어에 의해 거의 제거되면, 다른 제어를 수행할 필요가 없다. 아울러, 상기 4가지 제어 중 2가지 제어를 특화하면서 하나의 제어를 수행하고, 그 다음 남아 있는 잔류 형상 차를 다른 제어에 의해 감소시키는 것이 허용 가능하다. 위에서 설명된 바와 같이, 제어 데이터는 검사 장치를 사용하여, 미리 생성될 수 있다. 아울러, 정렬 측정 유닛(8)이 패턴 영역(P)이 임프린트 재료와 접하는 상태에서, 패턴 영역(P)의 복수의 마크와 샷의 복수의 마크 사이의 상대 위치를 측정할 수 있고 형상 차에 관한 정보를 획득할 수 있으면, 형상들은 접하고 있는 상태 중에 정합되도록 허용될 수 있다.

예를 들어, 주형(3)과 기판(2) 사이의 관계는 주형(3)의 패턴의 보정된 형상에 따라, 결정될 수 있다. 구체적으로, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격은, 주형(3)의 형상이 배율 보정 메커니즘(15)에 의해 보정될 때 발생되는 주형(3)의 가압 방향으로의 변형에 따라 결정될 수 있다. 이러한 경우에, 배율 보정 메커니즘(15)에 의한 주형(3)의 패턴 영역의 변형과, 주형(3)과 기판(2) 사이의 간격으로부터 생성되는 주형(3)의 패턴 영역의 변형 사이의 관계를 미리 결정하는 것이 필요하다.

제3 예시적인 실시예가 설명될 것이다. 물품으로서 장치의 제조 방법은 임프린트 장치(1)를 사용하여 기판(예컨대, 웨이퍼, 유리판, 필름형 기판) 상으로 패턴을 전사(형성)하기 위한 단계를 포함한다. 그러한 제조 방법은 패턴이 전사된 기판을 에칭하기 위한 단계를 더 포함한다. 그러한 제조 방법은, 패턴 도트 매체(기록 매체) 또는 광학 요소 등의 다른 물품이 제조될 때, 에칭 단계 대신에, 패턴이 전사된 기판을 처리하기 위한 다른 처리 단계를 포함한다.

이상에서, 본 발명의 예시적인 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 당연히 이러한 예시적인 실시예로 제한되지 않고, 사상의 범주 내의 다양한 변경 및 변형이 가능하다.

본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 제한되지 않음을 이해하여야 한다. 다음의 특허청구범위의 범주는 모든 변형, 등가의 구조, 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.

1: 임프린트 장치
3: 주형
4: 조명 유닛
5: 주형 유지 유닛
6: 기판 유지 유닛

Claims

주형을 사용하여 기판 상에 임프린트 재료를 성형하고 상기 기판 상에 패턴을 형성하도록 구성된 임프린트 장치로서,
패턴 영역을 포함하는 표면을 포함하는 주형을 유지하도록 구성된 주형 유지 유닛;
상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 유지 유닛;
상기 패턴 영역과 상기 기판 상에 이미 형성된 샷 사이의 형상 차에 관한 정보를 획득하도록 구성된 제1 획득 유닛; 및
상기 패턴 영역과 상기 임프린트 재료가 서로 접하고 있는 상태에서, 상기 제1 획득 유닛에 의해 획득된 형상 차에 관한 정보에 기초하여, 상기 주형과 상기 기판 사이의 간격을 조정하기 위해 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하는, 임프린트 장치.
제1항에 있어서,
상기 주형과 상기 기판 사이의 간격에 관한 정보를 획득하도록 구성된 제2 획득 유닛을 더 포함하고,
상기 제어 유닛은 제2 획득 유닛에 의해 획득된 상기 주형과 상기 기판 사이의 간격에 관한 정보에 기초하여, 상기 주형과 상기 기판 사이의 간격을 조정하기 위해 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상을 제어하도록 구성된, 임프린트 장치.
제1항에 있어서,
상기 간격에 관한 정보는, 상기 주형과 상기 기판 사이의 거리를 측정함으로써 얻어진 값, 및 상기 패턴 영역과 상기 임프린트 재료가 서로 접하고 있는 상태에서 주형과 기판 사이에서 발생되는 힘의 값 중 하나 이상인, 임프린트 장치,
제1항에 있어서,
상기 패턴 영역과 상기 기판 상에 이미 형성된 샷 사이의 형상 차에 관한 정보는, 상기 패턴 영역 상에 형성된 복수의 마크와 상기 샷 상에 형성된 복수의 마크 사이의 상대 위치의 정보인, 임프린트 장치.
제1항에 있어서,
상기 주형 유지 유닛은 상기 주형 상에 힘을 가함으로써 상기 주형이 상기 임프린트 재료와 접하지 않는 상태에서도 상기 주형의 상기 패턴 영역을 변형시킬 수 있도록 구성된 변형 메커니즘을 포함하도록 구성되고,
상기 제어 유닛은, 형상 차에 관한 정보에 기초한 상기 변형 메커니즘의 제어, 및 형상 차에 관한 정보 및 간격에 관한 정보에 기초한 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상의 제어 중에서, 하나 이상의 제어를 수행하도록 구성된, 임프린트 장치.
제5항에 있어서,
상기 제어 유닛은, 변형 메커니즘의 제어, 및 주형 유지 유닛 및 기판 유지 유닛 중 하나 이상의 제어 중에서, 다른 하나를 제어하기 위해, 상기 변형 메커니즘의 제어, 및 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상의 제어 중에서, 하나를 수행함으로써 상기 패턴 영역이 변형되는 상태에서, 상기 패턴 영역과 이미 형성된 상기 샷 사이의 잔류 형상 차를 감소시키도록 구성된, 임프린트 장치.
제5항에 있어서,
상기 변형 메커니즘은, 상기 주형과 상기 기판 사이의 간격이 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상을 제어함으로써 조정되는 방향에 대해 직교하는 평면 내에서 서로에 대해 직각인 2개의 방향으로부터 상기 주형의 측면에 힘을 가하는 메커니즘이고,
상기 주형은 상기 평면의 이면측에 상기 주형을 변형시키기 위한 공동을 포함하고, 상기 공동 내의 압력을 조정하도록 구성된 압력 조정 메커니즘을 포함하고,
상기 제어 유닛은 형상 차에 관한 정보에 기초한 상기 변형 메커니즘의 제어, 형상 차에 관한 정보 및 간격에 관한 정보에 기초한 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상의 제어, 및 형상 차에 관한 정보에 기초한 상기 압력 조정 메커니즘의 제어 중 하나의 제어를 수행하도록 구성된, 임프린트 장치.
제7항에 있어서,
상기 제어 유닛은, 형상 차에 관한 정보에 기초한 상기 변형 메커니즘의 제어, 형상 차에 관한 정보 및 간격에 관한 정보에 기초한 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상의 제어, 및 형상 차에 관한 정보에 기초한 상기 압력 조정 메커니즘의 제어 중 다른 하나를 제어하기 위해, 형상 차에 관한 정보에 기초한 상기 변형 메커니즘의 제어, 형상 차에 관한 정보 및 간격에 관한 정보에 기초한 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상의 제어, 및 형상 차에 관한 정보에 기초한 상기 압력 조정 메커니즘의 제어 중 하나의 제어를 수행함으로써 상기 패턴 영역이 변형되는 상태에서, 상기 패턴 영역과 이미 형성된 상기 샷 사이의 잔류 형상 차를 감소시키도록 구성된, 임프린트 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 획득 유닛은 형상 차에 관한 정보에 기초한 상기 변형 메커니즘의 제어, 형상 차에 관한 정보 및 간격에 관한 정보에 기초한 상기 간격 조정 메커니즘의 제어, 및 형상 차에 관한 정보에 기초한 상기 압력 조정 메커니즘의 제어 중 하나의 제어를 수행함으로써 상기 패턴 영역이 변형되는 상태에서, 상기 패턴 영역과 이미 형성된 상기 샷 사이의 잔류 형상 차를 획득할 수 있도록 구성된, 임프린트 장치.
주형을 사용하여 기판 상에 임프린트 재료를 성형하고 상기 기판 상에 패턴을 형성하도록 구성된 임프린트 장치로서,
패턴 영역을 포함하는 표면을 포함하는 상기 주형을 유지하도록 구성된 주형 유지 유닛;
상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 유지 유닛;
상기 패턴 영역과 상기 기판 상에 이미 형성된 샷 사이의 형상 차에 관한 정보를 획득하도록 구성된 제1 획득 유닛; 및
상기 패턴 영역과 상기 임프린트 재료가 서로 접하고 있는 상태에서, 상기 제1 획득 유닛에 의해 획득된 형상 차에 관한 정보에 기초하여, 상기 주형과 상기 기판 사이의 기울기를 조정하기 위해 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하는, 임프린트 장치.
제10항에 있어서,
상기 주형과 상기 기판 사이의 기울기에 관한 정보를 획득하도록 구성된 제2 획득 유닛을 더 포함하고,
상기 제어 유닛은 상기 제2 획득 유닛에 의해 획득된 상기 주형과 상기 기판 사이의 기울기에 관한 정보에 기초하여, 상기 주형과 상기 기판 사이의 기울기를 조정하기 위해 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상을 제어하도록 구성된, 임프린트 장치.
물품 제조 방법으로서,
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 형성하는 단계에 의해 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
상기 임프린트 장치는 주형을 사용하여 상기 기판 상에 임프린트 재료를 성형하고 상기 기판 상에 패턴을 형성하도록 구성되고,
상기 임프린트 장치는,
패턴 영역을 포함하는 표면을 포함하는 상기 주형을 유지하도록 구성된 주형 유지 유닛;
상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 유지 유닛;
상기 패턴 영역과 상기 기판 상에 이미 형성된 샷 사이의 형상 차에 관한 정보를 획득하도록 구성된 제1 획득 유닛; 및
상기 패턴 영역과 상기 임프린트 재료가 서로 접하는 상태에서, 상기 제1 획득 유닛에 의해 획득된 형상 차에 관한 정보에 기초하여, 상기 주형과 상기 기판 사이의 간격을 조정하기 위해 상기 주형 유지 유닛 및 상기 기판 유지 유닛 중 하나 이상을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하는, 물품 제조 방법.