KR101669389B1 - 임프린트 방법 - Google Patents

임프린트 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101669389B1
KR101669389B1 KR1020160009949A KR20160009949A KR101669389B1 KR 101669389 B1 KR101669389 B1 KR 101669389B1 KR 1020160009949 A KR1020160009949 A KR 1020160009949A KR 20160009949 A KR20160009949 A KR 20160009949A KR 101669389 B1 KR101669389 B1 KR 101669389B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
mold
attraction force
shape
holding
Prior art date
Application number
KR1020160009949A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160017010A (ko
Inventor
가즈키 나카가와
노리야스 하세가와
요스케 무라카미
다카히로 마츠모토
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20160017010A publication Critical patent/KR20160017010A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101669389B1 publication Critical patent/KR101669389B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/026—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing of layered or coated substantially flat surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0822—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using IR radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2101/00—Use of unspecified macromolecular compounds as moulding material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2009/00—Layered products
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 임프린트 방법은, 상기 기판을 유지면 상에 유지하는 유지 단계와, 상기 패턴이 상기 기판 상에 형성되어 있는 기판측 패턴 영역의 형상을 변형시키는 변형 단계와, 변형된 상기 기판측 패턴 영역 상의 수지와 상기 몰드를 접촉시키는 접촉 단계와, 상기 수지를 경화시키는 경화 단계와, 상기 몰드와 접촉되어 있는 상기 수지로부터 상기 몰드를 분리하는 몰드-분리 단계를 포함한다. 여기서, 상기 변형 단계에 있어서는, 상기 기판측 패턴 영역에 대응하는 기판의 이면과 상기 유지면 사이에 작용하는 최대 정지 마찰력보다 큰 변형력이 기판의 표면을 따르는 방향으로 상기 기판에 가해진다.

Description

임프린트 방법{IMPRINT METHOD}
본 발명은 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 MEMS의 미세화의 요구가 증가됨에 따라, 종래의 포토리소그래피 기술 뿐만 아니라, 기판 상의 미경화 수지를 몰드에 의해 성형하여 수지의 패턴을 기판 상에 형성하는 미세 가공 기술이 주목받고 있다. 이러한 기술은 "임프린트 기술"로도 지칭되며, 기판 상에 수 나노미터의 치수를 갖는 미세한 구조체가 형성될 수 있다. 임프린트 기술의 일례는 광 경화법을 포함한다. 광 경화법을 채용한 임프린트 장치는, 우선, 기판(웨이퍼) 상의 샷(임프린트 영역)에 자외선 경화 수지(임프린트 재료, 광 경화성 수지)를 도포한다. 그 다음에, 상기 수지(미경화 수지)를 몰드에 의해 성형한다. 자외선을 조사해서 수지를 경화시킨 후, 경화된 수지를 몰드로부터 빼냄으로써, 수지의 패턴이 기판 상에 형성된다.
여기서, 임프린트 처리가 실시되는 기판에는, 일련의 디바이스 제조 공정에 있어서, 스퍼터링 등의 성막 공정에서의 가열 처리가 행해진다. 따라서, 기판 전체가 팽창 또는 수축되어, 평면 내에서 직교하는 2축 방향으로 패턴의 형상(사이즈)이 변화할 수 있다. 따라서, 임프린트 장치에서는, 몰드가 기판 상의 수지에 대해 가압될 때, 기판 상에 형성되어 있는 기판측 패턴의 형상과 몰드에 형성되어 있는 패턴부의 형상을 맞출 필요가 있다. 종래의 노광 장치에 있어서, 이러한 형상 보정(배율 보정)은, 기판의 배율에 따라 투영 광학계의 축소 배율을 변경하거나 또는 기판 스테이지의 주사 속도를 변경함으로써, 노광 처리시의 각각의 샷 사이즈를 변화시킴으로써 보장될 수 있다. 그러나, 임프린트 장치는 투영 광학계를 갖지 않고, 몰드가 기판 상의 수지와 직접 접촉하므로, 이러한 보정을 행하는 것이 어렵다. 그래서, 임프린트 장치는, 몰드의 측면에 외력을 가하거나 또는 몰드를 가열하여 팽창시킴으로써 몰드를 물리적으로 변형시키는 형상 보정 기구(배율 보정 기구)를 채용하고 있다.
예를 들어, 임프린트 장치가, 약 32㎚의 하프 피치(half-pitch)를 갖는 반도체 디바이스를 제조하는 제조 공정에 적용되는 것으로 가정한다. 이때, ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)에 따르면, 겹침 정밀도는 6.4㎚이다. 이를 수용하기 위해, 형상 보정도 수 ㎚ 이하의 정밀도로 행해질 필요가 있다. 한편, 임프린트 장치에 이용되는 몰드(패턴부)도 이하의 원인에 의해 왜곡될수 있다. 예를 들어, 몰드의 패턴면은 몰드의 제작시에는 상향이지만, 몰드가 사용될 때(가압시)에는 그 패턴면이 하향이다. 따라서, 사용시 중력의 영향 하에 패턴부가 변형될 수 있다. 패턴부는 일반적으로 전자 빔 등을 이용하는 묘화 장치에 의해 형성되지만, 이러한 형성 시에도, 묘화 장치의 광학계의 왜곡 수차로 인해 패턴부가 왜곡될 수 있다. 또한, 패턴부가 왜곡 없이 제작될 수 있더라도, 기판측 패턴에 왜곡이 발생하면, 겹침 정밀도에 악영향을 미친다. 따라서, 이러한 몰드의 왜곡(변형)을 억제하고 겹침 정밀도를 향상시키기 위해, 일본 특허 공개 제2004-259985호 공보는, 유지 온도 제어 유닛에 의해 몰드와 기판의 온도를 제어하고, 몰드 또는 기판에 원하는 열 변형을 발생시킴으로써 몰드 또는 기판의 형상을 보정하는 패턴 형성 장치를 개시하고 있다.
그러나, 종래의 임프린트 장치에서, 기판은, 웨이퍼 척 등의 기판 유지 유닛에 의해 기판의 바닥면이 구속되어 유지된다. 따라서, 일본 특허 공개 제2004-259985호 공보에 개시된 온도 제어 하에서 기판에 열 변형이 발생하더라도, 패턴부의 형상에 대해 기판측 패턴의 형상을 충분히 변화시키는 것은 여전히 어렵다. 따라서, 몰드의 형상 보정 뿐만 아니라 몰드의 형상에 대해 기판(기판측 패턴을 포함함)의 형상 보정도 용이하게 구현함으로써, 몰드와 기판 상의 수지 사이의 겹침 정밀도를 향상시킬 수 있는 장치가 요구된다.
본 발명은 몰드와 기판 상의 수지 사이의 겹침 정밀도의 향상에 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드에 형성된 패턴을 기판 상의 수지에 전사하는 임프린트 방법으로서, 상기 기판을 유지면 상에 유지하는 유지 단계와, 상기 패턴이 상기 기판 상에 형성되어 있는 기판측 패턴 영역의 형상을 변형시키는 변형 단계와, 변형된 상기 기판측 패턴 영역 상의 수지와 상기 몰드를 접촉시키는 접촉 단계와, 상기 수지를 경화시키는 경화 단계와, 상기 몰드와 접촉되어 있는 상기 수지로부터 상기 몰드를 분리하는 몰드-분리 단계를 포함하고, 상기 변형 단계에 있어서, 상기 기판측 패턴 영역에 대응하는 기판의 이면과 상기 유지면 사이에 작용하는 최대 정지 마찰력보다 큰 변형력이 기판의 표면을 따르는 방향으로 상기 기판에 가해지는, 임프린트 방법이 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참조하여 이하의 예시적인 실시예의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 제1 실시예에 따른 웨이퍼 스테이지의 구성을 도시하는 도면.
도 3은 제1 실시예에 따른 동작 시퀀스를 도시하는 흐름도.
도 4a는 제2 실시예에 따른 동작 시퀀스를 도시하는 흐름도.
도 4b는 도 4a에 도시된 동작 시퀀스의 변형예를 도시하는 흐름도.
도 5는 제3 실시예에 따른 웨이퍼 스테이지의 구성을 도시하는 도면.
도 6은 제4 실시예에 따른 동작 시퀀스를 도시하는 흐름도.
도 7은 제4 실시예에 따른 광의 조사량을 도시하는 도면.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
(제1 실시예)
우선, 본 발명의 제1 실시예에 따른 임프린트 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시예의 임프린트 장치(1)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(1)는, 물품으로서의 반도체 디바이스 등의 디바이스의 제조에 사용되어, 웨이퍼 상(기판 상), 즉 피처리 기판 상의 미경화 수지를 몰드를 이용하여 성형함으로써 웨이퍼 상에 수지의 패턴을 형성하는 장치이다. 본 실시예의 임프린트 장치는 광 경화법을 채용한 장치라는 점에 유의한다. 이하의 도면에 있어서는, 웨이퍼 상의 수지에 대해 자외선을 조사하는 조사계의 광축에 평행하게 Z축이 정렬되고, Z축에 수직인 평면 내에 서로 직교하는 X축 및 Y축이 정렬되어 있는 것으로 설명한다. 우선, 임프린트 장치(1)는 광 조사 유닛(2)과, 몰드 유지 기구(3)와, 웨이퍼 스테이지(4)와, 도포 유닛(5)과, 제어 유닛(6)을 포함한다.
광 조사 유닛(2)은 임프린트 처리 시에 몰드(7)에 대해 자외선(8)을 조사한다. 광 조사 유닛(2)은, 광원(9)과, 광원(9)으로부터 발광된 자외선(8)을 임프린트에 적절한 광으로 조정하는 광학 소자(10)로 구성된다. 본 실시예에서는, 광 경화법을 채용하기 위해 광 조사 유닛(2)이 설치되어 있다는 점에 유의한다. 열 경화법이 채용되는 경우에는, 광 조사 유닛(2) 대신에, 열경화성 수지를 경화시키기 위한 열원 유닛이 설치될 수 있다. 또한, 광 조사 유닛(2)은, 광원(9) 외에도, 웨이퍼(11)를 가열하기 위해 광을 조사하는 가열 기구(기판 변형 기구)로서 기능하는 가열용 광원(50)을 포함한다. 가열용 광원(50)에 의해 조사되는 광은, 광 경화성 수지가 감광되지 않는 적외선의 파장 범위 근방의 광이다. 또한, 가열 기구는 소정의 조사량 분포의 광을 형성하는 조정기를 포함한다. 본 실시예에서는, 가열용 광원(50)과 조정기가 일체인 것으로 가정하여 설명한다. 조정기는, 가열용 광원(50)과 별개로 설치될 수 있다는 점에 유의한다. 예를 들어, 가열용 광원(50)으로부터 발광된 광이 조사되는 영역에 배치된 복수의 액정 소자를 포함하는 액정 디바이스나, 또는 광이 조사되는 영역에 배치된 복수의 미러(mirror)를 포함하는 미러 디바이스가 이용될 수도 있다. 여기서, 미러 디바이스는 "디지털 미러 디바이스" 또는 "마이크로 미러 디바이스"로 지칭될 수도 있다. 액정 디바이스는 복수의 액정 소자에 인가되는 전압을 독립적으로 조정함으로써 소정의 조사량 분포를 형성할 수 있는 한편, 미러 디바이스는, 복수의 미러의 표면 방향을 독립적으로 조정함으로써 소정의 조사량 분포를 형성할 수 있다.
몰드(7)의 외주 형상은 직사각형이고, 몰드(7)는 웨이퍼(11)에 면하는 표면에 요철 패턴이 3차원으로 형성된 패턴부(예를 들어, 회로 패턴 등)(7a)를 포함한다. 또한, 몰드(7)의 재료는 자외선(8)이 통과할 수 있는 석영 등의 재료이다. 또한, 몰드(7)는, 자외선(8)이 조사되는 표면에, 몰드(7)의 변형을 용이하게 하기 위한 캐비티(오목부)(7b)가 형성된 형상일 수 있다. 캐비티(7b)는 원형의 평면 형상을 가지며, 캐비티(7b)의 두께(깊이)는 몰드(7)의 사이즈 또는 재료에 따라 적절하게 설정된다. 또한, 후술되는 몰드 유지 기구(3)의 개구 영역(17) 내에, 개구 영역(17)의 일부와 캐비티(7b)에 의해 둘러싸여진 공간(12)이 밀폐되도록 광 투과 부재(13)가 설치될 수 있고, 압력 조정 디바이스(도시되지 않음)에 의해 공간(12) 내의 압력이 조정될 수 있다. 예를 들어, 몰드(7)가 웨이퍼(11) 상의 수지(14)에 대해 가압될 때, 압력 조정 디바이스가 공간(12) 내의 압력을 외부 압력보다 높게 설정함으로써, 패턴부(7a)는 웨이퍼(11)를 향해 볼록 형상으로 휘어지고, 또한 패턴부(7a)는 수지(14)에 대해 패턴부(7a)의 중심부로부터 접촉된다. 이러한 구성에 의해, 패턴부(7a)와 수지(14) 사이에 기체(공기)가 갇히는 것이 억제되어, 패턴부(7a)의 요철부의 각각의 코너에 수지(14)가 충전될 수 있다.
우선, 몰드 유지 기구(3)는, 진공 흡착력/정전 인력을 이용하여 흡착/끌어당김으로써 몰드(7)를 유지하는 몰드 척(15)과, 몰드 척(15)을 유지하고 몰드(7)[몰드 척(15)]를 이동시키는 몰드 구동 기구(16)를 갖는다. 또한, 몰드 척(15) 및 몰드 구동 기구(16) 각각은, 광 조사 유닛(2)의 광원(9)으로부터 발광된 자외선(8)이 웨이퍼(11)를 향해 조사되도록, 중심부(내측)에 개구 영역(17)을 갖는다. 또한, 몰드 유지 기구(3)는, 몰드(7)의 측면에 외력 또는 변위를 부여함으로써 몰드(7)[패턴부(7a)]의 형상을 보정하는 배율 보정 기구(몰드 변형 기구)(18)를 갖는다. 배율 보정 기구(18)는 몰드 척(15)의 몰드(7)의 유지측에 설치된다. 배율 보정 기구(18)는 몰드(7)의 형상을 변형시킴으로써, 미리 존재하는 패턴이 형성된 기판(기판측 패턴 영역)(53) 상의 영역의 형상에 대해, 몰드(7)에 형성되어 있는 패턴부(7a)의 형상을 맞춘다. 기판측 패턴 영역(53)의 형상에 대해 패턴부(7a)의 형상을 맞추는 것이 곤란하면, 배율 보정 기구(18)는 양쪽 패턴의 형상을 서로 유사하도록(양자 사이의 형상차를 저감시키도록) 할 수도 있다. 도면에는 하나의 기판측 패턴 영역(53)이 도시되어 있지만, 웨이퍼(11) 상에는 복수의 기판측 패턴 영역이 형성된다.
몰드 구동 기구(16)는, 몰드(7)와 웨이퍼(11) 상의 수지(14)를 선택적으로 접촉시키거나, 또는 수지(14)로부터 몰드(7)를 선택적으로 분리시키도록, 몰드(7)를 Z축 방향으로 이동시킨다. 몰드 구동 기구(16)에 이용 가능한 액추에이터의 예는 리니어 모터, 에어 실린더 등을 포함한다. 또한, 몰드 구동 기구(16)는, 몰드(7)의 고정밀도의 위치 결정을 수용하기 위해, 조동(coarse movement) 구동계, 미동(fine movement) 구동계 등의 복수의 구동계로 구성될 수 있다. 또한, 몰드 구동 기구(16)는, Z축 방향뿐만 아니라, X축 방향, Y축 방향, 또는 θ(Z축을 중심으로 한 회전) 방향으로 몰드(7)의 위치를 조정하는 위치 조정 기능과, 몰드(7)의 기울기를 보정하기 위한 틸트(tilt) 기능 등을 가질 수 있다. 임프린트 장치(1)에 의해 행해지는 접촉 동작 및 분리 동작은, 몰드(7)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써 구현될 수 있고, 웨이퍼 스테이지(4)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써 구현될 수 있으며, 또는 몰드(7)와 웨이퍼 스테이지(4)를 서로에 대해 이동시킴으로써 구현될 수도 있다.
웨이퍼(11)는, 예를 들어 단결정 실리콘 기판 또는 SOI(Silicon on Insulator) 기판이며, 웨이퍼(11)의 피처리면에는, 몰드(7)에 형성된 패턴부(7a)에 의해 성형되는 자외선 경화 수지(이하 "수지"로 지칭됨)(14)가 도포된다.
웨이퍼 스테이지(4)는 웨이퍼(11)를 유지하고, 몰드(7)가 웨이퍼(11) 상의 수지(14)와 접촉하기 전에 또는 접촉 동안에, 몰드(7)와 수지(14) 사이의 위치 맞춤을 실행한다. 웨이퍼 스테이지(4)는, 웨이퍼(11)를 유지하는 유지면이 형성된 웨이퍼 척(기판 유지 유닛)(19)과, 웨이퍼 척(19)을 기계적 유닛에 의해 유지하고 XY 평면 내에서 이동 가능한 스테이지 구동 기구(20)를 갖는다. 도 2는 본 실시예의 웨이퍼 척(19)과 그 주변부의 구성을 도시하는 개략적인 단면도이다. 웨이퍼 척(19)은 웨이퍼(11)의 이면을 흡착에 의해 유지하는 복수의 흡착 유닛(51)을 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 흡착 유닛(51)은, 예를 들어 3개의 흡착 유닛(51a 내지 51c)으로 구성될 수 있다. 이들 흡착 유닛(51a 내지 51c)은 상술된 압력 조정 디바이스와는 다른 압력 조정 디바이스(52)에 접속되어 있고, 기판측 패턴 영역(53)을 포함하는 영역에 대응하는 웨이퍼(11)의 이면과 웨이퍼 척(19)의 표면 사이에 작용하는 마찰력을 조정하는 마찰력 조정 기구로서 기능한다. 압력 조정 디바이스(52)는 웨이퍼(11)와 흡착 유닛(51) 사이의 압력을 감압하도록 조정함으로써 흡착력을 발생시킨다. 그 결과로서, 압력 조정 디바이스(52)는 웨이퍼(11)를 웨이퍼 척(19)의 표면상에 유지하면서, 흡착 유닛(51a 내지 51c)에 의해 가해지는 압력값(흡착력)을 독립적으로 변경할 수 있다. 분할된 흡착 유닛(51)의 개수는 3개로 한정되지 않으며, 임의의 개수라는 점에 유의한다. 또한, 웨이퍼 척(19)은 그 표면상에 몰드(7)가 얼라인먼트될 때에 이용되는 기준 마크(21)를 갖는다.
스테이지 구동 기구(20)에 이용 가능한 액추에이터의 예는 리니어 모터를 포함한다. 스테이지 구동 기구(20)도, X축 및 Y축 방향에 대해 조동 구동계, 미동 구동계 등의 복수의 구동계로 구성될 수 있다. 또한, 스테이지 구동 기구(20)는, Z축 방향으로 웨이퍼(11)의 위치를 조정하는 구동계를 가질 수 있고, θ 방향으로 웨이퍼(11)의 위치를 조정하는 위치 조정 기능과, 웨이퍼(11)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능 등을 가질 수 있다.
도포 유닛(5)은 웨이퍼(11)에 수지(미경화 수지)(14)를 도포한다. 여기서, 수지(14)는 자외선(8)의 조사를 수광함으로써 경화되는 성질을 갖는 광 경화성 수지(임프린트 재료)이며, 반도체 디바이스 제조 공정 등의 각종 조건에 따라 적절하게 선택된다. 또한, 도포 유닛(5)의 토출 노즐로부터 토출되는 수지(14)의 양은 웨이퍼(11) 상에 형성되는 수지(14)의 원하는 두께, 형성되는 패턴의 밀도 등에 의해 적절하게 결정된다.
제어 유닛(6)은 임프린트 장치(1)의 구성요소의 동작, 조정 등을 제어할 수 있다. 제어 유닛(6)은 컴퓨터 등에 의해 구성되고, 임프린트 장치(1)의 구성요소에 회선을 통해 접속되어 프로그램 등에 의해 구성요소의 제어를 실행한다. 본 실시예의 제어 유닛(6)은 적어도 광 조사 유닛(2), 웨이퍼 스테이지(4) 및 압력 조정 디바이스(52)의 동작을 제어할 수 있다. 제어 유닛(6)은 임프린트 장치(1)의 다른 부분과 일체로(공통인 하우징 내에 설치) 될 수 있거나, 또는 임프린트 장치(1)의 다른 부분과 별개로 설치(다른 하우징 내에 설치)될 수 있다.
또한, 임프린트 장치(1)는, 웨이퍼 얼라인먼트로서, 웨이퍼(11) 상에 형성된 얼라인먼트 마크와 몰드(7)에 형성된 얼라인먼트 마크 사이의 X축 및 Y축의 각각의 방향으로의 위치 어긋남을 계측하는 얼라인먼트 계측계(22)를 포함한다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 웨이퍼 스테이지(4)가 적재되는 베이스 정반(surface plate)(24)과, 몰드 유지 기구(3)를 고정시키는 브릿지 정반(25)과, 베이스 정반(24)으로부터 연장되어 브릿지 정반(25)을 지지하는 지주(26)를 포함한다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 몰드(7)를 장치 외부로부터 몰드 유지 기구(3)로 반송하는 몰드 반송 기구(도시되지 않음)와, 웨이퍼(11)를 장치 외부로부터 웨이퍼 스테이지(4)로 반송하는 기판 반송 기구(도시되지 않음)를 포함한다.
그 다음에, 임프린트 장치(1)에 의해 행해지는 임프린트 처리에 대해서 설명한다. 우선, 제어 유닛(6)은, 기판 반송 기구를 이용하여 웨이퍼 스테이지(4)의 웨이퍼 척(19) 상에 웨이퍼(11)를 적재하고, 웨이퍼 척(19)의 유지면에 웨이퍼(11)를 유지시킨 후(유지 단계), 웨이퍼 스테이지(4)를 도포 유닛(5)의 도포 위치로 이동시킨다. 그 후, 도포 단계로서, 도포 유닛(5)은 기판측 패턴 영역(샷 영역)(53)에 수지(14)를 도포한다. 그 다음에, 제어 유닛(6)은, 웨이퍼(11) 상의 기판측 패턴 영역(53)이 몰드(7)에 형성된 패턴부(7a)의 바로 아래의 위치에 위치하도록, 웨이퍼 스테이지(4)를 이동시킨다. 그 다음에, 제어 유닛(6)은 웨이퍼(11) 상의 수지(14)에 몰드(7)를 가압하도록 몰드 구동 기구(16)를 구동시켜서, (몰드-가압 단계), 몰드(7)를 수지(14)와 접촉시킨다(접촉 단계). 접촉 단계 동안, 수지(14)는 패턴부(7a)의 요철 패턴에 충전된다. 이 상태에서, 경화 단계로서, 광 조사 유닛(2)은 몰드(7)의 이면(상면)으로부터 자외선(8)을 발광하고, 몰드(7)를 투과한 자외선(8)에 의해 수지(14)를 경화시킨다. 그리고, 수지(14)가 경화된 후, 제어 유닛(6)은 몰드 구동 기구(16)를 재구동시켜, 몰드(7)를 수지(14)로부터 분리시킨다(몰드-분리 단계). 상술된 단계에 의해, 웨이퍼(11) 상의 기판측 패턴 영역(53)의 표면에는, 패턴부(7a)의 요철 패턴을 따른 3차원 형상의 수지(14)의 패턴(층)이 형성된다. 이러한 임프린트 동작의 시퀀스는, 웨이퍼 스테이지(4)의 구동 하에 기판측 패턴 영역(53)이 변경되면서 2회 이상 실시됨으로써, 1매의 웨이퍼(11) 상에 복수의 수지(14)의 패턴을 형성할 수 있다.
여기서, 웨이퍼(11) 상에 소정의 샷에 대해 패턴이 형성될 때의 웨이퍼 척(19)에 의한 흡착 제어에 대해서 설명한다. 도 3은 임프린트 장치(1)에 의해 행해지는 몰드-가압 단계로부터 경화 단계까지의 동작 시퀀스를 도시하는 흐름도이다. 이때, 처리 대상의 샷은, 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼(11)의 중심부에 위치되고, 이 위치는 웨이퍼 척(19)에 설치된 흡착 유닛(51b)에 대응되는 것으로 한다. 이 경우, 우선, 제어 유닛(6)은, 패턴부(7a) 및 웨이퍼(11)의 형상 보정 전에, 압력 조정 디바이스(52)가, 흡착 유닛(51a, 51c)에 의해 발생되는 흡착력을 유지하면서 흡착 유닛(51b)에 의해 발생되는 흡착력만을 저하시키도록 한다(스텝 S100). 예를 들어, 흡착 유닛(51b)의 흡착 압력은 대기압일 수 있다. 흡착 유닛(51b)의 흡착 압력이 흡착 유닛(51a, 51c)에 의해 발생되는 흡착력보다 낮으면, 흡착 유닛(51b)의 흡착 압력은 대기압 이하일 수 있다. 가열용 광원(50)으로부터 발광되는 광의 조사량의 조정 범위가 미리 설정되어 있는 경우에는, 웨이퍼(11)의 이면과 흡착 유닛(51b) 사이에 작용하는 최대 정지 마찰력 F보다 기판측 패턴 영역(53)에 작용하는, 웨이퍼(11)의 표면을 따르는 방향으로의 열 변형력 W가 크도록, 흡착 유닛(51b)의 흡착 압력이 설정될 수 있다. 조사량에 따라 결정되는, 기판측 패턴 영역(53)의 온도 상승을 "ΔT", 열팽창 계수를 "α", 탄성률을 "E"라고 하면, 열 응력 "σ"는 α, E 및 ΔT의 곱으로서 대략적으로 표현될 수 있다. 열 응력 "σ"와 단면적 "S"에 따른 열 변형력 W는 기판측 패턴 영역(53)에 작용한다. 최대 정지 마찰 계수를 "μ", 흡착 압력에 따른 수직 방향의 힘을 "N"이라고 하면, 최대 정지 마찰력 F는 μ와 N의 곱으로 표현될 수 있다. 즉, F < W의 관계를 충족시키기만 하면 된다. 흡착 유닛(51b)에 의해 유지되는 웨이퍼(11) 상의 영역은, 적어도 웨이퍼(11) 상에 패턴이 미리 형성되어 있는 기판측 패턴 영역(53)을 포함하는 영역일 수 있다는 점에 유의한다. 다음에, 제어 유닛(6)은, 얼라인먼트 계측계(22)가, 몰드(7) 및 웨이퍼(11)의 위치를 X축 및 Y축 방향으로 계측하고(제1 얼라인먼트 계측 : 스텝 S101), 패턴부(7a)의 형상과 기판측 패턴 영역(53)의 형상 사이의 차이에 관한 정보를 취득하게 한다(취득 단계). 그러나, 웨이퍼(11)에 형성된 기판측 패턴 영역(53)의 형상만을 보정하기를 원하는 경우에는, 제어 유닛(6)은 기판측 패턴 영역(53)의 형상에 관한 정보만을 취득할 수 있다. 그리고, 제어 유닛(6)은, 스텝 S101에서 얻어진 계측 결과에 기초하여, 패턴부(7a)와 기판측 패턴 영역(53) 사이의 위치 어긋남에 대한 보정량을 산출한다. 그 다음에, 제어 유닛(6)은, 광 조사 유닛(2)의 가열용 광원(50)이, 광을 조사함으로써 웨이퍼(11)를 가열하게 하고(변형 단계 : 스텝 S102), 변위를 입력하도록 배율 보정 기구(18)를 동작시켜서(몰드-변형 단계 : 스텝 S103), 패턴부(7a) 및 기판측 패턴 영역(53)의 형상을 보정한다. 상술한 바와 같이 기판측 패턴 영역(53)에 대응하는 웨이퍼(11)의 이면과 유지면 사이에 작용하는 최대 정지 마찰력이 저감되기 때문에, 웨이퍼의 표면을 따르는 방향에 있어서, 최대 정지 마찰력 F보다 큰 열 변형력이 웨이퍼(11)에 가해질 수 있다. 또한, 조사량 분포를 갖는 광을 기판측 패턴 영역(53)에 조사함으로써, 기판측 패턴 영역(53)에 온도 분포가 부여되어, 각종 성분의 형상이 보정될 수 있다. 예를 들어, 산출된 보정량 중, 저 차수(low-order)의 성분(예를 들어, 사다리꼴 형상의 성분)이 웨이퍼(11)를 가열함으로써 보정되고, 고 차수(high-order)의 성분이 변위 입력에 의해 보정됨으로써, 패턴부(7a)의 형상이 기판측 패턴 영역(53)의 형상과 바람직하게 맞춰질 수 있다. 보정의 결과로서, 패턴부(7a)의 형상이 기판측 패턴 영역(53)의 형상과 맞춰지면, 제어 유닛(6)은, 압력 조정 디바이스(52)가 흡착 유닛(51b)의 흡착 압력을 다시 감압하게 하여, 흡착 유닛(51b)에 의해 발생되는 흡착력을 흡착 유닛(51a, 51c)에 의해 발생되는 흡착력의 레벨로 복귀시킨다(스텝 S104). 그 다음에, 제어 유닛(6)은, 얼라인먼트 계측계(22)가, 몰드(7) 및 웨이퍼(11)의 위치를 X축, Y축 방향으로 다시 계측하게 한다(제2 얼라인먼트 계측 : 스텝 S105). 여기서, 제어 유닛(6)은, 위치 어긋남이 몰드(7)와 웨이퍼(11) 사이에 존재한다고 판단했을 경우에는, 몰드 구동 기구(16) 또는 스테이지 구동 기구(20)를 구동시켜, 몰드(7)와 웨이퍼(11) 사이의 위치 조정을 행한다(스텝 S106). 그리고, 제어 유닛(6)은, 다음 공정인 경화 단계로 이행한다.
스텝 S100에서의 흡착 유닛(51b)에 의해 발생되는 흡착력을 저하시키는 단계는 스텝 S101에서의 제1 얼라인먼트 계측 이전뿐만 아니라 제1 얼라인먼트 계측 이후에도 개시될 수 있다. 흡착 유닛(51b)에 의해 발생되는 흡착력을 저하시키는 단계는, 기판을 가열하는 변형 단계 이전 또는 변형 단계 동안에 행해지는 것이 바람직하다. 스텝 S102에서, 웨이퍼(11) 상의 기판측 패턴 영역(53)의 형상 보정은 가열용 광원(50)으로부터의 광의 조사에 의한 가열에 의해 행해지고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 가열용 광원(50) 대신에 기판 변형 기구로서, 별도 설치되는 외력 부가 기구가, 웨이퍼(11)에 대해 직접적으로 평면 방향으로 외력을 부여하거나 또는 변위를 입력함으로써, 기판측 패턴 영역(53)의 형상 보정을 행할 수 있다. 또한, 스텝 S103에서 몰드(7)에 대해 변위 입력을 행하지 않고, 스텝 S102에서 웨이퍼(11)의 가열에 의한 형상 보정만을 행함으로써, 기판측 패턴 영역(53)의 형상을 패턴부(7a)의 형상과 맞출 수 있다. 스텝 S102와 스텝 S103은 반대로 또는 동시에 행해질 수 있다는 점에 유의한다. 또한, 흡착 유닛(51b)에 의해 발생되는 흡착력을 복원시키는 단계는, 변형 단계 이후 및 몰드-분리 단계 이전에 행해지는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 임프린트 장치(1)에서는, 몰드-가압 단계로부터 경화 단계까지의 기간 동안, 흡착 유닛(51b)에 의해 발생되는 흡착력이 저하됨으로써, 흡착 유닛(51b)과, 적어도 기판측 패턴 영역(53)을 포함하는 웨이퍼(11)의 이면 사이의 마찰력을 저감시킨다. 구체적으로, 광 조사 유닛(2)의 가열용 광원(50)에 의한 기판측 패턴 영역(53)의 열 변형 동안, 기판측 패턴 영역(53)에 대응하는 웨이퍼(11)의 이면과 웨이퍼 척(19) 사이에 작용하는 마찰력은, 기판측 패턴 영역(53)이 열 변형되지 않을 때 보다 더 저감되며, 따라서 기판측 패턴 영역(53)이 가열에 의해 효율적으로 변형될 수 있다. 다시 말하면, 기판측 패턴 영역(53)은 조사량의 불필요한 증가 없이 가열에 의해 변형될 수 있으므로, 주변 부재의 불필요한 온도 상승이 억제될 수 있다. 그 결과, 몰드(7)와 웨이퍼(11) 상의 수지(14) 사이의 겹침 정밀도에 대한 악영향이 억제될 수 있다. 또한, 이때, 다른 흡착 유닛(51a, 51c)에 의해 발생되는 흡착력은 유지된 채이다. 따라서, 웨이퍼(11)는, 웨이퍼(11)가 열 변형되어도, 웨이퍼 척(19) 상에 확실하게 흡착되어, 웨이퍼(11) 전체의 어긋남이 억제된다. 열 변형 동안에 항상 마찰력을 저감시킬 필요는 없으며, 마찰력은 열 변형 동안의 적어도 일부의 기간에 저감될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 몰드(7)와 웨이퍼(11) 상의 수지(14) 사이의 겹침 정밀도의 개선에 유리한 임프린트 장치(1)를 제공할 수 있다.
(제2 실시예)
그 다음에, 본 발명의 제2 실시예에 따른 임프린트 장치에 대해서 설명한다. 본 실시예의 임프린트 장치는 제1 실시예의 구성과 동일한 구성을 갖지만, 몰드-가압 단계로부터 경화 단계까지의 동작 시퀀스는 변경되었다. 도 4a 및 도 4b는 본 실시예에 따른 임프린트 장치(1)에 의해 행해지는 몰드-가압 단계로부터 경화 단계까지의 동작 시퀀스를 도시하는 흐름도이다. 우선, 도 4a에 도시된 예에서, 제어 유닛(6)은, 몰드-가압 단계 이후에, 배율 보정 기구(18)가, 도 3에 도시된 제1 실시예의 동작 시퀀스의 스텝 S103의 몰드(7)에 대한 변위 입력을, 스텝 S105의 제2 얼라인먼트 계측 후에 행하게 한다(스텝 S205). 여기서, 스텝 S201에서의 얼라인먼트 계측을 제1 얼라인먼트 계측이라고 하면, 도 3에 도시된 스텝 S105에 대응하는 스텝은 도 4a에 도시된 제2 얼라인먼트 계측(스텝 S204)이다. 이 경우, 제어 유닛(6)은, 얼라인먼트 계측계(22)가, 스텝 S205 이후에 제2 얼라인먼트 계측과 동일한 제3 얼라인먼트 계측을 다시 행하게 한다(스텝 S206). 제3 얼라인먼트 계측은 제2 얼라인먼트 계측에 의해 얻어진 값을 이용함으로써 생략될 수 있다는 점에 유의한다. 다른 스텝의 공정에 대해서는 제1 실시예의 경우와 동일하다.
한편, 도 4b에 도시된 예에서, 제어 유닛(6)은, 몰드-가압 단계 이후에, 배율 보정 기구(18)가, 도 3에 도시된 제1 실시예의 동작 시퀀스에 있어서의 스텝 S103의 몰드(7)에 대한 변위 입력을, 스텝 S100의 흡착 유닛(51b)에 의해 발생되는 흡착력을 저하시키는 공정 이전에 행하게 한다(스텝 S301). 이 경우, 제어 유닛(6)은, 얼라인먼트 계측계(22)가, 이 스텝 S301 이전에, 도 3에 도시된 스텝 S101에 대응하는 공정인 제1 얼라인먼트 계측을 행하게 한다(스텝 S300). 또한, 제어 유닛(6)은, 스텝 S301 이후에, 도 3에 도시된 스텝 S100에 대응하는 흡착 유닛(51b)에 의해 발생되는 흡착력을 저하시키는 공정을 개시한다(스텝 S302). 그리고, 제어 유닛(6)은, 도 3에 도시된 스텝 S102에 대응하는, 웨이퍼(11) 상의 기판측 패턴 영역(53)의 형상 보정인 스텝 S304 이후에, 흡착 유닛(51b)에 의해 발생되는 흡착력을 다시 상승시킨다(스텝 S305). 다른 스텝의 공정에 대해서는 제1 실시예의 경우와 동일하다. 본 실시예에 따르면, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 배율 보정 기구(18)에 의한 몰드(7)에 대한 변위 입력을, 마찰력이 저감되고 있는 동안에는 행하지 않는다. 따라서, 제1 실시예의 효과와 동일한 효과가 제공될 수 있다. 또한, 변위 입력시의 몰드(7)의 변형에 연관된 웨이퍼(11)의 불필요한 위치 어긋남 또는 불필요한 변형이 더욱 억제될 수 있다.
(제3 실시예)
그 다음에, 본 발명의 제3 실시예에 따른 임프린트 장치에 대해서 설명한다. 본 실시예의 임프린트 장치에서는, 제1 실시예에 따른 웨이퍼 척(19)에 설치된 흡착 유닛(51)의 구성이 변경되었다. 도 5는 본 실시예에 따른 웨이퍼 척(19)에 설치된 흡착 유닛[51(51a)]의 일부를 확대하여 도시한 개략적인 단면도이다. 흡착 유닛(51)은 흡착 영역 내에 복수의 흡착 핀(60)을 가지며, 각각의 흡착 핀(60)의 선단면, 즉 웨이퍼(11)의 이면과의 접촉면에는, 웨이퍼(11)와의 마찰 계수가 낮은 저 마찰 재료로 제조된 저 마찰 부재(61)가 설치되어 있다. 이러한 저 마찰 재료의 예는 DLC(다이아몬드형 카본)를 포함한다. 상술한 바와 같이, 웨이퍼 척(19)과 웨이퍼(11) 사이의 접촉면의 마찰 계수가 저감됨에 따라, 광 조사 유닛(2)의 가열용 광원(50)으로 가열함으로써 웨이퍼(11)[기판측 패턴 영역(53)]가 효율적으로 변형될 수 있다.
(제4 실시예)
그 다음에, 본 발명의 제4 실시예에 따른 임프린트 장치에 대해서 설명한다. 제1 실시예의 임프린트 장치에서는, 기판측 패턴 영역(53)에 대응하는 웨이퍼(11)의 이면과 웨이퍼 척(19)의 유지면 사이에 작용하는 마찰력을 조정하는 예를 설명했다. 본 실시예에서는, 마찰력을 조정하지 않고, 기판측 패턴 영역(53)에 작용하는 열 변형력을 조정하는 예를 설명한다. 본 실시예의 임프린트 장치의 구성은, 제어 유닛(6)이 기능면에서 상이한 점을 제외하고는 제1 실시예의 구성과 동일하기 때문에, 그 구성에 대해서는 설명을 생략하는 한편 제어 유닛(6)의 기능을 중심으로 설명한다.
도 6은 본 실시예의 임프린트 장치(1)에 의해 행해지는 몰드-가압 단계로부터 경화 단계까지의 동작 시퀀스를 도시하는 흐름도이다. 우선, 제어 유닛(6)은, 몰드-가압 단계 이후에, 웨이퍼 척(19)에 설치된 흡착 유닛(51b)의 흡착 압력의 값을 판독한다(스텝 S400). 다음에, 제어 유닛(6)은 도 3에 도시된 스텝 S101에서의 공정에 대응하는 제1 얼라인먼트 계측을 행하도록 명령한다(스텝 S401). 제어 유닛(6)은, 스텝 S400에서 얻어진 흡착 유닛(51b)의 흡착 압력의 값에 기초하여, 웨이퍼에 조사되는 광의 조사량을 산출한다(스텝 S402). 그 다음에, 산출된 조사량의 광을 웨이퍼(11)에 조사함으로써 기판측 패턴 영역(53)의 형상이 보정된다(스텝 S403). 그 후, 몰드(7)에 대한 변위 입력(도 3에 도시된 스텝 S103에 대응하는 스텝 S404)과 제2 얼라인먼트 계측(도 3에 도시된 스텝 S105에 대응하는 스텝 S405)이 실행된다. 몰드(7)와 웨이퍼(11) 사이에 위치 어긋남이 존재하는 경우에는, 몰드(7)와 웨이퍼(11) 사이의 위치 조정이 행해진다(스텝 S406). 그 후에, 경화 단계가 행해진다.
도 7을 참조하여, 스텝 S402에서 산출되는 조사량에 대해서 설명한다. 가열 기구는, 적어도 기판측 패턴 영역(53)을 포함하는 웨이퍼(11)의 조사 영역을, 균일한 조사량 a와 분포를 갖는 조사량 b의 합으로 얻어지는 광으로 조사한다. 여기서, 조사량 a는, 웨이퍼(11)의 조사 영역에 평면을 따르는 방향으로 가해지는 열 변형력이, 웨이퍼(11)의 조사 영역의 이면과 흡착 유닛(51) 사이에 작용하는 최대 정지 마찰력보다 큰 조사 영역에 대해 균일한 조사량이다. 조사량 b는, 제어 유닛(6)에 의해 산출된 기판측 패턴 영역(53)의 보정량에 따르는 조사 영역 또는 보정량으로부터 조사량 a에 의해 야기되는 웨이퍼(11)의 변형량을 빼서 얻어지는 값에 따르는 조사 영역에 대해 분포를 갖는 조사량이다.
조사량 a는 흡착 유닛(51b)의 흡착 압력(흡착력)에 따라 결정되는 것이 바람직하다. 조사량에 따라 결정되는, 기판측 패턴 영역(53)의 온도 상승을 "ΔT", 열팽창 계수를 "σ", 탄성률을 "E"라고 하면, 열 응력 "σ"는 α, E 및 ΔT의 곱으로서 대략적으로 표현될 수 있다. 열 응력 "σ"와 단면적 "S"에 따른 열 변형력 W는 기판측 패턴 영역(53)에 작용한다. 최대 정지 마찰 계수를 "μ", 흡착 압력에 따른 수직 방향의 힘을 "N"이라고 하면, 최대 정지 마찰력 F는 μ와 N의 곱으로 표현될 수 있다. 즉, F < W의 관계를 충족시키기만 하면 된다. 조사량 b는, 미리 준비된, 보정량에 대응하는 조사량의 데이터 또는 보정량과 조사량을 연관시킨 관계식에 기초하여 결정되는 것이 바람직하다.
본 실시예에서는, 마찰력을 저감시키기 위해 흡착 유닛(51)의 흡착 압력이 조정되지 않지만, 열 변형력이 최대 정지 마찰력을 초과하도록 조사량 a를 갖는 광의 조사에 의해 웨이퍼(11)가 가열된다. 그 결과, 제1 실시예와 마찬가지로 기판측 패턴 영역(53)의 형상이 효율적으로 보정될 수 있다. 본 실시예는 제1 실시예에 있어서의 압력 조정과 조합하는 것도 가능하다.
(물품 제조 방법)
물품으로서의 디바이스(반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법은, 상술한 임프린트 장치를 이용하여 기판(웨이퍼, 글래스 플레이트, 필름 형상 기판 등)에 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 에칭하는 단계를 포함할 수 있다. 패턴 형성된 매체(기록 매체), 광학 소자 등의 기타 물품이 제조되는 경우, 상기 제조 방법은 에칭 단계 대신에 패턴이 형성된 기판을 가공하는 다른 단계를 포함할 수 있다. 본 실시예의 물품 제조 방법은, 종래의 물품 제조 방법에 비해, 물품의 성능, 품질, 생산성 및생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.
본 발명은 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 한정되지 않는다는 점이 이해될 것이다. 이하의 특허청구범위의 범주는 이러한 모든 변경 및 등가 구조와 기능을 포함하도록 광의의 해석에 따라야 한다.
본 출원은 그 전체 내용이 본원에서 참조로서 포함되는 2011년 10월 14일자로 출원된 일본 특허 출원 제2011-226636호 및 2012년 10월 2일자로 출원된 일본 특허 출원 제2012-220209호를 우선권 주장한다.

Claims (14)

  1. 몰드에 형성된 패턴을 기판 상의 수지에 전사하는 임프린트 방법이며,
    상기 기판을 유지면 상에 유지하는 유지 단계와,
    상기 기판 상의 수지와 상기 몰드를 접촉시키는 접촉 단계와,
    상기 기판의 표면을 따르는 방향으로 상기 기판의 일부 영역을 열 변형시키는 변형 단계와,
    상기 수지를 경화시키는 경화 단계와,
    상기 몰드와 접촉되어 있는 상기 수지로부터 상기 몰드를 분리시키는 분리 단계를 포함하고,
    상기 변형 단계 동안의 적어도 일부의 기간에서, 제1 흡착력보다 낮은 제2 흡착력으로 상기 기판의 상기 일부 영역을 유지하면서, 상기 기판의 상기 일부 영역과는 상이한 영역을 상기 제1 흡착력으로 유지하며,
    상기 제1 흡착력 및 상기 제2 흡착력은 상기 기판과 상기 유지면 사이에 작용하는, 임프린트 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 흡착력 및 상기 제2 흡착력은 상기 기판의 이면에 작용하는, 임프린트 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 유지 단계에서, 상기 기판의 상기 일부 영역은 상기 제1 흡착력으로 유지되는, 임프린트 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 변형 단계 이후 및 상기 분리 단계 이전에, 상기 기판의 상기 일부 영역에 대응하는 흡착력이 증가되는, 임프린트 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 복수의 마크의 위치를 검출함으로써 상기 기판의 상기 일부 영역의 형상에 관한 정보를 취득하는 취득 단계를 더 포함하고,
    상기 변형 단계에서, 상기 기판의 상기 일부 영역의 형상과 상기 몰드에 형성된 패턴의 형상 사이의 차이를 저감시키도록, 상기 취득 단계에서 취득된 정보에 기초하여 상기 기판의 상기 일부 영역의 형상이 변형되는, 임프린트 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 경화 단계 이전에, 패턴이 형성된 상기 몰드의 패턴의 형상을 변형시키는 몰드 변형 단계를 더 포함하는, 임프린트 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 복수의 마크의 위치와 상기 몰드에 형성된 복수의 마크의 위치를 검출함으로써 상기 기판의 상기 일부 영역의 형상과 상기 몰드에 형성된 패턴의 형상 사이의 차이에 관한 정보를 취득하는 취득 단계를 더 포함하고,
    상기 변형 단계 및 상기 몰드 변형 단계에서, 상기 기판의 상기 일부 영역의 형상과 상기 몰드에 형성된 패턴의 형상 사이의 차이를 저감시키도록, 상기 취득 단계에서 취득된 정보에 기초하여 상기 기판의 상기 일부 영역의 형상과 상기 몰드에 형성된 패턴의 형상이 변형되는, 임프린트 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 변형 단계에서, 상기 기판의 상기 일부 영역에 조사된 광이 조사되지 않은 영역인 상기 기판의 상기 일부 영역과 상이한 영역, 및 상기 기판의 상기 일부 영역에 광을 조사함으로써, 상기 변형이 행해지는, 임프린트 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 흡착력 및 상기 제2 흡착력의 방향은 상기 기판의 표면을 따르는 방향과 교차하는, 임프린트 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 변형 단계에서, 광이 상기 기판의 상기 일부 영역 내에 온도 분포를 부여하는, 임프린트 방법.
  12. 몰드에 형성된 패턴을 기판 상의 수지에 전사하는 임프린트 장치이며,
    상기 기판을 유지하는 유지면이 형성되고 흡착에 의해 상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 유지 유닛과,
    상기 기판의 일부 영역의 형상을 변형시키는 변형 기구와,
    상기 기판의 상기 일부 영역에 대응하는 상기 기판의 이면과 상기 유지면 사이에 작용하는 흡착력을 조정하도록 구성된 조정 유닛을 포함하고,
    상기 변형 기구가 상기 기판의 상기 일부 영역의 형상을 변형시키는 동안의 적어도 일부의 기간에서, 상기 기판의 상기 일부 영역과는 상이한 영역을 제1 흡착력으로 유지하고 상기 제1 흡착력보다 낮은 제2 흡착력으로 상기 기판의 상기 일부 영역을 유지하도록, 상기 조정 유닛이 흡착력을 조정하는, 임프린트 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판 유지 유닛은 상기 조정 유닛에 의해 흡착력을 독립적으로 조정할 수 있는 복수의 흡착 유닛을 포함하는, 임프린트 장치.
  14. 디바이스 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 이용하여 몰드에 형성된 패턴을 기판 상의 수지에 전사하는 단계와,
    전사된 상기 패턴을 현상하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 기판을 유지하는 유지면이 형성되고 흡착에 의해 상기 기판을 유지하도록 구성된 기판 유지 유닛과,
    상기 기판의 일부 영역의 형상을 변형시키는 변형 기구와,
    상기 기판의 상기 일부 영역에 대응하는 상기 기판의 이면과 상기 유지면 사이에 작용하는 흡착력을 조정하도록 구성된 조정 유닛을 포함하고,
    상기 변형 기구가 상기 기판의 상기 일부 영역의 형상을 변형시키는 동안의 적어도 일부의 기간에서, 상기 기판의 상기 일부 영역과는 상이한 영역을 제1 흡착력으로 유지하고 상기 제1 흡착력보다 낮은 제2 흡착력으로 상기 기판의 상기 일부 영역을 유지하도록, 상기 조정 유닛이 흡착력을 조정하는, 디바이스 제조 방법.
KR1020160009949A 2011-10-14 2016-01-27 임프린트 방법 KR101669389B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011226636 2011-10-14
JPJP-P-2011-226636 2011-10-14
JP2012220209A JP6140966B2 (ja) 2011-10-14 2012-10-02 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JPJP-P-2012-220209 2012-10-02

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120113294A Division KR101591321B1 (ko) 2011-10-14 2012-10-12 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 디바이스 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160017010A KR20160017010A (ko) 2016-02-15
KR101669389B1 true KR101669389B1 (ko) 2016-10-25

Family

ID=48061569

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120113294A KR101591321B1 (ko) 2011-10-14 2012-10-12 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR1020160009949A KR101669389B1 (ko) 2011-10-14 2016-01-27 임프린트 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120113294A KR101591321B1 (ko) 2011-10-14 2012-10-12 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 디바이스 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (3) US9201298B2 (ko)
JP (1) JP6140966B2 (ko)
KR (2) KR101591321B1 (ko)
CN (1) CN103048878B (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5686779B2 (ja) 2011-10-14 2015-03-18 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP6120677B2 (ja) * 2013-05-27 2017-04-26 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6271875B2 (ja) * 2013-06-18 2018-01-31 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6306830B2 (ja) * 2013-06-26 2018-04-04 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
CN103336328B (zh) * 2013-07-12 2016-12-28 南昌欧菲光学技术有限公司 偏光片组件及显示设备
JP6242099B2 (ja) * 2013-07-23 2017-12-06 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置およびデバイス製造方法
JP6329353B2 (ja) * 2013-10-01 2018-05-23 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6336275B2 (ja) * 2013-12-26 2018-06-06 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
KR101777905B1 (ko) 2013-10-17 2017-09-12 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 그리고 물품을 제조하는 방법
JP6497839B2 (ja) * 2013-11-07 2019-04-10 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP6294680B2 (ja) * 2014-01-24 2018-03-14 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6317620B2 (ja) * 2014-05-02 2018-04-25 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP2016021544A (ja) * 2014-07-11 2016-02-04 株式会社東芝 インプリント装置およびインプリント方法
US10620532B2 (en) * 2014-11-11 2020-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Imprint method, imprint apparatus, mold, and article manufacturing method
JP6659104B2 (ja) * 2014-11-11 2020-03-04 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、型、および物品の製造方法
JP2016134441A (ja) * 2015-01-16 2016-07-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US10386737B2 (en) 2015-06-10 2019-08-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method for producing article
JP6282298B2 (ja) * 2015-06-10 2018-02-21 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US10642171B2 (en) 2015-06-10 2020-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and method for producing article
JP6590598B2 (ja) * 2015-08-31 2019-10-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6527474B2 (ja) * 2016-02-05 2019-06-05 東芝メモリ株式会社 インプリント方法
JP6685821B2 (ja) * 2016-04-25 2020-04-22 キヤノン株式会社 計測装置、インプリント装置、物品の製造方法、光量決定方法、及び、光量調整方法
EP3482259B1 (en) 2016-07-06 2024-01-10 ASML Netherlands B.V. A substrate holder and a method of manufacturing a substrate holder
JP6940944B2 (ja) * 2016-12-06 2021-09-29 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び物品製造方法
US11175598B2 (en) 2017-06-30 2021-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
US20200346312A1 (en) * 2017-09-07 2020-11-05 Shinkoh Co., Ltd. Fixture
CN108045080B (zh) * 2018-01-03 2024-05-03 虎彩印艺股份有限公司 一种浮雕立体变色防伪印刷工艺及联机印刷设备
JP7132739B2 (ja) * 2018-04-06 2022-09-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP7089411B2 (ja) * 2018-06-13 2022-06-22 キヤノン株式会社 成形装置及び物品の製造方法
JP2020043160A (ja) 2018-09-07 2020-03-19 キオクシア株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及び半導体装置の製造方法
JP7204457B2 (ja) * 2018-12-06 2023-01-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP7328804B2 (ja) * 2019-06-21 2023-08-17 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP2022002275A (ja) * 2020-06-22 2022-01-06 キヤノン株式会社 パターン形成方法、インプリント装置、及び物品の製造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5532022A (en) * 1978-08-26 1980-03-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Correcting method of elongation or contraction quantity of wafer
JPS5680141A (en) * 1979-12-04 1981-07-01 Seiko Epson Corp Manufacture device of semiconductor
JPS5946030A (ja) 1982-09-08 1984-03-15 Canon Inc ウェハの吸着固定方法
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
JP3394158B2 (ja) * 1997-06-20 2003-04-07 日本電信電話株式会社 倍率補正装置および倍率補正方法
US7271950B1 (en) * 2000-02-16 2007-09-18 Toppan Photomasks, Inc. Apparatus and method for optimizing a pellicle for off-axis transmission of light
US6350071B1 (en) * 2000-06-21 2002-02-26 Intermec Ip Corp. On demand printer apparatus and method with integrated UV curing
US7322287B2 (en) * 2000-07-18 2008-01-29 Nanonex Corporation Apparatus for fluid pressure imprint lithography
JP3472963B1 (ja) * 2002-05-30 2003-12-02 ミカドテクノス株式会社 高温用真空プレス装置
US7434512B2 (en) * 2002-09-09 2008-10-14 International Business Machines Corporation Printing in a medium
TWI356658B (en) * 2003-01-23 2012-01-11 Toray Industries Members for circuit board, method and device for m
JP2004259985A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Sony Corp レジストパターン形成装置およびその形成方法、および、当該方法を用いた半導体装置の製造方法
US6805054B1 (en) * 2003-05-14 2004-10-19 Molecular Imprints, Inc. Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes
US6892769B2 (en) * 2003-06-30 2005-05-17 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Substrate bonding apparatus for liquid crystal display device panel
CN1867831A (zh) * 2003-09-12 2006-11-22 日本电气株式会社 芯片、使用该芯片的设备、以及使用该设备的方法
DE102004020454A1 (de) * 2004-04-27 2005-11-24 Heidelberger Druckmaschinen Ag Vorrichtung zur Zuführung von Strahlungsenergie auf einen Bedruckstoff
US20050270516A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Molecular Imprints, Inc. System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing
US20070164476A1 (en) 2004-09-01 2007-07-19 Wei Wu Contact lithography apparatus and method employing substrate deformation
US7641468B2 (en) 2004-09-01 2010-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography apparatus and method employing an effective pressure
US7648354B2 (en) * 2005-04-28 2010-01-19 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Transfer apparatus having gimbal mechanism and transfer method using the transfer apparatus
JP4148278B2 (ja) * 2005-08-30 2008-09-10 ソニー株式会社 光ディスクの製造方法およびその製造装置
JP2007083626A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Ricoh Co Ltd 微細構造転写装置
FR2894514B1 (fr) * 2005-12-08 2008-02-15 Essilor Int Procede de transfert d'un motif micronique sur un article optique et article optique ainsi obtenu
US7360851B1 (en) * 2006-02-15 2008-04-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Automated pattern recognition of imprint technology
US7920296B2 (en) 2007-12-14 2011-04-05 Eastman Kodak Company Automatic determining image and non-image sides of scanned hardcopy media
WO2009153925A1 (ja) * 2008-06-17 2009-12-23 株式会社ニコン ナノインプリント方法及び装置
JP2010067796A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Canon Inc インプリント装置
NL2003380A (en) * 2008-10-17 2010-04-20 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
US8652393B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Molecular Imprints, Inc. Strain and kinetics control during separation phase of imprint process
US8309008B2 (en) 2008-10-30 2012-11-13 Molecular Imprints, Inc. Separation in an imprint lithography process
US20110215490A1 (en) * 2009-01-30 2011-09-08 Yuiti Fujii Device of Producing Wafer Lens and Method of Producing Wafer Lens
JP5809409B2 (ja) 2009-12-17 2015-11-10 キヤノン株式会社 インプリント装置及びパターン転写方法
KR101319353B1 (ko) 2009-12-23 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법
JP5875250B2 (ja) 2011-04-28 2016-03-02 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及びデバイス製造方法
JP5686779B2 (ja) 2011-10-14 2015-03-18 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9566741B2 (en) 2017-02-14
CN103048878A (zh) 2013-04-17
JP2013102137A (ja) 2013-05-23
US9892949B2 (en) 2018-02-13
JP6140966B2 (ja) 2017-06-07
CN103048878B (zh) 2015-07-22
US20160039143A1 (en) 2016-02-11
US20130112097A1 (en) 2013-05-09
US9201298B2 (en) 2015-12-01
KR20130040723A (ko) 2013-04-24
KR20160017010A (ko) 2016-02-15
US20170092524A1 (en) 2017-03-30
KR101591321B1 (ko) 2016-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101669389B1 (ko) 임프린트 방법
US11249394B2 (en) Imprint methods for forming a pattern of an imprint material on a substrate-side pattern region of a substrate by using a mold, and related device manufacturing methods
JP6061524B2 (ja) インプリント装置および物品の製造方法
KR101980415B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP5868215B2 (ja) インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
US8734702B2 (en) Original and article manufacturing method using same
JP6300459B2 (ja) インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
JP2013089663A (ja) インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
CN108732862B (zh) 压印装置和物品的制造方法
US9927700B2 (en) Imprint apparatus, and method of manufacturing article
JP2013125817A (ja) インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
JP2016103603A (ja) モールドおよびその製造方法、インプリント方法、ならびに、物品製造方法
JP6423641B2 (ja) インプリント装置、物品の製造方法及びインプリント方法
US20170210036A1 (en) Mold replicating method, imprint apparatus, and article manufacturing method
JP2017135369A (ja) モールドの複製方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP6230650B2 (ja) インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2020188126A (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
KR20230042567A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법
KR20230065157A (ko) 임프린트 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191010

Year of fee payment: 4