KR20120044894A - 온도 검지 장치 - Google Patents

온도 검지 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120044894A
KR20120044894A KR1020110109304A KR20110109304A KR20120044894A KR 20120044894 A KR20120044894 A KR 20120044894A KR 1020110109304 A KR1020110109304 A KR 1020110109304A KR 20110109304 A KR20110109304 A KR 20110109304A KR 20120044894 A KR20120044894 A KR 20120044894A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
temperature
detection device
temperature detection
voltage
Prior art date
Application number
KR1020110109304A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101861370B1 (ko
Inventor
마사카즈 스기우라
아츠시 이가라시
Original Assignee
세이코 인스트루 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 인스트루 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 인스트루 가부시키가이샤
Publication of KR20120044894A publication Critical patent/KR20120044894A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101861370B1 publication Critical patent/KR101861370B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/567Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/32Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using change of resonant frequency of a crystal
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K2215/00Details concerning sensor power supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Control Of Temperature (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

(과제) 소비 전류가 적고, 또한 검출 온도 부근에서 검출 속도를 희생시키지 않는 온도 검지 장치를 제공하는 것.
(해결 수단) 기준 전압 회로나 콤퍼레이터 등의 내부 회로를 온/오프 제어하는 제어 신호를 출력하는 제어 회로를 구비하고, 제어 회로는 검출 온도 부근에서 검출 속도가 빨라지도록, 발진 회로의 발진 주파수가 정의 온도 특성을 갖는 구성으로 하였다. 또한, 제어 회로는 파형 정형 회로를 구비하고, 내부 회로를 온 제어하는 제어 신호 파형을 최적화하여 저소비 전류로 하는 구성으로 하였다.

Description

온도 검지 장치{TEMPERATURE DETECTION DEVICE}
본 발명은, 온도를 검지하는 온도 검지 장치에 관한 것이다.
최근, 휴대 통신 기기 등의 소형화, 회로의 고집적화에 수반하여, 많은 열을 발하는 기기가 증가하고 있다. 이러한 열로부터 회로를 보호하는 방법으로서, 소정의 온도를 검지함으로써, 회로의 동작을 정지하는 과열 보호 수단이 잘 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
소정의 온도를 검지하는 온도 검지 장치로는, 온도에 따른 전압을 출력하는 온도 센서의 출력과 기준 전압을 콤퍼레이터로 비교 판정 동작하는 것이 잘 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조).
도 6 은, 종래의 온도 검지 장치를 나타내는 구성도이다. 종래의 온도 검지 장치는, 온도 센서 (601) 와 기준 전압 회로 (602) 와 콤퍼레이터 (603) 를 구비하고 있다. 기준 전압 회로 (602) 의 전압은, 온도에 대해 일정하고, 검지해야 할 온도에서 온도 센서 (601) 가 출력하는 전압으로 설정된다. 콤퍼레이터 (603) 는, 온도 센서 (601) 의 전압과 기준 전압 회로 (602) 의 전압의 대소 관계를 출력한다. 온도 검지 장치는, 콤퍼레이터 (603) 의 출력에 의해, 검지해야 할 온도에 있는지의 여부를 나타내는 구성으로 되어 있다.
일본 공개특허공보 평7-13643호 일본 공개특허공보 2003-108241호
휴대 통신 기기에서는, 배터리 수명을 연장하기 위해서 저소비 동작인 것이 요구되고 있다. 따라서, 각 부의 소비 전류는 적은 편이 바람직하다. 그러나, 종래의 온도 검지 장치는, 항상 동작 전류가 흐르고 있기 때문에, 온도 검지 장치의 소비 전류가 많아진다는 문제점이 있었다.
본 발명은, 상기의 같은 문제점을 해결하기 위해서 고안된 것으로, 요구되는 기능을 희생시키지 않고, 소비 전류를 억제한 온도 검지 장치를 실현하는 것이다.
본 발명의 온도 검지 장치는, 온도에 따른 전압을 출력하는 온도 센서와, 상기 온도 센서의 출력 전압과 기준 전압을 비교 판정하는 콤퍼레이터를, 내부 회로로서 구비하고 온도를 검지하는 온도 검지 장치로서, 상기 온도 검지 장치는, 추가로 제어 회로를 구비하고, 상기 제어 회로는, 온도에 기초하여 상기 내부 회로를 온/오프 제어하는 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 온도 검지 장치로 하였다.
본 발명의 온도 검지 장치에 의하면, 온도 검지 장치의 내부 회로에 항상 동작 전류를 흐르게 하지 않고 온도 검지 장치를 동작시키는 것이 가능해져, 소비 전류를 줄일 수 있고, 또한 검출 온도 부근에서는 검출 속도를 희생시키지 않는 온도 검지 장치를 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 실시형태의 온도 검지 장치를 나타내는 회로도이다.
도 2 는, 본 실시형태의 온도 검지 장치의 발진 회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 3 은, 본 실시형태의 온도 검지 장치의 정전류 회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 4 는, 본 실시형태의 온도 검지 장치의 제어 신호 Φ 의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5 는, 본 실시형태의 온도 검지 장치의 제어 신호 Φ 의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 6 은, 종래의 온도 검지 장치의 구성도이다.
도 1 은, 본 실시형태의 온도 검지 장치를 나타내는 구성도이다.
본 실시형태의 온도 검지 장치는, 온도 센서 (101) 와, 기준 전압 회로 (102) 와, 콤퍼레이터 (103) 와, 샘플 홀드 회로 (104) 와, 간헐 동작을 제어하는 제어 회로 (10) 를 구비하고 있다. 제어 회로 (10) 는, 발진 회로 (11) 와 타이밍 발생 회로 (12) 를 구비하고 있다.
온도 센서 (101) 와 기준 전압 회로 (102) 는, 콤퍼레이터 (103) 의 입력 단자에 접속되어 있다. 콤퍼레이터 (103) 의 출력 단자는, 샘플 홀드 회로 (104) 를 통하여 온도 검지 장치의 출력 단자에 접속되어 있다. 온도 검지 장치의 내부 회로인 온도 센서 (101) 와 기준 전압 회로 (102) 와 콤퍼레이터 (103) 는, 각각 전원 단자와의 사이에 스위치 회로를 구비하고 있고, 그 스위치 회로에 제어 회로 (10) 의 출력 단자가 접속되어 있다. 스위치 회로는, 예를 들어 MOS 스위치와 같은 것이다.
기준 전압 회로 (102) 의 전압은, 검지해야 할 온도에서 온도 센서 (101) 가 출력하는 전압으로 설정되어 있다. 제어 회로 (10) 는, 온도 검지 장치의 내부 회로에 간헐 동작을 제어하는 제어 신호 Φ 를 출력한다.
이하에, 본 실시형태의 온도 검지 장치의 동작에 대해 설명한다.
제어 회로 (10) 의 발진 회로 (11) 는 기준 클록을 출력한다. 제어 회로 (10) 의 타이밍 발생 회로 (12) 는, 발진 회로 (11) 의 기준 클록을 받아 내부 회로를 온/오프 제어하기 위한 제어 신호 Φ 를 소정의 주파수로 출력한다.
제어 회로 (10) 가 온 제어 상태 (예를 들어, H 레벨) 를 나타내는 제어 신호 Φ 를 출력하면, 내부 회로는 동작 상태가 된다. 콤퍼레이터 (103) 는, 온도 센서 (101) 의 출력과 기준 전압 회로 (102) 의 기준 전압의 대소 관계를 비교하여, 온도 검지 상태에 있는지의 여부를 판정하여, 검지 신호를 출력한다.
제어 회로 (10) 가 오프 제어 상태 (예를 들어, L 레벨) 를 나타내는 제어 신호 Φ 를 출력하면, 내부 회로는 전원 단자와의 접속이 절단되어 정지 상태가 되어, 동작 전류를 세이브한다.
온도 검지 장치의 내부 회로가 정지 상태가 되어 있을 때에는, 콤퍼레이터 (103) 의 출력은 무효한 검지 신호로 되어 있다. 이 경우에는, 예를 들어 콤퍼레이터 (103) 의 출력 단자에 형성된 샘플 홀드 회로 (104) 에 의해, 내부 회로가 온 제어 상태일 때의 임의의 타이밍에서, 콤퍼레이터 (103) 의 유효한 출력을 샘플 홀드 처리하면 된다.
이것에 의해, 오프 제어 상태에 있어서는, 직전의 온 제어 상태에서 샘플 홀드 처리된 판정 결과를 상기 소정의 주파수로 계속적으로 이어서 출력된다. 즉, 전술한 바와 같이, 샘플 홀드 회로 (104) 의 출력으로서 온도 검지 상태에 있는지 여부의 판정 결과를 계속적으로 이어서 출력된다.
이와 같이, 콤퍼레이터 (103) 의 출력에 적당한 샘플 홀드 처리를 부여함으로써, 오프 제어 상태에 있어서의 콤퍼레이터 (103) 의 무효한 검지 신호의 출력을 온도 검지 장치로부터 출력하지 않도록 할 수 있다.
본 실시형태의 온도 검지 장치는, 상기 설명에 있는 바와 같이, 오프 제어 상태에서는 온도 검지 상태에 있는지의 여부를 판정하고 있지 않다. 이 때문에, 온도 검지 장치의 반응 시간은, 발진 회로 (11) 의 주파수에 의존한다. 온도 검지 장치의 반응 시간은, 발진 회로 (11) 의 주파수가 빠를수록 온도 변화에 대한 추종성이 양호해진다. 그러나, 발진 회로 (11) 의 주파수가 빠르면 소비 전류가 증가된다. 즉, 온도 검지 장치의 반응 시간과 소비 전류는 트레이드 오프의 관계에 있다.
그래서, 본 실시형태의 온도 검지 장치는, 발진 회로 (11) 의 주파수에 정 (正) 의 온도 특성을 갖게 함으로써, 온도가 상승하여 검지해야 할 온도에 가까워질수록 주파수를 빨라지게 하였다.
도 2 는, 본 실시형태의 온도 검지 장치의 발진 회로 (11) 의 일례를 나타내는 회로도이다.
발진 회로의 주파수에 정의 온도 특성을 갖게 하는 방법으로는, 예를 들어 일반적으로 잘 알려져 있는, 용량에 전류를 흘려 넣고, 소정의 전압에 이르는 시간에 기초하여 주파수가 결정되는 발진 회로에 있어서, 전류에 정의 온도 특성을 갖게 함으로써 실현할 수 있다. 즉, 전류원 (110) 의 전류 (I) 에 정의 온도 특성을 갖게 함으로써 실현할 수 있다.
도 3 은, 본 실시형태의 온도 검지 장치의 정전류 회로의 일례를 나타내는 회로도이다.
전류원 (110) 은, 저항 (R) 에 부 (負) 의 온도 특성을 갖게 함으로써, 정의 온도 특성의 전류 (I) 를 실현할 수 있다.
도 4 는, 본 실시형태의 온도 검지 장치의 제어 신호 Φ 의 일례를 나타내는 도면이다. 여기에서는, 온도 검지 장치의 검지해야 할 온도를 80 ℃ 로 하여 설명한다.
제어 신호 Φ 는, L 레벨이 내부 회로를 오프 제어 상태, H 레벨이 내부 회로를 온 제어 상태로 제어한다. 도면에 나타내는 바와 같이, 온도가 온도 검지 장치의 검지해야 할 온도보다 낮은 상온 25 ℃ 일 때에는, 발진 회로 (11) 의 주파수는 낮아, 온도 검지 장치는 저소비 전류로 동작한다. 그리고, 온도가 상승하여, 온도 검지 장치의 검지해야 할 온도인 80 ℃ 에 가까워지면, 발진 회로 (11) 의 주파수는 높아져, 고속 반응이 가능한 상태로 동작한다.
도 5 는, 본 실시형태의 온도 검지 장치의 제어 신호 Φ 의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 4 와 동일한 조건에서의 제어 신호 Φ 를 나타내고 있다. 단, 이 경우에는 더욱 저소비 전류를 실현하기 위해서, 제어 신호 Φ 의 온 오프의 듀티 (온 제어 상태와 오프 제어 상태의 시간비) 를 제어하고 있다. 도 4 의 경우에는, 타이밍 발생 회로 (12) 는, 발진 회로 (11) 의 출력 신호의 주파수를 분주하는 분주 회로이다. 도 5 의 경우에는, 타이밍 발생 회로 (12) 가, 추가로 펄스 정형 회로를 구비하고 있다. 펄스 정형 회로는, 예를 들어 원 쇼트 펄스 발생 회로이다. 즉, 타이밍 발생 회로 (12) 는, 발진 회로 (11) 의 출력 신호를 분주하고, 또한 온도를 검출하는 데에 필요 충분한 펄스 폭으로 파형 정형한다. 제어 신호 Φ 를 이와 같은 파형으로 하면, 온도 검지 장치는 또한 저소비 전류로 동작할 수 있다.
본 실시형태의 온도 검지 장치는, 이상의 구성으로 함으로써, 검지해야 할 온도보다 낮은 온도에서는 저소비 전류를 실현하고, 검지해야 할 온도 부근에서는 고속 반응을 실현하므로, 저소비 전류와 고속 반응을 양립시킨 온도 검지 장치를 제공할 수 있다.
본 실시형태의 온도 검지 장치에서는, 온도 센서 (101) 는 다이오드와 저항을 사용한 회로로서 설명했는데, 온도에 따른 전압을 출력하는 회로이면 그것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 바이폴러 트랜지스터나 서미스터를 사용한 회로여도 된다. 온도 검지 장치를 CMOS 로 구성하는 경우에는, 온도 센서 (101) 를 다이오드 또는 바이폴러 트랜지스터를 사용한 회로로 구성하면, 온도 검지 장치를 원 칩으로 구성할 수 있어, 작게 할 수 있다. 개별 부품으로 구성하는 경우에는, 서미스터를 사용한 회로로 구성하면, 온도 검지 장치를 저비용으로 구성할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 내부 회로의 동작 전류를 삭감하는 방법으로서, 전원 전압과의 사이에 스위치 회로를 구비한 구성으로 했는데, 이 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 콤퍼레이터 (103) 에 있어서, 내부의 차동쌍을 구성하는 트랜지스터의 게이트와 전원 전압 사이에 스위치 회로를 형성하거나, 내부의 전류 패스에 스위치 회로를 설치해도 된다.
또, 본 실시형태에서는, 오프 제어 상태에 있어서의 무효한 출력을 온도 검지 장치가 출력하지 않는 방법으로서, 샘플 홀드 회로 (104) 를 형성했는데, 이 형태에 한정되는 것은 아니다.
또, 본 실시형태에서는, 발진 회로 (11) 의 주파수에 정의 온도 특성을 갖게 하는 방법으로서, 도 2 의 회로 구성으로 했는데, 이 형태에 한정되는 것은 아니다.
또, 본 실시형태에서는, 온/오프 제어하는 내부 회로로서, 온도 센서 (101) 와 기준 전압 회로 (102) 와 콤퍼레이터 (103) 로 했는데, 이 형태에 한정되는 것은 아니다. 온도 검지 장치의 내부 회로로서, 전류를 소비하는 회로이면, 제어 신호 Φ 에 의해 온/오프 제어되어도 된다.
또, 본 실시형태에서는, 온도 검지 장치로서, 온도가 높아진 것을 검지하는 것을 전제로 했는데, 특히, 온도가 낮아진 것을 검지하는 경우에 있어서는, 소정의 내부 회로에 대해 온/오프 제어하는 제어 회로 (10) 에서, 주파수에 부의 온도 특성을 갖게 함으로써, 저소비 전류와 고속 반응을 양립시킨 온도 검지 장치를 제공할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태의 온도 검지 장치에 의하면, 내부 회로의 동작 전류를 세이브하는 오프 제어 상태가, 소정의 듀티에 기초하여 주어지기 때문에, 내부 회로가 항상 온 상태인 경우와 비교하여, 내부 회로의 동작 전류를 줄일 수 있어. 소비 전류가 적은 온도 검지 장치를 제공할 수 있다.
또한, 소정의 내부 회로에 대해 온/오프 제어하는 제어 회로 (10) 에서, 주파수에 정의 온도 특성을 갖게 함으로써, 저소비 전류와 고속 반응을 양립시킨 온도 검지 장치를 제공할 수 있다.
또 추가로, 특히, 온도가 낮아진 것을 검지하는 경우에 있어서는, 소정의 내부 회로에 대해 온/오프 제어하는 제어 회로 (10) 에서, 주파수에 부의 온도 특성을 갖게 함으로써, 저소비 전류와 고속 반응을 양립시킨 온도 검지 장치를 제공할 수 있다.
10 : 제어 회로
11 : 발진 회로
12 : 타이밍 발생 회로
101 : 온도 센서
102 ; 기준 전압 회로
103 : 콤퍼레이터
104 : 샘플 홀드 회로
110 : 전류원
601 : 온도 센서
602 : 기준 전압 회로
603 : 콤퍼레이터

Claims (7)

  1. 온도에 따른 전압을 출력하는 온도 센서와, 상기 온도 센서의 출력 전압과 기준 전압을 비교 판정하는 콤퍼레이터를, 내부 회로로서 구비하고 온도를 검지하는 온도 검지 장치로서,
    상기 온도 검지 장치는 추가로 제어 회로를 구비하고,
    상기 제어 회로는, 온도에 기초하여 상기 내부 회로를 온/오프 제어하는 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 온도 검지 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 회로는, 상기 제어 신호를 생성하기 위한 발진 회로를 구비하고,
    상기 발진 회로는, 주파수가 정 (正) 의 온도 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 온도 검지 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발진 회로는, 전류원과, 상기 전류원으로 충전되는 용량을 구비하고,
    상기 전류원은 정의 온도 특성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 온도 검지 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전류원은, 기준 전압 회로와, 부 (負) 의 온도 특성을 갖는 저항과, 상기 기준 전압 회로의 전압과 상기 저항의 양단의 전압을 입력하는 오차 증폭 회로와, 상기 증폭 회로의 출력에 따른 전류를 흐르게 하는 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 온도 검지 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 회로는, 상기 제어 신호를 생성하기 위한 발진 회로를 구비하고,
    상기 발진 회로는, 주파수가 부의 온도 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 온도 검지 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 발진 회로는, 전류원과, 상기 전류원으로 충전되는 용량을 구비하고,
    상기 전류원은 부의 온도 특성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 온도 검지 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 전류원은, 기준 전압 회로와, 정의 온도 특성을 갖는 저항과, 상기 기준 전압 회로의 전압과 상기 저항의 양단의 전압을 입력하는 오차 증폭 회로와, 상기 증폭 회로의 출력에 따른 전류를 흐르게 하는 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 온도 검지 장치.
KR1020110109304A 2010-10-28 2011-10-25 온도 검지 장치 KR101861370B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-242622 2010-10-28
JP2010242622 2010-10-28
JP2011054907A JP2012108087A (ja) 2010-10-28 2011-03-13 温度検知装置
JPJP-P-2011-054907 2011-03-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120044894A true KR20120044894A (ko) 2012-05-08
KR101861370B1 KR101861370B1 (ko) 2018-05-28

Family

ID=45996033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110109304A KR101861370B1 (ko) 2010-10-28 2011-10-25 온도 검지 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8531234B2 (ko)
JP (1) JP2012108087A (ko)
KR (1) KR101861370B1 (ko)
CN (1) CN102466523B (ko)
TW (1) TWI536135B (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4636461B2 (ja) * 2009-01-13 2011-02-23 セイコーインスツル株式会社 電源電圧監視回路、および該電源電圧監視回路を備える電子回路
KR20130073395A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
US9148057B2 (en) * 2011-03-03 2015-09-29 SK Hynix Inc. Semiconductor apparatus
DE102013100045B4 (de) * 2012-12-18 2022-07-14 Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co Kg Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer Prozessgröße
JP6557562B2 (ja) * 2015-03-17 2019-08-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 送信回路及び半導体装置
JP6678094B2 (ja) * 2016-12-05 2020-04-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 温度計測回路、方法、及びマイクロコンピュータユニット
JP7126931B2 (ja) * 2018-11-30 2022-08-29 エイブリック株式会社 過熱保護回路及び半導体装置
JP7207576B2 (ja) 2020-02-04 2023-01-18 富士電機株式会社 検出回路、スイッチング制御回路、電源回路

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59120833A (ja) * 1982-12-27 1984-07-12 Omron Tateisi Electronics Co 電子温度計
JPH0713643A (ja) 1993-06-29 1995-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路の過熱保護回路
US5455801A (en) * 1994-07-15 1995-10-03 Micron Semiconductor, Inc. Circuit having a control array of memory cells and a current source and a method for generating a self-refresh timing signal
GB9505769D0 (en) * 1995-03-22 1995-05-10 Switched Reluctance Drives Ltd Pulsed temperature monitoring circuit and method
JP3554123B2 (ja) * 1996-12-11 2004-08-18 ローム株式会社 定電圧回路
US6052035A (en) * 1998-03-19 2000-04-18 Microchip Technology Incorporated Oscillator with clock output inhibition control
US6412977B1 (en) * 1998-04-14 2002-07-02 The Goodyear Tire & Rubber Company Method for measuring temperature with an integrated circuit device
US6078208A (en) * 1998-05-28 2000-06-20 Microchip Technology Incorporated Precision temperature sensor integrated circuit
JP3621586B2 (ja) * 1998-06-02 2005-02-16 グローリー工業株式会社 抵抗値測定回路及びその測定方法
US6695475B2 (en) * 2001-05-31 2004-02-24 Stmicroelectronics, Inc. Temperature sensing circuit and method
JP4824230B2 (ja) 2001-09-27 2011-11-30 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 温度検知回路
US6630859B1 (en) * 2002-01-24 2003-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Low voltage supply band gap circuit at low power process
US6853258B2 (en) * 2002-02-15 2005-02-08 Analog Devices, Inc. Stable oscillator
JP3759069B2 (ja) * 2002-05-14 2006-03-22 Necマイクロシステム株式会社 内部電圧制御回路
DE10223996B4 (de) * 2002-05-29 2004-12-02 Infineon Technologies Ag Referenzspannungsschaltung und Verfahren zum Erzeugen einer Referenzspannung
JP2004294117A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Sony Corp 温度検出回路および記憶装置
US7285943B2 (en) * 2003-04-18 2007-10-23 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Method of forming a reference voltage and structure therefor
TW200524139A (en) * 2003-12-24 2005-07-16 Renesas Tech Corp Voltage generating circuit and semiconductor integrated circuit
KR100666928B1 (ko) * 2004-02-19 2007-01-10 주식회사 하이닉스반도체 온도변화에 따라 최적의 리프레쉬 주기를 가지는 반도체메모리 장치
KR100694985B1 (ko) 2006-05-02 2007-03-14 주식회사 하이닉스반도체 저전압용 밴드 갭 기준 회로와 이를 포함하는 반도체 장치
KR100791918B1 (ko) * 2006-05-08 2008-01-04 삼성전자주식회사 셀프 보정 기능을 가지는 온도 센서 회로 및 그 방법
US7583135B2 (en) * 2006-10-03 2009-09-01 Analog Devices, Inc. Auto-nulled bandgap reference system and strobed bandgap reference circuit
JP4253739B2 (ja) * 2006-10-05 2009-04-15 Okiセミコンダクタ株式会社 発振回路
US7637658B2 (en) * 2007-04-23 2009-12-29 Texas Instruments Incorporated Systems and methods for PWM clocking in a temperature measurement circuit
JP2009098802A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Toshiba Corp 基準電圧発生回路
JP5213175B2 (ja) * 2008-11-14 2013-06-19 セイコーインスツル株式会社 温度センサ
JP2010151458A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Seiko Instruments Inc 温度検出回路

Also Published As

Publication number Publication date
KR101861370B1 (ko) 2018-05-28
US8531234B2 (en) 2013-09-10
CN102466523B (zh) 2015-04-29
JP2012108087A (ja) 2012-06-07
US20120105132A1 (en) 2012-05-03
TWI536135B (zh) 2016-06-01
CN102466523A (zh) 2012-05-23
TW201234157A (en) 2012-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120044894A (ko) 온도 검지 장치
KR102105033B1 (ko) 충방전 제어 회로, 충방전 제어 장치 및 배터리 장치
US9246323B2 (en) Current controller and protection circuit
KR102400405B1 (ko) 요 레이트 센서 및 요 레이트 센서를 작동시키기 위한 방법
WO2005081385A1 (ja) 電流方向検出回路及びそれを備えたスイッチングレギュレータ
US8766679B1 (en) Power on reset (POR) circuit
JP4658874B2 (ja) 電流検出回路ならびにそれを用いた充電制御回路、充電回路および電子機器
JP6926982B2 (ja) 電源制御回路および環境発電装置
KR100776516B1 (ko) 배터리 팩을 구비하는 시스템의 웨이크 업 제어회로
WO2018225436A1 (ja) ゲート駆動装置
JPH033722A (ja) 放電加工機用電源
CN108073209B (zh) 一种带隙基准电路
JP2015211345A (ja) 電源電圧監視回路、および該電源電圧監視回路を備える電子回路
CN211908761U (zh) 功率半导体器件开通和关断电压产生电路
CN109254188B (zh) 一种适用于开关电源的高速电流检测电路
JP2007306421A (ja) 発振回路およびその制御方法
CN110231506B (zh) 电流检测回路及具备该电流检测回路的废气再循环控制回路
JP5857562B2 (ja) 温度検出回路
KR101222110B1 (ko) 반도체 장치
JP2015119594A (ja) 半導体装置の駆動制御装置
EP3056871B1 (en) Detection apparatus
JP2009026126A (ja) 半導体装置
JP5861834B2 (ja) ガス検知素子用通電制御装置
JP2010281805A (ja) 電池電圧検出回路
JP5347460B2 (ja) 二次電池保護用集積回路装置及び二次電池保護用集積回路装置の検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant