KR20110116373A - 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 - Google Patents

박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110116373A
KR20110116373A KR1020100035750A KR20100035750A KR20110116373A KR 20110116373 A KR20110116373 A KR 20110116373A KR 1020100035750 A KR1020100035750 A KR 1020100035750A KR 20100035750 A KR20100035750 A KR 20100035750A KR 20110116373 A KR20110116373 A KR 20110116373A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
contact
forming
insulating film
auxiliary member
Prior art date
Application number
KR1020100035750A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101724558B1 (ko
Inventor
김재성
강훈
정양호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100035750A priority Critical patent/KR101724558B1/ko
Priority to US12/910,268 priority patent/US8501512B2/en
Publication of KR20110116373A publication Critical patent/KR20110116373A/ko
Priority to US13/875,494 priority patent/US8629861B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101724558B1 publication Critical patent/KR101724558B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 게이트 전극 및 게이트선을 형성하는 단계, 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 형성하는 단계, 게이트 절연막, 데이터선 및 드레인 전극 위에 보호막을 형성하는 단계, 보호막 위에 음성 감광성 유기막을 형성하는 단계, 광마스크를 이용하여 음성 감광성 유기막에 요철 패턴 및 복수개의 개구부를 형성하는 단계, 음성 감광성 유기막을 열처리하여 제1 부분 및 제1 부분의 두께 보다 얇은 제2 부분을 포함하는 절연막을 형성하는 단계, 절연막을 마스크로하여 드레인 전극을 노출하는 제1 접촉구, 게이트선의 끝 부분을 노출하는 제2 접촉구 및 데이터선의 끝 부분을 노출하는 제3 접촉구를 형성하는 단계, 그리고 절연막 위에 화소 전극, 제1 접촉 보조 부재 및 제2 접촉 보조 부재를 형성하는 단계를 포함하고, 화소 전극은 제1 부분 위에 위치하고, 제1 및 제2 접촉보조 부재는 제2 부분 위에 위치하고, 제 2 부분의 두께는 1.5 um 이하이다.

Description

박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법{THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 두 기판에 전극이 각각 형성되어 있고 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지고 있는 액정 표시 장치이며, 박막 트랜지스터는 두 기판 중 하나에 형성되는 것이 일반적이다.
이러한 액정 표시 장치의 표시 특성을 향상시키기 위해서는 화소의 개구율을 확보하는데, 이를 위해 화소 전극을 최대로 확장하여 게이트선 및 데이터선과 중첩되도록 형성하며, 이들 사이에는 배선을 통하여 전달되는 신호의 간섭을 최소화하기 위하여 낮은 유전율을 가지는 유기 물질로 이루어진 절연막을 3㎛ 정도의 두께로 두껍게 형성한다.
하지만, 이렇게 두꺼운 유기막을 적용하는 경우에 외부의 구동 회로의 출력단과 연결하기 위한 신호선의 접촉부에서는 유기막의 단차가 심하게 발생한다. 이러한 단차로 인하여 접촉부에서 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 이용하여 구동 집적 회로를 신호선과 전기적으로 연결할 때, 접촉 불량을 유발시켜 접촉 신뢰도를 저하시키는 원인으로 작용한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 신호선과 구동 집적 회로와의 접촉 신뢰도를 확보할 수 있는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 게이트 전극 및 게이트선을 형성하는 단계, 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 형성하는 단계, 게이트 절연막, 데이터선 및 드레인 전극 위에 보호막을 형성하는 단계, 보호막 위에 음성 감광성 유기막을 형성하는 단계, 광마스크를 이용하여 음성 감광성 유기막에 요철 패턴 및 복수개의 개구부를 형성하는 단계, 음성 감광성 유기막을 열처리하여 제1 부분 및 제1 부분의 두께 보다 얇은 제2 부분을 포함하는 절연막을 형성하는 단계, 절연막을 마스크로하여 드레인 전극을 노출하는 제1 접촉구, 게이트선의 끝 부분을 노출하는 제2 접촉구 및 데이터선의 끝 부분을 노출하는 제3 접촉구를 형성하는 단계, 그리고 절연막 위에 화소 전극, 제1 접촉 보조 부재 및 제2 접촉 보조 부재를 형성하는 단계를 포함하고, 화소 전극은 제1 부분 위에 위치하고, 제1 및 제2 접촉보조 부재는 제2 부분 위에 위치하고, 제 2 부분의 두께는 1.5 um 이하이다.
제2 부분은 음성 감광성 유기막의 요철 패턴을 열처리하여 형성할 수 있다.
광마스크는 빛을 차단하는 차광부, 빛이 투과하는 투과부를 포함하고, 차광부는 제1 접촉구, 제2 접촉구, 제3 접촉구, 제1 접촉 보조 부재 및 제2 접촉 보조 부재가 형성되는 부분가 대응하는 부분에 위치할 수 있다.
차광부는 제1 접촉 보조 부재 및 제2 접촉 보조 부재가 형성되는 부분과 대응하는 부분에서 간격이 좁을 수 있다.
열처리는 220도 내지 230도 에서 30분 내지 1시간 동안 실시할 수 있다.
음성 감광성 유기막에 요철 패턴의 두께는 0.2㎛ 이하일 수 있다.
기판은 표시 영역과 주변 영역을 포함하고, 주변 영역에 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
데이터 구동회로의 채널 수는 960개일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 기판 위에 배치되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선, 게이트선 위에 배치되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 배치되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 게이트 절연막, 데이터선 및 드레인 전극 위에 배치되어 있는 보호막, 보호막 위에 형성되어 있고, 음성 감광성을 가지는 유기 물질로 이루어져 있으며, 제1 부분 및 제1 부분보다 얇은 제2 부분을 포함하는 절연막, 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극, 제1 접촉 보조 부재 및 제2 접촉 보조 부재를 포함하고, 화소 전극은 제1 부분 위에 위치하고, 제1 및 제2 접촉보조 부재는 제2 부분 위에 위치하고, 제 2 부분의 두께는 1.5 um 이하이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 게이트선 및 데이터선과 외부의 구동 회로가 연결되는접촉부의 절연막을 두께를 낮게 형성함으로써, 접촉부의 단차를 최소화하여 접촉 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 개략적으로 도시한 배치도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 3는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절단한 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 개략적으로 도시한 배치도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판(100)은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(121)과 세로 방향으로 뻗어 있는 데이터선(171)을 포함한다. 박막 트랜지스터 표시판(100)은 게이트선(121)과 데이터선(171)의 교차에 의해 한정되는 복수의 화소 영역이 모여 화상을 표시하는 표시 영역(D) 및 표시 영역(D) 밖의 영역 즉, 주변 영역으로 나누어진다.
박막 트랜지스터 표시판(100)의 표시 영역(D) 밖의 위쪽 가장 자리에는 데이터선(171)에 연결되어 있는 데이터 패드(179)에 연결되어 계조 전압을 선택하여 데이터 신호를 데이터선(171)에 인가하는 복수 개의 데이터 구동 IC(540)가 가로 방향으로 차례로 장착되어 있다. 하나의 데이터 구동 IC(540)은 960개의 채널을 포함하고 있어, 960개의 데이터 패드(179)와 연결된다. 데이터 구동 IC(540) 사이에는 IC간 연결선(도시하지 않음)이 형성되어 있어, 외부에서 공급되는 케리 신호(carry signal)를 다음 데이터 구동 IC(540)에 차례대로 전달한다.
박막 트랜지스터 표시판(100)의 왼쪽 가장 자리에는 게이트선(121)에 연결되어 있는 게이트 패드(129)에 연결되어 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압의 조합으로 이루어진 게이트 신호를 게이트선(121)에 인가하는 복수 개의 게이트 구동 IC(440)가 세로 방향으로 나란히 형성되어 있다. 게이트 구동 IC(440) 부근에는 복수의 구동 신호선(도시하지 않음)이 형성되어 있어, 게이트 구동 IC(440) 사이를 전기적으로 연결한다. 이 때, 게이트 구동 IC(440)은 이 후에 설명하는 기판(110) 위에 형성되는 박막 트랜지스터 또는 구동 신호선(도시하지 않음)과 직접 형성될 수 있어, 다수의 박막 트랜지스터 또는 신호선을 포함하는 구조를 가질 수 있다.
다음은 도 1에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 액정 표시 장치에 대해 도 2 및 도 3을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 3는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절단한 단면도이다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b)과 게이트 전극(124a, 124b) 사이에 위로 돌출한 돌출부(125)를 포함한다. 또한, 게이트 구동 IC(440)와 연결되는 게이트 패드(129)에 연결되어 있다.
유지 전극선(131)은 게이트선(121)과 실질적으로 나란하게 뻗어 있으며, 이로부터 뻗어 나온 복수의 유지 전극(135)을 포함한다. 유지 전극선(131) 및 유지 전극(135)의 모양 및 배치는 여러 형태로 변형될 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(140) 위에는 비정질 또는 결정질 규소 등으로 만들어진 복수의 반도체(154a, 154b)가 형성되어 있다.
반도체(154a, 154b) 위에는 각각 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)가 형성되어 있으며, 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.
저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수 쌍의 데이터선(171a, 171b)과 복수 쌍의 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)이 형성되어 있다.
데이터선(171a, 171b)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 데이터선(171a, 171b)은 제1, 제2 게이트 전극(124a, 124b)을 향하여 뻗어 U자형으로 굽은 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)을 포함하며, 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)은 각각 제1, 제2 게이트 전극(124a, 124b)을 중심으로 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)과 마주한다. 또한, 데이터선(171a, 171b)은 데이터 구동 IC(540)과 연결되는 데이트 패드(179a, 179b)와 연결되어 있다.
제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)은 각각 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)으로 일부 둘러싸인 한 쪽 끝에서부터 위로 뻗어 있으며 반대쪽 끝은 다른 층과의 접속을 위해 면적이 넓을 수 있다. 그러나 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 비롯한 데이터선(171a, 171b)의 모양 및 배치는 여러 형태로 변형될 수 있다.
제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b), 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b) 및 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)은 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)와 함께 제1 및 제2 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 제1 및 제2 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b)과 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b) 사이의 제1 및 제2 반도체(154a, 154b)에 형성된다.
반도체(154a, 154b)에는 소스 전극(173a, 173b)과 드레인 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 데이터선(171a, 171b) 및 드레인 전극(175a, 175b)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
데이터선(171a, 171b), 드레인 전극(175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위로 만들어진 보호막(180)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 평탄화 특성이 우수하고, 음성(negative) 감광성을 가지는 유기 물질로 이루어진 절연막(188)이 형성되어 있다.
절연막(188) 및 보호막(180)에는 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)을 드러내는 복수의 접촉구(185a, 185b)가 형성되어 있고, 데이터 패드(179a, 179b)를 드러내는 복수의 접촉 구멍(182a, 182b)이 형성되어 있다. 그리고, 절연막(188), 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 게이트 패드(129)를 드러내는 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.
절연막(188) 위에는 복수의 화소 전극(191), 제1 접촉 보조 부재(81) 및 제2 접촉 보조 부재(82a, 82b)가 형성되어 있고, 각 화소 전극(191)은 서로 분리되어 있는 제1 및 제2 부화소 전극(191a, 191b)을 포함한다.
제1 접촉 보조 부재(81)는 접촉구(181)을 통하여 게이트 패드(129)에 연결되어 있고, 제2 접촉 보조 부재(82a, 82b)는 접촉구(182a, 182b)을 통하여 각각 데이터 패드(179a, 179b)에 연결되어 있다. 제1 및 제2 접촉 보조 부재(81, 82a, 82b)는 게이트 패드(129) 및 데이터 패드(179a, 179b)와 게이트 구동 IC(440) 및 데이트 구동 IC(540)의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
여기서, 제1 및 제2 접촉 보조 부재(81, 82a, 82b)의 아래에 위치하는 절연막(188)은 화소 전극(191) 아래에 위치하는 절연막(188)보다 얇게 형성되어 있다.
이처럼 게이트 패드(129) 및 데이터 패드(179a, 179b)을 노출하는 접촉구(181, 182a, 182b) 둘레의 절연막(188)의 두께를 줄여 이들간의 단차 차이를 최소화하면 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전막을 이용하여 게이트 구동 IC(440) 및 데이터 구동 IC(540)와 연결할 때, 들뜸 현상 등의 불량을 보다 균일하게 유지할 수 있어 접촉 신뢰도를 확보할 수 있다. 이 때 접촉구(181, 182a, 182b) 깊이에 따른 단차는 1.5 um 이하로 형성하는 것이 바람직하다.
그리고, 절연막(188) 위에는 게이트선(121)의 돌출부(125)에 대응하는 부분에는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이의 간격을 유지하기 위한 간격재(320)가 형성되어 있다.
다음, 상부 표시판(200)에 대해서 설명한다.
상부 표시판(200)은 투명한 절연 기판(210) 위에 게이트선(121), 데이터선(171a, 171b), 제1 및 제2 박막 트랜지스터에 대응하는 부분에는 차광 부재(220)가 형성되어 있고, 차광 부재(220) 및 기판(210) 위에 색필터(230)가 형성되어 있다.
색필터(230) 위에는 공통 전극(270)이 전면에 형성되어 있다. 그러나 공통 전극(270)은 하부 표시판(100)에 형성될 수도 있다.
상부 표시판(200)과 하부 표시판(100) 사이에는 액정층(3)이 위치한다.
그러면 도 2 및 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 4 내지 도 8을 참고하여 설명한다. 도 4 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.
먼저 도 4에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 게이트 전극(124a, 124b)을 포함하는 게이트선(121), 게이트 패드(129), 유지 전극(135)을 포함하는 유지 전극선(131), 게이트 절연막(140), 소스 전극(173a, 173b)을 포함하는 데이터선(171a, 171b), 데이터 패드(179a, 179b) 및 드레인 전극(175a, 175b)을 차례로 형성한 후, 그 전면에 보호막(180)을 형성한다.
이어서, 도 5에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 음성 감광성을 가지는 유기 물질로 이루어진 유기막(188a)을 도포하고, 마스크(300)를 사용하여 유기막(188a)을 노광한다. 마스크(300)는 투명 기판(310)과 차광막(311)으로 이루어질 수 있고, 차광막(311)은 접촉구(181, 182a, 182b, 185a, 185b)와 대응하는 영역(A)에서는 빛을 완전히 차단할 수 있도록 형성하고, 제1 및 제2 접촉 보조 부재(81, 82a, 82b)가 형성되는 부분에 대응하는 영역(C)에서는 복수개의 차광막(311)이 서로 간의 간격이 좁은 형태로 위치하며, 나머지 부분(B)에서는 제거한다.
이어서, 도 6에 도시한 바와 같이, 노광된 유기막(188a)을 현상하여 유기막(188a)의 개구부(181a, 182c, 185c, 185d)를 형성한다. 이러한 개구부(181a, 182c, 185c, 185d)는 각각 게이트선 패드(129)와 제1 접촉 보조 부재(81)가 접촉하는 부분, 데이터선 패드(179b)와 제2 접촉 보조 부재(82b)가 접촉하는 부분 및 화소 전극(191a, 192b)가 드레인 전극(175a, 175b)와 접촉하는 부분에 형성된다.
또한, 게이트선 패드(129)와 데이터 패드(179b)에 위치하는 유기막(188a)에는 복수개의 오목부(188b)를 포함하는 요철 패턴이 형성된다. 이 때, 요철 패턴의 두께는 0.2 ㎛ 이하가 바람직하다.
이어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 유기막(188a)에 열처리를 실시하여 요철 패턴을 평탄화 시켜, 1 및 제2 접촉 보조 부재(81, 82a, 82b) 아래에 위치하는 부분의 두께가 화소 전극(191) 아래에 위치하는 부분의 두께보다 더 얇은 절연막(188)을 형성한다. 여기서, 1 및 제2 접촉 보조 부재(81, 82a, 82b) 아래에 위치하는 절연막(188)의 두께는 1.5 um 이하 일 수 있다. 이 때, 열처리는 220 내지 230도의 온도에서 30분 내지 1시간 동안 실시할 수 있다.
이어서, 도 8에 도시한 바와 같이, 절연막(188)을 마스크로 하여 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)을 식각하여 접촉구(181, 182a, 182b, 185a, 185b)를 형성한다.
이어서, 도 3에 도시한 바와 같이, 절연막(188) 위에 각 접촉구(181, 182a, 182b, 185a, 185b)를 통하여 게이트선 패드(129)와 연결되는 제1 접촉 보조 부재(81), 데이터 패드(179a, 179b)와 연결되는 제2 접촉 보조 부재(82a, 82b) 및 드레인 전극(175a, 175b)와 연결되는 화소 전극(191)을 형성한다.
그리고 나서, 도 3에 도시한 바와 같이, 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220), 색필터(230) 및 공통 전극(270)이 형성된 상부 표시판(200)을 형성한 후, 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 중 하나 위에 액정을 적하한 후, 두 표시판(100, 200)을 합착(assembly)한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
121: 게이트선 171: 데이터선
188: 절연막 300: 마스크

Claims (15)

  1. 기판 위에 게이트 전극, 게이트 패드 및 게이트선을 형성하는 단계,
    상기 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선, 데이터 패드 및 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 보호막을 형성하는 단계,
    상기 보호막 위에 음성 감광성 유기막을 형성하는 단계,
    광마스크를 이용하여 상기 음성 감광성 유기막에 요철 패턴 및 복수개의 개구부를 형성하는 단계,
    상기 음성 감광성 유기막을 열처리하여 제1 부분 및 상기 제1 부분의 두께 보다 얇은 제2 부분을 포함하는 절연막을 형성하는 단계,
    상기 절연막을 마스크로하여 상기 드레인 전극을 노출하는 제1 접촉구, 상기 게이트 패드를 노출하는 제2 접촉구 및 상기 데이터 패드를 노출하는 제3 접촉구를 형성하는 단계, 그리고
    상기 절연막 위에 화소 전극, 제1 접촉 보조 부재 및 제2 접촉 보조 부재를 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 화소 전극은 상기 제1 부분 위에 위치하고, 상기 제1 및 제2 접촉보조 부재는 상기 제2 부분 위에 위치하고, 상기 제 2 부분의 두께는 1.5 um 이하인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 제2 부분은 상기 음성 감광성 유기막의 요철 패턴을 열처리하여 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  3. 제2항에서,
    상기 광마스크는 빛을 차단하는 차광부, 빛이 투과하는 투과부를 포함하고,
    상기 차광부는 상기 제1 접촉구, 상기 제2 접촉구, 상기 제3 접촉구, 상기 제1 접촉 보조 부재 및 상기 제2 접촉 보조 부재가 형성되는 부분가 대응하는 부분에 위치하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  4. 제3항에서,
    상기 차광부는 상기 제1 접촉 보조 부재 및 상기 제2 접촉 보조 부재가 형성되는 부분가 대응하는 부분에서 간격이 좁은 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 열처리는 220도 내지 230도 에서 30분 내지 1시간 동안 실시하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 음성 감광성 유기막에 요철 패턴의 두께는 0.2㎛ 이하인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  7. 제6항에서,
    상기 기판은 표시 영역과 주변 영역을 포함하고,
    상기 주변 영역에 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로를 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  8. 제7항에서,
    상기 데이터 구동회로의 채널 수는 960개인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  9. 제1항에서,
    상기 광마스크는 빛을 차단하는 차광부, 빛이 투과하는 투과부를 포함하고,
    상기 차광부는 상기 제1 접촉구, 상기 제2 접촉구, 상기 제3 접촉구, 상기 제1 접촉 보조 부재 및 상기 제2 접촉 보조 부재가 형성되는 부분가 대응하는 부분에 위치하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 차광부는 상기 제1 접촉 보조 부재 및 상기 제2 접촉 보조 부재가 형성되는 부분가 대응하는 부분에서 간격이 좁은 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  11. 제1항에서,
    상기 기판은 표시 영역과 주변 영역을 포함하고,
    상기 주변 영역에 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로를 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  12. 제10항에서,
    상기 데이터 구동회로의 채널 수는 960개인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
  13. 기판,
    상기 기판 위에 배치되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선,
    상기 게이트선 위에 배치되어 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 배치되어 있으며, 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극,
    상기 게이트 절연막, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극 위에 배치되어 있는 보호막,
    상기 보호막 위에 형성되어 있고, 음성 감광성을 가지는 유기 물질로 이루어져 있으며, 제1 부분 및 제1 부분보다 얇은 제2 부분을 포함하는 절연막,
    상기 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극, 제1 접촉 보조 부재 및 제2 접촉 보조 부재
    를 포함하고,
    상기 화소 전극은 상기 제1 부분 위에 위치하고, 상기 제1 및 제2 접촉 보조 부재는 상기 제2 부분 위에 위치하고, 상기 제 2 부분의 두께는 1.5 um 이하인 박막 트랜지스터 표시판.
  14. 제13항에서,
    상기 기판은 표시 영역과 주변 영역을 포함하고,
    상기 주변 영역에 형성되어 있는 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  15. 제14항에서,
    상기 데이터 구동회로의 채널 수는 960개인 박막 트랜지스터 표시판.
KR1020100035750A 2010-04-19 2010-04-19 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 KR101724558B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100035750A KR101724558B1 (ko) 2010-04-19 2010-04-19 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US12/910,268 US8501512B2 (en) 2010-04-19 2010-10-22 Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same
US13/875,494 US8629861B2 (en) 2010-04-19 2013-05-02 Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100035750A KR101724558B1 (ko) 2010-04-19 2010-04-19 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110116373A true KR20110116373A (ko) 2011-10-26
KR101724558B1 KR101724558B1 (ko) 2017-04-10

Family

ID=44787876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100035750A KR101724558B1 (ko) 2010-04-19 2010-04-19 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8501512B2 (ko)
KR (1) KR101724558B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170012711A (ko) * 2015-07-22 2017-02-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150027342A (ko) * 2013-08-30 2015-03-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
CN104319261B (zh) * 2014-10-22 2018-03-16 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
KR102569312B1 (ko) 2018-06-07 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003195285A (ja) * 2001-12-25 2003-07-09 Seiko Epson Corp 反射型電気光学装置、電子機器、および反射型電気光学装置の製造方法
KR20060133324A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치와 그 구동방법
KR20070013816A (ko) * 2005-07-27 2007-01-31 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20080053541A (ko) * 2006-12-11 2008-06-16 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6359672B2 (en) 1997-10-20 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Method of making an LCD or X-ray imaging device with first and second insulating layers
KR100443840B1 (ko) 1998-09-01 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의제조방법
KR100796795B1 (ko) 2001-10-22 2008-01-22 삼성전자주식회사 반도체 소자의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP2004294805A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Advanced Display Inc 液晶表示装置、表示装置の製造方法、パターニング方法
KR20050102442A (ko) 2004-04-22 2005-10-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR20060011160A (ko) 2004-07-29 2006-02-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법과, 이에 의해 제조된박막 트랜지스터 기판
KR20060124306A (ko) * 2005-05-31 2006-12-05 삼성전자주식회사 표시 장치용 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판및 그 제조 방법
JP2007273827A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Tokyo Electron Ltd リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用ｔｆｔ素子の製造方法
KR20080026758A (ko) 2006-09-21 2008-03-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20080098238A (ko) 2007-05-04 2008-11-07 삼성전자주식회사 표시기판의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003195285A (ja) * 2001-12-25 2003-07-09 Seiko Epson Corp 反射型電気光学装置、電子機器、および反射型電気光学装置の製造方法
KR20060133324A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치와 그 구동방법
KR20070013816A (ko) * 2005-07-27 2007-01-31 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20080053541A (ko) * 2006-12-11 2008-06-16 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170012711A (ko) * 2015-07-22 2017-02-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20110254815A1 (en) 2011-10-20
US8501512B2 (en) 2013-08-06
US8629861B2 (en) 2014-01-14
KR101724558B1 (ko) 2017-04-10
US20130240889A1 (en) 2013-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101905757B1 (ko) 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
US20080204618A1 (en) Display substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus having the same
KR101923717B1 (ko) 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법
US8324003B2 (en) Method for manufacturing a thin film transistor array panel
US8274616B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US8101445B2 (en) Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same
KR20080082253A (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JP6309766B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板
KR20090060756A (ko) 표시 패널 및 이의 제조방법
US20100207122A1 (en) Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
KR20090034579A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR20110061996A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20110116373A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN105321958A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN102044490B (zh) 制造薄膜晶体管阵列基板的方法
JP4034470B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
KR101159388B1 (ko) 액정표시소자와 그 제조 방법
JP4558752B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR101674208B1 (ko) 배선 형성 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법
KR20040061195A (ko) 액정표시패널 및 그 제조방법
KR100872470B1 (ko) 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR20050105422A (ko) 액정표시패널 및 그 제조 방법
KR102140087B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 어레이 기판 및 그 제조방법
CN108363252A (zh) 液晶显示装置及tft阵列基板的制造方法
KR101995922B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant