KR20060011160A - 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법과, 이에 의해 제조된박막 트랜지스터 기판 - Google Patents

박막 트랜지스터 기판의 제조 방법과, 이에 의해 제조된박막 트랜지스터 기판 Download PDF

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Abstract

네거티브-PR로 형성된 유기절연막 구조를 갖는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법과, 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터 기판이 개시된다. 절연 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하고, 박막 트랜지스터 위에 네거티브-PR 특성의 유기절연막을 후박하게 형성한다. 이어, 유기절연막을 패터닝하여 드레인 전극의 일부를 노출시킨 후 유기절연막 위에 화소 전극층을 형성한다. 이에 따라, 포지티브-PR 유기재료를 적용하면서 발생하는 공정 추가 및 광반응 미완료 영역이 액정패널에 존재하므로써 발생하는 액정 오염 및 액정패널 불량을 제거할 수 있다.
노광, 네거티브 PR, 포토레지스트, 광반응, 유기막, 유기절연막

Description

박막 트랜지스터 기판의 제조 방법과, 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터 기판{METHOD FOR MANUFACTURING OF ARRAY SUBSTRATE, AND ARRAY SUBSTRATE MANUFACTURED THE SAME}
도 1a 및 도 1b는 포지티브-PR를 이용한 기판 제조 공정을 설명하는 도면들이다.
도 2a 및 도 2b는 네거티브-PR를 이용한 기판 제조 공정을 설명하는 도면들이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f는 도 3의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명하는 도면들이다.
도 5a는 본 발명에 따른 네거티브-PR의 전면 노광 전후의 단파장 대비 투과율 변화를 나타낸 그래프이고, 도 5b는 비교예에 따른 포지티브-PR의 전면 노광 전후의 단파장 대비 투과율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7a 내지 도 7f는 도 6의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명하는 도면들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
TS : 박막 트랜지스터 기판 CS : 컬러 필터 기판
LC : 액정층 MA : 마스크
본 발명은 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 네거티브-PR로 형성된 유기절연막 구조를 갖는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법과, 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
액정표시장치는 복수개의 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)들이 배열된 박막 트랜지스터 기판과, 상기 박막 트랜지스터 기판에 대향하는 컬러 필터 기판과, 상기 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판간에 형성된 액정층을 이용하여 화상을 표시한다. 상기 액정패널에 유기절연막 구조를 채용할 때, 상기 박막 트랜지스터 기판에는 유기물질이 잔류한다. 상기 유기물질은 포지티브 광감도 특성을 갖는다.
한편, 일반적으로 포지티브-PR을 이용하여 기판을 제조하는 공정은 도 1a 및 도 1b에 도시한 바와 같고, 네거티브-PR을 이용하여 기판을 제조하는 공정은 도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같다.
먼저, 포지티브-PR을 이용한 공정은 다음과 같다. 즉, 기판(10) 위에 후박하 게 형성된 유기절연막(12) 위에 마스크(16)를 정렬시킨 후 UV광을 조사함에 따라, UV광이 조사되는 유기절연막(12)은 광반응 완료 영역으로 변환되고, UV광이 미조사되는 유기절연막(12)은 광반응 미완료 영역으로 변환된다. 이어, 현상 공정 및 큐어링 공정을 수행함에 따라 상기 광반응 미완료 영역은 잔류 유기절연막(13)으로 변환되고, 상기 광반응 완료 영역은 제거된다.
한편, 네거티브-PR를 이용한 공정은 다음과 같다. 즉, 기판(20) 위에 후박하게 형성된 유기절연막(22) 위에 마스크(26)를 정렬시킨 후 UV광을 조사함에 따라, UV광이 조사되는 유기절연막(22)은 광반응 완료 영역으로 변환되고, UV광이 미조사되는 유기절연막(22)은 광반응 미완료 영역으로 변환된다. 이어, 현상 공정 및 큐어링 공정을 수행함에 따라 상기 광반응 완료 영역은 잔류 유기절연막(23)으로 변환되고, 상기 광반응 미완료 영역은 제거된다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 포지티브-PR는 현상 공정후 광반응 미완료 영역이 최종적으로 잔류한다. 이에 따라, 포지티브-PR만의 특성인 광반응 물질(PAC; Photo Active Component)의 영향으로 단파장대 투과 효율이 감소하며, 이의 극복을 위해 전면 노광 공정은 필수적이라는 문제점이 있다.
또한, 포지티브-PR 재료의 도포 공정 이후, 대략 200℃ 이상의 고온 처리 공정을 거치면서 광반응 미완료 영역에서의 출력 가스가 증가하여 액정 오염 및 액정패널의 화질 분량 가능성이 상존하는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으 로, 본 발명의 목적은 포지티브-PR 유기재료를 적용하면서 발생하는 액정 오염 및 액정패널 불량을 제거하기 위한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터 기판을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은, (a) 절연 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; (b) 상기 박막 트랜지스터 위에 네거티브-PR 특성의 유기절연막을 후박하게 형성하는 단계; (c) 상기 유기절연막을 패터닝하여 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키는 단계; 및 (d) 상기 유기절연막 위에 화소 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 화소 영역을 갖는 기판 위에 형성된 박막 트랜지스터; 네거티브-PR 특성을 갖고서, 상기 화소 영역 일부 또는 전부를 커버하면서 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 유기절연막; 및 상기 유기절연막 위에 형성되면서 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함한다.
이러한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법과, 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터 기판에 의하면, 포지티브-PR 유기재료를 적용하면서 발생하는 공정 추가 및 광반응 미완료 영역이 액정패널에 존재하므로써 발생하는 액정 오염 및 액정패널 불량을 제거할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면에서 여러 층(또는 막) 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 번호를 붙였다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 관점에서 설명하였고, 층, 막, 영역 및 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 의미한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이다. 특히, 플랫한 표면의 유기절연막을 갖는 반사-투과형 액정표시장치를 도시한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치는 박막 트랜지스터 기판(TS)과, 상기 박막 트랜지스터 기판(TS)에 대향하는 컬러 필터 기판(CS)과, 상기 박막 트랜지스터 기판(TS)과 컬러 필터 기판(CS)과의 합체에 의해 수용되는 액정층(LC)을 포함한다.
박막 트랜지스터 기판(TS)은 제1 투명 기판(105) 위에 게이트 전극(110), 상기 게이트 전극(110) 위에 형성된 게이트 절연막(112), 액티브층(114), 반도체층 (116), 소오스 전극(120) 및 드레인 전극(130)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)와, 네거티브-PR 특성을 갖고서, 상기 드레인 전극(130)의 일부와 게이트 절연막(112)의 일부를 노출시키면서 형성된 유기절연막(140)과, 상기 유기절연막(140) 위에 형성되되, 상기 드레인 전극(130)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(150)과, 상기 화소 전극(150) 위에 형성된 반사판(160)을 포함한다.
상기 화소 전극(150)은 광을 투과시키는 일종의 투과 전극으로서, ITO 또는 IZO 물질이 사용된다. 상기 반사판(160)은 상기 드레인 전극(130)의 재질과 동일한 재질로 이루어지는데, 만일 고반사율을 고려한다면 알루미늄이나 알루미늄-네오디뮴 합금 등을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 유기절연막(140)은 후박하게 형성되면서 프론트 광이 반사되는 반사영역(RA)을 정의하고, 상기 게이트 절연막(112)의 일부 영역에 대응해서는 미형성되므로써 배면광이 투과되는 투과영역(TA)을 정의한다.
한편, 상기 컬러 필터 기판(CS)은 제2 투명 기판(170) 위에 R, G, B 각각의 화소 영역을 정의하는 블랙 매트릭스층(미도시)에 의해 정의되는 영역에 형성된 색화소층(175)과, 상기 블랙 매트릭스층과 색화소층(175) 상부, 즉 상기 액정층(LC)에 근접하는 면에 형성된 공통 전극층(180)을 포함한다. 상기 컬러 필터 기판(CS)은 상기 색화소층(175)과 공통 전극층(180)간에는 상기 색화소층(175)을 보호하기 위해 별도의 표면 보호층을 더 포함할 수도 있다. 또한, 휘도 향상을 위해 색화소층(175)의 일부에는 별도의 하나 이상의 홀이 더 형성될 수도 있다.
도 4a 내지 도 4f는 도 3의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명하는 도면들이다.
도 4a를 참조하면, 투명한 절연 기판(105) 위에 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 또는 텅스텐(W) 등과 같은 제1 금속층을 증착한 후, 상기 제1 금속층을 패터닝하여 게이트 라인(미도시)과, 상기 게이트 라인으로부터 연장된 게이트 전극(110)을 형성한다. 상기 결과물 위에 상기 게이트 라인을 보호하기 위하여 질화 실리콘(SiNx)을 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 적층하여 게이트 절연막(112)을 형성한다.
계속하여, 상기 게이트 절연막(112) 위에 아몰퍼스 실리콘막 및 인 시튜(in-situ)로 도핑된 n+ 아몰퍼스 실리콘막을 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 차례로 적층한 다음, 적층된 아몰퍼스 실리콘막 및 n+ 아몰퍼스 실리콘막을 패터닝하여 상기 게이트 절연막(112) 위에 액티브층(114)과 오믹 콘택층(116)을 순차적으로 형성한다.
계속하여, 상기 결과물 위에 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘막과 접합시 접촉저항이 낮으며 접착력이 우수한 크롬(Cr) 또는 기타 금속으로 이루어진 제2 금속층을 적층한 후, 패터닝하여 상기 게이트 라인과는 수직하는 데이터 라인과, 상기 데이터 라인으로부터 연장된 데이터 전극(120)과, 상기 데이터 전극에서 일정 간격 이격된 드레인 전극(130)을 형성한다.
이후 도 4b에 도시한 바와 같이, 도 4a에 의한 결과물 위에 일정 두께를 갖도록 유기절연막(142)을 후박하게 형성한다.
이후 도 4c에 도시한 바와 같이, 도 4b에 의한 결과물 위에 네거티브형 마스크(MA)를 정렬하여 UV광 조사하여 유기절연막(142)을 광반응 완료 영역들(144)과 광반응 미완료 영역들(145)로 각각 분할한다. 상기 네거티브형 마스크(MA)는 투명 기판(SB)과, 상기 투명 기판(SB) 위에 형성된 불투명부재(OP)를 갖는다.
이후 도 4d에 도시한 바와 같이, 도 4c에 의한 결과물을 현상(Develop) 및 큐어링 공정을 통해 광반응 미완료 영역(145)을 제거하고, 광반응 완료 영역(144)은 경화시켜 잔류시키면서 스위칭 소자(TFT)의 드레인 전극(130)을 노출시키는 콘택홀(147)과 투과창을 정의하는 비어홀(149)을 형성한다.
이후 도 4e에 도시한 바와 같이, 도 4d에 의한 결과물 위에 ITO 또는 IZO와 같은 물질을 균일한 두께로 도포하고, 이를 패터닝하여 상기 콘택홀(147)을 경유하여 상기 스위칭 소자(TFT)의 드레인 전극과 전기적으로 연결된 투과 전극(150)을 형성한다.
이후 도 4f에 도시한 바와 같이, 도 4e에 의한 결과물 위에 반사율이 우수한 금속으로 이루어진 반사 전극(160)을 형성한다. 이로써, 도 3에 도시된 박막 트랜지스터 기판이 완성된다. 상기 반사 전극(160)은 반사 영역에 형성되어, 자연광이나 프론트광을 반사한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 유기절연막의 광반응 미완료 영역은 제거하고, 광반응 완료 영역은 잔류시키기 위해 현상 공정을 수행한 후 별도의 전면 노광 공정없이 큐어링 공정을 수행하므로 상기 현상 공정과 큐어링 공정간에 이루어지는 전면 노광 공정을 생략할 수 있으므로 공정 단순화를 실현할 수 있다.
또한, 포지티브-PR을 이용한 유기절연막의 형성은 현상 공정후 전면 노광 공정을 수행해야하므로 대략 200℃ 이상 고온의 처리 공정을 거치면서 광반응 미완료 영역에서의 출력 가스량이 증가하는데, 본 발명에 따르면 상기한 전면 노광 공정을 생략할 수 있어 출력 가스량을 감소시킬 수 있고, 이에 따라 액정 오염 및 패널 불량 가능성을 감소시킬 수 있다.
도 5a는 본 발명에 따른 네거티브-PR의 전면 노광 전후의 단파장 대비 투과율 변화를 나타낸 그래프이고, 도 5b는 비교예에 따른 포지티브-PR의 전면 노광 전후의 단파장 대비 투과율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5a에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 네거티브-PR는 전면 노광 공정없이 대략 400㎚ 정도의 단파장대에서 90% 이상의 투과율을 갖는 반면, 포지티브-PR은 도 5b에 도시한 바와 같이, 대략 400㎚ 정도의 파장대에서는 70%에서 90% 정도의 투과율을 갖는 것을 확인할 수 있다. 즉, 네거티브-PR의 전면 노광 전후의 단파장대에서의 투과율은 포지티브-PR의 전면 노광 전후의 단파장대에서의 투과율보다 우수함을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면 네거티브-PR의 전면 노광을 수행하므로써, 포지티브-PR의 전면 노광에 비해 단파장대 투과효율을 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
상기한 본 발명의 제1 실시에서는 화소부들이 모여 화상을 표시하는 영역인 표시 영역에서는 상기 유기절연막(140)의 표면이 평탄화된 것을 도시하였으나, 당업자라면 상기 유기절연막(140)의 상부를 요철 처리하고, 형성된 요철과 상기 반사 판(160)을 이용하여 마이크로 반사 렌즈를 형성하므로써 인공광이나 자연광을 산란시킬 수도 있을 것이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치를 나타낸 단면도이다. 특히, 엠보싱 처리된 표면의 유기절연막을 갖는 반사-투과형 액정표시장치를 도시한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반사-투과형 액정표시장치는 박막 트랜지스터 기판(TS)과, 상기 박막 트랜지스터 기판(TS)에 대향하는 컬러 필터 기판(CS)과, 상기 박막 트랜지스터 기판(TS)과 컬러 필터 기판(CS)과의 합체에 의해 수용되는 액정층(LC)을 포함한다.
박막 트랜지스터 기판(TS)은 제1 투명 기판(205) 위에 게이트 전극(210), 상기 게이트 전극(210) 위에 형성된 게이트 절연막(212), 액티브층(214), 반도체층(216), 소오스 전극(220) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)와, 네거티브-PR 특성을 갖고서, 상기 드레인 전극의 일부와 게이트 절연막(212)의 일부를 노출시키면서 형성된 유기절연막(240)과, 상기 유기절연막(240) 위에 형성되되, 상기 드레인 전극(230)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(250)과, 상기 화소 전극(250) 위에 형성된 반사판(260)을 포함한다.
상기 화소 전극(250)은 광을 투과시키는 일종의 투과 전극으로서, ITO 또는 IZO 물질이 사용된다. 상기 반사판(260)은 드레인 전극(230)의 재질과 동일한 재질로 이루어지는데, 만일 고반사율을 고려한다면 알루미늄이나 알루미늄-네오디뮴 합금 등을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 유기절연막(240)은 후박하게 형성되면서 프론트 광이 반사되는 반사영역(RA)을 정의하고, 상기 게이트 절연막(212)의 일부 영역에 대응해서는 미형성되므로써 배면광이 투과되는 투과영역(TA)을 정의한다.
한편, 컬러 필터 기판(CS)은 제2 투명 기판(270) 위에 R, G, B 각각의 화소 영역을 정의하는 블랙 매트릭스층(미도시)에 의해 정의되는 영역에 형성된 색화소층(275)과, 상기 블랙 매트릭스층과 색화소층(275) 상부, 즉 상기 액정층(LC)에 근접하는 면에 형성된 공통 전극층(280)을 포함한다. 컬러 필터 기판(CS)은 상기 색화소층(275)과 공통 전극층(280)간에는 상기 색화소층(275)을 보호하기 위해 별도의 표면 보호층을 더 포함할 수도 있다. 또한, 휘도 향상을 위해 색화소층(275)의 일부에는 별도의 하나 이상의 홀이 더 형성될 수도 있다.
도 7a 내지 도 7f는 도 6의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 설명하는 도면들이다.
도 7a를 참조하면, 투명한 절연 기판(205) 위에 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 구리(Cu) 또는 텅스텐(W) 등과 같은 제1 금속층을 증착한 후, 상기 제1 금속층을 패터닝하여 게이트 라인(미도시)과, 상기 게이트 라인으로부터 연장된 게이트 전극(210)을 형성한다. 상기 결과물 위에 상기 게이트 라인을 보호하기 위하여 질화 실리콘(SiNx)을 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 적층하여 게이트 절연막(212)을 형성한다.
계속하여, 상기 게이트 절연막(212) 위에 아몰퍼스 실리콘막 및 인 시튜(in- situ)로 도핑된 n+ 아몰퍼스 실리콘막을 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 차례로 적층한 다음, 적층된 아몰퍼스 실리콘막 및 n+ 아몰퍼스 실리콘막을 패터닝하여 상기 게이트 절연막(212) 위에 액티브층(214)과 오믹 콘택층(216)을 순차적으로 형성한다.
계속하여, 상기 결과물 위에 상기 n+ 아몰퍼스 실리콘막과 접합시 접촉저항이 낮으며 접착력이 우수한 크롬(Cr) 또는 기타 금속으로 이루어진 제2 금속층을 적층한 후, 패터닝하여 상기 게이트 라인과는 수직하는 데이터 라인과, 상기 데이터 라인으로부터 연장된 데이터 전극(220)과, 상기 데이터 전극에서 일정 간격 이격된 드레인 전극(230)을 형성한다.
이후 도 7b를 참조하면, 도 7a에 의한 결과물 위에 소정의 두께를 갖도록 유기절연막(242)을 후박하게 형성한다.
이후 도 7c를 참조하면, 도 7b에 의한 결과물 위에 네거티브형 마스크를 정렬하여 UV광 조사하여 유기절연막(242)을 광반응 완료 영역(244)과 광반응 미완료 영역(245)으로 각각 분할한다.
이후 도 7d를 참조하면, 도 7c에 의한 결과물을 현상 및 큐어링 공정을 통해 광반응 미완료 영역(245)을 제거하고, 광반응 완료 영역(244)을 잔류시키면서 스위칭 소자(TFT)의 드레인 전극(230)을 노출시키는 콘택홀(247)과 투과창을 정의하는 비어홀(249)을 형성한다. 현상 및 큐어링 공정에 의해 잔류된 유기절연막(240)의 표면은 요철을 갖는다.
이후 도 7e를 참조하면, 도 7d에 의한 결과물 위에 ITO 또는 IZO를 균일한 두께로 도포하고 이를 패터닝하여 상기 콘택홀(247)을 경유하여 상기 스위칭 소자(TFT)의 드레인 전극과 전기적으로 연결된 투과 전극(250)을 형성한다.
이후 도 7f를 참조하면, 도 7e에 의한 결과물 위에 반사율이 우수한 금속으로 이루어진 반사 전극(260)을 형성한다. 이로써, 도 6에 도시된 박막 트랜지스터 기판을 완성한다. 상기 반사 전극(260)은 반사 영역에 형성되어, 자연광이나 프론트광을 반사한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 현상 공정후 전면 노광 공정없이 큐어링 공정을 수행하기 때문에 공정 단순화를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에서 채용하는 네거티브-PR을 이용한 노광은 포지티브-PR을 이용한 노광에 비해 단파장대에서의 투과효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 현상 공정후 큐어링 공정을 수행하므로 고온 처리 공정인 전면 노광 공정을 생략할 수 있고, 이에 따라 출력 가스량이 감소되므로 액정 오염 및 패널 불량 가능성을 감소시킬 수 있다.
이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. (a) 절연 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    (b) 상기 박막 트랜지스터 위에 네거티브-PR 특성의 유기절연막을 후박하게 형성하는 단계;
    (c) 상기 유기절연막을 패터닝하여 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키는 단계; 및
    (d) 상기 유기절연막 위에 화소 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단계(c)는,
    (c-1) 상기 단계(b)의 결과물 위에 마스크를 정렬시켜 잔류시키고자 하는 유기절연막을 노광시키는 단계;
    (c-2) 상기 단계(c-1)의 결과물을 현상하는 단계; 및
    (c-3) 상기 단계(c-2)의 결과물을 경화시키는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 단계(a)는,
    (a-1) 절연 기판 위에 형성된 제1 금속층을 패터닝하여 게이트 전극을 갖는 게이트 라인을 형성하는 단계;
    (a-2) 상기 게이트 라인 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    (a-3) 상기 게이트 전극이 형성된 영역을 포함하는 상기 게이트 절연층 위에 액티브 패턴을 형성하는 단계;
    (a-4) 상기 액티브 패턴이 형성된 상기 절연 기판 위에 제2 금속층을 형성하는 단계; 및
    (a-5) 상기 제2 금속층을 패터닝하여 소오스 전극과 드레인 전극을 갖는 데이터 라인을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  4. 화소 영역을 갖는 기판 위에 형성된 박막 트랜지스터;
    네거티브-PR 특성을 갖고서, 상기 화소 영역 일부 또는 전부를 커버하면서 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 유기절연막; 및
    상기 유기절연막 위에 형성되면서 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
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