KR20110030465A

KR20110030465A - 광전자 콤포넌트에 사용하기 위한 착물

Info

Publication number: KR20110030465A
Application number: KR1020107028370A
Authority: KR
Inventors: 하르트무트 예르진; 우베 몬코비우스
Original assignee: 메르크 파텐트 게엠베하
Priority date: 2008-07-17
Filing date: 2009-06-23
Publication date: 2011-03-23
Also published as: US20110108769A1; WO2010006666A1; ATE534718T1; US8618317B2; CN102076817B; TWI632221B; JP5571075B2; KR101640954B1; JP2011528172A; JP5661623B2; WO2010006681A1; JP2011528044A; EP2297276A1; TW201020309A; TW201012896A; CN102076812A; US20110144366A1; EP2297275A1; EP2297275B1; US9252372B2

Abstract

본 발명은, 유기 전자 디바이스에 있어서, 삼중항으로부터 열적 재점유에 의해 점유되는 최고 단일항 상태 및 최저 삼중항 상태 사이의 작은 △E 간격, 특히 50 cm^-1 ~ 2000 cm^- ¹ 의 작은 △E 간격을 가지는 다핵 금속 또는 전이 금속 착물의 사용에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 특히 OSC 에 있어서 이러한 종류의 다핵 금속 착물의 강한 흡수의 사용에 관한 것이다.

Description

광전자 콤포넌트에 사용하기 위한 착물{COMPLEXES FOR USE IN OPTOELECTRONIC COMPONENTS}

본 발명은 단일항-삼중항 에너지 간격이 작고 소위 삼중항 수확 효과를 나타내는 것이 특징인 이핵 및 다핵 금속 착물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이들 착물의 광전자 콤포넌트에서의 용도에 관한 것이다.

전계발광 화합물은 유기 발광 다이오드 (OLED) 의 코어이다. 이들 화합물은 일반적으로 진공 승화 또는 습식 화학 방법에 의해 형성된다. 습식 화학 방법에서, 그 화합물은 일반적으로 중합성 재료에 포함되거나 또는 화학적으로 결합되며, 그 화합물은, 반대로 하전된 전하 캐리어들이 충돌하는 경우 그 과잉 에너지를 각각의 전계발광 화합물로 전달하는 엑시톤이 형성된다는 것을 전제로 하여, 일반적으로 적합한 전하 캐리어 (전자 또는 정공) 가 발생되어 내부에서 수송될 수 있다는 본질이 있다. 이 전계발광 화합물은 이후 특정 전자 여기 상태로 전환될 수 있고, 이후 가능한 한 완전히 그리고 비방사 비활성 프로세스를 실제적으로 회피하면서 광 방출에 의해 관련 기저 상태로 전환된다.

에너지 전달에 의해 적합한 전구체 엑시톤으로부터 또한 형성될 수 있는 적합한 전자 여기 상태는, 몇 가지 예외 이외에, 단일항 상태 또는 삼중항 상태이다. 이 2 가지 상태가, 스핀 통계에 의해, 일반적으로 비율 1:3 으로 점유되기 때문에, 형광으로 알려져 있는, 단일항 상태로부터의 방출시 발생되는 엑시톤의 최대 25% 만이 다시 방출을 발생시킨다. 반대로, 인광으로 알려져 있는, 삼중항 방출의 경우 모든 엑시톤이 광으로서 이용, 전환 및 방출될 수 있으며 (삼중항 수확), 이것은, 동시에 여기되고 에너지적으로 삼중항 상태 위에 있는 단일항 상태가, 삼중항 상태로 완전히 이완되고 (계간 교차 (intersystem crossing)) 그리고 비방사 경쟁 프로세스가 여전히 중요하지 않은 경우, 내부 양자 수율이 100% 의 값을 달성할 수 있음을 의미한다. 즉, 삼중항 방출체는 일반적으로 보다 효율적인 일렉트로루미노포 (electroluminophore) 이고, 유기 발광 다이오드에서 높은 광 수율을 제공하기에 보다 적합하다.

하지만, OLED 에서 최근까지 알려져 있는 인광 삼중항 방출체는, 마이크로초의 영역에 있는 방출 수명이 상대적으로 길다는 단점을 가진다. 이것은 단점, 즉, 점유에 기인해 전류 밀도를 증가시킴에 따라 다수의 또는 모든 방출체 분자가 포화 효과를 나타낸다는 단점을 야기시킨다. 결과적으로, 추가 전하 캐리어 전류는 여기 및 방출 상태의 점유를 더 이상 발생시킬 수 없다. 그러면, 단지 원하지 않는 오믹 손실만이 발생한다. 그 결과, OLED 디바이스의 효율성에서의 상당한 드롭 (소위 "롤 오프" 거동) 이 전류 밀도를 증가시킴에 따라 발생한다. 유사한 바람직하지 않은 방식으로, 삼중항-삼중항 소멸 (annihilation) 및 자기-퀀칭 (self-quenching) 의 효과가 발생한다 (이것과 관련하여 참조 문헌 [1] 참조). 방출체 분자의 방출 수명에서의 상당한 감소가 효율성을 감소시키는 이들 프로세스를 크게 약화시킬 수 있다.

놀랍게도, 방출 수명을 급격히 단축시키지만, 그럼에도 불구하고 삼중항 수확에 의해 용이하게 되는 높은 효율성이 충분히 달성될 수 있는, 효과를 이용하는 것이 가능하다. 이것은 "단일항 수확" 프로세스이며, 처음으로 여기서 제안된다. 이것은 도 1에 설명되어 있다. T₁ 상태는 삼중항 수확의 이미 알려져 있는 효과에 의해 점유되고 [2], 보통 T₁ → S₀ 인광이 발생하지만, 바람직하지 않게 방출 수명이 길다. 흥미롭게도, 본 발명에 따라 사용하기 위해 제안된 착물 화합물은 단일항 S₁ 및 삼중항 T₁ 사이의 에너지 간격 △E 가 매우 작다. 이 경우, 초기 매우 효율적인 점유 T₁ 상태에서 S₁ 상태로의, 매우 효율적인 열적 재점유 (thermal re-occupation) 는 실온에서 일어날 수 있다. 이 프로세스는 식 (1) 에 따라 볼츠만 분포에 의해 제어된다. 이때 강도비는

에 의해 주어지며, 여기서 k_B 는 볼츠만 상수를 나타내고 T 는 절대 온도를 나타낸다. k(S₁)/k(T₁) 은 삼중항 (T₁) 에서 전자 기저 상태 (S₀) 로의 전달 프로세스에 대한 단일항 (S₁) 에서 전자 기저 상태 (S₀) 로의 전달 프로세스의 레이트 비이다. 본 발명에 따라서 사용하기 위해 제안된 착물에 있어서, 이 비는 10³ 이상 정도이다.

기재된 열적 재점유 프로세스는 오래가지 못하는 S₁ 상태로부터 빠른 방출 채널을 오픈하고, 전체 수명은 상당히 감소된다. 이러한 감소가 보다 현저해질수록, 에너지 차 △E 는 보다 감소한다. 이것은 숫자로 표시한 예시를 참조하여 설명한다. 통상적인 에너지 차 △E = 500 cm^-1 에 대해서, 약 40의 강도비는 실온 애플리케이션 (T = 300 K) 동안 k_BT = 200 cm^-1 및 레이트 비 0.5×10³ cm^-1 에 의해 식 (1) 로부터 나온다. 이것은, 이러한 통상적인 예시에서, 단일항 방출이 삼중항 방출보다 40배 초과하여 강하다는 것을 의미한다. 즉, 단일항 수확 효과가 존재한다.

흥미롭게도, 본 발명에 따라서 채용되는 화합물은 매우 작은 에너지 차 △E 를 나타낸다. 단일항 수확 효과의 결과, 방출 수명은 크게 감소되고, 약 100 ns 또는 심지어 그 미만의 값이 획득된다. 상기 예시에서, 획득된 수명은 (단일항 수명이 2 ns 라고 가정하여) 단지 약 25 ns 이다.

본 발명에 의한 착물은 50 cm^-1 ~ 3000 cm^-1, 바람직하게는 50 cm^-1 ~ 2000 cm^-1, 특히 바람직하게는 50 cm^-1 ~ 1000 cm^-1, 매우 특히 바람직하게는 50 cm^-1 ~ 500 cm^- ¹ 의 △E 간격을 나타낸다.

OLED 디바이스는 종래 기술에 상응하는 프로세스에 의해 제조된다 ([1] 참조).

다른 중요한 목적은, 태양 에너지의 전기 에너지로의 효율적인 전환이다. 장치 구조의 많은 관련 요구사항이 OLED 의 구성과 유사하다. 즉, OLED 에서는, 애노드로부터 나오는 정공 및 캐소드로부터 나오는 전자가 금속 착물에서 재결합하고 광을 방출하는 것에 주의해야 한다. 반대로, 유기 태양 전지 (OSC) 또는 유기 광전지 (OPV) 에서는, 태양광에 의해 여기되는 금속 착물로부터 시작하여, 광의 재방출이 일어나지 않지만, 대신에 정공 및 전자가 형성되고 애노드 또는 캐소드로 이동하는 것이 확보되어야 한다. 복수의 "기본적인" 단계로 구성되는, 유기 태양 전지에서의 광전류의 발생을 이끄는 프로세스에서, 입사광의 광자는 흡수층의 염료 분자에 의해 처음 흡수된다. 염료 분자는 이로써 전기적으로 여기된다. 염료 분자는 기저 상태보다 여기 상태 (엑시톤) 에서 상이한 레독스 성질을 가지기 때문에, 전기적 전하 분리가 흡수층 내에서 발생하거나, 또는 흡수층의 HOMO/LUMO 준위에 대한 정공 도전체 및 전자 도전체 층의 적합하게 선택된 HOMO 및 LUMO 준위의 경우, 층 경계 중 하나에서 발생한다. 형성된 전자 및 정공은 각 전자 도전층 및 정공 도전층을 통해 전극 방향으로 이동하고, 전압이 전극에서 발생하게 한다. 이 기능 원리는 디바이스에서 사용되는 물질의 요구사항을 야기시킨다.

i) 근-IR 영역에까지 전체 가시 스펙트럼 영역에 대한 염료의 매우 높은 흡수

ii) 이 목적을 위해 제공된 층의 상대적으로 양호한 정공 또는 전자 도전성

iii) 흡수층에서의 양호한 엑시톤 수송

iv) 정공-전자 재결합을 방지하기 위해서, 흡수층에서 또는 경계층 중 하나에서의, 효과적이고 빠른 엑시톤 해리 및 전하 캐리어의 제거

효율적인 OSC 의 제조시 종래 기술에서 기재한 문제가 본질적으로 하기 두가지 이유로 발생한다.

i) 가시 스펙트럼 영역에서 근적외 스펙트럼 영역까지 높은 광 흡수를 가지는 재료의 부족 및

ii) 광흡수층의 내부로부터, 예를 들어 엑시톤의 분리가 발생하는 계면까지 엑시톤의 이동을 확보하는, 긴 엑시톤 확산 길이를 가지는 재료의 부족.

주어진 파장 λ에서의 재료의 광 흡수 세기는 람베르트-비어 법칙에 의해 주어진다.

식 중, I = 투과광의 강도, I_o = 입사광의 강도, c = 흡수 물질의 농도, d = 재료에서의 광 경로 길이, 및 ε(λ) = 몰 십진 흡수 계수이다.

입사광의 99% 가 흡수된다고 가정하고, 즉, I/I_o= 0.01 또는 -log(I/I_o) = 2 이라고 가정하고, 반사를 무시하고, 그리고 c = 5 mol/l (본 발명의 과제인 금속 착물의 통상적인 고체 농도) 및 d = 100 nm (OSC 에서 광흡수층의 두께) 의 값에 의해, 필수 몰 흡수 계수가 적어도 10⁴┃mol^-1cm^-1 내지 10⁵┃mol^-1cm^- ¹ 로 추산될 수 있다.

하지만, OSC 재료로 최근까지 사용된 전이 금속 착물의 ε(λ) 값은 통상적으로 단지 10³┃mol^-1cm^-1 내지 10⁴┃mol^-1cm^- ¹ 이다 (가시 영역에서의 흡수 밴드의 최대값에서 측정됨).

OSC 및 OPV 디바이스는 종래 기술에 상응하는 프로세스에 의해 제조된다 ([3] 참조).

따라서, 본 발명은 물질, 특히 OLED 의 방출체 물질 또는 OSC 의 흡수 염료를 제공하는 목적을 가지며, 이것으로 종래 기술의 단점을 극복할 수 있거나, 또는 이것으로 특히 짧은 방출 수명의 방출체를 가지는 OLED 및 높은 흡수를 가지는 OSC 가 제조될 수 있다.

이 목적은, 삼중항으로부터 열적 재점유에 의해 점유되는 최고 단일항 상태 및 최저 삼중항 상태 사이의 △E 간격이 작은, 단핵 또는 다핵 금속 착물, 특히, 전이 금속 착물을 포함하는 유기 전자 디바이스의 제공에 의해 달성된다. 작은 △E 간격은 여기서 50 cm^-1 ~ 3000 cm^-1, 바람직하게 50 cm^-1 ~ 2000 cm^-1, 특히 바람직하게 50 cm^-1 ~ 1000 cm^-1, 특히 50 cm^-1 ~ 500 cm^- ¹ 의 간격을 의미한다.

본 발명은 또한, 유기 전자 디바이스에 있어서, 삼중항으로부터 열적 재점유에 의해 점유되는 최고 단일항 상태 및 최저 삼중항 상태 사이의 △E 간격이 작은, 단핵 또는 다핵 금속 착물, 특히, 전이 금속 착물의 용도에 관한 것이다. 작은 △E 간격은 여기서 50 cm^-1 ~ 3000 cm^-1, 바람직하게 50 cm^-1 ~ 2000 cm^-1, 특히 바람직하게 50 cm^-1 ~ 1000 cm^-1, 특히 50 cm^-1 ~ 500 cm^- ¹ 의 간격을 의미한다.

주어진 착물에 있어서, 에너지 간격 △E 는 단순히 상기에서 나타낸 식 (1) 을 사용하여 결정될 수 있다. 재배열은 하기를 제공한다:

임의의 시판되는 분광광도계가 측정을 위해 사용될 수 있다. 다양한 온도에서 측정된 강도비 (의 로그)

의 그래픽 플롯은 절대 온도 T 의 역수에 대해서 일반적으로 직선을 제공한다. 측정은 실온에서 -78 ℃ 까지의 온도 범위에서 수행되며, 여기서 온도는 저온 유지 장치에 의해 설정된다. 강도는, Int(S₁→S₀) 및 Int(T₁→S₀) 각각이 통합된 형광 및 인광 밴드 강도를 나타내는, (보정된) 스펙트럼으로부터 결정되며, 이것은 분광광도계에 속하는 소프트웨어에 의해 결정될 수 있다. 삼중항 밴드가 단일항 밴드보다 낮은 에너지에 있고, 온도가 감소함에 따라 강도가 증가하기 때문에, 강도는 쉽게 정의될 수 있다. 측정은 무산소 희석 용액 (약 10^-5mol┃^-1) 에서 또는 상응하는 분자의 박막 (약 5nm 두께) 상에서 수행된다. 사용된 샘플이 용액이라면, 저온에서 유리를 형성하는 용매 또는 용매 혼합물, 예를 들어, 2-메틸-THF, THF 또는 지방족 탄화수소를 사용하는 것이 바람직하다. 사용된 샘플이 필름이라면, 상당히 높은 삼중항 에너지를 가지는 매트릭스, 예를 들어, PMMA 의 사용이 적합하다. 이 필름은 용액으로부터 형성될 수 있다. 직선의 기울기는 -△E/k_B 이다. k_B = 1.380 10^-23 JK^-1 = 0.695 cm^-1 K^-1 에 의해, 에너지 간격이 바로 결정될 수 있다.

유기 전자 디바이스는 여기서 유기 전계발광 디바이스 (OLED), 발광 전기화학 전지 (LEEC), OLED 센서, 특히 외부로부터 밀폐 차단 (hermetically screened) 되지 않는 가스 및 증기 센서, 유기 태양 전지 (OSC), 유기 광전지 (OPV), 유기 전계효과 트랜지스터 또는 유기 레이저로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하다.

유기 전계효과 트랜지스터들 또는 유기 레이저들로 이루어지는 그룹으로부터

본 발명에 따라서 채용되는 화합물은 단핵 또는 다핵 금속 착물이다. 다핵 착물의 사용이 바람직하다. 다핵 (바람직하게는 이핵 또는, 예를 들어, 삼핵) 금속 착물은 M-M 또는 M-M' 또는 M-M-M 또는 M-M'-M" 상호작용을 가진다 (M, M', M" 는 금속 이온 중심임). 그 결과, 상술된 원하는 특성을 가지는 전자 상태를 발생시키며, 즉 이들 착물은 작은 에너지 차 △E 를 가지고, 결과적으로 단일항 수확을 용이하게 하며 강한 흡수를 나타낸다. 흥미롭게도, 금속 사이의 전자 상호 작용은 또한 상대적으로 높은 HOMO (최고 점유 분자 오비탈 [1]) 및 상대적으로 낮은 LUMO (최저 비점유 분자 오비탈 [1]) 을 야기한다. 이것은, OLED 애플리케이션의 방출체 상에 바로 엑시톤을 형성하기에 특히 이롭고 [2], OSC 에서의 흡수체로서 바람직한 특성을 가진다.

이핵 및 다핵 전이 금속 착물

많은 이핵 및 다핵 전이 금속 착물은 작은 금속(M)-금속(M) 간격 및 상당한 M-M 상호작용으로 인해 본 발명의 필요조건을 충족시킨다. 이들 상호작용은, 단일항 수확 효과 및 높은 방출 양자 수율에 따라서, 강한 광방출 및 짧은 방출 수명을 발생시킬 수 있는 전자 상태를 야기한다. 또한, 이러한 종류의 화합물은 일반적으로 높은 흡수 계수를 가진다.

이러한 착물로, d⁸ 전자 구성 [Rh(I), Ir(I), Pd(II), Pt(II) 및 Au(III)] 및 d¹⁰ 전자 구성 [Au(I)] 을 가지는 금속이 특히 적합하다. d⁸ 금속 중심은 사각 평면상 배위로 바람직한 반면, Au(I) 원자는 대부분 직선 배위를 가진다. d⁸ 시스템에서, 결합은 제 2 전이 금속의 점유 d 오비탈에 의한 제 1 전이 금속의 점유 d 오비탈의 오버랩으로부터 발생하고, 동일하게 M-M 결합축을 따른 비점유 p 오비탈의 오버랩으로부터 발생한다. 다핵 전이 금속 착물에서의 이러한 종류의 금속-금속 결합은 보통 안정화되거나 또는 단지 특정 리간드 시스템에 의해 가능하게 된다. 이핵 착물에서는, 짧은 브릿지 기능을 가지는 두자리 리간드 시스템이 필수적으로 사용된다. 최근까지 사용된 종래의 방출체 착물과 달리, 여기서는 리간드가 낮은 전자 상태를 가지는 것이 불필요하다. 많은 경우, 특히 청색 방출의 발생의 경우, 리간드의 전자 상태가 매우 높아, 금속-금속 상호작용으로부터 야기되는 낮은 상태와 상호작용하지 않는 것이 심지어 유리할 수도 있다. 브릿지 리간드는 중성이거나 또는 1가 또는 2가 음으로 하전될 수 있다.

A. 리간드 L ₁ - L ₉

이 내용에서 리간드 L 은, 브릿지 작용을 가지지 않고, 따라서 이합체화에 대한 직접적인 영향을 주지 않는 리간드를 의미하는 것으로 의도된다. 리간드 L 은 구조-형성하지 않지만, 금속에 대한 전자 밀도를 증가 또는 감소시킴으로써 M-M 간격에 주요한 영향을 끼칠 수 있다. 이 리간드는 금속의 배위권의 포화 또는 전하 보상 때문에 중요하거나, 또는 양자 모두 때문에 중요하다. 따라서, 이들 리간드 L 은 중성 또는 음이온성일 수 있다. 또한, 리간드 L 은 한자리 또는 두자리일 수 있다. 리간드 L 은 아래에 L₁, L₂, L₃, L₄, L₅, L₆, L₇, L₈ 및 L₉ 로 나타낸다. 이들 리간드 L 은 낮은 전자 상태를 가질 필요가 없고, 그리고 청색 방출의 발생의 경우, 다자리, 브릿지 리간드와 같이, 낮은 전자 상태를 가져서는 안된다.

적합한 중성의, 한자리 리간드 L 은 일산화 탄소, 일산화 질소, 니트릴 (RCN), 이소니트릴 (RNC), 예컨대, 터트-부틸 이소니트릴, 시클로헥실 이소니트릴, 아다만틸 이소니트릴, 페닐 이소니트릴, 메시틸 이소니트릴, 2,6-디메틸페닐 이소니트릴, 2,6-디-이소-프로필페닐 이소니트릴, 2,6-디-터트-부틸페닐 이소니트릴, 에테르 (ROR'), 예컨대, 디메틸 에테르, 디에틸 에테르, 술피드 (RSR'), 셀레나이드 (RSeR'), 아민 (NR₃), 예컨대, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 모르폴린, 이민 (RN=CR'), 포스핀, 예컨대, 트리플루오로포스핀, 트리메틸포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 트리-터트-부틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리스(펜타플루오로페닐)포스핀, 포스파이트, 예컨대, 트리메틸 포스파이트, 트리에틸 포스파이트, 아르신, 예컨대, 트리플루오로아르신, 트리메틸아르신, 트리시클로헥실아르신, 트리-터트-부틸아르신, 트리페닐아르신, 트리스(펜타플루오로페닐)아르신, 스티빈, 예컨대, 트리플루오로스티빈, 트리메틸스티빈, 트리시클로헥실스티빈, 트리-터트-부틸스티빈, 트리페닐스티빈, 트리스(펜타플루오로페닐)스티빈, 및 함질소 헤테로환, 예컨대, 피리딘, 피리다진, 피라진, 피리미딘, 트리아진으로부터 선택된다. R 및 R' 는 여기서 각각 서로 독립적으로, 수소 또는 할로겐, 또는 산소 (-OR"), 질소 (-NR"₂) 또는 실리콘 (-SiR"₃) 을 통해 결합되는 치환기일 수 있으며, 여기서 R" 는 R 과 동일하며, 알킬, 아릴, 헤테로아릴 및 알케닐기, 또는 할로겐과 같은 치환기를 가지는 치환된 알킬, 아릴, 헤테로아릴 및 알케닐기, 저급 알킬기 및 또한 일반적으로 알려진 도너 및 어셉터 기이다. 기 R, R' 및 R" 는 또한 축합된 고리계를 형성할 수도 있다.

적합한 1가 음이온의, 한자리 리간드 L 은 수소화물, 중수소화물, 할로겐화물 F, Cl, Br 및 I, 아지드, 알킬아세틸라이드, 예컨대, 메틸-C≡C^-, 터트-부틸-C≡C^-, 아릴- 또는 헤테로아릴-아세틸라이드, 예컨대, 페닐-C≡C^-, 알킬, 예컨대, 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, s-부틸, t-부틸, 아릴, 예컨대, 페닐, 나프틸, 헤테로아릴, 예컨대, 피리딜, 히드록시드, 시아나이드, 시아네이트, 이소시아네이트, 티오시아네이트, 이소티오시아네이트, 지방족 또는 방향족 알코올레이트, 예컨대, 메탄올레이트, 에탄올레이트, 프로판올레이트, 이소프로판올레이트, 터트-부틸레이트, 페놀레이트, 지방족 또는 방향족 티오알코올레이트, 예컨대, 메탄티올레이트, 에탄티올레이트, 프로판티올레이트, 이소프로판티올레이트, 터트-부틸티올레이트, 티오페놀레이트, 아미드, 예컨대, 디메틸아미드, 디에틸아미드, 디이소프로필아미드, 모르폴리드, 카르복실레이트, 예컨대, 아세테이트, 트리플루오로아세테이트, 프로피오네이트, 벤조에이트, 음이온성, 함질소 헤테로환, 예컨대, 피롤리드, 이미다졸리드, 피라졸리드, 지방족 또는 방향족 포스피드 PR₂ ^- 또는 지방족 또는 방향족 셀레나이드 SeR^- 로부터 선택된다. 이들 기 중에서 알킬기는 바람직하게 C₁-C₂₀-알킬기, 특히 바람직하게 C₁-C₁₀-알킬기, 매우 특히 바람직하게 C₁-C₄-알킬기이다. 아릴기는 또한 헤테로아릴기를 의미하는 것으로 여겨진다. 이들 기는 상기에서 정의된 바와 같다.

적합한 2가 음이온 또는 3가 음이온 리간드 L₁ 은 O²-, S²-, 니트렌이고, 이는 형태 R-N=M 으로 배위를 형성하며, 여기서 R 은 일반적으로 치환기, 또는 N³ ^- 을 나타낸다.

적합한 중성의 또는 1가 음이온 또는 2가 음이온의 두자리 리간드는 디아민, 예컨대, 에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, 프로필렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸프로필렌디아민, cis- 또는 trans-디아미노시클로헥산, cis- 또는 trans-N,N,N',N'-테트라메틸디아미노시클로헥산, 이민, 예컨대, 2-[1-(페닐이미노)에틸]피리딘, 2-[1-(2-메틸페닐이미노)에틸]피리딘, 2-[1-(2,6-디-이소-프로필페닐이미노)에틸]피리딘, 2-[1-(메틸이미노)에틸]피리딘, 2-[1-(에틸이미노)에틸]피리딘, 2-[1-(이소-프로필이미노)에틸]피리딘, 2-[1-(터트-부틸이미노)에틸]피리딘, 디이민, 예컨대, 1,2-비스(메틸이미노)에탄, 1,2-비스(에틸이미노)에탄, 1,2-비스(이소-프로필이미노)에탄, 1,2-비스(터트-부틸이미노)에탄, 2,3-비스(메틸이미노)부탄, 2,3-비스(에틸이미노)부탄, 2,3-비스(이소-프로필이미노)부탄, 2,3-비스(터트-부틸이미노)부탄, 1,2-비스(페닐이미노)에탄, 1,2-비스(2-메틸페닐이미노)에탄, 1,2-비스(2,6-디-이소-프로필페닐이미노)에탄, 1,2-비스(2,6-디-터트-부틸페닐이미노)에탄, 2,3-비스(페닐이미노)부탄, 2,3-비스(2-메틸페닐이미노)부탄, 2,3-비스(2,6-디-이소-프로필페닐이미노)부탄, 2,3-비스(2,6-디-터트-부틸페닐이미노)부탄, 2개의 질소 원자를 함유하는 헤테로환, 예컨대, 2,2'-비피리딘, o-페난트롤린, 디포스핀, 예컨대, 비스(디페닐포스피노)메탄, 비스(디페닐포스피노)에탄, 비스(디페닐포스피노)프로판, 비스(디페닐포스피노)부탄, 비스(디메틸포스피노)메탄, 비스(디메틸포스피노)에탄, 비스(디메틸포스피노)프로판, 비스(디메틸포스피노)부탄, 비스(디에틸포스피노)메탄, 비스(디에틸포스피노)에탄, 비스(디에틸포스피노)프로판, 비스(디에틸포스피노)부탄, 비스(디-터트-부틸포스피노)메탄, 비스(디-터트-부틸포스피노)에탄, 비스(터트-부틸포스피노)프로판, 비스(터트-부틸포스피노)부탄, 1,3-디케톤으로부터 유도된 1,3-디케토네이트, 예컨대, 아세틸아세톤, 벤조일아세톤, 1,5-디페닐아세틸아세톤, 디벤조일메탄, 비스(1,1,1-트리플루오로아세틸)메탄, 3-케토에스테르로부터 유도된 3-케토네이트, 예컨대, 에틸 아세토아세테이트, 아미노카르복실산으로부터 유도된 카르복실레이트, 예컨대, 피리딘-2-카르복실산, 퀴놀린-2-카르복실산, 글리신, N,N-디메틸글리신, 알라닌, N,N-디메틸아미노알라닌, 살리실이민으로부터 유도된 살리실이미네이트, 예컨대, 메틸살리실이민, 에틸살리실이민, 페닐살리실이민, 디알코올로부터 유도된 디알코올레이트, 예컨대, 에틸렌 글리콜, 1,3-프로필렌 글리콜, 및 디티올로부터 유도된 디티올레이트, 예컨대, 1,2-에틸렌디티올, 1,3-프로필렌디티올로부터 선택된다.

금속과 함께, 적어도 하나의 금속-탄소 결합을 이용하여 환금속화된 5원 또는 6원 고리, 특히 환금속화된 5원 고리를 형성하는, 두자리 1가 음이온 리간드가 더욱 바람직하다. 특히, 이들은 유기 전계발광 디바이스의 인광 금속 착물의 분야에서 일반적으로 사용되는 리간드이며, 즉, 페닐피리딘, 나프틸피리딘, 페닐퀴놀린, 페닐이소퀴놀린 등의 종류의 리간드이며, 그 각각은 치환 또는 비치환될 수 있다. 이러한 리간드의 다수는 인광 전계발광 디바이스의 분야의 당업자에게 알려져 있으며, 당업자는 진보성 없이, 이핵 또는 다핵 금속 착물의 리간드 L 로서 이러한 종류의 추가 리간드를 선택할 수 있다. 하기 식에 의해 도시한 2개의 기의 조합이 일반적으로 이 목적에 특히 적합하다. 리간드 L 은, 이후 이들 기로부터, 각각의 경우, #로 나타낸 위치에서 이들 기를 서로 결합함으로써 형성될 수도 있다. 기가 금속에 배위하는 위치는 *로 나타낸다.

R 은 여기서 상술한 것과 동일한 의미를 가지며, X 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, CR 또는 N을 나타내며, 이는 각 기에서의 최대 3개의 심볼 X 가 N 을 나타내는 것을 전제로 한다. 각 기에서의 최대 2개의 심볼 X 가 N 을 나타내는 것이 바람직하고, 각 기에서의 최대 1개의 심볼 X 가 N 을 나타내는 것이 특히 바람직하며, 모든 심볼 X가 CR 을 나타내는 것이 매우 특히 바람직하다.

B. 다핵 금속 착물

B.1 브릿지 리간드

브릿지 리간드는 아래에서

로 나타내며, 여기서 "

" 는 브릿지이다. D 는 금속 원자에 결합되는 원자 또는 원자기이다. 2개의 도너기 D 는 동일하거나 또는 상이할 수 있다. 이것은 또한 형태

의 비대칭 리간드를 야기할 수도 있다. 음전하는 다양한 방식으로 도입될 수 있다: 결합하는 원자 또는 결합하는 원자기가 하전되거나, 또는 브릿지 "

" 가 하전된다. 하지만,

는 또한 중성일 수도 있다. 예를 들어, 브릿지를 허용하는 방식으로, 즉, 2개의 기 D 가 배향되는 방식으로 기 D 와 기능적으로 되었거나, 또는 동일한 방향으로 포인팅하는 방식으로 배향될 수 있는, 알킬 또는 아릴기가 이 목적에 적합하다. 즉, 브릿지는 도너기 D 의 자유 전자쌍의 매우 평행한 배향을 할 수 있게 해야 한다.

정확한 배향 바람직하지 않은 배향 부정확한 배향

중성, 브릿지 리간드:

여기서, 도너기 D 는 R₂N-, R₂P-, R₂As-, R₂N-, CN-, NC-, RO-, RS-, RSe-, RN= ("-" 또는 "=" 는 기 D 가 브릿지에 결합되는 것에 의한 결합 모드를 나타냄) 일 수 있다.

하기 리간드 시스템이 고려되고, 바람직하게는 짧은 브릿지 "

"를 갖는다: R₂E-CR₂-ER₂; R₂E-CR₂-CR₂-ER₂; R₂E-NR-ER₂; R₂E-O-ER₂ (여기서, E 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, N, P 또는 As 이고; R 은 여기서 상술된 의미를 가짐). 디니트릴 및 디이소니트릴

및

, 디알코올

, 디에테르

, 디티올

, 디티오에테르

, 디셀레나이드

및

또는 도너기 (

) 의 조합물이 마찬가지로 사용될 수 있다.

브릿지는, 예를 들어, 도너기 D와 기능적으로 된 방향족계 또는

= (CR₂)_n (n = 1-6) 이다. 바람직한 브릿지 길이는 여기서, 배위 원자가 P 또는 As 이면 n = 1 이고, 다른 배위 원자이면 n = 2 또는 3 이다.

의 일부 예:

여기서, E 는 상술한 의미를 가지며, R, R' 및 R" 는 임의의 원하는 치환기, 바람직하게는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴기를 나타낸다.

음이온성, 브릿지 리간드:

여기서, 하나 이상의 도너기 D 는 음으로 하전되거나, 또는 브릿지 "

" 는 전하를 운반한다. 빈번하게 사용된 음이온성 도너기는, ^-O-, ^-S-, ^-Se-, ^-NR-, ^-CH₂-, ^-CH=, ^-C≡C- 이다. 2개의 도너기 D 는 다시 동일 (

) 하거나 또는 상이 (

) 할 수 있다.

예:

B.2 금속 착물

금속 착물은 일반적인 형태 I-VIII 을 가진다.

M 및 M' 는 Rh(I), Ir(I), Pd(II), Pt(II) 또는 Au(III) 일 수 있다. 2개의 금속은 동일 (M = M') 하거나 또는 상이 (M ≠ M') 할 수 있다. 2개의 금속은 동일한 것이 바람직하다. 브릿지 리간드

가 동일할 수 있거나, 또는 2개 이상의 상이한 브릿지 리간드가 착물에 존재할 수 있다. 리간드 L₁ - L₆ 은 마찬가지로 서로 동일하거나 또는 상이할 수 있다. 금속 중심 및 리간드의 선택에 의존하여, 착물은 중성 또는 양 또는 음으로 하전될 수 있다 (n = -4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6). 전하 n = 0 을 가지는 착물이 바람직하다.

본 발명의 바람직한 실시형태에서, M = M' = Au(I) 인 착물은 배제된다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, M 및 M' 는 Au 와 동일하지 않다.

하기 M-M 결합이 본 발명에 의해서 가능하다.

Rh(I)-Rh(I) Ir(I)-Ir(I) Pd(II)-Pd(II) Pt(II)-Pt(II) Au(I)-Au(III)

Rh(I)-Ir(I) Ir(I)-Pd(II) Pd(II)-Pt(II) Pt(II)-Au(I) Au(I)-Au(I)

Rh(I)-Pd(II) Ir(I)-Pt(II) Pd(II)-Au(I) Pt(II)-Au(III)

Rh(I)-Pt(II) Ir(I)-Au(I) Pd(II)-Au(III)

Rh(I)-Au(I) Ir(I)-Au(III)

Rh(I)-Au(III)

해당하는, 이로운 광물성을 가지는 문헌에 기재된 일부 이핵 착물이 본 발명을 나타내는 것으로 의도된다 [4, 5].

상술한 착물은 본 발명의 다양한 실시형태의, 특히, 광전자 콤포넌트에서 상기 착물을 사용하는 경우의 구성 요소일 수 있다.

C. 3핵 금속 착물

C.1 리간드

금속 중심에 연결할 수 있는 세자리 리간드가, 일렬로 배열되도록 여기서 사용된다.

리간드

는, B.1 과 유사하게, 금속 원자에 결합되는 원자 또는 원자기를 나타내고, 2개의 브릿지 "

" 에 의해 연결되는, 3개의 도너기 D 를 운반한다. 역시, 결합하는 원자 또는 결합하는 원자기가 하전되거나, 브릿지(들) "

" 이 하전된다. 브릿지는 B.1 과 유사하게 정의된다. 리간드

에서, 브릿지 "

" 는 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 도너기 D 도 마찬가지로 동일하거나 또는 상이할 수 있다 (조합:

)

예:

C.2 착물

금속 착물은 일반적인 식 (IX) 내지 (XV) 를 가진다.

M, M' 및 M" 는 Rh(I), Ir(I), Pd(II), Pt(II) 또는 Au(III) 일 수 있다. 금속은 동일 (M = M' = M") 하거나 또는 상이 (M ≠ M' ≠ M"; M = M' ≠ M") 할 수 있다.

리간드 L₁ - L₉ 는 다시 A 아래에서와 같이 정의되고, 서로 동일하거나 또는 상이할 수 있다. 착물은 중성, 양이온성 또는 음이온성일 수 있다 (n = -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9). 전하 n = 0 을 가지는 착물이 바람직하다.

금속 착물은 유기 전계발광 디바이스의 방출체층에 채용되는 것이 바람직하며, 이 층에서의 착물의 농도는 바람직하게 0.1 내지 50 체적%, 특히 바람직하게 1 내지 30 체적%, 매우 특히 바람직하게 2 체적% 내지 20 체적% 이다.

또한, 금속 착물은 유기 태양 전지의 흡수체층에 채용되는 것이 바람직하며, 이 층에서의 착물의 비율은 바람직하게 30 내지 100 체적% 이다.

용어 "에너지적으로 높은 에너지 상태" 는, 특히 최저 삼중항 상태가 25,000 cm^-1 를 초과하는 리간드와 관련된다. 삼중항 상태의 에너지는 실험적으로 인광 스펙트럼의 방출 에지 (최고 에너지) 로부터 야기된다.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 도 1은 단일항 수확 효과를 나타낸다. 전계발광 프로세스에서, 단일항 상태 S₁ 은 단일항 경로를 통해 점유되고 (25%), 삼중항 상태 T₁ 은 삼중항 경로를 통해 점유된다 (75%). 계간 교차 (ISC) 의 매우 급속한 프로세스 이후, 단일항 여기가 또한 매우 빠르게 삼중항 상태 T₁로 이완되고, 즉, 모든 여기 에너지가 삼중항 상태 T₁ 로 모아진다 (삼중항 수확)[1]. 상태 T₁ 및 S₁ 사이의 작은 에너지 차를 갖는, 본 발명에 따라서 사용되는 금속 착물의 경우, 상태 S₁ 은k_BT 에 따라서 매우 효과적으로 열적으로 재점유된다 (열적 균형). 결과적으로, 방출의 쇠퇴 시간이 매우 짧게 된다.

인용 문헌

[1] H. Yersin, Editor, "Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials", Wiley-VCH, Weinheim 2008.

[2] H. Yersin, Top. Curr. Chem. 2004, 241, 1.

[3] K. Walzer, B. Maennig, M. Pfeiffer, K. Leo, Chem. Rev. 2007, 107, 1233.

[4] D. R. Striplin, G. A. Crosby, J. Phys. Chem. 1995, 7977.

[5] V. M. Miskowski et al., J. Am Chem. Soc. 1978, 100, 485.

하기 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세히 설명하며, 이에 한정되는 것을 원치 않는다. 당업자는 창의적이지 않더라도, 개시되어 있는 범위를 통해서 본 발명을 수행할 수 있으며, 이로써 본 발명에 의한 추가 유기 전계발광 디바이스를 제조할 수 있다.

실시예 :

단일항 수확 효과가 발생하는, 작은 단일항-삼중항 간격을 가지는 이핵 금속 착물의 예는 하기 착물이다.

실시예 1 : [Rh₂(브릿지)₄](BPh₄)₂ (여기서 브릿지 = 1,3-디이소시아노프로판)

참조: V. M. Miskowski, G. L. Nobinger, D. S. Kliger, G. S. Hammond, N. S. Lewis, K. R. Mann, H. B. Gray, J. Am. Chem. Soc. 1978, 100, 485.

실시예 2: [Rh(CO)(Cl)(dam)]₂ (여기서 dam = 비스(디페닐아르시노)메탄)

참조: M. I. S. Kenney, J. W. Kenney III, G. A. Crosby, Organometallics 1986, 5, 230.

실시예 3: [Rh₂(CO)(Cl)(dam)₂](BPh₄) (여기서 dam = 비스(디페닐아르시노)메탄)

참조: M. I. S. Kenney, J. W. Kenney III, G. A. Crosby, Inorg. Chem. 1986, 25, 1506.

실시예 4: [Rh₂(dimen)₄](PF₆)₂ (여기서 dimen = 1,8-디이소시아노메탄)

참조: V. M. Miskowski, S. F. Rice, H. B. Gray, R. F. Dallinger, S. J. Milder, M. G. Hill, C. L. Exstrom, K. R. Mann, Inorg. Chem. 1994, 33, 2799.

실시예 5: 유기 전계발광 디바이스의 제조 및 특성화

LED 는 아래에 설명된 일반적인 프로세스에 의해 제조된다. 일반적인 프로세스는, 물론, 각각의 경우 특정 상황에 따라 조정되어야 한다 (예를 들어 최적의 효율성 또는 색상을 달성하기 위해 층 두께를 변화시킴).

OLED 제조의 일반적인 프로세스:

이러한 콤포넌트의 제조는 중합성 발광 다이오드 (PLED) 의 제조에 기초하고, 이것은 이미 문헌 (예를 들어, WO 04/037887) 에 수회 기재되어 있다. 현재의 경우, 본 발명에 의한 화합물은 언급된 매트릭스 재료 또는 매트릭스-재료 조합물과 함께 톨루엔, 클로로벤젠에 용해된다. 이러한 용액의 통상적인 고체 함량은, 여기에서와 같이, 디바이스의 통상적인 층 두께 80 nm 가 스핀 코팅에 의해 달성된다면, 10 ~ 25 g/l 이다.

사용된 방출체 및 매트릭스 재료는 하기 화합물이다:

하기 구조를 가지는 OLED 는 상기에서 언급된 일반적인 프로세스와 유사하게 제조된다.

PEDOT 20 nm (물로부터 스핀-코팅됨; BAYER AG 로부터 구

매한 PEDOT; 폴리-[3,4-에틸렌디옥시-2,5-티오펜]

매트릭스 + 방출체 80 nm, 5 중량% 방출체 농도 (톨루엔 또는 클로로 벤젠으로부터 스핀-코팅됨)

Ba / Ag 캐소드로서 10 nm 의 Ba / 150 nm 의 Ag

구조화된 ITO 기재 및 소위 버퍼층의 재료 (PEDOT, 실제로 PEDOT:PSS) 는 시판된다 (Technoprint 및 기타로부터의 ITO, H.C. Starck 로부터의 Clevios Baytron P 의 수분산물로서의 PEDOT:PPS). 방출층은 불활성 가스 분위기, 현재의 경우에는 아르곤에서 스핀-코팅에 의해 형성되고, 120 ℃ 에서 10분 동안 가열에 의해 건조된다. 마지막으로, 바륨 및 실버를 포함하는 캐소드는 진공 증착에 의해 형성된다. 용액-처리된 디바이스는 표준 방법에 의해 특성화되며; 언급된 OLED 예는 아직도 최적화되지 않고 있다.

표 1은 500 cd/m² 에서의 효율성 및 전압 및 색상을 나타낸다.

Claims

최저 삼중항 상태 및 최고 단일항 상태 사이의 △E 간격이 50 cm^-1 ~ 3000 cm^-1 인 금속 착물을 포함하는, 유기 전자 디바이스.
제 1 항에 있어서,
상기 △E 간격은 50 cm^-1 ~ 2000 cm^-1, 바람직하게 50 cm^-1 ~ 1000 cm^-1, 특히 바람직하게 50 cm^-1 ~ 500 cm^- ¹ 인 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
유기 전계발광 디바이스들 (OLEDs), 발광 전기화학 전지들 (LEECs), OLED 센서들, 특히 외부로부터 밀폐 차단 (hermetically screened) 되지 않는 가스 및 증기 센서들, 유기 태양 전지들 (OSCs), 유기 전계효과 트랜지스터들 또는 유기 레이저들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는, 유기 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 착물들은 단핵 또는 다핵 금속 착물들, 바람직하게 다핵 착물들인 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 착물들에, d⁸ 전자 구성, 특히 Rh(I), Ir(I), Pd(II), Pt(II) 및 Au(III), 및 d¹⁰ 전자 구성, 특히 Au(I) 를 가지는 금속들이 사용되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 착물들은 일반 형태 I-XV 를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스:

여기서,
M, M' 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, Rh(I), Ir(I), Pd(II), Pt(II) 또는 Au(III) 이고;
D∩D 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 도너 원자들 D 를 함유하는 두자리 리간드이며;
D∩D∩D 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 도너 원자들 D 를 함유하는 세자리 리간드이고;
L₁ - L₉ 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 한자리 리간드이며;
n 은 착물의 전하이고, -4, -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6 이며, 바람직하게 0 임.
제 6 항에 있어서,
상기 I 내지 VIII 의 구조에서의 M-M' 는 하기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
Rh(I)-Rh(I) Ir(I)-Ir(I) Pd(II)-Pd(II) Pt(II)-Pt(II) Au(I)-Au(III)
Rh(I)-Ir(I) Ir(I)-Pd(II) Pd(II)-Pt(II) Pt(II)-Au(I) Au(I)-Au(I)
Rh(I)-Pd(II) Ir(I)-Pt(II) Pd(II)-Au(I) Pt(II)-Au(III)
Rh(I)-Pt(II) Ir(I)-Au(I) Pd(II)-Au(III)
Rh(I)-Au(I) Ir(I)-Au(III)
Rh(I)-Au(III)
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
브릿지되지 않는 상기 금속 착물들의 리간드, 특히 리간드들 L₁ 내지 L₉ 는, 일산화 탄소, 일산화 질소, 니트릴, 이소니트릴, 에테르, 술피드, 셀레나이드, 아민, 이민, 포스핀, 포스파이트, 아르신, 스티빈, 함질소 헤테로환, 수소화물, 중수소화물, F, Cl, Br, I, 아지드, 알킬아세틸라이드, 아릴- 또는 헤테로아릴-아세틸라이드, 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 히드록시드, 시아나이드, 시아네이트, 이소시아네이트, 티오시아네이트, 이소티오시아네이트, 지방족 또는 방향족 알코올레이트, 지방족 또는 방향족 티오알코올레이트, 아미드, 카르복실레이트, 음이온성, 함질소 헤테로환, 지방족 또는 방향족 포스피드 PR₂ ^-, 지방족 또는 방향족 셀레나이드 SeR^-, O² ^-, S² ^-, 니트렌, 디아민, 디이민, 2개의 질소 원자를 함유하는 헤테로환, 디포스핀, 1,3-디케톤으로부터 유도된 1,3-디케토네이트, 3-케토에스테르로부터 유도된 3-케토네이트, 아미노카르복실산으로부터 유도된 카르복실레이트, 살리실이민으로부터 유도된 살리실이미네이트, 디알코올레이트, 디티올로부터 유도된 디티올레이트, 및 금속과 함께 적어도 하나의 금속-탄소 결합을 가지는 환금속화된 5원 또는 6원 고리를 형성하는 리간드들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
도너 기들 (dornor group) D 는 R₂N-, R₂P-, R₂As-, R₂N-, CN-, NC-, RO-, RS-, RSe-, RN=, ^-O- , ^-S-, ^-Se-, ^-NR-, ^-CH₂-, ^-CH= 또는 ^-C≡C- 로부터 선택되며,
여기서 "-" 또는 "=" 는 상기 도너기 D로부터 브릿지로의 결합을 나타내고, R 은 치환기인 것을 특징으로 하는 유지 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
리간드 D∩D는, R₂E-CR₂-ER₂; R₂E-CR₂-CR₂-ER₂; R₂E-NR-ER₂; R₂E-O-ER₂ 로 이루어지는 그룹으로부터 선택되며,
여기서 E 는 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, N, P 또는 As, 디니트릴
, 디이소니트릴
, 디알코올
, 디에테르
, 디티올
, 디티오에테르
, 디셀레나이드
,
또는 도너기의 조합물이고, 브릿지 ∩는 바람직하게 (CR₂)_n (n = 1-6) 또는 방향족계를 나타내고, 그리고 R 은 치환기를 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 착물은 방출체층에 채용되며, 상기 방출체층에서의 상기 금속 착물의 비율은 바람직하게 0.1 ~ 50 중량% 인 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 착물은 흡수체층에 채용되며, 상기 금속 착물의 비율은 바람직하게 30 내지 100 중량% 인 것을 특징으로 하는 유기 전자 디바이스.
유기 전자 디바이스에 있어서, 최저 삼중항 상태 및 최고 단일항 상태 사이의 △E 간격이 50 cm^-1 내지 3000 cm^- ¹ 인, 금속 착물의 용도.
제 6 항에 기재된 식 I 내지 XV 중 하나에 의한 착물을 제공하는 단계를 포함하는, 소정 파장의 광을 발생시키는 방법.
제 6 항에 기재된 식 I 내지 V 중 하나에 의한 금속 착물을 이용하여 청색 방출을 발생시키는 방법으로서,
상기 금속 중심들 M 및 M' 은 동일하거나 또는 상이하게 Pt 또는 Pd 를 나타내는, 청색 방출을 발생시키는 방법.