KR20110084470A

KR20110084470A - 유기 전계발광 디바이스

Info

Publication number: KR20110084470A
Application number: KR1020107028398A
Authority: KR
Inventors: 하르트무트 예르진; 우베 몬코비우스; 토비아스 피셔
Original assignee: 메르크 파텐트 게엠베하
Priority date: 2008-10-24
Filing date: 2009-09-25
Publication date: 2011-07-25
Also published as: DE102008053121A1; EP2340577A1; EP2340577B1; US20110275818A1; CN102077383A; JP5746037B2; US9543531B2; TW201030127A; CN102077383B; KR101761918B1; WO2010046016A1; JP2012506627A

Abstract

본 발명은 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스에서의 이중 착물염의 사용, 및 하전된 금속 착물로 형성된 올리고머에 관한 것이다.

Description

유기 전계발광 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}

본 발명은 광전자 콤포넌트에서의 이중 착물염 (double complex salt) 에 관한 것으로, 특히 OLED 에서 사용하기 위한 하전된 금속 착물로부터 형성된 올리고머에 관한 것이다.

현재, 디스플레이 스크린 및 조명 테크놀로지 분야에서의 급격한 변화가 자명하다. 두께 0.5 mm 미만의 평면 디스플레이 또는 조명 영역을 제조하는 것이 가능할 것이다. 이들은 많은 흥미로운 특성에 의해 구별된다. 즉, 예를 들어, 매우 낮은 에너지 소비를 가지는 월페이퍼 (wallpaper) 로서의 조명 영역을 개발하는 것이 가능하다. 하지만, 특히 흥미로운 것은, 경량 및 매우 낮은 전력 소비를 가지고, 지금까지 달성할 수 없었던 컬러 정확도, 휘도 및 시야각 의존성을 가지는 컬러 디스플레이 스크린을 제조하는 것이 가능하다는 것이다. 단단하거나 유연성 있는 형태로 수 m² 의 영역을 가지는 대형 디스플레이 스크린 또는 마이크로디스플레이로서의, 또한 투과형 또는 반사형 디스플레이로서의, 디스플레이 스크린을 설계하는 것이 가능하다. 또한, 간단하고 비용이 절감되는 제조 프로세스, 예컨대, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 진공 승화를 채용하는 것이 가능하다. 이것은 종래의 평면 디스플레이 스크린에 비해서 그다지 비싸지 않은 제조를 용이하게 한다. 이러한 신규한 테크놀로지는 OLED (Organic Light Emitting Device) 의 원리에 기초한다.

이러한 종류의 콤포넌트는, 도 1에서 도식적으로 그리고 간단한 방식으로 나타낸 바와 같이, 주로 유기층으로 이루어진다. 예를 들어, 5 내지 10 V 의 전압에서, 음전자가 도전성 금속층, 예를 들어, 알루미늄 캐소드로부터 박형의 전자 도전층으로 빠져나가고, 포지티브 애노드의 방향으로 이동한다. 포지티브 애노드는, 예를 들어, 투명하나 전기적으로 도전성이 있는 얇은 인듐 주석 산화물 (ITO) 층으로 이루어지며, 포지티브 애노드로부터 양전하 캐리어, 소위 정공이, 유기 정공 도전층으로 이동한다. 이들 정공은 전자와 비교하여 반대 방향으로 이동하고, 보다 구체적으로 네가티브 캐소드 측으로 이동한다. 중심층인, 방출체층은 마찬가지로 유기 또는 유기금속 재료로 이루어지며, 또한 특별한 방출체 분자를 함유하고, 방출체 층에서 또는 방출체 부근에서 2개의 전하 캐리어가 재결합하여 방출체 분자의 상태가 에너지적으로 여기된다. 이후 여기 상태는 광 방출로서, 예를 들어, 청색, 녹색 또는 적색으로 그 에너지를 방출한다. 또한, 방출체 분자가 정공 도전층 또는 전자 도전층에 배치되는 경우, 방출체층을 생략하는 것도 가능할 수 있다.

OLED 콤포넌트는 조명 엘리먼트로서의 대면적 설계 또는 디스플레이의 화소로서의 매우 작은 설계를 가질 수 있다. 매우 효율적인 OLED 의 구성의 주요 인자는 사용되는 발광 재료 (방출체 분자) 이다. 이들은, 순수 유기 또는 유기금속 분자 및 착물 화합물을 사용하여, 다양한 방식으로 달성될 수 있다. OLED 의 광 수율은, 순수 유기 재료보다 유기금속 물질, 소위 삼중항 방출체에 의해 상당히 더 우수할 수 있다. 이러한 특성으로 인해, 유기금속 재료의 추가 개발이 필수적으로 중요하다. OLED 의 기능은 이미 매우 빈번하게 기재되어 왔다 (C. Adachi, M.A. Baldo, S. R. Forrest, S. Lamansky, M.E. Thompson, R. C. Kwong, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1622; X. Yang, D.C. Muller, D. Neher, K. Meerholz, Adv. Mater. 2006, 18, 948; J. Shinar (Ed.), Organic light-emitting devices - A survey, AIP Press, Springer, New York, 2004; H. Yersin, Top. Curr. Chem. 2004, 241, 1; H. Yersin (Ed.), Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials, Wiley-VCH, Weinheim 2008; Z. H. Kafafi, Organic Electroluminescence, Taylor & Francis, Boca Raton, 2005). 디바이스의 특히 높은 효율성은 (최저 삼중항 상태로부터 단일항 기저 상태로) 높은 방출 양자 수율을 가지는 유기금속 착물 ("유기전이금속" 착물을 "유기금속" 착물로 빈번히 약칭함) 를 사용하여 달성될 수 있다. 이들 재료를 삼중항 방출체 또는 인광 방출체라 빈번하게 칭한다. 이러한 발견은 여러번 알려져 왔다 (C. Adachi, M.A. Baldo, S. R. Forrest, S. Lamansky, M.E. Thompson, R. C. Kwong, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1622; X. Yang, D.C. Muller, D. Neher, K. Meerholz, Adv. Mater. 2006, 18, 948; J. Shinar (Ed.), Organic light-emitting devices - A survey, AIP Press, Springer, New York, 2004; H. Yersin, Top. Curr. Chem. 2004, 241, 1 ; H. Yersin (Ed.), Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials, Wiley-VCH, Weinheim 2008). 삼중항 방출체에 대해서 많은 보호 권리가 이미 적용되고 있거나 또는 승인되어 있으며, 예를 들어 다음을 참조한다: M. E. Thompson, P. I. Djurovich, J. Li (University of Southern California, Los Angeles, CA), WO 2004/017043 A2, 2004; M. E. Thompson, P. I. Djurovich, R. Kwong (University of Southern California, Los Angeles, CA, Universal Display Corp, Ewing, NY), WO 2004/016711 A1, 2004; A. Tsuboyama, S. Okada, T. Takiguchi, K. Ueno, S. Igawa, J. Kamatani, M. Furugori, H. Iwawaki (Canon KK, Tokyo), WO 03/095587 A1, 2003; C.-M. Che, US 2003/0205707 A1, 2003; C.-M. Che, W. Lu, M. C.-W. Chan, US 2002/0179885 AI1 2002; J. Kamatani, S. Okada, A. Tsuboyama, T. Takiguchi, S. Igawa, US 2003/186080 A1, 2003; P. Stoßel, I. Bach, A. Busing (Covion Organic Semiconductors GmbH), DE 10350606 A1, 2005; M. Bold, C. Lennartz, M. Egen, H.-W. Schmidt, M. Thelakkat, M. Bate, C. Neuber, W. Kowalsky, C. Schildknecht (BASF AG), DE 10338550 A1, 2005; C Lennartz, A. Vogler, V. Pawlowski (BASF AG), DE 10358665 A1, 2005; B. Hsieh, T. P. S. Thoms, J. P. Chen (Canon KK, Tokyo), US 2006/989273 B2, 2006; N. Schulte, S. Heun, I. Bach, P. Stoessel, K. Treacher (Covion Organic Semiconductor), WO 2006/003000 A1, 2006; A. Vogler, V. Pawlowski, H.-W. Schmidt, M. Thelakkat (BASF AG), WO 2006/032449 A1, 2006; T. K. Hatwar, J. P. Spindler, R. H. Young (Eastman Kodak Co), WO 2006/028546 A1, 2006.

하지만, 최근까지 알려져있는 삼중항 방출체의 경우, 특히 OLED 디바이스의 방출체의 장기간 안정성의 분야에서, 열 안정성과 관련하여, 수분 및 산소에 대한 화학적 안정성과 관련하여, 화학적 가변성과 관련하여, 적합한 색순도에서의 중요 방출 색상의 이용가능성과 관련하여, 제조 재현성과 관련하여, 정공 또는 전자 포획을 위해 중요한 HOMO 및 LUMO 에 대한 적합한 에너지와 관련하여, 높은 전류 밀도에서의 높은 효율성의 달성가능성과 관련하여, 및/또는 매우 높은 발광 밀도의 달성가능성과 관련하여, 개선의 필요성이 여전히 있다.

따라서, OLED 에 적용하기 위한 본 발명은 적어도 하나의 양으로 하전된 금속 착물 및 적어도 하나의 음으로 하전된 금속 착물을 포함하는 올리고머에 관한 것으로, 금속 착물은,

식 (I):

K₁ = [L1L2L3L4M1]ⁿ⁺ 및

식 (II):

K₂ = [L5L6L7L8M2]^n-

이며,

여기서 M1 및 M2 는 각각 독립적으로, Ir(I), Rh(I), Pt(II), Pd(II) 및 Au(III) 로부터 선택된 금속 중심을 나타내고, L1, L2, L3 및 L4, 또한 L5, L6, L7 및 L8 은 각각, 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 중성 또는 하전된 리간드를 나타내며, 리간드 L1, L2, L3 및 L4, 그리고 L5, L6, L7 및 L8 중 2개 이상은 또한 서로 연결될 수 있고, n = 1 또는 2 이다. 리간드 L1 내지 L8 은, 여기서 각각의 경우, 나타내지고 그리고 필수적인, 착물의 전체 전하 (n+ 또는 n-) 가 유지되도록 선택되어야 한다.

또한, 여기서 올리고머가 1개 초과의 양으로 하전된 착물, 예를 들어, 적어도 2개의 상이한 양으로 하전된 착물 및 1개 초과의 음으로 하전된 착물, 예를 들어, 적어도 2개의 상이한 음으로 하전된 착물을 포함하는 것도 가능하다.

상술한 올리고머는 전자 디바이스에 채용된다. 전자 디바이스는 여기서, 적어도 하나의 유기 또는 유기금속 화합물, 또는 유기 리간드를 함유하는 적어도 하나의 배위 화합물을 포함하는, 적어도 1층을 포함하는 디바이스를 의미하는 것으로 여겨진다. 하지만, 콤포넌트는 또한 무기 재료 또는, 전부 무기 재료로부터 빌드-업된 층을 포함할 수도 있다.

전자 디바이스는, 유기 전계발광 디바이스 (OLED), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 광검출기, 유기 광수용기, 유기 필드-퀀치 디바이스 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 플라스몬 방출 디바이스 (D. M. Koller et al., Nature Photonics 2008, 1-4) 로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하지만, 유기 전계발광 디바이스 (OLED) 가 바람직하고, 인광 OLED 가 특히 바람직하다.

유기 전계발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출층을 포함한다. 이들 층 이외에, 또한 추가층, 예를 들어, 각각의 경우 1층 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 블록킹층, 전자 수송층, 전자 주입층, 엑시톤 블록킹층, 전하 발생층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 엑시톤 블록킹 기능을 가지는 중간층이 2층의 방출층 사이에 마찬가지로 도입될 수 있다. 하지만, 이들 층의 각각이 반드시 존재해야 하는 것은 아님을 주목해야 한다. 유기 전계발광 디바이스는 여기서 1층의 방출층 또는 복수의 방출층을 포함할 수 있다. 복수의 방출층이 존재한다면, 이들은 바람직하게 총 380 nm ~ 750 nm 의 복수의 방출 최대를 가지고, 전체적으로 백색 방출을 발생시키며, 즉, 형광 또는 인광을 발할 수 있는 다양한 방출 화합물이 방출층에 사용된다. 3개의 층이 청색, 녹색 및 주황색 또는 적색 방출을 나타내는, 3층 시스템이 특히 바람직하다 (기본 구조에 대해서는, 예를 들어, WO 05/011013 을 참조).

이중 착물염으로 사용되는 모든 착물의 통상의 구조적 특징은, 중심 이온 M 이 사각 평면상 또는 대략 사각 평면상 4배위를 가지는 것에 있으며, 여기서 배위는 대칭 또는 비대칭일 수 있으며, 비대칭 배열이 바람직하다.

본 발명은, 강한 방출 (높은 방출 양자 수율) 이 사각 평면상의, 반대로 하전된 금속 착물 사이의 현저한 금속-금속 상호작용을 통해 단지 발생할 수 있는 물질 군의 사용에 관한 것이다. 즉, 방출을 발생시키는 전이는, 이 화합물 군에서, 올리고머의 개별 착물의 금속-금속 상호작용에 기초한다. 이것은 최근까지의 시스템과의 주요한 차이점을 나타내며, 여기서 광 방출은 고립된, 중성의 분자에 기초한다.

사각 평면상 또는 대략 사각 평면상 배위인 반대로 하전된 Pt(II) 착물, 및 d⁸ 전자 구성 (Pd(II), Ir(I), Rh(I) 및 제한된 정도의 Au(III)) 을 가지는 전이 금속의 제 2 및 제 3 기간으로부터의 구조적으로 관련된 착물은, 금속-금속 상호 작용의 형성 측으로의 경향을 나타내고, 삼량체, 사량체 등, 또는 올리고머 또는 컬럼상 구조를 일반적으로 형성한다 (용어 컬럼상 구조, 스택 배열, 올리고머 및 응집체는 여기서 동의로 사용됨). 이러한 종류의 화합물은, 고체로서, 강한 방출을 나타내며, 강한 방출은 단지 금속-금속 상호작용으로부터 야기되는 상태로부터 발생하는 것이 가능하다.

본 발명은, 상이하게 하전된 금속 착물, 즉, 외부로부터 밀폐 차단 (hermetically screened) 되는 광전자 콤포넌트에서의, 삼량체, 사량체 등, 또는 올리고머를 일반적으로 형성하는 이중 착물염의 사용에 기초한다. 케이싱의 투과율은 수증기에 대해서 바람직하게 < 10^-6 g*m^-2*d^- ¹ 이고 산소에 대해서 바람직하게 < 10^-6 cm³*m^-2*d^-1*bar^- ¹ 이며, 그 결과 환경과의 가스 교환이 없다.

용어 올리고머는 일반적으로 적어도 3개, 바람직하게 적어도 4개, 보다 바람직하게 적어도 5개, 특히 적어도 10개 및 특히 100개 까지, 바람직하게 50개 까지의 단위를 포함한다. 본 발명의 목적을 위해서, 식 (I) 의 적어도 하나의 금속 착물 및 식 (II) 의 적어도 하나의 금속 착물을 포함하는 모든 화합물이 올리고머로 간주된다.

본 발명에 따라서 채용되는 올리고머는 하기 식 (I) 및 식 (II) 의 금속 착물로부터 형성된다.

식 (I):

K₁ = [L1L2L3L4M1]ⁿ⁺ 및

식 (II):

K₂ = [L5L6L7L8M2]^n-

(n = 1, 2)

금속 착물의 금속 중심 M1 및 M2 는 독립적으로, Ir(I), Rh(I), Pt(II), Pd(II) 또는 Au(III), 바람직하게 Pt(II) 및 Pd(II) 로부터 선택된다.

본 발명에 따라서, M1 = M2 또는 M1 ≠ M2 가 가능하다. 임의의 원하는 조합물이 또한 가능하며, 여기서 개별 착물 단위의 전하는 합산되어 총 제로이어야 한다. 적어도 2개의 상이한 금속 착물을 포함하는 올리고머, 즉, 특히 M1 ≠ M2 인 올리고머가 바람직하다.

L1, L2, L3 및 L4, 그리고 L5, L6, L7 및 L8 은 각각 독립적으로 중성 또는 하전된 리간드, 특히 한자리 또는 다자리 리간드를 나타낸다. 하기 설명에서, NL 은 중성의 한자리 리간드를 나타내고 AL 은 음이온성의 다자리 리간드를 나타낸다 (리간드의 보다 상세한 정의에 대해서는, 아래를 참조). 설명을 위해서, 일반식 [L1L2L3L4M1]ⁿ⁺ 에서의 리간드 L1, L2, L3 및 L4 는, 다른 일반식 [L1L2L3L4M1]ⁿ⁺ 에서 마찬가지로 L1 내지 L4 로 나타낸 리간드와 반드시 동일한 것은 아님에 유의해야 한다. 본 발명에 따라서, 방출을 이끄는 상태는 필수적으로 M-M 상호 작용을 발생시키기 때문에, 리간드 자체는 크로모포릭 (chromophoric) π 계를 함유할 필요가 없다.

이하, 본 발명에 따라서 채용되는 올리고머의 바람직한 구조를 보다 상세히 설명한다.

1가 양으로 및 1가 음으로 하전된 사각-평면상 착물로부터 빌드 - 업된 컬럼상 구조:

-K₁-K₂-K₁-K₂-K₁-K₂-K₁-

K₁: 사각-평면상, 1가 양으로 하전된 착물

K₂: 사각-평면상, 1가 음으로 하전된 착물

K₁ = [L1L2L3L4M1(I)]⁺

[L1'L2'L3'L4'M1(II)]⁺

(두번째 식에서의 리간드는 프라임 (') 으로 표시되고, 전하 보상을 달성하기 위해서 프라임없는 리간드 이외의 리간드일 수 있고/리간드이어야 한다.)

K₂ = [L5L6L7L8M2(I)]^-

[L5'L6'L7'L8'M2(II)]^-

여기서 M1(I) / M2(I) = Ir(I), Rh(I)

M1 (II) / M2(II) = Pt(II), Pd(II)

이하, 일반식 및 예들을 참조하여 착물 및 리간드 (L1, L2, L3, L4, L5, L6, L7 및 L8, 그리고 L1', L2', L3', L4', L5', L6', L7' 및 L8') 의 구조를 설명한다.

이중 착물염의 예에 있어서, K₁ = [L1L2L3L4Pt(II)]⁺

K₂ = [L5L6L7L8Pt(II)]^-

콤포넌트 K₁ = [L1L2L3L4Pt(II)]⁺ 의 예:

디이민 및 카르벤 리간드에서 있어서, 라디칼 R1 내지 R20, NL1 내지 NL4 및 AL1 내지 AL4 는 "리간드 및 라디칼의 정의" 섹션에서 정의된다.

콤포넌트 K₂ = [L5L6L7L8Pt(II)]^- 의 예:

일반식:

이들 식은 아래에서 보다 상세하게 정의된다 (섹션 참조: 리간드 및 라디칼의 정의).

이중 착물염의 예에 있어서, K₁ = [L1L2L3L4Pd(II)]⁺

K₂ = [L5L6L7L8Pd(II)]^-

콤포넌트 K₁ = [L1L2L3L4Pd(II)]⁺ 의 예:

디이민 및 카르벤 리간드에서 있어서, 라디칼 R1 내지 R20, NL1 내지 NL4 및 AL1 내지 AL4 는 여기서 정의된 것과 같다 (섹션 참조: 리간드 및 라디칼의 정의).

콤포넌트 K₂ = [L5L6L7L8Pd(II)]^- 의 예:

일반식:

이 식은 아래에서 보다 상세하게 정의된다 (섹션 참조: 리간드 및 라디칼의 정의).

여기서 나타낸 K₁ = [L1L2L3L4Pd(II)]⁺ 및 K₂ = [L5L6L7L8Pd(II)]^- 의 예 이외에, 상기에서 나타낸 1가 양으로 또는 1가 음으로 하전된 Pt 착물 모두가 또한 사용될 수 있으나, Pt 가 Pd 로 대체되어야 한다.

이중 착물염의 예에 있어서, K₁ = [L1L2L3L4Ir(I)]⁺

K₂ = [L5L6L7L8Ir(I)]^-

콤포넌트 K₁ = [L1L2L3L4Ir(I)]⁺ 의 예:

일반식:

콤포넌트 K₂ = [L5L6L7L8Ir(I)]^- 의 예:

이중 착물염의 예에 있어서, K₁ = [L1L2L3L4Rh(I)]⁺

K₂ = [L5L6L7L8Rh(I)]^-

콤포넌트 K₁ = [L1L2L3L4Rh(I)]⁺ 의 예:

일반식:

콤포넌트 K₂ = [L5L6L7L8Rh(I)]^- 의 예:

2가 양으로 또는 2가 음으로 하전된 사각-평면상 착물로부터 빌드-업된 컬럼상 구조:

-K₁-K₂-K₁-K₂-K₁-K₂-K₁-

K₁: 사각-평면상, 2가 양으로 하전된 착물

K₂: 사각-평면상, 2가 음으로 하전된 착물

K₁ = [L1L2L3L4M1(II)]²⁺

K₂ = [L5L6L7L8M2(II)]^2-

여기서 M1(II), M2(II) = Pt(II), Pd(II)

이중 착물염의 예에 있어서, K₁ = [L1L2L3L4Pt(II)]²⁺

K₂ = [L5L6L7L8Pt(II)]^2-

콤포넌트 K₁ = [L1L2L3L4Pt(II)]²⁺ 의 예:

사용될 수 있는 양이온성 착물은, 예를 들어, 상술된 착물과 같은

-디이민 착물, 카르벤 착물 및 핀서 착물, 및 일반적으로 중성 리간드 NL1 - NL4를 가진 사각-평면상 백금 착물이다.

일반식 (고리 C 및 D 는 A 및 B와 유사하게 정의된다 (아래 참조))

디이민 및 카르벤 리간드에서, 라디칼 R1 내지 R20, NL1 내지 NL4 및 AL1 내지 AL4 는 여기서 정의된 것과 같다 (섹션 참조: 리간드 및 라디칼의 정의)

일반식:

카르벤 리간드에서, 라디칼 R1 내지 R20, NL1 내지 NL4 및 AL1 내지 AL4 는 여기서 정의된 것과 같다 (섹션 참조: 리간드 및 라디칼의 정의)

콤포넌트 K₂ = [L5L6L7L8Pt(II)]^2- 의 예:

사용되는 착물 음이온은 바람직하게 [Pt(CN)₄]^2- 일 수 있다. 하지만, 예를 들어, M-M 상호작용을 용이하게 하는, [PtCl₄]^2-, [PtBr₄]^2-, [PtI₄]^2-, [Pt(C≡CR)₄]^2-, [Pt(ox)₂]^2-, [Pt(1,2-디티올레이트 리간드)₂]^2- 또는 [Pt(1,1-디티올레이트 리간드)₂]^2-와 같은 다른 착물 음이온도 또한 채용될 수 있다.

146-152 는 예로써 일반식 (144) 및 (145) 의 착물 음이온의 시리즈를 나타낸다.

이중 착물염의 예에 있어서, K₁ = [L1L2L3L4Pd(II)]²⁺

K₂ = [L5L6L7L8Pd(II)]^2-

콤포넌트 K₁ = [L1L2L3L4Pd(II)]²⁺ 의 예:

사용될 수 있는 2가 양으로 하전된 사각-평면상 Pd(II) 착물의 예는, K₁ = [L1L2L3L4Pt(II)]²⁺ 의 상술한 예이지만, Pt(II)가 Pd(II) 로 대체되어야 한다.

콤포넌트 K₂ = [L5L6L7L8Pd(II)]^2- 의 예:

사용될 수 있는 2가 음으로 하전된 사각-평면상 Pd(II) 착물의 예는, K₂ = [L5L6L7L8Pt(II)]^2- 의 상술한 예이지만, Pt(II)가 Pd(II) 로 대체되어야 한다.

이중 착물염은 각종 중심 금속과 함께 상이하게 하전된 착물로 이루어진다.

도핑된 컬럼상 구조

-K₁-K₂-K₁-K₂-D₁-K₂-K₁-K₂-K₁-

또는

-K₂-K₁-K₂-K₁-D₂-K₁-K₂-K₁-K₂-

하전된, 사각-평면상 Pd 착물 (K₁, K₂) 의 사슬에 저농도로 통합된, 하전된, 사각-평면상 Pt 착물 (D) 의 도핑이 또한 바람직하다. 이것은, Pt 화합물의 방출 범위가 쉬프트되게 할 수 있다. Pd 착물 스택은, 도핑된 Pt 착물과 상호작용하는 매트릭스처럼 작용한다. 이러한 원리로 인해, 방출 최대에서의 쉬프트가 발생한다. 여기서 도핑은, 1가 또는 2가로 하전된 착물 (K₁, K₂) 로부터 빌드-업된 컬럼상 구조에 대해 수행될 수 있다.

예:

a) K₁: 사각-평면상, 1가 양으로 하전된 Pd 착물

K₂: 사각-평면상, 1가 음으로 하전된 Pd 착물

D₁: 사각-평면상, 1가 양으로 하전된 Pt 착물

D₂: 사각-평면상, 1가 음으로 하전된 Pt 착물

b) K₁: 사각-평면상, 2가 양으로 하전된 Pd 착물

K₂: 사각-평면상, 2가 음으로 하전된 Pd 착물

D₁: 사각-평면상, 2가 양으로 하전된 Pt 착물

D₂: 사각-평면상, 2가 음으로 하전된 Pt 착물

하지만, 1가 또는 2가 하전된 Pd 착물을, 1가 또는 2가 하전된 Pt 착물로부터 빌드-업된 컬럼상 구조로 통합하는 것이 또한 가능하다. 이것은, 광 방출, 즉, 방출 파장을 책임지고 있는 올리고머의 크기가 가변되게 할 수 있다.

도핑의 컨셉은 또한 본 발명에 따라서 원소 Ir(I) 및 Rh(I) 의 하전된 착물로부터 빌드-업된 컬럼상 구조에 적용될 수 있다. 적절한 전하를 가진 각각의 사각-평면상 착물은 여기서 각각의 컬럼상 구조에 도핑될 수 있다.

도핑시 채용되는 착물은 올리고머 매트릭스-형성 착물에 기초하여, 최대 1:3, 바람직하게 최대 1:10, 바람직하게 최대 1:50, 및 특히 최대 1:100 의 몰비로 올리고머 매트릭스에 존재하는 것이 바람직하다. 도핑시 채용되는 착물은 올리고머 매트릭스-형성 착물에 기초하여, 최대 1:100000, 바람직하게 최대 1:10000, 보다 바람직하게 최대 1:1000 의 몰비로 올리고머 매트릭스에 존재하는 것이 바람직하다.

컬럼상 구조의 도핑에 대해 설명된 컨셉은, 주로 방출 색상을 제어하기 위해 사용될 수 있고, 이러한 이유 때문에 OLED 애플리케이션에 있어서 크게 중요하다. 이는 특히, 본 발명의 컨셉을 적용하여 청색 또는 백색 방출광이 발생될 수 있기 때문에, 적용된다. 이 발명의 컨셉은 특히, -D₁-D₁- 또는 -D₂-D₂- 인접 배열이, 도핑된 착물 D₁ 또는 D₂ 의 정의된 전하로 인하여, 본 발명에 의한 구성 원리에서 발생할 수 없다는 사실에 의해 구별된다. 예를 들어, 이로써 바람직한 컬러 청색이 달성될 수 있다.

여러가지 금속 중심과 함께, 1가 양으로/음으로 또는 2가 양으로/음으로 하전된 사각-평면상 착물로부터 빌드 - 업된 컬럼상 구조

이미 상기에서 언급된 이중 착물염 이외에, 화학양론적 조성으로 상이한 금속 중심을 가진 이중 착물염 (도핑되지 않음) 이 또한 발생할 수 있다. 다른 바람직한 형태로, 추가 콤포넌트가 도핑된다.

-K₁-K₂-K₁-K₂-K₁-K₂-K₁-

예:

K₁: 사각-평면상, 1가 양으로 (음으로) 하전된 착물

K₂: 사각-평면상, 1가 음으로 (양으로) 하전된 착물

K₁ = [L1L2L3L4M1(I)]⁺

[L1'L2'L3'L4'M1(II)]⁺

K₂ = [L5L6L7L8M2(I)]^-

[L5'L6'L7'L8'M2(II)]^-

여기서 M1(I) / M2(I) = Ir(I), Rh(I)

M1 (II) / M2(II) = Pt(II), Pd(II)

이로부터, 예를 들어, 하기의 컬럼상 구조가 발생한다.

K₁: 사각 평면상, 2가의 양으로 (음으로) 하전된 착물

K₂: 사각 평면상, 2가의 음으로 (양으로) 하전된 착물

K₁ = [L1L2L3L4M1(II)]²⁺

K₂ = [L5L6L7L8M2(I)]^2-

[L5'L6'L7'L8'M2(II)]^2-

여기서 M2(I) = Ir(I), Rh(I)

M1(II) / M2(II) = Pt(II), Pd(II)

이로부터 하기의 이중 착물염 컬럼상 구조가 발생한다.

금속-착물 조합물에서의 L1 내지 L8 및 L1' 내지 L8' 로 나타낸 리간드는, 다른 조합물에서 마찬가지로 L1 내지 L8 및 L1' 내지 L8' 로 나타낸 리간드와 반드시 동일한 것은 아니다.

다른 조합물 :

하기 종류의 컬럼상 구조가 또한 가능하며 (가능한 예이며):

3개 이상의 상이한 착물로 이루어지는 착물염 올리고머:

삼중 조합물의 예:

-K₁-K₂-K₃-K₁-K₂-K₃-K₁-

L1 - L4 및 L5 - L8 은 각각 독립적으로 중성 또는 하전된 리간드, 특히 한자리 또는 다자리 리간드를 나타낸다. 리간드 L1 - L8 은 여기서, 각각의 경우 필요한 착물의 전체 전하가 유지되도록 선택되어야 한다. 금속 착물 조합물에서의 L1 내지 L8 및 L1' 내지 L8'로 나타낸 리간드는, 다른 조합물에서 마찬가지로 L1 내지 L8 및 L1' 내지 L8'로 나타낸 리간드와 반드시 동일한 것은 아니다.

리간드 및 라디칼의 정의

L1 - L4, L5 - L8, L9 - L12 및 L1' - L12' 각각은 독립적으로 중성 또는 하전된 리간드를 나타내며, 특히 한자리 또는 두자리 리간드를 나타낸다. 리간드 L1 - L12 는 여기서, 각각의 경우 필요한 착물의 전체 전하가 유지되도록 선택되어야 한다. 여기에 기재된 모든 실시형태에 대해서, 이중 착물염의 가용화 (solubilisation) 가 특히 바람직하다. 따라서, 가용화성 (solubilisability) 을 증가시키기 위해서는, 리간드 중 적어도 하나가 큰 유기기, 특히 1 내지 40 개의 C 원자를 가지는, 바람직하게 1 내지 20 개의 C 원자를 가지는 하나 이상의 알킬기, 및/또는 하나 이상의 폴리실록산기 (-OSiR₂)_nOSiR'₃ (여기서 n = 1-200, 특히 5-30), 및/또는 하나 이상의 폴리에테르기, 특히 (-OCH₂)_n-OR 또는 (-OCH₂CH₂)_n-OR (여기서 n = 1-200, 특히 n = 2-30) 을 가지는 것이 특히 바람직하며, 여기서 R 은 여기서 정의된 것과 같고 R' 는 R 에 대해 나타낸 의미를 가질 수 있지만, R' 및 R 가 C₁-C₆ 알킬기인 것이 바람직하다.

여기서 사용된다면, 리간드 NL1-NL4 는 중성의 한자리 리간드이다. 바람직한 중성 리간드는, 일산화 탄소, 이소니트릴, 예컨대, 터트-부틸 이소니트릴, 시클로헥실 이소니트릴, 아다만틸 이소니트릴, 페닐 이소니트릴, 메시틸 이소니트릴, 2,6-디메틸페닐 이소니트릴, 2,6-디이소프로필페닐 이소니트릴, 2,6-디-터트-부틸페닐 이소니트릴, 아민, 예컨대, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 모르폴린, 포스핀, 예컨대, 트리플루오로포스핀, 트리메틸포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 트리-터트-부틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리스(펜타플루오로페닐)포스핀, 포스파이트, 예컨대, 트리메틸 포스파이트, 트리에틸 포스파이트, 아르신, 예컨대, 트리플루오로아르신, 트리메틸아르신, 트리시클로헥실아르신, 트리-터트-부틸아르신, 트리페닐아르시닌, 트리스(펜타플루오로페닐)아르신, 스티빈, 예컨대, 트리플루오로스티빈, 트리메틸스티빈, 트리시클로헥실스티빈, 트리-터트-부틸스티빈, 트리페닐스티빈, 트리스(펜타플루오로페닐)스티빈, 및 함질소 헤테로환, 예컨대, 피리딘, 피리다진, 피라진, 피리미딘, 트리아진으로부터 선택된다. 예를 들어, 큰 유기기 R' 또는 R" 에 의해 치환되는 니트릴 또는 이소니트릴을 사용하는 것도 또한 가능하다 (R' 및 R" 는 R1-R20 과 같이 정의됨). 하지만, 적합한 중성 리간드는 또한 N, P, S, O, As 또는 Se 를 통해 배위하는 화합물이다.

여기서 사용된다면, 리간드 AL1-AL4 는 음이온성 한자리 리간드를 나타낸다. 바람직한 음이온성 리간드는, 수소화물, 중수소화물, 할라이드 F, Cl, Br 및 I, 알킬아세틸라이드, 예컨대, 메틸-C≡C^-, 터트-부틸-C≡C^-, 아릴아세틸라이드, 예컨대, 페닐-C≡C^-, 시아나이드, 시아네이트, 이소시아네이트, 티오시아네이트, 이소티오시아네이트, 지방족 또는 방향족 알코올레이트, 예컨대, 메탄올레이트, 에탄올레이트, 프로판올레이트, 이소프로판올레이트, 터트-부틸레이트, 페놀레이트, 지방족 또는 방향족 티오알코올레이트, 예컨대, 메탄티올레이트, 에탄티올레이트, 프로판티올레이트, 이소프로판티올레이트, 터트-부탄티올레이트, 티오페놀레이트, 아미드, 예컨대, 디메틸아미드, 디에틸아미드, 디이소프로필아미드, 모르폴리드, 카르복실레이트, 예컨대, 아세테이트, 트리플루오로아세테이트, 프로피오네이트, 벤조에이트, 및 음이온성, 함질소 헤테로환, 예컨대, 피롤리드, 이미다졸리드, 피라졸리드로부터 선택된다. 이들 기에서 알킬기는 바람직하게 C₁-C₂₀-알킬기, 특히 바람직하게 C₁-C₁₀-알킬기, 매우 특히 바람직하게 C₁-C₄-알킬기이다. 아릴기는 또한 헤테로아릴기를 의미하는 것으로 여겨진다. 아릴기, 알케닐기 또는 보레이트가 또한 가능하다.

여기서 사용된 바와 같이,

-디이민 리간드는 5원 또는 6원 고리 모두로 이루어질 수 있고, 그 구성요소 Z1-Z12 는 분절 CR(X) (R(X) = R1-R20 의 정의를 참조) 또는 N 일 수 있고, E 는 NR, O 또는 S 일 수 있다. 이 정의는 또한 단위 A 및 B 가 고리를 형성하지 않고, 대신에 오픈-사슬인 가능성을 포함한다. ("#" 는 두번째 단위에 결합되는 원자를 나타낸다):

여기서 사용된다면, 용어 카르벤 리간드는 특히 하기를 나타낸다:

여기서 사용된다면, 환금속화한 리간드는 두자리의, 1가 음으로 하전된 리간드로서,

1) 한편으로는 sp²-탄소 원자를 통해, 다른 한편으로는 질소 원자를 통해 결합하는 리간드이다. 단위 A 및 B 는 5원 고리 또는 6원 고리 모두로 이루어질 수 있고, 오픈-사슬일 수 있다. 구성요소 Z1-Z26 은 분절 CR(X) (R(X) = R1-R20 과 같이 정의된 유기 라디칼) 또는 N 일 수 있고, E 는 NR, O 또는 S 일 수 있다. ("*"는 착물 결합을 형성하는 원자를 나타내고, "#" 는 두번째 단위에 결합되는 원자를 나타낸다):

2) 한편으로는 sp²-탄소 원자를 통해, 다른 한편으로는 카르벤 탄소 원자를 통해 결합하는 리간드이다. 단위 B 는 5원 고리 또는 6원 고리로 이루어질 수 있으나, 또한 오픈-사슬일 수 있다. 구성요소 Z13-Z26 은 분절 CR(X) (R(X) = R1-R20 과 같은 유기 라디칼, 아래 참조) 또는 N 일 수 있고, E 는 NR, O 또는 S 일 수 있다. ("*"는 착물 결합을 형성하는 원자를 나타내고, "#" 는 두번째 고리에 결합되는 원자를 나타낸다):

여기서 나타낸 식에서, R1-R20, R, R' 및 R" 는 서로 동일하거나 또는 서로 독립적일 수 있는 기이다. 이들 기는, 특히, H, 중수소화물, F, Cl, Br, I, N(R²¹)₂, CN, NO₂, Si(R²¹)₃, B(OR²¹)₂, C(=O)R²¹, P(=O)(R²¹)₂, S(=O)R²¹, S(=O)₂R²¹, OSO₂R²¹, 1 내지 40 개의 C 원자를 가지는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 C 원자를 가지는 직쇄 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40 개의 C 원자를 가지는 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 티오알콕시기 (그 각각은 하나 이상의 라디칼 R²¹ 로 치환될 수 있음) 로부터 선택되고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH₂ 기는 R²¹C=CR²¹, C≡C, Si(R²¹)₂, Ge(R²¹)₂, Sn(R²¹)₂, C=O, C=S, C=Se, C=NR²¹, P(=O)(R²¹), SO, SO₂, NR²¹, O, S 또는 CONR²¹ 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO₂, 또는 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R²¹ 로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 하나 이상의 라디칼 R²¹ 로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 하나 이상의 라디칼 R²¹ 로 치환될 수 있는 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 가지는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기 또는 이들 계의 조합물에 의해 대체될 수 있으며; 이들 치환기 중 2개 이상은 또한 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 및/또는 벤조-축합 고리계를 형성할 수 있고;

R²¹ 은 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, H, F 또는 1 내지 20 개의 C 원자를 가지는 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이고, 여기서 또한 하나 이상의 H 원자는 F 에 의해 대체될 수 있으며; 2개 이상의 치환기 R²¹ 은 여기서 또한 서로 단환 또는 다환, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있다.

용해성 (solubility) 을 보장하기 위해서, 긴 사슬, 또한 분지형 알킬 사슬 (C₁-C₃₀) 및 짧은 사슬 폴리에테르 [예를 들어 폴리머 (-OCH₂CH₂O-)_n, n < 500] 가 바람직하다. 알킬 사슬은 또한 극성기, 예를 들어, 용해성의 추가 증가를 용이하게 하는, 알코올, 알데히드, 아민, 카르복실산, 에테르, 인산 에스테르, 포스폰산에 의해 변성될 수도 있다.

R(X) 는 여기서 서로 동일하거나 또는 독립적일 수 있는, (R1-R20 의 정의와 유사하게) 유기기를 나타낸다. X 는 일련 번호이고 라디칼 R 을 넘버링하기 위해 사용된다 (예를 들어, R(1), R(2), ...). 유기기는 특히, R1 내지 R20 에 대해 상술한 기로부터 선택될 수 있다.

여기에 기재된 알킬 라디칼은, 특히 C₁-C₃₀-, 바람직하게 C₁-C₂₀-, 특히 바람직하게 C₁-C₆-알킬 라디칼을 나타낸다. 알킬 라디칼은 또한 고리를 형성할 수 있다.

알케닐 및 알키닐 라디칼은 바람직하게 2 내지 30, 특히 2 내지 20, 특히 바람직하게 2 내지 8 개의 C 원자를 가진다.

아릴기는 바람직하게 5 내지 30, 특히 5 내지 10 개의 고리 원자를 가지는 계이며, 여기서 O, N, P 및/또는 S로부터 선택된 0 내지 4 개의 헤테로원자가 바람직하게 존재한다.

-디이민 리간드, 카르벤 리간드 및 환금속화한 리간드 중, 상기 일반적인 용어에서 정의된, 리간드 단위 A 및/또는 B 는 또한 NL 및/ 또는 AL 에 의해 브릿지될 수 있다.

여기서 기재된 올리고머는 광전자 콤포넌트, 특히 OLED 에서 사용하기에 대단히 적합하다. 본 명세서에서 기재된 모든 올리고머 또는 컬럼상 구조는 OLED 제조에서 사용될 수 있다. 각각의 경우 원하는 방출 색상은 올리고머의 적합한 선택을 통해 달성될 수 있다. 청색 방출을 달성하기 위해서는, 도핑된 올리고머가 채용되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따라서 채용되는 금속 착물의 반대 전하로 인해, 정전기 상호작용 (이온 결합) 이 M-M 결합의 현저한 안정화를 발생시키며, 이로 인해, 그 중에서도, 이러한 화합물의 용해성이 매우 나빠진다. 이 사실이 합성을 상당히 간소화시킬지라도, 이중 착물염이 보통 각각의 가용성 (soluble) 콤포넌트의 조합시 즉시로 침전하기 때문에, 보다 상세한 분석 및 다양한 애플리케이션을 보다 어렵게 한다. 진공 승화가 보통 저 휘발성으로 인해 염에 부적합하므로, 습식 화학 방법 (예를 들어, 스핀 코팅, 프린팅) 이, OLED 에 필요한, 박층의 제조를 위해 존재한다. 하지만, 이들 자체는 화합물의 소정의 가용성을 필요로 한다. 하지만, 이것은, 이중 착물염이 분산물로서 채용되거나 또는 확산에 의한 도입 프로세스가 선택되는 경우에는, 적용되지 않는다. (아래 코멘트 "OLED 에서의 이중 착물염의 프로세싱" 참조)

일반식 [L1L2L3L4Pt]²⁺[Pt(AL1)₄]^2- 의 발광성 백금 이중 착물염은 일반적으로 불용성이다. 이 예에서, 리간드 L1-L4 는 중성이다. L1-L4 는 또한 서로 결합될 수 있고, 즉, 다자리 리간드를 형성할 수 있다. 이 경우, 다자리 리간드는 예를 들어, a) 1개의 두자리 및 2개의 한자리 리간드, b) 2개의 두자리 리간드, c) 1개의 세자리 및 1개의 한자리 리간드 또는 d) 1개의 네자리 리간드를 함유하는 착물을 형성한다. 예를 들어, 중성 리간드는

-디이민, 예컨대, 2,2'-비피리딘 또는 1,10-페난트롤린일 수 있고, AL1 은 시아나이드, 클로라이드, 브로마이드 또는 아이오딘 이온일 수 있다. 그 우수한 광물성으로 인해, 이들 이중 착물염은 본 발명에 따라서, 광전자 애플리케이션 (OLED) 을 위한 양호한 후보이다.

프로세싱 기술로서의 가용화

놀랍게도, 이중 착물염은 이제 올리고머로서, 또는 극성 용매에서, 또한 이온으로서, 용해하는 방식으로 변성될 수 있다. 이 발명의 구성 요소는, 착물 스택 내의 결합이 M-M 상호작용으로 인해 강하지만, 단지 약한 반데르발스 상호작용이 이들 스택 사이에서 필수적으로 존재한다는 사실을 이용한다. 놀랍게도, 큰 유기 라디칼 R 에 의한 리간드의 주변에서의 치환은 M-M 상호작용을 방해하지 않으나, 더이상 결정 격자로서 쉽게 라인 업하지 않는 방식으로 여러가지 컬럼의 배열을 방해한다. 여기서 치환은 양으로 하전된 착물에서 수행될 수 있거나, 또는 음으로 하전된 단위에서도 또한 수행될 수 있다. 양쪽에서의 치환이 또한 가능하다. 이로써 용해성이 달성된다. 여기서 나타낸 예는, 컨셉의 일반적인 타당성을 제한하지 않으면서, 광전자 배열에서 사용하기 위해 보호되는 구성 원리를 설명하는 것으로 의도된다.

본 발명에 의한 올리고머는 또한 매트릭스 재료와 조합하여 채용될 수 있다. 매트릭스 재료로서, 인광 화합물의 매트릭스 재료로 종래 기술에 의해 사용된 다양한 재료가 적합하다. 적합한 매트릭스 재료는, 방향족 케톤, 방향족 포스핀 산화물 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰 (예를 들어, WO 04/013080, WO 04/093207, WO 06/005627 또는 미공개 출원 DE 102008033943.1 에 의한 방향족 케톤, 방향족 포스핀 산화물 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰), 트리아릴아민, 카르바졸 유도체 (예를 들어, CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐) 또는 WO 05/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 또는 WO 08/086851 에 개시된 카르바졸 유도체), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어, WO 07/063754 또는 WO 08/056746 에 의한 인돌로카르바졸 유도체), 아자카르바졸 유도체 (예를 들어, EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 의한 아자카르바졸 유도체), 양극성 매트릭스 재료 (예를 들어, WO 07/137725 에 의한 양극성 매트릭스 재료), 실란 (예를 들어, WO 05/111172 에 의한 실란), 아자보롤 또는 보론산 에스테르 (예를 들어, WO 06/117052 에 의한 아자보롤 또는 보론산 에스테르), 트리아진 유도체 (예를 들어, 미공개 출원 DE 102008036982.9, WO 07/063754 또는 WO 08/056746 에 의한 트리아진 유도체), 아연 착물 (예를 들어, EP 652273 및 WO 09/062578 에 의한 아연 착물), 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체 (비공개 출원 DE 102008056688.8 에 의한 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체), 디아자포스폴 유도체 (예를 들어, 미공개 출원 DE 102009022858.6 에 의한 디아자포스폴 유도체), 또는 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 미공개 출원 DE 102009023155.2 및 DE 102009031021.5 에 의한 인데노카르바졸 유도체) 이다.

예를 들어, 양호한 전력 효율성이 ITO 애노드, (예를 들어, PEDOT/PSS 를 포함하는) 정공 도전체, 본 발명에 의한 방출체층, 선택적인 (optionally) 정공 블록킹층, 전자 도전체층, 전자 주입을 개선하기 위한 박막 LiF 또는 CsF 중간층, 및 금속 전극 (캐소드) 으로 이루어지는 통상적인 OLED 층 구조에서 달성될 수 있다. 수 100nm 의 총 두께를 가지는 이들 다양한 층을, 예를 들어, 유리 기판 또는 다른 지지체 재료에 형성할 수 있다. 상응하는 샘플 디바이스가 도 3에 도시된다.

1. 사용된 지지체 재료는 유리이거나 또는 임의의 다른 적합한 고체 또는 유연성 있는 투명 재료.

2. ITO = 인듐 주석 산화물.

3. PEDOT/PSS = 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산. 이것은 정공 도전체 재료 (HTL = 정공 수송층) 이며, 수용성이다.

4. 본 발명에 의한 방출체 물질을 포함하는 방출체층으로, 종종 EML 로 약칭됨. 화합물은, 예를 들어, 적합한 화학 가용화에 의해 (방법 A), 이중 착물염 분산물의 혼합/세정 (mixing-in/washing-in) 에 의해 (방법 B), 또는 확산에 의한 도입의 기술에 의해, 가용성이 되는 착물 단위의 사용을 통해서 유기 용매에 용해될 수 있다. 적합한 유기 용매를 선택함으로써, 기저의 PEDOT/PSS 층의 용해가 방지될 수 있다. 여기서 언급된 올리고머/컬럼상 구조는 애플리케이션에 의존하여 특히 바람직하게 5 중량% 내지 100 중량% 의 양으로 이 층에 존재한다. 본 발명에 의한 비-가용성 올리고머/컬럼상 구조는 또한 분산물로서 방출체 매트릭스 재료 (예를 들어, PVK = 폴리비닐카르바졸 또는 CBP = 4,4'-비스(9-카르바졸릴)비페닐) 에 도입될 수 있다. 하지만, 이들은 또한 분산물 형태로 100% 층으로서 형성될 수 있다. 이 제조 변형은, 올리고머/컬럼상 구조가 충분히 가용성이지 않거나, 또는 심지어 불용성인 경우라면, 채용될 수 있다.

5. ETL = 전자 수송 재료. 예를 들어, 증착 (vapour deposition) 에 의해 형성될 수 있는, Alq₃ 이 사용될 수 있다. 두께는, 예를 들어, 40 nm 이다.

6. 예를 들어, 전자 주입 배리어를 감소시키고 ETL 층을 보호하는 CsF 또는 LiF 를 포함하는 매우 얇은 중간층. 이 층이 일반적으로 증착에 의해 형성된다. 또한 간소화된 OLED 구조에 대해서, ETL 및 CsF 층이 선택적으로 생략될 수 있다.

7. 도전성 캐소드 층이 증착에 의해 형성된다. Al 은 예를 나타낸다. Mg:Ag (10:1) 또는 다른 금속이 또한 사용될 수 있다.

디바이스에 대한 전압은, 예를 들어, 3 내지 15 V 이다.

본 발명의 다른 양태는 광전자 디바이스, 특히 발광 디바이스로서, (i) 애노드, (ii) 캐소드 및 (iii) 애노드 및 캐소드 사이에 배열되어, 애노드 또는 캐소드와 직접 또는 간접 접촉되고, 여기서 정의된 적어도 하나의 올리고머를 포함하는 방출체 층을 포함하는, 발광 디바이스이다.

본 발명에 의한 광전자 디바이스는 습식 화학 방법에 의해 제조된다.

OLED 에서의 이중 착물염의 프로세싱

광학적 관련층, 즉 OLED 에서의 방출층에서 이중 착물의 프로세싱/사용은, 이중 착체염이 매우 드물게 가용성이거나 또는 심지어 불용성이기 때문에, 자명 (간단) 하지 않다. 놀랍게도, 광전자 콤포넌트의 재료는 이하의 3가지 상이한 절차로 프로세싱될 수 있다.

가용화:

콤포넌트의 가용화는 염을 용이하게 가용성으로 만들지만, 그럼에도 불구하여 바람직한 광학 특성을 유지한다. 이것은, 적어도 리간드 상의 유기기 중 하나에 대해, 특정 실시형태를 선택함으로써 달성된다. 특히, 긴 사슬 -또한 분지형- 의 알킬 사슬 (C₁-C₃₀) 및 짧은 사슬 폴리에테르 [예를 들어 폴리머 (-OCH₂CH₂O-)_n, n < 500] 가 가용성을 보장하기 위해서 바람직하게 사용될 수 있다. 알킬 사슬은 또한 극성기, 예를 들어, 가용성의 추가 증가를 용이하게 하는, 알코올, 알데히드, 아민, 카르복실산, 에테르, 인산 에스테르, 포스폰산에 의해 변성될 수도 있다.

분산물:

드물게 가용성이거나 또는 불용성인, 이중 착물염의 본 발명에 의한 사용을 위해서, 분산물 -바람직하게는 나노분산물- 의 형태로 애플리케이션을 수행할 수 있다. 이중 착물염의 콜로이드성 나노분산물은 폴리머 용액으로 혼합 또는 세정되어 형성될 수 있다. 폴리머에서의 이중 착물염의 농도는 2 내지 10 중량%, 10 내지 90 중량% 이다. 하지만, 나노분산물 -적합한 매개체에 분산된 나노분산물- 로서 순수 이중 착물염 (즉, 폴리머 무) 을 형성하고, 이로써 매개체의 증발 이후 100% 방출체 층을 획득하는 것도 또한 가능하다. 필요하다면, 이중 착물염이, 초음파 처리로 폴리머(들)에 도입되기 이전에, 당업자에게 익숙한 방법에 의해서 액체상에 분산될 수 있다. 또한, 이중 착물염은 제 1 콤포넌트의 도입 및 제 2 ,제 3 ,... 콤포넌트의 추가에 의해, 초음파 작용으로 생성될 수 있다. 나노입자의 표면 변성은, 당업자에게 알려져있는 분산체의 추가에 의해 선택적으로 수행될 수 있다. 분산체(들)의 선택에 의존하여, 나노분산물의 안정화는 입체적, 전기적 또는 전기-입체적 성질일 수 있다. 특히 적합한 분산체는, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 아민, 포스핀, 술피드, 술폭시드, 술폰산, 카르복실산, 아미노카르복실산 및 티오카르복실산이다. 특정 실시형태에서, 가용화기를 운반하는 착물염, 예컨대, 상술된 화합물 [Pt(4,4'-디노닐-2,2'-디피리딜)₂][BF₄]₂ 이 본 발명에 의한 이중 착물염의 분산체로서 채용될 수 있다. 나노분산 이중 착물염은 이후, 남아있는 상대적으로 굵은 입자를 제거하기 위해서 마이크로/나노필터를 통한 여과 이후 폴리머에 도입되는 것이 바람직하다. 이것은 또한 100% 방출체 층으로서의 애플리케이션에 적용된다.

C 확산 방법

여기서 처음으로 제안된 신규한 확산 방법은, 불용성 또는 드물게 가용성이 있는 올리고머/컬럼상 구조의 본 발명에 의한 사용을 위한 방출층의 제조에 적합하다. 먼저, 이중 착물염의 일반적으로 가용성이 있는 콤포넌트 중 하나가 광학 관련 폴리머층에 도입된다. 두번째 콤포넌트가 이후 이 층에 형성된다. 두번째 콤포넌트는 폴리머층을 통해 확산에 의해 첫번째 콤포넌트로 이동하고, 여기서 불용성 올리고머를 형성한다. 원하는 이중 착물염 농도가 두번째 착물염 콤포넌트의 세정에 의해 도달되는 때, 방법이 중지된다.

컬럼상 구조-형성 이중 착물염의 사용을 통한 OLED 에 대한 발명의 이점

효율적인 OLED 의 제조시 야기되는 문제는 이미 상기에서 언급하였다. 방출 특성에서의 특정 변화는 이제 상기에서 상세하게 논의된 금속 착물의 사용을 통해 성공적으로 달성되었으며, 그 결과로서 이들 단점 중 많은 단점이 더 이상 야기되지 않는다. 종래의 OLED 에서 사용되는 방출체 재료와 비교하여, 하기 이점이 본 발명에 의한 올리고머/컬럼상 구조의 사용시 야기된다.

i) 올리고머/컬럼상 구조에서의 M-M 분리의 변화 가능성 및 이들 올리고머/컬럼상 구조의 평균 사슬 길이의 변화 가능성은, 청색에서 적색 스펙트럼 영역까지, 방출 파장을 사실상 원하는대로 제어되게 할 수 있다.

ii) 이미 상기에서 설명한 도핑 컬럼상 구조의 컨셉을 이용한다면, 청색 방출은 간단한 방법으로 달성될 수 있다 (예를 들어, Pd 착물로부터 빌드 업된 올리고머/컬러상 구조에서의 저농도의 Pt 착물).

iii) 또한, 이중 착물염 스택의 방출 수명은 짧으며, 이것은 OLED 의 매우 중요한 필요조건을 나타낸다.

iv) 여기서 언급된 올리고머/컬러상 구조의 적용시, 높은 전류 밀도를 사용하는 것이 가능하다.

v) 여기서 사용된 올리고머/컬럼상 구조는 특히 높은 방출 양자 수율을 가진다.

vi) 본 발명에 의한 올리고머/컬럼상 구조는 일차원적 반도체로 간주될 수 있다. 따라서, 이러한 종류의 구조는 매우 높은 엑시톤 이동도를 나타낸다.

vii) 광전자 디바이스에 있어서 본 발명에 따라 채용되는 올리고머/컬럼상 구조 이중 착물염이 매우 양호한 전하-캐리어 이동도를 가진다는 사실을 통해서 다른 필수적인 특성이 생긴다. M-M 상호 작용이 HOMO 를 에너지적으로 상승시키고, LUMO 를 에너지적으로 하강시킨다. 또한, 2가지 분자 오비탈은 다수의 분자 (올리고머/컬럼상 구조의 단위) 에 걸쳐서 전기적으로 비편재화된다. 이것은 또한 정공 및 전자 이동도를 상당히 개선시킨다. 그 결과로서, 방출층 (방출체층, EML) 은 이동도를 개선하기 위한 임의의 추가 콤포넌트를 필요로 하지 않으며, 즉, 양호한 전하-캐리어 이동도에 대한 매트릭스의 부분적으로 제한된 필요조건이, 많은 애플리케이션에서 이들 이중 착물염의 사용시 빠질 수 있다. 이로써, OLED 의 덜 비싼 제조 및 효율성의 큰 증가를 달성하는 것이 가능하다.

viii) 추가 필수적인 특성이, 이중 착물염이 특히 화학적으로 및 광화학적으로 안정되고, 이로써 OLED 방출체로서 사용하기에 특히 적합하다는 사실을 통해서 생긴다.

하기 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세히 설명하며, 이에 한정되는 것을 원치 않는다. 당업자는, 창의적이지 않더라도, 개시되어 있는 범위를 통해서 본 발명을 수행할 수 있으며 이로써 본 발명에 의한 추가 유기 전계발광 디바이스를 제조할 수 있다.

실시예 :

가용성 Pt 이중 착물염의 합성 예:

[Pt(4,4'- 디노닐 -2,2'- 디피리딜 ) ₂ ][Pt( CN ) ₄ ]

금속-금속 이중 착물염의 가용화의 컨셉은 불용성 이중 착물염 [Pt(bpy)₂][Pt(CN)₄] 의 예를 참조하여 설명된다. 각각의 경우 CH₃(CH₂)₈-알킬기에 의해 4,4'-위치에서 치환된 비피리딘의 특정 사용에 의해, 비치환된, 불용성의 화합물을 가용화하는 것이 가능하다.

[Pt(4,4'- 디노닐 -2,2'- 디피리딜 ) ₂ ][ BF ₄ ] ₂ 의 합성 절차

합성은 수정된 문헌 절차에 따라서 수행된다 (A. Boixasse, J. Pons, X. Solans, M. Fontbardia, J. Ros, Inorg. Chim. Acta 2004, 357, 827 참조).

[PtCl₂(CH₃CN)₂] (0.300 g, 0.862 mmol) 을, N₂·AgBF₄ (0.336 g, 1.724 mmol) 를 첨가한 상태에서 건조 아세토니트릴의 50 ml 에 현탁하고, 반응 혼합물을 20시간 동안 환류시킨다. 침전된 AgCl 을 여과하고, 4,4'-디노닐-2,2'-디피리딜 (0.705 g, 1.724 mmol) 을 깨끗하고 무색인 용액에 첨가한다. 혼합물을 이후 20 시간 더 환류시킨다. 침전된 고체 (AgCl 의 잔여물) 을 여과하고, 깨끗하고 연한 황색인 반응 용액을 회전 증발기에서 농축시킨다. 용액을 밤새 냉동실에 배치하며, 그 동안 베이지색 고체가 침전된다. 침전물을 석션으로 여과하고, 에탄올 및 에테르로 세정하며, 계속해서 건조한다. 고체를 디클로로메탄에 용해하고, 에테르를 이용하여 침전시킨다. 미세한 연녹색의 침전물을 여과하고 건조기에서 건조한다.

실험식: PtC₅₆H₈₈N₄B₂F₈ (1185.67 g/mol)

기본 분석: PtC₅₆H₈₈N₄B₂F₈ (1185.67 g/mol)

계산값: C 56.68, H 7.48, N 4.72

발견값: C 56.68, H 7.16, N 4.56

질량 분석법: ES-MS, m/e = 506.0 M² ⁺, 100 %

[Pt(4,4'- 디노닐 -2,2'- 디피리딜 ) ₂ ][Pt( CN ) ₄ ] 의 합성 절차

[Pt(4,4'-디노닐-2,2'-디피리딜)₂][BF₄]₂ (0.0209 g, 0.0176 mmol) 및 [n- Bu₄N]₂[Pt(CN)₄] (0.0138 g, 0.0176 mmol) 을 각각의 경우 4 ml 의 디클로로메탄에 용해한다. 두 용액을 계속해서 조합한다. 용매를 천천히 밤새 증발시켜, 황색 고체를 제공한다. 이것을 아세토니트릴 (3 ml) 로 세정하고 건조기에서 건조한다.

실험식: Pt₂C_6OH₈₈N₈·CH₂Cl₂ (1396.48 g/mol)

기본 분석: Pt₂C_6OH₈₈N₈·CH₂Cl₂ (1396.48 g/mol)

계산값: C 54.95, H 6.76, N 8.54

발견값: C 52.46, H 6.50, N 8.02

도 2는 이 신규한 물질의 광학 여기 스펙트럼 및 방출 스펙트럼을 나타낸다.

톨루엔에서의 [Pt(4,4'- 디노닐 -2,2'- 디피리딜 ) ₂ ][Pt( CN ) ₄ ] 의 용해

OLED 제조를 위해서, 예를 들어, 2 중량% 용액을, 9.8 g 의 아니솔에 [Pt(4,4'-디노닐-2,2'-디피리딜)₂][Pt(CN)₄] 의 200 mg 을 용해시킴으로써 조제한다.

실시예 2: [Pd( bpy ) ₂ ] _0.9 [ Pt ( bpy ) ₂ ] _0.1 [ Pt ( CN ) ₄ ] 의 조제

[Pd(2,2'-디피리딜)₂][BF₄]₂ (533.1 mg, 0.9 mmol) 및 [Pt(2,2'-디피리딜)₂][BF₄]₂ (68.1 mg, 0.1 mmol) 의 혼합물을 50 ml 의 디클로로메탄에 용해한다. 이 용액에, 30 ml 의 디클로로메탄에서의 [n-Bu₄N]₂[Pt(CN)₄] (689.0 mg, 1.0 mmol) 의 용액을 거칠게 교반하면서 첨가하고, 혼합물을 실온에서 2 시간 동안 더 교반한다. 용매를 진공에서 제거하고, 황색 고체를 50 ml 의 아세토니트릴에서 취출하고, 현탁액을 실온에서 12 시간 동안 교반하고, 석션으로 여과하며, 그리고 그 프로세스를 3회 반복한다. 최종 석션 여과 이후, 생성물을 20 ml 의 아세토니트릴로 5회 세정하고, 계속해서 진공에서 건조한다. 수율: 95 %.

톨루엔에서의 [Pd( bpy ) ₂ ] _0.9 [ Pt ( bpy ) ₂ ] _0.1 [ Pt ( CN ) ₄ ] 의 분산물

9.8 g 의 톨루엔에서의 200 mg 의 [Pd(bpy)₂]_0.9[Pt(bpy)₂]_0.1[Pt(CN)₄] 의 현탁액을 15 시간 동안 초음파로 처리한다. 그 결과물인 분산물을 계속해서 여과한다.

하기 화합물이, 시작 재료의 적합한 화학양론을 이용하여 유사하게 획득된다.

톨루엔에서의 [Pd(bpy)₂]_0.99[Pt(bpy)₂]_0.01[Pt(CN)₄] 의 분산물

하기 화합물이 문헌 방법에 의해 조제되었고, 톨루엔 및 DMF (1:1, v:v) 의 혼합물에서 2 중량% 분산물로서 채용되었다.

실시예 10: 용액으로부터의 유기 전계발광 디바이스의 제조 및 특성화

LED 는 아래에 설명된 일반적인 프로세스에 의해 제조된다. 일반적인 프로세스는, 물론, 각각의 경우 특정 상황에 따라 조정되어야 한다 (예를 들어 최적의 효율성 또는 색상을 달성하기 위해 층 두께를 변화시킴).

OLED 제조를 위한 일반적인 프로세스:

이러한 콤포넌트의 제조는 중합성 발광 다이오드 (PLED) 의 제조에 기초하고, 이것은 이미 문헌 (예를 들어, WO 2004/037887 A2) 에 수회 기재되어 있다. 현재의 경우, 하기 매트릭스 재료 또는 매트릭스-재료 조합물이 유기 용매, 예컨대, 톨루엔, 클로로벤젠, 아니솔 또는 DMF 에 용해된다. 이러한 용액의 통상적인 고체 함량은, 여기에서와 같이, 디바이스의 통상적인 층 두께 80 nm 가 스핀 코팅에 의해 달성된다면, 10 ~ 25 g/l 이다.

사용된 매트릭스 재료:

상응하는 이중 착물염의 용액 (실시예 1 참조) 또는 나노분산물 (실시예 2-9 참조) 이 이후 이들 용액에 첨가되고, 여기서 매트릭스 재료 또는 매트릭스 재료 조합물의 이중 착물염에 대한, 고체에 기초한, 비는 5중량% 이다.

하기 구조를 가지는 OLED 는 상기에서 언급된 일반적인 프로세스와 유사하게 제조된다.

PEDOT 20 nm (물로부터 스핀-코팅됨; BAYER AG 로부터 구

매한 PEDOT; 폴리-[3,4-에틸렌디옥시-2,5-티오펜]

매트릭스 + 방출체 80 nm, 5 중량% 의 방출체 + 95% 의 매트릭스 재료

또는 매트릭스 재료 조합물, 톨루엔, 클로로벤젠 또는 DMF 로부터 스핀-코팅됨)

Ba / Ag 캐소드로서 10 nm 의 Ba / 150 nm 의 Ag

구조화된 ITO 기재 및 소위 버퍼층의 재료 (PEDOT, 실제로 PEDOT:PSS) 는 시판된다 (Technoprint 및 기타로부터의 ITO, H.C. Starck 로부터의 Clevios Baytron P 의 수분산물로서의 PEDOT:PPS). 방출층은 불활성 가스 분위기, 현재의 경우에는 아르곤에서 스핀-코팅에 의해 형성되고, 170 ℃ 에서 10분 동안 가열에 의해 건조된다. 마지막으로, 바륨 및 알루미늄을 포함하는 캐소드는 진공 증착에 의해 형성된다. 용액-처리된 디바이스는 표준 방법에 의해 특성화되며; 언급된 OLED 예는 아직도 최적화되지 않고 있다.

표 2는 100 cd/m² 에서의 효율성 및 전압 및 색상을 나타낸다.

Claims

특히 유기 전계발광 디바이스인, 전기 디바이스로서,
적어도 하나의 양으로 하전된 금속 착물 및 적어도 하나의 음으로 하전된 금속 착물을 포함하여, 상이하게 하전된 금속 착물들을 포함하며,
상기 금속 착물들은,
식 (I) K₁ = [L1L2L3L4M1]ⁿ⁺ 및
식 (II) K₂ = [L5L6L7L8M2]^n-
이며,
여기서 M1 및 M2 는 독립적으로, Ir(I), Rh(I), Pt(II), Pd(II) 및 Au(III) 로부터 선택된 금속 중심을 나타내고,
L1 - L4 및 L5 - L8 은 각각 중성 또는 하전된 리간드를 나타내며, L1 - L4 및 L5 - L8 중 2개 이상은 또한 서로 연결될 수 있고,
n = 1 또는 2 인, 전자 디바이스.
제 1 항에 있어서,
올리고머는 컬럼상 구조 -K₁-K₂-K₁-K₂- 를 포함하고,
여기서 K₁ 은 1가의 양으로 하전된 착물 (식 (I)) 을 나타내고 K₂ 는 1가의 음으로 하전된 착물 (식 (II)) 을 나타내거나 또는
K₁ 은 2가의 양으로 하전된 착물 (식 (I)) 을 나타내고 K₂ 는 2가의 음으로 하전된 착물 (식 (II)) 을 나타내거나, 또는
상기 올리고머는 컬럼상 구조 -K₁-K₂-K₃-K₁-K₂-K₃-K₁- 를 포함하고,
여기서 K₁ 은 식 (I) 의 2가의 양으로 하전된 착물을 나타내고, K₂ 및 K₃ 은 식 (II) 의 1가의 음으로 하전된 착물을 나타내거나,
K₁ 은 2가의 음으로 하전된 착물을 나타내고, K₂ 및 K₃ 은 1가의 양으로 하전된 착물을 나타내거나,
K₁ 은 3가의 양으로 하전된 착물을 나타내고, K₂ 는 2가의 음으로 하전된 착물을 나타내고, K₃ 은 1가의 음으로 하전된 착물을 나타내거나 또는
K₁ 은 3가의 양으로 하전된 착물을 나타내고, K₂ 는 1가의 음으로 하전된 착물을 나타내고, K₃ 은 2가의 음으로 하전된 착물을 나타내는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
올리고머는 이중 (double) 착물염이고,
여기서 K₁ = [L1L2L3L4Pt(II)]⁺ (식 (I)) 및 K₂ = [L5L6L7L8Pt(II)]^- (식 (II)) 이고,
K₁ 은 특히 하기 식들 중 하나이고:

K₂ 는 특히 하기 식들 중 하나이며,

여기서 R1 내지 R20 은 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 하기 기들: H, 중수소화물, F, Cl, Br, I, N(R²¹)₂, CN, NO₂, Si(R²¹)₃, B(OR²¹)₂, C(=O)R²¹, P(=O)(R²¹)₂, S(=O)R²¹, S(=O)₂R²¹, OSO₂R²¹, 1 내지 40 개의 C 원자들을 가지는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 C 원자들을 가지는 직쇄 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40 개의 C 원자들을 가지는 분지형 또는 환형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 티오알콕시기 (그 각각은 하나 이상의 라디칼 R²¹ 로 치환될 수 있음) 중 하나이며: 여기서 하나 이상의 비인접 CH₂ 기들은 R²¹C=CR²¹, C≡C, Si(R²¹)₂, Ge(R²¹)₂, Sn(R²¹)₂, C=O, C=S, C=Se, C=NR²¹, P(=O)(R²¹), SO, SO₂, NR²¹, O, S 또는 CONR²¹ 에 의해 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자들은 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO₂, 또는 각각의 경우 하나 이상의 라디칼들 R²¹ 로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 가지는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 하나 이상의 라디칼들 R²¹ 로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 가지는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 하나 이상의 라디칼들 R²¹ 로 치환될 수 있는 10 내지 40 개의 방향족 고리 원자들을 가지는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기 또는 이들 계의 조합물에 의해 대체될 수 있으며; 이 치환기들 중 2개 이상은 또한 서로 단환 또는 다환, 지방족, 방향족 및/또는 벤조-축합 고리계를 형성할 수 있으며;
R²¹ 은 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, H, F 또는 1 내지 20 개의 C 원자를 가지는 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이고, 여기서 또한 하나 이상의 H 원자들은 F 에 의해 대체될 수 있으며; 2개 이상의 치환기들 R²¹ 은 여기서 또한 서로 단환 또는 다환, 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
NL1, NL2, NL3, NL4 각각은, 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 중성 리간드이며, 특히 일산화 탄소, 이소니트릴, 아민, 포스핀, 포스파이트, 아르신, 스티빈 및 및 함질소 헤테로환으로부터 선택되고;
AL1, AL2, AL3, AL4 각각은, 각각의 존재시 동일하거나 또는 상이하게, 음이온성 리간드이며, 특히 수소화물, 중수소화물, 할로겐화물 F, Cl, Br 및 I, 알킬아세틸라이드, 아릴아세틸라이드, 아릴기, 알킬기, 알케닐기, 보레이트, 시아나이드, 시아네이트, 이소시아네이트, 티오시아네이트, 이소티오시아네이트, 지방족 또는 방향족 알코올레이트, 지방족 또는 방향족 티오알코올레이트, 아미드, 카르복실레이트 및 음이온성, 함질소 헤테로환으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
올리고머는 이중 착물염이고,
여기서 K₁ = [L1L2L3L4Pd(II)]⁺ 및 K₂ = [L5L6L7L8Pd(II)]^- 이고,
K₁ 은 특히 하기 식들 중 하나이고:

K₂ 는 특히 하기 식들 중 하나이고:

여기서 R1 내지 R20, NL1 내지 NL4 및 AL1 내지 AL4 는 제 3 항에 기재된 의미를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
올리고머는 이중 착물염이고,
여기서 K₁ = [L1L2L3L4Ir(I)]⁺ 및 K₂ = [L5L6L7L8Ir(I)]^- 이고,
K₁ 은 특히 하기로부터 선택되고:

K₂ 는 특히 하기로부터 선택되고:

여기서 R1 내지 R20, NL1 내지 NL4 및 AL1 내지 AL4 는 제 3 항에 기재된 의미를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
올리고머는 이중 착물염이고,
여기서 K₁ = [L1L2L3L4Rh(I)]⁺ 및 K₂ = [L5L6L7L8Rh(I)]^- 이고,
K₁ 은 특히 하기로부터 선택되고:

K₂ 는 특히 하기로부터 선택되고:

여기서 R1 내지 R20, NL1 내지 NL4 및 AL1 내지 AL4 는 제 3 항에 기재된 의미를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
올리고머는 이중 착물염이고,
여기서 K₁ = [L1L2L3L4Pt(II)]²⁺ 및 K₂ = [L5L6L7L8Pt(II)]^2- 이고,
K₁ 은 특히 하기 식들 중 하나이고:

K₂ 는 특히 하기로부터 선택되고:

여기서 R1 내지 R20, NL1 내지 NL4 및 AL1 내지 AL4 는 제 3 항에 기재된 의미를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
올리고머는 이중 착물염이고,
여기서 K₁ = [L1L2L3L4Pd(II)]²⁺ 및 K₂ = [L5L6L7L8Pd(II)]^2- 인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
올리고머에 존재하는 모든 금속 착물들은 동일한 중심 원자를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
적어도 하나의 양으로 하전된 금속 착물 및
적어도 하나의 음으로 하전된 금속 착물을 포함하는 화합물로서,
상기 금속 착물들은
식 (I) K₁ = [L1L2L3L4M1]ⁿ⁺ 및
식 (II) K₂ = [L5L6L7L8M2]^n-
이며,
여기서 M1 및 M2 는 Ir(I), Rh(I), Pt(II), Pd(II) 및 Au(III) 로부터 선택된 금속 중심을 나타내고, M1 및 M2 는 특히 상이한 금속 중심들을 나타내며,
L1 - L4 및 L5 - L8 은 각각 중성 또는 하전된 리간드를 나타내고, L1 - L4 및 L5 - L8 중 2개 이상은 또한 서로 연결될 수 있으며,
n = 1 또는 2 인 것을 특징으로 하는 화합물.
제 10 항에 있어서,
Ir, Rh, Pt, Pd 및 Au 로부터 선택된 금속 중심은, 상기 화합물에서, 10 내지 90 % 의 비율로 존재하고,
상기 첫번째 금속과 상이한, Ir, Rh, Pt, Pd 및 Au 로부터 선택된 적어도 하나의 금속은 10 내지 90 % 의 비율로 존재하는 것을 특징으로 하는 화합물.
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
Ir, Rh, Pt, Pd 및 Au 로부터 선택된 적어도 3개의 상이한 금속 중심 이온들을 가지는 것을 특징으로 하는 화합물.
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
식 (III) 의 적어도 하나의 이중 착물염을 포함하고,

식 (III)
여기서, 0.00001 ≤ x ≤ 0.99999 이고
바람직하게는 M1 = Pd(II) 및 M2 = Pt(II) 이거나, 또는
식 (IV) 의 적어도 하나의 이중 착물염을 포함하고,

식 (IV)
여기서, 0.00001 ≤ x ≤ 0.99999 이고
바람직하게는 M1 = Pd(II) 및 M2 = Pt(II) 인 것을 특징으로 하는 화합물.
적어도 하나의 양으로 하전된 금속 착물 및
적어도 하나의 음으로 하전된 금속 착물을 포함하는 화합물로서,
상기 금속 착물들은,
식 (I) K₁ = [L1L2L3L4M1]ⁿ⁺ 및
식 (II) K₂ = [L5L6L7L8M2]^n-
이며,
여기서 M1 및 M2 는 Ir(I), Rh(I), Pt(II), Pd(II) 및 Au(III) 로부터 선택된 금속 중심을 나타내고,
L1 - L4 및 L5 - L8 은 각각 중성 또는 하전된 리간드를 나타내며, L1 - L4 및 L5 - L8 중 2개 이상은 또한 서로 연결될 수 있고,
n = 1 또는 2 이며,
여기서 가용화성 (solubilisability) 을 증가시키기 위해서, 상기 리간드 중 적어도 하나는 큰 유기기, 특히 하나 이상의 C₁-C₄₀-, 바람직하게는 C₁-C₃₀-알킬기, 또는 하나 이상의 폴리실록산기 (-OSiR₂-)_nOSiR'₃ (여기서 n = 1-200, 특히 5-30), 또는 하나 이상의 폴리에테르기이며, 여기서 R 및 R' 는 제 3 항에 기재된 R1 내지 R20 과 동일한 의미를 가지지만, 바람직하게는 C₁-C₆-알킬기인 것을 특징으로 하는 화합물.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
제 1 항에 기재된 식 (I) 및 식 (II) 의 금속 착물염들이 분산물 형태로 공급되거나, 또는 식 (I) 의 콤포넌트들이 용액 형태로 도입되고 식 (II) 의 콤포넌트들이 확산에 의해 도입되는, 전자 디바이스의 제조 방법.
전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스에서의 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된, 화합물의 용도.