KR20100119641A - 자성시트를 이용한 적층형 인덕터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 높은 직류 중첩 특성과 고주파특성을 가지는 적층형 파워 인덕터에 관한 것이며, 특히 자성체로서 연자성 금속분말이 충전된 자성시트와 자심을 적용한 적층형 파워 인덕터에 관한 것이다.
본 발명은 높은 인덕턴스와 직류중첩특성이 확보되는 적층형 파워 인덕터를 제공함을 그 기술적 과제로 하며, 그 과제를 달성하기 위하여 그 표면에 도전회로가 형성된 복수 매의 자성시트가 적층되고, 최외부에는 단자부가 형성되고, 상기 도전회로 및 상기 단자부는 비어홀을 통하여 도통되어, 코일 형상의 회로가 형성되고, 상기 코일 형상의 회로 내부에 자심이 삽입된 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터와 그 제조방법을 제공한다.
파워인덕터, 연자성, 금속분말, 적층형, 자심
Description
본 발명은 높은 직류 중첩 특성과 고주파특성을 가지는 적층형 파워 인덕터에 관한 것이며, 특히 자성체로서 연자성 금속분말이 충전된 자성시트와 자심을 적용한 적층형 파워 인덕터에 관한 것이다.
휴대기기의 전원회로는 기기의 다양화에 의해 동작전원도 다양하다. 휴대기기를 예를 들면 LCD 드라이브용 또는 파워 앰프 모듈용, 베이스 밴드용 IC 용 전원 등이 있고, 이를 동작시키기 위해서 필요로 하는 전압이 각각 다르고, 전원으로부터 공급되는 전압을 각 회로의 동작전압으로 변환하는 전원회로를 필요로 한다. 이들 전원회로의 전압은 반도체의 미세화와 더불어 저전압화가 진행되고 있다. 그 때문에 작은 전압변동으로 기기가 오동작을 일으킬 가능성이 있고, 대책으로서는 각 LSI에 가까운 위치에 전원을 배치하여 전원-LSI 간의 라인 인덕턴스 또는 배선저항에 의한 전압변동을 억제하는 분산화전원(POL)을 사용하는 기술이 주류가 되고 있다.
이와 같이 각 LSI를 별개로 제어하는 전원이 필요하게 되고, 휴대기기에 있 어서는 많은 전원회로가 내장되게 된 것이다.
휴대기기의 전원회로는 리니어 레귤레이터와 스위칭 레귤레이터로 크게 나뉘어지고, 최근에는 소비전력을 억제하여 배터리의 수명을 연장하도록 요구되는 상황에서, 전압을 변환할 때의 전력손실이 적은 스위칭 레귤레이터, 일반적으로는 DC-DC 컨버터라고 불려지는 것이 많이 채용되고 있다.
한편, 소형화라는 점에서, DC-DC 컨버터에서는 인덕터와 콘덴서 등의 부착 부품이 증가하여 전원회로의 면적이 크게 되고 만다. 따라서, 기기의 소형화를 이루기 위해서는 우선 이들 부품의 소형화가 필요하다. 이 부품을 소형화하기 위해서는 DC-DC 컨버터의 스위칭 주파수를 고주파화함으로써 필요로 하는 인덕터 또는 콘덴서의 정수가 작게 되고, 부품의 소형화가 가능하게 된다.
최근 반도체 제조기술의 진보에 따른 IC의 고성능화에 의해 스위칭 주파수의 고주파화가 더욱 진행되고 있다. 이러한 흐름 속에서 DC-DC 컨버터 회로에서 사용되는 파워 인덕터로서 종래로부터 산화물계 자성재료에 도선을 감은 형태의 권선형 인덕터가 많이 사용되고 있었으나, 이러한 형태의 인덕터는 소형화에 근본적인 한계를 가지고 있다.
따라서, 세라믹 재료 기술의 진화에 의하여 적층형의 파워 인덕터가 주목되고 있다.
적층형 인덕터의 자성체 재료로 주로 사용되는 산화물 페라이트계는 투자율과 전기저항이 높은 반면 포화자속밀도가 낮으므로 자기포화에 의한 인덕턴스의 저하가 크고, 직류 중첩특성이 나쁜 단점이 있다.
또한, 종래의 적층형 파워 인덕터의 경우에는 직류중첩 특성을 확보하기 위하여 별도의 비자성체층을 갭으로서 층간에 삽입하여야 한다는 문제점이 있다.
또한, 페라이트를 사용하는 인덕터는 페라이트 판상에 회로를 설치한 후 소결과정을 거쳐야 하는데 소결과정 중 뒤틀림의 현상으로 인하여 일정 이상의 인덕턴스나 직류중첩특성을 확보하는데 제약이 있어서 그 넓이를 넓게 할 수 없고, 특히 최근 인덕터가 소형화되어 두께 1mm 이하의 제품이 양산되는 가운데 그 넓이가 더욱 제한될 수밖에 없다. 따라서, 다양한 형태의 인덕턴스 및 직류 중첩특성을 제공할 수 없다.
또한, 자성물질로 충전한 자성 시트를 사용하는 적층형의 인덕터의 경우에도 도전회로의 내부가 단순한 자성 시트가 존재함으로써 인덕터의 뛰어난 특성을 발휘하기에 부족한 점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 누설자속이 없이 자기포화에 따른 전류의 제약이 없는 파워 인덕터를 제공함을 그 기술적 과제로 한다.
또한, 넓이에 제약이 없이 사용이 가능한 대용량 초박형 파워 인덕터를 제공함을 그 기술적 과제로 한다.
또한, 인덕터 내부에 자심을 사용하여 높은 인덕턴스와 직류중첩특성이 확보되는 적층형 파워 인덕터를 제공함을 그 기술적 과제로 한다.
또한, 인덕터 도전회로를 동선을 사용하여 낮은 직류저항이 확보되는 적층형 파워 인덕터를 제공함을 그 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 그 표면에 도전회로가 형성된 복수 매의 자성시트가 적층되고, 최외부에는 단자부가 형성되고, 상기 도전회로 및 상기 단자부는 비어홀을 통하여 도통되어, 코일 형상의 회로가 형성되고, 상기 코일 형상의 회로 내부에 구멍이 형성되고 상기 구멍에 자심이 삽입된 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터를 제공한다.
또한, 본 발명은 복수 매의 자성시트가 적층되고, 최외부에는 단자부가 형성되고, 상기 적층된 자성시트의 내부에 구멍이 형성되며 상기 구멍에 도전코일이 감긴 자심이 삽입되고, 상기 도전코일 및 상기 단자부는 비어홀을 통하여 도통된 것 을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 자성시트는 내부층은 등방성의 분말이 충전된 등방성 자성시트이며, 외부층은 이방성의 금속분말이 충전된 자성시트인 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 자심은 Mo-퍼멀로이, 퍼멀로이, Fe-Si-Al 합금, Fe-Si 합금, 규소강판, 페라이트, 아몰퍼스 금속 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터를 제공한다.
또한, 본 발명은 구리 클래드 자성시트의 표면을 에칭하여 도전회로를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 상기 비어홀 내부를 도금하여 회로층을 형성하는 단계; 상기 회로층을 적층하고, 상기 회로층의 상하측에 랜드층인 구리 클래드 자성시트를 적층하여 적층체를 형성하고, 상기 랜드층을 에칭하여 랜드를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 비어홀을 도금하는 단계; 상기 적층체의 중앙부에 펀칭하여 중공을 형성한 후 상기 중공에 자심을 삽입하는 단계; 상기 자심이 삽입된 적층체의 상하측에 단자층인 별도의 구리 클래드 자성시트를 적층하고 에칭하여 단자부를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 비어홀을 도금하는 단계; 로 구성되는 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 회로층은 등방성의 분말이 충전된 등방성 자성시트가 적용되고, 상기 랜드층 및 상기 단자층은 이방성의 금속분말이 충전된 자성시트가 적용되는 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터의 제조방법을 제공 한다.
또한, 본 발명은 자성시트를 적층하여 적층체를 형성하고, 그 적층체의 중앙부에 펀칭하여 중공을 형성한 후 상기 중공에 도전코일이 감겨진 자심을 삽입하는 단계; 상기 적층체의 상하측에 랜드층인 구리 클래드 자성시트를 적층하고, 상기 랜드층을 에칭하여 랜드를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 비어홀을 도금하는 단계; 상기 랜드층의 상하측에 단자층인 별도의 구리 클래드 자성시트를 적층하고 에칭하여 단자부를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 비어홀을 도금하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터의 제조방법을 제공한다.
종래의 파워 인덕터가 구현할 수 없었던 높은 사용주파수와 대용량의 포화전류를 얻을 수 있으며, 연자성 금속분말 시트를 사용하므로 얇으면서도 넓이의 제약을 받지 않는 인덕터를 경제적으로 제공함으로써 슬림형 노트북, 핸드폰, 디스플레이장치 등의 전자제품의 구현이 용이하다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예의 외관도이다.
자성시트가 적층되어 형성된 인덕터(10)이며 단자부(11)가 외부에 형성되어 있다.
이 때 자성시트는 연자성 금속 합금분말을 바인더에 충전하여 형성된다.
상기 연자성 금속 합금분말은 납작한 플레이크 형태의 이방성이거나 등방성인 분말을 채택한다. 또한, 합금분말의 소재로는 몰리브덴 퍼멀로이(Mo-permalloy), 퍼멀로이(Permalloy), 샌더스트(Fe-Si-Al alloy), 철-규소합금(Fe-Si alloy), 아몰퍼스 금속, 나노결정립 등이 사용될 수 있다.
상기 바인더는 유기고분자 매트릭스재로 적용되는 EPDM, 아크릴계 수지, 폴리우레탄, 실리콘 고무 등이 사용될 수 있다.
단자부는 구리와 같은 도전성 금속이다.
상기 단자부는 자성시트에 구리로 미리 클래드되어 있다가 선택적인 에칭에 의하여 구리부분만 남아서 형성되며 구리 단자부 부위에 니켈과 주석을 도금할 수도 있다.
단자부 이외의 부분은 에폭시계 수지 절연체로 도포 처리된다.
도 2는 본 발명의 일실시예의 적층형 인덕터의 단면도(도 1의 A-A)이다.
적층형 인덕터(10)는 내부에 자성시트의 면에 도전회로가 형성된 회로층(12)이 적층되고, 회로층(12)의 상하측에 랜드가 형성된 랜드층(14) 및 단자부가 형성된 단자층(16)이 차례로 적층된다.
회로층(12)의 자성시트에는 도전회로가 일면에 형성될 수도 있고, 양면에 형성될 수도 있다.
도전회로가 양면에 형성된 경우에는 자성시트의 사이에 도전회로가 형성되지 않는 자성시트가 삽입되어 절연체층의 역할을 한다.
각 회로층(12)의 도전회로, 랜드 및 단자부는 비어홀을 통하여 도통되어, 코일형상의 전체 회로가 형성되고, 상기 코일형상의 회로 내부에 구멍을 뚫어 상기 구멍 내에 자심(18)이 삽입된 것이다.
즉, 자심(18) 주위에 코일형상 회로가 감겨진 형상을 갖추게 된다.
상기 자심(18)은 Mo-퍼멀로이, 퍼멀로이, Fe-Si-Al 합금, Fe-Si 합금, 규소강판, 페라이트, 아몰퍼스 금속 중에서 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예의 적층형 인덕터의 단면의 설명도이다.
적층형 인덕터(20)는 도 2와 마찬가지로 내부에 자성시트의 상면에 도전회로가 형성된 회로층(22)과 랜드층(24) 및 단자층(26)이 형성되고, 내부에 자심(28)이 삽입된 것이다.
이 때, 회로층(22)은 자성시트에 충전된 연자성 분말의 형상이 구형으로서 길이와 폭이 서로 유사함으로써 자기경로(Magnetic path)에 대하여 등방성의 성질을 가지는 등방성 자성시트가 적용되고, 랜드층(24) 및 단자층(26)은 연자성 분말이 플레이크 형태로서 자기경로에 대하여 평행한 방향을 가지는 이방성 자성시트가 적용되어 있다.
회로층(22)이 여러 매일 경우에는 회로층(22) 자체가 내부에는 등방성 자성시트, 상하부에는 다시 이방성 자성시트로 나눠질 수도 있다.
도 3의 적층형 인덕터에서 발생되는 자기경로의 방향은 연자성 분말과의 배열방향과 유효한 관계를 가진다.
즉, 인덕터의 상하부에는 이방성 자성시트가 적용되어 있고, 중앙부에는 등방성 자성시트가 적용되어 있으므로, 자기경로(29)는 그림의 화살표 방향으로 형성되는데 상기 이방성 자성시트의 이방성 합금분말의 길이방향과 자기경로가 평행할 때 인덕턴스가 증가하는 효과가 발생한다.
경우에 따라서는 중앙의 회로층(22)의 측면부분을 이방성 입자가 수직으로 서도록 배열함으로써 자기경로(29)와 평행한 부분을 만들 수도 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예의 단면도이다.
이 실시예는 동선의 도전코일을 자심에 감아서 자성시트 내에 삽입한 적층형 인덕터(70)에 관한 것이다.
즉, 도전회로가 형성되지 않은 자성시트가 적층되어 적층체(72)가 형성되고, 상기 적층체(72)의 내부에 구멍이 형성되고, 그 구멍에 도전코일을 감은 자심(78)이 삽입되고, 그 상하부에 랜드층(74), 단자부(71)가 형성된 단자층(76)이 적층되어 있다.
이하, 본 발명의 인덕터의 제조공정에 대하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 적층형 인덕터의 제조방법의 일실시예를 개략적으로 나타낸 것이다.
구리가 클래드된 자성시트(32)의 표면을 에칭하고 도전회로(34)를 형성하여 회로층(30)을 여러 매 제조한다. 도전회로(34)의 적절한 곳에 드릴로 구멍을 뚫어 비어홀(36)을 형성하고 그 내부를 도전물질로 도금해 놓는다.
여러 매의 회로층(30)을 적층하고 상하에 랜드층(40)인 별도의 구리 클래드 자성시트(42)를 적층하여 적층체를 형성하고, 에칭하여 랜드(44)를 형성하고, 랜드(44)의 내에 드릴 작업하여 비어홀(46)을 만든 후 그 비어홀(46) 내부를 도전물질로 도금한다.
이 때, 자성시트(32)의 양면에 도전회로(34)가 형성된 경우에는 도전회로가 형성되지 않은 자성시트(35)를 개재한다.
이 자성시트(35)는 도전회로(34)가 상하로 맞닿지 않도록 절연체층의 역할을 한다.
상기와 같이 회로층(30)과 랜드층(40)을 적층하여 적층체를 만든 후 적층체의 중앙부에 펀칭 작업하여 중공을 만든 후 자심(50)을 삽입한다.
자심(50) 삽입후 다시 상하측에 단자층(60)인 별도의 구리클래드 자성시트(62)를 적층하고 에칭하여 단자부(64)를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 그 비어홀 내부를 도금한다.
각각 적층된 도전회로 사이는 도금된 비어홀을 통하여 도통되어 전체로 코일 형상의 하나의 회로가 형성된다.
마지막으로, 단자부 이외의 표면 부분에 에폭시 등의 절연체를 도포할 수 있다.
또 다른 실시예로서 도 4에 개시된 도전코일을 감은 자심을 삽입하는 적층형 인덕터를 제조할 수 있다.
위에서 개시한 공정중 구리클래드 자성시트(32) 대신에 구리클래드되지 않은 일반 자성시트를 적용하여 적층하여 적층체(72)를 형성한 후, 내부에 펀칭하여 구멍을 뚫고, 그 구멍에 도전코일을 감은 자심(78)을 삽입한다.
상하에 랜드층(74)인 별도의 구리 클래드 자성시트를 적층하고, 에칭하여 랜드를 형성하고, 랜드 내에 드릴 작업하여 비어홀을 만든 후 그 비어홀 내부를 도전물질로 도금한다.
다시 상하에 단자층(76)인 별도의 구리클래드 자성시트를 적층하고 에칭하여 단자부(71)를 만들고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 그 비어홀 내부를 도금한다.
(발명예 1)
구리가 클래드되며, Fe-Si 자성분말과 EPDM이 혼합되어 이루어진 210×300×0.1 ㎜ 자성시트의 아래위 표면을 50℃ 온도의 염화철용액으로 3분간 에칭하고, 도전회로를 형성하여 회로층을 3매 제조하였다.
도전회로에 정밀 드릴링 머신의 외경 0.2㎜ 드릴 비트를 사용하여 구멍을 뚫어 비어홀을 형성하고 비어홀의 내부를 구리로 도금하였다.
3매의 회로층을 적층하고 상하에 랜드층인 별도의 구리 클래드 자성시트를 적층하고, 에칭하여 랜드를 형성하고, 랜드 내에 드릴 작업하여 비어홀을 만든 후 그 비어홀 내부를 도전물질로 도금하였다.
회로층과 랜드층이 적층된 후 내부에 펀칭 작업하여 1mmφ 홀을 만든 후 퍼멀로이 자심을 삽입하였다.
자심 삽입 후 다시 상하에 단자층인 별도의 구리클래드 자성시트를 적층하고 에칭하여 단자부를 만들고, 드릴하여 비어홀 형성하고 그 비어홀 내부를 도금하였다.
마지막으로, 단자부 이외의 표면 부분에 에폭시를 도포하였다.
(발명예 2)
Fe-Si 자성분말과 EPDM이 혼합되어 이루어진 210×300×0.1 ㎜ 자성시트 3매를 적층한 후 내부에 펀칭 작업하였다.
상기 1mmφ 펀칭 구멍에 0.15 mmφ의 구리선이 감긴 퍼멀로이 자심을 삽입하였다.
상하에 랜드층인 별도의 구리 클래드 자성시트를 적층하고, 에칭하여 랜드를 형성하고, 랜드 내에 드릴 작업하여 비어홀을 만든 후 그 비어홀 내부를 도전물질로 도금하였다.
다시 상하에 단자층인 별도의 구리클래드 자성시트를 적층하고 에칭하여 단자부를 만들고, 드릴하여 비어홀 형성하고 그 비어홀 내부를 도금하였다.
마지막으로, 단자부 이외의 표면 부분에 에폭시를 도포하였다.
(비교예 1)
구리가 클래드되며, Fe-Si 자성분말과 EPDM이 혼합되어 이루어진 210×300×0.1 ㎜ 의 자성시트의 아래위 표면을 50℃ 온도의 염화철용액으로 3분간 에칭하고, 도전회로를 형성하여 회로층을 3매 제조하였다.
도전회로에 정밀 드릴링 머신의 외경 0.2㎜ 드릴 비트를 사용하여 구멍을 뚫어 비어홀을 형성하고 비어홀의 내부를 구리로 도금하였다.
3매의 회로층을 적층하고 상하에 랜드층인 별도의 구리 클래드 자성시트를 적층하고, 에칭하여 랜드를 형성하고, 랜드 내에 드릴 작업하여 비어홀을 만든 후 그 비어홀 내부를 도전물질로 도금하였다.
다시 상하에 단자층인 별도의 구리클래드 자성시트를 적층하고 에칭하여 단자부를 만들고, 드릴하여 비어홀 형성하고 그 비어홀 내부를 도금하였다.
마지막으로, 단자부 이외의 표면 부분에 에폭시를 도포하였다.
상기 발명예들과 비교예의 인덕터 특성 측정결과가 그림 6에 나타나 있다.
동 그래프는 주파수에 따른 인덕턴스의 변화이다.
발명예 1 및 발명예 2가 비교예1에 비하여 주파수에 따른 인덕턴스가 매우 높음을 알 수 있다.
전술한 본 발명의 실시 형태는 단지 예시를 들기 위한 것일 뿐, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다양한 개량 및 변형이 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시예의 적층형 인덕터의 사시도.
도 2는 본 발명의 일실시예인 적층형 인덕터의 단면도.
도 3은 본 발명의 일실시예인 적층형 인덕터의 단면도.
도 4는 본 발명의 일실시예인 적층형 인덕터의 단면도.
도 5는 본 발명의 적층형 인덕터의 제조방법을 설명하는 흐름도.
도 6은 본 발명의 인덕터의 특성을 나타내는 그래프도.
Claims (7)
- 그 표면에 도전회로가 형성된 복수 매의 자성시트가 적층되고,최외부에는 단자부가 형성되고,상기 도전회로 및 상기 단자부는 비어홀을 통하여 도통되어, 코일 형상의 회로가 형성되고,상기 코일 형상의 회로 내부에 구멍이 형성되고 상기 구멍에 자심이 삽입된 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터.
- 복수 매의 자성시트가 적층되고,최외부에는 단자부가 형성되고,상기 적층된 자성시트의 내부에 구멍이 형성되며 상기 구멍에 도전코일이 감긴 자심이 삽입되고,상기 도전코일 및 상기 단자부는 비어홀을 통하여 도통된 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터.
- 제 1 항에 있어서,상기 자성시트는 내부층은 등방성의 분말이 충전된 등방성 자성시트이며, 외부층은 이방성의 금속분말이 충전된 자성시트인 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터.
- 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,상기 자심은 Mo-퍼멀로이, 퍼멀로이, Fe-Si-Al 합금, Fe-Si 합금, 규소강판, 페라이트, 아몰퍼스 금속 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터.
- 구리 클래드 자성시트의 표면을 에칭하여 도전회로를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 상기 비어홀 내부를 도금하여 회로층을 형성하는 단계;상기 회로층을 적층하고, 상기 회로층의 상하측에 랜드층인 구리 클래드 자성시트를 적층하여 적층체를 형성하고, 상기 랜드층을 에칭하여 랜드를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 비어홀을 도금하는 단계;상기 적층체의 중앙부에 펀칭하여 중공을 형성한 후 상기 중공에 자심을 삽입하는 단계;상기 자심이 삽입된 적층체의 상하측에 단자층인 별도의 구리 클래드 자성시트를 적층하고 에칭하여 단자부를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 비어홀을 도금하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 회로층은 등방성의 분말이 충전된 등방성 자성시트가 적용되고, 상기 랜드층 및 상기 단자층은 이방성의 금속분말이 충전된 자성시트가 적용되는 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터의 제조방법.
- 자성시트를 적층하여 적층체를 형성하고, 그 적층체의 중앙부에 펀칭하여 중공을 형성한 후 상기 중공에 도전코일이 감겨진 자심을 삽입하는 단계;상기 적층체의 상하측에 랜드층인 구리 클래드 자성시트를 적층하고, 상기 랜드층을 에칭하여 랜드를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 비어홀을 도금하는 단계;상기 랜드층의 상하측에 단자층인 별도의 구리 클래드 자성시트를 적층하고 에칭하여 단자부를 형성하고, 드릴하여 비어홀을 형성하고 비어홀을 도금하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 자성시트를 이용한 적층형 인덕터의 제조방법.
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