KR20100092508A - 감열형 평판 인쇄판 - Google Patents

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KR20100092508A KR1020107015448A KR20107015448A KR20100092508A KR 20100092508 A KR20100092508 A KR 20100092508A KR 1020107015448 A KR1020107015448 A KR 1020107015448A KR 20107015448 A KR20107015448 A KR 20107015448A KR 20100092508 A KR20100092508 A KR 20100092508A
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Abstract

본 발명은, 기상 현상도 수현상도 필요로 하지 않는 감열형 평판 인쇄판으로서, 선명한 인쇄 화상이 얻어지고, 충분한 내인쇄성을 갖고, 바탕 오염이 개선된 감열형 평판 인쇄판에 관한 것이며, 구체적으로는 내수성 지지체 위에 열가소성 수지, 수용성 고분자 화합물, 및 하기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 화상 형성층을 갖는 감열형 평판 인쇄판에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 스티킹 현상의 발생이 감소된 직접 감열형 평판 인쇄판에 관한 것이다.

Description

감열형 평판 인쇄판{HEAT-SENSITIVE LITHOGRAPHIC PRINTING PLATES}
본 발명은, 대체로 프로세스리스 인쇄판에 관한 것이며, 보다 상세하게는 기상(機上) 현상 처리나 세정에 의한 간이 현상이 불필요하고, 삭마 타입(ablation type)과 같은 폐기물의 발생도 없는 감열 기록에 의해 제판(製版) 가능한 감열형 평판 인쇄판에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터 및 주변 기기의 발달에 따라 각종 디지털 프린터를 사용한 평판 인쇄판의 제판 방법이 제안되어 있다. 이러한 평판 인쇄판의 제판 방법으로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 (평)6-138719호 공보 및 일본 특허 공개 (평)6-250424호 공보에 기재되어 있는 건식 전자 사진법 레이저 프린터에 의해 제판하는 제판 방법, 일본 특허 공개 (평)9-58144호 공보에 기재되어 있는 열용융형 잉크를 사용한 온디맨드 잉크젯 프린터를 사용하여 제판하는 제판 방법, 또는 일본 특허 공개 (소)63-166590호 공보에 기재되어 있는 열전사 잉크 리본을 사용한 서멀 프린터로 제판하는 제판 방법 등이 알려져 있다.
상기 각종 디지털 프린터에 의한 제판 방법은, 종래부터 알려진 할로겐화은 유제층을 갖는 평판 인쇄판의 제판 방법 또는 감광성 수지가 보수성 부여 표면에 도포된 평판 인쇄판의 제판 방법과 상이하며, 취급상 안전광의 제약이 없고, 화상 기록 후에 현상액에 의한 현상 처리를 필요로 하지 않는다는 점에서 간편 용이하게 평판 인쇄판을 제판할 수 있다는 이점이 있다. 이들 디지털 프린터에 의한 제판 방식에 사용되는 인쇄판은, 프로세스리스 인쇄판으로 총칭되고 있다.
그러나, 상기 프로세스리스 인쇄판은 모두 보수성 부여층이 설치된 지지체 표면에 감지성(즉, 평판 인쇄 잉크 착육성)의 기록 화상을 전사함으로써 인쇄판을 형성하고 있기 때문에, 다음과 같은 문제점이 있다.
1) 화상을 형성하는 층이 친수성이기 때문에 토너나 잉크 등의 부착이 충분하지 않고, 예를 들면 전사 토너 화상 농도의 부족, 전사 화상의 화이트 스폿과 같은 문제점이 있다.
2) 전사 화상의 정착성이 충분하지 않고, 내인쇄성도 충분하지 않고, 특히 작은 포인트 문자의 일부, 망점 화상의 작은 포인트 문자의 탈락 등의 문제점이 있다.
3) 비화상부에 소량의 토너가 불규칙하게 전사되거나, 열전사 잉크 리본이 문질러짐으로써 전체적으로 엷은 바탕 오염의 발생 등의 문제점이 있다.
지지체 위에 보수성 부여층을 설치하지 않고 열가소성 수지를 함유하는 화상 형성층을 설치하며, 이것을 가열 인자함으로써 친유성의 화상부를 얻는 방법으로서는, 화상 형성층에 열전사 리본 등을 개재하지 않고 서멀 헤드 등으로 직접 가열 묘화함으로써 친유성의 화상부를 얻는 방법, 또는 적외선 레이저 등으로 가열 묘화함으로써 친유성의 화상부를 얻는 방법이 알려져 있다.
열전사 리본 등을 개재하지 않고 서멀 헤드 등으로 직접 가열 묘화를 행하는 제판 방법에 사용하는 직접 감열형 평판 인쇄판으로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 (소)58-199153호 공보(특허 문헌 1), 또는 일본 특허 공개 (소)59-174395호 공보(특허 문헌 2) 등에 기재되어 있는 수용성 고분자 화합물 및 열용융성 물질을 함유하는 화상 형성층을 갖는 직접 감열형 평판 인쇄판이 알려져 있다. 한편, 적외선 레이저 등으로 가열 묘화함으로써 친유성의 화상부를 얻는 방법에 사용하는 감열형 평판 인쇄판으로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 제2000-190649호 공보(특허 문헌 3), 일본 특허 공개 제2000-301846호 공보(특허 문헌 4) 등에 기재되어 있는 열용융성 입자 또는 열가소성 중합체를 함유하는 화상 형성층을 갖는 감열형 평판 인쇄판이 알려져 있다.
그러나, 이러한 감열형 평판 인쇄판 및 직접 감열형 평판 인쇄판은 일반적으로, 비화상부와 화상부의 친수성/친유성의 차가 충분하지 않기 때문에 선명한 인쇄 화상을 얻기 어렵고, 내인쇄성이 불충분하거나, 바탕 오염되기 쉽다는 문제점을 갖고 있었다. 또한, 상기 특허 문헌 1, 특허 문헌 2 등에 기재되어 있는 직접 감열형 평판 인쇄판은, 서멀 헤드 등으로 직접 가열 묘화되기 때문에, 상기 문제점뿐만 아니라 가열 묘화시에 열용융물이 냉각되어 서멀 헤드에 고착된다는, 소위 스티킹 현상을 일으키기 쉽다는 문제점이 있었다.
높은 화상 농도가 얻어지는 감열형 평판 인쇄판으로서는, 예를 들면 일본 특허 공개 (소)63-64747호 공보(특허 문헌 5)에 기재되어 있는 바와 같은 무기 안료, 열가소성 수지 및 열용융성 물질을 갖는 화상 형성층을 갖는 감열형 평판 인쇄판이 알려져 있다. 또한, 상술한 특허 문헌 3, 특허 문헌 4에는 화상부의 친유성과 비 화상부의 친수성의 균형 개선을 위해, 친유성을 발현하는 열용융성 미립자를 특정한 열전도율을 갖는 물질로 코팅하는 방법이나, 열에 의한 킬레이트 반응을 이용하여 친수성 중합체의 친수기를 소수화하는 고안이 개시되어 있다. 그러나, 모두 반응의 제어가 어렵고, 비화상부와 화상부의 친수성/친유성의 차가 충분하지 않기 때문에 선명한 인쇄 화상을 얻기 어렵고, 내인쇄성이 불충분하거나, 바탕 오염되기 쉽다는 문제점이 있었다.
한편, 일본 특허 공개 (평)6-270572호 공보(특허 문헌 6), 일본 특허 공개 (평)7-25175호 공보(특허 문헌 7)에는, 열분해로 히드록실기를 생성하는 열가소성 물질을 도입함으로써, 스티킹 현상의 발생이 감소된 직접 감열형 평판 인쇄판이 기재되어 있다. 그러나, 모두 화상부의 친유성과 비화상부의 친수성의 차가 충분하지 않았다.
일본 특허 공개 (소)58-199153호 공보 일본 특허 공개 (소)59-174395호 공보 일본 특허 공개 제2000-190649호 공보 일본 특허 공개 제2000-301846호 공보 일본 특허 공개 (소)63-64747호 공보 일본 특허 공개 (평)6-270572호 공보 일본 특허 공개 (평)7-25175호 공보
본 발명의 목적은, 기상 현상도 수현상(水現像)도 필요로 하지 않는 감열형 평판 인쇄판이며, 선명한 인쇄 화상이 얻어지고, 충분한 내인쇄성을 갖고, 바탕 오염이 개선된 감열형 평판 인쇄판을 제공하는 것에 있다. 나아가서는, 스티킹 현상의 발생이 감소된 직접 감열형 평판 인쇄판을 제공하는 것에 있다.
상기 과제는 하기의 수단에 의해 해결되었다.
(1) 내수성 지지체 위에 열가소성 수지, 수용성 고분자 화합물, 및 하기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 화상 형성층을 갖는 감열형 평판 인쇄판.
Figure pct00001
(상기 화학식 1 중,
X1은 -O- 또는-CO-O-를 나타내고,
R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내거나, 또는 R1, R2 및 R3은 서로 결합하여 방향환을 형성하고,
R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내거나, 또는 R4, R5 및 R6은 서로 결합하여 방향환을 형성하고,
n은 1 내지 10의 정수를 나타냄)
Figure pct00002
(상기 화학식 2 중, R7은 알킬기, 아릴기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알킬술포닐기 또는 아릴술포닐기를 나타내고, 화학식 2의 나프탈렌환은 추가로 치환기를 가질 수도 있음)
Figure pct00003
(상기 화학식 3 중,
R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타내고,
X2는 단결합 또는 -O-를 나타내고,
n은 1 내지 4의 정수를 나타냄)
Figure pct00004
(상기 화학식 4 중, R10, R10', R11 및 R11'은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기 또는 아릴옥시기를 나타냄)
(2) 상기 (1)에 있어서, 상기 화상 형성층이 실질적으로 무기 안료를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 감열형 평판 인쇄판.
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 열가소성 수지가 자기 가교 타입의 합성 고무 라텍스인 감열형 평판 인쇄판.
(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 감열형 평판 인쇄판이 직접 감열형 평판 인쇄판인 것을 특징으로 하는 감열형 평판 인쇄판.
본 발명에 따르면, 기상 현상도 수현상도 필요로 하지 않는 감열형 평판 인쇄판이며, 선명한 인쇄 화상이 얻어지고, 충분한 내인쇄성을 갖고, 바탕 오염이 개선된 감열형 평판 인쇄판을 제공할 수 있다. 나아가서는, 스티킹 현상의 발생이 감소된 직접 감열형 평판 인쇄판을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판은 삭마 타입과 같은 폐기물의 발생도 없고, 감열 기록에 의해 제판 가능하다.
본 명세서 중에서 사용되는 경우, 용어 "알킬"은 포화 직쇄 또는 분지쇄의 탄화수소기를 의미하고, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, i-부틸, 2-부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실, 데카닐 등을 들 수 있다.
용어 "알콕시"는, 상기한 바와 같은 포화 직쇄 또는 분지쇄 탄화수소기가 산소 원자를 통해 결합되는 기를 의미한다.
용어 "할로겐"은, 염소, 요오드, 불소 및 브롬을 의미한다.
용어 "아릴"은, 1개 이상의 환이 방향족의 성질인 1개 또는 2개의 축합환으로 이루어지는 1가의 환식 방향족 탄화수소기를 의미하고, 예를 들면 페닐, 벤질, 나프틸 또는 비페닐을 들 수 있다.
본 발명의 평판 인쇄판에서, 화상 형성층이 열가소성 수지, 수용성 고분자 화합물, 및 상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 함유함으로써, 화상 형성층면을 열인가했을 때의 열가소성 수지의 용융 개시 온도가 낮아진다. 이에 따라, 보다 작은 에너지로 판면에 우수한 친유성을 갖는 화상부를 제공하기 때문에, 선명한 인쇄 화상이 얻어지고, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판은 충분한 내인쇄성을 갖는다. 이와 같이, 본 발명의 상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물은, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판에 충분한 내인쇄성을 부여하는 데 매우 효과적이다. 또한, 상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물은, 비화상부의 친수성을 저하시키지 않는다는 매우 특이적인 효과를 갖는다. 이에 따라, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판은 선명한 인쇄 화상을 제공할 수 있으며, 충분한 내인쇄성을 갖고, 바탕 오염이 개선되어 있다. 또한, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판이 직접 감열형 평판 인쇄판인 경우, 상기 효과뿐만 아니라 스티킹 현상도 개선한다는 매우 우수한 효과가 얻어진다. 본 명세서 중에서 사용되는 경우, 직접 감열형 평판 인쇄판이란 서멀 헤드 등으로 직접 가열 묘화를 행하는 제판 방법에 사용하는 감열형 평판 인쇄판을 말한다.
이하, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물에 대하여 설명한다.
<화학식 1>
Figure pct00005
(상기 화학식 중,
X1은 -O- 또는 -CO-O-를 나타내고,
R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내거나, 또는 R1, R2 및 R3은 서로 결합하여 방향환을 형성할 수도 있고,
R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내거나, 또는 R4, R5 및 R6은 서로 결합하여 방향환을 형성할 수도 있고,
n은 1 내지 10의 정수를 나타냄)
본 발명의 바람직한 실시 형태에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, X1이 -O-인 화합물이다. 본 발명의 보다 바람직한 실시 형태에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, R1 및 R6이 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, R2, R3, R4 및 R5가 수소 원자이고, n이 1 내지 4의 정수인 화합물이다. 바람직한 배합량은, 열가소성 수지의 양에 대하여 30 내지 130 질량％이고, 더욱 바람직하게는 50 내지 100 질량％이다. 이 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 다른 열용융성 물질과 병용할 수도 있다.
이러한 화학식 1로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면 하기의 화합물이 예시되지만, 본 발명은 이들로 한정되지 않는다.
(1) 1-(1-나프톡시)-2-페녹시에탄;
(2) 1-(2-나프톡시)-4-페녹시부탄;
(3) 1-(2-이소프로필페녹시)-2-(2-나프톡시)에탄;
(4) 1-(4-메틸페녹시)-3-(2-나프톡시)프로판;
(5) 1-(2-메틸페녹시)-2-(2-나프톡시)에탄;
(6) 1-(3-메틸페녹시)-2-(2-나프톡시)에탄;
(7) 1-(2-나프톡시)-2-페녹시에탄;
(8) 1-(2-나프톡시)-6-페녹시헥산;
(9) 1-페녹시-2-(2-페닐페녹시)에탄;
(10) 1-(2-메틸페녹시)-2-(4-페닐페녹시)에탄;
(11) 1,4-디페녹시부탄;
(12) 1,4-비스(4-메틸페녹시)부탄;
(13) 1,2-디(3,4-디메틸페녹시)에탄;
(14) 1-페녹시-3-(4-페닐페녹시)프로판;
(15) 1-(4-tert-부틸페녹시)-2-페녹시에탄;
(16) 1,2-디페녹시에탄;
(17) 1-(4-메틸페녹시)-2-페녹시에탄;
(18) 1-(2,3-디메틸페녹시)-2-페녹시에탄;
(19) 1-(3,4-디메틸페녹시)-2-페녹시에탄;
(20) 1-(4-에틸페녹시)-2-페녹시에탄;
(21) 1-(4-이소프로필페녹시)-2-페녹시에탄;
(22) 1,2-비스(2-메틸페녹시)에탄;
(23) 1-(2-메틸페녹시)-2-(4-메틸페녹시)에탄;
(24) 1-(4-tert-부틸페녹시)-2-(2-메틸페녹시)에탄;
(25) 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄;
(26) 1-(3-메틸페녹시)-2-(4-메틸페녹시)에탄;
(27) 1-(4-에틸페녹시)-2-(3-메틸페녹시)에탄;
(28) 1,2-비스(4-메틸페녹시)에탄;
(29) 1-(2,3-디메틸페녹시)-2-(4-메틸페녹시)에탄;
(30) 1-(2,5-디메틸페녹시)-2-(4-메틸페녹시)에탄;
(31) 페녹시아세트산-2-나프틸;
(32) 2-나프톡시아세트산-4-메틸페닐; 및
(33) 2-나프톡시아세트산-3-메틸페닐.
이어서, 화학식 2로 표시되는 화합물에 대하여 설명한다.
<화학식 2>
Figure pct00006
(상기 화학식 중, R7은 알킬기, 아릴기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알킬술포닐기 또는 아릴술포닐기를 나타내고, 식 중의 나프탈렌환은 추가로 치환기를 가질 수도 있고, 바람직한 치환기의 예로서는, 알킬기, 아릴기, 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 카르바모일기, 술파모일기 등을 들 수 있음)
본 발명의 바람직한 실시 형태에서 상기 화학식 2의 화합물은, R7이 탄소수 4 내지 20의 알킬기, 탄소수 4 내지 24의 아릴기, 탄소수 2 내지 20의 알킬카르보닐기 또는 탄소수 7 내지 20의 아릴카르보닐기인 화합물이다. 본 발명의 보다 바람직한 실시 형태에서 상기 화학식 2의 화합물은, 나프탈렌환이 추가로 가질 수도 있는 치환기가 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알킬옥시카르보닐기, 탄소수 7 내지 20의 아릴옥시카르보닐기 또는 탄소수 2 내지 25의 카르바모일기인 화합물이다. 바람직한 배합량은 열가소성 수지의 양에 대하여 30 내지 130 질량％이고, 더욱 바람직하게는 50 내지 100 질량％이다. 이 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 다른 열용융성 물질과 병용할 수도 있다.
이러한 화학식 2로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면 하기의 화합물이 예시되지만, 본 발명은 이들로 한정되지 않는다.
(1) 1-벤질옥시나프탈렌;
(2) 2-벤질옥시나프탈렌;
(3) 2-p-클로로벤질옥시나프탈렌;
(4) 2-p-이소프로필벤질옥시나프탈렌;
(5) 2-도데실옥시나프탈렌;
(6) 2-데카노일옥시나프탈렌;
(7) 2-미리스토일옥시나프탈렌;
(8) 2-p-tert-부틸벤조일옥시나프탈렌;
(9) 2-벤조일옥시나프탈렌;
(10) 2-벤질옥시-3-N-(3-도데실옥시프로필)카르바모일나프탈렌;
(11) 2-벤질옥시-3-N-옥틸카르바모일나프탈렌;
(12) 2-벤질옥시-3-도데실옥시카르보닐나프탈렌; 및
(13) 2-벤질옥시-3-p-tert-부틸페녹시카르보닐나프탈렌.
이어서, 화학식 3으로 표시되는 화합물에 대하여 설명한다.
<화학식 3>
Figure pct00007
(상기 화학식 중,
R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타내고,
X2는 단결합 또는 -O-를 나타내고,
n은 1 내지 4의 정수를 나타냄)
이러한 화학식 3으로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면 하기의 화합물이 예시되지만, 본 발명은 이들로 한정되지 않는다.
(1) 옥살산디벤질;
(2) 옥살산디(p-메틸벤질);
(3) 옥살산디(p-클로로벤질);
(4) 옥살산디(m-메틸벤질);
(5) 옥살산디(p-에틸벤질);
(6) 옥살산디(p-메톡시벤질);
(7) 옥살산비스(2-페녹시에틸);
(8) 옥살산비스(2-o-클로로페녹시에틸);
(9) 옥살산비스(2-p-클로로페녹시에틸);
(10) 옥살산비스(2-p-에틸페녹시에틸);
(11) 옥살산비스(2-m-메톡시페녹시에틸);
(12) 옥살산비스(2-p-메톡시페녹시에틸); 및
(13) 옥살산비스(4-페녹시부틸).
이들 예시 화합물 중에서 바람직한 구체예로서는, 옥살산디벤질, 옥살산디(p-메틸벤질), 옥살산디(p-클로로벤질), 옥살산디(m-메틸벤질), 옥살산디(p-에틸벤질) 및 옥살산디(p-메톡시벤질)을 들 수 있다. 바람직한 배합량은 열가소성 수지의 양에 대하여 30 내지 130 질량％이고, 더욱 바람직하게는 50 내지 100 질량％이다. 이 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 다른 열용융성 물질과 병용할 수도 있다.
이하, 화학식 4로 표시되는 화합물에 대하여 설명한다.
<화학식 4>
Figure pct00008
(상기 화학식 중, R10, R10', R11 및 R11'은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기 또는 아릴옥시기를 나타냄)
이러한 화학식 4로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면 하기의 화합물이 예시되지만, 본 발명은 이들로 한정되지 않는다.
(1) 1,2-디페녹시메틸벤젠;
(2) 1,3-디페녹시메틸벤젠;
(3) 1,4-디(2-메틸페녹시메틸)벤젠;
(4) 1,4-디(3-메틸페녹시메틸)벤젠;
(5) 1,3-디(4-메틸페녹시메틸)벤젠;
(6) 1,3-디(2,4-디메틸페녹시메틸)벤젠;
(7) 1,3-디(2,6-디메틸페녹시메틸)벤젠;
(8) 1,4-디(2-클로로페녹시메틸)벤젠;
(9) 1,2-디(4-클로로페녹시메틸)벤젠;
(10) 1,3-디(4-클로로페녹시메틸)벤젠;
(11) 1,2-디(4-옥틸페녹시메틸)벤젠;
(12) 1,3-디(4-옥틸페녹시메틸)벤젠;
(13) 1,3-디(4-이소프로필페닐페녹시메틸)벤젠; 및
(14) 1,4-디(4-이소프로필페닐페녹시메틸)벤젠.
이들 예시 화합물 중에서 바람직한 구체예로서는, 1,2-디페녹시메틸벤젠, 1,4-디(2-메틸페녹시메틸)벤젠, 1,4-디(3-메틸페녹시메틸)벤젠 및 1,4-디(2-클로로페녹시메틸)벤젠을 들 수 있다. 바람직한 배합량은 열가소성 수지의 양에 대하여 30 내지 130 질량％이고, 더욱 바람직하게는 50 내지 100 질량％이다. 이 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 다른 열용융성 물질과 병용할 수도 있다.
화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물 중에서도, 우수한 내인쇄성이 얻어진다는 점에서 화학식 1, 2 및 4로 표시되는 화합물이 바람직하고, 나아가서는 화학식 1 및 2로 표시되는 화합물이 바람직하고, 화학식 1로 표시되는 화합물이 가장 바람직하다. 또한, 이들 화합물은 각각 단독으로 사용할 수도 있고, 조합하여 사용할 수도 있다.
상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물은, 상온에서 고체인 물질이다. 열에 의한 반응성을 높이기 위해, 이들 화합물을 미분산 처리하여 사용하는 것이 바람직하다. 미분산 처리는, 일반적으로 도료 제조시에 사용되는 습식 분산 방식에 의해 행하는 것이 가능하고, 예를 들면 롤밀, 콜로이드밀, 볼밀, 아트라이터, 샌드밀 등의 비드밀 등을 사용할 수 있다. 비드밀에서의 비드로서는, 지르코니아, 티타니아, 알루미나 등의 세라믹 비드, 크롬, 스틸 등의 금속 비드, 또는 유리 비드 등을 사용할 수 있다. 미분산 처리에 의해 얻어지는 화합물의 분산 입경은 메디안 직경으로 0.1 내지 1.2 ㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3 내지 0.8 ㎛이다. 또한, 메디안 직경이란, 입자체의 하나의 집단 전체 부피를 100 ％로 하여 누적 곡선을 구했을 때, 누적 곡선이 50 ％가 되는 점의 입경(누적 평균 직경)이고, 입도 분포를 평가하는 매개 변수의 하나로서 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치 LA920((주)호리바 세이사꾸쇼 제조) 등을 사용하여 측정할 수 있다.
상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물과 병용할 수 있는 열용융성 물질로서는, 융점이 50 내지 150 ℃인 유기 화합물이 바람직하고, 예를 들면 카르나우바 왁스, 미소 결정질 왁스, 파라핀 왁스, 폴리에틸렌 왁스 등의 왁스류, 라우르산, 스테아르산, 올레산, 팔미트산, 베헨산, 몬탄산 등의 지방산 및 그의 에스테르 또는 아미드류 등을 사용할 수 있다. 융점이 50 ℃ 미만이면 제조 공정 중에 용융되어 인쇄물의 바탕 오염의 원인이 되는 경우가 있다. 한편, 융점이 150 ℃를 초과하면 서멀 헤드 등의 열인가에 의해 용융하기 어렵고, 친유성의 발현이 부족한 경우가 있다. 또한, 이들 열용융성 물질과 상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물을 병용하는 경우, 열용융성 물질의 첨가량은 상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물의 양에 대하여 30 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 15 질량％ 이하이다.
본 발명의 감열형 평판 인쇄판이 갖는 화상 형성층은, 열가소성 수지를 함유한다. 이러한 열가소성 수지로서는 쇄상 중합체로 이루어지고, 가열에 의해 가소성을 나타내는 고체상의 유기 고분자 화합물을 말한다. 본 발명의 열가소성 수지는, 화상 형성층을 형성시키기 위해 사용하는 도공액 중에 열가소성 수지 수분산체로서 첨가하고, 상기 도공액을 도포, 건조함으로써 화상 형성층 중에 열가소성 수지 입자로서 존재시킨다. 열가소성 수지의 대표예로서는, 스티렌 부타디엔 공중합체, 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 메틸메타크릴레이트 부타디엔 공중합체, 스티렌 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체, 스티렌 메틸메타크릴레이트 부타디엔 공중합체 등의 합성 고무 라텍스 및 그의 변성물을 들 수 있다. 합성 고무 라텍스의 변성물로서는, 아미노 변성물, 폴리에테르 변성물, 에폭시 변성물, 지방산 변성물, 카르보닐 변성물, 카르복시 변성물 등을 들 수 있다. 열가소성 수지의 다른 예로서는, 스티렌 말레산 무수물 공중합체, 메틸비닐에테르 말레산 무수물 공중합체, 폴리아크릴산 공중합체, 폴리스티렌, 스티렌/아크릴산에스테르 공중합체, 폴리아크릴산에스테르, 폴리메타크릴산에스테르, 아크릴산에스테르/아크릴산에스테르 공중합체, 및 저융점 폴리아미드 수지 등도 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 인쇄 잉크의 비히클(결합제 성분)과의 친화성으로부터, 이러한 열가소성 수지로서는 합성 고무 라텍스가 바람직하게 사용된다. 이러한 합성 고무 라텍스로서는, 내인쇄성의 관점에서 열이 가해졌을 때 자기 가교하는 자기 가교 타입의 합성 고무 라텍스가 바람직하다. 자기 가교 타입이란, 가교제의 존재 없이도 열에 의해 삼차원 망상화하는 것이 가능한 종류를 말한다. 이러한 자기 가교 타입의 합성 고무 라텍스는, 제조할 때 공중합 성분 중에 카르복실기, 수산기, 메틸올아미드기, 에폭시기, 카르보닐기, 아미노기 등의 반응성 관능기를 존재시킴으로써 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판이 직접 감열형 평판 인쇄판인 경우, 상기 화상 형성층은 최외층인 것이 바람직하다. 인쇄시에 화상 형성층은, 친유성의 화상부를 갖는 층임과 동시에 친수성의 비화상부를 갖는 층으로서 작용한다. 따라서, 상기 자기 가교 타입의 합성 고무 라텍스가 갖는 반응성 관능기로서는 카르복실기, 수산기, 및 아미노기가 바람직하고, 카르복실기가 보다 바람직하다. 이에 따라, 화상부는 열에 의해 자기 가교함으로써 양호한 내인쇄성이 얻어짐과 동시에, 열이 가해지지 않은 비화상부는 우수한 보수성이 얻어지기 때문에 바람직하다. 특히 바람직한 자기 가교 타입의 합성 고무 라텍스는, 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체이다. 열가소성 수지의 바람직한 배합량으로서는, 화상 형성층의 전체 고형분량에 대하여 5 내지 50 질량％가 바람직하고, 10 내지 40 질량％가 더욱 바람직하다. 또한, 열에 의한 용융, 융착 효과를 발현하기 쉽게 하기 위해서는, 열가소성 수지의 유리 전이 온도가 50 내지 150 ℃인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 55 내지 120 ℃이다. 유리 전이 온도가 50 ℃ 미만이면 제조 공정 중에 액상에 상 변화를 일으키고, 비화상부에도 친유성이 발현되기 때문에, 인쇄 바탕 오염의 원인이 되는 경우가 있다. 또한, 유리 전이 온도가 150 ℃를 초과하는 경우에는, 중합체의 열용융이 발생하기 어렵고, 비교적 소출력의 레이저나 소형 서멀 프린터에서는 강고한 화상을 형성하는 것이 곤란해지는 경우가 있다.
본 발명의 감열형 평판 인쇄판이 갖는 화상 형성층은, 수용성 고분자 화합물을 함유한다. 이러한 수용성 고분자 화합물로서는, 예를 들면 폴리비닐 알코올 및 그의 변성물(예를 들면, 카르복시 변성 폴리비닐 알코올, 아세토아세틸기 변성 폴리비닐 알코올, 실라놀 변성 폴리비닐 알코올), 히드록시에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 전분 및 그의 유도체, 젤라틴, 카제인, 알긴산 소다, 폴리비닐피롤리돈, 스티렌ㆍ말레산 공중합체염, 스티렌ㆍ아크릴산 공중합체염 등이 예시된다. 이들 수용성 고분자 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 특히, 피막 형성이 풍부한 젤라틴이나, 폴리비닐 알코올 및 그의 변성물이 비화상부의 친수성 유지에 바람직하기 때문에 선택된다. 이러한 수용성 고분자 화합물의 배합량은 화상 형성층의 전체 고형분량에 대하여 0.5 내지 30 질량％가 바람직하고, 3 내지 25 질량％로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 비화상부의 내수성 및 기계적 강도를 향상시키기 위해, 화상 형성층은 상기 수용성 고분자 화합물의 종류에 따라 경화제(내수화제)를 함유하는 것이 바람직하다. 경화제로서는, 수지의 가교를 촉진시킴으로써 내수성을 부여하는 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면 멜라민 수지, 에폭시 수지, 폴리이소시아네이트 화합물, 알데히드 화합물, 실란 화합물, 크롬 명반, 디비닐술폰 등을 들 수 있다. 특히, 수용성 고분자 화합물이 젤라틴인 경우 경화제는 디비닐술폰이 바람직하게 사용되며, 수용성 고분자 화합물이 폴리비닐 알코올인 경우 경화제는 글리옥살이 바람직하게 사용된다. 또한, 필요한 내수성 및 기계적 강도를 얻고, 보존했을 때의 시간 경과에 따른 특성 변동을 회피하기 위해, 경화제의 배합량은 상기 수용성 고분자 화합물의 고형분량에 대하여 1 내지 30 질량％가 바람직하고, 나아가서는 2 내지 15 질량％로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 감열형 평판 인쇄판의 화상 형성층은, 상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상, 열가소성 수지, 및 수용성 고분자 화합물뿐만 아니라, 추가로 광열변환 물질을 함유할 수 있다. 이에 따라, 서멀 헤드뿐만 아니라 적외선 레이저 등의 활성광에 의한 인쇄판으로의 기록이 가능해진다. 이 관점에서, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판의 화상 형성층은 광열변환 물질을 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명에 사용할 수 있는 광열변환 물질로서는, 효율적으로 빛을 흡수하여 열로 변환하는 재료가 바람직하다. 사용하는 광원에 따라 상이하지만, 예를 들면 근적외광을 방출하는 반도체 레이저를 광원으로서 사용하는 경우 광열변환 물질로서는, 근적외에 흡수대를 갖는 근적외광 흡수제가 바람직하고, 예를 들면 카본 블랙, 시아닌계 색소, 폴리메틴계 색소, 아줄레늄계 색소, 스쿠아릴리움계 색소, 티오피릴륨계 색소, 나프토퀴논계 색소, 안트라퀴논계 색소 등의 유기 화합물, 프탈로시아닌계, 아조계, 티오아미드계의 유기 금속 착체, 또는 철분, 흑연 분말, 산화철 분말, 산화연, 산화은, 산화크롬, 황화철, 황화크롬 등의 금속 화합물류 등을 들 수 있다.
본 발명의 감열형 평판 인쇄판은, 시인성 확보를 위해 일반적인 감열 인쇄 용지나 감압 인쇄 용지에 사용되는 페놀 유도체나 방향족 카르복실산 유도체 등의 현색제나 발색제(전자 공여성 염료 전구체)를 함유시킬 수 있다.
본 발명에서 사용할 수 있는 현색제로서 구체적으로는, 4-페닐페놀, 4-쿠밀페놀, 히드로퀴논모노벤질에테르, 4,4'-이소프로필리덴디페놀, 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산, 4,4'-디히드록시디페닐-2,2-부탄, 4,4'-디히드록시디페닐메탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)-4-메틸펜탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)헵탄, 비스(4-히드록시페닐티오에톡시)메탄, 1,5-디(4-히드록시페닐티오)-3-옥사펜탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 1,4-비스〔α-메틸-α-(4'-히드록시페닐)에틸〕벤젠, 1,3-비스〔α-메틸-α-(4'-히드록시페닐)에틸〕벤젠, 4,4'-디히드록시디페닐술피드, 디(4-히드록시-3-메틸페닐)술폰, 4-히드록시-4'-메틸디페닐술폰, 4-히드록시-4'-이소프로폭시디페닐술폰, 2,4'-디히드록시디페닐술폰, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 비스(3-알릴-4-히드록시페닐)술폰, 4-히드록시페닐-4'-벤질옥시페닐술폰, 4-히드록시-3',4'-테트라메틸렌비페닐술폰, 3,4-디히드록시페닐-p-톨릴술폰, 4,4'-디히드록시벤조페논, 4-히드록시벤조산벤질, N,N'-디-m-클로로페닐티오요소, N-(페녹시에틸)-4-히드록시페닐술폰아미드 등의 페놀성 화합물; 4-〔3-(p-톨릴술포닐)프로필옥시〕살리실산, 4-〔2-(p-메톡시페녹시)에틸옥시〕살리실산, 5-〔p-(2-p-메톡시페녹시에톡시)쿠밀〕살리실산, p-클로로벤조산 등의 방향족 카르복실산 및 그의 금속염; 나아가서는 티오시안산아연의 안티피린 착체 등의 유기 산성 물질 등이 예시된다.
본 발명의 감열형 평판 인쇄판에 사용할 수 있는 발색제(전자 공여성 염료 전구체)의 구체적인 예는, (1) 트리아릴메탄계 화합물로서, 3,3'-비스(p-디메틸아미노페닐)-6-디메틸아미노프탈라이드(크리스탈ㆍ바이올렛ㆍ락톤), 3,3'-비스(p-디메틸아미노페닐)프탈라이드, 3-(p-디메틸아미노페닐)-3-(1,2-디메틸인돌-3-일)프탈라이드, 3-(p-디메틸아미노페닐)-3-(2-메틸인돌-3-일)프탈라이드, 3-(p-디메틸아미노페닐)-3-(2-페닐인돌-3-일)프탈라이드, 3,3-비스-(1,2-디메틸인돌-3-일)-5-디메틸아미노프탈라이드, 3,3-비스(1,2-디메틸인돌-3-일)-6-디메틸아미노프탈라이드, 3,3-비스(9-에틸카르바졸-3-일)-5-디메틸아미노프탈라이드, 3,3-비스(2-페닐인돌-3-일)-5-디메틸아미노프탈라이드, 3-p-디메틸아미노페닐-3-(1-메틸피롤-2-일)-6-디메틸-아미노프탈라이드 등; (2) 디페닐메탄계 화합물로서, 4,4'-비스-디메틸아미노벤즈히드린벤질에테르, N-할로페닐 류코아우라민, N-2,4,5-트리클로로페닐 류코아우라민 등; (3) 크산텐계 화합물로서, 로다민 B-아닐리노락탐, 로다민 B-p-니트로아닐리노락탐, 로다민 B-p-클로로아닐리노락탐, 3-디에틸아미노-7-디벤질아미노플루오란, 3-디에틸아미노-7-옥틸아미노플루오란, 3-디에틸아미노-7-페닐플루오란, 3-디에틸아미노-7-(3,4-디클로로아닐리노)플루오란, 3-디에틸아미노-7-(2-클로로아닐리노)플루오란, 3-디에틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 3-디부틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 3-피페리디노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 3-에틸-톨릴아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 3-에틸-톨릴아미노-6-메틸-7-페네틸플루오란, 3-디에틸아미노-7-(4-니트로아닐리노)플루오란 등; (4) 티아진계 화합물로서, 벤조일류코메틸렌 블루, p-니트로벤조일류코메틸렌 블루 등; (5) 스피로계 화합물로서, 3-메틸-스피로-디나프토피란, 3-에틸-스피로-디나프토피란, 3,3'-디클로로-스피로-디나프토피란, 3-벤질-스피로-디나프토피란, 3-메틸나프토-(3-메톡시-벤조)-스피로피란, 3-프로필-스피로-디벤조피란 등을 들 수 있다. 또한, 이들을 2종 이상 병용할 수도 있다.
본 발명의 감열형 평판 인쇄판이 직접 감열형 평판 인쇄판인 경우, 상기 화상 형성층은 최외층인 것이 바람직하다. 이 경우 최외층은, 인쇄시에 친유성의 화상부를 갖는 층임과 동시에 친수성의 비화상부를 갖는 층으로서 작용한다. 일반적으로 서멀 헤드 등에 의해 가열 묘화를 행하면, 화상 형성층 중에 포함되는 열용융성 물질이나 열가소성 입자는 어떠한 온도 이상에서 용융된다. 이 용융물이 서멀 헤드에 결착ㆍ고착된 것이 헤드 찌꺼기이며, 이것이 인쇄판과의 사이에서 고착되어 스티킹을 일으켜 화상에 백색 줄무늬를 발생시키거나, 인자 소음이 커지기도 한다. 그러나, 본 발명에서는, 상술한 바와 같이 직접 감열형 평판 인쇄판의 화상 형성층이 상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 함유함으로써, 선명한 인쇄 화상이 얻어지고, 충분한 내인쇄성을 갖고, 바탕 오염이 감소되는 효과뿐만 아니라, 스티킹 현상도 개선된다는 매우 우수한 효과가 얻어진다.
종래, 감열 인쇄 용지 등에서는, 일반적으로 이산화규소, 산화아연, 이산화티탄, 수산화알루미늄, 탄산칼슘 등의 흡유성이 높은 무기 안료가 화상 묘화상 지장없도록 처방되며, 무기 안료에 이들 열용융물을 흡착시킴으로써 서멀 헤드와의 결착ㆍ고착을 방지하여 스티킹 현상을 개선하고 있다. 그러나, 감열형 평판 인쇄판의 화상 형성층이 상기 무기 안료를 함유한 경우, 내인쇄성이 저하되는 경향이 있다. 따라서, 본 발명에서, 화상 형성층은 무기 안료를 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다. 여기서, "무기 안료를 실질적으로 포함하지 않는다"는 것은, 화상 형성층의 전체 고형분량에 대하여 상기 무기 안료의 배합량이 10 질량％ 미만인 것을 의미하고, 5 질량％ 미만인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 감열형 평판 인쇄판이 갖는 화상 형성층은, 화상부의 내인쇄성, 비화상부의 내수성 및 기계적 강도의 관점에서, 건조 막 두께로서 0.5 내지 20 ㎛인 것이 바람직하고, 1 내지 10 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 감열형 평판 인쇄판이 갖는 내수성 지지체로서는, 플라스틱 필름, 수지 피복지, 내수지 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 폴리에테르술폰, 폴리에스테르, 폴리(메트)아크릴레이트, 폴리카르보네이트, 폴리아미드 및 폴리염화비닐 등의 플라스틱 필름; 이들 플라스틱을 표면에 라미네이트나 코팅한 수지 피복지; 멜라민포름알데히드 수지, 요소포름알데히드 수지, 에폭시화폴리아미드 수지 등의 습윤 지력제에 의해 내수화된 종이를 들 수 있다.
본 발명의 내수성 지지체의 두께는, 감열 제판 장치의 기록 적성 및 평판 인쇄기 적성 등의 관점에서 100 내지 300 ㎛ 정도가 바람직하다.
이러한 내수성 지지체의 표면은, 화상 형성층과의 접착성을 높이기 위해 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, 원자외선 조사 처리, 언더코팅 처리 등의 처리를 실시할 수도 있다. 언더코팅 처리에 의해 내수성 지지체 위에 설치되는 언더코팅층은, 폴리비닐부티랄 등의 아세탈 수지, 분자쇄 말단에 히드록실기를 갖는 폴리에스테르 수지, (메트)아크릴산(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 염화비닐리덴ㆍ염화비닐 공중합체 등으로부터 선택되는 수지를 함유할 수 있다. 언더코팅층의 두께는, 통상적으로 건조 막 두께로서 0.1 내지 10 ㎛ 정도인 것이 바람직하다.
본 발명의 감열형 평판 인쇄판은 화상 형성층의 각 소재를 혼합하고, 상기 혼합물을 적당한 용제에 용해 또는 분산시켜 도공액을 얻고, 상기 도공액을 내수성 지지체 위에 공지된 코팅 방법으로 도공하고, 건조함으로써 제조할 수 있다. 바람직한 용제는 물이다. 단, 건조시의 열로 화상 형성층 (및 중간층)이 열변성되지 않 도록 하기 위해, 건조 처리는 50 ℃ 이하의 분위기에서 30초 내지 10분 정도 행하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판은, 상술한 바와 같이 화상 형성층과 지지체의 접착성을 개선하기 위해 언더코팅층을 설치할 수도 있다. 또한, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판에, 필요에 따라 도전성, 대전 방지성 개선의 기능을 부가하거나, 인쇄판으로서의 컬링을 방지하는 컬링 방지층, 원하는 컬링을 부여하는 컬링 촉진층 등을 복수로 설치할 수 있다.
이어서, 상술한 본 발명의 감열형 평판 인쇄판을 사용한 제판 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 감열형 평판 인쇄판은, 감열형의 화상 형성층을 갖는다. 본 발명의 감열형 평판 인쇄판에서 화상 형성층이 광열 변환 물질을 함유하는 경우, 예를 들면 760 nm 내지 1200 nm의 적외광을 포함하는 빛을 조사함으로써 화상부를 형성하는 것이 가능하다. 또한, 적외선을 방사하는 고체 레이저 및 반도체 레이저에 의해 화상부를 형성하는 것이 바람직하다. 특히 레이저 노광에 따르면, 컴퓨터의 디지털 정보로부터 직접 원하는 화상 형태의 기록이 가능해진다. 또한, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판에서는, 서멀 헤드나 히트 블록 등에 의해 화상 형성층을 직접 열로 묘화하여 화상부를 형성하는 것도 가능하다. 서멀 헤드에 따르면, 컴퓨터의 디지털 정보로부터 직접 원하는 화상 형태의 기록이 가능해진다.
서멀 헤드를 사용하는 경우에는, 후막 또는 박막의 라인 헤드를 사용한 라인 프린터나, 박막의 시리얼 헤드를 사용한 시리얼 프린터 등을 사용할 수 있다. 기록 에너지 밀도는, 10 내지 100 mJ/㎟인 것이 바람직하다. 또한, 비교적 고품질인 출력 화상을 얻기 위해서는, 헤드의 화상 기록 밀도가 300 dpi 이상인 것이 바람직하다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시예에서 "부" 및 "％"는, 특별히 언급하지 않는 한 "질량부" 및 "질량％"를 나타낸다.
(실시예 1)
화학식 1의 화합물로서 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄(산코(주) 제조, KS-232), 현색제: 4-히드록시-4'-이소프로폭시디페닐술폰(니혼 소다(주) 제조, D-8), 및 발색제: 3-디부틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란(야마모토 가세이(주) 제조, ODB2)을 사전에 각각 소형 다이노밀(비드밀)로 지르코니아 비드를 사용하여 고형분 농도 30 ％로 미분산 처리하여, 각각 분산액 1(화학식 1의 화합물), 분산액 2(현색제), 분산액 3(발색제)을 제조하였다. 분산액 1의 분산 입경(메디안 직경)을 (주)호리바 세이사꾸쇼 제조, LA920을 사용하여 측정한 바, 0.52 ㎛였다. 이어서, 하기 처방으로 화상 형성층 도공액 1을 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 1]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ화학식 1의 화합물: 분산액 1(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지를 코로나 방전 가공한 후, 상기 처방으로 이루어지는 화상 형성층 도공액을 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에, 다이렉트 서멀 프린터(도시바 테크(주), 바코드 프린터 B-433 라인형 서멀 헤드, 300 dpi)의 테스트 인자 모드(인쇄 속도 2 인치/초, 인가 에너지 18.6 mJ/㎟)로 화상을 기록하였다. 이어서, 이 인쇄판을 오프셋 인쇄기(하마다 H234C: 하마다 인사쯔 기까이), 잉크; 뉴챔피온 F-그로스 잉크 N: 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 급습액; SLM-OD30: 미쯔비시 세이시(주), 3 ％ 희석액을 사용하여 인쇄를 행하여, 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다.
스티킹은, 인쇄물의 흑색 솔리드부에 인쇄 방향과는 직각 방향으로 발생하는 백색 줄무늬의 유무로 판정하였다. 인쇄 성능의 평가는 (1) 화상의 선명함, (2) 인쇄 바탕 오염, (3) 내인쇄성의 3가지 항목을 하기와 같이 평가하였다.
(1) 화상의 선명함
인쇄 개시 후 20매째에서의 인쇄 화상(10 포인트 문자) 농도와 윤곽의 선명함으로 판정.
○ㆍㆍㆍㆍ문자 농도가 높고, 윤곽도 선명
△ㆍㆍㆍㆍ문자 농도는 높지만, 윤곽이 불선명
×ㆍㆍㆍㆍ문자 농도가 낮고, 윤곽도 불선명
(2) 인쇄 바탕 오염
인쇄 개시 후 100매째에서의 백그라운드의 오염 정도에 따라 판정.
○ㆍㆍㆍㆍ전혀 오염 없음.
△ㆍㆍㆍㆍ미소한 반점 오염이 약간 발생함(상업적 인쇄 가능 레벨)
×ㆍㆍㆍㆍ전면에 오염 발생(상업적 인쇄 불가 레벨)
(3) 내쇄매수
인쇄물의 화상부에 잉크 착육 불량이 나타날 때까지의 개략 매수를 100매 단위로 판정.
상기 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2)
실시예 1의 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄을 1,2-디페녹시에탄(산코(주) 제조, KS-235)으로 변경하고, 수용성 고분자 화합물을 젤라틴으로부터 실라놀 변성 폴리비닐 알코올((주)쿠라레 제조, R1130)로 변경하고, 경화제를 글리옥살로 변경하여, 하기 처방으로 이루어지는 화상 형성층 도공액 2를 제조하였다. 1,2-디페녹시에탄은 사전에 소형 다이노밀(비드밀)로 지르코니아 비드를 사용하여 고형분 농도 30 ％로 미분산 처리하여, 분산액 4를 제조하였다. 분산액 4의 분산 입경(메디안 직경)은 (주)호리바 세이사꾸쇼 제조, LA920을 사용하여 측정한 바, 0.68 ㎛였다.
[화상 형성층 도공액 2]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 실라놀기 변성 PVA(10 ％ 수용액) 100부
((주)쿠라레, R 폴리머, R1130)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ화학식 1의 화합물: 분산액 4(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 글리옥살 0.8부
상기 처방에 의한 화상 형성층 도공액을 실시예 1과 동일하게 두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 3)
실시예 2의 화상 형성층 도공액에 광열 변환제로서 카본 블랙을 첨가하여, 하기 처방의 화상 형성층 도공액 3을 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 3]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 실라놀기 변성 PVA(10 ％ 수용액) 100부
((주)쿠라레, R 폴리머, R1130)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ화학식 1의 화합물: 분산액 4(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ광열 변환제: 카본 블랙 고형분으로서 5부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), SD9020)
ㆍ경화제: 글리옥살 0.8부
(닛본 고세이 가가꾸(주))
두께 100 ㎛의 폴리에스테르 필름을 코로나 방전 가공한 후, 상기 처방으로 이루어지는 도공액을 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 본 발명의 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 감열형 평판 인쇄판에, 반도체 레이저(파장 830 nm, 출력 500 mw)로 화상 노광을 행하였다. 또한, 해상도는 주사 방향, 부주사 방향 모두 2400 dpi로 하였다. 화상 노광 후, 실시예 1과 동일하게 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 4)
실시예 1의 화상 형성층 도공액에 이산화규소를 총 고형분량의 5.3 ％ 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 4를 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 4]
ㆍ무기 안료: 이산화규소 2.5부
(도소 실리카(주), AY-601)
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ화학식 1의 화합물: 분산액 1(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
상기 처방에 의한 화상 형성층 도공액을 실시예 1과 동일하게 두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 5)
실시예 1의 화상 형성층 도공액에 이산화규소를 총 고형분량의 10.2 ％ 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 5를 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 5]
ㆍ무기 안료: 이산화규소 5.1부
(도소 실리카(주), AY-601)
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ화학식 1의 화합물: 분산액 1(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
상기 처방에 의한 화상 형성층 도공액을 실시예 1과 동일하게 두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 6)
화학식 2의 화합물로서, 2-벤질옥시나프탈렌(야마다 가가꾸 고교(주) 제조, BON)을 실시예 1과 동일하게 사전에 소형 다이노밀로 미분산 처리하여 분산액 5를 제조하였다(분산 입경 0.82 ㎛). 실시예 1의 분산액 1 대신에 분산액 5를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 6을 제조하고, 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 7)
화학식 2의 화합물로서, 2-p-클로로벤질옥시나프탈렌(시약)을 실시예 2와 동일하게 사전에 소형 다이노밀로 미분산 처리하여 분산액 6을 제조하였다(분산 입경 1.25 ㎛). 실시예 2의 분산액 4 대신에 분산액 6을 사용한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 7을 제조하고, 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 8)
실시예 3의 분산액 4 대신에 분산액 6을 사용한 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 8을 제조하였다. 실시예 3과 동일하게 화상 형성층 도공액을 폴리에스테르 필름에 도공하여, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 실시예 3과 동일하게 하여 반도체 레이저로 화상 노광을 행하고, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 9)
실시예 4의 분산액 1 대신에 분산액 5를 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 9를 제조하였다. 실시예 4와 동일하게 화상 형성층 도공액을 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여, 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 10)
실시예 5의 분산액 1 대신에 분산액 5를 사용한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 10을 제조하였다. 실시예 5와 동일하게 화상 형성층 도공액을 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여, 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 11)
화학식 3의 화합물로서, 옥살산디(p-메틸벤질)(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조, HS3520)을 실시예 1과 동일하게 사전에 소형 다이노밀로 미분산 처리하여 분산액 7을 제조하였다(분산 입경 0.68 ㎛). 실시예 1의 분산액 1 대신에 분산액 7을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 11을 제조하고, 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 12)
화학식 3의 화합물로서, 옥살산디벤질(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조, HS2046)을 실시예 2와 동일하게 사전에 소형 다이노밀로 미분산 처리하여 분산액 8을 제조하였다(분산 입경 0.52 ㎛). 실시예 2의 분산액 4 대신에 분산액 8을 사용한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 12를 제조하고, 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 13)
실시예 3의 분산액 4 대신에 분산액 8을 사용한 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 13을 제조하였다. 실시예 3과 동일하게 화상 형성층 도공액을 폴리에스테르 필름에 도공하여, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 실시예 3과 동일하게 하여 반도체 레이저로 화상 노광을 행하고, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 14)
실시예 4의 분산액 1 대신에 분산액 7을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 14를 제조하였다. 실시예 4와 동일하게 양면 폴리에틸렌 피복지에 화상 형성층 도공액을 도공하여, 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 15)
실시예 5의 분산액 1 대신에 분산액 7을 사용한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 15를 제조하였다. 실시예 5와 동일하게 화상 형성층 도공액을 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여, 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 16)
화학식 4의 화합물로서, 1,2-디페녹시메틸벤젠(닛카 가가꾸(주) 제조, PMB-2)을 실시예 1과 동일하게 사전에 소형 다이노밀로 미분산 처리하여 분산액 9를 제조하였다(분산 입경 0.75 ㎛). 실시예 1의 분산액 1 대신에 분산액 9를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 16을 제조하고, 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 17)
화학식 4의 화합물로서, 1,4-디(2-메틸페녹시메틸)벤젠(시약)을 실시예 2와 동일하게 사전에 소형 다이노밀로 미분산 처리하여 분산액 10을 제조하였다(분산 입경 0.97 ㎛). 실시예 2의 분산액 4 대신에 분산액 10을 사용한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 17을 제조하고, 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 18)
실시예 3의 분산액 4 대신에 분산액 10을 사용한 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 18을 제조하였다. 실시예 3과 동일하게 화상 형성층 도공액을 폴리에스테르 필름에 도공하여, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 실시예 3과 동일하게 하여 반도체 레이저로 화상 노광을 행하고, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능을 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 19)
실시예 4의 분산액 1 대신에 분산액 9를 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 19를 제조하였다. 실시예 4와 동일하게 화상 형성층 도공액을 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여, 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 하여 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 20)
실시예 5의 분산액 1 대신에 분산액 9를 사용한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여 화상 형성층 도공액 20을 제조하였다. 실시예 5와 동일하게 화상 형성층 도공액을 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하여, 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이어서, 실시예 1과 동일하게 하여 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 인쇄 성능 및 스티킹의 유무를 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 21)
실시예 1의 화상 형성층 도공액 1에 스테아르산아미드를 분산액 1의 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄의 고형분비 20 ％로 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 21을 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 21]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ화학식 1의 화합물: 분산액 1(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ스테아르산아미드 분산액(불휘발분 25 ％) 7.2부
(츄쿄 유시(주), 하이미크론 L271)
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
상기 처방에 의한 화상 형성층 도공액을 실시예 1과 동일하게 두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 22)
실시예 1의 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(래크스타 7132-C)를 스티렌 부타디엔 공중합체(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조, 래크스타 DS-206)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 22를 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 22]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 49 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 DS-206, Tg 25 ℃)
ㆍ화학식 1의 화합물: 분산액 1(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
상기 처방에 의한 화상 형성층 도공액을 실시예 1과 동일하게 두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 23)
실시예 1의 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(래크스타 7132-C)를 카르보닐 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(니혼 제온(주) 제조, NipolLX407BP)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 23을 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 23]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 50 ％) 30부
(니혼 제온(주), NipolLX407BP, Tg 80 ℃)
ㆍ화학식 1의 화합물: 분산액 1(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
상기 처방에 의한 화상 형성층 도공액을 실시예 1과 동일하게 두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지에 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 본 발명의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 1>
실시예 1에서 사용한 화상 형성층 도공액으로부터 화학식 1의 화합물인 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄의 분산액 1을 추출한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 24를 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 24]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지를 코로나 방전 가공한 후, 상기 처방으로 이루어지는 화상 형성층 도공액 24를 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 비교예 1의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 2>
실시예 1에서 사용한 화상 형성층 도공액으로부터 화학식 1의 화합물인 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄을 함유하는 분산액 1을 추출한 후, 이산화규소를 총 고형분비 28.0 ％가 되도록 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 하기 화상 형성층 도공액 25를 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 25]
ㆍ무기 안료: 이산화규소 14부
(도소 실리카(주), AY-601)
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지를 코로나 방전 가공한 후, 상기 처방으로 이루어지는 화상 형성층 도공액 25를 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 비교예 2의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 3>
실시예 1에서 사용한 화학식 1의 화합물인 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄을 함유하는 분산액 1 대신에 파라핀 왁스 분산액(츄쿄 유시(주), 하이드린 L703, 융점 75 ℃)을 등량 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 26을 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 26]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ파라핀 왁스 분산액(불휘발분 35 ％) 26부
(츄쿄 유시(주), 하이드린 L703)
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지를 코로나 방전 가공한 후, 상기 처방으로 이루어지는 화상 형성층 도공액 26을 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 비교예 3의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 4>
실시예 1에서 사용한 화학식 1의 화합물인 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄을 함유하는 분산액 1 대신에 카르나우바 왁스 분산액(츄쿄 유시(주), 셀로졸 524, 융점 83 ℃)을 등량 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 27을 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 27]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ카르나우바 왁스 분산액(불휘발분 30 ％) 30부
(츄쿄 유시(주), 셀로졸 524)
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지를 코로나 방전 가공한 후, 상기 처방으로 이루어지는 화상 형성층 도공액 27을 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 비교예 4의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 5>
실시예 1에서 사용한 화학식 1의 화합물인 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄을 함유하는 분산액 1 대신에 몬탄산에스테르 왁스 분산액(츄쿄 유시(주), 하이드린 J537, 융점 83 ℃)을 등량 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 28을 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 28]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ몬탄산에스테르 왁스 분산액(불휘발분 30 ％) 30부
(츄쿄 유시(주), 하이드린 J537)
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지를 코로나 방전 가공한 후, 상기 처방으로 이루어지는 화상 형성층 도공액 28을 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 비교예 5의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 6>
실시예 1에서 사용한 화학식 1의 화합물인 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄을 함유하는 분산액 1 대신에 스테아르산아미드의 분산액(츄쿄 유시(주), 하이미크론 L271, 융점 100 ℃)을 등량 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 29를 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 29]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ스테아르산아미드 분산액(불휘발분 25 ％) 36부
(츄쿄 유시(주), 하이미크론 L271)
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지를 코로나 방전 가공한 후, 상기 처방으로 이루어지는 화상 형성층 도공액 29를 도공하여 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 얻고, 비교예 6의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
<비교예 7>
실시예 1에서 사용한 화학식 1의 화합물인 1,2-비스(3-메틸페녹시)에탄을 함유하는 분산액 1 대신에 스테아르산아연 분산액(츄쿄 유시(주), 하이드린 Z7, 융점 120 ℃)을 등량 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하기 화상 형성층 도공액 30을 제조하였다.
[화상 형성층 도공액 30]
ㆍ수용성 고분자 화합물: 젤라틴(12 ％ 수용액) 80부
((주)닛피, IK3000)
ㆍ열가소성 수지: 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체(수분산체, 고형분 45 ％) 30부
(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주), 래크스타 7132-C, Tg 60 ℃)
ㆍ스테아르산아연 분산액(불휘발분 31 ％) 29부
(츄쿄 유시(주), 하이드린 Z7)
ㆍ현색제: 분산액 2(30 ％ 분산액) 30부
ㆍ발색제: 분산액 3(30 ％ 분산액) 9부
ㆍ경화제: 디비닐술폰 1.2부
두께 180 ㎛의 양면 폴리에틸렌 피복지를 코로나 방전 가공한 후, 상기 처방으로 이루어지는 화상 형성층 도공액 30을 도공하고, 건조 막 두께 5 ㎛의 화상 형성층을 설치하여 비교예 7의 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻었다. 이와 같이 제조한 직접 감열형 평판 인쇄판에 실시예 1과 동일하게 다이렉트 서멀 프린터로 화상을 기록한 후, 오프셋 인쇄기로 인쇄를 행하여 스티킹의 유무 및 인쇄 성능을 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00009
표 1에 나타난 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 화상 형성층이 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 함유함으로써, 인쇄 화상이 선명하고, 바탕 오염도 적고, 내인쇄성도 우수한 감열형 평판 인쇄판을 얻을 수 있다. 또한, 직접 감열형 평판 인쇄판에서 문제가 되었던 스티킹을 감소시킨, 화상부의 친유성과 비화상부의 친수성의 균형이 잡힌 직접 감열형 평판 인쇄판을 얻을 수 있다. 또한, 상기 실시예의 기재에서도 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 감열형 평판 인쇄판은 서멀 헤드나 적외선 레이저를 사용하여 묘화하며, 그 후 현상 처리하지 않고 제판이 가능하다.

Claims (11)

  1. 내수성 지지체 위에 열가소성 수지, 수용성 고분자 화합물 및 하기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 화상 형성층을 갖는 감열형 평판 인쇄판.
    <화학식 1>
    Figure pct00010

    (식 중,
    X1은 -O- 또는 -CO-O-를 나타내고,
    R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내거나, 또는 R1, R2 및 R3은 서로 결합하여 방향환을 형성하고,
    R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내거나, 또는 R4, R5 및 R6은 서로 결합하여 방향환을 형성하고,
    n은 1 내지 10의 정수를 나타냄)
    <화학식 2>
    Figure pct00011

    (식 중, R7은 알킬기, 아릴기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알킬술포닐기 또는 아릴술포닐기를 나타내고, 화학식 2의 나프탈렌환은 추가로 치환기를 가질 수도 있음)
    <화학식 3>
    Figure pct00012

    (식 중,
    R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 나타내고,
    X2는 단결합 또는 -O-를 나타내고,
    n은 1 내지 4의 정수를 나타냄)
    <화학식 4>
    Figure pct00013

    (식 중, R10, R10', R11 및 R11'은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 알콕시기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 알콕시카르보닐기 또는 아릴옥시기를 나타냄)
  2. 제1항에 있어서, 상기 화상 형성층이 실질적으로 무기 안료를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 감열형 평판 인쇄판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열가소성 수지가 자기 가교 타입의 합성 고무 라텍스인 감열형 평판 인쇄판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화상 형성층이 상기 화학식 1, 2 및 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 감열형 평판 인쇄판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 화상 형성층이 상기 화학식 1 및 2로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 감열형 평판 인쇄판.
  6. 제1항에 있어서, 상기 화상 형성층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 감열형 평판 인쇄판.
  7. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1, 2, 3 및 4로 표시되는 화합물로부터 선택되는 1종 이상의 배합량이 열가소성 수지의 양에 대하여 30 내지 130 질량％인 감열형 평판 인쇄판.
  8. 제3항에 있어서, 상기 자기 가교 타입의 합성 고무 라텍스가 카르복시 변성 스티렌 부타디엔 공중합체인 감열형 평판 인쇄판.
  9. 제1항에 있어서, 상기 수용성 고분자 화합물이 젤라틴 또는 폴리비닐 알코올 및 그의 변성물인 감열형 평판 인쇄판.
  10. 제1항에 있어서, 상기 감열형 평판 인쇄판이 직접 감열형 평판 인쇄판인 감열형 평판 인쇄판.
  11. 제10항에 있어서, 상기 화상 형성층이 최외층인 직접 감열형 평판 인쇄판.
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