KR20090111225A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H—ELECTRICITY
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- Led Devices (AREA)
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Claims (13)
- 제 1도전성 반도체층;상기 제 1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층;상기 제 2도전성 반도체층 위의 일부에 형성된 전도층;상기 제 2도전성 반도체층 위에 형성된 패턴 형태의 오믹층;상기 제 2도전성 반도체층, 전도층 및 오믹층 중 적어도 하나의 층 위에 형성된 반사전극층을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 반사전극층 위에 형성된 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 오믹층은 상기 제 2도전성 반도체층 위의 상기 전도층이 형성되지 않는 부분에 형성되고, 매트릭스 형태, 원형, 십자형, 다각형 중 어느 한 형상을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 전도층은 제 2도전성 반도체층 위의 가장 자리 부근에 틀 형태로 형성 되는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 전도층은 상기 오믹층의 두께보다 적어도 두껍게 형성되는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 전도층은 도전형 금속 또는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium zinc oxide), AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 오믹층은 ITO로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 전도층의 두께는 1000~8000Å 로 형성되며,상기 오믹층의 두께는 10~2000Å로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2도전성 반도체층은 p형 반도체층 또는 p형 반도체층과 그 위에 적 층된 n형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자.
- 기판 위에 제 1도전성 반도체층, 활성층 및 제 2도전성 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 발광 구조물 위의 가장 자리 부근에 전도층을 형성하는 단계;상기 발광 구조물 위에 패턴화된 오믹층을 형성하는 단계;상기 발광 구조물, 전도층 및 오믹층 중 적어도 하나의 층 위에 반사 전극층을 형성하는 단계;상기 반사전극층 위에 전도성 지지부재를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 10항에 있어서,상기 오믹층은 다각형, 원형, 십자형 패턴 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 10항에 있어서,상기 전도층 및 전극층은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium zinc oxide), AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 중에서 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 10항에 있어서,상기 기판을 제거하고, 그 부분에 제 1전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080036876A KR101007099B1 (ko) | 2008-04-21 | 2008-04-21 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
CN2009801139019A CN102017196B (zh) | 2008-04-21 | 2009-04-08 | 半导体发光器件 |
JP2011504918A JP5476367B2 (ja) | 2008-04-21 | 2009-04-08 | 半導体発光素子 |
EP13170652.5A EP2637223B1 (en) | 2008-04-21 | 2009-04-08 | Semiconductor light emitting device |
EP09733715.8A EP2270880B1 (en) | 2008-04-21 | 2009-04-08 | Semiconductor light emitting device |
PCT/KR2009/001806 WO2009131319A2 (ko) | 2008-04-21 | 2009-04-08 | 반도체 발광소자 |
CN201310258481.1A CN103400917B (zh) | 2008-04-21 | 2009-04-08 | 半导体发光器件 |
US12/426,491 US7947997B2 (en) | 2008-04-21 | 2009-04-20 | Semiconductor light emitting device |
US13/014,530 US8022428B2 (en) | 2008-04-21 | 2011-01-26 | Semiconductor light emitting device |
US13/034,376 US8120053B2 (en) | 2008-04-21 | 2011-02-24 | Semiconductor light emitting device |
US13/350,476 US8319244B2 (en) | 2008-04-21 | 2012-01-13 | Semiconductor light emitting device |
US13/667,926 US8466485B2 (en) | 2008-04-21 | 2012-11-02 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080036876A KR101007099B1 (ko) | 2008-04-21 | 2008-04-21 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100011819A Division KR101305746B1 (ko) | 2010-02-09 | 2010-02-09 | 반도체 발광소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090111225A true KR20090111225A (ko) | 2009-10-26 |
KR101007099B1 KR101007099B1 (ko) | 2011-01-10 |
Family
ID=41200377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080036876A KR101007099B1 (ko) | 2008-04-21 | 2008-04-21 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7947997B2 (ko) |
EP (2) | EP2270880B1 (ko) |
JP (1) | JP5476367B2 (ko) |
KR (1) | KR101007099B1 (ko) |
CN (2) | CN103400917B (ko) |
WO (1) | WO2009131319A2 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100986523B1 (ko) * | 2010-02-08 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100986318B1 (ko) * | 2010-02-09 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101039904B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
US9564469B2 (en) | 2014-08-21 | 2017-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor comprising a color separation device separating incident light into plural of colors for having improved light utilization efficiency and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8928022B2 (en) * | 2006-10-17 | 2015-01-06 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
KR101007099B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101064091B1 (ko) * | 2009-02-23 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101081278B1 (ko) | 2009-10-28 | 2011-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101020945B1 (ko) | 2009-12-21 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
KR101039946B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
JP5573206B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-08-20 | 宇部興産株式会社 | ポリウレタン樹脂、及びポリウレタン樹脂組成物 |
KR100974787B1 (ko) | 2010-02-04 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR101667815B1 (ko) * | 2010-02-18 | 2016-10-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR20110096680A (ko) * | 2010-02-23 | 2011-08-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR101020963B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR101182920B1 (ko) * | 2010-07-05 | 2012-09-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
EP2445019B1 (en) * | 2010-10-25 | 2018-01-24 | LG Innotek Co., Ltd. | Electrode configuration for a light emitting diode |
KR101189081B1 (ko) * | 2010-12-16 | 2012-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 웨이퍼 기판 접합 구조, 이를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US20130187122A1 (en) * | 2012-01-19 | 2013-07-25 | Taiwan Semicondutor Manufacturing Company, Ltd. | Photonic device having embedded nano-scale structures |
KR102008276B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2019-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR20140027836A (ko) * | 2012-08-27 | 2014-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP2014060294A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Ushio Inc | Led素子及びその製造方法 |
JP6063220B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2017-01-18 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
TWI610462B (zh) * | 2013-07-02 | 2018-01-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
JP6824501B2 (ja) * | 2017-02-08 | 2021-02-03 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子 |
CN107507920B (zh) * | 2017-09-22 | 2024-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光二极管、显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN110034206B (zh) * | 2019-04-26 | 2020-07-10 | 潮州市亿加光电科技有限公司 | 一种具有碱金属复合层的cigs太阳能电池及其制备方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0650781B2 (ja) * | 1984-06-29 | 1994-06-29 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPS61170077A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
KR20020026619A (ko) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | 추후제출 | 발광 화합물 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP4207781B2 (ja) * | 2002-01-28 | 2009-01-14 | 日亜化学工業株式会社 | 支持基板を有する窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP4121551B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2008-07-23 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
JP4325232B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2009-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
KR100571818B1 (ko) * | 2003-10-08 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
WO2005050748A1 (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-02 | Nichia Corporation | 半導体素子及びその製造方法 |
KR100634503B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2006013034A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2006073619A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP4999696B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2012-08-15 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP4367348B2 (ja) | 2005-01-21 | 2009-11-18 | 住友電気工業株式会社 | ウエハおよび発光装置の製造方法 |
JP2006253298A (ja) | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
KR100753152B1 (ko) * | 2005-08-12 | 2007-08-30 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
JP4920249B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2012-04-18 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
KR100794305B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2008-01-11 | 삼성전자주식회사 | 광학 소자 및 그 제조 방법 |
WO2007074969A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Group-iii nitride-based light emitting device |
JP2007214384A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子 |
KR20070081482A (ko) * | 2006-02-13 | 2007-08-17 | 오인모 | 가장자리 엔형 오믹접촉 전극 구조를 갖는 차세대 피사이드다운 구조의 수직형 발광소자 |
JP4302720B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2009-07-29 | 株式会社沖データ | 半導体装置、ledヘッド及び画像形成装置 |
KR100812736B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2008-03-12 | 삼성전기주식회사 | 고휘도 질화물계 반도체 발광소자 |
JP2008053685A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 |
KR100975659B1 (ko) * | 2007-12-18 | 2010-08-17 | 포항공과대학교 산학협력단 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR101007099B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
-
2008
- 2008-04-21 KR KR1020080036876A patent/KR101007099B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-04-08 EP EP09733715.8A patent/EP2270880B1/en active Active
- 2009-04-08 WO PCT/KR2009/001806 patent/WO2009131319A2/ko active Application Filing
- 2009-04-08 CN CN201310258481.1A patent/CN103400917B/zh active Active
- 2009-04-08 JP JP2011504918A patent/JP5476367B2/ja active Active
- 2009-04-08 EP EP13170652.5A patent/EP2637223B1/en active Active
- 2009-04-08 CN CN2009801139019A patent/CN102017196B/zh active Active
- 2009-04-20 US US12/426,491 patent/US7947997B2/en active Active
-
2011
- 2011-01-26 US US13/014,530 patent/US8022428B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-24 US US13/034,376 patent/US8120053B2/en active Active
-
2012
- 2012-01-13 US US13/350,476 patent/US8319244B2/en active Active
- 2012-11-02 US US13/667,926 patent/US8466485B2/en active Active
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101039904B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
US8368107B2 (en) | 2010-01-15 | 2013-02-05 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and light emitting device package |
KR100986523B1 (ko) * | 2010-02-08 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US8143639B2 (en) | 2010-02-08 | 2012-03-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package having the same |
US8674389B2 (en) | 2010-02-08 | 2014-03-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package having the same |
KR100986318B1 (ko) * | 2010-02-09 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US8901597B2 (en) | 2010-02-09 | 2014-12-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package having the same |
US9006776B2 (en) | 2010-02-09 | 2015-04-14 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting device package having the same |
US9564469B2 (en) | 2014-08-21 | 2017-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor comprising a color separation device separating incident light into plural of colors for having improved light utilization efficiency and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8022428B2 (en) | 2011-09-20 |
WO2009131319A2 (ko) | 2009-10-29 |
CN103400917A (zh) | 2013-11-20 |
EP2637223B1 (en) | 2019-03-20 |
US20120112233A1 (en) | 2012-05-10 |
CN102017196B (zh) | 2013-11-20 |
US7947997B2 (en) | 2011-05-24 |
JP2011518438A (ja) | 2011-06-23 |
EP2637223A2 (en) | 2013-09-11 |
EP2637223A3 (en) | 2013-11-20 |
EP2270880A2 (en) | 2011-01-05 |
US8120053B2 (en) | 2012-02-21 |
EP2270880A4 (en) | 2011-11-30 |
US20110121343A1 (en) | 2011-05-26 |
CN102017196A (zh) | 2011-04-13 |
US8466485B2 (en) | 2013-06-18 |
JP5476367B2 (ja) | 2014-04-23 |
US20130056771A1 (en) | 2013-03-07 |
US20090261370A1 (en) | 2009-10-22 |
US8319244B2 (en) | 2012-11-27 |
KR101007099B1 (ko) | 2011-01-10 |
US20110140158A1 (en) | 2011-06-16 |
WO2009131319A3 (ko) | 2010-01-14 |
CN103400917B (zh) | 2016-02-17 |
EP2270880B1 (en) | 2013-08-28 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131205 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141205 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151204 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161207 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171205 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181210 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191209 Year of fee payment: 10 |