JP2006013034A - Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】青色光を吸収しやすい金等で形成された厚膜電極7の下に青色光等を反射する銀、アルミニウム、ロジウム等いずれか、又はそれらを含む合金から成る光反射金属層6を形成する。発光層3で発せられた光は、基板1の裏面に形成された裏面反射層8、光反射金属層6とで反射され、厚膜電極7に達することなく、透光性電極5、又はチップ側面から放出される。
【選択図】図1
Description
上記実施例では、厚膜電極6と厚膜電極7を形成する前に、透光性電極5の一部をエッチングにより除去したが、厚膜電極6と厚膜電極7を形成した後に透光性電極5を設けるようにしても良い。この方法によれば、透光性電極5をエッチングする工程が不要となる。
2:n層(複数の層から成る場合を含む)
3:発光層(複数の層から成る場合を含む)
4:p層(複数の層から成る場合を含む)
5:透光性電極(複数の層から成る場合を含む)
6:光反射金属層(複数の層から成る場合を含む)
7:厚膜電極(複数の層から成る場合を含む)
8:裏面反射層(複数の層から成る場合を含む)
Claims (7)
- 透光性電極をIII族窒化物系化合物半導体層の上に形成したIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
透光性電極とボンディングワイヤを電気的に接続する厚膜電極を有し、
当該厚膜電極の下部の前記III族窒化物系化合物半導体層上に緑色、青色乃至紫外光を反射する光反射金属層を形成したことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 前記光反射金属層を白金、銀、アルミニウム、クロム、ルテニウム又はロジウムで形成したことを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記厚膜電極を、金又は金と他の金属との合金で形成したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記光反射金属層は前記III族窒化物系化合物半導体層と合金化していないことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 前記透光性電極は前記III族窒化物系化合物半導体層と合金化していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
- 半導体発光素子の製造方法において、
最上層である半導体層に透光性電極を形成し、
当該透光性電極の前記半導体層との合金化処理を行い、
前記透光性電極の一部を取り除いて前記半導体層が露出した窓部を形成し、
当該窓部に光を反射する光反射金属層と、ボンディングパッドとなる厚膜電極を形成すること
を特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 半導体発光素子の製造方法において、
最上層である半導体層上の一部に光を反射する光反射金属層を形成し、
当該光反射金属層の上にボンディングパッドとなる厚膜電極を形成し、
少なくとも前記最上層である半導体層の光反射金属層を形成していない部分に透光性電極を形成し、
当該透光性電極の前記半導体層との合金化処理を行うこと
を特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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