CN103400917B - 半导体发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：第一导电半导体层；第一导电半导体下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；以及在第二导电半导体层和第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。

Description

半导体发光器件
本发明是2009年4月8日提交的发明名称为“半导体发光器件”的中国专利申请200980113901.9的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种半导体发光器件。
背景技术
III-V族半导体已经被广泛地应用于诸如蓝色和绿色发光二极管(LED)的光学器件、诸如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HEMT)的高速开关器件、以及照明装置或者显示装置的光源。
氮化物半导体主要被用于LED或者激光二极管(LD)，并且已经继续地进行研究以提高氮化物半导体的光效率或者制造处理。
发明内容
实施例提供一种半导体发光器件，包括透射导电层，该透射导电层位于化合物半导体层和第二电极层之间的外部部分处。
实施例提供一种半导体发光器件，包括位于化合物半导体层和第二电极层之间的内部部分处的欧姆接触层。
实施例提供一种半导体发光器件，包括欧姆接触层，该欧姆接触层在化合物半导体层和第二电极层之间具有多个图案。
实施例提供一种半导体发光器件，包括：第一导电半导体层；第一导电半导体层下面的有源层；有源层下面的第二导电半导体层；第二导电半导体层下面的第二电极层；以及在第二导电半导体层和第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。
实施例提供一种发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第二导电半导体层下面的第二电极层；以及第二电极层上的外部部分处的透射导电层。
附图说明
图1是示出根据实施例的半导体发光器件的侧截面图；和
图2至图9是示出根据实施例的制造半导体发光器件的方法的视图。
具体实施方式
下文中，将参考附图描述根据实施例的半导体发光器件。在实施例的描述中，将参考附图描述术语每一层的“上”或“下”，并且每一层的厚度不被限制为附图中所示的厚度。在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或者膜)、另一区域、另一衬垫或者另一图案“上”或“下”时，衬底“上”时，它能够“直接地”或“间接地”在其它衬底、层(或者膜)、区域、衬垫或者图案上，或者也可以存在一个或者更多的中间层。
图1是示出根据实施例的半导体发光器件的侧截面图。
参考图1，半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、至少一个第二导电半导体层130、透射导电层151、欧姆接触层153、第二电极层155、导电支撑构件160以及第一电极170。
半导体发光器件100包括使用III-V族化合物半导体的发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括发射蓝光、绿光或者红光的有色LED，或者UV(紫外线)LED。在实施例的范围内能够不同地实现LED芯片的发光。
第一导电半导体层110可以包括从是被掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP组成的组中选择的一个。
当第一导电半导体层110是N型半导体层时，第一导电掺杂剂包括诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te这样的N型掺杂剂。第一导电半导体层110可以用作电极接触层，并且可以具有单层或者多层。实施例不限于此。
第一电极170被形成在第一导电半导体层110上以接收第一极性的电源。第一导电半导体层110可以被设置有具有预定形状的粗糙表面。在实施例的范围内粗糙表面能够被添加或者被修改。
有源层120被形成在第一导电半导体层110的下面并且可以具有单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层120可以通过使用III-V族元素的化合物半导体材料而具有阱层和阻挡层的布置。例如，有源层120可以具有InGaN阱层和GaN阻挡层的布置或者AlGaN阱层或者GaN阻挡层的布置。
有源层120包括具有根据被发射光的波长的带隙能的材料。有源层120可以包括发射诸如具有蓝色波长的光、具有红色波长的光、以及具有绿色波长的光这样的有色光的材料。实施例不限于此。导电包覆层可以被形成在有源层120上和/或下并且可以包括AlGaN层。
第二导电半导体层130被形成在有源层120上。第二导电半导体层130可以包括从由是被掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP组成的组中选择的一个。当第二导电半导体层130是P型半导体层时，第二导电掺杂剂包括诸如Mg和Ze这样的P型掺杂剂。第二导电半导体层130可以用作电极接触层。实施例不限于此。
第一导电半导体层110、有源层120以及第二导电半导体层130能够被定义为发光结构140。第一导电半导体层110可以被提供作为P型半导体层并且第二导电半导体层130可以被提供作为N型半导体层。第三导电半导体层，例如，N型或者P型半导体层，可以被形成在第二导电半导体层130下。因此，发光结构140可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的至少一个。
透射导电层151、欧姆接触层153以及第二电极层155被形成在第二导电半导体层130下。
透射导电层151的内部部分151B被形成在第二导电半导体层130和第二电极层155之间的外接合部以增宽发光区域A1的有效面积，使得能够提高发光效率。透射导电层151的外部部分151A被形成在发光结构140的外沟道区域145上。沟道区域145能够被定义为通过蚀刻发光结构140的外壁而形成的沟槽。
透射导电层151的外部部分151A被布置在非发光区域A2或者沟道区域145上以提高发光结构140的外壁处的电可靠性。
沿着第二导电半导体层130的外围表面，透射导电层151可以具有环状、框状或者带状。
透射导电层151包括从由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)以及锑锡氧化物(ATO)组成的组中选择的至少一个。
透射导电层151包括非金属材料或者金属氧化物，该非金属材料或者金属氧化物具有光透射性和导电性以防止第二电极层155对发光结构140施加影响。
此外，透射导电层151能够通过允许在芯片的制造处理(例如，台面蚀刻处理)期间照射的激光经过那里而防止第二电极层155被暴露到发光结构140的沟道区域145。
如果绝缘层(例如，SiO2)替代透射导电层151被形成在发光结构140的沟道区域145上，那么可以通过激光蚀刻绝缘层。此外，第二电极层155被暴露，使得在发光结构140的层110、120以及130当中出现短路。使用透射导电层151可以阻止此问题。
此外，与绝缘层相比较，透射导电层151的内部部分151B与第二导电半导体层130欧姆接触以提高发光结构140的发光效率和电性能。
欧姆接触层153被形成在第二导电半导体层130的底表面的内部部分，并且具有多个图案。在欧姆接触层153中，能够以矩阵型布置具有交叉形、多角形或者圆形的图案。在实施例的范围内能够不同地修改图案的布置类型或者形状。
欧姆接触层153可以包括从由是欧姆材料的ITO、IZO、AZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO以及ATO组成的组中选择的一个。
透射导电层151可以具有比第二电极层155薄的厚度，并且欧姆接触层153可以具有等于透射导电层151的厚度或者比透射导电层151的薄的厚度。例如，透射导电层151可以具有大约至大约的厚度，并且欧姆接触层153可以具有大约至大约的厚度。
欧姆接触层153可以包括与透射导电层151的相同的欧姆材料，或者彼此不同的欧姆材料。
欧姆接触层153以图案的形式被设置在第二导电半导体层130下以提高第二导电半导体层130和第二电极层155之间的粘合力。
第二电极层155被形成在第二导电半导体层130、透射导电层151以及欧姆接触层153下。
第二电极层155可以包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf以及其组合组成的组中选择的一个。第二电极层155可以与第二导电半导体层130进行肖特基接触。
第二电极层155用作电极，该电极将第二极性的电源稳定地提供给发光结构140，并且反射通过第二导电半导体层130、欧姆接触层153以及透射导电层151入射的光。
第二电极层155与第二导电半导体层130进行肖特基接触，并且欧姆接触层153与第二导电半导体层130进行欧姆接触。因此，由于第二电极层155具有不同于欧姆接触层153的电性能，所以被施加给第二导电半导体层130的电流能够被分布。
欧姆接触层153可以包括金属氧化物替代透射材料。当第二电极层155具有欧姆和反射特性时，欧姆接触层153可以被省略。
导电支撑构件160被形成在第二电极层155下，并且可以包括铜、金、镍、钼、铜钨以及诸如Si、Ge、GaAs、ZnO以及SiC这样的载具晶圆(carrierwafer)。
第二电极层155和导电支撑构件160可以被用作第二电极构件，该第二电极构件将第二极性的电源提供给发光结构140。
图2至图9是示出根据实施例的制造半导体发光器件的方法的视图。
参考图2，包括被层压在其上的多个化合物半导体层的发光结构140被形成在衬底101上。在发光结构140中，第一导电半导体层110、有源层120以及第二导电半导体层130能够被顺序地层压。
衬底101可以包括从由Al203、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP以及GaAs组成的组中选择的一个。
使用诸如电子光束沉积装置、物理气相沉积(PVD)装置、化学气相沉积(CVD)装置、等离子体激光沉积(PLD)装置、复型热蒸镀机、溅射装置以及金属有机化学气相沉积(MOCVD)装置这样的生长装置，III-V族化合物半导体能够被生长在衬底101上。然而，实施例不限于此。
缓冲层(未示出)和/或未掺杂的半导体层可以被形成在衬底101上。缓冲层可以包括单晶缓冲层或者III-V族化合物半导体以减小与衬底101的晶格常数差异。未掺杂的半导体层可以包括GaN基半导体层。
至少一个第一导电半导体层110被形成在衬底101上。第一导电半导体层110可以包括从由是被掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP组成的组中选择的一个。当第一导电半导体层110是N型半导体层时，第一导电掺杂剂包括诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te这样的N型掺杂剂。
有源层120被形成在第一导电半导体层110上并且可以具有单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层120可以使用发射诸如具有蓝色波长的光、具有红色波长的光、以及具有绿色波长的光这样的有色光的材料。导电包覆层可以被形成在有源层120上和/或下并且可以包括AlGaN层。
第二导电半导体层130被形成在有源层120上。第二导电半导体层130可以包括从由是被掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP组成的组中选择的一个。当第二导电半导体层130是P型半导体层时，第二导电掺杂剂包括诸如Mg和Ze这样的P型掺杂剂。
第三导电半导体层，例如，N型或者P型半导体层，可以被形成在第二导电半导体层130上。因此，发光结构140可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的至少一个。
参考图3，透射导电层151被形成在第二导电半导体层130的顶表面的外部部分上。沿着第二导电半导体层130的外表面，透射导电层151可以具有环状、框状或者带状。
根据形成透射导电层151的处理，掩模层被形成在第二导电半导体层130上，并且其中透射导电层151要被形成的区域被蚀刻，并且然后使用溅射方法形成透射导电层151。形成透射导电层151的处理是一个示例并且在实施例的范围内能够进行修改。
透射导电层151可以包括从由ITO、IZO、AZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO以及ATO组成的组中选择的至少一个。
透射导电层151可以具有大约至大约的厚度T1，等于第二电极层155的厚度或者比第二电极层155的厚度薄。
透射导电层151的内部部分与第二导电半导体层130进行欧姆接触以提高发光结构140的发光效率。
参考图4，欧姆接触层153被形成在第二导电半导体层130的顶表面的内部部分。以多个图案的形式准备欧姆接触层153并且同时与第二导电半导体层130进行欧姆接触。
根据形成欧姆接触层153的处理，掩模层被形成在第二导电半导体层130和透射导电层151上，并且其中欧姆接触层153要被形成的区域被蚀刻，并且然后使用溅射方法形成欧姆接触层153。形成欧姆接触层153的处理是一个示例并且在实施例的范围内能够进行修改。
在欧姆接触层153中，能够以矩阵型布置具有交叉形、多角形或者圆形的图案。在实施例的范围内能够不同地修改图案的布置类型或者形状。
欧姆接触层153可以包括从由是欧姆材料或者金属氧化物的ITO、IZO、AZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO以及ATO组成的组中选择的一个。此外，欧姆接触层153可以包括具有欧姆性能的金属，替代透射材料。
欧姆接触层153可以具有大约至大约的厚度T2，可以等于或者比透射导电层151的厚度T1薄。
欧姆接触层153以图案的形式被提供在第二导电半导体层130的上表面上，以提高第二导电半导体层130和第二电极层155之间的粘合力。此外，以图案的形式提供欧姆接触层153，能够分布电流。
欧姆接触层153可以包括与透射导电层151的相同的欧姆材料，或者彼此不同的欧姆材料。此外，其中透射导电层151和欧姆接触层153被形成的顺序可以被修改。
图5是示出根据实施例的衬底上的多个芯片区域的平面图。
参考图3和图5，基于各个芯片，沿着第二导电半导体层130的外周表面形成透射导电层151。透射导电层151从芯片之间的边界区域L1延伸到各个芯片的发光区域的一部分。
参考图4和图5，在各个芯片中，欧姆接触层153以多个图案的形式被提供在第二导电半导体层130的顶表面的内部部分。第二导电半导体层130向不具欧姆接触层153的区域暴露。图4是沿着图5中A-A截取的截面图。
参考图6，第二电极层155被形成在第二导电半导体层130、透射导电层151以及欧姆接触层153上，并且导电支撑构件160被形成在第二电极层155上。
第二电极层155可以包括从Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf以及其组合组成的组中选择的一个。第二电极层155可以与第二导电半导体层130进行肖特基接触。第二电极层155反射通过第二导电半导体层130、欧姆接触层153以及透射导电层151入射的光。
第二电极层155用作电极，该电极将第二极性的电源稳定地提供给发光结构140。此外，第二电极层155与第二导电半导体层130进行肖特基接触，并且欧姆接触层153与第二导电半导体层130进行欧姆接触。因此，由于第二电极层155具有不同于欧姆接触层153的电阻，所以被施加给第二导电半导体层130的电流能够被分布。
欧姆接触层153可以包括具有欧姆性能的金属材料或者金属氧化物。当第二电极层155具有欧姆和反射特性时，欧姆接触层153可以被省略。
导电支撑构件160被形成在第二电极层155下。导电支撑构件160可以包括铜、金、镍、钼、铜钨以及诸如Si、Ge、GaAs、ZnO以及SiC这样的载具晶圆。例如，使用溅射方法可以形成第二电极层155，使用镀方法可以形成导电支撑构件160。在实施例的范围内能够修改形成第二电极层155和导电支撑构件160的方法。
参考图6和图7，如果衬底101被翻转，那么定位导电支撑构件160替代底部。然后，衬底101被移除。
例如，通过激光剥离技术(LLO)处理可以移除衬底101。根据LLO处理，随着具有预定的波长范围的激光被照射到衬底101上，热能被集中在衬底101和第一导电半导体层110之间的接合部，因此衬底101从第一导电半导体层110分离。
在衬底101被移除的同时，欧姆接触层153减小在第二导电半导体层130和第二电极层155之间施加的冲击。
在衬底101被移除之后，第一导电半导体层110使用感应耦合等离子体/反应离子蚀刻(ICP/RIE)进行抛光处理。实施例不限于此。
参考图7和图8，关于沟道区域145在第一导电半导体层110上执行台面蚀刻。沟道区域145可以对应于图5中所示的区域L1的1/2。详细地，芯片之间的边界区域L1被蚀刻，使得沟道区域145或者非发光区域A2能够被形成在各个芯片中。
以通过第一导电半导体层110暴露透射导电层151或者第二导电半导体层130的方式执行台面蚀刻。台面蚀刻可以使用干蚀刻或者湿蚀刻。
在实施例中，台面蚀刻使用干蚀刻。详细地，用于干蚀刻而照射的光被照射到芯片的边界区域(图5的L1)。因此，第一导电半导体层110、有源层120以及第二导电半导体层130被蚀刻，使得透射导电层151被暴露。
用于干蚀刻而照射的光能够通过穿过透射导电层151达到第二电极层155。在这样的情况下，在第二电极层155中没有产生金属碎片。详细地，由于透射导电层151没有被蚀刻，通过光没有影响第二电极层155，使得在发光结构140的夹层中没有出现短路。
如果透射导电层151是SiO2层，通过激光蚀刻SiO2层，因此第二电极层155被暴露。在这样的情况下，第二电极层155被熔化，使得在发光结构140的夹层中可能出现短路。
由于透射导电层151包括非金属材料或者金属氧化物，所以激光通过透射导电层151。因此，在发光结构140的夹层中没有出现短路，使得能够提高生产量并且提高装置的电可靠性。
此外，欧姆接触层53减小在第二导电半导体层130和第二电极层155之间施加的冲击。
参考图8和图9，第一电极170被形成在第一导电半导体层110上。能够以预定的图案形成第一电极170。实施例不限于此。此外，第一导电半导体层110被提供有粗糙表面，使得入射光的临界角能够被更改。因此，外部部分量子效率能够被提高。
其中第一电极170被形成并且台面蚀刻被执行的顺序能够被修改。实施例不限于此。
根据实施例，透射导电层被形成在化合物半导体层和第二电极层之间的外接合部，使得能够提高发光效率。
根据实施例，能够提高化合物半导体层与第二电极层之间的粘合力。
根据实施例，透射导电层被布置在化合物半导体层的沟道区域上，使得能够提高LED芯片的电可靠性。
根据实施例，与欧姆接触层进行肖特基接触的第二电极层被形成在化合物半导体层下，使得能够分布被施加给第二电极层的电流。
根据实施例，能够提高半导体LED的可靠性。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
附记
附记1.一种半导体发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体下的有源层；在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层下的第二电极层；以及在所述第二导电半导体层和所述第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。
附记2.如附记1所述的半导体发光器件，包括：在所述第二电极层下的导电支撑构件；和在所述第一导电半导体层上的第一电极。
附记3.如附记1所述的半导体发光器件，包括欧姆接触层，所述欧姆接触层包括在所述第二导电半导体层和所述第二电极层之间的多个图案。
附记4.如附记1所述的半导体发光器件，其中所述透射导电层包括沿着所述第二电极层的上表面的外部环状、框状以及带状。
附记5.如附记3所述的半导体发光器件，其中所述透射导电层和/或所述欧姆接触层包括从由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)以及锑锡氧化物(ATO)组成的组中选择的至少一个。
附记6.如附记1所述的半导体发光器件，其中所述透射导电层包括在所述第二导电半导体层和所述第二电极层之间的内部部分，和在所述第二电极层的外部上表面上的外部部分。
附记7.如附记3所述的半导体发光器件，其中所述透射导电层和所述欧姆接触层与所述第二导电半导体层进行欧姆接触，并且所述第二电极层与所述第二导电半导体层进行肖特基接触。
附记8.如附记1所述的半导体发光器件，其中所述透射导电层具有比所述第二电极层薄的厚度。
附记9.如附记1所述的半导体发光器件，其中所述第一导电半导体层是N型半导体层，并且所述第二导电半导体层是P型半导体层。
附记10.一种半导体发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层下的第二电极层；以及在所述第二电极层上的外部部分处的透射导电层。
附记11.如附记10所述的半导体发光器件，其中所述透射导电层的外部部分被暴露到不具有所述发光结构的外沟道区域。
附记12.如附记10所述的半导体发光器件，其中所述透射导电层的内部部分被布置在所述第二导电半导体层和所述第二电极层之间。
附记13.如附记10所述的半导体发光器件，包括欧姆接触层，所述欧姆接触层包括在所述第二导电半导体层与包括反射金属的所述第二电极层之间的内部部分上的多个图案。
附记14.如附记13所述的半导体发光器件，其中所述透射导电层和/或所述欧姆接触层包括从由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)以及锑锡氧化物(ATO)组成的组中选择的至少一个。
附记15.如附记13所述的半导体发光器件，其中所述透射导电层具有大约至大约的厚度，并且所述欧姆接触层具有大约至大约的厚度。

Claims (14)

1.一种半导体发光器件，包括：
导电支撑层(160)；
在所述导电支撑层上且包括第一部分和第二部分的第一电极层(155)，所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度薄；
发光结构(140)，其包括n型半导体层(110)、p型半导体层(130)和在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间且设置在所述第一电极层上的有源层(120)；
在所述第一电极层的所述第二部分上且在所述第一电极层和所述p型半导体层之间的金属氧化物透射导电层(151)；
在所述n型半导体层上的第二电极层(170)；和
通过蚀刻所述发光结构的外壁形成的沟槽，所述沟槽形成沟道区域(145)，
其中所述第一电极层(155)的所述第一部分接触所述p型半导体层的底表面，
其中所述金属氧化物透射导电层(151)的内部部分(151B)接触所述p型半导体层的底表面，
其中所述第一电极层(155)包括反射材料，
其中所述n型半导体层(110)包括InGaN层和AlGaN层中的至少之一，
所述p型半导体层(130)包括AlGaN层和InAlGaN层中的至少之一，
所述有源层(120)包括InGaN层、AlGaN层和GaN层中的至少之一，并且
其中所述金属氧化物透射导电层(151)的外部部分(151A)形成在所述发光结构的所述沟槽上。
2.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层(155)和所述金属氧化物透射导电层(151)形成在所述p型半导体层下方。
3.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述金属氧化物透射导电层(151)的所述内部部分(151B)形成在所述p型半导体层和所述第一电极层之间的外部界面上。
4.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属氧化物透射导电层(151)具有至的厚度。
5.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层(155)形成在所述p型半导体层和所述金属氧化物透射导电层下方。
6.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层(155)包含Ag。
7.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层(155)的面积比所述p型半导体层的面积大。
8.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属氧化物透射导电层包括沿所述第一电极层的上表面的外部部分的环状、框状或带状。
9.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属氧化物透射导电层的外部不与发光区域交叠。
10.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属氧化物透射导电层(151)具有与所述第一电极层不同的电导率。
11.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述第一电极层的尺寸比所述发光结构的尺寸大。
12.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属氧化物透射导电层(151)的厚度比所述第一电极层的厚度薄。
13.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属氧化物透射导电层(151)包括透光材料且与所述p型半导体层进行欧姆接触。
14.权利要求1-3中任一项所述的半导体发光器件，其中所述金属氧化物透射导电层(151)的所述外部部分(151A)的顶表面相对于所述p型半导体层的至少一个侧表面被暴露。
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