CN102027606B - 半导体发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种半导体发光器件。半导体发光器件包括第一导电半导体层、第一导电半导体层下方的有源层、有源层下方的第二导电半导体层、第二导电半导体层下方的第二电极层以及在第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层中的至少两个层的外围表面上的绝缘层。
Description
技术领域
实施例涉及一种半导体发光器件。
背景技术
III-V族半导体已经被广泛地应用于诸如蓝色和绿色发光二极管(LED)的光学器件、诸如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HEMT)的高速开关器件以及照明装置或者显示装置的光源。特别地，包括III族氮化物半导体的发光器件具有与可见光线波段到紫外线波段相对应的直接基本带隙，使得能够实现高发光效率。
氮化物半导体主要用于LED(发光二极管)或者LD(激光器二极管)，并且已经继续地进行研究以提高氮化物半导体的光效率或者制造处理。
发明内容
[技术问题]
实施例提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括绝缘层，该绝缘层被形成在多个导电半导体层的外围表面上。
实施例提供一种半导体发光器件，其中第二电极层被设置在发光结构下方，并且绝缘层被设置在发光结构的半导体层中的至少一个半导体层的外围表面上。
实施例提供一种半导体发光器件，其中绝缘层被提供在发光结构的外围表面上并且钝化层被提供在第二电极层的顶表面的外围表面上。
[技术解决方案]
根据实施例，半导体发光器件包括：第一导电半导体层、第一导电半导体层下方的有源层、有源层下方的第二导电半导体层、第二导电半导体层下方的第二电极层、以及第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层中的至少两个层的外围表面上的绝缘层。
根据实施例，半导体发光器件包括发光结构，该发光结构包括：第一导电半导体层、第一导电半导体层下方的有源层以及有源层下方的第二导电半导体层；第一导电半导体层上的第一电极；第二导电半导体层下方的第二电极层；以及有源层和第二导电半导体层两者的外围表面上的绝缘层。
[有益效果]
根据实施例，能够防止电流从发光结构泄漏。
根据实施例，通过使用绝缘层能够提高与第二电极层的粘附强度。
根据实施例，能够去除用于第二电极层的附加的光刻工艺，使得能够简化制造工艺。
根据实施例，能够提高用于半导体发光器件的电可靠性。
附图说明
图1是根据第一实施例的半导体发光器件的侧截面图；
图2至图9是示出根据图1的第一实施例的半导体发光器件的制造工艺的侧截面图；
图10是示出根据第二实施例的半导体发光器件的侧截面图；
图11是示出根据第三实施例的半导体发光器件的侧截面图；以及
图12是示出根据第四实施例的半导体发光器件的侧截面图。
具体实施方式
在下文中，将会参考附图来详细地描述根据实施例的半导体发光器件。为了方便或清楚起见，附图中所示的每个层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，基于附图将会确定每层的顶部或者底部。
在下面的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个垫或另一个图案的“上”或“下”时，它可以“直接”或“间接”在另一个衬底上、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。参考附图已经描述层的这样的位置。
图1是示出根据第一实施例的半导体发光器件的侧截面图。
参考图1，半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、绝缘层140、第二电极150以及导电支撑构件160。
半导体发光器件100包括由III-V族化合物半导体制成的LED，并且LED可以包括发射蓝、绿或者红光的彩色LED，或者UV LED。在实施例的技术范围内可以不同地实现LED的发光。
第一导电半导体层110可以包括被掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体。例如，可以从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP组成的组中选择第一导电半导体层110。
如果第一导电半导体层110包括N型半导体层，那么第一导电掺杂剂可以包括诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te的N型掺杂剂。第一导电半导体层110可以用作电极接触层，并且可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。
第一电极170被形成在第一导电半导体层110上，并且第一电极170提供具有第一极性的电力。具有预定形状的粗糙(未示出)可以被形成在第一导电半导体层110的顶表面上，并且在实施例的技术范围内可以附加地提供或者修改粗糙。
另外，透射电极层(未示出)可以被形成在第一导电半导体层110上，并且将通过第一电极170已经提供的具有第一极性的电力扩展到整个区域。透射电极层可以包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锡氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锌氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一种。
有源层120被形成在第一导电半导体层110下方，并且可以具有单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层120可以具有是由III-V族化合物半导体材料制成的阱层和势垒层的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱/GaN势垒层的堆叠结构。
有源层120是由具有根据要被发射的光的波长的带隙的材料制成。有源层120可以包括能够提供诸如蓝光、红光或者绿光的彩光的材料，但是实施例不限于此。导电包覆层可以被形成在有源层120上和/或下。导电包覆层可以包括AlGaN层。
第二导电半导体层130被设置在有源层120下方。第二导电半导体层130可以包括被掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体。例如，可以从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP组成的组中选择第二导电层130。如果第二导电半导体层130是P型半导体层，第二导电掺杂剂包括诸如Mg或者Ze的P型掺杂剂。第二导电半导体层130可以用作电极接触层，并且可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。
第一导电半导体层110、有源层120以及第二导电半导体层130可以被限定为发光结构135。第一导电半导体层110可以包括P型半导体，并且第二导电半导体层130可以包括N型半导体。诸如N型半导体层或者P型半导体层的第三导电半导体层可以被形成在第二导电半导体层130下方。因此，发光结构135可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的至少一个。
绝缘层140被形成在发光结构135的外围表面上。绝缘层140用作第二导电半导体层130、有源层120以及第一导电半导体层110的外围表面上的侧壁。可以以带或者环的形状形成绝缘层140。
绝缘层140可以包括诸如SiO2、Si3N4、Al2O3或者TiO2的绝缘材料，但是实施例不限于此。
可以形成绝缘层140作为至少一个半导体层的外围表面上的侧壁。例如，绝缘层140可以被形成在第二导电半导体层130和有源层120这两者或者有源层120的外围表面上。
另外，绝缘层140的上端可以延伸到第一导电半导体层110的下部。绝缘层140的下端可以超出第二导电半导体层130向下延伸。
绝缘层140可以具有小于或者等于发光结构135的厚度，或者可以具有大于或者等于发光结构135的厚度。
第二电极层150可以被形成在第二导电半导体层130的下方，或者可以延伸到绝缘层140的下部。
第二电极层150可以包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf或者其组合。第二电极层150可以包括具有50％或者更大的反射率的反射电极材料。
具有以矩阵和/或层的形式布置的多个图案的欧姆接触层(未示出)可以被插入在第二电极层150和第二导电半导体层130之间。欧姆接触层包括从由ITO、IZO、AZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO以及ATO组成的组中选择的至少一种。
第二电极层150可以与第二导电半导体层130肖特基接触或者与第二导电半导体层130欧姆接触。如果具有图案的欧姆接触层存在于第二电极层150和第二导电半导体层130之间，那么第二电极层150可以与第二导电半导体层130肖特基接触，并且欧姆接触层与第二导电半导体层130欧姆接触。因此，由于第二电极层150具有不同于欧姆接触层的电特性，所以能够扩散被提供到第二导电半导体层130的电流。
第二电极层150将具有第二极性的电力稳定地提供到发光结构135，并且反射通过第二导电半导体层130入射的光。
导电支撑构件160被形成在第二电极层150下方。通过使用Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W，和诸如Si、Ge、GaAs、ZnO以及SiC的载具晶片，可以实现第二导电支撑构件160。通过电镀工艺，可以形成导电支撑构件160，但是实施例不限于此。
第二电极层150和导电支撑构件160可以被用作第二电极部件，以将具有第二极性的电力提供到发光结构135。第二电极部件可以包括单层结构或者多层结构的电极材料，或者通过使用粘结剂可以被结合到第二导电半导体层130的下部。
在半导体发光器件100中，绝缘层140被设置在发光结构135的外部处，从而防止剩余材料或者外部潮湿渗透到发光结构135的外部中。因此，能够防止在半导体发光器件100的外部处出现半导体层110、120以及130之中的电短路。
绝缘层140被设置在发光结构135的外部处，从而防止电流从发光结构135泄漏出。例如，通过第二电极层150施加的电流具有被指引到发光结构135的外部的趋势。然而，通过绝缘层140切断这样的电流，使得能够提高电流注入效率。
绝缘层140被设置在第二导电半导体层130和第二电极层150的外部处，使得能够提高第二电极层150的粘附强度。
图2至图9是示出根据第一实施例的半导体发光器件的制造工艺的截面图。
参考图2，第一导电半导体层110被形成在衬底101上，并且有源层120被形成在第一导电半导体层110上。第二导电半导体层130被形成在有源层120上。
可以从由蓝宝石衬底(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3以及GaAs组成的组中选择衬底101。凹凸图案可以被形成在衬底101的表面上，但是实施例不限于此。
III-V族化合物半导体可以被生长在衬底101上，并且可以从由电子束蒸发器、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体激光沉积(PLD)、复式热蒸发器、溅射以及金属有机化学气相沉积(MOCVD)组成的组中选择生长设备。然而，实施例不限于此。
通过使用III-V族元素的化合物半导体，缓冲层(未示出)和/或未被掺杂的半导体层(未示出)可以被形成在衬底101和第一导电半导体层110之间，并且在薄膜已经被生长之后，可以与衬底101分离或者从衬底101去除。相对于衬底101，缓冲层能够减少晶格常数失配，并且未被掺杂的半导体层可以是用以生长化合物半导体层的基础。
第一导电半导体层110可以包括被掺杂有导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体。例如，可以从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP组成的组中选择第一导电半导体层110。如果第一导电半导体层110是N型半导体层，那么第一导电掺杂剂包括诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te的N型掺杂剂。第一导电半导体层110可以用作电极接触层，并且可以具有单层结构或者多层结构。然而，实施例不限于此。
有源层120可以具有单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层120可以具有是由III-V族元素的化合物半导体制成的势垒层和阱的堆叠结构。例如，有源层120可以具有InGaN阱/GaN势垒层的堆叠结构。导电包覆层可以被形成在有源层120上和或者下，并且可以包括AlGaN层。
第二导电半导体层130被形成在有源层120上。第二导电半导体层130可以包括被掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体。例如，可以从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP组成的组中选择第二导电半导体层130。如果第二导电半导体层130是P型半导体层，那么第二导电掺杂剂是诸如Mg或者Ze的P型掺杂剂。第二导电半导体层130可以用作电极接触层，并且可以具有单层结构或者多层结构，但是实施例不限于此。
第一导电半导体层110、有源层120以及第二导电半导体层130可以被限定为发光结构135。第一导电半导体层110可以包括P型半导体，并且第二导电半导体层130可以包括N型半导体。诸如N型半导体层或者P型半导体层的第三导电半导体层可以被形成在第二导电半导体层130上。因此，发光结构135可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的至少一个。
参考图3和图4，掩模层145被形成在第二导电半导体层130的内部区域(发光区域)上。
通过光刻工艺，掩模层145被形成在第二导电半导体层130上，并且以预定的掩模图案，可以蚀刻第二导电半导体层130的外围表面146。因此，掩模层145被形成在除了第二导电半导体层130的外围表面146之外的第二导电半导体层130的内部区域处。为了形成掩模层145，在实施例的技术范围内，可以使用各种方案。然而，实施例不限于此。
可以相对于第二导电半导体层130的外围表面146执行第一台面蚀刻工艺。第一台面蚀刻工艺可以包括干法和/或湿法蚀刻工艺。用于干法蚀刻工艺的装置包括ICP(电感耦合等离子体)，但是实施例不限于此。
第一台面蚀刻工艺的蚀刻深度D1可以对应于从第二导电半导体层130到其中衬底101或者第一导电半导体层110被暴露的位置的深度。相对于发光结构135的半导体层130、120以及110中的至少一个或者所有的半导体层130、120以及110，可以形成第一台面蚀刻工艺的蚀刻深度D1。
参考图4和图5，绝缘层140被形成在通过第一台面蚀刻工艺已经形成的区域147处。绝缘层140可以包括诸如SiO2、Si3N4、Al2O3或者TiO2的绝缘材料，但是实施例不限于此。
绝缘层140被形成作为第二导电半导体层130、有源层120以及第一导电半导体层110的外围表面上的侧壁，并且可以以带或者环的形状形成。
绝缘层140被设置在半导体层130、120以及110的外围表面处，从而防止剩余的材料或者外部潮湿渗透到半导体层130、120以及110的外部中。因此，能够防止在半导体层110、120以及130之中出现电短路。
绝缘层140的上端可以超出第二导电半导体层130向上突出。绝缘层140可以具有的厚度小于或者等于发光结构135的厚度，或者可以具有的厚度大于或者等于发光结构135的厚度。
在绝缘层140已经被形成之后，掩模层(参见图3的145)被去除。
图6是示出多个芯片区域的平面图。可以以多边形的带或者环的形状，将绝缘层140形成在每个芯片的外围表面上。绝缘层140的中心线L1变成用于以芯片尺寸切割衬底101的芯片边界区域。
参考图7，第二电极层150被形成在第二导电半导体层130上。第二电极层150可以被形成在第二导电半导体层130上，或者可以被形成在第二导电半导体层130和绝缘层140上。
第二电极层150可以包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf或者其组合。在这样的情况下，第二电极层150可以包括具有50％或者更大的反射率的反射电极材料。
具有以矩阵和/或层的形式布置的多个图案的欧姆接触层(未示出)可以被插入在第二电极层150和第二导电半导体层130之间。欧姆接触层包括从由ITO、IZO、AZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO以及ATO组成的组中选择的至少一种。
第二电极层150可以与第二导电半导体层130肖特基接触或者与第二导电半导体层130欧姆接触。如果具有图案的欧姆接触层存在于第二电极层150和第二导电半导体层130之间，那么第二电极层150与第二导电半导体层130肖特基接触，并且欧姆接触层与第二导电半导体层130欧姆接触。因此，由于第二电极层150具有不同于欧姆接触层的电特性，所以能够扩散被提供到第二导电半导体层130的电流。
第二电极层150将具有第二极性的电力稳定地提供到发光结构135，并且反射通过第二导电半导体层130入射的光。
参考图8，导电支撑构件160被形成在第二电极层150上。通过使用Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W以及诸如Si、Ge、GaAs、ZnO以及SiC的载具晶片，可以实现第二导电支撑构件160。通过电镀工艺，可以形成导电支撑构件160，但是实施例不限于此。
第二电极层150和导电支撑构件160可以被用作第二电极部件，以将具有第二极性的电力提供到发光结构135。第二电极部件可以包括具有单层结构或者多层结构的电极材料，或者通过使用粘结剂，可以被结合到第二导电半导体层130的下部。
当导电支撑构件160已经被形成时，得到的结构被翻转，使得衬底101被位于在最上层并且导电支撑构件160用作基础。
通过衬底101照射具有预定波长的激光束，将衬底101与第一导电半导体层110分离。换言之，通过LLO(激光剥离)工艺，可以去除衬底101。如果另一半导体层(例如，缓冲层)被形成在衬底101和第一导电半导体层110之间，那么通过湿法蚀刻方案来去除缓冲层，从而与第一导电半导体层110分离。衬底去除方案仅是一个示例，并且可以通过各种方案来去除衬底101。
另外，绝缘层140被设置在第二导电半导体层130和第二电极层150的外部处，使得能够增强第二导电半导体层130和第二电极层150之间的粘附强度。因此，能够防止第二导电半导体层130和第二电极层150免受外部冲击。因此，能够提高用于半导体发光器件的电可靠性。
另外，当传输激光束时，绝缘层140可以减少由激光束引起的冲击。
通过ICP/RIE(电感耦合等离子体/反应离子蚀刻)，可以对不具有衬底101的第一导电半导体层110的表面进行研磨。
在第一导电半导体层110的表面上可以形成粗糙。
参考图9，第一电极170被形成在第一导电半导体层110上。
在这样的情况下，执行第二台面蚀刻工艺。第二台面蚀刻工艺是要蚀刻在每个芯片的外围表面上提供的绝缘层140的中心部。换言之，以预定深度沿着芯片边界线L1来执行第二台面蚀刻工艺。第二台面蚀刻工艺可以包括干法蚀刻方案或者湿法蚀刻方案。
在第一台面蚀刻工艺被执行之前或之后，可以形成第一电极170。在第一电极170被形成之前，包括ITO的透射导电层(未示出)可以被形成在第一导电半导体层110上。透射导电层扩散通过第一电极170提供的电流。
在执行第二台面蚀刻工艺之后，通过割裂工艺，结构被划分为各个芯片。
由于通过第二台面蚀刻工艺来蚀刻绝缘层140，所以能够防止由用于半导体材料的蚀刻引起的电短路。换言之，能够提高制造工艺的稳定性。因此，通过绝缘层140的欧姆特性能够提高发光效率。
由于绝缘层140已经被形成，所以用于保护发光结构135的外部免受外部环境影响的附加的绝缘层被省略。
图10是示出根据第二实施例的发光器件的侧截面图。在下文中，将描述第二实施例，同时强调与第一实施例的不同以避免重复。
参考图10，半导体发光器件100A包括绝缘层142，该绝缘层142被形成在发光结构135的外围表面上。可以以从第二导电半导体层130到第一导电半导体层110的一部分的厚度D2来形成绝缘层142。即使绝缘层142没有被形成在第一导电半导体层110的外部的整个区域上，绝缘层142能够执行与根据第一实施例的绝缘层140的功能相同的功能。
绝缘层142的上端的点P1可以根据第一台面蚀刻工艺的蚀刻深度进行变化。
另外，可以以小于或者等于有源层130的厚度D3来形成绝缘层142。例如，可以从有源层120到第二导电半导体层130或者第三导电半导体层(未示出)来形成绝缘层142。
在半导体发光器件100A中，绝缘层142具有与根据第一实施例的绝缘层140的材料、功能以及效果相同的材料、功能以及效果。
图11是示出根据第三实施例的半导体发光器件的侧截面图。在下文中，将描述第三实施例，同时强调与第一实施例的不同以避免重复。
参考图11，半导体发光器件100B包括绝缘层144，该绝缘层144被形成在发光结构135和第二电极层150的外围表面上。
绝缘层144可以被形成在有源层120、第二导电半导体层130以及第二电极150的外围表面上。
绝缘层144可以以预定的厚度D4从第二导电半导体层144向下突出，使得绝缘层144可以被提供在第二电极层150的外部处。
第二电极层150可以被形成在第二导电半导体层130下方，或者可以被形成在第二导电半导体层130和绝缘层144这两者的下方。
由于绝缘层144将第二电极层150的外部放置在较低的位置处，以使第二电极层150和半导体层110、120以及130之间的距离增加更多。上面的结构能够提高用于半导体发光器件100B的电可靠性。
绝缘层144的上端可以延伸到第一导电半导体层110的一部分或者第一导电半导体层110的上端，但是实施例不限于此。
在半导体发光器件100B中，绝缘层144具有与根据第一实施例的绝缘层140的材料、功能以及效果相同的材料、功能以及效果。
图12是示出根据第四实施例的半导体发光器件的侧截面图。在下文中，将描述第四实施例，同时强调与第一和第二实施例的不同以避免重复。
参考图12，半导体发光器件100C包括绝缘层142，该绝缘层142被形成在发光结构135的外围表面上，并且包括钝化层155，该钝化层155被形成在第二电极层150的顶表面的外围表面上。
沿着第二电极150和绝缘层142之间的外围表面，以带或者环的形状，可以形成钝化层155。钝化层155可以接触第二导电半导体层130的底表面的外围表面。如果钝化层155包括导电材料，那么能够使用钝化层155的电特性。
另外，钝化层155可以包括与绝缘层142相同的绝缘材料或者可以包括透射导电层。如果钝化层155是透射导电层，那么钝化层155可以包括ITO、IZO、AZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO或者ATO。
由于钝化层155被形成在芯片边界区域处，钝化层155可以最小化当衬底被分离时被传输到发光结构135的冲击。如果钝化层155是透射导电层，那么钝化层155能够减少绝缘层142的宽度以增加发光区域。
每个实施例的技术特征可应用于另一实施例，并且不限于每个实施例。
尽管已经描述本发明的示例性实施例，理解的是，本发明不应限于这些示例性实施例，但是在如下文中要求的本发明的精神和范围内，本领域的技术人员能够进行各种变化和修改。
[工业实用性]
实施例能够提供诸如LED的半导体发光器件。
实施例能够提高用于半导体发光器件的制造工艺的可靠性。
根据实施例，通过封装半导体发光器件形成的光源可应用于诸如照明、指示器以及显示器的各种领域。
Claims (16)
1.一种半导体发光器件，包括：
第一导电半导体层；
有源层，所述有源层在所述第一导电半导体层下方；
第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述有源层下方；
绝缘层，所述绝缘层在所述第一导电半导体层、所述有源层以及所述第二导电半导体层中的至少所述有源层的外围表面上；
第二电极层，所述第二电极层在所述第二导电半导体层下方；
导电支撑构件，所述导电支撑构件在所述第二电极层下方；以及
钝化层，所述钝化层在所述绝缘层和所述第二电极层之间，
其中，所述绝缘层插入在所述第一导电半导体层和所述第二电极层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层形成在所述第二导电半导体层和所述有源层两者的外围表面上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中，
所述第二电极层包括在所述第二导电半导体层和所述绝缘层下方的反射电极层，并且
其中，所述第一导电半导体层、所述有源层以及所述第二导电半导体层被定义为发光结构。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层从所述第二导电半导体层的外部延伸到所述第一导电半导体层的外部的一部分。
5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层形成在所述第二电极层的外部上。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层包括从由SiO2、Si3N4、Al2O3以及TiO2组成的组中选择的至少一种。
7.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层具有带形状或者环形状。
8.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层具有小于或等于所述发光结构的厚度。
9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层从所述第一导电半导体层的外部的一部分延伸到所述第二导电半导体层的外部。
10.一种半导体发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、所述第一导电半导体层下方的有源层以及所述有源层下方的第二导电半导体层；
第一电极，所述第一电极在所述第一导电半导体层上；
第二电极层，所述第二电极层在所述第二导电半导体层下方；绝缘层，所述绝缘层在所述有源层和所述第二导电半导体层两者的外围表面上；
导电支撑构件，所述导电支撑构件在所述第二电极层下方；以及
钝化层，所述钝化层在所述绝缘层和所述第二电极层之间，
其中，所述绝缘层插入在所述第一导电半导体层和所述第二电极层之间，
其中，所述绝缘层具有小于或等于所述发光结构的厚度。
11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层设置在所述第二电极层的外部。
12.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层从所述有源层到所述第二导电半导体层来形成。
13.根据权利要求10或11所述的半导体发光器件，其中，
所述钝化层包括绝缘材料。
14.根据权利要求10或11所述的半导体发光器件，其中，
所述钝化层包括透射导电层，其中所述透射导电层具有带形状或者环形状。
15.根据权利要求10或11所述的半导体发光器件，其中，
所述绝缘层从所述第一导电半导体层的外部的一部分延伸到所述第二导电半导体层的外部。
16.根据权利要求1或10所述的半导体发光器件，进一步包括：
欧姆接触层，所述欧姆接触层具有在所述第二电极层和所述第二导电半导体层之间的多个图案。
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