KR20090057104A - 발광 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

기대(10)와, 기대(10)에 배치된 발광 소자(11)와, 발광 소자(11)를 덮는 파장 변환층(12)을 포함하고, 파장 변환층(12)은, 발광 소자(11)로부터의 광의 파장을 변환하는 파장 변환부(13)와, 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부(14)를 포함하며, 광 가이드부(14)는, 파장 변환층(12)의 발광 소자(11)측에서 광 취출측을 향해 연장되어 있는 발광 장치(1)로 한다. 이에 의해, 소형화, 박형화가 용이하며, 광 취출 효율의 저하를 방지할 수 있는 발광 장치를 제공할 수 있다.

Description

발광 장치 및 그 제조 방법{LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, 발광 소자를 이용한 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하 「LED」라고 칭한다) 등의 발광 소자는, 각종의 발광 디바이스에 사용되고 있다. LED는, 방전이나 복사를 사용한 기존 광원에 비해 소형이고 고효율일 뿐만 아니라, 최근에는 고광속화도 진행되어 왔으므로, 기존 광원을 대신할 가능성이 있다. 또, LED는, 방전이나 복사를 사용한 광원에 비해 소형이므로, 용도가 증가하는 것, 취급이 용이해지는 것, 다양한 디자인을 기대할 수 있는 것 등의 이점이 있어, 부가 가치가 높은 광원이다.
또한, LED는, 반사 기능이나 렌즈 기능을 갖는 광학계와 조합함으로써, 출사광의 방사 패턴을 제어할 수 있다. 또, 수 mm각의 LED 칩을 이용하면, 소형의 점광원으로 간주할 수 있으므로, 광학계도 소형으로 할 수 있다.
한편, LED 칩과, 이 LED 칩으로부터의 광의 일부 파장을 변환하는 형광체를 포함하는 파장 변환층을 조합하여 백색 LED를 구성한 경우, LED 칩 이외에 파장 변환층도 포함시켜 발광부로 간주하게 되므로, 발광부의 사이즈가 적어도 LED 칩 자체보다 커져 버린다.
발광부에서 발하는 광량을 가능한 한 유효하게 이용하여, 발광 장치로부터의 출사광으로 하기 위해서는, 발광부보다 충분히 큰 사이즈의 광학계를 사용하거나, 광학계보다 충분히 작은 치수의 발광부인 것이 바람직하다. 광학계를 가능한 한 작게 하여, 발광 장치의 소형, 박형화를 실현하기 위해서는, 가능한 한 작은 파장 변환층인 것이 필요해진다. 파장 변환층의 사이즈를 작게 하는 구조로서, 이하의 특허 문헌 1이나 특허 문헌 2와 같이 고농도의 형광체를 분산한 수지 페이스트를 사용하여, LED 칩의 주위에 파장 변환층을 입체적으로 형성하는 구조가 알려져 있다.
특허 문헌 1 : 일본국 특허공개 2001-135861호 공보
특허 문헌 2 : 미국 특허 제6,650,044호
일반적인 백색 LED에서는, LED 칩으로부터의 출사광과 파장 변환층으로부터의 변환광을 합성하여 백색광을 얻고 있다. 혹은, 파장 변환층에서의 변환광이 백색광이 되는 경우도 있다. 특허 문헌 1, 2에서 언급한 구조에서는, 고농도의 형광체가 LED 칩의 주위에 존재하므로, LED 칩으로부터의 출사광과 형광체에서 변환된 변환광이 형광체에 차단되어, 파장 변환층의 통과 광량이 감소한다. 또, LED 칩으로부터의 출사광의 일부가, 형광체에서 반사되어 LED 칩에 재흡수되거나, LED 칩의 전극에서 흡수되거나 하는 경우도 있다. 이 때문에, 백색광으로서 취출할 수 있는 효율이 저하할 가능성이 있다.
고효율로 백색광을 취출하기 위해서는, 형광체의 농도를 낮게 하면 되지만, 그렇게 하면, 파장 변환층의 사이즈가 커지고, 이에 따라 광학계의 사이즈도 커지 므로, 소형, 박형의 발광 장치를 실현한다는 목적을 방해하게 된다.
본 발명은, 상기 종래의 과제를 해결하는 것으로, 소형화, 박형화가 용이한 데다, 광 취출 효율의 저하를 방지할 수 있는 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 발광 장치는, 기대(基臺)와, 상기 기대에 배치된 발광 소자와, 상기 발광 소자를 덮는 파장 변환층을 포함하는 발광 장치로서,
상기 파장 변환층은, 상기 발광 소자로부터의 광의 파장을 변환하는 파장 변환부와, 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부를 포함하고,
상기 광 가이드부는, 상기 파장 변환층의 상기 발광 소자측에서 광 취출측을 향해 연장되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광 장치의 제1 제조 방법은,
기대 상에 발광 소자를 배치하는 공정과,
상기 기대 상에 상기 발광 소자를 덮도록 하여, 투광성 모재와 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 파장 변환 재료층을 형성하는 공정과,
상기 파장 변환 재료층의 단면으로부터 상기 기대를 향해 오목하게 패인 홈부 또는 구멍부를 형성하는 공정과,
상기 홈부 또는 구멍부에 투광성 재료를 충전하여, 상기 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부와, 상기 투광성 모재 및 상기 파장 변환 재료로 이루어지는 파장 변환부를 갖는 파장 변환층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광 장치의 제2 제조 방법은,
기대 상에 발광 소자를 배치하는 공정과,
오목부와 상기 오목부의 바닥면에 형성된 봉상체(棒狀體)를 갖는 틀의 상기 오목부 내에, 상기 봉상체를 덮도록 하여, 투광성 모재와 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 파장 변환부를 형성하는 공정과,
상기 기대의 상기 발광 소자가 배치된 주면(主面)과, 상기 파장 변환부의 노출면을 접착하는 공정과,
상기 틀로부터 상기 파장 변환부를 떼어내는 공정과,
상기 봉상체가 배치되어 있었던 공극에 투광성 재료를 충전하여, 상기 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부와, 상기 파장 변환부를 갖는 파장 변환층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광 장치의 제3 제조 방법은,
기대 상에 발광 소자를 배치하는 공정과,
투광성 재료로 이루어지는 판상체의 한 주면에 홈부 또는 구멍부를 형성하는 공정과,
상기 홈부 또는 구멍부에, 투광성 모재와 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 페이스트를 충전하여, 상기 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부와, 상기 페이스트로 이루어지는 파장 변환부를 갖는 파장 변환층을 형성하는 공정과,
상기 기대의 상기 발광 소자가 배치된 주면과 상기 파장 변환층을, 상기 광 가이드부가 상기 파장 변환층의 상기 발광 소자측에서 광 취출측을 향해 연장되도록 접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광 장치의 제4 제조 방법은,
기대 상에 발광 소자를 배치하는 공정과,
투광성 재료로 이루어지는 판 형상의 광 가이드부를 복수 형성하는 공정과,
투광성 모재와 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 판 형상의 파장 변환부를 복수 형성하는 공정과,
상기 광 가이드부와 상기 파장 변환부를 교대로 적층하여 일체화함으로써, 상기 광 가이드부와, 상기 파장 변환부를 갖는 파장 변환층을 형성하는 공정과,
상기 기대의 상기 발광 소자가 배치된 주면과 상기 파장 변환층을, 상기 광 가이드부가 상기 파장 변환층의 상기 발광 소자측에서 광 취출측을 향해 연장되도록 접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 발광 장치에 의하면, 파장 변환층 내에 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부가 배치되어 있으므로, 발광 소자로부터의 광이 파장 변환 재료에서 반사되어 발광 소자로 재흡수되는 것을 방지할 수 있다. 또, 파장 변환 재료의 농도를 낮게 할 필요가 없으므로, 파장 변환층의 사이즈를 작게 할 수 있다. 즉, 본 발명의 발광 장치에 의하면, 소형화, 박형화가 용이한 데다, 광 취출 효율의 저하를 방지할 수 있는 발광 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 발광 장치의 제조 방법에 의하면, 상술한 본 발명의 발광 장치를 효율적으로 제조할 수 있다.
도 1A는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 사시도이고, 도 1B는 도 1A에 도시한 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 2A∼D는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 변형예를 도시한 개략 단면도이다.
도 3A는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 사시도이고, 도 3B는 도 3A에 도시한 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 4A∼C는, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다.
도 5A, B는, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다.
도 6A∼D는, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다.
도 7A, B는, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 9A∼E는, 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다.
도 10A는 본 발명의 제7 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 사시도이고, 도 10B는 도 10A에 도시한 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 11A, B는, 본 발명의 제7 실시 형태에 따른 발광 장치의 변형예를 도시한 개략 상면도이다.
도 12A∼C는, 본 발명의 제8 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다.
도 13A, B는, 본 발명의 제8 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다.
도 14는, 본 발명의 제9 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 15는, 본 발명의 제9 실시 형태에 따른 발광 장치의 변형예를 도시한 개략 단면도이다.
본 발명의 발광 장치는, 기대와, 상기 기대에 배치된 발광 소자와, 상기 발광 소자를 덮는 파장 변환층을 포함한다. 발광 소자는, 기대 상에, 예를 들면 플립 칩 접합이나 와이어 본딩 접합에 의해 실장되어 있다. 또한, 파장 변환층은, 발광 소자에 접촉되어 있지 않아도 된다. 또, 발광 소자의 개수는 특별히 한정되지 않고, 요구되는 광량에 따라 적절히 설정하면 된다.
기대의 구성 재료는 특별히 한정되지 않고, 사파이어, Si, GaN, AlN, ZnO, SiC, BN, ZnS 등의 단결정, Al2O3, AlN, BN, MgO, ZnO, SiC, C 등의 세라믹스나 이들의 혼합물, Al, Cu, Fe, Au, W이나 이들을 포함하는 합금 등의 금속, 유리 에폭시, 혹은, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 요소 수지, 아미드 수지, 이미 드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드 수지, 액정 폴리머, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지(ABS 수지), 메타크릴 수지(PMMA 수지), 환상(環狀) 올레핀 코폴리머 등의 수지나 이들의 혼합물로 이루어지는 수지도 사용하는 것이 가능하다.
발광 소자는, 예를 들면, 파장이 420∼500nm인 청색광을 발하는 청색 LED나, 파장이 500∼530nm인 청록색광을 발하는 청록색 LED나, 파장이 380∼420nm인 청자색광을 발하는 청자색 LED나, 파장이 380nm 이하인 자외광을 발하는 자외 LED 등을 사용할 수 있다. 상기 청색 LED나 상기 청자색 LED나 상기 자외 LED로서는, 예를 들면 InGaAlN계 재료를 이용한 LED를 사용할 수 있다. 에피택셜 성장으로 형성하는 각 계(系)의 발광 소자에 있어서의 LED 재료의 원소 조합 비율은, 발광 파장에 따라 적절히 조정하는 것이다.
파장 변환층은, 상기 발광 소자로부터의 광의 파장을 변환하는 파장 변환부와, 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부를 포함한다. 파장 변환부는, 예를 들면 투광성 모재와, 이 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어진다. 그리고, 상기 광 가이드부는, 파장 변환층의 발광 소자측에서 광 취출측을 향해 연장되어 있으며, 발광 소자로부터의 광이나 파장 변환부로부터의 변환광을 광 취출측으로 가이드한다. 이 구성에 의해, 발광 소자로부터의 광이 파장 변환 재료에서 반사되어 발광 소자로 재흡수되는 것을 방지할 수 있다. 또, 파장 변환 재료의 농도를 낮게 할 필요가 없으므로, 파장 변환층의 사이즈를 작게 할 수 있다. 즉, 본 발명의 발광 장치에 의하면, 소형화, 박형화가 용이한 데다, 광 취출 효율의 저하 를 방지할 수 있는 발광 장치를 제공할 수 있다.
파장 변환부가, 투광성 모재와, 이 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 경우, 상기 광 가이드부를 구성하는 상기 투광성 재료의 굴절률이, 상기 투광성 모재의 굴절률과 동등 또는 그것보다 높은 것이 바람직하다. 투광성 재료의 굴절률과 투광성 모재의 굴절률이 동등한 경우, 파장 변환부와 광 가이드부 사이의 계면에 있어서의 광의 굴절이나 반사를 방지할 수 있으므로, 광 취출 효율의 향상이 가능해진다. 또, 투광성 재료의 굴절률이 투광성 모재의 굴절률보다 높은 경우도, 광 취출 효율의 향상이 가능해진다. 즉, 광은 굴절률이 높은 부분에 집중되므로, 발광 소자로부터의 광이나 파장 변환 재료로부터의 변환광을 광 가이드부에 집광시킴으로써, 파장 변환층의 광 취출측으로 용이하게 도파(導波)할 수 있다. 따라서, 광 취출 효율의 향상이 가능해진다.
상기 광 가이드부를 구성하는 투광성 재료로서는, 발광 장치에서 취출하는 광을 투과하는 재료이면 되고, 예를 들면 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 요소 수지, 아미드 수지, 이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드 수지, 액정 폴리머, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지(ABS 수지), 메타크릴 수지(PMMA 수지), 환상 올레핀 코폴리머 등의 수지나 이들의 혼합물, 혹은 금속 알콕시드나 콜로이드 실리카를 출발 재료로 하는 졸·겔법에 의해 형성된 유리나 저융점 유리 등의 유리를 사용할 수 있다. 또, 이들의 투광성 재료를 모재로 하여, 이 모재 중에 금속 산화물 입자를 분산시킨 콤퍼지트재를 사용할 수도 있다. 이 경우, 상기 모재 중에 분산시키는 상기 금속 산화물 입자의 양을 조정함으로써, 광 가이드부의 굴절률을 조정할 수 있는 데다, 광 산란 효과도 얻을 수 있다. 또, 경화성 수지를 모재로 하는 경우는, 미경화 상태의 경화성 수지에 상기 금속 산화물 입자를 분산시키면, 경화 전에 있어서의 상기 경화성 수지의 틱소성이 향상되므로, 광 가이드부를 원하는 형상으로 용이하게 형성할 수 있다. 또, 수지 단독으로 사용하는 경우에 비해 열전도성이 향상되므로, 발광 소자로부터의 열을 효율적으로 방열할 수 있다.
또한, 파장 변환층을 구성하는 광 가이드부의 재료로서, Al2O3, AlN, BN, MgO, ZnO, SiC 등의 세라믹스나 이들의 혼합물, 또, 후술의 형광체 재료를 사용하는 것도 가능하다. 형광체 재료를 사용하는 경우, Ce이나 Eu 등의 희토류를 첨가하지 않으면 발광하지 않으므로, 광 가이드부의 재료로서 사용할 수 있다. 형광체 재료를 광 가이드부의 재료에 이용하는 경우, 그 형광체 재료로서 파장 변환 재료와 동일한 재료계를 사용하면, 굴절률이나 열팽창 계수가 일치하므로, 파장 변환부와 광 가이드부의 계면에서의 반사를 없애거나, 열 응력에 의한 크랙 발생을 억제하는 것도 가능하다. 또, 광 가이드부의 재료로서 세라믹스, 형광체 재료, 유리 재료 등의 무기 재료를 사용하면, 무기 재료는 수지 재료에 비해 열전도율이 높기 때문에, 기대 등을 통해 파장 변환부에서 발생한 열의 방열 효과를 높일 수 있다.
상기 금속 산화물 입자로서는, SiO2, Al2O3 ZnO, Y2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, SnO2, Ta2O3, Nb2O5, BaSO4, V2O5이나 이들의 혼합물로 이루어지는 것을 사용할 수 있고, 굴절률의 조정이나 틱소성 향상에는 평균 입경이 1∼100nm 정도인 것이 바람직 하다. 또, 광 산란 효과를 얻기 위해서는 평균 입경이 100nm∼1μm 정도인 것이 바람직하다. 또한, 상기 「평균 입경」이란, 예를 들면 주사형 전자현미경의 관찰상으로부터 판독한 1차 입자의 입경의 평균치(예를 들면 100개의 1차 입자의 입경의 평균치)이면 된다.
상기 파장 변환부를 구성하는 상기 투광성 모재의 재료에 대해서도, 상기 열거한 투광성 재료와 동일한 것을 사용할 수 있다.
상기 파장 변환 재료로서는, 예를 들면, 적색광을 발하는 적색 형광체, 오렌지색광을 발하는 오렌지색 형광체, 황색광을 발하는 황색 형광체, 녹색광을 발하는 녹색 형광체 등을 사용할 수 있다. 상기 적색 형광체로서는, 예를 들면 실리케이트계의 Ba3MgSi2O8 : Eu2+, Mn2+, 니트리도 실리케이트계의 Sr2Si5N8 : Eu2+, 니트리도 알루미노 실리케이트계의 CaAlSiN3 : Eu2+, 옥소 니트리도 알루미노 실리케이트계의 Sr2Si4AlON7 : Eu2+, 황화물계의 (Sr, Ca)S : Eu2+이나 La2O2S : Eu3+, Sm3+ 등을 사용할 수 있다. 상기 오렌지색 형광체로서는, 예를 들면 실리케이트계의 (Sr, Ca)2SiO4 : Eu2+, 가닛계의 Gd3Al5O12 : Ce3+, α-사이알론계의 Ca-α-SiAlON : Eu2+ 등을 사용할 수 있다. 상기 황색 형광체로서는, 예를 들면 실리케이트계의 (Sr, Ba)2SiO4 : Eu2+이나 Sr3SiO5 : Eu2+, 가닛계의 (Y, Gd)3Al5O12 : Ce3+, 황화물계의 CaGa2S4 : Eu2+, α-사이알론계의 Ca-α-SiAlON : Eu2+ 등을 사용할 수 있다. 상기 녹색 형광체로서는, 예를 들면 알루민산염계의 BaMgAl10O17 : Eu2+, Mn2+이나 (Ba, Sr, Ca)Al2O4 : Eu2+, 실리케이트계의 (Ba, Sr)2SiO4 : Eu2+, α-사이알론계의 Ca-α-SiAlON : Yb2+, β-사이알론계의 β-Si3N4 : Eu2+, 옥소 니트리도 실리케이트계의 (Ba, Sr, Ca)Si2O2N2 : Eu2+, 옥소 니트리도 알루미노 실리케이트계의 (Ba, Sr, Ca)2Si4AlON7 : Ce3+, 황화물계의 SrGa2S4 : Eu2+, 가닛계의 Y3(Al, Ga)5O12 : Ce3+, 산화물계의 CaSc2O4 : Ce3+ 등을 사용할 수 있다.
또, 발광 소자로서, 청자색 LED나 자외 LED를 사용하는 경우는, 예를 들면 상술한 형광체와, 청색광을 발하는 청색 형광체나 청록색광을 발하는 청록색 형광체를 병용하면 된다. 상기 청색 형광체로서는, 예를 들면 알루민산염계의 BaMgAl10O17 : Eu2+, 실리케이트계의 Ba3MgSi2O8 : Eu2+, 할로인산염계의 (Sr, Ba)10(PO4)6Cl2 : Eu2+ 등을 사용할 수 있다. 상기 청록색 형광체로서는, 예를 들면 알루민산염계의 Sr4Al14O25 : Eu2+, 실리케이트계의 Sr2Si3O8·2SrCl2 : Eu2+ 등을 사용 할 수 있다.
상기 파장 변환 재료로서, 상술한 형광체 대신에 금속 착체, 유기 염료, 유기 안료, 인광체 등을 사용할 수도 있다. 필요한 색온도, 연색(演色) 평가수를 얻기 위해 상기 파장 변환 재료를 복수 사용하는 것도 가능하다. 또한, 본 발명에 의하면, 발광 소자에서 발하는 광의 피크 파장에 있어서의 외부 양자 효율이 90% 이하인 파장 변환 재료(예를 들면, 일본국 특허공개 2006-49799호 공보에 기재된 (Sr, Ba)2SiO4 : Eu2+이나 (Y, Gd)3Al5O12 : Ce3+)를 사용해도, 전술한 본 발명의 효과가 발휘됨으로써, 소형, 박형을 유지하면서 광 취출 효율이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
본 발명의 발광 장치에서는, 상기 광 가이드부의 선단이 상기 파장 변환층의 광 취출측 단면으로부터 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 파장 변환층의 광 취출측 단면이 요철 형상이 되므로, 광 취출측 단면에서의 전반사를 방지할 수 있어, 광 취출 효율의 향상이 가능해지기 때문이다. 이 경우, 상기 선단은, 반구상 또는 원뿔상인 것이 바람직하다. 광 취출 효율의 향상이 한층 더 가능해지기 때문이다. 또한, 상기 구성에 있어서는, 볼록부가 되는 상기 선단의 간격이 30∼300μm 정도이면, 광 취출 효율의 향상이 보다 용이해지므로 바람직하다.
본 발명의 발광 장치에서는, 상기 광 가이드부가, 상기 발광 소자에서 광 취출측을 향해 방사상으로 연장되도록 배치되어 있어도 된다. 발광 소자의 주위의 파장 변환 재료가 줄어들기 때문에, 발광 소자로부터의 광이 파장 변환 재료에서 반사되어 발광 소자로 재흡수되는 것을 확실하게 방지할 수 있는 데다, 취출되는 광의 색 얼룩을 억제할 수 있기 때문이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 참조하는 도면에 있어서는, 실질적으로 동일한 기능을 갖는 구성 요소를 동일한 부호로 나타내고, 중복되는 설명을 생략하는 경우가 있다. 또, 도면을 간소화하여 이해하기 쉽게 하는 목적으로부터, 참조하는 도면에는 금속 배선이나 발광 장치의 외측에 설치하는 급전 단자 등을 생략하고 있다.
(제1 실시 형태)
도 1A는, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 사시도이고, 도 1B는, 도 1A에 도시한 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 1A, B에 나타낸 바와 같이, 발광 장치(1)는, 기대(10)와, 기대(10)에 배치된 발광 소자(11)와, 발광 소자(11)를 덮는 파장 변환층(12)을 포함한다. 파장 변환층(12)은, 발광 소자(11)로부터의 광의 파장을 변환하는 파장 변환 재료를 포함하는 파장 변환부(13)와, 투광성 재료로 이루어지는 9개의 광 가이드부(14)를 포함하며, 광 가이드부(14)는, 파장 변환층(12)의 발광 소자(11)측으로부터 광 취출측(상면)을 향해 연장되어 있다. 이 구성에 의해, 발광 소자(11)로부터의 광이 파장 변환 재료에서 반사되어 발광 소자(11)로 재흡수되는 것을 방지할 수 있다. 또, 파장 변환 재료의 농도를 낮게 할 필요가 없으므로, 파장 변환층(12)의 사이즈를 작게 할 수 있다. 즉, 발광 장치(1)에 의하면, 소형화, 박형화가 용이한 데다, 광 취출 효율의 저하를 방지할 수 있는 발광 장치를 제공할 수 있다. 또한, 도 1A 에서는, 사각기둥상의 파장 변환층(12)으로 하였지만, 파장 변환층(12)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 원기둥상, 사각기둥상 이외의 다각 기둥상, 원뿔상, 각뿔상 등이어도 된다. 또, 도 1A에서는, 광 가이드부(14)가, 3×3으로 정렬된 상태로 배치되어 있지만, 광 가이드부(14)의 수나 배치 형태는 특별히 한정되지 않고, 랜덤으로 배치되어 있어도 된다.
다음에, 제1 실시 형태에 따른 발광 장치(1)의 변형예에 대해, 도 2A∼D의 개략 단면도를 참조하면서 설명한다.
도 2A에 나타낸 발광 장치(2)는, 광 가이드부(14)(일부는 도시 생략)가, 4×4로 정렬된 상태로 배치되어 있고, 어느 광 가이드부(14)도, 발광 소자(11) 및 기대(10)에 접촉하고 있지 않다. 이에 의해, 예를 들면 발광 소자(11)로서 자외 LED를 사용한 경우, 자외 LED로부터의 자외광이 광 가이드부(14)로부터 외부로 직접 방사되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 광 가이드부(14)의 발광 소자(11)측의 단부가 볼록렌즈상이나 오목렌즈상으로 형성되어 있으면, 발광 소자(11)로부터의 광이나, 파장 변환부(13)로부터의 변환광을 집광하기 쉬워지므로, 광 취출 효율이 향상한다.
도 2B에 나타낸 발광 장치(3)는, 각각의 광 가이드부(14)의 길이나 굵기가 상이하다. 이와 같이, 각각의 광 가이드부(14)의 길이나 굵기를 조정함으로써, 출사광의 조도 얼룩이나 발광색의 색 얼룩을 억제할 수 있다. 또, 발광 소자(11)에 접촉하는 광 가이드부(14)가, 파장 변환층(12)의 상면에 노출되어 있지 않다. 이에 의해, 예를 들면 발광 소자(11)로서 자외 LED를 사용한 경우, 자외 LED로부터의 자외광이 광 가이드부(14)로부터 외부로 직접 방사되는 것을 방지할 수 있다.
도 2C에 나타낸 발광 장치(4)는, 광 가이드부(14)가, 모두 발광 소자(11)에서 광 취출측을 향해 방사상으로 연장되도록 배치되어 있다. 이에 의해, 발광 소자(11)의 주위의 파장 변환 재료가 줄어들기 때문에, 발광 소자(11)로부터의 광이 파장 변환 재료에서 반사되어 발광 소자(11)로 재흡수되는 것을 확실하게 방지할 수 있는 데다, 취출되는 광의 색 얼룩을 억제할 수 있다.
도 2D에 나타낸 발광 장치(5)는, 광 가이드부(14)의 선단(14a)이 파장 변환층(12)의 광 취출측 단면으로부터 원뿔상으로 돌출되어 있다. 이에 의해, 파장 변환층(12)의 광 취출측 단면이 요철 형상이 되므로, 광 취출측 단면에서의 전반사를 방지할 수 있고, 광 취출 효율의 향상이 가능해진다. 또한, 도 2D에서는, 선단(14a)이 원뿔상인 예에 대해 설명하였지만, 선단(14a)이 다른 형상(예를 들면 반구상)이어도 된다.
(제2 실시 형태)
도 3A는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 사시도이고, 도 3B는, 도 3A에 나타낸 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 3A, B에 나타낸 바와 같이, 발광 장치(6)에서는, 파장 변환부(13)가 3층 구조로 되어 있고, 기대(10)측에서부터 순서대로, 적색 형광체층(131), 녹색 형광체층(132) 및 청색 형광체층(133)이 적층되어 있다. 또, 발광 소자(11)로서 자외 LED를 사용하고 있다. 이 구성에 의해, 녹색 형광체층(132)으로부터의 녹색광에 의해 적색 형광체층(131)의 형광체가 여기되는 것을 방지할 수 있고, 또한 청색 형 광체층(133)으로부터의 청색광에 의해 적색 형광체층(131)의 형광체나 녹색 형광체층(132)의 형광체가 여기되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 또, 광 가이드부(14)로서, 광 취출용의 광 가이드부(141)와, 여기광용의 광 가이드부(142)를 구비하고 있으므로, 출사광의 색도의 어긋남을 억제할 수 있다.
(제3 실시 형태)
다음에, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법에 대해, 도면을 참조하여 설명한다. 참조하는 도 4A∼C 및 도 5A, B는, 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다. 또한, 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 상술한 발광 장치(2)(도 2A 참조)의 적합한 제조 방법의 일례이다.
우선, 도 4A에 나타낸 바와 같이, 기대(10) 상에 발광 소자(11)를 배치한다. 그리고, 기대(10) 상에 발광 소자(11)를 덮도록 하여, 투광성 모재와, 이 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 파장 변환 재료층(20)을 스크린 인쇄 등에 의해 형성한다.
다음에, 도 4B에 나타낸 바와 같이, 봉상체(21a)를 갖는 지그(21)를 이용하여 파장 변환 재료층(20)을 푹 찔러, 도 4C에 나타낸 구멍부(20a)를 형성한다. 봉상체(21a)의 직경은, 예를 들면 10∼200μm 정도이다. 또한, 지그(21)의 구성 재료로서는, 예를 들면 유리, 수지, 금속 등의 재료를 사용할 수 있다.
다음에, 도 5A에 나타낸 바와 같이, 디스펜서나 잉크젯 인쇄기 등의 노 즐(22)을 이용하여, 진공 중에서 구멍부(20a)에 투광성 재료(23)(예를 들면 열경화성 수지)를 충전하고, 이 투광성 재료(23)를 경화시킨다. 이에 의해, 도 5B에 나타낸 바와 같이, 투광성 재료(23)로 이루어지는 광 가이드부(14)와, 상기 투광성 모재 및 상기 파장 변환 재료로 이루어지는 파장 변환부(13)를 갖는 파장 변환층(12)이 형성되어, 발광 장치(2)가 얻어진다. 또한, 상술한 도 4B의 공정에 있어서, 다이싱 블레이드를 이용하여 파장 변환 재료층(20)에 홈부를 형성하고, 이 홈부 내에 광 가이드부(14)를 형성해도 된다.
(제4 실시 형태)
다음에, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법에 대해, 도면을 참조하여 설명한다. 참조하는 도 6A∼D 및 도 7A, B는, 제4 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다. 또한, 제4 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 상술한 발광 장치(2)(도 2A 참조)의 적합한 제조 방법의 다른 일례이다.
우선, 도 6A에 나타낸 바와 같이, 기대(10) 상에 발광 소자(11)를 배치한다.
다음에, 도 6B에 나타낸 틀(24)을 준비한다. 틀(24)은, 오목부(24a)와, 오목부(24a)의 바닥면에 형성된 봉상체(24b)를 갖는다. 봉상체(24b)의 직경은, 예를 들면 10∼200μm 정도이다. 또한, 틀(24)의 구성 재료로서는, 예를 들면 유리, 수지, 금속 등의 재료를 사용할 수 있다.
다음에, 도 6C에 나타낸 바와 같이, 오목부(24a) 내에, 봉상체(24b)를 덮도록 하여 파장 변환부(13)를 형성한다. 파장 변환부(13)의 형성 방법으로서는, 예 를 들면, 투광성 모재와, 이 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료를 포함하는 페이스트를 오목부(24a) 내에 충전하면 된다.
다음에, 도 6D에 나타낸 바와 같이, 기대(10)의 발광 소자(11)가 배치된 주면과, 파장 변환부(13)의 노출면을 접착한다. 예를 들면, 파장 변환부(13)를 구성하는 상기 페이스트를 경화시키기 전에 상기 주면과 상기 노출면을 접촉시켜, 상기 페이스트를 경화시키면 된다.
그리고, 틀(24)로부터 파장 변환부(13)를 떼어내어, 도 7A에 나타낸 바와 같이, 디스펜서나 잉크젯 인쇄기 등의 노즐(22)에 의해, 봉상체(24b)가 배치되어 있었던 공극(13a)에 투광성 재료(23)(예를 들면 열경화성 수지)를 충전하고, 이 투광성 재료(23)를 경화시킨다. 이에 의해, 도 7B에 나타낸 바와 같이, 투광성 재료(23)로 이루어지는 광 가이드부(14)와, 파장 변환부(13)를 갖는 파장 변환층(12)이 형성되어, 발광 장치(2)가 얻어진다.
(제5 실시 형태)
도 8은, 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 발광 장치(7)는, 광 가이드부(14)의 내측에 복수의 파장 변환부(13)가 형성되어 있다. 그 밖의 구성은, 상술한 발광 장치(2)(도 2A 참조)와 동일하다. 발광 장치(7)에 의해서도 발광 장치(2)와 동일한 효과가 얻어진다.
(제6 실시 형태)
다음에, 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법에 대해, 도 면을 참조하여 설명한다. 참조하는 도 9A∼E는, 제6 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다. 또한, 제6 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 상술한 발광 장치(7)(도 8 참조)의 적합한 제조 방법의 일례이다.
우선, 도 9A에 나타낸 바와 같이, 기대(10) 상에 발광 소자(11)를 배치한다.
다음에, 도 9B에 나타낸 바와 같이, 투광성 재료로 이루어지는 판상체(25)를 준비한다.
다음에, 도 9C에 나타낸 바와 같이, 레이저 가공이나 에칭에 의해, 판상체(25)의 주면(25a)에 구멍부(25b)를 형성한다. 다음에, 레이저 가공이나 에칭에 의해, 주면(25a)과는 반대측의 주면(25c)에 발광 소자(11)가 수용되는 캐비티(25d)를 형성한다.
그리고, 도 9D에 나타낸 바와 같이, 구멍부(25b)에, 투광성 모재와 이 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 페이스트(26)를, 디스펜서나 잉크젯 인쇄기 등의 노즐로부터 충전하여, 이 페이스트(26)로 이루어지는 파장 변환부(13)와, 상기 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부(14)를 갖는 파장 변환층(12)을 형성한다. 상기 노즐로부터 적하하는 페이스트(26)에 포함되는 파장 변환 재료의 종류를 전환함으로써, 파장 변환부(13)의 깊이 방향에 있어서 파장 변환 재료를 변화시켜 충전할 수 있다.
광 가이드부(14)의 재료로서 전술한 세라믹스나 형광체 재료를 사용하는 경우, 그 성형에 소성 공정을 수반하므로, 상기와 같이 별개로 성형한 판상체(25)로부터 광 가이드부(14)를 형성하는 방법이 유효해진다.
다음에, 도 9E에 나타낸 바와 같이, 캐비티(25d)에 발광 소자(11)가 수용되도록, 기대(10)와 파장 변환층(12)을 접착제 등에 의해 접착하여, 발광 장치(7)가 얻어진다.
상기 접착제에는 일반적으로 사용되는 유기계 접착재, 예를 들면 에폭시계, 실리콘계에 한정되지 않고, 무기계 접착재로서, 땜납재가 되는 금속 재료, 예를 들면 Sn, Au, In, Pb, Bi, Ag, Al 등이나 이들의 합금 재료, 금속 산화물, 예를 들면 SiO2, Al2O3, ZnO, Y2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, SnO2, Ta2O3, Nb2O5, BaSO4, ZnS, V2O5 등이나 이들 혼합 재료를 사용할 수 있다. 특히, 판상체(25)가, 상술한 세라믹스나 형광체 재료로 이루어지는 경우, 무기계 접착재가 유효하다.
(제7 실시 형태)
도 10A는, 본 발명의 제7 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 사시도이고, 도 10B는, 도 10A에 도시한 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 10A, B에 나타낸 바와 같이, 발광 장치(8)는, 판 형상의 파장 변환부(13)와, 판 형상의 광 가이드부(14)가 적층되어 파장 변환층(12)이 형성되어 있다. 파장 변환부(13) 및 광 가이드부(14)는, 모두 기대(10)에 대해 수직이다. 또, 도 10B에 나타낸 바와 같이, 발광 소자(11)는, 기대(10)에 형성된 오목부(10a)의 바닥면에 배치되어 있고, 오목부(10a) 내는, 예를 들면, 질소 등의 불활성 가스나 에폭시 수지 등의 시일링 수지(도시 생략)로 충전되어 있다. 파장 변환층(12)의 폭(W)(도 10A 참조)은, 예를 들면, 1.5mm 정도이면 된다. 또, 파장 변환층(12)의 높이(H)(도 10B 참조) 및 길이(L)(도 10B 참조)는, 예를 들면 각각 1.5mm 정도 및 3mm 정도이면 된다. 이 경우, 발광 소자(11)는, 1mm각 정도의 크기로 두께가 100∼300μm 정도인 것을 사용할 수 있다. 또한, 파장 변환부(13) 및 광 가이드부(14)의 배치 형태는, 도 10A, B의 형태에 한정되지 않고, 예를 들면 도 11A나 도 11B에 나타낸 개략 상면도와 같이, 파장 변환부(13) 및 광 가이드부(14)가 배치되어 있어도 된다. 또, 오목부(10a)의 바닥면에 발광 소자(11)가 복수 배치되어 있어도 된다.
(제8 실시 형태)
다음에, 본 발명의 제8 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법에 대해, 도면을 참조하여 설명한다. 참조하는 도 12A∼C 및 도 13A, B는, 제8 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법의 공정별 단면도이다. 또한, 제8 실시 형태에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 상술한 발광 장치(8)(도 10A, B 참조)의 적합한 제조 방법의 일례이다.
우선, 도 12A에 나타낸 바와 같이, 기대(10)에 형성된 오목부(10a)의 바닥면에 발광 소자(11)를 배치한다.
다음에, 도 12B에 나타낸 바와 같이, 투광성 모재와 이 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 판 형상의 파장 변환부(13)를 복수 형성하고, 또한 투광성 재료(예를 들면 반경화 상태의 열경화성 수지)로 이루어지는 판 형상의 광 가이드부(14)를 복수 형성한다. 그리고, 도 12C에 나타낸 바와 같이, 파장 변환부(13)와 광 가이드부(14)를 교대로 적층한 후, 상기 투광성 재료를 완전 경화시 킴으로써 이들을 일체화하여, 파장 변환부(13)와 광 가이드부(14)를 갖는 파장 변환층(12)을 형성한다. 또한, 면적이 보다 넓은 파장 변환부(13)와, 면적이 보다 넓은 광 가이드부(14)를 형성하고, 이들을 동일하게 일체화한 후에 다이싱 블레이드 등에 의해 복수로 개편화(個片化)하면, 파장 변환층(12)의 양산화가 용이해진다.
파장 변환층(12)의 구성 재료에 무기 재료, 예를 들면, 세라믹스나 형광체 재료를 사용하는 경우, 파장 변환층(12)은, 광 가이드부(14)가 되는 그린 시트와 파장 변환부(13)가 되는 그린 시트를 교대로 적층 일체화하여 제작할 수 있다.
그리고, 도 13A에 나타낸 바와 같이, 기대(10)의 발광 소자(11)가 배치된 주면과 파장 변환층(12)을, 에폭시 수지 등의 시일링 수지에 의해 접착한다. 이 때, 파장 변환부(13) 및 광 가이드부(14)가 기대(10)에 대해 수직이 되도록 한다. 이에 의해, 도 13B에 나타낸 발광 장치(8)가 얻어진다. 또한, 발광 소자(11)의 발광 파장에 따라 파장 변환부(13)를 적절히 선택함으로써, 설계치 대로의 색도의 합성광(백색광)을 얻을 수 있다.
파장 변환층(12)이, 세라믹스, 형광체 재료, 유리 재료 등의 무기 재료로 이루어지는 경우, 전술한 무기계 접착재를 이용하여 기대(10)와 파장 변환층(12)을 접착해도 된다. 무기계 접착재는, 수지 재료에 비해 열전도율이 높기 때문에, 방열의 점에서 유리하다.
(제9 실시 형태)
도 14는, 본 발명의 제9 실시 형태에 따른 발광 장치의 개략 단면도이다.
도 14에 나타낸 바와 같이, 제9 실시 형태에 따른 발광 장치(100)는, 상술한 제1 실시 형태에 따른 발광 장치(1)(도 1A, B 참조)에 광학계를 설치한 예이다. 발광 장치(100)에서는, 수지 등으로 이루어지는 메인 기판(101) 상에, 알루미늄 등의 금속이나 알루미나 등의 세라믹 등으로 이루어지는 반사판(102)을 배치하고, 반사판(102)의 오목부(102a) 내에 발광 장치(1)를 배치하고 있다. 그리고, 오목부(102a)의 개구를 덮는 렌즈(103)를 설치하고 있다. 이와 같이 광학계를 설치함으로써, 출사광의 방사 패턴을 제어할 수 있다. 또한, 오목부(102a) 내는, 예를 들면, 질소 등의 불활성 가스나 에폭시 수지 등의 시일링 수지(도시 생략)로 충전되어 있다.
이상, 광학계를 설치한 본 발명의 발광 장치에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 도 15에 나타낸 바와 같이, 파장 변환층(12)을 오목부(102a)의 개구에 설치해도 된다. 이에 의해, 발광 소자(11)와 파장 변환층(12)이 접촉하지 않게 되므로, 발광 소자(11)로의 광의 재흡수를 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 기대(10) 상의 발광 소자(11)의 개수는 한정되지 않고, 복수여도 된다.
본 발명은, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 상기 이외의 형태로 해도 실시가 가능하다. 본 출원에 개시된 실시 형태는 일례이며, 이들에 한정은 되지 않는다. 본 발명의 범위는, 상술한 명세서의 기재보다, 첨부되어 있는 청구 범위의 기재를 우선하여 해석되고, 청구 범위와 균등한 범위 내에서의 모든 변경은, 청구 범위에 포함되는 것이다.
본 발명의 발광 장치는, 예를 들면, 일반 조명, 연출 조명(스포트라이트, 사인램프 등), 자동차용 조명(특히 전조등) 등에 사용되는 조명 장치나, 디스플레이, 프로젝터 등에 사용되는 표시 장치 등에 유용하다. 또, 소형, 박형화가 요구되는 센서용 광원으로서도 유용하다.

Claims (10)

  1. 기대(基臺)와, 상기 기대에 배치된 발광 소자와, 상기 발광 소자를 덮는 파장 변환층을 포함하는 발광 장치로서,
    상기 파장 변환층은, 상기 발광 소자로부터의 광의 파장을 변환하는 파장 변환부와, 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부를 포함하고,
    상기 광 가이드부는, 평균 입경이 1nm∼100nm인 금속 산화물 입자를 함유하며, 또한 상기 파장 변환층의 상기 발광 소자측에서 광 취출측을 향해 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 파장 변환부는, 투광성 모재와, 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지고,
    상기 광 가이드부를 구성하는 상기 투광성 재료의 굴절률이, 상기 투광성 모재의 굴절률과 동등 또는 그것보다 높은 발광 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 파장 변환부는, 투광성 모재와, 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지고,
    상기 파장 변환 재료는, 상기 발광 소자에서 발하는 광의 피크 파장에 있어 서의 외부 양자 효율이 90% 이하인 발광 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 가이드부는, 선단이 상기 파장 변환층의 광 취출측 단면으로부터 돌출되어 있는 발광 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 파장 변환층의 광 취출측 단면으로부터 돌출된 상기 선단은, 반구상 또는 원뿔상인 발광 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 광 가이드부는, 상기 발광 소자에서 광 취출측을 향해 방사상으로 연장되도록 배치되어 있는 발광 장치.
  7. 기대 상에 발광 소자를 배치하는 공정과,
    상기 기대 상에 상기 발광 소자를 덮도록 하여, 투광성 모재와 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 파장 변환 재료층을 형성하는 공정과,
    상기 파장 변환 재료층의 단면으로부터 상기 기대를 향해 오목하게 패인 홈부 또는 구멍부를 형성하는 공정과,
    상기 홈부 또는 구멍부에 투광성 재료를 충전하여, 상기 투광성 재료로 이루 어지는 광 가이드부와, 상기 투광성 모재 및 상기 파장 변환 재료로 이루어지는 파장 변환부를 갖는 파장 변환층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  8. 기대 상에 발광 소자를 배치하는 공정과,
    오목부와 상기 오목부의 바닥면에 형성된 봉상체(棒狀體)를 갖는 틀의 상기 오목부 내에, 상기 봉상체를 덮도록 하여, 투광성 모재와 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 파장 변환부를 형성하는 공정과,
    상기 기대의 상기 발광 소자가 배치된 주면(主面)과, 상기 파장 변환부의 노출면을 접착하는 공정과,
    상기 틀로부터 상기 파장 변환부를 떼어내는 공정과,
    상기 봉상체가 배치되어 있었던 공극에 투광성 재료를 충전하여, 상기 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부와, 상기 파장 변환부를 갖는 파장 변환층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  9. 기대 상에 발광 소자를 배치하는 공정과,
    투광성 재료로 이루어지는 판상체(板狀體)의 한 주면에 홈부 또는 구멍부를 형성하는 공정과,
    상기 홈부 또는 구멍부에, 투광성 모재와 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 페이스트를 충전하여, 상기 투광성 재료로 이루어지는 광 가이드부와, 상기 페이스트로 이루어지는 파장 변환부를 갖는 파장 변환층을 형성하는 공정과,
    상기 기대의 상기 발광 소자가 배치된 주면과 상기 파장 변환층을, 상기 광 가이드부가 상기 파장 변환층의 상기 발광 소자측에서 광 취출측을 향해 연장되도록 접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  10. 기대 상에 발광 소자를 배치하는 공정과,
    투광성 재료로 이루어지는 판 형상의 광 가이드부를 복수 형성하는 공정과,
    투광성 모재와 상기 투광성 모재에 분산된 파장 변환 재료로 이루어지는 판 형상의 파장 변환부를 복수 형성하는 공정과,
    상기 광 가이드부와 상기 파장 변환부를 교대로 적층하여 일체화함으로써, 상기 광 가이드부와, 상기 파장 변환부를 갖는 파장 변환층을 형성하는 공정과,
    상기 기대의 상기 발광 소자가 배치된 주면과 상기 파장 변환층을, 상기 광 가이드부가 상기 파장 변환층의 상기 발광 소자측에서 광 취출측을 향해 연장되도록 접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
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