JP2019040895A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
発光素子と、
該発光素子の上面に配置され、前記発光素子の上面よりも大きな面積の下面を有する波長変換部材と、
前記発光素子の側面から前記波長変換部材の下面まで延在して設けられる第1導光部材と、
前記波長変換部材の上面に配置され、前記波長変換部材の上面よりも小さな面積の下面を有する透光性部材と、
前記波長変換部材の上面から前記透光性部材の側面まで延在して設けられる第2導光部材とを備える発光装置。
この実施形態の発光装置10は、図1に示すように、発光素子11と、発光素子11の上面11Aに配置され、発光素子11の上面11Aよりも大きな面積の下面12Bを有する波長変換部材12と、発光素子11の側面から波長変換部材12の下面まで延在して設けられる第1導光部材13と、波長変換部材12の上面12Aに配置され、波長変換部材12の上面12Aよりも小さな面積の下面14Bを有する透光性部材14と、波長変換部材12の上面12Aから透光性部材14の側面まで延在して設けられる第2導光部材15とを備える。透光性部材14の上面14Aは発光装置10の他の構成部材から露出し、発光装置10の主な光取り出し面となる。このような発光装置10は、例えば、照明用装置、車載用発光装置等の光源として利用できる。
この発光装置10では、第1導光部材13が、平面視において発光素子11の外縁から発光素子11よりも外側に延在する波長変換部材の下面外縁まで延在して設けられている。これにより、発光素子11から出射された光は、発光面積を広げながら波長変換部材12の下面12Bへと入射される。また、第2導光部材15は、平面視において透光性部材14の外縁から透光性部材14よりも外側に延在する波長変換部材12の上面外縁まで延在して設けられている。これにより、波長変換部材12の上面から出射された光は、発光面積を絞りながら外部へ出射させることができる。
このような発光装置によれば、発光素子から出射された光を効率よく波長変換することができるとともに、波長変換された光の出射面積をより狭い範囲に定めることができ、高輝度の光を効率的に取り出すことができる。
発光素子11は、n型半導体層とp型半導体層と発光層とからなる半導体層を有する発光ダイオードを用いることが好ましく、目的及び用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。発光素子11は、半導体層の一面側を上面11Aとする。例えば、青色(波長430nm〜490nmの光)、緑色(波長490nm〜570nmの光)の発光素子11としては、ZnSe、窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP等の半導体層を用いたものが挙げられる。また、赤色(波長620nm〜750nmの光)の発光素子11としては、GaAlAs、AlInGaP等を用いることができる。なかでも、波長変換部材に含まれる蛍光体等の波長変換物質を効率よく励起できる短波長の発光が可能な窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いることが好ましい。発光素子11の成分組成、発光色、大きさ等は、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。
発光素子11は、半導体層に接続された一対の電極を備える。一対の電極は、半導体層の異なる面に配置されていてもよいが、半導体層の同一面側に配置されていることが好ましい。これにより発光素子11を基板17上にフリップチップ実装することができる。一対の電極が形成された面を下面として基板17上にフリップチップ実装する場合、下面と反対側の上面11Aが発光素子の主な光取り出し面となる。
発光素子11は、後述するように、その上面11A側に波長変換部材12が配置される。波長変換部材12は、例えば透光性の接着剤等によって発光素子11の上面11Aに固定することができる。また波長変換部材12と発光素子11とは、接着剤を介さずに直接接合されていてもよい。
1つの発光装置において、発光素子は1つであってもよいし、図2に示すように、2以上の複数であってもよい。
波長変換部材12は、発光素子11の上面11Aに配置される。波長変換部材12は、種々の接合法によって発光素子11の上面に配置し、固定することができる。上述したように、波長変換部材12は、発光素子11の上面11Aに、接着剤等を介して固定されていてもよいが、接着剤等を介さずに固定されていてもよい。接着剤を介さずに直接接合される場合は、発光素子から出射される光を、接着剤等にさえぎられることなく波長変換部材12に入射させることができ、光の取出し効率の向上を図ることができる。
接着剤としては、後述する第1及び第2導光部材を構成する透光性の樹脂と同様の材料が挙げられる。
波長変換部材12の平面形状は、円形、楕円形、正方形又は六角形等の多角形等種々とすることができる。なかでも、正方形、長方形等の矩形又は正六角形であることが好ましく、発光素子11の平面形状と略相似形であることがより好ましい。
波長変換部材12の下面12Bは、発光素子11の上面11Aをその内側に含むように、配置される。例えば、平面視において、波長変換部材12の下面12Bは、その外縁の一部又は全部が、発光素子11の上面11Aの外縁よりも外側に配置されていることが好ましく、その外縁の全部が外側に配置されていることがより好ましい。言い換えると、発光素子11は、平面視において、その外縁が波長変換部材12の下面12Bの外縁よりも内側に配置されていることが好ましい。これにより、発光素子11から出射された光を効率よく波長変換部材12に入射させることができる。また、下面12Bは、その中心が、発光素子11の上面11Aの中心と略一致するように配置されていることが好ましい。
白色に発光可能な発光装置とする場合、波長変換部材12に含まれる蛍光体の種類、濃度によって白色に発光可能となるように適宜設定することができる。白色に発光可能な発光装置とする場合、波長変換部材12に含有される蛍光体の濃度は、例えば、5%〜50%が挙げられる。
また、波長変換部材12には、必要に応じて光拡散部材を含有させてもよい。光拡散材としては、例えば、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等が挙げられる。
波長変換部材12の厚みTは、後述する透光性部材の厚みよりも薄いことが好ましい。これにより透光性部材で被覆されない波長変換部材12の上面から、後述する被覆部材を介して発光面側に漏れ伝わる光を低減することが可能となり、発光部と非発光部との差が明確な発光装置とすることができる。
なお、複数の発光素子に1つの波長変換部材が配置される場合、上述した面積、外縁の位置、後述する距離W2、W3及びW1等は、複数の発光素子それぞれの外縁を囲む面積に対するもの、複数の発光素子全ての外縁を囲む縁の位置に対するもの、これらに対する距離等に対応させることができる。
第1導光部材13は、発光素子11の側面から波長変換部材12の下面12Bまで延在して設けられる。第1導光部材13は、発光素子11の側面の少なくとも一部を被覆する。第1導光部材13は、発光素子11の側面の高さ方向における全てを被覆してもよい。つまり、第1導光部材13の最下端は、発光素子11の側面の最下端と一致していてもよい。これによって、発光素子11の側面からの出射光を、第1導光部材13と後述する被覆部材16との界面で反射させて波長変換部材12に入射させることができる。
また、第1導光部材13は、波長変換部材12の下面12Bの全てを被覆することが好ましい。つまり、平面視における第1導光部材13の外縁は、波長変換部材12の下面12Bの外縁と一致することが好ましい。第1導光部材13は、波長変換部材12の側面を被覆してもよいが、被覆しないことが好ましい。
発光素子11の側面を被覆する第1導光部材13の最大厚さは、波長変換部材12の下面12Bの外縁と発光素子11の上面11Aの外縁との距離W2と一致することが好ましい。
なお、第1導光部材13は、発光素子11と波長変換部材12とを接合するための接着剤として用いてもよい。この場合、発光素子11の上面と波長変換部材12の下面との間にも第1導光部材13が配置される。
透光性部材14は、波長変換部材12の上面12Aに配置され、波長変換部材12の上面12Aよりも小さな面積の下面14Bを有する。透光性部材14の下面14Bの面積は、例えば、波長変換部材12の上面12Aの90%以下の面積を有するものが挙げられる。
また、透光性部材14は、上面14Aの面積が発光素子11の上面11Aの面積と同じまたはそれより小さいことが好ましい。透光性部材14の上面14Aの面積は、例えば、発光素子11の上面11A以下の面積を有するものが挙げられ、90%以下の面積が好ましく、85%以下の面積がより好ましい。また、50%以上の面積、40%以上又は30%以上の面積であることがさらに好ましい。このように透光性部材14の上面14Aの面積を発光素子11の上面11Aよりも、より小さな面積とすることで、発光装置10の発光面積が絞られて、より高輝度な発光装置とすることができる。
透光性部材14の下面14Bは、発光素子11の上面11A及び波長変換部材12の上面12Aをその内側に含むように、配置されることが好ましい。例えば、平面視において、下面14Bは、その外縁の一部又は全部が、発光素子11の上面11Aの外縁よりも内側に配置されていることが好ましく、その外縁の全部が内側に配置されていることがより好ましい。また、下面14Bは、その外縁の一部又は全部が、波長変換部材12の上面12Aの外縁よりも内側に配置されていることが好ましく、その外縁の全部が内側に配置されていることがより好ましい。
例えば、断面視における、透光性部材14の下面14Bの外縁と発光素子11の上面11Aの外縁との距離W3は、0μm〜100μmが挙げられ、10μm〜60μmが好ましく、40μm〜60μmがより好ましい。これにより、発光面側から見た際に、透光性部材14の下面14Bの全てを発光素子11で包含することが可能となるため、光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。さらに、透光性部材14の下面14Bの外縁と波長変換部材12の上面12Aの外縁との距離W1は、50μm〜200μm程度が好ましい。
また、透光性部材14は、熱伝導率が、発光素子を構成する材料の熱伝導率よりも小さいものが好ましい。具体的には、GaNの熱伝導率が1.3〜2.0W/cm・k、GaPの熱伝導率が1.1W/cm・k、であり、InPの熱伝導率が0.68W/cm・kであるため、発光素子の種類に応じて、例えば、これらの値よりも熱伝導率が小さいものがより好ましい。これにより、波長変換部材からの発熱を、発光素子を介して基板側に優先的に放熱することができる。
透光性部材14は、1種類の材料によって単層で形成してもよく、2種類以上の材料を混合して単層で形成してもよく、単層を2層以上積層してもよい。
また、透光性部材14には、必要に応じて上述した光拡散材を含有させてもよい。
なお、複数の発光素子及び/又は波長変換部材に1つの透光性部材が配置される場合、上述した面積、外縁の位置、距離W3及びW1等は、複数の発光素子及び/又は波長変換部材それぞれの外縁を囲む面積に対するもの、複数の発光素子群及び/又は波長変換部材群の外縁を囲む縁の位置に対するもの、これらに対する距離等に対応させることができる。
第2導光部材15は、波長変換部材12の上面12Aから透光性部材14の側面まで延在して設けられている。第2導光部材15は、透光性部材14の側面の少なくとも一部を被覆しており、その全部を被覆してもよい。つまり、第2導光部材15の最上端は、透光性部材14の側面の最上端と一致していてもよい。これによって、波長変換部材12からの出射光を、第2導光部材15と後述する被覆部材16との界面で反射させて波長変換部材12内又は透光性部材14内に入射させることができ、その結果、出射光を効率的に絞ることができ、輝度を向上させることができる。
また、第2導光部材15は、波長変換部材12の上面12Aの少なくとも一部を被覆するが、その全部を被覆することが好ましい。つまり、第2導光部材15の最外縁は、波長変換部材12の上面12Aの外縁と一致することが好ましい。第2導光部材15は、波長変換部材12の側面及び/又は下面を被覆してもよいが、被覆しないことが好ましい。また、第2導光部材15は、透光性部材の上面を被覆してもよいが、被覆しないことが好ましい。
なお、第2導光部材15は、波長変換部材12と透光性部材14とを固定するための接着剤として用いることができる。この場合、波長変換部材12の上面と透光性部材14の下面との間にも第2導光部材15が配置される。
第1導光部材13と第2導光部材15は同じ樹脂材料を用いることが好ましい。同じ樹脂材料を用いることにより製造時の作業効率を向上させることができる。また、透光性部材14の下面14Bの外縁と波長変換部材12の上面12Aの外縁との距離W1と、波長変換部材12の下面12Bの外縁と発光素子11の上面11Aの外縁との距離W2との差が大きい場合には、第2導光部材15の粘度を第1導光部材13の粘度よりも低く調整することが好ましい。これにより、第2導光部材15が波長変換部材12の上面で広がりやすくなるため、波長変換部材12の上面全体を被覆することができる。なお、樹脂材料の粘度は、例えば、樹脂材料中に含有させるフィラーの量により調整することができる。
この実施形態における発光装置10は、さらに、第1導光部材13及び第2導光部材15の側面等を覆う被覆部材16を備えることが好ましい。
被覆部材16は、発光素子11の側面、波長変換部材12の側面、第1導光部材13の側面13a、透光性部材14の側面、第2導光部材15の側面15aを被覆する。被覆部材16は、図1Aに示すように、第1導光部材13から露出する発光素子11の側面、第2導光部材15から露出する透光性部材14の側面、波長変換部材12の上面11A、発光素子11の下面及び電極の全ても被覆されることが好ましい。これにより、発光素子11から出射する光の略全てを波長変換部材12、さらに透光性部材14に入射させることができる。
後述するように、発光素子11が基板17上に実装されている場合には、被覆部材16は、さらに、発光素子11の下面と基板17との間、基板17上にも配置されていることが好ましい。
被覆部材16は、例えば、射出成型、ポッティング成型、印刷法、モールド法、圧縮成型などで成形することができる。
発光素子11は、任意に、基板17上に搭載されていてもよい。基板17は、発光素子11を、被覆部材16等とともに一体的に支持することができる。基板17の表面には、例えば、外部の電源と発光素子とを電気的に接続するための配線パターンが形成されている。その配線パターン上に、発光素子が、例えば接合部材を介して実装される。発光素子11は、その形態に応じて、基板にフリップチップ実装又はフェイスアップ実装されていてもよいが、フリップチップ実装されていることが好ましい。
接合部材としては、Au又はその合金等からなるバンプ、共晶ハンダ(Au−Sn)、Pb−Sn、鉛フリーハンダ等が挙げられる。
基板17上には、発光素子11等のほか、被覆部材16を囲う枠体及び/又は被覆部材16等が配置されていてもよい。
この実施形態の発光装置10は、発光素子11とは別に、その発光素子11に隣接して他の電子部品18を備えていてもよい。電子部品としては、発光装置10の発光を目的としない部品であり、発光素子を制御するためのトランジスタ、規定電圧以上の電圧が印加されると通電状態になるツェナーダイオード等の保護素子等が挙げられる。これらの電子部品18は、被覆部材16に埋設されて配置されることが好ましい。
つまり、波長変換する領域と発光面積を絞る領域とを分けることにより、波長変換部材12中を通過する光の距離を短くして、波長変換物質による光散乱の影響を最小限に抑えることができる。これにより、光取り出し効率を向上させることができるとともに、より高輝度な発光装置10とすることができる。
上述した発光装置は、例えば、以下の製造方法により製造することができる。
製造方法A:
発光素子の上面に、発光素子の上面よりも大きい面積の下面を有する波長変換部材を、第1導光部材を形成する未硬化の樹脂材料を介して接合するとともに、第1導光部材を発光素子の側面から波長変換部材の下面まで延在するように配置し、
発光素子と接合された波長変換部材の上面に、波長変換部材の上面よりも小さい面積の下面を有する透光性部材を、第2導光部材を形成する未硬化の樹脂材料を介して接合するとともに、第2導光部材を波長変換部材の上面から透光性部材の側面まで延在するように配置する。
発光素子の上面に、発光素子の上面よりも大きい面積の下面を有する波長変換部材を直接接合し、
発光素子の側面から波長変換部材の下面まで延在するように第1導光部材を配置し、
発光素子と接合された波長変換部材の上面に、波長変換部材の上面よりも小さい面積の下面を有する透光性部材を、第2導光部材を形成する未硬化の樹脂材料を介して接合するとともに、第2導光部材を波長変換部材の上面から透光性部材の側面まで延在するように配置する。
下面面積が発光素子の上面よりも大きい波長変換部材を準備し、
波長変換部材の上面に、波長変換部材の上面よりも小さい面積の下面を有する透光性部材を直接接合し、
波長変換部材の上面から透光性部材の側面まで延在するように第2導光部材を配置し、
発光素子の上面に、上面に透光性部材が接合された波長変換部材を、第1導光部材を形成する未硬化の樹脂材料を介して接合するとともに、第1導光部材を発光素子の側面から波長変換部材の下面まで延在するように配置する。
発光素子の上面に、発光素子の上面よりも大きい面積の下面を有する波長変換部材を直接接合し、
波長変換部材の上面に、波長変換部材の上面よりも小さい面積の下面を有する透光性部材を直接接合し、
発光素子の側面から波長変換部材の下面まで延在するように第1導光部材を配置し、
波長変換部材の上面から透光性部材の側面まで延在するように第2導光部材を配置する。
第1導光部材13及び第2導光部材15を配置した後の任意の段階で、被覆部材を配置する工程を行うことが好ましい。
(発光素子11又は透光性部材14の波長変換部材12への接合)
発光素子11及び/又は透光性部材14と波長変換部材12とを直接接合する方法としては、当該分野で公知の方法が挙げられる。
例えば、圧着、焼結等を用いてもよいし、常温接合を利用してもよい。なかでも、常温接合を利用することが好ましい。
常温接合は、例えば、表面活性化接合、水酸基接合、原子拡散接合が利用できる。表面活性化接合は、接合面を真空中で処理することで化学結合しやすい表面状態として接合面同士を結合する方法である。水酸基接合は、例えば原子層堆積法などにより接合面に水酸基を形成し、それぞれの接合面の水酸基同士を結合させる方法である。原子拡散接合は、それぞれの接合面に1原子層相当の膜厚の金属膜を形成し、真空中や不活性ガス雰囲気でそれぞれの接合面を接触させることで金属原子同士を結合させる方法である。このような直接接合法を用いることにより、常温に近い環境下で発光素子11と波長変換部材12とを一体化することができる。
第1導光部材13及び第2導光部材15は、例えば、ポッティング、印刷等によって形成することができる。なかでも上述した未硬化の樹脂材料を用いて、ポッティングにより形成することが好ましい。第1導光部材13及び第2導光部材15は、その表面形状が凹形となるように形成することが好ましい。このような表面形状は、ポッティングにより容易に得られる。用いる未硬化の樹脂材料の量及び/又は粘度を調整することにより凹形状または凸形状に適宜制御することができる。樹脂材料には粘度を調整するためのフィラーを含有してもよい。第1導光部材13及び第2導光部材15として、樹脂材料を用いることにより、表面張力によって、発光素子11又は透光性部材14の側面に這い上がり、発光素子又は透光性部材の側面の一部又は全部を、第1導光部材13又は第2導光部材15によって被覆することができる。
発光素子11は、基板17上に実装することが好ましい。発光素子11の実装方法としては、フリップチップ実装を用いることが好ましい。発光素子11上への波長変換部材等の配置は、発光素子を基板に実装した後に行ってもよいし、発光素子を基板に実装する前に行ってもよい。
波長変換部材12、第1導光部材13、第2導光部材15の側面を覆う被覆部材16を配置する。具体的には、被覆部材16は、被覆部材16を形成する未硬化の樹脂材料16Aを、発光素子11の周囲及び任意に基板17上に配置することで形成される。
被覆部材を形成する未硬化の樹脂材料16Aは、例えば、基板17に対して上下方向又は水平方向等に可動させることができる樹脂吐出装置等を用いて形成することができる。被覆部材16は、例えば、金型を用いて成型することもできる。
この実施形態1の発光装置10は、図1Aに示すように、発光素子11と、波長変換部材12と、第1導光部材13と、透光性部材14と、第2導光部材15とを備える。発光素子11は、配線層を有する基板17に搭載されており、発光素子11の周囲、発光素子11と基板17との間、基板17上に、被覆部材16が配置されている。
基板17は、窒化アルミニウムからなり、少なくともその上面に配線層を有する。配線層上には、発光素子11が、金バンプを介して、フリップチップ実装されている。
透光性部材14は、上面の面積が、発光素子11及び波長変換部材12の上面の面積より小さく、平面視において、その外縁が、発光素子及び波長変換部材の外縁よりも内側に配置されている。
波長変換部材の厚みは、透光性部材の厚みよりも薄い。
また、透光性部材として用いるホウ珪酸ガラスでの熱伝導率は、発光素子を構成する材料であるサファイアの熱伝導率よりも小さい。
このような発光装置10は、例えば、上述した製造方法Aによって形成することができる。
なお、発光装置10、R、X、Y、Zの波長変換部材に含まれる波長変換物質には同じ種類の蛍光体を用い、蛍光体の含有量はそれぞれの発光装置の色度が同程度となるように調整されている。
上述した発光装置10と、比較のための発光装置R、X、Y、Zとにおいて、1000mAの電流を印加して、光束を測定したところ、発光装置10は、発光装置R、X、Y、Zのすべてと比較して、以下のとおり光束が向上することが確認された。なお、発光装置R、Xにおける第2導光部材15の(極小)とは、波長変換部材と透光性部材との間には接着剤が介在するが、透光性部材の外縁より外側に位置する波長変換部材の上面の殆ど(具体的には90%以上)が接着剤から露出していることを意味する。
この実施形態2の発光装置20は、図2に示すように、2つの発光素子21と、2つの発光素子を同時に被覆する波長変換部材22と、各発光素子21のそれぞれの側面に配置された第1導光部材23と、波長変換部材22の上に設けられた1つの透光性部材24と、透光性部材24の側面に設けられた第2導光部材25とを備える。2つの発光素子21は、それぞれ、配線層を有する基板27上に、平面視において全体として矩形状になるように配置されている。実施形態2の発光装置20は、発光素子21を複数備える点、隣接する発光素子21間に、第1導光部材23、被覆部材26が配置されている点以外、発光装置10と実質的に同様の構成を備える。
このように複数の発光素子を備える発光装置20は、発光装置10と同様の効果を有する。
特に、発光素子を複数備えることにより、より一層高輝度な発光装置とすることができる。また、複数の発光素子の対向する側面それぞれが第1導光部材23で被覆されていることにより、隣接する発光素子間における色むら及び輝度むらを抑制することができる。この際、第1導光部材23は基板側に凹の側面を有することが好ましい。このような形状により、発光素子側面からの光を第1導光部材23の外面で、適度な反射面を形成し、反射光を波長変換部材22へと効率よく導光させることができる。
透光性部材24は、上面24A及び下面24Bの面積が、波長変換部材22の上面22Aの面積より小さく、平面視において、透光性部材24の外縁が、2つの発光素子21の上面21Aを囲む最外縁及び波長変換部材22の上面22Aの外縁よりも内側に配置されている。
波長変換部材22の厚みは、透光性部材24の厚みよりも薄い。
11、21 発光素子
11A、21A 上面
12、22 波長変換部材
12A、22A 上面
12B、22B 下面
13、23 第1導光部材
13a 側面
14、24 透光性部材
14A、24A 上面
14B、24B 下面
15、25 第2導光部材
15a 側面
16、26 被覆部材
16A 樹脂材料
17、27 基板
18 電子部品
Claims (13)
- 発光素子と、
該発光素子の上面に配置され、前記発光素子の上面よりも大きな面積の下面を有する波長変換部材と、
前記発光素子の側面から前記波長変換部材の下面まで延在して設けられる第1導光部材と、
前記波長変換部材の上面に配置され、前記波長変換部材の上面よりも小さな面積の下面を有する透光性部材と、
前記波長変換部材の上面から前記透光性部材の側面まで延在して設けられる第2導光部材とを備える発光装置。 - 前記透光性部材は、上面の面積が前記発光素子の上面の面積より小さい請求項1に記載の発光装置。
- 前記透光性部材は、平面視において、その外縁が前記発光素子の外縁よりも内側に配置されている請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、平面視において、その外縁が前記波長変換部材の外縁よりも内側に配置されている請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- さらに、前記波長変換部材、前記第1導光部材及び前記第2導光部材の側面を覆う被覆部材を備える請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記発光素子は複数であり、
前記複数の発光素子に対して、1つの前記波長変換部材が配置されている請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。 - さらに、前記発光素子を実装する基板を備えており、
前記発光素子は、前記基板にフリップチップ実装されている請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記透光性部材は、熱伝導率が、前記発光素子を構成する材料の熱伝導率よりも小さい請求項1〜7のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記発光素子の上面は、前記波長変換部材の下面に接している請求項1〜8のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記発光素子の上面は、前記波長変換部材の下面に接着剤を介して接合されている請求項1〜8のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記波長変換部材の上面は、前記透光性部材の下面に接している請求項1〜10のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記波長変換部材の上面は、前記透光性部材の下面に接着剤を介して接合されている請求項1〜10のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記波長変換部材の厚みは、前記透光性部材の厚みよりも薄い請求項1〜12のいずれか1つに記載の発光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2021095282A1 (ja) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 発光装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219324A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2014120722A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2016072515A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
WO2016094422A1 (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
JP2016115729A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造法 |
JP2017041477A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2335295B1 (en) * | 2008-09-25 | 2021-01-20 | Lumileds LLC | Coated light emitting device and method of coating thereof |
WO2010044240A1 (ja) | 2008-10-15 | 2010-04-22 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット |
JP5326837B2 (ja) | 2009-06-08 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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JP2013110199A (ja) | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
JP2013175531A (ja) | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
JP2014093435A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Panasonic Corp | 発光装置およびその製造方法 |
JP6097084B2 (ja) | 2013-01-24 | 2017-03-15 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2014179407A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Stanley Electric Co Ltd | Led発光装置とそれを用いた車両用灯具 |
JP6519311B2 (ja) | 2014-06-27 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9601668B2 (en) * | 2014-10-28 | 2017-03-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP6554914B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
JP6217705B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6387954B2 (ja) | 2015-12-24 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法 |
JP6520736B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 照明装置 |
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JP2017183427A (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
KR20170121777A (ko) * | 2016-04-25 | 2017-11-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
JP2018022844A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
-
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-
2019
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219324A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2014120722A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2016072515A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
WO2016094422A1 (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
JP2016115729A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造法 |
JP2017041477A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11557702B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-01-17 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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