KR20080038398A - 이중 변환 이득 게이트에 의한 화상 픽셀 리셋 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (38)
- 제2 확산 영역을 통해 제1 확산 영역을 리셋하는 단계;상기 리셋된 제1 확산 영역을 나타내는 제1 신호를 출력하는 단계;상기 제1 확산 영역에 광-발생 전하를 저장하는 단계; 및상기 저장된 광-발생 전하를 나타내는 제2 신호를 출력하는 단계를 포함하는 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 저장된 광-발생 전하를 상기 제2 확산 영역으로 전송하는 단계;추가적인 광-발생 전하를 상기 제1 확산 영역에 저장하는 단계; 및상기 저장된 추가적인 광-발생 전하를 나타내는 제3 신호를 출력하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 2에 있어서,상기 제1, 제2, 및 제3 신호를 샘플 앤 홀드하는 단계; 및상기 샘플 앤 홀드된 제1, 제2, 및 제3 신호를 사용하여 상관(correlated) 출력 값을 획득하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 2에 있어서, 상기 저장된 광-발생 전하를 상기 제2 확산 영역으로 전 송하는 단계는,이중 변환 이득 요소를 활성화하는 단계; 및상기 전송된 저장된 광-발생 전하를 저장 요소에 저장하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 2에 있어서, 상기 저장된 광-발생 전하를 상기 제2 확산 영역으로 전송하는 단계는,상기 저장된 광-발생 전하가 미리 설정된 레벨을 초과하는지의 여부를 판정하는 단계; 및상기 저장된 광-발생 전하가 상기 미리 설정된 레벨을 초과하면, 이중 변환 이득 요소를 활성화하고 상기 전송된 저장된 광-발생 전하를 저장 요소에 저장하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 2에 있어서, 상기 광-발생 전하를 저장하는 단계는, 감광 요소로부터의 전하를 전송 요소를 통해서 상기 제1 확산 영역으로 전송하는 단계를 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 6에 있어서, 상기 추가적인 광-발생 전하를 저장하는 단계는, 상기 감광 요소로부터의 추가적인 광-발생 전하를 상기 전송 요소를 통해서 상기 제1 확산 영역으로 전송하는 단계를 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 6에 있어서, 상기 감광 소자로부터 초과 전하를 방출(drain away)하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 공유 픽셀 셀의 어레이를 포함하는 이미저 장치를 구동하는 방법으로서,제1 공유 확산 영역을 제2 공유 확산 영역에 연결된 이중 변환 이득 요소를 통해 리셋하는 단계;상기 리셋된 제1 공유 확산 영역을 나타내는 제1 신호를 출력하는 단계;제1 픽셀 셀로부터의 제1 광-발생 전하를 상기 제1 공유 확산 영역에 저장하는 단계;상기 저장된 제1 광-발생 전하를 나타내는 제2 신호를 출력하는 단계;상기 저장된 제1 광-발생 전하를 상기 제2 공유 확산 영역으로 전송하는 단계;추가적인 제1 광-발생 전하를 상기 제1 공유 확산 영역에 저장하는 단계; 및상기 저장된 추가적인 제1 광-발생 전하를 나타내는 제3 신호를 출력하는 단계를 포함하는 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 9에 있어서,제2 픽셀 셀로부터의 제2 광-발생 전하를 상기 제1 공유 확산 영역에 저장하는 단계;상기 저장된 제2 광-발생 전하를 나타내는 제4 신호를 출력하는 단계;상기 저장된 제2 광-발생 전하를 상기 제2 공유 확산 영역으로 전송하는 단계;추가적인 제2 광-발생 전하를 상기 제1 확산 영역에 저장하는 단계; 및상기 저장된 추가적인 제2 광-발생 전하를 나타내는 제5 신호를 출력하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 제1, 제2, 및 제3 신호를 샘플 앤 홀드하는 단계; 및상기 샘플 앤 홀드된 제1, 제2, 및 제3 신호를 사용하여 상관 출력 값을 획득하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 제1, 제2, 제3, 제4, 및 제5 신호를 샘플 앤 홀드하는 단계;상기 샘플 앤 홀드된 제1, 제2, 및 제3 신호를 사용하여 제1 상관 출력 값을 획득하는 단계; 및상기 샘플 앤 홀드된 제1, 제4, 및 제5 신호를 사용하여 제2 상관 출력 값을 획득하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 10에 있어서, 상기 제1 공유 확산 영역을 리셋하는 단계 내지 상기 제5 신호를 출력하는 단계를, 공유 픽셀의 다음 로우(row)에 대해 반복하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 9에 있어서, 상기 저장된 제1 광-발생 전하를 상기 제2 확산 영역으로 전송하는 단계는,상기 이중 변환 이득 요소를 활성화하는 단계; 및상기 전송된 저장된 제1 광-발생 전하를 저장 요소에 저장하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 9에 있어서, 상기 저장된 제1 광-발생 전하를 상기 제2 확산 영역으로 전송하는 단계는,상기 저장된 제1 광-발생 전하가 미리 설정된 레벨을 초과하는 지의 여부를 판정하는 단계; 및상기 저장된 광-발생 전하가 상기 미리 설정된 레벨을 초과하면, 상기 이중 변환 이득 요소를 활성화하고 상기 전송된 저장된 제1 광-발생 전하를 저장 요소에 저장하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 15에 있어서, 상기 제1 픽셀의 상기 감광 소자로부터의 초과 전하를 방출하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 제1 확산 영역을 이중 변환 이득 요소를 통해 리셋하는 단계;상기 리셋된 제1 확산 영역을 나타내는 제1 신호를 출력하는 단계;광-발생 전하를 상기 제1 확산 영역에 저장하는 단계;저장된 광-발생 전하를 제2 확산 영역으로 누설되게 하는 단계;추가적인 광-발생 전하를 상기 제1 확산 영역에 저장하는 단계; 및상기 저장된 추가적인 광-발생 전하를 나타내는 제2 신호를 출력하는 단계를 포함하는 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 17에 있어서,상기 제1 및 제2 신호를 샘플 앤 홀드하는 단계; 및상기 샘플 앤 홀드된 제1 및 제2 신호를 사용하여 상관 출력 값을 획득하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 17에 있어서, 감광 소자로부터 초과 전하를 방출하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 17에 있어서,상기 이중 변환 이득 요소를 활성화하는 단계; 및상기 누설된 광-발생 전하를 저장 요소에 저장하는 단계를 더 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 17에 있어서, 상기 광-발생 전하를 저장하는 단계는, 감광 요소로부터의 전하를 전송 요소를 통해서 상기 제1 확산 영역으로 전송하는 단계를 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 청구항 21에 있어서, 상기 추가적인 광-발생 전하를 저장하는 단계는, 상기 감광 요소로부터의 추가적인 광-발생 전하를 상기 전송 요소를 통해서 상기 제1 확산 영역으로 전송하는 단계를 포함하는, 이미저 장치 구동 방법.
- 제1 감광 요소;상기 제1 감광 요소와 제1 확산 영역의 사이에 연결되며, 상기 제1 감광 요소로부터의 광-발생 전하를 상기 제1 확산 영역으로 전송하는 제1 전송 트랜지스터;상기 제1 확산 영역과 제2 확산 영역 사이에 연결되며, 활성화 시에 상기 제1 확산 영역을 상기 제2 확산 영역으로 연결하는 이중 변환 이득 요소;리셋 전압과 상기 제2 확산 영역 사이에 연결된 리셋 요소; 및상기 리셋 요소를 가로 질러 연결되는 전하 저장 요소를 포함하며,상기 제1 확산 영역은 상기 리셋 및 이중 변환 이득 요소를 활성화시키는 것에 의해 리셋되는, 촬상 장치.
- 청구항 23에 있어서, 상기 리셋 및 이중 변환 이득 요소는 트랜지스터를 포함하는, 촬상 장치.
- 청구항 23에 있어서, 전압원과 상기 제1 감광 요소 사이에 연결된 고 동적 범위(high dynamic range) 요소를 더 포함하는, 촬상 장치.
- 청구항 25에 있어서, 상기 고 동적 범위 요소는 활성화되어 상기 제1 감광 요소로부터의 전하를 방출하는, 촬상 장치.
- 청구항 23에 있어서,제2 감광 요소; 및상기 제2 감광 요소와 상기 제1 확산 영역 사이에 연결된 제2 전송 트랜지스터를 더 포함하는, 촬상 장치.
- 청구항 23에 있어서,제2 감광 요소;상기 제2 감광 요소와 상기 제1 확산 영역 사이에 연결된 제2 전송 트랜지스터;제3 감광 요소;상기 제3 감광 요소와 상기 제1 확산 영역 사이에 연결된 제3 전송 트랜지스 터;제4 감광 요소; 및상기 제4 감광 요소와 상기 제1 확산 영역 사이에 연결된 제4 전송 트랜지스터를 더 포함하는, 촬상 장치.
- 청구항 23에 있어서, 상기 전하 저장 요소는, 상기 이중 변환 이득 요소가 활성화되었을 때, 상기 제1 확산 영역의 변환 이득을 증가시키는 캐패시터인, 촬상 장치.
- 청구항 23에 있어서, 상기 전하 저장 요소는, 상기 이중 변환 이득 요소가 활성화되었을 때, 상기 제1 확산 영역으로부터의 전하를 저장하는 캐패시터인, 촬상 장치.
- 프로세서와, 상기 프로세서에 연결되는 촬상 장치를 포함하는 이미저 시스템으로서,상기 촬상 장치는,제1 감광 요소;상기 제1 감광 요소와 제1 확산 영역의 사이에 연결되며, 상기 제1 감광 요소로부터의 광-발생 전하를 상기 제1 확산 영역으로 전송하는 제1 전송 트랜지스터;상기 제1 확산 영역과 제2 확산 영역 사이에 연결되며, 활성화 시에 상기 제1 확산 영역을 상기 제2 확산 영역으로 연결하는 이중 변환 이득 요소;리셋 전압과 상기 제2 확산 영역 사이에 연결된 리셋 요소; 및상기 리셋 요소를 가로 질러 연결되는 전하 저장 요소를 포함하며,상기 제1 확산 영역은 상기 리셋 및 이중 변환 이득 요소를 활성화시키는 것에 의해 리셋되는, 이미저 시스템.
- 청구항 31에 있어서, 상기 리셋 및 이중 변환 이득 요소는 트랜지스터를 포함하는, 이미저 시스템.
- 청구항 31에 있어서, 상기 촬상 장치는, 전압원과 상기 제1 감광 요소 사이에 연결된 고 동적 범위 요소를 더 포함하는, 이미저 시스템.
- 청구항 33에 있어서, 상기 고 동적 범위 요소는 활성화되어 상기 제1 감광 요소로부터의 전하를 방출하는, 이미저 시스템.
- 청구항 31에 있어서, 상기 촬상 장치는,제2 감광 요소; 및상기 제2 감광 요소와 상기 제1 확산 영역 사이에 연결된 제2 전송 트랜지스터를 더 포함하는, 이미저 시스템.
- 청구항 31에 있어서, 상기 촬상 장치는,제2 감광 요소;상기 제2 감광 요소와 상기 제1 확산 영역 사이에 연결된 제2 전송 트랜지스터;제3 감광 요소;상기 제3 감광 요소와 상기 제1 확산 영역 사이에 연결된 제3 전송 트랜지스터;제4 감광 요소; 및상기 제4 감광 요소와 상기 제1 확산 영역 사이에 연결된 제4 전송 트랜지스터를 더 포함하는, 이미저 시스템.
- 청구항 31에 있어서, 상기 전하 저장 요소는, 상기 이중 변환 이득 요소가 활성화되었을 때, 상기 제1 확산 영역의 변환 이득을 증가시키는 캐패시터인, 이미저 시스템.
- 청구항 37에 있어서, 상기 전하 저장 요소는, 상기 이중 변환 이득 요소가 활성화되었을 때, 상기 제1 확산 영역으로부터의 전하를 저장하는 캐패시터인, 이미저 시스템.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130054508A (ko) * | 2011-11-17 | 2013-05-27 | 삼성전자주식회사 | 화소 회로 및 이를 포함하는 깊이 센서 |
KR20150107547A (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀, 이를 포함하는 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
US9287009B2 (en) | 2014-05-12 | 2016-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Repair circuit and fuse circuit |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7446357B2 (en) * | 2005-05-11 | 2008-11-04 | Micron Technology, Inc. | Split trunk pixel layout |
US7511323B2 (en) * | 2005-08-11 | 2009-03-31 | Aptina Imaging Corporation | Pixel cells in a honeycomb arrangement |
KR100782308B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2007-12-06 | 삼성전자주식회사 | 입사 광량에 따라 광전류 경로를 선택할 수 있는 cmos이미지 센서와 이미지 센싱 방법 |
US7427790B2 (en) * | 2007-01-19 | 2008-09-23 | Eastman Kodak Company | Image sensor with gain control |
JP5262028B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2013-08-14 | ソニー株式会社 | イメージセンサおよび制御方法 |
US8077237B2 (en) | 2007-10-16 | 2011-12-13 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for controlling dual conversion gain signal in imaging devices |
KR101465667B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2014-11-26 | 삼성전자주식회사 | Cmos 영상 센서 및 그 동작 방법 |
RU2509321C2 (ru) * | 2008-06-26 | 2014-03-10 | Трикселль | Детектор рентгеновского излучения с широким динамическим диапазоном и улучшенным отношением сигнал - шум |
US20110074996A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Shen Wang | Ccd image sensors with variable output gains in an output circuit |
JP5644177B2 (ja) | 2010-05-07 | 2014-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP5664175B2 (ja) | 2010-11-29 | 2015-02-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法、及び電子機器 |
JP5915031B2 (ja) | 2011-08-31 | 2016-05-11 | ソニー株式会社 | 撮像装置および撮像方法、並びに電子機器 |
TWI533699B (zh) | 2012-01-27 | 2016-05-11 | Sony Corp | A solid-state imaging element and a driving method, and an electronic device |
CN102695008A (zh) * | 2012-05-07 | 2012-09-26 | 天津大学 | 大尺寸像素电荷快速转移的cmos图像传感器像素结构 |
US8817154B2 (en) * | 2012-08-30 | 2014-08-26 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with fixed potential output transistor |
US8773562B1 (en) * | 2013-01-31 | 2014-07-08 | Apple Inc. | Vertically stacked image sensor |
US9083899B2 (en) * | 2013-02-21 | 2015-07-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Circuit structure for providing conversion gain of a pixel array |
JP2014204364A (ja) | 2013-04-08 | 2014-10-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
GB201318404D0 (en) | 2013-10-17 | 2013-12-04 | Cmosis Nv | An image sensor |
EP3103255B1 (en) * | 2014-02-07 | 2021-07-07 | Rambus Inc. | Feedthrough-compensated image sensor |
US9929204B2 (en) | 2014-03-13 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Unit pixel of image sensor, image sensor including the same and method of manufacturing image sensor |
GB2525625B (en) * | 2014-04-29 | 2017-05-31 | Isdi Ltd | Device and method |
FR3022397B1 (fr) | 2014-06-13 | 2018-03-23 | New Imaging Technologies | Cellule photoelectrique de type c-mos a transfert de charge, et capteur matriciel comprenant un ensemble de telles cellules |
JP2016111425A (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
JP2016139660A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
KR20230132615A (ko) * | 2015-01-29 | 2023-09-15 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 |
US9819882B2 (en) * | 2015-06-05 | 2017-11-14 | Caeleste Cvba | Global shutter high dynamic range sensor |
TWI701819B (zh) * | 2015-06-09 | 2020-08-11 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 攝像元件、驅動方法及電子機器 |
US10341592B2 (en) | 2015-06-09 | 2019-07-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging element, driving method, and electronic device |
US10827139B2 (en) | 2015-08-18 | 2020-11-03 | Sri International | Multiple window, multiple mode image sensor |
US10257448B1 (en) * | 2015-08-18 | 2019-04-09 | Sri International | Extended dynamic range imaging sensor and operating mode of the same |
US9654712B2 (en) * | 2015-10-07 | 2017-05-16 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pixels with a global shutter and high dynamic range |
US9900481B2 (en) * | 2015-11-25 | 2018-02-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging pixels having coupled gate structure |
WO2017141847A1 (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
CN107333074B (zh) * | 2016-04-29 | 2020-03-27 | 思特威(上海)电子科技有限公司 | 成像装置、成像方法及图像传感器读取方法 |
US10110839B2 (en) | 2016-05-03 | 2018-10-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Dual-photodiode image pixel |
US10072974B2 (en) | 2016-06-06 | 2018-09-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with LED flicker mitigaton global shutter pixles |
JP2018107725A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム |
US10070081B2 (en) * | 2017-02-03 | 2018-09-04 | SmartSens Technology (U.S.), Inc. | Stacked image sensor pixel cell with dynamic range enhancement and selectable shutter modes and in-pixel CDS |
US10362255B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-07-23 | Semiconductor Components Industries, Llc | Multi-conversion gain pixel configurations |
US11317038B2 (en) | 2017-12-19 | 2022-04-26 | SmartSens Technology (HK) Co., Ltd. | Pixel unit with a design for half row reading, an imaging apparatus including the same, and an imaging method thereof |
CN108470742B (zh) * | 2018-03-22 | 2020-10-02 | 思特威(上海)电子科技有限公司 | Hdr图像传感器像素结构及成像系统 |
US10630897B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-04-21 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with charge overflow capabilities |
US10741592B2 (en) | 2018-06-07 | 2020-08-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with multi-photodiode image pixels and vertical transfer gates |
US10510796B1 (en) * | 2018-06-14 | 2019-12-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Small pixels having dual conversion gain providing high dynamic range |
CN108881747B (zh) * | 2018-07-24 | 2020-10-02 | 思特威(上海)电子科技有限公司 | 图像传感器及多重hdr的实现方法 |
US10917596B2 (en) | 2018-08-29 | 2021-02-09 | Himax Imaging Limited | Pixel circuit for generating output signals in response to incident radiation |
US11451717B2 (en) * | 2019-11-05 | 2022-09-20 | Omnivision Technologies, Inc. | Multi-cell pixel array for high dynamic range image sensors |
US11310447B2 (en) * | 2019-11-12 | 2022-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor controlling a conversion gain, imaging device having the same, and method of operating the same |
KR20210066048A (ko) | 2019-11-27 | 2021-06-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서, 그것을 포함하는 이미지 장치, 및 그것의 동작 방법 |
WO2021153370A1 (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法及び電子機器 |
JP7504625B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-06-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
KR20210156458A (ko) * | 2020-06-18 | 2021-12-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR20220152457A (ko) * | 2021-05-07 | 2022-11-16 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 동작 방법 |
CN117999796A (zh) * | 2021-11-23 | 2024-05-07 | 华为技术有限公司 | 具有可调转换增益的固态成像设备、驱动方法及电子设备 |
US11956557B1 (en) | 2022-10-17 | 2024-04-09 | BAE Systems Imaging Solutions Inc. | Pixel architecture with high dynamic range |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62230052A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
JPS6367976A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPH084136B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1996-01-17 | 日本電気株式会社 | 電荷転送装置 |
JPH05251480A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Sony Corp | 電荷電圧変換装置 |
JP3031606B2 (ja) * | 1995-08-02 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置と画像撮像装置 |
US6160281A (en) * | 1997-02-28 | 2000-12-12 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor with inter-pixel function sharing |
US6107655A (en) * | 1997-08-15 | 2000-08-22 | Eastman Kodak Company | Active pixel image sensor with shared amplifier read-out |
US6667768B1 (en) * | 1998-02-17 | 2003-12-23 | Micron Technology, Inc. | Photodiode-type pixel for global electronic shutter and reduced lag |
US6140630A (en) * | 1998-10-14 | 2000-10-31 | Micron Technology, Inc. | Vcc pump for CMOS imagers |
US6218656B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-04-17 | Eastman Kodak Company | Photodiode active pixel sensor with shared reset signal row select |
US6657665B1 (en) * | 1998-12-31 | 2003-12-02 | Eastman Kodak Company | Active Pixel Sensor with wired floating diffusions and shared amplifier |
US6376868B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Multi-layered gate for a CMOS imager |
US6310366B1 (en) * | 1999-06-16 | 2001-10-30 | Micron Technology, Inc. | Retrograde well structure for a CMOS imager |
US6326652B1 (en) * | 1999-06-18 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc., | CMOS imager with a self-aligned buried contact |
US6204524B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager with storage capacitor |
US6333205B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-12-25 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager with selectively silicided gates |
JP3658278B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびそれを用いた固体撮像システム |
US6552323B2 (en) * | 2000-12-06 | 2003-04-22 | Eastman Kodak Company | Image sensor with a shared output signal line |
US20030076431A1 (en) * | 2001-10-24 | 2003-04-24 | Krymski Alexander I. | Image sensor with pixels having multiple capacitive storage elements |
US6720594B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-04-13 | Xerox Corporation | Image sensor array with reduced pixel crosstalk |
US7375748B2 (en) * | 2002-08-29 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Differential readout from pixels in CMOS sensor |
JP2004159274A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-06-03 | Shoji Kawahito | 固体撮像装置 |
KR100523672B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2005-10-24 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 다중 플로팅디퓨젼영역을 구비하는 씨모스 이미지센서 |
US7075049B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-07-11 | Micron Technology, Inc. | Dual conversion gain imagers |
US7105793B2 (en) * | 2003-07-02 | 2006-09-12 | Micron Technology, Inc. | CMOS pixels for ALC and CDS and methods of forming the same |
US7078746B2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with floating diffusion gate capacitor |
US20050083421A1 (en) * | 2003-10-16 | 2005-04-21 | Vladimir Berezin | Dynamic range enlargement in CMOS image sensors |
US7542085B2 (en) * | 2003-11-26 | 2009-06-02 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with a capacitive storage node linked to transfer gate |
JP4194544B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2008-12-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
US7196304B2 (en) * | 2004-01-29 | 2007-03-27 | Micron Technology, Inc. | Row driver for selectively supplying operating power to imager pixel |
US7087883B2 (en) * | 2004-02-04 | 2006-08-08 | Omnivision Technologies, Inc. | CMOS image sensor using shared transistors between pixels with dual pinned photodiode |
KR100871688B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2008-12-08 | 삼성전자주식회사 | 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법 |
US7652703B2 (en) * | 2004-07-12 | 2010-01-26 | Micron Technology, Inc. | Dual panel pixel readout in an imager |
US7205522B2 (en) * | 2005-05-18 | 2007-04-17 | Alexander Krymski D. B. A Alexima | Pixel circuit for image sensor |
-
2005
- 2005-08-10 US US11/200,052 patent/US20070035649A1/en not_active Abandoned
-
2006
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130054508A (ko) * | 2011-11-17 | 2013-05-27 | 삼성전자주식회사 | 화소 회로 및 이를 포함하는 깊이 센서 |
KR20150107547A (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 단위 픽셀, 이를 포함하는 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
US9287009B2 (en) | 2014-05-12 | 2016-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Repair circuit and fuse circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101273619A (zh) | 2008-09-24 |
WO2007021626A3 (en) | 2007-08-02 |
KR100940708B1 (ko) | 2010-02-08 |
JP2009505498A (ja) | 2009-02-05 |
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US20070035649A1 (en) | 2007-02-15 |
TW200731788A (en) | 2007-08-16 |
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