CN102695008A - 大尺寸像素电荷快速转移的cmos图像传感器像素结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。为在大尺寸像素下,实现光生电荷的快速、完全的转移,从而提高图像传感器的性能,为达到上述目的,本发明采取的技术方案是,一种大尺寸像素电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构,由传输管TX、复位管RST、源跟随器SF、选择管SEL以及光电二极管PPD和浮空扩散节点FD组成,设置的浮空扩散节点FD为n个,每个浮空扩散节点FD都带有自身的复位管RST,n个浮空扩散节点FD之间通过导线相连,然后共同依次连接源跟随器、选择管,每个浮空扩散节点FD分别通过各自的传输管TX连接到光电二极管PPD。本发明主要应用于CMOS图像传感器的设计制造。
Description
技术领域
本发明涉及互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,特别涉及一种大尺寸像素电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构。
背景技术
与CCD图像传感器相比,CMOS图像传感器具有低功耗、低成本和高集成度的优点,并且由于其制造流程与标准CMOS工艺兼容,CMOS图像传感器得以迅速发展,现已成为研究的热点。
使用表面箝位光电二极管(Pinned Photodiode)的四管像素(4T)是当前CMOS图像传感器的主流。由传输管(TX)、复位管(RST)、源跟随器(SF)、选择管(SEL)以及光电二极管(PPD)和浮空扩散节点(FD)组成。图1是4T像素的基本结构示意图。在P型衬底a上,由N埋层b与表面高掺杂的P型箝位层c构成的箝位光电二极管PPD结构。d为传输管栅极,其开闭控制着由PPD产生的光生电子向浮空扩散节点e区中的转移,f为复位管的栅极。g为源跟随器。h为选择管。
4T像素简要工作原理如下:
首先通过d、f打开使得N埋层内部电子被耗尽,这时N埋层b将处于空阱状态,而浮空扩散节点e也将处于高电位。此时浮空扩散节点的电位通过源跟随器g,选择管h,作为相关双采样(CDS)的第一个信号被输出至总线。
其次,关断d、f,PPD在光的激励下将逐渐产生光生电子,经过一定的积分时间(即曝光时间),积累了足够多的光生电子,这时打开d,N埋层中的电子将转移至浮空扩散节点e中,浮空扩散节点将转移来的光生电子转换为相应的电压信号,经过源跟随器g,最后通过选择管h将光信号作为相关双采样(CDS)的第二个信号转移至总线。
最后,两个CDS的输入信号由后续电路做差,得到表征相应光信号的模拟值,交由后续的ADC转化为数字量,经过处理之后得到所需要的图像。
通常,在消费类电子产品中,为了更好的提高产品的性价比、缩小产品的体积,增加便携性,更多的会考虑使用小像素的设计方案。而现今关注的热点是小像素下的背光技术。
但是大像素也有着小像素不可替代的优势。同等条件下大像素的阱容量更大,更适合于使用在低照度的情况下,例如深海、外太空、夜视等领域。另一方面,对大像素而言,由于光生电子的增多,各种噪声对像素本身的影响相对减小,像素本身的信噪比相对小像素而言大大提高。因此大像素也有着自身不可替代的优势,对大像素的研究同样有着重要的实际意义。
对于像素而言,光电二极管(PPD)中的光生电荷能否完全、快速的转移到FD,是一个很重要的问题。如果光生电荷不能在转移时间内完全转移,那么残留在PPD内部的电荷将会留在下一帧的时候输出,将图像信息延迟到下一幅图像,严重影响着成像质量,尤其在捕捉移动目标或用于特定传感器(例如时间延迟积分型图像传感器)中将会变得异常突出。因此,提高电荷转移效率是大尺寸像素设计中需要考虑的重要问题。
发明内容
本发明旨在克服现有技术的不足,在大尺寸像素下,实现光生电荷的快速、完全的转移,从而提高图像传感器的性能,为达到上述目的,本发明采取的技术方案是,一种大尺寸像素电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构,由传输管TX、复位管RST、源跟随器SF、选择管SEL以及光电二极管PPD和浮空扩散节点FD组成,浮空扩散节点FD为n个,均布在光电二极管PPD地周围,每个浮空扩散节点FD都带有自身的复位管RST,n个浮空扩散节点FD之间通过导线相连,然后共同依次连接源跟随器、选择管,每个浮空扩散节点FD分别通过各自的传输管TX连接到光电二极管PPD。
所述浮空扩散节点FD为2个,设置在光电二极管PPD箝位层的两端位置。
本发明的技术特点及效果:
本发明提出了一种能够提高大尺寸像素电荷转移效率的像素结构,通过引入多个传输管与浮空节点,可等效拓宽电子由光电二极管向浮空扩散节点转移的通道;多个传输管与浮空节点以光电二极管的中心点为中心,近似对称摆放,可缩短电子转移的距离。使用该结构,可使电子转移效率增加。本发明涉及的方法并未引入复杂的电路设计,仅对像素结构进行了优化,不需引入附加的光刻板和离子注入,实现简单。
附图说明
图1四管(4T)像素基本结构。
图2本发明两个FD结构示意图。图中的连线及连线连接的箭头表示:通过导线将两个FD连接,并经过之后的SF输出到列总线。
图3本发明两个FD结构等效电路图。
具体实施方式
本发明提出了一种能够提高大尺寸像素电荷转移效率的像素结构,通过引入多个传输管,以及对应的浮空扩散节点(FD),可等效拓宽电子转移的通道;多个传输管以光电二极管的中心点为对称中心,近似对称摆放,可缩短电子转移的距离。使用该结构,可使电子转移效率增加。
本发明涉及的像素需要使用大面积,大阱容量的光电二极管(PPD),例如10μm×10μm的PPD。由于阱容量大,单次曝光产生的光生电子较多,例如十万以上的光生电子,如果仅仅使用一个传输管(TX)用来转移电子,一个浮空扩散节点(FD)用来收集电子,电荷完全转移要比使用小面积、小阱容量光电二极管(PPD)的像素困难得多。而多个FD的结构,对于每个FD而言转移的光生电荷减少很多,此时电荷的完全转移变得相对容易,可以大大减小电荷完全转移所需的时间。本发明涉及的像素中每一个光电二极管(PPD)周围都将有n个浮空扩散节点(FD),均布在PPD周围,每个FD都带有自身的复位管,而这n个FD之间通过导线相连。然后共同连接其后的源跟随器、选择管。
像素工作时,与单个FD相同,n个FD旁边的复位管给各自的FD复位,使FD具有相对高的电位,此时n个FD共同连接在源跟随器栅极,经过行选管输出为CDS的第一个信号。然后像素开始曝光,曝光结束之后,电荷开始转移。此时,n个TX管全部同时打开,电子可以向每一个FD方向转移。之后由于所有的FD通过导线连在了源跟随器的栅极,因此与单个FD相同,光生电荷通过多个FD转变为相应的电信号,输出为CDS的第二个信号。随后与传统单FD结构相同,进行CDS输出,AD量化后成像。
与单个FD的像素结构相比,多FD的结构,为光生电子的转移提供了多个通道,对于大阱容量的大像素而言,光生电子不再需要向一个方向移动,而具有了更多的选择,因此电荷可以更完全的转移,避免出现图像拖尾。
同时,由于是多FD结构,与单个FD相比,相同阱容量大小,电荷完全转移的条件下,转移速度将大大提高,理想情况下,转移时间变为单FD结构的1/n。这样在大像素的应用领域,可以实现高速转移,大幅度提高帧频。
对本发明涉及的方式进行进一步的详细说明如下:
对于本发明涉及的像素,给出一种典型的实施方式,如图2所示:每个像素中具有一个箝位光电二极管(PPD);两个浮空扩散节点(FD),分布在光电二极管(PPD)的两端,两个FD各自具有一个复位管;一个源跟随器;一个选择管。图3为两个FD结构的等效电路图。由图可知,同一个PPD,经过两个相同的传输管,连接至两个相同的浮空扩散节点FD1、FD2,FD1、FD2分别由自身的复位管RSVT1、RSVT2进行复位。两个FD通过导线连接至源跟随器SF的栅极,经由选择管,输出至列总线。
当像素工作时,首先由两个复位管分别给FD复位,FD1、FD2通过导线连接至源跟随器栅极后,经过后续连接输出CDS第一个信号。然后对像素进行曝光处理,光电二极管中产生大量的光生电荷。然后两个FD与PD之间的传输管接高电平打开,PPD中的光生电子分别向两个FD中转移,致使FD电位降低,通过源跟随器栅极输出CDS第二个信号。与单FD结构相比,由于多了一个电荷转移的通道,因此每个FD需要接收的光生电子数量大大减小,提高了电荷转移的能力,避免了图像拖尾的发生,提高图像的成像质量。同时,所需要的转移时间也会大大缩短,转移速度将变为单个FD结构的2倍,提高了图像传感器的帧频。
Claims (2)
1.一种大尺寸像素电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构,由传输管TX、复位管RST、源跟随器SF、选择管SEL以及光电二极管PPD和浮空扩散节点FD组成,其特征是,浮空扩散节点FD为n个,均布在光电二极管PPD周围,每个浮空扩散节点FD都带有自身的复位管RST,n个浮空扩散节点FD之间通过导线相连,然后共同依次连接源跟随器、选择管,每个浮空扩散节点FD分别通过各自的传输管TX连接到光电二极管PPD。
2.如权利要求1所述的大尺寸像素电荷快速转移的CMOS图像传感器像素结构,其特征是,所述浮空扩散节点FD为2个,设置在光电二极管PPD箝位层的两端位置。
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