KR20080007219A - 서브챔버를 가지는 에칭 챔버 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼 또는 시료(101)를 에칭하기 위한 장치에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료는 제 1 챔버(103)에 배치된 시료 홀더(104)에 위치된다. 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료와 상기 시료 홀더의 결합물은 상기 제 1 챔버 내부의 제 2 챔버(130) 내에 수납된다. 가스는 상기 제 2 챔버로부터 빼내어지고, 에칭 가스가 제 1 챔버가 아닌 제 2 챔버로 도입되어 반도체 웨이퍼 또는 시료를 에칭한다.

Description

서브챔버를 가지는 에칭 챔버{Etching chamber with subchamber}
반도체 재료 및/또는 기판의 기상 에칭(vapor etching)은 이플르오르화 크세논(xenon difluoride)과 같은 가스를 이용하여 수행된다. 명확하게는, 이플르오르화 크세논 에칭에 있어서, 이플르오르화 크세논 가스는 실리콘 및 몰리브덴과 같은 고형 재료(solid materials)와 반응하고, 상기 재료들은 기상(gas phase)으로 변환된다. 이러한 재료들의 제거는 에칭으로 알려져 있다.
이플르오르화 크세논과 같은 기상 에칭을 수행하는데 사용되는 일부 가스들은 비싸며, 따라서, 이러한 에칭 가스의 낭비는 최소화되어야 한다. 그러나, 반도체 산업에서의 표준 생산 에칭 시스템은 전형적으로 가스 이용을 최대화하도록 최적화되어 있지 않다. 특히, 중앙 로봇 주위의 클러스터 배열(cluster arrangement)에 전형적으로 연결되는 모듈형 장비 표준 위원회(MESC; Modular Equipment Standards Committe) 호환 챔버들은 본질적으로 큰 챔버 용적을 가진다. 이러한 큰 챔버 용적은 주로 웨이퍼(wafer)를 위한 접근을 제공하는데 사용되는 사이드 포트(side port)로 인한 것이다. 또한, 많은 MESC 호환 챔버들은 큰 직경의 웨이퍼들, 예를 들어 200mm 직경의 웨이퍼의 가공을 위해 사용될 수 있지만, 또한 보다 작은 직경의 웨이퍼들, 예를 들어 100mm 직경의 웨이퍼를 가공하는데 사용될 수도 있다. 보다 작은 웨이퍼를 가공하는데 보다 큰 챔버를 사용하면, 에칭 가스가 더 낭비된다. 이는 하나 이상의 웨이퍼 크기가 사용되는 설비에서는 흔히 일어나는 일이다
또한, MESC 호환 챔버들이 일측에 웨이퍼 로딩 포트(wafer loading port)를 가지므로 챔버들은 본질적으로 비대칭이다. 이러한 비대칭은, 이로 인해 상기 가스가 상기 웨이퍼에 대해 축대칭으로 분포되지 않기 때문에, 상기 웨이퍼의 비균일한 에칭을 초래한다.
그러므로, 제한없이 내부에 서브챔버 조립체가 구비되고 감소된 챔버 용적이 형성된 SC 호환 에칭 챔버 또는 로딩용 포트가 일측에 구비된 다른 에칭 챔버와 같은 챔버가 필요하다. 이 챔버는 바람직하게는 축대칭형이고, 애칭가스의 이용을 최대화하고, 웨이퍼 에칭 균일성을 향상시키는 것이다.
[발명의 요약]
본 발명은 제 1 챔버가 구비된 반도체 웨이퍼 또는 시료 에칭 시스템이다. 제 1 챔버는 제 1 용적을 갖는 상기 제 1 챔버의 외부 및 내부의 사이에 반도체 웨이퍼 또는 시료의 통로를 위한 로딩포트(loading port) 및 상기 제1챔버의 내부와 연통가능한 진공포트(vacuum port)를 포함한다. 웨이퍼 또는 시료 홀더는 제 1 챔버의 내부에 배치되어 로딩포트를 통과한 반도체 웨이퍼 또는 시료를 지지한다. 서브 챔버 조립체는 상기 제 1 챔버 내에 배치된다. 상기 서브챔버 조립체는 상기 로딩포트를 통과한 반도체 웨이퍼 또는 시료가 시료 홀더에 로딩될 수 있는 개방 위치와, 상기 서브챔버 조립체와 상기 제 1 챔버의 조합이 시료 홀더 및 진공 포트를 포함하는 보다 작은 제 2 용적을 한정하는 제 2 챔버를 형성하는 폐쇄 위치 사이에서 이동가능하다.
상기 에칭 시스템은 반도체 웨이퍼 또는 시료를 시료 홀더로 또는 시료 홀더로부터 승강시키기 위한 수단을 더 포함할 수 있다.
상기 승강시키기 위한 수단은 그 가장자리를 따라 승강 도중 반도체 웨이퍼 또는 시료를 지지하기 위한 수단, 반도체 웨이퍼 또는 시료를 승강시키기 위한 공압 또는 유압 메커니즘, 및/또는 반도체 웨이퍼 또는 시료를 승강시키기 위한 전동 액츄에이터를 포함할 수 있다.
상기 에칭 시스템은 상기 서브 챔버 조립체에서 상기 제2챔버로 에칭 가스의 통과를 위한 에칭 가스 포트(etching gas port)와 에칭 가스를 상기 에칭 가스 포트로 통과시키기 위한 수단을 더 포함할 수 있다.
특히 서브챔버 조립체가 폐쇄 위치에 있을 때, 상기 시료 홀더에 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 클램핑 또는 홀딩하기 위한 위한 수단이 제공될 수 있다. 또한, 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료가 상기 시료 홀더에 위치될 때상기 반도체 웨이퍼 또는 시료와 상기 시료 홀더 사이로 가스를 도입하기 위한 수단도 제공될 수 있다.
서브챔버 조립체가 폐쇄 위치에 있을 때 그 사이로 가스가 통과하는 것을 방지하기 위해 상기 서브챔버 조립체와 상기 제 1 챔버 사이에 제 1 씰(first seal) 배치될 수 있다. 어댑터 링(adaptor ring)이 상기 서브챔버 조립체 및 상기 제 1 챔버 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 서브챔버 조립체가 폐쇄 위치에 있을 때 그 사이로 가스가 통과하는 것을 방지하기 위해 상기 어댑터 링 및 상기 제 1 챔버 사이에 제 2 씰(second seal)이 배치될 수 있다.
본 발명은 또한, (a) 반도체 웨이퍼 또는 시료를 제 1 챔버의 시료 홀더에 위치시키는 단계; (b) 상기 시료 홀더 상의 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 상기 제 1 챔버 내의 제 2 챔버 내에 수납하는 단계; (c) 상기 제 2 챔버로부터 가스를 빼는 단계; 및 (d) 에칭 가스를 상기 제 1 챔버가 아닌 상기 제 2 챔버로 도입하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 시료를 에칭하는 방법을 제공한다.
상기 방법은 또한 상기 시료 홀더에 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 클램핑하는 단계 및/또는 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료와 상기 시료 홀더 사잉에 열전도성 가스를 도입하는 단계가 포함될 수 있다.
상기 제 1 챔버는 제 1 용적을 갖을 수 있고, 상기 제 2 챔버는 상기 제 1 용적과 동일 공간에 있는 보다 작은 제 2 용적을 갖을 수 있다.
끝으로, 본 발명은 제 1 챔버, 상기 제 1 챔버 내의 시료 홀더 및 상기 제 1 챔버내의 서브챔버 조립체를 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 시료 에칭 시스템이다. 상기 서브챔버 조립체는 제 1 위치와 제 2 위치 사이를 운동할 수 있다. 여기서 제 1 위치는 상기 시료 홀더에 또는 시료 홀더로부터 반도체 웨이퍼 또는 시료의 도입 또는 제거를 허락하고, 상기 서브챔버 조립체와 상기 제 1 챔버의 조합에서의 제 2 위치는 상기 제 1 챔버내에서 둘러쌓인 제 1 챔버를 정의한다.
상기 시료 홀더에서 또는 시료 홀더로부터 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 승강하기 위한 수단이 제공될 수 있다. 상기 승강시키기 위한 수단은 그 가장자리 를 따라 승강 도중 반도체 웨이퍼 또는 시료를 지지하기 위한 수단, 반도체 웨이퍼 또는 시료 반도체 웨이퍼 또는 시료를 승강시키기 위한 공압 또는 유압 메커니즘, 및/또는 반도체 웨이퍼 또는 시료를 승강시키기 위한 전동 액츄에이터를 포함할 수 있다.
상기 제 1 챔버가 아닌, 상기 제 2 챔버내로 에칭 가스를 통과시키기 위한 장치가 제공될 수 있다.
특히 상기 서브 챔버 조립체가 폐쇄 위치에 있을 때, 상기 시료 홀더에 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 홀딩하기 위한 수단이 제공될 수 있다.
또한, 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료가 상기 시료 홀더에 구비될 때 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료와 상기 시료 홀더 사이로 가스가 도입될 수 있도록 하는 수단이 구비될 수 있다.
상기 서브 챔버 조립체가 폐쇄 위치에 있을 때, 그들 사이로 가스가 통하는 것을 피하기 위하여 상기 서브 챔버 조립체와 상기 제 1 챔버사이에 적어도 하나의 씰(seal)이 구비될 수 있다. 어댑터 링은 상기 서브 챔버 조립체와 상기 제 1 챔버사이에 구비될 수 있고, 상기 밀폐 위치에서 상기 서브 챔버 조립체는 상기 어댑터 링과 접촉하고, 차례로, 상기 어댑터 링은 상기 제 1 챔버와 접촉한다.
도 1은 본 발명에 따른 서브챔버 조립체를 내부에 포함하는 종래의 MESC 호환 챔버 블록 및 리드를 도시한 절개 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 취한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 서브챔버 조립체를 통과하는 에칭 가스의 흐름을 도시한 블록도이다.
도 4 내지 도 8은 도 1에 도시된 챔버 블록 및 서브챔버 조립체의 단면도들로서, 반도체 웨이퍼 또는 시료를 시료 홀더에 로딩하는 것과 반도체 웨이퍼 또는 시료가 로딩된 시료 홀더 둘레로 기밀 챔버(sealed chamber)를 형성하는 것을 도시한다.
도 9는 에칭 가스를 기밀 챔버로 도입하기 위해 서브챔버의 포트와 유체 소통하는 수직 또는 수평 채널들을 포함하는 도 8에 도시된 기밀 챔버의 시료 홀더에 위치된 반도체 웨이퍼 또는 시료를 도시한 절개 사시도이다.
도 10은 서브챔버와 어댑터 링을 포함하는 챔버 블록의 다른 실시예의 절개 사시도로서, 서브챔버가 개방 위치에 있다.
도 11은 서브챔버가 어댑터 링에 대해 폐쇄 위치에 있는 것을 도시한 도 10에 도시된 챔버 블록 및 서브챔버 조립체의 단면도이다.
도 12는 챔버 블록 및 서브챔버의 절개 사시도로서, 반도체 웨이퍼 또는 시료를 도 8에 도시된 시료 홀더에 클램핑하는데 사용되는 웨이퍼 클램핑 탭들이 추와 클램핑 핑거들(clamping fingers)로 대체되어 있다.
도 13은 도 12에 도시된 챔버 블록 및 서브챔버 조립체의 단면도로서, 반도체 웨이퍼 또는 시료가 시료 홀더에 로딩되기 위해 위치되어 있다.
도 14는 도 12 및 도 13에 도시된 챔버 블록 및 서브챔버 조립체의 절개 사 시도로서, 반도체 웨이퍼 또는 시료가 폐쇄 위치의 서브챔버 조립체에 의해 형성된 기및 챔버의 시료 홀더에 위치되어 있다.
첨부 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다. 여기서, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여한다.
도 1을 참조하면, MESC 호환 또는 다른 측부 로딩 에칭 챔버는 챔버 블록(103) 및 리드(102)를 포함한다. 챔버 블록(103)은 시료 로딩 포트(108) 및 챔버 블록(103)의 내부에 진공을 형성하도록 작동될 수 있는 적당한 진공원, 예를 들어 도 3의 진공 펌프(128)에 결합될 수 있는 진공 포트(113)를 포함한다. 챔버 블록(103)의 내부를 제 1 용적으로 정의한다.
또한, 반도체 웨이퍼 또는 시료(101)을 갖는 시료 로딩 아암(100), 그 리드에 가스 유입 포트(110)을 가지는 서브챔버 조립체(106), 하나 이상의 선택적인 시료 클램핑 탭들(107), 시료 승강 수단(105) 및 서브챔버 씰(111)이 도시되어 있다. 도시된 서브챔버 조립체(106)의 리드에 있는 가스 유입 포트(110)는 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
승강 메커니즘 (112)는 챔버 블록(103)과, 서브챔버 조립체(106) 및 승강 메커니즘(112)을 통해 부착되는 임의의 구성요소들을 승강시키기 위해 작동될 수 있는 도 4에 도시된 승강 수단(114) 사이에 결합되는 것이 바람직하다. 도 2 및 도 9에 가장 잘 도시된 바와 같이, 승강 메커니즘(112)은 바람직하게는 서브챔버 조립체(106), 바람직하게는 서브챔버 조립체(106)의 리드 및 승강 수단(114) 사이에 챔버 블록(103)의 바닥을 통해 한정되는 한 쌍의 활주 채널(slide channel)을 통해 결합된 한 쌍의 로드를 포함한다. 적당한 가스 기밀 씰(suitable gas tight seal, 미도시)이 각 로드와 그에 대응하는 활주 채널 사이에 배치되어 가스의 통과를 방지할 수 있다. 도시된 승강 메커니즘(112)는 활주 채널에서 활주가능한 한 쌍의 로드들을 포함한다. 그러나, 승강 메커니즘(112)은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 적당한 그리고/또는 바람직하다고 생각되는 임의의 방법으로 실시될 수 있을 것이므로, 활주 채널에서 활주가능한 한 쌍의 로드를 포함하는 승강 메커니즘(112)이 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
또한, 도 1은, 비제한적으로, 가스 연결구(109)를 선택적으로 갖는, 바람직하게는 온도에 의해 제어되는 웨이퍼 척과 같은, 시료 홀더(104)를 도시한다. 가스 연결구(109)는 시료(101)가 열전도를 향상시키기 위해 시료 홀더(104)에 위치될 때 헬륨과 같은 열전도성 가스를 시료(101)와 시료 홀더(104) 사이로 도입하기 위하여 구성된다. 이러한 열전도성 가스가 시료(101)와 시료(101)가 놓인 시료 홀더(104) 사이로부터 빠져나가지 않도록, 도 1에 가상선으로 도시된 가요성 가스 씰(flexible gas seal, 117)이 시료(101)와 시료(101)가 놓인 시료 홀더(104) 사이에 배치될 수 있다.
도 2를 참조하면, 시료 홀더(104)는 그 내부에 한정된 노치들(116)을 포함하며 시료 승강 수단(105)은 대응하는 탭들(115)을 포함한다. 시료 승강 수단(105)이 시료 홀더(104)를 향해 후술될 방식으로 하강되면, 시료 승강 수단(105) 상에 한정된 탭들(115)은 시료 홀더(104) 내에 또는 시료 홀더(104)를 통해 한정되는 노치들(116)에 수용된다. 탭들(115)은 가장자리 승강(edge lift)으로 알려진 웨이퍼 승강 능력을 제공한다.
도 3을 참조하면, 에칭 가스는 가스원 컨테이너(120)로부터 예를 들어 밸브, 일련의 밸브들, 압력 제어기, 참조에 의해 본 명세서 내에 통합된 레부이츠(Lebouitz) 등의 미합중국 특허 제6,887,337에 개시된 형식들 중 어느 하나인 중간 팽창 챔버, 흐름제어기, 또는 이들 구성 요소들의 임의의 조합인 가스 제어기(122)를 통과하고, 챔버 블록(103)과 결합되어 (도 8 및 도 9에 가장 잘 도시된) 기밀 챔버(130)를 형성할 수 있는 서브챔버 조립체(106, 블록도에서는 124)를 통과하며, 밸브, 일련의 밸브, 압력 제어기, 흐름 제어기 또는 이들 구성 요소의 임의의 조합일 수 있는 진공 제어기(126)을 통과하고 나서, 진공 펌프(128)를 통과한다.
도 4 내지 도 8을 참조하여 시료(101)를 로딩, 가공 및 언로딩하는 순서를 설명한다.
도 4는 서브챔버 조립체(106), 시료 승강 수단(105), 서브챔버 씰(111), 웨이퍼 클램핑 탭들(107) 및 비제한적으로 적당한 공압 또는 유압 메커니즘 또는 전동 액츄에이터와 같은 승강수단(114)을 통해 로드 또는 개방 위치로 상승되는 승강 메커니즘(112)을 도시한다. 도시된 실시예에 있어서, 시료 승강 수단(105), 서브챔버 조립체 씰(111) 및 웨이퍼 클램핑 탭들(107)은 서브챔버 조립체(106)에 결합되고, 서브챔버 조립체(106)는 다시 승강 메커니즘(112)에 결합된다. 그러나, 시료 승강 수단(105) 및 웨이퍼 클램핑 탭들(107)은 임의의 적당한 및/또는 바람직한 방식으로 승강 메커니즘(112)에 결합될 수도 있으므로, 도시된 실시예가 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 더욱이, 서브챔버 씰(111)은 대안적으로 도 8 및 도 9에 가장 잘 도시된, 서브챔버 조립체(106)가 접촉되어 기밀 챔버(130)을 형성하는, 챔버 블록(103)의 바닥의 짝면(mating face)에 위치될 수도 있다. 또 4에 있어서, 시료는 시료 로딩 아암(100)에 의해 서브챔버 씰(111)의 외주 바깥에서 서브챔버 조립체 씰(111)과 시료 승강 수단(105) 사이에 위치되는 것으로 도시되었다.
도 5를 참조하면, 적당한 시점에, 시료(101)는 시료 로딩 아암(100)에 의해 서브챔버 조립체(106)의 아래에, 바람직하게는 동심적으로 위치된다.
도 6은 시료 로딩 아암(100)은 도 5에서와 동일한 위치에 있지만 서브챔버 조립체(106), 시료 승강 수단(105), 서브챔버 씰(111) 및 웨이퍼 클램핑 탭들(107)이 승강수단(114)에 의해 승강 메커니즘(112)을 통해 수직 방향으로 시료 홀더(104)로부터 멀리 이동된 것을 도시하며, 여기서 시료 승강 수단(105)의 탭 들(115)은 시료(101)를 시료(101)의 가장자리를 통해 시료 로딩 아암(100)으로부터 떨어지게 상승시킨다. 이러한 상승 작용은 시료 로딩 아암(100)이 수직 이동 능력을 가질 필요가 없다는 점에서 유용하다.
도 7을 참조하면, 일단 시료(101)가 웨이퍼 승강 링(105)의 탭들(115)에 의해 시료 로딩 아암(100)으로부터 떨어지게 상승되면, 웨이퍼 아암(100)은 챔버 블록(103)으로부터 후퇴한다.
도 8을 참조하면, 웨이퍼 아암(100)이 챔버 블록(103)으로부터 후퇴한 뒤에, 서브챔버 조립체(106), 시료 승강 수단(105), 서브챔버 씰(111), 웨이퍼 클램핑 탭들(107) 및 승강 메커니즘(112)은 승강 수단(114)에 의해 하강되고, 시료(101)는 시료 홀더(104)에 놓여지며, 챔버 블록(103)에 의해 한정되는 제 1 용적 보다 작은 제 2 용적을 가지는 기밀 챔버(130)가 형성된다. 보통은 챔버 블록(103)은 시료(101)가 시료 홀더(104) 위에 로딩된 다음 로딩 포트(108)을 폐쇄하고 밀봉하기 위한 도어(미도시)를 포함한다.
서브챔버 조립체(106)의 하강 도중, 탭들(115)은 노치들(116)에 수용되고, 웨이퍼 클램핑 탭들(107)은, 만일 존재한다면, 시료(101)을 놀러 시료 홀더(104)에 클램핑시킨다. 이러한 클램핑은 시료(101)와 시료 홀더(103) 사이의 열접촉을 향상시켜 에칭 중에 시료(101)의 온도 제어를 돕는다. 비제한적인 일 실시예에 있어서, 시료 클램핑 탭들(107)은 유연하고 수직 방향으로 탄성 복원력(spring memory)을 가지며, 여기서 탭들은 시료(101)의 직경과 두께에 관련한 탄성력으로 시료(101)를 시료 홀더(104)에 클램핑할 수 있다. 그러나, 이는 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
시료(101)가 시료 홀더(104) 위에 로딩될 때 가스 연결구(109)를 통해 헬륨과 같은 열 전도성 가스를 가하는 것은 시료(101)와 시료 홀더(104) 사이의 열 전도성을 더 향상시킬 수 있다. 또한, 시료(101)를 시료 홀더(104)에 클램핑시키는 것은 에칭 가스가 시료(101)의 후면에 도달하는 것을 방지한다.
일단 기밀 챔버(130)가 형성되면, 가스는 진공 펌프(128)에 의해 진공 포트(113)을 통해 기밀 챔버(130)로부터 배출된다. 그후, 기상 에칭 가스(vapor etching gas)를 포트(110)을 통해 기밀 챔버(130)으로 유입시키는 것에 의해 시료(101)의 에칭이 진행될 수 있다. 도 9는 비제한적인 일 실시예를 도시하며, 여기서 에칭 가스는 승강 메커니즘(112)의 로드에 한정되고 서브챔버 조립체(106)의 리드에 있는 수평 채널(134)과 직접 유체 소통하는 수직 채널(132)를 통해 흐르고, 포트(110)를 빠져나간다.
일단 시료가 원하는 정도로 에칭 가스에 의해 에칭되면, 시료(101)는 시료(101)를 시료 홀더(104)에 로딩하는데 사용된 과정을 반대로 하는 것에 의해 에칭 챔버로부터 제거될 수 있다.
도 10을 참조하면, 챔버 블록(103)이 대형 웨이퍼(large wafers)를 처리하도록 설계되었을 때, 이는 보다 작은 웨이퍼들을 수용하도록 용이하게 변경될 수 있다. 더 구체적으로는, 도 10은 에칭 가스의 이용을 최대화하는 감소된 용적의 서브챔버 조립체(106')가 용이하게 실시되는 것을 도시한다. 이러한 감소된 용적의 서브챔버 조립체(106')는, 비제한적으로 시료 승강 수단(105), 서브챔버 씰(111), 웨이퍼 클램핑 탭들(107) 및 승강 메커니즘(112)과 같은, 적절한 크기의 구성 요소들을 포함한다. 감소된 크기의 시료 홀더(104')는 또한 시료 홀더(104') 둘레의 챔버 블록(103)의 바닥에 장착되는 선택적인 어댑터 기밀 링(140)과 결합되어 사용될 수 있다. 어댑터 링(140)은 챔버 블록(103)의 바닥에 맞물려 어댑터 링(140)과 챔버 블록(103)의 바닥 사이에 기밀 챔버(130)로부터 에칭 가스가 통과하는 것을 방지하는 씰을 형성하도록 구성된 씰(141)을 그 베이스 둘레에 포함한다.
도 11은 도 10에 도시된 챔버 블록(103)를 측부로부터 직접 바라본 단면도로서, 폐쇄된 위치에 있는 서브챔버 조립체(106)가 서브챔버 씰(111)을 눌러 어댑터 링(140)의 상면과 접촉하게 하고 이에 따라 씰(141)을 눌러 챔버 블록(103)의 바닥과 접촉하게 하여 기밀 챔버(130)로부터 에칭 가스가 통과하는 것을 방지하는 씰을 그 사이에 형성한다.
도 12 내지 도 14는 반도체 웨이퍼 또는 시료(101)를 시료 홀더(104)에 추(weight, 150)에 의해 클램핑하기 위한 다른 수단을 도시한다. 추(150)는 추(150)의 내주 둘레에 배열된 클램핑 핑거들(152)을 통해 시료(101)를 시료 홀더(104)에 클램핑하는데 필요한 하측 방향으로의 힘을 제공한다. 클램핑을 위해 추(150)를 이용하는 장점은 클램핑력이 웨이퍼 직경에 독립적이 될 것이라는 점이며, 이는 스프링에 기반한 클램핑 설계, 예를 들어 웨이퍼 클램핑 탭들(107)을 이용할 때의 경우는 전형적으로 아니다.
추(150)는 클램핑 핑거들(152)가 시료(101)에 하측 방향으로의 힘을 가할 수 있도록 서브챔버 조립체(106) 내에서 수직으로 이동할 수 있다. 이 실시예에 있어서, 추(150)와 서브챔버 조립체(106) 사이의 수직 활주 운동은 추(150)와 서브챔버 조립체(106) 사이에 분포되고 서브챔버 조립체(106)의 홈들(158)에 의해 수용되는 활주기들(154)에 의해 달성된다. 추(150)의 하방 이동은 유지 링(retaining ring)(156)에 의해 제한되며, 이에 따라 승강 수단(114)에 의해 승강되는 서브챔버 조립체(106)에 접촉된 상태에서 추(150)는 시료 홀더(104)로부터 및 시료 홀더(104)를 향해 승강될 수 있다. 도 14에 도시된 바와 같이, 서브챔버 조립체(106)와 추(150)가 시료 홀더(104)에 위치된 시료(101)를 향해 하강될 때, 활주기들(154)은 추(150)의 클램핑 핑거들(152)이 시료(101)의 상면과 맞물린 다음 서브챔버 조립체(103)가 서브챔버 씰(111)을 이동시켜 챔버 블록(103)의 바닥과 접촉하게 할 수 있어 시료(101)를 시료 홀더(104)에 클램핑시킬 수 있다.
본 발명은 바람직한 실시예들에 대하여 설명되었다. 상술한 상세한 설명을 읽고 이해함으로써 자명한 변경들 및 대안들을 알 수도 있을 것이다. 예를 들어, 시료 승강 수단(105)은 시료 홀더(104)에 형성되는 채널들 146에 활주가능하게 수용되고 승강 수단 114에 결합되는, 도 13에 가상선으로 도시된, 소위 웨이퍼 승강 핀들(144)과 같은 다른 적당한 수단들에 의해 대체될 수 있다. 승강 수단(114)의 제어 하에, 도 13에 양방향 화살표(150)로 도시된 이 웨이퍼 승강 핀들(144)의 수직 운동은 시료(101)의 시료 홀더(104)에 대한 로딩 및 언로딩 도중 시료(101)를 시료 홀더(104)로부터 멀리 및 시료 홀더(104)를 향해 승강시키도록 제어될 수 있다. 대안적으로, 시료 승강 수단(105)은 시료 홀더(104)의 중앙에 형성되는 채널에 활주가능하게 수용되고 시료(101)의 승강 도중 시료(101)를 지지하기에 충분한 직경을 가지는 단일의 중앙 받침대(pedestal) 또는 기둥(post) (미도시)에 의해 대체될 수 있다. 더욱이, 반도체 웨이퍼 또는 시료를 시료 홀더(104)에 클램핑하기 위한 클램핑 탭들(107) 및 클램핑 핑거들(152)은, 다른 임의의 적당한 및/또는 바람직한 클램핑 링과 같은 기계적 클램핑 수단 또는 정전 클램핑 수단이 또한 또는 대안적으로 반도체 웨이퍼 또는 시료(101)를 시료 홀더(104)에 유지하기 위해 사용될 수도 있을 것이므로, 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명은 청구항들 및 그 균등물의 범위를 벗어나지 않는 한 이러한 모든 변경들 및 대안들을 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (19)

  1. 그 외부 및 내부 사이의 반도체 웨이퍼 또는 시료의 통과를 위한 로딩 포트 및 그 내부와 소통하는 진공 포트를 가지며, 그 내부는 제 1 용적을 한정하는 제 1 챔버(first chamber);
    상기 제 1 챔버의 내부에 배치되어 상기 로딩 포트를 통과한 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 지지하기 위한 시료 홀더(sample holder); 및
    상기 제 1 챔버 내에 배치되며, 상기 로딩 포트를 통과한 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료가 상기 시료 홀더에 로딩될 수 있는 개방 위치(open position)와, 상기 제 1 챔버와의 결합이 상기 시료 홀더 및 상기 진공 포트를 그 내부에 포함하는 보다 작은 제 2 용적을 한정하는 제 2 챔버를 형성하는 폐쇄 위치(closed positon) 사이에서 이동가능한 서브챔버 조립체(subchamber assembly);
    를 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 시료 에칭 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 시료 홀더로 또는 시료 홀더로부터 승강시키기 위한 수단을 더 포함하는 에칭 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서, 승강시키기 위한 상기 수단은
    승강 도중 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 그 가장자리를 따라 지지하기 위한 수단;
    상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 승강시키기 위한 공압 또는 유압 메커니즘; 및
    상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 승강시키기 위한 전동 액츄에이터 중 적어도 하나를 포함하는 에칭 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서, 에칭 가스의 상기 제 2 챔버로의 통과를 위한 서브챔버 내의 에칭 가스 포트; 및
    상기 에칭 가스를 상기 에칭 가스 포트로 통과시키기 위한 수단; 을 더 포함하는 에칭 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 상기 시료 홀더에 유지하기 위한 수단을 더 포함하는 에칭 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료가 시료 홀더에 위치될 때 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료와 시료 홀더 사이로 가스를 도입하기 위한 수단을 더 포함하는 에칭 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 서브챔버 조립체와 상기 제 1 챔버 사이에 배치되어 상기 서브챔버 조립체가 폐쇄 위치에 있을 때 그 사이로 가스가 통과하는 것을 방지하기 위한 제 1 씰(first seal)을 더 포함하는 에칭 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 서브챔버 조립체 및 상기 제 1 챔버 사이에 배치되는 어댑터 링(adaptor ring); 및
    상기 어댑터 링 및 상기 제 1 챔버 사이에 배치되어 상기 서브챔버 조립체가 폐쇄 위치에 있을 때 그 사이로 가스가 통과하는 것을 방지하기 위한 제 2 씰(second seal);
    을 더 포함하는 에칭 시스템.
  9. (a) 반도체 웨이퍼 또는 시료를 제 1 챔버의 시료 홀더에 위치시키는 단계;
    (b) 시료 홀더 상의 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 상기 제 1 챔버 내의 제 2 챔버 내에 수납하는 단계;
    (c) 상기 제 2 챔버로부터 가스를 빼는 단계; 및
    (d) 에칭 가스를 상기 제 1 챔버가 아닌 상기 제 2 챔버로 도입하는 단계;
    를 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 시료를 에칭하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 상기 시료 홀더에 클램핑하는 단계; 및
    열 전도성 가스를 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료와 상기 시료 홀더 사이로 도입하는 단계;
    중 적어도 한 단계를 더 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 시료를 에칭하는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 챔버는 제 1 용적을 가지며;
    상기 제 2 챔버는 상기 제 1 용적과 공간적으로 걸치는, 보다 작은 제 2 용적을 가지는 반도체 웨이퍼 또는 시료를 에칭하는 방법.
  12. 제 1 챔버;
    제 1 챔버 내의 시료 홀더; 및
    상기 제 1 챔버내에 구비되며, 반도체 웨이퍼 또는 시료를 시료 홀더에 위치시키거나 시료 홀더로부터 제거할 수 있게 하는 제 1 위치(first position)와 서브챔버 조립체와 제 1 챔버의 결합이 제 1 챔버 내에 제 2 챔버를 한정하고 제 2 챔버가 반도체 웨이퍼 또는 시료를 상기 시료 홀더에 위치시키거나 시료 홀더로부터 제거할 수 있게 시료 홀더를 수납하는 제 2 위치(second position) 사이에서 이동가능한 제 1 챔버 내의 서브챔버 조립체;
    를 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 시료 에칭 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 상기 시료 홀더로 또는 시료 홀더로부터 승강시키기 위한 수단을 더 포함하는 에칭 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 승강시키기 위한 수단은
    승강 도중 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 그 가장자리를 따라 지지하기 위한 수단;
    상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 승강시키기 위한 공압 또는 유압 메커니즘; 및
    상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 승강시키기 위한 전동 액츄에이터;
    중 적어도 하나를 포함하는 에칭 시스템.
  15. 제 12 항에 있어서, 에칭 가스를 상기 제 1 챔버가 아닌 상기 제 2 챔버로 보내기 위한 수단을 더 포함하는 에칭 시스템.
  16. 제 12 항에 있어서, 상기 서브챔버 조립체가 폐쇄 위치에 있을 때 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료를 시료 홀더에 클램핑하기 위한 수단을 더 포함하는 에칭 시스템.
  17. 제 12 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료가 시료 홀더에 위치될 때 상기 반도체 웨이퍼 또는 시료와 상기 시료 홀더 사이에 가스를 도입하기 위한 수단을 더 포함하는 에칭 시스템.
  18. 제 12 항에 있어서, 상기 서브 챔버가 폐쇄 위치에 있을 때 상기 서브 챔버 조립체와 상기 제 1 챔버 사이에 배치되어 가스가 그 사이를 통과하는 것을 방지하기 위한 적어도 하나의 씰(seal)을 더 포함하는 에칭 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 서브챔버 조립체와 상기 제 1 챔버 사이에 배치되는 어댑터 링을 더 포함하며, 폐쇄 위치에 있는 상기 서브챔버 조립체는 상기 제 1 챔버와 접촉하는 상기 어댑터 링과 접촉되는 에칭 시스템.
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9494642B2 (en) * 2009-11-30 2016-11-15 Essai, Inc. Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device profiles with ejection mechanisms
US11171008B2 (en) 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
KR101895307B1 (ko) 2011-03-01 2018-10-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
JP6054314B2 (ja) * 2011-03-01 2016-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板搬送及びラジカル閉じ込めのための方法及び装置
KR102068186B1 (ko) 2012-02-29 2020-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로드 록 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
US10224224B2 (en) 2017-03-10 2019-03-05 Micromaterials, LLC High pressure wafer processing systems and related methods
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
WO2018222771A1 (en) 2017-06-02 2018-12-06 Applied Materials, Inc. Dry stripping of boron carbide hardmask
US10269571B2 (en) 2017-07-12 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Methods for fabricating nanowire for semiconductor applications
US10234630B2 (en) 2017-07-12 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Method for creating a high refractive index wave guide
US10179941B1 (en) * 2017-07-14 2019-01-15 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for high pressure processing chamber
JP6947914B2 (ja) 2017-08-18 2021-10-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高圧高温下のアニールチャンバ
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
JP7274461B2 (ja) 2017-09-12 2023-05-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 保護バリア層を使用して半導体構造を製造する装置および方法
US10643867B2 (en) 2017-11-03 2020-05-05 Applied Materials, Inc. Annealing system and method
EP3707746B1 (en) 2017-11-11 2023-12-27 Micromaterials LLC Gas delivery system for high pressure processing chamber
WO2019099125A1 (en) 2017-11-16 2019-05-23 Applied Materials, Inc. High pressure steam anneal processing apparatus
JP2021503714A (ja) 2017-11-17 2021-02-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高圧処理システムのためのコンデンサシステム
CN111699549A (zh) 2018-01-24 2020-09-22 应用材料公司 使用高压退火的接缝弥合
KR20230079236A (ko) 2018-03-09 2023-06-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 함유 재료들을 위한 고압 어닐링 프로세스
US10714331B2 (en) 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US10950429B2 (en) 2018-05-08 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
US10566188B2 (en) 2018-05-17 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Method to improve film stability
US10704141B2 (en) 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10675581B2 (en) 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
JP7179172B6 (ja) 2018-10-30 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体用途の構造体をエッチングするための方法
SG11202103763QA (en) 2018-11-16 2021-05-28 Applied Materials Inc Film deposition using enhanced diffusion process
WO2020117462A1 (en) 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film
US11705375B2 (en) * 2021-08-30 2023-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Etching apparatus and method
CN113467199B (zh) * 2021-09-06 2021-11-12 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种便于拆卸的防止反溅液体污染晶圆的装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5966120A (ja) 1982-10-08 1984-04-14 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPS61291032A (ja) * 1985-06-17 1986-12-20 Fujitsu Ltd 真空装置
JPH0834205B2 (ja) * 1986-11-21 1996-03-29 株式会社東芝 ドライエツチング装置
US4842683A (en) * 1986-12-19 1989-06-27 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
US5002010A (en) * 1989-10-18 1991-03-26 Varian Associates, Inc. Vacuum vessel
JP3183575B2 (ja) * 1992-09-03 2001-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
JP2746179B2 (ja) 1995-03-17 1998-04-28 日本電気株式会社 真空処理装置および真空処理方法
US5667592A (en) * 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
JP4317608B2 (ja) * 1999-01-18 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US7066703B2 (en) * 1999-09-29 2006-06-27 Tokyo Electron Limited Chuck transport method and system
JP4054159B2 (ja) 2000-03-08 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
AU4351601A (en) * 2000-03-09 2001-09-17 Semix Inc Wafer processing apparatus and method
JP4203206B2 (ja) * 2000-03-24 2008-12-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP4753224B2 (ja) 2000-08-22 2011-08-24 日本エー・エス・エム株式会社 ガスラインシステム
US6630053B2 (en) * 2000-08-22 2003-10-07 Asm Japan K.K. Semiconductor processing module and apparatus
US6887337B2 (en) * 2000-09-19 2005-05-03 Xactix, Inc. Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto
US6852167B2 (en) * 2001-03-01 2005-02-08 Micron Technology, Inc. Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions
US6899765B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-31 Applied Materials Israel, Ltd. Chamber elements defining a movable internal chamber
EP1661161A2 (en) * 2003-08-07 2006-05-31 Sundew Technologies, LLC Perimeter partition-valve with protected seals

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