KR20070100935A - 이방 도전성 커넥터 및 회로 장치의 전기적 검사 장치 - Google Patents

이방 도전성 커넥터 및 회로 장치의 전기적 검사 장치 Download PDF

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KR20070100935A
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가쯔미 사또오
가즈오 이노우에
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 회로 장치에 대해서도 소기의 전기적 검사를 행할 수 있는 이방 도전성 커넥터 및 이를 구비한 회로 장치의 전기적 검사 장치가 개시되어 있다. 본 발명의 이방 도전성 커넥터는 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부 및 이들 접속용 도전부를 서로 절연하는 절연부를 갖는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서, 상기 탄성 이방 도전막에는 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치는 상기한 이방 도전성 커넥터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이방 도전성 커넥터, 고주파 실드용 도전부, 접속용 도전부, 회로 장치, 탄성 이방 도전막

Description

이방 도전성 커넥터 및 회로 장치의 전기적 검사 장치 {ANISOTROPIC CONDUCTIVE CONNECTOR AND CIRCUIT-DEVICE ELECTRICAL-INSPECTION DEVICE}
본 발명은 이방 도전성 커넥터 및 이 이방 도전성 커넥터를 구비한 회로 장치의 전기적 검사 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는, 예를 들어 클럭 주파수가 1 ㎓ 이상인 회로 장치의 전기적 검사에 적절하게 이용할 수 있는 이방 도전성 커넥터 및 회로 장치의 전기적 검사 장치에 관한 것이다.
이방 도전성 엘라스토머 시트는 두께 방향에만 도전성을 나타내는 것, 또는 두께 방향으로 가압되었을 때에 두께 방향에만 도전성을 나타내는 가압 도전성 도전부를 갖는 것이고, 이러한 이방 도전성 엘라스토머 시트로서는, 종래 다양한 구조의 것이 알려져 있다.
예를 들어 무가압의 상태에서 두께 방향에만 도전성을 나타내는 이방 도전성 엘라스토머로서는, 절연성 고무로 이루어지는 시트 기체(基體) 중에 도전성 섬유가 두께 방향으로 신장하도록 배향한 상태로 배열되어 이루어지는 것, 카본 블랙이나 금속 분말이 배합되어 이루어지는 도전성 고무와 절연성 고무가 면 방향에 있어서 교대로 적층되어 이루어지는 것(예를 들어 하기 선행 문헌 1 참조) 등이 알려져 있 다.
한편, 두께 방향으로 가압되었을 때에 두께 방향에만 도전성을 나타내는 이방 도전성 엘라스토머 시트로서는, 금속 입자를 엘라스토머 중에 균일하게 분산되어 얻어지는 것(예를 들어 하기 선행 문헌 2 참조), 도전성 자성체 입자를 엘라스토머 중에 불균일하게 분포시킴으로써 두께 방향으로 신장하는 다수의 도전부와, 이들을 상호 절연하는 절연부가 형성되어 이루어지는 것(예를 들어 하기 선행 문헌 3 참조), 도전부의 표면과 절연부 사이에 단차가 형성되어 이루어지는 것(예를 들어 하기 선행 문헌 4 참조)이 알려져 있다.
이와 같은 이방 도전성 엘라스토머 시트는 저온 납땜 혹은 기계적 끼워 맞춤 등의 수단을 이용하지 않고 콤팩트한 전기적 접속을 달성하는 것이 가능한 것, 기계적인 충격이나 왜곡을 흡수하여 부드러운 접속이 가능한 것 등의 특징을 갖기 때문에 이러한 특징을 이용하여, 예를 들어 전자 계산기, 전자식 디지털 시계, 전자 카메라, 컴퓨터 키보드 등의 분야에 있어서 회로 장치, 예를 들어 프린트 회로 기판과 리드레스 칩 캐리어, 액정 패널 등의 상호간의 전기적인 접속을 달성하기 위한 커넥터로서 널리 이용되고 있다.
또한, 패키지 IC, MCM 등의 반도체 집적 회로 장치, 집적 회로가 형성된 웨이퍼, 프린트 회로 기판 등의 회로 장치의 전기적 검사에 있어서는 검사 대상인 회로 장치의 일면에 형성된 피검사 전극과, 검사용 회로 기판의 표면에 형성된 검사용 전극의 전기적인 접속을 달성하기 위한 커넥터로서 이방 도전성 엘라스토머 시트가 사용되고 있다.
본 회로 장치의 전기적 검사에 있어서는 회로 장치에 있어서의 전원 전류, 입출력 전압, 입출력 전류 등을 측정하는 직류 특성 시험, 회로 장치에 있어서의 입출력 단자간의 전반(傳搬) 지연 시간, 출력 파형의 천이 시간, 최대 클럭 주파수 등을 측정하는 교류 특성 시험 등이 행해지고 있다.
최근, 컴퓨터 등의 전자 기기에 있어서의 연산 처리의 고속화의 요청에 수반하여, 당해 전자 기기에 탑재되는 CPU 등의 회로 장치로서 클럭 주파수가 높은 것이 사용되고 있다. 이와 같은 회로 장치의 전기적 검사에 있어서, 오작동이 생기는 일 없이 소기의 교류 특성 시험을 행하기 위해서는 고주파 신호에 대한 소음을 충분히 억제하는 것이 긴요하다.
그리고, 회로 장치의 전기적 검사에 이용되는 이방 도전성 엘라스토머 시트에 있어서 고주파 신호에 대한 소음을 억제하는 수단으로서는, 도전성을 갖는 프레임판에 의해 이방 도전성 엘라스토머 시트를 지지하여 당해 프레임판을 그라운드에 접속하는 수단이 제안되어 있다(예를 들어 하기 선행 문헌 5 및 하기 선행 문헌 6 참조).
그러나, 이와 같은 수단에서는 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 회로 장치에 대한 전기적 검사를 행하는 경우에, 고주파 신호에 대한 소음을 충분히 억제하는 것이 곤란하다.
선행 문헌 1 : 일본 특허 공개 소50-94495호 공보
선행 문헌 2 : 일본 특허 공개 소51-93393호 공보
선행 문헌 3 : 일본 특허 공개 소53-147772호 공보
선행 문헌 4 : 일본 특허 공개 소61-250906호 공보
선행 문헌 5 : 일본 특허 공개 2000-164041호 공보
선행 문헌 6 : 일본 특허 공개 2002-33358호 공보
본 발명은 이상과 같은 사정을 기초로 하여 이루어진 것이며, 그 제1 목적은 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 회로 장치에 대해서도 소기의 전기적 검사를 행할 수 있는 이방 도전성 커넥터를 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2 목적은 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 회로 장치에 대해서도 소기의 전기적 검사를 행할 수 있는 회로 장치의 전기적 검사 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 이방 도전성 커넥터는, 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부 및 이들 접속용 도전부를 상호 절연하는 절연부를 갖는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서,
상기 탄성 이방 도전막에는 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 이방 도전성 커넥터는 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부 및 이들 접속용 도전부를 상호 절연하는 절연부를 갖는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서,
상기 탄성 이방 도전막에는 개개의 접속용 도전부를 둘러싸도록 배치된 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 이방 도전성 커넥터는 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부 및 이들 접속용 도전부를 상호 절연하는 절연부를 갖는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서,
상기 탄성 이방 도전막에는 복수의 접속용 도전부를 포함하는 도전부군을 둘러싸도록 배치된 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 이방 도전성 커넥터는 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 복수의 개구가 형성된 도전성을 갖는 프레임판과,
이 프레임판의 각 개구에 배치된 두께 방향으로 신장하는 접속용 도전부 및 그 주위에 일체로 형성된 절연부로 이루어지는 복수의 기능부 및 이들 기능부의 주위에 일체로 형성되고, 상기 프레임판에 적중되어 고정된 피지지부로 이루어지는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서,
상기 탄성 이방 도전막에 있어서의 피지지부에는 개개의 접속용 도전부를 둘러싸도록 배치되어 상기 프레임판에 전기적으로 접속된 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 이방 도전성 커넥터는 두께 방향으로 관통하는 개구가 형성된 도전성을 갖는 프레임판과,
이 프레임판의 개구에 배치된 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부 및 이들 접속용 도전부를 상호 절연하는 절연부를 갖는 기능부 및 이 기능부의 주위에 일체로 형성되고, 상기 프레임판에 적중되어 고정된 피지지부로 이루어지는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서,
상기 탄성 이방 도전막에 있어서의 피지지부에는 복수의 접속용 도전부를 포함하는 도전부군을 둘러싸도록 배치되어 상기 프레임판에 전기적으로 접속된 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 이방 도전성 커넥터는 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 복수의 개구가 형성된 도전성을 갖는 프레임판과,
이 프레임판의 각 개구에 배치된 두께 방향으로 신장하는 접속용 도전부 및 그 주위에 일체로 형성된 절연부로 이루어지는 복수의 기능부 및 이들 기능부의 주위에 일체로 형성되고, 상기 프레임판에 적중되어 고정된 피지지부로 이루어지는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서,
상기 탄성 이방 도전막에 있어서의 피지지부에는 복수의 접속용 도전부를 포함하는 도전부군을 둘러싸도록 배치되어 상기 프레임판에 전기적으로 접속된 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 이방 도전성 커넥터에 있어서는 통 형상의 고주파 실드용 도전부를 갖고, 당해 고주파 실드용 도전부가 하나의 접속용 도전부에 대해 동심적(同心的)으로 위치됨으로써 당해 접속용 도전부를 둘러싸도록 배치되어 있어도 좋다.
또한, 동일한 접속용 도전부를 둘러싸는 복수의 고주파 실드용 도전부를 갖는 것이라도 좋고, 이와 같은 이방 도전성 커넥터에 있어서는 동일한 접속용 도전부를 둘러싸는 서로 인접하는 고주파용 실드 도전부 사이의 이격 거리가 측정 신호의 파장의 1/10 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 이방 도전성 커넥터에 있어서는, 탄성 이방 도전막에는 접속용 도전부 외에 하나 이상의 비접속용 도전부가 형성되어 있고, 고주파 실드용 도전부는 복수의 접속용 도전부 및 하나 이상의 비접속용 도전부를 포함하는 도전부군을 둘러싸도록 배치되어 있어도 좋다.
본 발명의 이방 도전성 커넥터에 있어서는 통 형상의 고주파 실드용 도전부를 갖고, 당해 고주파 실드용 도전부가 복수의 접속용 도전부를 포함하는 도전부군을 둘러싸도록 배치되어 있어도 좋다.
또한, 복수의 접속용 도전부를 포함하는 도전부군을 둘러싸는 복수의 고주파 실드용 도전부를 갖는 것이라도 좋고, 이와 같은 이방 도전성 커넥터에 있어서는 도전부군을 둘러싸는 서로 인접하는 고주파용 실드 도전부 사이의 이격 거리가 측정 신호의 파장의 1/10 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 이방 도전성 커넥터에 있어서는, 고주파 실드용 도전부는 그라운드에 접속되는 것인 것이 바람직하다.
또한, 프레임판에 전기적으로 접속된 고주파 실드용 도전부를 갖는 경우에는, 프레임판은 그라운드에 접속되는 것인 것이 바람직하다.
본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치는 상기한 것 중 어느 하나의 이방 도전성 커넥터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치는, 검사 대상인 회로 장치의 피검사 전극에 대응하는 패턴에 따라서 검사용 전극이 형성된 검사용 회로 기판과, 이 검사용 회로 기판 상에 배치된 상기한 것 중 어느 하나의 이방 도전성 커넥터를 구비하여 이루어지고,
상기 검사용 회로 기판에는 상기 이방 도전성 커넥터에 있어서의 고주파 실드용 도전부에 대응하는 패턴에 따라서 그라운드에 접속된 접지용 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치는 검사 대상인 회로 장치의 피검사 전극에 대응하는 패턴에 따라서 검사용 전극이 형성된 검사용 회로 기판과, 이 검사용 회로 기판 상에 배치된 상기한 프레임판을 갖는 이방 도전성 커넥터를 구비하여 이루어지고,
상기 이방 도전성 커넥터에 있어서의 프레임판은 그라운드에 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 이방 도전성 커넥터에 따르면, 탄성 이방 도전막에는 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부 외에, 당해 접속용 도전부와 같은 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있으므로, 당해 고주파 실드용 도전부를 그라운드에 접속함으로써 각 접속용 도전부에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음 또는 인접하는 접속용 도전부로부터의 소음을 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명의 이방 도전성 커넥터를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 당해 회로 장치에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치에 따르면, 상기한 이방 도전성 커넥터가 설치되어 있으므로, 당해 이방 도전성 커넥터에 있어서의 고주파 실드용 도전부를 그라운드에 접속함으로써, 이방 도전성 커넥터의 각 접속용 도전부에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음 또는 인접하는 접속용 도전부로부터의 소음의 양쪽을 억제할 수 있다. 따라서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 당해 회로 장치에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다.
[이방 도전성 커넥터]
도1은 본 발명의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도2는 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
본 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 중앙에 직사각형의 개구(12)(도1에 있어서 파선으로 나타냄)가 형성된 전체가 직사각형의 프레임 형상의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)의 개구(12)에는 두께 방향으로 도전성을 갖는 직 사각형의 탄성 이방 도전막(20)이 상기 프레임판(11)의 개구 모서리부에 지지된 상태로 배치되어 있다. 또한, 본 예에 있어서의 프레임판(11)에 있어서의 네 구석의 위치에는 접속해야 할 회로 장치에 대한 위치 결정을 행하기 위한 위치 결정 구멍(13)이 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은 그 기재(基材)가 탄성 고분자 물질로 이루어지고, 접속해야 할 회로 장치의 전극의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부(22)와, 개개의 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)와, 각 접속용 도전부(22) 및 각 고주파 실드용 도전부(26)를 서로 절연하는 절연부(23)로 이루어지는 기능부(21)를 갖고, 이 기능부(21)는 프레임판(11)의 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다.
본 예에서는, 접속용 도전부(22)의 각각은 원기둥 형상을 갖고, 격자점 위치에 따라서 배열되어 있다. 또한, 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 접속용 도전부(22)의 직경보다 큰 내경을 갖는 원통형의 형상을 갖고, 하나의 접속용 도전부(22)에 대해 동심적으로 위치됨으로써 당해 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 기능부(21)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에 그것들 이외의 표면으로부터 돌출되는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
기능부(21)의 주연에는 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부에 적중되어 고정 지지된 피지지부(28)가 당해 기능부(21)에 일체로 연속해서 형성되어 있다. 구체적으로는, 본 예에 있어서의 피지지부(28)는 두 갈래 형상으로 형성되어 있고, 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부를 파지하도록 밀착한 상태에서 고정 지지되어 있다.
프레임판(11)의 두께는 그 재질에 따라서 다르지만, 20 내지 600 ㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 내지 400 ㎛이다.
이 두께가 20 ㎛ 미만인 경우에는 이방 도전성 커넥터(10)를 사용할 때에 필요한 강도를 얻을 수 없어 내구성이 낮은 것으로 되기 쉽고, 또한 당해 프레임판(11)의 형상이 유지될 정도의 강성을 얻을 수 없어 이방 도전성 커넥터(10)의 취급성이 낮은 것으로 된다. 한편, 이 두께가 600 ㎛를 넘는 경우에는, 개구(12)에 배치되는 탄성 이방 도전막(20)은 그 두께가 과대한 것이 되어 접속용 도전부(22)에 있어서의 양호한 도전성 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26) 사이에 있어서의 소요의 절연성을 얻는 것이 곤란해지는 일이 있다.
프레임판(11)을 구성하는 재료로서는, 당해 프레임판(11)이 용이하게 변형되지 않고, 그 형상이 안정적으로 유지될 정도의 강성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 금속 재료, 세라믹 재료, 수지 재료 등의 다양한 재료를 이용할 수 있고, 프레임판(11)을, 예를 들어 금속 재료에 의해 구성하는 경우에는 당해 프레임판(11)의 표면에 절연성 피막이 형성되어 있어도 좋다.
프레임판(11)을 구성하는 금속 재료의 구체예로서는 철, 동, 니켈, 크롬, 코발트, 마그네슘, 망간, 몰리브덴, 인듐, 납, 팔라듐, 티탄, 텅스텐, 알루미늄, 금, 백금, 은 등의 금속 또는 이들을 2종 이상 조합한 합금 혹은 합금강 등을 들 수 있 다.
프레임판(11)을 구성하는 수지 재료의 구체예로서는, 액정 폴리머 및 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다.
탄성 이방 도전막(20)을 구성하는 탄성 고분자 물질로서는, 가교 구조를 갖는 내열성의 고분자 물질이 바람직하다. 이러한 가교 고분자 물질을 얻기 위해 이용할 수 있는 경화성의 고분자 물질 형성 재료로서는, 다양한 것을 이용할 수 있고, 그 구체예로서는 실리콘 고무, 폴리부타디엔 고무, 천연 고무, 폴리이소플렌 고무, 스틸렌-부타디엔 공중합체 고무, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 고무 등의 공액 디엔계 고무 및 이들 수소 첨가물, 스틸렌-부타디엔-디엔 블럭 공중합체 고무, 스틸렌-이소플렌 블럭 공중합체 등의 블럭 공중합체 고무 및 이들 수소 첨가물, 클로로플렌, 우레탄 고무, 폴리에스테르계 고무, 에피크롤히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 공중합체 고무, 에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체 고무, 연질 액상 에폭시 고무 등을 들 수 있다.
이들 중에서는 실리콘 고무가 성형 가공성 및 전기 특성의 점에서 바람직하다.
실리콘 고무로서는 액상 실리콘 고무를 가교 또는 축합한 것이 바람직하다. 액상 실리콘 고무는 그 점도가 왜곡 속도 10-1초이고 105 포아즈 이하인 것이 바람직하고, 축합형의 것, 부가형의 것, 비닐기나 히드록실기를 함유하는 것 등의 어느 것이라도 좋다. 구체적으로는, 디메틸실리콘 미가공 고무, 메틸비닐실리콘 미가공 고무, 메틸페닐비닐실리콘 미가공 고무 등을 들 수 있다.
이들 중에서 비닐기를 함유하는 액상 실리콘 고무(비닐기 함유 폴리디메틸실록산)는, 통상 디메틸디클로로실란 또는 디메틸디알콕시실란을 디메틸비닐클로로실란 또는 디메틸비닐알콕시실란의 존재 하에 있어서, 가수 분해 및 축합 반응시키고, 예를 들어 계속해서 용해-침전의 반복에 의한 분별을 행함으로써 얻을 수 있다.
또한, 비닐기를 양 말단부에 함유하는 액상 실리콘 고무는 옥타메틸시클로데트라실록산과 같은 환형 실록산을 촉매의 존재 하에 있어서 음이온 중합하고, 중합 정지제로서, 예를 들어 디메틸디비닐실록산을 이용하고, 그 밖의 반응 조건(예를 들어, 환형 실록산의 양 및 중합 정지제의 양)을 적절하게 선택함으로써 얻을 수 있다. 여기서, 음이온 중합의 촉매로서는 수산화테트라메틸암모늄 및 수산화n-부틸포스포늄 등의 알칼리 또는 이들 실라노레이트 용액 등을 이용할 수 있고, 반응 온도는, 예를 들어 80 내지 130 ℃이다.
이와 같은 비닐기 함유 폴리디메틸실록산은 그 분자량(Mw)(표준 폴리스틸렌 환산 중량 평균 분자량을 말함. 이하 동일함)이 10000 내지 40000인 것이 바람직하다. 또한, 이렇게 하여 얻게 되는 탄성 이방 도전막(20)의 내열성의 관점으로부터 분자량 분포 지수[표준 폴리스틸렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)과 표준 폴리스틸렌 환산수 평균 분자량(Mn)과의 비(Mw/Mn)의 값을 말함. 이하 동일함]가 2 이하인 것이 바람직하다.
한편, 히드록실기를 함유하는 액상 실리콘 고무(히드록실기 함유 폴리디메틸 실록산)는, 통상 디메틸디클로로실란 또는 디메틸디알콕시실란을 디메틸히드로클로로실란 또는 디메틸히드로알콕시실란의 존재 하에 있어서, 가수 분해 및 축합 반응시켜, 예를 들어 계속해서 용해-침전의 반복에 의한 분별을 행함으로써 얻을 수 있다.
또한, 환형 실록산을 촉매의 존재 하에 있어서 음이온 중합하여 중합 정지제로서, 예를 들어 디메틸히드로클로로실란, 메틸디히드로클로로실란 또는 디메틸히드로알콕시실란 등을 이용하고, 그 밖의 반응 조건(예를 들어, 환형 실록산의 양 및 중합 정지제의 양)을 적절하게 선택함으로써도 얻을 수 있다. 여기서, 음이온 중합의 촉매로서는, 수산화테트라메틸암모늄 및 수산화n-부틸포스포늄 등의 알칼리 또는 이들 실라노레이트 용액 등을 이용할 수 있고, 반응 온도는, 예를 들어 80 내지 130 ℃이다.
이와 같은 히드록실기 함유 폴리디메틸실록산은, 그 분자량(Mw)이 10000 내지 40000인 것이 바람직하다. 또한, 이렇게 하여 얻게 되는 탄성 이방 도전막(20)의 내열성의 관점으로부터 분자량 분포 지수가 2 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기한 비닐기 함유 폴리디메틸실록산 및 히드록실기 함유 폴리디메틸실록산 중 어느 한쪽을 이용할 수도 있고, 양자를 병용할 수도 있다.
고분자 물질 형성 재료 중에는, 당해 고분자 물질 형성 재료를 경화시키기 위한 경화 촉매를 함유시킬 수 있다. 이와 같은 경화 촉매로서는 유기 과산화물, 지방산아조 화합물, 히드로실릴화 촉매 등을 이용할 수 있다.
경화 촉매로서 이용되는 유기 과산화물의 구체예로서는, 과산화벤조일, 과산화비스디시클로벤조일, 과산화디크밀, 과산화디터셔리부틸 등을 들 수 있다.
경화 촉매로서 이용되는 지방산아조화합물의 구체예로서는, 아조비스이소부틸로니트릴 등을 들 수 있다.
히드로실릴화 반응의 촉매로서 사용할 수 있는 것의 구체예로서는, 염화 백금산 및 그 염, 백금-불포화기 함유 실록산콤플렉스, 비닐실록산과 백금의 콤플렉스, 백금과 1, 3-디비닐테트라메틸디실록산의 콤플렉스, 트리오르가노포스핀 혹은 포스파이트와 백금의 콤플렉스, 아세틸아세테이트 백금킬레이트, 환형 디엔과 백금의 콤플렉스 등의 공지의 것을 들 수 있다.
경화 촉매의 사용량은 고분자 물질 형성 재료의 종류, 경화 촉매의 종류, 그 밖의 경화 처리 조건을 고려하여 적절하게 선택되지만, 통상 고분자 물질 형성 재료 100 중량부에 대해 3 내지 15 중량부이다.
고분자 물질 형성 재료 중에는, 필요에 따라서 통상의 실리카분, 콜로이달실리카, 에어로겔실리카, 알루미나 등의 무기 충전재를 함유시킬 수 있다. 이와 같은 무기 충전재를 함유시킴으로써, 얻게 되는 성형 재료의 틱소트로피성이 확보되어 그 점도가 높아지고, 게다가 도전성 입자(P)의 분산 안정성이 향상되는 동시에, 경화 처리되어 얻을 수 있는 탄성 이방 도전막(20)의 강도가 높아진다.
이와 같은 무기 충전재의 사용량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 지나치게 다량으로 사용하면, 후술하는 제조 방법에 있어서 자장에 의한 도전성 입자(P)의 이동이 크게 저해되기 때문에, 바람직하지 않다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도2에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 늘어서도록 배향한 상태에서 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 절연부(23)는 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 함유되는 도전성 입자(P)로서는, 후술하는 방법에 의해 당해 탄성 이방 도전막(20)을 형성하기 위한 성형 재료 중에 있어서 당해 도전성 입자(P)를 용이하게 이동시킬 수 있는 관점으로부터, 자성을 나타내는 것을 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 자성을 나타내는 도전성 입자(P)의 구체예로서는, 철, 니켈, 코발트 등의 자성을 나타내는 금속의 입자 혹은 이들 합금의 입자 또는 이들 금속을 함유하는 입자 또는 이들 입자를 코어 입자로 하고, 당해 코어 입자의 표면에 금, 은, 팔라듐, 라듐 등의 도전성이 양호한 금속의 도금을 실시한 것, 혹은 비자성 금속 입자 혹은 글래스 비드 등의 무기 물질 입자 또는 폴리머 입자를 코어 입자로 하고, 당해 코어 입자의 표면에 니켈 및 코발트 등의 도전성 자성체의 도금을 실시한 것 혹은 코어 입자에 도전성 자성체 및 도전성이 양호한 금속의 양쪽을 피복한 것 등을 들 수 있다.
이들 중에서는, 니켈 입자를 코어 입자로 하여 그 표면에 금이나 은 등의 도전성이 양호한 금속의 도금을 실시한 것을 이용하는 것이 바람직하다.
코어 입자의 표면에 도전성 금속을 피복하는 수단으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 무전해 도금에 의해 행할 수 있다.
도전성 입자(P)로서, 코어 입자의 표면에 도전성 금속이 피복되어 이루어지는 것을 이용하는 경우에는, 양호한 도전성을 얻을 수 있는 관점으로부터 입자 표면에 있어서의 도전성 금속의 피복률(코어 입자의 표면적에 대한 도전성 금속의 피복 면적의 비율)이 40 ％ 이상인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 45 ％ 이상, 특히 바람직하게는 47 내지 95 ％이다.
또한, 도전성 금속의 피복량은 코어 입자의 2.5 내지 50 중량 ％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 내지 45 중량 ％, 더 바람직하게는 3.5 내지 40 중량 ％, 특히 바람직하게는 5 내지 30 중량 ％이다.
또한, 도전성 입자(P)의 입자 직경은 1 내지 500 ㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 400 ㎛, 더 바람직하게는 5 내지 300 ㎛, 특히 바람직하게는 10 내지 150 ㎛이다.
또한, 도전성 입자(P)의 입자 직경 분포(Dw/Dn)는 1 내지 10인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 7, 더 바람직하게는 1 내지 5, 특히 바람직하게는 1 내지 4이다.
이와 같은 조건을 만족시키는 도전성 입자(P)를 이용함으로써, 얻게 되는 탄성 이방 도전막(20)은 가압 변형이 용이한 것이 되고, 또한 당해 탄성 이방 도전막에 있어서의 접속용 도전부(22)에 있어서 도전성 입자(P) 사이에 충분한 전기적 접촉을 얻을 수 있다.
또한, 도전성 입자(P)의 형상은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 고분자 물질 형성 재료 중에 용이하게 분산시킬 수 있는 점에서, 구 형상의 것, 별 형상의 것, 혹은 이들이 응집한 2차 입자에 의한 덩어리 형상인 것이 바람직하다.
또한, 도전성 입자(P)의 함수율은 5 ％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 ％ 이하, 더 바람직하게는 2 ％ 이하, 특히 바람직하게는 1 ％ 이하이다. 이와 같은 조건을 만족시키는 도전성 입자(P)를 이용함으로써, 후술하는 제조 방법에 있어서 성형 재료층을 경화 처리할 때에 당해 성형 재료층 내에 기포가 생기는 것이 방지 또는 억제된다.
또한, 도전성 입자(P)의 표면이 실란 커플링제 등의 커플링제로 처리된 것을 적절하게 이용할 수 있다. 도전성 입자(P)의 표면이 커플링제로 처리됨으로써, 당해 도전성 입자(P)와 탄성 고분자 물질과의 접착성이 높아져, 그 결과 얻을 수 있는 탄성 이방 도전막(20)은 반복 사용에 있어서의 내구성이 높은 것이 된다.
커플링제의 사용량은 도전성 입자(P)의 도전성에 영향을 미치지 않는 범위에서 적절하게 선택되지만, 도전성 입자(P)의 표면에 있어서의 커플링제의 피복율(도전성 코어 입자의 표면적에 대한 커플링제의 피복 면적의 비율)이 5 ％ 이상이 되는 양인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 상기 피복율이 7 내지 100 ％, 더 바람직하게는 10 내지 100 ％, 특히 바람직하게는 20 내지 100 ％가 되는 양이다.
기능부(21)의 접속용 도전부(22)에 있어서의 도전성 입자(P)의 함유 비율은 체적분률 10 내지 60 ％, 바람직하게는 15 내지 50 ％가 되는 비율로 이용되는 것이 바람직하다. 이 비율이 10 ％ 미만인 경우에는, 충분히 전기 저항치가 작은 접속용 도전부(22)를 얻을 수 없는 경우가 있다. 한편, 이 비율이 60 ％를 넘는 경우에는, 얻게 되는 접속용 도전부(22)는 취약한 것이 되기 쉽고, 접속용 도전 부(22)로서 필요한 탄성을 얻을 수 없는 경우가 있다.
또한, 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 함유 비율은, 체적분률 5 내지 60 ％, 바람직하게는 10 내지 50 ％가 되는 비율로 이용되는 것이 바람직하다. 이 비율이 5 ％ 미만인 경우에는 고주파 실드용 도전부(26)에 소밀이 생기기 쉬워지고, 균일한 조성의 고주파 실드용 도전부(26)를 형성하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 이 비율이 60 ％를 넘는 경우에는, 당해 이방 도전성 시트의 제조시에 인접하는 고주파 실드용 도전부(26) 및 접속용 도전부(22) 사이에 도전성 입자가 잔존하기 쉬워지고, 이들 사이의 절연성이 불충분한 것이 되기 쉬워 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 회로 장치의 전기적 검사에 이용할 수 있는 이방 도전성 시트를 얻는 것이 곤란해진다.
이와 같은 이방 도전성 커넥터(10)는, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다.
우선, 개구(12)가 형성된 프레임판(11)을 제작한다. 여기서, 프레임판(11)의 개구(12)를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 에칭법 등을 이용할 수 있다.
또한, 탄성 이방 도전성막을 성형하기 위한 금형을 준비한다. 도3은 탄성 이방 도전막 성형용 금형의 일예에 있어서의 구성을 도시하는 설명용 단면도이다. 이 금형은 상부형(30) 및 이것과 쌍을 이루는 하부형(35)이 서로 대향하도록 배치되어 구성되어 있다.
상부형(30)에 있어서는, 강자성체 기판(31)의 하면에 성형해야 할 탄성 이방 도전성막(20)의 접속용 도전부(22)의 배치 패턴에 대칭인 패턴에 따라서 강자성체 층(32)이 형성되는 동시에, 고주파 실드용 도전부(26)의 배치 패턴에 대칭인 패턴에 따라서 강자성체층(33)이 형성되고, 이들 강자성체층(32, 33)이 형성된 영역 이외의 영역에는 비자성체층(34)이 형성되어 있고, 강자성체층(32, 33) 및 비자성체층(34)에 의해 성형면이 형성되어 있다. 또한, 강자성체층(32, 33)의 각각은 비자성체층(34)의 두께보다 작은 두께를 갖고, 이에 의해 상부형(30)의 성형면에는 성형해야 할 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 돌출부(22a, 26a)에 대응하여 오목부(32a, 33a)가 형성되어 있다.
한편, 하부형(35)에 있어서는 강자성체 기판(36)의 상면에 성형해야 할 탄성 이방 도전막(20)의 접속용 도전부(22)의 배치 패턴과 동일한 패턴에 따라서 강자성체층(37)이 형성되는 동시에, 고주파 실드용 도전부(26)의 배치 패턴과 동일한 패턴에 따라서 강자성체층(38)이 형성되고, 이들 강자성체층(37, 38)이 형성된 영역 이외의 영역에는 비자성체층(39)이 형성되어 있고, 강자성체층(37, 38) 및 비자성체층(39)에 의해 성형면이 형성되어 있다. 또한, 강자성체층(37, 38)의 각각은 비자성체층(39)의 두께보다 작은 두께를 갖고, 이에 의해 하부형(35)의 성형면에는 성형해야 할 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 돌출부(22a, 26a)에 대응하여 오목부(37a, 38a)가 형성되어 있다.
상부형(30) 및 하부형(35)의 각각에 있어서의 강자성체 기판(31, 36)을 구성하는 강자성체 재료로서는 철, 철-니켈 합금, 철-코발트 합금, 니켈, 코발트 등의 강자성 금속을 이용할 수 있다. 이 강자성체 기판(31, 36)은 그 두께가 0.1 내지 50 ㎜인 것이 바람직하고, 표면이 평활하고, 화학적으로 탈지 처리되고, 또한 기계 적으로 연마 처리된 것인 것이 바람직하다.
또한, 상부형(30) 및 하부형(35)의 각각에 있어서의 강자성체층(32, 33, 37, 38)을 구성하는 강자성체 재료로서는 철, 철-니켈 합금, 철-코발트 합금, 니켈, 코발트 등의 강자성 금속을 이용할 수 있다. 이들 강자성체층(32, 33, 37, 38)은 그 두께가 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 이 두께가 10 ㎛ 이상이면, 성형 재료층(20A)에 대해 충분한 강도 분포를 갖는 자장을 작용시킬 수 있고, 이 결과 당해 성형 재료층(20A)에 있어서의 접속용 도전부(22)가 되어야 할 부분 및 고주파 실드용 도전부(26)가 되어야 할 부분에 도전성 입자를 고밀도로 집합시킬 수 있어, 양호한 도전성을 갖는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)를 얻을 수 있다.
또한, 상부형(30) 및 하부형(35)의 각각에 있어서의 비자성체층(34, 39)을 구성하는 재료로서는, 구리 등의 비자성 금속, 내열성을 갖는 고분자 물질 등을 이용할 수 있지만, 포토리소그래피의 수법에 의해 용이하게 비자성체층(34, 39)을 형성할 수 있는 점에서, 방사선에 의해 경화된 고분자 물질을 바람직하게 이용할 수 있어 그 재료로서는, 예를 들어 아크릴계의 드라이 필름 레지스트, 에폭시계의 액상 레지스트, 폴리이미드계의 액상 레지스트 등의 포토 레지스트를 이용할 수 있다.
계속해서, 경화 처리에 의해 탄성 고분자 물질이 되는 고분자 물질 형성 재료 중에 자성을 나타내는 도전성 입자가 분산되어 이루어지는 탄성 이방 도전막 성형용 성형 재료를 조제한다.
그리고, 도4에 도시한 바와 같이 하부형(35)의 성형면 상에 스페이서(16)를 거쳐서 프레임판(11)을 위치 맞춤하여 배치하는 동시에, 이 프레임판(11) 상에 스페이서(15)를 거쳐서 상부형(30)을 위치 맞춤하여 배치함으로써, 상부형(30)과 하부형(35) 사이에 성형 공간을 형성하는 동시에, 이 성형 공간 내에 성형 재료를 충전하여 성형 재료층(20A)을 형성한다. 이 성형 재료층(20A)에 있어서는, 도전성 입자(P)는 성형 재료층(20A) 전체에 분산된 상태에서 함유되어 있다.
그 후, 상부형(30)에 있어서의 강자성체 기판(31)의 상면 및 하부형(35)에 있어서의 강자성체 기판(36)의 하면에, 예를 들어 한 쌍의 전자석을 배치하여 이를 작동시킴으로써, 상부형(30) 및 하부형(35)이 강자성체층(32, 33, 37, 38)을 갖기 때문에, 상부형(30)의 강자성체층(32)과 이에 대응하는 하부형(35)의 강자성체층(37) 사이 및 상부형(30)의 강자성체층(33)과 이에 대응하는 하부형(35)의 강자성체층(38) 사이에 있어서 그 주변 영역보다 큰 강도를 갖는 자장이 형성된다. 그 결과, 성형 재료층(20A)에 있어서는 당해 성형 재료층(20A) 중에 분산되어 있던 도전성 입자(P)가 도5에 도시한 바와 같이 상부형(30)의 강자성체층(32)과 이에 대응하는 하부형(35)의 강자성체층(37) 사이에 위치하는 접속용 도전부(22)가 되어야 할 부분 및 상부형(30)의 강자성체층(33)과 이에 대응하는 하부형(35)의 강자성체층(38) 사이에 위치하는 고주파 실드용 도전부(26)가 되어야 할 부분에 집합하여 두께 방향으로 늘어서도록 배향한다.
그리고, 이 상태에 있어서 성형 재료층(20A)을 경화 처리함으로써, 탄성 고분자 물질 중에 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 늘어서도록 배향한 상태에서 함유 되어 이루어지는 복수의 접속용 도전부(22) 및 당해 접속용 도전부(22)의 각각을 둘러싸는 고주파 실드용 도전부(26)가, 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 존재하지 않는 고분자 탄성 물질로 이루어지는 절연부(23)에 의해 서로 절연된 상태로 배치되어 이루어지는 기능부(21)와, 이 기능부(21)의 주변에 연속해서 일체로 형성된 탄성 고분자 물질로 이루어지는 피지지부(28)로 이루어지는 탄성 이방 도전막(20)이 프레임판(11)의 개구 모서리부에 당해 피지지부(28)가 고정된 상태로 형성되고, 이에 의해 이방 도전성 커넥터(10)가 제조된다.
이상에 있어서, 성형 재료층(20A)에 있어서의 접속용 도전부(22)가 되는 부분 및 고주파 실드용 도전부(26)가 되는 부분에 작용시키는 자장의 강도는 평균 0.1 내지 2.5 테슬러가 되는 크기가 바람직하다.
성형 재료층(20A)의 경화 처리는 사용되는 재료에 의해 적절하게 선정되지만, 통상 가열 처리에 의해 행해진다. 가열에 의해 성형 재료층(20A)의 경화 처리를 행하는 경우에는 전자석에 히터를 설치하면 된다. 구체적인 가열 온도 및 가열 시간은 성형 재료층(20A)을 구성하는 고분자 물질 형성 재료 등의 종류, 도전성 입자(P)의 이동에 필요로 하는 시간 등을 고려하여 적절하게 선정된다.
제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에는 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 당해 접속용 도전부(22)와 동일 방향으로 신장하는 원통 형상의 고주파 실드용 도전부(26)가 개개의 접속용 도전부(22)에 대해 동심적으로 위치됨으로써 당해 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치되어 있으므로, 당해 고주파 실드용 도전부(26)를 그라운드에 접속함으로써 각 접속용 도전부(22)에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음 및 인접하는 접속용 도전부(22)로부터의 소음의 양쪽을 억제할 수 있다. 따라서, 본 제1 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 당해 회로 장치에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도6은 본 발명의 제2 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도7은 제2 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제2 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 같은 구성의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)의 개구(12) 내에는 두께 방향에 도전성을 갖는 탄성 이방 도전막(20)이 당해 프레임판(11)의 개구 모서리부에 지지된 상태로 배치되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은 그 기재가 탄성 고분자 물질로 이루어지고, 접속해야 할 회로 장치의 전극 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부(22)와, 개개의 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)와, 각 접속용 도전부(22) 및 각 고주파 실드용 도전부(26)를 서로 절연하는 절연부(23)로 이루어지는 기능부(21)를 갖고, 이 기능부(21)는 프레임판(11)의 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다.
본 예에서는, 접속용 도전부(22)의 각각은 원기둥 형상을 갖고, 격자점 위치에 따라서 배열되어 있다. 또한, 고주파 실드용 도전부(26) 각각은 원기둥 형상을 갖고, 복수(나타낸 예에서는 8개)의 고주파 실드용 도전부(26)가 접속용 도전부(22)의 직경보다 큰 직경의 동심원(도6에 있어서 이점 쇄선으로 나타냄)을 따라서 상기 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 기능부(21)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에 그것들 이외의 표면으로부터 돌출되는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에는 도7에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 늘어서도록 배향된 상태에서 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 절연부(23)는 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
기능부(21)의 주연에는 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부에 적층되어 고정 지지된 피지지부(28)가 당해 기능부(21)에 일체로 연속해서 형성되어 있다. 구체적으로는, 본 예에 있어서의 피지지부(28)는 두 갈래 형상으로 형성되어 있고, 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부를 파지하도록 밀착한 상태에서 고정 지지되어 있다.
이와 같은 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서는, 동일한 접속용 도전부(22)를 둘러싸는 서로 인접하는 고주파용 실드 도전부(26) 사이의 이격 거리가 측정 신호의 파장의 1/10 이하인 것이 바람직하다. 이 이격 거리가 과대한 경우에는, 인접 하는 고주파 실드용 도전부(26) 사이로부터 고주파 소음이 통과하기 쉬워지므로, 고주파 실드용 도전부(26)에 의한 실드 효과가 저하되어 고주파 신호에 의한 전기적 검사가 곤란해지는 일이 있다.
본 제2 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 같은 것을 이용할 수 있다.
또한, 제2 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제2 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에는 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 당해 접속용 도전부(22)와 동일 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가 개개의 접속용 도전부(22)의 동심원을 따라서 상기 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치되어 있으므로, 당해 고주파 실드용 도전부(26)를 그라운드에 접속함으로써 각 접속용 도전부(22)에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음 및 인접하는 접속용 도전부(22)로부터의 소음의 양쪽을 억제할 수 있다. 따라서, 본 제2 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 당해 회로 장치에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도8은 본 발명의 제3 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도9는 제3 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제3 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 같은 구성의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)의 개구(12)에는 두께 방향에 도전성을 갖는 탄성 이방 도전막(20)이 당해 프레임판(11)의 개구 모서리부에 지지된 상태로 배치되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은 그 기재가 탄성 고분자 물질로 이루어지고, 접속해야 할 회로 장치의 전극의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부(22)와, 복수의 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치된 두께 방향으로 신장하는 하나의 고주파 실드용 도전부(26)와, 각 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)를 서로 절연하는 절연부(23)로 이루어지는 기능부(21)를 갖고, 이 기능부(21)는 프레임판(11)의 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다.
본 예에서는, 접속용 도전부(22) 각각은 원기둥 형상을 갖고, 격자점 위치에 따라서 배열되어 있다. 또한, 고주파 실드용 도전부(26)는 직사각형의 통 형상을 갖는 동시에, 그 통 구멍이 도전부군(25)의 치수보다 큰 치수를 갖고, 당해 통 구멍 내에 도전부군(25)이 수납되어 당해 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 기능부(21)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26) 각각이 위치하는 부위에 그것들 이외의 표면으로부터 돌출되는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도9에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 늘어서도록 배향한 상태로 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 절연부(23)는 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
기능부(21)의 주연에는 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부에 적층되어 고정 지지된 피지지부(28)가 당해 기능부(21)에 일체로 연속해서 형성되어 있다. 구체적으로는, 본 예에 있어서의 피지지부(28)는 두 갈래 형상으로 형성되어 있고, 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부를 파지하도록 밀착한 상태에서 고정 지지되어 있다.
본 제3 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는, 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 같은 것을 이용할 수 있다.
또한, 제3 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제3 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에는 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 당해 접속용 도전부(22)와 동일 방향으로 신장하는 직사각형의 통 형상의 고주파 실드용 도전부(26)가 그 통 구멍 내에 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부 군(25)이 수납됨으로써 당해 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있으므로, 당해 고주파 실드용 도전부(26)를 그라운드에 접속함으로써 각 접속용 도전부(22)에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음을 억제할 수 있다. 따라서, 본 제3 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 상기 회로 장치에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도10은 본 발명의 제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도11은 제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 같은 구성의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)의 개구(12)에는 두께 방향에 도전성을 갖는 탄성 이방 도전막(20)이 당해 프레임판(11)의 개구 모서리부에 지지된 상태로 배치되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은 그 기재가 탄성 고분자 물질로 이루어지고, 접속해야 할 회로 장치의 전극의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부(22)와, 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)(도10에 있어서 일점 쇄선으로 나타냄)을 둘러싸도록 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)와, 각 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)를 서로 절연하는 절연부(23)로 이루어지는 기능부(21)를 갖고, 기 능부(21)는 프레임판(11)의 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다.
본 예에 있어서는, 접속용 도전부(22)의 각각은 원기둥 형상을 갖고, 격자점 위치에 따라서 배열되어 있다. 또한, 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 원기둥 형상을 갖고, 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가 도전부군(25)의 치수보다 큰 치수의 직사각형의 변을 따라서 당해 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 기능부(21)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파수 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에 그것들 이외의 표면으로부터 돌출되는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도11에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 늘어서도록 배향된 상태로 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 절연부(23)는 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
기능부(21)의 주연에는 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부에 적층되어 고정 지지된 피지지부(28)가 당해 기능부(21)에 일체로 연속해서 형성되어 있다. 구체적으로는, 본 예에 있어서의 피지지부(28)는 두 갈래 형상으로 형성되어 있고, 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부를 파지하도록 밀착한 상태에서 고정 지지되어 있다.
이와 같은 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서는, 도전부군(25)을 둘러싸는 서로 인접하는 고주파용 실드 도전부(26) 사이의 이격 거리가 측정 신호의 파장의 1/10 이하인 것이 바람직하다. 이 이격 거리가 과대한 경우에는, 인접하는 고주파 실드용 도전부(26) 사이로부터 고주파 소음이 통과하기 쉬워지므로, 고주파 실드용 도전부(26)에 의한 실드 효과가 저하되어 고주파 신호에 의한 전기적 검사가 곤란해지는 일이 있다.
본 제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는, 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 같은 것을 이용할 수 있다.
또한, 제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에는 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 당해 접속용 도전부(22)와 동일 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있으므로, 당해 고주파 실드용 도전부(26)를 그라운드에 접속함으로써, 각 접속용 도전부(22)에 있어서, 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음을 억제할 수 있다. 따라서, 본 제4 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 상기 회로 장치에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도12는 본 발명의 제5 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도 13은 제5 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제5 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 같은 구성의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)의 개구(12)에는 두께 방향에 도전성을 갖는 탄성 이방 도전막(20)이 상기 프레임판(11)의 개구 모서리부에 적층되어 지지된 상태로 배치되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은 그 기재가 탄성 고분자 물질로 이루어지고, 접속해야 할 회로 장치의 전극의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부(22)와, 이들 접속용 도전부(22)를 포함하는 접속용 도전부군(도12에 있어서 이점 쇄선으로 나타냄)의 주위에 형성된 복수의 비접속용 도전부(24)와, 모든 접속용 도전부(22) 및 모든 비접속용 도전부(24)를 포함하는 도전부군(25)(도12에 있어서 일점 쇄선으로 나타냄)을 둘러싸도록 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)와, 각 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)를 서로 절연하는 절연부(23)로 이루어지는 기능부(21)를 갖고, 이 기능부(21)는 프레임판(11)의 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다.
본 예에서는, 접속용 도전부(22) 및 비접속용 도전부(24)의 각각은 원기둥 형상을 갖고, 이들은 격자점 위치에 따라서 배열되어 있다. 또한, 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 원기둥 형상을 갖고, 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가 도전부군(25)의 치수보다 큰 치수의 직사각형의 변을 따라 상기 도전부군(25)을 둘러 싸도록 배치되어 있다. 또한, 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 기능부(21)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에 그것들 이외의 표면으로부터 돌출되는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도13에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 늘어서도록 배향된 상태로 밀하게 함유되어 있다. 이에 반해, 절연부(23)는 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
기능부(21)의 주연에는 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부에 고정 지지된 피지지부(28)가 당해 기능부(21)에 일체로 연속해서 형성되어 있다. 구체적으로는, 본 예에 있어서의 피지지부(28)는 두 갈래 형상으로 형성되어 있고, 프레임판(11)에 있어서의 개구 모서리부를 파지하도록 밀착한 상태에서 고정 지지되어 있다.
이 제5 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는, 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 같은 것을 이용할 수 있다.
또한, 도전부군(25)을 둘러싸는 서로 인접하는 고주파용 실드 도전부(26) 사이의 이격 거리는 전술한 제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지이다.
또한, 제5 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제5 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에는 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 상기 접속용 도전부(22)와 동일 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있으므로, 상기 고주파 실드용 도전부(26)를 그라운드에 접속함으로써, 각 접속용 도전부(22)에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음을 억제할 수 있다. 따라서, 본 제5 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 당해 회로 장치에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도14는 본 발명의 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도15는 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 접속해야 할 전극의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 복수의 원형의 개구(12)(도14에 있어서 파선으로 나타냄)가 형성된 전체가 직사각형의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)에는 두께 방향에 도전성을 갖는 직사각형의 탄성 이방 도전막(20)이 고정 지지되어 있다. 또한, 본 예에 있어서의 프레임판(11)에 있어서의 네 구석의 위치에는 접속해야 할 회로 장치에 대한 위치 결정을 행하기 위한 위치 결정 구멍(13)이 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은 그 기재가 탄성 고분자 물질이 되고, 각각 두께 방향으로 신장하는 원기둥 형상의 접속용 도전부(22)와, 이 접속용 도전부(22)의 주위에 일체로 형성된 절연부(23)가 되는 복수의 기능부(21)를 갖고, 이들 기능부(21)의 각각은 프레임판(11)의 각 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다.
각 기능부(21)의 주연에는 프레임판(11)의 양면의 각각에 적층되어 고정 지지된 피지지부(28)가 당해 기능부(21)의 각각에 일체로 연속해서 형성되어 있다. 이 피지지부(28)에는 각각 두께 방향으로 신장하여 프레임판(11)에 전기적으로 접속된 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가 형성되어 있다. 이들 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 접속용 도전부(22)의 직경보다 큰 내경을 갖는 원통형의 형상을 갖고, 하나의 접속용 도전부(22)에 대해 동심적으로 위치됨으로써 상기 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 탄성 이방 도전막(20)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에 그것들 이외의 표면으로부터 돌출되는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도15에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 늘어서도록 배향된 상태로 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 기능부(21)에 있어서의 절연부(23) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26) 이외의 부분은 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
프레임판(11)을 구성하는 재료로서는, 도전성을 갖는 것이며, 당해 프레임 판(11)이 쉽게 변형되지 않고, 그 형상이 안정적으로 유지될 정도의 강성을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 금속 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
프레임판(11)을 구성하는 금속 재료의 구체예로서는, 철, 구리, 니켈, 크롬, 코발트, 마그네슘, 망간, 몰리브덴, 인듐, 납, 팔라듐, 티탄, 텅스텐, 알루미늄, 금, 백금, 은 등의 금속 또는 이들을 2종류 이상 조합한 합금 혹은 합금강 등을 들 수 있다.
본 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는, 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 같은 것을 이용할 수 있다.
또한, 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는 전술한 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)에는 기능부(21)에 배치된 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 피지지부(28)에 접속용 도전부(22)와 동일 방향으로 신장하는 원통 형상의 고주파 실드용 도전부(26)가 개개의 접속용 도전부(22)에 대해 동심적으로 위치됨으로써 상기 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치되어 있고, 게다가 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 도전성을 갖는 프레임판(11)에 전기적으로 접속되어 있으므로, 상기 프레임판(11)을 그라운드에 접속함으로써, 각 접속용 도전부(22)에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음 및 인접하는 접속용 도전부(22)로부터의 소음의 양쪽을 억제할 수 있다. 따라서, 본 제6 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 당해 회로 장치에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도16은 본 발명의 제7 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도17은 제7 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제7 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지 구성의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)에는 두께 방향으로 도전성을 갖는 직사각형 탄성 이방 도전막(20)이 고정 지지되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은, 그 기재가 탄성 고분자 물질로 되고, 각각 두께 방향으로 신장하는 원기둥 형상의 접속용 도전부(22)와, 이 접속용 도전부(22)의 주위에 일체로 형성된 절연부(23)가 되는 복수의 기능부(21)를 갖고, 이러한 기능부(21)의 각각은 프레임판(11)의 각 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다.
각 기능부(21)의 주연부에는 프레임판(11)의 양면의 각각에 적중되어 고정 지지된 피지지부(28)가, 당해 기능부(21)의 각각에 일체로 연속하여 형성되어 있다. 이 피지지부(28)에는, 각각 두께 방향으로 신장하여 프레임판(11)에 전기적으로 접속된 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가 형성되어 있다. 이러한 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 원기둥 형상을 갖고, 복수(도시의 예로서는 8개)의 고주파 실드용 도전부(26)가 접속용 도전부(22)의 직경보다 큰 직경의 동심원(도16에 있어서 이점 쇄선으로 나타냄)에 따라서 당해 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 탄성 이방 도전막(20)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에, 그들 이외의 표면으로부터 돌출하는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도17에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 나열되어 배향한 상태로 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 기능부(21)에 있어서의 절연부(23) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26) 이외의 부분은, 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
본 제7 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지의 것을 이용할 수 있다.
또한, 접속용 도전부(22)를 둘러싸는 서로 인접하는 고주파 실드용 도전부(26) 사이의 이간 거리는, 전술의 제2 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지이다.
또한, 제7 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제7 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)에는 기능부(21)에 배치된 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 피지지부(28)에 접속용 도전부(22)와 같은 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가, 개개의 접속용 도전부(22)의 동심원에 따라서 당해 접속용 도전부(22)를 둘러싸도록 배치되어 있고, 게다가 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 도전성을 갖는 프레임판(11)에 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 당해 프레임판(11)을 그라운드에 접속함으로써, 각 접속용 도전부(22)에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 노이즈 및 인접하는 접속용 도전부(22)로부터의 노이즈의 양쪽을 억제할 수 있다. 따라서, 본 제7 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도, 당해 회로 장치에 대해 노이즈의 영향을 받지 않고서 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도18은 본 발명의 제8 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도19는 제8 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제8 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지 구성의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)의 개구(12)에는 두께 방향으로 도전성을 갖는 탄성 이방 도전막(20)이, 당해 프레임판(11)의 개구 돌기부에 지지된 상태로 배치되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은, 그 기재가 탄성 고분자 물질로 되고, 접속해야 할 회로 장치의 전극의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하 는 복수의 접속용 도전부(22)와, 각 접속용 도전부(22)를 서로 절연하는 절연부(23)로부터 이루어지는 기능부(21)를 갖고, 이 기능부(21)는 프레임판(11)의 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다. 이 예에서는, 접속용 도전부(22)의 각각은 원기둥 형상을 갖고, 격자점 위치에 따라서 배열되어 있다.
기능부(21)의 주연부에는 프레임판(11)에 있어서의 개구 돌기부에 적중되어 고정 지지된 피지지부(28)가, 당해 기능부(21)에 일체로 연속하여 형성되어 있다. 구체적으로는, 이 예에 있어서의 피지지부(28)는 2 갈래 형상으로 형성되어 있고, 프레임판(11)에 있어서의 개구 돌기부를 파지하도록 밀착한 상태로 고정 지지되어 있다. 이 피지지부(28)에는 두께 방향으로 신장하여 프레임판(11)에 전기적으로 접속된 고주파 실드용 도전부(26)가 형성되어 있다. 이 예에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)는 직사각형의 통 형상을 갖는 동시에, 그 통 구멍이 프레임판(11)의 개구(12)의 치수보다 큰 치수를 갖고, 당해 통 구멍 내에 기능부(21)에 있어서의 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)(도18에 있어서 일점 쇄선으로 나타냄)이 수납되어 당해 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있다.
또한, 탄성 이방 도전막(20)의 양면에는, 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에, 그들 이외의 표면으로부터 돌출하는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도19에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 나열되도록 배향한 상태로 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 기능부(21)에 있어서의 절연부(23) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26) 이외의 부분은, 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
본 제8 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지의 것을 이용할 수 있다.
또한, 제8 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제8 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)에는 기능부(21)에 배치된 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 피지지부(28)에 접속용 도전부(22)와 같은 방향으로 신장하는 직사각형의 통 형상의 고주파 실드용 도전부(26)가, 그 통 구멍 내에 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)이 수납됨으로써 당해 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있고, 게다가 고주파 실드용 도전부(26)는 도전성을 갖는 프레임판(11)에 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 당해 프레임판(11)을 그라운드에 접속함으로써, 각 접속용 도전부(22)에 있어서, 고주파 신호에 대한 외부로부터의 노이즈를 억제할 수 있다. 따라서, 본 제8 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도, 당해 회로 장치에 대해 노이즈의 영향을 받지 않고서 소기의 전 기적 검사를 행할 수 있다.
도20은 본 발명의 제9 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도21은 제9 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제9 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지 구성의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)의 개구(12)에는 두께 방향으로 도전성을 갖는 탄성 이방 도전막(20)이, 당해 프레임판(11)의 개구 돌기부에 지지된 상태로 배치되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은, 그 기재가 탄성 고분자 물질로 되고, 접속해야 할 회로 장치의 전극의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부(22)와, 각 접속용 도전부(22)를 서로 절연하는 절연부(23)로부터 이루어지는 기능부(21)를 갖고, 기능부(21)는 프레임판(11)의 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다. 본 예에서는, 접속용 도전부(22)의 각각은 원기둥 형상을 갖고 격자점 위치에 따라서 배열되어 있다.
기능부(21)의 주연부에는 프레임판(11)에 있어서의 개구 돌기부에 적중되어 고정 지지된 피지지부(28)가, 당해 기능부(21)에 일체로 연속하여 형성되어 있다. 구체적으로는, 본 예에 있어서의 피지지부(28)는 2 갈래 형상으로 형성되어 있고, 프레임판(11)에 있어서의 개구 돌기부를 파지하도록 밀착한 상태로 고정 지지되어 있다. 이 피지지부(28)에는, 각각 두께 방향으로 신장하여 프레임판(11)에 전기적으로 접속된 복수의 원기둥 형상의 고주파 실드용 도전부(26)가 형성되어 있다. 본 예에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 프레임판(11)의 개구(12)의 치수보다 큰 치수의 직사각형의 변에 따라서, 기능부(21)에 있어서의 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)(도20에 있어서 일점 쇄선으로 나타냄)을 둘러싸도록 배치되어 있다.
또한, 탄성 이방 도전막(20)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에, 그들 이외의 표면으로부터 돌출하는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도21에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 나열되도록 배향한 상태로 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 기능부(21)에 있어서의 절연부(23) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26) 이외의 부분은, 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
본 제9 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지의 것을 이용할 수 있다.
또한, 도전부군(25)을 둘러싸는 서로 인접하는 고주파 실드용 도전부(26)의 사이의 이간 거리는, 전술의 제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지이다.
또한, 제9 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제9 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)에는 기능부(21)에 배치된 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 피지지부(28)에 접속용 도전부(22)와 같은 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가, 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있고, 게다가 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 도전성을 갖는 프레임판(11)에 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 당해 프레임판(11)을 그라운드에 접속함으로써, 각 접속용 도전부(22)에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 노이즈를 억제할 수 있다. 따라서, 본 제9 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도, 당해 회로 장치에 대해 노이즈의 영향을 받지 않고서 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도22는 본 발명의 제10 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도23은 제10의 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제10 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지 구성의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)에는 두께 방향으로 도전성을 갖는 직사각형 탄성 이방 도전막(20)이 고정 지지되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은, 그 기재가 탄성 고분자 물질로 되고, 각각 두께 방 향으로 신장하는 원기둥 형상의 접속용 도전부(22)와, 이 접속용 도전부(22)의 주위에 일체로 형성된 절연부(23)로부터 이루어지는 복수의 기능부(21)를 갖고, 이러한 기능부(21)의 각각은 프레임판(11)의 각 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다.
각 기능부(21)의 주연부에는, 프레임판(11)의 양면의 각각에 적중되어 고정 지지된 피지지부(28)가, 당해 기능부(21)의 각각에 일체로 연속하여 형성되어 있다. 이 피지지부(28)에는 두께 방향으로 신장하여 프레임판(11)에 전기적으로 접속된 고주파 실드용 도전부(26)가 형성되어 있다. 본 예의 고주파 실드용 도전부(26)는 직사각형의 통 형상을 갖는 동시에, 그 통 구멍이 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)(도22에 있어서 일점 쇄선으로 나타냄)의 치수보다 큰 치수를 갖고, 당해 통 구멍 내에 도전부군(25)이 수납되어 당해 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 또한, 탄성 이방 도전막(20)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에, 그들 이외의 표면으로부터 돌출하는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도23에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 나열되도록 배향한 상태로 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 기능부(21)에 있어서의 절연부(23) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26) 이외의 부분은 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
본 제10 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지의 것을 이용할 수 있다.
또한, 제10 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제10 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)에는 기능부(21)에 배치된 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 피지지부(28)에 접속용 도전부(22)와 같은 방향으로 신장하는 직사각형의 통 형상의 고주파 실드용 도전부(26)가, 그 통 구멍 내에 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)이 수납됨으로써 당해 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있고, 게다가 고주파 실드용 도전부(26)는 도전성을 갖는 프레임판(11)에 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 당해 프레임판(11)을 그라운드에 접속함으로써, 각 접속용 도전부(22)에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 노이즈를 억제할 수 있다. 따라서, 본 제10 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도, 당해 회로 장치에 대해 노이즈의 영향을 받지 않고서 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도24는, 본 발명의 제11 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도, 도25는 제11 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
제11 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지 구성의 프레임판(11)을 갖고, 이 프레임판(11)에는 두께 방향으로 도전성을 갖는 직사각형 탄성 이방 도전막(20)이 고정 지지되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)은, 그 기재가 탄성 고분자 물질로 되고, 각각 두께 방향으로 신장하는 원기둥 형상의 접속용 도전부(22)와, 이 접속용 도전부(22)의 주위에 일체로 형성된 절연부(23)로부터 이루어지는 복수의 기능부(21)를 갖고, 이러한 기능부(21)의 각각은 프레임판(11)의 각 개구(12) 내에 위치하도록 배치되어 있다.
각 기능부(21)의 주연부에는 프레임판(11)의 양면의 각각에 적중되어 고정 지지된 피지지부(28)가, 당해 기능부(21)의 각각에 일체로 연속하여 형성되어 있다. 이 피지지부(28)에는, 각각 두께 방향으로 신장하여 프레임판(11)에 전기적으로 접속된 복수의 원기둥 형상의 고주파 실드용 도전부(26)가 형성되어 있다. 본 예에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)(도24에 있어서 일점 쇄선으로 나타냄)의 치수보다 큰 치수의 직사각형의 변에 따라서, 기능부(21)에 있어서의 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있다.
또한, 탄성 이방 도전막(20)의 양면에는 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 위치하는 부위에, 그들 이외의 표면으로부터 돌출하는 돌출부(22a, 26a)가 형성되어 있다.
탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에 있어서의 접속용 도전부(22) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)에는, 도25에 도시한 바와 같이 자성을 나타내는 도전성 입자(P)가 두께 방향으로 나열되도록 배향한 상태로 밀하게 함유되어 있다. 이에 대해, 기능부(21)에 있어서의 절연부(23) 및 피지지부(28)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26) 이외의 부분은, 도전성 입자(P)가 전혀 혹은 거의 함유되어 있지 않은 것이다.
본 제11 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서, 탄성 이방 도전막을 구성하는 탄성 고분자 물질의 재질 및 접속용 도전부(22) 및 고주파 실드용 도전부(26)에 있어서의 도전성 입자(P)의 재질로서는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지의 것을 이용할 수 있다.
또한, 도전부군(25)을 둘러싸는 서로 인접하는 고주파 실드용 도전부(26)의 사이의 이간 거리는, 전술의 제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)와 마찬가지이다.
또한, 제11 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)는, 전술의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)의 제조 방법에 준하여 제조할 수 있다.
제11 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)에 따르면, 탄성 이방 도전막(20)에는 기능부(21)에 배치된 접속 대상 전극에 전기적으로 접속되는 접속용 도전부(22) 외에, 피지지부(28)에 접속용 도전부(22)와 같은 방향으로 신장하는 복수의 고주파 실드용 도전부(26)가, 모든 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군(25)을 둘러싸도록 배치되어 있고, 게다가 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 도전성을 갖는 프 레임판(11)에 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 당해 프레임판(11)을 그라운드에 접속함으로써, 각 접속용 도전부(22)에 있어서 고주파 신호에 대한 외부로부터의 노이즈를 억제할 수 있다. 따라서, 본 제11 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 회로 장치의 전기적 검사에 이용하는 경우에 있어서, 검사 대상인 회로 장치의 클럭 주파수가 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도, 당해 회로 장치에 대해 노이즈의 영향을 받지 않고서 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
이상, 본 발명의 이방 도전성 커넥터는 상기의 제1 예 내지 제11의 예로 한정되지 않고, 여러 가지의 변경을 가하는 것이 가능하다.
예를 들어, 도26에 도시한 바와 같이 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 기능부(21)에는, 개개의 접속용 도전부(22)를 둘러싸는 고주파 실드용 도전부(26) 외에, 또한 복수의 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군을 둘러싸는 고주파 실드용 도전부(26b)가 형성되어 있어도 좋고, 도27에 도시한 바와 같이 기능부(21)에 형성된 고주파 실드용 도전부(26, 26b) 외에, 또한 피지지부(28)에 복수의 접속용 도전부(22)를 포함하는 도전부군을 둘러싸는 고주파 실드용 도전부(26c)가 형성되어 있어도 좋다.
또한, 도28에 도시한 바와 같이 기능부(21)에, 각각 복수의 접속용 도전부(22)를 포함하는 서로 이간하여 형성된 복수의 도전부군(25)(도면에 있어서 일점 쇄선으로 나타냄)이 형성되어 있는 경우에는, 고주파 실드용 도전부(26)가 모든 도전부군(25)을 둘러싸도록 형성되어 있어도 좋고, 또한 도29에 도시한 바와 같이 고주파 실드용 도전부(26)가 개개의 도전부군(25)을 둘러싸도록 형성되어 있어도 좋 다.
또한, 본 발명의 이방 도전성 커넥터의 용도는 회로 장치의 전기적 검사로 한정되는 것은 아니며, 전자 부품을 프린트 배선판에 실제 장착하기 위해 이용되는 커넥터로서도 유용하다.
[회로 장치의 전기적 검사 장치]
도30은, 본 발명에 따른 회로 장치의 전기적 검사 장치의 제1 예에 있어서의 구성을 도시하는 설명도이다. 이 회로 장치의 전기적 검사 장치는, 직사각형의 검사용 회로 기판(40)과, 이 검사용 회로 기판(40)의 표면 상에 배치된 전술의 제1 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 갖는다.
검사용 회로 기판(40)의 표면에는, 검사 대상인 회로 장치(1)의 피검사 전극(2)의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 복수의 원형 검사용 전극(41)이 배치되고, 또한 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 복수의 링 형상의 접지용 전극(42)이 배치되어 있다. 구체적으로는, 접지용 전극(42)의 각각은 하나의 검사용 전극(41)에 대해 동심적으로 위치됨으로써 당해 검사용 전극(41)을 둘러싸도록 배치되어 있다. 검사용 전극(41)은 테스터(도시 생략)에 전기적으로 접속되고, 한편 접지용 전극(42)은 그라운드에 접속되어 있다. 또한, 검사용 회로 기판(40)의 표면의 네 구석의 각각의 위치에는, 당해 검사용 회로 기판(40)의 표면으로부터 상방으로 신장하는 가이드 핀(43)이 마련되어 있다.
그리고, 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서의 프레임판(11)의 위치 결정 구 멍(13)에 검사용 회로 기판(40)의 가이드 핀(43)이 삽입됨으로써, 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 접속용 도전부(22)가 검사용 전극(41) 상에 위치되고, 고주파 실드용 도전부(26)가 접지용 전극(42) 상에 위치된 상태에서, 당해 이방 도전성 커넥터(10)가 검사용 회로 기판(40)의 표면 상에 배치 고정되어 있다.
이러한 회로 장치의 전기적 검사 장치에 있어서는, 이방 도전성 커넥터(10)상에 피검사 전극(2)이 접속용 도전부(22) 상에 위치되도록 회로 장치(1)가 배치되고, 이 상태에서, 예를 들어 회로 장치(1)를 하방으로 압박함으로써, 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서의 접속용 도전부(22)의 각각이, 피검사 전극(2)과 검사용 전극(41)에 의해 협압된 상태가 되고, 이에 의해 접속용 도전부(22)에 그 두께 방향으로 도전로가 형성되는 결과, 회로 장치(1)의 피검사 전극(2)의 각각과 검사용 회로 기판(40)의 검사용 전극(41)의 각각과의 전기적 접속이 달성되고, 이 상태에서 회로 장치(1)에 대한 소요의 전기적 검사가 행해진다.
여기서, 검사 대상인 회로 장치(1)로서는, 패키지(IC, MCM) 등의 반도체 집적 회로 장치, 집적 회로가 형성된 웨이퍼, 상기 반도체 집적 회로 장치를 구성하기 위한 프린트 회로 기판, 상기 반도체 집적 회로 장치를 탑재하기 위한 프린트 회로 기판 등을 들 수 있다.
이와 같은 회로 장치의 전기적 검사 장치에 따르면, 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)가 설치되어 있고, 당해 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 검사용 회로 기판(40)에 있어서의 접지용 전극(42)을 거쳐서 그라운드에 접속되어 있으므로, 이방 도전성 커넥터(10)의 각 접속용 도 전부(22)에 있어서, 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음 및 인접하는 접속용 도전부(22)로부터의 소음의 양쪽을 억제할 수 있다. 따라서, 검사 대상인 회로 장치(1)의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 당해 회로 장치(1)에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
도31은 본 발명에 관한 회로 장치의 전기적 검사 장치의 제2 예에 있어서의 구성을 도시하는 설명도이다. 이 회로 장치의 전기적 검사 장치는 직사각형의 검사용 회로 기판(40)과, 이 검사용 회로 기판(40)의 표면 상에 배치된 전술한 제6 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 갖는다.
검사용 회로 기판(40)의 표면에는 검사 대상인 회로 장치(1)의 피검사 전극(2)의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 복수의 원형의 검사용 전극(41)이 형성되어 있고, 이들 검사용 전극(41)은 테스터(도시 생략)에 전기적으로 접속되어 있다. 검사용 회로 기판(40)의 표면의 4구석 각각의 위치에는 당해 검사용 회로 기판(40)의 표면으로부터 상방으로 신장하는 가이드 핀(43)이 설치되어 있고, 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서의 프레임판(11)의 위치 결정 구멍(13)에 검사용 회로 기판(40)의 가이드 핀(43)이 삽입됨으로써, 탄성 이방 도전막(20)에 있어서의 접속용 도전부(22)가 검사용 전극(41) 상에 위치된 상태에서 당해 이방 도전성 커넥터(10)가 검사용 회로 기판(40)의 표면 상에 배치되어 고정되어 있다.
또한, 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서의 프레임판(11)은, 그라운드에 접속되어 있다.
이와 같은 회로 장치의 전기적 검사 장치에 있어서는 이방 도전성 커넥 터(10) 상에 피검사 전극(2)이 접속용 도전부(22) 상에 위치되도록 회로 장치(1)가 배치되고, 이 상태에서, 예를 들어 회로 장치(1)를 하방으로 압박함으로써 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서의 접속용 도전부(22)의 각각이 피검사 전극(2)과 검사용 전극(41)에 의해 협압된 상태가 되고, 이에 의해 접속용 도전부(22)에 그 두께 방향에 도전로가 형성되는 결과, 회로 장치(1)의 피검사 전극(2)의 각각과 검사용 회로 기판(40)의 검사용 전극(41)의 각각과의 전기적 접속이 달성되고, 이 상태에서 회로 장치(1)에 대한 소요의 전기적 검사가 행해진다. 여기서, 검사 대상인 회로 장치(1)는 도30에 도시하는 회로 장치의 전기적 검사 장치와 마찬가지이다.
이와 같은 회로 장치의 전기적 검사 장치에 따르면, 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10)가 설치되어 있고, 당해 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서의 고주파 실드용 도전부(26)의 각각이 프레임판(11)을 거쳐서 그라운드에 접속되어 있으므로, 이방 도전성 커넥터(10)의 각 접속용 도전부(22)에 있어서, 고주파 신호에 대한 외부로부터의 소음 및 인접하는 접속용 도전부(22)로부터의 소음의 양쪽을 억제할 수 있다. 따라서, 검사 대상인 회로 장치(1)의 클럭 주파수가, 예를 들어 1 ㎓ 이상인 것이라도 당해 회로 장치(1)에 대해 소음의 영향을 받지 않고 소기의 전기적 검사를 행할 수 있다.
본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치에 있어서는 상기한 예로 한정되지 않고 다양한 변경을 가하는 것이 가능하다.
예를 들어, 도30에 도시하는 회로 장치의 전기적 검사 장치에 있어서, 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10) 대신에, 제2 예 내지 제5 예에 관한 이방 도전 성 커넥터 및 도26 내지 도29에 도시하는 이방 도전성 커넥터 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 이 경우에는, 검사용 회로 기판(40)에 있어서의 접지용 전극(42)은 이용되는 이방 도전성 커넥터에 있어서의 탄성 이방 도전막의 기능부에 형성된 고주파 실드용 도전부의 패턴에 대응하는 패턴에 따라서 배치하면 된다. 또한, 도27에 도시하는 이방 도전성 커넥터를 이용하는 경우에는 프레임판(11)을 그라운드에 접속하는 것이 바람직하다.
또한, 도31에 도시하는 회로 장치의 전기적 검사에 있어서, 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10) 대신에, 제7 예 내지 제11 예에 관한 이방 도전성 커넥터 중 어느 하나를 이용할 수 있다.
또한, 도30에 도시하는 회로 장치의 전기적 검사 장치에 있어서, 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터(10) 대신에, 제6 예의 이방 도전성 커넥터(10)를 이용할 수 있다. 이와 같은 구성에 있어서는, 도32에 도시한 바와 같이 검사용 회로 기판(40)에 있어서의 접지용 전극(42)만이 그라운드에 접속되어 있어도 좋지만, 도33에 도시한 바와 같이, 접지용 전극(42) 및 프레임판(11)의 양쪽이 그라운드에 전기적으로 접속되어 있는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예에 대해 설명하지만, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
(제1 실시예)
도14 및 도15에 도시하는 구성에 수반하여 하기의 조건에 의해, 본 발명에 관한 이방 도전성 커넥터(10)를 제조하였다.
[프레임판(11)]
이하의 사양의 프레임판을 제작하였다.
재질 : 스테인레스강(JIS 규격 기호 : SUS304), 치수 : 10 ㎜ × 10 ㎜ × 0.1 ㎜, 개구(12)의 직경 : 500 ㎛, 개구(12)의 수 : 16개(4개 × 4개), 개구(12)의 배치 피치 : 1 ㎜
[탄성 이방 도전막 성형용 금형]
도3에 도시하는 구성에 수반하여 하기의 사양의 상부형(30) 및 하부형(35)으로 이루어지는 탄성 이방 도전막 성형용 금형을 제작하였다.
강자성체 기판(31, 36) : 재질 ; 철강 재료(JIS 규격 기호: SS400), 두께 ; 6 ㎜,
강자성체층(32, 37) : 재질 ; 니켈, 직경 ; 300 ㎛, 두께 ; 50 ㎛, 수 ; 16개(4개 × 4개), 배치 피치 ; 1 ㎜,
강자성체층(33, 38) : 재질 ; 니켈, 내경 ; 600 ㎛, 외경 ; 800 ㎛, 두께 ; 50 ㎛, 수 ; 16개(4개 × 4개), 배치 피치 ; 1 ㎜,
비자성체층(34, 39) : 재질 ; 드라이 필름 레지스트의 경화물, 두께 ; 100 ㎛
[스페이서(15, 16)]
각각 재질이 스테인레스강(JIS 규격 기호 : SUS304)이고, 두께가 100 ㎛이고, 7.5 ㎜ × 7.5 ㎜의 개구를 갖는 2매의 스페이서(15, 16)를 제작하였다.
[탄성 이방 도전막의 형성]
부가형 액상 실리콘 고무 100 중량부에 평균 입자 직경이 30 ㎛인 도전성 입자 80 중량부를 첨가하여 혼합하고, 그 후, 감압에 의한 탈포 처리를 실시함으로써, 탄성 이방 도전막 성형용 성형 재료를 조제하였다. 이상에 있어서, 도전성 입자로서는, 니켈로 이루어지는 코어 입자에 금도금이 실시되어 이루어지는 것(평균 피복량 : 코어 입자의 중량의 8 ％)을 이용하였다.
계속해서, 상기한 금형에 있어서의 상부형(30) 및 하부형(35)의 각각의 성형면에 조제한 성형 재료를 스크린 인쇄에 의해 도포하여 하부형(35)의 성형면에 형성된 성형 재료의 도포층 상에 스페이서(16)를 거쳐서 프레임판(11)을 위치 맞춤하여 배치하고, 또한 이 프레임판(11) 상에 스페이서(15)를 거쳐서 성형 재료의 도포층이 형성된 상부형(30)을 위치 맞춤하여 배치함으로써 상부형(30) 및 하부형(35) 사이의 성형 공간 내에 성형 재료층을 형성하였다.
그리고, 상부형(30)의 강자성체 기판(31)의 상면 및 하부형(35)의 강자성체 기판(36)의 하면에 전자석을 배치하여 이를 작동시킴으로써 성형 재료층에 대해 상부형(30)의 강자성체층(32, 33)과 하부형(35)의 강자성체층(37, 38) 사이에 위치하는 부분에, 그 두께 방향에 1.3 T의 자장을 작용시키고, 이 상태에서 100 ℃, 1시간의 조건으로 성형 재료층의 경화 처리를 행함으로써 프레임판(11)에 탄성 이방 도전막(20)을 형성하여 본 발명에 관한 이방 도전성 커넥터(10)를 제조하였다.
이렇게 하여 얻게 된 이방 도전성 커넥터(10)에 있어서의 탄성 이방 도전막(20)에는 16개(4개 × 4개)의 접속용 도전부(22)가 형성되고, 인접하는 접속용 도전부(22) 사이의 중심간 거리(피치)는 1 ㎜이다. 접속용 도전부(22)의 각각은 직경이 300 ㎛, 두께가 400 ㎛, 절연부의 양면으로부터의 돌출 높이가 각각 50 ㎛이다. 고주파 실드용 도전부(26)의 각각은 내경이 600 ㎛, 외경이 800 ㎛, 두께가 400 ㎛, 절연부(23)의 양면으로부터의 돌출 높이가 각각 50 ㎛이다. 절연부(23)의 두께는 300 ㎛이다.
또한, 접속용 도전부(22) 중의 도전성 입자의 비율은 체적분률 25 ％이고, 고주파 실드용 도전부(26) 중의 도전성 입자의 비율은 체적분률 25 ％였다.
[검사용 회로 기판]
도32에 도시하는 구성에 수반하여 하기의 사양의 검사용 회로 기판(40)을 제작하였다.
검사용 전극(41)은 직경이 300 ㎛, 수가 16개(4개 × 4개), 배치 피치가 1 ㎜이고, 접지용 전극(42)은 내경이 600 ㎛, 외경이 800 ㎛, 수가 16개(4개 × 4개), 배치 피치가 1 ㎜이다. 또한, 이 검사용 회로 기판(40)은 검사용 전극에 전기적으로 접속된 외부 인출 단자(도시하지 않음)를 갖고, 검사용 전극(41)과 외부 인출 단자 사이에 형성된 각 회로 및 당해 외부 인출 단자에 접속된 측정용 프로브 케이블의 임피던스(Z)가 50 Ω으로 설계되어 있다.
[이방 도전성 커넥터의 평가]
상기한 이방 도전성 커넥터에 대해 상기한 검사용 회로 기판을 이용하여 이하와 같이 하여 평가를 행하였다.
펄스 제너레이터를 검사용 회로 기판의 인출 단자에 측정용 프로브 케이블을 거쳐서 전기적으로 접속하는 동시에, 오실로스코프의 측정용 단자를 검사용 회로 기판의 검사용 전극에 압접하였다. 이 상태에서 펄스 제너레이터에 의해 검사용 회로 기판의 외부 인출 단자에 설정 전압이 2 V이고 하기 표1에 나타내는 주파수의 전기 신호를 공급하여 검사용 회로 기판의 검사용 전극으로부터 출력된 전기 신호를 오실로스코프에 의해 검지하였다. 계속해서, 검지된 전기 신호의 파형에 있어서, 전압이 설정 전압의 10 ％가 되는 값(0.2 V)으로부터 설정 전압의 90 ％가 되는 값(1.8 V)에 도달하기까지의 시간을 측정하였다. 이 시간을「T0」라 한다.
또한, 검사용 회로 기판 상에 이방 도전성 커넥터를 위치 맞춤하여 배치하여 펄스 제너레이터를 검사용 회로 기판의 인출 단자에 측정용 프로브 케이블을 거쳐서 전기적으로 접속하는 동시에, 오실로스코프의 측정용 단자를 이방 도전성 커넥터 의 접속용 도전부에 그 왜곡률이 20 ％가 되도록 압접하였다. 이 상태에서 펄스 제너레이터에 의해 검사용 회로 기판의 외부 인출 단자에 설정 전압이 2 V이고 하기 표1에 나타내는 주파수의 전기 신호를 공급하여 이방 도전성 커넥터의 접속용 도전부로부터 출력된 전기 신호를 오실로스코프에 의해 검지하였다. 계속해서, 검지된 전기 신호의 파형에 있어서, 전압이 설정 전압의 10 ％가 되는 값(0.2 V)으로부터 설정 전압의 90 ％가 되는 값(1.8 V)에 도달하기까지의 시간을 측정하였다. 이 시간을「T1」이라 한다.
그리고, (T1 － T0)/T0의 값을 산출하여, 이 값이 0.05 미만인 경우를 A, 이 값이 0.05 내지 0.2인 경우를 B, 이 값이 0.2를 넘는 경우를 C로 하여 평가하였다.
여기서, (T1 － T0)/T0의 값이 0.2를 넘는 경우에는 전송 손실이 크기 때문에, 고주파 특성의 시험을 행하는 것은 실제상 곤란하다.
또한, 이 (T1 － T0)/T0의 값의 측정은 하기의 조건 1 내지 조건 3의 각각에 대해 행하였다.
조건 1 : 이방 도전성 커넥터의 프레임판을 그라운드에 접속하고, 검사용 회로 기판의 접지용 전극을 그라운드에 접속하지 않는다.
조건 2 : 이방 도전성 커넥터의 프레임판을 그라운드에 접속하지 않고, 검사용 회로 기판의 접지용 전극을 그라운드에 접속한다.
조건 3 : 이방 도전성 커넥터의 프레임판 및 검사용 회로 기판의 접지용 전극의 양쪽을 그라운드에 접속한다.
이상, 결과를 하기 표1에 나타낸다.
<제1 비교예>
도34 및 도35에 도시하는 구성에 수반하여 하기의 조건에 의해 비교용 이방 도전성 커넥터(50)를 제조하였다.
[프레임판(51)]
이하의 사양의 프레임판(51)을 제작하였다.
재질 : 스테인레스강(JIS 규격 기호 : SUS304), 치수 : 10 ㎜ × 10 ㎜ × 0.1 ㎜, 개구(52)의 치수 : 5.5 ㎜ × 5.5 ㎜
[탄성 이방 도전막 성형용 금형]
도36에 도시하는 구성에 수반하여 하기의 사양의 상부형(60) 및 하부형(65)으로 이루어지는 탄성 이방 도전막 성형용 금형을 제작하였다.
강자성체 기판(61, 66) : 재질 ; 철강 재료(JIS 규격 기호: SS400), 두께 6 ㎜,
강자성체층(62, 67) : 재질 ; 니켈, 직경 ; 300 ㎛, 두께 ; 50 ㎛, 수 ; 16개(4개 × 4개), 배치 피치 ; 1 ㎜,
비자성체층(63, 68) : 재질 ; 드라이 필름 레지스트의 경화물, 두께 ; 100 ㎛
[스페이서(70, 71)]
각각 재질이 스테인레스강(JIS 규격 기호 : SUS304)이고, 두께가 100 ㎛이고, 7.5 ㎜ × 7.5 ㎜인 개구를 갖는 2매의 스페이서(70, 71)를 제작하였다.
[탄성 이방 도전막의 형성]
부가형 액상 실리콘 고무 100 중량부에 평균 입자 직경이 30 ㎛인 도전성 입자 53 중량부를 첨가하여 혼합하고, 그 후, 감압에 의한 탈포 처리를 실시함으로써 탄성 이방 도전막 성형용 성형 재료를 조제하였다. 이상에 있어서, 도전성 입자로서는 니켈로 이루어지는 코어 입자에 금도금이 실시되어 이루어지는 것(평균 피복량 : 코어 입자의 중량의 10 ％)을 이용하였다.
계속해서, 상기한 금형에 있어서의 상부형(60) 및 하부형(65)의 각각의 성형면에 조제한 성형 재료를 스크린 인쇄에 의해 도포하고, 하부형(65)의 성형면에 형성된 성형 재료의 도포층 상에 스페이서(71)를 거쳐서 프레임판(51)을 위치 맞춤하 여 배치하고, 또한 이 프레임판(51) 상에 스페이서(70)를 거쳐서 성형 재료의 도포층이 형성된 상부형(60)을 위치 맞춤하여 배치함으로써 상부형(60) 및 하부형(65) 사이의 성형 공간 내에 성형 재료층을 형성하였다.
그리고, 상부형(60)의 강자성체 기판(61)의 상면 및 하부형(65)의 강자성체 기판(66)의 하면에 전자석을 배치하여 이를 작동시킴으로써 성형 재료층에 대해 상부형(60)의 강자성체층(62)과 하부형(65)의 강자성체층(67) 사이에 위치하는 부분에 그 두께 방향으로 1.3 T의 자장을 작용시키고, 이 상태에서 100 ℃, 1시간의 조건으로 성형 재료층의 경화 처리를 행함으로써 프레임판(51)에 탄성 이방 도전막을 형성하여 비교용 이방 도전성 커넥터(50)를 제조하였다.
이렇게 하여 얻게 된 이방 도전성 커넥터(50)에 있어서의 탄성 이방 도전막(55)의 기능부(56)에는 16개(4개 × 4개)의 접속용 도전부(57)가 형성되고, 인접하는 접속용 도전부(57) 사이의 중심간 거리(피치)는 1 ㎜이다. 접속용 도전부(57)의 각각은 직경이 300 ㎛, 두께가 400 ㎛, 절연부(58)의 양면으로부터의 돌출 높이가 각각 50 ㎛이다. 절연부(58)의 두께는 300 ㎛이다.
또한, 접속용 도전부(57) 중의 도전성 입자의 비율은 체적분률 25 ％였다.
[이방 도전성 커넥터의 평가]
상기한 이방 도전성 커넥터에 대해 제1 실시예에서 제작한 검사용 회로 기판을 이용하여 이방 도전성 커넥터의 프레임판 및 검사용 회로 기판의 접지용 전극의 양쪽을 그라운드로 하지 않는 조건으로 변경한 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하여 평가를 행하였다. 결과를 하기 표1에 나타낸다.
〔표 1〕
시험 주파수(㎓) 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20
제1 실시예 조건 1 A A A A A B C C
조건 2 A A A A A A A B
조건 3 A A A A A A A A
제1 비교예 A A A B C C C C
도1은 본 발명의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도2는 본 발명의 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도3은 제1 예에 관한 이방 도전성 커넥터에 있어서의 탄성 이방 도전막을 성형하기 위해 이용되는 금형의 주요부를 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도4는 도3에 도시하는 금형 내에 프레임판이 배치되는 동시에, 탄성 이방 도전막용 성형 재료층이 형성된 상태를 도시하는 설명용 단면도이다.
도5는 성형 재료층의 두께 방향에 강도 분포를 갖는 자장(磁場)이 작용한 상태를 도시하는 설명용 단면도이다.
도6은 본 발명의 제2 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도7은 본 발명의 제2 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도8은 본 발명의 제3 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도9는 본 발명의 제3 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도10은 본 발명의 제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도11은 본 발명의 제4 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도12는 본 발명의 제5 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도13은 본 발명의 제5 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도14는 본 발명의 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도15는 본 발명의 제6 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도16은 본 발명의 제7 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도17은 본 발명의 제7 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도18은 본 발명의 제8 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도19는 본 발명의 제8 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도20은 본 발명의 제9 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도21은 본 발명의 제9 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도22는 본 발명의 제10 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도23은 본 발명의 제10 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도24는 본 발명의 제11 예에 관한 이방 도전성 커넥터를 도시하는 평면도이다.
도25는 본 발명의 제11 예에 관한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도26은 본 발명의 이방 도전성 커넥터의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도27은 본 발명의 이방 도전성 커넥터의 다른 변형예를 나타내는 평면도이다.
도28은 본 발명의 이방 도전성 커넥터의 또 다른 변형예를 나타내는 평면도이다.
도29는 본 발명의 이방 도전성 커넥터의 또 다른 변형예를 나타내는 평면도이다.
도30은 본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치의 제1 예에 있어서의 구성을 도시하는 설명도이다.
도31은 본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치의 제2 예에 있어서의 구성을 도시하는 설명도이다.
도32는 본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치의 변형예에 있어서의 구성 을 도시하는 설명도이다.
도33은 본 발명의 회로 장치의 전기적 검사 장치의 다른 변형예에 있어서의 구성을 도시하는 설명도이다.
도34는 제1 비교예에서 제조한 이방 도전성 커넥터의 구성을 도시하는 평면도이다.
도35는 제1 비교예에서 제조한 이방 도전성 커넥터의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
도36은 제1 비교예에서 사용한 탄성 이방 도전막 성형용 금형의 주요부의 구성을 확대하여 도시하는 설명용 단면도이다.
[부호의 설명]
1 : 회로 장치
2 : 피검사 전극
10 : 이방 도전성 커넥터
11 : 프레임판
12 : 개구
13 : 위치 결정 구멍
15, 16 : 스페이서
20 : 탄성 이방 도전막
20A : 성형 재료층
21 : 기능부
22 : 접속용 도전부
22a : 돌출부
23 : 절연부
24 : 비접속용 도전부
25 : 도전부군
26, 26b, 26c : 고주파 실드용 도전부
26a : 돌출부
28 : 피지지부
30 : 상부형
31 : 강자성체 기판
32, 33 : 강자성체층
32a, 33a : 오목부
34 : 비자성체층
35 : 하부형
36 : 강자성체 기판
37, 38 : 강자성체층
37a, 38a : 오목부
39 : 비자성체층
40 : 검사용 회로 기판
41 : 검사용 전극
42 : 접지용 전극
43 : 가이드 핀
50 : 이방 도전성 커넥터
51 : 프레임판
52 : 개구
55 : 탄성 이방 도전막
56 : 기능부
57 : 접속용 도전부
58 : 절연부
60 : 상부형
61, 66 : 강자성체 기판
62, 67 : 강자성체층
63, 68 : 비자성체층
65 : 하부형
70, 71 : 스페이서
P : 도전성 입자

Claims (8)

  1. 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 복수의 개구가 형성된 도전성을 갖는 프레임판과,
    이 프레임판의 각 개구에 배치된 두께 방향으로 신장하는 접속용 도전부 및 그 주위에 일체로 형성된 절연부로 이루어지는 복수의 기능부 및 이들 기능부의 주위에 일체로 형성되고, 상기 프레임판에 적중되어 고정된 피지지부로 이루어지는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서,
    상기 탄성 이방 도전막에 있어서의 피지지부에는 개개의 접속용 도전부를 둘러싸도록 배치되고, 상기 프레임판에 전기적으로 접속된 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있고,
    상기 프레임판은 그라운드에 접속되는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 커넥터.
  2. 두께 방향으로 관통하는 개구가 형성된 도전성을 갖는 프레임판과,
    이 프레임판의 개구에 배치된 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 배치된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부 및 이들 접속용 도전부를 서로 절연하는 절연부를 갖는 기능부 및 이 기능부의 주위에 일체로 형성되고, 상기 프레임판에 적중되어 고정된 피지지부로 이루어지는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서,
    상기 탄성 이방 도전막에 있어서의 피지지부에는 복수의 접속용 도전부를 포함하는 도전부군을 둘러싸도록 배치되어 상기 프레임판에 전기적으로 접속된 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있고,
    상기 프레임판은 그라운드에 접속되는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 커넥터.
  3. 접속해야 할 전극에 대응하는 패턴에 따라서 복수의 개구가 형성된 도전성을 갖는 프레임판과,
    이 프레임판의 각 개구에 배치된 두께 방향으로 신장하는 접속용 도전부 및 그 주위에 일체로 형성된 절연부로 이루어지는 복수의 기능부 및 이들 기능부의 주위에 일체로 형성되고, 상기 프레임판에 적중되어 고정된 피지지부로 이루어지는 탄성 이방 도전막을 구비하여 이루어지는 이방 도전성 커넥터에 있어서,
    상기 탄성 이방 도전막에 있어서의 피지지부에는 복수의 접속용 도전부를 포함하는 도전부군을 둘러싸도록 배치되고, 상기 프레임판에 전기적으로 접속된 두께 방향으로 신장하는 고주파 실드용 도전부가 형성되어 있고,
    상기 프레임판은 그라운드에 접속되는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 커넥터.
  4. 제1항에 있어서, 동일한 접속용 도전부를 둘러싸는 복수의 고주파 실드용 도전부를 갖는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 커넥터.
  5. 제4항에 있어서, 동일한 접속용 도전부를 둘러싸는 서로 인접하는 고주파용 실드 도전부 사이의 이격 거리가 측정 신호의 파장의 1/10 이하인 것을 특징으로 하는 이방 도전성 커넥터.
  6. 제2항에 있어서, 탄성 이방 도전막에는 접속용 도전부 외에 하나 이상의 비접속용 도전부가 형성되어 있고, 고주파 실드용 도전부는 복수의 접속용 도전부 및 하나 이상의 비접속용 도전부를 포함하는 도전부군을 둘러싸도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 커넥터.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 이방 도전성 커넥터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로 장치의 전기적 검사 장치.
  8. 검사 대상인 회로 장치의 피검사 전극에 대응하는 패턴에 따라서 검사용 전극이 형성된 검사용 회로 기판과, 이 검사용 회로 기판 상에 배치된 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 이방 도전성 커넥터를 구비하여 이루어지고,
    상기 이방 도전성 커넥터에 있어서의 프레임판은 그라운드에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 회로 장치의 전기적 검사 장치.
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