KR20070089950A - 유기 정류기 - Google Patents

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KR20070089950A KR1020077014135A KR20077014135A KR20070089950A KR 20070089950 A KR20070089950 A KR 20070089950A KR 1020077014135 A KR1020077014135 A KR 1020077014135A KR 20077014135 A KR20077014135 A KR 20077014135A KR 20070089950 A KR20070089950 A KR 20070089950A
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폴리아이씨 게엠베하 운트 코. 카게
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Abstract

본 발명은 플렉서블 다중층 막 본체의 형태의 전자 장치(5), 특히 RFID 트랜스폰더, 및 전술한 전자 장치를 위한 정류기(52)에 관한 것이다. 상기 정류기(52)는 각각 반전도성 유기 재료로 구성된 하나 이상의 전기 기능 층을 포함하는 둘 이상의 유기 다이오드 또는 유기 전계 효과 트랜지스터를 포함한다. 상기 정류기(52)는 또한 두 개의 또는 그 이상의 유기 다이오드 또는 유기 전계 효과 트랜지스터 및 서로 상이한 전류 경로를 통하여 충전될 수 있는 방식으로 연결된 둘 또는 그 이상의 충전 또는 역-전하 커패시터를 포함한다.

Description

유기 정류기{Organic rectifier}
본 발명은 둘 이상의 유기 다이오드 또는 유기 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor)를 포함하는 정류기에 관한 것으로, 상기 정류기는 예를 들면 RFID(Radio Frequency Identification) 트랜스폰더(transponder) 및 플렉서블 다중층 막 본체 형태의 전자 장치에 이용된다.
RFID 트랜스폰더는 전자적으로 읽혀질 수 있는 정보를 가지는 상품, 물품, 또는 보안용 제품에 점점 더 이용되고 있다. 그러므로 상기 트랜스폰더는 예컨대 소비재용 전자 바코드, 수하물을 식별하는 수하물 꼬리표, 또는 여권표지에 결합되어 인증 정보를 저장하는 보안 구성 요소에 이용되고 있다.
RFID 트랜스폰더는 보통 안테나와 실리콘 칩의 두 개의 요소를 포함한다. 기지국에서 전송된 RF 캐리어 신호는 RFID 트랜스폰더의 안테나 공진 회로에 연결된다. 상기 실리콘 칩은 기지국으로 피드백된 신호상에 추가적인 정보 아이템을 변조한다. 이 경우에, 상기 RFID 트랜스폰더는 대개 독립 전원을 공급받지 못한다. 전력은 상기 안테나 공진 회로와 연결된 RF 캐리어 신호를 DC 전압으로 변환하는 정류기에 의해서 상기 실리콘 칩에 공급된다. 따라서 추가적으로 상기 정류기를 상기 실리콘 칩의 전원으로 사용한다.
RFID 트랜스폰더의 생산비용을 줄일 수 있게 하기 위해서 RFID 트랜스폰더 내에 유기 전계 효과 트랜지스터를 주 구성 요소로 하는 유기 집적회로를 사용하는 것이 제안되어 왔다. 따라서 예컨대 WO 99/30432에서는 RFID 트랜스폰더에서 실질적으로 유기재료로 구성된 집적회로의 사용을 제안하는데, 상기 집적회로는 ID 코드 발생기의 기능을 제공한다. 상기 ID 코드 발생기는 상기 안테나 공진 회로와 연결된 두 개의 정류 다이오드에 의해서 공급전압에 연결된다. 상기 정류 다이오드는, 상기 정류 다이오드 출력단에 평활 커패시터가 연결되어 있는데, 두 개의 특별히 상호 연결된 전계 효과 트랜지스터를 포함한다.
전술한 특별히 상호 연결된 전계 효과 트랜지스터의 사용으로 인해 유기 구성 요소로 정류 다이오드를 실현하는 것이 가능함에도 불구하고, 만약 유기 전계 효과 트랜지스터를 정류 다이오드로 사용하기 위해 전술한 방식으로 연결한다면, 유기 전계 효과 트랜지스터가 일반적으로 RF 캐리어 주파수보다 상당히 더 느리게 스위칭하기 때문에 상기 다이오드에서 포착될 수 있는 주파수는 매우 제한된다.
RFID 트랜스폰더에 사용되는 전형적인 주파수 영역은, 예를 들면 125 내지 135 kHz, 13 내지 14 MHz, 6 내지 8 MHz, 20 내지 40 MHz, 860 내지 950 MHz 또는 1.7 내지 2.5 GHz 이다. 그러나 유기 반도체는 일반적으로 실리콘보다 더 낮은 전하 캐리어 이동성을 가지며, 유기 전계 효과 트랜지스터는 전하 캐리어 반전의 원리 보다는 전하 캐리어 누적의 원리를 기반으로 하기 때문에 유기 회로는 모든 실리콘 기반 회로보다 상당히 느리다. 이 결과로 실리콘 트랜지스터와 비교하여 더 낮은 스위칭 속력과 상이한 스위칭 동작(예컨대, AC 전압으로 부적당함)이 따른다. 만약 유기 전계 효과 트랜지스터가 정류기를 구성하기 위해 WO 99/30342에 기술된 대로 연결된다면, 실현된 정류기는 기지국에서 송출된 캐리어 신호의 전송 주파수보다 상당히 더 느리게 (100 KHz 보다 더 낮게) 스위칭하게 된다.
또한 WO 02/21612 에서는 pn으로 도핑된 전도성 층들 중에 적어도 하나 이상의 층에서 종래의 pn 반도체 다이오드가 유기적으로 전도성 있는 재료로 보충되거나 대체된 유기 정류기의 구성이 제안된다. 더욱이 종래의 금속-반도체 다이오드 (Schottky diode, 쇼트키 다이오드)에서 적어도 한 개의 층을 유기층으로 대체할 것이 제안된다. 상기 정류기의 커패시터 영역의 면적을 선택함에 따라 상기 스위칭 정류기의 스위칭 주파수를 설정할 수 있다. 덧붙여 전술한 유기 구성 요소로 구성된 정류기의 출력단에 평활 커패시터를 연결하면 상기 평활 커패시터가 상기 정류기의 출력단에 맥동하는 방식으로 도달하는 DC 전압을 평활하게 하고 상기 평활 커패시터는 부하 저항에 병렬로 연결된다고 기술되었다.
그러나, 전술한 유기 정류기 역시 1 MHz 이상의 주파수에서 그다지 효과적이지 않다. 이것은 현재 이용할 수 있고 전술한 유기 정류기에서 사용될 수 있는 유기 반도체의 낮은 이동성에 기인한다. 유기 반도체에서의 낮은 전하 캐리어 이동성 때문에 정류 효과를 이끄는 공간 전하 구역은 높은 주파수에서 더 이상 충분히 빠르게 구축되지 않는다. 정류기의 효율은 이 결과로 감소하여, 출력단의 부하에 DC 전압을 공급하는 것을 더욱 어렵게 한다.
본 발명은 따라서 유기 정류기를 사용하여 출력단의 부하에 전압 공급을 개선시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적은 정류기의 두 개의 입력 단자 사이의 AC 전압을 DC전압으로 변환하는 정류기에 의해 달성되는데, 상기 정류기는 적어도 두 개의 유기 다이오드 및/또는 유기 전계 효과 트랜지스터를 포함하며, 각각의 유기 다이오드 내지 유기 전계 효과 트랜지스터는 반전도성(半電導性) 유기 재료로 구성된 적어도 하나 이상의 전기 기능 층 및 충전(charging) 또는 역-전하(charge-reversal) 커패시터가 서로 상이한 전류 경로를 통하여 충전될 수 있는 방식으로 둘 이상의 유기 다이오드 또는 유기 전계 효과 트랜지스터와 연결된 둘 이상의 충전 또는 역-전하 커패시터를 포함한다. 상기 목적은 또한 플렉서블 다중층 막 본체 형태의 전자 장치에 의하여 달성되는데, 상기 전자 장치는 전술한 방법으로 구성된 전원 및 정류기를 포함하며 상기 정류기는 전원에 연결된다.
상기 경우에, 본 발명은 정류기의 서로 상이한 전류 경로를 통하여 충전되는 둘 이상의 충전 또는 역-전하 커패시터의 상호연결에 의해 유기 반도체의 낮은 전하 캐리어 이동성을 보상하는 개념에 기초한다.
유기 정류기를 구성하는 유기 구성 요소들과 커패시터를 전술한 바와 같이 상호 연결하면 정류 계수 GRS =
Figure 112007045087218-PCT00001
가 상당히 증가한다. 실험 결과, 예컨대 13.56 Mhz 의 주파수에서 종래의 유기 반파 정류기에 의하면 연결된 AC 전압 진폭
Figure 112007045087218-PCT00002
의 겨우 약 5% 만이 출력에서 DC 전압
Figure 112007045087218-PCT00003
으로 변환되는데, 그것은 GRV =
Figure 112007045087218-PCT00004
= 0.05 의 정류 계수에 해당하여, DC 전압이 출력단의 부하에 공급되기가 매우 어렵게 된다. 따라서, 결합된 고주파 신호를 유기 구성 요소에 의해 정류하는 것은 현재 많은 전문가들에 의해서도 불가능한 것으로 간주된다. RFID 트랜스폰더에서 유기 정류기의 사용이 거부되는데, 이것은 현재 알려진 유기 반도체의 낮은 전하 캐리어 이동성 때문이다. 이에 본 발명은 개선책을 제시하고 충전 또는 역-전하 커패시터와 전술한 유기 구성 요소들의 상호연결을 통하여 고 주파수에서도 필요한 DC전압을 출력단의 부하에 연결된 유기 정류기에 제공할 수 있다. 이 경우 가능한 부하는 유기 논리 회로, 디스플레이 구성요소 및 종래의 전자 장치들을 포함한다.
이 경우 본 발명에 따른 정류기는 둘, 셋 또는 그 이상의 층으로 이루어진 다중층 구조를 포함하며, 그 중 적어도 하나 이상의 층은 유기 반도체 재료를 구성 요소로 하는 능동 층이다. 이 경우 상기 다중층 구조에서 실현된 유기 다이오드는 유기 반도체와 함께 금속 반도체 접합 또는 pn 접합을 포함하는데, 이 경우에 금속은 유기 전도체로 대체될 수 있다. 이 경우 개별적인 기능 층들의 순서는 수직방향으로 그리고 측면방향으로 둘 다 배열될 수 있다. 또한 전기적 특성(예컨대, 전하 운반체의 주입)을 개선시키기 위해 실제 기능 층을 보충하는 추가적인 사이 층(interlayer) 도입을 생각할 수 있다.
또한 게이트 전극이 소스 또는 드레인 전극과 연결된 유기 전계 효과 트랜지스터를 정류기에서 유기 다이오드로 사용하는 것도 가능하다.
본 발명의 유익한 확장은 종속항에서 언급된다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 제1 충전 커패시터와 제1 유기 다이오드가 제1 전도선(conductive line branch)에 배치되고 제2 충전 커패시터와 제2 유기 다이오드가 제2 전도선에 배치된다. 제1 및 제2 전도선은 정류기의 입력에 병렬로 연결되고 제1 및 제2 유기 다이오드는 상기 유기 다이오드들 중 하나의 애노드 전극과 다른 하나의 캐소드 전극이 백-투-백(back-to-back) 정렬로 연결된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 유기 다이오드와 제2 유기 다이오드는 상기 유기 다이오드들 중 어느 하나의 애노드 전극과 다른 하나의 캐소드 전극이 백-투-백 정렬로 연결되어 역-전하 커패시터를 통하여 정류기의 제1 입력 단자에 연결된다. 제1 유기 다이오드는 정류기의 제2 입력 단자로 연결된다. 제2 유기 다이오드는 충전 커패시터를 통하여 정류기의 제2 입력 단자로 연결된다. 상기 정렬에 따르면 제1 유기 다이오드의 캐소드 전극과 제2 유기 다이오드의 애노드 전극이 역-전하 커패시터를 통하여 제1 입력 단자로 연결되며, 제1 유기 다이오드의 애노드 전극과 제2 유기 다이오드의 캐소드 전극이 충전 커패시터를 통하여 서로 연결되고, 제1 유기 다이오드의 애노드 전극이 제2 입력 단자에 연결될 수 있다. 그러나 제1 유기 다이오드의 애노드 전극과 제2 유기 다이오드의 캐소드 전극이 역-전하 커패시터를 통하여 제1 입력 단자로 또한 연결되어, 제1 유기 다이오드의 캐소드 전극과 제2 유기 다이오드의 애노드 전극이 충전 커패시터를 통하여 서로 연결되고, 제1 유기 다이오드의 캐소드 전극이 제2 입력 단자에 연결될 수도 있다.
상기 방식으로 구성된 유기 정류기는 낮은 소비에서도, 출력 측에서 얻을 수 있는 공급 전압에서 증가를 얻을 수 있는 이익이 있다. 상기 유기 정류기는 특히 예를 들어 롤-투-롤 공정(roll-to-roll process)에 의하여 비용 효율이 높게 제작될 수 있다.
서로 연결된 둘 이상의 단(stage)을 가진 정류기를 구성함으로써 출력 측에서 이용 가능한 공급 전압이 더 많이 증가하게 된다. 정류기의 각 단은 충전 또는 역-전하 커패시터가 서로 상이한 전류 경로를 통하여 충전되는 방식으로 연결되는 두 개의 충전 또는 역-전하 커패시터와 두 개의 유기 다이오드 또는 유기 전계 효과 트랜지스터로 구성되고, 상기 단은 각 경우에 두 개의 입력단자와 다음 단의 입력 단자에 연결하기 위한 두 개의 연결 단자를 포함한다.
이 경우에 정류기는 둘 이상의 종속 접속(cascade) 방식으로 연결되는 동일한 유형의 단을 포함할 수 있다.
전술한 종속 접속에 사용될 수 있도록 특별히 유익하게 구성된 단에서, 제1 유기 다이오드의 캐소드 전극과 제2 유기 다이오드의 애노드 전극이 제1 단의 제1 연결 단자로 연결되고 역-전하 커패시터를 통하여 제1 단의 제1 입력 단자로 연결된다. 제1 유기 다이오드의 애노드 전극과 제2 유기 다이오드의 캐소드 전극이 충전 커패시터를 통하여 연결된다. 제1 유기 다이오드의 애노드 전극은 상기 단의 입력 단자에 연결되고 제2 유기 다이오드의 캐소드 전극은 상기 단의 제2 연결 단자에 연결된다. 상기 방식으로 구성된 단을 이하에서 "제1 단"으로 언급하기로 한다.
또한, 제1 유기 다이오드의 애노드 전극과 제2 유기 다이오드의 캐소드 전극이 상기 단의 제1 연결 단자로 연결되고, 역-전하 커패시터를 통하여 상기 단의 제1 입력 단자로 연결되는 것 또한 가능하다. 제1 유기 다이오드의 캐소드 전극과 제2 유기 다이오드의 애노드 전극이 충전 커패시터를 통하여 서로 연결된다. 제1 유기 다이오드의 캐소드 전극은 상기 단의 제2 입력 단자에 연결되고 제2 유기 다이오드의 애노드 전극은 상기 단의 제2 연결단자에 연결된다. 상기 방식으로 구성된 단을 이하 "제2 단"으로 언급하기로 한다.
제1 단 및 제2 단의 종속 접속에서 맨 앞 단의 제1 및 제2 입력 단자는 각각 정류기의 제1 및 제2 입력 단자를 형성한다. 각 단의 연결 단자는 상기 각 단이 정류기의 마지막 단을 구성하지 않는 한, 다음 단의 입력 단자에 연결된다. 정류기의 출력은 맨 앞 단의 제2 입력 단자와 마지막 단의 제2 연결 단자에 의해서 형성된다.
또한 정류기에서 제1 및 제2 단이 서로 연결되는 것도 가능하다. 상기 방식으로 구성된 정류기에서, 제1 단 및 제2 단의 제1 및 제2 입력 단자는 서로 연결되어 정류기의 입력 단자를 형성한다. 임의의 수의 제1 및 제2 단은 상기 방식대로 각 경우 선행하는 각 제1 및 제2 단의 연결 단자로 연이어 연결된다. 정류기의 출력은 마지막 제1 단의 제2 연결 단자와 마지막 제2 단의 제2 연결 단자에 의해서 형성된다.
두 개의 상이한 유형인 단들의 전술한 배열의 이점은, 같은 공급 전압에서 출력단의 부하에서 이용할 수 있는 DC 전류가 증가될 수 있다는 점이다.
또한 유기 다이오드로서, 유기 다이오드의 기생 커패시턴스를 낮추는 사이층을 포함하는 유기 구성 요소를 이용함으로써 정류 계수가 더 많이 증가 될 수 있다. 유기 다이오드의 기생 커패시턴스 감소의 결과로 충전/역-전하 커패시터에서 충전/역-전하 과정의 효율이 개선되고 따라서 정류기의 효율도 개선된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 정류기의 제1 및/또는 제2 입력 단자는 하나 또는 복수의 제1 전계 효과 트랜지스터를 통하여 역-전하 커패시터에 연결된다. 역-전하 커패시터는 하나 또는 복수의 제2 전계 효과 트랜지스터를 통하여 충전 커패시터에 연결된다. 하나 또는 복수의 제1 및 제2 전계 효과 트랜지스터는 논리 회로에 의해 구동된다. 이 경우에, 논리 회로는 교류 전압이 역-전하 커패시터에 걸리는 방식으로 제1 전계 효과 트랜지스터를 구동한다.
본 발명에 따른 정류기가 전압원으로서 안테나 및 커패시터를 포함하는 공진회로를 가지는 전자 장치에서 사용될 때 특별한 이익을 제공한다. 상기 안테나 공진 회로를 본 발명에 따른 정류기에 연결함으로써, 특별히 비용 효율적으로 생산될 수 있으며, 충분한 공급전압을 공급하고, 플렉서블 몸체의 형태로 실현될 수 있는 출력단 전자 조립품의 DC 전압원이 제공될 수 있다. 또한 유기 집적 회로가 출력단의 전자 조립품으로 사용된다면 특별한 이익이 더 많이 제공된다. 유기 집적 회로의 특별한 특성(예컨대, 매우 낮은 전류 요구량) 때문에, 전술한 회로는 본 발명에 따른 정류기의 특성에 특별히 잘 맞는다. 또한 상기 유형의 전자 장치는 대량 생산 적용을 위해 그리고 동일표준의 제조기술을 이용한 일회용품에 비용 효율적으로 제조될 수 있다.
전압원으로서의 전술한 공진 회로의 이용에 더하여, 전압원에서 예컨대 링 오실레이터(ring oscillator)와 같은 오실레이터를 제공하는 것 또는 대응하는 둘 또는 그 이상의 전계 효과 트랜지스터를 구동하여 충전 및/또는 역-전하 커패시터에 AC 전압을 적용하는 것 또한 가능하다.
본 발명은 하기 복수의 실시예를 기초로, 첨부된 도면의 도움과 더불어 예시적으로 설명된다.
도 1은 일 실시예에 따른 유기 정류기를 도시한 블록도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 유기 다이오드를 도시한 블록도이다.
도 3은 또 다른 실시예에 따른 유기 다이오드를 도시한 블록도이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따라 종속 연결된 유기 정류기를 도시한 블록도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따라 종속 연결된 유기 정류기를 도시한 블록도이다.
도 6은 정류기를 포함한 전자 장치를 도시한 블록도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 전자 장치를 도시한 블록도이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 전자 장치를 도시한 블록도이다.
도 1 내지 도 5에 도시된 정류기는 각각 하나 또는 복수의 전기 기능 층을 포함하는 플렉서블 다중층 막 본체를 포함한다. 막 본체의 전기 기능 층은 유기적전도층과 유기적으로 반전도(半電導)되는 층 및/또는 적어도 부분적으로는 구조화 된 형태로 하나 위에 다른 하나가 배열된 유기 절연 층을 포함한다. 상기 전기 기능 층과 나란히, 다중층 막 본체는 또한 선택적으로 하나 또는 다수의 캐리어 층, 보호 층, 장식 층, 점착 증진 층 또는 점착 층을 포함한다. 전기적으로 전도성인 기능층은, 바람직하게는 금 또는 은으로 만들어진 전도성의 금속화 구조를 포함하는 것이 바람직하다. 그러나, 예를 들어, 인듐 주석 산화물이나, 폴리아닐린 또는 폴리피롤과 같은 전도성 고분자와 같은 무기물인 전기적 전도성 물질로부터 상기 기능층을 형성하기 위한 조건이 만들어질 수도 있다. 유기 반도체 관련 기능층은, 예를 들어, 폴리티오펜(polythiophene), 폴리티에닐린비닐렌(polythienylenevinylene) 또는 폴리플루오렌 유도체(polyfluorene derivative)와 같은 결합 고분자를 포함하며, 이는 스핀-코팅, 블레이드 코팅 또는 인쇄에 의해 용액으로부터 가해진다. 진공 기술에 의해 증기-증착되는 것으로서, 소위 "미분자"라고 하는, 즉, 세시티오펜(sexithiophene), 또는 펜타센(pentacene)과 같은 올리고머(oligomer)도 또한 유기 반도체 층으로서 적합하다. 이러한 유기층들은 부분적으로 구조가 있는 방식 또는 인쇄 방법(음각 인쇄, 스크린 인쇄, 패드 인쇄)에 의해 패터닝 형식으로 구성된 방식에 따라 가해지는 것이 바람직하다. 이러한 목적을 위해, 층에 공급되는 유기 물질들은 가용성 고분자로서 형성되며, 여기서 고분자라는 용어에는, 전술한 바와 같이, 올리고머 및 "미분자들"도 포함된다.
이 경우에 각 막 본체의 전기 기능 층은 도 1 내지 도 5에 예시된 전기 회로를 실현하도록 구성된다.
각 경우에 도 1 내지 도 5를 참조하여 기술된 전기 회로는 둘 또는 그 이상 의 충전 또는 역-전하 커패시터와 둘 또는 그 이상의 유기 다이오드를 포함한다.
유기 다이오드는 다중층 막 본체에서 n-전도 및 p-전도 반도체 사이의 금속-반도체 접합 또는 pn 접합에 의해서 실현된다. 이 경우에 개별적인 기능 층들의 순서는 수직방향으로 그리고 측면방향으로 모두 배열될 수 있다. 또한 전기적 특성(예컨대, 뉴트리언트(nutrient) 캐리어 주입)을 개선시키기 위해 상기 기능 층을 보충하는 추가적인 사이 층(interlayer) 도입하는 것도 가능하다. 따라서 유기 다이오드는 예를 들면 세 개의 연속적인 층들에 의해서 실현되는데, 제1 층은 캐소드 전극을 형성하는 전도성 전극 층이며, 제2 층은 유기 반도체 재료로 구성된 층이고, 제3 층은 애노드 전극을 형성하는 전도성 전극 층이다. 이 경우에 유기 반도체 층은 예컨대 60 내지 2000nm의 층 두께를 가진다. 전도 층은 상기 재료중 하나를 포함할 수 있는데, 즉, 인쇄 공정(printing process)에 의해서 적용될 수 있는 금속 또는 유기 전도 재료를 포함할 수 있다.
또한 유기 다이오드를 두 개의 전극 층과, 그 사이에 위치하며 하나는 n-전도 특성을 가지고 다른 하나는 p-전도 특성을 가지는 두 개의 유기 반도체 층으로 구성된 네 개의 층 구조에 의해서 실현하는 것도 가능하다.
이하 유기 다이오드의 축조에 관해서 WO 02/21612 A1 의 내용을 참조한다.
또한 유기 다이오드를 게이트 전극이 드레인 전극과 연결된 유기 전계 효과 트랜지스터로 구성하는 것도 가능하다.
다중층 막 본체에 실현되는 충전 또는 역-전하 커패시터는 두 개의 전도 층과 그 사이에 오는 절연 층에 의해 형성된다. 전도 층은 상기 재료중 하나로 구성 될 수 있고, 예를 들면 금속성 층 또는 유기 전도 층으로 구성될 수 있는데, 그것은 인쇄 방법에 의해 적용되어 왔다. 이 경우에 충전 또는 역-전하 커패시터는 1pF 내지 2nF의 범위의 커패시턴스를 가진다.
도 1은 두 개의 유기 다이오드(OD1, OD2) 및 두 개의 충전 커패시터(C1, C2) 를 포함하는 정류기(1)를 나타낸다. 정류기(1)는 입력 단자(E11, E12)를 가지는 입력(E1) 및 출력(A1)을 가진다. 입력 단자(E11)는 유기 다이오드(OD1)의 캐소드 전극과 유기 다이오드(OD2)의 애노드 전극에 연결된다. 유기 다이오드(OD1)의 애노드 전극은 충전 커패시터(C1)를 통하여 입력 단자(E12)로 연결되고, 유기 다이오드( OD2)의 캐소드 전극은 충전 커패시터(C2)를 통하여 입력 단자(E12)로 연결된다. 출력 전압은 유기 다이오드(OD2)의 캐소드 전극과 유기 다이오드(OD1)의 애노드 전극 사이에서 탭 오프(tap off)된다.
입력(E1)에 입력된 AC 전압은 충전 커패시터(C1)에 걸리는 음 전압에서 유기다이오드(OD1)에 의해서 정류되고, 유기 다이오드(OD2)에 의해서 정류되어 양 전압을 이룬다. 출력(A1)에서 출력되는 DC 전압은 따라서 커패시터(C1 및 C2) 양단의 전압 크기의 합에 해당한다.
도 2는 역-전하 커패시터(C1), 충전 커패시터(C2) 및 두 개의 유기 다이오드(OD1, OD2)를 가지는 정류기(2)를 나타낸다. 정류기(2)는 두 개의 입력 단자(E21, E22)를 가진 입력(E2), 출력(A2), 및 두 개의 연결 단자(B21, B22)를 가진다. 역-전하 커패시터(C1)는 일단이 입력 단자(E21)로 연결되고, 타단은 연결 단자(B21), 유기 다이오드(OD1)의 캐소드 전극 및 유기 다이오드(OD2)의 애노드 전극 으로 연결된다. 충전 커패시터(C2)는 일단이 유기 다이오드(OD1)의 애노드 전극 및 입력 단자(E22)에 연결되고, 타단은 유기 다이오드(OD2)의 캐소드 전극 및 연결 단자(B22)에 연결된다. 출력 전압은 충전 커패시터(C2)를 통하여 탭 오프된다. 입력( E2)에 인가된 입력 AC전압은 유기 다이오드(OD1)에 의하여 정류되어, 역-전하 커패시터(C1)에 걸리는 전압을 형성한다. 입력 AC 전압의 양의 반 주기 동안, 역-전하 커패시터(C1)에 위치하는 양의 전하는 유기 다이오드(OD2)를 통하여 충전 커패시터(C2)로 전송될 수 있다. 따라서 증가된 양의 전압은 충전 커패시터(C2) 양단에 걸리고, 출력(A2)을 통하여 탭 오프될 수 있다.
도 3은 역-전하 커패시터(C1), 두 개의 유기 다이오드(OD1, OD2) 및 충전 커패시터(C2)를 가지는 정류기(3)를 나타낸다. 정류기(3)는 두 개의 입력 단자(E31, E32)를 가진 입력(E3), 출력(A3) 및 두 개의 연결 단자(B31, B32)를 가진다. 역-전하 커패시터(C1)는 일단이 입력 단자(E31)에 연결되고, 타단이 유기 다이오드(OD1)의 애노드 전극, 유기 다이오드(OD2)의 캐소드 전극 및 연결 단자 B31에 연결된다. 충전 커패시터(C2)는 일단이 유기 다이오드(OD1)의 캐소드 전극 및 입력 단자(E32)에 연결되고, 타단이 유기 다이오드(OD2)의 애노드 전극 및 연결 단자(B32)에 연결된다. 출력 전압은 충전 커패시터 C2를 통하여 탭 오프된다. 정류기(2)와는 반대로 정류기(3)의 경우에는, 입력 AC 전압의 음의 반 주기 동안 역-전하 커패시터 C1에 위치하는 음의 전하는 충전 커패시터(C2)로 향하는 유기 다이오드(OD2)를 통하여 전송된다. 따라서 증가된 음의 전압은 충전 커패시터(C2) 양단에 걸리고, 출력 A3를 통하여 탭 오프된다.
도 2 및 도 3에 도시된 정류기는 각 경우에 다단의 유기 또는 인쇄가능한 정류기를 형성하는 종속접속된 배치로 연결될 수 있다.
도 4는 전술한 정류기를 예시적으로 도시한다. 도 4는 둘 또는 그 이상의 단으로 구성된 정류기(4)를 나타내는데, 두 단(S41, S42)은 도 4에 도시된다. 각 단(S41, S42)은 각 경우에 도 2에 따른 정류기(2)와 같이 구성된다. 따라서 단(S41)은 두 개의 입력 단자(E41, E42)를 가진 입력, 출력(A41) 및 두 개의 연결 단자(B41, B42)를 가진다. 단(S42)는 두 개의 입력 단자(E43, E44), 출력(A42) 및 두 개의 연결 단자(B43, B44)를 가진다. 각 단(S41, S42)의 입력 단자와 연결 단자는 역-전하 커패시터, 충전 커패시터 및 도 2에 도시된 두 개의 유기 다이오드에 연결된다.
정류기(4)의 제1 단의 입력 단자(E41, E42)는 정류기(4)의 입력을 형성하는데, 이는 도 4의 E4에 의해 명시된다. 다음 단의 입력 단자는 각각 정류기(4)의 한 단의 연결 단자에 연결된다. 따라서 출력 측의 DC 전압은 개별 단 출력의 출력 전압의 합의 결과로 생기는데, 그렇게 정류기(4)의 출력(A4)에서의 전압이 더 증가하게 된다.
도 3에 따른 정류기(3)처럼 구성된 각 개별 단의 종속 접속 배열에 의하여 정류기(4)를 구성하는 것 또한 가능하다.
도 5는 상이하게 구성된 개별 단으로 구성된 정류기(6)를 나타낸다. 정류기(6)은 한편 각각 도 2에 따른 정류기(2)처럼 구성된 둘 또는 그 이상의 단을 가진다. 상기 단들 중 도 5는 각각 입력 단자(E61, E62) 및 입력 단자(E63, E64), 연 결 단자(B61, B62) 및 연결 단자(B63, B64) 및 출력(A61) 및 출력(A62)를 가지는 두 개의 단(S61, S62)을 나타낸다. 상기 단들은, 도 4와 관련하여 이미 설명한 것처럼, 다음 단의 입력 단자가 그에 선행하는 단의 연결단자로 연결되는 방식으로 종속 접속 배열로 서로 연결된다.
정류기(6)은 또한 도 3에 따른 정류기(3)처럼 구성된 둘 또는 그 이상의 단을 가진다. 상기 단들 중 도 5는 각각 입력 단자(E61, E62) 및 입력 단자(E65, E66), 연결 단자(B65, B66) 및 연결 단자(B67, B68) 및 출력(A63) 및 출력(A64)을 가지는 두 개의 단(S63, S64)을 나타낸다. 상기 단들은 마찬가지로 도 4에서 설명된 것처럼 다음 단 입력 단자가 그에 선행하는 단의 연결 단자로 연결되는 방식으로 종속 접속 방식으로 서로 연결된다. 단(S61, S63)의 입력 단자는 각 경우에 정류기(6)의 입력(E6)에 연결되는데, 단(S61, S62)의 출력의 양의 출력 전압은 단(S63, S64)의 출력의 음의 전압에 더해지고, 따라서 정류기(6)의 출력(A6)에서의 출력 전압이 증가된다.
도 6은 전원(51), 정류기(52) 및 정류기(52)에 연결된 전자 회로(53)를 가진 전자 장치(5)를 나타낸다. 전자 장치(5)는 RFID 트랜스폰더이다. 도 1 내지 도 5에 관하여 이미 설명한 것처럼, 전자 장치(5)는 둘 또는 그 이상의 전기 기능 층을 가진 다중층 플렉서블 막 본체를 포함한다. 이 경우에 전원(51)은 안테나 및 튜닝 커패시터로 구성된 안테나 공진 회로에 의해 형성된다. 정류기(52)는 도 1 내지 도 5에 따른 정류기(1, 2, 3, 4 또는 6) 중 하나와 같이 구성된 정류기에 의해 형성된다.
전자 회로(53)는 하나 또는 복수의 능동 또는 수동 유기 구성 요소, 바람직하게는 유기 전계 효과 트랜지스터로 구성된 ID 코드 발생기이다.
그러나 전자 회로(53)가 상이한 기능을 제공하거나 또는 예컨대, 유기 LED 또는 LCD에 의해 형성되는 출력 유니트(unit)로 대체되는 것도 가능하다.
도 7은 유기 또는 인쇄 가능한 논리 회로에 전압을 공급하는 역할을 하는 전자 장치(7)을 나타낸다. 전자 장치(7)는 전압원(71), 논리 회로(72), 복수의 유기 전계 효과 트랜지스터(OF1, OF2, OF3, OF4), 두 개의 역-전하 커패시터(CS1, CS2) 및 충전 커패시터(CO)를 가진다. 두 개의 역-전하 커패시터(CS1, CS2)는 각 경우에 충전 커패시터(CO)의 커패시턴스를 가지며, 상기 커패시턴스의 두 배 또는 더 큰 커패시턴스를 가지는 커패시터로 대체될 수도 있다. 이 경우에 상기 논리 회로는 전자 장치의 출력(A7)의 출력 전압으로부터 전압을 공급받는다.
전압원(71)은 DC 전압 구성 요소를 보유하거나 또는 보유하지 않은 채로 임의의 AC전압을 공급한다. 전압원(71)은 예를 들면 도 6에 따른 안테나 공진 회로 및/또는 예컨대 인쇄 전지(printed battery) 또는 저장 전지(storage battery)와 같은 전지로 형성될 수 있다. 논리 회로(72)는 서로 연결된 하나 또는 복수의 유기 전계 효과 트랜지스터를 포함한다. 상기 논리 회로(72)는 유기 전계 효과 트랜지스터 (OF1 내지 OF4)를 포함하는 스위칭 매트릭스(switching matrix)를 제어한다. 스위칭 매트릭스의 적당한 구성과 구동을 통하여 DC 전압은 스위칭 매트릭스의 출력에서 충전 및 역-전하 과정을 통하여 발생한다. 상기 논리 회로(72)는 유기 전계 효과 트랜지스터(OF1 내지 OF4)를 예컨대 양의 반 주기동안 전계 효과 트랜지스터 (OF1, OF2)는 켜지고 전계 효과 트랜지스터(OF3, OF4)는 꺼지는 방식으로 구동한다. 다음 양의 반 주기 동안에 유기 전계 효과 트랜지스터(OF3, OF4)는 켜지고 유기 전계 효과 트랜지스터(OF1, OF2)는 꺼진다.
또한, 예컨대 전압원(71)의 음의 반 주기를 이용하기 위해서 스위칭 매트릭스 안에 훨씬 더 많은 유기 전계 효과 트랜지스터를 공급하는 것 또한 가능하다. 또한 스위칭 매트릭스의 입력 측의 DC 전압을 증가시키는 것도 상기 방식으로 가능하다.
도 8은 전압원(81), 오실레이터(82) 및 정류기(83)을 가지는 전자 장치를 나타낸다. 정류기(83)은 두 개의 입력 단자(A81, A82)를 가지는 입력 및 출력(8)을 가진다. 정류기(83)은 도 1 내지 도 5에 따른 정류기(1, 2, 3, 4 및 6) 중 하나와 같이 구성된다.
전압원(81)은 예를 들면 전지와 같은 DC 전압원이다. 또한 전압원(81)은 도 1 내지 도 5에 따라 구성되고 예를 들면 안테나 공진 회로와 같은 AC 전압원에 연결된 정류기일 수도 있다.
오실레이터(82)는 입력 전압을 AC 전압, 바람직하게는 1 MHz 미만의 주파수를 가지도록 변환하는 인쇄가능한 링 오실레이터이다. 정류기(83)은 도 1 내지 도 5에 따른 정류기 중 하나와 같이 구성된 정류기이다. 상기 구성에 의해서 전압은 출력(8)의 DC 전압으로 효과적으로 정류된다.
도 1 내지 도 5에 따른 정류기가 도 7에 따른 정류기와 상기 방식으로 결합되는 것, 즉, 도 1 내지 도 5에 따른 정류기가 AC 전압원과 함께 도 7에 따른 전압 원(71)을 형성하는 것도 가능하다. 상기 유형의 배열로 예컨대 정류기에 의해 공급되는 전자 회로의 임피던스 매칭을 얻을 수 있다.

Claims (19)

  1. 정류기의 2개의 입력 단자(E11, E12; E21, E22; E31, E32; E41, E42; E61, E62) 사이의 AC 전압을 DC 전압으로 변환하기 위하여, 반전도성 유기 재료로 구성된 하나 이상의 전기 기능 층을 가지는 2개 이상의 유기 다이오드(OD1, OD2) 및/또는 유기 전계 효과 트랜지스터(OF1, OF2, OF3, OF4)를 포함하며, 특히 RFID 트랜스폰더(5)를 위한 정류기에 있어서,
    상기 정류기는, 충전 또는 역-전하 커패시터가 서로 상이한 전류 경로를 통하여 충전될 수 있는 방식으로 2개 또는 그 이상의 유기 다이오드 및/또는 유기 전계 효과 트랜지스터와 연결된, 2개 또는 그 이상의 충전 또는 역-전하 커패시터(C1, C2, CS1, CS2, CU)를 포함하는 것을 특징으로 하는 정류기(1, 2, 3, 4, 6).
  2. 제 1 항에 있어서,
    제1 충전 커패시터(C1) 및 제1 유기 다이오드(OD1)가 제1 전도선에 배치되고,
    제2 충전 커패시터(C2) 및 제2 유기 다이오드(OD2)가 제2 전도선에 배치되며,
    상기 제1 및 제2 전도선이 상기 정류기(1)의 입력(E1)에 병렬로 연결되며,
    상기 제1 및 제2 유기 다이오드(OD1, OD2)의 각 애노드 전극 및 캐소드 전극 이 상기 제1 및 제2 전도선에서 백-투-백 정렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 정류기(1).
  3. 제 1 항에 있어서,
    제1 유기 다이오드(OD1) 및 제2 유기 다이오드(OD2)의 각 애노드 전극 및 캐소드 전극이 역-전하 커패시터(C1)를 통하여 상기 정류기의 제1 입력 단자(E21, E31, E41, E61)에 백-투-백 정렬로 연결되며,
    상기 제1 유기 다이오드(OD1)가 상기 정류기의 제2 입력 단자(E22, E32, E42, E62)에 연결되고,
    상기 제2 유기 다이오드(OD2)가 충전 커패시터(C2)를 통하여 상기 정류기의 제2 입력 단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 정류기(2, 3, 4, 6).
  4. 제 3 항에 있어서,
    제1 유기 다이오드(OD1)의 캐소드 전극 및 제2 유기 다이오드(OD2)의 애노드 전극이 역-전하 커패시터(C1)를 통하여 제1 입력 단자(C21)에 연결되고,
    상기 제1 유기 다이오드(OD1)의 애노드 전극 및 상기 제2 유기 다이오드(OD2)의 캐소드 전극이 충전 커패시터(C2)를 통하여 서로 연결되며,
    상기 제1 유기 다이오드(OD1)의 애노드 전극이 제2 입력 단자(E22)에 연결되 는 것을 특징으로 하는 정류기(2).
  5. 제 3 항에 있어서,
    제1 유기 다이오드(OD1)의 애노드 전극 및 제2 유기 다이오드(OD2)의 캐소드 전극이 역-전하 커패시터(C1)를 통하여 제1 입력 단자(E31)에 연결되고,
    상기 제1 유기 다이오드(OD1)의 캐소드 전극 및 상기 제2 유기 다이오드(OD2)의 애노드 전극이 충전 커패시터(C2)를 통하여 서로 연결되며,
    상기 제1 유기 다이오드(OD1)의 캐소드 전극이 제2 입력 단자(E32)에 연결되는 것을 특징으로 하는 정류기(3).
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 정류기는, 2개 또는 그 이상의 단들(S41, S42, S64, S63, S61, S62)이 차례로 연결되어 구성되며,
    상기 각 단은 2개의 충전 또는 역-전하 커패시터 및 상기 2개의 충전 또는 역-전하 커패시터가 서로 상이한 전류 경로를 통하여 충전되는 방식으로 연결되는 2개 이상의 유기 다이오드를 포함하며, 2개의 입력 단자(E41, E42, E43, E44; E61 내지 E66) 및 다음 단의 상기 입력 단자에 연결하기 위한 두 개의 연결 단자(B41, B42, B43, B44; B61 내지 B68)를 포함하는 것을 특징으로 하는 정류기(4, 5).
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 단(S41, S42; S61, S62)에서 상기 제1 유기 다이오드의 캐소드 전극 및 상기 제2 유기 다이오드의 애노드 전극이, 상기 제1 단의 제1 연결 단자(B41, B43; B61, B63)에 연결되고, 상기 역-전하 커패시터를 통하여 상기 제1 단의 제1 입력 단자(E41, E43; E61, E63)에 연결되며,
    상기 제1 유기 다이오드의 애노드 전극 및 상기 제2 유기 다이오드의 캐소드 전극이 상기 충전 커패시터를 통하여 서로 연결되고,
    상기 제1 유기 다이오드의 애노드 전극이 상기 제1 단의 제2 입력 단자 (E42, E44; E62, E64)에 연결되며,
    상기 제2 유기 다이오드의 캐소드 전극이 상기 제1 단의 제2 연결 단자(B42, B44; B62, B64)에 연결되는 것을 특징으로 하는 정류기(4, 6).
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 정류기는,
    2개 또는 그 이상의 상기 제1 단(S41, S42);
    상기 정류기(4)의 제1 및 제2 입력 단자를 형성하는, 가장 앞의 제1 단(S41)의 제1 및 제2 입력 단자(E41, E42);
    상기 각 제1 단이 상기 정류기의 마지막 단을 형성하지 않는 경우에 다음 제1 단의 제1 및 제2 입력 단자(E43, E44)에 연결되는, 상기 각 제1 단(S41)의 제1 및 제2 연결단자(B41, B42); 및
    상기 가장 앞의 제1 단의 제2 입력 단자(E42) 및 마지막 제1 단(S42)의 제2 연결 단자 (B44)에 의해서 형성되는 상기 정류기의 출력(A4)을 포함하는 것을 특징으로 하는 정류기(4).
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 단(S63, S64)에서 상기 제1 유기 다이오드의 애노드 전극 및 상기 제2 유기 다이오드의 캐소드 전극이, 상기 제2 단의 제1 연결 단자 (B65, B67)에 연결되고, 상기 역-전하 커패시터를 통하여 상기 제2 단의 제1 입력 단자 (E61, E65)에 연결되며,
    상기 제1 유기 다이오드의 캐소드 전극 및 상기 제2 유기 다이오드의 애노드 전극이 충전 커패시터를 통하여 서로 연결되고,
    상기 제1 유기 다이오드의 캐소드 전극이 상기 제2 단의 제2 입력 단자 (E62, E66)에 연결되며,
    상기 제2 유기 다이오드의 애노드 전극이 상기 제2 단의 제2 연결 단자 (B66, B68)에 연결되는 것을 특징으로 하는 정류기(6).
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 정류기는,
    2개 또는 그 이상의 상기 제2 단;
    상기 정류기의 제1 및 제2 입력 단자를 형성하는, 가장 앞의 제 2단의 제1 및 제2 입력 단자;
    상기 각 제2 단이 상기 정류기의 마지막 단을 형성하지 않는 경우에 다음 제2 단의 제1 및 제2 입력 단자에 각각 연결되는, 상기 각 제2 단의 제1 및 제2 연결 단자; 및
    상기 가장 앞의 제2 단의 제2 입력 단자 및 마지막 제2 단의 제2 연결단자에 의해서 형성되는 상기 정류기의 출력을 포함하는 것을 특징으로 하는 정류기.
  11. 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 정류기는, 하나 또는 복수의 상기 제1 단(S61, S62) 및 하나 또는 복수의 상기 제2 단(S63, S64)를 포함하고,
    상기 가장 앞의 제1 단(S61)의 제1 및 제2 입력 단자(E61, E62)가 상기 가장 앞의 제2 단 (S63)의 제1 및 제2 입력 단자(E61, E62)에 각각 연결되어 상기 정류기(6)의 제1 및 제2 입력 단자를 각각 형성하며,
    상기 마지막 제1 단(S62)의 제2 연결 단자(B64) 및 상기 마지막 제2 단(S64) 의 제2 연결 단자(B68)에 의해서 상기 정류기의 출력이 형성되는 것을 특징으로 하는 정류기(6).
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 또는 복수의 유기 다이오드는, 게이트 전극이 소스 또는 드레인 전극에 연결된 유기 전계 효과 트랜지스터에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 정류기.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 또는 복수의 유기 다이오드는, 상기 유기 다이오드의 기생 커패시턴스를 낮추는 사이층(interlayer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 정류기.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 정류기의 제1 및/또는 제2 입력 단자는, 하나 또는 복수의 제1 유기 전계 효과 트랜지스터(OF1, OF3, OF2)를 통하여 상기 역-전하 커패시터(CS1, CS2)에 연결되고,
    상기 역-전하 커패시터(CS1, CS2)는, 하나 또는 복수의 제2 전계 효과 트랜 지스터(OF4)를 통하여 상기 충전 커패시터(CO)에 연결되며,
    상기 하나 또는 복수의 제1 유기 전계 효과 트랜지스터는 논리 회로(72)에 의하여 구동되는 것을 특징으로 하는 정류기.
  15. 플렉서블 다중층 막 본체 형태의 전자 장치, 특히 RFID 트랜스폰더(5)에 있어서,
    상기 전자 장치는, 전압원(51, 71, 81) 및 상기 전압원에 연결된 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 정류기(53, 83)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치(5, 7, 8).
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 전압원은, 상기 전자 장치상에 복사되는 전자기 복사에서 결합(coupling) 되기에 적당한 안테나 및 커패시터를 포함하는 안테나 공진 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치(5).
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 전압원은, 링 오실레이터(82)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장 치(8).
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 전자 장치는, 교류 전압을 상기 정류기의 역-전하 커패시터(CS1, CS2)에 인가하기 위한 논리 회로(72)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치(7).
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 전자 장치는, 상기 정류기(52)에 연결된 하나 또는 복수의 능동 또는 수동 유기 구성 요소에 기초한 전자 회로(53)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치(5).
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Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077014135A KR101226340B1 (ko) 2004-12-23 2005-12-20 유기 정류기

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US (1) US7724550B2 (ko)
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CA (1) CA2590627A1 (ko)
DE (1) DE102004063435A1 (ko)
MX (1) MX2007007460A (ko)
TW (1) TWI323972B (ko)
WO (1) WO2006066559A1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
US9130602B2 (en) 2006-01-18 2015-09-08 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for delivering energy to an electrical or electronic device via a wireless link
US8447234B2 (en) * 2006-01-18 2013-05-21 Qualcomm Incorporated Method and system for powering an electronic device via a wireless link
JP2008199753A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Yoshiyasu Mutou 電源回路
US9774086B2 (en) 2007-03-02 2017-09-26 Qualcomm Incorporated Wireless power apparatus and methods
US9124120B2 (en) 2007-06-11 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Wireless power system and proximity effects
WO2009023155A2 (en) 2007-08-09 2009-02-19 Nigelpower, Llc Increasing the q factor of a resonator
CN101803109A (zh) 2007-09-13 2010-08-11 高通股份有限公司 最大化来自无线功率磁谐振器的功率产量
KR20100067676A (ko) 2007-09-17 2010-06-21 퀄컴 인코포레이티드 무선 에너지 전송을 위한 송신기 및 수신기
JP5362733B2 (ja) 2007-10-11 2013-12-11 クゥアルコム・インコーポレイテッド 磁気機械システムを使用する無線電力転送
US8629576B2 (en) 2008-03-28 2014-01-14 Qualcomm Incorporated Tuning and gain control in electro-magnetic power systems
CN102063638B (zh) * 2011-02-17 2012-10-03 上海龙晶微电子有限公司 用于射频电子标签的整流电路
WO2013044224A2 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Blue Spark Technologies, Inc. Cell attachment method
US9502992B2 (en) 2012-06-01 2016-11-22 Coriant Operations, Inc. Diode substitute with low drop and minimal loading
US9601267B2 (en) 2013-07-03 2017-03-21 Qualcomm Incorporated Wireless power transmitter with a plurality of magnetic oscillators
EP3067835B1 (en) * 2015-03-10 2017-12-27 EM Microelectronic-Marin SA Dual frequency hf-uhf identification device
US9768708B2 (en) * 2015-09-08 2017-09-19 The Regents Of The University Of Michigan Wide dynamic range rectifier circuits

Family Cites Families (190)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB723598A (en) 1951-09-07 1955-02-09 Philips Nv Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics
US3512052A (en) 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
DE2102735B2 (de) * 1971-01-21 1979-05-10 Transformatoren Union Ag, 7000 Stuttgart Einrichtung zur Regelung des Mengendurchsatzes von Mühlen und Brechern
US3769096A (en) 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (ko) 1973-10-12 1979-02-24
DE2407110C3 (de) 1974-02-14 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz
US4165022A (en) * 1977-03-02 1979-08-21 Ransburg Corporation Hand-held coating-dispensing apparatus
JPS54101176A (en) 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4246298A (en) 1979-03-14 1981-01-20 American Can Company Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application
JPS5641938U (ko) 1979-09-10 1981-04-17
US4340057A (en) 1980-12-24 1982-07-20 S. C. Johnson & Son, Inc. Radiation induced graft polymerization
SE426121B (sv) * 1981-04-28 1982-12-06 Ericsson Telefon Ab L M Hogspenningsomvandlare
EP0108650A3 (en) 1982-11-09 1986-02-12 Zytrex Corporation Programmable mos transistor
DE3321071A1 (de) 1983-06-10 1984-12-13 Basf Ag Druckschalter
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
US4554229A (en) 1984-04-06 1985-11-19 At&T Technologies, Inc. Multilayer hybrid integrated circuit
JPS6265472A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Toshiba Corp Mis型半導体素子
US4926052A (en) 1986-03-03 1990-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation detecting device
EP0268370B1 (en) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Switching device
GB2215307B (en) 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
JPH03500033A (ja) 1988-06-21 1991-01-10 ダブリュー アンド ティー エイヴァリー リミテッド ポータブル電子トークンの製造法
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
DE69018348T2 (de) 1989-07-25 1995-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren.
FI84862C (fi) 1989-08-11 1992-01-27 Vaisala Oy Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FI91573C (sv) 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
JP2969184B2 (ja) 1990-04-09 1999-11-02 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタメモリ
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
DE4103675C2 (de) * 1991-02-07 1993-10-21 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung von Wechselspannungs-Eingangssignalen
FR2673041A1 (fr) 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
EP0501456A3 (en) 1991-02-26 1992-09-09 Sony Corporation Video game computer provided with an optical disc drive
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
US5332315A (en) 1991-04-27 1994-07-26 Gec Avery Limited Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
WO1993009469A1 (de) 1991-10-30 1993-05-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Belichtungsvorrichtung
JP2709223B2 (ja) 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
EP0603939B1 (en) 1992-12-21 1999-06-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. N-type conductive polymer and method of preparing such a polymer
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
EP0615256B1 (en) 1993-03-09 1998-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a pattern of an electrically conductive polymer on a substrate surface and method of metallizing such a pattern
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
DE4312766C2 (de) 1993-04-20 1997-02-27 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung
JPH0722669A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
AU7563294A (en) 1993-08-24 1995-03-21 Metrika Laboratories, Inc. Novel disposable electronic assay device
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
IL111151A (en) 1994-10-03 1998-09-24 News Datacom Ltd Secure access systems
KR100350817B1 (ko) 1994-05-16 2003-01-24 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기반도체물질로형성된반도체장치
IL110318A (en) 1994-05-23 1998-12-27 Al Coat Ltd Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices
US5684884A (en) 1994-05-31 1997-11-04 Hitachi Metals, Ltd. Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5528222A (en) 1994-09-09 1996-06-18 International Business Machines Corporation Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
JPH0898508A (ja) * 1994-09-27 1996-04-12 Matsushita Electric Works Ltd 電源装置
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
DE19506907A1 (de) * 1995-02-28 1996-09-05 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH0933645A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd トランスポンダの電源回路
US5652645A (en) 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
GB2310493B (en) 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19629656A1 (de) 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US6344662B1 (en) 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
JP4509228B2 (ja) 1997-08-22 2010-07-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法
BR9811636A (pt) 1997-09-11 2000-08-08 Precision Dynamics Corp Etiqueta de identificação de rádio freqâência em substrato flexìvel
EP1296280A1 (en) * 1997-09-11 2003-03-26 Precision Dynamics Corporation Rf-id tag with integrated circuit consisting of organic materials
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
EP0958663A1 (en) 1997-12-05 1999-11-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
US5997817A (en) 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
JP2002515641A (ja) 1998-01-28 2002-05-28 シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ 三次元の導電性または半導電性構造体を生成する方法およびこの構造体を消去する方法
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
EP1105772B1 (en) 1998-04-10 2004-06-23 E-Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
KR100282393B1 (ko) 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
DE19836174C2 (de) 1998-08-10 2000-10-12 Illig Maschinenbau Adolf Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung
US6215130B1 (en) 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
CA2340005C (en) 1998-08-26 2014-05-06 Sensors For Medicine And Science, Inc. Optical-based sensing devices
JP4493741B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE19851703A1 (de) 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
WO2000041893A1 (en) 1999-01-15 2000-07-20 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US6517955B1 (en) 1999-02-22 2003-02-11 Nippon Steel Corporation High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof
US6300141B1 (en) 1999-03-02 2001-10-09 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
TW508975B (en) 1999-03-29 2002-11-01 Seiko Epson Corp Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor
KR100412743B1 (ko) 1999-03-30 2003-12-31 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막 트랜지스터의 제조 방법
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
FR2793089B3 (fr) 1999-04-28 2001-06-08 Rene Liger Transpondeur a antenne integree
DE19919448A1 (de) 1999-04-29 2000-11-02 Miele & Cie Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation
DE19921024C2 (de) 1999-05-06 2001-03-08 Wolfgang Eichelmann Videospielanlage
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
EP1052594A1 (de) 1999-05-14 2000-11-15 Sokymat S.A. Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69913745T2 (de) 1999-05-17 2004-10-07 Goodyear Tire & Rubber Rf transponder und verfahren zur steuerung der rf signalmodulation in einem passiven transponder
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
JP2001085272A (ja) 1999-07-14 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変容量コンデンサ
US6366017B1 (en) 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
DE19933757A1 (de) 1999-07-19 2001-01-25 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit integrierter Batterie
DE19935527A1 (de) 1999-07-28 2001-02-08 Giesecke & Devrient Gmbh Aktive Folie für Chipkarten mit Display
DE19937262A1 (de) 1999-08-06 2001-03-01 Siemens Ag Anordnung mit Transistor-Funktion
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
EP1085320A1 (en) 1999-09-13 2001-03-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw A device for detecting an analyte in a sample based on organic materials
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
WO2001023131A1 (fr) 1999-09-28 2001-04-05 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Procede et dispositif de perçage par laser
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
EP1149420B1 (en) 1999-10-11 2015-03-04 Creator Technology B.V. Integrated circuit
US6335539B1 (en) 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
EP1103916A1 (de) 1999-11-24 2001-05-30 Infineon Technologies AG Chipkarte
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6136702A (en) 1999-11-29 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
EP1243032B1 (en) 1999-12-21 2019-11-20 Flexenable Limited Inkjet-fabricated integrated circuits
AU779878B2 (en) 1999-12-21 2005-02-17 Flexenable Limited Forming interconnects
US7002451B2 (en) 2000-01-11 2006-02-21 Freeman Jeffrey R Package location system
JP2002162652A (ja) 2000-01-31 2002-06-07 Fujitsu Ltd シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
TW497120B (en) 2000-03-06 2002-08-01 Toshiba Corp Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2005-01-26 Necエレクトロニクス株式会社 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器
DE10012204A1 (de) 2000-03-13 2001-09-20 Siemens Ag Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut
EP1134694A1 (de) 2000-03-16 2001-09-19 Infineon Technologies AG Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung
KR100767204B1 (ko) 2000-03-28 2007-10-17 다이어베티스 다이어그노스틱스, 인크. 일회용 전기화학적 센서의 연속 제조 방법
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10032260B4 (de) * 2000-07-03 2004-04-29 Texas Instruments Deutschland Gmbh Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
DE10120687A1 (de) 2001-04-27 2002-10-31 Siemens Ag Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
US7875975B2 (en) 2000-08-18 2011-01-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag
JP2002068324A (ja) 2000-08-30 2002-03-08 Nippon Sanso Corp 断熱容器
DE10043204A1 (de) 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10044842A1 (de) * 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
DE10047171A1 (de) 2000-09-22 2002-04-18 Siemens Ag Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu
KR20020036916A (ko) 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
DE10058559A1 (de) 2000-11-24 2002-05-29 Interactiva Biotechnologie Gmb System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter
KR100390522B1 (ko) 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10061297C2 (de) 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
GB2371910A (en) 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
DE10105914C1 (de) 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
US6767807B2 (en) 2001-03-02 2004-07-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic thin film device and transfer material used therein
DE10117663B4 (de) 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
DE10120686A1 (de) 2001-04-27 2002-11-07 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung
AU2002340793A1 (en) 2001-05-07 2002-11-18 Coatue Corporation Molecular memory device
US20020170897A1 (en) 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
CN1292496C (zh) 2001-05-23 2006-12-27 造型逻辑有限公司 器件的图案形成
US6870180B2 (en) 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
DE20111825U1 (de) 2001-07-20 2002-01-17 Lammering, Thomas, Dipl.-Ing., 33335 Gütersloh Printmedium
DE10141440A1 (de) 2001-08-23 2003-03-13 Daimler Chrysler Ag Tripodegelenk
JP2003089259A (ja) 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6679036B2 (en) 2001-10-15 2004-01-20 Shunchi Crankshaft Co., Ltd. Drive gear shaft structure of a self-moving type mower
DE10151440C1 (de) 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE10163267A1 (de) 2001-12-21 2003-07-03 Giesecke & Devrient Gmbh Blattgut mit einem elektrischen Schaltkreis sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung des Blattguts
DE10209400A1 (de) * 2002-03-04 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung
US6777829B2 (en) * 2002-03-13 2004-08-17 Celis Semiconductor Corporation Rectifier utilizing a grounded antenna
DE10219905B4 (de) 2002-05-03 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6914528B2 (en) * 2002-10-02 2005-07-05 Battelle Memorial Institute Wireless communication systems, radio frequency identification devices, methods of enhancing a communications range of a radio frequency identification device, and wireless communication methods
AT502890B1 (de) 2002-10-15 2011-04-15 Atomic Austria Gmbh Elektronisches überwachungssystem zur kontrolle bzw. erfassung einer aus mehreren sportartikeln bestehenden sportartikelkombination
US6870183B2 (en) 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
US20060118778A1 (en) 2002-11-05 2006-06-08 Wolfgang Clemens Organic electronic component with high-resolution structuring and method for the production thereof
EP1563553B1 (de) 2002-11-19 2007-02-14 PolyIC GmbH & Co. KG Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
ATE540436T1 (de) 2002-11-19 2012-01-15 Polyic Gmbh & Co Kg Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten
US7078937B2 (en) * 2003-12-17 2006-07-18 3M Innovative Properties Company Logic circuitry powered by partially rectified ac waveform

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