MX2007007460A - Rectificador organico. - Google Patents
Rectificador organico.Info
- Publication number
- MX2007007460A MX2007007460A MX2007007460A MX2007007460A MX2007007460A MX 2007007460 A MX2007007460 A MX 2007007460A MX 2007007460 A MX2007007460 A MX 2007007460A MX 2007007460 A MX2007007460 A MX 2007007460A MX 2007007460 A MX2007007460 A MX 2007007460A
- Authority
- MX
- Mexico
- Prior art keywords
- rectifier
- organic
- stage
- diode
- capacitor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/06—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
- H02M7/10—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode arranged for operation in series, e.g. for multiplication of voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/06—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Near-Field Transmission Systems (AREA)
Abstract
La invencion se refiere a un dispositivo (5) electronico en la forma de un cuerpo de pelicula de capas multiples, flexible, en particular un transportador RFID, y a un rectificador (52) para tal dispositivo electronico. El rectificador (52) tiene al menos dos diodos organicos o transistores organicos de efecto de campo, cada uno teniendo al menos un capa funcional electrica compuesta de un material organico semiconductor. El rectificador (52) tiene ademas dos o mas capacitares de carga o de inversion de carga que se conectan a los dos o mas diodos organicos o transistores organicos de efecto de campo de tal forma que los capacitares de carga o de inversion de carga se pueden cargar via trayectorias de corriente diferentes.
Description
RECTIFICADOR ORGÁNICO CAMPO DE LA INVENCIÓN La invención se refiere a un rectificador que tiene al menos dos diodos orgánicos o transistores de efecto de campo orgánico, los cuales se emplean por ejemplo como un rectificador de un transpondedor RFID (RDIF = Identificación de Radio Frecuencia) , y a un dispositivo electrónico en forma de un cuerpo de película multicapa flexible. ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN Los transpondedores RFI están siendo empleados de manera creciente para proporcionar mercancías, artículos o productos de seguridad con la información que puede ser leída electrónicamente. Por lo tanto estos están siendo empleados, por ejemplo, como códigos de barras electrónicos para productos de consumo, como etiquetas de equipajes para identificar equipaje o como elementos de seguridad que se incorporan en la encuademación de un pasaporte y almacenan información de autentificación. Los transpondedores RFID comprenden usualmente dos componentes, una antena y un circuito integrado de silicio. La señal de transporte de RF transmitida por una estación base se acopla en el circuito resonante de la antena del transpondedor RFID. El circuito integrado de silicio modula un objeto adicional de la información en la señal alimentada de vuelta a
la estación base. En este caso, el transpondedor RFID no se provee usualmente con una fuente de energía independiente. La energía se suministra al circuito integrado de silicio por medio de un rectificador el cual convierte la señal de transporte de RF acoplada en el circuito resonante de la antena en un voltaje DC y por lo tanto utiliza adicionalmente esta como una fuente de energía para el circuito integrado de silicio . Con el fin de poder reducir los costos de producción para los transpondedores RFID, se ha propuesto usar circuitos integrados orgánicos en base a transistores de efecto de campo orgánico en los transpondedores RFID. Por lo tanto, la WO 99/30432, por ejemplo, propone utilizar un circuito integrado construido substancialmente de material orgánico en un transpondedor RFID, dicho circuito integrado que proporciona la función de un generador de códigos de identificación o ID. El generador de códigos de identificación o ID se alimenta con un suministro de voltaje por medio de dos diodos rectificadores acoplados al circuito resonante de la antena. Dichos diodos rectificadores, corriente debajo de los cuales se conecta un capacitor de aplanamiento, comprenden dos transistores de efecto de campo interconectados de manera especial .
Aunque el uso de tales transistores de efecto de campo interconectados de manera especial hace posible realizar diodos rectificadores por medio de componentes orgánicos, si los transistores de efecto de campo orgánico se conectan de esta manera con el fin de usarlos como diodos rectificadores, la frecuencia que puede ser detectada por dichos diodos es muy limitada ya que los transistores de efecto de campo orgánico generalmente conmutan de manera significativamente más lenta que la frecuencia portadora de RF . Los rangos de frecuencia típicos usados para los transpondedores RFID son, por ejemplo, 125 a 135 kHz, 13 a 14 MHz, 6 a 8 MHz, 20 a 40 MHz, 860 a 950 MHz, 0 1.7 a 2.5 GHz. Sin embargo, los circuitos orgánicos son significativamente más lentos que todos los circuitos a base de silicio ya que los semiconductores orgánicos por lo general tienen una movilidad de portadora de carga menor que los transistores de efecto de campo de silicio y orgánicos basados en el principios de acumulación de portadora de carga en lugar de en el principio de inversión de portadora de carga. Esto resulta en una menor velocidad de conmutación en comparación con los transistores de silicio y un comportamiento de conmutación diferente (por ejemplo, inconveniencia para el voltaje AC) . Si los transistores de efecto de campo orgánicos como se describen en WO 99/30342 se conectan así para formar un
rectificador, el rectificador realiza por lo tanto conmutaciones de manera significativamente más lenta (menos de 100 kHz) que la frecuencia de trasmisión de la señal portadora emitida por la estación base. Se propone además en WO 02/21612 construir un rectificador orgánicos en el cual al menos una de las capas conductoras con dopado pn un diodo semiconductor pn se complementa o se reemplaza por un material conductor orgánico. Se propone además, en un diodo semiconductor metálico convencional (diodo de Schottky) reemplazar al menos una capa por una capa orgánica. La elección de las dimensiones de las áreas de capacitancia de este rectificador hace posible establecer la frecuencia de conmutación del rectificador de conmutación. Además se da una descripción para conectar un capacitor de aplanamiento corriente debajo de un rectificador construido a partir de tales componentes orgánicos, el cual capacitor de aplanamiento aplana el voltaje DC que llega en un modo pulsante corriente abajo del rectificador y se conecta en paralelo con la resistencia de carga. Sin embargo, tales rectificadores orgánicos, tampoco son muy efectivos a frecuencia superiores a 1 MHz. Esto se puede atribuir a la baja movilidad de los semiconductores orgánicos los cuales están disponibles actualmente y los cuales pueden ser usados en tales rectificadores orgánicos. La zona de carga
espacial que lleva al efecto de rectificación ya no se acumula lo suficientemente rápido a frecuencias altas a causa de la baja movilidad de la portadora de carga en el semiconductor orgánico. La eficiencia del rectificador disminuye como resultado de esto, lo cual hace más difícil suministrar las cargas corriente abajo con voltaje DC La invención se basa en el objetivo, entonces, de mejorar el suministro de las cargas corriente abajo por medio de un rectificador orgánico. Este objetivo se logra por un rectificador para convertir un voltaje AC presente entre dos terminales de entrada del rectificador, a un voltaje DC, el cual rectificador tiene al menos dos diodos orgánicos y/o transistores de efecto de campo orgánicos cada uno que tiene al menos una capa funcional eléctrica compuesta de un material orgánico semiconductor y también dos o más capacitares de carga o de inversión de carga los cuales se conectan a los dos o más diodos orgánicos o transistores de efecto de campo orgánicos de manera tal que los capacitares de carga o de inversión de carga se pueden cargar vía diferentes trayectorias de corriente . Este objetivo se logra además por medio de un dispositivo electrónico en forma de un cuerpo de película multicapas flexible, el cual dispositivo electrónico tiene una fuente de voltaje y un rectificador configurados en
la manera descrita arriba, dicho rectificador que se alimenta por medio de la fuente de voltaje. En este caso, la invención se basa en el concepto de compensar la baja movilidad del portador de carga de los semiconductores orgánicos por la interconexión con dos o más capacitores de carga o de inversión de carga los cuales se cargan por medio de diferentes trayectorias de corriente del rectificador. La interconexión descrita arriba de componentes orgánicos y capacitores para formar un rectificador orgánico hace posible que el factor de rectificación GRS = 11=/\5a se incremente significativamente. Los experimentos han mostrado así, por ejemplo, que por medio de un rectificador de media onda orgánico convencional a una frecuencia de 13.56 MHz, por ejemplo, sólo aproximadamente 5% de la amplitud del voltaje de AC U* alimentada se convierte en un voltaje de DC U= a la salida, lo cual corresponde a un factor de rectificación de GRV = U=/U* = 0.05, de manera tal que las cargas corriente abajo pueden ser suministradas con voltaje DC solamente con mucha dificultad. Por lo tanto, la posibilidad de la rectificación de las señales de HF acopladas (HF = alta frecuencia) por medio de componentes orgánicos se considera imposible en el presente aun por muchos expertos, el uso de rectificadores orgánicos en transpondedores de RFID se rechaza
y esta se debe a la baja movilidad del portador de carga en los semiconductores orgánicos conocidos al momento. La invención proporciona un remedio aquí y hace posible, a través de la interconexión mencionada arriba de componentes orgánicos con capacitores de carga o de inversión de carga, para proporcionar un rectificador orgánico el cual puede suministrar a las cargas corriente arriba con el voltaje DC requerido aun a frecuencias altas. En Este caso, las cargas posibles incluyen circuitos lógicos orgánicos, elementos de pantalla y también electrónica convencional. En este caso, el rectificador de acuerdo con la invención comprende una construcción multicapas compuesta de dos, tres o más capas, al menos una capa de las cuales es una capa activa compuesta de material semiconductor orgánico. En este caso, un diodo orgánico realizado en esta construcción de multicapas tiene una unión de semiconductor metálico o una unión pn con semiconductores orgánicos, en cuyo caso el metal también puede ser reemplazado por un conductor inorgánico. En este caso, la secuencia de capas funcionales individuales se puede arreglar tanto verticalmente y lateralmente. Para mejorar las propiedades eléctricas - por ejemplo, la inyecciones de portadores de carga- es concebible también introducir intercapas adicionales las cuales complementan las capas funcionales actuales.
Además, también es posible que los transistores de efecto de campo orgánicos cuyo electrodo de puerta se conecta al electrodo fuente o drenador sean usados como los diodos orgánicos en el rectificador. Los desarrollos ventajosos de la invención se mencionan en las sub-reivindicaciones . De acuerdo con la primera modalidad ejemplificante de la invención, un primer capacitor de carga y un primer diodo orgánico se disponen en una primera línea de conducción ramificada y un segundo capacitor y un segundo diodo orgánico se disponen en una segunda línea de conducción ramificada. La primera y la segunda líneas de conducción ramificadas se acoplan en un arreglo paralelo con la entrada del rectificador, el primero y el segundo diodos orgánicos se conectan en un arreglo adosado del ánodo y el cátodo respectivo en la primera y respectivamente la segunda líneas de conducción ramificadas. De acuerdo con otra modalidad ejemplificante de la invención, un primer diodo orgánico y un segundo diodo orgánico se conectan en un arreglo adosado del ánodo y el cátodo respectivos vía un capacitor de inversión de carga con la primera terminal de entrada del rectificador. El primer diodo orgánico se conecta a la segunda terminal de entrada del rectificador. El segundo diodo orgánico se conecta vía un
capacitor de carga a la segunda terminal de carga del rectificador. De acuerdo con este arreglo, el cátodo del primer diodo orgánico y el ánodo del segundo diodo orgánico se pueden conectar por lo tanto vía el capacitor de inversión de carga a la primera terminal de entrada, de tal manera que el ánodo del primer diodo orgánico y el cátodo del segundo diodo orgánico se conectan mutuamente vía el capacitor de carga y el ánodo del primer diodo orgánico se conecta a la segunda terminal de entrada. Sin embargo, el ánodo del primer diodo orgánico y el cátodo del segundo diodo orgánico también se puede conectar vía el capacitor de inversión de carga a la primera terminal de entrada, de tal manera que el cátodo del primer diodo orgánico y el ánodo del segundo diodo orgánico se conectan uno al otro vía el capacitor de carga y el ánodo del primer diodo orgánico se conecta a la segunda terminal de carga . Los rectificadores orgánicos de esta manera tienen la ventaja de que aun con una baja salida es posible lograr un aumento en el suministro de voltaje que puede ser obtenido en el lado de la salida. El rectificador orgánico puede ser fabricado por lo tanto de manera particularmente redituable, por ejemplo, por medio de un proceso laminado a laminado. Un aumento adicional en el suministro de voltaje disponible en el lado de salida se puede obtener construyendo
el rectificador de dos o más etapas las cuales se conectan una con la otra. Cada etapa del rectificador comprende dos capacitores de carga o de inversión de carga y dos diodos orgánicos o transistores orgánicos de efecto de campo los cuales se conectan de manera tal que los capacitores de carga o de inversión de carga se pueden cargar vía rutas de corriente diferentes y estos tienen en cada caso dos terminales de entrada y dos terminales de acoplamiento para acoplar las terminales de entrada de la otra etapa. El rectificador puede en este caso ser construido de dos o más etapas de tipo idéntico las cuales se conectan en un modo de cascada . En una etapa construida de manera particularmente ventajosa la cual se puede usar para tal conexión en cascada, el cátodo del primer diodo orgánico y el ánodo del segundo diodo orgánico se conectan a la primera terminal de acoplamiento de la primera etapa y vía el capacitor de inversión de carga a la primera terminal de entrada de la primera etapa. El ánodo del primer diodo orgánico y el cátodo del segundo diodo orgánico se conectan mutuamente vía el capacitor de carga. El ánodo del primer diodo orgánico se conecta a la segunda terminal de entrada de la etapa y el cátodo del segundo diodo orgánico se conecta a la segunda terminal de acoplamiento de la etapa. Una etapa construida de
esta manera se denomina de aquí en adelante como la "primera etapa" . Además, también es posible que el ánodo del primer diodo orgánico y el cátodo del segundo diodo orgánico se conecten a la primera terminal de acoplamiento de la etapa y vía el capacitor de inversión de carga a la primera terminal de entrada de la etapa. El cátodo del primer diodo orgánico y el ánodo del segundo diodo orgánico se conectan mutuamente vía el capacitor de carga. El cátodo del primer diodo orgánico se conecta a la segunda terminal de entrada de la etapa y el ánodo del segundo diodo orgánico se conecta a la segunda terminal de acoplamiento de la etapa. Una etapa construida de esta manera se denomina de aquí en adelante como la "segunda etapa" . En la conexión en cascada de las primeras etapas o las segundas etapas, la primera y la segunda terminales de entrada de la etapa delantera forman la primera y respectivamente la segunda terminal de entrada del rectificador. Las terminales de acoplamiento de la etapa respectiva se conectan a las terminales de entrada de la etapa corriente abajo, siempre que la etapa respectiva no forme la última etapa del rectificador. La salida del rectificador se forma por la segunda terminal de entrada de la etapa delantera y por la segunda terminal de acoplamiento de la última etapa.
Además, también es posible que la primera y la segunda etapas se conecten mutuamente en un rectificador. En un rectificador construido de esta manera, la primera y la segunda terminales de entrada de una primera etapa y de una segunda etapa se conectan mutuamente y forman las terminales de entrada del rectificador. Un número arbitrario y primeras y segundas etapas se conectan subsecuentemente en la manera descrita arriba en cada caso a las terminales de acoplamiento de la precedente primera y respectivamente la segunda etapa. La salida del rectificador se forma por la segunda terminal de acoplamiento de la última primera etapa y por la segunda terminal de acoplamiento de la última segunda etapa. La ventaja de tal arreglo de dos diferentes tipos de etapas es que - para el mismo voltaje de alimentación - se puede aumentar la corriente DC que puede hacerse disponible para la carga corriente abajo. El factor de rectificación puede ser aumentado además usando componentes orgánicos como diodos orgánicos los cuales tienen un intercapa para bajar la capacitancia parasitaria del diodo orgánico. Como resultado de la reducción de las capacitancias parasitarias de los diodos orgánicos, se mejora la efectividad de los procesos de carga/invención de carga en los capacitores de carga o de inversión de carga y aumenta por lo tanto la eficiencia del rectificador.
De acuerdo con otra modalidad ejemplificante de la invención, la primera yo la segunda terminales de entrada del rectificador se conectan vía uno o una pluralidad de primeros transistores de efecto de campo orgánicos a un capacitor de inversión de carga. El capacitor de inversión de carga se conecta vía uno o una pluralidad de segundos transistores de efecto de campo a un capacitor de carga. El uno o la pluralidad de primeros y segundos transistores de efecto de campo se controlan por un circuito lógico. En este caso, el circuito lógico controla los primeros transistores de efecto de campo de manera tal que se aplica un voltaje alternante al capacitor de inversión de carga. Las ventajas particulares se dan cuando un rectificador de acuerdo con la invención se usa en un dispositivo eléctrico que tiene, como fuente de voltaje, un circuito resonante que incluye una antena y un capacitor. Acoplando un circuito resonante de una antena tal a un rectificador de acuerdo con la invención, se puede proporcionar un suministro de voltaje DC de los montajes electrónicos corriente abajo, el cual puede ser producido de manera particularmente redituable, proporciona un voltaje de alimentación suficiente y se puede materializar en forma de un cuerpo flexible. Las ventajas particulares se dan además si un circuito integrado orgánico se usa como un montaje electrónico corriente abajo. Debido de
las características particulares de los circuitos integrados orgánicos (por ejemplo, requerimientos de corriente muy bajos) , tal circuito se adapta particularmente bien a las características del rectificador de acuerdo con la invención. Además, un dispositivo electrónico de este tipo puede ser fabricado de manera redituable para aplicaciones de producción en masa y productos desechables usando una tecnología de fabricación uniforme. Además del uso de tal circuito resonante como una fuente de voltaje, es posible proporcionar un oscilador, por ejemplo un oscilador de anillo, en la fuente de voltaje o aplicar un voltaje alternante a los capacitores de carga y/o de inversión de carga a través de controlar los correspondientes dos o más transistores de efecto de campo. La invención se explica a manera de ejemplo abajo con base en una pluralidad de modalidades ejemplificantes con la ayuda de los dibujos anexos. BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS La Figura 1 muestra un diagrama de bloques de un rectificador orgánico de acuerdo con una primear modalidad ejemplar. La Figura 2 muestra un diagrama de bloques de un rectificador orgánico para otra modalidad ejemplar.
La Figura 3 muestra un diagrama de bloques de un rectificador orgánico para otra modalidad ejemplar. La Figura 4 muestra un diagrama de bloques de un rectificador orgánico conectado en cascada para otra modalidad ejemplar. La Figura 5 muestra un diagrama de bloques de un rectificador orgánico conectado en cascada para otra modalidad ejemplar. La Figura 6 muestra un diagrama de bloques de un dispositivo electrónico con un rectificador. La Figura 7 muestra un diagrama de bloques de un dispositivo electrónico para otra modalidad ejemplar. La Figura 8 muestra un diagrama de bloques de un dispositivo electrónico para otra modalidad ejemplar. DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN Los rectificadores ilustrados en las figuras, fig. 1 a fig. 5, comprenden cada uno un cuerpo de película multicapas, flexible, que tiene uno o una pluralidad de capas eléctricas funcionales. Las capas eléctricas funcionales del cuerpo de película comprenden (orgánicamente) capas conductoras, capas orgánicamente semiconductoras y/o capas orgánicas aislantes las cuales, al menos parcialmente en forma estructurada, se disponen una arriba de la otra. A lo largo de estas capas eléctricas funcionales, el cuerpo de película multicapas
opcionalmente también comprende uno o una pluralidad de capas portadoras, capas protectoras, capas decorativas, capas de promoción de adhesión o capas adhesivas. Las capas eléctricas funcionales comprenden preferiblemente una metalización estructurada, conductora, compuesta preferiblemente de oro o plata. Sin embargo, se puede hacer una disposición para fabricar dichas capas funcionales de un material inorgánico eléctricamente conductor, por ejemplo, para fabricarlas de óxido de indio y estaño o de un polímero conductor, por ejemplo de polianilina o polipirrol. Las capas funcionales orgánicamente semiconductoras comprenden, por ejemplo, polímeros conjugados, tales como politiofenos, politienilenvinilenos o derivados de poli -fluoreno, los cuales se aplican como una solución por revestimiento por rotación, revestimiento aplicado por cuchilla o impresión. Las así llamadas "moléculas pequeñas", es decir oligómeros tales como sexitiofeno o pentaceno, los cuales se depositan por vapor, por medio de una técnica al vacío, también so adecuados como la capa semiconductora orgánica. Estas capas orgánicas se aplican preferiblemente en un modo de patrón por medio de un método de impresión (huecograbado, impresión por serigrafía, o impresión por almohadilla) . Para este propósito, los materiales orgánicos proporcionados para las capas se forman como polímeros solubles, el termino polímeros en este caso,
como ya se describió adicionalmente arriba, también incluye oligómeros y "moléculas pequeñas" . En este caso, las capas eléctricas funcionales del cuerpo de película respectivo se configuran de tal manera que estos se materializan en los circuitos eléctricos ilustrados en las figuras, la fig. 1 a fig. 5. Los circuitos eléctricos descritos abajo con referencia a las figuras, fig. 1 a fig. 5 en cada comprenden dos o mas capacitores de carga o de inversión de carga y dos o más diodos. Los diodos orgánicos se realizan en el cuerpo de película multicapas por una unión de semiconductor metálico o una unión pn entre un semiconductor de conducción n y de conducción p. En este caso, la secuencia de las capas funcionales individuales se puede disponer tanto verticalmente y lateralmente. Además, es posible aquí, con el fin de mejorar las propiedades eléctricas, por ejemplo, la inyección de portadores nutrientes - introducir intercapas adicionales las cuales complementan las capas eléctricamente funcionales descritas arriba. Un diodo orgánico puede ser realizado por lo tanto, por ejemplo, por medio de tres capas sucesivas, la primera capa que es un capa de electrodo conductora eléctricamente que forma el cátodo, la segunda capa es una capa compuesta de un material semiconductor orgánico y la
tercera capa es una capa de electrodo eléctricamente conductora que formas el ánodo. En este caso, la capa semiconductora orgánica tiene un espesor de capa de 60 a 2000 nm, por ejemplo. La capa conductora puede comprender uno de los materiales descritos arriba, es decir, ya sea un metal o un material orgánicamente conductor, los cuales se pueden aplicar por un proceso de impresión. Además, también es posible que los diodos orgánicos sean realizados por medio de una construcción de cuatro capas que comprenden dos capas de electrodos y dos capas semiconductoras orgánicas, intercaladas, una de las cuales tiene propiedades de conducción n y la otra de las cuales tiene propiedades de conducción p. Se hace referencia de aquí en adelante al contenido de WO 02/21612 con respecto a la construcción de los diodos orgánicos . Además, también es posible que los diodos orgánicos sean formados por un transistor de efecto de campo orgánico cuyo electrodo de puerta se conecta al electrodo de drenado. Los capacitores de carga o de inversión de carga realizados en el cuerpo de película multicapas se forman por dos capas conductoras eléctricamente y una capa de aislamiento intercalada. Las capas conductoras eléctricamente pueden comprender uno de los materiales descritos arriba, puede
comprender por lo tanto, por ejemplo, capas metálicas o capas orgánicas conductoras eléctricamente, las cuales han sido aplicadas por medio de un método de impresión. En este caso, los capacitores de carga o de inversión de carga tienen una capacitancia dentro del rango de 1 pF a 2 nF . La Figura 1 muestra un rectificador 1 que comprende dos diodos, 0D1 y 0D2 , orgánicos y dos capacitores, Cl y C2 , de carga. El rectificador 1 tiene una entrada El con terminales de entrada Ell y E12 y una salida Al. La terminal Ell de salida se conecta al cátodo del diodo OD1 orgánico y al ánodo del diodo OD2 orgánico. El ánodo del diodo OD1 se conecta vía el capacitor Cl de carga y el cátodo del diodo OD2 se conecta vía el capacitor C2 de carga a la terminal E12 de entrada. El voltaje de salida se bifurca o deriva entre el cátodo del diodo OD2 orgánico y el ánodo del diodo 0D1 orgánico. El voltaje AC de entrada presente en la entrada El se rectifica por medio del diodo 0D1 orgánico en un voltaje negativo a través del capacitor Cl de carga y se rectifica por medio del diodo OD2 orgánico para formar un voltaje positivo. El voltaje DC del lado de la salida presente en la salida Al corresponde por lo tanto a la suma de las magnitudes de los voltajes a través de Cl y C2. La Figura 2 muestra un rectificador 2 que tiene un capacitor Cl de inversión de carga, un capacitor C2 de carga y
dos diodos, OD1 y OD2 , orgánicos. El rectificador 2 tiene una entrada E2 con dos terminales E21 y E22 de entrada, una salida A2 y dos terminales de acoplamiento B21 y B22. El capacitor Cl de inversión de carga se conecta a un extremo de la terminal E21 de entrada y en el otro extremo a la terminal B21 de acoplamiento, el cátodo del diodo OD1 orgánico y el ánodo del diodo OD2 orgánico. El capacitor C2 de carga se conecta en un extremo al ánodo del diodo OD1 orgánico y la terminal E22 de entrada y en el otro extremo al cátodo del diodo OD2 orgánico y a la terminal B22 de acoplamiento. El voltaje de salida se deriva vía el capacitor C2. El voltaje AC de entrada aplicado a la entrada E2 se rectifica por medio de diodo OD1 orgánico para formar un voltaje a través del capacitor Cl de inversión de carga. Durante el medio ciclo positivo del voltaje AC de entrada. Las cargas positivas situadas en el capacitor Cl de inversión de carga pueden ser transpondidas via el diodo 0D2 orgánico al capacitor C2 de carga. Un voltaje positivo creciente se acumula por lo tanto a través del capacitor C2 de carga, y puede ser derivado vía la salida A2. La Figura 3 muestra un rectificador 3 que tiene un capacitor Cl de inversión de carga, dos diodos orgánicos OD1 y OD2 y un capacitor C2 de carga. El rectificador 3 tiene una entrada E3 con dos terminales E31 y E32 de entrada, una salida A3 y dos terminales B31 y B32 de acoplamiento. El capacitor Cl
de inversión de carga se conecta en un extremo a la terminal E31 de entrada y en el otro extremo al ánodo del diodo 0D1 orgánico, el cátodo o el diodo 0D2 orgánico y la terminal B31 de acoplamiento. El capacitor C2 de carga se conecta en un extremo al cátodo del diodo 0D1 orgánico y a la terminal E32 de entrada y se conecta en el otro extremo al ánodo del diodo 0D2 orgánico y a la terminal B32 de acoplamiento. El voltaje de salida se deriva vía el capacitor C2 de carga. En contraste al rectificador 2, en el caso del rectificador 3, durante el semi-ciclo negativo del voltaje AC de entrada, la carga negativa situada en el capacitor Cl de inversión de carga se transponde vía el diodo OD2 orgánico al capacitor C2 de carga, un aumento de voltaje negativo se acumula por lo tanto a través del capacitor de carga C2 , y se deriva vía la salida A3. Los rectificadores ilustrados en la figura 2 y la figura 3 pueden ser conectados en un arreglo en cascada en cada caso para formar un rectificador orgánico multietapas o imprimible. La Figura 4 muestra un ejemplo de tal rectificador. La Figura 4 muestra un rectificador 4 construido a partir de dos o más etapas, de las cuales dos etapas S41 y S42 se muestran en la figura 4. Las etapas S41 y S42 están en cada caso construidas igual que el rectificador 2 de acuerdo con la figura 2. La etapa S41 tiene por lo tanto una entrada con dos
terminales de entrada en E41 y E42, una salida A41 y dos terminales B41 y B42 de acoplamiento. La etapa S42 tiene dos terminales de entrada E43 y E44, una salida A42 y dos terminales B43 y B44 de acoplamiento. Las terminales de entrada y las terminales de acoplamiento de las -etapas S41 y S42 se conectan a un capacitor de inversión de carga, un capacitor de carga y dos diodos orgánicos como se muestra en la figura 2. Las terminales de entrada E41 y E42 de la primera etapa del rectificador 4 forman una entrada del rectificador 4, la cual se designa por E4 en la figura 4. Las terminales de entrada de la etapa corriente abajo se conectan respectivamente a las terminales de acoplamiento de una etapa del rectificador 4. El voltaje DC del lado de salida resulta por lo tanto de la suma de los voltajes de salida en las salidas de las etapas individuales, de tal manera que el voltaje presente en la salida A4 del rectificador se incrementa adicionalmente. También es posible construir el rectificador 4 por medio de un arreglo en cascada de etapas individuales las cuales se construye cada una de manera similar al rectificador 3 de acuerdo con la figura 3. La figura 5 muestra un rectificador 6 compuesto de etapas individuales construidas de manera diferente. El rectificador
6 tiene, por otro lado, dos o más etapas que están construidas cada una como el rectificador 2 de acuerdo con la figura 2. De dichas etapas, la figura 5 muestra dos etapas S61 y S62 que tienen terminales E61 y E62 de entrada y respectivamente E63 y E64, terminales B61 y B62 de acoplamiento y respectivamente B63 y B64 y salidas A61 y respectivamente A62. Estas etapas, como ya se explicó con referencia a la figura 4, están conectadas entre sí en un arreglo en cascada de tal forma que las terminales de entrada de la etapa corriente abajo están conectadas a las terminales de acoplamiento de la etapa precedente . El rectificador 6 además tiene dos o más etapas configuradas como el rectificador 3 de acuerdo con la figura 3. De dichas etapas, la figura 5 muestra dos etapas S63 y S64 que tienen terminales E61 y E62 de entrada y respectivamente E65 y E66, terminales B65 y B66 de acoplamiento y respectivamente B67 y B68 y las salidas A63 y respectivamente A64. Dichas etapas está conectadas de manera similar entre sí de una forma de cascada, como se explicó en la figura 4, de tal forma que las terminales de entrada de la etapa corriente abajo están conectadas a las terminales de acoplamiento de la etapa precedente. Las terminales de entrada de las etapas S61 y S63 están en cada caso conectados a la entrada E6 del rectificador 6, tal que los voltajes de salida positivos
presentes en las salidas de las etapas S61 y S62 se agregan a los voltajes negativos presentes en las salidas de las etapas S63 y S64 y un voltaje de salida incrementado está así presente en la salida A6 del rectificador 6. La figura 6 muestra un dispositivo 5 electrónico que tiene una fuente 51 de energía, un rectificador 52 y un circuito 53 electrónico alimentado por el rectificador 52. El dispositivo 5 electrónico es un transpondedor RFID. El dispositivo 5 electrónico, como ya se explicó con referencia a las figuras 1 a 5, está construido de un cuerpo de película flexible de capas múltiples que tiene dos o más capas funcionales eléctricas. En este caso, la fuente 521 de energía está formada por un circuito resonante de antena que comprende una antena y un capacitor de sintonía. El rectificador 52 está formado por un rectificador construido como uno de los rectificadores 1, 2, 3, 4 o 6 de acuerdo con las figura 1 a la figura 5. El circuito 53 electrónico es un generador de código ID construido de uno o una pluralidad de componentes orgánicos activos o pasivos, preferiblemente transistores de efecto de campo orgánicos . Sin embargo, también es posible para el circuito 53 electrónico proporcionar una función diferente a ser remplazada por la unidad de salida, por ejemplo a ser formada
por un diodo emisor de luz orgánica o una pantalla de cristal líquido . La figura 7 muestra un dispositivo 7 electrónico que sirve para suministrar un circuito lógico orgánico o imprimible. El dispositivo 7 electrónico tiene una fuente 71 de voltaje, un circuito 72 lógico, una pluralidad de transistores 0F1 , 0F2 , 0F3 , 0F4 de efecto de campo orgánico, dos capacitares CS1 y CS2 de carga inversa y un capacitor CO de carga. Los dos capacitares CS1 y CS2 de carga inversa en cada caso tienen la capacitancia del capacitor CO de carga y también se puede remplazar por un capacitor que tiene dos veces la capacitancia o una mayor capacitancia. En este caso, el circuito lógico se alimenta por el voltaje de salida presente a una salida A7 del dispositivo electrónico. La fuente 71 de voltaje suministra un voltaje AC arbitrario con o sin un componente de voltaje DC. La fuente 71 de voltaje se puede entonces formar por ejemplo por un circuito resonante de antena de acuerdo con la figura 6 y/o por una batería, por ejemplo una batería impresa o batería de almacenamiento. El circuito 72 lógico comprende una o una pluralidad de transistores de efecto de campo orgánico conectados entre sí. Controla una matriz de conmutación que comprende los transistores OF1 a OF4 de efecto de campo orgánico. A través de una construcción e impulsión adecuadas
de la matriz de conmutación, un voltaje DC surge como un resultado de los procesos de carga y carga inversa en la salida de la matriz de conmutación. El circuito 72 lógico impulsa así los transistores 0F1 a 0F4 de efecto de campo orgánico, por ejemplo en tal forma que durante el semi-ciclo positivo, los transistores 0F1 y 0F2 de efecto de campo se encienden y los transistores 0F3 y 0F4 de efecto de campo se apagan. Durante un semi-ciclo positivo adicional, los transistores 0F3 y 0F4 de efecto de campo orgánico se encienden ahora y los transistores OF1 y OF2 de efecto de campo orgánico se apagan. Además, es posible proporcionar aún transistores de efecto de campo orgánicos adicionales en la matriz de conmutación para así, por ejemplo, utilizar el semi-ciclo negativo de la fuente 71 de voltaje. Además, también es posible de esta forma incrementar un voltaje DC presente en el lado de entrada en la matriz de conmutación. La figura 8 muestra un dispositivo electrónico que tiene una fuente 81 de voltaje, un oscilador 82 y un rectificador 83. El rectificador 83 tiene una entrada con dos terminales ASI y AS2 de entrada y una salida 8. El rectificador 83 se construye como uno de los rectificadores 1, 2, 3, 4 y 6 de acuerdo con la figura 1 a la figura 5.
La fuente 81 de voltaje es una fuente de voltaje DC, por ejemplo una batería. Además, también es posible que la fuente
81 de voltaje sea un rectificador que se construye de acuerdo con las figuras 1 a 5 y que se alimenta por una fuente de voltaje AC, por ejemplo un circuito resonante de antena. El oscilador 82 es un oscilador de anille que se puede imprimir, que convierte el voltaje de entrada en un voltaje AC, preferiblemente que tiene una frecuencia de menos de 1 MHz. El rectificador 83 es un rectificador que está construido como uno de los rectificadores de acuerdo con las figuras 1 a 5. Por medio de esta construcción, el voltaje se rectifica efectivamente en un voltaje DC presente en la salida 8. También es posible que un rectificador, de acuerdo con las figura 1 a 5, se combine también con un rectificador de acuerdo con la figura 7 de esta forma, es decir para un rectificador de acuerdo con las figuras 1 a 5 junto con una fuente de voltaje AC para formar la fuente 71 de voltaje de acuerdo con la figura 7. Un arreglo de este tipo hace posible obtener por ejemplo una impedancia que se empareja al circuito electrónico suministrado por el rectificador.
línea de conducción, en que las primera y segunda ramificaciones de línea de conducción están acopladas en un arreglo paralelo a la entrada (El) del rectificador (1) , en que el primero y segundo diodos (0D1, 0D2) orgánicos están conectados en un arreglo trasero a trasero del respectivo ánodo y cátodo en la primera y segunda ramificaciones de línea de conducción. 3. El rectificador (2, 3, 4, 6) como se reivindica en la reivindicación 1, caracterizado en que un primer diodo (0D1) orgánico y un segundo diodo (OD2) orgánico) se conectan en un arreglo trasero a trasero del respectivo ánodo y cátodo vía un capacitor (Cl) de carga inversa a la primera terminal (E21, E31, E41, E61) de entrada del rectificador, en que el primer diodo (OD1) orgánico está conectado a la segunda terminal (E22, E32, E42, E62) de entrada del rectificador y el segundo diodo (OD2) orgánico se conecta vía un capacitor (C2) de carga a la segunda terminal (E22, E32, E42, E62) de entrada del rectificador . 4. El rectificado (2) como se reivindica en la reivindicación 3, caracterizado en que el cátodo del primer diodo (0D1) orgánico y el ánodo del segundo diodo (0D2) orgánico se conectan vía el capacitor (Cl) de carga inversa a la primera terminal (C21) de entrada, en que el ánodo del primer diodo (OD1) orgánico y el cátodo del segundo diodo
Claims (1)
- REIVINDICACIONES 1. Un rectificador (1, 2, 3, 4, 6) para un dispositivo (5) electrónico, que tiene un circuito resonante de antena, que comprende una antena y un capacitor, para convertir un voltaje AC presente entre dos terminales (Ell, E12; E21, E22; E31, E32; E41, E42; E61, E62) del rectificador en un voltaje DC, el rectificador que tiene al menos dos diodos (0D1, 0D2) orgánicos y/o transistores (0F1, 0F2 , 0F3 , 0F4) de efecto de campo orgánicos, que tiene cada uno al menos una capa funcional eléctrica compuesta de un material orgánico semiconductor, caracterizado en que el rectificador se acopla al circuito resonante de antena, y en que el rectificador además tiene dos o más capacitares (Cl, C2 , CS1, CS2 , CU) de carga o inversión de carga que se conectan hasta los dos o más diodos orgánicos y/o transistores de efecto de campo orgánico de tal forma que los capacitares de carga o carga inversa se pueden cargar vía diferentes trayectorias. 2. El rectificador (1) como se reivindica en la reivindicación 1, caracterizado en que están dispuestos un primer capacitor (Cl) de carga y un primer diodo (OD1) orgánico en una primera ramificación de línea de conducción, en que están dispuestos un segundo capacitor (C2) de carga y un segundo diodo (OD2) orgánico en una segunda ramificación de (OD2) orgánico están conectados entre sí vía el capacitor (C2) de carga, y en que el ánodo del primer diodo (0D1) orgánico está conectado a la segunda terminal (E22) de entrada. 5. El rectificador (3) como se reivindica en la reivindicación 3, caracterizado en que el ánodo del primer diodo (OD1) orgánico y el cátodo del segundo diodo (OD2) orgánico se conectan vía el capacitor (Cl) de carga inversa a la primera Terminal (E31) de entrada, en que el cátodo del primer diodo (OD1) orgánico y el ánodo del segundo diodo (0D2) orgánico están conectados entre sí vía el capacitor (C2) de carga, y en que el cátodo del primer diodo (OD1) orgánico está conectado a la segunda terminal (E32) de entrada. 6. El rectificador (4, 5) como se reivindica en la reivindicación 1, caracterizado en que el rectificador está construido de dos o más etapas (S41, S42, S64, S63, S61, S62) que se conectan entre sí y que tienen en cada caso dos capacitores de carga o inversión de carga y dos diodos orgánicos que se conectan de tal forma que los capacitores de carga o inversión de carga se pueden cargar vía diferentes trayectorias de corriente, y que tienen en cada caso dos terminales (E41, E42, E43, E44; E61 a E66) de entrada y dos terminales (B41, B42, B43, B44; B61 a B68) de acoplamiento para acoplar las terminales de entrada de una etapa adicional . 7. El rectificador (4, 6) como se reivindica en la reivindicación 6, caracterizado en que, en una primera etapa (S41, S42; S61, S62), el cátodo del primer diodo orgánico y el ánodo del segundo diodo orgánico están conectados a la primera terminal (B41, B43; B61, B63) de acoplamiento de la primera etapa y vía el capacitor de inversión de carga a la primera terminal (E41, E43; E61, E63) de entrada de la primera etapa, en que el ánodo del primer diodo orgánico y el cátodo del segundo diodo orgánico están conectados entre sí vía el capacitor de carga, y en que el ánodo del primer diodo orgánico está conectado a la segunda terminal (E42, E44; E62 , E64) de entrada de la primera etapa y el cátodo del segundo diodo orgánico está conectado a la segunda terminal (B42, B44; B62, B64) de acoplamiento de la primera etapa. 8. El rectificador (4) como se reivindica en la reivindicación 7, caracterizado en que el rectificador tiene dos o más primeras etapas (S41, S42), la primera y segunda terminales (E41, E42) de entrada de la primera etapa (S41) delantera que forma la primera y respectivamente la segunda terminales de entrada del rectificador (4) , la primera y la segunda terminales (B41, B42) de acoplamiento de la respectiva primera etapa (S41) que se conecta a la primera y respectivamente segunda terminales (E43, E44) de entrada de la primera etapa corriente abajo, siempre que la respectiva primera etapa no forme la última etapa del rectificador, y la salida (A4) del rectificador está formado por la segunda terminal (E42) de entrada de la primera etapa delantera o principal y por la segunda terminal (B44) de acoplamiento de la última primera etapa (S42) . 9. El rectificador (6) como se reivindica en la reivindicación 6, caracterizado en que, en una segunda etapa (S63, S64) , el ánodo del primer diodo orgánico y el cátodo del segundo diodo orgánico se conectan a la primera terminal (B65, B67) de acoplamiento de la segunda etapa y vía el capacitor de inversión de carga a la primera terminal (E61, E65) de entrada de la segunda etapa, en que el cátodo del primer diodo orgánico y el ánodo del segundo diodo orgánico se conectan entre sí vía el capacitor de carga, y en que el cátodo del primer diodo orgánico se conecta a la segunda terminal (E62, E66) de entrada de la segunda etapa y el ánodo del segundo diodo orgánico se conecta a la segunda terminal (B66, B68) de acoplamiento de la segunda etapa. 10. El rectificador como se reivindica en la reivindicación 9, caracterizado en que el rectificador tiene dos o más segundas etapas, la primera y la segunda terminales de entrada de la segunda etapa delantera que forma la primera y respectivamente la segunda terminales de entrada del rectificador, la primera y la segunda terminales de acoplamiento de la respectiva segunda etapa que están conectadas a la primera y respectivamente segunda terminales de entrada de la segunda etapa corriente abajo, con la condición que la respectiva segunda etapa no forma la última etapa del rectificador, y la salida del rectificador se forma por la segunda terminal de entrada de la segunda etapa delantera y por la segunda terminal de acoplamiento de la última segunda etapa. 11. El rectificador (6) como se reivindica en la reivindicaciones 7 y 9, caracterizado en que el rectificador tiene uno o una pluralidad de las primeras etapas (S61, S62) y uno o una pluralidad de las segundas etapas (S63, S64), en que la primera y segunda terminales (E61, E62) de entrada de la primera etapa (S61) delantera se conectan a la primera y respectivamente la segunda terminales (E61, E62) de entrada de la segunda etapa (S63) delantera y forma la primera y respectivamente la segunda terminales de entrada del rectificador (6) , y en que la salida del rectificador se forma por la segunda terminal (B64) de acoplamiento de la última primera etapa (S62) y por la segunda terminal (B68) de acoplamiento de la última segunda etapa (S64) . 12. El rectificador como se reivindica en una de las reivindicaciones precedentes, caracterizado en que uno o una pluralidad de los diodos orgánicos se forma por transistores orgánicos de efecto de campo cuyo electrodo de compuerta se conecta al electrodo de fuente o de drenaje. 13. El rectificador como se reivindica en una de las reivindicaciones 1 a 12, caracterizado en que uno o una pluralidad de los diodos orgánicos tiene una intercapa para disminuir la capacitancia parasitaria del diodo orgánico. 14. El rectificador como se reivindica en la reivindicación 1, caracterizado en que la primera y/o segunda terminales de entrada del rectificador se conecta vía uno o una pluralidad de los primeros transistores (0F1, 0F3 , 0F2) orgánicos de efecto de campo al capacitor (CS1, CS2) de inversión de carga, en que el capacitor (CS1, CS2) de inversión de carga está conectado vía uno o una pluralidad de los segundos transistores (OF4) de efecto de campo al capacitor (CO) de carga, y en que el uno o la pluralidad del los primeros transistores de efecto de campo se impulsan por un circuito (72) lógico. 15. Un dispositivo (5, 7, 8) electrónico en la forma de un cuerpo de película de capas múltiples, flexible, en particular en un transpondedor (5) RFID, caracterizado en que el dispositivo electrónico tiene una fuente (51, 71, 81) de voltaje y un rectificador (53, 83) como se reivindica en una de la reivindicaciones precedentes, dicho rectificador se alimenta por la fuente de voltaje, la fuente (51) de voltaje que tiene el circuito de antena resonante, que es adecuado para el acoplamiento en una radiación electromagnética irradiada hacia el dispositivo electrónico. 16. El dispositivo (5) electrónico como se reivindica en la reivindicación 15, caracterizado en que el dispositivo electrónico comprende un circuito (53) electrónico basado en uno o una pluralidad de componentes orgánicos activos o pasivos que se alimenta por el rectificador (52) .
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004063435A DE102004063435A1 (de) | 2004-12-23 | 2004-12-23 | Organischer Gleichrichter |
PCT/DE2005/002293 WO2006066559A1 (de) | 2004-12-23 | 2005-12-20 | Organischer gleichrichter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
MX2007007460A true MX2007007460A (es) | 2007-08-15 |
Family
ID=36117695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
MX2007007460A MX2007007460A (es) | 2004-12-23 | 2005-12-20 | Rectificador organico. |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7724550B2 (es) |
EP (1) | EP1836655A1 (es) |
JP (1) | JP2008526001A (es) |
KR (1) | KR101226340B1 (es) |
CN (1) | CN101088101A (es) |
AU (1) | AU2005318738A1 (es) |
CA (1) | CA2590627A1 (es) |
DE (1) | DE102004063435A1 (es) |
MX (1) | MX2007007460A (es) |
TW (1) | TWI323972B (es) |
WO (1) | WO2006066559A1 (es) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005031448A1 (de) | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Aktivierbare optische Schicht |
US8447234B2 (en) | 2006-01-18 | 2013-05-21 | Qualcomm Incorporated | Method and system for powering an electronic device via a wireless link |
US9130602B2 (en) | 2006-01-18 | 2015-09-08 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for delivering energy to an electrical or electronic device via a wireless link |
JP2008199753A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Yoshiyasu Mutou | 電源回路 |
US9774086B2 (en) | 2007-03-02 | 2017-09-26 | Qualcomm Incorporated | Wireless power apparatus and methods |
US9124120B2 (en) | 2007-06-11 | 2015-09-01 | Qualcomm Incorporated | Wireless power system and proximity effects |
CN103187629B (zh) | 2007-08-09 | 2016-08-24 | 高通股份有限公司 | 增加谐振器的q因数 |
EP2188863A1 (en) | 2007-09-13 | 2010-05-26 | QUALCOMM Incorporated | Maximizing power yield from wireless power magnetic resonators |
CN101828300A (zh) | 2007-09-17 | 2010-09-08 | 高通股份有限公司 | 用于无线能量转移的发射器和接收器 |
KR101414404B1 (ko) | 2007-10-11 | 2014-07-01 | 퀄컴 인코포레이티드 | 자기 기계 시스템을 이용하는 무선 전력 전송 |
US8629576B2 (en) | 2008-03-28 | 2014-01-14 | Qualcomm Incorporated | Tuning and gain control in electro-magnetic power systems |
CN102063638B (zh) * | 2011-02-17 | 2012-10-03 | 上海龙晶微电子有限公司 | 用于射频电子标签的整流电路 |
WO2013044224A2 (en) | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Blue Spark Technologies, Inc. | Cell attachment method |
US9502992B2 (en) | 2012-06-01 | 2016-11-22 | Coriant Operations, Inc. | Diode substitute with low drop and minimal loading |
US9601267B2 (en) | 2013-07-03 | 2017-03-21 | Qualcomm Incorporated | Wireless power transmitter with a plurality of magnetic oscillators |
EP3067835B1 (en) * | 2015-03-10 | 2017-12-27 | EM Microelectronic-Marin SA | Dual frequency hf-uhf identification device |
US9768708B2 (en) * | 2015-09-08 | 2017-09-19 | The Regents Of The University Of Michigan | Wide dynamic range rectifier circuits |
Family Cites Families (190)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB723598A (en) | 1951-09-07 | 1955-02-09 | Philips Nv | Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics |
US3512052A (en) | 1968-01-11 | 1970-05-12 | Gen Motors Corp | Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric |
DE2102735B2 (de) * | 1971-01-21 | 1979-05-10 | Transformatoren Union Ag, 7000 Stuttgart | Einrichtung zur Regelung des Mengendurchsatzes von Mühlen und Brechern |
US3769096A (en) | 1971-03-12 | 1973-10-30 | Bell Telephone Labor Inc | Pyroelectric devices |
JPS543594B2 (es) | 1973-10-12 | 1979-02-24 | ||
DE2407110C3 (de) | 1974-02-14 | 1981-04-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz |
US4165022A (en) * | 1977-03-02 | 1979-08-21 | Ransburg Corporation | Hand-held coating-dispensing apparatus |
JPS54101176A (en) | 1978-01-26 | 1979-08-09 | Shinetsu Polymer Co | Contact member for push switch |
US4442019A (en) | 1978-05-26 | 1984-04-10 | Marks Alvin M | Electroordered dipole suspension |
US4246298A (en) | 1979-03-14 | 1981-01-20 | American Can Company | Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application |
JPS5641938U (es) | 1979-09-10 | 1981-04-17 | ||
US4340057A (en) | 1980-12-24 | 1982-07-20 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Radiation induced graft polymerization |
SE426121B (sv) * | 1981-04-28 | 1982-12-06 | Ericsson Telefon Ab L M | Hogspenningsomvandlare |
EP0108650A3 (en) | 1982-11-09 | 1986-02-12 | Zytrex Corporation | Programmable mos transistor |
DE3321071A1 (de) | 1983-06-10 | 1984-12-13 | Basf Ag | Druckschalter |
DE3338597A1 (de) | 1983-10-24 | 1985-05-02 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben |
US4554229A (en) | 1984-04-06 | 1985-11-19 | At&T Technologies, Inc. | Multilayer hybrid integrated circuit |
JPS6265472A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Toshiba Corp | Mis型半導体素子 |
EP0239808B1 (en) | 1986-03-03 | 1991-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detecting device |
DE3751376T2 (de) | 1986-10-13 | 1995-11-16 | Canon Kk | Schaltungselement. |
GB2215307B (en) | 1988-03-04 | 1991-10-09 | Unisys Corp | Electronic component transportation container |
EP0350179B1 (en) | 1988-06-21 | 1994-01-19 | Gec Avery Limited | Manufacturing portable electronic tokens |
US5364735A (en) | 1988-07-01 | 1994-11-15 | Sony Corporation | Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same |
US4937119A (en) | 1988-12-15 | 1990-06-26 | Hoechst Celanese Corp. | Textured organic optical data storage media and methods of preparation |
US5892244A (en) | 1989-01-10 | 1999-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor |
US6331356B1 (en) | 1989-05-26 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts |
EP0418504B1 (en) | 1989-07-25 | 1995-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic semiconductor memory device having a MISFET structure and its control method |
FI84862C (fi) | 1989-08-11 | 1992-01-27 | Vaisala Oy | Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav. |
US5206525A (en) | 1989-12-27 | 1993-04-27 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials |
FI91573C (sv) | 1990-01-04 | 1994-07-11 | Neste Oy | Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar |
JP2969184B2 (ja) | 1990-04-09 | 1999-11-02 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタメモリ |
FR2664430B1 (fr) | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
DE4103675C2 (de) | 1991-02-07 | 1993-10-21 | Telefunken Microelectron | Schaltung zur Spannungsüberhöhung von Wechselspannungs-Eingangssignalen |
FR2673041A1 (fr) | 1991-02-19 | 1992-08-21 | Gemplus Card Int | Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant. |
EP0501456A3 (en) | 1991-02-26 | 1992-09-09 | Sony Corporation | Video game computer provided with an optical disc drive |
US5408109A (en) | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
US5332315A (en) | 1991-04-27 | 1994-07-26 | Gec Avery Limited | Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time |
JP3224829B2 (ja) | 1991-08-15 | 2001-11-05 | 株式会社東芝 | 有機電界効果型素子 |
JPH0580530A (ja) | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Hitachi Ltd | 薄膜パターン製造方法 |
US5173835A (en) | 1991-10-15 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Voltage variable capacitor |
DE59105477D1 (de) | 1991-10-30 | 1995-06-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
JP2709223B2 (ja) | 1992-01-30 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 非接触形携帯記憶装置 |
EP0603939B1 (en) | 1992-12-21 | 1999-06-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | N-type conductive polymer and method of preparing such a polymer |
DE4243832A1 (de) | 1992-12-23 | 1994-06-30 | Daimler Benz Ag | Tastsensoranordnung |
JP3457348B2 (ja) | 1993-01-15 | 2003-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
FR2701117B1 (fr) | 1993-02-04 | 1995-03-10 | Asulab Sa | Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose. |
EP0615256B1 (en) | 1993-03-09 | 1998-09-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a pattern of an electrically conductive polymer on a substrate surface and method of metallizing such a pattern |
US5567550A (en) | 1993-03-25 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a mask for making integrated circuits |
DE4312766C2 (de) | 1993-04-20 | 1997-02-27 | Telefunken Microelectron | Schaltung zur Spannungsüberhöhung |
JPH0722669A (ja) | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 可塑性機能素子 |
EP0722563A4 (en) | 1993-08-24 | 1998-03-04 | Metrika Lab Inc | NEW ELECTRONIC DISPOSABLE ANALYSIS DEVICE |
JP3460863B2 (ja) | 1993-09-17 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR2710413B1 (fr) | 1993-09-21 | 1995-11-03 | Asulab Sa | Dispositif de mesure pour capteurs amovibles. |
US5556706A (en) | 1993-10-06 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive layered product and method of manufacturing the same |
IL111151A (en) | 1994-10-03 | 1998-09-24 | News Datacom Ltd | Secure access systems |
JP4392057B2 (ja) | 1994-05-16 | 2009-12-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機半導体物質を有する半導体装置 |
IL110318A (en) | 1994-05-23 | 1998-12-27 | Al Coat Ltd | Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices |
US5684884A (en) | 1994-05-31 | 1997-11-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same |
JP3246189B2 (ja) | 1994-06-28 | 2002-01-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体表示装置 |
US5528222A (en) | 1994-09-09 | 1996-06-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency circuit and memory in thin flexible package |
JPH0898508A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 電源装置 |
US5574291A (en) | 1994-12-09 | 1996-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer |
US5630986A (en) | 1995-01-13 | 1997-05-20 | Bayer Corporation | Dispensing instrument for fluid monitoring sensors |
DE19506907A1 (de) | 1995-02-28 | 1996-09-05 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom |
JP3068430B2 (ja) | 1995-04-25 | 2000-07-24 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JPH0933645A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | トランスポンダの電源回路 |
US5652645A (en) | 1995-07-24 | 1997-07-29 | Anvik Corporation | High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates |
US5625199A (en) | 1996-01-16 | 1997-04-29 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors |
US6326640B1 (en) | 1996-01-29 | 2001-12-04 | Motorola, Inc. | Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility |
GB2310493B (en) | 1996-02-26 | 2000-08-02 | Unilever Plc | Determination of the characteristics of fluid |
JP3080579B2 (ja) | 1996-03-06 | 2000-08-28 | 富士機工電子株式会社 | エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法 |
DE19629656A1 (de) | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Boehringer Mannheim Gmbh | Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe |
US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
US5946551A (en) | 1997-03-25 | 1999-08-31 | Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios | Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric |
US6344662B1 (en) | 1997-03-25 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages |
KR100248392B1 (ko) | 1997-05-15 | 2000-09-01 | 정선종 | 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법 |
EP0968537B1 (en) | 1997-08-22 | 2012-05-02 | Creator Technology B.V. | A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials |
CA2301626C (en) | 1997-09-11 | 2008-05-20 | Precision Dynamics Corporation | Radio frequency identification tag on flexible substrate |
EP1296280A1 (en) | 1997-09-11 | 2003-03-26 | Precision Dynamics Corporation | Rf-id tag with integrated circuit consisting of organic materials |
US6251513B1 (en) | 1997-11-08 | 2001-06-26 | Littlefuse, Inc. | Polymer composites for overvoltage protection |
JPH11142810A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Nintendo Co Ltd | 携帯型情報処理装置 |
EP0958663A1 (en) | 1997-12-05 | 1999-11-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Identification transponder |
US5997817A (en) | 1997-12-05 | 1999-12-07 | Roche Diagnostics Corporation | Electrochemical biosensor test strip |
US5998805A (en) | 1997-12-11 | 1999-12-07 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array with improved OED cathode |
US6083104A (en) | 1998-01-16 | 2000-07-04 | Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. | Programmable toy with an independent game cartridge |
AU733522B2 (en) | 1998-01-28 | 2001-05-17 | Thin Film Electronics Asa | A method for generating electrical conducting and/or semiconducting structures in three dimensions, a method for erasing the same structures and an electric field generator/modulator for use with the method for generating |
US6087196A (en) | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
US6045977A (en) | 1998-02-19 | 2000-04-04 | Lucent Technologies Inc. | Process for patterning conductive polyaniline films |
DE19816860A1 (de) | 1998-03-06 | 1999-11-18 | Deutsche Telekom Ag | Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte |
US6033202A (en) | 1998-03-27 | 2000-03-07 | Lucent Technologies Inc. | Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures |
AU3552699A (en) | 1998-04-10 | 1999-11-01 | E-Ink Corporation | Electronic displays using organic-based field effect transistors |
GB9808061D0 (en) | 1998-04-16 | 1998-06-17 | Cambridge Display Tech Ltd | Polymer devices |
GB9808806D0 (en) | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
TW410478B (en) | 1998-05-29 | 2000-11-01 | Lucent Technologies Inc | Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode |
US5967048A (en) | 1998-06-12 | 1999-10-19 | Howard A. Fromson | Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web |
KR100282393B1 (ko) | 1998-06-17 | 2001-02-15 | 구자홍 | 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법 |
DE19836174C2 (de) | 1998-08-10 | 2000-10-12 | Illig Maschinenbau Adolf | Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung |
US6215130B1 (en) | 1998-08-20 | 2001-04-10 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
JP4689825B2 (ja) | 1998-08-26 | 2011-05-25 | センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド | 光学式検知装置 |
JP4493741B2 (ja) | 1998-09-04 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
DE19851703A1 (de) | 1998-10-30 | 2000-05-04 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen |
US6384804B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-05-07 | Lucent Techonologies Inc. | Display comprising organic smart pixels |
US6506438B2 (en) | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
US6321571B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-11-27 | Corning Incorporated | Method of making glass structures for flat panel displays |
WO2000041893A1 (en) | 1999-01-15 | 2000-07-20 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices |
US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
GB2347013A (en) | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
EP1160346B1 (en) | 1999-02-22 | 2006-03-08 | Nippon Steel Corporation | High strength galvanized steel plate excellent in adhesion of plated metal and formability in press working and high strength alloy galvanized steel plate and method for production thereof |
WO2000052457A1 (en) | 1999-03-02 | 2000-09-08 | Helix Biopharma Corporation | Card-based biosensor device |
US6180956B1 (en) | 1999-03-03 | 2001-01-30 | International Business Machine Corp. | Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels |
US6207472B1 (en) | 1999-03-09 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature thin film transistor fabrication |
KR100495740B1 (ko) | 1999-03-29 | 2005-06-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 조성물, 막의 제조방법, 및 기능 소자와 이의 제조방법 |
WO2000059040A1 (en) | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing thin-film transistor |
US6498114B1 (en) | 1999-04-09 | 2002-12-24 | E Ink Corporation | Method for forming a patterned semiconductor film |
US6072716A (en) | 1999-04-14 | 2000-06-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory structures and methods of making same |
FR2793089B3 (fr) | 1999-04-28 | 2001-06-08 | Rene Liger | Transpondeur a antenne integree |
DE19919448A1 (de) | 1999-04-29 | 2000-11-02 | Miele & Cie | Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation |
DE19921024C2 (de) | 1999-05-06 | 2001-03-08 | Wolfgang Eichelmann | Videospielanlage |
US6383664B2 (en) | 1999-05-11 | 2002-05-07 | The Dow Chemical Company | Electroluminescent or photocell device having protective packaging |
EP1052594A1 (de) | 1999-05-14 | 2000-11-15 | Sokymat S.A. | Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP2002544744A (ja) | 1999-05-17 | 2002-12-24 | ザ・グッドイヤー・タイヤ・アンド・ラバー・カンパニー | トランスポンダのためのプログラム可能な変調指数 |
TW556357B (en) | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
US6366017B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-04-02 | Agilent Technologies, Inc/ | Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector |
JP2001085272A (ja) | 1999-07-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変容量コンデンサ |
DE19933757A1 (de) | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Giesecke & Devrient Gmbh | Chipkarte mit integrierter Batterie |
DE19935527A1 (de) | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Giesecke & Devrient Gmbh | Aktive Folie für Chipkarten mit Display |
DE19937262A1 (de) | 1999-08-06 | 2001-03-01 | Siemens Ag | Anordnung mit Transistor-Funktion |
US6593690B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
EP1085320A1 (en) | 1999-09-13 | 2001-03-21 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | A device for detecting an analyte in a sample based on organic materials |
US6517995B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
KR100477146B1 (ko) | 1999-09-28 | 2005-03-17 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 레이저천공 가공방법 및 가공장치 |
US6340822B1 (en) | 1999-10-05 | 2002-01-22 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
WO2001027998A1 (en) | 1999-10-11 | 2001-04-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit |
US6335539B1 (en) | 1999-11-05 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure |
US6284562B1 (en) | 1999-11-17 | 2001-09-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Thin film transistors |
EP1103916A1 (de) | 1999-11-24 | 2001-05-30 | Infineon Technologies AG | Chipkarte |
US6621098B1 (en) | 1999-11-29 | 2003-09-16 | The Penn State Research Foundation | Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material |
US6136702A (en) | 1999-11-29 | 2000-10-24 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
US6197663B1 (en) | 1999-12-07 | 2001-03-06 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors |
JP5073141B2 (ja) | 1999-12-21 | 2012-11-14 | プラスティック ロジック リミテッド | 内部接続の形成方法 |
CA2394886C (en) | 1999-12-21 | 2012-07-17 | Plastic Logic Limited | Inkjet-fabricated integrated circuits |
US7002451B2 (en) | 2000-01-11 | 2006-02-21 | Freeman Jeffrey R | Package location system |
JP2002162652A (ja) | 2000-01-31 | 2002-06-07 | Fujitsu Ltd | シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル |
US6706159B2 (en) | 2000-03-02 | 2004-03-16 | Diabetes Diagnostics | Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus |
TW497120B (en) | 2000-03-06 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP3614747B2 (ja) * | 2000-03-07 | 2005-01-26 | Necエレクトロニクス株式会社 | 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器 |
DE10012204A1 (de) | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Siemens Ag | Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut |
EP1134694A1 (de) | 2000-03-16 | 2001-09-19 | Infineon Technologies AG | Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung |
CA2403646A1 (en) | 2000-03-28 | 2001-10-04 | Inverness Medical Technology, Inc. | Continuous process for manufacture of disposable electro-chemical sensor |
US6329226B1 (en) | 2000-06-01 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for fabricating a thin-film transistor |
DE10032260B4 (de) | 2000-07-03 | 2004-04-29 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie |
DE10033112C2 (de) | 2000-07-07 | 2002-11-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung |
US7875975B2 (en) | 2000-08-18 | 2011-01-25 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic integrated circuit completely encapsulated by multi-layered barrier and included in RFID tag |
DE10120687A1 (de) | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Siemens Ag | Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
JP2002068324A (ja) | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Nippon Sanso Corp | 断熱容器 |
DE10043204A1 (de) | 2000-09-01 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung |
DE10044842A1 (de) | 2000-09-11 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters |
DE10045192A1 (de) | 2000-09-13 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers |
DE10047171A1 (de) | 2000-09-22 | 2002-04-18 | Siemens Ag | Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu |
KR20020036916A (ko) | 2000-11-11 | 2002-05-17 | 주승기 | 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자 |
DE10058559A1 (de) | 2000-11-24 | 2002-05-29 | Interactiva Biotechnologie Gmb | System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter |
KR100390522B1 (ko) | 2000-12-01 | 2003-07-07 | 피티플러스(주) | 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법 |
DE10061297C2 (de) | 2000-12-08 | 2003-05-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs |
GB2371910A (en) | 2001-01-31 | 2002-08-07 | Seiko Epson Corp | Display devices |
DE10105914C1 (de) | 2001-02-09 | 2002-10-10 | Siemens Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung |
EP1237207B1 (en) | 2001-03-02 | 2012-01-04 | FUJIFILM Corporation | Method for producing organic thin film device |
DE10117663B4 (de) | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
DE10120686A1 (de) | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung |
WO2002091495A2 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Coatue Corporation | Molecular memory device |
US20020170897A1 (en) | 2001-05-21 | 2002-11-21 | Hall Frank L. | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser |
EP1393389B1 (en) | 2001-05-23 | 2018-12-05 | Flexenable Limited | Laser patterning of devices |
US6870180B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-03-22 | Lucent Technologies Inc. | Organic polarizable gate transistor apparatus and method |
DE20111825U1 (de) | 2001-07-20 | 2002-01-17 | Lammering Thomas | Printmedium |
DE10141440A1 (de) | 2001-08-23 | 2003-03-13 | Daimler Chrysler Ag | Tripodegelenk |
JP2003089259A (ja) | 2001-09-18 | 2003-03-25 | Hitachi Ltd | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
US7351660B2 (en) | 2001-09-28 | 2008-04-01 | Hrl Laboratories, Llc | Process for producing high performance interconnects |
US6679036B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-01-20 | Shunchi Crankshaft Co., Ltd. | Drive gear shaft structure of a self-moving type mower |
DE10151440C1 (de) | 2001-10-18 | 2003-02-06 | Siemens Ag | Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
DE10163267A1 (de) | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Blattgut mit einem elektrischen Schaltkreis sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung des Blattguts |
DE10209400A1 (de) * | 2002-03-04 | 2003-10-02 | Infineon Technologies Ag | Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung |
US6777829B2 (en) * | 2002-03-13 | 2004-08-17 | Celis Semiconductor Corporation | Rectifier utilizing a grounded antenna |
DE10219905B4 (de) | 2002-05-03 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements |
US6812509B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Palo Alto Research Center Inc. | Organic ferroelectric memory cells |
US6914528B2 (en) * | 2002-10-02 | 2005-07-05 | Battelle Memorial Institute | Wireless communication systems, radio frequency identification devices, methods of enhancing a communications range of a radio frequency identification device, and wireless communication methods |
AT502890B1 (de) | 2002-10-15 | 2011-04-15 | Atomic Austria Gmbh | Elektronisches überwachungssystem zur kontrolle bzw. erfassung einer aus mehreren sportartikeln bestehenden sportartikelkombination |
US6870183B2 (en) | 2002-11-04 | 2005-03-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating |
US20060118778A1 (en) | 2002-11-05 | 2006-06-08 | Wolfgang Clemens | Organic electronic component with high-resolution structuring and method for the production thereof |
ATE540436T1 (de) | 2002-11-19 | 2012-01-15 | Polyic Gmbh & Co Kg | Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten |
US7442954B2 (en) | 2002-11-19 | 2008-10-28 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic electronic component comprising a patterned, semi-conducting functional layer and a method for producing said component |
US7078937B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-07-18 | 3M Innovative Properties Company | Logic circuitry powered by partially rectified ac waveform |
-
2004
- 2004-12-23 DE DE102004063435A patent/DE102004063435A1/de not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-12-20 JP JP2007547171A patent/JP2008526001A/ja active Pending
- 2005-12-20 CA CA002590627A patent/CA2590627A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-20 MX MX2007007460A patent/MX2007007460A/es not_active Application Discontinuation
- 2005-12-20 AU AU2005318738A patent/AU2005318738A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-20 EP EP05850184A patent/EP1836655A1/de not_active Withdrawn
- 2005-12-20 CN CNA2005800446878A patent/CN101088101A/zh active Pending
- 2005-12-20 WO PCT/DE2005/002293 patent/WO2006066559A1/de active Application Filing
- 2005-12-20 US US11/722,457 patent/US7724550B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-20 KR KR1020077014135A patent/KR101226340B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-22 TW TW094145753A patent/TWI323972B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1836655A1 (de) | 2007-09-26 |
CA2590627A1 (en) | 2006-06-29 |
US7724550B2 (en) | 2010-05-25 |
CN101088101A (zh) | 2007-12-12 |
DE102004063435A1 (de) | 2006-07-27 |
JP2008526001A (ja) | 2008-07-17 |
KR101226340B1 (ko) | 2013-01-24 |
AU2005318738A1 (en) | 2006-06-29 |
TW200635198A (en) | 2006-10-01 |
KR20070089950A (ko) | 2007-09-04 |
TWI323972B (en) | 2010-04-21 |
WO2006066559A1 (de) | 2006-06-29 |
US20080225564A1 (en) | 2008-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101226340B1 (ko) | 유기 정류기 | |
US20030178620A1 (en) | Organic rectifier, circuit, rfid tag and use of an organic rectifier | |
US6642782B2 (en) | Rectifying charge storage element | |
US6924688B1 (en) | Rectifying charge storage device with antenna | |
US7187055B2 (en) | Rectifying charge storage element | |
JP2008526001A5 (es) | ||
Lin et al. | High-frequency polymer diode rectifiers for flexible wireless power-transmission sheets | |
KR20160076978A (ko) | 크기 조정 가능한 안테나를 갖는 다중대역 무선주파수 에너지 활용 | |
KR101114714B1 (ko) | 변조기를 구비하는 전자식 컴포넌트 | |
EP1579574A1 (en) | Ac powered logic circuitry | |
Zulkifli et al. | Architecture of ultra low power micro energy harvester using RF signal for health care monitoring system: A review | |
Salter et al. | RF energy scavenging system utilising switched capacitor DC-DC converter | |
CN110719040A (zh) | 一种有机整流器 | |
CN109166941B (zh) | 一种能源转换器件 | |
TW200945755A (en) | Full wave rectifying device | |
Lin et al. | New CMOS inverter-based voltage multipliers | |
Yuan et al. | A Fully Integrated CMOS Active Rectifier-Booster Regulator for RF Energy Harvesting | |
US6933774B2 (en) | Rectifying charge storage element with transistor | |
CN116844195A (zh) | 显示装置 | |
Shenghua et al. | High efficiency RFID UHF power converter | |
WO2006022625A2 (en) | Improved rectifying charge storage element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA | Abandonment or withdrawal |