KR20060098977A - 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
화합물 반도체 장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060098977A KR20060098977A KR1020050019605A KR20050019605A KR20060098977A KR 20060098977 A KR20060098977 A KR 20060098977A KR 1020050019605 A KR1020050019605 A KR 1020050019605A KR 20050019605 A KR20050019605 A KR 20050019605A KR 20060098977 A KR20060098977 A KR 20060098977A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- thin film
- semiconductor thin
- ball
- spherical
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 203
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 191
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 214
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 17
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 10
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 4
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZXVOCOLRQJZVBW-UHFFFAOYSA-N azane;ethanol Chemical compound N.CCO ZXVOCOLRQJZVBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 13
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 abstract description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 67
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 61
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 11
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 10
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 9
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical group [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G21/00—Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
- G03G21/16—Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements
- G03G21/18—Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements using a processing cartridge, whereby the process cartridge comprises at least two image processing means in a single unit
- G03G21/1803—Arrangements or disposition of the complete process cartridge or parts thereof
- G03G21/1814—Details of parts of process cartridge, e.g. for charging, transfer, cleaning, developing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
- H01L21/02642—Mask materials other than SiO2 or SiN
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G2221/00—Processes not provided for by group G03G2215/00, e.g. cleaning or residual charge elimination
- G03G2221/16—Mechanical means for facilitating the maintenance of the apparatus, e.g. modular arrangements and complete machine concepts
- G03G2221/18—Cartridge systems
- G03G2221/183—Process cartridge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
Claims (27)
- 기판;상기 기판 상에 배열된 다수의 구형의 볼; 및상기 구형의 볼 사이와 상기 구형의 볼 상부에 형성되고 자외선, 가시광선 또는 적외선 영역의 빛을 방출하는 화합물 반도체 박막을 포함하는 화합물 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 화합물 반도체 박막과의 결정학적 차이를 완화시켜 상기 화합물 반도체 박막의 결정결함 밀도를 최소화하기 위하여 상기 기판과 상기 화합물 반도체 박막 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 화합물 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 화합물 반도체 박막과의 결정학적 차이를 완화시켜 상기 화합물 반도체 박막의 결정결함 밀도를 최소화하기 위하여 상기 기판과 상기 화합물 반도체 박막 사이에 형성된 버퍼층;상기 화합물 반도체 박막 상에 배열된 다수의 구형의 볼; 및상기 화합물 반도체 박막 상에 배열된 구형의 볼 사이와 상기 화합물 반도체 박막 상에 배열된 구형의 볼 상부에 형성되고 자외선, 가시광선 또는 적외선 영역의 빛을 방출하는 화합물 반도체 박막을 포함하는 화합물 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 화합물 반도체 박막과의 결정학적 차이를 완화시켜 상기 화합물 반도체 박막의 결정결함 밀도를 최소화하기 위하여 상기 기판과 상기 화합물 반도체 박막 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하며,상기 화합물 반도체 박막은 제1 및 제2 화합물 반도체 박막으로 이루어지고, 상기 제1 화합물 반도체 박막은 상기 버퍼층 상에 형성되고, 상기 제2 화합물 반도체 박막은 상기 제1 화합물 반도체 박막 상에 형성된 상기 구형의 볼 사이와 상기 구형의 볼 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 박막 상에 적층되고 상기 화합물 반도체 박막과는 다른 물질로 이루어진 적어도 1층의 화합물 반도체 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
- 제2항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 버퍼층은 GaN, AlN, AlGaN 또는 이들의 조합막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 버퍼층과 상기 화합물 반도체 박막은 결정 구조가 동일하고, 격자 상수 차이가 적어도 20% 이내인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 구형의 볼은 산화실리콘(SiO2) 볼, 사파이어(Al2O3) 볼, 산화타이타늄(TiO2) 볼, 산화지르코늄(ZrO2) 볼, Y2O3-ZrO2 볼, 산화구리(CuO, Cu2O) 볼, 탄탈륨(Ta2O5) 볼, PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 볼, Nb2O5 볼, FeSO4 볼, Fe3O4 볼, Fe2O3 볼, Na2SO4 볼, GeO2 볼, CdS 볼 또는 금속 볼로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 구형의 볼 직경이 10㎚∼2㎛인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 박막은 GaN, AlN, InN 또는 이들의 조합(Ga1-xAl1-yIn1-zN, 0≤x, y, z≤1)으로 이루어진 막인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 박막은 Si, Ge, Mg, Zn, O, Se, Mn, Ti, Ni 및 Fe로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 이종물질을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어(Al2O3), GaAs, 스피넬, InP, SiC 또는 Si로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치.
- (a) 구형의 볼을 만드는 단계;(b) 기판 상에 상기 구형의 볼을 코팅하는 단계;(c) 상기 구형의 볼이 코팅된 기판 상에 버퍼층을 성장시키는 단계;(d) 상기 구형의 볼 사이에 화합물 반도체 박막을 선택적으로 성장시키는 단계;(e) 상기 화합물 반도체 박막을 측면 방향으로 성장시켜 상기 구형의 볼 위에서 서로 붙게 하는 단계; 및(f) 상기 화합물 반도체 박막을 목표하는 두께까지 성장시키는 단계를 포함하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 상기 (f) 단계 후에,구형의 볼을 만드는 단계;상기 화합물 반도체 박막 상에 구형의 볼을 코팅하는 단계;상기 구형의 볼이 코팅된 화합물 반도체 박막 상부와 상기 구형의 볼 사이에 화합물 반도체 박막을 선택적으로 성장시키는 단계; 및상기 화합물 반도체 박막을 측면 방향으로 성장시켜 상기 구형의 볼 위에서 서로 붙게 하는 단계를 더 포함하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- (a) 기판 상에 버퍼층을 성장시키는 단계;(b) 상기 버퍼층 상에 제1 화합물 반도체 박막을 선택적으로 성장시키는 단계;(c) 상기 제1 화합물 반도체 박막을 측면 방향으로 성장시켜 서로 붙게 하는 단계;(d) 구형의 볼을 만드는 단계;(e) 상기 제1 화합물 반도체 박막에 구형의 볼을 코팅하는 단계;(f) 상기 제1 화합물 반도체 박막 상부와 상기 구형의 볼 사이에 제2 화합물 반도체 박막을 선택적으로 성장시키는 단계;(g) 상기 제2 화합물 반도체 박막을 측면 방향으로 성장시켜 상기 구형의 볼 위에서 서로 붙게 하는 단계; 및(h) 상기 제2 화합물 반도체 박막을 목표하는 두께까지 성장시키는 단계를 포함하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제13항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 구형의 볼 지름은 10㎚∼2㎛인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제13항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 구형의 볼은 산화실 리콘(SiO2) 볼, 사파이어(Al2O3) 볼, 산화타이타늄(TiO2) 볼, 산화지르코늄(ZrO2) 볼, Y2O3-ZrO2 볼, 산화구리(CuO, Cu2O) 볼, 탄탈륨(Ta2O5) 볼, PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 볼, Nb2O5 볼, FeSO4 볼, Fe3O4 볼, Fe2O3 볼, Na2SO4 볼, GeO2 볼, CdS 볼 또는 금속 볼로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제13항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 구형의 볼을 만드는 단계는,테트라에틸 오도실리케이트(tetraethyl orthosilicate; TEOS)를 무수 에탄올에 녹여 제1 용액을 만드는 단계;암모니아 에탄올 용액과 디이오나이즈(deionized)물과 에탄올을 섞어 제2 용액을 만드는 단계;상기 제1 용액과 상기 제2 용액을 섞은 후, 소정 온도에서 소정 시간 동안 교반하는 단계;상기 교반하여 얻어진 용액을 원심분리를 통하여 구형의 볼을 분리하는 단계; 및분리된 상기 구형의 볼을 에탄올 용액에 분산시켜 구형의 볼을 제조하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제13항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 기판 과 상기 화합물 반도체 박막과의 결정학적 차이를 완화시켜 상기 화합물 반도체 박막의 결정결함 밀도를 최소화하기 위하여 적어도 10∼200㎚의 두께로 형성하고, GaN, AlN, AlGaN 또는 이들의 조합막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제13항 또는 제15항에 있어서, 상기 버퍼층을 성장시키는 단계는,반응기 내의 압력 및 온도를 일정하게 유지하는 단계;개별적인 라인을 통해 반응전구체들을 소정의 흐름 속도로 상기 반응기 내로 주입하는 단계; 및상기 반응기 내에서 상기 반응전구체들을 화학 반응시켜 목표하는 두께의 버퍼층을 성장시키는 단계를 포함하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제20항에 있어서, 상기 반응기의 온도는 400∼1200℃로 유지하면서 상기 버퍼층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제20항에 있어서, 트리메틸알루미늄(TMAl), 트리메틸갈륨(TMGa), 트리에틸갈륨(TEGa) 또는 GaCl3을 제1 반응전구체로 사용하고, 암모늄(NH3), 질소 또는 터셔리뷰틸아민(Tertiarybutylamine(N(C4H9)H2)을 제2 반응전구체로 사용하여 GaN, AlN, AlGaN 또는 이들의 조합막으로 이루어진 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 화 합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제13항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 구형의 볼 사이에 화합물 반도체 박막을 선택적으로 성장시키는 단계는,반응기 내의 압력 및 온도를 일정하게 유지하는 단계;개별적인 라인을 통해 반응전구체들을 소정의 흐름 속도로 상기 반응기 내로 주입하는 단계; 및상기 반응기 내에서 상기 반응전구체들을 화학 반응시켜 화합물 반도체 박막을 성장시키는 단계를 포함하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제23항에 있어서, 상기 반응기의 온도는 900∼1150℃로 유지하면서 상기 화합물 반도체 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제23항에 있어서, 트리메틸알루미늄(TMAl), 트리메틸갈륨(TMGa), 트리에틸갈륨(TEGa) 또는 GaCl3을 제1 반응전구체로 사용하고, 암모늄(NH3), 질소 또는 터셔리뷰틸아민(Tertiarybutylamine(N(C4H9)H2)을 제2 반응전구체로 사용하여 GaN, AlN, AlGaN 또는 이들의 조합막으로 이루어진 화합물 반도체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제13항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 화합물 반도체 박막은 Si, Ge, Mg, Zn, O, Se, Mn, Ti, Ni 및 Fe로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 이종물질을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
- 제13항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어(Al2O3), GaAs, 스피넬, InP, SiC 또는 Si로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 장치의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050019605A KR100712753B1 (ko) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법 |
JP2005193051A JP4901145B2 (ja) | 2005-03-09 | 2005-06-30 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
US11/202,126 US20060205197A1 (en) | 2005-03-09 | 2005-08-11 | Compound semiconductor devices and methods of manufacturing the same |
US12/357,205 US20090148982A1 (en) | 2005-03-09 | 2009-01-21 | Method of Manufacturing Compound Semiconductor Devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050019605A KR100712753B1 (ko) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060098977A true KR20060098977A (ko) | 2006-09-19 |
KR100712753B1 KR100712753B1 (ko) | 2007-04-30 |
Family
ID=36971577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050019605A KR100712753B1 (ko) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060205197A1 (ko) |
JP (1) | JP4901145B2 (ko) |
KR (1) | KR100712753B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100831843B1 (ko) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | 주식회사 실트론 | 금속층 위에 성장된 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자 |
KR100932615B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2009-12-17 | 주식회사 실트론 | 거침처리된 사파이어 기재 기판을 이용한 화합물 반도체기판 및 그 제조방법과, 이를 이용한 고휘도 발광 소자 및그 제조방법 |
KR20140031759A (ko) * | 2012-09-05 | 2014-03-13 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI415288B (zh) * | 2005-03-22 | 2013-11-11 | Sumitomo Chemical Co | 獨立基板、其製造方法,以及半導體發光元件 |
JP2006352079A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-12-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 自立基板、その製造方法及び半導体発光素子 |
US8324660B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
US9153645B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
JP2007001855A (ja) * | 2005-05-27 | 2007-01-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 3−5族窒化物半導体積層基板、3−5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子 |
JP2007019318A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法 |
US20070054467A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Amberwave Systems Corporation | Methods for integrating lattice-mismatched semiconductor structure on insulators |
DE112006002505T5 (de) * | 2005-09-29 | 2008-08-14 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters eines Nitrids der Gruppe 3-5 und Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Vorrichtung |
JP4879614B2 (ja) * | 2006-03-13 | 2012-02-22 | 住友化学株式会社 | 3−5族窒化物半導体基板の製造方法 |
WO2007112066A2 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication |
JP5015480B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-08-29 | 住友化学株式会社 | 半導体単結晶基板の製造方法 |
WO2008030574A1 (en) | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Amberwave Systems Corporation | Defect reduction using aspect ratio trapping |
WO2008039534A2 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Amberwave Systems Corporation | Quantum tunneling devices and circuits with lattice- mismatched semiconductor structures |
WO2008039495A1 (en) | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Amberwave Systems Corporation | Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping |
WO2008051503A2 (en) | 2006-10-19 | 2008-05-02 | Amberwave Systems Corporation | Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures |
US8237151B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode-based devices and methods for making the same |
US9508890B2 (en) | 2007-04-09 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photovoltaics on silicon |
US8304805B2 (en) | 2009-01-09 | 2012-11-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films |
US7825328B2 (en) | 2007-04-09 | 2010-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
US8329541B2 (en) | 2007-06-15 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | InP-based transistor fabrication |
KR101093588B1 (ko) | 2007-09-07 | 2011-12-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 멀티-정션 솔라 셀 |
KR100921789B1 (ko) * | 2007-10-24 | 2009-10-15 | 주식회사 실트론 | 화합물 반도체 기판 제조 방법 |
US8183667B2 (en) | 2008-06-03 | 2012-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Epitaxial growth of crystalline material |
US8274097B2 (en) | 2008-07-01 | 2012-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reduction of edge effects from aspect ratio trapping |
US8981427B2 (en) | 2008-07-15 | 2015-03-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing of small composite semiconductor materials |
KR100956499B1 (ko) | 2008-08-01 | 2010-05-07 | 주식회사 실트론 | 금속층을 가지는 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자 |
KR101101780B1 (ko) * | 2008-09-08 | 2012-01-05 | 서울대학교산학협력단 | 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법 |
EP2335273A4 (en) | 2008-09-19 | 2012-01-25 | Taiwan Semiconductor Mfg | FORMATION OF EQUIPMENT BY EXCESSIVE GROWTH OF THE EPITAXIAL LAYER |
US20100072515A1 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Amberwave Systems Corporation | Fabrication and structures of crystalline material |
US8253211B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities |
KR101001912B1 (ko) * | 2008-10-17 | 2010-12-17 | 경북대학교 산학협력단 | 금속실리사이드 시드층에 의한 단결정 박막 및 그 제조방법 |
KR100994643B1 (ko) | 2009-01-21 | 2010-11-15 | 주식회사 실트론 | 구형 볼을 이용한 화합물 반도체 기판의 제조 방법과 이를 이용한 화합물 반도체 기판 및 화합물 반도체 소자 |
KR101450956B1 (ko) | 2009-04-02 | 2014-10-15 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 결정질 재료의 비극성 평면으로부터 형성된 소자 및 이의 제조 방법 |
US8691334B2 (en) * | 2009-04-24 | 2014-04-08 | SK Hynix Inc. | Method of fabricating substrate where patterns are formed |
CN101872719B (zh) * | 2010-05-25 | 2011-08-31 | 山东华光光电子有限公司 | 改善InGaN量子阱的In组分均匀性的外延生长方法 |
KR101947561B1 (ko) * | 2011-06-23 | 2019-02-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 반도체 결정 성장 방법 |
CN110246941A (zh) * | 2012-03-19 | 2019-09-17 | 亮锐控股有限公司 | 在硅衬底上生长的发光器件 |
KR102015914B1 (ko) | 2013-05-08 | 2019-08-29 | 엘지전자 주식회사 | 이종 기판, 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR101820680B1 (ko) * | 2016-12-05 | 2018-01-22 | 에스케이실트론 주식회사 | 반도체 기판 제조 방법 |
KR101890520B1 (ko) | 2017-02-15 | 2018-08-21 | 한양대학교 산학협력단 | 코어-쉘 구조의 나노 입자를 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법 |
US10305250B2 (en) * | 2017-08-23 | 2019-05-28 | The Regents Of The University Of Michigan | III-Nitride nanowire array monolithic photonic integrated circuit on (001)silicon operating at near-infrared wavelengths |
CN107857583B (zh) * | 2017-11-08 | 2020-11-13 | 陕西航空电气有限责任公司 | 一种氧化亚铜半导体陶瓷材料及其制备方法 |
US10373825B1 (en) | 2018-05-29 | 2019-08-06 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University | Method for manufacturing gallium nitride substrate using core-shell nanoparticle |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59168677A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US4983369A (en) * | 1989-11-22 | 1991-01-08 | Allied-Signal Inc. | Process for forming highly uniform silica spheres |
US5973590A (en) * | 1998-03-12 | 1999-10-26 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Ultra thin surface mount wafer sensor structures and methods for fabricating same |
JP3788041B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2006-06-21 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板の製造方法 |
JP4470237B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法 |
US6233265B1 (en) * | 1998-07-31 | 2001-05-15 | Xerox Corporation | AlGaInN LED and laser diode structures for pure blue or green emission |
JP3758390B2 (ja) * | 1998-12-14 | 2006-03-22 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
US6639354B1 (en) * | 1999-07-23 | 2003-10-28 | Sony Corporation | Light emitting device, production method thereof, and light emitting apparatus and display unit using the same |
US6344664B1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-02-05 | Tera Connect Inc. | Electro-optical transceiver system with controlled lateral leakage and method of making it |
CN1292493C (zh) * | 1999-12-03 | 2006-12-27 | 美商克立股份有限公司 | 藉由内部及外部光学组件之使用而加强发光二极管中的光放出 |
JP3809464B2 (ja) * | 1999-12-14 | 2006-08-16 | 独立行政法人理化学研究所 | 半導体層の形成方法 |
JP3603713B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2004-12-22 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 |
US6657232B2 (en) * | 2000-04-17 | 2003-12-02 | Virginia Commonwealth University | Defect reduction in GaN and related materials |
US6562644B2 (en) * | 2000-08-08 | 2003-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor substrate, method of manufacturing the semiconductor substrate, semiconductor device and pattern forming method |
WO2002017369A1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Showa Denko K.K. | Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, metho of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device |
TW486829B (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-11 | United Epitaxy Co Ltd | Epitaxial growth of nitride semiconductor |
WO2002040752A2 (en) * | 2000-11-20 | 2002-05-23 | The Regents Of The University Of California | Process for producing iii-v compound films by chemical deposition |
JP2002208565A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Sharp Corp | 半導体装置、その製造方法および液晶表示装置 |
JP2002241198A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-28 | Hitachi Cable Ltd | GaN単結晶基板及びその製造方法 |
TW536841B (en) * | 2001-03-21 | 2003-06-11 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Semiconductor light emitting element |
WO2002079813A2 (en) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Neotek Research Co., Ltd. | Semiconductor quantum dot optical amplifier, and optical amplifier module and optical transmission system using the same |
US6686676B2 (en) * | 2001-04-30 | 2004-02-03 | General Electric Company | UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same |
JP4114331B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2008-07-09 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP3544958B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2004-07-21 | 士郎 酒井 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
JP4024532B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2007-12-19 | 株式会社リコー | 微粒子配列膜形成方法 |
US7388268B2 (en) * | 2002-01-15 | 2008-06-17 | Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. | Compound semiconductor multilayer structure, hall device, and hall device manufacturing method |
US6881983B2 (en) * | 2002-02-25 | 2005-04-19 | Kopin Corporation | Efficient light emitting diodes and lasers |
JP3898537B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2007-03-28 | 日本電信電話株式会社 | 窒化物半導体の薄膜形成方法および窒化物半導体発光素子 |
JP3968566B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-08-29 | 日立電線株式会社 | 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス |
JP3997827B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2007-10-24 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム成長用基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板の製造方法 |
US20040077156A1 (en) * | 2002-10-18 | 2004-04-22 | Loucas Tsakalakos | Methods of defect reduction in wide bandgap thin films using nanolithography |
JP2004296458A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Osaka Gas Co Ltd | フィルタ機能付き光センサ及び火炎センサ |
US20070128905A1 (en) * | 2003-06-12 | 2007-06-07 | Stuart Speakman | Transparent conducting structures and methods of production thereof |
US6781160B1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-08-24 | United Epitaxy Company, Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
US7214476B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-05-08 | Fujifilm Corporation | Image forming method using photothermographic material |
JP4882351B2 (ja) * | 2004-11-24 | 2012-02-22 | 住友化学株式会社 | 半導体積層基板、その製造方法及び発光素子 |
US7413918B2 (en) * | 2005-01-11 | 2008-08-19 | Semileds Corporation | Method of making a light emitting diode |
US7265374B2 (en) * | 2005-06-10 | 2007-09-04 | Arima Computer Corporation | Light emitting semiconductor device |
-
2005
- 2005-03-09 KR KR1020050019605A patent/KR100712753B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-30 JP JP2005193051A patent/JP4901145B2/ja active Active
- 2005-08-11 US US11/202,126 patent/US20060205197A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-01-21 US US12/357,205 patent/US20090148982A1/en not_active Abandoned
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100831843B1 (ko) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | 주식회사 실트론 | 금속층 위에 성장된 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자 |
US8158501B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-04-17 | Siltron, Inc. | Compound semiconductor substrate grown on metal layer, method of manufacturing the same, and compound semiconductor device using the same |
US8198649B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-12 | Siltron, Inc. | Compound semiconductor substrate grown on metal layer, method for manufacturing the same, and compound semiconductor device using the same |
TWI395259B (zh) * | 2006-11-07 | 2013-05-01 | Siltron Inc | 成長於金屬層上之複合半導體基板、其製造方法及利用該複合半導體基板形成之複合半導體元件 |
KR100932615B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2009-12-17 | 주식회사 실트론 | 거침처리된 사파이어 기재 기판을 이용한 화합물 반도체기판 및 그 제조방법과, 이를 이용한 고휘도 발광 소자 및그 제조방법 |
KR20140031759A (ko) * | 2012-09-05 | 2014-03-13 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090148982A1 (en) | 2009-06-11 |
US20060205197A1 (en) | 2006-09-14 |
KR100712753B1 (ko) | 2007-04-30 |
JP2006253628A (ja) | 2006-09-21 |
JP4901145B2 (ja) | 2012-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100712753B1 (ko) | 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR100831843B1 (ko) | 금속층 위에 성장된 화합물 반도체 기판, 그 제조 방법 및이를 이용한 화합물 반도체 소자 | |
KR100646696B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
US6852161B2 (en) | Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device | |
US7981713B2 (en) | Group III-V nitride-based semiconductor substrate, group III-V nitride-based device and method of fabricating the same | |
US7951617B2 (en) | Group III nitride semiconductor stacked structure and production method thereof | |
KR100692267B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 반도체 결정의 제조 방법 | |
KR100994643B1 (ko) | 구형 볼을 이용한 화합물 반도체 기판의 제조 방법과 이를 이용한 화합물 반도체 기판 및 화합물 반도체 소자 | |
US20070215901A1 (en) | Group III-V nitride-based semiconductor substrate and method of fabricating the same | |
JPH10312971A (ja) | III−V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法 | |
US20110003420A1 (en) | Fabrication method of gallium nitride-based compound semiconductor | |
JP3940673B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法、および窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
KR20020065892A (ko) | 3족 질화물 반도체 결정 제조 방법, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체 제조 방법, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체 발광 소자, 및 반도체발광 소자를 이용한 광원 | |
JP3934320B2 (ja) | GaN系半導体素子とその製造方法 | |
WO2003068699A1 (en) | Group iii nitride semiconductor crystal, production method thereof and group iii nitride semiconductor epitaxial wafer | |
JP4222287B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 | |
EP1898449B1 (en) | Compound semiconductor devices and methods of manufacturing the same | |
JP4158760B2 (ja) | GaN系半導体膜およびその製造方法 | |
KR20100022663A (ko) | 질화물 반도체 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130327 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140325 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160401 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170328 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180319 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190325 Year of fee payment: 13 |