KR20060025529A - 박막 증착 증발기 - Google Patents

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Abstract

용기 내에 제공된 기화가능한 재료를 가열하여 그 증기를 제공할 수 있는 연계된 가열기를 구비한 용기를 포함하는, 그 내부에서 증발된 재료가 기판상에 증착되게 되는 배기가능한 내부 증착 챔버와 함께 사용하기 위한 재료 소스 증발기. 복수의 출구를 구비한 매니폴드도 연계된 가열기를 구비하며, 이는 고정된 위치에서의, 인접 기판상의 층 내에서의 그 증착을 초래하는 재료 증기의 캘리브레이팅된 공간적 분포를 제공하도록 선택된 패턴으로 존재하는 출구 외측으로 통과하기에 충분하게 기체상태로 남아 있도록 매니폴드내에 제공된 재료 증기를 가열한다. 따라서, 층은 비교적 균일한 두께를 갖는다.
Figure 112005065969734-PCT00001
증착 챔버, 재료 소스 증발기, 운반 덕트, 가열기, 흐름 제어 밸브

Description

박막 증착 증발기{THIN-FILM DEPOSITION EVAPORATOR}
본 발명은 박막 구조체, 특히, 유기 박막 발광 다이오드 같은 박막 구조체 및 그 제조 시스템에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드는 전기 동작식 평판 패널 전자발광성 디스플레이의 화소를 형성하기 위해 사용되는 것으로 현저한 주목을 받고 있다. 백라이트(backlit) 액티브-매트릭스 액정 기반 평판 디스플레이에 비해, 이런 유기 발광 다이오드 기반 디스플레이는 보다 큰 가시 각도, 제어 신호에 대한 보다 신속한 응답 및 보다 적은 전력 소산을 제공한다.
이런 다이오드는 두 개의 근접 이격된 전극으로 형성되며, 이 전극 중 적어도 하나는 가시광에 투과성이다. 이들 두 전극 사이의 좁은 공간에는 발광성 유기 재료의 하나 이상의 층이 제공되며, 그래서, 전극 사이에 전류가 형성될 때, 이런 층은 사용되는 특정 유기 재료에 따른 컬러의 빛을 방출한다. 따라서, 적색광을 제공하기 위한 폴리티오펜, 또는, 녹색광을 위한 폴리페닐렌비닐렌 또는 청색광을 위한 폴리플루오렌으로 이루어진 유기 재료층이 선택될 수 있다. 투명 전극은 그 위에 유기 박막 발광 다이오드를 제조하기 위한 평판 패널 기판으로서 기능할 수 있으며, 통상적으로 애노드(anode)를 형성하기 위해 그 위에 증착된 인듐 주석 산화 물을 갖는 유리로 형성된다. 나머지 전극, 캐소드(cathode)는 마그네슘-은 합금 또는 리튬-알루미늄 합금 또는 칼슘 같은 금속 시스템이다.
비교적 큰 면적의 유기 발광 다이오드 기반 평판 패널 디스플레이의 대량 제조시, 비교적 넓은 면적에 걸쳐 높은 비율로 형성됨에도 불구하고, 증착된 재료 특성 및 두께가 균일한 박막을 유리 기판상에 제공하기 위해 새로운 제조 방법이 요구된다. 이런 막을 형성하기 위해 사용되는 핵심 기술 중 하나는 증발 막 증착이며, 이 증발 막 증착에서는 증발 대상 관련 재료 종(species)이 그 증기를 생성하도록 가열되어 기판상에서의 증착을 위해 기판으로의 원하는 경로를 따른 분자의 흐름을 형성한다. 이 프로세스는 진공 시스템 내에서 이루어지며, 진공 시스템은 통상적으로, 증착 챔버, 그 위에 선택된 재료의 증착을 위해 기판 패널이 위에 장착되는 챔버내의 소정의 수단, 시스템을 배기시키기 위한 펌프, 압력 게이지 및 하나 이상의 재료 증발 소스를 포함한다. 기판 표면 또는 사전 층 코팅 기판이나 다른 사전 층상에 균일한 박막 코팅을 제조하는 것은 종종 기판 표면 위 또는 기판상에 사전에 증착된 층이나 다른 층의 표면 위의 증착된 플럭스(flux)를 평균화하여 플럭스 배급 시간 또는 공간적 변동으로부터 초래하는 임의의 증착 비균일성을 감소 또는 제거시키기 위해 기판 패널의 회전을 필요로 한다.
가용한, 그리고, 이전에 사용되는 광범위하게 다양한 재료 증발 소스가 존재한다. 이런 증발기의 가장 일반적인 유형은 그 재료, 즉 증발물의 결과적인 증기를 생성하도록 증착을 위해 선택된 내부의 재료 종의 열적 가열을 활용한다. 이 재료는 최초에, 증발기 내의 용기 또는 도가니 내측에 제공되며, 이 도가니는 인접한 가열 요소로 둘러싸여 있다. 열 차폐층이 이들 가열 요소와 도가니 둘레에 제공되어 발생되는 열의 대부분을 구속하고, 그에 의해, 열이 도가니 내로 확산하게 하며, 도가니는 증발물이 그 플럭스를 형성하기 위해 탈출할 수 있는 개구를 내부에 구비한다. 이 개구 외측 영역에서의 증발물의 공간적 변동은 개구의 평면에 수직인 도가니 개구의 중심선과 관련 공간적 위치 사이의 각도에 의존하며, 거의 그 각도의 코사인 함수를 따른다. 증착된 증발물 플럭스의 이 근사 코사인 분포로 인해, 증착의 균일성은 플럭스 경로를 따라 축 중심으로 기판을 회전시킴으로써 다소 향상될 수 있다. 비교적 큰 면적의 기판에 대하여, 이 증착 챔버 내에서의 그 회전은 크기 증가와 함께 점차 보다 어려워지며, 배기된 증착 챔버내 에서의 이런 회전을 제공하기 위한 수단은 그 동작 및 설계에 상당한 복잡성을 추가한다. 따라서, 내부의 증착 기판의 회전을 필요로 하지 않는 재료 증발 소스가 매우 바람직하며, 이는 이런 회피는 시스템 제조 비용 및 복잡성을 감소시키고, 결과적인 가동 부품 수의 감소로 인해 동작 사용시 시스템의 고장간의 평균 시간을 연장시키며, 그에 의해, 동작 비용을 감소시키기 때문이다. 그러나, 기판 패널의 크기가 증가하고, 그에 의해, 결과적인 디스플레이 가시 면적이 증가할 때, 증착된 박막 균일성은 특히 기판의 회전 없이는 달성하기가 점차 더 곤란해진다. 비록, 증발기 내에 다수의 플럭스 소스를 사용하여 보다 양호한 균일성을 달성할 수 있지만, 모든 이런 소스의 동시적인 일관적 제어는 달성하기 곤란하며, 그에 의해, 원하는 막 균일성도 달성하기 곤란하다.
재료 증발 소스에 사용되는 한가지 변형은 밸브 메커니즘에 의해 도가니로부 터 분리될 수 있는 증기 운반부가 추가되어 있다. 이 운반부에서의 증기 응축을 방지하고, 또한, 때대로, 증발물의 화학적 또는 물리적 특성을 변경하기 위해, 이런 운반부는 일반적으로 독립적으로 가열된다. 이런 재료 증발 소스는 보다 다재다능하며, 이는, 밸브 메커니즘이 재료를 안정하게 유지하고 보존하도록 플럭스의 미세 조절을 가능하게 하기 때문이다. 그러나, 증착 챔버내의 기판에 도달하는 플럭스 분포는 유사한 근사 코사인 분포를 따른다.
보다 최근의 다른 재료 증발 소스 변형에서, 가스 분포 매니폴드가 상술한 가열식 증기 운반부에 추가되었다. 이 매니폴드는 증발물이 그 기판 표면상으로 배출 및 증착되도록 그 위에 증착이 이루어지는 기판의 표면에 직접적으로 노출되도록 배치된다. 이 매니폴드는 또한 둘 이상의 가스상 재료 종이 증착을 위한 배출 이전에 혼합될 수 있게 하는 수단으로서 기능할 수 있다. 역시 밸브 수단이 사용되어 배출되는 재료의 양 또는 플럭스의 제어를 가능하게 한다. 그러나, 역시, 이 또한 증착 챔버내의 기판에 도달하기 위해 매니폴드 개구로부터의 방출 이후의 플럭스 분포는 유사한 근사 코사인 분포를 따른다. 따라서, 막의 증착 동안 그 기판을 회전시킬 필요 없이, 기판의 표면 또는 기판상에 사전에 증착된 막의 표면상에 비교적 균일한 박막을 증착할 수 있는 재료 증발 소스에 대한 필요성이 존재한다.
본 발명은 출구 포트를 가지면서, 그 출구 포트에서 그 증기를 제공하도록 용기에 제공된 기화가능한 재료를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 구비한 용기를 포함하는, 증발된 재료가 그 내부에서 기판상에 증착되는 배기가능한 내부 증착 챔버와 함께 사용하기 위한 재료 소스 증발기를 제공한다. 입력 포트와 복수의 출구를 가지는 매니폴드는 또한 연계된 가열기를 가지며, 이 가열기는 출구 외측으로 통과하기에 충분하게 기체상태로 유지되도록 그 입력 포트를 통해 매니폴드내에 제공된 재료 증기를 가열할 수 있고, 출구는 고정된 위치에서 인접 기판상의 층에 그 증착을 초래하는 재료 증기의 공간적 분포를 제공하도록 선택된 패턴으로 이루어진다. 따라서, 층은 기판 위에서 달성되는 평균 두께의 3% 이내가 되도록 충분히 균일한 두께를 갖는다. 매니폴드 입구 포트와 용기 출구 포트 사이에서 연장하는 운반 덕트가 제공된다. 매니폴드는 별개의 서브매니폴드로 세분될 수 있으며, 운반 덕트는 매니폴드로 진입하는, 그리고, 출구까지 연장하는 다수의 덕트 부분으로 분기될 수 있다. 하나 이상의 밸브가 운반 덕트 내에 배치되어 증발물 플럭스 유동을 제어할 수 있다.
도 1a는 본 발명을 구현하는 증발기의 부분 파단 측면도.
도 1b는 본 발명을 구현하는 증발기의 측면도.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 실시예에 사용할 수 있는 구성요소의 사시도.
도 3은 도 1의 실시예에 사용할 수 있는 다른 구성요소로부터 얻을 수 있는 결과를 나타내는 플롯을 가지는 그래프.
도 4a 내지 도 4f는 도 1의 실시예에 사용할 수 있는 다른 구성요소의 상면도.
도 5는 도 1의 실시예에 사용할 수 있는 구성요소의 사시도.
도 6a 및 도 6b는 도 1의 실시예에 사용할 수 있는 구성요소의 사시도.
도 7은 도 1b의 실시예의 증발기의 개략 측면도.
도 8a 및 도 8b는 본 발명을 구현하는 증발기의 측면도 및 부분 횡단면 측면도.
도 9a 및 도 9b는 도 1 및 도 8의 실시예에 사용할 수 있는 구성요소의 사시도.
도 10a 및 도 10b는 도 1 내지 도 8의 실시예에 사용할 수 있는 시스템의 시스템 동작의 양태를 도시하는 시스템 및 그래프의 개략도.
도 1a는 무엇보다도 유기 발광 다이오드 같은 다양한 박막 구조체를 제조하기 위한 본 발명의 재료 증발 소스(10)의 부분 파단 측면도를 도시한다. 균일하게 가열된 인젝터 매니폴드(14)에 조절가능한 니들 밸브(13)를 통해 증발물 플럭스를 전달하기 위해, 가열된 전달부 또는 덕트(12)에 의해 연결되어 있는, 내부에 재료 종으로부터의 재료 증기를 발생시키기 위한 개별 가열식 도가니(11)를 갖는다. 매니폴드(14)는 외부 셔터판(16)에 의해 덮혀질 수 있는 이 매니폴드 내의 일련의 출구(15)에 의해 그 플럭스가 도달가능한 증착 챔버(도 1a에 소스(10) 위의 수평선으로서 도시)의 배기가능한 영역 내의 고정 위치 기판 패널의 전체 표면 위에 실질적으로 균등하게 가열된 도기나(11) 내에서 발생된 증기 플럭스를 공간적으로 분포시킨다. 모터(17)는 그 밸브의 개방도를 선택하여, 순차적으로, 인젝터 매니폴드(14)내로의 증발물 유동을 제어하기 위해 조절가능한 니들 밸브(13)의 액추에이터 스템 을 제어한다. 소정의 증착된 재료가 온도에 민감할 수 있기 때문에, 소스 방사선으로부터 증착 챔버 내의 기판의 바람직하지 못한 가열을 방지하기 위해, 필요시, 수냉되는 가열된 차폐부(18)가 제공된다.
도가니(11)는 증발기 차지 재료 종을 내부에 편리하게 재보급할 수 있게 하고 서로 다른 크기의 도가니를 교체할 수 있도록 증발기 수납부 상의 이면판을 벗김으로써 쉽게 액세스할 수 있다. 플럭스 경로를 따른 구조체의 모든 내측면은 이런 표면상의 플럭스 재료 응축을 제거하도록 선택된 온도 범위 내에서 안정하게 유지된다. 셔터판(16)은 모든 출구(15)가 신속하게, 그리고, 실질적으로 동시에 개방 또는 폐쇄될 수 있도록 동작된다. 매니폴드(14)의 물리적 크기, 특히, 증착 챔버 내에서 기판을 향하는 그 표면의 범위는 임의로 크기설정된 기판 패널 상의 적절한 증착을 위해 요구되는 범위로 스케일링될 수 있다.
유기 고형물 같은 도가니(11) 내에서의 증발을 위한 기재로서 사용되는 최초 제공 재료 종 중 일부 종류의 열악한 열 전도성으로 인해, 개방형 도가니 내에서 이런 재료의 균질한 온도를 달성하는 것은 어려우며, 그에 의해, 운반된 플럭스 양의 동요가 초래되고, 이는 재료 증발물의 증기 압력이 그 온도에 지수함수적으로 의존하기 때문이다. 증발기(10) 내에서, 도가니(11) 내에 제공된 증발 재료 종 소스 차지는 도가니가 초기 증발 재료 차지 전반에 걸쳐 양호한 열 평형을 제공하도록 기능하게 양호하게 폐쇄된 용기 내에 수납된다. 도가니의 큰 열 질량은 내부의 온도 변화를 최소화하며, 그래서, 증발 플럭스 양 값 드리프트(drift)를 최소화한다. 그러나, 이런 큰 열 질량은 또한 도가니(11) 단독의 온도 조절에 의해 신속한 증발 플럭스 양 변화를 달성하는 것이 곤란하다는 것을 의미한다. 따라서, 재료 증발 소스(10)는 운반부(12)를 통한 플럭스 흐름을 제어하기 위해 급속 동작 밸브를 포함한다. 이런 배열은 모터(17)에 의해 선택적으로 구동되는 그 액추에이터 스템을 통해 동작되는 조절가능한 니들 밸브(13) 및 그들을 연결하는 조절가능한 메커니즘에 의해 제공되며, 밸브(13) 및 모터(17) 양자 모두는 속도 센서 기반 피드백 루프에 포함되기에 적합하며, 그에 의해, 동작 플럭스 양 값을 그를 위하여 선택된 값으로 정확하게 유지하는 것을 제어한다. 각 증착의 종료시, 밸브(13)는 그를 통한 추가 유동을 완전히 폐쇄시킬 수 있으며, 그에 의해, 재료 사용을 절감한다. 유기 발광 다이오드 제조에 사용되는 고순도 유기 재료가 고가이기 때문에, 재료 증발 소스 사용시의 재료 보전은 중요한 증발기 성능 고려사항이다.
도가니(11)는 다음 증착이 시작될 준비가 될 때 동일한 플럭스 값이 동일한 크기의 밸브 개방도를 제공하도록 동일한 사전설정된 위치로 밸브 니들을 복귀시킴으로써 재현될 수 있도록 밸브(13)가 폐쇄된 상태에서도 선택된 일정 온도에서 유지된다. 모터 구동식 밸브 메커니즘에 의해, 플럭스 양이 신속하게 조절될 수 있고 시간 경과에 따른 플럭스 양의 임의의 선택된 프로파일(profile)이 모터 제어기 내로 프로그램될 수 있다. 이 후자의 배열은 하나 이상의 구성 요소 또는 막 재료 도핑제가 증착되거나 또는 양자 모두가 증착될 때 박막의 조성을 조절할 필요가 있는 경우에 특히 유용하다. 인젝터 매니폴드(14)의 비교적 큰 체적에 기인하여, 그로부터 방출되는 플럭스 양의 변화가 대응 밸브 작용에 대한 시간 지연을 나타낸다. 플럭스 양의 급격한 변화를 가능하게 하는 것을 보장하기 위해, 그로부터의 플럭스 방출이 거의 즉시 중단될 수 있도록 공압 작동식 셔터판(16)이 인젝터(14)의 출구(15)에 제공된다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 재료 증착 소스(10)는 기판이 그 상부에 증착된 박막층을 수용하도록 위치되는 증착 챔버 내의 내부 배기가능한 영역 내의 용이한 설치를 위한 독립형 유닛이다. 그의 동작은 그의 배향에 무관하고, 이에 의해 도 1a에 도시된 바와 같이 소스(10)를 상향 대면, 또는 하향 대면, 또는 측방 대면으로 위치하는데 있어서의 융통성을 허용한다.
재료 증착 소스(10)에 사용된 구성 요소의 모듈형 특성에 기인하여, 그의 부분은 증착 챔버의 외부에 제공되어 그 이외의 경우에 그의 구조체를 수용할 필요가 있는 챔버의 진공 유지 영역에 소스(10)에 의해 점유된 공간을 감소시킬 수 있다. 이 가능성은 박막 디바이스의 제조를 더 경제적이 되게 하도록 콤팩트하고 효율적인 증착 챔버 디자인을 유도할 수 있다. 따라서, 도가니(11)는 운반부(12) 및 밸브(13)를 통해 매니폴드(14)에 연결되는 한 진공 증착 챔버의 내부 또는 외부에 배치될 수 있다. 이러한 외부 도가니 배열은 도 1b의 측면도에서, 가열된 운반부(12)의 부분 및 매니폴드(14)가 이 도면에서 진공으로서 표현되어 있는 증착 챔버 내의 배기가능한 영역 내에 있는 다른 재료 소스 증발기(10')로서 도시되어 있다(소스(10')의 상부의 수평선은 또한 고정 위치 기판 패널을 표현한다). 또한 유사하게 개방되어 따라서 도면에 분위기로서 표현되도록 증착 챔버를 요구하지 않고 분위기로 개별적으로 개방 가능할 수 있는 증착 챔버 외부에 위치된 소스(10')의 외부 부분은 거기서 도가니(11)를 포함하는 격실 및 가열된 운반부(12)의 외부 부분을 갖 는다. 증착 챔버의 외부의 이들 부분은 이 도면의 좌측으로 연장되는 3개의 최단 구조 연장부로서 도시된 3개의 물 라인 연결부를 통해 개인의 안전을 위해 수냉된다. 도 1b의 좌측으로 연장되는 나머지 더 긴 연장부는 전기 커넥터이다. 이 부분적으로 외부의 재료 소스 증발기 구조는 아래에서 상세히 기술된다.
증발 재료 종의 균일 가열 및 비교적 급속한 온도 변화 양자 모두의 개선시에, 내부의 재료 차지(전형적으로 분말 또는 고체 덩어리 형태)가 또한 도가니 내에 제공될 수 있는 높은 열전도도 시트 또는 포일에 대한 양호한 열 접촉을 갖도록 분산된다. 차지 재료 열 균일성을 증가시키기 위한 다수의 예가 도 2a 및 도 2b의 사시도에 도시된 도가니 대안에 나타난다. 대안 도가니(11')는 그의 가장 단순한 유형에서 높은 열전도도 금속으로 제조되고 증발 재료 종으로 충전되기 전에 도가니(11') 내부에 위치되는 도 2a에 도시된 나선형 코일(11") 또는 가능하게는 다중 코일들을 갖는다. 부가의 대안에서, 다른 대안 도가니(11"')는 대신에 균일하게 가열되는 모든 증발 재료 종을 촉진시키도록 도 2b에 도시된 바와 같은 금속판(11iv) 또는 금속 메시에 의해 분할될 수 있다. 도가니 내의 증발로부터 기인하는 증기 유동이 방해받지 않도록 천공부가 이들 판에 형성될 수 있다. 열분해 질화 붕소(PBN) 또는 높은 열전도도를 갖는 다른 재료가 또한 이 목적으로 이들 판에 금속 대신에 사용될 수도 있다.
인젝터 매니폴드(14) 내의 출구(15)의 위치의 패턴은 증착 챔버 내의 실질적으로 균일한 기판 패널의 코팅을 제공하도록 배열된다. 동일한 것의 결정시에, 플 럭스 분포의 시뮬레이션이 일반적으로 개구 카운트 및 위치 패턴의 3개의 편차에 대해 도 3의 그래프에 나타낸 그의 몇몇 결과로 먼저 수행된다. 여기서, 플롯 1, 2 및 3은 각각의 코너에서 하나의 구멍을 갖는 4-구멍 패턴(플롯 2); 중심의 동일 개구 영역의 부가의 구멍을 갖는 5-구멍 패턴(플롯 3); 및 더 작은 직경의 중심 구멍을 갖는 5-구멍 패턴(플롯 1)에 각각 대응한다. 상당한 두께 평활화 편차가 출구수, 위치 및 크기를 적절하게 선택함으로써 실현될 수 있다.
이러한 플럭스 분포 시뮬레이션은 매니폴드 출구 패턴의 적절한 부위로의 안내를 제공한다. 기본 접근은 시뮬레이션 및 두께 보정에 의해 구성된 다중 세트의 패턴을 사용하는 것이다. 1차 구멍 패턴은 비교적 큰 증착 비균일성을 여전히 초래할 수 있는 메인 플럭스를 제공한다. 이 구멍의 1차 패턴 세트는 도 4a에 도시된 바와 같이 매니폴드(14)의 상부판의 코너의 4개의 구멍에 의해 표현된다. 증착된 층의 두께 분포는 스타일러스형 깊이 프로파일링, 전자 현미경 이미징, 원자력 현미경 검사, 광학 간섭계(광 강도 진동 주기가 광의 파장 및 층 두께의 함수인 투과 또는 반사 측정)를 포함하는 임의의 수의 기술에 의해 측정될 수 있다.
초기 시험 증착시의 증착된 층의 두께 측정 후에, 다른 매니폴드(14') 내의 출구 구멍 패턴의 제 2 세트가 플럭스 분포의 더 미세한 조절을 제공하도록 사용될 수 있다. 도 4B에서, 이는 더 작은 개구 영역을 갖는 중심에서의 단일 구멍에 의해 표현된다. 필요하다면, 시뮬레이션 및 두께 균일도 측정에 의해 결정된 바와 같이, 도 4C에 부가의 구멍을 갖고 도시된 또 다른 매니폴드(14") 내의 부가의 제3 세트의 출구 구멍 패턴이 더 미세한 조절을 실행하도록 제공될 수 있다. 본원에 설명된 이들 다중 세트의 구멍 패턴은 단지 예로서 제공된 것이고, 다른 유사한 정밀하거나 양호한 정밀도 구멍 플럭스 방출 구멍 패턴이 설명된 바와 같은 시뮬레이션 및 계통적 보정을 사용하여 발견될 수 있다. 증발된 재료의 플럭스 분포는 증발물의 분자량, 증발 속도, 플럭스 경로 내의 가열된 표면 상의 잔류 시간, 및 출구 구멍(15)에 인접한 매니폴드의 바로 내부의 증발 압력과 같은 다수의 변수의 함수로서 변경될 수 있다. 따라서, 상술된 계통적 절차는, 시뮬레이션에 의해 제공된 안내와 함께 사용될 때 증착 챔버 내에 제공된 기판 상의 증착 코팅의 증분적으로 정제된 균일도를 허용한다. 기판 상의 전체 증착은 매니폴드(14) 내에 제공된 선택된 세트 내의 모든 구멍으로부터의 플럭스 분포의 총합이다. 이러한 증착의 결과는 선택된 균일도에 도달하도록 수행될 수 있고, 이는 원하는 증착된 재료 분포를 초래하도록 공간 플럭스 분포의 필요한 미세도를 실행하기 위해 매니폴드 내의 구멍(15)의 충분한 복잡한 배열을 사용함으로써, 이러한 증착이 해당 기판의 회전 없이 수행되는 기판 상의 전체 영역에 걸쳐 기판 상에 증착된 재료의 평균 두께의 플러스 또는 마이너스 3 퍼센트 내에 있을 수 있다. 이들 결과는 또한 대응 매니폴드를 통한 증착이 발생하는 기판 표면의 범위에 정합하도록 일반적으로 치수 설정되는 출구 구멍이 이를 통해 연장하는 표면 상의 영역을 갖도록 매니폴드를 형성함으로써 보조된다.
이들 더 미세한 조절을 성취하는데 있어서, 원래 구멍(15) 크기 또는 배향의 변화가 최종 플럭스 분포를 더 수정할 수 있다. 간단한 수단은 원래 구멍(15)의 일부 또는 전체를 커버하여 이에 의해 개구 영역 크기 및 그의 기하학적 형상을 변경 하도록 작동될 수 있는 가동 커버(15')를 사용하는 것이다. 이는 프로세스 동안에 작동될 때 가동 커버(15')가 각각의 관련 구멍(15)의 가변 영역을 커버하도록 제조될 수 있는 도 4D에 도시되어 있다. 가동 커버(15')의 작동은 공압 또는 전기 수단에 의해 또는 자기 커플링 수단과 같은 다른 적합한 수단에 의해 작동될 수 있는 기어, 벨로즈 또는 케이블과 같은 적절한 전기 또는 기계적 수단에 의해 실행될 수 있다. 가동 커버(15')의 운동은 선형 또는 회전 방식으로 발생하도록 이루어질 수 있다.
매니폴드 내의 어퍼추어(aperture)용 구멍 개구(hole opening)의 기하학적 형상은 우선적으로 공간에서 그로부터 방사하는 플럭스를 지향시키기 위해 또한 선택될 수 있다. 도 4E는 출구의 상부 평면이 평탄하거나 구멍의 대칭축에 대해 수직인 구멍(15)을 재차 도시한다. 도 4f는 대안적으로 상이한 구멍(15")을 도시하고, 여기서 이 구멍은 직선형으로 도시되어 있는 튜브에 의해 매니폴드 표면으로부터 외향으로 연장되지만, 출구의 상부 평면이 기울어지거나 구멍 또는 튜브의 대칭축에 대해 경사지는 상태로 만곡될 수 있다. 개구부는 평면에 한정될 필요는 없고 이 커브의 경계로 그를 가로질러 연장하는 기하학적 표면을 가질 수 있다. 출구의 가열된 내부 표면은 원하는 방향으로 그를 통해 플럭스를 지향시키는 역할을 한다. 이들 개구는 개구 구조체가 회전식으로 이동하고 또한 이러한 수단을 사용함으로써 회전되거나 선택적으로 각도를 이루어 위치될 수 있도록 소정의 작동 전기, 기계 또는 자기 수단에 연결되게 하는 배열로 위치될 수 있다. 경사진 개구의 단순한 회전은 필요하다면 심지어는 증착 프로세스 동안에 방출 증기의 방향이 변경되도록 하고, 프로세싱 동안의 연속적인 회전은 원한다면 플럭스의 부가의 공간 평균화를 제공할 수 있다. 다른 유사한 방법이 플럭스 분포를 조절하도록 고려될 수 있다. 보정은 시험 증착 후에 최종 막 코팅의 두께 분포를 맵핑함으로써 수행된다. 다음, 이러한 구멍의 전체 세트가 개별적으로 또는 실시간으로 이에 따라 조절될 수 있다.
증착된 박막 재료의 원하는 특성은 증착시의 제 2 재료의 합체에 의해 향상될 수 있기 때문에, 화합물을 형성하기 위해 또는 제 1 재료 내의 도핑제(트레이스 양으로)로서 존재하기 위해, 재료 증발 소스(10)를 사용하여 복수의 상이한 재료를 증발하기 위한 수단이 필요하다. 일 배열은 각각의 소스로부터의 플럭스의 혼합이 매니폴드(14) 내의 구멍(15)을 나오기 전에 수행되도록 하나 이상의 도가니(11)가 동일한 매니폴드(14) 내에 있거나 그에 연결될 수 있는 구조이다. 이는 상이한 소스로부터의 재료 종이 상이한 온도 편차를 갖거나, 또는 증기의 원하지 않는 화학 반응이 발생할 수 있는 경우 몇몇 상황에서 실용적이지 않을 수 있다. 이들 상황은 도 5에 도시된 바와 같이 적절한 위치에 배치된 대응 출구 구멍(15)으로 매니폴드(14)를 통해 연장하는 연장된 가열 운반부(12')를 제공함으로써 극복된다. 가열된 운반부(12)의 다른 부분은 그로부터 도 5에 도시되지 않은 다른 출구 구멍(15)으로부터 플럭스가 배출되는 매니폴드(14)의 내부로 다른 재료 플럭스를 이송하도록 제공될 수 있다.
복수의 상이한 종류의 증발 소스 재료가 조합되어 이 방식으로 증착 챔버 내의 기판 상에 증착될 수 있다. 도 6a는 어떻게 두 개의 재료가 이 방식으로 조합되 는지를 도시한다. 명료화를 위해, 각각의 재료 소스 도가니(11)로부터의 단지 하나의 운반부(12, 12')가 도시되어 있지만, 임의의 수의 운반부가 이에 따라 제공될 수 있다. 이들 연장부는 응축을 회피하도록 요구될 때 독립적으로 가열되고, 적절한 열 격리에 의해, 각각이 독립 가열 제어에 의해 개별적으로 유지될 수 있다. 대안은 도 6b에 도시된 바와 같이 분할된 매니폴드(14iv)를 형성하도록 개별 부위로 매니폴드(14)를 분할하는 것이고, 각 부위는 개별적으로 및 독립적으로 가열되고 각각 서로로부터 열적으로 격리된다. 각각의 이러한 부위는 이에 의해 하나 이상의 증발물 재료가 진공 증착 챔버 내로 배출되는 도중에 이송될 수 있는 서브매니폴드로서 작용한다. 예로서, 하나의 증발물 재료 플럭스가 A 및 C로 표시된 매니폴드 부위 내로 지향될 수 있고, 제 2 증발물 재료 플럭스가 매니폴드 부위(B, C) 내로 지향될 수 있다. 다음, 증기는 이들 두 개의 재료를 합체하는 균일한 층을 형성하도록 원하는 출구 구멍(15) 위치에서 분할된 매니폴드(14iv)로부터 동시에 또는 순차적으로 벗어난다. 각 부위 내의 부가의 구멍은 이들 재료의 원하는 공간 분포를 얻는데 요구되는 바와 같이 결정되어 제공될 수 있다.
증착 챔버 내부의 가치 있는 진공 공간의 더 양호한 이용 및 대응 도가니 내의 증발 재료 종의 차지의 보충의 이용은 이러한 진공 증착 챔버의 외부에 도가니 또는 도가니(11)를 위치시키기 위한 요구를 초래한다. 이와 같이 위치된 도가니는 여전히 가열된 전달부 또는 전달부들(12)을 거쳐 인젝터 매니폴드(14)에 연결되어야 한다. 도가니 히터 및 관련 부분의 임의의 유지 보수 또는 수정이 또한 용이하 게 되고, 이에 의해 이는 증착 챔버를 개방하고 이에 의해 내부의 진공을 파괴하지 않고 성취될 수 있다. 도가니(11)가 대기압에 노출되어야 할 때, 구조적 배열은 또한 증착 챔버의 진공 레벨이 진공의 파괴가 회피되는 경우 여전히 적절하게 유지되도록 채택되어야 한다. 이는 밸브가 적절하게 구성되면 상술한 밸브 메커니즘, 즉 니들 밸브(13)를 사용함으로써 간단히 성취될 수 있다. 정지형 밸브 시트에 대해 이동될 때 진공 밀봉을 제공하기 위한 니들 밸브는 니들 액추에이터 및 밸브 시트 상의 정합 표면 양자 모두가 평활한 마무리 가공 및 양호하게 정합된 대면 표면 윤곽을 갖는 것을 요구한다. 밸브 밀봉 특성의 향상은 니들 액추에이터가 이동하여 시트와 접촉하는 밸브 본체의 시트에 가스켓 또는 O-링 수단을 추가함으로써 성취될 수 있다.
또한, 두 개의 밸브가 부가의 밀봉 능력을 제공하기 위한 기초로서 도가니(11)로부터 매니폴드(14)로의 플럭스 경로를 따라 서로 직렬로 배치될 수 있다. 하나의 이러한 밸브가 증착 챔버로부터의 임의의 증기 누출을 방지하도록 폐쇄될 때 강건한 완전한 밀봉을 제공하도록 밸브(13) 및 다른 부분과 연계하여 상술된 바와 같이 플럭스 또는 증기 유동을 조절하고 제어하는데 사용된다. 두 개의 밸브의 구조는 동일하지만 재료 소스 증발 시스템 내에서의 매 사용시에 요구되는 두 개의 개별 기능적인 능력에 따라 상이할 수도 있다. 플럭스 제어 밸브에서, 예로서 밸브 니들 및 그의 정합 밸브 시트는 더 선형이고 더 미세한 유동 제어를 실행하도록 성형될 수 있다. 밀봉 밸브에서, 구조체는 증착 및 밸브 밀봉 특성을 향상시키도록 완전히 폐쇄될 때 큰 힘을 견디도록 제조된다.
플럭스 경로에서의 직렬의 두 개의 이러한 밸브의 사용은 증발물 플럭스 또는 증기 유동이 더 양호하게 안정화되고 조절될 수 있게 한다. 따라서, 제어 밸브의 위치는 증착 프로세스가 완료될 때 특정 플럭스 요구에 고정될 수 있다. 이 시점에서, 밀봉 밸브는 임의의 증기 누출을 방지하도록 폐쇄될 수 있다. 동일한 플럭스 값이 밀봉 밸브가 개방되자마자 성취될 수 있는데, 이는 제어 밸브의 위치가 변경되지 않았기 때문이다. 플럭스 값들을 재생하는 것은 특히 제조 환경에서 필요로 한다.
이러한 재료 소스 증발기의 밀봉 특성의 부가의 향상을 위해, 펌핑 수단이 이들 두 개의 밸브 사이의 가열된 운반부(12) 부분에 구현될 수 있다. 양 밸브가 폐쇄될 때, 증착 챔버 내에 발생하는 및 두 개의 밸브 사이의 운반부에 발생하는 진공의 차이가 최소로 유지될 수 있다. 이러한 "차동 펌핑"은 재료 소스 증발기 자체의 잔여부가 유지 보수, 재료 보충 또는 다른 이유로 인해 제거될 때에도 증착 챔버의 진공 완전성을 더욱 보장한다. 증착 챔버가 대기로 배기되는 경우에, 재료 소스 증발기가 내부에 포함된 소스 재료 차지가 오염되지 않도록 적절한 진공으로 유지될 수 있다는 점에서 그 역도 또한 적용된다.
밀봉 밸브를 위한 다른 니들 밸브 메커니즘의 사용의 대안은 "게이트(gate)" 밸브의 사용이고, 여기서 블레이드 수단이 튜브부 개구 간극을 가로질러 활주되도록 제조된다. 블레이드 수단이 튜브 개구부(폐쇄 위치)를 완전히 커버하도록 제조되면, 이는 튜브부위 개구부 둘레의 편평한 플랜지 표면 상의 가스켓에 대해 가압되도록 제조될 수 있다. 게이트 밸브의 주기능은 두 개의 측면의 압력 레벨이 대단 히 상이할 때에도 진공의 견지에서 두 개의 측면을 완전히 격리하는 것이다. 따라서, 게이트 밸브는 그 후에 대기압으로 배기되는 그의 재료 소스 증발기측에서도 원하는 진공 레벨에서 증착 챔버를 유지하도록 필요한 격리 밀봉을 제공할 수 있다. 필요하다면, 상술한 바와 같은 상이한 펌핑 수단이 두 개의 밸브 사이에 설치될 수 있다.
이러한 두 개의 직렬 밸브 구조 재료 소스 증발기(10")는 게이트 밸브(13')가 제어(니들) 밸브(13)와 매니폴드(14) 사이의 가열된 운반부(12) 내에 위치되어 있는, 도 1b의 증발기(10')의 표현으로서 도 7에 개략적으로 도시되어 있다. 게이트 밸브(13')는 원한다면 밸브 게이트 내부 제어 유동이 완전 개방, 부분 개방 또는 완전 폐쇄로 설정되는지의 여부(일반적으로 수동으로)에 따라 밸브를 통한 플럭스 경로에 대한 사전설정된 유로 단면적 설정에 도달하도록 작동될 수 있다.
가열된 운반부(12)의 제 1 정지부(12")는 밸브(13)에 연결되고, 수행시에 일반적으로 수동으로 수행되는, 가동부(12"')가 게이트(13')로부터 후퇴될 때 게이트(13')에 대해 밀봉 가능한 다른 가동부(12"')가 그 내부로 부분적으로 이동된 상태로 수용될 수 있다. 따라서, 가동부(12"')는 진공이 증착 챔버 및 재료 소스 증발기 양자 모두에 여전히 설립되면서 게이트 밸브가 폐쇄되기 전에 벗어난 위치에 위치되도록 후퇴될 수 있다. 게이트(13')는 그 후 가동부(12"')를 손상하지 않고 폐쇄될 수 있고, 이어서 진공이 증착 챔버가 유지되는 동안에 보수 또는 리차징과 같은 소정의 목적으로 밸브의 증발기측에서 파괴될 수 있다.
그후, 진공이 증발기 내에 재설립되어 게이트 밸브(13')가 증착 챔버 내의 진공을 상당히 방해하지 않고 개방되게 할 수 있다. 가동부(12"')는 그후 게이트 밸브(13')가 개방된 후에 가열된 운반부(12)의 다른 정지부(12iv)로 연장된다. 이 후자의 연장 위치에서, 가동부(12"') 및 정지부(12iv)는 밀봉 배열로 서로 기밀하게 연결되어 이들 사이에 누출 없이 각각을 통해 증기 플럭스의 통과를 허용한다.
증착 챔버 내의 박막 디바이스의 제조에 매우 유용한 재료 소스 증발기에 제공될 수 있는 부가의 능력은 증발기의 사용을 통해 발생하는 그의 소정의 고갈 후에 도가니(11) 내에 미리 배치된 증발기 재료 차지종의 리차지를 허용하는 것이고, 이들 모두는 증착 챔버 내에 미리 설립된 진공 상태를 중단하거나 파괴하지 않는다. 도 8a는 증착 챔버가 또한 유사하게 개방되는 것을 요구하지 않고 분위기로 개별적으로 개방 가능한 배열에서 도가니(11)를 갖고 도시된 도 1b의 소스(10')의 수정예인 재료 소스 증발기(10"')를 도시하고, 이 배열은 박막 증착이 고정 위치 기판에서 선택적으로 수행되는 증착 챔버 내의 배기가능한 영역의 외부에 있다. 수정된 증발기(10"')는 격실 하우징 도가니(11)에 부착된 재료 차지 이송 시스템(20)을 갖는다. 다른 이러한 재료 차지 이송 시스템은 소스가 밸브 메커니즘을 갖는지의 여부에 따라 임의의 수의 증발 소스의 상이한 종류의 재료 차지종을 위한 유사한 도가니를 포함하는 임의의 하나 또는 모든 다른 격실에 부착될 수 있다.
도가니(11)는 격실(21)의 내부에 위치되고, 재료 차지(material charges) 이송 시스템(20)은, 증착 프로세스가 수정된 증발기(10"')를 사용하여 증착 챔버 내에서 착수될 수 있게 하고 또한 재료 차지 이송 시스템(20)이 수정된 증발기(10"') 로부터 제거될 수 있도록 격실(21)을 밀봉할 수 있는 도 8a에 도시된 원 내에 위치된 직선형 격리 밸브(22)에 의해 이 격실에 부착된다. 직선형 격리 밸브(22)는 도 8a의 도시된 원 내에 있고 재료 차지 이송 시스템(20)의 부분으로부터 취한 도 8b의 부분 단면도에 확대되어 도시된 재료 차지 이송 용기(23)에 충분한 내부 간극을 갖는다. 재료 차지 이송 시스템(20)은 또한 밸브(22)를 통해 격실(21) 내로 부분적으로 이송 용기(23)를 전진시키도록 전달 튜브부(25)를 통해 작용하는 재료 차지 용기 전진 메커니즘(24)을 갖는다. 재료 차지 튜브(26)가 전달 튜브 부위(25)에 연결되고, 재료 차지 이송 시스템(20)에서 진공이 독립적으로 설립되어 유지되고 파괴될 수 있도록 그로부터 연장하는 진공 펌핑 포트(27)를 갖는다.
도가니 증착 재료 리차징(recharging) 프로세스에서, 적합한 양의 증발기 재료 차지종이 재료 차지 튜브(26)를 통해 대기압에서 이송 용기(23)의 내부에 먼저 배치된다. 다음, 재료 차지 이송 시스템(20)이 밀봉되고 펌핑 포트(27)를 통해 배기된다. 증발기 재료가 그 유형으로 이송 용기(23)의 내부에 배치되도록 밀봉된 용기 내부에 제공되면, 밀봉은 용기로부터 재료를 자유롭게 하도록 첨예한 블레이드 또는 핀과 같은 기계적 수단에 의해 파괴될 수 있다. 이러한 배열은 리차징 프로세스 전체에 걸쳐 공기 또는 오염물에 대한 재료의 노출을 회피하는 것을 허용한다. 용기 전진 메커니즘(24)이 차지 이송 시스템(20)의 대기압측으로부터 작동된 기계적 또는 자기 배열 또는 이들의 조합을 통해 이송 용기(23)에 결합되고, 이송 용기(23)는 전달 튜브 부위(25) 및 격리 밸브(22)를 통해 내부에 재료 차지를 갖고 전진되어 이에 의해 도가니 내로 용기의 단부를 벗어나서 재료 분말 또는 덩어리가 강제 이동되도록 차지 이송 시스템(20)의 대기압측으로부터 일반적으로 수동을 작동될 수 있는 회전 운동의 선형 운동 변환을 제공하는 이송 용기(23)(미도시) 내의 스크류 메커니즘과 같은 전진 메커니즘(24)의 다른 부분에 의해 이송 용기(23) 내의 재료 차지가 도가니(11) 내로 강제 이동될 수 있도록 그 사이에 통로를 완성할 때에 용기(23)가 도가니(11)에 결합하는 도가니(11)의 상부의 지점에 도달하도록 격실(21)의 부분적으로 내부에 있게 된다. 다음, 이송 용기(23)는 수용되는 경우에 증착 챔버 내의 코팅 프로세스가 도가니(11) 내의 보충된 재료 종 차지에 의해 재개되도록 재료 종 차지 및 밸브(22)가 폐쇄되는 그의 초기 위치로 전진 메커니즘(24)을 사용하여 후퇴된다.
안정하고 제어 가능한 플럭스 유량(flux rate)을 유지하기 위해, 이러한 플럭스의 부분이 이 센서에 의해 샘플링될 수 있는 재료 증발 소스(10) 내의 증발물 플럭스로 이어지는 경로를 따른 위치 중 하나 이상에 플럭스 유량 감지 디바이스가 합체된다. 이러한 센서의 예는 그 상부에 증착된 재료의 함수로서 신호 내의 주파수 편이를 생성하는 인피콘(Inficon)(www.inficon.com)과 같은 회사에 의해 제조된 유량 감지용 센서를 통상적으로 채용하는 석영 결정 모니터이다. 다음, 센서의 출력은 밸브 위치 또는 소스 도가니 온도, 또는 양자 모두를 조절함으로써 플럭스의 양을 제어하기 위한 피드백 제어 루프에 사용될 수 있다. 광학 투과, 압력 센서 및 간섭계 기술과 같은 다른 센서가 대안적으로 광학 소자를 소스 구조체 내에 합체함으로써 재료 소스 증발기(10) 내에 일체화될 수 있다.
이러한 센서의 적합한 배치는 증발물(evaporant) 플럭스의 부분이 이 센서를 교차하도록 일반적으로 인젝터 매니폴드(14)의 출구의 외부의 영역에 이루어진다. 센서는 증착 챔버 내에 설립된 진공에서 작동되어 이에 의해 최적의 증발물 플럭스 측정을 제공할 수 있다. 그러나, 센서를 위한 다른 바람직한 장소는 낮은 플럭스 유량에서 증발물이 더 양호하게 검출될 수 있게 하도록 플럭스의 상당 부분을 샘플링하도록 플럭스 경로 내의 상류측이다.
다수의 상이한 증발물 플럭스 중 하나의 제어는 대응 센서가 증발물 재료 플럭스의 일 특정 종류에만 감응하도록 하는 것을 요구한다. 이는 플럭스의 미소 분율이 그 구멍을 통해 벗어나고 그에 근접하여 위치된 센서에 의해 측정될 수 있도록 증발물 플럭스에 대응하는 가열된 전달부(12) 내의 소형 출구 구멍을 형성함으로써 성취될 수 있다. 센서는 다른 종류의 증발물로부터 차폐되거나 또는 비교적 멀리 이격되어 위치될 수 있다.
도 9a는 도 6a에 도시된 배열에서와 같이 재료 증발물 플럭스의 단일 종류를 운반하도록 할당된 가열된 전달부(12)의 상이한 부분에서 발생하는 대응의 단일 증발물 플럭스로의 접근을 센서에 제공하는 것을 도시한다. 센서(30)는 해당 재료에 대한 도가니 소스(11)에 인접한 가열된 전달부(12)에서 개구(12v)에 위치된다. 유사한 센서(30)가 해당 재료에 대한 가열된 전달부(12)의 단부에서 매니폴드(14)로부터 출구(15)에 인접하여 위치된다. 이러한 근접도에 의해, 센서는 상기 부위(12)의 특정부분에서 발생하는 증발물 플럭스 재료를 거의 검출한다. 그의 재료 증발물 플럭스의 측정이 상술된 센서에 의해 측정되는 재료 증발물 플럭스에 의해 상당히 간 섭받지 않도록 각 센서가 재료 특유화되는 방식으로 다른 센서를 사용하여 다른 재료 증발물에 할당된 도 9a의 이웃한 가열된 운반부(12) 부분에 대해 유사한 구조가 고안될 수 있다.
유사한 배열이 도 6b에 도시된 것과 같은 분할 인젝터 매니폴드에 제공될 수 있고, 유사한 분할 인젝터 매니폴드(14iv)가 도 9b에 도시된다. 유사한 센서(30)가 개별 매니폴드 부위 내의 대응 부위 출구 구멍(15)에 근접하여 위치되어 단지 재료 증발물 플럭스의 대응하는 일 종류에 높은 감도를 갖는다. 도 9a 및 도 9b 배열은 작은 재료 증발물 플럭스 값의 측정 및 또한 일반적으로 낮은 플럭스 값 도핑제에 특히 유용할 수 있다.
재료 증발기 소스(10)의 다양한 부위의 상이한 온도 요구를 수용하는데 있어서, 다양한 플럭스 경로 구조체를 따라 사용된 각 가열 요소는 일반적으로 독립적으로 전력을 공급받고 선택된 온도에서 유지되는 한 독립적으로 제어된다. 이는 대응 PID(비례-적분-도함수) 피드백 루프에서 전형적으로 구현되는 개별 온도 제어기를 갖는 복수의 전원을 필요로 한다. 그러나, 진보된 PID 제어기와 함께 사용된 능동 전력 분배기에 의해 전력을 분배하는 모든 히터용 단일 전원이 제공될 수 있다. 이러한 배열은 더 낮은 비용 구현 및 더 효율적인 전력 관리를 제공하도록 전원 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)과 같은 저가의 고상 스위치와 결합하여 더 높은 전력의 더 비용 효율적인 전원을 이용한다.
이러한 제어 시스템은 PID 제어기가 로드 I 내로의 평균 전력이 그 이외의 경우에 복수의 전원 중 대응하는 하나에 의해 그에 제공될 수 있는 일정한 전력에 동등한 방식으로 각각의 스위치(i)(i=1,2,...,n)를 개폐하는 도 10a에 개략적으로 도시되어 있다. 스위치(sj)의 각 "온" 시간 또는 듀티 사이클(tj)은 도 10b에 도시된 바와 같은 반복 사이클에서 총 리프레시 시간(T)의 분율을 표현한다. 전자 스위칭 시간에 비교할 때 개별 가열 요소의 저속의 열 응답 및 제공된 출력 전류의 부가의 전자 버퍼링은 방출된 전자 노이즈에 대한 전자기 간섭 조절에 순응하고 가열 요소의 수를 확장시키는 유효한 방식으로 생성된다.
고상 스위치의 디지털 제어의 사용을 통한 능동 전류 스위칭은 저가의 디지털 신호 프로세서의 사용이 각각의 히터에 대한 전력 제어를 수행하는 것을 허용한다. 이는 그 이외의 경우에 아날로그 회로 제어를 사용하여 조우될 수 있는 것과 비교하여 총 비용을 감소시킨다. 게다가, 진보된 온도 제어 적용을 위한 퍼지 논리 알고리즘의 구현을 가능하게 한다. 더욱이, 복수의 히터 회로의 능동 전류 스위칭은 전력을 평형화하는 고유의 특징을 갖는다. 이는 증착 소스 내의 히터가 하나의 부위의 온도가 모든 다른 부위에 영향을 주는 커플링된 시스템을 표현하기 때문에 이 경우에 특히 유리하다.
본 발명이 바람직한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 기술 분야의 숙련자는 본 발명의 사상 및 범주로부터 일탈하지 않는 유형 및 상세로 변경이 이루어질 수 있다는 것을 인식할 수 있을 것이다.

Claims (14)

  1. 증발된 재료가 기판상에 증착되는 배기가능한 내부 증착 챔버와 함께 사용하기 위한 재료 소스 증발기에 있어서,
    출력 포트를 구비하고, 상기 출력 포트에 그 증기를 제공하도록 상기 용기내에 제공된 기화가능한 재료를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 구비하는 용기와,
    입력 포트와 복수의 출구를 구비하고, 상기 출구 외부로 통과하기에 충분하게 기체상태를 유지하도록 상기 그 입력 포트를 통해 그 내부에 제공된 상기 재료 증기를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 구비하며, 상기 출구는 고정된 위치로, 인접한 상기 기판상의 층에 그 증착을 생성하는 상기 재료 증기의 공간적 분포를 제공하도록 상기 매니폴드 내에서 선택된 패턴으로 존재하며, 그래서, 상기 층은 상기 기판 위에서 달성되는 평균 두께의 3% 이내가 되도록 충분히 균일한 두께를 가지게 되는 매니폴드와,
    상기 용기 출력 포트와 상기 매니폴드 입력 포트 사이에서 연장하는 운반 덕트를 포함하는 재료 소스 증발기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 출구 중 적어도 하나는 상기 출구에 의해 제공되는 개구를 가로질러 연장하여 상기 개구 둘레에서 경계를 연결하는 것으로 간주되는 평활한 형상의 표면에 대한 법선을 가지며, 상기 법선은 상기 출구가 내부에 위치되는 상기 매니폴드 벽에 소정 각도로 연장하는 재료 소스 증발기.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 출구 중 적어도 하나에는 상기 출구에 의해 제공되는 개구의 적어도 일부를 선택적으로 덮도록 이동될 수 있는 가동성 덮개가 배치되는 재료 소스 증발기.
  4. 제 1 항에 있어서, 입력과 출력을 가지며, 상기 입력 및 출력 사이에 증기 흐름의 속도를 선택적으로 규제하도록 제어할 수 있는 흐름 제어 밸브를 추가로 포함하고, 상기 용기 출력 포트와 상기 매니폴드 입력 포트 사이에서 연장하는, 상기 운반 덕트는 상기 용기 출력 포트와 상기 매니폴드 입력 포트 사이의 증기 흐름의 속도를 제어하기 위해 그 내부에 배치된 상기 흐름 제어 밸브를 구비하는 재료 소스 증발기.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 용기는 그 내부에 배치된 임의의 상기 기화가능한 재료에 부가하여, 상기 기화가능한 재료보다 현저히 높은 온도에서만 기화가능한 높은 열 전도성의 재료를 포함하는 재료 소스 증발기.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 용기는 제 1 용기이고, 제 2 용기를 추가로 포함하며, 제 2 용기는 출력 포트를 구비하고, 상기 출력 포트에서 그 증기를 제공하도록 상기 용기 내에 제공된 기화가능한 재료를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 구비하며, 상기 운반 덕트는 상기 제 1 및 제 2 용기 출력 포트와 상기 매니폴드 입력 포 트 사이에서 연장하는 재료 소스 증발기.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 용기는 제 1 용기이고, 상기 매니폴드 입력 포트는 제 1 입력 포트이며, 상기 매니폴드는 제 2 입력 포트를 구비하여서, 상기 연계된 가열기는 상기 제 2 입력 포트를 통해 상기 매니폴드 내에 제공된 상기 재료 증기를, 상기 출구 외부로 통과하기에 충분하게 기체상태로 유지하도록 가열할 수 있으며,
    출력 포트를 가지는 제 2 용기를 추가로 포함하고, 제 2 용기는 상기 출력 포트에서 그 증기를 제공하도록 상기 용기에 제공된 기화가능한 재료를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 구비하며, 상기 운반 덕트는 상기 제 1 및 제 2 용기 출력 포트와 상기 매니폴드 제 1 및 제 2 입력 포트 양자 모두 사이에서 각각 연장하는 재료 소스 증발기.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 운반 덕트는 내부에 작은 개구를 가지며, 상기 작은 개구에 인접하게, 그 외측에 위치된 증발물 재료 센서를 추가로 포함하는 재료 소스 증발기.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 매니폴드의 대응 상기 출구에 의해 제공된 개구에 인접하게, 그 외측에 배치된 증발물 재료 센서를 추가로 포함하는 재료 소스 증발기.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 운반 덕트와 상기 매니폴드 중 적어도 하나 상에 위치된 온도 센서를 추가로 포함하는 재료 소스 증발기.
  11. 증발된 재료가 기판상에 증착되는 배기가능한 내부 증착 챔버와 함께 사용하기 위한 재료 소스 증발기에 있어서,
    각각 출력 포트를 구비하고, 상기 출력 포트에서 그 증기를 제공하도록 상기 용기 내에 제공된 기화가능한 재료를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 각각 구비하는 복수의 용기와,
    적어도 소정 정도로 서로 열적으로 격리되어 있는 복수의 서브매니폴드를 갖고, 각각 입력 포트와 복수의 출구를 구비하고, 그 내부의 상기 출구 외부로 통과하기에 충분하게 기체상태를 유지하도록 상기 입력 포트를 통해 상기 서브매니폴드에 제공된 상기 재료 증기를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 각각 구비하는 매니폴드와,
    상기 복수의 용기 중 하나의 상기 출력 포트와 상기 복수의 서브매니폴드 중 대응하는 하나의 상기 입력 포트 사이에서 각각 연장하는 복수의 운반 덕트를 포함하는 재료 소스 증발기.
  12. 증발된 재료가 기판상에 증착되는 배기가능한 내부 증착 챔버와 함께 사용하기 위한 재료 소스 증발기에 있어서,
    각각 출력 포트를 구비하고, 상기 용기의 상기 출력 포트에 그 증기를 제공하도록 그 내부에 제공된 기화가능한 재료를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 각각 구비하는 복수의 용기와,
    복수의 입력 포트와 복수의 출구를 가지며, 상기 매니폴드를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 가지는 매니폴드와,
    상기 복수의 용기 중 대응하는 하나의 상기 출력 포트와 상기 매니폴드의 상기 복수의 입력 포트 중 대응하는 하나 사이에서, 상기 입력 포트를 통해 상기 매니폴드의 상기 복수의 출구 중 대응하는 하나로 각각 연장하는 복수의 운반 덕트를 포함하며,
    상기 매니폴드와 연계된 상기 가열기는 상기 복수의 운반 덕트 중 대응하는 하나에 제공된 상기 용기의 상기 출력 포트로부터의 상기 재료 증기가 그에 대응하는 상기 출구 중 하나의 외부로 통과하기에 충분하게 기체상태를 유지하도록 상기 매니폴드를 가열하는 재료 소스 증발기.
  13. 증발된 재료가 기판상에 증착되는 배기가능한 내부 증착 챔버와 함께 사용하기 위한 재료 소스 증발기에 있어서,
    상기 증착 챔버의 외부에 존재하지만, 그에 부착 및 밀봉될 수 있는 배기가능한 격실 내에 위치되고, 출력 포트를 구비하고, 상기 출력 포트에서 그 증기를 제공하도록 그 내부에 제공된 기화가능한 재료를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 구비하는 용기와,
    상기 증착 챔버의 상기 배기가능한 내부에 위치된 영역에 배치될 수 있고, 입력 포트와 복수의 출구를 구비하고, 상기 출구 외부로 통과하기에 충분하게 기체상태를 유지하도록 상기 입력 포트를 통해 그 내부에 제공된 상기 재료 증기를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 구비하는 매니폴드와,
    상기 용기 출력 포트와 상기 매니폴드 입력 포트 사이에서 연장하는 운반 덕트와,
    상기 격실 외부에 존재하지만, 그에 부착 및 밀봉될 수 있는 재료 주입 포트를 구비한 배기가능한 재보급기를 포함하고,
    상기 배기가능한 재보급기는 내부에 재료 전달기를 구비하고, 재료 전달기는 상기 도가니와 결합가능하며, 상기 재료 주입 포트를 통해 내부에 삽입된 선택된 재료를 가질 수 있으며, 상기 도가니와 결합된 상기 재료 전달기는 상기 도가니에, 내부의 소정의 상기 선택된 재료를 전달하도록 작동할 수 있는 재료 소스 증발기.
  14. 증발된 재료가 기판상에 증착되는 배기가능한 내부 증착 챔버와 함께 사용하기 위한 재료 소스 증발기에 있어서,
    출력 포트를 구비하고, 상기 출력 포트에서 그 증기를 제공하도록 그 내부에 제공된 기화가능한 재료를 가열하는 연계된 가열기를 구비하는 용기와,
    입력 포트와 복수의 출구를 가지고, 상기 출구 외부로 통과하기에 충분하게 기체상태로 남아있도록 상기 입력 포트를 통해 그 내부에 제공된 상기 재료 증기를 가열할 수 있는 연계된 가열기를 구비하는 매니폴드와,
    각각 입력 및 출력을 구비하고, 상기 입력 및 출력 사이에서 선택적으로 증기 흐름의 속도를 규제하도록 각각 제어할 수 있는 한 쌍의 흐름 제어 밸브와,
    상기 용기 출력 포트와 상기 매니폴드 입력 포트 사이에서 연장하고, 상기 매니폴드 입력 포트와 상기 용기 출력 포트 사이의 증기 흐름의 속도를 제어하기 위해 상기 한 쌍의 흐름 제어 밸브가 내부에 위치되어 있는 운반 덕트를 포함하는 재료 소스 증발기.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120129812A (ko) * 2011-05-18 2012-11-28 리베르 진공 증착 시스템용 인젝터

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101137901B1 (ko) * 2003-05-16 2012-05-02 에스브이티 어소시에이츠, 인코포레이티드 박막 증착 증발기
JP2005082880A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Shoka Kagi Kofun Yugenkoshi 有機el発光装置の成膜設備
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機elパネルの製造方法、有機elパネルの成膜装置
US9040170B2 (en) * 2004-09-20 2015-05-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device with quinazoline complex emitter
JP4746620B2 (ja) * 2005-04-05 2011-08-10 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置用のガスシャワープレート
JP5394061B2 (ja) * 2005-05-31 2014-01-22 タタ、スティール、ネダーランド、テクノロジー、ベスローテン、フェンノートシャップ 基材を被覆する装置および方法
US20060286405A1 (en) 2005-06-17 2006-12-21 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
US7993459B2 (en) * 2005-10-24 2011-08-09 Global Oled Technology Llc Delivering particulate material to a vaporization zone
EP1788112B1 (de) * 2005-10-26 2011-08-17 Applied Materials GmbH & Co. KG Vorrichtung zum Bedampfen von Substraten
US8956738B2 (en) 2005-10-26 2015-02-17 Global Oled Technology Llc Organic element for low voltage electroluminescent devices
US7638168B2 (en) * 2005-11-10 2009-12-29 Eastman Kodak Company Deposition system using sealed replenishment container
US9666826B2 (en) 2005-11-30 2017-05-30 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
US20070122657A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing a phenanthroline derivative
US7645483B2 (en) * 2006-01-17 2010-01-12 Eastman Kodak Company Two-dimensional aperture array for vapor deposition
US9118020B2 (en) 2006-04-27 2015-08-25 Global Oled Technology Llc Electroluminescent devices including organic eil layer
FI121430B (fi) * 2006-04-28 2010-11-15 Beneq Oy Kuuma lähde
WO2007135870A1 (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Ulvac, Inc. 有機蒸着材料用蒸着装置、有機薄膜の製造方法
KR101149408B1 (ko) * 2006-11-15 2012-06-01 삼성전자주식회사 연료 전지용 전극의 제조 방법 및 제조 장치
US8795855B2 (en) 2007-01-30 2014-08-05 Global Oled Technology Llc OLEDs having high efficiency and excellent lifetime
US8431242B2 (en) 2007-10-26 2013-04-30 Global Oled Technology, Llc. OLED device with certain fluoranthene host
US8129039B2 (en) 2007-10-26 2012-03-06 Global Oled Technology, Llc Phosphorescent OLED device with certain fluoranthene host
US8076009B2 (en) 2007-10-26 2011-12-13 Global Oled Technology, Llc. OLED device with fluoranthene electron transport materials
US8420229B2 (en) * 2007-10-26 2013-04-16 Global OLED Technologies LLC OLED device with certain fluoranthene light-emitting dopants
US8900722B2 (en) 2007-11-29 2014-12-02 Global Oled Technology Llc OLED device employing alkali metal cluster compounds
US20090162612A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Hatwar Tukaram K Oled device having two electron-transport layers
US7947974B2 (en) * 2008-03-25 2011-05-24 Global Oled Technology Llc OLED device with hole-transport and electron-transport materials
KR101682348B1 (ko) * 2008-05-30 2016-12-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 코팅용 장치
US7931975B2 (en) 2008-11-07 2011-04-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device containing a flouranthene compound
US8088500B2 (en) 2008-11-12 2012-01-03 Global Oled Technology Llc OLED device with fluoranthene electron injection materials
KR101499228B1 (ko) * 2008-12-08 2015-03-05 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
US7968215B2 (en) 2008-12-09 2011-06-28 Global Oled Technology Llc OLED device with cyclobutene electron injection materials
WO2011065999A1 (en) * 2008-12-18 2011-06-03 Veeco Instruments Inc. Linear deposition source
WO2011065998A1 (en) * 2008-12-18 2011-06-03 Veeco Instruments Inc. Linear deposition source
US20100159132A1 (en) * 2008-12-18 2010-06-24 Veeco Instruments, Inc. Linear Deposition Source
JP2010159448A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Canon Inc 成膜装置及び成膜方法
US8216697B2 (en) * 2009-02-13 2012-07-10 Global Oled Technology Llc OLED with fluoranthene-macrocyclic materials
US8147989B2 (en) 2009-02-27 2012-04-03 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized green light-emitting layer
US20100233353A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Applied Materials, Inc. Evaporator, coating installation, and method for use thereof
EP2230326B1 (en) * 2009-03-16 2012-07-25 Applied Materials, Inc. Evaporator, coating installation, and method for use thereof
US8206842B2 (en) 2009-04-06 2012-06-26 Global Oled Technology Llc Organic element for electroluminescent devices
US20100267191A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Applied Materials, Inc. Plasma enhanced thermal evaporator
JP5620146B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
TWI475124B (zh) 2009-05-22 2015-03-01 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR100977374B1 (ko) * 2009-08-03 2010-08-20 텔리오솔라 테크놀로지스 인크 대면적 박막형 cigs 태양전지 고속증착 및 양산장비, 그 공정방법
JP5328726B2 (ja) * 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR20120104559A (ko) * 2009-11-30 2012-09-21 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 선형 증착 소스
KR101084184B1 (ko) * 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
FR2956412B1 (fr) * 2010-02-16 2012-04-06 Astron Fiamm Safety Vanne d'obturation a volume constant d'une source de depot en phase vapeur
KR101156441B1 (ko) * 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
CN102312197A (zh) * 2010-07-08 2012-01-11 冠晶光电股份有限公司 Cigs太阳能电池制程的设备及方法
US8022448B1 (en) 2010-10-05 2011-09-20 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for evaporation including test wafer holder
US8030725B1 (en) 2010-10-05 2011-10-04 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for detecting evaporation conditions
WO2012047816A2 (en) * 2010-10-05 2012-04-12 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for evaporation including test wafer holder and apparatus and methods for detecting evaporation conditions
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
EP2469268A1 (en) * 2010-12-23 2012-06-27 Applied Materials, Inc. Evaporation system with measurement unit
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR20120139387A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
CN104053811B (zh) 2011-11-18 2017-04-12 第一太阳能有限公司 用于材料共沉积的气相传输沉积方法及系统
US8778081B2 (en) * 2012-01-04 2014-07-15 Colorado State University Research Foundation Process and hardware for deposition of complex thin-film alloys over large areas
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
TWI477625B (zh) * 2012-12-26 2015-03-21 Au Optronics Corp 蒸鍍裝置
JP6047433B2 (ja) * 2013-03-15 2016-12-21 長州産業株式会社 蒸着源坩堝
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
CN104233196B (zh) * 2014-09-01 2017-04-19 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀装置
KR20170090452A (ko) * 2014-11-26 2017-08-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증발 목적들을 위한 도가니 조립체
CN104762600B (zh) * 2015-04-20 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀装置
TWI737718B (zh) * 2016-04-25 2021-09-01 美商創新先進材料股份有限公司 含有瀉流源的沉積系統及相關方法
EP3374540A1 (en) * 2017-01-31 2018-09-19 Applied Materials, Inc. Material deposition arrangement, vacuum deposition system and method therefor
CN114667366A (zh) * 2020-01-07 2022-06-24 应用材料公司 用于材料蒸发的组件、真空沉积设备和用于材料蒸发的方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4488506A (en) * 1981-06-18 1984-12-18 Itt Industries, Inc. Metallization plant
JPS63235466A (ja) * 1987-03-24 1988-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着法
JPH01225769A (ja) * 1988-03-02 1989-09-08 Sharp Corp 有機化合物蒸着薄膜の蒸着源
US5336324A (en) * 1991-12-04 1994-08-09 Emcore Corporation Apparatus for depositing a coating on a substrate
JP2825172B2 (ja) * 1992-07-10 1998-11-18 東京エレクトロン株式会社 減圧処理装置および減圧処理方法
US5451258A (en) * 1994-05-11 1995-09-19 Materials Research Corporation Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber
JP3738031B2 (ja) * 1994-05-18 2006-01-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 化学蒸着(CVD)による基板上への共役置換又は共役非置換ポリ(p−フェニレンビニレン)フィルムの製造方法及びエレクトロルミネセンス(EL)装置の製造方法
US5810928A (en) * 1994-11-21 1998-09-22 Mitsubishi Corporation Method of measuring gas component concentrations of special material gases for semiconductor, a semiconductor equipment, and an apparatus for supplying special material gases for semiconductor
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
US5792269A (en) * 1995-10-31 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Gas distribution for CVD systems
US5950925A (en) * 1996-10-11 1999-09-14 Ebara Corporation Reactant gas ejector head
US6086679A (en) * 1997-10-24 2000-07-11 Quester Technology, Inc. Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition
JPH11312640A (ja) * 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
US6433314B1 (en) * 1998-04-08 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Direct temperature control for a component of a substrate processing chamber
US6086677A (en) * 1998-06-16 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6190732B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-20 Cvc Products, Inc. Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
KR100328820B1 (ko) * 1999-02-25 2002-03-14 박종섭 화학기상증착 장비의 가스분사장치
US6410432B1 (en) * 1999-04-27 2002-06-25 Tokyo Electron Limited CVD of integrated Ta and TaNx films from tantalum halide precursors
TW451275B (en) * 1999-06-22 2001-08-21 Tokyo Electron Ltd Metal organic chemical vapor deposition method and apparatus
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
JP2001279450A (ja) * 2000-03-31 2001-10-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2002030418A (ja) 2000-07-13 2002-01-31 Denso Corp 蒸着装置
US6821910B2 (en) * 2000-07-24 2004-11-23 University Of Maryland, College Park Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation
DE10048759A1 (de) * 2000-09-29 2002-04-11 Aixtron Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD
JP2002184571A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Denso Corp 有機el素子の製造方法
JP4599727B2 (ja) 2001-02-21 2010-12-15 株式会社デンソー 蒸着装置
JP2003002778A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
JP3987312B2 (ja) * 2001-08-31 2007-10-10 株式会社東芝 半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体製造装置のクリーニング方法
JP3973605B2 (ja) * 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
US7122085B2 (en) * 2002-07-30 2006-10-17 Asm America, Inc. Sublimation bed employing carrier gas guidance structures
KR101137901B1 (ko) * 2003-05-16 2012-05-02 에스브이티 어소시에이츠, 인코포레이티드 박막 증착 증발기

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120129812A (ko) * 2011-05-18 2012-11-28 리베르 진공 증착 시스템용 인젝터

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004105095A3 (en) 2005-09-09
US20040255857A1 (en) 2004-12-23
KR101137901B1 (ko) 2012-05-02
JP2007500794A (ja) 2007-01-18
US20100043711A1 (en) 2010-02-25
US7611587B2 (en) 2009-11-03
WO2004105095A2 (en) 2004-12-02

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