KR20060021308A - 화학 증착에 의한 인광물질의 피막 방법 - Google Patents

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Abstract

약 430℃ 이상의 온도에서 수증기를 기화된 트리메틸알루미늄과 반응시켜 알루미늄 옥시히드록시드 화합물의 피막을 도포시킴에 의해, 플라즈마 디스플레이 평판과 같은 VUV-여기 소자에 사용하는 인광물질의 유지 특성이 향상될 수 있다. 구체적으로, 유로퓸으로 활성화된, 칼슘-치환 바륨 헥사-알루미네이트 인광물질의 유지는 고강도 VUV 플럭스에 노출시킨 후에도 현저히 상승된다.
인광물질, 유지, 플라즈마 디스플레이 평판, 피막, 유로퓸, 진공 자외선 여기 소자

Description

화학 증착에 의한 인광물질의 피막 방법{A METHOD TO ENCAPSULATE PHOSPHOR VIA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}
관련 출원에 대한 교차 참조
본 출원은 모두 2003년 5월 15일에 출원된, 미국 가출원 번호 60/470,734 및 60/470,635의 우선권을 주장하는 출원이다.
기술분야
본 발명은 진공 자외선(vacuum ultraviolet(VUV))-여기 소자에 사용하기 위한 인광물질 입자를 피막하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 습기 침투, VUV 방사선 및 Xe 플라즈마 충격으로부터 인광물질 입자를 보호하기 위한 인광물질의 피막 방법에 관한 것이다.
종래의 플라즈마 디스플레이 평판 및 다른 진공 자외선-여기 소자는 희유기체 또는 희유기체(헬륨, 네온, 아르곤, 제논 및 크립톤)의 혼합물로 충전되어 있는데, 이 희유 기체들은 높은 전압의 전류에 의해 여기되며 200nm 파장 이하의 VUV 범위로 자외선을 방출한다. 이러한 방출된 VUV 방사선은 이후 다양한 청색, 녹색 및 적색-방출 인광물질을 여기시키는데 사용된다. 이러한 인광 물질은 종래의 형광 램프 여기 에너지가 기본적으로 수은 증기로부터 254 nm 파장을 방출시키는 보다 낮은 에너지인 반면, 200nm 미만의 파장을 가진 높은 에너지의 진공 자외선 광자에 의해 여기된다는 점에서, 종래의 형광 램프에 일반적으로 사용되는 인광물질과는 차이가 있다. 현재 가장 보편적인 VUV 여기 에너지는 제논 또는 제논-헬륨 플라즈마로부터 얻는데, 이는 147nm 내지 173nm 영역에서 방출하며, 정확한 방출 스펙트럼은 Xe 농도 및 전체 기체 조성에 좌우된다. 높은 전압 여기하에서 제논-기반 플라즈마는 전형적으로 147nm에서 Xe 방출선을 가지며 약 173nm에서 Xe 엑시머(eximer) 띠 방출을 가진다. 진공 자외선과 종래의 단파장 자외선 형광 장치와의 여기 에너지에 있어서 큰 차이는 VUV-여기 디스플레이 평판 또는 램프에 사용하는 인광물질에 새로운 요구조건을 부과한다. 더욱이, VUV-여기 소자 및 종래의 형광 장치를 위해 사용되는 제조 방법에 있어서의 차이도 또한 인광물질에 새로운 요구조건을 부과한다.
일반적으로, 3가지 색(적색, 녹색 및 청색) 모두를 방출하는데 사용되는 VUV-여기 인광물질은 몇몇 바람직하지 않은 특성을 나타내지만, 청색 방출체(Ba1-xEuxMgAl10O17(0.01< x <0.20) 또는 BAM)로서 보편적으로 사용되는 인광물질이 가장 문제이다. 이러한 인광물질은 제조 공정 동안의 상승된 온도 및 습도에 기인하여 휘도 및 색상이 퇴화하는 것으로 알려져 있다. 이러한 인광물질은 또한 고강도의 Xe 플라즈마 및 VUV 광자 플럭스에 장기간 노출시킨 후에 휘도 및 색상이 모두 퇴화한다. BAM의 퇴화 메카니즘은 많은 연구의 주제가 되었으며 Eu2+가 Eu3+로 산화하 는 것, 알루미네이트 인광물질 격자의 실제 구조가 변형하는 것 및 Eu2 + 활성제 이온이 격자 내에서 다른 공간 사이를 이동하는 것과 같은 변화를 수반하는 것으로 생각된다. 상업적 플라즈마 디스플레이 평판의 유효 수명은 청색 인광물질 성분의 색상 편이 및 강도 감퇴 때문에 용인할 수 없을 정도로 짧으며, 이는 전체 평판 색상에 바람직하지 않은 황색편이를 유발시킨다. 이러한 퇴화와 가장 관련된 척도는 강도(I) 대 CIE y 색상점의 비율, I/y의 유지(maintenance)이다. 퇴화로 인한 강도 감소 및 CIE y색 좌표의 증가는 I/y비를 감소시킨다.
최근에는, 청색 VUV-여기 인광물질의 유지를 향상시키기 위한 다양한 접근법이 시도되고 있다. 이러한 접근법에는 BAM 인광물질 상에 넓은 띠공간 금속 산화물의 졸-겔 코팅, 암모늄 플루오라이드와 혼합한 알루미네이트 인광물질의 열처리, BAM 인광물질의 용액 기반 카테나-폴리포스페이트 코팅, 알카리 금속, 알카리 토금속 또는 아연의 BAM 화학량론에 따른 치환 및 향상된 색상 안정성 및 유지를 보이나 바람직하지 않은 색상점을 갖는 BAM-바륨 헥사-알루미네이트(0.82BaO·6Al2O3) 상 고형 용액의 제조가 포함된다. 이외에도, (La1-x-y-zTmxLiySrz)PO4, Ba1-aEuaMgAl6O11, CaMgSi2O6:Eu2+; 및 CaAl2O4:Eu2+와 같은 향상된 유지 특성을 갖는 새로운 인광물질도 연구되었다.
비록 이러한 인광물질 또는 인광물질 복합체 중 다수가 색상 및 강도 안정성에 대한 향상을 나타냈을 지라도, 아직 어느 것도 실시 가능한 대안이 되지 않은 것으로 판명되었다. 따라서, 감소된 퇴화 성질을 갖는 향상된 청색-방출, VU-여기 인광물질에 대한 상업적 요구가 여전히 존재한다. 구체적으로 하기의 특성이 필요로 되고 있다: 짙은 청색, 평판 제조 중 향상된 색상 안정성, 평판 작동 중 향상된 수명 및, 열, 습도, Xe 플라즈마 및 고강도 VUV 광자 플럭스에 대한 가속 시험 후에 I/y 비율의 높은 상대적 유지 백분율.
발명의 개요
최근에 유로퓸으로 활성화된, 칼슘-치환 바륨 헥사-알루미네이트(CBAL) 인광물질이 BAM 인광물질에 의해 나타나는 퇴화의 피해 없이 수용 가능한 청색-방출 인광물질로서 VUV-여기 소자에 사용될 수 있다는 것이 발견되었다. CBAL 인광물질은 수은 증기 방전과 함께 사용하기 위한 종래의 형광 인광물질로서 미국 특허 제4,827,187호에 이미 기재되어 있으나, 지금까지 VUV-여기 소자에 있어서의 용도는 기재되지 않았다. 바람직하게는, CBAL 인광물질은 화학식 Ba1.29-x-yCaxEuyAl12O19.29(여기서 0< x <0.25 및 0.01< y <0.20 이다)로 나타나는 조성을 갖는다.
VUV 여기 하에서, CBAL 인광물질은 BAM 인광물질보다 더 진한 청색 방출을 나타내지만, 상업적으로 사용되는 BAM 인광물질의 초기 강도의 80-85%만을 보인다. 그러나 상승된 온도 및 습도 조건에 노출시켰을 경우 CBAL 인광물질은 색상점에서 거의 0에 가까운 녹색 편이를 나타내었으며 강도 손실이 매우 적었다. 더욱이, 가속 노화 시험으로서 사용된 고강도 VUV 광자 플럭스에 대한 노출에서, CBAL 인광물질은 상업적 BAM 인광물질에서 밝혀진 강도 퇴화의 1/2 미만을 보였으며 거의 색상 편이를 보이지 않았다.
유동층 반응기에서 화학증착(chemical vapor deposition(CVD)) 기법에 의해 도포되는 알루미늄 옥시히드록시드 피막으로 개개의 인광물질 입자를 피막함으로써, CBAL 인광물질 및 다른 VUV 인광물질의 특정 유지 특성이 현저히 향상될 수 있다는 것을 발견하였다. 이러한 새로운 방법은 기화된 트리메틸알루미늄(TMA)과 수증기의 반응을 이용한다. 그러한 TMA/물 반응은 주로 황화아연-기반 전계발광 인광물질을 코팅하는데 사용된 것으로, 예컨대 미국 특허 제5,080,928호 및 5,220,243호에 이미 기술되어 있다. 그러나, 본 발명의 방법에 있어서, TMA/물 반응은 상기 선행 기술에 나타난, 300℃ 또는 그 미만보다 훨씬 높은 온도, 약 430℃ 또는 그 이상의 온도에서 수행된다. ZnS 전계발광 인광물질에 전형적인 180℃에서 VUV-여기 인광물질에 TMA/물 반응을 적용시켜도 VUV 인광물질을 수분의 공격으로부터 보호할 수 없다는 결과가 나타난다. 낮은 온도 조건 하에서 증착된 피막은 물 분자의 침투를 막는데 불충분한 조밀도를 갖는 것으로 생각된다. 따라서, 향상된 유지 특성을 부가하기 위하여 보다 높은 온도 조건이 요구된다.
도 1은 본 발명의 방법에 사용되는 장치의 도해이다.
상세한 설명
본 발명의 보다 나은 이해와, 다른 추가적인 목적, 이점 및 성능에 대한 이해를 위해 이하 상세한 설명 및 후속되는 청구의 범위는 상기-기술된 도면을 참조 로 하여 설명하였다.
퇴화로부터 인광물질 입자를 보호하기 위해, 유동층 반응기에서 화학증착을 사용하는 다수의 피막 방법이 개시된 바 있다. 그러나 플라즈마 디스플레이 평판(PDP)을 위한 작은 크기(3 내지 5㎛, D50 크기)의 청색 인광물질, 즉 BAM 및 CBAL은 그들의 응집성 때문에 유동화되기가 매우 어렵다. 또한, 이러한 인광물질에 Eu+2 활성화제는 산화적 환경 하에서 산화하기가 매우 쉽다. 본 발명의 방법은 산화에 민감한 그리고, 다른 VUV-여기 인광물질을 피막하는데 사용할 수 있는 가수분해 공정이다. 다른 반응물질과 반응하여 피막을 형성시킬 뿐만 아니라 미세-크기의 인광물질 입자의 유동화를 돕기 위해 수증기가 이용된다. 인광물질 분말의 개개 입자에 가수분해된 트리메틸알루미늄 화합물의 박막을 침착하기 위하여 본 방법은 화학증착 기법을 응용한다. 비록 가수분해된 트리메틸알루미늄 화합물의 조성을 다소 측정하기 어렵다 할 지라도, 그것은 알루미늄 옥시히드록시드로서 명료하게 기술될 수 있다. 피막 공정 동안에, 입자들은 유동층에서 부유시킨 뒤, 약 430℃ 이상의 베드 온도 하에 비활성 운반 기체 중의 기화된 트리메틸알루미늄 전구물질에 노출된다. 또한 비활성기체(전형적으로 질소)는 수증기를 반응기로 운반하는 가열된 물 발포기를 통해 전달된다. 이후, 기체상의 물 분자는 트리메틸알루미늄 증기와 반응하여 인광물질 분말의 표면에 계속적인 피막을 형성한다. 높은 온도 조건에서 PDP 인광물질 상에 침착된 피막은 인광물질의 내습성을 현저히 상승시킨다는 것이 밝혀졌다. 피막의 유효성을 실증하기 위하여, 이러한 고온 가수분해 피막 공정에 의해 인광물질을 피막하였고, 이어서 다양한 조건에서 시험하였다.
피막 절차
모든 피막 시험은 내경 14cm 및 높이 152cm인 석영반응기 튜브에서 수행하였다. 도면을 언급하면, 각각의 시험에 대하여, 4.0kg 분량의 인광물질(60)을 반응기(16)에 충전하였다. 인광물질 입자를 유동화시키기 위하여, 먼저 비활성 질소 유동화 기체(5)를 반응기(16) 하부에 15ℓ/min으로 주입하였다. 인광물질 입자를 질소 기체를 이용하여 유동층 반응기에 약 100cm의 베드 높이까지 부유시켰다. 이후, 반응기(16)의 최상부를 통해 삽입된 진동혼합기(19)를 반응기 내의 인광물질 입자의 순환을 돕기 위해 분당 60회전의 속도로 작동시켰다. 이 유동층 반응기를 외부 노(20)로 대략 430℃ 온도로 가열하여 유지시켰다. 베드의 온도 프로필을 모니터하기 위하여 2 개의 열전쌍을 반응기 내부에 위치시켰다. 베드의 중간에 위치한 하나의 열전쌍은 피막 공정 동안 반응기 온도를 ±5℃ 이내로 제어하기 위해 사용하였다. 나머지 열전쌍은 분배기(33)보다 1 인치 상부에 위치시켰는데, 이 분배기는 반응기의 하부에 위치한다. 반응기 온도가 430℃에 근접하였을 때, TMA 전처리 단계를 시작하였다. 질소 운반 기체(11)는 8.0ℓ/min으로 트리메틸알루미늄 발포기(12)를 통하여 흘려보냈다. 일정한 TMA 증기압을 유지하기 위하여 이 TMA 발포기(12)를 34℃로 계속 유지시켰다. 기화된 트리메틸알루미늄 전구물질을 함유하는 질소 기체류(13)를 15.0ℓ/min 질소 유동화 기체류(5)와 혼합시키고 유동층 반응기의 기부로 유입시켰다. 이러한 희석 트리메틸알루미늄 전구물질 증기는 튜브 반응기 아래에 위치한 금속 소결 분배기(33)를 통과하였고 인광물질 입자 베드를 지지하였다. 1분간 인광물질 입자 표면을 TMA 전구물질로 포화시킨 후에, 유속이 14ℓ/min인 제3 질소 기체류(23)를 통해 수증기를 반응기로 운반하였다. 질소 운반 기체류(17)는 70℃로 유지되는 물-충전 발포기(22)로 통과시켰다. 피막 공정을 개시하기 위하여, 진동판(3) 상부에 진동혼합기(19)의 중공축 상에 원주방향으로 위치한 일련의 미세 구멍을 통하여 수증기와 질소의 혼합물(23)을 반응기로 흐르게 하였다. 피막 공정은 원하는 가수분해된 TMA 피막의 분량이 생산될 때까지 계속 진행시켰다.
실제 PDP 평판을 제조 및 작동을 모의 실험하기 위하여 열 습도 및 가속 노화 시험을 설계하였다. Perkin-Elmer LS-50B 분광기를 사용하여 방출 스펙트럼을 측정하고 이 방출 스펙트럼을 표준 BAM 인광물질 기준의 방출 스펙트럼과 비교하여 정량함으로써 열 습도 및 가속 노화 시험 전후의 휘도를 수득하였다. 최대 강도에서의 피크 파장을 스펙트럼으로부터 수득하고 X, Y, Z-삼자극치 곡선에 기초한 공지되고 용인된 방정식을 사용한, 스펙트럼 데이터로부터 y 좌표 색상 값을 계산하였다. 여기 급원은, VUV 빔의 경로로부터 공기를 배제시킴과 동시에 분말 플라크(plaque)를 비추는데 사용되는 상업적으로 입수 가능한, 제논 엑시머 램프(XeCM-L, 레조난스 리미티드, 캐나다 온타리오 배리)이다. 인광물질은 페이스트로 혼합하여 알루미나 칩 또는 "슬라이드" 상에 피막시킬 수 있으며, 이러한 방법으로 측정할 수 있다.
열 습도 시험은 425℃에서 2시간 동안 따뜻하고, 물로 포화된 공기 흐름에 인광물질 샘플을 노출시키는 것이다. 가속 노화 시험은 고강도 Xe 플라즈마 및 VUV 광자 플럭스에 대한 노출시키는 것이다. 가속 노화 시험은 고전력 희유-기체 방전 용기를 사용하여 수행한다. 이 용기는, 10-6 토르까지 초동 배기 후 대략 5 밀리 토르의 유동 Xe을 보유하는 5cm I.D. PyrexTM 관재료의 루프 100cm로 구성되어 있다. RF 전력 공급장치로부터의 450 kHz에서 도입 전력 약 280W를 적용한 후에 유도 결합 방전을 얻었다. 샘플 표면에 대략 90mW/cm2의 147nm VUV 방사선이 존재한다는 것이 측정되었다. 이러한 조건 하에서는 사실상 어떤 엑시머 방출도 발생하지 않았다. 선택된 시간 동안 Xe 방전에 노출시킨 후, 상기에 기술한 바와 같이 샘플의 휘도를 측정하였다.
실시예 1
CBAL 샘플 및 고온 가수분해 TMA-피막 CBAL(cCBAL) 샘플을 준비하고 그들의 방출 스펙트럼을 수집하였다. 이후, 그 샘플들을 상기 기술된 바와 같이 퇴화 시험에 적용하였다. 고온 가수분해된 TMA 피막의 도포는 CBAL 인광물질의 유지 특성을 현저하게 향상시켰다. 초기 및 퇴화된 CBAL 및 cCBAL 인광물질에 대한 광학적 방출 결과는 아래의 표 1(대조구로서 사용된 표준 BAM과 비교)에 나타내었다. "TH"라는 용어는 상승된 온도 및 습도에 노출되어 퇴화된 샘플을 의미하며; "X"는 고강도 Xe 플라즈마 및 VUV 광자 플럭스에 노출되어 퇴화된 샘플을 나타내고; "THX"는 상승된 온도 및 습도에 노출된 후 고강도 Xe 플라즈마 및 VUV 광자 플럭스에 노출되어 퇴화된 샘플을 의미한다. 강도는 표준 청색 방출 PDP BAM 인광물질에 대비하여 측정하였다.
분말 플라크 데이터 페이스트 슬라이드 데이터
BAM (대조구) CBAL cCBAL BAM (대조구) CBAL cCBAL
강도 (초기) 96% 76% 68% 104% 84% 79%
피크 λ (초기) 446nm 439nm 439nm 446nm 439nm 439nm
y 값 (초기) 0.0465 0.0568 0.0553 0.0466 0.0518 0.0517
강도 (TH) 87% 74% 69% 96% 82% 79%
피크 λ (TH) 456nm 439nm 439nm 456nm 439nm 439nm
y 값 (TH) 0.0803 0.0571 0.0566 0.0771 0.0527 0.0542
%I/y (TH) 52% 96% 98% 56% 96% 95%
강도 (X) 57% 42% 49% 76% 61% 66%
피크 λ (X) 446nm 439nm 439nm 446nm 439nm 439nm
y 값 (X) 0.0527 0.0625 0.0608 0.0504 0.0565 0.0563
%I/y (X) 53% 50% 65% 68% 66% 76%
강도 (THX) 52% 47% 49% 64% 60% 65%
피크 λ (THX) 454nm 439nm 439nm 454nm 439nm 439nm
y 값 (THX) 0.0901 0.0642 0.0663 0.0905 0.0596 0.0602
%I/y (THX) 28% 54% 63% 32% 62% 70%
분말 및 페이스트 샘플으로부터의 퇴화 결과들은 비슷하였다. BAM 대조구 샘플이 열 습도 시험 후 색상의 큰 편이를 보여준 반면 CBAL 또는 cCBAL 샘플 모두에 대하여는 최대 강도에서 피크 파장이 변화하지 않았다. BAM 대조구에 대한 초기 휘도는 CBAL 및 cCBAL 샘플의 초기 휘도보다 훨씬 높았으나, 열 습도 시험 및 고강도 Xe 플라즈마 및 VUV 광자 플럭스에 노출시킨 후에는 모든 샘플이 비슷한 휘도를 가졌다. 열 습도 및 Xe 플라즈마 시험(THX) 이후 CBAL 샘플에 대한 I/y 비율(%I/y)의 유지는 BAM 대조구의 비율을 매우 능가하는 것(54% 대 28% 및 62% 대 32%)이었으며 피막된 CBAL(cCBAL)의 유지는 피막되지 않은 CBAL보다 더욱 향상된 것(63% 대 54% 및 70% 대 62%)이었다. 이러한 cCBAL 물질은 또한 고강도 Xe 플라즈마 및 VUV 광자 플럭스에만 노출(X)시킨 후에도 현저히 향상된 유지를 나타내었다.
실시예 2
망간-활성화된 아연 실리케이트(Zn2SiO4:Mn)는 플라즈마 디스플레이 평판에 효과적인 녹색-방출 인광물질이다. 이러한 인광물질은 PDP 평판 제조 공정 동안에 매우 안정했다. 상승된 온도 및 습도에 노출시킨 후에도 현저한 휘도 퇴화 및 색상 편이가 관찰되지 않았다. 그러나 이온 폭발 및 플라즈마로부터의 VUV 방사선 하에서는 인광물질 휘도의 퇴화가 현저했다. 휘도 유지를 향상시키기 위하여 Zn2SiO4:Mn 인광물질(OSRAM SYLVANIA Type 9310)을 본 발명의 방법에 따라 알루미늄 옥시히드록시드 피막으로 피막하였다. 가속 노화 시험 하에서 가수분해된 TMA 피막의 효율성을 비교하기 위하여 인광물질 분말을 낮은 반응 온도(180℃) 및 높은 반응 온도(430℃) 모두에서 피막하였다. 피막되지 않은 인광물질과 피막된 인광물질을 페이스트로 혼합하고 결합제를 소각하였다(binder burnt out(BBO)). 초기 휘도(BBO 후) 및 최종 휘도(고강도 Xe 플라즈마 및 VUV 광자 플럭스에 노출시킨 후)를 측정하였고, 유지(최종 휘도/초기 휘도의 비율)를 계산하였다. 이 측정 결과는 표 2에 나타내었다.
샘플 초기 휘도, % 최종 휘도, % 유지, %
비피막 100 74.8 74.8
180℃에서 피막 84.8 62.8 74.0
430℃에서 피막 80.7 69.5 86.0
표 2에서 보여지는 데이터에 기초하면, 인광물질이 180℃에서 TMA의 가수분해 반응을 이용하여 피막되었을 때, 휘도의 유지 증강이 관찰되지 않았다. 그러나, 가수분해된 TMA 피막을 430℃ 온도에서 인광물질 표면에 침착한 경우에, 휘도 유지는 74.8%에서 86.0%로 현저히 향상되었다.
지금까지 현재 본 발명의 바람직한 구체예로 간주되는 것을 나타내고 기술하였지만, 당해 기술분야에서 숙련된 자에게는 첨부된 청구항에 의해 정의되는 바와 같은 발명의 범주에서 벗어남 없이, 다양한 변화 및 변형이 가능할 수 있다는 것이 명백할 것이다.

Claims (10)

  1. 인광물질의 피막 방법으로서:
    (a) 유동층 반응기에서 인광물질 입자를 유동화시키는 단계;
    (b) 상기 입자를 기화된 트리메틸알루미늄에 노출시키는 단계; 및
    (c) 수증기를 상기 트리메틸알루미늄과 약 430℃ 이상의 온도에서 반응시켜 상기 인광물질 입자 상에 가수분해된 트리메틸알루미늄 화합물의 피막을 형성시키는 단계를 포함하는 것인 피막 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 인광물질 입자는 유로퓸으로 활성화된, 칼슘-치환 바륨 헥사-알루미네이트 인광물질을 함유하는 것이 특징인 피막 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 인광물질 입자는 망간으로 활성화된 아연 실리케이트 인광물질을 함유하는 것이 특징인 피막 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 반응이 약 430℃에서 일어나는 것이 특징인 피막 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 반응이 약 430℃에서 일어나는 것이 특징인 피막 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 유로퓸으로 활성화된, 칼슘-치환 바륨 헥사-알루미네이트 인광물질은 화학식 Ba1 .29-x- yCaxEuyAl12O19 .29(여기서, 0< x <0.25 및 0.01< y <0.20 )으로 나타나는 조성인 것이 특징인 피막 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반응이 약 430℃에서 일어나는 것이 특징인 피막 방법.
  8. 제1항에 기재된 방법에 따라 피막된 인광물질로서, 유로퓸으로 활성화된, 칼슘-치환 바륨 헥사-알루미네이트 인광물질인 것이 특징인 인광물질.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유로퓸으로 활성화된, 칼슘-치환 바륨 헥사-알루미네이트 인광물질은 화학식 Ba1 .29-x- yCaxEuyAl12O19 .29(여기서, 0< x <0.25 및 0.01< y <0.20 )으로 나타나는 조성인 것이 특징인 인광물질.
  10. 제1항에 기재된 방법에 따라 피막된 인광물질로서, 망간으로 활성화된 아연 실리케이트 인광물질인 것이 특징인 인광물질.
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