JP2002256262A - 真空紫外線励起用希土類酸化物系蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置 - Google Patents
真空紫外線励起用希土類酸化物系蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【発明の課題】 波長が２００ｎｍ以下のＶＵＶ励起下
で長時間使用するときに、発光輝度の経時的低下が少な
く、ＶＵＶやイオンの衝撃による劣化の少ない耐ＶＵＶ
性に優れた希土類酸化物系蛍光体、蛍光体ペースト組成
物、及びＶＵＶ励起発光装置を提供しようとするものて
ある。 【解決手段】 希土類酸化物系蛍光体表面の少なくとも
１部を、マグネシウム元素と燐元素とを少なくとも含む
化合物で被覆してなる真空紫外線励起用希土類酸化物系
蛍光体、該蛍光体を結合剤溶液中に分散させてなる蛍光
体ペースト組成物、及び、外囲器の内部に蛍光膜を有
し、該外囲器に封入された希ガスの放電によって生ずる
真空紫外線により上記蛍光膜を励起して発光させる真空
紫外線励起発光装置において、前記蛍光膜が、前記真空
紫外線励起用蛍光体を含むことを特徴とする真空紫外線
励起発光装置である。
で長時間使用するときに、発光輝度の経時的低下が少な
く、ＶＵＶやイオンの衝撃による劣化の少ない耐ＶＵＶ
性に優れた希土類酸化物系蛍光体、蛍光体ペースト組成
物、及びＶＵＶ励起発光装置を提供しようとするものて
ある。 【解決手段】 希土類酸化物系蛍光体表面の少なくとも
１部を、マグネシウム元素と燐元素とを少なくとも含む
化合物で被覆してなる真空紫外線励起用希土類酸化物系
蛍光体、該蛍光体を結合剤溶液中に分散させてなる蛍光
体ペースト組成物、及び、外囲器の内部に蛍光膜を有
し、該外囲器に封入された希ガスの放電によって生ずる
真空紫外線により上記蛍光膜を励起して発光させる真空
紫外線励起発光装置において、前記蛍光膜が、前記真空
紫外線励起用蛍光体を含むことを特徴とする真空紫外線
励起発光装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長が２００ｎｍ
以下の真空紫外線（ＶＵＶ）で励起され高効率に発光す
る希土類酸化物系蛍光体、該蛍光体を含有する蛍光体ペ
ースト、及び、該蛍光体を含有する蛍光膜を備えた発光
装置に関し、特にプラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）や希ガス放電ランプ等の真空紫外線励起発光装置
（ＶＵＶ励起発光装置）に適した、経時的な輝度低下の
少ない希土類酸化物系の真空紫外線励起用蛍光体に関す
る。
以下の真空紫外線（ＶＵＶ）で励起され高効率に発光す
る希土類酸化物系蛍光体、該蛍光体を含有する蛍光体ペ
ースト、及び、該蛍光体を含有する蛍光膜を備えた発光
装置に関し、特にプラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）や希ガス放電ランプ等の真空紫外線励起発光装置
（ＶＵＶ励起発光装置）に適した、経時的な輝度低下の
少ない希土類酸化物系の真空紫外線励起用蛍光体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰや希ガス放電ランプ等に代表され
るＶＵＶ励起発光装置は、透明な外囲器の内部に形成さ
れたＶＵＶ用蛍光体含有蛍光膜を、外囲器内に封入した
Ａｒ、Ｘｅ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｈｅ−Ｘｅ，Ｎｅ−Ｘｅ等の
希ガス放電によって放射される、波長が２００ｎｍ以下
のＶＵＶで励起して可視光を発光させるものである。
るＶＵＶ励起発光装置は、透明な外囲器の内部に形成さ
れたＶＵＶ用蛍光体含有蛍光膜を、外囲器内に封入した
Ａｒ、Ｘｅ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｈｅ−Ｘｅ，Ｎｅ−Ｘｅ等の
希ガス放電によって放射される、波長が２００ｎｍ以下
のＶＵＶで励起して可視光を発光させるものである。
【０００３】ＶＵＶ励起発光装置の蛍光膜として使用さ
れるＶＵＶ用蛍光体は、膜形成時のベーキング処理に際
し、熱によりベーキング劣化する外、希ガス放電時のイ
オン衝撃やＶＵＶ照射によって、蛍光体が劣化して発光
輝度が低下する。そのため、ＶＵＶ用蛍光体は、ベーキ
ング劣化が少なく（耐ベーキング性）、かつＶＵＶやイ
オンの衝撃による劣化の少ないこと（耐ＶＵＶ性、耐イ
オン衝撃性）が要求される。
れるＶＵＶ用蛍光体は、膜形成時のベーキング処理に際
し、熱によりベーキング劣化する外、希ガス放電時のイ
オン衝撃やＶＵＶ照射によって、蛍光体が劣化して発光
輝度が低下する。そのため、ＶＵＶ用蛍光体は、ベーキ
ング劣化が少なく（耐ベーキング性）、かつＶＵＶやイ
オンの衝撃による劣化の少ないこと（耐ＶＵＶ性、耐イ
オン衝撃性）が要求される。
【０００４】ところで、ＶＵＶ用蛍光体としては、例え
ば（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3 ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ3 ：Ｅｕ、（Ｙ，
Ｇｄ）2 Ｏ3 ：Ｅｕ等の赤色発光蛍光体、Ｚｎ2 ＳｉＯ
4 ：Ｍｎ、ＬａＰＯ4 ：Ｃｅ、Ｔｂ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍ
ｇ）０・ａＡｌ2 Ｏ3 ：Ｍｎ等の緑色発光蛍光体、Ｂａ
ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍ
ｎ、等の青色ないし青緑色発光蛍光体が使用されてい
る。
ば（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3 ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ3 ：Ｅｕ、（Ｙ，
Ｇｄ）2 Ｏ3 ：Ｅｕ等の赤色発光蛍光体、Ｚｎ2 ＳｉＯ
4 ：Ｍｎ、ＬａＰＯ4 ：Ｃｅ、Ｔｂ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍ
ｇ）０・ａＡｌ2 Ｏ3 ：Ｍｎ等の緑色発光蛍光体、Ｂａ
ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍ
ｎ、等の青色ないし青緑色発光蛍光体が使用されてい
る。
【０００５】これらのＶＵＶ用蛍光体の中でも、特にＹ
2 Ｏ3 ：Ｅｕ、（Ｙ，Ｇｄ）2 Ｏ3：Ｅｕ等を初めとす
る、一般式（Ｙ1-x-y 、Ｌｎx 、Ｒｅy ）2 Ｏ3 （式
中、ＬｎはＧｄ、Ｌａ及びＬｕの群から選択された少な
くとも一種の希土類元素、ＲｅはＥｕ、Ｔｍ、Ｓｍ及び
Ｐｒの群から選択された少なくとも一種の希土類元素で
あり、ｘ及びｙは、０≦ｘ≦１−ｙ、及び０．００１≦
ｙ≦０．１の条件を満たす数である）で表わされるＶＵ
Ｖ励起用希土類酸化物系蛍光体は、ＶＵＶ励起発光装置
の蛍光膜として継続使用するときに、経時的な輝度低下
が大きく、その改善が望まれていた。
2 Ｏ3 ：Ｅｕ、（Ｙ，Ｇｄ）2 Ｏ3：Ｅｕ等を初めとす
る、一般式（Ｙ1-x-y 、Ｌｎx 、Ｒｅy ）2 Ｏ3 （式
中、ＬｎはＧｄ、Ｌａ及びＬｕの群から選択された少な
くとも一種の希土類元素、ＲｅはＥｕ、Ｔｍ、Ｓｍ及び
Ｐｒの群から選択された少なくとも一種の希土類元素で
あり、ｘ及びｙは、０≦ｘ≦１−ｙ、及び０．００１≦
ｙ≦０．１の条件を満たす数である）で表わされるＶＵ
Ｖ励起用希土類酸化物系蛍光体は、ＶＵＶ励起発光装置
の蛍光膜として継続使用するときに、経時的な輝度低下
が大きく、その改善が望まれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解消し、波長が２００ｎｍ以下のＶＵＶ励起下で長
時間使用するときに、発光輝度の経時的低下が少なく、
ＶＵＶやイオンの衝撃による劣化の少ない耐ＶＵＶ性に
優れた希土類酸化物系蛍光体、蛍光体ペースト組成物、
及びＶＵＶ励起発光装置を提供しようとするものてあ
る。
点を解消し、波長が２００ｎｍ以下のＶＵＶ励起下で長
時間使用するときに、発光輝度の経時的低下が少なく、
ＶＵＶやイオンの衝撃による劣化の少ない耐ＶＵＶ性に
優れた希土類酸化物系蛍光体、蛍光体ペースト組成物、
及びＶＵＶ励起発光装置を提供しようとするものてあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために、特に蛍光体の表面処理による蛍光体
の耐ＶＵＶ性を改善することについて鋭意検討した結
果、希土類酸化物系蛍光体の表面に燐酸マグネシウムな
ど、その組成中にＭｇとＰを含む含む化合物を被覆する
ことにより、耐ＶＵＶ性が向上し、ＶＵＶを照射して発
光させるときに経時的な発光輝度低下を抑制できること
を見出し、本発明を完成することに成功した。本発明の
構成を示すと、以下のとおりである。
を解決するために、特に蛍光体の表面処理による蛍光体
の耐ＶＵＶ性を改善することについて鋭意検討した結
果、希土類酸化物系蛍光体の表面に燐酸マグネシウムな
ど、その組成中にＭｇとＰを含む含む化合物を被覆する
ことにより、耐ＶＵＶ性が向上し、ＶＵＶを照射して発
光させるときに経時的な発光輝度低下を抑制できること
を見出し、本発明を完成することに成功した。本発明の
構成を示すと、以下のとおりである。
【０００８】(1) 希土類酸化物系蛍光体表面の少なくと
も１部を、マグネシウム元素と燐元素とを少なくとも含
む化合物で被覆してなることを特徴とする真空紫外線励
起用蛍光体。 (2) 前記励起用真空紫外線の波長が１６０ｎｍ以下であ
ることを特徴とする前記(1) 記載の真空紫外線励起用蛍
光体。
も１部を、マグネシウム元素と燐元素とを少なくとも含
む化合物で被覆してなることを特徴とする真空紫外線励
起用蛍光体。 (2) 前記励起用真空紫外線の波長が１６０ｎｍ以下であ
ることを特徴とする前記(1) 記載の真空紫外線励起用蛍
光体。
【０００９】(3) 前記希土類酸化物系蛍光体が、下記一
般式で表わされることを特徴とする前記(1) 又は(2) 記
載の真空紫外線励起用蛍光体。 （Ｙ1-x-y ，Ｌｎx ，Ｒｅy ）2 Ｏ3 （式中、ＬｎはＧｄ、Ｌａ及びＬｕの群から選択された
少なくとも一種の希土類元素、ＲｅはＥｕ、Ｔｍ、Ｓｍ
及びＰｒの群から選択された少なくとも一種の希土類元
素であり、ｘとｙは、０≦ｘ≦１−ｙ、及び０．００１
≦ｙ≦０．２ の条件を満たす数である。）
般式で表わされることを特徴とする前記(1) 又は(2) 記
載の真空紫外線励起用蛍光体。 （Ｙ1-x-y ，Ｌｎx ，Ｒｅy ）2 Ｏ3 （式中、ＬｎはＧｄ、Ｌａ及びＬｕの群から選択された
少なくとも一種の希土類元素、ＲｅはＥｕ、Ｔｍ、Ｓｍ
及びＰｒの群から選択された少なくとも一種の希土類元
素であり、ｘとｙは、０≦ｘ≦１−ｙ、及び０．００１
≦ｙ≦０．２ の条件を満たす数である。）
【００１０】(4) 前記ＲｅがＥｕであることを特徴とす
る前記(3) 記載の真空紫外線励起用蛍光体。 (5) 前記マグネシウム元素と燐元素とを少なくとも含む
化合物が燐酸マグネシウム系化合物であることを特徴と
する前記(1) 〜(4) のいずれか１つに記載の真空紫外線
励起用蛍光体。
る前記(3) 記載の真空紫外線励起用蛍光体。 (5) 前記マグネシウム元素と燐元素とを少なくとも含む
化合物が燐酸マグネシウム系化合物であることを特徴と
する前記(1) 〜(4) のいずれか１つに記載の真空紫外線
励起用蛍光体。
【００１１】(6) 前記マグネシウムの含有量が前記希土
類酸化物系蛍光体に対し、重量換算で０．００１〜２重
量％、好ましくは０．０１〜０．５重量％の範囲にある
ことを特徴とする前記(1) 〜(5) のいずれか１つに記載
の真空紫外線励起用蛍光体。 (7) 前記燐の含有量が前記希土類酸化物系蛍光体に対し
重量換算で０．００１〜２重量％、好ましくは０．０１
〜０．４重量％の範囲にあることを特徴とする前記(1)
〜(6) のいずれか１つに記載の真空紫外線励起用蛍光
体。 (8) 前記(1) 〜(7) のいずれか１つに記載の真空紫外線
励起用蛍光体を結合剤溶液中に分散させたことを特徴と
する蛍光体ペースト組成物。
類酸化物系蛍光体に対し、重量換算で０．００１〜２重
量％、好ましくは０．０１〜０．５重量％の範囲にある
ことを特徴とする前記(1) 〜(5) のいずれか１つに記載
の真空紫外線励起用蛍光体。 (7) 前記燐の含有量が前記希土類酸化物系蛍光体に対し
重量換算で０．００１〜２重量％、好ましくは０．０１
〜０．４重量％の範囲にあることを特徴とする前記(1)
〜(6) のいずれか１つに記載の真空紫外線励起用蛍光
体。 (8) 前記(1) 〜(7) のいずれか１つに記載の真空紫外線
励起用蛍光体を結合剤溶液中に分散させたことを特徴と
する蛍光体ペースト組成物。
【００１２】(9) 外囲器の内部に蛍光膜を有し、該外囲
器に封入された希ガスの放電によって生ずる真空紫外線
により上記蛍光膜を励起して発光させる真空紫外線励起
発光装置において、前記蛍光膜が、前記(1) 〜(7) のい
づれか１つに記載の真空紫外線励起用蛍光体を含むこと
を特徴とする真空紫外線励起発光装置。 (10)前記真空紫外線が少なくとも１６０〜１２０ｎｍの
波長成分の真空紫外線を含むことを特徴とする前記(9)
記載の真空紫外線励起発光装置。
器に封入された希ガスの放電によって生ずる真空紫外線
により上記蛍光膜を励起して発光させる真空紫外線励起
発光装置において、前記蛍光膜が、前記(1) 〜(7) のい
づれか１つに記載の真空紫外線励起用蛍光体を含むこと
を特徴とする真空紫外線励起発光装置。 (10)前記真空紫外線が少なくとも１６０〜１２０ｎｍの
波長成分の真空紫外線を含むことを特徴とする前記(9)
記載の真空紫外線励起発光装置。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、希土類酸化物系蛍光体
の表面の少なくとも１部に、燐酸マグネシウムなど、そ
の組成中に構成元素として少なくともＭｇ元素及びＰ元
素を含む燐酸マグネシウム系化合物を被覆させることに
より、波長２００ｎｍ以下、特に波長が１６０ｎｍ以下
の真空紫外線（ＶＵＶ）励起で高効率の発光と輝度維持
率に優れた希土類酸化物系蛍光体の提供を可能にした。
の表面の少なくとも１部に、燐酸マグネシウムなど、そ
の組成中に構成元素として少なくともＭｇ元素及びＰ元
素を含む燐酸マグネシウム系化合物を被覆させることに
より、波長２００ｎｍ以下、特に波長が１６０ｎｍ以下
の真空紫外線（ＶＵＶ）励起で高効率の発光と輝度維持
率に優れた希土類酸化物系蛍光体の提供を可能にした。
【００１４】本発明の使用に適したＶＵＶ励起用希土類
酸化物系蛍光体は、波長２００ｎｍ以下のＶＵＶの照射
を受けて高輝度の発光を示す蛍光体であればよく、例え
ば下記一般式で表される蛍光体を使用することができ
る。 （Ｙ1-x-y ，Ｌｎx ，Ｒｅy ）2 Ｏ3 （式中、ＬｎはＧｄ、Ｌａ及びＬｕの群から選択された
少なくとも一種の希土類元素、ＲｅはＥｕ、Ｔｍ、Ｓｍ
及びＰｒの群から選択された少なくとも一種の希土類元
素であり、ｘ及びｙは、０≦ｘ≦１−ｙ及び０．００１
≦ｙ≦０．２、好ましくは、０≦ｘ≦０．４−ｙ及び
０．０２≦ｙ≦０．１の条件を満たす数である。）具体
的には、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体、（Ｙ，Ｇｄ）2 Ｏ3 ：
Ｅｕ蛍光体などを挙げることができる。
酸化物系蛍光体は、波長２００ｎｍ以下のＶＵＶの照射
を受けて高輝度の発光を示す蛍光体であればよく、例え
ば下記一般式で表される蛍光体を使用することができ
る。 （Ｙ1-x-y ，Ｌｎx ，Ｒｅy ）2 Ｏ3 （式中、ＬｎはＧｄ、Ｌａ及びＬｕの群から選択された
少なくとも一種の希土類元素、ＲｅはＥｕ、Ｔｍ、Ｓｍ
及びＰｒの群から選択された少なくとも一種の希土類元
素であり、ｘ及びｙは、０≦ｘ≦１−ｙ及び０．００１
≦ｙ≦０．２、好ましくは、０≦ｘ≦０．４−ｙ及び
０．０２≦ｙ≦０．１の条件を満たす数である。）具体
的には、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体、（Ｙ，Ｇｄ）2 Ｏ3 ：
Ｅｕ蛍光体などを挙げることができる。
【００１５】本発明の希土類酸化物系蛍光体表面を被覆
する燐酸マグネシウム系化合物としては、オルト燐酸マ
グネシウム〔Ｍｇ3 （ＰＯ4 ）2 〕、燐酸水素マグネシ
ウム（ＭｇＨＰＯ4 ）、燐酸二水素マグネシウム〔Ｍｇ
（Ｈ2 ＰＯ4 ）2 〕などのＭｇのオルト燐酸水素塩、二
メタ燐酸マグネシウム（ＭｇＰ2 Ｏ6 ）、三メタ燐酸マ
グネシウム〔Ｍｇ3 （Ｐ3 Ｏ9 ）2 〕、四メタ燐酸マグ
ネシウム（Ｍｇ2 Ｐ4Ｏ12）等のメタ燐酸マグネシウ
ム、燐酸マグネシウムと燐酸イオンを縮合して生成する
鎖状のイオン〔（ＰＯ3 ）n Ｏ〕(n+2) （ｎ≧２）を含
むマグネシウム塩、例えばＭｇ2 Ｐ2 Ｏ7 、Ｍｇ3 Ｐ2
Ｏ13等のポリ燐酸マグネシウムや、それらの水和物な
ど、その組成中に少なくともＭｇ元素及びＰ元素を含む
化合物であれば特に制限はない。
する燐酸マグネシウム系化合物としては、オルト燐酸マ
グネシウム〔Ｍｇ3 （ＰＯ4 ）2 〕、燐酸水素マグネシ
ウム（ＭｇＨＰＯ4 ）、燐酸二水素マグネシウム〔Ｍｇ
（Ｈ2 ＰＯ4 ）2 〕などのＭｇのオルト燐酸水素塩、二
メタ燐酸マグネシウム（ＭｇＰ2 Ｏ6 ）、三メタ燐酸マ
グネシウム〔Ｍｇ3 （Ｐ3 Ｏ9 ）2 〕、四メタ燐酸マグ
ネシウム（Ｍｇ2 Ｐ4Ｏ12）等のメタ燐酸マグネシウ
ム、燐酸マグネシウムと燐酸イオンを縮合して生成する
鎖状のイオン〔（ＰＯ3 ）n Ｏ〕(n+2) （ｎ≧２）を含
むマグネシウム塩、例えばＭｇ2 Ｐ2 Ｏ7 、Ｍｇ3 Ｐ2
Ｏ13等のポリ燐酸マグネシウムや、それらの水和物な
ど、その組成中に少なくともＭｇ元素及びＰ元素を含む
化合物であれば特に制限はない。
【００１６】本発明において、蛍光体表面の被膜中のＭ
ｇ及びＰの含有量は、燐酸マグネシウム系化合物の化学
組成によって異なるが、Ｍｇ含有量は、蛍光体重量に対
して０．００１〜２重量％、好ましくは０．０１〜０．
５重量％の範囲で、かつ、Ｐの含有量は、蛍光体重量に
対して０．００１〜２重量％、好ましくは０．０１〜
０．４重量％の範囲にあるように調整するのが適当であ
る。Ｍｇの含有量が０．００１重量％より少ないか、Ｐ
の含有量が０．００１重量％より少ないと、得られる蛍
光体のＶＵＶ照射による経時的な発光輝度低下の改善が
ほとんど認められず、また、Ｍｇの含有量が２重量％よ
り多いか、Ｐの含有量が２重量％より多いと、得られる
蛍光体の初輝度の低下が顕著となるため好ましくない。
ｇ及びＰの含有量は、燐酸マグネシウム系化合物の化学
組成によって異なるが、Ｍｇ含有量は、蛍光体重量に対
して０．００１〜２重量％、好ましくは０．０１〜０．
５重量％の範囲で、かつ、Ｐの含有量は、蛍光体重量に
対して０．００１〜２重量％、好ましくは０．０１〜
０．４重量％の範囲にあるように調整するのが適当であ
る。Ｍｇの含有量が０．００１重量％より少ないか、Ｐ
の含有量が０．００１重量％より少ないと、得られる蛍
光体のＶＵＶ照射による経時的な発光輝度低下の改善が
ほとんど認められず、また、Ｍｇの含有量が２重量％よ
り多いか、Ｐの含有量が２重量％より多いと、得られる
蛍光体の初輝度の低下が顕著となるため好ましくない。
【００１７】本発明において、希土類酸化物系蛍光体表
面に燐酸マグネシウム系化合物を被覆させる方法は、例
えば、希土類酸化物系蛍光体を水などに懸濁させて蛍光
体スラリーを調製し、これに硫酸マグネシウムなどの可
溶性のＭｇ化合物を添加するか、別途Ｍｇ化合物を溶解
した溶液を調製しておき、この溶液を添加することによ
ってＭｇ2+イオンを蛍光体スラリー中に共存させる。そ
して、このスラリー中に燐酸やポリ燐酸などのＭｇ2+と
反応させて不溶性の燐酸マグネシウム系化合物を生成さ
せることにより、蛍光体粒子の表面の少なくとも１部に
この燐酸マグネシウム系化合物を被覆する。その後脱水
し、１００〜２００℃で乾燥して蛍光体表面の少なくと
も１部に燐酸マグネシウム系化合物の被膜を形成して本
発明の蛍光体を得る。なお、蛍光体スラリーに添加する
Ｍｇ化合物と燐化合物の添加順序について、Ｍｇ化合物
を先に添加するように説明したが、燐化合物を先に添加
しても同様に被覆を行うことができることはいうまでも
ないことである。
面に燐酸マグネシウム系化合物を被覆させる方法は、例
えば、希土類酸化物系蛍光体を水などに懸濁させて蛍光
体スラリーを調製し、これに硫酸マグネシウムなどの可
溶性のＭｇ化合物を添加するか、別途Ｍｇ化合物を溶解
した溶液を調製しておき、この溶液を添加することによ
ってＭｇ2+イオンを蛍光体スラリー中に共存させる。そ
して、このスラリー中に燐酸やポリ燐酸などのＭｇ2+と
反応させて不溶性の燐酸マグネシウム系化合物を生成さ
せることにより、蛍光体粒子の表面の少なくとも１部に
この燐酸マグネシウム系化合物を被覆する。その後脱水
し、１００〜２００℃で乾燥して蛍光体表面の少なくと
も１部に燐酸マグネシウム系化合物の被膜を形成して本
発明の蛍光体を得る。なお、蛍光体スラリーに添加する
Ｍｇ化合物と燐化合物の添加順序について、Ｍｇ化合物
を先に添加するように説明したが、燐化合物を先に添加
しても同様に被覆を行うことができることはいうまでも
ないことである。
【００１８】このようにして得た燐酸マグネシウム系化
合物被覆の希土類酸化物系蛍光体は、燐酸マグネシウム
系化合物の被覆力を増強させたり、被膜中の水分を除去
したり、水酸基等を酸化物に変えるために、さらに２０
０〜８００℃で焼成してもよい。
合物被覆の希土類酸化物系蛍光体は、燐酸マグネシウム
系化合物の被覆力を増強させたり、被膜中の水分を除去
したり、水酸基等を酸化物に変えるために、さらに２０
０〜８００℃で焼成してもよい。
【００１９】本発明のＶＵＶ用蛍光体ペースト組成物
は、上記の蛍光体と、所定量の結合剤を溶解させた有機
溶剤（結合剤含有溶液）とを混練して、有機溶剤中に蛍
光体と結合剤とを均一に分散して得る。なお、結合剤含
有溶液中の有機溶媒の量は適宜増減することによって所
望の粘度に調整することができる。また、得られた蛍光
体ペースト組成物の粘度を調節するために、調整済みの
蛍光体ペースト組成物中に、後から有機溶剤をさらに添
加してもよい。
は、上記の蛍光体と、所定量の結合剤を溶解させた有機
溶剤（結合剤含有溶液）とを混練して、有機溶剤中に蛍
光体と結合剤とを均一に分散して得る。なお、結合剤含
有溶液中の有機溶媒の量は適宜増減することによって所
望の粘度に調整することができる。また、得られた蛍光
体ペースト組成物の粘度を調節するために、調整済みの
蛍光体ペースト組成物中に、後から有機溶剤をさらに添
加してもよい。
【００２０】ここで使用する結合剤としては、エチルセ
ルロース、アクリル樹脂、ポリスチレンオキサイド、ニ
トロセルロース等の樹脂を使用することができ、また、
有機溶剤としては、ブチルカルビトール、ブチルカルビ
トールアセテート、テルピネオール、酢酸ブチル、酢酸
エチル、メチルエチルケトンなどを用いることができ
る。
ルロース、アクリル樹脂、ポリスチレンオキサイド、ニ
トロセルロース等の樹脂を使用することができ、また、
有機溶剤としては、ブチルカルビトール、ブチルカルビ
トールアセテート、テルピネオール、酢酸ブチル、酢酸
エチル、メチルエチルケトンなどを用いることができ
る。
【００２１】本発明の蛍光体ペースト組成物中の蛍光体
配合量は、そのペースト全量に対して５〜８０重量％、
好ましくは２０〜６０重量％の範囲が適当である。ま
た、使用される結合剤含有溶液の結合剤の配合量は、結
合剤含有溶液に対して２〜８０重量％、好ましくは５〜
４０重量％の範囲が適当である。
配合量は、そのペースト全量に対して５〜８０重量％、
好ましくは２０〜６０重量％の範囲が適当である。ま
た、使用される結合剤含有溶液の結合剤の配合量は、結
合剤含有溶液に対して２〜８０重量％、好ましくは５〜
４０重量％の範囲が適当である。
【００２２】本発明のＶＵＶ発光装置は、上記の蛍光体
ペースト組成物を使用し、通常の方法で製造することが
できる。即ち、本発明のＶＵＶ発光装置の一つであるＰ
ＤＰの場合、平板状ガラス板等からなる背面板面上に複
数の隔壁を設けて背面板と隔壁とによって囲まれた複数
の凹部を形成し、各凹部の内面に本発明の蛍光体ペース
ト組成物を塗布し、乾燥後およそ３００〜５５０℃の温
度でベーキングして蛍光体層を形成し、次いで、可視光
に対して透明な平板状のガラス板等からなる前面板と、
隔壁及び蛍光膜を有する後面板とを対向配置し、その間
に画像表示用電極を設けると共に、前面板と背面板の周
囲を封止して外囲器を形成し、その内部を排気してから
Ｘｅ、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅなどの希ガスを単独で又は混合
して封入することによって製造される。
ペースト組成物を使用し、通常の方法で製造することが
できる。即ち、本発明のＶＵＶ発光装置の一つであるＰ
ＤＰの場合、平板状ガラス板等からなる背面板面上に複
数の隔壁を設けて背面板と隔壁とによって囲まれた複数
の凹部を形成し、各凹部の内面に本発明の蛍光体ペース
ト組成物を塗布し、乾燥後およそ３００〜５５０℃の温
度でベーキングして蛍光体層を形成し、次いで、可視光
に対して透明な平板状のガラス板等からなる前面板と、
隔壁及び蛍光膜を有する後面板とを対向配置し、その間
に画像表示用電極を設けると共に、前面板と背面板の周
囲を封止して外囲器を形成し、その内部を排気してから
Ｘｅ、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅなどの希ガスを単独で又は混合
して封入することによって製造される。
【００２３】また、本発明のＶＵＶ発光装置の別の形態
である希ガスランプは、例えば内径が４〜１２ｍｍのガ
ラス管の内壁に本発明のＶＵＶ用蛍光体からなる上記蛍
光体ペースト組成物を塗布し、１００〜２００℃で乾燥
してから、さらに４００〜８００℃で５〜３０分間ベー
キングし、そのガラス管の両端、ガラス管を挟んだ内外
部若しくはガラス管の外面にニッケル等の電極を取り付
け、管内を排気した後、Ｎｅ９８容積％−Ｘｅ２容積％
の混合ガス、又は、Ｈｅ９８容積％−Ｘｅ２容積％の混
合ガス等の希ガスをおよそ５０ｔｏｒｒの内気圧となる
ように封入し、ガラス管の両端を封止することによって
製造される。
である希ガスランプは、例えば内径が４〜１２ｍｍのガ
ラス管の内壁に本発明のＶＵＶ用蛍光体からなる上記蛍
光体ペースト組成物を塗布し、１００〜２００℃で乾燥
してから、さらに４００〜８００℃で５〜３０分間ベー
キングし、そのガラス管の両端、ガラス管を挟んだ内外
部若しくはガラス管の外面にニッケル等の電極を取り付
け、管内を排気した後、Ｎｅ９８容積％−Ｘｅ２容積％
の混合ガス、又は、Ｈｅ９８容積％−Ｘｅ２容積％の混
合ガス等の希ガスをおよそ５０ｔｏｒｒの内気圧となる
ように封入し、ガラス管の両端を封止することによって
製造される。
【００２４】
【実施例】〔蛍光体の調製〕 （実施例１） Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体１００ｇを水の入った容器に投入
して総量約４００ｍｌの蛍光体スラリーを調製し、これ
に別途調製した１００ｇ／リットルの燐酸ナトリウム
（Ｎａ3 ＰＯ4 ・１２Ｈ2 Ｏ）水溶液１４．５ｍｌをこ
の蛍光体スラリー中に添加した。次いで、この蛍光体ス
ラリー中に、別途調製した２００ｇ／リットルの硫酸マ
グネシウム（ＭｇＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）の水溶液７．０ｍ
ｌを滴下して、該スラリー中で燐酸マグネシウムの沈殿
を生成させ、スラリーを２０分間攪拌した後、脱水し、
乾燥することにより、燐酸マグネシウムを被覆してなる
実施例１のＶＵＶ励起用蛍光体を得た。
して総量約４００ｍｌの蛍光体スラリーを調製し、これ
に別途調製した１００ｇ／リットルの燐酸ナトリウム
（Ｎａ3 ＰＯ4 ・１２Ｈ2 Ｏ）水溶液１４．５ｍｌをこ
の蛍光体スラリー中に添加した。次いで、この蛍光体ス
ラリー中に、別途調製した２００ｇ／リットルの硫酸マ
グネシウム（ＭｇＳＯ4 ・７Ｈ2 Ｏ）の水溶液７．０ｍ
ｌを滴下して、該スラリー中で燐酸マグネシウムの沈殿
を生成させ、スラリーを２０分間攪拌した後、脱水し、
乾燥することにより、燐酸マグネシウムを被覆してなる
実施例１のＶＵＶ励起用蛍光体を得た。
【００２５】（実施例２〜５）実施例１における燐酸ナ
トリウム水溶液の添加量を１４．５ｍｌから、それぞれ
１．５ｍｌ、５．８ｍｌ、２８．９ｍｌ及び５７．８ｍ
ｌに変更し、かつ、硫酸マグネシウム水溶液の滴下量を
７．０ｍｌから、それぞれ０．７ｍｌ、２．８ｍｌ、１
４．０ｍｌ及び２８．１ｍｌに変更した以外は、実施例
１と同様にして燐酸マグネシウムを被覆してなる実施例
２〜５のＶＵＶ用蛍光体を得た。
トリウム水溶液の添加量を１４．５ｍｌから、それぞれ
１．５ｍｌ、５．８ｍｌ、２８．９ｍｌ及び５７．８ｍ
ｌに変更し、かつ、硫酸マグネシウム水溶液の滴下量を
７．０ｍｌから、それぞれ０．７ｍｌ、２．８ｍｌ、１
４．０ｍｌ及び２８．１ｍｌに変更した以外は、実施例
１と同様にして燐酸マグネシウムを被覆してなる実施例
２〜５のＶＵＶ用蛍光体を得た。
【００２６】（実施例６）実施例１において、燐酸ナト
リウム水溶液１４．５ｍｌに代えて、別途調製した５０
ｇ／リットルのポリ燐酸ナトリウム（Ｎａ4 Ｐ2 Ｏ7 ・
１０Ｈ2 Ｏ）の水溶液２０．０ｍｌを蛍光体スラリー中
に添加し、かつ、硫酸マグネシウム水溶液７．０ｍｌに
代えて、硫酸マグネシウム水溶液５．５ｍｌを滴下した
以外は、実施例１と同様にしてポリ燐酸マグネシウムを
被覆してなる実施例６のＶＵＶ用蛍光体を得た。
リウム水溶液１４．５ｍｌに代えて、別途調製した５０
ｇ／リットルのポリ燐酸ナトリウム（Ｎａ4 Ｐ2 Ｏ7 ・
１０Ｈ2 Ｏ）の水溶液２０．０ｍｌを蛍光体スラリー中
に添加し、かつ、硫酸マグネシウム水溶液７．０ｍｌに
代えて、硫酸マグネシウム水溶液５．５ｍｌを滴下した
以外は、実施例１と同様にしてポリ燐酸マグネシウムを
被覆してなる実施例６のＶＵＶ用蛍光体を得た。
【００２７】（実施例７）実施例１のＶＵＶ用蛍光体
を、さらに空気中で６００℃で１時間焼成することによ
り実施例７のＶＵＶ用蛍光体を得た。
を、さらに空気中で６００℃で１時間焼成することによ
り実施例７のＶＵＶ用蛍光体を得た。
【００２８】（比較例１）実施例１において、燐酸マグ
ネシウムの被覆を省略したＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体を比較
例１のＶＵＶ用蛍光体とした。
ネシウムの被覆を省略したＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体を比較
例１のＶＵＶ用蛍光体とした。
【００２９】（比較例２） Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体１００ｇを懸濁させた水スラリー
中に、０．１１ｇのマグネシウムエトキサイド〔Ｍｇ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 〕を溶解した水溶液を加えて、全量が
約４００ｍｌの蛍光体スラリーを調製し、これを２０分
間攪拌して十分に混合した後、脱水し、乾燥してから６
００℃で１時間焼成することにより、酸化マグネシウム
を被覆してなる比較例２のＶＵＶ用蛍光体を得た。
中に、０．１１ｇのマグネシウムエトキサイド〔Ｍｇ
（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 〕を溶解した水溶液を加えて、全量が
約４００ｍｌの蛍光体スラリーを調製し、これを２０分
間攪拌して十分に混合した後、脱水し、乾燥してから６
００℃で１時間焼成することにより、酸化マグネシウム
を被覆してなる比較例２のＶＵＶ用蛍光体を得た。
【００３０】（比較例３） Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体１００ｇを水に懸濁液させて蛍光
体スラリーを調製し、これとは別に、１０ｇの燐酸水素
アンモニウム〔（ＮＨ4 ）2 ＨＰＯ4 〕を水に溶解して
全量を１リットルとした燐酸水素アンモニウムの水溶液
を調製し、その中の７．０ｍｌを蛍光体スラリー中に添
加し、次いでこの蛍光体スラリーを攪拌しながら蒸発乾
固することにより、燐の酸化物を被覆してなる比較例３
のＶＵＶ用蛍光体を得た。
体スラリーを調製し、これとは別に、１０ｇの燐酸水素
アンモニウム〔（ＮＨ4 ）2 ＨＰＯ4 〕を水に溶解して
全量を１リットルとした燐酸水素アンモニウムの水溶液
を調製し、その中の７．０ｍｌを蛍光体スラリー中に添
加し、次いでこの蛍光体スラリーを攪拌しながら蒸発乾
固することにより、燐の酸化物を被覆してなる比較例３
のＶＵＶ用蛍光体を得た。
【００３１】（比較例４）実施例１において、燐酸ナト
リウム水溶液１４．５ｍｌの代わりに燐酸ナトリウム水
溶液１２．３ｍｌを蛍光体スラリー中に添加し、次い
で、硫酸マグネシウム水溶液７．０ｍｌの代わりに、別
途調製された２００ｇ／リットルの硝酸カルシウム〔Ｃ
ａ（ＮＯ3 ）2 ・４Ｈ2 Ｏ〕の水溶液５．７ｍｌを添加
した以外は実施例１と同様にして、燐酸カルシウムを被
覆してなる比較例４のＶＵＶ用蛍光体を得た。
リウム水溶液１４．５ｍｌの代わりに燐酸ナトリウム水
溶液１２．３ｍｌを蛍光体スラリー中に添加し、次い
で、硫酸マグネシウム水溶液７．０ｍｌの代わりに、別
途調製された２００ｇ／リットルの硝酸カルシウム〔Ｃ
ａ（ＮＯ3 ）2 ・４Ｈ2 Ｏ〕の水溶液５．７ｍｌを添加
した以外は実施例１と同様にして、燐酸カルシウムを被
覆してなる比較例４のＶＵＶ用蛍光体を得た。
【００３２】（比較例５）実施例１において、燐酸ナト
リウム水溶液１４．５ｍｌの代わりに、燐酸ナトリウム
水溶液９．８ｍｌを蛍光体スラリー中に添加し、次い
で、硫酸マグネシウム水溶液７．０ｍｌの代わりに、別
途調製された２００ｇ／リットルの硫酸亜鉛〔ＺｎＳＯ
4 ・７Ｈ2 Ｏ〕の水溶液５．５ｍｌを添加した以外は実
施例１と同様にして、燐酸亜鉛を被覆してなる比較例５
のＶＵＶ用蛍光体を得た。
リウム水溶液１４．５ｍｌの代わりに、燐酸ナトリウム
水溶液９．８ｍｌを蛍光体スラリー中に添加し、次い
で、硫酸マグネシウム水溶液７．０ｍｌの代わりに、別
途調製された２００ｇ／リットルの硫酸亜鉛〔ＺｎＳＯ
4 ・７Ｈ2 Ｏ〕の水溶液５．５ｍｌを添加した以外は実
施例１と同様にして、燐酸亜鉛を被覆してなる比較例５
のＶＵＶ用蛍光体を得た。
【００３３】（比較例６）実施例１において、燐酸ナト
リウム水溶液１４．５ｍｌの代わりに、燐酸ナトリウム
水溶液６．３ｍｌを蛍光体スラリー中に添加し、次い
で、硫酸マグネシウム水溶液７．０ｍｌの代わりに、別
途調製された１００ｇ／リットルの酢酸バリウム〔Ｂａ
（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ・Ｈ2 Ｏ〕の水溶液６．８ｍｌを添
加した以外は実施例１と同様にして、燐酸バリウムを被
覆してなる比較例６のＶＵＶ用蛍光体を得た。
リウム水溶液１４．５ｍｌの代わりに、燐酸ナトリウム
水溶液６．３ｍｌを蛍光体スラリー中に添加し、次い
で、硫酸マグネシウム水溶液７．０ｍｌの代わりに、別
途調製された１００ｇ／リットルの酢酸バリウム〔Ｂａ
（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 ・Ｈ2 Ｏ〕の水溶液６．８ｍｌを添
加した以外は実施例１と同様にして、燐酸バリウムを被
覆してなる比較例６のＶＵＶ用蛍光体を得た。
【００３４】〔蛍光体ペーストの作製〕ブチルカルビト
ール１０ｇとブチルカルビトールアセテート５３ｇとの
混合溶剤中にエチルセルロース樹脂２５ｇを溶解した樹
脂溶液を調製し、この樹脂液中に実施例１〜７及び比較
例１〜６のＶＵＶ励起用蛍光体３０ｇを加えて十分に混
練りすることにより実施例１〜７及び比較例１〜６の蛍
光体ペースト組成物を得た。
ール１０ｇとブチルカルビトールアセテート５３ｇとの
混合溶剤中にエチルセルロース樹脂２５ｇを溶解した樹
脂溶液を調製し、この樹脂液中に実施例１〜７及び比較
例１〜６のＶＵＶ励起用蛍光体３０ｇを加えて十分に混
練りすることにより実施例１〜７及び比較例１〜６の蛍
光体ペースト組成物を得た。
【００３５】＜蛍光体表面の被覆物の定量＞実施例１〜
７及び比較例１〜６の蛍光体の被覆物質は、各蛍光体を
硝酸で処理して溶解し、ＩＣＰ（誘導結合高周波プラズ
マ）分析装置を用いて、被覆物質中のＰ元素、Ｍｇ元
素、Ｃａ元素、Ｚｎ元素、Ｂａ元素の定量を行い、結果
を表１に記載した。その際、蛍光体表面の少なくとも１
部に何も被覆されていない比較例１のＹ2Ｏ3 ：Ｅｕ蛍
光体を参照試料として、この参照試料の分析値との差か
ら各蛍光体に被覆されているＰ元素、Ｍｇ元素並びにそ
れ以外の金属元素の量を定量した。
７及び比較例１〜６の蛍光体の被覆物質は、各蛍光体を
硝酸で処理して溶解し、ＩＣＰ（誘導結合高周波プラズ
マ）分析装置を用いて、被覆物質中のＰ元素、Ｍｇ元
素、Ｃａ元素、Ｚｎ元素、Ｂａ元素の定量を行い、結果
を表１に記載した。その際、蛍光体表面の少なくとも１
部に何も被覆されていない比較例１のＹ2Ｏ3 ：Ｅｕ蛍
光体を参照試料として、この参照試料の分析値との差か
ら各蛍光体に被覆されているＰ元素、Ｍｇ元素並びにそ
れ以外の金属元素の量を定量した。
【００３６】＜蛍光膜の作製＞実施例１〜７及び比較例
１〜６の蛍光体ペースト組成物を、それぞれガラス板上
に０．５ｍｍの厚さで塗布し、これを１２０℃で６０分
間乾燥した後、さらに４７０℃で３０分間ベーキングし
て実施例１〜７及び比較例１〜６の１３枚の蛍光膜を作
製した。
１〜６の蛍光体ペースト組成物を、それぞれガラス板上
に０．５ｍｍの厚さで塗布し、これを１２０℃で６０分
間乾燥した後、さらに４７０℃で３０分間ベーキングし
て実施例１〜７及び比較例１〜６の１３枚の蛍光膜を作
製した。
【００３７】＜蛍光膜の輝度維持率の測定＞実施例１〜
７及び比較例１〜６の１３枚の蛍光膜を容器内に収容し
容器内を窒素ガスでパージし、１４６ｎｍを中心波長と
するＶＵＶ発生エキシマランプ（ウシオ電機社製、ＵＥ
Ｒ２０１Ａ−１４６Ｖ）からのＶＵＶを上記の蛍光膜に
照射し、輝度計を用いて各蛍光膜の発光輝度（初輝度）
を測定した。引き続いてＶＵＶを連続して照射して６０
分後の各蛍光膜の発光輝度（６０分照射後輝度）を測定
した。そして、初輝度に対する６０分照射後輝度の相対
百分率を求めて、各蛍光膜の輝度維持率とし、この輝度
維持率の値の大小により各ＶＵＶ用蛍光体の耐ＶＵＶ性
の大小を評価した。結果は表１に記載した。なお、表１
において、被覆物質の欄のＰ元素とその他の金属元素の
量は何れも蛍光体に対する重量百分率であり、また、発
光輝度の値は全て比較例１の蛍光膜の初輝度を１００と
した時の相対百分率である。
７及び比較例１〜６の１３枚の蛍光膜を容器内に収容し
容器内を窒素ガスでパージし、１４６ｎｍを中心波長と
するＶＵＶ発生エキシマランプ（ウシオ電機社製、ＵＥ
Ｒ２０１Ａ−１４６Ｖ）からのＶＵＶを上記の蛍光膜に
照射し、輝度計を用いて各蛍光膜の発光輝度（初輝度）
を測定した。引き続いてＶＵＶを連続して照射して６０
分後の各蛍光膜の発光輝度（６０分照射後輝度）を測定
した。そして、初輝度に対する６０分照射後輝度の相対
百分率を求めて、各蛍光膜の輝度維持率とし、この輝度
維持率の値の大小により各ＶＵＶ用蛍光体の耐ＶＵＶ性
の大小を評価した。結果は表１に記載した。なお、表１
において、被覆物質の欄のＰ元素とその他の金属元素の
量は何れも蛍光体に対する重量百分率であり、また、発
光輝度の値は全て比較例１の蛍光膜の初輝度を１００と
した時の相対百分率である。
【００３８】
【表１】
【００３９】＜評価＞表１から明らかなように、Ｙ2 Ｏ
3 ：Ｅｕ蛍光体の表面に燐酸マグネシウムを被覆した実
施例１〜７の蛍光体は、これらを被覆していない比較例
１の蛍光体に比べて、ＶＵＶを６０分間照射後の輝度が
特に高く、輝度維持率が著しく改善されたことが分か
る。
3 ：Ｅｕ蛍光体の表面に燐酸マグネシウムを被覆した実
施例１〜７の蛍光体は、これらを被覆していない比較例
１の蛍光体に比べて、ＶＵＶを６０分間照射後の輝度が
特に高く、輝度維持率が著しく改善されたことが分か
る。
【００４０】また、Ｍｇ元素又はＰ元素のいずれか一方
の元素のみ含む化合物を被覆した比較例２及び３の蛍光
体は、比較例１の蛍光体と比べ、６０分照射後の輝度維
持率はこれと同等又はそれ以下であり、実施例１〜７の
蛍光体のような輝度維持率の向上は認められなかった。
の元素のみ含む化合物を被覆した比較例２及び３の蛍光
体は、比較例１の蛍光体と比べ、６０分照射後の輝度維
持率はこれと同等又はそれ以下であり、実施例１〜７の
蛍光体のような輝度維持率の向上は認められなかった。
【００４１】さらに、燐酸カルシウム、燐酸亜鉛、燐酸
バリウムを被覆した比較例４〜６の蛍光体は、比較例１
の蛍光体と比べ、６０分照射後の輝度維持率はこれと同
等又はそれ以下であり、実施例１〜７の蛍光体のような
輝度維持率の向上は認められなかった。
バリウムを被覆した比較例４〜６の蛍光体は、比較例１
の蛍光体と比べ、６０分照射後の輝度維持率はこれと同
等又はそれ以下であり、実施例１〜７の蛍光体のような
輝度維持率の向上は認められなかった。
【００４２】なお、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体以外の、
（Ｙ、Ｇｄ）2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体、Ｙ2Ｏ3 ：Ｅｕ，Ｓ
ｍ蛍光体、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｔｍ蛍光体、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｐｒ蛍光
体など、一般式が（Ｙ1-x-y 、Ｌｎx 、Ｒｅy ）2 Ｏ3
で表わされる希土類酸化物系蛍光体の場合にも、その表
面の少なくとも１部にマグネシウムＭｇ元素と燐Ｐ元素
の両方の元素を含む化合物を被覆することによって、上
記実施例と同様に、蛍光体の輝度維持率の向上を確認す
ることができた。またその蛍光体ペーストを用いた蛍光
膜も、輝度維持率が高く、発光輝度の低下を大幅に抑制
することができた。
（Ｙ、Ｇｄ）2 Ｏ3 ：Ｅｕ蛍光体、Ｙ2Ｏ3 ：Ｅｕ，Ｓ
ｍ蛍光体、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｔｍ蛍光体、Ｙ2 Ｏ3 ：Ｐｒ蛍光
体など、一般式が（Ｙ1-x-y 、Ｌｎx 、Ｒｅy ）2 Ｏ3
で表わされる希土類酸化物系蛍光体の場合にも、その表
面の少なくとも１部にマグネシウムＭｇ元素と燐Ｐ元素
の両方の元素を含む化合物を被覆することによって、上
記実施例と同様に、蛍光体の輝度維持率の向上を確認す
ることができた。またその蛍光体ペーストを用いた蛍光
膜も、輝度維持率が高く、発光輝度の低下を大幅に抑制
することができた。
【００４３】〔蛍光ランプの作製〕実施例１の蛍光体ペ
ースト組成物を外径４ｍｍのガラス管内面に塗布し、１
２０℃で６０分間乾燥した後５５０℃で１０分間焼成
し、そのガラス管の内壁に蛍光膜を形成した。次いで、
内壁面に蛍光膜が形成されたガラス管の両端にニッケル
電極を付け、管内を真空に排気した後、Ｎｅ９８％−Ｘ
ｅ２％の混合希ガスを５０Ｔｏｒｒのガス圧で封入して
から、ガラス管の両端を封止して希ガスランプを得た。
得られた希ガスランプに交流電圧を印加して発光させ、
その希ガスランプの中心部における電圧印加直後の初輝
度と、１００時間継続点灯した後の輝度をそれぞれ測定
したところ、１００時間継続点灯後の輝度は、点灯直後
の輝度の９０％と高い輝度維持率を示した。
ースト組成物を外径４ｍｍのガラス管内面に塗布し、１
２０℃で６０分間乾燥した後５５０℃で１０分間焼成
し、そのガラス管の内壁に蛍光膜を形成した。次いで、
内壁面に蛍光膜が形成されたガラス管の両端にニッケル
電極を付け、管内を真空に排気した後、Ｎｅ９８％−Ｘ
ｅ２％の混合希ガスを５０Ｔｏｒｒのガス圧で封入して
から、ガラス管の両端を封止して希ガスランプを得た。
得られた希ガスランプに交流電圧を印加して発光させ、
その希ガスランプの中心部における電圧印加直後の初輝
度と、１００時間継続点灯した後の輝度をそれぞれ測定
したところ、１００時間継続点灯後の輝度は、点灯直後
の輝度の９０％と高い輝度維持率を示した。
【００４４】比較のために、比較例１の蛍光体ペースト
組成物を用いた以外は、上記と同様にして希ガスランプ
を作製し、輝度維持率を測定したところ、１００時間継
続点灯後の輝度は、点灯直後の輝度の７４％まで低下し
た。
組成物を用いた以外は、上記と同様にして希ガスランプ
を作製し、輝度維持率を測定したところ、１００時間継
続点灯後の輝度は、点灯直後の輝度の７４％まで低下し
た。
【００４５】
【発明の効果】本発明は、上記の構成を採用することに
より、耐ＶＵＶ性を改善することができ、波長２００ｎ
ｍ以下のＶＵＶを長時間照射しても経時的な発光輝度の
低下が極めて少ない真空紫外線励起用希土類酸化物系蛍
光体を提供することが可能になった。また、この蛍光体
を用いた蛍光膜を採用することにより、ＶＵＶ励起発光
装置を長時間作動させても発光輝度の低下が極めて少な
いＶＵＶ励起発光装置を提供することが可能になった。
より、耐ＶＵＶ性を改善することができ、波長２００ｎ
ｍ以下のＶＵＶを長時間照射しても経時的な発光輝度の
低下が極めて少ない真空紫外線励起用希土類酸化物系蛍
光体を提供することが可能になった。また、この蛍光体
を用いた蛍光膜を採用することにより、ＶＵＶ励起発光
装置を長時間作動させても発光輝度の低下が極めて少な
いＶＵＶ励起発光装置を提供することが可能になった。
Claims (7)
- 【請求項１】 希土類酸化物系蛍光体表面の少なくとも
１部を、マグネシウム元素と燐元素とを少なくとも含む
化合物で被覆してなることを特徴とする真空紫外線励起
用蛍光体。 - 【請求項２】 前記希土類酸化物系蛍光体が、下記一般
式で表わされることを特徴とする請求項１記載の真空紫
外線励起用蛍光体。 （Ｙ1-x-y ，Ｌｎx ，Ｒｅy ）2 Ｏ3 （式中、ＬｎはＧｄ、Ｌａ及びＬｕの群から選択された
少なくとも一種の希土類元素、ＲｅはＥｕ、Ｔｍ、Ｓｍ
及びＰｒの群から選択された少なくとも一種の希土類元
素であり、ｘとｙは、０≦ｘ≦１−ｙ、及び０．００１
≦ｙ≦０．２ の条件を満たす数である。） - 【請求項３】 前記マグネシウム元素と燐元素とを少な
くとも含む化合物が燐酸マグネシウム系化合物であるこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の真空紫外線励起
用蛍光体。 - 【請求項４】 前記マグネシウムの含有量が前記希土類
酸化物系蛍光体に対し、重量換算で０．００１〜２重量
％の範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の真空紫外線励起用蛍光体。 - 【請求項５】 前記燐の含有量が前記希土類酸化物系蛍
光体に対し、重量換算で０．００１〜２重量％の範囲に
あることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
載の真空紫外線励起用蛍光体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の真
空紫外線励起用蛍光体を結合剤溶液中に分散させたこと
を特徴とする蛍光体ペースト組成物。 - 【請求項７】 外囲器の内部に蛍光膜を有し、該外囲器
に封入された希ガスの放電によって生ずる真空紫外線に
より上記蛍光膜を励起して発光させる真空紫外線励起発
光装置において、前記蛍光膜が、請求項１〜５のいづれ
か１項に記載の真空紫外線励起用蛍光体を含むことを特
徴とする真空紫外線励起発光装置。
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| JP2001058260A JP2002256262A (ja) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | 真空紫外線励起用希土類酸化物系蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置 |
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| US10/085,058 US6627114B2 (en) | 2001-03-02 | 2002-03-01 | Rare earth oxide type phosphor for vacuum ultraviolet ray excitation, phosphor paste composition and vacuum ultraviolet ray excitation type light-emitting device |
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- 2002-01-28 KR KR1020020004783A patent/KR100771436B1/ko active IP Right Grant
- 2002-03-01 US US10/085,058 patent/US6627114B2/en not_active Expired - Lifetime
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