JP2003017001A - 低エネルギー準位変換蛍光体を有するガス放電灯 - Google Patents
低エネルギー準位変換蛍光体を有するガス放電灯Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低エネルギー準位変換蛍光体を含む蛍光体被
膜を有し、ガス放電を開始し維持する手段を備えた、Ｖ
ＵＶ線を発生するガス放電に好適なガス充填物を充填し
たガス放電管を取付けたガス放電灯であって、ガス放電
の色スペクトルを広げたガス放電灯を提供する。 【解決手段】 低エネルギー準位変換蛍光体を含む蛍光
体被膜を有し、ガス放電を開始し維持する手段を備え
た、ＶＵＶ線を発光するガス放電に好適なガス充填物を
充填したガス放電管を取付けたガス放電灯であって、低
エネルギー準位変換蛍光体がホスト格子中に第1のラン
タノイドイオンと第2のランタノイドイオンからなる1対
の活性成分と第3のランタノイドからなる共活性成分を
含んでいる、ガス放電灯。
膜を有し、ガス放電を開始し維持する手段を備えた、Ｖ
ＵＶ線を発生するガス放電に好適なガス充填物を充填し
たガス放電管を取付けたガス放電灯であって、ガス放電
の色スペクトルを広げたガス放電灯を提供する。 【解決手段】 低エネルギー準位変換蛍光体を含む蛍光
体被膜を有し、ガス放電を開始し維持する手段を備え
た、ＶＵＶ線を発光するガス放電に好適なガス充填物を
充填したガス放電管を取付けたガス放電灯であって、低
エネルギー準位変換蛍光体がホスト格子中に第1のラン
タノイドイオンと第2のランタノイドイオンからなる1対
の活性成分と第3のランタノイドからなる共活性成分を
含んでいる、ガス放電灯。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低エネルギー準位
変換蛍光体を含む蛍光体被膜を有し、ガス放電を開始し
維持する手段を備え、ＶＵＶ線を発生するガス放電を支
持するに好適なガスを充填したガス放電管が取付けられ
たガス放電灯に関する。
変換蛍光体を含む蛍光体被膜を有し、ガス放電を開始し
維持する手段を備え、ＶＵＶ線を発生するガス放電を支
持するに好適なガスを充填したガス放電管が取付けられ
たガス放電灯に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の蛍光灯には水銀ガス放電灯がある
が、水銀ガス放電灯の発光は低圧水銀ガス放電に基づく
ものである。低圧水銀ガス放電によって、主に最大波長
が２５４ｎｍにある近ＵＶ領域の光が発光され、該光は
ＵＶ蛍光体によって可視光線に変換される。
が、水銀ガス放電灯の発光は低圧水銀ガス放電に基づく
ものである。低圧水銀ガス放電によって、主に最大波長
が２５４ｎｍにある近ＵＶ領域の光が発光され、該光は
ＵＶ蛍光体によって可視光線に変換される。
【０００３】水銀ガス放電灯は精密技術に属し、放電灯
効率ηｌａｍｐを単に他のランプ技術により合わせた
り、あるいはより大きくすることはできるが困難であ
る。
効率ηｌａｍｐを単に他のランプ技術により合わせた
り、あるいはより大きくすることはできるが困難であ
る。
【０００４】しかしながら、ガス充填物中の水銀は環境
的に有害で有毒な物質であると認識新たになってきてお
り、使用、生産、廃棄において環境に対して危険性があ
るので該環境的有害有毒な物質は今日大量生産する際に
はできるだけ避けるべきである。
的に有害で有毒な物質であると認識新たになってきてお
り、使用、生産、廃棄において環境に対して危険性があ
るので該環境的有害有毒な物質は今日大量生産する際に
はできるだけ避けるべきである。
【０００５】従来の水銀ガス放電灯の代替品である水銀
を含まないあるいは少量の水銀しか含まないガス放電灯
の一つとして、主としてキセノンを含有するガス充填物
を含む低圧キセノンガス放電灯がある。低圧キセノンガ
ス放電灯でガス放電が生ずると、水銀放電のＵＶ光線と
対照的に真空紫外線（ＶＵＶ線）が発生する。ＶＵＶ線
は、例えばXe２ ＊のエキシマーによって発生し、約172
ｎｍの領域の広いスペクトルを有する分子バンド光線で
ある。この放電灯技術を用いると６５％の放電効率η
ｄｉｓが達成される。
を含まないあるいは少量の水銀しか含まないガス放電灯
の一つとして、主としてキセノンを含有するガス充填物
を含む低圧キセノンガス放電灯がある。低圧キセノンガ
ス放電灯でガス放電が生ずると、水銀放電のＵＶ光線と
対照的に真空紫外線（ＶＵＶ線）が発生する。ＶＵＶ線
は、例えばXe２ ＊のエキシマーによって発生し、約172
ｎｍの領域の広いスペクトルを有する分子バンド光線で
ある。この放電灯技術を用いると６５％の放電効率η
ｄｉｓが達成される。
【０００６】低圧キセノンガス放電灯の他の利点は、ガ
ス放電の応答時間が短いことで、これによって自動車の
シグナル灯や、コピー機あるいはファックス装置のラン
プとして、あるいは水殺菌灯として有益となる。
ス放電の応答時間が短いことで、これによって自動車の
シグナル灯や、コピー機あるいはファックス装置のラン
プとして、あるいは水殺菌灯として有益となる。
【０００７】しかしながら、キセノンガス放電灯は水銀
ガス放電灯の放電効率ηｄｉｓに匹敵する放電効率η
ｄｉｓを達成したが、キセノンガス放電灯の放電効率η
ｄｉｓは依然水銀ガス放電灯よりも明らかに低い。
ガス放電灯の放電効率ηｄｉｓに匹敵する放電効率η
ｄｉｓを達成したが、キセノンガス放電灯の放電効率η
ｄｉｓは依然水銀ガス放電灯よりも明らかに低い。
【０００８】原則的には、ランプ効率ηlampは、部品の
放電効率ηdis、蛍光体効率ηphos、放電灯を出る発生
可視光の比率ηescと蛍光体によって発生するＵＶ光線
の比率ηvuvとから決まる。 ηlamp＝ηdis・ηphos・ηesc・ηvuv
放電効率ηdis、蛍光体効率ηphos、放電灯を出る発生
可視光の比率ηescと蛍光体によって発生するＵＶ光線
の比率ηvuvとから決まる。 ηlamp＝ηdis・ηphos・ηesc・ηvuv
【０００９】従来の低圧キセノンガス放電灯の欠点の一
つは、放電灯の蛍光体被膜によって１７２ｎｍ周辺の波
長の高いエネルギーのＶＵＶ光子から可視スペクトル４
００ｎｍから７００ｎｍの比較的低いエネルギー光子へ
の変換効率が原則的に低いことである。たとえ、蛍光体
の量子効率がＶＵＶ光子を可視光子に変換することによ
って１００％に近くなっても、非発光遷移により平均６
５％のエネルギーが失われる。
つは、放電灯の蛍光体被膜によって１７２ｎｍ周辺の波
長の高いエネルギーのＶＵＶ光子から可視スペクトル４
００ｎｍから７００ｎｍの比較的低いエネルギー光子へ
の変換効率が原則的に低いことである。たとえ、蛍光体
の量子効率がＶＵＶ光子を可視光子に変換することによ
って１００％に近くなっても、非発光遷移により平均６
５％のエネルギーが失われる。
【００１０】しかしながら、ＶＵＶ光子を可視光子に変
換するのに１００％より大きい量子効率を達成するＵＶ
Ｕ蛍光体を開発することは既に可能となっていることは
驚くべきことである。この量子効率は、ＶＵＶ量子は電
子エネルギー７．３ｅＶを有し、電子エネルギーが２．
５ｅＶの２つの可視光子に変換されることによって達成
される。低圧キセノンガス放電灯に対するこのような蛍
光体は、例えば、ＲｅｎeT. Wegh, Harry Donker, Koen
traad D. Oskam, Andries Meijerink “Visible Quantu
m Cutting in LiGdF4:Eu3+ through Downconversion
“サイエンス２８３、６６３から知られている。
換するのに１００％より大きい量子効率を達成するＵＶ
Ｕ蛍光体を開発することは既に可能となっていることは
驚くべきことである。この量子効率は、ＶＵＶ量子は電
子エネルギー７．３ｅＶを有し、電子エネルギーが２．
５ｅＶの２つの可視光子に変換されることによって達成
される。低圧キセノンガス放電灯に対するこのような蛍
光体は、例えば、ＲｅｎeT. Wegh, Harry Donker, Koen
traad D. Oskam, Andries Meijerink “Visible Quantu
m Cutting in LiGdF4:Eu3+ through Downconversion
“サイエンス２８３、６６３から知られている。
【００１１】「高エネルギー準位変換」（“ｕｐ ｃｏ
ｎｖｅｒｓｉｏｎ”によって２つの可視長波長光子から
１つの短波長光子を発生するとして最近知られている多
重光子蛍光体と同様に、上記新しい蛍光体は一つの短波
長光子から２つの長波長光子を発生するものであり、低
エネルギー準位変換（“ｄｏｗｎ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏ
ｎ”）蛍光体として知られている。
ｎｖｅｒｓｉｏｎ”によって２つの可視長波長光子から
１つの短波長光子を発生するとして最近知られている多
重光子蛍光体と同様に、上記新しい蛍光体は一つの短波
長光子から２つの長波長光子を発生するものであり、低
エネルギー準位変換（“ｄｏｗｎ ｃｏｎｖｅｒｓｉｏ
ｎ”）蛍光体として知られている。
【００１２】不利な点としては、今までのところ赤と紫
の低エネルギー準位変換蛍光体のみが知られているとい
うことである。
の低エネルギー準位変換蛍光体のみが知られているとい
うことである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低エ
ネルギー準位変換蛍光体を含む蛍光体被膜を有し、ガス
放電を開始し維持する手段を備えた、ＶＵＶ線を発生す
るガス放電に好適なガスを充填したガス放電管を取り付
けたガス放電灯であって、ガス放電の色スペクトルを広
げたガス放電灯を開発することである。
ネルギー準位変換蛍光体を含む蛍光体被膜を有し、ガス
放電を開始し維持する手段を備えた、ＶＵＶ線を発生す
るガス放電に好適なガスを充填したガス放電管を取り付
けたガス放電灯であって、ガス放電の色スペクトルを広
げたガス放電灯を開発することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的は低エネルギー準位変換蛍光体を含む蛍光体被膜を有
し、ガス放電を開始し維持する手段を備えた、ＶＵＶ線
を発するガス放電に好適なガスを充填したガス放電管を
取付けたガス放電灯であって、低エネルギー準位変換蛍
光体がホスト格子中に第1のランタノイドイオンと第2の
ランタノイドイオンからなる1対の活性成分と第3のラン
タノイドからなる共活性成分を含んでいる、ガス放電灯
によって達成される。
的は低エネルギー準位変換蛍光体を含む蛍光体被膜を有
し、ガス放電を開始し維持する手段を備えた、ＶＵＶ線
を発するガス放電に好適なガスを充填したガス放電管を
取付けたガス放電灯であって、低エネルギー準位変換蛍
光体がホスト格子中に第1のランタノイドイオンと第2の
ランタノイドイオンからなる1対の活性成分と第3のラン
タノイドからなる共活性成分を含んでいる、ガス放電灯
によって達成される。
【００１５】特に、第１のランタノイドがガドリニウム
(III)イオンであり、第２のランタノイドがホルミウム
(III)イオンであれば、当該技術水準に対して有利な効
果が得られる。
(III)イオンであり、第２のランタノイドがホルミウム
(III)イオンであれば、当該技術水準に対して有利な効
果が得られる。
【００１６】電磁スペクトルで赤あるいは緑領域の光を
発する上記タイプのガス放電灯が得られる。塗膜中他の
蛍光体と一緒に、蛍光体被膜が広域の白色スペクトルを
有する上記形式のガス放電灯を提供することができる。
発する上記タイプのガス放電灯が得られる。塗膜中他の
蛍光体と一緒に、蛍光体被膜が広域の白色スペクトルを
有する上記形式のガス放電灯を提供することができる。
【００１７】本発明の一部として、第３のランタノイド
イオンが、テルビウム（III）イオン、イッテルビウム
（III）イオン、ジスプロシウム（III）イオン、ユーロ
ピウム（III）イオン、サマリウム（III）イオン及びマ
ンガン（II）イオンからなる群から選択されることが好
ましい。
イオンが、テルビウム（III）イオン、イッテルビウム
（III）イオン、ジスプロシウム（III）イオン、ユーロ
ピウム（III）イオン、サマリウム（III）イオン及びマ
ンガン（II）イオンからなる群から選択されることが好
ましい。
【００１８】本発明の一実施態様では、低エネルギー準
位変換蛍光体の前記ホスト格子が、フッ化物である。
位変換蛍光体の前記ホスト格子が、フッ化物である。
【００１９】低エネルギー準位変換蛍光体のホスト格子
がM３F３の組成を有し、M３がAl、In、Ga,Sc,Y、Laやラ
ンタニドであるフッ化物であることが好ましい。
がM３F３の組成を有し、M３がAl、In、Ga,Sc,Y、Laやラ
ンタニドであるフッ化物であることが好ましい。
【００２０】また、低エネルギー準位変換蛍光体が、第
1のランタノイドイオンを１０−９９．９８モル％の濃
度で含み、第２のランタノイドイオンを０．０１−３０
モル％の濃度で含むことが好ましい。
1のランタノイドイオンを１０−９９．９８モル％の濃
度で含み、第２のランタノイドイオンを０．０１−３０
モル％の濃度で含むことが好ましい。
【００２１】さらに、低エネルギー準位変換蛍光体が、
第３のランタノイドイオンを０．０１−３０モル％の濃
度で、特に０．５モル％の濃度で含むことが好ましい。
第３のランタノイドイオンを０．０１−３０モル％の濃
度で、特に０．５モル％の濃度で含むことが好ましい。
【００２２】本発明は、ホスト格子中に第1のランタノ
イドイオンと第2のランタノイドイオンからなる1対の活
性成分と第3のランタノイドからなる共活性成分を含ん
でいる低エネルギー準位変換蛍光体に関する。このよう
な蛍光体は自動車のシグナル灯やプラズマスクリーンで
有利に使用することができる。
イドイオンと第2のランタノイドイオンからなる1対の活
性成分と第3のランタノイドからなる共活性成分を含ん
でいる低エネルギー準位変換蛍光体に関する。このよう
な蛍光体は自動車のシグナル灯やプラズマスクリーンで
有利に使用することができる。
【００２３】本発明を、以下にさらに詳細に説明する。
本発明に係るガス放電灯は、ガス充填物を含み蛍光体層
により可視光線に対して部分的に透明となっている表面
を持つ少なくとも１つの壁を有するガス放電管を備え
る。蛍光体被膜は、無機結晶ホスト格子を有する蛍光体
組成物を含む。無機結晶ホスト格子は、第１のランタノ
イドイオンと第２のランタノイドイオンとからなる１対
の活性成分と第３のランタノイドイオンからなる共活性
成分とにより活性化されその光度を出す。また、ガス放
電灯は、ガス放電を開始する電極構造とガス放電を開始
して維持するさらに別の手段を備えている。
本発明に係るガス放電灯は、ガス充填物を含み蛍光体層
により可視光線に対して部分的に透明となっている表面
を持つ少なくとも１つの壁を有するガス放電管を備え
る。蛍光体被膜は、無機結晶ホスト格子を有する蛍光体
組成物を含む。無機結晶ホスト格子は、第１のランタノ
イドイオンと第２のランタノイドイオンとからなる１対
の活性成分と第３のランタノイドイオンからなる共活性
成分とにより活性化されその光度を出す。また、ガス放
電灯は、ガス放電を開始する電極構造とガス放電を開始
して維持するさらに別の手段を備えている。
【００２４】ガス放電灯は低圧キセノンガス放電灯であ
ることが好ましい。ガス放電を開始する点で異なる種々
の低圧キセノンガス放電灯が知られている。ガス放電ス
ペクトルは、まずガス放電管の内側のＶＵＶ蛍光体の被
膜内で可視光に変換され人の目には見えないＶＵＶ線を
高い比率で含んでいる。以下に、「真空紫外線」の用語
は、１４５ｎｍと１８５ｎｍの間の波長領域で発光が最
大となる電磁波をも指す。
ることが好ましい。ガス放電を開始する点で異なる種々
の低圧キセノンガス放電灯が知られている。ガス放電ス
ペクトルは、まずガス放電管の内側のＶＵＶ蛍光体の被
膜内で可視光に変換され人の目には見えないＶＵＶ線を
高い比率で含んでいる。以下に、「真空紫外線」の用語
は、１４５ｎｍと１８５ｎｍの間の波長領域で発光が最
大となる電磁波をも指す。
【００２５】ガス放電灯の典型的な構造は、キセノンが
充填された円筒状ガラス灯管を有し、ガラス灯管の壁の
外側に互いに電気的に絶縁した一対の帯状電極が配置さ
れている。帯状の電極は灯管の全長に渡って延び、電極
の長辺は互いに対向して２つのギャップを形成してい
る。電極は高電圧源の両極に連結され、２０ＫＨｚから
５００ｋＨｚのオーダーの交流電圧によって作動され、
電気放電が灯管の内表面の領域内のみで生ずるようにし
てある。
充填された円筒状ガラス灯管を有し、ガラス灯管の壁の
外側に互いに電気的に絶縁した一対の帯状電極が配置さ
れている。帯状の電極は灯管の全長に渡って延び、電極
の長辺は互いに対向して２つのギャップを形成してい
る。電極は高電圧源の両極に連結され、２０ＫＨｚから
５００ｋＨｚのオーダーの交流電圧によって作動され、
電気放電が灯管の内表面の領域内のみで生ずるようにし
てある。
【００２６】交流電圧を電極に印加すると、キセノン含
有充填ガス中で無声電気放電を開始することが可能とな
る。その結果、キセノン中にエキシマー、即ち、励起キ
セノン原子と基底状態のキセノン原子とからなる分子が
形成される。 Ｘｅ＋Ｘ＊＝Ｘｅ２ ＊
有充填ガス中で無声電気放電を開始することが可能とな
る。その結果、キセノン中にエキシマー、即ち、励起キ
セノン原子と基底状態のキセノン原子とからなる分子が
形成される。 Ｘｅ＋Ｘ＊＝Ｘｅ２ ＊
【００２７】波長λ＝１７０ｎｍ−１９０ｎｍのＶＵＶ
線として励起エネルギーが再度放出される。電子エネル
ギーからＵＶ光線へのこの変換効率は高い。発生したＶ
ＵＶ光子は、蛍光層の蛍光体によって吸収され、励起エ
ネルギーの一部がスペクトルのより長い波長領域で再度
放出される。
線として励起エネルギーが再度放出される。電子エネル
ギーからＵＶ光線へのこの変換効率は高い。発生したＶ
ＵＶ光子は、蛍光層の蛍光体によって吸収され、励起エ
ネルギーの一部がスペクトルのより長い波長領域で再度
放出される。
【００２８】原則として、放電管は板状、単一管、共軸
管、直線形状、Ｕ字形状、円形湾曲形状あるいはコイル
形状、円筒形状あるいは他の形状の放電管等の種々の形
状が可能である。
管、直線形状、Ｕ字形状、円形湾曲形状あるいはコイル
形状、円筒形状あるいは他の形状の放電管等の種々の形
状が可能である。
【００２９】放電管の材料としては、石英あるいはガラ
スタイプのものが用いられる。
スタイプのものが用いられる。
【００３０】電極は、アルミニウムあるいは銀等の金
属、金属合金あるいはＩＴＯ等の透明な導電性無機化合
物から形成する。電極は、被膜として、あるいは接着性
箔として、あるいはワイヤあるいはワイヤメッシュの形
に形成することができる。
属、金属合金あるいはＩＴＯ等の透明な導電性無機化合
物から形成する。電極は、被膜として、あるいは接着性
箔として、あるいはワイヤあるいはワイヤメッシュの形
に形成することができる。
【００３１】放電管には、キセノン、クリプトン、ネオ
ンあるいはヘリウム等の希ガスを含むガス混合物が充填
されている。例えば、２Ｔｏｒｒの低ガス圧の酸素を含
まない主としてキセノンからなるガス充填物が好まし
い。ガス充填物に少量の水銀を含ませて放電中ガス圧を
低く保持することができる。
ンあるいはヘリウム等の希ガスを含むガス混合物が充填
されている。例えば、２Ｔｏｒｒの低ガス圧の酸素を含
まない主としてキセノンからなるガス充填物が好まし
い。ガス充填物に少量の水銀を含ませて放電中ガス圧を
低く保持することができる。
【００３２】ガス放電管の内壁の一部あるいは全面を、
１種あるいは2種以上の蛍光物質あるいは蛍光組成物を
含む蛍光被膜で被覆する。蛍光層に、有機あるいは無機
結合剤をあるいは結合剤を組合わせて含ませることもで
きる。
１種あるいは2種以上の蛍光物質あるいは蛍光組成物を
含む蛍光被膜で被覆する。蛍光層に、有機あるいは無機
結合剤をあるいは結合剤を組合わせて含ませることもで
きる。
【００３３】蛍光体被膜は蛍光体としてのガス放電管の
内壁に塗布することが好ましく、単一の蛍光体層あるい
は複数の蛍光体層、特に基材と被覆層とからなる2層と
することができる。
内壁に塗布することが好ましく、単一の蛍光体層あるい
は複数の蛍光体層、特に基材と被覆層とからなる2層と
することができる。
【００３４】基材および被覆層を備えた蛍光体被膜の場
合、被覆層での低エネルギー準位変換蛍光体の量を減少
し、基材層には廉価の蛍光体を使用することが可能とな
る。基材層は、蛍光物質として所望のランプ陰影を出す
ため蛍光体としてカルシウムハロリン酸塩を選択して含
むことが好ましい。
合、被覆層での低エネルギー準位変換蛍光体の量を減少
し、基材層には廉価の蛍光体を使用することが可能とな
る。基材層は、蛍光物質として所望のランプ陰影を出す
ため蛍光体としてカルシウムハロリン酸塩を選択して含
むことが好ましい。
【００３５】被覆層は低エネルギー準位変換蛍光体を含
み、該低エネルギー準位変換蛍光体はガス放電によって
発生するＵＶ光線の本質部分を形成するが、該ＵＶ光線
は直接可視領域内の求められた光線に変換される。
み、該低エネルギー準位変換蛍光体はガス放電によって
発生するＵＶ光線の本質部分を形成するが、該ＵＶ光線
は直接可視領域内の求められた光線に変換される。
【００３６】蛍光体は、ホスト格子中に活性成分を含む
蛍光体である。本発明の蛍光体の必須の特徴としては、
蛍光体がホスト格子中に第1、第２のランタノイドイオ
ンからなる1対の活性成分と共活性成分とを含むことで
ある。
蛍光体である。本発明の蛍光体の必須の特徴としては、
蛍光体がホスト格子中に第1、第２のランタノイドイオ
ンからなる1対の活性成分と共活性成分とを含むことで
ある。
【００３７】活性成分の対中第1のランタノイドイオン
はガドリニウム(III)イオンであり、活性成分対の第2の
ランタノイドイオンはホルミウム(III)イオンである。
共活性成分は、テルビウム、イッテルビウム、ジスプロ
シウム、ユーロピウム、サマリウムの３価のイオン及び
マンガンの２価のイオンからなる群から選択される。第
1のランタノイドイオンおよび第2のランタノイドイオン
からなる1対の活性成分および共活性成分は一連の光子
の放出する際に協働し、それによって蛍光体がＶＵＶ光
子から2個以上の可視光子を発生する。
はガドリニウム(III)イオンであり、活性成分対の第2の
ランタノイドイオンはホルミウム(III)イオンである。
共活性成分は、テルビウム、イッテルビウム、ジスプロ
シウム、ユーロピウム、サマリウムの３価のイオン及び
マンガンの２価のイオンからなる群から選択される。第
1のランタノイドイオンおよび第2のランタノイドイオン
からなる1対の活性成分および共活性成分は一連の光子
の放出する際に協働し、それによって蛍光体がＶＵＶ光
子から2個以上の可視光子を発生する。
【００３８】励起機構はガドリニウム(III)イオンを８
Ｓ−６Ｇ励起することによって生じ、該遷移は、Ｇｄ
（III）イオンとホルミウム(ＩＩＩ)イオンとの間での
相互緩和遷移のより生ずる。相互緩和遷移によって、ガ
ドリニウム(III)イオンは６Ｇ状態から６Ｐ状態へ変化
し、放出されたエネルギーがホルミウム(III)イオンを
５Ｉ８状態から５Ｆ５状態に励起する。その後、ホルミ
ウム(III)イオンは５Ｆ ５から５Ｉ８の遷移に対応する
エネルギーの可視光子を放出する。
Ｓ−６Ｇ励起することによって生じ、該遷移は、Ｇｄ
（III）イオンとホルミウム(ＩＩＩ)イオンとの間での
相互緩和遷移のより生ずる。相互緩和遷移によって、ガ
ドリニウム(III)イオンは６Ｇ状態から６Ｐ状態へ変化
し、放出されたエネルギーがホルミウム(III)イオンを
５Ｉ８状態から５Ｆ５状態に励起する。その後、ホルミ
ウム(III)イオンは５Ｆ ５から５Ｉ８の遷移に対応する
エネルギーの可視光子を放出する。
【００３９】ガドリニウム(III)イオンの６Ｐ状態から
共活性成分へのエネルギーが移動すると、このエネルギ
ー移動によっても可視光子が放出される。
共活性成分へのエネルギーが移動すると、このエネルギ
ー移動によっても可視光子が放出される。
【００４０】低エネルギー準位変換蛍光体のホスト格子
は、両活性成分を２−３％ドープしたフッ化物、酸化
物、ハロゲナイド、アルミン酸塩、没食子酸塩、リン酸
塩、ホウ酸塩あるいはケイ酸塩等の無機材料から形成す
ることができる。活性成分は、格子位置上あるいはホス
ト格子の隙間格子位置に配置させることもできる。
は、両活性成分を２−３％ドープしたフッ化物、酸化
物、ハロゲナイド、アルミン酸塩、没食子酸塩、リン酸
塩、ホウ酸塩あるいはケイ酸塩等の無機材料から形成す
ることができる。活性成分は、格子位置上あるいはホス
ト格子の隙間格子位置に配置させることもできる。
【００４１】ホスト格子は、Ｍ１＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒ
ｂあるいはＣｓの組成Ｍ１Ｆのフッ化物、Ｍ２＝Ｍｇ，
Ｃａ，ＳｒあるいはＢａの組成Ｍ２Ｆ２のフッ化物、Ｍ
３＝Ｂ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａあるいはラ
ンタノイドの組成Ｍ３Ｆ３のフッ化物等のフッ化物が好
ましい。特に、第1のランタノイド活性成分イオンＧａ
３＋がホスト格子の一部であるＧａＦ３が好ましい。
ｂあるいはＣｓの組成Ｍ１Ｆのフッ化物、Ｍ２＝Ｍｇ，
Ｃａ，ＳｒあるいはＢａの組成Ｍ２Ｆ２のフッ化物、Ｍ
３＝Ｂ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａあるいはラ
ンタノイドの組成Ｍ３Ｆ３のフッ化物等のフッ化物が好
ましい。特に、第1のランタノイド活性成分イオンＧａ
３＋がホスト格子の一部であるＧａＦ３が好ましい。
【００４２】さらに、ホスト格子は、ガドリニウムもホ
スト格子の一部となっている、Ｍ１＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，
ＲｂあるいはＣｓのＭ１ＧｄＦ４、Ｍ１ ２ＧｄＦ５、Ｍ
１ ３ＧｄＦ６、Ｍ１Ｇｄ２Ｆ７、Ｍ１Ｇｄ３Ｆ１０、Ｍ
１ ５Ｇｄ９Ｆ３２、あるいはＭ２＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，
Ｂａ，ＭｎあるいはＺｎのＭ２ＧｄＦ５、Ｍ２ ２ＧｄＦ
７、Ｍ２ ３ＧｄＦ９、Ｍ２Ｇｄ２Ｆ８、Ｍ２Ｇｄ３Ｆ
１１、Ｍ２Ｇｄ４Ｆ１４あるいはＭ２ １３Ｇｄ６Ｆ４３
の組成の第3級ガドリニウム含有フッ化物が好ましい。
スト格子の一部となっている、Ｍ１＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，
ＲｂあるいはＣｓのＭ１ＧｄＦ４、Ｍ１ ２ＧｄＦ５、Ｍ
１ ３ＧｄＦ６、Ｍ１Ｇｄ２Ｆ７、Ｍ１Ｇｄ３Ｆ１０、Ｍ
１ ５Ｇｄ９Ｆ３２、あるいはＭ２＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，
Ｂａ，ＭｎあるいはＺｎのＭ２ＧｄＦ５、Ｍ２ ２ＧｄＦ
７、Ｍ２ ３ＧｄＦ９、Ｍ２Ｇｄ２Ｆ８、Ｍ２Ｇｄ３Ｆ
１１、Ｍ２Ｇｄ４Ｆ１４あるいはＭ２ １３Ｇｄ６Ｆ４３
の組成の第3級ガドリニウム含有フッ化物が好ましい。
【００４３】ホスト格子としては、Ｍ１＝Ｌｉ，Ｎａ，
Ｋ，ＲｂあるいはＣｓおよびＭ３＝Ｂ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇ
ａ、Ｓｃ、Ｙ、ＬａあるいはランタノイドのＭ１Ｍ３Ｆ
４、Ｍ１ ２Ｍ３Ｆ５、Ｍ１ ３Ｍ３Ｆ６、Ｍ１Ｍ
３ ２Ｆ７、Ｍ１Ｍ３ ３Ｆ１０、Ｍ１ ５Ｍ３ ９Ｆ３２、あ
るいはＭ２＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ、Ｂａ、MnあるいはZnお
よびＭ ３＝Ｂ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａある
いはランタノイドのＭ２Ｍ３Ｆ ５、Ｍ２ ２Ｍ３Ｆ７、Ｍ
１Ｍ３ ２Ｆ８、Ｍ２ ３Ｍ３Ｆ９、Ｍ２Ｍ３ ３Ｆ１１、Ｍ
２Ｍ３ ４Ｆ１４、Ｍ２ １３Ｍ３ ６Ｆ４３およびＭ３＝
Ｂ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａあるいはランタ
ノイドおよびＭ４＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ、Ｇｅ，Ｓｎある
いはＰｂのＭ３Ｍ４Ｆ７、Ｍ３ ２Ｍ４Ｆ１０、Ｍ３ ３Ｍ
４Ｆ１３、Ｍ３Ｍ４ ２Ｆ１１、Ｍ３Ｍ４ ３Ｆ１５、Ｍ３
Ｍ４ ４Ｆ１９の組成のフッ化物が好ましい。
Ｋ，ＲｂあるいはＣｓおよびＭ３＝Ｂ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇ
ａ、Ｓｃ、Ｙ、ＬａあるいはランタノイドのＭ１Ｍ３Ｆ
４、Ｍ１ ２Ｍ３Ｆ５、Ｍ１ ３Ｍ３Ｆ６、Ｍ１Ｍ
３ ２Ｆ７、Ｍ１Ｍ３ ３Ｆ１０、Ｍ１ ５Ｍ３ ９Ｆ３２、あ
るいはＭ２＝Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ、Ｂａ、MnあるいはZnお
よびＭ ３＝Ｂ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａある
いはランタノイドのＭ２Ｍ３Ｆ ５、Ｍ２ ２Ｍ３Ｆ７、Ｍ
１Ｍ３ ２Ｆ８、Ｍ２ ３Ｍ３Ｆ９、Ｍ２Ｍ３ ３Ｆ１１、Ｍ
２Ｍ３ ４Ｆ１４、Ｍ２ １３Ｍ３ ６Ｆ４３およびＭ３＝
Ｂ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａあるいはランタ
ノイドおよびＭ４＝Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｉ、Ｇｅ，Ｓｎある
いはＰｂのＭ３Ｍ４Ｆ７、Ｍ３ ２Ｍ４Ｆ１０、Ｍ３ ３Ｍ
４Ｆ１３、Ｍ３Ｍ４ ２Ｆ１１、Ｍ３Ｍ４ ３Ｆ１５、Ｍ３
Ｍ４ ４Ｆ１９の組成のフッ化物が好ましい。
【００４４】特に、ホスト格子のフッ化物としては、ホ
スト格子がカルシウムフッ化物結晶格子タイプ系のもの
も好ましい。これらの格子では、カチオンは８配位を有
する。また、カチオンが９配位であるＹＦ３結晶格子タ
イプから得られる格子を有するフッ化物が好ましい。高
い配位形状および非極性配位子により、これらのホスト
格子はホスト格子の一部であるカチオンに対する配位子
フィールドが低いことによって特徴付けられる。
スト格子がカルシウムフッ化物結晶格子タイプ系のもの
も好ましい。これらの格子では、カチオンは８配位を有
する。また、カチオンが９配位であるＹＦ３結晶格子タ
イプから得られる格子を有するフッ化物が好ましい。高
い配位形状および非極性配位子により、これらのホスト
格子はホスト格子の一部であるカチオンに対する配位子
フィールドが低いことによって特徴付けられる。
【００４５】活性成分対をドープした蛍光体は、１０−
９９．８モル％の3価のガドリニウムおよび０．０１−
３０モル％の３価のホルミウムを含むことが好ましい。
９９．８モル％の3価のガドリニウムおよび０．０１−
３０モル％の３価のホルミウムを含むことが好ましい。
【００４６】蛍光体を製造する際に、ＴｂＦ３、ＹｂＦ
３、ＤｙＦ３、ＥｕＦ３、ＳｍＦ３、あるいはＭｎＦ２
を出発化合物に加えることによって、低エネルギー準位
変換蛍光体を３価の共活性成分テルビウム、イッテルビ
ウム、ジスプロシウム、ユーロピウム、サマリウムある
いはマンガンによって容易にドープすることができる。
３、ＤｙＦ３、ＥｕＦ３、ＳｍＦ３、あるいはＭｎＦ２
を出発化合物に加えることによって、低エネルギー準位
変換蛍光体を３価の共活性成分テルビウム、イッテルビ
ウム、ジスプロシウム、ユーロピウム、サマリウムある
いはマンガンによって容易にドープすることができる。
【００４７】前記蛍光体の吸収係数は、キセノン発光の
領域の波長に対しては特に大きく、また量子効率レベル
も高い。ホスト格子はルミネセンス工程のファクターで
はないが、活性成分イオンのエネルギーレベルの正確な
位置に影響を与え、その結果吸収波長および発光波長に
影響を与える。種々のホスト格子における活性成分対の
Ｇｄ３＋−Ｈｏ３＋は真空ＵＶの２７３ｎｍに強力な吸
収バンドを有している。発光バンドは、長紫外線から黄
橙の領域に渡るが、主に電磁スペクルの赤および緑領域
に位置する。これらの蛍光体の消光温度は、１００℃よ
り高い。
領域の波長に対しては特に大きく、また量子効率レベル
も高い。ホスト格子はルミネセンス工程のファクターで
はないが、活性成分イオンのエネルギーレベルの正確な
位置に影響を与え、その結果吸収波長および発光波長に
影響を与える。種々のホスト格子における活性成分対の
Ｇｄ３＋−Ｈｏ３＋は真空ＵＶの２７３ｎｍに強力な吸
収バンドを有している。発光バンドは、長紫外線から黄
橙の領域に渡るが、主に電磁スペクルの赤および緑領域
に位置する。これらの蛍光体の消光温度は、１００℃よ
り高い。
【００４８】蛍光体粒子の粒度は、臨界的ではない。通
常、蛍光体としては粒度分布が１−２０μｍの間にある
微細粒状粉末を用いる。
常、蛍光体としては粒度分布が１−２０μｍの間にある
微細粒状粉末を用いる。
【００４９】放電管の壁に蛍光体層を形成する方法とし
ては、静電電着法あるいは静電支持スパッタリング法等
の乾式コーティング法あるいは浸漬コーティング法ある
いはスプレー法等の湿式コーティング法のいずれも使用
可能である。
ては、静電電着法あるいは静電支持スパッタリング法等
の乾式コーティング法あるいは浸漬コーティング法ある
いはスプレー法等の湿式コーティング法のいずれも使用
可能である。
【００５０】湿式コーティング法では、蛍光体組成物を
水に分散しなければならず、あるいは分散剤、界面活性
剤および発泡防止剤あるいは結合剤と一緒に適用できる
場合は有機溶媒に分散させなければならない。本発明に
係るガス放電灯に対して好適な結合剤組成としては、２
５０℃の作動温度で破壊も、脆弱化も脱色もすることな
く耐性を示す有機あるいは無機結合剤が挙げられる。
水に分散しなければならず、あるいは分散剤、界面活性
剤および発泡防止剤あるいは結合剤と一緒に適用できる
場合は有機溶媒に分散させなければならない。本発明に
係るガス放電灯に対して好適な結合剤組成としては、２
５０℃の作動温度で破壊も、脆弱化も脱色もすることな
く耐性を示す有機あるいは無機結合剤が挙げられる。
【００５１】例えば、蛍光体組成物はフローコーティン
グ法で放電管の璧部に塗布することができる。フローコ
ーティング法用のコーティング懸濁液は、溶媒として水
あるいはブチルアセテート等の有機化合物を含む。安定
剤、液化剤、セルロース誘導体等の添加物を加えること
によって懸濁液を安定化し、そのレオロジー特性を変え
る。蛍光体懸濁液を薄膜として放電管の壁部に塗布し、
乾燥し、６００℃で焼き付ける。
グ法で放電管の璧部に塗布することができる。フローコ
ーティング法用のコーティング懸濁液は、溶媒として水
あるいはブチルアセテート等の有機化合物を含む。安定
剤、液化剤、セルロース誘導体等の添加物を加えること
によって懸濁液を安定化し、そのレオロジー特性を変え
る。蛍光体懸濁液を薄膜として放電管の壁部に塗布し、
乾燥し、６００℃で焼き付ける。
【００５２】蛍光体層用蛍光体組成物を放電管の内側に
静電電着することも好ましいと言えよう。
静電電着することも好ましいと言えよう。
【００５３】白色光を出すガス放電灯の場合、本発明で
は、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ ２＋、Ｓｒ３（ＰＯ
４）Cl：Ｅｕ２＋から選択した青色発光蛍光体と赤‐緑
色発光蛍光体とを組合わせが好ましい物質と言えよう。
は、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ ２＋、Ｓｒ３（ＰＯ
４）Cl：Ｅｕ２＋から選択した青色発光蛍光体と赤‐緑
色発光蛍光体とを組合わせが好ましい物質と言えよう。
【００５４】通常、蛍光体層の層の厚さは、５−１００
μｍである。その後、放電管を排気し、全てのガス状汚
染物質、特に酸素を除去する。そして、放電管に、キセ
ノンを充填し、封止する。
μｍである。その後、放電管を排気し、全てのガス状汚
染物質、特に酸素を除去する。そして、放電管に、キセ
ノンを充填し、封止する。
【００５５】（実施例１）長さが５９０ｍｍ、直径が２
４ｍｍで、壁の厚さが０．８ｍｍの円筒状ガラス放電管
に圧力を２００ｈＰａとしてキセノンを充填した。放電
管は、直径が２．２ｍｍの貴金属性棒形状の軸に平行な
内部電極を内部に有し、放電管の外部に軸に平行とし電
源と導通連結した２本の幅２ｍｍの導電性の銀製帯状体
からなる外部電極を設ける。放電灯は、パルスＤＣ電圧
で作動させる。
４ｍｍで、壁の厚さが０．８ｍｍの円筒状ガラス放電管
に圧力を２００ｈＰａとしてキセノンを充填した。放電
管は、直径が２．２ｍｍの貴金属性棒形状の軸に平行な
内部電極を内部に有し、放電管の外部に軸に平行とし電
源と導通連結した２本の幅２ｍｍの導電性の銀製帯状体
からなる外部電極を設ける。放電灯は、パルスＤＣ電圧
で作動させる。
【００５６】放電管の内壁を蛍光体層で被覆する。
【００５７】蛍光体層は、青色成分として以下の成分Ｂ
ａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ＋２および緑−赤色成分と
してＧｄＦ３：Ｈｏ，Ｔｂを有する３つのバンドを持つ
蛍光体混合物を含有する。
ａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ＋２および緑−赤色成分と
してＧｄＦ３：Ｈｏ，Ｔｂを有する３つのバンドを持つ
蛍光体混合物を含有する。
【００５８】１．０ｍｏｌ％のホルミウムおよび０．５
ｍｏｌ％のテルビウムを含むＧｄＦ ３：Ｈｏ，Ｔｂを作
るために、２９．５５ｇＧＤＦ３、 ０．３１ｇのＨｏ
Ｆ３と０．１５ｇのＴｂＦ３とを充分に混合し、メノウ
乳鉢で粉砕した。混合物を石英管内でコランダム製ルツ
ボ内で圧力８ｈＰａのアルゴン雰囲気で２時間３００℃
で仮焼した。焼成する間に、石英管をアルゴンで３度フ
ラッシュし、再度８ｈＰａに脱気した。その後、オーブ
ンの温度を５．５℃／分の割合で上げて６５０℃とし、
混合物を６５０℃で８時間焼結した。焼結粉末を再度粉
砕し、ふるいで４０μｍ未満の粒度とした。形成された
相の結晶構造をＸ線回折計でチェックした。
ｍｏｌ％のテルビウムを含むＧｄＦ ３：Ｈｏ，Ｔｂを作
るために、２９．５５ｇＧＤＦ３、 ０．３１ｇのＨｏ
Ｆ３と０．１５ｇのＴｂＦ３とを充分に混合し、メノウ
乳鉢で粉砕した。混合物を石英管内でコランダム製ルツ
ボ内で圧力８ｈＰａのアルゴン雰囲気で２時間３００℃
で仮焼した。焼成する間に、石英管をアルゴンで３度フ
ラッシュし、再度８ｈＰａに脱気した。その後、オーブ
ンの温度を５．５℃／分の割合で上げて６５０℃とし、
混合物を６５０℃で８時間焼結した。焼結粉末を再度粉
砕し、ふるいで４０μｍ未満の粒度とした。形成された
相の結晶構造をＸ線回折計でチェックした。
【００５９】この放電灯の光効率は、当初３７ｌｍ／Ｗ
であった。１０００時間の作動時間後、光効率は３４ｌ
ｍ／Ｗであった。ＶＵＶ光に対する量子効率は約７０％
である。
であった。１０００時間の作動時間後、光効率は３４ｌ
ｍ／Ｗであった。ＶＵＶ光に対する量子効率は約７０％
である。
【００６０】(実施例２)長さ５９０ｍｍ、直径２４ｍｍ
および壁厚０．８ｍｍの０円筒状ガラス放電管に２００
ｈＰａ圧力でキセノンを充填する。放電管は、直径２．
２ｍｍの貴金属棒形状の軸に平行な内部電極を内部に有
している。放電管の外側に軸に平行で電源に導通連結さ
せた２本の幅２ｍｍの導電性の銀製帯状体からなる外部
電極を設ける。放電灯は、パルスＤＣ電圧で作動する。
および壁厚０．８ｍｍの０円筒状ガラス放電管に２００
ｈＰａ圧力でキセノンを充填する。放電管は、直径２．
２ｍｍの貴金属棒形状の軸に平行な内部電極を内部に有
している。放電管の外側に軸に平行で電源に導通連結さ
せた２本の幅２ｍｍの導電性の銀製帯状体からなる外部
電極を設ける。放電灯は、パルスＤＣ電圧で作動する。
【００６１】放電管の内側を蛍光層で被覆する。蛍光体
層は、青色成分としてＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ
＋２および緑−赤成分としてＬｉＧｄＦ４：Ｈｏ，Ｔｂ
からなる成分を有する３つのバンドを持つ蛍光体混合物
を含有する。
層は、青色成分としてＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ
＋２および緑−赤成分としてＬｉＧｄＦ４：Ｈｏ，Ｔｂ
からなる成分を有する３つのバンドを持つ蛍光体混合物
を含有する。
【００６２】１．０ｍｏｌ％のホルミウムおよび０．５
ｍｏｌ％のテルビウムを含むＬｉＧｄＦ４：Ｈｏ，Ｔｂ
を作るために、２９．５５ｇのＧｄＦ３、３．６４ｇの
ＬｉＦ，０．３１ｇのＨｏＦ３と０．１５ｇのＴｂＦ３
を充分に混合し、メノウ乳鉢で粉砕した。混合物を石英
管内においてコランダム製ルツボ内で圧力８ｈＰａのア
ルゴン雰囲気で２時間３００℃で仮焼した。焼成する間
に、石英管をアルゴンで３度フラッシュし、再度８ｈＰ
ａに脱気した。その後、オーブンの温度を５．５℃／分
の割合で上げて６５０℃とし、混合物を６５０℃で８時
間焼結した。焼結粉末を再度粉砕し、ふるいで４０μｍ
未満の粒度とした。形成された相の結晶構造をＸ線回折
計でチェックした。
ｍｏｌ％のテルビウムを含むＬｉＧｄＦ４：Ｈｏ，Ｔｂ
を作るために、２９．５５ｇのＧｄＦ３、３．６４ｇの
ＬｉＦ，０．３１ｇのＨｏＦ３と０．１５ｇのＴｂＦ３
を充分に混合し、メノウ乳鉢で粉砕した。混合物を石英
管内においてコランダム製ルツボ内で圧力８ｈＰａのア
ルゴン雰囲気で２時間３００℃で仮焼した。焼成する間
に、石英管をアルゴンで３度フラッシュし、再度８ｈＰ
ａに脱気した。その後、オーブンの温度を５．５℃／分
の割合で上げて６５０℃とし、混合物を６５０℃で８時
間焼結した。焼結粉末を再度粉砕し、ふるいで４０μｍ
未満の粒度とした。形成された相の結晶構造をＸ線回折
計でチェックした。
【００６３】この放電灯の光効率は、当初３７ｌｍ／Ｗ
であった。１０００時間の作動時間後、光効率は３４ｌ
ｍ／Ｗであった。ＶＵＶ光に対する量子効率は約７０％
である。
であった。１０００時間の作動時間後、光効率は３４ｌ
ｍ／Ｗであった。ＶＵＶ光に対する量子効率は約７０％
である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 クルト オスカム
オランダ国 3583 ユトレヒト レンブラ
ントカーデ 30
(72)発明者 ポール ペイツェル
オランダ国 3705 ゼットエム ゼイスト
ワランデ 167
(72)発明者 アンドリース メーイェリンク
オランダ国 3769 デーヘー スースター
ベルフ カンプウェッハ ４
(72)発明者 クラウス フェルトマン
ドイツ国 52066 アーヘン ノイシュト
ラーセ 52
Ｆターム(参考） 4H001 CA02 CA04 CA07 XA00 XA03
XA09 XA13 XA21 XA31 XA39
XA49 XA57 XA64 YA25 YA62
YA63 YA65 YA66 YA67 YA70
5C043 AA02 CC08 CC16 CC19 DD28
EB01 EC06
Claims (9)
- 【請求項１】 低エネルギー準位変換蛍光体を含む蛍光
体被膜を有し、ガス放電を開始し維持する手段を備え、
ＶＵＶ線を発生するガス放電に好適なガスを充填したガ
ス放電管を取付けたガス放電灯であって、低エネルギー
準位変換蛍光体がホスト格子中に第1のランタノイドイ
オンと第2のランタノイドイオンからなる1対の活性成分
と第3のランタノイドからなる共活性成分を含んでい
る、ガス放電灯。 - 【請求項２】 前記第1のランタノイドイオンがガドリ
ニウム（III）イオンであり、前記第2のランタノイドイ
オンがホルミウム（III）イオンである、請求項１記載
のガス放電灯。 - 【請求項３】 前記第3のランタノイドイオンが、テル
ビウム（III）イオン、イッテルビウム（III）イオン、
ジスプロシウム（III）イオン、ユーロピウム（III）イ
オン、サマリウム（III）イオン及びマンガン（II）イ
オンからなる群から選択される、請求項１に記載のガス
放電灯。 - 【請求項４】 前記低エネルギー準位変換蛍光体の前記
ホスト格子が、フッ化物である、請求項１記載の放電
灯。 - 【請求項５】 前記低エネルギー準位変換蛍光体の前記
ホスト格子がM３F３の組成を有し、M３がAl、In、Ga、S
c、Y、La及びランタノイドであるフッ化物である、請求
項１記載の放電灯。 - 【請求項６】 前記低エネルギー準位変換蛍光体が、第
1のランタノイドイオンを１０−９９．８モル％の濃度
で含み、第２のランタノイドイオンを０．０１−３０モ
ル％の濃度で含む、請求項１の放電灯。 - 【請求項７】 前記低エネルギー準位変換蛍光体が、第
３のランタノイドイオンを０．０１−３０モル％の濃度
で含む、請求項１の放電灯。 - 【請求項８】 前記低エネルギー準位変換蛍光体が、第
３のランタノイドイオンを０．５モル％の濃度で含む、
請求項１の放電灯。 - 【請求項９】 前記低エネルギー準位変換蛍光体が、ホ
スト格子中に第1のランタノイドイオンと第2のランタノ
イドイオンからなる1対の活性成分と第3のランタノイド
からなる共活性成分を含んでいる、低エネルギー準位変
換蛍光体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10121097A DE10121097A1 (de) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
| DE10121097:3 | 2001-04-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017001A true JP2003017001A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=7683225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002128113A Pending JP2003017001A (ja) | 2001-04-27 | 2002-04-30 | 低エネルギー準位変換蛍光体を有するガス放電灯 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6917153B2 (ja) |
| EP (1) | EP1254943B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003017001A (ja) |
| CN (1) | CN1207754C (ja) |
| DE (2) | DE10121097A1 (ja) |
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| DE10126159A1 (de) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Philips Corp Intellectual Pty | Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff |
| US20060290258A1 (en) * | 2003-08-27 | 2006-12-28 | Koninklike Philips Electronics, N.V. | Gas discharge lamp with down conversion phosphor |
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Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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