KR20050116798A - 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 이용하여 절단하기위한 시스템 및 그 방법 - Google Patents

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Abstract

가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 애너모픽(anamorphic) 빔 전달 시스템을 구비한 레이저를 이용하여 형성된다. 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 컷 적용, 예를 들어 발광 다이오드 웨이퍼와 같은 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위해 이용될 수 있다. 바람직한 애너모픽 빔 전달 시스템은 두 개의 주 자오선, 즉 수평 및 수직으로 분리된 초점을 생성하도록 비점수차기에 인위적으로 안내하는 일련의 광학적 구성을 포함한다. 비점수차 방식의 초점은 비대칭이나 날카롭게된 선도와 후미 에지로 이루어진 날카롭고 집중된 빔 스팟을 생기게 한다. 레이저 출력에 영향 없이 타깃에서 에너지 밀도의 조정을 허용하면서, 비점수차 방식의 초점을 조정하는 것은 압축된 초점 빔 스팟의 종횡비(aspect ratio)를 변경한다. 과도한 열과 부수적 물질 피해를 최소화하면서 동시에 적절히 최적화된 에너지와 출력 밀도를 갖는 줄긋기 웨이퍼는 줄긋기 속도를 증가시킨다.

Description

가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 이용하여 절단하기 위한 시스템 및 그 방법{SYSTEM AND METHOD FOR CUTTING USING A VARIABLE ASTIGMATIC FOCAL BEAM SPOT}
본 출원은 참조로서 본 출원서에 충분히 포함된 2003년 2월 19일자 출원되어 함께 진행중인 미국 가출원 제60/448,503호의 장점을 주장한다.
본 발명은 레이저로 절단이나 가공하는데 관련한 것으로서, 특히 반도체 웨이퍼에 선을 긋기 위하여 애너모픽(anamorphic)의 빔 전달 시스템을 구비한 고체 레이저를 이용하여 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
화합물 반도체 소자에 대한 전 세계적으로 증가된 요구는 높은 쓰루풋, 비용적 효율성, 그리고 신뢰할 수 있는 제품 기술 및 장비의 개발을 주도하였다. 화합물 반도체는 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및 티타늄(Ti)과 같은 III족 원소와 질소(N), 인(P), 비소(As), 안티늄(Sb) 및 비스무스(Bi)와 같은 V족 원소의 조합으로 이루어진다. 일반적인 III-V족 화합물 반도체 소자의 예는 인화 인듐(InP), 인화 갈륨(GaP), 갈륨비소(GaAs), 인화 알루미늄 인듐 갈륨(AlInGaP) 및 질화 갈륨(GaN)을 이용한 발광 다이오드(LED)이다.
이들 발광 다이오드 중에서 블루 발광 다이오드는 탄화 규소(silicon carbide)나 사파이어(sapphire) 웨이퍼 기판에 에피택셜 방법으로 성장된 다층 질화 갈륨(GaN) 기반의 층으로 이루어진다. 탄화 규소 웨이퍼는 고 정밀 톱을 이용하여 다이로 나눠졌다. 사파이어 웨이퍼 기판은 다이아몬드 도구를 갖고 기계적인 줄긋기에 의해 다이로 분리되었다. 이후, 이 웨이퍼는 기계를 통하여 줄이 그어진 선을 따라 분할될 수 있다. 블루 발광 다이오드 기판이 매우 단단하고 그 크기가 작기 때문에 수율이 낮으며, 쓰루풋이 낮고, 운영비가 높으며, 더불어 톱으로 절단하고 기계적으로 줄긋는 것은 현저한 문제를 발생시킨다. 또한, 인화 갈륨(GaP) 및 갈륨비소(GaAs)와 같은 부서지기 쉬운 기판은 기계적인 줄긋기와 분할 및 톱을 이용한 절단에 의해 가장자리가 과도하게 잘게 부서지기 때문에 생산성이 낮다. 더욱이, 일반적인 처리 과정은 상대적으로 큰 절단 영역을 요구하여 하나의 웨이퍼에서 소자의 수를 감소시킨다.
UV(ultra violet) 레이저에 의한 줄긋기는 화합물 반도체 웨이퍼를 분할하기 위한 대안으로 출현하였다. 엑시머 레이저(Excimer Laser)와 다이오드 펌핑 고체 레이저(DPSS Laser)는 UV 레이저 줄긋기에서 두 가지 주요한 광원이다. 짧은 시간 동안 UV 레이저의 광 펄스가 웨이퍼 표면에 가득히 집중될 때, 각 펄스는 마이크로 이하 두께의 표면층으로 흡수된다. 이후, 이것은 증발한다. 증발된 물질은 상호작용의 에너지를 가져가 버려서 주변 물질에 열 전달을 최소화한다. 이 과정은 광-제거(ablation)로 이해된다. 깊은 컷을 만들기 위해, 수많은 연속된 레이저 펄스가 기판에 집중되어야 한다.
빠르게 펄스화 되고 집중된 레이저 빔 하에서 웨이퍼를 이동하는 것은 극히 좁은 'V' 형 절단면을 만들며, 그 깊이는 스캔 속도에 따라 조절된다. 일반적으로, 이들 절단면은 웨이퍼의 깊이에 30-50%로 한정된다. 레이저로 줄긋기한 후, 웨이퍼는 일반적인 분할 기구를 이용하여 분할된다. 이와 같은 'V' 형 레이저 절단면은 우수한 다이 수득율을 갖고 잘 조절되어 분할하는 스트레스 집중기로서 역할을 한다.
효율적 광-제거는 레이저 줄긋기를 위해 바람직하며, 이것은 파장과 펄스 시간과 같은 두 가지의 UV 레이저 광 특성에 매우 의존한다. 일반적으로, 광학적이나 열적으로 모든 면에서 광-제거는 레이저 파장과 펄스 시간이 짧을수록 이롭다. E=h(c/λ) 식에서, 광 에너지 E는 광 파장 λ에 반비례한다. 단순하게 파장이 짧아지면 광당 에너지는 증가한다. 짧은 레이저 파장에 의해 얻을 수 있는 장점은 광학적 흡수율을 개선하고, 흡수 깊이를 감소시켜며, 제거에 요구된 광의 세기를 낮추고, 컷의 두께를 감소시키는 것을 포함한다. I=E/At 공식에서, 광 세기 I는 펄스 에너지 E에 비례하고, 빔 영역 A과 펄스 시간 t에 모두 반비례한다. 결과적으로, 펄스 시간이 짧아지면 주어진 스팟 크기(방사 영역)와 펄스 에너지에 대한 광 세기는 높아진다. 또한, 짧은 펄스는 타깃의 더 큰 스팟 크기에서 제거를 성공적으로 행할 수 있어, 컷을 더 빠르게 한다. 짧은 레이저 펄스 시간에 대한 장점은 타깃에 광 세기를 증가시키며, 더 빠른 흡수 및 제거로 인해 기판에 열을 전달하는 것을 감소시키는 것을 포함한다.
탄화 규소 기판에서, 370 nm 이하의 광학적 파장은 물질의 밴드갭을 초과하는 광 에너지를 가지며, 직접적으로 광을 흡수한다. 예를 들면, 355nm DPSS 고체 레이저 빔(3.5 eV)의 광 에너지는 탄화 규소 기판의 가장 큰 밴드갭(4H 다형에 대해 3.27 eV)보다 높아, 제거 뒤에 강한 흡수를 초래한다. 이에 반해, 사파이어는 예를 들면, 157nm의 F2 레이저(7.9 eV)와 같은 상업적으로 이용 가능한 UV 레이저의 광 에너지보다 큰 밴드갭(9.9 eV)을 갖는다. 이 경우, 다중 광 흡수는 효율적 광 흡수를 유도할 수 있고, 다중 광 흡수에 대한 필요한 광의 세기(W/㎠)는 매우 높을 수 있다. 사파이어에서 다중 광 흡수의 효율성은 파장에 많이 의존한다. 파장이 짧아지면 사파이어에서는 보다 완전히 흡수되어 벌크 물질에 대해 열 제공을 낮추게 한다. 광-제거를 위하여, 흡수되는 광은 물질을 증발시키기에 충분한 에너지를 가져야 한다. 또한, 제거를 위한 문턱 광 세기는 파장에 매우 의존한다. 광학적 파장이 더 짧아지면, 광 에너지가 커지고 흡수 깊이가 작아져 광 세기가 낮은 곳에서 제거를 초래한다.
사파이어와 비교하면, 화합물 반도체 기판은 통상 질화 갈륨(GaN)(3.3 eV), 인화 갈륨(GaP)(2.26 eV) 및 갈륨비소(GaAs)(1.42eV)와 같이 낮은 밴드갭 에너지를 갖는다. 266nm UV 레이저의 결합이 화합물 반도체 기판에 효율적이나, 이와 같은 강한 흡수에서 과도한 광 에너지는 불필요한 열로 전도될 수 있어 열로 인한 피해에 원인이 된다. 반면, 불충분한 레이저 에너지 밀도는 심지어 강한 흡수와 함께 부적절한 제거를 초래할 수 있다. 따라서, 최적의 레이저 에너지 밀도 또는 광 세기는 빠른 줄긋기 속도 및/또는 최대 생산성을 인도하는 레이저에 의한 줄긋기에서 중요한 요소이다.
예를 들면, UV 레이저 중 엑시머 레이저(Eximer laser)는 깊은 UV 영역에서 거의 100 watts의 최대 출력을 발생시킨다. 엑시머 레이저는 단단한 발광 다이오드 웨이퍼에 균일하게 줄긋기하는데 적합한 장점이 있다. 엑시머 레이저 기술을 이용한 줄긋기는 희망한 방향으로 자를 수 있도록 제어 모션 스테이지(motion stage)에 의해 이동되는 발광 다이오드 웨이퍼에 라인 빔이나 일련의 라인 빔들을 전달하는데 관련되었다. 예를 들어, 248nm 광 출력의 KrF를 이용한 엑시머 레이저의 줄긋기는 패턴된 레이저 빔이 마스크로부터 투사되는 것을 통하여 근접-영역 이미지(near-field imaging) 기술에 이용된다. 따라서, 라인 빔의 전달은 라인-패턴 마스크에 의한 투사로 달성되었다. 투사 패턴화된 엑시머 레이저의 사용에 대한 하나의 예는 여기서 참조로 포함된 미국 등록특허 제6,413,839호에서 개시되어 있다. 이 특허에서, 싱글 라인 빔과 다중 라인 빔은 블루 발광 다이오드에 의해 사파이어 기판에 투사된다.
엑시머 레이저 투사 기술을 갖춘 마스크를 이용할 때, 패턴화된 빔의 변경은 상대적으로 단순하고, 마스크의 형태를 변경하여 달성된다. 예를 들면, 줄긋기를 위한 좁은 라인 빔(즉, 수십 마이크론)은 슬릿(slit) 마스크에 의해 투사된다. 그러나 이러한 슬릿 마스크는 오직 마스크의 오픈 영역을 통하여 레이저 빔을 통과시킨다. 따라서, 빔 전달 시스템(BDS)에서 마스크의 도입은 빔 이용도(BUF: Beam Utilization Factor)를 낮추도록 레이저 빔의 상당 부분을 막는다. 줄긋기 속도는 주로 줄긋기 이동 방향에서 투사된 빔의 크기에 비례하기 때문에, 이러한 낮은 빔 이용도는 줄긋기 처리의 속도를 제한한다.
최근 UV 고체 레이저 기술의 발전은 사파이어와 탄화 규소로 이루어지는 것과 같은 단단한 화합물 반도체 기판에 줄긋기를 하기 위해 충분한 평균 출력을 갖도록 DPSS 레이저에 귀착되었다. 소규모 레이저 제조사는 이드륨＼결정 매트릭스에 도핑된 Nd3 + 이온에 대한 활성매질(Nd:YVO4 또는 Nd:YAG)을 구비한 제3 고조파(355nm)와 제 4 고조파(266nm) DPSS 레이저를 개발하였다. 이 주파수-승수된(frequency-multiplied) DPSS 레이저는 펄스 시간, 주파수 및 에너지 출력을 현저히 개선한다. 예를 들면, 제3 고조파(355nm)에서 동작하는 UV 고체 레이저는 이제 5 Watt 이상의 평균 에너지 출력을 달성하고, 제 4 고조파(266nm) 레이저는 2.5 Watt 이상의 평균 에너지 출력을 달성한다. 또한, 이들 레이저는 짧은 펄스 시간(예를 들면 20 nanoseconds 이하)을 제공한다. 짧은 파장과 펄스 시간(예를 들면 15 nanoseconds 이하)을 갖는 UV 고체 레이저는 극히 높은 광 세기(예를 들면 109W/㎠ 이상)를 생성할 수 있어, 광 폭격에 의해 순간적인 증발을 초래한다. 주파수-승수된 DPSS 레이저의 극한 조도는 단단한 기판의 분리를 가능하도록 한다. 예를 들면, 사파이어는 UV 파장에 대해 높은 광학적 투광율을 갖으나, 이러한 극한 시간적 공간적 광 집중은 효과적인 다중-광 흡수를 초래하여 제거의 원인이 된다.
일반적으로, UV 고체 레이저는 TEM00 모드에서 원형 가우시안(Gaussian) 빔을 발생시키고, UV 고체 레이저로 줄긋기하는 현재 방법은 집중된 원형 빔 스팟을 이용한다. 엑시머 레이저 BDS와 다르게, DPSS 레이저는 패턴화된 마스크 이미지를 요구하지 않는 원거리영역 이미지(far field imaging)를 이용한다. 원거리영역 이미지를 이용하는 레이저 줄긋기의 예는 본 출원서에 참조로 포함된 미국 등록특허 제5,631,190호와 미국 등록특허 제6,580,054호에서 개시되어 있다. 레이저 공명기로부터의 원시 빔은 빔 집중 렌즈에 의해 바로 집중되고, 타깃에 전달된다. DPSS 레이저의 BDS가 전체 빔을 이용하기 때문에 BUF는 더 높아진다. 그러나 DPSS 레이저를 대량 생산에 적용 시 하나의 문제점인 집중된 빔 스팟의 크기가 작기 때문에 줄긋기 속도는 더 느려진다. 또한, DPSS 레이저에 사용된 통상의 빔 전달 시스템은 레이저 처리 매개변수의 조정을 제어하는 제한된 능력을 갖는다. DPSS 레이저를 이용한 통상의 줄긋기 기술에서, 레이저 처리 매개변수는 레이저 출력 에너지를 조정함으로써 조절되고, 직접적으로 레이저 광을 변경하지는 않는다.
통상적으로, 레이저 빔은 레이저 물질 처리 적용을 위해서 집중화되어야 한다. 집중된 레이저 빔은 1) 타깃 물질에 대한 최적의 레이저 밀도(일반적으로 레이저 에너지 밀도 J/㎠로 표현된다)와 2) 집중된 스팟 또는 빔 허리 지름(beam waist diameter)의 최소 크기의 두 가지 중요한 특성을 갖는다. 레이저 밀도가 과도하거나 부족하면 불완전한 처리를 유도할 것이기 때문에, 최적의 레이저 밀도는 원하는 처리 결과를 얻는데 중요하다. 또한, 최적의 밀도가 특정 타깃 물질의 광 흡수 속성에 의해 결정되기 때문에, 집중된 빔 스팟은 그 밀도를 조절할 수 있도록 충분한 유연성을 가져야 한다. 레이저에 의한 물질 처리가 미세 해상도를 위해 날카로운 빔 집중도를 요구할 때, 빔 허리 지름의 최소 크기는 중요하다.
레이저 줄긋기 과정의 다른 이슈는 컷의 결과로서 발생된 잔재에 의해 유도된 제거로부터 발생한다. 반도체 기판 또는 발광 다이오드 기판에 있는 잔재는 성능 및 패키지 모두에 해롭다. 리소그래피용 감광막은 이러한 잔재를 방지하기 위한 보호 코팅으로 기판 표면에 적용되었으나, 이런 감광막은 플라즈마에 의해 유도된 레이저로부터의 열에 의해 탄화되는 경향이 있다. 탄화된 감광막은 특히 레이저 절단면 근처에서 제거되기 어렵다. 또한, 접착 테이프는 보호를 위해 제안되었으나, 매번 일정 방향으로 줄긋기 후 이러한 접착 테이프를 바꾸는 것과 같은 일련의 절차는 대량 생산에 도움이 되지 않는다. 더욱이, 이러한 접착제와 함께 테이프의 두께가 두껍기 때문에 과도한 잔류물은 레이저 줄긋기 후에 남게 되었다.
따라서, 현재의 기술적 문제점을 방지하고, 더 짧은 파장과 펄스 시간을 이용할 수 있으며, 레이저 세기를 최적화하고 빔 허리 지름을 최소화할 수 있는 레이저 줄긋기 시스템과 방법에 대한 필요성이 있다.
본 발명의 기술적 특징과 다른 특징 및 장점은 다음의 간단한 설명의 도면들과 함께 차후의 상세한 설명에 의해 더욱 자세히 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따라 비점수차 방식의 초점 광학을 갖춘 빔 전달 시스템(BDS)에 대한 개념도이다.
도 2는 레이저로부터 타깃까지의 레이저 빔의 순차적 변화를 도시하는 도 1에 도시된 BDS에 대한 개념도이다.
도 3은 개별적으로 각 주 자오선에서 두 개 초점의 형성을 도시하는 빔에 대한 단면도이다.
도 4는 빔 집중 렌즈를 통과하는 고도로 압축된 빔의 ‘y 축’ 성분을 도시하는 도 1에 도시된 BDS의 빔 집중 렌즈의 단면도이다.
도 5는 빔 집중 렌즈를 통과하는 고도로 압축된 빔의 ‘x 축’ 성분을 도시하는 도 1에 도시된 BDS의 빔 집중 렌즈의 단면도이다.
도 6은 하나의 주 자오선에서 두 개의 분리된 초점의 형성을 도시한 도 1에 도시된 BDS의 단면도이다.
도 7은 다른 주 자오선에서 두 개의 분리된 초점 형성을 도시한 도 1에 도시된 BDS의 단면도이다.
도 8과 9는 BDS에서 프로세스 매개변수를 조정시 유연성을 도시하는 도 1에 도시된 BDS의 단면도들이다.
도 10은 266nm DPSS 레이저를 이용하는 BDS로부터 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟으로 줄긋기 된 사파이어 기반의 발광 다이오드 웨이퍼의 일 예에 대한 평면도를 나타내는 사진이다.
도 11은 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟으로 줄긋기 된 사파이어 기반의 발광 다이오드 웨이퍼의 일 예에 대한 단면도를 나타내는 사진이다.
도 12는 266nm DPSS 레이저를 이용하는 BDS로부터 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟으로 줄긋기 된 실리콘 웨이퍼의 일 예에 대한 평면도를 나타내는 사진이다.
도 13은 266nm DPSS 레이저를 이용하는 BDS로부터 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟으로 줄긋기 된 인화 갈륨(GaP) 웨이퍼의 일 예에 대한 평면도를 나타내는 사진이다.
도 14는 266nm DPSS 레이저를 이용하는 BDS로부터 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟으로 줄긋기 된 몰리브덴 막의 일 예에 대한 평면도를 나타내는 사진이다.
도 15는 보호 코팅 없이 레이저로 줄긋기 된 일 예를 나타내는 사진이다.
도 16은 보호 코팅을 갖고 레이저로 줄긋기 된 일 예를 나타내는 사진이다.
본 발명의 하나의 관점에 따르면, 기판을 절단하기 위한 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟(variable astigmatic focal beam spot)을 형성하기 위한 방법을 제공한다. 이 방법은 원시 레이저 빔을 생성하는 단계와, 원시 레이저 빔을 확장하는 단계와, 확장된 빔을 변경하여 변경된 빔이 하나의 주 자오선에 수렴되고 다른 주 자오선에서 발산하는 단계를 포함한다. 변경된 빔은 반도체 기판에 최소 부분적 컷을 얻기 위하여 길이진 형태와 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 유도하는 두 개의 분리된 초점을 갖춘 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 생성하기 위해 집중화된다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 레이저를 이용하여 반도체 기판에 줄긋기 위한 방법을 제공한다. 이 방법에 따라, 레이저 빔은 발생되고, 레이저 빔을 변경함으로써 비점수차 방식의 초점 빔 스팟이 형성되어, 변경된 빔 스팟은 두 개의 분리된 초점을 갖추고 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 신장된 형태를 갖는다. 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 반도체 기판의 표면을 향하도록 된다. 하나 이상의 컷들이 반도체 기판에 얻어질 때까지 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 한 세트의 매개변수를 가지고 적용된다.
본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 반도체 웨이퍼를 다이로 분리하기 위한 방법을 제공한다. 이 방법에 따라, 레이저 빔은 발생되고, 레이저 빔을 변경함으로써 비점수차 방식의 초점 빔 스팟이 형성되어 변경된 빔 스팟은 두 개의 분리된 초점을 갖고 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 신장된 형태를 갖는다. 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 반도체 기판의 표면을 향하도록 된다. 하나 이상의 컷들이 반도체 기판에 얻어질 때까지 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 한 세트의 매개변수를 가지고 적용된다. 이후, 반도체 웨이퍼는 컷을 이용하여 다이로 분리된다.
또한, 본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 빔 전달 시스템은 레이저로부터 원시 레이저 빔을 받아들이고 확장된 빔을 생성하기 위한 빔을 확장하는 망원경(telescope)을 포함한다. 빔 전달 시스템은 하나의 주 자오선에 일치되고 다른 주 자오선에서 발산시키는 변경된 빔을 생성하기 위한 원통형 평 오목 렌즈와 원통형 평 볼록 렌즈를 포함하는 최소 하나의 가변적 애너모픽(anamorphic) 렌즈 시스템을 더 포함한다. 빔 전달 시스템은 변경된 빔을 수용하고 집중하여 집중된 빔이 두 개의 분리된 초점을 구비하는 빔 집중 렌즈를 더 포함한다. 초점 중 하나는 빔을 집중시키는 렌즈의 공칭(nominal) 초점 거리보다 짧고, 다른 초점은 빔을 집중시키는 렌즈의 공칭 초점 거리에 일반적으로 형성된다.
그리고 본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 질화 갈륨(GaN)층을 구비한 사파이어 기판에 줄을 긋기 위한 방법을 제공한다. 이 방법은 고체 레이저를 이용하여 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하기 위한 레이저 에너지 펄스를 사파이어 기판의 질화 갈륨(GaN) 표면에 향하도록 하는 단계와 사파이어 기판을 줄긋기 패턴에 충돌시켜 줄긋기 선에 따라 사파이어 기판을 절단하는 단계를 포함한다.
BDS 의 개요
도 1을 참조하면, 애너모픽(anamorphic) 빔 전달 시스템(BDS)(10)의 일 실시 예를 자세히 기술한다. 애너모픽 BDS(10)은 다양한 물질로 만들어진 기판을 절단하거나 가공하도록 사용될 수 있는 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 발생시킨다. 하나의 바람직한 적용에서, BDS(10)의 바람직한 실시 예는 고 해상도의 조정가능한 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성함으로써 발광 다이오드 다이 분할의 생산성을 향상시킨다. 이것은 줄긋기 속도를 최대화하고 웨이퍼에서 줄긋기와 관련된 공간적(real estate) 소비를 최소화한다. 또한, 이러한 BDS(10)는 다른 줄긋기나 컷 응용에 이용될 수 있다.
도시된 실시 예에서, 고체 레이저(12), 바람직하게는 다이오드로 펌프된 레이저는 UV 영역에서 레이저 빔을 생성하며, 바람직하게는 355nm의 제 3 고조파나 266nm의 제 4 고조파를 생성한다. 원시 레이저 빔은 TEM00에서 일반적으로 가우시안 분포(Gaussian distribution)를 가지며, 빔 확장 망원경(BET)(14)에 의해 늘어나게 된다. 이런 BET(14)의 바람직한 실시 예는 구형(spherical) 평 오목 렌즈(16)와 구형 평 볼록 렌즈(18)로 구성된다. BET(14)의 배율은 각 렌즈의 초점 길이에 의해 결정되며, 일반적으로 M=(|fsx|/|fsv|)에 의해 기술된다(단, M은 배율이고, fsx는 구형 평 볼록 렌즈(18)의 초점 길이이며, fsv는 구형 평 오목 렌즈(16)의 초점 길이이다). 시준 된 빔의 확장하기 위하여, 구형 평 오목 렌즈(16)와 구형 평 볼록 렌즈(18) 사이의 거리는 일반적 수식(Dc=fsx+fsv)에 의해 결정된다. 여기서, Dc는 시준 거리(collimation distance)이다. fsx와 fsv의 조합은 배율 M과 시준 거리 Dc의 규정된 값을 만족하도록 사용될 수 있다. M의 범위는 약 2X부터 20X까지 될 수 있으며, BDS(10)에서 2.5X인 것이 바람직하다. 2.5X의 바람직한 배율에 기초하여, BDS(10)에서는 Dc=150mm를 갖는 fsx=250mm과 fxv=-100mm의 조합이 사용되는 것이 바람직하다.
바람직한 실시 예에서, 확장된 빔은 100% 반사 거울(20a)에 의해 반사된다. 이후, 이 확장된 빔은 빔 형성 조리개(22)로 향하게 된다. 빔 형성 조리개(22)는 가우시안 프로파일(Gaussian profile)에서 빔의 세기가 낮은 에지부를 대칭적으로 잘라냄으로써 조리개(22)를 통과한 세기가 높은 부분을 남긴다. 이후, 빔은 가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)의 중심으로 향하도록 한다.
바람직한 가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)은 원통형 평 오목 렌즈(26)와 원통형 평 볼록 렌즈(28)로 구성된다. 가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)의 구조는 |fcx|=|fcv|의 상태를 만족하는 것이 바람직하다. 여기서, fcx는 원통형 평 볼록 렌즈(28)의 초점 길이이고, fcv는 원통형 평 오목 렌즈(26)의 초점 길이이다. 가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)에서, 도 1의 수평 방향으로 도시된 입사 빔은 두 개의 주 자오선 중 하나에서 비대칭적으로 변경된다. 애너모픽 렌즈 시스템(24)에서, D<Dc인 경우, 평행하게 입사한 빔은 애너모픽 렌즈 시스템(24)을 지난 후 발산한다. 여기서, D는 원통형 평 오목 렌즈(26)와 원통형 평 볼록 렌즈(28) 사이의 거리이며, Dc는 시준 거리이다. 반대로, D>Dc인 경우, 평행하게 입사한 빔은 애너모픽 렌즈 시스템(24)을 지난 후 수렴한다. 도 1에서 도시된 애너모픽 렌즈 시스템(24)의 바람직한 실시 예에서, 시준 거리는 Dc=fcx+fcv=0이다. 왜냐하면, |fcx|=|fcv|이며, fcx는 양의 값을 갖고, fcv는 음의 값을 가지며, D≥Dc이기 때문이다. 따라서, D>0인 경우, 시준 된 입사 빔은 애너모픽 렌즈 시스템(24)을 지난 후 수렴한다.
애너모픽 시스템(24)의 수렴 정도나 결합된 초점 거리(fas)는 거리 D에 의해 지배된다. 일반적으로, 이것은 fas=fcxfcv/(fcx+fcv-D)의 두 개의 렌즈 원리에 의해 표현된다. 즉, 거리 D가 커지면, 초점 거리 fas는 짧아진다. 거리 D가 증가할 때, 수렴 정도는 시준 된 입사 빔의 오직 하나의 주 자오선에서 증가된다. 입사 빔의 하나의 주 자오선은 그것이 시준을 잃고 가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)을 지난 후에 발산한다. 그러나, 다른 주 자오선은 영향을 받지 않고 그 빔의 시준을 유지한다. 결국, 가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)을 지난 후, 빔의 크기는 애너모픽 시스템(24)에서 두 개의 렌즈들 사이 거리를 조정함으로써 오직 하나의 주 자오선에서 변경된다. 따라서, 두 개의 주 자오선, 즉 수직 및 수평 자오선에서 분리된 초점들을 생성하기 위해, 애너모픽 BDS(10)는 빔을 비점수차기에 인위적으로 유도한다. 다른 초점 길이나 수렴점들에서 일련의 애너모픽 렌즈들이 가변적 비점수차 방식의 빔 스팟을 제공하는 것이 바람직하지만, 가변적 애너모픽 렌즈 시스템은 고정된 수렴에 대한 하나의 애너모픽 렌즈로 대체될 수 있다.
가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)을 지난 후, 빔은 다른 100% 반사 거울(20b)에 의해 반사된다. 이후, 빔은 빔 집중 렌즈(30)의 중심으로 향하게 된다. 바람직한 빔 집중 렌즈(30)는 약 +20mm 내지 +100mm 범위의 초점 거리를 갖는 수차가 교정된 구형 복합 구조 렌즈이다. BDS(10)의 일 실시 예에서,+50mm의 초점 거리를 갖는 에지 접촉형 접합렌즈가 사용된다. 빔 집중 렌즈(30)을 지난 후 비점수차 방식의 초점들 중 하나는 반도체 웨이퍼와 같은 기판(32)에 날카롭게 집중된다. 하나의 바람직한 실시 예에서, 기판(32)은 컴퓨터로 조절되는 줄긋기용 x-y 모션 스테이지(34)에 의해 이동된다. 반도체 웨이퍼가 정사각형 또는 직사각형 다이를 포함한 반도체 줄긋기 응용에서, 반도체 웨이퍼는 x축과 y축 모두에서 줄긋기를 하기 위해 회전 스테이지(36)에 의해 90˚만큼 회전될 수 있다.
BET(14)와 복합 구조 빔 집중 렌즈(30)의 바람직한 조합은 최소 수차와 최소화된 빔 허리 지름을 갖는 고 해상도, 조정 가능한 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 만들어낸다. 일반적으로, 가우시안 빔(Gaussian beam)의 최소 빔 허리 지름(wo)은 wo=λf/πwi에 의해서 표현될 수 있다. 여기서, λ는 입사된 레이저 빔의 파장이며, f는 빔 집중 렌즈의 초점 길이이고, π는 원형 상수이며, wi는 입사 빔의 지름이다. 주어진 빔 집중 렌즈(30)에서, 최소 빔 허리 지름(wo)이나 스팟이 집중된 크기는 입사 빔 지름(wi)에 반비례한다. 본 발명의 바람직한 실시 예에서, BET(14)는 복합 구조 빔 집중 렌즈(30)에 의해 집중된 입사 빔 지름(wi)을 원주적으로 증가시켜 최소화된 빔 허리 지름을 만들며 고 해상도 초점 빔 스팟을 생기게 한다. 이것은 반도체 기판에 약 5㎛ 이하의 줄긋기 자국의 폭을 제공할 수 있는 날카롭게 집중된 줄긋기 빔 스팟을 제공한다. 결국, 최소화된 줄긋기 자국의 폭은 웨이퍼에 줄긋기로 인한 공간적(real estate) 소비를 현저하게 감소시킨다. 이것은 웨이퍼에 더 많은 다이를 허용하며 생산성을 향상시킨다.
가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)과 고 분해능 빔 집중 렌즈(30)의 조합은 입사 빔이 각각의 주 자오선에서 두 개의 분리된 초점들을 생기게 한다. 가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)에서 빔 수렴을 변경하는 유연성은 타깃 반도체 웨이퍼에 레이저 에너지 밀도를 순간적으로 변경하여 제공한다. 최적화 레이저 에너지 밀도가 특정 타깃 반도체 웨이퍼의 광 흡수 성질에 의해 결정되기 때문에, 가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)은 다양 반도체 웨이퍼에 의해 결정되는 최적의 공정 조건에 즉각적 적용을 제공할 수 있다.
애너모픽 BDS(10)의 하나의 바람직한 실시 예가 나타나고 도시되지만, 다른 실시 예들도 예기되고 본 발명의 사상적 범위 내에 있다. 특히, 애너모픽 BDS(10)는 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 생성하기 위하여 다른 요소들을 사용할 수 있거나, 애너모픽 BDS(10)는 빔의 추가적 변경을 제공하기 위하여 다른 요소들을 포함할 수 있다.
다른 실시 예에서, 하나의 바이-프리즘(bi-prism)(38)이나 이들 세트는 애너모픽 렌즈 시스템(24)과 BET(14) 사이에 삽입될 수 있다. 바이-프리즘은 BET(14)로부터 확장되고 시준된 빔을 균등하게 나눈다. 이후, 절반의 가우시안 프로파일에 대한 반전을 발생하기 위해 두 개로 나뉜 빔을 교차시킨다. 한 세트의 바이-프리즘이 사용될 때, 두 개로 나뉜 빔들 사이의 거리는 한 세트의 바이-프리즘 사이의 거리를 변경함으로써 조정될 수 있다. 즉, 바이-프리즘(38)은 반원에 의해 가우시안 빔(Gaussian beam)을 나누고, 두 개로 나뉜 반원들을 반전시킨다. 이들 두 개의 원들의 중첩은 세기가 약한 가우시안 프로파일의 에지부에 대한 중첩을 만든다. 가우시안 프로파일의 반전 및 세기 재배분은 균일한 빔 프로파일을 만들고, 가우시안 세기 프로파일(Gaussian intensity profile)의 특정 단점을 제거한다.
또 다른 실시 예에서, BDS(10)는 점선과 유사한 분리된 비점수차 방식의 빔렛(beamlet)의 작은 세그먼트(segment)를 만들데 사용되는 애너모픽 렌즈 시스템(24)의 배열을 포함할 수 있다. 비점수차 방식의 빔렛은 레이저에 의해 유도된 플라즈마의 실제적 탈출을 허용한다. 이것은 줄긋기 결과를 명확히 바꾼다. 애너모픽 렌즈 시스템의 배열에서 렌즈들 사이의 거리는 빔렛의 각 세그먼트의 길이를 제어한다. 빔렛의 세그먼트들 사이의 거리는 애너모픽 렌즈 시스템의 배열 앞에서 원통형 평 볼록 렌즈를 둠으로써 제어될 수 있다.
가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟의 형성
도 2를 참조하면, 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법은 더 자세히 기술된다. 일반적으로, 레이저로부터 원시 빔(50)의 프로파일은 가우시안 분포에서 약 0.5mm에서 3mm의 지름을 갖는다. 원시 빔(50)은 BET(14)에 의해 확장되고, 확장된 빔(52)는 지름이 원시 빔보다 약 2.5배 더 크다. 확장된 빔(52)은 에지부를 잘라내기 위해 빔 형성 조리개(22)를 지나고, 확장되고 에지부가 잘린 빔(54)은 애너모픽 렌즈 시스템(24)의 중심으로 향한다. 애너모픽 렌즈 시스템(24)은 오직 하나의 주 자오선에서 확장되고 에지부가 잘린 빔(54)을 변경하여 약간 압축된 빔 형태(56)로 된다. 약간 압축된 레이저 빔(56)이 빔 집중 렌즈(30)로 진행함에 따라, 가변적 애너모픽 렌즈 시스템(24)이 오직 하나의 주 자오선으로 빔을 수렴하도록 만들기 때문에 빔 형태에서 비점수차의 정도는 증가 된다. 이후, 고 압축 빔(57)은 비점수차 방식의 초점 빔 스팟(58)을 형성하기 위하여 빔 집중 렌즈(30)을 통과한다. 고 압축 빔(57)이 하나의 주 자오선에서 빔을 수렴하는 특성을 갖기 때문에, 빔 집중 렌즈(30)를 지난 후 각 주 자오선에서 개별적으로 초점들이 형성된다. 비점수차 방식의 초점 빔 스팟(58)을 형성하는 이러한 방법이 바람직한 BDS(10) 단락에서 기술되지만, 이것은 이 방법에 의해 제한되지 않는다.
고 압축 빔(57)이 빔 집중 렌즈(미도시)를 통과할 때, 도 3의 삼차원 도면은 각각의 주 자오선에서 분리되어 형성된 두 개의 초점에 대해서 자세히 기술한다. 하나의 주 자오선(이후, y축 성분이라 함)에서 고 압축 빔(57)이 수렴하는 특성을 갖기 때문에, y축 성분은 거리가 짧은 초점(60)을 나타낸다. 반대로, 다른 주 자오선(이후, x축 성분이라 함)은 빔이 시준되는 특성을 갖기 때문에, x축 성분은 거리가 긴 초점(62)을 나타낸다. X축 성분과 y축 성분의 조합은 비점수차 방식의 빔 스팟(58)을 생기게 한다.
도 4는 빔 집중 렌즈(30)을 통과하고 초점(60)을 생기게 하는 고 압축 빔(57)의 y축 성분을 나타낸다. 초점(60)이 생긴 이후, 빔은 발산하고 빔 스팟(58)의 비점수차 면을 만든다.
도 5는 빔 집중 렌즈(30)를 통과하고 초점(62)을 생기게 하는 고 압축 빔(57)의 x축 성분을 나타낸다. 고 압축 빔(57)의 시준된 x축 성분은 초점(60)에서 날카롭게 집중된다. 이것은 비점수차 방식의 빔 스팟(58)의 날카롭게 집중된 면을 만든다.
도 6과 7은 각각의 주 자오선에서 두 개의 초점(60, 62)의 형성에 대해 더 자세히 기술한다. 도 6과 7에서 개략적 빔의 투사는 도 1에서 나타난 BDS(10)의 2차원 레이아웃을 포함하나, 단순화하기 위해 반사율 100%의 거울(20a, 20b)과 빔 형성 조리개(22)를 배제한다. 도 6에서, 고체 레이저(12)로부터의 원시 빔은 BET(14)에 의해 확장되고, 이후 이것은 시준 된다. 가변적 비점수차 방식의 렌즈 시스템(24)은 이런 주 자오선에서 시준된 빔을 변경하여 빔을 수렴하게 한다. 수렴하는 빔은 빔 집중 렌즈(30)에 의해 집중된다. 가변적 비점수차 방식의 렌즈 시스템(24)로부터 그것이 수렴되기 때문에, 빔은 빔 집중 렌즈(30)의 공칭(nominal) 초점 길이보다 더 짧은 초점(60)을 형성한다. 도 6에서 빔의 투사는 도 4에서 y축 성분에 대한 보기와 유사하다.
이에 반해, 도 7에서는 BET(14)로부터 확장되고 시준된 빔이 이 주 자오선에서 가변적 비점수차 방식의 렌즈 시스템(24)에 의해 영향을 받지 않는다. 가변적 비점수차 방식의 렌즈 시스템(24)을 지난 후 빔의 시준은 이 주 자오선에서 유지될 수 있다. 빔 집중 렌즈(30)의 통과 후, 시준 된 빔은 빔 집중 렌즈(30)의 공칭 초점 길이에 형성된 초점(62)에 집중된다. 도 7에서 빔 투사는 도 5에서 x축 성분에 대한 보기와 유사하다. 도 7에서, BET(14)는 입사된 빔의 지름을 증가시키고, 복합 구조 빔 집중 렌즈(30)에서 빔을 집중하여, 빔 허리 지름을 최소화하고 고 해상도 초점 빔 스팟을 만든다. 결과적으로, 타깃 기판(32)(즉, 반도체 웨이퍼)은 하나의 주 자오선에서 넓고 분산된 비점수차 방식의 빔을 받고, 다른 주 자오선에서 좁고 날카롭게 집중된 빔을 받는다.
도 3에서 도시된 것처럼, 두 개의 분리된 초점들(60, 62)의 조합은 분산되고 압축된 원주를 갖는 일면과 날카롭게 집중되고 좁은 원주를 갖는 타면을 구비한 비점수차 방식의 빔 스팟을 발생시킨다.
비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 이용한 줄긋기 적용
기판에 줄긋기를 하기 위하여, 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 기판으로 향하고, 줄이 그어질 물질에 의존하는 한 세트의 매개변수(예를 들면, 파장, 에너지 밀도, 펄스 진동수, 빔의 크기)를 가지고 적용된다. 하나의 방법에 따라, 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 예를 들면 웨이퍼 분리나 다이 형성의 적용과 같이 반도체 웨이퍼에 줄긋기를 위하여 사용될 수 있다. 이 방법에서, 웨이퍼는 하나 이상의 레이저 줄긋기 컷을 만들기 위해 집중된 레이저 빔 하에서 최소 하나의 컷 방향으로 움직이거나 이동될 수 있다. 반도체 웨이퍼로부터 다이를 절단하기 위하여, 우선 x축 방향으로 웨이퍼를 움직이고, 이후에 웨이퍼를 90˚만큼 회전 후, y축 방향으로 웨이퍼를 움직임으로써 다수의 줄긋기 컷이 만들어질 수 있다. x축과 y축 방향으로 줄긋기를 할 때, x축과 y축 방향으로 컷을 제공하기 위하여 웨이퍼가 회전되기 때문에 비점수차 빔 스팟은 일반적으로 편광 요소에 민감하지 않다. 줄긋기 컷이 생긴 후, 당업자에게 공지된 기술을 이용하여 반도체 웨이퍼는 다이를 형성하기 위한 줄긋기 컷을 따라 분리될 수 있다.
더 빠른 줄긋기 속도를 가능하게 함으로써 비점수차 빔 스팟은 줄긋기 응용에 장점을 제공할 수 있다. 줄긋기 속도는 S=(lb·rp)/nd로 정의될 수 있다. 여기서, S는 줄긋기 속도(mm/sec)이고, lb는 집중된 줄긋기 빔의 길이(mm)이며, rp는 펄스 진동수(pulse/sec)이고, nd는 최적의 줄긋기 컷의 깊이를 달성하기 위해 요구되는 펄스의 수이다. 펄스 진동수 rp는 사용되는 레이저의 종류에 의존한다. 초당 수 펄스부터 초당 105 펄스를 초과하는 고체 레이저는 상업적으로 이용 가능하다. 펄스 수 nd는 타깃 웨이퍼의 물질 특성과 원하는 컷의 깊이에 의해 결정되는 물질에 대한 공정 변수이다. 펄스 진동수 rp와 펄스 수 nd가 주어졌을 때, 빔 길이 lb는 컷의 속도를 결정하기 위한 제어 요소이다. 이상에서 기술한 발명에 따라 형성된 비점수차 방식으로 집중된 빔 스팟은 빔 길이 lb를 증가시켜, 줄긋기 속도를 더 빠르게 만든다.
또한, 바람직한 BDS(14)는 최적 조건을 달성하기 위한 공정 조건을 조정하는데 더 큰 유연성을 제공한다. 예를 들면, 레이저 물질 처리에서 공정 조건은 타깃의 물질 특성에 기초한 최적의 조건을 위하여 조정되어야 하는 것이 바람직하다. 레이저 에너지 밀도의 초과는 타깃에 해로운 열적 손상을 초래할 수 있고, 레이저 에너지 밀도의 부족은 부적절한 제거 또는 다른 원치 않는 결과를 초래할 수 있다. 도 8과 9는 본 발명의 BDS의 공정 조건을 조정하는 유연성을 나타낸다.
도 8에서, 가변적 비점수차 방식의 렌즈 시스템(24)의 렌즈(26, 28)가 근접하게 놓여 있어, 시준된 입사 빔의 낮은 수렴을 만들게 한다. 이와 같은 낮은 수렴은 빔 집중 렌즈(30)으로부터 상대적으로 더 먼 거리에 초점(60)을 형성한다. 따라서, 빔 스팟((58)의 길이는 상대적으로 짧아진다.
이에 반해, 도9에서, 가변적 비점수차 방식의 렌즈 시스템(24)의 렌즈(26, 28)가 더 멀리 놓여 있어, 시준된 입사 빔의 높은 수렴을 생기게 한다. 이와 같은 증가된 수렴은 비점수차를 유도하고, 빔 집중 렌즈(30)로부터 상대적으로 더 짧은 거리에 초점(60)을 형성한다. 따라서, 빔 스팟(58)의 길이는 상대적으로 증가한다.
하나의 줄긋기 예에서, 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 블루 발광 다이오드에 사용되는 사파이어 기판에 줄긋기에 사용될 수 있다. 블루 발광 다이오드에 대한 사파이어 기판의 최적의 공정조건은 일반적으로 약 10J/㎠의 에너지 밀도를 요구한다. 일반적인 블루 발광 다이오드 웨이퍼가 분리용 개별적 다이 사이에 약 50㎛ 갭을 갖도록 설계되기 때문에, 최적의 레이저 빔 크기는 레이저 줄긋기 위해 약 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. 3 Watts의 목표 출력과 50㎑의 펄스 진동수를 갖는 현재 이용 가능한 상업적 레이저가 사용될 때, 15㎛의 지름으로 통상의 집중된 빔은 34J/㎠의 레이저 에너지 밀도를 발생하게 한다. 통상의 집중된 빔 스팟을 구비한 시스템에서, 과부하를 방지하기 위하여 희망 에너지 밀도는 최적의 공정을 위하여 레이저의 에너지 출력을 감소시킴으로써 조정되어야 한다. 따라서, 레이저의 에너지 출력은 줄긋기 속도나 생산성을 극대화하기 위하여 전부 이용되지 않을 수 있다.
이에 반해, BDS(10)의 바람직한 실시 예는 레이저의 에너지 출력을 감소시키지 않고 최적의 레이저 에너지 밀도를 10J/㎠으로 유지시키기 위해 압축된 빔 스팟의 크기를 조정할 수 있다. 비점수차 빔의 크기는 비점수차 축에서 약 150㎛와 집중된 축에서 약 5㎛를 갖도록 조정될 수 있다. 줄긋기 이동 방향에서 비점수차 축이 정렬되기 때문에, 빔 거리의 증가는 위에서 언급한 것처럼 줄긋기 속도를 비례적으로 증가시킨다. 이러한 예로, 비점수차 빔 스팟은 통상의 집중된 빔의 속도보다 약 10배 빠른 처리 속도를 제공할 수 있다.
다른 줄긋기 예로서, 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 사파이어를 직접 결합하는 대신 사파이어 기판에 질화 갈륨(GaN)층(즉, 사파이어 기판 상부에 약 4~7㎛)을 하나 이상 결합함으로써 사파이어 기판에 대한 줄긋기에 사용될 수 있다. 질화 갈륨(GaN)의 더 낮은 밴드갭은 약 5J/㎥의 레이저 에너지 밀도를 요구하는 입사된 레이저 빔과 보다 효율적인 결합을 제공한다. 레이저 빔이 질화 갈륨과 결합하면, 사파이어 기판을 통한 제거는 사파이어와 직접 결합하는 것보다 더 용이하다. 따라서, 비점수차 빔의 크기는 비점수차 축에서 약 300㎛과 집중된 축에서 5㎛을 갖도록 조정될 수 있다. 결국, 처리 속도는 종래 원거리 영역 이미지(far field imaging)나 스팟 집중 기술(spot focusing techniques)보다 20배 더 빠를 수 있다.
또한, 집중된 축에서 최소화된 스팟 크기는 줄긋기 자국의 폭을 현저하게 감소시켜, 이후 웨이퍼의 공간적(real estate) 소비를 감소시킨다. 더욱이, 전체적으로 제거된 물질 부피를 감소시킴으로써, 좁은 줄긋기 컷은 부수적 물질 손상과 제거에서 생긴 잔재를 감소시킨다. 도 10은 50㎑의 진동수와 약 1.8 Watt의 유효 출력을 갖는 266nm DPSS 레이저를 이용한 BDS(10)로부터 비점수차 방식의 초점 빔 스팟으로 줄긋기된 사파이어 기반의 발광 다이오드의 예를 나타낸다. 비점수차 빔의 크기는 비점수차 축에서 약 180㎛와 집중 축에서 약 5㎛을 갖도록 조정될 수 있었다. 상부에서 보면, 도 10은 약 5㎛의 컷 폭을 나타낸다. 30㎛의 깊은 줄긋기에서 BDS(10)는 50mm/sec보다 더 큰 줄긋기 속도가 가능하다. 레이저 컷은 도 11에서 나타낸 것처럼 날카로운 'V' 형태의 홈을 형성한다. 이 홈은 줄긋기 후에 잘 조절된 쪼갬에 이용하는데 용이하다. 조정 가능한 BDS(10)로부터의 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 처리 속도를 직접적으로 증가시키는 레이저의 최대 출력 값을 이용한다. 따라서, 전면(前面)에 대한 줄긋기는 폭을 감소시키고 쪼갬 능력을 향상시키기 위해서 사용됨으로써, 웨이퍼 당 이용 가능한 다이의 수가 증가한다.
또한, 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 다른 종류의 반도체 기판에 대한 줄긋기에도 유리하게 사용될 수 있다. 밴드갭 에너지와 표면의 거칠기와 같은 타깃 물질의 흡수 성질에 기초하여 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 최적화 값을 위해 그것의 에너지 밀도를 조절할 수 있다. 도 12는 50㎑의 진동수와 약 1.8 Watt의 유효 출력을 갖는 266nm DPSS 레이저를 이용한 BDS(10)로부터 비점수차 방식의 초점 빔 스팟으로 줄긋기된 실리콘 웨이퍼의 예를 나타낸다. 비점수차 빔의 크기는 비점수차 축에서 약 170㎛와 집중 축에서 약 5㎛을 갖도록 조정될 수 있었다. 이것은 약 40mm/sec의 속도로 75㎛ 깊이의 줄을 긋게 하였다.
도 13에서는 동일한 레이저와 유효 출력을 갖는 인화 갈륨(GaP)에 호환 가능한 결과를 나타낸다. 비점수차 빔의 크기는 비점수차 축에서 약 300㎛와 집중된 축에서 5㎛을 갖도록 조정되었다. 이것은 약 100mm/sec의 속도로 65㎛ 깊이의 줄을 긋게 하였다. 갈륨 비소(GaAs)와 게르마늄(Ge)과 같은 다른 화합물 반도체에서 유사한 결과가 발견되었다. 줄긋기가 될 수 있는 다른 기판들은 인화 인듐(InP), 알루미나(Alumina), 유리(glass), 및 폴리머(polymers)를 포함하나, 이들에 의해 제한되지 않는다.
또한, 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 금속 박막에 줄긋기나 가공에도 유리하게 사용될 수 있다. 고온 전도성 때문에, 종래 기술을 이용한 금속 박막의 레이저 컷은 그것의 자국을 따라 넓은 영역에 열적 영향을 보였다. 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 적용하면, 집중된 축에서 5㎛ 빔 폭은 레이저 컷 자국의 폭을 현저하게 감소시키며, 이후 열적 영향을 받은 영역과 부수적 물질의 피해 및 제거에 의해 생성된 잔재를 감소시킨다. 예로서, 도 14는 몰리브덴(molybdenum)에서 좁고 날카로운 해상도의 컷 라인을 나타낸다. 비점수차 빔의 크기는 비점수차 축에서 약 200㎛와 집중된 축에서 약 5㎛을 갖도록 조정되었다. 이것은 25㎑의 진동수와 약 2.5 Watt의 유효 출력을 갖는 266nm DPSS 레이저를 이용하여 약 20mm/sec의 속도로 50㎛ 깊이의 줄을 긋게 하였다. 또한, 다른 종류의 금속도 절단될 수 있다.
상기 예가 기판에 줄긋기 된 선을 보였으나, 다른 형태로 줄긋기하거나 가공 또는 절단하는 다른 종류의 적용을 수행하기 위하여 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 또한 사용될 수 있다. 또한, 상기 예에서 주어진 공정 조건과 다른 조건도 발광 다이오드 웨이퍼에 줄긋기 위해 예기된다. 예를 들면, 266nm DPSS 레이저가 발광 다이오드의 광 출력을 낮출 수 있는 열적 피해를 최소화하기에 바람직하나, 355nm DPSS 레이저도 또한 발광 다이오드 줄긋기 적용에 사용될 수 있다.
다른 줄긋기 방법에 따르면, 표면 보호는 수용성 보호 코팅을 사용함으로써 기판에 제공될 수 있다. 보호 코팅의 구성은 수용성 액체 글리세린(glycerin)에 최소 하나의 계면활성제를 포함하는 것이 바람직하고, 이런 구조적 필요성을 만족하는 어떤 종류의 액체 글리세린 세제일 수 있다. 액체 글리세린의 계면활성제는 그것의 고 습윤성 때문에 얇은 보호층을 형성한다. 이런 박막층이 건조된 후, 레이저에 의해 발생된 잔재가 표면에 고착되는 것을 방지하면서, 글리세린은 레이저에 의해 유도된 플라즈마 열에 효과적으로 견디게 한다. 액체 세제의 박막은 수압을 가지고 세척함으로써 쉽게 제거된다. 도 14는 레이저 컷을 따라 축적된 현저한 잔재를 보이며, 표면 보호 없는 발광 다이오드 웨이퍼에 레이저로 줄긋기 된 것을 도시한다. 이에 반해, 도 15는 발광 다이오드 기판에 레이저에 의해 유도된 잔재를 방지하며, 액체 세제를 사용한 보호 코팅을 갖는 발광 다이오드에 레이저로 줄긋기 된 것을 도시한다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예는 패턴화된 레이저 보호와 원거리 영역 이미지를 이용한 종래 시스템에 대해 장점을 제공한다. 간단한 원거리 영역 이미지와 다르게, 본 발명은 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 생성하기 위하여 애너모픽 BDS를 상용함으로써 레이저 빔을 변경하기 위한 더 큰 유연성을 제공한다. 종래 패턴화된 레이저 보호과 다르게, 애너모픽 BDS는 타깃에 레이저 공명기로부터 전체 빔을 전달하여, 매우 높은 빔 이용성을 유지한다. 또한 비점수차 방식의 초점 빔 스팟의 형성은 레이저 빔이 최적의 세기와 빔 허리 지름 모두에 대한 우수한 특성을 갖도록 허용한다. 특히, 가변적 애너모픽 렌즈 시스템의 바람직한 실시 예는 레이저 빔의 조정 가능한 단일 평면상에서 압축을 가능하게 하여, 최적의 레이저 세기의 즉각적인 조정을 위해 가변적 초점 빔 스팟을 생기게 한다. 빔 스팟의 적절한 변경과 원시 빔의 최대화된 이용에 의해 비점수차 방식의 초점 빔 스팟의 형성은 다양한 반도체 웨이퍼의 분할에서 빠른 줄긋기 속도와, 좁은 줄긋기 자국의 폭과, 감소된 레이저에 의한 잔재 및 감소된 부가적 피해를 포함하는 수많은 장점을 생기게 한다.
본 출원서에서는 본 발명의 원리가 기술되었지만, 이것은 오직 바람직한 경우의 것이고, 본 발명의 범위로 한정되지 않는 것도 당업자에 의해 이해될 것이다. 다른 실시 예는 본 출원서에 나타내고 도시된 바람직한 실시 예에 추가하여 본 발명의 범위 내에서 예기된다. 다음의 청구항에 없으나 제한되지 않는 당업자에 의한 변경 및 대체 가능한 것은 본 발명의 사상 범위 내로 고려된다.

Claims (40)

  1. 원시 레이저 빔을 생성하는 단계;
    상기 원시 레이저 빔을 확장하는 단계;
    상기 확장된 빔을 변경하여 상기 변경된 빔이 하나의 주 자오선에서 시준 되고, 다른 주 자오선에서 수렴되는 단계;
    두 개의 분리된 초점을 갖는 상기 변경된 빔을 집중하여 길이진 형태를 갖는 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 단계; 및
    기판에 상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 향하게 하여 상기 기판에서 최소 부분적 컷을 얻는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 원시 빔은 고체 레이저를 이용하여 생성되는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 원시 빔은 400nm 이하의 UV 영역에서 생성되는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 원시 빔은 40ns 이하의 펄스 시간 동안 생성되는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 원시 빔을 확장하는 단계는 빔 확장 망원경(telescope)을 통하여 상기 원시 빔을 통과하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 확장된 빔을 변경하는 단계는 원통형 평 오목 렌즈와 원통형 평 볼록 렌즈를 포함하는 애너모픽(anamorphic) 렌즈 시스템을 통하여 상기 확장된 빔을 통과하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 변경된 빔의 수렴을 변경하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 확장된 빔을 변경하는 단계는 단일 애너모픽 렌즈를 통하여 상기 확장된 빔을 통과하여 고정된 수렴을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 확장된 빔의 세기가 약한 에지부를 대칭적으로 잘라내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 변경된 빔을 집중하는 단계는
    빔 집중 렌즈를 통하여 상기 변경된 빔을 통과하는 단계를 포함하되,
    상기 집중된 빔은 두 개의 분리된 초점을 가지며, 상기 초점들 중 하나는 상기 빔 집중 렌즈의 공칭(nominal) 초점 길이보다 짧고, 다른 하나는 상기 빔 집중 렌즈의 상기 공칭 초점 길이에 형성되는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 기판은 상기 사파이어 상부에 질화 갈륨(GaN)층을 포함하며, 상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 상기 질화 갈륨층의 표면으로 향하도록 하여 레이저 에너지가 상기 사파이어의 제거를 유도하도록 상기 질화 갈륨에 결합되는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 기판에 소자층을 포함하는 반도체 웨이퍼의 일부인 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 금속, 갈륨비소(GaAs), 실리콘, 인화 갈륨(GaP), 인화 인듐(InP), 게르마늄(Ge), 알루미나, 유리 및 폴리머로 이루어진 군 중에서 선택된 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 몰리브덴(molybdenum)과 구리로 이루어진 군 중에서 선택된 금속으로 형성되는 금속막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 20㎛ 이하의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 5㎛의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟에 따라 컷 방향으로 상기 기판을 이동하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  19. 제 1항에 있어서,
    상기 확장된 빔을 변경하는 단계는 다수의 분리된 비점수차 빔렛(beamlet)을 만드는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 확장된 빔을 변경하는 단계는 상기 빔렛의 길이와 상기 빔렛 사이의 거리 중 최소 하나를 제어하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  21. 제 1항에 있어서,
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 상기 기판에 향하기 전에 수용성 보호 코팅을 상기 기판에 적용하되,
    상기 보호 코팅은 수용성 액체 글리세린(glycerin)에 최소 하나의 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변적 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 방법.
  22. 레이저 빔을 발생하는 단계;
    상기 레이저 빔을 변경하여 최소 하나의 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하여 상기 변경된 빔이 두 개의 분리된 초점을 갖고, 상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟이 길이가 늘어난 형태를 갖도록 하는 단계; 및
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 반도체 기판의 표면에 향하도록 하는 단계를 포함하되,
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟이 상기 반도체 기판에서 최소 부분적 컷이 얻어질 때까지 한 세트의 매개변수로 적용되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟의 길이를 따라 컷 방향으로 상기 반도체 웨이퍼를 이동하여 상기 반도체 웨이퍼에 x축 방향에서 최소 하나의 컷을 만드는 단계;
    상기 반도체 웨이퍼를 90°로 회전하는 단계; 및
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟의 길이를 따라 컷 방향으로 상기 반도체 웨이퍼를 이동하여 상기 반도체 웨이퍼에 y축 방향에서 최소 하나의 컷을 만드는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  24. 제 22항에 있어서,
    상기 비점수차 빔 스팟을 형성하는 단계는 확장되고 시준된 빔을 받아들이고, 하나의 주 자오선에서 시준되고 다른 주 자오선에서 수렴하는 변경된 빔을 생산하도록 애너모픽 렌즈 시스템을 이용하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기하기 위한 방법.
  25. 제 22항에 있어서,
    상기 비점수차 빔 스팟을 형성하는 단계는 상기 빔 스팟을 집중하도록 빔 집중 렌즈를 사용하여 상기 초점들 중 하나가 상기 빔 초점 렌즈의 공칭 초점 길이보다 짧고, 상기 초점들 중 다른 하나가 상기 빔 집중 렌즈의 상기 공칭 초점 길이에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  26. 제 22항에 있어서,
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 바꾸는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  27. 제 24항에 있어서,
    상기 애너모픽 렌즈 시스템은 원통형 평 오목 렌즈와 원통형 평 볼록 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  28. 제 27항에 있어서,
    상기 원통형 평 오목 렌즈와 상기 원통형 평 볼록 렌즈 사이의 거리를 변경하여 상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 바꾸는 단계를 더 포함하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  29. 제 22항에 있어서,
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 단계는
    원시 레이저 빔을 발생하는 단계;
    상기 원시 레이저 빔을 확장하는 단계;
    상기 확장된 빔을 변경하여 상기 변경된 빔이 하나의 주 자오선에 시준되고 다른 하나의 주 자오선에 수렴하는 단계; 및
    상기 변경된 빔을 집중시켜 상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  30. 제 22항에 있어서,
    상기 최소 하나의 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 단계는 분리된 비점수차 빔렛을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  31. 제 22항에 있어서,
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟의 길이를 따라 컷 방향으로 상기 반도체 웨이퍼를 이동하여 상기 반도체 웨이퍼에서 다수의 컷을 만드는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  32. 제 22항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 사파이어 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  33. 제 32항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼는 상기 사파이어 기판에 질화 갈륨층을 포함하고, 상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟은 상기 질화 갈륨층에 향하도록 하여 상기 사파이어를 제거하도록 레이저 에너지가 상기 질화 갈륨층에 연결되는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 반도체 웨이퍼에 줄긋기 위한 방법.
  34. 레이저 빔을 생성하는 단계;
    상기 레이저 빔을 변경함으로써 최소 하나의 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하여 상기 변경된 빔이 두 개의 분리된 초점을 갖고 상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟이 신장된 형태를 갖는 단계;
    상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 반도체 웨이퍼의 표면에 향하도록 하여 상기 비점수차 방식의 초점 빔 스팟이 상기 반도체 웨이퍼에서 최소 하나의 부분적 컷이 얻어질 때까지 한 세트의 매개변수와 함께 적용되는 단계; 및
    상기 최소 부분적 컷을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼를 다이로 분할하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판을 다이로 분할하기 위한 방법.
  35. 레이저로부터 원시 레이저 빔을 받아들이고 확장된 빔을 생성하기 위한 빔 확장 망원경;
    확장된 빔을 받아들이고, 하나의 주 자오선에서 시준되고 다른 주 자오선에서 수렴하기 위한 변경된 원통형 평 오목 렌즈와 원통형 평 볼록 렌즈를 포함하는 최소 하나의 가변적 비점수차 렌즈 시스템; 및
    상기 변경된 빔을 받아들이고 상기 집중된 빔이 두 개의 분리된 초점을 갖도록 상기 변경된 빔을 집중시켜 상기 초점들 중 하나는 상기 빔 집중 렌즈의 공칭 초점 길이보다 짧고, 상기 초점들 중 다른 하나는 상기 빔 집중 렌즈의 상기 공칭 초점 길이에 형성되기 위한 빔 집중 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 빔 전달 시스템.
  36. 제 35항에 있어서,
    상기 빔 확장 망원경과 상기 가변적 비점수차 렌즈 시스템 사이에 상기 확장된 빔의 세기가 약한 에지부를 잘라내기 위한 빔 형태 조리개를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 빔 전달 시스템.
  37. 제 35항에 있어서,
    상기 빔 확장 망원경과 상기 가변적 비점수차 렌즈 시스템 사이에 상기 확장된 빔을 나누기 위한 최소 하나 이상의 바이-프리즘(bi-prism)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 빔 전달 시스템.
  38. 제 35항에 있어서,
    상기 빔 확장 망원경과 상기 가변적 비점수차 렌즈 시스템 사이에 상기 확장된 빔을 나누고 상기 나뉜 빔의 분할을 조절하기 위한 한 세트의 바이-프리즘을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 빔 전달 시스템,
  39. 제 35항에 있어서,
    다수의 분리된 비점수차 빔렛을 생성하기 위한 가변적 비점수차 렌즈 시스템의 배열을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 빔 전달 시스템.
  40. 고체 레이저를 이용하여 사파이어 기판 상부의 질화 갈륨 표면에 비점수차 방식의 초점 빔 스팟을 형성하는 레이저 에너지 펄스를 향하게 하되, 상기 펄스는 질화 갈륨층에 레이저 에너지를 결합하여 상기 사파이어 기판의 제거를 유도하는 단계; 및
    상기 펄스를 생기게 하여 상기 사파이어 기판을 줄긋기 라인에 따라 컷하도록 줄긋기 패턴에 상기 사파이어 기판을 충돌시키는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨층를 구비한 사파이어 기판에 선긋기 위한 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102657008B1 (ko) * 2023-08-28 2024-04-12 주식회사 시스템알앤디 커브드빔을 이용한 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법

Families Citing this family (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US7723642B2 (en) * 1999-12-28 2010-05-25 Gsi Group Corporation Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers
US6281471B1 (en) 1999-12-28 2001-08-28 Gsi Lumonics, Inc. Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material
US7671295B2 (en) 2000-01-10 2010-03-02 Electro Scientific Industries, Inc. Processing a memory link with a set of at least two laser pulses
US6972268B2 (en) 2001-03-29 2005-12-06 Gsi Lumonics Corporation Methods and systems for processing a device, methods and systems for modeling same and the device
EP1633521B1 (en) * 2003-06-06 2012-04-11 Electro Scientific Industries, Inc. Laser machining using a surfactant film
EP1728271B1 (en) * 2004-03-26 2016-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Laser irradiation method and laser irradiation apparatus
US8525075B2 (en) * 2004-05-06 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US8304313B2 (en) * 2004-08-23 2012-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP2006123004A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Mitsubishi Materials Corp レーザ加工方法及びレーザ加工装置
CN100401537C (zh) * 2004-12-07 2008-07-09 深圳市方大国科光电技术有限公司 减少GaN层灼伤的GaN基LED芯片激光划片工艺
KR101284201B1 (ko) * 2005-05-02 2013-07-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레이저 조사 장치 및 레이저 조사 방법
JP2006319198A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
US7460287B2 (en) * 2005-05-17 2008-12-02 Symbol Technologies, Inc. Arrangement for and method of increasing pixel symmetry, especially for image projection arrangements
DE102005038027A1 (de) * 2005-08-06 2007-02-08 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zum Durchtrennen von spröden Flachmaterialien
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
DE102006042280A1 (de) 2005-09-08 2007-06-06 IMRA America, Inc., Ann Arbor Bearbeitung von transparentem Material mit einem Ultrakurzpuls-Laser
JP2007184426A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
KR100588459B1 (ko) 2006-03-20 2006-06-12 (주)큐엠씨 레이저 빔 전달 시스템 및 그 형성 방법
JP2007305646A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP4777830B2 (ja) * 2006-06-06 2011-09-21 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
CN102357738B (zh) * 2006-10-04 2015-04-15 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP5221031B2 (ja) * 2006-11-30 2013-06-26 住友電気工業株式会社 集光光学系及びレーザ加工装置
US8198565B2 (en) * 2007-04-11 2012-06-12 Chrysler Group Llc Laser-welding apparatus and method
DE102007024701A1 (de) * 2007-05-25 2008-11-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Materialabtragung sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US20080297912A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 Electro Scientific Industries, Inc., An Oregon Corporation Vario-astigmatic beam expander
JP2009032970A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
JP2009072789A (ja) * 2007-09-18 2009-04-09 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8124911B2 (en) * 2008-03-31 2012-02-28 Electro Scientific Industries, Inc. On-the-fly manipulation of spot size and cutting speed for real-time control of trench depth and width in laser operations
GB2460648A (en) * 2008-06-03 2009-12-09 M Solv Ltd Method and apparatus for laser focal spot size control
FR2934404B1 (fr) * 2008-07-24 2010-09-10 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'enregistrement de donnees graphiques sur un support.
IT1394891B1 (it) * 2008-07-25 2012-07-20 Matteo Baistrocchi Impianto di scribing laser per il trattamento superficiale di lamierini magnetici con spot a sezione ellittica
US9719302B2 (en) 2008-08-20 2017-08-01 Foro Energy, Inc. High power laser perforating and laser fracturing tools and methods of use
US9664012B2 (en) 2008-08-20 2017-05-30 Foro Energy, Inc. High power laser decomissioning of multistring and damaged wells
US9669492B2 (en) 2008-08-20 2017-06-06 Foro Energy, Inc. High power laser offshore decommissioning tool, system and methods of use
TW201017863A (en) * 2008-10-03 2010-05-01 Versitech Ltd Semiconductor color-tunable broadband light sources and full-color microdisplays
US20100140238A1 (en) * 2008-12-10 2010-06-10 Continental Disc Corporation Machining score lines in a rupture disc using laser machining
US20100147811A1 (en) * 2008-12-11 2010-06-17 Sobey Mark S Apparatus for laser scribing of dielectric-coated semiconductor wafers
JP5241527B2 (ja) * 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) * 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
KR101041137B1 (ko) * 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
KR20100107253A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
US8609512B2 (en) * 2009-03-27 2013-12-17 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser singulation of chip scale packages on glass substrates
JP2010274328A (ja) * 2009-04-30 2010-12-09 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US8216867B2 (en) * 2009-06-10 2012-07-10 Cree, Inc. Front end scribing of light emitting diode (LED) wafers and resulting devices
US9845652B2 (en) 2011-02-24 2017-12-19 Foro Energy, Inc. Reduced mechanical energy well control systems and methods of use
US7998838B2 (en) * 2009-11-30 2011-08-16 Esi-Pyrophotonics Lasers, Inc. Method and apparatus for scribing a line in a thin film using a series of laser pulses
US9669613B2 (en) 2010-12-07 2017-06-06 Ipg Photonics Corporation Laser lift off systems and methods that overlap irradiation zones to provide multiple pulses of laser irradiation per location at an interface between layers to be separated
TW201143947A (en) * 2009-12-07 2011-12-16 J P Sercel Associates Inc Laser machining and scribing systems and methods
US8986497B2 (en) 2009-12-07 2015-03-24 Ipg Photonics Corporation Laser lift off systems and methods
US20130256286A1 (en) * 2009-12-07 2013-10-03 Ipg Microsystems Llc Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths
US8173985B2 (en) * 2009-12-15 2012-05-08 Cymer, Inc. Beam transport system for extreme ultraviolet light source
KR20110114026A (ko) * 2010-04-12 2011-10-19 삼성전자주식회사 시편 제조 장치 및 방법
KR100984727B1 (ko) * 2010-04-30 2010-10-01 유병소 대상물 가공 방법 및 대상물 가공 장치
US8432944B2 (en) * 2010-06-25 2013-04-30 KLA-Technor Corporation Extending the lifetime of a deep UV laser in a wafer inspection tool
AU2011279374A1 (en) 2010-07-12 2013-02-07 Filaser Usa Llc Method of material processing by laser filamentation
US9187318B2 (en) * 2010-09-21 2015-11-17 Technical Institute of Physics and Chemistry of the Chinese Academy of Sciences Laser micro/nano processing system and method
JP5766423B2 (ja) * 2010-10-15 2015-08-19 三菱重工業株式会社 レーザ切断装置及びレーザ切断方法
FR2973118B1 (fr) * 2011-03-24 2013-08-23 Centre Nat Rech Scient Dispositif numerique et adaptatif de focalisation d'un faisceau laser
US8742288B2 (en) * 2011-06-15 2014-06-03 Asm Technology Singapore Pte Ltd Laser apparatus for singulation, and a method of singulation
DK2564975T3 (en) * 2011-09-05 2015-01-12 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Ges Mit Beschränkter Haftung Selection apparatus with a plurality of lasers and sets of deflecting agents that can be individually adjusted
DK2565994T3 (en) 2011-09-05 2014-03-10 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Laser device and method for marking an object
EP2564973B1 (en) * 2011-09-05 2014-12-10 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with a plurality of lasers and a combining deflection device
EP2564972B1 (en) * 2011-09-05 2015-08-26 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means and telescopic means for each laser beam
DK2565673T3 (da) 2011-09-05 2014-01-06 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Indretning og fremgangsmåde til markering af et objekt ved hjælp af en laserstråle
EP2565996B1 (en) 2011-09-05 2013-12-11 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laser device with a laser unit, and a fluid container for a cooling means of said laser unit
ES2544269T3 (es) * 2011-09-05 2015-08-28 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Aparato de marcado con una pluralidad de láseres de gas con tubos de resonancia y medios de deflexión ajustables individualmente
EP2564976B1 (en) 2011-09-05 2015-06-10 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with at least one gas laser and heat dissipator
US8598488B2 (en) 2011-12-23 2013-12-03 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for adjusting radiation spot size
US8969220B2 (en) 2012-01-13 2015-03-03 Imra America, Inc. Methods and systems for laser processing of coated substrates
US9444985B2 (en) * 2012-05-03 2016-09-13 Semiconductor Components Industries, Llc Reduced height camera modules
CN103567642B (zh) * 2012-08-08 2017-07-11 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 蓝宝石切割装置
WO2014113508A2 (en) 2013-01-15 2014-07-24 Microfabrica Inc. Methods of forming parts using laser machining
GB2509985A (en) * 2013-01-22 2014-07-23 M Solv Ltd Method of forming patterns on coatings on opposite sides of a transparent substrate
WO2014204535A1 (en) * 2013-03-15 2014-12-24 Foro Energy, Inc. High power laser fluid jets and beam paths using deuterium oxide
DE102013005136A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zurn Abtragen von sprödhartem Material mittels Laserstrahlung
JP6362130B2 (ja) * 2013-04-26 2018-07-25 ビアメカニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
WO2014194179A1 (en) * 2013-05-30 2014-12-04 Ipg Microsystems Llc Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths
KR101680416B1 (ko) * 2013-11-01 2016-12-12 주식회사 엘지화학 레이저를 이용한 양극 커팅 장치
US9399256B2 (en) 2014-06-20 2016-07-26 Velo3D, Inc. Apparatuses, systems and methods for three-dimensional printing
TWI576186B (zh) * 2014-08-20 2017-04-01 Lever focusing module for laser processing
GB2529453B (en) * 2014-08-20 2019-04-17 Datalase Ltd Label imaging and cutting
WO2016072891A1 (en) * 2014-11-04 2016-05-12 Vaur Ab Optical system for focusing a high energy laser
US9873628B1 (en) * 2014-12-02 2018-01-23 Coherent Kaiserslautern GmbH Filamentary cutting of brittle materials using a picosecond pulsed laser
CN104460052B (zh) * 2014-12-03 2017-05-10 西北核技术研究所 一种脉冲激光变焦辐照装置
TWI543834B (zh) 2015-04-24 2016-08-01 納諾股份有限公司 脆性物件切斷裝置及其切斷方法
US11420894B2 (en) 2015-04-24 2022-08-23 Nanoplus Ltd. Brittle object cutting apparatus and cutting method thereof
US10065270B2 (en) 2015-11-06 2018-09-04 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing in real time
US10286603B2 (en) 2015-12-10 2019-05-14 Velo3D, Inc. Skillful three-dimensional printing
CN105552029B (zh) * 2015-12-16 2018-05-25 新昌县鸿吉电子科技有限公司 Led芯片切割方法
WO2017143077A1 (en) 2016-02-18 2017-08-24 Velo3D, Inc. Accurate three-dimensional printing
US10549382B2 (en) 2016-05-04 2020-02-04 Purdue Research Foundation Laser-assisted micromachining systems and methods
CN105806239B (zh) * 2016-05-16 2018-07-24 北京控制工程研究所 一种激光扫描式星敏感器离焦量检测方法
EP3263316B1 (en) 2016-06-29 2019-02-13 VELO3D, Inc. Three-dimensional printing and three-dimensional printers
US11691343B2 (en) 2016-06-29 2023-07-04 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing and three-dimensional printers
US20180093418A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Velo3D, Inc. Three-dimensional objects and their formation
US20180126462A1 (en) 2016-11-07 2018-05-10 Velo3D, Inc. Gas flow in three-dimensional printing
WO2018106586A1 (en) * 2016-12-06 2018-06-14 Velo3D, Inc. Optics, detectors, and three-dimensional printing
JP7008710B2 (ja) * 2016-12-22 2022-01-25 マジック リープ， インコーポレイテッド レーザアブレーションを使用した成形ファイバ要素の製作のための方法およびシステム
US20180186080A1 (en) 2017-01-05 2018-07-05 Velo3D, Inc. Optics in three-dimensional printing
US20180250744A1 (en) 2017-03-02 2018-09-06 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing of three-dimensional objects
DE112018001247T5 (de) * 2017-03-09 2019-12-12 Mitsubishi Electric Corporation Wellenlängen kombinierende laservorrichtung
US20180281284A1 (en) 2017-03-28 2018-10-04 Velo3D, Inc. Material manipulation in three-dimensional printing
WO2019028082A1 (en) * 2017-07-31 2019-02-07 Ipg Photonics Corporation LASER APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING THIN FILMS
US10272525B1 (en) 2017-12-27 2019-04-30 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing systems and methods of their use
US10144176B1 (en) 2018-01-15 2018-12-04 Velo3D, Inc. Three-dimensional printing systems and methods of their use
CN108493764A (zh) * 2018-04-18 2018-09-04 西安必盛激光科技有限公司 激光输出功率稳定输出光斑可调装置及其激光器
CN110967802A (zh) * 2018-09-30 2020-04-07 上海铁路通信有限公司 一种大功率脉冲激光自适应变焦系统
CN109581673A (zh) * 2018-12-28 2019-04-05 中国电子科技集团公司第二十七研究所 一种线光斑激光远场聚焦发射天线
CN109693032A (zh) * 2019-02-27 2019-04-30 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光切割方法和装置
US11701739B2 (en) * 2019-04-12 2023-07-18 Skyworks Solutions, Inc. Method of optimizing laser cutting of wafers for producing integrated circuit dies
CN110328766B (zh) * 2019-07-18 2021-02-23 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种磷化铟晶片加工方法
CN110246403B (zh) * 2019-07-24 2021-06-18 哈尔滨工业大学（深圳） 一种电镜像散及消像散的演示装置及方法
CA3148849A1 (en) 2019-07-26 2021-02-04 Velo3D, Inc. Quality assurance in formation of three-dimensional objects
RU2725685C1 (ru) * 2019-08-27 2020-07-03 Общество с ограниченной ответственностью "НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "ИРЭ-Полюс" (ООО НТО "ИРЭ-Полюс") Перестраиваемый оптический формирователь масштабируемого плоского однородного лазерного пучка
CN112750716B (zh) * 2019-10-29 2022-12-30 成都辰显光电有限公司 微元件的剥离装置以及剥离方法
CN110988390B (zh) * 2019-12-26 2023-12-22 中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所 适用于piv测量的片光装置
CN115666667A (zh) * 2020-04-30 2023-01-31 金伯利-克拉克环球有限公司 两相吸收性复合材料
KR20220011848A (ko) * 2020-07-21 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN112025088B (zh) * 2020-08-06 2022-04-15 武汉华工激光工程有限责任公司 一种激光光束像散补偿方法及激光加工系统
CN112495941B (zh) * 2020-11-10 2022-06-21 江苏大学 一种远程激光清洗系统
WO2022205082A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Laser system for dicing semiconductor structure and operation method thereof
CN114488555B (zh) * 2022-03-31 2022-08-05 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 光束准直设备、方法、装置、存储介质和电子装置
DE102022133073A1 (de) 2022-12-13 2024-06-13 Trumpf Laser Ag Laserbearbeitungsanlage zur Bearbeitung eines Werkstücks mittels eines Ausgangslaserstrahls

Family Cites Families (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US33947A (en) * 1861-12-17 Improvement in machines for polishing the eyes of needles
US3629545A (en) 1967-12-19 1971-12-21 Western Electric Co Laser substrate parting
US3626141A (en) 1970-04-30 1971-12-07 Quantronix Corp Laser scribing apparatus
US3824678A (en) 1970-08-31 1974-07-23 North American Rockwell Process for laser scribing beam lead semiconductor wafers
US3699644A (en) 1971-01-04 1972-10-24 Sylvania Electric Prod Method of dividing wafers
US3816700A (en) 1971-10-21 1974-06-11 Union Carbide Corp Apparatus for facilitating laser scribing
US3814895A (en) 1971-12-27 1974-06-04 Electroglas Inc Laser scriber control system
US4043674A (en) * 1974-10-02 1977-08-23 Nasa Spatial filter for Q-switched lasers
US4046985A (en) 1974-11-25 1977-09-06 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer alignment apparatus
US3970819A (en) 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
US3983317A (en) * 1974-12-09 1976-09-28 Teletype Corporation Astigmatizer for laser recording and reproducing system
US4203651A (en) * 1976-08-02 1980-05-20 American Optical Corporation Optical apparatus for varying focal power along one principal meridian while maintaining constant focal power along the other principal meridian
NL7609815A (nl) 1976-09-03 1978-03-07 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
JPS54143659A (en) 1978-04-28 1979-11-09 Canon Inc Image forming optical system for semiconductor laser
US4237601A (en) 1978-10-13 1980-12-09 Exxon Research & Engineering Co. Method of cleaving semiconductor diode laser wafers
JPS55151351A (en) 1979-05-16 1980-11-25 Mitsubishi Electric Corp Cutting method of semiconductor chip
JPS566451A (en) 1979-06-27 1981-01-23 Mitsubishi Electric Corp Deviding method of semiconductor device
JPS576650A (en) 1980-06-12 1982-01-13 Kogyo Gijutsuin Medical calculus crushing apparatus
US4410237A (en) 1980-09-26 1983-10-18 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for shaping electromagnetic beams
US4336439A (en) 1980-10-02 1982-06-22 Coherent, Inc. Method and apparatus for laser scribing and cutting
US4433418A (en) * 1981-02-06 1984-02-21 Raytheon Company Off-axis astigmatic unstable laser resonator
JPS5844738A (ja) 1981-09-10 1983-03-15 Toshiba Corp サフアイヤ基板のスクライビング方法
JPS5844739A (ja) 1981-09-10 1983-03-15 Toshiba Corp サファイヤ基板のスクライビング方法
JPS5781985A (en) 1981-09-17 1982-05-22 Toshiba Corp Laser scribing method
JPS5868946A (ja) 1981-10-20 1983-04-25 Toshiba Corp レ−ザスクライビング方法
JPS5916344A (ja) 1982-07-19 1984-01-27 Toshiba Corp ウエハのレ−ザスクライブ装置
US4664739A (en) 1983-12-19 1987-05-12 Stauffer Chemical Company Removal of semiconductor wafers from dicing film
US4752922A (en) * 1984-07-06 1988-06-21 Storage Technology Partners 11 Optical disk recording and readout system having read, write and coarse light beams
US4562333A (en) 1984-09-04 1985-12-31 General Electric Company Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials
JPS61219535A (ja) 1985-03-26 1986-09-29 Toshiba Corp 打抜型の製造方法
JPS6384789A (ja) 1986-09-26 1988-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光加工方法
JPH07100234B2 (ja) 1987-01-14 1995-11-01 株式会社ダイヘン レーザービームによる合金鋼の切断方法
JPS63183885A (ja) 1987-01-26 1988-07-29 Nec Corp 半導体基板へのマ−キング方法
US4729971A (en) 1987-03-31 1988-03-08 Microwave Semiconductor Corporation Semiconductor wafer dicing techniques
JPS63273806A (ja) * 1987-05-01 1988-11-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レ−ザ加工用対物レンズ
JPS6434363A (en) * 1987-07-30 1989-02-03 Idemitsu Petrochemical Co Heating device
US4921564A (en) 1988-05-23 1990-05-01 Semiconductor Equipment Corp. Method and apparatus for removing circuit chips from wafer handling tape
GB8819351D0 (en) 1988-08-15 1988-09-14 Gersan Anstalt Making elongate cut using high energy radiation
FR2637151A1 (fr) 1988-09-29 1990-03-30 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de connexions electriques a travers un substrat
US4851371A (en) 1988-12-05 1989-07-25 Xerox Corporation Fabricating process for large array semiconductive devices
US4992393A (en) 1989-06-01 1991-02-12 Ricoh Company, Ltd. Method for producing semiconductor thin film by melt and recrystallization process
US5057664A (en) 1989-10-20 1991-10-15 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for laser processing a target material to provide a uniformly smooth, continuous trim profile
JP2712723B2 (ja) 1990-03-07 1998-02-16 松下電器産業株式会社 レーザ切断方法
US5385633A (en) 1990-03-29 1995-01-31 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for laser-assisted silicon etching using halocarbon ambients
JPH07120646B2 (ja) 1990-05-16 1995-12-20 株式会社東芝 メサ型半導体ペレットの製造方法
US5214261A (en) 1990-09-10 1993-05-25 Rockwell International Corporation Method and apparatus for dicing semiconductor substrates using an excimer laser beam
US5151389A (en) 1990-09-10 1992-09-29 Rockwell International Corporation Method for dicing semiconductor substrates using an excimer laser beam
JPH04167987A (ja) * 1990-10-31 1992-06-16 Kobe Steel Ltd レーザ溶接装置
JPH04167989A (ja) * 1990-10-31 1992-06-16 Kobe Steel Ltd ２ビームレーザ溶接法
US5075201A (en) 1990-10-31 1991-12-24 Grumman Aerospace Corporation Method for aligning high density infrared detector arrays
US5181224A (en) * 1991-05-10 1993-01-19 University Of California Microoptic lenses
JPH05211381A (ja) 1991-11-12 1993-08-20 Nec Corp 混成集積回路の製造方法
JPH05257080A (ja) * 1992-12-10 1993-10-08 Canon Inc 半導体レーザ光学装置
AU4660293A (en) * 1992-12-23 1994-07-19 Bausch & Lomb Incorporated Method of shaping laser beam
US5463200A (en) 1993-02-11 1995-10-31 Lumonics Inc. Marking of a workpiece by light energy
EP0613765B1 (de) 1993-03-02 1999-12-15 CeramTec AG Innovative Ceramic Engineering Verfahren zum Herstellen von unterteilbaren Platten aus sprödem Material mit hoher Genauigkeit
US5387776A (en) 1993-05-11 1995-02-07 General Electric Company Method of separation of pieces from super hard material by partial laser cut and pressure cleavage
US5632083A (en) 1993-08-05 1997-05-27 Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Lead frame fabricating method and lead frame fabricating apparatus
US5552345A (en) 1993-09-22 1996-09-03 Harris Corporation Die separation method for silicon on diamond circuit structures
JP3278277B2 (ja) * 1994-01-26 2002-04-30 キヤノン株式会社 投影露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
US5611946A (en) 1994-02-18 1997-03-18 New Wave Research Multi-wavelength laser system, probe station and laser cutter system using the same
DE4407756A1 (de) * 1994-03-08 1995-09-14 Mnogotrasslevoe N Proizv Ob Ed Verfahren zum Gaslaserschneiden und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JPH07308788A (ja) 1994-05-16 1995-11-28 Sanyo Electric Co Ltd 光加工法及び光起電力装置の製造方法
US5841099A (en) * 1994-07-18 1998-11-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method employing UV laser pulses of varied energy density to form depthwise self-limiting blind vias in multilayered targets
JPH0888201A (ja) 1994-09-16 1996-04-02 Toyoda Gosei Co Ltd サファイアを基板とする半導体素子
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
JPH08108289A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工用光学装置
US5543365A (en) 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
JP3557011B2 (ja) 1995-03-30 2004-08-25 株式会社東芝 半導体発光素子、及びその製造方法
US5801356A (en) 1995-08-16 1998-09-01 Santa Barbara Research Center Laser scribing on glass using Nd:YAG laser
US6057525A (en) 1995-09-05 2000-05-02 United States Enrichment Corporation Method and apparatus for precision laser micromachining
US5641416A (en) 1995-10-25 1997-06-24 Micron Display Technology, Inc. Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies
JPH09172223A (ja) 1995-12-19 1997-06-30 Sony Corp 半導体装置と半導体装置の製造方法
WO1997029509A1 (en) * 1996-02-09 1997-08-14 Philips Electronics N.V. Laser separation of semiconductor elements formed in a wafer of semiconductor material
US5872046A (en) 1996-04-10 1999-02-16 Texas Instruments Incorporated Method of cleaning wafer after partial saw
KR100219605B1 (ko) * 1996-06-15 1999-09-01 윤종용 광픽업장치
JPH1027971A (ja) 1996-07-10 1998-01-27 Nec Corp 有機薄膜多層配線基板の切断方法
US5837962A (en) * 1996-07-15 1998-11-17 Overbeck; James W. Faster laser marker employing acousto-optic deflection
JPH1064854A (ja) 1996-07-18 1998-03-06 Hewlett Packard Co <Hp> ウェーハのカット方法
JPH1034363A (ja) 1996-07-25 1998-02-10 Souei Tsusho Kk 帯状熱源による脆性材料の割断加工方法
US5864430A (en) 1996-09-10 1999-01-26 Sandia Corporation Gaussian beam profile shaping apparatus, method therefor and evaluation thereof
EP0861155B1 (en) 1996-09-19 2000-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of producing a patterned surfacial marking on a transparent body
US5809987A (en) 1996-11-26 1998-09-22 Micron Technology,Inc. Apparatus for reducing damage to wafer cutting blades during wafer dicing
GB2320615B (en) 1996-12-19 2001-06-20 Lintec Corp Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process
US5994205A (en) 1997-02-03 1999-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of separating semiconductor devices
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JPH10296475A (ja) 1997-04-24 1998-11-10 Fuji Electric Co Ltd レーザ加工機
JPH114352A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Canon Inc 画像処理方法および装置および記録媒体
US5961852A (en) 1997-09-09 1999-10-05 Optical Coating Laboratory, Inc. Laser scribe and break process
JP3449201B2 (ja) 1997-11-28 2003-09-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JP3532100B2 (ja) 1997-12-03 2004-05-31 日本碍子株式会社 レーザ割断方法
JP3123500B2 (ja) * 1998-03-12 2001-01-09 日本電気株式会社 光ディスク装置
US6140151A (en) 1998-05-22 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor wafer processing method
JP3319585B2 (ja) 1998-06-16 2002-09-03 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
KR100283415B1 (ko) 1998-07-29 2001-06-01 구자홍 레이저를이용한투명매질의가공방법및장치
US6413839B1 (en) * 1998-10-23 2002-07-02 Emcore Corporation Semiconductor device separation using a patterned laser projection
KR100338983B1 (ko) 1998-11-30 2002-07-18 윤종용 웨이퍼분리도구및이를이용하는웨이퍼분리방법
JP2000196186A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Fuji Electric Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物レ―ザダイオ―ドおよびその製造方法
US6744800B1 (en) 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
JP3728124B2 (ja) 1999-01-07 2005-12-21 ペンタックス株式会社 ビーム形状補正光学系および描画装置
US6341029B1 (en) 1999-04-27 2002-01-22 Gsi Lumonics, Inc. Method and apparatus for shaping a laser-beam intensity profile by dithering
TW482705B (en) * 1999-05-28 2002-04-11 Electro Scient Ind Inc Beam shaping and projection imaging with solid state UV Gaussian beam to form blind vias
JP4112745B2 (ja) 1999-06-02 2008-07-02 松下電器産業株式会社 レーザーラインパターンニング方法
WO2000075983A1 (en) 1999-06-08 2000-12-14 Kulicke & Soffa Investments, Inc. A method for dicing wafers with laser scribing
US6420245B1 (en) 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
US6555447B2 (en) * 1999-06-08 2003-04-29 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for laser scribing of wafers
US6472295B1 (en) 1999-08-27 2002-10-29 Jmar Research, Inc. Method and apparatus for laser ablation of a target material
JP2001138076A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Nec Corp 半導体ウェハのレーザマーキング方法及びそれに用いられる装置
US6301059B1 (en) * 2000-01-07 2001-10-09 Lucent Technologies Inc. Astigmatic compensation for an anamorphic optical system
US6509546B1 (en) 2000-03-15 2003-01-21 International Business Machines Corporation Laser excision of laminate chip carriers
JP2001267555A (ja) 2000-03-22 2001-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3676202B2 (ja) 2000-07-13 2005-07-27 三菱重工業株式会社 光起電力装置の製造方法
US6676878B2 (en) * 2001-01-31 2004-01-13 Electro Scientific Industries, Inc. Laser segmented cutting
US7157038B2 (en) 2000-09-20 2007-01-02 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser ablative patterning of microstructures in semiconductors
EP1341991A4 (en) 2000-11-17 2007-05-30 Emcore Corp LASER ISOLATED CHIP WITH TAPPED SIDE WALLS TO IMPROVE LIGHTING OUTPUT
FR2821776B1 (fr) * 2001-03-09 2004-12-03 Air Liquide Procede et installation de coupage laser avec optique a brifocales et gaz d'assistance a base d'hydrogene
US6972268B2 (en) 2001-03-29 2005-12-06 Gsi Lumonics Corporation Methods and systems for processing a device, methods and systems for modeling same and the device
JP2002313914A (ja) 2001-04-18 2002-10-25 Sony Corp 配線形成方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2002341525A (ja) * 2001-05-14 2002-11-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト転写材料およびそれを用いた基板表面の加工方法
JP2003017790A (ja) 2001-07-03 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物系半導体素子及び製造方法
JP2003037085A (ja) * 2001-07-06 2003-02-07 Data Storage Inst レーザ照射を用いた基板切断方法および装置
WO2003028943A1 (en) 2001-10-03 2003-04-10 Lambda Physik Application Center, L.L.C. Method and apparatus for fine liquid spray assisted laser material processing
JP4555568B2 (ja) * 2001-11-09 2010-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ処理装置、レーザ処理方法および薄膜トランジスタの作製方法
US6580054B1 (en) * 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
KR100588459B1 (ko) 2006-03-20 2006-06-12 (주)큐엠씨 레이저 빔 전달 시스템 및 그 형성 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102657008B1 (ko) * 2023-08-28 2024-04-12 주식회사 시스템알앤디 커브드빔을 이용한 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법

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