KR20050109994A - 나노스케일 인듐 주석 혼합 산화물 분말 - Google Patents

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Abstract

90 내지 98 중량%의 인듐 산화물의 비율 및 40 내지 120 m2/g의 BET 표면적을 갖는 인듐 및 주석을 함유하며, 500 nm 미만의 평균 원주를 갖는 응집체의 형태인 혼합 산화물 분말은 95 % 이상의 인듐 산화물 상으로 이루어지고, In2O3 및 SnO2로부터 이론적으로 생성되는 함량보다 더 낮은 산소 함량을 나타낸다. 이것은 인듐 화합물 용액을 주석 화합물 용액과 혼합하고, 이 용액의 혼합물을 분무하고, 반응기의 제1 구역에서 분무된 용액의 혼합물을 열분해하고, 열분해 후, 반응기의 제2 구역에서, 환원 대기 전체가 제2 구역에서 형성되도록 하는 양으로 하나 이상의 지점에서 열분해된 혼합물에 환원 기체를 첨가하고, 환원 대기가 여전히 마찬가지로 우세한 추가의 제3 구역에서 수득한 고체를 폐기체로부터 분리하여 제조된다. 이것은 투명한 전기 전도성 도료 및 코팅의 제조를 위해 사용될 수 있다.

Description

나노스케일 인듐 주석 혼합 산화물 분말{NANOSCALE INDIUM TIN MIXED OXIDE POWDER}
본 발명은 인듐 주석 산화물 분말, 그의 제조 및 용도를 제공한다.
인듐 주석 산화물 분말은 일반적으로 알칼리 물질의 존재하에 인듐 및 주석의 수용성 염을 반응시켜 수용액으로부터 수득된다.
이것은 초기에 수산화물을 생성하며, 후속하는 단계에서 하소될 수 있다. 예를 들어, DE-A-100 22 037호는 15 내지 120분, 바람직하게는 60분의 잔류 시간 동안 200 내지 400 ℃, 바람직하게는 250 ℃의 온도에서 환원 조건하에서의 이들 수산화물의 하소를 기술한다. DE-A-100 22 037호의 실시태양에서 이러한 방식으로 제조된 인듐 주석 산화물 분말은 암갈색이다.
이러한 분말은 IR 흡수 조성물의 제조에 적당할 수 있다. 그러나, 전기 전도성 도료 및 코팅에 사용하기에는 저항성이 너무 크다. 더욱이, 인듐 주석 산화물 분말의 많은 적용 분야에서 갈색 착색은 바람직하지 않다.
EP-A-1 142 830호는 유기금속 전구체의 열분해에 의한 나노스케일 산화물의 제조를 기술한다. 이들 조건하의 인듐 및 주석 전구체의 반응이 또한 청구된다.
그러나, 이 문헌은 어떻게 전기 전도성 인듐 주석 산화물이 수득될 수 있는 지에 대하여는 언급이 없다. 시험은 우수한 전기 전도도를 갖는 인듐 주석 산화물이 EP-A-1 142 830호에 기술된 방법에 의해 수득될 수 없다는 것을 나타낸다.
EP-A-1 270 511호는 인듐 및 주석 염의 열분해에 의해 수득된 인듐 주석 혼합 산화물 분말 및 도핑된 인듐 주석 혼합 산화물 분말을 기술한다. 이 방식으로 제조된 분말의 X-선 구조 분석은 입방체 인듐 산화물 및 정방정계 주석 산화물을 나타낸다. 이들 분말의 전도도는 전기 전도성 도료 및 코팅 분야에서의 많은 적용을 위해서는 너무 낮다.
본 발명의 목적은 선행 기술에 비해 상승된 전기 전도도를 갖는 인듐 주석 혼합 산화물 분말을 제공하는 것이다. 적용시 분말은 또한 높은 투명성을 나타내며 노란빛을 띠거나 갈색을 띤 착색이 야기되지 않는다.
본 발명의 목적은,
- In2O3로 계산하여 90 내지 98 중량%, 바람직하게는 90 내지 95 중량%의 인듐의 비율을 나타내고,
- 40 내지 120 m2/g의 BET 표면적을 나타내고,
- 500 nm 미만의 평균 원주를 갖는 응집체의 형태이고,
- X-선 회절 분석에서 입방체 인듐 산화물의 한 상만을 나타내고,
- In2O3 및 SnO2에서 이론적으로 생성되는 함량보다 더 낮은 산소 함량을 나타내는 것을 특징으로 하는, 인듐 및 주석을 함유하는 혼합 산화물 분말에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 혼합 산화물 분말에서, 인듐의 비율은 In2O3로 계산하여 90 내지 98 중량% 이다. 90 중량% 미만 또는 98 중량% 초과의 값에서 감소된 전기 전도도가 얻어진다. 바람직한 실시태양에서 인듐 함량은 92 내지 95 중량%이고, 특히 바람직한 실시태양은 93 내지 94 중량%이다.
BET 표면적은 DIN 66131에 따라 측정된다. 본 발명에 따른 혼합 산화물 분말에서, 이는 40 내지 120 m2/g이다. 기술적인 이유로, 120 m2/g을 초과하는 표면적은 제조하기가 어렵다. 40 m2/g 미만의 비표면적을 갖는 혼합 산화물 분말은 적용시 낮은 투과도 및/또는 바람직하지 않은 노란색 또는 갈색 변색이 초래된다. 특정 실시태양에서, 혼합 산화물 분말은 60 내지 100 m2/g의 BET 표면적을 나타낼 수 있으며, 70 내지 90 m2/g의 값은 얻을 수 있는 전기 전도도에 대하여 특히 바람직하다.
본 발명에 따른 혼합 산화물 분말은 1차 입자의 응집체의 형태이다. 가능한 높은 투명도를 얻기 위해, 응집체는 500 nm 미만의 평균 원주를 나타낸다. 응집체 크기는 바람직하게는 300 nm 미만의 값을 나타낼 수 있다.
본 발명에 따른 분말의 X-선 회절 분석은 오로지 단일 상, 즉 입방체 인듐 산화물을 나타낸다. 주석 산화물 상은 검출될 수 없다.
본 발명에 따른 혼합 산화물 분말의 산소 함량은 In2O3 및 SnO2로부터 이론적으로 생성되는 함량보다 더 낮다. 95 중량% In2O3 및 5 중량% SnO2로 구성된 혼합 산화물 분말을 기준으로, 예컨대, 이론적인 산소 함량은 17.40 중량%이다. In2O3 로 계산하여 90 내지 98 중량%의 인듐의 비율에 대한 구체화된 한계 내에서, 이론적인 산소 함량은 17.51 중량% 내지 17.33 중량%이다.
이제 본 발명에 따른 분말은 이론값보다 아래인 산소 함량을 나타낸다. 따라서, 본 발명에 따른 혼합 산화물 분말은 산소 함량에 의존하여 적용시 특히 우수한 투명성 및 색을 나타낸다.
바람직한 실시태양에서, 산소 함량은 이론값보다 아래로 0.5 내지 1 중량%일 수 있다.
본 발명에 따른 혼합 산화물 분말은 In2O3에 대하여 3 중량% 이하, 특히 바람직하게는 0.01 내지 1 중량%의 하나 이상의 도핑 물질을 금속 및/또는 산화물의 형태로 사용하여 도핑될 수 있다.
적당한 도핑 물질은 알루미늄, 안티몬, 카드뮴, 칼슘, 세륨, 철, 금, 이리듐, 칼륨, 코발트, 구리, 마그네슘, 나트륨, 니켈, 망간, 팔라듐, 백금, 오스뮴, 로듐, 루테늄, 탄탈, 티탄, 은, 규소, 바나듐, 이트륨, 텅스텐, 아연 및 지르코늄을 포함하는 군으로부터의 산화물 및/또는 원소 금속이다. 칼륨, 백금 또는 금을 사용한 도핑이 특히 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시태양에서, 혼합 산화물 분말은 L = +40 내지 +55; a = -6.2 내지 -8.5; b = -1 내지 -12의 CIE-L*a*b* 값을 나타낸다. CIE-L*a*b* 는 색이 삼차원에 의해 특이적으로 기술된 색공간을 기술한다.
추가의 실시태양에서, 본 발명에 따른 혼합 산화물 분말은 0.6 g·cm-3의 압축 밀도에서 400 Ω·cm 미만의 고유 저항(specific resistance)을 나타낼 수 있다. 0.6 g·cm-3의 압축 밀도에서 100 내지 150 Ω·cm 값이 특히 바람직할 수 있다.
본 발명은 또한,
- 인듐 화합물 용액을 주석 화합물 용액과 혼합하고, 임의로 하나 이상의 도핑 성분의 화합물의 용액을 첨가하고,
- 상기 용액의 혼합물을 분무하고,
- 분무된 용액의 혼합물을 반응기의 제1 구역에서 열분해하고,
- 열 분해후, 반응기의 제2 구역에서, 환원 대기 전체가 제2 구역에서 형성되도록 하는 양으로 하나 이상의 지점에서 열분해된 혼합물에 환원 기체를 첨가하고,
- 환원 대기가 여전히 마찬가지로 우세한 추가의 제3 구역에서, 수득된 고체를 폐기체로부터 분리하는 것을 특징으로 하는, 본 발명에 따른 혼합 산화물 분말의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 취지 내에서 용액은 액체 상이 수성, 수성/유기 또는 유기 용액인 것으로 이해된다. 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소-프로판올, n-부탄올 또는 이소-부탄올 또는 t-부탄올과 같은 알콜이 바람직한 유기 용매로서 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 방법은 3개의 언급된 변형물의 사용을 허용한다. 이 방식에서, 다수의 인듐 및 주석 화합물 및 임의의 도핑 물질이 사용될 수 있다.
적당한 인듐 및 주석 화합물은 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸 또는 t-부틸과 같은 알킬 라디칼, 또는 대응하는 알콕시 변형물을 갖는 유기 금속 화합물일 수 있다.
인듐 또는 주석의 염, 임의로 도핑 물질의 염 또한 할로겐화물 또는 질산염 형태로 사용될 수 있다.
염화인듐 및 염화주석의 사용은 특히 경제적이다.
본 발명의 범위내의 도핑 물질은 도핑용 물질, 예를 들어 염이다. 도핑 성분은 본 발명에 따른 방법을 사용하여 도핑 물질로부터 유도된 혼합 산화물 분말에서 금속 또는 금속 산화물이다.
용액은 초음파 분무(ultrasonic nebulisation)에 의해 및 2-유체 노즐(two-fluid nozzle)의 사용에 의해 분무될 수 있다.
본 발명의 취지 내의 열분해는 인듐 및 주석 화합물과 임의로 도핑 물질이 혼합 산화물로 전환되는 것으로 이해된다. 열분해는 산소 함유 기체, 일반적으로 공기 및 연료 기체를 포함하는 불꽃에서 일어난다. 연료 기체는 예컨대, 수소, 메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 천연 가스일 수 있다.
제1 구역 내에서의 잔류 시간은 바람직하게는 0.8 내지 1.5초, 특히 바람직하게는 1 내지 1.2초일 수 있다.
혼합 산화물 이외에, 열분해된 혼합물 역시 기체 반응 생성물 및 미반응된 기체 공급 물질을 포함할 수 있다. 기체 반응 생성물은 예를 들어, 이산화탄소 또는 염화수소일 수 있다.
본 발명에 따라, 열분해된 혼합물은 환원 기체와 혼합된다. 이것은 예를 들어, 성형 기체(forming gas), 수소, 일산화탄소, 암모니아 또는 언급된 기체의 혼합물일 수 있으며, 성형 기체가 특히 바람직하다. 본 발명에 따른 방법에서, 이러한 환원 기체는 환원 대기가 확립되도록 하는 양으로 열분해된 혼합물에 첨가된다.
본 발명의 취지 내의 환원 대기는 람다값이 1 미만인 것으로 이해된다.
수소, 공기 및 성형 기체(80:20 N2/H2)가 사용된다면, 예를 들어 환원 구역 II 및 III에서 람다값은 각 경우 단위 시간당 기체 공급량에 대하여 하기 식에 따라 측정된다.
0.21·(공기 + 분무용 공기) / 0.5·(수소 + 0.2·성형 기체)
열분해가 일어나는 구역 I에 대하여, 람다값은 1 초과이다. 수소 및 공기가 사용된다면, 구역 I에서 람다값은 하기 식에 따라 측정된다.
0.21·(공기 + 분무용 공기) / 0.5·수소
바람직한 실시태양에서 제2 및 제3 구역에서 잔류 시간의 합은 15초 내지 15분일 수 있다.
3개의 구역에서 잔류 시간을 변화시킴에 의해 본 발명에 따른 분말의 물리-화학 성질은 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 제2 및/또는 제3 구역에서 잔류 시간의 연장은 분말의 색을 결정할 수 있다. 제1 구역에서 잔류 시간의 변화는 예를 들어, BET 표면적에 영향을 줄 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 수행하기 위한 개요적인 구조를 나타낸다. I, II 및 III은 3개의 반응 구역을 나타낸다. 이밖에, 1 = 인듐 및 주석 화합물, 임의로 추가의 도핑 물질 또는 도핑 물질들의 분무 용액; 2 = 산소 함유 기체, 바람직하게는 공기; 3 = 연료 기체, 바람직하게는 수소; 4 = 환원 기체; 5 = 폐기체; 6 = 본 발명에 따른 분말이다.
또한, 본 발명은 투명한 전기 전도성 도료 및 코팅, 태양 전지 및 UV 흡수제의 제조, 및 의용공학에서 사용되는 본 발명에 따른 혼합 산화물 분말의 용도를 제공한다.
BET 표면적은 DIN 66131에 따라 측정되었다. 평균 응집체 원주는 TEM 상의 값에 의해 측정되었다. TEM 상은 히다찌 TEM 장치, 모델 H-75000-2로 얻어지며, TEM 장치 상에 CCD 카메라를 사용하여 측정한 후 상을 분석하였다.
분말의 고유 전기 저항은 압축 밀도의 함수로써 실온 및 40% 상대 습도에서 측정되었다. 그것이 끝난 후, 샘플은 두 이동 전극 사이에 위치시키고 직류의 적용후 전류 흐름이 계산되었다. 분말의 밀도는 그 후 전극 사이의 거리를 감소시킴으로써 서서히 증가시키고 저항을 다시 측정하였다. 측정은 DIN IEC 93에 따라 수행된다. 최소 고유 저항은 물질 의존 최대 압축 밀도에서 얻었다.
분말의 산소 함량은 로즈 마운트(Rose Mount)에서 공급된 NOA5003 원소 측정기(Element Determinator)를 사용하여 측정되었다.
L*a*b* 값은 브루노 레인지 박사(Dr. Bruno Lange)로부터의 마이크로컬러 2 장치, 모델 번호 NMG 141을 사용하여 측정되었다.
실시예 1:
88.9 g/l의 염화인듐(III) 및 8.4 g/l의 염화주석(IV)을 함유하는 수용액을 압축 공기 및 노즐(직경 0.8 mm)을 사용하여 1500 ml/h의 송출량에서 반응 관으로 분무시켰다. 5 m3/h 수소 및 15 m3/h 공기를 포함하는 산수소 불꽃은 여기에서 발화시켰다. 불꽃 아래 0.5 m에서의 온도는 750 ℃였다. 불꽃 아래 2.5 m에서, 10 m3/h 성형 기체를 공급하며, 승인점(admission point) 위의 온도는 대략 450 ℃였다. 반응 혼합물을 14초 내에 길이 2 m에서 측정한 잔류 시간 섹션을 통해 통과시켰다. 그 후 여과기에 의해 기체 물질로부터 고체를 분리하고 250 ℃의 온도에서 15분 동안 성형 기체의 연속 공급으로 처리하였다.
실시예 2 내지 6은 실시예 1에 따라 수행되었다.
실시예 4 내지 6은 염화인듐(III) 및 염화주석(IV)을 함유하는 수용액 내에서 열분해 단계로 공급되는 도핑 성분을 추가로 함유한다. 사용된 양은 표 1에 재현되어 있다.
실시예 7 내지 9는 비교예이다. 실시예 7 및 8은 성형 기체를 공급하지 않는다는 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일 방식으로 수행되었다. 사용된 양은 표 1에 재현되어 있다.
실시예 9: 140 g의 염화인듐(III) (0.63 몰, 무수), 18 g의 염화주석(IV)·5 H2O를 1400 ml의 물에 도입하고 교반하였다. 투명 용액이 형성된 후, 50 ℃로 가열하고 105 ml 수산화암모늄 용액(25%)을 격렬하게 교반하면서 적가하였다. 현탁액을 50 ℃에서 24 시간 동안 더 교반하였다. 추가의 280 ml 수산화암모늄 용액을 그 후 혼합물에 첨가하여 침전을 완결하였다. 백색 석출물이 형성되고 이것을 원심분리로 제거하였다. 분말은 그 후 분말의 담황색 착색이 감지될 때까지 190 ℃에서 진공하에 건조시켰다. 그 후, 건조 분말을 250 ℃에서 모르타르에서 미세하게 분쇄하고 60분간 성형 기체 대기하에서 유지하였다.
실시예 1 내지 9로부터의 분말에 대한 물리-화학 자료는 표 2에 재현되어 있다.
실시예 1 내지 6으로부터의 본 발명에 따른 분말은 단지 X-선 회절도에서 입방체 인듐 산화물로부터의 신호, TEM 상에서의 응집체 구조를 나타내고, 45 내지 80 m2/g의 BET 표면적 및 16 내지 17 %의 산소 함량을 나타낸다.
공정 조건의 영향은 실시예 1에서의 본 발명에 따른 분말 및 비교예 7에서의 분말에서 특히 명백해진다. 예컨대, 조성물에 대해, BET 표면적 및 X-선 회절 분석은 동일한 값을 전달하는 반면, 본 발명에 따른 분말은 실시예 7에서의 노란색 대신에 다른 색채인 청색이며 실질적으로 더 낮은 전기 저항을 나타낸다.
X-선 회절 분석에서, 침전에 의해 수득된 실시예 9에서의 분말은 인듐 산화물 및 정방정계 아연 산화물로부터의 신호를 나타낸다. 0.6 g/cm3의 압축 밀도에서 고유 저항은 실시예 1 내지 6에서의 본 발명에 따른 분말에서보다 실질적으로 더 높다.
도 2는 실시예 1에서의 그의 응집된 구조를 갖는 혼합 산화물 분말의 TEM 상을 나타낸다.
도 3a는 실시예 1에서의 본 발명에 따른 분말의 XRD 상을 나타내고, 도 3b는 실시예 8 (비교예)에서의 분말의 XRD 상을 나타낸다. 도 3a에서, 인듐 산화물로부터의 신호는 또한 도 3b에서 인듐 산화물 및 주석 산화물로부터의 신호의 비교를 위해 나타낸다. 가장 강한 주석 산화물 신호는 x로 표시된다.
실시예 1 내지 7에서의 사용량 및 설정
실시예 1 2 3 4 5 6 7 8
In/Sn/도핑 물질a) 94/6/- 93/7/- 92/8/- 93/6/1c) 94/5/1d) 94.5/5/0.5e) 94/6/- 88/12/-
처리량 g/h 1500 1600 1400 1550 1500 1500 1550 1500
H2O 중의 농도 중량% 5 4.5 5 5 5 5 5.5 6
수소 m3/h 5 5 5 5 5 5 4.5 4.5
공기 m3/h 9 8.8 10 10 10 9 8 8
분무용 공기 m3/h 4 4 5 5 5 4 4 4
성형 기체b) m3/h 10 10 10 10 10 10 0 0
람다 구역 I 1.09 1.05 1.26 1.26 1.26 1.12 1.09 1.12
람다 구역(II+III) 0.78 0.75 0.90 0.90 0.90 0.78 1.09 1.12
a) 모든 염화물; b) 80:20 N2/H2; 도핑 물질: c) KCl; d)H2PtCl6; e)HAuCl4
실시예 1 내지 9에서 분말에 대한 물리-화학 자료
실시예 1 2 3 4 5 6 7 8 9
In2O3/SnO2의 비율 % 94/6 93/7 92/8 93/6 93/5 94.5/5 94/6 94/6
BET 표면적 m2/g 53 80 64 48 45 64 53 62 60
평균 응집체 직경 nm 294 190 - 264 - - 333 - -
In2O3에대한 XRD상SnO2에대한 XRD상 입방체- 입방체- 입방체- 입방체- 입방체 - 입방체 - 입방체- 입방체 정방정계 입방체 직교
이론 산소 실측치 % 17.4116.8 17.4416.5 17.47 17.0 17.4416.5 17.4416.2 17.42 17.0 17.4117.5 17.42 -
0.6 g/cm3에서 고유 저항 Ω*cm 111 398 1710 326 362 133 19266 14200 783000
최소 고유 저항 Ω*cm 4 28 118 326 127 8 758 14200 35
가시 색 임프레션 청색 청색 청색 청색 흑녹색 보라색 노란색 노란색 청색
L*a*b* 색채 L* 51.27 51.05 53.71 52.43 40.67 52.45 82.94 85.05 50.01
a* -8.03 -7.62 -6.49 -8.06 5.37 8.06 -3.66 -1.76 -7.99
b* -7.46 -3.23 -8.21 -3.74 0.16 0.2 23.88 22.31 -7.51

Claims (11)

  1. - In2O3로 계산하여 90 내지 98 중량%의 인듐의 비율을 나타내고,
    - 40 내지 120 m2/g의 BET 표면적을 나타내고,
    - 500 nm 미만의 평균 원주를 갖는 응집체의 형태이고,
    - X-선 회절 분석에서 입방체 인듐 산화물의 한 상만을 나타내고,
    - In2O3 및 SnO2에서 이론적으로 생성되는 함량보다 더 낮은 산소 함량을 나타내는 것을 특징으로 하는, 인듐 및 주석을 함유하는 혼합 산화물 분말.
  2. 제1항에 있어서, In2O3에 대하여 3 중량% 이하의 하나 이상의 도핑 물질을 금속 및/또는 산화물의 형태로 사용하여 도핑되는 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물 분말.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, L = +40 내지 +55; a = -6.2 내지 -8.5; b = -1 내지 -12의 CIE-L*a*b* 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물 분말.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 0.6 g·cm-3의 압축 밀도에서 400 Ω·cm 미만의 고유 저항을 나타내는 것을 특징으로 하는 인듐 주석 산화물 분말.
  5. - 인듐 화합물 용액을 주석 화합물 용액과 혼합하고, 임의로 하나 이상의 도핑 성분의 화합물의 용액을 첨가하고,
    - 상기 용액의 혼합물을 분무하고,
    - 분무된 용액의 혼합물을 반응기의 제1 구역에서 열분해하고,
    - 열 분해후, 반응기의 제2 구역에서, 환원 대기 전체가 제2 구역에서 형성되도록 하는 양으로 하나 이상의 지점에서 열분해된 혼합물에 환원 기체를 첨가하고,
    - 환원 대기가 여전히 마찬가지로 우세한 추가의 제3 구역에서, 수득된 고체를 폐기체로부터 분리하는 것을 특징으로 하는, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 인듐 주석 산화물 분말의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 용액이 수성 또는 수성/유기 또는 유기임을 특징으로 하는 방법.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 인듐 및 주석 화합물, 임의로 도핑 물질이 유기금속 화합물 또는 염인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 성형 기체, 일산화탄소, 수소, 암모니아 또는 이들 기체의 혼합물이 환원 기체로서 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 구역 내에서의 잔류 시간이 0.8 내지 1.5초인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 및 제3 구역에서 잔류 시간의 합이 15초 내지 15분인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 투명한 전기 전도성 도료 및 코팅, 태양 전지 및 UV 흡수제의 제조, 및 의용공학에서의 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 인듐 주석 산화물 분말의 용도.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100836627B1 (ko) * 2007-01-08 2008-06-10 한양대학교 산학협력단 전기방사법을 이용한 인듐 주석 산화물 나노섬유의 제조방법

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10118346A1 (de) * 2001-04-12 2002-10-17 Creavis Tech & Innovation Gmbh Textile Flächengebilde mit selbstreinigender und wasserabweisender Oberfläche
DE10210674A1 (de) * 2002-03-12 2003-10-02 Creavis Tech & Innovation Gmbh Flächenextrudate mit selbstreinigenden Eigenschaften und Verfahren zur Herstellung solcher Extrudate
DE10210673A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Creavis Tech & Innovation Gmbh Spritzgusskörper mit selbstreinigenden Eigenschaften und Verfahren zur Herstellung solcher Spritzgusskörper
DE10210666A1 (de) * 2002-03-12 2003-10-02 Creavis Tech & Innovation Gmbh Formgebungsverfahren zur Herstellung von Formkörpern mit zumindest einer Oberfläche, die selbstreinigende Eigenschaften aufweist sowie mit diesem Verfahren hergestellte Formkörper
DE10210671A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Creavis Tech & Innovation Gmbh Entformungsmittel, welches hydrophobe, nanoskalige Partikel aufweist sowie Verwendung dieser Entformungsmittel
DE10210668A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Creavis Tech & Innovation Gmbh Vorrichtung, hergestellt durch Spritzgussverfahren, zur Aufbewahrung von Flüssigkeiten und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung
DE10231757A1 (de) * 2002-07-13 2004-01-22 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Verfahren zur Herstellung einer tensidfreien Suspension auf wässriger basis von nanostrukturierten, hydrophoben Partikeln und deren Verwendung
DE10233830A1 (de) * 2002-07-25 2004-02-12 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Verfahren zur Flammpulverbeschichtung von Oberflächen zur Erzeugung des Lotus-Effektes
DE10308379A1 (de) * 2003-02-27 2004-09-09 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Dispersion von Wasser in hydrophoben Oxiden zur Herstellung von hydrophoben nanostrukturierten Oberflächen
DE10311645A1 (de) 2003-03-14 2004-09-23 Degussa Ag Nanoskaliges Indium-Zinn-Mischoxidpulver
DE10321851A1 (de) * 2003-05-15 2004-12-02 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Verwendung von mit Fluorsilanen hydrophobierten Partikeln zur Herstellung von selbstreinigenden Oberflächen mit lipophoben, oleophoben, laktophoben und hydrophoben Eigenschaften
JP4721901B2 (ja) * 2003-12-25 2011-07-13 三井金属鉱業株式会社 酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット
AT413699B (de) * 2004-02-06 2006-05-15 Tigerwerk Lack Und Farbenfabri Verfahren zur herstellung von polyesterharzen sowie solche polyesterharze umfassende pulverlackformulierungen
US9096041B2 (en) 2004-02-10 2015-08-04 Evonik Degussa Gmbh Method for coating substrates and carrier substrates
DE102004006612A1 (de) * 2004-02-10 2005-08-25 Degussa Ag Keramischer Wandverkleidungsverbund
WO2005084955A1 (de) * 2004-03-04 2005-09-15 Degussa Ag Durch farbmittel transparent, transluzent oder gedeckt eingefärbte laserschweissbare kunststoffmaterialien
DE102004010504B4 (de) * 2004-03-04 2006-05-04 Degussa Ag Hochtransparente lasermarkierbare und laserschweißbare Kunststoffmaterialien, deren Verwendung und Herstellung sowie Verwendung von Metallmischoxiden und Verfahren zur Kennzeichnung von Produktionsgütern
DE102004018093A1 (de) * 2004-04-08 2005-10-27 Rohmax Additives Gmbh Polymere mit H-Brücken bildenden Funktionalitäten
DE102004018930A1 (de) * 2004-04-20 2005-11-17 Degussa Ag Verwendung eines keramischen Separators in Lithium-Ionenbatterien, die einen Elektrolyten aufweisen, der ionische Flüssigkeiten enthält
DE102004021778A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-08 Rohmax Additives Gmbh Verwendung von Polyalkyl(meth)acrylaten in Schmierölzusammensetzungen
DE102004034618A1 (de) 2004-07-16 2006-02-16 Rohmax Additives Gmbh Verwendung von Pfropfcopolymeren
DE102004036073A1 (de) * 2004-07-24 2006-02-16 Degussa Ag Verfahren zur Versiegelung von Natursteinen
DE102004037210A1 (de) * 2004-07-30 2006-03-23 Nanogate Advanced Materials Gmbh Multifunktionsadditiv
DE102004041747A1 (de) * 2004-08-28 2006-03-02 Degussa Ag Indium-Zinn-Mischoxidpulver
WO2006045339A2 (de) * 2004-10-21 2006-05-04 Degussa Ag Anorganische separator-elektroden-einheit für lithium-ionen-batterien, verfahren zu deren herstellung und verwendung in lithium-batterien
DE102005002659A1 (de) * 2005-01-19 2006-07-27 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung von Mischoxiden mittels Sprühpyrolyse
DE102005029542A1 (de) * 2005-02-05 2006-08-10 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Metalloxidpulvern
US7704586B2 (en) 2005-03-09 2010-04-27 Degussa Ag Plastic molded bodies having two-dimensional and three-dimensional image structures produced through laser subsurface engraving
DE102005040157A1 (de) 2005-08-25 2007-03-01 Degussa Ag Paste aus nanoskaligem Pulver und Dispergiermittel
DE102006001640A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-12 Degussa Gmbh Keramische Wandverkleidungsverbände mit IR-Strahlung reflektierenden Eigenschaften
DE102006001641A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-12 Degussa Gmbh Substrate mit bioziden und/oder antimikrobiellen Eigenschaften
DE102006001639A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-12 Degussa Gmbh Keramische Wandverkleidungsverbände mit elektromagnetisch abschirmenden Eigenschaften
IL175477A (en) * 2006-05-08 2013-09-30 Efraim Kfir A kit for lifting the sinus membranes for use in dental implant surgery
DE102006027480A1 (de) * 2006-06-14 2008-01-10 Evonik Degussa Gmbh Kratz- und abriebfeste Beschichtungen auf polymeren Oberflächen
DE102007021199B4 (de) * 2006-07-17 2016-02-11 Evonik Degussa Gmbh Zusammensetzungen aus organischem Polymer als Matrix und anorganischen Partikeln als Füllstoff, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung und damit hergestellte Formkörper
DE102007009590A1 (de) * 2007-02-26 2008-08-28 Evonik Degussa Gmbh Glänzender und kratzfester Nagellack durch Zusatz von Sol-Gel-Systemen
DE102007009589A1 (de) * 2007-02-26 2008-08-28 Evonik Degussa Gmbh Glänzender und kratzfester Nagellack durch Zusatz von Silanen
JP5233007B2 (ja) * 2007-03-09 2013-07-10 国立大学法人東北大学 透明導電材用塗料および透明導電膜の製造方法
DE102007045146A1 (de) * 2007-09-20 2009-05-28 Evonik Degussa Gmbh Einachsfahrzeug mit einer Plattform und/oder einem Sitz für einen Fahrer
DE102007059805A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-25 Evonik Degussa Gmbh Batteriepack
EP2116513B1 (de) * 2008-05-06 2017-07-05 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung eines oberflächenmodifizierten agglomerates von indiumzinnoxid, das nach diesem verfahren erhältliche oberflächenmodifizierte agglomerat selbst, sowie eine beschichtungsmasse hiermit
JP5835860B2 (ja) * 2009-10-29 2015-12-24 三菱マテリアル電子化成株式会社 熱線遮蔽組成物とその製造方法
DE102010027070A1 (de) * 2010-07-13 2012-01-19 Eberhard-Karls-Universität Tübingen Gas-Sensor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102011007196A1 (de) 2011-04-12 2012-10-18 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Verbundes aus einem Polyamidformteil und einem Methacrylatcopolymer-Formteil
DE102011084269A1 (de) 2011-10-11 2013-04-11 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Polymer-Nanopartikel-Compounds mittels einerNanopartikel-Dispersion
TWI470814B (zh) * 2011-10-25 2015-01-21 Au Optronics Corp 太陽能電池
CA2787584A1 (en) 2012-08-22 2014-02-22 Hy-Power Nano Inc. Method for continuous preparation of indium-tin coprecipitates and indium-tin-oxide nanopowders with substantially homogeneous indium/tin composition, controllable shape and particle size
WO2015120545A1 (en) * 2014-02-14 2015-08-20 Hy-Power Nano Inc. Processes for producing precipitated precursor metal oxide nanoparticles, particulate metal oxide solids and uses therefor
US10472488B2 (en) 2015-05-15 2019-11-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Transparent resin composition and heat ray-shielding film
EP3467052B1 (de) 2017-10-06 2022-04-13 Evonik Operations GmbH Wässrige dispersion enthaltend siliziumdioxid und trimethyl 1,6-hexamethylendiamin
CN109650438A (zh) * 2019-01-18 2019-04-19 昆明理工大学 纳米钨掺杂二氧化锡粉体及其制备方法
CN109502553B (zh) * 2019-01-19 2023-08-22 广西晶联光电材料有限责任公司 一种制备金属氧化物粉体的装置和方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3355733B2 (ja) * 1992-12-28 2002-12-09 三菱マテリアル株式会社 低抵抗導電性顔料及びその製造方法
US6268014B1 (en) * 1997-10-02 2001-07-31 Chris Eberspacher Method for forming solar cell materials from particulars
JP4171790B2 (ja) * 1998-06-12 2008-10-29 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 スズドープ酸化インジウム粉の製造方法
DE19849048A1 (de) * 1998-10-23 2000-04-27 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verfahren zur Herstellung von Suspensionen und Pulvern von Indium-Zinn-Oxid und deren Verwendung
JP4253721B2 (ja) * 1999-08-20 2009-04-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
JP3838615B2 (ja) * 2000-02-10 2006-10-25 同和鉱業株式会社 スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
US20010036437A1 (en) * 2000-04-03 2001-11-01 Andreas Gutsch Nanoscale pyrogenic oxides
JP2002029144A (ja) 2000-07-14 2002-01-29 Teikoku Printing Inks Mfg Co Ltd 記録用シート
DE10129376A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-09 Degussa Indium-Zinn-Oxide
US6908574B2 (en) * 2001-08-13 2005-06-21 Dowa Mining Co., Ltd. Tin-containing indium oxides, a process for producing them, a coating solution using them and electrically conductive coatings formed of them
WO2003042105A1 (fr) * 2001-11-16 2003-05-22 Hitachi Maxell, Ltd. Particules d'indium contenant de l'etain, procede de production associe et feuille electroconductrice contenant lesdites particules
DE10311645A1 (de) 2003-03-14 2004-09-23 Degussa Ag Nanoskaliges Indium-Zinn-Mischoxidpulver
DE102005029542A1 (de) * 2005-02-05 2006-08-10 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Metalloxidpulvern

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100836627B1 (ko) * 2007-01-08 2008-06-10 한양대학교 산학협력단 전기방사법을 이용한 인듐 주석 산화물 나노섬유의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE10311645A1 (de) 2004-09-23
US20070003779A1 (en) 2007-01-04
WO2004080144A2 (en) 2004-09-23
CN1761620A (zh) 2006-04-19
TW200427632A (en) 2004-12-16
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