CN100488877C - 纳米尺寸的铟锡混合氧化物粉末 - Google Patents

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Abstract

一种含有铟和锡的混合氧化物粉末，氧化铟的比例为90至98重量%，BET表面积为40至120m2/g，其是以平均周长小于500nm的聚集体的形式存在，其含有至少95%的氧化铟的相，氧含量低于由In2O3和SnO2理论计算的结果。其是通过以下步骤制造的：将一种铟化合物的溶液与一种锡化合物的溶液混合，将该溶液混合物雾化，在反应器的第一区域内使雾化的溶液混合物热解，热解之后在该反应器的第二区域内将还原性气体于一点或多点加入经热解的混合物中，其添加量使得整个第二区域内形成还原性气氛，在另一个同样也充满还原性气氛的第三区域内，将得到的固体从废气中分离出。其可用于制造透明且具有导电性的油漆和涂料。

Description

纳米尺寸的铟锡混合氧化物粉末
技术领域
本发明提供一种铟锡氧化物粉末、其制备方法及其用途。
背景技术
铟锡氧化物粉末通常是通过在碱性物质存在的条件下使水溶性的铟盐和锡盐反应而得到的。
首先制得氢氧化物，其可在后序步骤中加以煅烧。例如DE-A-100 22037描述了将这些氢氧化物在还原性条件下于200至400℃的温度下，优选为250℃下加以煅烧，而停留时间为15至120分钟，优选为60分钟。在DE-A-100 22 037的一个具体实施方案中，以该方法制备的铟锡氧化物粉末为深棕色。
该粉末可适用于生产红外吸收组合物。然而对于导电油漆和涂料的用途，其电阻过高。此外，对于铟锡氧化物粉末的许多应用领域，棕色的变色是不期望的。
EP-A-1 142 830描述了通过使有机金属前体热解而制备纳米尺度的氧化物。该发明还请求保护铟和锡的前体在这些条件下的反应。然而，该文件并未提及如何获得导电铟锡氧化物。实验表明，由EP-A-1 142 830中所述的方法不能得到具有良好电导率的铟锡氧化物。
EP-A-1 270 511描述了通过使一种铟盐和一种锡盐热解而获得的铟锡混合氧化物粉末和经掺杂的铟锡混合氧化物粉末。以该方法所制粉末的X射线结构分析表明，氧化铟属于立方晶系，而氧化锡属于四方晶系。对于导电油漆和涂料的许多应用领域，这些粉末的电导率过低。
发明内容
本发明的目的是提供与现有技术相比具有提高的电导率的铟锡混合氧化物粉末。在应用中，该粉末应具有高透明度，且不应导致黄色或棕色的变色。
该目的是通过一种含有铟和锡的混合氧化物粉末而得以实现，其特征在于，
-以In2O3加以计算，铟的比例为90至98重量％，优选为90至95重量％，
-BET表面积为40至120m2/g，
-以平均周长小于500nm的聚集体的形式存在，
-X射线衍射分析表明其仅为单相的立方晶系的氧化铟，
-氧含量低于由In2O3和SnO2理论计算的结果。
在根据本发明的混合氧化物粉末中，以In2O3加以计算，铟的比例为90至98重量％。在低于90重量％或高于98重量％的数值下，电导率会降低。在一个优选的具体实施方案中，铟含量为92至95重量％，而在一个特别优选的具体实施方案中，铟含量为93至94重量％。
根据DIN 66131测定BET表面积。在根据本发明的混合氧化物粉末中，BET表面积为40至120m2/g。由于技术原因，难以制备大于120m2/g的表面积。比表面积小于40m2/g的混合氧化物粉末在应用中导致低传导率和/或非期望的黄色或棕色的变色。在一个特别的具体实施方案中，该混合氧化物粉末的BET表面积可为60至100m2/g，对于可达到的电导率，特别优选为70至90m2/g。
根据本发明的混合氧化物粉末是初级颗粒聚集体的形式。为得到尽可能高的透明度，该聚集体的平均周长小于500nm。该聚集体的尺寸优选可为小于300nm的值。
根据本发明的粉末的X射线衍射分析表明，其仅为单一相，即立方晶系的氧化铟的相。无法检测到氧化锡的相。
根据本发明的混合氧化物粉末的氧含量低于由In2O3和SnO2理论计算的结果。例如，以由95重量％In2O3和5重量％SnO2组成的混合氧化物粉末为基准，理论氧含量为17.40重量％。以In2O3加以计算，在铟的比例为90至98重量％的特定限制中，理论氧含量为17.51至17.33重量％。
根据本发明的粉末的氧含量低于理论值。因此，根据本发明的混合氧化物粉末在应用中具有特别良好的透明度以及取决于氧含量的颜色。
在一个优选的具体实施方案中，氧含量可比理论值低0.5至1重量％。
相对于In2O3，根据本发明的混合氧化物粉末可用最高为3重量％，特别优选为0.01至1重量％的至少一种金属和/或氧化物形式的掺杂物质加以掺杂。
合适的掺杂物质为选自以下组中的氧化物和/或元素金属：铝、锑、镉、钙、铈、铁、金、铱、钾、钴、铜、镁、钠、镍、锰、钯、铂、锇、铑、钌、钽、钛、银、硅、钒、钇、钨、锌和锆。特别优选用钾、铂或金掺杂。
在本发明的一个优选的具体实施方案中，该混合氧化物粉末的CIE-L*a*b*值为L＝+40至+55，a＝-6.2至-8.5，b＝-1至-12。CIE-L*a*b*描述了一个颜色空间，其中颜色是用三个坐标唯一地加以描述。
在另一个具体实施方案中，在0.6g·cm-3的压实密度下，根据本发明的混合氧化物粉末的电阻率小于400Ω·cm。在0.6g·cm-3的压实密度下，100至150Ω·cm的值是特别优选的。
本发明还提供一种用于制备根据本发明的混合氧化物粉末的方法，其特征在于，
-将一种铟化合物的溶液与一种锡化合物的溶液、任选添加的至少一种掺杂成分的化合物的溶液混合；
-将该溶液混合物雾化；
-在反应器的第一区域内使雾化的溶液混合物热解；
-热解之后，在该反应器的第二区域内将还原性气体于一点或多点加入经热解的混合物中，其添加量使得整个第二区域内形成还原性气氛；
-在另一个同样也充满还原性气氛的第三区域内，将得到的固体从废气中分离出。
在本发明的意义上，溶液应理解为，其中液相是水溶液、水/有机溶液或有机溶液。可使用以下醇作为优选的有机溶剂，如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇或叔丁醇。根据本发明的方法允许使用三个所引用的变化方式。以此方法，可使用许多种铟和锡的化合物以及任选的掺杂物质，它们优选为有机金属化合物或盐。
合适的铟和锡的化合物可为具有诸如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基或相应的烷氧基变体的烷基的有机金属化合物。
还可使用卤化物或硝酸盐形式的铟盐、锡盐及任选的掺杂物质的盐。使用氯化铟和氯化锡是特别经济的。
在本发明的意义上，掺杂物质是用于掺杂的诸如盐的物质。该掺杂成分为通过采用根据本发明的方法由掺杂物质衍生的混合氧化物粉末中的金属或金属氧化物。
该溶液可通过超声波雾化作用并且采用双流体喷嘴而加以雾化。
在本发明的意义上，热解应理解为，使铟和锡的化合物及任选的掺杂物质转化为混合氧化物。在含有通常是空气的含氧气体以及燃料气体的火焰中实施热解。燃料气体例如可为氢、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、天然气。
在第一区域内的停留时间优选可为0.8至1.5秒，特别优选为1至1.2秒。
除混合氧化物以外，该经热解的混合物还包括气态反应产物和未反应的气态原料物质。例如，气态反应产物可为二氧化碳或氯化氢。
根据本发明，将经热解的混合物与还原性气体混合。该还原性气体例如可为合成气体(forming gas)、氢、一氧化碳、氨或所引用的气体的混合物，而合成气体是特别优选的。在根据本发明的方法中，将还原性气体加入该经热解的混合物中的量应形成还原性的气氛。
在本发明的意义上，还原性气氛是指其中λ值小于1的气氛。
若使用氢、空气和合成气体(80:20N2/H2)，则还原性区域II和III内的λ值例如根据以下公式加以确定：
0.21×(空气+雾化空气)/0.5×(氢+0.2×合成气体)
在各种情况下相对于单位时间内送入气体的量。
对于其中实施热解的区域I，λ值大于1。若使用氢和空气，则区域I内的λ值根据以下公式加以确定：
0.21×(空气+雾化空气)/0.5×氢
在一个优选的具体实施方案中，在第二和第三区域内的停留时间之和可为15秒至15分钟。
通过改变三个区域内的停留时间，可以影响根据本发明的粉末的物理化学性质。例如，延长第二和/或第三区域内的停留时间可确定粉末的颜色。例如，改变第一区域内的停留时间可影响BET表面积。
图1所示为用以实施根据本发明的方法的示意性结构图。I、II、III表示三个反应区域。此外，1代表铟和锡的化合物及任选的额外掺杂物质的雾化溶液；2代表含氧气体，优选为空气：3代表燃料气体，优选为氢；4代表还原性气体；5代表废气；6代表根据本发明的粉末。
本发明还提供根据本发明的混合氧化物粉末用于制备透明且具有导电性的油漆和涂料、太阳能电池和紫外线吸收剂的用途，以及在医学工程中的用途。
具体实施方式
根据DIN 66131测定BET表面积。聚集体平均周长是通过TEM图像的计算而加以测定。用H-75000-2型Hitachi TEM设备获得TEM图像，用TEM设备上的CCD相机进行计算，然后进行图像分析。
在室温及40％的相对湿度下测量该粉末的电阻率，电阻率是作为压实密度的函数。为此，将样品放置在两个可移动的电极之间，对其施加直流电之后计算电流。然后，通过减小电极间的距离而逐渐增加粉末的密度，并再次测量电阻。依据DIN IEC 93进行测量。最小电阻率是在物质相关的最大压实密度下获得的。
该粉末的氧含量是用Rose Mount提供的NOA5003型元素测定仪加以测定的。
L*a*b*值是用Dr.Bruno Lange的NMG 141型Microcolor 2设备加以测量的。
实施例1：
利用压缩空气和喷嘴(直径为0.8mm)将含有88.9g/l氯化铟(III)和8.4g/l氯化锡(IV)的水溶液雾化，并以1500ml/h的流速送入反应管中。其中，含有5m3/h氢和15m3/h空气的氧氢焰在燃烧。火焰下方0.5m处的温度为750℃。于火焰下方2.5m处，送入10m3/h的合成气体，进气点上方的温度约为450℃。使反应混合物通过长度为2m的停留部分，历时14秒。然后利用过滤器将固体从气体物质中分离出，并用连续供应的合成气体于250℃的温度下处理该固体15分钟。
实施例2至6是按照实施例1加以实施的。实施例4至6还额外含有一种掺杂成分，其是在热解阶段加入含有氯化铟(III)和氯化锡(IV)的水溶液中。其用量如表1所示。
实施例7至9是比较例。实施例7和8是以与实施例1相同的方式加以实施的，但是不提供合成气体。其用量如表1所示。
实施例9：
将140g氯化铟(III)(0.63mol，无水)、18g五水合氯化锡(IV)加入1400ml的水中，并加以搅拌。形成澄清的溶液之后，将其加热至50℃，在强烈搅拌下逐滴加入105ml的氢氧化铵溶液(25％)。于50℃下再搅拌该悬浮液24小时。然后再将280ml的氢氧化铵溶液加入该混合物中至完全沉淀。形成白色沉淀，并通过离心过滤将其去除。然后在190℃下于真空中将该粉末进行干燥，直至能检测到该粉末发生浅黄色的变色。然后将经干燥的粉末于250℃下在研钵中加以研细，并在合成气氛下放置60分钟。
由实施例1至9所制粉末的物理化学数据如表2所示。
由实施例1至6所得的根据本发明的粉末在X射线衍射图中仅显示出立方晶系的氧化铟的信号，TEM图像中为聚集体结构，BET表面积为45至80m2/g，而氧含量为16至17％。
工艺条件的影响在由实施例1所得的根据本发明的粉末中和在比较例7所得的粉末中变得特别清晰。例如组成、BET表面积及X射线衍射分析同时得出相同的数值，根据本发明的粉末显示出不同的颜色，实施例7中的粉末为蓝色而非黄色，且电阻也明显更低。
由实施例9通过沉淀所得粉末的X射线衍射分析显示出立方晶系的氧化铟和四方晶系的氧化锡。其在压实密度为0.6g/cm3下的电阻率明显高于由实施例1至6所得的根据本发明的粉末。
图2所示为由实施例1所得的具有聚集体结构的混合氧化物粉末的TEM图像。
图3a所示为由实施例1所得的根据本发明的粉末的XRD图，图3b所示为由实施例8(比较例)所得粉末的XRD图。图3a中所示的由氧化铟产生的信号是作为比较，图3b显示了氧化铟和氧化锡的信号。氧化锡最强的信号用x标出。
Figure C200480006911D00121

Claims (4)

1、用于制造铟锡氧化物粉末的方法，其特征在于，-将一种铟化合物的溶液与一种锡化合物的溶液、任选添加的至少一
种掺杂成分的化合物的溶液混合；
-将该溶液混合物雾化；
-在反应器的第一区域内使雾化的溶液混合物热解；
-热解之后，在该反应器的第二区域内将还原性气体于一点或多点加入经热解的混合物中，其添加量使得整个第二区域内形成还原性气氛；
-在另一个同样也充满还原性气氛的第三区域内，将得到的固体从废气中分离出，其中
-在第一区域内的停留时间为0.8至1.5秒，及
-在第二和第三区域内的停留时间之和为15秒至15分钟。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，该溶液为水溶液、水/有机溶液或有机溶液。
3、如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，铟化合物和锡化合物及任选的掺杂物质为有机金属化合物或盐。
4、如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用合成气体、一氧化碳、氢、氨或这些气体的混合物作为还原性气体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10118346A1 (de) * 2001-04-12 2002-10-17 Creavis Tech & Innovation Gmbh Textile Flächengebilde mit selbstreinigender und wasserabweisender Oberfläche
DE10210673A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Creavis Tech & Innovation Gmbh Spritzgusskörper mit selbstreinigenden Eigenschaften und Verfahren zur Herstellung solcher Spritzgusskörper
DE10210666A1 (de) * 2002-03-12 2003-10-02 Creavis Tech & Innovation Gmbh Formgebungsverfahren zur Herstellung von Formkörpern mit zumindest einer Oberfläche, die selbstreinigende Eigenschaften aufweist sowie mit diesem Verfahren hergestellte Formkörper
DE10210671A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Creavis Tech & Innovation Gmbh Entformungsmittel, welches hydrophobe, nanoskalige Partikel aufweist sowie Verwendung dieser Entformungsmittel
DE10210668A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Creavis Tech & Innovation Gmbh Vorrichtung, hergestellt durch Spritzgussverfahren, zur Aufbewahrung von Flüssigkeiten und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung
DE10210674A1 (de) * 2002-03-12 2003-10-02 Creavis Tech & Innovation Gmbh Flächenextrudate mit selbstreinigenden Eigenschaften und Verfahren zur Herstellung solcher Extrudate
DE10231757A1 (de) * 2002-07-13 2004-01-22 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Verfahren zur Herstellung einer tensidfreien Suspension auf wässriger basis von nanostrukturierten, hydrophoben Partikeln und deren Verwendung
DE10233830A1 (de) * 2002-07-25 2004-02-12 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Verfahren zur Flammpulverbeschichtung von Oberflächen zur Erzeugung des Lotus-Effektes
DE10308379A1 (de) * 2003-02-27 2004-09-09 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Dispersion von Wasser in hydrophoben Oxiden zur Herstellung von hydrophoben nanostrukturierten Oberflächen
DE10311645A1 (de) 2003-03-14 2004-09-23 Degussa Ag Nanoskaliges Indium-Zinn-Mischoxidpulver
DE10321851A1 (de) * 2003-05-15 2004-12-02 Creavis Gesellschaft Für Technologie Und Innovation Mbh Verwendung von mit Fluorsilanen hydrophobierten Partikeln zur Herstellung von selbstreinigenden Oberflächen mit lipophoben, oleophoben, laktophoben und hydrophoben Eigenschaften
US7601661B2 (en) * 2003-12-25 2009-10-13 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Indium oxide-tin oxide powder and sputtering target using the same
AT413699B (de) * 2004-02-06 2006-05-15 Tigerwerk Lack Und Farbenfabri Verfahren zur herstellung von polyesterharzen sowie solche polyesterharze umfassende pulverlackformulierungen
DE102004006612A1 (de) * 2004-02-10 2005-08-25 Degussa Ag Keramischer Wandverkleidungsverbund
US9096041B2 (en) 2004-02-10 2015-08-04 Evonik Degussa Gmbh Method for coating substrates and carrier substrates
US20060281846A1 (en) * 2004-03-04 2006-12-14 Degussa Ag Laser-weldable which are transparently, translucently, or opaquely dyed by means of colorants
DE102004010504B4 (de) * 2004-03-04 2006-05-04 Degussa Ag Hochtransparente lasermarkierbare und laserschweißbare Kunststoffmaterialien, deren Verwendung und Herstellung sowie Verwendung von Metallmischoxiden und Verfahren zur Kennzeichnung von Produktionsgütern
DE102004018093A1 (de) * 2004-04-08 2005-10-27 Rohmax Additives Gmbh Polymere mit H-Brücken bildenden Funktionalitäten
DE102004018930A1 (de) * 2004-04-20 2005-11-17 Degussa Ag Verwendung eines keramischen Separators in Lithium-Ionenbatterien, die einen Elektrolyten aufweisen, der ionische Flüssigkeiten enthält
DE102004021778A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-08 Rohmax Additives Gmbh Verwendung von Polyalkyl(meth)acrylaten in Schmierölzusammensetzungen
DE102004034618A1 (de) 2004-07-16 2006-02-16 Rohmax Additives Gmbh Verwendung von Pfropfcopolymeren
DE102004036073A1 (de) * 2004-07-24 2006-02-16 Degussa Ag Verfahren zur Versiegelung von Natursteinen
DE102004037210A1 (de) * 2004-07-30 2006-03-23 Nanogate Advanced Materials Gmbh Multifunktionsadditiv
DE102004041747A1 (de) * 2004-08-28 2006-03-02 Degussa Ag Indium-Zinn-Mischoxidpulver
JP5086085B2 (ja) * 2004-10-21 2012-11-28 エボニック デグサ ゲーエムベーハー リチウムイオンバッテリー用の無機セパレータ電極ユニット、その製造方法及びリチウムバッテリーにおけるその使用
DE102005002659A1 (de) * 2005-01-19 2006-07-27 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung von Mischoxiden mittels Sprühpyrolyse
DE102005029542A1 (de) * 2005-02-05 2006-08-10 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Metalloxidpulvern
US7704586B2 (en) 2005-03-09 2010-04-27 Degussa Ag Plastic molded bodies having two-dimensional and three-dimensional image structures produced through laser subsurface engraving
DE102005040157A1 (de) 2005-08-25 2007-03-01 Degussa Ag Paste aus nanoskaligem Pulver und Dispergiermittel
DE102006001641A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-12 Degussa Gmbh Substrate mit bioziden und/oder antimikrobiellen Eigenschaften
DE102006001639A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-12 Degussa Gmbh Keramische Wandverkleidungsverbände mit elektromagnetisch abschirmenden Eigenschaften
DE102006001640A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-12 Degussa Gmbh Keramische Wandverkleidungsverbände mit IR-Strahlung reflektierenden Eigenschaften
IL175477A (en) * 2006-05-08 2013-09-30 Efraim Kfir A kit for lifting the sinus membranes for use in dental implant surgery
DE102006027480A1 (de) * 2006-06-14 2008-01-10 Evonik Degussa Gmbh Kratz- und abriebfeste Beschichtungen auf polymeren Oberflächen
DE102007021199B4 (de) * 2006-07-17 2016-02-11 Evonik Degussa Gmbh Zusammensetzungen aus organischem Polymer als Matrix und anorganischen Partikeln als Füllstoff, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung und damit hergestellte Formkörper
KR100836627B1 (ko) * 2007-01-08 2008-06-10 한양대학교 산학협력단 전기방사법을 이용한 인듐 주석 산화물 나노섬유의 제조방법
DE102007009590A1 (de) * 2007-02-26 2008-08-28 Evonik Degussa Gmbh Glänzender und kratzfester Nagellack durch Zusatz von Sol-Gel-Systemen
DE102007009589A1 (de) * 2007-02-26 2008-08-28 Evonik Degussa Gmbh Glänzender und kratzfester Nagellack durch Zusatz von Silanen
JP5233007B2 (ja) * 2007-03-09 2013-07-10 国立大学法人東北大学 透明導電材用塗料および透明導電膜の製造方法
DE102007045146A1 (de) * 2007-09-20 2009-05-28 Evonik Degussa Gmbh Einachsfahrzeug mit einer Plattform und/oder einem Sitz für einen Fahrer
DE102007059805A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-25 Evonik Degussa Gmbh Batteriepack
EP2116513B1 (de) * 2008-05-06 2017-07-05 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung eines oberflächenmodifizierten agglomerates von indiumzinnoxid, das nach diesem verfahren erhältliche oberflächenmodifizierte agglomerat selbst, sowie eine beschichtungsmasse hiermit
JP5835860B2 (ja) * 2009-10-29 2015-12-24 三菱マテリアル電子化成株式会社 熱線遮蔽組成物とその製造方法
DE102010027070A1 (de) * 2010-07-13 2012-01-19 Eberhard-Karls-Universität Tübingen Gas-Sensor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102011007196A1 (de) 2011-04-12 2012-10-18 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Verbundes aus einem Polyamidformteil und einem Methacrylatcopolymer-Formteil
DE102011084269A1 (de) 2011-10-11 2013-04-11 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Polymer-Nanopartikel-Compounds mittels einerNanopartikel-Dispersion
TWI470814B (zh) * 2011-10-25 2015-01-21 Au Optronics Corp 太陽能電池
CA2787584A1 (en) 2012-08-22 2014-02-22 Hy-Power Nano Inc. Method for continuous preparation of indium-tin coprecipitates and indium-tin-oxide nanopowders with substantially homogeneous indium/tin composition, controllable shape and particle size
WO2015120545A1 (en) * 2014-02-14 2015-08-20 Hy-Power Nano Inc. Processes for producing precipitated precursor metal oxide nanoparticles, particulate metal oxide solids and uses therefor
CN107406684B (zh) * 2015-05-15 2020-03-13 住友大阪水泥株式会社 透明树脂组合物及热射线屏蔽薄膜
EP3467052B1 (de) 2017-10-06 2022-04-13 Evonik Operations GmbH Wässrige dispersion enthaltend siliziumdioxid und trimethyl 1,6-hexamethylendiamin
CN109650438A (zh) * 2019-01-18 2019-04-19 昆明理工大学 纳米钨掺杂二氧化锡粉体及其制备方法
CN109502553B (zh) * 2019-01-19 2023-08-22 广西晶联光电材料有限责任公司 一种制备金属氧化物粉体的装置和方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3355733B2 (ja) * 1992-12-28 2002-12-09 三菱マテリアル株式会社 低抵抗導電性顔料及びその製造方法
US6268014B1 (en) * 1997-10-02 2001-07-31 Chris Eberspacher Method for forming solar cell materials from particulars
JP4171790B2 (ja) * 1998-06-12 2008-10-29 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 スズドープ酸化インジウム粉の製造方法
DE19849048A1 (de) * 1998-10-23 2000-04-27 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verfahren zur Herstellung von Suspensionen und Pulvern von Indium-Zinn-Oxid und deren Verwendung
JP4253721B2 (ja) * 1999-08-20 2009-04-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
JP3838615B2 (ja) * 2000-02-10 2006-10-25 同和鉱業株式会社 スズドープ酸化インジウム粉末およびその製造方法
US20010036437A1 (en) * 2000-04-03 2001-11-01 Andreas Gutsch Nanoscale pyrogenic oxides
JP2002029144A (ja) 2000-07-14 2002-01-29 Teikoku Printing Inks Mfg Co Ltd 記録用シート
DE10129376A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-09 Degussa Indium-Zinn-Oxide
US6908574B2 (en) * 2001-08-13 2005-06-21 Dowa Mining Co., Ltd. Tin-containing indium oxides, a process for producing them, a coating solution using them and electrically conductive coatings formed of them
US7172817B2 (en) * 2001-11-16 2007-02-06 Hitachi Maxell, Ltd. Indium particle containing tin, method for producing the same and electroconductive sheet comprising the same
DE10311645A1 (de) 2003-03-14 2004-09-23 Degussa Ag Nanoskaliges Indium-Zinn-Mischoxidpulver
DE102005029542A1 (de) 2005-02-05 2006-08-10 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von Metalloxidpulvern

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